JP3603578B2 - 単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置 - Google Patents

単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3603578B2
JP3603578B2 JP36829397A JP36829397A JP3603578B2 JP 3603578 B2 JP3603578 B2 JP 3603578B2 JP 36829397 A JP36829397 A JP 36829397A JP 36829397 A JP36829397 A JP 36829397A JP 3603578 B2 JP3603578 B2 JP 3603578B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inert gas
vacuum pump
dry vacuum
single crystal
crystal pulling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP36829397A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11199388A (ja
Inventor
誠一郎 大塚
靖志 黒澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP36829397A priority Critical patent/JP3603578B2/ja
Publication of JPH11199388A publication Critical patent/JPH11199388A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3603578B2 publication Critical patent/JP3603578B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Non-Positive Displacement Air Blowers (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン等の単結晶引上げ装置で用いられる不活性ガスを回収する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えばシリコン等の単結晶を製造する方法として、吊具で吊下げられる種結晶を不活性ガス雰囲気化のチャンバ内のシリコン融液に接触させ、回転させながらゆっくりと引上げることで単結晶を育成するいわゆるチョクラルスキー法のような製造方法が知られているが、このようなチャンバ内の不活性ガスをドライ真空ポンプで回収して循環させる技術が、例えば特開平7−33581号等に示されている。
【0003】
ところで、このようなドライ真空ポンプは、チャンバ内で加熱された温度の高い不活性ガスを吸引することに加えて、吸引したガスがポンプ内のロータ等で圧縮されて温度が一層高まるため、ポンプ内を効果的に冷却しなければ、ロータ等とケーシングのクリアランスが無くなってロックするいわゆるローターロック等の不具合を生じるようになる。このため、従来では、ポンプ内に外気を導入してロータ等を冷却するようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このようにポンプ内に外気を導入する場合、不活性ガスと大気が混ざり合って不活性ガスの純度が低下し、これを循環させて再使用するため精製しようとすると精製装置を大型化しなければならず著しいコスト高になる。
【0005】
そこで本発明は、不活性ガスを回収して循環させるような回収装置において、ドライ真空ポンプを効果的に冷却しつつ、同時に精製装置の大型化を招くことのない回収装置の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明は、請求項1において、単結晶引上げ装置の不活性ガスを回収するドライ真空ポンプを備えた不活性ガス回収装置において、ドライ真空ポンプによって回収される不活性ガスの一部を熱交換器を通して冷却し、この冷却された不活性ガスをドライ真空ポンプの冷却ラインに送り込んでドライ真空ポンプを冷却するようにした。
【0007】
このようにドライ真空ポンプによって回収した不活性ガスの一部を冷却し、この冷却ガスを冷却ラインからポンプ内に送り込んでロータ等を冷却するようにすれば、同種の不活性ガスが混じり合うだけで不活性ガスの純度が低下するような不具合がなくなり、精製装置を大型化しなくても精製可能で安価に済む。
ここで、ドライ真空ポンプとは、水封式真空ポンプまたは油回転真空ポンプのようにケーシング内に封水とか、潤滑気密用の油等の液体を入れて処理ガスが液体に接触するようなタイプ以外の乾式の機械式真空ポンプを意味する。
【0008】
また請求項2では、単結晶引上げ装置の不活性ガスを回収するドライ真空ポンプと、回収された不活性ガスを精製する精製装置とを備えた単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置において、精製装置を経由した不活性ガスの一部をドライ真空ポンプの冷却ラインに送り込んでドライ真空ポンプを冷却するようにした。
【0009】
このように精製装置を経由して精製された不活性ガスあるいは精製途中の不活性ガスを使用して冷却すれば、精製前の不活性ガスを使用することに較べてより綺麗であるため、例えばポンプ内に蓄積するSiO(一酸化ケイ素)微粉等の量を減らすことが出来る等、ドライ真空ポンプの故障につながる要因を軽減できる。
【0010】
また請求項3では、ドライ真空ポンプの冷却ラインに、ドライ真空ポンプの温度が所定値を越えた場合に、不活性ガスに代って大気によってドライ真空ポンプを冷却するインタロック機構を設けた。
【0011】
ここで、一般的に不活性ガスの比熱は空気に較べて小さいため、ドライ真空ポンプを不活性ガスで冷却すると、大気で冷却することに較べて冷却効果が劣りがちである。
一方、真空ポンプの温度が高まりすぎるとポンプ内のロータ等の熱膨張によってケーシング間とのクリアランスが無くなり、ロータがロックするローターロック現象が生じる。
そこで、ローターロック等の不具合の生起を防止するため、ドライ真空ポンプの温度が所定値を越えた場合に、インターロック機構を介して冷却ラインに大気が導入されるようにし、ドライ真空ポンプの安定運転を図ることにした。
【0012】
また請求項4では、ドライ真空ポンプに、ポンプ内部の粉塵を外部に排出するパージラインを接続した。
すなわち、ドライ真空ポンプを不活性ガスで冷却すれば、回収した不活性ガスに含まれるSiO微粉等の粉塵がポンプ内に蓄積されやすくなり、ポンプの安定運転を妨げるようになる。
そこで、この粉塵を除去するため、ドライ真空ポンプにパージラインを接続し、例えば操業終了時等に粉塵を外部に排出することが出来るようにした。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について添付した図面に基づき説明する。
ここで図1は本発明に係る不活性ガス回収装置の第1構成例の概要図、図2は第2構成例の概要図である。
【0014】
本発明に係る不活性ガス回収装置は、例えばシリコン単結晶を製造する単結晶引上げ装置のチャンバ内で使用されるアルゴンガス等の使用済みの不活性ガスを回収して精製し、これを循環させて再使用するような装置として構成され、特にアルゴンガスを回収するドライ真空ポンプの冷却方式等に特徴を有している。
【0015】
この不活性ガス回収装置は、図1の第1構成例に示すように、単結晶引上げ装置1のチャンバから回収ライン2を通じて使用済みのアルゴンガスを吸引するドライ真空ポンプ3と、このドライ真空ポンプ3で吸引されたアルゴンガスを回収精製装置5に送り込む精製ライン4と、この回収精製装置5で精製したアルゴンガスを供給ライン6に戻す循環ライン7を備えており、供給ライン6はアルゴンガスを貯溜するガスタンク8から引上げ装置1のチャンバに接続されている。
【0016】
ここで、使用済みのアルゴンガスを回収するドライ真空ポンプ3は、ポンプ内に水、油等の液体が封入されない乾式の機械式真空ポンプであり、このようなドライ真空ポンプ3を使用することで、例えば水封式真空ポンプ等に較べて処理ガス中に水等の液体または液体が分解して生成する不純物が混入するような不具合がなく、また高真空度を得ることが出来るとともに、排気速度を安定させることが出来る等の各種利点を得ることが出来るが、ポンプ内のロータ等の冷却には格別の配慮が必要となる。
【0017】
すなわち、ロータ等を大気で冷却すれば、比較的効果的に冷却することが可能であるが、反面、処理ガス中に空気成分が混入して不活性ガスの純度が低下し、回収精製装置5を大型化しなければならないためコスト高になる。
【0018】
そこで図1に示す第1構成例では、前記精製ライン4の途中に、アルゴンガスの一部を引き込んで熱交換器10で冷却した後、ドライ真空ポンプ3に送り込んでロータ等を冷却する冷却ライン11を接続している。
【0019】
因みに、本実施形態におけるドライ真空ポンプ3は、ケーシング内にスクリュー式のロータを備えており、冷却ライン11の接続ポートは、ガスが最も圧縮されてロータの熱が一番高まりやすいガス流路の下流側とされ、ケーシング内に向けて直接冷却ガスを送り込むことが出来るようにされている。
このため、冷却ガスの接続ポートより下流側では、処理ガスと冷却ガスが混じり合って流動することになる。
【0020】
ところで図3は、結晶引上げの各工程における大気で冷却した時のケーシング内の温度(テスト▲1▼〜▲3▼)と、回収したアルゴンガスで冷却した時のケーシング内の温度(テスト▲4▼、▲5▼)を測定した実測値である。ここで、温度の測定は、ロータの熱が一番高まりやすいガス流路下流側のケーシング内にシーズ熱電対をセットして測定した。
【0021】
この結果から、アルゴンガスで冷却した時の温度は大気で冷却した時の温度に較べて全般的に高めであるが、冷却上充分実用限度内であり有効であることが確認された。
但し、本発明のようにArを冷却ガスとした場合の方が、20〜30℃ポンプの温度が高くなるので、万が一冷却効果が不充分となり実用限度を越えた場合の事を考えて、冷却ライン11にインタロック機構12を設けている。
【0022】
このインタロック機構12は、例えばシーズ熱電対17によってケーシング内の温度を測定し、温度が所定値以上になったら制御装置18によって大気開放バルブ13を制御して冷却ライン11に大気を導入し、アルゴンガスによる冷却を大気による冷却に自動的に切換えるようにしている。
そしてこのような制御によってローターロック等の不具合を完全に防止することが出来る。
【0023】
また、アルゴンガスを利用して冷却すれば、大気で冷却することに較べてガス中に含まれるSiO微粉等の粉塵が真空ポンプ3内に蓄積しやすくなる。
そこで本発明ではポンプ内に蓄積した粉塵を外部に排出するパージライン14を設けている。
【0024】
このパージライン14は、前記回収ライン2の途中に接続される大気開放バルブ15と、前記精製ライン4の途中に接続される大気放出ライン16とを結ぶラインとして構成され、例えば操業停止等の前に、回収ライン2のアルゴンガス通路を遮断して大気開放バルブ15を開き、ドライ真空ポンプ3内に蓄積する粉塵を大気放出ライン16から放出するようにする。
【0025】
以上のように構成した不活性ガス回収装置において、単結晶引上げ装置1のチャンバにガスタンク8から供給されるアルゴンガスを導入して内部を不活性ガス雰囲気化し、シリコン融液に種結晶を接触させて単結晶を育成する。この時、シリコン融液を保持する石英ルツボとシリコン融液の反応によってSiOの微粉が発生し、またSiOと黒鉛ヒータ等が反応してCOガスやCO ガスが発生するとともに、その他の黒鉛部品等から発生するN 、H 等の脱ガスによって、アルゴンガス中には各種の不純ガス等が含まれるようになる。
【0026】
ドライ真空ポンプ3は、以上のような不純ガス等を含んだアルゴンガスを回収し、これを回収精製装置5に送り込んで精製することで、各種不純ガス等を除去し、これを循環ライン7から供給ライン6に戻して循環させるが、精製ライン4の途中から回収ガスの一部を熱交換器10に送って冷却し、冷却ライン11を通してドライ真空ポンプ3を冷却する。
【0027】
すなわち、ポンプケーシングの接続ポートから冷却したアルゴンガスをケーシング内に送り込み、ロータを冷却することで、ローターロック等の不具合を防止する。
この際、回収したアルゴンガスで冷却するため、アルゴンガスの純度が低下するような事態がなく、回収精製装置5をより安価に構成出来る。
【0028】
また、アルゴンガスで冷却中に、真空ポンプ3の温度が所定値以上になった時は、インタロック機構12で大気による冷却に自動的に切換わり、また操業停止等の前には、パージライン14によってポンプ内部の粉塵を除去するため、ポンプの安定運転が可能である。
【0029】
一方、図2は別形態の構成例であり、冷却用のアルゴンガスとして回収精製装置からの精製済みあるいは精製途中のアルゴンガスを利用するようにしたものである。
すなわち、冷却ライン11の入口側を回収精製装置5に接続し、精製済みあるいは精製途中のアルゴンガスを用いて冷却する。この場合はドライ真空ポンプ3のケーシング内に浄化されたアルゴンガスが導入されるため、例えばポンプ内に蓄積するSiO量を少なくすることが出来る等、真空ポンプ3に対する悪影響を抑制出来る。
【0030】
回収精製装置は、不純物の含まれた精製ラインのガスからSiO等の微粉の除去、不純ガス成分の分離などを行ない不活性ガスの精製を行なうが、この精製途中段階のガス、あるいは精製完了後のガスを冷却用のガスとして使用する。どの段階のガスを冷却用のガスとして用いるかは、回収精製装置の形態等によりコスト等を勘案して選択すればよい。
【0031】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば不活性ガスはアルゴンガス以外でも良く、単結晶引上げ装置はシリコン以外の単結晶引上げ用でも良い。
また回収精製装置を経由した不活性ガスを冷却ガスに用いる場合にも、熱交換器を通して冷却したガスをドライ真空ポンプに送り込んでも良い。
【0032】
【発明の効果】
以上のように本発明に係る不活性ガス回収装置は、請求項1のように、ドライ真空ポンプによって回収される不活性ガスの一部を熱交換器を通して冷却し、この冷却された不活性ガスでドライ真空ポンプを冷却するようにしたため、不活性ガスの純度が低下するような不具合がなくなり、精製装置を安価に構成出来る。また請求項2のように、精製装置を経由した不活性ガスの一部でドライ真空ポンプを冷却すれば、上記効果の他、例えばポンプ内に蓄積するSiOの量を減らすことが出来る等、ドライ真空ポンプの故障につながる要因を軽減することができる。
【0033】
また請求項3のように、ドライ真空ポンプの温度が所定値を越えた場合に、不活性ガスに代って大気によってドライ真空ポンプを冷却するインタロック機構を設ければ、ロータ等の温度が異常に高まるような不具合が防止され、安定した状態で真空ポンプを運転することが出来る。
そして請求項4のように、ドライ真空ポンプに、ポンプ内部の粉塵を外部に排出するパージラインを接続すれば、真空ポンプの一層の安定運転が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る不活性ガス回収装置の第1構成例の概要図である。
【図2】本発明に係る不活性ガス回収装置の第2構成例の概要図である。
【図3】ポンプケーシング内の温度を測定した結果のグラフである。
【符号の説明】
1…単結晶引上げ装置、 2…回収ライン、
3…ドライ真空ポンプ、 4…精製ライン、
5…回収精製装置、 6…供給ライン、
7…循環ライン、 8…ガスタンク、
10…熱交換器、 11…冷却ライン、
12…インタロック機構、 13…大気開放バルブ、
14…パージライン、 15…大気開放バルブ、
16…大気開放ライン 17…熱電対、
18…制御装置。

Claims (4)

  1. 単結晶引上げ装置の不活性ガスを回収するドライ真空ポンプを備えた不活性ガス回収装置であって、前記ドライ真空ポンプによって回収される不活性ガスの一部を熱交換器を通して冷却し、この冷却された不活性ガスを前記ドライ真空ポンプの冷却ラインに送り込んでドライ真空ポンプを冷却するようにしたことを特徴とする単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置。
  2. 単結晶引上げ装置の不活性ガスを回収するドライ真空ポンプと、回収された不活性ガスを精製する精製装置とを備えた単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置であって、前記精製装置を経由した不活性ガスの一部を前記ドライ真空ポンプの冷却ラインに送り込んでドライ真空ポンプを冷却するようにしたことを特徴とする単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置において、前記ドライ真空ポンプの冷却ラインには、ドライ真空ポンプの温度が所定値を越えた場合に、不活性ガスに代って大気によってドライ真空ポンプを冷却するインタロック機構が設けられたことを特徴とする単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置において、前記ドライ真空ポンプには、ポンプ内部の粉塵を外部に排出するパージラインが接続されることを特徴とする単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置。
JP36829397A 1997-12-27 1997-12-27 単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置 Expired - Fee Related JP3603578B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36829397A JP3603578B2 (ja) 1997-12-27 1997-12-27 単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36829397A JP3603578B2 (ja) 1997-12-27 1997-12-27 単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11199388A JPH11199388A (ja) 1999-07-27
JP3603578B2 true JP3603578B2 (ja) 2004-12-22

Family

ID=18491457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP36829397A Expired - Fee Related JP3603578B2 (ja) 1997-12-27 1997-12-27 単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3603578B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4717184B2 (ja) * 2000-07-14 2011-07-06 Sumco Techxiv株式会社 単結晶引き上げ装置の不活性ガス回収装置
DE102006039529A1 (de) * 2006-08-23 2008-03-06 Oerlikon Leybold Vacuum Gmbh Verfahren zur Abreaktion selbstentzündlicher Stäube in einer Vakuumpumpvorrichtung
JP5067402B2 (ja) * 2009-07-30 2012-11-07 信越半導体株式会社 不活性ガス回収装置
JP2012066948A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Covalent Materials Corp シリコン単結晶引上装置のクリーニング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11199388A (ja) 1999-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1057782B1 (en) PROCESS FOR THE PREPARATION OF HIGH-PURITY Si AND EQUIPMENT THEREFOR
US8317920B2 (en) Directional solidification furnace for reducing melt contamination and reducing wafer contamination
JP4038149B2 (ja) 処理排ガス中の燃焼可能なダストの自然発火を回避する方法および装置、および前記方法により得られるシリコンウェーハ
CN101379227A (zh) 晶体组合物、装置及其制备方法
KR20120120113A (ko) 캐스케이드 공정을 이용한 실리콘 정제법
KR102303581B1 (ko) 다결정 실리콘 로드 및 그 제조 방법
JP3603578B2 (ja) 単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置
US20120171848A1 (en) Method and System for Manufacturing Silicon and Silicon Carbide
TW201734459A (zh) 用於純化極紫外線光源之目標材料之方法與裝置
JP4187892B2 (ja) 金属の精製装置及び精製方法
WO2000020664A1 (en) Continuous oxidation process for crystal pulling apparatus
JP2012111672A (ja) シリコン精製方法および精製シリコン
JP2012144379A (ja) 単結晶の製造方法
JP2853757B2 (ja) 単結晶引上装置における不活性ガス回収装置
JP4717184B2 (ja) 単結晶引き上げ装置の不活性ガス回収装置
JP5067402B2 (ja) 不活性ガス回収装置
JP2001180917A (ja) ドライ真空ポンプによる不活性ガス回収装置
JPH07277722A (ja) ケイ素の精製方法
JPS6197187A (ja) 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置
US6176901B1 (en) Dust precipitator
EP0980701A1 (en) Gas recovery unit
CN117512778A (zh) 保温结构的异常监测方法
JP5584712B2 (ja) シリコン精製方法
KR200215816Y1 (ko) 공기 압축기
JP6040861B2 (ja) 単結晶製造設備における排気配管内酸化物の燃焼方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040715

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040907

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040920

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071008

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees