JP3620156B2 - 低温接着性のフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
低温接着性のフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3620156B2 JP3620156B2 JP20823096A JP20823096A JP3620156B2 JP 3620156 B2 JP3620156 B2 JP 3620156B2 JP 20823096 A JP20823096 A JP 20823096A JP 20823096 A JP20823096 A JP 20823096A JP 3620156 B2 JP3620156 B2 JP 3620156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- film
- weight
- lead frame
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージの接着部材に使われる低温接着性のフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置に関する。本発明のフィルム状接着剤は、特に、銅リードフレームを用いた半導体パッケージに好適に用いられる。
【0002】
【従来の技術】
半導体パッケージでは、フィルム状基材の片側又は両側に接着剤を塗布した複合接着フィルム(又は接着テープ)が、LOC(lead on chip)構造、COL(chip on lead)構造又は枠タブ構造等においてリードフレームと半導体チップの接続のため、また、放熱板付き複合リードフレームにおいてはインナーリードとヒートスプレッダの接続のための接合部材として用いられている。
【0003】
また、半導体用リードフレームと半導体チップを接合させる接着剤としては、従来、エポキシ系やゴム変成エポキシ系等の熱硬化性接着剤、あるいはポリイミドやポリアミドイミド等の耐熱性ホットメルト接着剤が使用されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、エポキシ系やゴム変成エポキシ系等の熱硬化性接着剤は、優れた接着力を有するものの耐熱性に劣り、かつ、アウトガスによる半導体チップの汚染の問題がある。
耐熱性ホットメルト接着剤はアウトガスを発生せず、半導体チップを汚染しないことから注目されているが、十分な接着強度を得るための接着温度が高く、熱応力による半導体チップの損傷や熱劣化等の問題がある。半導体パッケージの高密度化と半導体チップの大型化に伴って、上記の問題は深刻となっている。
【0005】
また、リードフレームの材質が銅である場合、接合時の熱によって銅の表面が酸化され、その結果、パッケージクラックが発生する問題がある。そこで、低温で接着でき、アウトガスの発生のない接着剤が望まれている。
本発明は、このような問題を解決し、低温接着が可能で、アウトガスの発生がなく、かつ耐リフロークラック性にも優れたフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記問題点を解決するため種々検討した結果、特定の性能の耐熱性樹脂を用いると共に、接着剤中に溶剤を所定量残存させると、低温接着が可能で、アウトガス発生のないフィルム状接着剤が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、先ず、下記の低温接着性の単層のフィルム状接着剤である。
(a)ガラス転移温度(Tg)50〜250℃の接着剤樹脂、及び前記接着剤樹脂100重量部に対し溶剤0.5〜12重量部を含む接着剤層から成るフィルム状接着剤。
(b)ガラス転移温度(Tg)50〜250℃の接着剤樹脂100重量部、溶剤0.5〜12重量部、及びカップリング剤0〜10重量部を含む接着剤層から成るフィルム状接着剤。
【0007】
ここで使用する接着剤樹脂は、ガラス転移温度(Tg)が50〜250℃のもの、好ましくは150〜230℃のものを用いる。このような接着剤樹脂としては、耐熱性熱可塑性樹脂又はこれを主成分とする耐熱性接着剤樹脂があり、耐熱性熱可塑性樹脂としてはポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂を挙げることができる。ここでポリイミド樹脂とはポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミド等のイミド基を有する樹脂を含む。
【0008】
本発明の単層フィルム状接着剤において、存在する(又は残存する)溶剤の量は、接着剤樹脂100重量部に対し0.5〜12重量部、好ましくは1.0〜10重量部である。溶剤量が0.5重量部未満では低温での接着効果が少なく、12重量部を越えると接着時に発泡が起こり、好ましくない。
前記溶剤の種類は、接着剤樹脂液(ワニス)の調製に用いられる有機溶剤で、接着剤樹脂を均一に溶解できるものであれば特に制限はない。例えば、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、シクロヘキサノン、ブチルラクトン等の溶剤が使用される。これらは、2以上の混合溶剤であってもよい。
単層フィルム状接着剤中における溶剤の量は、通常、その単層フィルム状接着剤の製造(下記)の際における加熱・乾燥の条件を、適宜、選択することにより調節することができる。
【0009】
単層フィルム状接着剤の製造は、次のようにして行う。まず、接着剤樹脂を有機溶剤で溶解する。用いる有機溶剤としては、上記したように接着剤樹脂を均一に溶解できるものであれば特に制限はない。先に挙げたような有機溶剤の1種又は2種以上の混合溶剤を用いることができる。
これに、好ましくはカップリング剤を、接着剤樹脂100重量部に対して0〜10重量部加え、混合する。カップリング剤の添加量が10重量部を越えると得られるフィルム状接着剤のぬれ性が悪く、接着力も低下する。
【0010】
カップリング剤としては、シランカップリング剤、すなわち、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシメトキシシラン等のビニルシラン、
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、等のメルカプトシラン、等のほかに、
チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネート等のカップリング剤があり、これらの中でシランカップリング剤が好ましく用いられ、エポキシシラン系カップリング剤が特に好ましく用いられる。
必要に応じて、更にゴム粒子、樹脂粒子、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉等のフィラー、その他の添加剤を加え、混合してもよい。
【0011】
得られた混合液(又は混合物)を、ガラス板、ステンレス板等の平板上、あるいはポリエステル製フィルム(又はシート)等のフィルム(又はシート)上に均一に塗布する。この際の塗布方法は特に制限するものではない。例えば、ドクターブレードやナイフコーター、ダイコーター等の方法で塗布することができる。塗布後、溶剤が所定量残存するような条件で加熱・乾燥し、その後室温に冷やしたのち、フィルム状接着剤を平板又はフィルム(又はシート)から剥がすと単層のフィルム状接着剤が得られる。ここで加熱・乾燥の条件は、接着剤樹脂ワニスがポリアミド酸ワニスであるか、ポリイミドワニスであるかで異なってくる。接着剤樹脂ワニスがポリアミド酸ワニスの場合には、樹脂をイミド化させるためTg以上の温度が必要であり、ポリイミドワニスの場合には溶剤を蒸発、揮散できる温度であればよい。加熱・乾燥の時間は、実験等により決定すればよい。
【0012】
別の製造方法として、ガラス布、炭素繊維布、ポリアラミド布等のフィルム状(又はシート状)の通気性クロスに、前記混合液(又は混合物)を含浸させ、これを加熱・乾燥させる方法もある。得られるものは複合接着テープとも呼ばれるものであるが、本発明では単層のフィルム状接着剤に含む意味で用いる。
【0013】
本発明は、また、
(c)フィルム状基材の少なくとも片面に、前記(a)又は(b)のいずれかのフィルム状接着剤が接してなる、複層(基材も一層として数える。)のフィルム状接着剤、に関する。
ここで、用いられる基材としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート等のエンジニアリングプラスチックの耐熱性フィルム、銅箔、アルミ箔、ステンレス箔等の金属箔等である。
【0014】
前記耐熱性フィルムは、接着剤樹脂のTgよりも高いTgをもつフィルムが使用される。用いる接着剤樹脂のTgに応じて選択すればよいが、通常は200℃以上、好ましくは250℃以上のものを使用する。また、この耐熱性フィルムは、吸水率が2重量%以下のもの、熱膨張係数が3×10−5/℃以下のものが更に好ましい。このような特性を満たす耐熱性フィルムの一つは、ポリイミドフィルムである。
【0015】
耐熱性フィルムは接着剤樹脂との接着性を増すために表面処理を施すことが好ましい。表面処理の方法としては、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドブラスト等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等のいずれの処理も使用可能である。接着剤樹脂の種類に応じて最も適した処理を用いればよいが、化学処理またはプラズマ処理が特に適している。
【0016】
本発明の複層のフィルム状接着剤の製造は、次のようにして行うことができる。まず、接着剤樹脂を有機溶剤で溶解する。用いる有機溶剤としては、単層フィルム状接着剤の製造と同様、接着剤樹脂を均一に溶解できるものであれば特に制限はない。先に挙げたような有機溶剤の1種又は2種以上の混合溶剤を用いることができる。
この溶解液に、好ましくはカップリング剤を接着剤樹脂100重量部に対して0〜10重量部加え、混合する。カップリング剤の添加量が10重量部を越えると得られるフィルム状接着剤のぬれ性が悪く、接着力も低下することは先に述べた通りである。
【0017】
用いることができるカップリング剤は、先に述べたものと同じである。
必要に応じて更にゴム粒子、樹脂粒子、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉等のフィラー、その他の添加剤を加え、混合する。
得られた混合液(又は混合物)を、前記のポリイミド等の耐熱性フィルム、又は銅箔等の金属箔の片面又は両面に均一に塗布する。塗布方法は、前記したように、例えば、ドクターブレードやナイフコーター、ダイコーター等の方法で塗布することができる。基材(耐熱性フィルム又は金属箔)をワニス液中に通すことによっても行うことができるが、接着剤樹脂の厚みの制御は難しい。塗布後、溶剤が所定量残存するような条件で加熱・乾燥し、その後室温に冷やすと複層のフィルム状接着剤が得られる。加熱・乾燥の条件は前記単層のフィルム状接着剤の条件と同様である。
なお、基材の両面に耐熱性接着剤ワニスを塗布する場合、両側に塗布される耐熱性接着剤は同一でも異なっていてもよい。
【0018】
本発明は、更に
(d)上記の単層のフィルム状接着剤又は複層のフィルム状接着剤が接着されているリードフレーム、
(e)リードフレームと半導体チップとを、直接に上記(a)〜(c)のいずれかのフィルム状接着剤で接着させた半導体装置、及び
(f)リードフレームと半導体チップとを、上記(1)〜(3)以外のダイボンド材を介し、上記(1)〜(3)のいずれかのフィルム状接着剤で接着させた半導体装置、にも関する。
すなわち、本発明の単層フィルム状接着剤又は複層のフィルム状接着剤を用いて、銅表面の酸化防止が可能な比較的低い温度、すなわち、150〜300℃で、リードフレームと半導体チップとの接着作業を行うことができ、従って、信頼性に優れた半導体装置を製造することができる。
例えば一つの方法は、本発明のフィルム状接着剤を所定の大きさに打ち抜き、得られたフィルム片をリードフレームと半導体チップの間に挾み、150〜300℃、0.01〜10Mpaで、0.1〜10秒間加圧接着させ、その後リードフレームと半導体チップとを金線等で接合し、エポキシ樹脂等の成型材料でトランスファー成型して封止し、半導体装置を製造することができる(図1)。
別の方法は、所定の大きさに打ち抜いた本発明のフィルム状接着剤片をリードフレームに加圧接着させ、次いでこれに半導体チップを載せて加圧接着させ、その後リードフレームと半導体チップとを金線等で接合し、エポキシ樹脂等の成型材料で封止し、半導体装置を製造することができる(図2)。
また他の方法は、所定の大きさに打ち抜いた本発明のフィルム状接着剤片をリードフレームに加圧接着させ、次いでフィルム状接着剤の所定の部分に本発明のフィルム状接着剤以外のダイボンド材(銀ペースト、ダイボンドフィルム等)を載せ、これに半導体チップを載せて加圧接着させ、その後リードフレームと半導体チップとを金線等で接合し、エポキシ樹脂等の成型材料で封止し、半導体装置を製造することもできる(図3)。
図1はLOC構造の半導体パッケージの断面模式図を示し、図2は本発明のフィルム状接着剤と半導体チップの接着が直接的であるヒートスプレッダ付き半導体パッケージの断面模式図を示し、図3は本発明のフィルム状接着剤と半導体チップの接着はダイボンド材を介したものであるヒートスプレッダ付き半導体パッケージの断面模式図を示す。
【0019】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明する。
実施例1
トリメリット酸無水物モノクロライド/2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン/1,12−ジアミノドデカン/1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルシロキサン=100/75/20/5(モル比)からなるTgが190℃のポリアミドイミド樹脂100g、γーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン〔以下、CPLと略す〕5gをN,N−ジメチルホルムアミド(以下、DMFと略す。)300gに溶解してワニスを作製した。
このワニスをポリイミドフィルム(基材)の両面に乾燥後の厚さが25μmになるように塗工し、片面を100℃で10分ずつ乾燥した後、220℃で10分乾燥し、三層のフィルム状接着剤(接着テープ)を作製した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は0.8重量%(ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して0.81重量部)であった。なお、接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は、300℃で30分間、乾燥し、乾燥前後の重量変化を測定し、ポリイミドフィルム(基材)の重量を補正して、算出した。
【0020】
この接着テープを銅板に300℃又は250℃、3MPa、3sの条件で貼り付け、90度引き剥がし強さ(ピール)を測定したところ、それぞれ1.0kg/cm及び0.6kg/cmであった。
この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はなかった。次いで、封止材でモールドして図1に示すLOCパッケージを作製した。85℃、相対湿度85%の条件で168h吸湿させた後、Max245℃のIR炉でリフローを行ったところ、クラックは生じなかった。
【0021】
実施例2
乾燥条件を175℃で10分にする以外は、実施例1と同様にして三層の接着テープを作製した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は5.9重量%(ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して6.3重量部)であった。
この接着テープを銅板に300℃又は250℃、3MPa、3sの条件で貼り付け、90度引き剥がし強さ(ピール)を測定したところ、それぞれ1.3kg/cm及び0.9kg/cmであった。
この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして図1に示すLOCパッケージを作製した。85℃、相対湿度85%の条件で168h吸湿させた後、Max245℃のIR炉でリフローを行ったところ、クラックは生じなかった。
【0022】
実施例3
乾燥条件を150℃で10分にする以外は実施例1と同様にして三層のフィルム状接着剤(接着テープ)を作製した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は9.1重量%(ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して10.0重量部)であった。
この接着テープを銅板に300℃又は250℃、3MPa、3sの条件で貼り付けて90度引き剥がし強さ(ピール)を測定したところ、それぞれ1.6kg/cm及び1.1kg/cmであった。
この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして図1に示すLOCパッケージを作製した。85℃、相対湿度85%の条件で168h吸湿させた後、Max245℃のIR炉でリフローを行ったところ、クラックは生じなかった。
【0023】
(比較例1)
乾燥条件を300℃で10分にする以外は実施例1と同様にして三層のフィルム状接着剤(接着テープ)を作製した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は0.01重量%以下(ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して0.01重量部以下)であった。
この接着テープを銅板に300℃又は250℃、3MPa、3sの条件で貼り付けて90度引き剥がし強さ(ピール)を測定したところ、それぞれ0.6kg/cm及び0.2kg/cmであった。
この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして図1に示すLOCパッケージを作製した。85℃、相対湿度85%の条件で168h吸湿させた後、Max245℃のIR炉でリフローを行ったところ、クラックは生じなかった。
【0024】
(比較例2)
乾燥条件を100℃で10分にする以外は実施例1と同様にして三層のフィルム状接着剤(接着テープ)を作製した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は15.3重量%(ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して18.1重量部)であった。
この接着テープを銅板に300℃又は250℃、3MPa、3sの条件で貼り付ようとしたところ、発泡が著しく良好な接着面が得られなかった。
【0025】
(比較例3)
エポキシ系接着剤を用いた三層のフィルム状接着剤(接着テープ)を200℃で銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着させ、230℃で90分間、後硬化させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ、インナリードがアウトガスによって汚染されたためワイヤボンド不良が多発した。封止材でモールドして図1に示すLOCパッケージを作製した。85℃、相対湿度85%の条件で168h吸湿させた後、Max245℃のIR炉でリフローを行ったところ、リードフレームと封止材間に剥離が生じたため、クラックが生じた。
【0026】
実施例4
トリメリット酸無水物モノクロライド/2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン/1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルシロキサン=100/95/5(モル比)からなるTgが225℃のポリアミドイミド樹脂100g及びCPL3gをN−メチルピロリドン300gに溶解し、ワニスを作製した。
このワニスをポリイミドフィルム(基材)の両面に、乾燥後の厚さが25μmになるように塗工し、230℃で20分間乾燥して三層のフィルム状接着剤(接着テープ)を作製した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は1.2重量%(ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して1.2重量部)であった。
この接着テープを銅板に300℃又は250℃、3MPa、3sの条件で貼り付けて90度引き剥がし強さ(ピール)を測定したところ、それぞれ1.0kg/cm及び0.5kg/cmであった。
この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして図1に示すLOCパッケージを作製した。85℃、相対湿度85%の条件で168h吸湿させた後、Max245℃のIR炉でリフローを行ったところ、クラックは生じなかった。
【0027】
実施例5
乾燥条件を160℃で15分にする以外は実施例4と同様にして三層のフィルム状接着剤(接着テープ)を作製した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は5.0重量%(ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して5.3重量部)であった。
この接着テープを銅板に300℃又は250℃、3MPa、3sの条件で貼り付けて90度引き剥がし強さ(ピール)を測定したところ、それぞれ1.2kg/cm及び0.7kg/cmであった。この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして図1に示すLOCパッケージを作製した。85℃、相対湿度85%の条件で168h吸湿させた後、Max245℃のIR炉でリフローを行ったところ、クラックは生じなかった。
【0028】
実施例6
トリメリット酸無水物モノクロライド/2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン/1,12−ジアミノドデカン/1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルシロキサン=100/75/20/5(モル比)からなるTg190℃のポリアミドイミド樹脂100g及びCPL5gをDMF300gに溶解してワニスを作製した。
このワニスをポリエステルフィルム(基材)に乾燥後の厚さが40μmになるように塗工し、100℃で10分乾燥した後、これを剥がして金枠にとめ、更に180℃で10分乾燥し、単層のフィルム状接着剤(接着テープ)とした。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は5.0重量%(ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して5.3重量部)であった。
この接着テープを銅板に300℃又は250℃、3MPa、3sの条件で貼り付けて90度引き剥がし強さ(ピール)を測定したところ、それぞれ1.2kg/cm及び0.8kg/cmであった。
この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして図1に示すLOCパッケージを作製した。85℃、相対湿度85%の条件で168h吸湿させた後、Max245℃のIR炉でリフローを行ったところ、クラックは生じなかった。
【0029】
実施例7
トリメリット酸無水物モノクロライド/2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン/1,12−ジアミノドデカン/1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルシロキサン=100/75/20/5(モル比)からなるTg190℃のポリアミドイミド樹脂100g及びCPL5gをDMF300gに溶解してワニスを作製した。
このワニスを厚さ105μmの両面粗化銅箔の片面に乾燥後の厚さが20μmになるように塗工し、160℃で10分乾燥して接着剤付き銅箔(接着テープ)を作製した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は6.5重量%(ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して7.0重量部)であった。
この接着テープを銅板に300℃又は250℃、3MPa、3sの条件で貼り付けて90度引き剥がし強さ(ピール)を測定したところ、それぞれ1.5kg/cm及び0.9kg/cmであった。この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを銀ペーストを用いて接着剤面に接着させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして図3に示すヒートスプレッダ付き半導体パッケージを作製した。85℃、相対湿度85%の条件で168h吸湿した後、Max245℃のIR炉でリフローを行ったところ、クラックは生じなかった。
【0030】
実施例8
トリメリット酸無水物モノクロライド/2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン/1,12−ジアミノドデカン/1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルシロキサン=100/75/20/5(モル比)からなるTg190℃のポリアミドイミド樹脂100g、CPL5g及びシリコンゴムフィラー40gをDMF300gに溶解してワニスを作製した。
このワニスをポリイミドフィルム(基材)の両面に、乾燥後の厚さが25μmになるように塗工し、170℃で10分乾燥して三層のフィルム状接着剤(接着テープ)を作製した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は4.8重量%(ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して5.0重量部)であった。
この接着テープを銅板に300℃又は250℃、3MPa、3sの条件で貼り付けて90度引き剥がし強さ(ピール)を測定したところ、それぞれ1.2kg/cm及び0.8kg/cmであった。この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして図1に示すLOCパッケージを作製した。85℃、相対湿度85%の条件で168h吸湿させた後、Max245℃のIR炉でリフローを行ったところ、クラックは生じなかった。
【0031】
実施例9
トリメリット酸無水物モノクロライド/2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン/1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルシロキサン=100/70/30(モル比)からなるTgが180℃のポリアミドイミド樹脂100g及びシリコンゴムフィラー65gをN−メチルピロリドン300gに溶解し、ワニスを作製した。
このワニスを厚さ105μmの両面粗化銅箔(基材)の片面に、乾燥後の厚さが20μmになるように塗工し、160℃で10分乾燥して接着剤付き銅箔(接着テープ)を作製した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は5.2重量%(ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して5.5重量部)であった。
この接着テープを銅板に300℃又は250℃、3MPa、3sの条件で貼り付けて90度引き剥がし強さ(ピール)を測定したところ、それぞれ1.5kg/cm及び1.1kg/cmであった。
この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着させた。銅リードフレームに貼り付けた際、反りは見られなかった。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして図2に示すヒートスプレッダ付き半導体パッケージを作製した。85℃、相対湿度85%の条件で168h吸湿させた後、Max245℃のIR炉でリフローを行ったところ、クラックは生じなかった。
【0032】
【発明の効果】
本発明のフィルム状接着剤は低温で接着可能である。そのため、特に銅フレームを用いる半導体パッケージの接着部材に有用である。
また、本発明のフィルム状接着剤を用いた半導体装置は、信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図1】LOC構造の半導体パッケージの断面模式図である。
【図2】ヒートスプレッダ付き半導体パッケージの断面模式図である。
【図3】ダイボンド材を介して半導体チップとリードフレームとを接着させたヒートスプレッダ付き半導体パッケージの断面模式図である。
【符号の説明】
1…フィルム状接着剤
1a…接着剤層
1b…ヒートスプレッダー
2…半導体チップ
3…リードフレーム
4…ワイヤ
5…封止材
6…ダイボンド材
Claims (5)
- ガラス転移温度(Tg)50〜250℃の接着剤樹脂100重量部、溶剤0.5〜12重量部、及びカップリング剤0〜10重量部(ただし、0重量部を除く。)を含む接着剤層から成るフィルム状接着剤。
- フィルム状基材の少なくとも片面に、請求項1記載のフィルム状接着剤が接してなる、複層のフィルム状接着剤。
- 請求項1または2記載のフィルム状接着剤が接着されているリードフレーム。
- リードフレームと半導体チップとを、直接に請求項1または2記載のフィルム状接着剤で接着させた半導体装置。
- リードフレームと半導体チップとを、請求項1または2記載以外のダイボンド材を介し、請求項1または2記載のフィルム状接着剤で接着させた半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20823096A JP3620156B2 (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 低温接着性のフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20823096A JP3620156B2 (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 低温接着性のフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1046113A JPH1046113A (ja) | 1998-02-17 |
JP3620156B2 true JP3620156B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=16552819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20823096A Expired - Lifetime JP3620156B2 (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 低温接着性のフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3620156B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000036502A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Sony Corp | 接合材及びその接合物 |
JP4678138B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2011-04-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 接着剤および接着性フィルム |
JP4547866B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2010-09-22 | 東レ株式会社 | 半導体用接着剤付きテープおよび半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
US20120244351A1 (en) * | 2009-09-29 | 2012-09-27 | Hideyuki Katagi | Multilayer resin sheet and method for producing the same, method for producing cured multilayer resin sheet, and highly thermally conductive resin sheet laminate and method for producing the same |
JP2011009756A (ja) * | 2010-07-12 | 2011-01-13 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁電変換素子の製造方法 |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP20823096A patent/JP3620156B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1046113A (ja) | 1998-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7479412B2 (en) | Adhesive film for semiconductor, lead frame and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device | |
JP2603543B2 (ja) | 電子部品用接着テープ | |
TW201939698A (zh) | 半導體密封成形用暫時保護膜、帶暫時保護膜的引腳框架、帶暫時保護膜的密封成形體及半導體裝置的製造方法 | |
JP2992462B2 (ja) | 電子部品用接着テープ及び液状接着剤 | |
JP2008095014A (ja) | Qfn用熱硬化型樹脂組成物および接着シート | |
JP4714406B2 (ja) | 半導体装置用ダイボンディング材及びこれを用いた半導体装置 | |
JP3620156B2 (ja) | 低温接着性のフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置 | |
JP3765331B2 (ja) | 低応力のフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置 | |
JP4888479B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3988058B2 (ja) | 半導体用樹脂組成物、半導体用接着剤、接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 | |
JP7414301B2 (ja) | 半導体パッケージ用ポリイミドフィルム | |
JP3314158B2 (ja) | 樹脂組成物、接着剤、接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 | |
JP6816286B2 (ja) | 半導体パッケージのリフロー工程用ポリイミドフィルム及びその製造方法 | |
JP2009158817A (ja) | Qfn用熱硬化型樹脂組成物及びそれを用いたqfn用接着シート | |
JP4064228B2 (ja) | ウェハボンディングシート、ウェハ積層体および半導体装置 | |
JP4003285B2 (ja) | 耐リフロー性に優れたフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置 | |
JP3895920B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2004266138A (ja) | 半導体用接着フィルム、これを用いた樹脂基板及び半導体装置、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2001107001A (ja) | フィルム状接着材、配線テープ及び半導体装置 | |
JPS6076146A (ja) | 薄型半導体装置 | |
JPH0322465A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2000174070A (ja) | 半導体装置用高熱伝導フィルム状接着材及び高熱伝導フィルム状接着剤並びに半導体実装用金属部材,半導体実装用配線基板,半導体装置 | |
JPH0778840A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH10147755A (ja) | ダイアタッチ用熱転写型ポリイミド系接着剤付きテープ | |
JP3718083B2 (ja) | 半導体装置用接着フィルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040304 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040720 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040917 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041108 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |