JP3619399B2 - 回転検出センサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転検出センサに係り、詳しくは磁気検知素子を備えた回転検出センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
本出願人は、回転検出センサとして、図11に示すようなものを提案している。この回転位置センサ51は、磁性体よりなる回転板52と検知部本体53とから構成されている。回転板52は、車両のステアリングシャフト54の回転とともにその軸心を中心に回転する。前記回転板52回転面内の最外周部において、前記軸心を中心とする円弧状で磁性体からなる複数の磁路変更片55が回転板52から延出形成されている。従って、磁路変更片55から軸心に向かって回転板52を切断した場合の断面形状は、磁路変更片55、回転板52にてL字形状をなす。
【0003】
検知部本体53は、回転板52に形成した磁路変更片55の外側であって、その磁路変更片55に対して近接して配置されている。検知部本体53は、複数個の磁気検知体56が樹脂モールド材57にて封止することにより構成されている。各磁気検知体56は、回転板52に対して対向して配置されるとともに所定の向きに配置されたバイアスマグネット56bと該バイアスマグネット56bの磁束を検出する磁気抵抗素子56aとを備えている。そして、この回転位置センサ51は、回転中の回転板52とともに一体に移動する各磁路変更片55が磁気検知体56と対応する位置を通過する際にバイアスマグネット56bの磁束の向きが変更されたことを磁気抵抗素子56aにて検出するようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように形成された回転位置センサ51においては、図11の2点鎖線で示すように、コイル等の外乱発生体Gが近くにあると、外乱発生体Gにより外乱としての外乱磁束mを発生させる場合がある。このため、バイアスマグネット56bと前記軸心との間における、磁路変更片55の有無を検出する際に、外乱磁束mが回転板52及び磁路変更片55を伝って磁気検知体56に悪影響を及ぼすことがある。
【0005】
すなわち、バイアスマグネット56bと前記軸心との間に磁路変更片55が位置しているにもかかわらず、磁気抵抗素子56aは磁路変更片55が位置していない時の磁束の向きと略同様の磁束を検出したり、逆に、バイアスマグネット56bと前記軸心との間に磁路変更片55が位置していないにもかかわらず、磁気抵抗素子56aは磁路変更片55が位置している時の磁束の向きと略同様の磁束を検出したりすることがある。
【0006】
本発明では前述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、回転検出センサの近くに位置するように外乱発生体を配置しても、外乱発生体から発生する外乱としての外乱磁束の影響を回転検出センサを構成している部品の一部の材質を非磁性体の材質にすることで抑制し、安定して回転検出を行うことができる回転検出センサを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、請求項1に記載の発明は、回転部材と、周方向に所定の間隔毎に、前記回転部材に配設されている磁性体からなる磁路変更片と、前記回転部材に対して所定の向きに配設された磁石と、該磁石における磁束の向きを検出する磁気検知素子とを備えた回転検出センサにおいて、前記磁路変更片と前記回転部材との間に、前記磁気検知素子の磁気検知に対する外乱を防止するための非磁性体部材を介在させたことを要旨とする。なお、本明細書では非磁性体とは強磁性体を含まないものを指し、常磁性体であるアルミニウム、すず、白金や、セラミック、ガラスのように磁化しないものを含む趣旨である。
【0008】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の回転検出センサにおいて、前記非磁性体部材は、前記磁路変更片を支持していることを要旨とする。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の回転検出センサにおいて、前記回転部材は、磁性体からなる回転板であることを要旨とする。
【0009】
請求項4に記載の発明は、回転部材と、周方向に所定の間隔毎に、前記回転部材に配設されている磁性体からなる磁路変更片と、前記回転部材に対して所定の向きに配設された磁石と、該磁石における磁束の向きを検出する磁気検知素子とを備えた回転検出センサにおいて、前記回転部材は、全体が前記磁気検知素子の磁気検知に対する外乱を防止するための非磁性体からなることを要旨とする。
(作用)
請求項1に記載の発明によれば、磁路変更片と回転部材との間に非磁性体部材を介在させたため、回転部材を伝わってくる外乱は磁路変更片に伝わってこない。従って、磁気検知素子の磁気検知の精度が向上する。
【0010】
請求項2に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明の作用に加えて、非磁性体部材は、磁路変更片を支持するように設けられているため、簡単な構造で磁気検知に対する外乱が抑制される。
【0011】
請求項3に記載の発明によれば、請求項2に記載の発明の作用に加えて、磁性体からなる回転板にて外乱磁束を所定方向へ誘導しているため、磁気検出部分への外乱磁束の侵入が抑制される。
【0012】
請求項4に記載の発明によれば、回転部材の全体が非磁性体によりなるため、外乱磁束が回転部材を伝うこと及び通過することによる磁気検知に対する外乱が抑制される。
【0013】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
以下、本発明を回転位置センサに具体化した第一実施形態を図1〜図4に従って説明する。
【0014】
図1は、回転位置センサの要部分解斜視図である。回転検出センサとしての回転位置センサ1は、鉄板よりなる回転部材としての回転板2と検知部本体3とから構成されている。なお、鉄板は磁性体である。回転板2は、ステアリングシャフト4の回転とともに、その軸心Oを回転中心に回転する。
【0015】
図1及び図2に示すように、前記回転板2の面内の最外周部において、前記軸心Oを中心とする円弧状の3個の非磁性体部材としてのアルミニウム部材よりなる非磁性片5a,5b,5cが同回転板2に溶接固定され、前記非磁性片5a,5b,5cの先端に鉄製の磁路変更片6a,6b,6cが溶接固定されている。なお、アルミニウム部材は非磁性体である。非磁性片5a,5b,5c及び磁路変更片6a,6b,6cは、一端から他端までが前記軸心Oからみて60度の角度をなすように形成されている。又、非磁性片5a,5b,5c及び磁路変更片6a,6b,6cが互いになす間隔は、前記軸心Oからみて60度の角度をなすように形成されている。
【0016】
従って、回転板2の面内の最外周部において、軸心Oからみて60度の角度毎にこれらの非磁性片5a,5b,5c及び磁路変更片6a,6b,6cと、これらの非磁性片5a,5b,5c及び磁路変更片6a,6b,6cが形成されていない空間7a,7b,7cが交互に存在することになる。
【0017】
又、回転板2には貫通孔8が形成され、前記ステアリングシャフト4が貫挿固着されている。従って、磁路変更片6a,6b,6cから軸心Oに向かって回転板2を切断した場合の断面形状は、磁路変更片6a,6b,6c、回転板2にてL字形状をなす。
【0018】
検知部本体3は、回転板2に形成した磁路変更片6a,6b,6cの外側であって、その磁路変更片6a,6b,6cに対して近設されている。
検知部本体3は、3個の第1〜第3の磁気検知体9,10,11が樹脂モールド材12にて封止され、図示しない固定部材に固定されている。
【0019】
第1の磁気検知体9は、磁気検知素子としての第1磁気抵抗素子9aと磁石としての第1バイアスマグネット9bとから構成されている。第1バイアスマグネット9bは軸心O側がN極で外側がS極となるように配設されるとともに、第1磁気抵抗素子9aに対して軸心O側で、尚かつ図2において反時計回り方向にオフセットさせて配置されている。
【0020】
第1磁気抵抗素子9aは、第1バイアスマグネット9bの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気抵抗素子であって、図4に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する4個の抵抗体R1,R2,R3,R4を備えている。2個の抵抗体R1,R4のグループは、同じ配列方向に向かって配置され、抵抗体R2,R3のグループは前記抵抗体R1,R4の向く配列方向とは直交する配列方向に向かって配列されている。
【0021】
本実施形態での磁束の向きの変化範囲は、磁束の向きが軸心Oから略半径方向に対して反時計回り方向に所定角度の向きになるときから、前記略半径方向に対して時計回り方向に所定角度の向きになるときの範囲までである。
【0022】
なお、各抵抗体R1〜R4はNi−Co薄膜を基板に対してジグザグ状にすなわち、折れ線状に成膜されている。抵抗体R1〜R4は、同温度雰囲気下において抵抗値が同一となるように設定されている。なお、抵抗体R1〜R4は雰囲気温度が上昇すると、感度が変化する感度温度特性を備えている。この感度温度特性は、感度温度変化率と抵抗温度変化率とが一致しているのが好ましい。
【0023】
そして、磁束の向きが前記軸心Oから略半径方向に対し反時計回り方向へ所定角度をなす向きになるときは、抵抗R1,R4は抵抗値が大きくなる第1の状態になるとともに、抵抗R2,R3は抵抗値が小さくなる第2の状態になるように配置され、磁束の向きが前記略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きになるとき、抵抗R1,R4は抵抗値が小さくなる第2の状態になるとともに、抵抗R2,R3は抵抗値が大きくなる第1の状態となるように配置されている。従って、これらの状態は、磁束の変化に応じて交互に生ずる。
【0024】
前記各抵抗R1〜R4は図4に示すようにブリッジ回路としての4端子ブリッジ回路Bを構成するように接続されている。
前記抵抗体R1と抵抗体R2との接続点(中点)aは、基板に設けられたコンパレータCPの非反転入力端子に接続され、抵抗体R3と抵抗体R4との接続点(中点)bは、同コンパレータCPの反転入力端子に接続されている。
【0025】
前記コンパレータCP、4端子ブリッジ回路Bとにより検出回路DCが構成されている。
前記検出回路DCのブリッジ回路Bを構成する抵抗体R1,R4は、第1バイアスマグネット9bと磁路変更片6a〜6cとの相対関係において、第1バイアスマグネット9bが図2に示す第3バイアスマグネット11bの位置に位置するとき、即ち、軸心OからN極を通る放射線上(以下、内側方という)に磁路変更片6a〜6cのいずれかが位置する場合には、それらの磁束は略半径方向に対して反時計回り方向に所定角度をなす向きとなる。この場合には、4端子ブリッジ回路の中点a電圧はLレベルとなるようになっている。
【0026】
又、第1バイアスマグネット9bと磁路変更片6a〜6cとの相対関係において、第1バイアスマグネット9bが図2に示す第2バイアスマグネット10bの位置に位置するとき、即ち、N極の内側方に磁路変更片6a〜6cが位置しない場合には、それらの磁束は略半径方向に対して時計回り方向に所定角度をなす向きとなる。この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点a電圧はHレベルとなるようになっている。
【0027】
さらに、第1バイアスマグネット9bと磁路変更片6a〜6cとの相対関係において、第1バイアスマグネット9bが図2に示す第1バイアスマグネット9bの位置に位置し、磁路変更片6a〜6cがない位置から磁路変更片6a〜6cの端を通過する時には、それら磁束の向きは略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きから、略半径方向の向きに対して反時計回り方向へ所定角度をなす向きに変わる。この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点a電圧はHレベルからLレベルに立ち下がる電圧が出力されるようになっている。
【0028】
さらに、第1バイアスマグネット9bと磁路変更片6a〜6cとの相対関係において、第1バイアスマグネット9bが磁路変更片6a〜6cがある位置からその端を通過する時には、それら磁束の向きは略半径方向に対して反時計回り方向へ所定角度をなす向きから、略半径方向の向きに対して時計回り方向へ所定角度をなす向きに変わる。この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点a電圧はLレベルからHレベルに立ち上がる電圧が出力されるようになっている。
【0029】
なお、本実施形態での検出ポイントは移動(回転)中の磁路変更片6a,6b,6cの回転方向のエッジ部分である。
第2の磁気検知体10は、磁気検知素子としての第2磁気抵抗素子10aと磁石としての第2バイアスマグネット10bとから構成されている。第2磁気抵抗素子10aと第2バイアスマグネット10bとの間の配置関係は前記第1磁気抵抗素子9aと第1バイアスマグネット9bとの間の配置関係と同じである。そして、第2磁気抵抗素子10aと第2バイアスマグネット10bは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子9aと第1バイアスマグネット9bに対して、図2において、前記軸心Oを中心に時計回り方向に40度の位置に配設されている。
【0030】
第2磁気抵抗素子10aは、前記第1磁気抵抗素子9aと同様に第2バイアスマグネット10bの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、図4に示すような4個の抵抗体R1〜R4を備えており、前記第1磁気抵抗素子9aと同様に作用する。
【0031】
又、第2磁気抵抗素子10aの抵抗体R1〜R4は、第1磁気抵抗素子9aの場合と同様の4端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第2磁気抵抗素子10aの抵抗体R1〜R4は、コンパレータCPとともに、検出回路DCを構成している。この検出回路DC及びブリッジ回路Bの作用は前記第1磁気抵抗素子9aの場合の検出回路DCと同様に機能(作用)する。
【0032】
第3の磁気検知体11は、磁気検知素子としての第3磁気抵抗素子11aと磁石としての第3バイアスマグネット11bとから構成されている。第3磁気抵抗素子11aと第3バイアスマグネット11bとの間の配置関係は前記第1磁気抵抗素子9aと第1バイアスマグネット9bとの間の配置関係と同じである。そして、第3磁気抵抗素子11aと第3バイアスマグネット11bは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子9aと第1バイアスマグネット9bに対して、図2において、前記軸心Oを中心に反時計回り方向に40度の位置に配設されている。
【0033】
第3磁気抵抗素子11aは、前記第1磁気抵抗素子9aと同様に第3バイアスマグネット11bの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、図4に示すような4個の抵抗体R1〜R4を備えており、前記第1磁気抵抗素子9aと同様に作用する。
【0034】
又、第3磁気抵抗素子11aの抵抗体R1〜R4は、第1磁気抵抗素子9aの場合と同様の4端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第3磁気抵抗素子11aの抵抗体R1〜R4は、コンパレータCPとともに、検出回路DCを構成している。この検出回路DC及びブリッジ回路Bの作用は前記第1磁気抵抗素子9aの場合の検出回路DCと同様に機能(作用)する。
【0035】
以下、本実施形態における回転位置センサ1の作用について説明する。
図3に示すように、例えば2点鎖線で示す位置、つまり回転板2の磁路変更片6a固定側面付近で尚かつ、ステアリングシャフト4と検知部本体3間におけるステアリングシャフト4付近に外乱発生体Gがあるとする。すると、外乱発生体Gにより外乱としての外乱磁束mが発生すると、外乱磁束mが通るための磁路が鉄板よりなる回転板2に誘導される。誘導された磁路は回転板2の外周に向けて磁路がさらに形成される。一方、磁路変更片6a,6b,6cの基端部付近において、磁路変更片6a,6b,6cと回転板2との間には非磁性片5a,5b,5cが設けられていることにより磁路変更片6a,6b,6cと回転板2を介して磁気回路が形成されないため、磁路変更片6a,6b,6cに磁路が形成されることが抑制される。このように、回転板2の外周部において、磁路は軸心Oの略半径方向に向けて形成され、非磁性片5a,5b,5cによって外乱磁束mが第1〜第3磁気抵抗素子9a,10a,11aに検出されることが抑制される。
【0036】
従って、本実施形態の回転位置センサ1によれば以下の効果を奏する。
(1)非磁性片5a,5b,5cが同回転板2から延出形成され、さらに前記非磁性片5a,5b,5cの先端から鉄板よりなる磁路変更片6a,6b,6cが延出成形されている。そのため、外乱発生体Gにより発生する外乱としての外乱磁束mは回転板2から非磁性片5a,5b,5cを介して磁路変更片6a,6b,6cに伝わらないため、第1〜第3磁気抵抗素子9a,10a,11aは、第1〜第3バイアスマグネット9b、10b、11bと前記軸心Oとの間における磁路変更片6a,6b,6cの位置の有無による磁束の変化のみが検出されやすい。従って、検知部本体3は回転板2の回転を安定して回転検出を行うことができる。
(2)回転板2は、磁性体としての鉄板より形成されているため、外乱発生体Gにより発生する外乱磁束mを検知部本体3に悪影響がない方向へ誘導することができる。
(3)鉄板よりなる磁路変更片6a,6b,6cの基端部と回転板2との間に外乱発生体Gより発生する外乱磁束mの伝達を抑制するアルミニウム部材よりなる非磁性片5a,5b,5cを設けたため、回転位置センサ1に対して別体で外乱磁束mの防止手段を設けるよりもコストダウン及び構造の簡素化することができる。
(4)外乱発生体Gを回転位置センサ1の近くに配置することができるため、回転位置センサ1を構成部品とした図示しない構成物において、部品配置の自由度を上げることができる。
【0037】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態を図2及び図5に従って説明する。
尚、説明の便宜上、第1実施形態と同一又は相当する部材について同符号を付すと共に、異なるところのみを説明する。
【0038】
本実施形態では、図2及び図5に示すように、アルミニウム板よりなる回転板2の面内の最外周部において、前記軸心Oを中心とする円弧状の3個の鉄板よりなる磁路変更片6a,6b,6cは非磁性片5a,5b,5cが省略されて回転板2に対して直接溶接固定されている。
【0039】
以下、本実施形態における回転位置センサ1の作用について説明する。
図5に示すように、例えば2点鎖線で示す位置つまり、回転板2の磁路変更片6a固定側面付近で尚かつ、ステアリングシャフト4と検知部本体3間におけるステアリングシャフト4付近に外乱発生体Gがあるとする。外乱発生体Gにより外乱としての外乱磁束mが発生すると、回転板2は非磁性体のアルミニウム部材により形成されているため、外乱磁束mが通るための磁路が形成される。回転板2を通じて磁路変更片6a,6b,6cに外乱磁束mが流れ込まないため、外乱磁束mが第1〜第3磁気抵抗素子9a,10a,11aに検出されることが抑制される。
【0040】
従って、本実施形態の回転位置センサ1によれば以下の効果を奏する。
(1)アルミニウム板よりなる回転板2の面内の最外周部に鉄板よりなる磁路変更片6a,6b,6cが溶接固定されている。そのため、外乱発生体Gにより発生する外乱としての外乱磁束mは非磁性体の回転板2から磁路変更片6a,6b,6cに伝わらないため、第1〜第3磁気抵抗素子9a,10a,11aは、第1〜第3バイアスマグネット9b、10b、11bと前記軸心Oとの間における磁路変更片6a,6b,6cの位置の有無による磁束の変化のみが検出されやすい。従って、検知部本体3は回転板2の回転を安定して回転検出を行うことができる。
(2)アルミニウム板よりなる回転板2の最外周部に鉄板よりなる磁路変更片6a,6b,6cが溶接固定されている。従って、回転位置センサ1に対して別体で外乱磁束mの防止手段を設けるよりもコストダウン及び構造の簡素化することができる。
(3)本実施形態においても、前記第1実施形態の効果の(4)と同様の効果を奏する。
【0041】
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態を図6及び図7に従って説明する。
尚、説明の便宜上、第1実施形態と共通の部材について同符号を付すと共に、異なるところのみを説明する。
【0042】
図6及び図7に示すように、回転位置センサ1を構成するアルミニウム板よりなる回転板2の面内の最外周部において前記軸心Oを中心とする円弧状の3個のアルミニウム板よりなる非磁性体部材としての磁界絶縁片13a,13b,13cが同回転板2に延出形成されている。前記磁界絶縁片13a,13b,13cの外周側面には磁路変更片6a,6b,6cが接着剤にて貼着されている。
【0043】
以下、本実施形態における回転位置センサ1の作用について説明する。
図7に示すように、例えば2点鎖線で示す位置つまり、回転板2の磁路変更片6a固定側面付近で尚かつ、ステアリングシャフト4と検知部本体3間における磁界絶縁片13a,13b,13cの内周側面付近に外乱発生体Gがあるとする。すると、外乱発生体Gにより外乱としての外乱磁束mが発生すると、アルミニウム板よりなる回転板2及びアルミニウム部材よりなる磁界絶縁片13a,13b,13cには外乱磁束mが通るための磁路が形成され、外乱磁束mが通過する。磁路変更片6a,6b,6cには、外乱磁束mからの影響が抑制されるため、外乱磁束mが第1〜第3磁気抵抗素子9a,10a,11aに検出されることが抑制される。
【0044】
従って、本実施形態の回転位置センサ1によれば以下の効果を奏する。
(1)アルミニウム板よりなる回転板2の面内の最外周部にアルミニウム部材よりなる磁界絶縁片13a,13b,13cが延出形成されていて、その外周側面には鉄板よりなる磁路変更片6a,6b,6cが貼着されている。そのため、磁路変更片6a,6b,6cは、回転板2及び磁界絶縁片13a,13b,13cにより、外乱発生体Gにより発生する外乱としての外乱磁束mの影響が抑制される。よって、第1〜第3磁気抵抗素子9a,10a,11aは、第1〜第3バイアスマグネット9b、10b、11bと前記軸心Oとの間における磁路変更片6a,6b,6cの位置の有無による磁束の変化のみが検出されやすくなる。従って、検知部本体3は回転板2の回転を安定して回転検出を行うことができる。
(2)アルミニウム板よりなる回転板2の面内の最外周部にアルミニウム部材よりなる磁界絶縁片13a,13b,13cが延出形成されていて、その外周側面には鉄板よりなる磁路変更片6a,6b,6cが貼着されている。従って、回転位置センサ1に対して別体で外乱磁束mの防止手段を設けるよりもコストダウン及び構造の簡素化することができる。
(3)本実施形態においても、前記第1実施形態の効果の(4)と同様の効果を奏する。
【0045】
(第4の実施形態)
次に、回転検出センサとして回転位置センサ14を第4の実施形態に従って説明する。
【0046】
尚、説明の便宜上、第1実施形態と共通の部材について同符号を付すと共に、異なるところのみを説明する。
本実施形態では、図8、図9、図10に示すように、検知部本体3がステアリングシャフト4と磁路変更片6a、6b、6cとの間に位置するように配置され、検知部本体3は、支持アーム15により支持されている。そして支持アーム15は図示しない固定部材に固定されている。第1〜第3の磁気検知体9,10,11は検知部本体3の内部において、図9に図示されている第1〜3磁気抵抗素子9a〜9cの中心を通る一点鎖線に対して180度回転して配置されている。
【0047】
図10に示すように、回転位置センサ14において、例えば2点鎖線で示す位置、つまり回転板2の磁路変更片6a固定側面の反対側面付近で尚かつ、ステアリングシャフト4に近接した位置に外乱発生体Gがあるとする。すると、外乱発生体Gにより外乱としての外乱磁束mが発生すると、外乱磁束mが通るための磁路が鉄板よりなる回転板2に誘導される。誘導された磁路は回転板2の外周に向けて磁路がさらに形成される。一方、磁路変更片6a,6b,6cの基端部付近において、磁路変更片6a,6b,6cと回転板2との間には非磁性片5a,5b,5cが設けられていることにより磁路変更片6a,6b,6cと回転板2を介して磁気回路が形成されないため、磁路変更片6a,6b,6cに磁路が形成されることが抑制される。このように、回転板2の外周部において、磁路は軸心Oの略半径方向に向けて形成され、非磁性片5a,5b,5cによって外乱磁束mが第1〜第3磁気抵抗素子9a,10a,11aに検出されることが抑制される。
【0048】
従って、本実施形態においては前記第1の実施形態の(2)〜(4)と同様の効果を奏すると共に以下の効果を奏する。
(1)非磁性片5a,5b,5cが同回転板2から延出形成され、さらに前記非磁性片5a,5b,5cの先端から鉄板よりなる磁路変更片6a,6b,6cが延出成形されている。そのため、例えば回転板2の磁路変更片6a固定側面の反対側面付近で尚かつ、ステアリングシャフト4に近接した位置に位置する外乱発生体Gにより発生する外乱としての外乱磁束mは、回転板2から非磁性片5a,5b,5cを介して磁路変更片6a,6b,6cに伝わらないため、第1〜第3磁気抵抗素子9a,10a,11aは、第1〜第3バイアスマグネット9b,10b,11bと前記軸心Oとの間における磁路変更片6a,6b,6cの位置の有無による磁束の変化のみが検出されやすい。従って、検知部本体3は回転板2の回転を安定して回転検出を行うことができる。
【0049】
なお、上記各実施形態は以下のように変更して実施してもよい。
・非磁性片5a〜5c、第2及び第3実施形態における回転板2、及び磁界絶縁片13a〜13cをアルミニウム部材から形成させていたが、セラミック部材、ステンレス部材等の非磁性体に変更してもよい。このように構成させても前記各実施形態と同様の効果を奏する。
【0050】
・前記第1実施形態及び第4実施形態では、回転板2に対して非磁性片5a,5b,5cを溶接固定し、非磁性片5a,5b,5cに対して磁路変更片6a,6b,6cを溶接固定させていたが、接着剤にて固定させてもよい。このとき、非磁性片5a,5b,5cは非磁性体の合成樹脂により成形させてもよい。このようにしても前記第1実施形態の効果と同様の効果を奏する。
【0051】
・前記第2実施形態では、回転板2に対して磁路変更片6a,6b,6cを溶接固定させていたが、接着剤にて固定させてもよい。このとき、回転板2は非磁性体の合成樹脂により成形させてもよい。このようにしても前記第2実施形態の効果と同様の効果を奏する。
【0052】
・前記第3実施形態では、回転板2に対して磁界絶縁片13a、13b、13cを溶接固定させていたが、接着剤にて固定させてもよい。このとき、回転板2又は磁界絶縁片13a、13b、13cのうち少なくても一方を非磁性体の合成樹脂により成形させてもよい。このようにしても前記第3実施形態と同様の効果を奏する。
【0053】
次に、前記各実施形態から把握できる請求項に記載した発明以外の技術的思想について、それらの効果と共に以下に記載する。
(イ) 前記磁気検知素子は、磁路変更片の回転軌跡の内方に配置されている請求項1乃至請求項4のうちいずれか1項に記載の回転検出センサ。このように構成すると、磁路変更片の外周付近に外乱磁束が発生する場合において、磁気検知に対する外乱が抑制され、前記請求項1に記載の発明と同様の効果を奏する。
【0054】
(ロ) 前記磁気検知素子は、磁路変更片の回転軌跡の外方に配置されている請求項1乃至請求項4のうちいずれか1項に記載の回転検出センサ。このように構成すると、回転部材中心付近に外乱磁束が発生する場合において、磁気検知に対する外乱が抑制され、前記請求項1に記載の発明と同様の効果を奏する。
【0055】
(ハ) 前記回転部材は、非磁性体からなる回転板と、同回転板の周面に対して回転軸心方向に沿って立設された非磁性体の支持板とからなり、
前記支持板の内外両周面のいずれか一方に磁路変更板を固設した(イ)又は(ロ)に記載の回転検出センサ。なお、ここでいう支持板とは前記第3実施形態における磁界絶縁片13a〜13cのことである。このように構成すると、請求項1に記載の発明と同様の効果を奏する。
【0056】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項1〜請求項4に記載の発明によれば、回転検出センサの近くに位置するように外乱発生体を配置しても、外乱発生体による外乱磁束の影響を回転検出センサを構成している部品の一部の材質を非磁性体にすることで抑制し、安定して回転検出を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態における回転位置センサの要部分解斜視図。
【図2】第1実施形態における回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図3】第1実施形態における回転位置センサの要部断面図。
【図4】磁気抵抗素子の等価回路図。
【図5】第2実施形態における回転位置センサの要部断面図。
【図6】第3実施形態における回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図7】第3実施形態における回転位置センサの要部断面図。
【図8】第4実施形態における回転位置センサの要部分解斜視図。
【図9】第4実施形態における回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図10】第4実施形態における回転位置センサの要部断面図。
【図11】従来技術における回転位置センサの要部断面図。
【符号の説明】
1…回転検出センサとしての回転位置センサ、2…回転部材としての回転板、5a〜5c…非磁性体部材としての非磁性片、6a,6b,6c…磁路変更片、9a…磁気検知素子としての第1磁気抵抗素子、9b…磁石としての第1バイアスマグネット、10a…磁気検知素子としての第2磁気抵抗素子、10b…磁石としての第2バイアスマグネット、11a…磁気検知素子としての第3磁気抵抗素子、11b…磁石としての第3バイアスマグネット、13a〜13c…非磁性体部材としての磁界絶縁片、14…回転検出センサとしての回転位置センサ。
Claims (4)
- 回転部材と、周方向に所定の間隔毎に、前記回転部材に配設されている磁性体からなる磁路変更片と、前記回転部材に対して所定の向きに配設された磁石と、該磁石における磁束の向きを検出する磁気検知素子とを備えた回転検出センサにおいて、
前記磁路変更片と前記回転部材との間に、前記磁気検知素子の磁気検知に対する外乱を防止するための非磁性体部材を介在させたことを特徴とする回転検出センサ。 - 前記非磁性体部材は、前記磁路変更片を支持していることを特徴とする請求項1に記載の回転検出センサ。
- 前記回転部材は、磁性体からなる回転板であることを特徴とする請求項2に記載の回転検出センサ。
- 回転部材と、周方向に所定の間隔毎に、前記回転部材に配設されている磁性体からなる磁路変更片と、前記回転部材に対して所定の向きに配設された磁石と、該磁石における磁束の向きを検出する磁気検知素子とを備えた回転検出センサにおいて、
前記回転部材は、全体が前記磁気検知素子の磁気検知に対する外乱を防止するための非磁性体からなることを特徴とする回転検出センサ。
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