JP3615111B2 - 半導体製造装置のガス噴射装置およびそれを用いたガス噴射方向調整方法 - Google Patents
半導体製造装置のガス噴射装置およびそれを用いたガス噴射方向調整方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3615111B2 JP3615111B2 JP2000067595A JP2000067595A JP3615111B2 JP 3615111 B2 JP3615111 B2 JP 3615111B2 JP 2000067595 A JP2000067595 A JP 2000067595A JP 2000067595 A JP2000067595 A JP 2000067595A JP 3615111 B2 JP3615111 B2 JP 3615111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- gas injection
- base end
- gas
- end portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nozzles (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ICあるいはLSI等の半導体回路基板の製造に使用される反応生成膜を形成するためのガス噴射ノズルを有するガス噴射装置およびそれを用いたガス噴射方向調整方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、図13に示すように、半導体基板であるウエハ51上に、反応生成膜を形成するために、筒状の容器である石英ベルジャー52と、その石英ベルジャー52に対し同軸状に挿脱されて収納される、多角形柱状のウエハ保持筐体であるサセプター53と、一対の反応ガス噴射ノズル54とを有する半導体製造装置が知られている。
【0003】
反応ガス噴射ノズル54は、石英ベルジャー52の上部に設けられており、反応ガス、例えば、水素およびシラン系ガスをそれぞれ、例えば25PSI(pounds per square inch)の圧力と流量を制御して噴射するようになっている。噴射された反応ガスは、石英ベルジャー52の内部を旋回してウエハ51表面に反応生成膜を成長させながら、石英ベルジャー52の下部に設けられた排気口52aに向かって流れるようになっている。また、サセプター53も旋回して、保持しているウエハ51に対し、より均一な膜厚の反応生成膜を形成できるようになっている。
【0004】
このとき、一対の反応ガス噴射ノズル54から噴射される反応ガスのジェット気流の方向角度にズレがある場合、石英ベルジャー52内のガス気流の密度にバラツキが生じて、ウエハ51上に形成される反応生成膜の膜厚が不均一になるという不都合を生じる。この不都合を解消するためには、反応ガス噴射ノズル54の方向角度の調整が必要である。
【0005】
まず、上記従来の反応ガス噴射ノズル54の取り付け手順および反応ガス噴射ノズル54の調整方法について、図14(a)に基づいて説明すると、まず、取り付け手順は、石英ベルジャー52の上部の一対のガス供給用開口52bの内壁に形成された取付ネジ52cに、ノズルケース61を固定し、そのノズルケース61に対しノズル62およびノズル押さえ部64を装填し、ノズル固定ネジ64aで上記ノズル62を仮止めする。
【0006】
このとき、ノズル62は、ノズル62後方の球体部62aが、ノズルケース61の円環状の先端部とノズル押さえ部64の先端部とで上記球体部62aが摺動可能に挟まれて保持されているので、ノズル62の先端が、上記球体部62aの摺動によって左右上下方向に自在に角度調整できるようになっている。
【0007】
このような反応ガス噴射ノズル54を用いて、角度調整する方法について以下に説明すると、まず、図13に示すように方向指示板65を石英ベルジャー52の上部における、反応ガスの噴射方向となる所定位置に取り付けた後、図14(b)に示すノズル方向指示棒66を、図14(a)に示すように、ノズル62のガス噴射口62bに挿入して、上記ノズル62の向きを変えることにより、方向指示板65の中心である0ポイント(目標方向)にノズル方向指示棒66の先端を合わせる。ノズル62の方向角度を合わせた状態で固定するため、ノズル固定ネジ64aを、基端側であるガス供給継ぎ手部68側より増し締めする。
【0008】
このとき、ノズル62の球体部62aは、ノズル固定ネジ64aのネジ締め圧で、ノズルケース61の先端部とノズル押さえ部64の先端部とにより、摺動不能に固定される。続いて、ノズル方向指示棒66および方向指示板65を取り外す。
【0009】
その後、図14(c)に示す、ガス供給継ぎ手部68を、石英ベルジャー52を密封するように、ノズルケース61に接続する。その次に、上記石英ベルジャー52内を排気ポンプで減圧しながら、ノズルケース61とガス供給継ぎ手部68との接続部においてガス漏れが無いことをチェックする。その後に、ガス供給とウエハ51の供給を開始して、上記ウエハ51上への反応生成膜の形成が開始される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した従来では、ウエハ51への反応生成膜の形成における、生産効率が低下するという問題を有している。
【0011】
つまり、上記従来では、ノズル固定ネジ64aを一旦ゆるめて、ノズル62の方向角度の調整を行った後に、ノズル62を固定するために、ガス供給側からノズル固定ネジ64aの増し締めする必要がある。
【0012】
このため、上記従来では、ガス供給継ぎ手部68に対し、調整前の取り外しと、調整後の取り付けとが不可欠であるので、ノズル62の取り付けや、方向調整の際に、ガス供給継ぎ手部68の脱着や、ノズルケース61とガス供給継ぎ手部68との接続部のガス漏れチェック等の、必要な付帯作業を生じ、生産効率が低下するという問題を有している。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明のガス噴射装置は、以上の課題を解決するために、ガスを噴射するためのノズルを先端部に有するノズル本体と、ノズルから外方へのガスの噴射方向を調整可能にノズル本体を支持するノズル本体収納部とを有し、ノズル本体は、ノズル基端部と、ノズルの長手方向に沿ってノズル基端部に対し変位可能なノズル変位部とを備え、ノズルおよびノズル変位部の一方の、上記長手方向を軸とする回転によって、ノズル基端部およびノズル変位部は、上記長手方向に互いに離間するようになっていることを特徴としている。
【0014】
上記ガス噴射装置においては、ノズル基端部およびノズル変位部は、ノズルの長手方向に沿って変位可能なように互いに螺合するネジ部をそれぞれ有していることが好ましい。
【0015】
上記の構成によれば、ノズルから外方へのガスの噴射方向を調整可能にノズル本体を支持するノズル本体収納部を有するので、上記ノズルにおけるガスの噴射方向を調整することができる。
【0016】
その上、上記構成では、ノズルおよびノズル変位部の一方を、ノズルの長手方向を軸として回転させ、ノズル基端部およびノズル変位部を、上記長手方向に互いに離間させることによって、ノズル本体は長手方向に伸びてノズル本体収納部に支持される際のノズル本体収納部からの押圧力を高めることができて、調整後のノズルの方向を維持したノズル本体を、上記押圧力によってノズル本体収納部内に固定することができる。
【0017】
この結果、上記構成では、ノズル側からの、ノズルおよびノズル変位部の一方の回転により、ノズルからのガスの噴射方向を調整して固定できるので、従来必要であった付帯作業を省くことができて、生産効率を向上できる。
【0018】
上記ガス噴射装置においては、ノズル基端部およびノズル変位部は、ガスの噴射方向を調整可能にノズル本体収納部内にて支持される球状部を形成するようになっていることが望ましい。
【0019】
上記構成によれば、ノズル基端部およびノズル変位部の間での変位を調整することにより、ノズル基端部およびノズル変位部による球状部は、ノズル本体収納部内にて支持されながら容易に回動できて、ノズルからのガスの噴射方向の調整を容易化できる。
【0020】
上記ガス噴射装置では、ノズル基端部およびノズル変位部の一方は、上記両者の内の他方の回転に対する従動を回避するための溝部を有し、ノズル本体収納部は、上記溝部に嵌入される突起部を有していてもよい。
【0021】
上記の構成によれば、溝部と、それに嵌入される突起部とを設けたことにより、ノズル基端部およびノズル変位部の一方の、他方に対する変位を安定化できて、ノズルからのガスの噴射方向の調整を確実化できる。
【0022】
上記ガス噴射装置においては、溝部は、ノズルの長手方向に沿って形成されていることが好ましい。また上記ガス噴射装置では、突起部は、球状部の中心に向かって延びるように形成されていることが望ましい。
【0023】
上記構成によれば、溝部を、ノズルの長手方向に沿って形成することにより、また、突起部を、球状部の中心に向かって延びるように形成することよって、例えば、球状部において、互いに直交する2つの回動軸をそれぞれ確保できることから、ノズル本体の回動範囲を広げ、かつ、上記回動を安定化できて、ノズルからのガスの噴射方向の調整を確実化できる。
【0024】
本発明のガス噴射方向調整方法は、前記の課題を解決するために、上記の何れかに記載のガス噴射装置のガス噴射方向調整方法であって、ノズルのガス噴射口側から調整棒を挿入して、調整棒の先端によりノズルからのガスの噴射方向を調整する工程と、上記調整棒をノズルに挿入した状態にて、ノズル基体部およびノズル変位部の一方を回転させることにより、ノズル基体部およびノズル変位部を互いに離間させて、ノズル本体をノズル本体収納部に固定する工程とを含むことを特徴としている。
【0025】
上記方法によれば、さらに、調整棒をノズル内に挿入し、上記調整棒の先端により、ノズルからのガスの噴射方向の調整して設定した後に、上記調整棒をノズルに挿入した状態にて、ノズル側からの、ノズルまたはノズル変位部を回転させることによって、ノズル本体をノズル本体収納部に固定できる。
【0026】
この結果、上記構成では、調整棒の先端が所定方向を示していることを、例えば目視にて確認しながら、ノズル側からの操作によって、ノズル本体をノズル本体収納部に固定できることから、従来のように、ガス供給側からの増し締めによる固定に比べて、従来必要な付帯作業を省け、かつ、ノズル側から確認しながら、ノズルからのガスの噴射方向を調整して固定でき、上記固定を確実化および迅速化できる。
【0027】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態1〕
本発明の実施の形態1について図1ないし図7に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0028】
本発明の実施の形態1に係るガス噴射装置は、例えば、半導体エピタキシャル反応装置(半導体製造装置)に対し、好適に使用されるものである。上記半導体エピタキシャル反応装置は、図2に示すように、半導体基板であるウエハ11上に、反応生成膜を形成するために、筒状の容器である石英ベルジャー12と、その石英ベルジャー12に対し同軸状に挿脱されて収納される、多角形柱状のウエハ保持筐体であるサセプター13と、一対の反応ガス噴射ノズル部(ガス噴射装置)14とを有している。
【0029】
各反応ガス噴射ノズル部14は、石英ベルジャー12の上部にそれぞれ設けられており、反応ガス、例えば、水素およびシラン系ガスをそれぞれ、例えば25PSIの圧力と流量を制御して噴射するようになっている。
【0030】
噴射された反応ガスは、石英ベルジャー12の内部を旋回してウエハ11表面に反応生成膜を成長させながら、石英ベルジャー12の下部に設けられた排気口12aに向かって流れるようになっている。このとき、サセプター13も旋回して、保持しているウエハ11への均一な膜厚の反応生成膜を形成できるようになっている。
【0031】
反応ガス噴射ノズル部14は、図3に示すように、石英ベルジャー12の上部内壁に穿設された、円筒状のガス供給口12bの内壁に形成されたノズルケース取付雌ネジ12cにより上記ガス供給口12bに取り付けられる、略円筒状のノズルケース(ノズル本体収納部)1を有している。
【0032】
上記ノズルケース1は、上記ガス供給口12bの内径とほぼ等しいまたは若干小さな外径を有する略円筒状のケース先端部1aと、そのケース先端部1aに同軸状に続く、上記ガス供給口12bより外径が大きな略円筒状のケース基端部1bとを備えている。
【0033】
ケース先端部1aは、先端に、径方向内向きに延びるフランジ部1cが円形の開口部1dを有するように形成されている。一方、ケース基端部1bでは、ケース先端部1aに続く、ケース先端部1aの内径と等しい内径を有し、ケース先端部1aと同軸なケース本体1eと、そのケース本体1eに続く、ケース先端部1aの内径より大きな内径を有するケース接続部1fとを有している。
【0034】
上記ケース接続部1fの内部空間(ガス流通路)の内周面には、ノズル固定用雌ネジ1gが、上記内部空間と同軸状に形成されている。上記ノズル固定用雌ネジ1gには、その先端側に後述するノズルアジャスター4が螺合され、ノズル固定用雌ネジ1gの基端側には、図4に示すガス供給継ぎ手部8を、螺合によって接続することにより、ノズルケース1にガスを安定に供給できるようになっている。
【0035】
図3に示すように、ケース先端部1aの外周面には、前記ノズルケース取付ネジ12cに螺合するノズルケース取付雄ネジ1hが形成されている。一方、ケース基端部1bにおける、ガス供給口12bに対面する先端面には、Oリング等によるシール部1iが設けられている。
【0036】
よって、ノズルケース1は、石英ベルジャー12の外側からガス供給口12bに差し込まれ、ノズルケース取付雌ネジ12cとノズルケース取付雄ネジ1hとを螺合させて回転させることによって、上記シール部1iがガス供給口12bの開口端部に押圧された状態で、上記ガス供給口12bに固定される。このようなノズルケース1は、石英ベルジャー12の密閉性を維持しながら上記石英ベルジャー12に対し取り付けられることになる。
【0037】
また、反応ガス噴射ノズル部14には、略円筒状のノズルアジャスター4がノズルケース1内に内挿されている。ノズルアジャスター4は、ケース先端部1aやケース基端部1bの内径とほぼ等しいまたは若干小さい外径を有していて、ノズルケース1内を、ノズルケース1の中心軸方向(長手方向)に沿って進退自在となっている。
【0038】
また、ノズルアジャスター4は、その先端開口部に、後述するノズル部2の球状部(ノズル本体)2aを支持するための開口部4aと、ノズルアジャスター4の基端部の外周部に、前述のノズル固定用雌ネジ1gと螺合するノズル固定用雄ネジ4bとを有している。
【0039】
上記開口部4aの形状としては、具体的には、球状部2aの表面に対し、面状に当接する湾曲した凹部形状、例えば、上記球状部2aの半径と略同一の半径を有する球帯表面形状が挙げられる。
【0040】
なお、上記開口部4aは、凹部形状でなくともよいが、後述する球状部2aに対し面状に当接するように湾曲した凹部形状の方が、安定にノズル部2を支持できて、反応ガスの噴射時のような、振動状態においても、上記ノズル部2の方向をより確実に保持できる。
【0041】
さらに、反応ガス噴射ノズル部14には、ノズルケース1のケース先端部1aに、略円筒状のノズル部2が取り付けられている。ノズル部2は、その内径が、ノズルアジャスター4の内径より小さくなるように設定されていて、例えばノズルアジャスター4から送られてくる反応ガスを、ノズル部2の先端部であるノズル2bの開口からジェット気流にて噴射(放出)できるようになっている。
【0042】
また、ノズル部2におけるノズル2bの基端部の外径は、前述のケース先端部1aの開口部1dの内径より若干小さくなるように設定されている。上記ノズル2bの基端部の外周面は、上記開口部1dの内周面に対面している。
【0043】
また、ノズル部2の基端部には、球状部2aが、その球状部2aの中心がノズル部2やノズルアジャスター4の中心軸(ガス流通路の中心軸)上となるように設けられている。上記球状部2aは、その外径が、ケース先端部1aの内径とほぼ等しいまたは若干小さく設定されている。これらにより、ノズル部2は、その球状部2aがケース先端部1aの開口部1dとノズルアジャスター4の開口部4aとにより緩く挟持されると、ノズル部2からのガスの噴出方向を所定の範囲内(円錐形状範囲)、すなわちノズル2bの基端部の外周面が上記開口部1dの内周面に当接により規定される範囲内にて設定自在となっている。
【0044】
そして、上記球状部2aは、ノズル部2の長手方向に対し、別体となるように分割された、球状基端部(ノズル基端部)2cと、ノズルナット部(ノズル移動部)2dとを備えている。上記長手方向とは、ノズル部2のノズル2bにおける、円筒状のガス流通路が、そのガス流通方向の長さをガス流通路の内径に対し大きくなるように備えており、上記ガス流通路の中心軸方向をいう。
【0045】
上記球状基端部2cは、ノズル部2の基端部から径方向外向きのフランジ状に延びるように形成されている。上記ノズルナット部2dは、上記球状基端部2cに対し、ノズル部2の長手方向(ガスの噴射方向)に沿って往復移動可能に形成されている。
【0046】
このようなノズルナット部2dを設けたことにより、球状部2aがケース先端部1aの開口部1dとノズルアジャスター4の開口部4aとにより緩く挟持されて摺動できるように上記ノズルナット部2dを変位させて、ノズル部2からのガスの噴出方向を設定し、続いて、上記ノズルナット部2dを、上記球状基端部2cに対し変位させて、球状部2aを長手方向に伸ばし、上記球状部2aが開口部1dと開口部4aとにより挟持される押圧力を高めることにより、上記ノズル部2を、ノズル2b側から固定できる。
【0047】
なお、上記では、球状基端部2cに対しノズルナット部2dを変位させる例を挙げたが、後述するように、逆に、ノズルナット部2dに対し球状基端部2cを変位させるように設定してもよい。
【0048】
これにより、本発明では、ノズル部2の方向の調整を容易化できると共に、従来のようなガス供給継ぎ手部側からの調整を省いて、ガス漏れチェックを回避でき、ノズル部2の方向の調整や取り付けを簡素化および迅速化できて、例えば、ノズル部2の取付作業や、ノズル2b方向の調整作業は、従来の約1/3にできる。
【0049】
このようなノズルナット部2dには、図5および図6に示すように、ノズルナット部2dを球状基端部2cに対し長手方向に沿って変位自在とするために、ノズル2bの外径と略等しい内径を有する円筒状の内壁部と、その内壁部の内周面に雌ネジ部2eが、ノズル部2の中心軸と同軸状に形成されている。一方、ノズル部2におけるノズル2bの基端側外周面には、上記雌ネジ部2eと螺合する雄ネジ部2fが形成されている。なお、上記雌ネジ部2eおよび雄ネジ部2fに代えて、例えばカム機構等の変位させるための機構を用いることもできる。
【0050】
また、ノズルナット部2dの外周面には、ノズルナット部2dを、ノズル部2のノズル2bやそれと一体の球状基端部2cが回転したとき、その回転に従動することを回避するための、回転防止溝部2gがノズル部2の長手方向に沿うように設けられている。
【0051】
一方、図3に示すように、ノズルナット部2dが球状基端部2cと上記長手方向の各端面にて互いに当接した状態となっている球状部2aに対し、ケース先端部1aの内壁には、上記回転防止溝部2gに嵌入して、回転防止溝部2g内を長手方向に沿って摺動可能な回転防止ピン1jが、ノズル部2の中心軸に対し直交し、かつ、球状部2aの中心に向かって径方向内向きの方向に突出するように形成されている。このような回転防止溝部2gおよび回転防止ピン1jを設けたことにより、球状部2aは、互いに直交する2つの回動軸をそれぞれ有することになる。
【0052】
さらに、図5および図6に示すように、ノズル2bの先端部外周面には、ノズル部2を、ガスの噴出口側から、ノズル部2の中心軸を中心として回転させることを容易化するための、一対のノズル回転用切欠部2hが、それらの表面を互いに平行となるようにそれぞれ形成されている。
【0053】
次に、上記構成における、ノズル部2の取り付け方法およびノズル部2からのガスの噴射方向の調整方法について以下に説明する。
【0054】
図2および図3に示すように、半導体エピタキシャル反応装置の石英ベルジャー12のガス供給口12bに対し、ノズルケース1を螺合により取り付ける。ノズルケース1に納められたノズル部2は、図5および図6に示すように、予めネジ締めした螺合によって、ノズルナット部2dと球状基端部2cとは、ノズル部2の長手方向の端面にて互いに当接した状態となって、ほぼ完全な球状となる球状部2aを形成している。
【0055】
このように組み立てた球状部2aを有するノズル部2を、図3に示すように、ノズルケース1内に、ノズル部2の回転防止溝部2gに、ノズルケース1の回転防止ピン1jが嵌入すると共に、ノズル部2のノズル2bをノズルケース1の開口部1dより外方に突出するように装填する。これにより、ノズルナット部2dは、その回動がノズルケース1により固定されている。
【0056】
続いて、ノズルアジャスター4を、ノズルケース1内に螺合により装着して、ノズル部2の球状部2aが、ノズルケース1の開口部1dとノズルアジャスター4の開口部4aとの間にて摺動可能に挟持されるように設定する。
【0057】
このとき、ノズル部2のノズル2bは、ノズルケース1における回転防止ピン1jの、回転防止溝部2gへの嵌入によって、上記回転防止溝部2gの形成方向(長手方向)に沿って所定の角度範囲内にて回動自在となっている。
【0058】
また、上記ノズル2bは、回転防止ピン1jが、ノズル部2の中心軸に対し直交し、かつ、球状部2aの中心に向かって径方向内向きの方向に突出するように形成されているので、上記回転防止溝部2gの形成方向に沿った回動方向に対し、直交する方向にも所定の角度範囲内にて回動自在となっている。よって、上記ノズル部2のノズル2bは、球状部2aの中心を頂点とする仮定円錐形状の範囲内(上下左右に)にて滑らかに回動自在となっている。
【0059】
このような取り付け方法および調整方法では、図3および図7に示す方向指示板5およびノズル方向指示棒6が、ノズル部2の取り付け方向指示のガイドとしてのツールとして用いられている。このために、半導体エピタキシャル反応装置の石英ベルジャー12の上部の所定場所に、例えば図2に示すように、方向指示板5を取り付けられるように取り付け部(図示せず)が設けられている。
【0060】
このように回動自在にノズルケース1に取り付けられたノズル部2に対し、図7に示すノズル方向指示棒6の基端側を、図3に示すように、ノズル部2のガス吹き出し口であるノズル2b内に挿入して、ノズル方向指示棒6の挿入部の各突起部6aの内面を、図5および図6に示すノズル2bの一対のノズル回転用切欠部2hの外面にそれぞれ当接させて対面させる。
【0061】
続いて、ノズル方向指示棒6の先端部が方向指示板5の0ポイント(ガスの噴射方向の設定位置)に合うように、上記ノズル2bを上下左右に回動させて調整する。方向指示板5の0ポイントにノズル方向指示棒6の先端が合わされたら、この状態を維持しながら、図1に示すように、ノズル方向指示棒6に取り付けられ、一体的に回転する円柱状の取っ手部7を、その外周方向に沿って回し、ノズル2bを回転させて、球状部2aを増し締めする。
【0062】
すなわち、ノズル2bに螺合しているノズルナット部2dは、その外周面に形成された回転防止溝部2gに回転防止ピン1jが嵌入した状態のために回転できず、ノズル2bのみが回転して、球状基端部2cをノズルアジャスター4側に移動させることによって、長手方向に伸びた球状部2aは、ノズルケース1やノズルアジャスター4の弾性変形による復元力によって増し締めされる。
【0063】
これにより、ノズル2の調整された方向角度を目視にて確認しながら容易に維持した状態で、球状部2aは長手方向に伸びることによって、前記開口部1dと開口部4aとにより挟持される押圧力が上記復元力によって上昇し、ノズルケース1に対し上記押圧力により回動不能に固定されて、ノズル部2の取り付けおよび方向調整が完了することになる。このようにノズル部2がノズルケース1に対し固定された状態では、ノズルナット部2dと球状基端部2cとの間にはスキマ9を生じている。
【0064】
〔実施の形態2〕
本発明の他の実施の形態としての実施の形態2について図2および図8ないし図12に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の形態1と同様な機能を有する部材については、同一の部材番号を付与して、それらの説明を省いた。
【0065】
図8および図9に示すように、本実施の形態2では、前述のノズルナット部2dの回転防止溝部2gに代えて、先端面部に凹部形状の回転切欠部2iを有するノズルナット部2jが設けられ、一方、前述の球状基端部2cに代えて、さらに上記回転防止溝部2gに対応した、回転防止溝部2kを有する球状基端部2mが設けられている。
【0066】
次に、上記構成における、ノズル部2の取り付け方法およびノズル部2の調整方法について、前述の実施の形態1と相違する点のみについて以下に説明する。
【0067】
まず、図2に示すように、半導体エピタキシャル反応装置の石英ベルジャー12の上部の所定場所に、方向指示板5を取り付ける。続いて、ノズルケース1に回動自在に取り付けられたノズル部2に対し、図10(a)に示すノズル方向指示棒6の基端部を、図11に示すように、ノズル部2のガス吹き出し口であるノズル2b内に挿入して、ノズル方向指示棒6の先端部が方向指示板5の0ポイントに合うように、前述と同様に、上記ノズル2bを上下左右に回動させて調整する。
【0068】
方向指示板5の0ポイントにノズル方向指示棒6の先端が合わされたら、この状態を維持しながら、図10(b)に示す、ノズル方向指示棒6を内挿できる中空部を有する取っ手部7を、図11に示すように、ノズル方向指示棒6に挿入して、図12に示すように、取っ手部7の突起部7bとノズルナット部2jの回転切欠部2iとを互いに嵌合させる。
【0069】
次に、取っ手部7を回転させることにより上記ノズルナット部2jを回転させて、増し締めする。このとき、ノズル部2の球状基端部2mは、その外周面に形成された回転防止溝部2kに回転防止ピン1jが嵌入した状態のために回転できず、ノズルナット部2jのみが回転して、螺合により上記球状基端部2mのみがノズルアジャスター4側に移動して、上記球状部2aは増し締めされる。
【0070】
これにより、ノズル部2は、調整された方向角度を目視により容易に確認しながら上記方向角度を維持した状態で、球状部2aが開口部1dと開口部4aとによる押圧力を高めて挟持されるようになり、ノズルケース1に対し回動不能に固定され、ノズル部2の取り付けおよび方向調整が完了することになる。このようにノズル部2がノズルケース1に対し固定された状態では、ノズルナット部2jと球状基端部2mとの間にはスキマ9が生じている。
【0071】
【発明の効果】
本発明のガス噴射装置は、以上のように、ノズルから外方へのガスの噴射方向を調整可能に支持されるノズル本体が、ノズル基端部と、ノズルの長手方向に沿ってノズル基端部に対し変位可能なノズル変位部とを備え、ノズルおよびノズル変位部の一方の、上記長手方向を軸とする回転によって、ノズル基端部およびノズル変位部は、上記長手方向に互いに離間するようになっている構成である。
【0072】
それゆえ、上記構成は、ノズル側からの、ノズルおよびノズル変位部の一方の回転により、ノズルからのガスの噴射方向を調整して固定できるので、従来必要であった付帯作業を省くことができて、生産効率を向上できるという効果を奏する。
【0073】
本発明のガス噴射方向調整方法は、以上のように、上記のガス噴射装置のガス噴射方向調整方法であって、ノズルのガス噴射口側から調整棒を挿入して、調整棒の先端によりノズルからのガスの噴射方向を調整する工程と、上記調整棒をノズルに挿入した状態にて、ノズル基体部およびノズル変位部の一方を回転させることにより、ノズル基体部およびノズル変位部を互いに離間させて、ノズル本体をノズル本体収納部に固定する工程とを含む方法である。
【0074】
それゆえ、上記方法は、調整棒の先端が所定方向を示していることを、例えば目視にて確認しながら、ノズル本体をノズル本体収納部に固定できることから、従来のように、ガス供給側からの増し締めによる固定に比べて、従来必要な付帯作業を省け、かつ、確認しながら、ノズルからのガスの噴射方向を調整して固定でき、上記固定を確実化および迅速化できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係るガス噴射装置における、ノズルからのガスの噴射方向を調整した後に上記ノズルを固定した様子を示す要部断面図である。
【図2】上記ガス噴射装置を用いた半導体エピタキシャル反応装置の要部破断の斜視図である。
【図3】上記ガス噴射装置における、ノズルからのガスの噴射方向を調整する様子を示す要部断面図である。
【図4】上記のガス噴射装置におけるガス供給継ぎ手部の要部断面図である。
【図5】上記ガス噴射装置におけるノズル部の断面図である。
【図6】上記ノズル部の正面図である。
【図7】上記ガス噴射装置における、ノズルからのガスの噴射方向を調整するための、ノズル方向指示棒の正面図である。
【図8】本発明の実施の形態2に係るガス噴射装置のノズル部の断面図である。
【図9】上記ノズル部の正面図である。
【図10】上記ガス噴射装置における、ノズルからのガスの噴射方向を調整するための、ノズル方向指示棒および取っ手部の説明図であって、(a)は、ノズル方向指示棒の正面図であり、(b)は、取っ手部の正面図である。
【図11】上記ガス噴射装置における、ノズルからのガスの噴射方向を調整する様子を示す要部断面図である。
【図12】上記ガス噴射装置における、ノズルからのガスの噴射方向を調整した後に上記ノズルを固定した様子を示す要部断面図である。
【図13】従来のガス噴射装置を用いた半導体エピタキシャル反応装置の要部破断の斜視図である。
【図14】上記ガス噴射装置における、ノズルからのガスの噴射方向を調整する様子を示す説明図であって、(a)は、要部断面図であり、(b)はノズル方向指示棒の正面図であり、(c)は、ガス供給継ぎ手部の要部断面図である。
【符号の説明】
1 ノズルケース(ノズル本体収納部)
2 ノズル部
2a 球状部(ノズル本体)
2b ノズル
2c 球状基端部(ノズル基端部)
2d ノズルナット部(ノズル変位部)
Claims (7)
- ガスを噴射するためのノズルを先端部に有するノズル本体と、
ノズルから外方へのガスの噴射方向を調整可能にノズル本体を支持するノズル本体収納部とを有し、
ノズル本体は、ノズル基端部と、ノズルの長手方向に沿ってノズル基端部に対し変位可能なノズル変位部とを備え、
ノズルおよびノズル変位部は、ノズルの長手方向に沿って変位可能なように互いに螺合するネジ部をそれぞれ有し、
ノズルおよびノズル変位部の一方の、上記長手方向を軸とする回転によって、ノズル基端部およびノズル変位部は、上記ネジ部により上記長手方向に互いに変位するようになっていることを特徴とする半導体製造装置のガス噴射装置。 - 上記回転によって、ノズル基端部およびノズル変位部は、ノズル本体収納部との摺動してノズルから外方へのガスの噴射方向の調整可能位置と、上記ノズルのガスの噴射方向の固定位置との間にて変位するものであることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置のガス噴射装置。
- ノズル基端部およびノズル変位部は、ガスの噴射方向を調整可能にノズル本体収納部内にて支持される球状部を形成するようになっていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体製造装置のガス噴射装置。
- ノズル基端部およびノズル変位部の一方は、上記両者の内の他方の回転に対する従動を回避するための溝部を有し、
ノズル本体収納部は、上記溝部に嵌入される突起部を有していることを特徴とする請求項3記載の半導体製造装置のガス噴射装置。 - 溝部は、ノズルの長手方向に沿って形成されていることを特徴とする請求項4記載の半導体製造装置のガス噴射装置。
- 突起部は、球状部の中心に向かって延びるように形成されていることを特徴とする請求項4または5記載の半導体製造装置のガス噴射装置。
- 請求項1ないし6の何れかに記載の半導体製造装置のガス噴射装置のガス噴射方向調整方法であって、
ノズルのガス噴射口側から調整棒を挿入して、調整棒の先端によりノズルからのガスの噴射方向を調整する工程と、
上記調整棒をノズルに挿入した状態にて、ノズルおよびノズル変位部の一方を回転させることにより、ノズル基端部およびノズル変位部を互いに離間させて、ノズル本体をノズル本体収納部に固定する工程とを含むことを特徴とする半導体製造装置のガス噴射装置のガス噴射方向調整方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000067595A JP3615111B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 半導体製造装置のガス噴射装置およびそれを用いたガス噴射方向調整方法 |
US09/752,681 US6474562B2 (en) | 2000-03-10 | 2001-01-03 | Gas injector and gas injection direction adjusting method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000067595A JP3615111B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 半導体製造装置のガス噴射装置およびそれを用いたガス噴射方向調整方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001257165A JP2001257165A (ja) | 2001-09-21 |
JP3615111B2 true JP3615111B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=18586762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000067595A Expired - Fee Related JP3615111B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 半導体製造装置のガス噴射装置およびそれを用いたガス噴射方向調整方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6474562B2 (ja) |
JP (1) | JP3615111B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100453390B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-10-15 | 주성엔지니어링(주) | 진공 증착장비용 가스 인젝터 노즐 |
JP4851153B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2012-01-11 | オークマ株式会社 | ノズル固定構造 |
US9840778B2 (en) | 2012-06-01 | 2017-12-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Plasma chamber having an upper electrode having controllable valves and a method of using the same |
US20140038421A1 (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deposition Chamber and Injector |
US20140270999A1 (en) * | 2013-03-16 | 2014-09-18 | Hsien-Jen Huang | Coolant delivery device for cutting tools |
JP6297509B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2018-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN113926122B (zh) * | 2021-10-21 | 2022-08-02 | 气味王国(山东)科技有限公司 | 一种旋转可变气味涡圈发射装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1758115A (en) * | 1929-01-12 | 1930-05-13 | James W Kelly | Adjustable shower fixture |
NL249251A (ja) * | 1959-03-09 | |||
US3012733A (en) * | 1960-05-19 | 1961-12-12 | Akron Brass Mfg Company Inc | Nozzle |
US4128209A (en) * | 1977-09-12 | 1978-12-05 | Scovill Manufacturing Company | Air gun |
US4360160A (en) * | 1978-01-09 | 1982-11-23 | Emile Jette | Showerhead control adapter |
US4248385A (en) * | 1979-12-03 | 1981-02-03 | Hickerson Frederick R | Adjustable nozzle |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000067595A patent/JP3615111B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-03 US US09/752,681 patent/US6474562B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001257165A (ja) | 2001-09-21 |
US6474562B2 (en) | 2002-11-05 |
US20010020651A1 (en) | 2001-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3615111B2 (ja) | 半導体製造装置のガス噴射装置およびそれを用いたガス噴射方向調整方法 | |
JP2002210631A (ja) | タレットプレート上の切削工具に低温冷却剤を供給するための工作機械用供給器 | |
JP3222243U (ja) | シール剤ディスペンサ | |
JP7330760B2 (ja) | 工具システム | |
KR101489602B1 (ko) | 이류체분사에 의한 회전식 살포장치 | |
EP1488905B1 (en) | Injection molding manifold with multi-axis adjustable manifold blocks and nozzles | |
JP2022181522A (ja) | 液体供給装置および液体供給方法 | |
ES2923955T3 (es) | Turbina para dispositivo de proyección de fluido, dispositivo de proyección de fluido, así como conjunto que comprende dicho dispositivo y una herramienta | |
JPH0533891A (ja) | 管継手 | |
US10781015B2 (en) | Member coupling mechanism | |
JPH0941215A (ja) | 溶融紡糸装置 | |
JP2000153183A (ja) | ホットエアー用着脱ノズル | |
KR101612048B1 (ko) | 웨이퍼 테이핑 | |
US5586724A (en) | Tapered plug foam spray apparatus | |
JPH0363493A (ja) | ノズル装置 | |
JP2002057180A (ja) | 半田ボールピッチャー | |
KR101728902B1 (ko) | 열간 단조 장치용 유체분사장치 | |
JPH11224736A (ja) | 同軸ケーブル用機器におけるコネクター用受座の終端器 | |
JP2020026167A (ja) | バルブ挿入具 | |
JP2000097798A (ja) | スロートプラグ | |
TW202000312A (zh) | 高壓噴頭 | |
CN115068112B (zh) | 一种动力安装装置、动力装置及手术机器人 | |
JP5001990B2 (ja) | ガス噴射チューブの保持具、ガス噴射チューブの取付け部及び携帯型ガス噴射清掃器具 | |
US10549395B2 (en) | Hand tool for self aligned placement of surface mounted tooling element | |
JP2741587B2 (ja) | ガス容器の保持装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040406 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041028 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |