JP3628515B2 - 書き込み条件設定方法及びディスク装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は書き込み条件設定方法及びディスク装置に係り、特に磁気ディスクにデータを書き込む際にヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を設定する書き込み条件設定方法及びこのような書き込み条件設定方法を採用するディスク装置に関する。
【0002】
近年、コンピュータシステムの高速化及び高性能化に伴い、大量のデータを取り扱う頻度が増加している。このため、補助記憶装置等としても使用される磁気ディスク装置に対しても、高速化、大容量化及び高性能化が要求されている。
磁気ディスク装置を大容量化するために、TPI(Track Per Inch)やBPI(Bit Per Inch)を増加させて、面密度(BPSI:Bit Per Square Inch)を向上する方法が提案されており、リード用ヘッドに磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗効果型(MR:Magneto−Resistive)ヘッドを使用することも提案されている。
【0003】
特に、高TPI化に伴い、データを書き込むトラック間隔が非常に狭くなって来たため、隣接トラック間の磁気的干渉を極力小さくする必要性が生じている。
【0004】
【従来の技術】
従来の磁気ディスク装置では、磁気ディスクにデータを書き込む際にヘッドに印加する書き込み電流を決定する場合、オーバーライト特性及びヘッド出力レベルの飽和特性に基づいて決定するのが一般的であった。磁気ディスク装置では、書き込まれたデータを消去してからデータを書き込むのではなく、書き込まれたデータの上にデータを重ね書き(オーバーライト)するのが一般的である。このため、前に書き込まれたデータの残存成分が、重ね書きの後にどの程度残っているかを表すのがオーバーライト特性である。他方、書き込み電流をパラメータにして、ヘッドの出力レベルが飽和する最大レベルを表すのがヘッド出力レベルの飽和特性である。
【0005】
書き込み電流を決定した後、書き込み電流は、磁気ディスク装置に対して固定的に設定された。
ところで、高TPI化に伴い、ヘッドを取付けられたアクチュエータを移動してヘッドを所定のトラックに位置決めする際の位置決め精度誤差、ディスクを回転させるスピンドルモータの偏心成分による位置決め変動量(Run Out)、書き込みを行うヘッドのコア幅の精度に依存する書き込みトラック幅のバラツキ(トラックの書き拡がり)等により、書き込み時の隣接トラックへの磁気的干渉が顕著に現われるようになってきた。このため、ディスクからデータを読み出す際のリードマージンが減少してきている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来、ヘッドに印加される書き込み電流は、磁気ディスク装置に拘らず固定されていた。しかし、上記位置決め精度誤差、位置決め変動量、トラックの書き拡がり等は、部品の製造バラツキにより、個々の磁気ディスク装置によって多少異なるため、必ずしも最適な書き込み電流が設定されないという問題があった。
【0007】
又、上記位置決め精度誤差、位置決め変動量、トラックの書き拡がり等のパラメータは、磁気ディスク装置が使用される環境、特に温度によって変動するにも拘らず、従来は書き込み電流を設定する際に温度に依存するパラメータは全く考慮されていないため、使用環境の最適な書き込み電流が設定されないという問題もあった。
【0008】
他方、ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値を表すオフトラックスライスが、磁気ディスク装置に対して固定的に設定されていると、上記位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのバラツキによっては、TPIマージンに対して過剰又は過少なチェックが発生してしまう。このため、ヘッド又はトラック位置によって、実際に使用されるTPIマージンにバラツキが生じてしまうという問題もあった。
【0009】
そこで、本発明は、個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書き込み条件を設定可能とすることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、請求項1記載の、ディスクのトラックにデータを書き込むのに先立って、少なくともトラック・パー・インチ(TPI)マージンをヘッドに対して複数の温度毎に測定する測定ステップと、温度に依存するパラメータに基づいて、該少なくともTPIマージンが最大となるように該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数の温度毎に可変設定する設定ステップとを含む書き込み条件設定方法によって達成される。
【0011】
請求項2記載の発明では、請求項1において、前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生するアラーム発生ステップを更に含む。
請求項3記載の発明では、請求項2において、前記アラーム発生ステップは、限界値を前記少なくともTPIマージンから求める。
【0012】
請求項4記載の発明では、請求項2又は3において、前記限界値を、前記少なくともTPIマージンに基づいて更新する更新ステップを更に含む。
請求項5記載の発明では、請求項1〜4のいずれかにおいて、前記測定ステップ及び前記設定ステップを、任意のタイミングで行う。
請求項6記載の発明では、請求項1〜5のいずれかにおいて、前記測定ステップは、可変設定した書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を記憶し更新する。
【0013】
請求項7記載の発明では、請求項1〜6のいずれかにおいて、前記測定ステップ及び前記設定ステップは、複数設けられたヘッドの各々に対して独立に行う。請求項8記載の発明では、請求項1〜7のいずれかにおいて、前記測定ステップ及び前記設定ステップは、複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独立に行う。
【0014】
請求項9記載の発明では、請求項1〜8のいずれかにおいて、前記設定ステップは、前記TPIマージンに加えてオフセットマージン及びオントラック精度マージンの少なくとも一方が最大となるように前記書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を可変設定する。
請求項10記載の発明では、請求項1〜9のいずれかにおいて、前記温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも1つのパラメータである。
【0015】
上記の課題は、請求項11記載の、ディスクのトラックにデータを書き込み読み出すヘッドと、該ディスクに前記ヘッドでデータを書き込むのに先立って、少なくともトラック・パー・インチ(TPI)マージンを該ヘッドに対して複数の温度毎に測定する測定手段と、温度に依存するパラメータに基づいて、該少なくともTPIマージンが最大となるように該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数の温度毎に可変設定する設定手段とを備えたディスク装置によっても達成される。
【0016】
請求項12記載の発明では、請求項11において、前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生するアラーム発生手段を更に備える。
請求項13記載の発明では、請求項12において、前記アラーム発生手段は、限界値を前記少なくともTPIマージンから求める。
【0017】
請求項14記載の発明では、請求項12又は13において、前記限界値を、前記少なくともTPIマージンに基づいて更新する更新手段を更に備える。
請求項15記載の発明では、請求項11〜14のいずれかにおいて、前記測定手段及び前記設定手段は、夫々任意のタイミングで前記少なくともTPIマージンの測定と、書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の可変設定を行う。
【0018】
請求項16記載の発明では、請求項11〜15のいずれかにおいて、記憶手段を更に備え、前記測定手段は、可変設定した書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を該記憶手段に記憶し更新する。
請求項17記載の発明では、請求項11〜16のいずれかにおいて、前記ヘッドは複数設けられており、前記測定手段及び前記設定手段は、該複数のヘッドの各々に対して独立に行う。
【0019】
請求項18記載の発明では、請求項11〜17のいずれかにおいて、前記測定手段及び前記設定手段は、複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独立に行う。
請求項19記載の発明では、請求項11〜18のいずれかにおいて、前記設定手段は、前記TPIマージンに加えてオフセットマージン及びオントラック精度マージンの少なくとも一方が最大となるように前記書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を可変設定する。
【0020】
請求項20記載の発明では、請求項11〜19のいずれかにおいて、前記温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも1つのパラメータである。
請求項1及び11記載の発明によれば、個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を設定することができる。
【0021】
請求項2〜4及び12〜14記載の発明によれば、データ破壊等のパーマネントエラー(アンリカバラブルエラー)の発生を防止することができる。
請求項5、6、15及び16の発明によれば、温度及び時間に依存するディスク装置の特性変動を考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができるので、磁気ディスク装置内の部品の経時変化にも対応可能である。
【0022】
請求項7、17及び21記載の発明によれば、各ヘッドに対して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができる。
請求項8及び18記載の発明によれば、ディスクの各ゾーンに対して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができる。
【0023】
請求項9及び19記載の発明によれば、より最適な書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の設定が可能であり、データ破壊等のパーマネントエラー(アンリカバラブルエラー)の発生をより確実に防止することができる。
請求項10及び20記載の発明によれば、温度に対する位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも1つのパラメータに合わせて書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を最適に設定することができる。
【0024】
従って、本発明によれば、個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書き込み条件を設定可能であり、書き込み時の隣接トラックからの干渉及び隣接トラックへの干渉を防止することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、図面と共に本発明の実施例を説明する。
【0026】
【実施例】
図1は、本発明になるディスク装置の一実施例を概略構成を示すブロック図である。ディスク装置の本実施例では、本発明になる書き込み条件設定方法を採用する。又、ディスク装置の本実施例では、本発明が磁気ディスク装置に適用されている。
【0027】
磁気ディスク装置は、大略図1に示す如く接続されたヘッドディスクアセンブリ(HDA)1、リード/ライト制御部2、制御部3、メモリ部4、シーケンサ制御部5、マイクロコントローラユニット(MCU)6及びインタフェース制御部7からなる。インタフェース制御部7は、インタフェース8を介してホストコンピュータ9に接続されている。
【0028】
HDA1は、ヘッド集積回路(IC)11、アクチュエータ12、複数のヘッド13、スピンドルモータ14及び複数の磁気ディスク15からなる周知の構成を有する。ヘッドIC11は、ヘッド13によるディスク15への書き込み(ライト)及びディスク15からの読み出し(リード)を制御する。アクチュエータ12は、各ヘッド13の各ディスク15に対する位置決めを制御する。スピンドルモータ14は、各ディスク15が取付けられたスピンドルを駆動して各ディスク15を回転する。
【0029】
リード/ライト制御部2は、HDA1のディスク15に書き込むデータの変調及び書き込み動作と、HDA1のディスク15から読み出したデータの復調と読み出し動作とを制御する。制御部3は、シーク動作の制御等を行うサーボ制御部3aと、スピンドルモータ14の制御を行うスピンドル制御部3bとからなる。メモリ部4は、バッファメモリとして使用され、各種データを格納する。
【0030】
シーケンサ制御部5は、バッファ管理やプロトコル管理等を行い、磁気ディスク装置とホストコンピュータ9との間のデータ転送の送受信を制御する。MCU6は、プログラム格納部6aを含み、各制御部2,3,5を制御して、磁気ディスク装置全体の制御を行う。インタフェース制御部7は、インタフェース8を介してホストコンピュータ9と接続しており、磁気ディスク装置とホストコンピュータ9との間のインタフェース8を制御する。シーケンサ制御部5及びインタフェース制御部7は、後述するハードディスクコントローラ(HDC)を構成する。ホストコンピュータ9は、HDA1内のディスク15に書き込むデータを磁気ディスク装置に入力したり、磁気ディスク15から読み出されたデータに処理を施したりする。
【0031】
図2は、TPIマージンの測定方法を説明する図である。TPIマージンとは、データを書き込まれた所定トラック(又はシリンダ)の一部が、片側又は両側の隣接トラックの書き込みにより別のデータを書き込まれても、リードヘッドが所定トラックに対してオントラックして所定トラックからデータを読み取ることが可能な隣接トラックからのトラックオフセットの限界を表す。
【0032】
図2中、トラックTn−1,Tn,Tn+1はHDA1内の1つのディスク15上に形成されており、ヘッド13がインダクティブヘッド(ライトヘッド)13aとMRヘッド(リードヘッド)13bからなるものとする。ヨー(Yaw)角によるリード損失を考慮して、ライトヘッド13aのライトコア幅Cwは、リードヘッド13bのリードコア幅Crより大きく設定されている。A,B,Cは、夫々トラックTn−1,Tn,Tn+1の中心(以下、トラックセンタと言う)、DSは未書き込みスペース(デッドスペース)、ΔSはトラック追従精度誤差(オントラック精度)、ΔXは隣接トラックからのオフセット量を示す。
【0033】
オントラック精度は、スピンドルモータ14の回転に同期した位置決め変動量(RRO:Repeatable Run Out)、スピンドルモータ14の回転に非同期の位置決め変動量(NRRO:Non−Repeatable Run Out)、コアズレ補正誤差及びサーボ追従誤差等の成分を含む。ライトコア幅Cwの中心と、リードコア幅Crの中心とは、ヘッド13の製造プロセスに起因するバラツキ等により、必ずしも一致しない。このため、一般には書き込まれたトラックを読み取る場合、書き込み時のライトコア幅Cwの中心に読み出し時のリードコア幅Crの中心が一致するようにトラッキング補正を行うが、この際に発生する誤差成分が上記コアズレ補正誤差である。又、サーボ追従誤差とは、MRヘッド特有な出力振幅の上下非対称性又はバルクハウゼンノイズによって発生する追従誤差成分である。
【0034】
トラックTnへの隣接トラックTn−1からのオフセット量ΔXは、次のように求められ、この値がTPIマージンとなる。つまり、隣接トラックTn−1のトラックセンタAからのオフセットして書き込む場合のオフセット量OSQは、OSQ=ΔX+ΔSで表され、トラックTnのトラックセンタBから揺れて読み出しを行う場合のズレ量EはE=Cr/2+ΔSで表される。ここで、オフセット量OSQとズレ量Eとが重なっても読み出し可能なオフセット量をαとすると、次式(1)が成立し、式(1)から式(2)に示すようにオフセット量ΔXを求めることができる。
【0035】
(ΔX+ΔS)+(Cr/2+ΔS)−α=DS+Cw/2 式(1)
ΔX=DS+(Cw/2−Cr/2)+α−2ΔS 式(2)
従って、各ヘッド13のTPIマージンは、ヘッド13のライトコア幅Cwとオントラック精度ΔSに依存する度合いが大きいことがわかる。又、ライトヘッド13aによる実効的なライトコア幅Cwは、印加される書き込み電流や環境温度に応じて変化する書き拡がり量によって左右されるため、実際のライトコア幅Cwは、書き込み電流に依存する。
【0036】
ライトコア幅Cwは、個々のヘッド13によって異なる。又、オントラック精度ΔSは、追従するトラックによって異なる。そこで、本実施例では、上記式(2)で表されるオフセット量ΔX、即ち、TPIマージンの値を求め、TPIマージンの値が所定値以上となるような、書き込み電流を自動的に測定する。又、本実施例では、求められたTPIマージンより書き込み条件の測定は、個々のヘッド13毎及びトラックの追従を行うディスク15上の各ゾーン毎に行う。もちろん、全ヘッド、全トラックの書き込み電流について測定せずに近似的に求めても良い。
【0037】
ここで、上記式(1)より、実効的なライトコア幅Cwを測ることによりTPIマージンを求めれば、オントラック精度ΔSが求められる。TPIマージンが最大となる、即ち、オフセット量ΔXの限界値が最大となる時、オントラック精度ΔSの限界値は最小となり、オントラック精度マージンは最大となる。従って、いずれかのマージンが最大となるように書き込み条件を設定すれば良い。
【0038】
書き込み電流の測定及び更新は、磁気ディスク装置の製造プロセス中の試験工程、磁気ディスク装置の出荷時、任意のタイミング、一定時間間隔毎、磁気ディスク装置の置かれた環境の変化が検出される度、エラー発生時、エラー発生回数が一定値を越えた場合等に行うことができる。
自動測定された書き込み電流の値は、ヘッド13毎及びディスク15のゾーン毎にマップ化されてテーブル形式でメモリ部4に格納される。図3は、メモリ部4に格納された書き込み電流値をテーブル形式で示した一実施例である。ヘッド13の数(又はヘッド番号)がnで、ゾーンの数(又はゾーン番号)がmで示されている。例えば、図3中、ヘッド番号が2でゾーン番号が3の場合の書き込み電流は、I32である。
【0039】
図3に示すテーブルの内容は、温度測定による温度タイミングや、所定時間間隔毎のタイミングで、キャリブレーションを調整用シリンダに対して行うことで更新可能である。
調整シリンダとしては未使用のデータ領域のシリンダ、調整用に特別に設けられたシリンダ、最内周や最外周側のデータ領域のシリンダ等を使用することができる。
【0040】
また、図3に示すテーブルを複数の温度毎に、例えば0℃,25℃,50℃についての測定結果に対応して設けておくことで、ライトコマンド受信時におけるディスク装置の内部や外部の環境温度に応じて、書き込み電流を最適な値に設定してライトを行うことが可能になる。なお、0〜25℃の間、25〜50℃の間等の細かな温度変化に対しては、3つの温度のテーブルを使用して計算により求めて、その計算値を最適な値として、ライト時に書き込み電流を設定することも可能である。
【0041】
キャリブレーションは時間がかかる為ホストからの応答性能が低下してしまう為、ユーザの使用環境によってはキャブレーションは電源投入時やエラーが発生しない限り行えない場合がある。
このようにキャリブレーションが行えない場合は、メモリ部4に装置出荷時に予め格納された温度に対する書き拡がり量を示す温度補正特性を示す図4を使用する。図4中、縦軸は書き拡がり量γ(μm)を示し、横軸は温度(℃)で示す。
【0042】
従って、温度測定による所定温度タイミングや、概略の温度変化に対応する所定時間タイミングで、もしくはライトコマンド受信時に温度や経過時間を測定して、図4から対応する書き拡がり量を求めることができる。そして、求めた書き拡がり量を用いてTPIマージンに対する温度補正を行うことができる。
具体的には、例えば書き込み電流が25℃で調整されている場合、高温の50℃を想定して書き拡がり量γをライトコア幅Cwに加算しても、高温時での充分なTPIマージンが確保できるように書き込み電流を設定する。つまり、ΔX−(b−a)の値が所定値以上となる書き込み電流を、上記図3に示す温度毎の書き込み電流値のテーブルに、ヘッド毎及びゾーン毎に設定すれば良い。
【0043】
上記図4の温度補正特性を使用した温度補正は、勿論キャリブレーションが行われる場合に行っても良いことは言うまでもない。
次に、オフトラックスライスの設定方法について説明する。オフトラックスライスとは、ヘッド13の走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値を表す。トラックTnに対し、隣接トラックTn−1のトラックセンタAからオフセットして書き込む場合のオフセット量OSQは、上記の如くOSQ=ΔX+ΔSで表される。このオフセット量OSQに対し、オフトラックスライスOTSLをOTSL≦ΔX+ΔSを満足するように設定すれば、トラックTnが隣接トラックTn−1から侵食されて、トラックTnの一部が許容範囲を越えて隣接トラックTn−1により書き込まれる前にこれを検出して例えばアラームを発生することで、このような不都合を防止できる。
【0044】
オフトラックスライスOTSLは、次式(3)を満足するように設定すれば良い。
上記式(3)からわかるように、オフトラックスライスOTSLは、TPIマージン、即ち、調整後の書き込み電流、ライトコア幅Cw及びオントラック精度に依存する。従って、書き込み電流と同様に、オフトラックスライスOTSLもTPIマージンを測定して自動的に調整して設定することができる。又、オフトラックスライスOTSLの設定は、個々のヘッド13毎及びトラックの追従を行うディスク15上の各ゾーン毎に行うことができる。
【0045】
オフトラックスライスOTSLの測定及び更新は、磁気ディスク装置の製造プロセス中の試験工程、磁気ディスク装置の出荷時、任意のタイミング、一定時間間隔毎、磁気ディスク装置の置かれた環境の変化が検出される度、エラー発生時、エラー発生回数が一定値を越えた場合等に行うことができる。
自動測定されたオフトラックスライスOTSLの値は、ヘッド13毎及びディスク15のゾーン毎にマップ化されてテーブル形式でメモリ部4に格納される。図5は、メモリ部4に格納されたオフトラックスライスOTSL値をテーブル形式で示した一実施例である。ヘッド13の数(又はヘッド番号)がnで、ゾーンの数(又はゾーン番号)がmで示されている。例えば、図5中、ヘッド番号が2でゾーン番号が3の場合の書き込み電流は、O32である。
【0046】
図5に示すテーブルの内容は、温度測定による温度タイミングや、所定時間間隔毎のタイミングで、キャリブレーションを調整用シリンダに対して行うことで更新可能である。
調整シリンダとしては未使用のデータ領域のシリンダ、調整用に特別に設けられたシリンダ、最内周や最外周側のデータ領域のシリンダ等を使用することができる。
【0047】
また、図5に示すテーブルを複数の温度毎に、例えば0℃,25℃,50℃についての測定結果に対応して設けておくことで、ライトコマンド受信時におけるディスク装置の内部や外部の環境温度に応じて、オフトラックスライスOTSLを最適な値に設定してライトを行うことが可能になる。なお、0〜25℃の間、25〜50℃の間等の細かな温度変化に対しては、3つの温度のテーブルを使用して計算により求めて、その計算値を最適な値として、ライト時にオフトラックスライスOTSLを設定することも可能である。
【0048】
キャリブレーションは時間がかかる為ホストからの応答性能が低下してしまう為、ユーザの使用環境によってはキャブレーションは電源投入時やエラーが発生しない限り行えない場合がある。
このようにキャリブレーションが行えない場合は、上記の如くメモリ部4に装置出荷時に予め格納された温度に対する書き拡がり量を示す温度補正特性を示す図4を使用する。
【0049】
具体的には、例えばオフトラックスライスOTSLが25℃で調整されている場合、一定時間間隔毎に温度測定を行うことで、図4に示す温度変化に対する書き拡がり量γの関係からTPIマージンの値ΔXにこの書き拡がり量γを加算することで、温度変化に対するTPIマージン(ΔX+γ)よりオフトラックスライスOTSLが求まるので、図5に示す温度毎のオフトラックスライスOTSLの値のテーブルを、ヘッド毎及びゾーン毎に更新することができる。
【0050】
図4の温度補正特性を使ってTPIマージンの補正を行う場合は、温度補正分を加味してOTSL≦[ΔX−(b−a)]+[ΔS+(±τ)]となるようなオフトラックスライスOTSLの値を求めて設定すれば良い。ここで、τはTPIマージンと共に測定によって求められるか、TPIマージンに加味されているものとして無視してτ=0とみなすことが可能である。
【0051】
次に、ディスク装置の本実施例の構成を、図6と共により詳細に説明する。図6は、図1に示す磁気ディスク装置の構成をより詳細に示すブロック図である。同図中、図1と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図6に示すように、磁気ディスク装置は、HDA(又は、ディスクエンクロージャ)1と、リード/ライト制御部2と、制御部3と、ユニット100と、RAM4−1と、フラッシュEEPROM4−2と、電源監視回路121と、発振器122とからなる。RAM4−1及びフラッシュEEPROM4−2は、メモリ部4を構成する。
【0052】
HDC1は、大略スピンドルモータ14と、フレキシブルプリント回路(FPC)16と、ヘッド/ディスクアセンブリ18と、ボイスコイルモータ(VCM)19とからなる。FPC16には、ヘッドIC11と温度センサ17とが設けられている。ヘッド/ディスクアセンブリ18は、アクチュエータ12、ヘッド13及びディスク15を含み、VCM19はアクチュエータ12を駆動する。HDC1自体の構成は、温度センサ17がFPC16に設けられていることを除けば、基本的には周知のディスク装置のHDCと同様である。
【0053】
MCU6は、大略図6に示す如く接続されたCPU61、ROM62、RAM63、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)64、論理回路65、デジタル/アナログ(D/A)変換器66及びアナログ/デジタル(A/D)変換器67からなる。CPU61は、ROM62に格納されたプログラムに基づき、磁気ディスク装置の各部を制御する。CPU61がプログラムを実行する際に用いるデータや計算処理で発生する中間データ等は、RAM63に格納される。DSP64及び論理回路65は、CPU61が実行するプログラムより高速にデータ処理を行うために設けられている。D/A変換器66は、HDA1内のディスク15に書き込まれるデータをアナログ信号に変換し、A/D変換器67は、HDA1内のディスク15から読み出されたデータをデジタル信号に変換する。A/D変換器67には、HDA1内の温度センサ17の出力信号も入力される。又、ヘッド13に印加される書き込み電流は、D/A変換器66から出力される。尚、フラッシュEEPROM4−2は、MCU6の補助メモリとして設けられている。
【0054】
ハードディスクコントローラ(HDC)110は、大略インタフェース制御部7と、ディスクフォーマッタ111と、データフローコントローラ112と、リードソロモン/誤り訂正符号(ECC)回路113と、バッファコントローラ114とからなる。ディスクフォーマッタ111は、HDA1内のディスク15上に書き込まれる情報のフォーマッティングを行う。データフローコントローラ112は、磁気ディスク装置とホストコンピュータ9との間のデータの流れを制御する。リードソロモン/ECC回路113は、ディスク15に書き込むデータの符号化及びECCの付加等と、ディスク15から読み出したデータの復号化及びECCによる誤り訂正処理等を行う。バッファコントローラ114は、RAM4−1に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。ディスクフォーマッタ111、データフローコントローラ112、リードソロモン/ECC回路113及びバッファコントローラ114は、シーケンサ制御部5を構成する。
【0055】
電源監視回路121は、制御部3やユニット100に供給される電源電圧を監視して、許容範囲内の電源電圧が磁気ディスク装置の各部に供給されるようにする。発振器122は、基準クロックをユニット100内のPLL回路101に入力し、PLL回路101は、基準クロックに基づいて生成されたクロックをMCU6及びHDC110内の各部へ供給する。MCU6、PLL回路101及びHDC110は、ユニット100を構成する。
【0056】
リード/ライト制御部2、制御部3、ユニット100、RAM4−1、フラッシュEEPROM4−2、電源監視回路121及び発振器122からなる装置部分自体は、周知の構成のものを使用可能である。本実施例では、MCU6が行う処理に特徴がある。
図7は、TPIマージンの測定処理を説明するフローチャートである。同図に示す測定処理は、MCU6内のCPU61、又は、CPU61及びDSP64及び/又は論理回路65により行われる。
【0057】
図7において、ステップS1は、書き込み電流Iwを設定する。この書き込み電流Iwは、例えばw=20mA〜50mAとすると、2mAのステップでIw=wmAに設定される。ステップS2は、ヘッド番号nを選択する。この場合、ヘッド番号は「0」〜「n」の順に選択される。ステップS3は、ヘッド番号が最大数MAX+1であるか否かを判定し、ヘッド番号がMAX+1=n+1であると、判定結果がYESであり処理は終了する。
【0058】
他方、ステップS3の判定結果がNOであると、ステップS4は、シリンダ番号mを選択してシーク動作を開始する。シリンダ番号mは、例えば各ディスク15のアウタゾーンの最インナシリンダに選択される。ディスク15のアウタ側が最小シリンダ番号の場合、シリンダ番号mは、データ領域に属さずデータ領域の内側の(最大シリンダ番号+2)又はデータ領域の外側の(最小シリンダ番号−2)に選択されても良い。次に、ステップS5は、データパターンを選択する。データパターンは、例えばシリンダ番号mに対しては「00H ]の繰り返し、シリンダ番号m+1に対しては「FFH 」の繰り返し、シリンダ番号m−1に対しては「FFH 」の繰り返しに選択される。ステップS6は、シリンダ番号mにデータを書き込む。これにより、測定を行うシリンダ番号mと、この両側にあるシリンダ番号m−1,m+1とでは、異なるデータパターンが書き込まれ、シリンダ番号mから読み出されたデータパターンをシリンダ番号m−1,m+1から読み出されたデータパターンと比較することで、誤り認識を防止することができる。
【0059】
ステップS7は、シリンダ番号m+1をシークし、ヘッド13をシリンダ番号mの方向へΔXμmオフセットしてデータの書き込みを行う。又、ステップS8は、シリンダ番号m−1をシークし、ヘッド13をシリンダ番号mの方向へΔXμmオフセットしてデータの書き込みを行う。ステップS9は、シリンダ番号mからデータの読み出しを行い、ステップS10は、読み出されたデータのエラーレイトが10−n未満であるか否かを判定し、判定結果がYESであれば、処理はステップS1へ戻る。
【0060】
他方、ステップS10の判定結果がNOであると、ステップS10−1は書き込み電流Iwが最大であるか否かを判定する。つまり、ステップS10−1は、この場合2mAのステップで20mA〜50mAの範囲で設定されるので、20mA〜50mAの範囲内でΔXが最大の値を検出する。ステップS10−1の判定結果がNOであると、処理はステップS1へ戻り、書き込み電流Iwが2mAのステップで変えられる。このようにして、Iw=20〜50mAの範囲で測定を行い、ΔXの限界値が最大となるIwを見つける。他方、ステップS10−1の判定結果がYESであると、ΔXμmオフセットしてエラーレイトが10−n以上となる限界値を求める。具体的には、ステップS11は、オフセット量(TPIマージン)ΔXμmの限界値(オフトラックスライス)OTSLが最大となる書き込み電流Iwの値を求める。又、ステップS12は、この場合のヘッド番号、シリンダ番号、書き込み電流Iwの値、オフトラックスライスOTSLの値及び温度をRAM63又はフラッシュEEPROM4−2に格納する。ステップS12の後、処理はステップS1へ戻る。
【0061】
尚、上記ステップS4〜S12は、本実施例ではディスク15のゾーン毎に行うので、この場合、ステップS12では、シリンダ番号に加えてゾーン番号をRAM63又はフラッシュEEPROM4−2に格納する。これにより、図3に示したような書き込み電流値のテーブル及び図5に示すようなオフトラックスライス値のテーブルが夫々作成されて格納される。このようにして、上記ステップを複数の温度で繰り返し、複数の温度毎のテーブルを作成する。
【0062】
上記の如く、図7に示す測定処理は、任意のタイミングで行えば良い。
図8は、出荷後のキャリブレーション時のTPIマージンについての処理を説明するフローチャートである。同図に示す処理は、MCU6内のCPU61、又は、CPU61及びDSP64及び/又は論理回路65により行われる。
図8において、ステップS21は、コマンドを実行中であるか否かを判定する。ステップS21の判定結果がYESであると、ステップS22は、コマンド処理を続行し、処理はステップS21へ戻る。他方、ステップS21の判定結果がNOであると、ステップS23は、キャリブレーションのタイマがタイムアウトしているか否かを判定する。ステップS23の判定結果がYESになると、ステップS23−1で温度センサ17の出力を読み取って現在の温度を検出する。ステップS23−2は、検出された現在の温度から25℃を減算した温度が例えば10℃より大きいか否かを判定し、判定結果がNOであると処理は終了する。他方、ステップS23−2の判定結果がYESであると、ステップS23−3で書き込み電流Iwを例えばw=20mA〜50mAの範囲で2mAのステップでIw=w mAに設定し、ステップS24以降のキャリブレーションが行われる。本実施例では、キャリブレーションが各ヘッド13毎に行われる。
【0063】
ステップS24は、ヘッド番号nを選択する。この場合、ヘッド番号は「0」〜「n」の順に選択される。ステップS25は、ヘッド番号が最大数MAX+1であるか否かを判定し、ヘッド番号がMAX+1=n+1であると、判定結果がYESであり処理は終了する。
他方、ステップS25の判定結果がNOであると、ステップS26は、シリンダ番号mを選択してシーク動作を開始する。シリンダ番号mは、例えばディスク15のアウタ側が最小シリンダ番号の場合、データ領域に属さずデータ領域の内側の(最大シリンダ番号+2)及びデータ領域の外側の(最小シリンダ番号−2)に選択される。次に、ステップS27は、データパターンを選択する。データパターンは、例えばシリンダ番号mに対しては「00H ]の繰り返し、シリンダ番号m+1に対しては「FFH 」の繰り返し、シリンダ番号m−1に対しては「FFH 」の繰り返しに選択される。ステップS28は、シリンダ番号mにデータを書き込む。これにより、測定を行うシリンダ番号mと、この両側にあるシリンダ番号m−1,m+1とでは、異なるデータパターンが書き込まれ、シリンダ番号mから読み出されたデータパターンをシリンダ番号m−1,m+1から読み出されたデータパターンと比較することで、誤り認識を防止することができる。
【0064】
ステップS29は、シリンダ番号m+1をシークし、ヘッド13をシリンダ番号mの方向へΔXμmオフセットしてデータの書き込みを行う。又、ステップS30は、シリンダ番号m−1をシークし、ヘッド13をシリンダ番号mの方向へΔXμmオフセットしてデータの書き込みを行う。ステップS31は、シリンダ番号mからデータの読み出しを行い、ステップS32は、読み出されたデータのエラーレイトが10−n未満であるか否かを判定し、判定結果がYESであれば、処理はステップS21へ戻る。
【0065】
他方、ステップS32の判定結果がNOであると、ステップS32−1は書き込み電流Iwが最大であるか否かを判定する。つまり、ステップS32−1は、書き込み電流Iwが例えば2mAのステップで20mA〜50mAの範囲で設定されるので、20mA〜50mAの範囲内でΔXが最大の値を検出する。ステップS32−1の判定結果がNOであると、処理はステップS21へ戻り、書き込み電流Iwが2mAのステップで変えられる。このようにして、Iw=20〜50mAの範囲で測定を行い、ΔXの限界値が最大となるIwを見つける。他方、ステップS32−1の判定結果がYESであると、ΔXμmオフセットしてエラーレイトが10−n以上となる限界値を求める。具体的には、ステップS33は、オフセット量(TPIマージン)ΔXμmの限界値(オフトラックスライス)OTSLが最大となる書き込み電流Iwの値を求める。又、ステップS34は、この場合のヘッド番号と、最大又は最小シリンダ番号とに対して温度毎にRAM63又はフラッシュEEPROM4−2に格納された書き込み電流Iwの値及びオフトラックスライスOTSLの値を更新する。つまり、書き込み電流Iwの値及びオフトラックスライスOTSLの値は、各温度毎に設けられたテーブルに対して更新される。本実施例では例えば25℃,35℃,45℃,55℃と言った具合に10℃毎に更新が行われるが、初期温度を例えば0℃にするか25℃にするかはユーザの温度に依存する。ここでは、初期温度は便宜上25℃(常温)であるものとする。ステップS34の後、処理はステップS21へ戻る。
【0066】
この場合、キャリブレーションは、各ヘッド13に対して、(最大シリンダ番号+2)及び(最小シリンダ番号−2)の2箇所でしか行わないので、各ゾーンにおけるTPIマージンの値は、図9に示す方法にて線形補完を行えば良い。図9は、例えば予め出荷時の試験工程で求められたTPIマージンの値と、キャリブレーションによって得られたTPIマージンの値とを示す図である。同図中、縦軸はTPIマージンの値を示し、横軸はゾーンを示す。実線は、出荷時の試験工程で求められたTPIマージンの値を示し、T1,T2はキャリブレーションによって得られたTPIマージンの値を示す。
【0067】
試験工程で求められたTPIマージンの値に対して、キャリブレーションによって得られたTPIマージンの値T1,T2を図9中破線で示すように線形補完することで最新のTPIマージンの値が得られ、これに基づいてオフトラックスライスOTSLの値を求めることができる。この最新のオフトラックスライスOTSLの値を図5に示すオフトラックスライス値のテーブルに格納することで、オフトラックスライス値のテーブルを更新することができる。
【0068】
尚、図7のステップS12又は図8のステップS34において、オフトラックスライスOTSLの値が所定値を越えるとアラームを発生するようにしても良い。このアラームは、例えばCPU61からホストコンピュータ9へ通知される。図10は、温度センサ17の出力と、A/D変換器67の出力との関係を示す図である。同図中、縦軸はA/D変換器67の出力を任意単位で示し、横軸は温度センサ17の出力を℃で示す。
【0069】
図8に示すキャリブレーションが行われない場合には、図10に示す温度センサ17の出力温度情報に基づいて、図4に示す如き書き拡がり量γを求めることができる。例えば、磁気ディスク装置の出荷時に25℃で調整されている場合には、一定時間間隔毎に温度センサ17の出力をCPU61で監視することで、温度変化に対する書き拡がり量γを求め、TPIマージンΔXにこの書き拡がり量γを加算することで、温度変化に対するTPIマージン(ΔX+γ)が求められる。オフトラックスライスOTSLの値は、この温度変化に対するTPIマージン(ΔX+γ)から求めて、図5に示す如きオフトラックスライス値のテーブルを更新すれば良い。この場合のTPIマージンの測定処理は、図7のステップS12において、オフトラックスライスOTSLの値を、上記温度変化に対するTPIマージン(ΔX+γ)から求める点を除けば、図7の測定処理と実質的に同じである。
【0070】
ところで、TPIマージンの値を求める代わりに、オフセットマージン又はオントラック精度マージンの値を各ヘッドに対して測定するようにしても良い。ここで、オフセットマージンとは、所定シリンダに書き込まれたデータが、この所定シリンダに対して位置決めされたヘッドがオフセットを起こしても読み出すことができるオフセットの限界を表す。
【0071】
つまり、図7又は図8において、TPIマージンの値を測定する代わりに、オフセットマージン又はオントラック精度マージンの値を測定しても良い。この場合、温度に依存するパラメータを考慮した上で、TPIマージンの値を求める代わりに、オフセットマージン又はオントラック精度マージンが最大となるようにヘッド13に印加する書き込み電流を可変設定する。又、温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも1つのパラメータであれば良い。
【0072】
図11は、キャリブレーション時のオフセットマージンについての処理を説明するフローチャートである。同図に示す処理は、MCU6内のCPU61、又は、CPU61及びDSP64及び/又は論理回路65により行われる。同図中、図8と同一ステップには同一符号を付し、その説明は省略する。
図11において、ステップS27の後、ステップS128はmシリンダの両隣りのm+1シリンダ及びm−1シリンダにノイズを書き込む。ステップS129は、mシリンダにデータを書き込む。ステップS130は、ヘッドをmシリンダのトラック中心からm−1方向(m+1方向)へオフセットさせながらデータを読み取る。ステップS131は、オフセット値ΔOをセーブし、ステップS132は、読み取られたデータのエラーレイトが10−n未満であるか否かを判定し、判定結果がYESであれば処理はステップS21へ戻る。
【0073】
他方、ステップS132の判定結果がNOであると、ステップS132−1は書き込み電流Iwが最大であるか否かを判定する。つまり、ステップS132−1は、書き込み電流Iwが例えば2mAのステップで20mA〜50mAの範囲で設定されるので、20mA〜50mAの範囲内でオフセットマージン(ΔO)が最大の値を検出する。ステップS132−1の判定結果がNOであると、処理はステップS21へ戻り、書き込み電流Iwが2mAのステップで変えられる。このようにして、Iw=20〜50mAの範囲で測定を行い、オフセットマージン(ΔO)の限界値が最大となるIwを見つける。他方、ステップS132−1の判定結果がYESであると、セーブしたオフセット値ΔOについて、エラーレイトが10−n以上となる限界値を求める。具体的には、ステップS133は、オフセットマージンの(ΔO)限界値が最大となる書き込み電流Iwの値を求める。又、ステップS134は、この場合のヘッド番号と、最大又は最少シリンダ番号とに対して温度毎にRAM63又はフラッシュEEPROM4−2に格納された書き込み電流Iwの値及びライトオフトラックスライスOTSLの値を更新する。つまり、書き込み電流Iwの値及びライトオフトラックスライスOTSLの値は、各温度毎に設けられたテーブルに対して更新される。ステップS134の後、処理はステップS21へ戻る。
【0074】
尚、オフセットマージンを測定する際、オフセットマージンとなるオフセット値(量)ΔOは、或るトラックの両側のトラックにノイズを書いた時にヘッドを上記或るトラックに対してオフセットさせて読めた全幅に対応し、次式で表わされる。
ここで、ΔX=DS+(Cw/2−Cr/2)+α−2ΔSなので、2ΔS=DS+(Cw/2−Cr/2)+α−ΔXとなる。従って、オフセット値ΔOは次式で表わされる。
【0075】
このように、オフセットマージンからTPIマージンが求められるので、TPIマージンの場合と同様にオフトラックスライスを求めることができる。
更に、ディスク15のトラックにデータを書き込む際に、TPIマージン、オフセットマージン及びオントラック精度マージンを各ヘッド13に対して測定しておき、2以上のマージンが最大となるように書き込み電流を可変設定するようにしても良い。
【0076】
ヘッド毎及びゾーン毎に書き込み電流を設定することで、例えばライトコア幅の広いヘッド、即ち、書き拡がり量が大きいヘッドを使用する際、トラックの位置決め精度誤差及び位置決め変動量が大きい場合には書き込み動作時に隣接トラックのデータを消してしまってアンリカラブルエラーを引き起こす可能性がある。しかし、温度変動により影響を受ける位置決め精度誤差及び位置決め変動量と、ライトコア幅で決定される書き拡がり量とは、個々のヘッド及び位置によってバラツキが生じる。そこで、本発明の如く、個々のヘッドに対してTPIマージン等のマージンを測定し、隣接トラックのデータを消してしまうような不都合が発生しないように書き込み電流及びオフトラックスライスを設定することで、アンリカラブルエラーの発生を確実に防止することができる。
【0077】
尚、上記各実施例では、キャリブレーションを行えない場合に温度に応じた処理を行っているが、電源オン時やエラー検出時等にも行っても良い。
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【0078】
【発明の効果】
請求項1及び11記載の発明によれば、個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を設定することができる。
請求項2〜4及び12〜14記載の発明によれば、データ破壊等のパーマネントエラー(アンリカバラブルエラー)の発生を防止することができる。
【0079】
請求項5、6、15及び16の発明によれば、温度及び時間に依存するディスク装置の特性変動を考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができるので、磁気ディスク装置内の部品の経時変化にも対応可能である。
請求項7、17及び21記載の発明によれば、各ヘッドに対して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができる。
【0080】
請求項8及び18記載の発明によれば、ディスクの各ゾーンに対して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができる。
請求項9及び19記載の発明によれば、より最適な書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の設定が可能であり、データ破壊等のパーマネントエラー(アンリカバラブルエラー)の発生をより確実に防止することができる。
【0081】
請求項10及び20記載の発明によれば、温度に対する位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも1つのパラメータに合わせて書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を最適に設定することができる。
従って、本発明によれば、個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書き込み条件を設定可能であり、書き込み時の隣接トラックからの干渉及び隣接トラックへの干渉を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明になるディスク装置の一実施例を概略構成を示すブロック図である。
【図2】TPIマージンの測定方法を説明する図である。
【図3】メモリ部に格納される書き込み電流値のテーブルの一実施例を示す図である。
【図4】温度補正特性を示す図である。
【図5】メモリ部に格納されるオフトラックスライス値のテーブルの一実施例を示す図である。
【図6】ディスク装置の実施例の構成をより詳細に示すブロック図である。
【図7】TPIマージンの測定処理を説明するフローチャートである。
【図8】キャリブレーション時の処理を説明するフローチャートである。
【図9】出荷時の試験工程で求められたTPIマージンの値と、キャリブレーションによって得られたTPIマージンの値とを示す図である。
【図10】温度センサの出力とA/D変換器の出力との関係を示す図である。
【図11】キャリブレーション時の処理を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
1 HDA
2 リード/ライト制御部
3 制御部
4 メモリ部
5 シーケンサ制御部
6 MCU
7 インタフェース制御部
8 インタフェース
9 ホストコンピュータ
11 ヘッドIC
12 アクチュエータ
13 ヘッド
14 スピンドルモータ
15 磁気ディスク
Claims (21)
- ディスクのトラックにデータを書き込むのに先立って、少なくともトラック・パー・インチ(TPI)マージンをヘッドに対して複数の温度毎に測定する測定ステップと、
温度に依存するパラメータに基づいて、該少なくともTPIマージンが最大となるように該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数の温度毎に可変設定する設定ステップとを含む、書き込み条件設定方法。 - 前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生するアラーム発生ステップを更に含む、請求項1記載の書き込み条件設定方法。
- 前記アラーム発生ステップは、限界値を前記少なくともTPIマージンから求める、請求項2記載の書き込み条件設定方法。
- 前記限界値を、前記少なくともTPIマージンに基づいて更新する更新ステップを更に含む、請求項2又は3記載の書き込み条件設定方法。
- 前記測定ステップ及び前記設定ステップを、任意のタイミングで行う、請求項1〜4のいずれか1項記載の書き込み条件設定方法。
- 前記測定ステップは、可変設定した書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を記憶し更新する、請求項1〜5のいずれか1項記載の書き込み条件設定方法。
- 前記測定ステップ及び前記設定ステップは、複数設けられたヘッドの各々に対して独立に行う、請求項1〜6のいずれか1項記載の書き込み条件設定方法。
- 前記測定ステップ及び前記設定ステップは、複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独立に行う、請求項1〜7のいずれか1項記載の書き込み条件設定方法。
- 前記設定ステップは、前記TPIマージンに加えてオフセットマージン及びオントラック精度マージンの少なくとも一方が最大となるように前記書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を可変設定する、請求項1〜8のいずれか1項記載の書き込み条件設定方法。
- 前記温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも1つのパラメータである、請求項1〜9のいずれか1項記載の書き込み条件設定方法。
- ディスクのトラックにデータを書き込み読み出すヘッドと、
該ディスクに前記ヘッドでデータを書き込むのに先立って、少なくともトラック・パー・インチ(TPI)マージンを該ヘッドに対して複数の温度毎に測定する測定手段と、
温度に依存するパラメータに基づいて、該少なくともTPIマージンが最大となるように該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数の温度毎に可変設定する設定手段とを備えた、ディスク装置。 - 前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生するアラーム発生手段を更に備えた、請求項11記載のディスク装置。
- 前記アラーム発生手段は、限界値を前記少なくともTPIマージンから求める、請求項12記載のディスク装置。
- 前記限界値を、前記少なくともTPIマージンに基づいて更新する更新手段を更に備えた、請求項12又は13記載のディスク装置。
- 前記測定手段及び前記設定手段は、夫々任意のタイミングで前記少なくともTPIマージンの測定と、書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の可変設定を行う、請求項11〜14のいずれか1項記載のディスク装置。
- 記憶手段を更に備え、前記測定手段は、可変設定した書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を該記憶手段に記憶し更新する、請求項11〜15のいずれか1項記載のディスク装置。
- 前記ヘッドは複数設けられており、前記測定手段及び前記設定手段は、該複数のヘッドの各々に対して独立に行う、請求項11〜16のいずれか1項記載のディスク装置。
- 前記測定手段及び前記設定手段は、複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独立に行う、請求項11〜17のいずれか1項記載のディスク装置。
- 前記設定手段は、前記TPIマージンに加えてオフセットマージン及びオントラック精度マージンの少なくとも一方が最大となるように前記書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を可変設定する、請求項11〜18のいずれか1項記載のディスク装置。
- 前記温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも1つのパラメータである、請求項11〜19のいずれか1項記載のディスク装置。
- データ書き込み時に、前記設定手段により設定された書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を読み出して前記ディスクにデータを書き込む手段を更に備えた、請求項11〜20のいずれか1項記載のディスク装置。
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