JP3613759B2

JP3613759B2 - Metal-ceramic composite substrate

Info

Publication number: JP3613759B2
Application number: JP2000275057A
Authority: JP
Inventors: 暁山寧; 正美木村; 正美桜庭; 長寿永田
Original assignee: Dowa Holdings Co Ltd; Dowa Mining Co Ltd
Current assignee: Dowa Holdings Co Ltd
Priority date: 2000-09-11
Filing date: 2000-09-11
Publication date: 2005-01-26
Anticipated expiration: 2020-01-26
Also published as: JP2001144224A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パワーモジュール等の大電力電子部品の実装に好適な金属−セラミックス複合基板に関し、更に詳しくは特に優れた耐ヒートサイクル特性が要求される自動車用電子部品の実装に好適な複合基板を提供することを目的とする。
【０００２】
【従来の技術】
従来、パワーモジュールのような大電力電子部品の実装に使用する基板として、セラミックス基板の表面に銅板を接合して作製された銅張りセラミックス複合基板が使用されている。この複合基板は更に、使用するセラミックス基板の種類やその製造法によって、銅／アルミナ直接接合基板、銅／窒化アルミニウム直接接合基板、銅／アルミナろう接基板、及び銅／窒化アルミニウムろう接基板に分けられている。
【０００３】
このうち、銅／アルミナ直接接合基板は、特開昭５２−３７９１４号公報に開示されるように、酸素を含有する銅板を使用するか、無酸素銅板を使用して酸化性雰囲気中で加熱することによって無酸素銅板の表面に酸化銅を発生させてから、銅板とアルミナ基板を重ねて不活性雰囲気中で加熱し、銅板とアルミナ基板との界面に銅とアルミニウムとの複合酸化物を生成させ銅板とアルミナ基板とを接合するものである。
【０００４】
一方、銅／窒化アルミニウム直接接合基板の場合には、予め窒化アルミニウム基板の表面に酸化物を形成する必要がある。例えば特開平３−９３６８７号公報に開示するように、予め空気中において、約１０００℃の温度で窒化アルミニウム基板を処理し、表面に酸化物を生成させてから、この酸化物層を介して上述の方法により銅板と窒化アルミニウム基板とを接合している。
【０００５】
また銅／アルミナろう接基板及び銅／窒化アルミニウムろう接基板は、銅板とセラミックス基板との間に低触点のろう材を用いて接合するが、この場合、使用するろう材に銅の他、融点を下げる為の合金元素及びセラミックスとの濡れを良くする為の合金元素が添加され、一例としてＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のような活性金属ろう材はよく使用されている。
【０００６】
上述のように銅／セラミックス複合基板は広く使用されるにもかかわらず、製造中及び実用上幾つかの問題点がある。その中で最も重大な問題点は、電子部品の実装及び使用中にセラミックス基板の内部にクラックが形成し、基板の表裏間を電気的に導通することによる故障である。
【０００７】
これは銅の熱膨張係数がセラミックスの係数より約一桁大きいことに起因する。接合する場合、セラミックス基板と銅が１０００℃近くまで加熱され、接合温度から室温に冷却する時に、熱膨張係数の違いにより複合基板の内部に多大の熱応力が発生する。
【０００８】
また、パワーモジュール等の電子部品を実装するときに、銅・セラミックス複合基板は４００℃近くまで加熱されるため、さらに使用環境や使用中の発熱により、同複合基板の温度が常に変化し、同複合基板に変動熱応力が掛けられる。これらの熱応力によってセラミックス基板にクラックが発生する。
【０００９】
上記複合基板の重要な評価項目の一つに耐ヒートサイクル特性がある。これは基板を−４０℃から１２５℃まで繰り返し、加熱・冷却する際の熱応力によって基板にクラックが発生するまでの循環回数で示しているが、直接接合法で作製した銅・セラミックス複合基板は約５０回で、ろう接法で作製した同複合基板のこの特性値は５０回以下である。
【００１０】
しかもこのような特性を得るために、セラミックス基板の厚さを両主表面に接合された銅板の厚さの合計により厚くするという制限条件が有り、セラミックス基板の厚さを基板本来の電気絶縁性を保つために必要な厚さより倍以上に厚くしなければならないという問題があった。逆に、上記複合基板にとってもう一つ重要な特性である熱伝導性の方は犠牲にされているのが現状である。
【００１１】
近年、電気自動車用パワーモジュールの開発により、耐ヒートサイクル特性の優れた複合基板への要望が特に高まっており、例えば電気自動車の様に温度変化が激しく、振動が大きい使用条件の場合、複合基板の耐ヒートサイクル特性が３０００回以上必要であると言われているが現在使用されている銅・セラミックス複合基板では、このような要望に対応できない。
【００１２】
銅と同じような優れた電気と熱伝導性を有するアルミニウムを導電回路材料として使う構想は以前からあり、例えば特開昭５９−１２１８９０号にこのような構想が記述されている。アルミニウムとセラミックスとの接合にろう接法は使用され、特開平３−１２５４６３号、特開平４−１２５５４号及び特開平４−１８７４６号にろう接法で作製したアルミニウム−セラミックス基板を開示している。これによると、作製したアルミニウム−セラミックス基板の耐ヒートサイクル特性は約２００回であり、上述のように高い耐ヒートサイクル特性が要求される用途には、依然として充分対応できないものであった。
【００１３】
しかも、この方法の場合、接合は真空中で行わなければならないし、また非酸化物セラミックスの場合、あらかじめ予備処理を施し、セラミックスの表面に酸化物を形成しなければならない、製造コストおよび熱伝導性の面においても満足できないところがあった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように従来製造された銅／セラミックス直接基板やアルミニウムろう接基板は耐ヒートサイクル特性の面からは、電気自動車向けの基板としては向かなかった。本発明は電気自動車向けの耐ヒートサイクル特性として３０００回以上の性能を有する新規な基板を提供することを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ろう接に使用されるろう材は接合する金属より硬いとの事実に着眼した。硬いろう材の使用により、金属自身が持つ応力緩和機能が阻害され、基板中に比較的に大きい熱応力が発生し、耐ヒートサイクル特性などは低下する。熱応力が低く、耐ヒートサイクル特性の優れた基板を開発するために本発明者らは発明者の一人の以前の発明（特願平４−３５５２１１号）をさらに改良し、アルミニウム−セラミックス直接接合基板を作製した。これらの基板を評価する所、優れた耐ヒートサイクル特性が確認され、本発明を提出することができた。
【００１６】
本発明の金属−セラミックス複合基板は、セラミックス基板の少なくとも一主面に電気導通及び電子部品搭載のための金属部分を形成した金属−セラミックス複合基板において、アルミニウム溶湯を窒素ガス雰囲気中でセラミックス基板上に直接凝固させて接合せしめた複合基板上の金属板にエッチング処理により所定の回路を形成して成り、ヒートサイクル≧3000回（クラックなし）としたことを特徴とする。また、本発明の金属−セラミックス複合基板は、セラミックス基板の少なくとも一主面に電気導通及び電子部品搭載のための金属部分を形成した金属−セラミックス複合基板において、アルミニウム溶湯を窒素ガス雰囲気中で炭化珪素基板またはジルコニア基板上に直接凝固させて接合せしめた複合基板上の金属板にエッチング処理により所定の回路を形成して成り、ヒートサイクル≧ 3000 回（クラックなし）としたことを特徴とする。
【００１７】
【作用】
本発明において使用する基板としては、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化硅素、ジルコニア等のセラミックス基板やガラス等であり、この場合、高強度の素材であればなおさらに好ましい。
【００１８】
また本発明で用いる金属はアルミニウムの純金属であるが、これにより導電性が向上し、且つ、軟らかさを得るものである。この場合、純度が高い程導電性が向上するが、逆に価格が高くなるため、本発明では９９．９％（３Ｎ）の純アルミニウムを使用した。
【００１９】
この金属とセラミックス基板との接合は溶湯接合法で行ない、これにより高い接合強度と未接欠陥の少ない複合基板が得られる。また、接合雰囲気として窒素雰囲気下で行うことができるため、従来法のように真空下で行う必要がなく製造コストが安くなり、さらに窒化アルミニウム基板にも、表面改質することなく直接に接合することができる。
【００２０】
セラミックス基板の厚さとアルミニウム金属の厚さとの関係においては、従来の銅張りのセラミックス複合基板に比べ、金属の厚さをさらに厚くする一方、セラミックス基板の厚さを逆に薄くすることができるため、金属／セラミックスの厚さの比は従来品よりさらに大きくすることができる。この結果、本発明複合基板の放熱性及び流れる電流の量は増大することが容易に考えられる。
【００２１】
以下図面を参照して本発明複合基板（以下アルミニウム−セラミックス直接接合基板とする）について詳細に説明する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
【００２３】
（実施例１）
【００２４】
図７は本発明のアルミニウム−セラミックス直接接合基板を製造するための設備の原理図である。純度９９．９％のアルミニウムをルツボ１０にセットしてから蓋１３をしめて、ケース１２の内部に窒素ガスを充填する。ヒーター１１で７５０℃に加熱し、アルミニウムを溶化してから、ルツボ１０内に設けたガイド一体型ダイス１４の左側入口からセラミックス基板１として３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５ｍｍのアルミナ基板を順番に挿入した。ルツボ１０内に入った該アルミナ基板にアルミニウム溶湯を接触させ、次いで出口側において凝固させることによって、厚さ０．５ｍｍのアルミニウム板が両面に接合されたアルミニウム−アルミナ直接接合基板を得た。
【００２５】
次いで該複合基板上のアルミニウム部に、エッチングレジストを加熱圧着し、遮光、現像処理を行って所望のパターンを形成した後、塩化第２鉄溶液にてエッチングを行って回路を形成した。さらに回路表面をＺｎ置換してＮｉめっき処理を施して、図１に示すような形状のアルミニウム−セラミックス直接接合基板を得た。
【００２６】
該複合基板の諸特性を測定したところ、以下の結果を得た。
【００２７】
ピール特性＞３０ｋｇ／ｃｍ（アルミニウムが切れる）
【００２８】
ヒートサイクル＞３０００回（クラックなし）
【００２９】
抗折強度：６９ｋｇ／ｍｍ^２
【００３０】
たわみ：２８６μｍ（図５参照）
【００３１】
（比較例１）
【００３２】
厚さ０．３ｍｍの銅板７を３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５ｍｍのアルミナ基板６の上下面に直接接合し、図２に示す形状の銅−アルミナ直接接合基板を得た。なお、３は酸化物（Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ−Ｏ）である。
【００３３】
実施例１に示す諸特性を同様に求めたところ、
【００３４】
ピール特性＞１０ｋｇ／ｃｍ（アルミナとＣｕとの界面で切れる）
【００３５】
ヒートサイクル：５０回でクラックが発生し、６００回で銅板が剥離
【００３６】
抗折強度：４９ｋｇ／ｍｍ^２
【００３７】
たわみ：１７２μｍであった。
【００３８】
（実施例２）
【００３９】
セラミックス基板１としてアルミナに代えて窒化アルミニウム板（３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５ｍｍ）を用いた他は、実施例１と同様の手段でアルミニウム−窒化アルミニウム直接接合基板を得た。
【００４０】
この複合基板の特性は、
【００４１】
ピール特性＞２０ｋｇ／ｃｍ
【００４２】
ヒートサイクル＞３０００回
【００４３】
抗折強度：５３ｋｇ／ｍｍ^２
【００４４】
たわみ：２３０μｍ
【００４５】
であるように耐ヒートサイクル特性が自動車向けとして好ましいものであった。
【００４６】
（比較例２）
【００４７】
図４に示すように金属板９として厚さ０．３ｍｍの銅板を活性金属ろう材（Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ）５を介して窒化アルミニウム板８に接合して得た銅−窒化アルミニウムろう接基板を用いて、実施例２と同様に特性を測定したところ、
【００４８】
ピール特性＞３０ｋｇ／ｃｍ
【００４９】
ヒートサイクル：４０回でクラックが発生し、５００回で銅板剥離
【００５０】
抗折強度：４２ｋｇ／ｍｍ^２
【００５１】
たわみ：１４０μｍ
【００５２】
であり、ピール特性は優れているものの目的とする耐ヒートサイクル特性は要求にほど遠いものであった。
【００５３】
（実施例３）
【００５４】
実施例１で用いた厚さ０．６３５ｍｍのアルミナ基板の片面に厚さ０．５ｍｍのアルミニウム層を形成し、３６０℃に加熱された連続加熱炉に通炉したもののソリ量を図５に示すように測定し、同様な操作を繰り返し行って該基板のソリ量を回数毎にまとめ図６に示した。尚、加熱炉内の雰囲気はＨ_２：Ｎ_２＝１：４であった。
【００５５】
（比較例３）
【００５６】
アルミニウムに代えて厚さ０．３ｍｍの銅板を用いて直接接合させた銅張りアルミナ基板以外は、実施例３に示す手段でソリ量を測定し、その結果を図６に併せて示した。
【００５７】
この結果、比較例３の銅張りアルミナ基板に比べ、本発明に係るアルミニウム／アルミナ基板のソリ量は約１／３であった。このソリ量は基板内部の応力の増大に伴って増加するため、アルミニウム／アルミナ基板内部の応力は銅張りアルミナ基板と比べてはるかに小さいことがわかった。
【００５８】
【発明の効果】
上述のように本発明に係るアルミニウム／セラミックス直接接合基板は、従来の複合基板では得られなかった耐ヒートサイクル特性に富み、電気自動車向けパワーモジュール基板として好ましいものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るアルミニウム／セラミックス直接接合基板の模式図である。
【図２】従来の銅／アルミナ直接接合基板の模式図である。
【図３】従来の銅／窒化アルニウム直接接合基板の模式図である。
【図４】従来の金属／セラミックスろう接基板の模式図である。
【図５】実施例３におけるソリ量測定の模式図である。
【図６】実施例３、比較例３における通炉回数に対するソリ量を求めた線図である。
【図７】本発明複合基板の製造装置の原理図である。
【符号の説明】
１セラミックス基板
２アルミニウム
３酸化物（Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ−Ｏ）
４窒化アルミニウム表面の酸化物
５金属ろう材
６アルミナ基板
７銅板
８窒化アルミニウム板
９金属板
１０ルツボ
１１ヒーター
１２ケース
１３蓋
１４ガイド一体型ダイス[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a metal / ceramic composite substrate suitable for mounting a high power electronic component such as a power module, and more particularly, to a composite substrate suitable for mounting an automotive electronic component requiring particularly excellent heat cycle resistance. The purpose is to provide.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a copper-clad ceramic composite substrate produced by bonding a copper plate to the surface of a ceramic substrate has been used as a substrate used for mounting a high-power electronic component such as a power module. This composite substrate is further divided into copper / alumina direct bonding substrate, copper / aluminum nitride direct bonding substrate, copper / alumina brazing substrate, and copper / aluminum nitride brazing substrate, depending on the type of ceramic substrate used and its manufacturing method. It has been.
[0003]
Among these, the copper / alumina direct bonding substrate is heated in an oxidizing atmosphere using an oxygen-containing copper plate or an oxygen-free copper plate as disclosed in JP-A-52-37914. After generating copper oxide on the surface of the oxygen-free copper plate, the copper plate and the alumina substrate are stacked and heated in an inert atmosphere to form a composite oxide of copper and aluminum at the interface between the copper plate and the alumina substrate. A copper plate and an alumina substrate are joined.
[0004]
On the other hand, in the case of a copper / aluminum nitride direct bonding substrate, it is necessary to previously form an oxide on the surface of the aluminum nitride substrate. For example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-93687, an aluminum nitride substrate is previously treated in air at a temperature of about 1000 ° C. to generate an oxide on the surface. The copper plate and the aluminum nitride substrate are joined by the method described above.
[0005]
In addition, the copper / alumina brazing substrate and the copper / aluminum nitride brazing substrate are joined using a brazing material having a low touch point between the copper plate and the ceramic substrate. In this case, in addition to copper, An alloy element for lowering the melting point and an alloy element for improving the wettability with ceramics are added. As an example, an active metal brazing material such as an Ag—Cu—Ti system is often used.
[0006]
Although the copper / ceramic composite substrate is widely used as described above, there are some problems during production and practical use. Among them, the most serious problem is a failure due to the formation of cracks in the ceramic substrate during the mounting and use of electronic components, and electrical conduction between the front and back of the substrate.
[0007]
This is due to the fact that the thermal expansion coefficient of copper is about an order of magnitude larger than that of ceramics. In the case of bonding, when the ceramic substrate and copper are heated to near 1000 ° C. and cooled from the bonding temperature to room temperature, a great amount of thermal stress is generated inside the composite substrate due to the difference in thermal expansion coefficient.
[0008]
In addition, when mounting electronic parts such as power modules, the copper / ceramic composite substrate is heated to nearly 400 ° C, so that the temperature of the composite substrate always changes due to the use environment and heat generation during use. Fluctuating thermal stress is applied to the composite substrate. These thermal stresses cause cracks in the ceramic substrate.
[0009]
One of the important evaluation items of the composite substrate is heat cycle resistance. This shows the number of cycles until the substrate is cracked due to thermal stress when heating and cooling the substrate from -40 ° C to 125 ° C, but the copper-ceramic composite substrate produced by the direct bonding method is The characteristic value of the composite substrate manufactured by the brazing method is about 50 times or less after about 50 times.
[0010]
Moreover, in order to obtain such characteristics, there is a restriction condition that the thickness of the ceramic substrate is made thicker by the sum of the thicknesses of the copper plates bonded to both main surfaces, and the thickness of the ceramic substrate is reduced to the original electrical insulating property of the substrate. There is a problem that it is necessary to make the thickness more than twice as large as necessary to maintain the thickness. On the other hand, the current state is that the thermal conductivity, which is another important characteristic for the composite substrate, is sacrificed.
[0011]
In recent years, with the development of power modules for electric vehicles, there has been a particular demand for composite substrates with excellent heat cycle resistance. For example, composite substrates can be used under conditions of severe temperature changes and large vibrations, such as electric vehicles. However, the copper / ceramic composite substrate currently used cannot meet such a demand.
[0012]
There has been a concept of using aluminum having excellent electrical and thermal conductivity similar to copper as a conductive circuit material. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 59-121890 describes such a concept. A brazing method is used for joining aluminum and ceramics, and an aluminum-ceramic substrate produced by the brazing method is disclosed in JP-A-3-125463, JP-A-4-12554, and JP-A-4-18746. . According to this, the produced aluminum-ceramics substrate has a heat cycle resistance of about 200 times, and it still cannot sufficiently cope with the use requiring high heat cycle resistance as described above.
[0013]
In addition, in this method, bonding must be performed in a vacuum, and in the case of non-oxide ceramics, pretreatment must be performed in advance to form oxides on the ceramic surface. There were places where I was not satisfied with the sexual aspect.
[0014]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the copper / ceramics direct substrate and the aluminum brazing substrate manufactured conventionally are not suitable as a substrate for an electric vehicle in terms of heat cycle resistance. An object of the present invention is to provide a novel substrate having a performance of 3000 times or more as heat cycle resistance for electric vehicles.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
The inventors focused on the fact that the brazing material used for brazing is harder than the metal to be joined. The use of a hard brazing material hinders the stress relaxation function of the metal itself, generates a relatively large thermal stress in the substrate, and deteriorates the heat cycle resistance and the like. In order to develop a substrate having low thermal stress and excellent heat cycle resistance, the present inventors further improved one of the inventors' previous invention (Japanese Patent Application No. 4-355211) to directly join aluminum-ceramics. A substrate was produced. As a result of evaluating these substrates, excellent heat cycle resistance was confirmed, and the present invention could be submitted.
[0016]
The metal-ceramic composite substrate of the present invention is a metal-ceramic composite substrate in which a metal portion for electrical conduction and electronic component mounting is formed on at least one main surface of the ceramic substrate. A predetermined circuit is formed by etching on a metal plate on a composite substrate that has been directly solidified and bonded to each other, and the heat cycle is equal to or greater than 3000 times (no cracks). The metal-ceramic composite substrate of the present invention is a metal-ceramic composite substrate in which a metal portion for electrical conduction and electronic component mounting is formed on at least one main surface of the ceramic substrate, and a molten aluminum is carbonized in a nitrogen gas atmosphere. A predetermined circuit is formed by etching on a metal plate on a composite substrate that is directly solidified and bonded on a silicon substrate or zirconia substrate , and heat cycles ≧ 3000 times (no cracks) .
[0017]
[Action]
The substrate used in the present invention is a ceramic substrate such as alumina, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, glass, or the like. In this case, a high-strength material is still more preferable.
[0018]
In addition, the metal used in the present invention is a pure metal of aluminum, which improves conductivity and obtains softness. In this case, the higher the purity is, the better the conductivity is. However, since the price is higher, 99.9% (3N) pure aluminum is used in the present invention.
[0019]
The metal and the ceramic substrate are bonded by a molten metal bonding method, thereby obtaining a composite substrate having high bonding strength and few non-contact defects. In addition, since it can be performed in a nitrogen atmosphere as a bonding atmosphere, it is not necessary to perform it under vacuum as in the conventional method, so that the manufacturing cost is reduced, and it is also possible to directly bond to an aluminum nitride substrate without surface modification. be able to.
[0020]
In relation to the thickness of the ceramic substrate and the aluminum metal, the metal thickness can be further increased compared to the conventional copper-clad ceramic composite substrate, while the thickness of the ceramic substrate can be reduced. The thickness ratio of the metal / ceramics can be made larger than that of the conventional product. As a result, it is easily considered that the heat dissipation and the amount of flowing current of the composite substrate of the present invention increase.
[0021]
Hereinafter, the composite substrate of the present invention (hereinafter referred to as an aluminum-ceramic direct bonding substrate) will be described in detail with reference to the drawings.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[0023]
Example 1
[0024]
FIG. 7 is a principle diagram of equipment for producing the aluminum-ceramics direct bonding substrate of the present invention. After setting 99.9% purity aluminum in the crucible 10, the lid 13 is closed and the case 12 is filled with nitrogen gas. After heating to 750 ° C. with the heater 11 to melt aluminum, a 36 mm × 52 mm × 0.635 mm alumina substrate was sequentially inserted as a ceramic substrate 1 from the left entrance of the guide integrated die 14 provided in the crucible 10. . The molten aluminum was brought into contact with the alumina substrate contained in the crucible 10 and then solidified on the outlet side to obtain an aluminum-alumina direct bonded substrate in which an aluminum plate having a thickness of 0.5 mm was bonded to both surfaces.
[0025]
Next, an etching resist was thermocompression-bonded to the aluminum portion on the composite substrate, light-shielded and developed to form a desired pattern, and then etched with a ferric chloride solution to form a circuit. Further, the surface of the circuit was replaced with Zn and subjected to Ni plating to obtain an aluminum / ceramic direct bonding substrate having a shape as shown in FIG.
[0026]
When various characteristics of the composite substrate were measured, the following results were obtained.
[0027]
Peel characteristics> 30 kg / cm (aluminum can be cut)
[0028]
Heat cycle> 3000 times (no cracks)
[0029]
Folding strength: 69kg / mm ²
[0030]
Deflection: 286 μm (see FIG. 5)
[0031]
(Comparative Example 1)
[0032]
A copper plate 7 having a thickness of 0.3 mm was directly bonded to the upper and lower surfaces of the 36 mm × 52 mm × 0.635 mm alumina substrate 6 to obtain a copper-alumina direct bonded substrate having the shape shown in FIG. Note that 3 is an oxide (Al—Cu—Si—O).
[0033]
When the various characteristics shown in Example 1 were similarly determined,
[0034]
Peel characteristics> 10 kg / cm (cut at the interface between alumina and Cu)
[0035]
Heat cycle: Cracks occur 50 times, and copper plate peels after 600 times.
Folding strength: 49kg / mm ²
[0037]
The deflection was 172 μm.
[0038]
(Example 2)
[0039]
An aluminum-aluminum nitride direct bonding substrate was obtained by the same means as in Example 1 except that an aluminum nitride plate (36 mm × 52 mm × 0.635 mm) was used as the ceramic substrate 1 instead of alumina.
[0040]
The characteristics of this composite substrate are
[0041]
Peel characteristics> 20kg / cm
[0042]
Heat cycle> 3000 times [0043]
Folding strength: 53kg / mm ²
[0044]
Deflection: 230 μm
[0045]
Thus, the heat cycle resistance is preferable for automobiles.
[0046]
(Comparative Example 2)
[0047]
As shown in FIG. 4, a copper-aluminum nitride brazing substrate obtained by joining a copper plate having a thickness of 0.3 mm as a metal plate 9 to an aluminum nitride plate 8 through an active metal brazing material (Ag—Cu—Ti) 5. When the characteristics were measured in the same manner as in Example 2,
[0048]
Peel characteristics> 30kg / cm
[0049]
Heat cycle: Cracks occur 40 times, copper plate peels 500 times
Folding strength: 42kg / mm ²
[0051]
Deflection: 140 μm
[0052]
Although the peel characteristics were excellent, the intended heat cycle resistance was far from the requirements.
[0053]
Example 3
[0054]
FIG. 5 shows the amount of warping of an aluminum substrate having a thickness of 0.5 mm formed on one side of an alumina substrate having a thickness of 0.635 mm used in Example 1 and passing through a continuous heating furnace heated to 360 ° C. The same operation was repeated and the amount of warpage of the substrate was summarized for each number of times and shown in FIG. The atmosphere in the heating furnace was H ₂ : N ₂ = 1: 4.
[0055]
(Comparative Example 3)
[0056]
The amount of warpage was measured by the means shown in Example 3 except for a copper-clad alumina substrate that was directly joined using a 0.3 mm thick copper plate instead of aluminum. The results are also shown in FIG.
[0057]
As a result, compared with the copper-clad alumina substrate of Comparative Example 3, the warpage amount of the aluminum / alumina substrate according to the present invention was about 1/3. Since the amount of warpage increases as the stress inside the substrate increases, it has been found that the stress inside the aluminum / alumina substrate is much smaller than that of the copper-clad alumina substrate.
[0058]
【The invention's effect】
As described above, the aluminum / ceramic direct bonding substrate according to the present invention is rich in heat cycle resistance that cannot be obtained by a conventional composite substrate, and is preferable as a power module substrate for an electric vehicle.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of an aluminum / ceramic direct bonding substrate according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic view of a conventional copper / alumina direct bonding substrate.
FIG. 3 is a schematic view of a conventional copper / arnium nitride direct bonding substrate.
FIG. 4 is a schematic view of a conventional metal / ceramic brazing substrate.
5 is a schematic diagram of warpage measurement in Example 3. FIG.
6 is a diagram showing the amount of warping with respect to the number of times of passing through furnaces in Example 3 and Comparative Example 3. FIG.
FIG. 7 is a principle view of the composite substrate manufacturing apparatus of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic substrate 2 Aluminum 3 Oxide (Al-Cu-Si-O)
4 Oxide on the surface of aluminum nitride 5 Metal brazing material 6 Alumina substrate 7 Copper plate 8 Aluminum nitride plate 9 Metal plate 10 Crucible 11 Heater 12 Case 13 Lid 14 Guide integrated die

Claims

セラミックス基板の少なくとも一主面に電気導通及び電子部品搭載のための金属部分を形成した金属−セラミックス複合基板において、アルミニウム溶湯を窒素ガス雰囲気中でセラミックス基板上に直接凝固させて接合せしめた複合基板上の金属板にエッチング処理により所定の回路を形成して成り、ヒートサイクル≧3000回（クラックなし）としたことを特徴とする金属−セラミックス複合基板。 A metal-ceramic composite substrate in which a metal part for electrical conduction and electronic component mounting is formed on at least one main surface of the ceramic substrate, and a molten aluminum is directly solidified and bonded to the ceramic substrate in a nitrogen gas atmosphere. A metal-ceramic composite substrate characterized in that a predetermined circuit is formed on an upper metal plate by etching treatment, and heat cycle ≧ 3000 times (no crack).

セラミックス基板の少なくとも一主面に電気導通及び電子部品搭載のための金属部分を形成した金属−セラミックス複合基板において、アルミニウム溶湯を窒素ガス雰囲気中で炭化珪素基板またはジルコニア基板上に直接凝固させて接合せしめた複合基板上の金属板にエッチング処理により所定の回路を形成して成り、ヒートサイクル≧ 3000 回（クラックなし）としたことを特徴とする金属−セラミックス複合基板。 Metal to form a metal part for electrical conduction and electronic components mounted on at least one major surface of the ceramic substrate - in a ceramic composite substrate, bonding the aluminum melt by directly solidified on a silicon carbide substrate or zirconia substrate in a nitrogen gas atmosphere A metal-ceramic composite substrate , wherein a predetermined circuit is formed by etching on a metal plate on a composite substrate that has been damped, and a heat cycle ≧ 3000 times (no cracks) .