JP3611729B2 - エッチングガス - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、LSI、TFTなどに代表される薄膜デバイス製造用途に適したエッチングガスに関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
半導体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバイス製造プロセス、超鋼材料製造プロセスなどでは、CVD法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法などを用いて種々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカなどが製造されている。また、半導体やTFT等において、回路を構成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するために薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチングが行われている。
【0003】
現在、薄膜デバイス製造における回路形成のためのエッチングには、CF4やC2F6、CHF3、SF6、NF3などのガスが使用されている。これらは地球温暖化係数が高いことが問題となっている。また、これらは比較的安定なガスであるため、エッチャントとして有用なCF3・ラジカルやF・ラジカル等を発生させるためには高いエネルギーが必要であり、電力消費量が大きいこと、大量の未反応排ガス処理が困難であるなどの問題がある。そのためこれら諸問題を解決する代替ガスの開発が急務となっている。
【0004】
【課題を解決するための具体的手段】
本発明者らは、上記の問題点に鑑み鋭意検討の結果、ハイポフルオライト類が優れたエッチング性能を有することを見いだし本発明に至ったものである。
【0005】
すなわち本発明は、基板の上に堆積した膜の所定の部分を除去するための、ハイポフルオライトからなるガスで、さらに、ハイポフルオライトからなるガスと水素または水素含有化合物ガスとを含有したエッチングガス、ハイポフルオライトからなるガスと酸素または酸素含有化合物ガスとを含有したエッチングガスを提供するものである。
【0006】
本発明のエッチングガスであるハイポフルオライトは、大気中で分解するためそれ自体は地球温暖化に関与せず、未反応排ガスの除害も容易であり、さらにエッチングの排ガスにC2F6やCF4などの温暖化ガスが生成することもなく、環境負荷が少ない優れた特徴を有する。また、本発明のエッチングガスを用いることによりCF4等と比較して、より高速なエッチングレート、より高いアスペクト比及びより良好な対レジスト比を得ることが可能である。
【0007】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明のエッチングガスは、シリコンウエハ、金属板、硝子、単結晶、多結晶などの基板上に堆積した、B、P、W、Si、Ti、V、Nb、Ta、Se、Te、Mo、Re、Os、Ru、Ir、Sb、Ge、Au、Ag、As、Cr及びその化合物、具体的には、酸化物、窒化物、炭化物及びこれらの合金用のエッチングガスとして使用される。
【0008】
本発明において、用いるハイポフルオライトとは、分子中に少なくとも1つOF基を有する化合物であり、分子中にハロゲン元素やエーテル基、アルコール基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、アミン基、アミド基等を有するものも含まれる。しかしながら、ハイポフルオライト類は、フッ素化力が極めて強いため、還元性の基やエネルギー的に不安定な結合を有するものは、クリーニングガスとしては好ましくなく、具体的には、CF3OF、CF2(OF)2、CF3CF2OF、CH3COOF、(CF3)3COF、CF2HCF2OF、(CF3CF2)(CF3)2COF、CH3OF、CFH2OF、CF2HOF、CF3CF2CF2OF、(CF3)2CFOF等が好ましい。また、ハイポフルオライトであれば何れでも使用することが可能であり、ハロゲン化炭化水素基やエーテル、アルコール、カルボン酸、エステル、アミン、アミド等の誘導体であっても良い。また、分子中に2個以上のOF基を有する化合物も同様の反応性を有するため使用できる。しかしながら、ハイポフルオライトは、上述したようにフッ素化力が極めて強いため、還元性の基やエネルギー的に不安定な結合を有するものは実用的ではなく、上述したようなハイポフルオライトが好ましい。
【0009】
本発明においては、RIE(反応性イオンエッチング)、ECR(電子サイクロトロン共鳴)プラズマエッチングなどのエッチングの手法や反応条件は特に問わない。ハイポフルオライトを使うと、エッチングされる溝底部にFラジカルが到達し、さらにCFnイオンが入射することにより縦方向にエッチング進み、側壁はフルオロカーボンポリマの堆積により保護され、Fラジカルによる等方的エッチング防止することにより異方性エッチングを可能にする。特にハイポフルオライトの場合、プラズマ中でFラジカルはもとよりCF3 +イオンを多量に生成するためエッチングガスとしても優れた効果を発揮する。また、Oを含有しているため側壁に堆積したフルオロカーボン膜を効率的に除去しながら異方性エッチングを行える利点がある。
【0010】
本発明のエッチング方法は、プラズマエッチング、反応性プラズマエッチング、マイクロ波エッチングなどの各種ドライエッチング条件下で実施可能であり、これらのエッチングガスとHe、N2、Arなどの不活性ガスあるいはHI、HBr、HCl、CO、NO、O2、CH4、NH3、H2、C2H2、C2H6などのガスと適切な割合で混合して使用しても良い。特に、エッチングガスとして使用する場合は、等方的なエッチングを促進するFラジカル量を低減するために、また、SiO2とSiとの反応選択性を上げるため、本発明において使用する上述のエッチングガスに対して水素やCH4、NH3、HI、HBr、HClなどの水素を含有する水素含有化合物ガスを、流量比で10倍量以下の流量で混合して使用することが特に望ましい。10倍量より多くの水素含有化合物を混合するとエッチングに有効なFラジカル量が著しく低下するため好ましくない。使用する場合の圧力は異方性エッチングを行うために、ガス圧力は5Torr以下の圧力で行うことが好ましいが、0.001Torr以下の圧力ではエッチング速度が遅くなるために好ましくない。使用するガス流量は、エッチング装置の反応器容量、ウエハサイズにもよるが、10SCCM〜10000SCCMの間の流量でエッチングすることが好ましい。また、エッチングする温度は、400℃以下が好ましい、400℃を超える高温では等方的にエッチングが進行する傾向が有り必要とする加工精度が得られないこと、また、レジストが著しくエッチングされるために好ましくない。このように水素または水素含有化合物ガスと混合して使用することにより、例えばコンタクトホールの加工時のシリコンとシリコン酸化膜とのエッチング速度の選択性を向上させたりすることができる。
【0011】
また、酸化物、窒化物に対して金属のエッチング速度を向上させたい場合は酸素またはCO、NO、N2O、NO2等の酸素含有化合物ガスを添加すると有効である。水素ガス等の添加と同様に、ハイポフルオライトに対して、その流量比で4倍量以下の流量で混合して使用することが特に望ましい。4倍量より多くの酸素含有化合物ガスを混合するとエッチングに有効なFラジカル量が著しく低下するため好ましくない。使用する場合の圧力は異方性エッチングを行うために、ガス圧力は5Torr以下の圧力で行うことが好ましいが、0.001Torr以下の圧力ではエッチング速度が遅くなるために好ましくない。使用するガス流量は、エッチング装置の反応器容量、ウエハサイズにもよるが、10SCCM〜10000SCCMの間の流量でエッチングすることが好ましい。また、エッチングする温度は、400℃以下が好ましい、400℃を超える高温では等方的にエッチングが進行する傾向が有り必要とする加工精度が得られないこと、また、レジストが著しくエッチングされるために好ましくない。このように酸素または酸素含有化合物ガスと混合して使用することにより、コンタクトホールの加工時のシリコンとシリコン酸化膜とのエッチング速度の選択性を向上させたりすることができる。
【0012】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。
【0013】
実施例1〜3、比較例1
本実施例は、本発明をコンタクトホール加工に適用し、層間絶縁膜(SiO2)をエッチングした例である。本実施例において使用したサンプルは、図1に示される様に単結晶シリコンウエハ1上にSiO2層間絶縁膜2が形成され、さらに該SiO2のエッチングマスクとして開口部を設けたレジスト・マスク3を形成したものである。
【0014】
上記ウエハを13.56MHzの高周波電力を供給する電源を備えたエッチング装置内に設置し、レジスト開口部周辺の加工形状、SiO2エッチング速度の対レジスト比の測定を実施した。一例として、下記の条件でSiO2のエッチングを行った結果を表1に示す。
【0015】
この結果、CF3OFでエッチングを行った場合にもSiO2に対するエッチング速度は充分高く取れ、SiO2とレジストとの選択比もCF4でのエッチングの場合より大きく、レジストに対しては肩落ちも認められなかった。
(条件)
ハイポフルオライト流量 :50SCCM
ガス圧 :0.02Torr
RFパワー密度 :2.2W/cm2
【0016】
このように本発明のエッチングガスを用いることにより高速なエッチングレートが得られ、かつレジストに対しても高い選択性が得られる。また、レジストに対しては肩落ちがないエッチング特性を持つことが好ましいが、本発明のガスを用いることにより肩落ちのない加工形状が得られる。なお、表1中のCDロスの○印は肩落ちがないことを示し、△印は肩落ちが認められることを示す。
【0017】
【表1】
【0018】
実施例4
CF3OFにArを添加して実施例1と同様にエッチングを行ったところ、対レジスト比が7に改善された。
CF3OF流量 :10SCCM
Ar流量 :200SCCM
ガス圧 :0.02Torr
RFパワー密度 :2.2W/cm2
【0019】
実施例5〜12、比較例2
CF3OFにH2、C2H2を添加し、SiとSiO2とのエッチング速度を比較した。その結果を表2に示した。H2、C2H2を添加するとSiO2のエッチング速度は変化しないのに対してSiのエッチング速度は低下し、選択性が上がることから下地のシリコンに対してSiO2を選択的エッチングが可能である。
また、水素化物ガスをCH4、HI、HCl、HBrに変えても同様の結果が得られた。なお、ガス流量以外のエッチング条件は上記実施例1〜3と同様の条件で行った。
【0020】
【表2】
【0021】
実施例13
CF3OFにO2を添加してWのエッチングを行ったところ、O2を添加しなかった場合のエッチング速度39554 /minから400259 /minに向上した。一方、SiO2のエッチング速度は5453 /minから、O2を添加した場合には9865 /minに向上したのみであった。この結果から、O2を添加すると酸化物に対する金属のエッチング速度の選択比を著しく向上でき、金属の選択エッチングが可能であることが解った。
(条件)
CF3OF流量:50SCCM
O2流量 :10SCCM
ガス圧 :0.02Torr
RFパワー密度 :2.2W/cm2
【0022】
【発明の効果】
本発明のガスは、半導体工業におけるデバイス製造装置等における回路形成用エッチングガスであり、精度の良いエッチング可能で、また、該装置外に排出したエッチングガスの除害が容易であるため地球温暖化やオゾン破壊の心配がないエッチングガスである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、実施例1〜3、比較例1で用いたエッチング用サンプルの断面模式図を示し、(b)は、エッチング後の断面模式図を示す。
【符号の説明】
1 シリコンウエハ
2 SiO2層間絶縁膜
3 レジスト・マスク
Claims (3)
- 基板の上に堆積した膜の所定の部分を除去するための、ハイポフルオライトからなるガスを含有したエッチングガス。
- 基板の上に堆積した膜の所定の部分を除去するための、ハイポフルオライトからなるガスと水素または水素含有化合物ガスとを含有したエッチングガス。
- 基板の上に堆積した膜の所定の部分を除去するための、ハイポフルオライトからなるガスと酸素または酸素含有化合物ガスとを含有したエッチングガス。
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