JP3609264B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を処理液で表面処理(この明細書においては、表面洗浄処理を含む。)した後に純水等で洗浄する基板処理方法および基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体装置を製造する工程において、基板、例えばシリコンウエハは、フッ酸、燐酸水溶液などの薬液を使用したエッチング処理もしくは洗浄処理や、硝酸、硫酸、過酸化水素水などの薬液や水を使用した洗浄処理が繰り返し行われる。また、これらのエッチング処理や洗浄処理の後には、その都度、ウエハ上に残存している薬液や反応生成物等の異物をウエハ上から除去するために、洗浄液、通常は純水を使用してウエハの洗浄が行われる。そして、各種の処理液を用いたエッチング処理や洗浄処理などの表面処理と純水での洗浄処理とを1つの処理槽で行う場合には、処理液が収容された処理槽内へウエハを搬入し、処理槽内の処理液中にウエハを浸漬させて表面処理した後、処理槽内から処理液を排出させ、その後に処理槽内へ純水を供給して、純水中にウエハを浸漬させて洗浄する。また、必要により、これらの操作が何度も繰り返される。
【0003】
この場合、処理槽内から処理液を排出させた後、処理槽内へ純水を供給してウエハが純水中に浸漬させられるまでの間、あるいは、処理槽内から純水を排出させた後、処理槽内へ次の処理液を供給してウエハが処理液中に浸漬させられるまでの間、ウエハは大気中に保持されたままとなり、ウエハの表面が乾燥することになる。そこで、従来は、例えば特開昭61−61425号公報等に開示されているように、排液や排水と同時に、シャワーノズルから純水をウエハに向けて噴射させ、ウエハの表面を乾燥させないようにしている。
【0004】
図3は、従来の基板処理装置の概略構成の1例を示す模式図である。基板Wの表面処理および洗浄が行われる処理槽1には、その底部へ薬液を供給する薬液供給管2および洗浄用の純水を供給する純水供給管3がそれぞれ接続されており、それぞれの供給管2、3に開閉制御弁4、5が介在して設けられている。また、処理槽1には、その底部に排液管6が接続されており、排液管6に開閉制御弁7が介在して設けられている。さらに、処理槽1の上部には、吐出口が処理槽1内の基板Wの表面に対向するようにシャワーノズル8が配設されており、シャワーノズル8に純水供給管9が接続されていて、純水供給管9を通してシャワーノズル8へ高圧の純水が供給されるようになっている。
【0005】
図3に示した基板処理装置による処理操作の1例を説明すると、薬液供給管2を通して処理槽1内へ薬液が供給された後、処理槽1内へ基板Wが搬入されて薬液中に基板Wが浸漬させられ、基板Wに対して所定の表面処理が施される。次に、処理槽1内から排液管6を通って薬液が排出される。これと同時に、純水供給管9を通して高圧の純水がシャワーノズル8へ供給され、シャワーノズル8から処理槽1内の基板Wの表面に向けて純水が噴射される。これにより、基板Wの表面が乾燥するのが防がれる。処理槽1内からの薬液の排出が終了すると、純水供給管3を通して処理槽1内へ純水が供給され、シャワーノズル8からの純水の噴射が停止する。そして、処理槽1内に保持された基板Wが純水中に浸漬させられて、基板Wが純水で洗浄される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図3に示したように、処理槽1内からの排液と同時にシャワーノズル8から純水を基板Wに向けて噴射させる方法では、基板、例えばシリコンウエハの表面が大気(酸素)に曝されるため、ウエハが酸化しやすい、といった問題点がある。また、シャワーノズル8から噴射される純水中に酸素が溶解し、酸素が溶解した純水が、疎水面であるシリコンウエハ表面に水滴となって付着し、その界面(気液固界面)においてシリコンの酸化が進行して二酸化ケイ素が生成する。生成した二酸化ケイ素は、ウエハ表面に付着した水滴中に溶解して蓄積され、水滴が蒸発した後に、ウォータマークと呼ばれるしみとなってウエハ表面に残留する。そして、例えばゲート酸化前の洗浄・乾燥処理工程においてウエハの表面に生じたしみは、次工程において酸化により成長する酸化膜の膜質を悪化させ、超LSIの歩留まりを低下させる原因となる。
【0007】
また、従来の方法では、水圧式でシャワーノズル8から純水が噴射されるため、水滴の径が大きくなり、その水滴がウエハの表面に向けて吹き付けられるので、その水滴の勢いでウエハが倒れたりウエハホルダ内でウエハがばたついたりする、といった問題点がある。さらに、シャワーノズルから噴射される水滴の径が大きいので、ウエハの表面を均等に湿らせることが困難である、といった問題点がある。
【0008】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板の表面処理と洗浄処理とを1つの処理槽で行う場合において、処理槽内から処理液や洗浄液を排出する際に、基板の表面を乾燥させることなく、基板の表面が酸化したり基板の表面にウォータマークと呼ばれるしみを生じたりすることを防止することができ、また、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることがなくなり、さらに、確実に基板の表面を均等に湿らせることができる基板処理方法を提供すること、ならびに、そのような基板処理方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、処理槽内に収容された処理液中に基板を浸漬させて表面処理した後、処理槽内から処理液を排出させ、その後に処理槽内へ洗浄液を供給して、洗浄液中に基板を浸漬させて洗浄し、必要によりこれらの操作を繰り返す基板処理方法において、処理槽内から処理液または洗浄液を排出させると同時に、処理槽の内部空間へ洗浄液または処理液を不活性ガスと共に噴霧させ、処理槽の内部空間を不活性ガス雰囲気としかつ処理槽の内部空間を霧状態で浮遊する洗浄液または処理液で満たすことを特徴とする。ここで、前記処理液のうちには洗浄水等の洗浄液が含まれ、前記表面処理のうちには洗浄処理が含まれる。従って、処理槽内に収容された洗浄液中に基板を浸漬させて洗浄処理した後、処理槽内から洗浄液を排出させ、その後に処理槽内へ再び洗浄液を供給して、洗浄液中に基板を浸漬させて洗浄する場合にも、この発明は適用されることになる。
【0010】
請求項2に係る発明は、請求項1記載の基板処理方法において、洗浄液または処理液を不活性ガスの噴射圧により霧状にして噴霧させることを特徴とする。
【0011】
請求項3に係る発明は、処理液または洗浄液を収容してその処理液または洗浄液中に基板が浸漬させられ、基板の表面処理および洗浄が行われる処理槽と、この処理槽内から処理液または洗浄液を排出させる排液手段と、前記処理槽内へ洗浄液または処理液を供給する給液手段とを備えた基板処理装置において、前記排液手段による前記処理槽内からの処理液または洗浄液の排出と連動して、処理槽の内部空間へ洗浄液または処理液を不活性ガスと共に噴霧させ、処理槽の内部空間を不活性ガス雰囲気としかつ処理槽の内部空間を霧状態で浮遊する洗浄液または処理液で満たす噴霧手段を設けたことを特徴とする。
【0012】
請求項4に係る発明は、請求項3記載の基板処理装置において、噴霧手段として、洗浄液または処理液を不活性ガスの噴射圧により霧状にして噴霧させるスプレイノズルを用いたことを特徴とする。
【0013】
請求項1に係る発明の基板処理方法においては、処理槽内から処理液または洗浄液を排出させると同時に、処理槽の内部空間へ純水等の洗浄液または処理液が噴霧されるので、基板の表面が乾燥することが防がれる。そして、洗浄液または処理液は、不活性ガスと共に処理槽の内部空間へ噴霧されるので、処理槽の内部空間が不活性ガス雰囲気となり、このため、基板の表面が酸化することが防止される。また、処理槽の内部空間へ噴霧される純水等の洗浄液または処理液中に酸素が溶解することがなく、しかも、洗浄液または処理液は、霧状であるため、基板の表面に液滴となって付着することがないので、ウォータマークと呼ばれるしみが基板表面に生じる可能性も無い。また、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間へ噴霧されて霧状態で浮遊し、従来のように基板の表面に向けて液滴が噴射されたりしないので、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることもない。さらに、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間に霧状態で浮遊して基板の表面を湿らせるので、確実に基板の表面が均等に湿ることとなる。
【0014】
請求項2に係る発明の方法では、洗浄液または処理液が不活性ガスの噴射圧により霧状にされて噴霧されるので、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無い。
【0015】
請求項3に係る発明の基板処理装置においては、排液手段により処理槽内から処理液または洗浄液が排出されるのと連動して、噴霧手段により処理槽の内部空間へ純水等の洗浄液または処理液が不活性ガスと共に噴霧されるので、基板の表面が乾燥することが防がれる。そして、洗浄液または処理液は、不活性ガスと共に処理槽の内部空間へ噴霧されるので、処理槽の内部空間が不活性ガス雰囲気となり、このため、基板の表面が酸化することが防止される。また、処理槽の内部空間へ噴霧される純水等の洗浄液または処理液中に酸素が溶解することがなく、しかも、洗浄液または処理液は、霧状であるため、基板の表面に液滴となって付着することがないので、ウォータマークと呼ばれるしみが基板表面に生じる可能性も無い。また、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間へ噴霧されて霧状態で浮遊し、従来のように基板の表面に向けて液滴が噴射されたりしないので、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることもない。さらに、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間に霧状態で浮遊して基板の表面を湿らせるので、確実に基板の表面が均等に湿ることとなる。
【0016】
請求項4に係る発明の装置では、スプレイノズルを用いて洗浄液または処理液が不活性ガスの噴射圧により霧状にされて噴霧されるので、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無い。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図1および図2を参照しながら説明する。
【0018】
図1は、この発明に係る基板処理方法を実施するのに使用される基板処理装置の概略構成の1例を示す模式図である。この基板処理装置は、図3に示した従来の装置と同様に、基板Wの表面処理および洗浄が行われる処理槽10を有し、処理槽10には、その底部へ薬液を供給する薬液供給管12および洗浄用の純水を供給する純水供給管14がそれぞれ接続され、それぞれの供給管12、14に開閉制御弁16、18が介在して設けられている。また、処理槽10には、その底部に排液管20が接続されており、排液管20に開閉制御弁22が介在して設けられている。
【0019】
そして、この装置には、処理槽10の上部に、噴霧口が処理槽10の内部空間へ向くようにスプレイノズル24が配設されている。スプレイノズル24には、純水供給管26が接続されているとともに、不活性ガス、例えば窒素ガスのガス供給管28が接続されている。そして、スプレイノズル24の噴霧口から、窒素ガスの噴射圧によって霧状にされた純水が窒素ガスと共に噴霧されるようになっている。
【0020】
スプレイノズル24の構造の1例を図2に断面図で示す。このスプレイノズル24は、ガス供給管28が連通されるガス導入口30および純水供給管26が連通される純水導入口32がそれぞれ形設されたアダプタ部34、窒素ガスに純水を混合させるコア部36、先端にスリット状の噴霧口38が形設されたチップ40、および、チップ40を固定するためのキャップ42から構成されている。このような構造により、純水が窒素ガスの噴射圧で霧状にされてチップ40の先端の噴霧口38から窒素ガスと共に噴霧される。アダプタ部34、コア部36、チップ40およびキャップ42は、いずれもステンレス鋼により形成されている。この場合、スプレイノズル24が金属材料で形成されていて、純水を噴霧させるものであっても、このスプレイノズル24では、窒素ガスを用いて純水を噴霧させるので、スプレイノズル24の構成部品が酸化する恐れが無い。なお、スプレイノズルから処理槽10の内部空間へ薬液を霧状にして噴霧させる場合には、薬液の種類によってはスプレイノズルの構成部品をプラスチック製にする必要がある。
【0021】
図1に示した基板処理装置による処理操作の1例を説明すると、図3に示した装置における場合と同様に、薬液供給管12を通して処理槽10内へ薬液が供給された後、処理槽10内へ基板Wが搬入されて薬液中に基板Wが浸漬させられ、基板Wに対して所定の表面処理が施される。次に、処理槽10内から排液管20を通って薬液が排出される。
【0022】
この処理槽10内からの排液動作と連動して、具体的には排液動作開始と同時に、この装置では、純水供給管26を通して純水がスプレイノズル24へ供給されるとともに、ガス供給管28を通して窒素ガスがスプレイノズル24へ供給され、スプレイノズル24の噴霧口から処理槽10の内部空間へ純水が窒素ガスと共に噴霧される。そして、処理槽10の内部空間から空気が追い出されて、基板Wの上端が薬液の液面から現れる時には処理槽10の内部空間が窒素ガス雰囲気になるとともに、処理槽10の内部空間に保持された基板Wの周囲が、霧状態で浮遊する純水で満たされる。これにより、基板Wの表面が均等に湿らされて、基板Wの表面の乾燥が防がれる。また、処理槽10の内部空間が窒素ガス雰囲気となるため、基板Wの表面が酸化することが防止される。さらに、処理槽10の内部空間へ噴霧される純水中に酸素が溶解することがなく、また、純水が基板Wの表面に水滴となって付着することもないので、ウォータマークと呼ばれるしみが基板Wの表面に生じる可能性も無い。また、純水はスプレイノズル24から処理槽10の内部空間へ噴霧されて霧状態で浮遊するだけであるため、基板Wが倒されたり基板ホルダ内で基板Wがばたついたりすることもない。
【0023】
処理槽10内から薬液が排出されてしまうと、純水供給管14を通して処理槽10内へ純水が供給され、スプレイノズル24からの純水の噴霧が停止する。そして、処理槽10内に保持された基板Wが純水中に浸漬させられて、基板Wが純水で洗浄される。
【0024】
なお、以上のような処理において、処理槽10内からの排液動作と連動してスプレイノズルから処理槽10の内部空間へ純水を窒素ガスと共に噴霧させる工程以外のそれぞれの工程で、スプレイノズル24への純水の供給を停止させた状態でガス供給管28を通して窒素ガスだけをスプレイノズル24へ供給して、スプレイノズル24から処理槽10の内部空間へ窒素ガスを噴射させるようにすることができる。すなわち、スプレイノズル24から処理槽10の内部空間へ窒素ガスを常時噴射させるようにすることができる。このようにすることにより、処理槽10内に貯留された薬液や純水中に酸素が溶け込むことを防止することができ、薬液や純水中に溶解した酸素によって基板の表面に自然酸化膜が形成されることが抑えられる。
【0025】
上記した実施形態では、薬液による基板の表面処理後に純水で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽10内からの排液動作と連動してスプレイノズル24から処理槽10の内部空間へ純水を窒素ガスと共に噴霧させるようにしたが、この発明に係る方法は、そのような実施形態以外にも、種々の形態で実施し得る。例えば、薬液による基板の表面処理後に薬液で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽内からの排液動作と連動して処理槽の内部空間へ洗浄用の薬液を噴霧させるようにしたり、洗浄水による基板の水洗処理後に純水で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽内からの排水動作と連動して処理槽の内部空間へ純水を噴霧させるようにしたり、洗浄水による基板の水洗処理後に薬液で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽内からの排水動作と連動して処理槽の内部空間へ洗浄用の薬液を噴霧させるようにしたりする場合などにも、この発明に係る方法は適用し得る。例えば、イソプロピルアルコール(IPA)を噴霧して基板上の純水をIPAに置換することで、さらにウォーターマークの発生を防止し得る。
【0026】
また、この発明は、図1に示す装置を、上部に開閉扉を有する処理室内に配置する構成にも適用し得る。
【0027】
【発明の効果】
請求項1に係る発明の基板処理方法によると、基板の表面処理と洗浄処理とを1つの処理槽で行う場合において、処理槽内から処理液や洗浄液を排出する際に、基板の表面を乾燥させることなく、基板の表面が酸化したり基板の表面にウォータマークと呼ばれるしみを生じたりすることを防止することができ、基板の処理品質が低下したり歩留まりが低下したりすることを防止することができる。また、従来のように、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることがなくなり、また、確実に基板の表面を均等に湿らせることができる。
【0028】
請求項2に係る発明の方法では、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無くなる。
【0029】
請求項3に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項1に係る発明の方法を好適に実施することができるので、請求項1に係る発明の上記効果が確実に得られることとなる。
【0030】
請求項4に係る発明の装置では、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、この発明に係る基板処理方法を実施するのに使用される基板処理装置の概略構成の1例を示す模式図である。
【図2】図1に示した基板処理装置の構成要素の1つであるスプレイノズルの構造の1例を示す断面図である。
【図3】従来の基板処理装置の概略構成の1例を示す模式図である。
【符号の説明】
W 基板
10 処理槽
12 薬液供給管
14 純水供給管
16、18、22 開閉制御弁
20 排液管
24 スプレイノズル
26 純水供給管
28 窒素ガスのガス供給管
Claims (4)
- 処理槽内に収容された処理液中に基板を浸漬させて表面処理した後、処理槽内から処理液を排出させ、その後に処理槽内へ洗浄液を供給して、洗浄液中に基板を浸漬させて洗浄し、必要によりこれらの操作を繰り返す基板処理方法において、
処理槽内から処理液または洗浄液を排出させると同時に、処理槽の内部空間へ洗浄液または処理液を不活性ガスと共に噴霧させ、処理槽の内部空間を不活性ガス雰囲気としかつ処理槽の内部空間を霧状態で浮遊する洗浄液または処理液で満たすことを特徴とする基板処理方法。 - 洗浄液または処理液を不活性ガスの噴射圧により霧状にして噴霧させる請求項1記載の基板処理方法。
- 処理液または洗浄液を収容してその処理液または洗浄液中に基板が浸漬させられ、基板の表面処理および洗浄が行われる処理槽と、
この処理槽内から処理液または洗浄液を排出させる排液手段と、
前記処理槽内へ洗浄液または処理液を供給する給液手段と、
を備えた基板処理装置において、
前記排液手段による前記処理槽内からの処理液または洗浄液の排出と連動して、処理槽の内部空間へ洗浄液または処理液を不活性ガスと共に噴霧させ、処理槽の内部空間を不活性ガス雰囲気としかつ処理槽の内部空間を霧状態で浮遊する洗浄液または処理液で満たす噴霧手段を設けたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記噴霧手段が、洗浄液または処理液を不活性ガスの噴射圧により霧状にして噴霧させるスプレイノズルである請求項3記載の基板処理装置。
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