JP3602929B2

JP3602929B2 - Group III nitride semiconductor light emitting device

Info

Publication number: JP3602929B2
Application number: JP35215696A
Authority: JP
Inventors: 直樹柴田; 敦雄平野
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 1996-12-11
Filing date: 1996-12-11
Publication date: 2004-12-15
Anticipated expiration: 2016-12-11
Also published as: JPH10173230A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は発光素子に関する。更に詳しくは、半導体発光素子の電極の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ａｌ_ＸＩｎ_ＹＧａ_{１ーＸーＹ}Ｎ（Ｘ＝０、Ｙ＝０、Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる３族窒化物半導体は直接遷移型であるので発光効率が高くかつ光の３原色の１つである青色を発光することから、発光素子、例えば発光ダイオードの形成材料として昨今特に注目を集めている。
【０００３】
発光素子を構成する上記３族窒化物半導体は一般的に絶縁性のサファイア基板の上に形成される。従って、基板側から電極を取り出すことができず、半導体層を形成した面側に一対の電極が形成されることとなる。このように構成された発光素子は、そのチップサイズを小さくできる見地から、基板を下側にしてリードフレームなどの反射板に取り付けられる。そして、上面に配置された一対の電極、即ちｎ電極及びｐ電極上とにそれぞれワイヤーボンディングが施される。
【０００４】
また、特開平６ー３３８６３２号公報にて提案された発明で開示される電極構成によれば、ｎ電極は平面から視て円形であり、ｐ電極は平面から視て正方形である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、昨今では、半導体発光素子の高集積化、即ちチップサイズをより小さくすることが要求されている。一方、ワイヤーボンディングを確実に行うためには、電極に一定の大きさ（例えば、円形の電極では直径１００μｍ以上、正方形の電極では一辺１００μｍ以上）が要求される。従って、発光素子のチップサイズを小さくすると、発光面がチップ上に偏在するようになる。
【０００６】
例えば、図１に示す検討例の発光素子１において、ハッチングを施した部分が発光面２である。この検討例の発光素子１は一辺が３００μｍの正方形のチップであり、この素子を平面から視たとき相交わる二辺に挟まれるようにして円形のｎ電極（直径１２０μｍ）３が配置され、相交わる他の二辺に挟まれるようにして正方形のｐ電極（一辺１２０μｍ）４が配置される。図からわかる通り、チップ上面において各電極の占める面積比率が大きいので発光面が偏在する。
【０００７】
この発光素子は、エポキシレジン等の透明樹脂で形成された半球ないしは弾頭形状のレンズ内にモールドされる（図７参照）。図２は発光素子１をモールドしたレンズ３４の平面図である。図３は図２におけるＡ−Ａ線上及びＢ−Ｂ線上の発光強度のプロファイルを示す。このレンズ３４を２次元的に配列してディスプレイ等が形成される。
【０００８】
しかし、上記の様に発光面が偏在する場合、図２及び３に示すとおり、レンズ３４の表面において方向性のある発光強度の偏在が生じる。このような方向性の強い発光強度の偏在はディスプレイの意匠上好ましくない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明はかかる課題を解決すべくなされたものであり、ｎ型の第１の半導体層上にｎ電極が接続され、ｐ型の第２の半導体層上にｐ電極が接続され、かつｎ電極とｐ電極は同一面側に形成される発光素子において、
発光面が略Ｈ字形状であり、このＨ字の窪みの部分の一方にｎ電極が配置され、他方にｐ電極が配置される、
ことを特徴とする発光素子である。
【００１０】
【発明の作用・効果】
上記の様に構成された発光素子によれば、発光面がＨ字形状にされているので発光面の偏在が緩和され、レンズ上においても、発光強度の偏在が緩和される。また、発光強度の偏在は残るものの、その方向性は大幅に緩和されるので、意匠上好ましいものとなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を実施例に基づき図面を参照して説明する。
図４はこの発明の実施例の発光ダイオード１０の平面図であり、図５は図４におけるＶ−Ｖ線断面図である。
図４に示すとおり、発光ダイオード１０は平面から視てその外郭が実質的な長方形であり、相対向する短辺のそれぞれ中央に、各短辺に接するようにして、ｎ電極１７とｐ電極１９とが形成されている。実質的な発光面となる透光性電極１８はｎ電極１７と各長辺の間、及びｐ電極１９と各長辺の間まで回り込んでいる。換言すれば、発光面がＨ字形状をしており、各電極１７、１９がＨ字の一対の窪みの部分に配置される構成である。
【００１２】
この発光ダイオード１０は、図５に示すとおり、サファイア基板１１の上に、バッファ層１２、ｎ型の第１の半導体層１３、超格子構造の発光層１４、ｐ型の第２の半導体層１５を順次積層した構成である。半導体層１３ないし１５はＡｌ_ＸＩｎ_ＹＧａ_{１ーＸーＹ}Ｎ（Ｘ＝０、Ｙ＝０、Ｘ＝Ｙ＝０を含む）で形成される。
【００１３】
各半導体層の具体的なスペックは次の通りである。

【００１４】
上記において、ｎ型の第１の半導体層１３は発光層側の低電子濃度ｎ層とバッファ層側の高電子濃度ｎ^＋層とからなる２層構造とすることができる。
発光層１４は超格子構造のものに限定されず、シングルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどを用いることができる。
発光層１４とｐ型の第２の半導体層１５との間にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバンドギャップの広いＡｌ_ＸＩｎ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）層を介在させることができる。これは発光層１４中に注入された電子がｐ型の第２の半導体層１５に拡散するのを防止するためである。
ｐ型の第２の半導体層１５を発光層側の低ホール濃度ｐ層と電極側の高ホール濃度ｐ^＋層とからなる２層構造とすることができる。
【００１５】
基板１１の上の半導体層１２〜１５は有機金属化合物気相成長法（以下、「ＭＯＶＰＥ法」という。）により形成される。この成長法においては、アンモニアガスと３族元素のアルキル化合物ガス、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）やトリメチルインジウム（ＴＭＩ）とを適当な温度に加熱された基板上に供給して熱分解反応させ、もって所望の結晶を基板の上に成長させる。ＭＯＶＰＥ法を用いたこれら半導体層の形成方法は周知であるのでその具体的な条件の説明は省略する。詳しくは、特開平８ー９７４７１公報等を参照されたい。
【００１６】
上記の様にして得た半導体層構造物に反応性イオンエッチングを施してｐ型の第２の半導体層１５、発光層１４及びｎ型の第１の半導体層１３の一部を除去し、電極形成面１６を得る。この電極形成面１６は素子を平面から視たときにおいて一の短辺の中央から素子の中心へ延びている。
【００１７】
その後、Ａｌ（アルミニウム）を蒸着してｎ電極１７を直径が１２０μｍの実質的な円形に形成する。ｎ電極１７の厚さは１．５μｍである。なお、Ａｌを蒸着する前に下地層としてＶ（バナジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｚｒ（ジルコニア）及びＣｒ（クロム）等を蒸着させておくこともできる。
ｎ電極１７とエッチング壁面との間には１０μｍ幅の第１のクリアランス２１を設ける。また、ｎ電極１７はその周縁が素子の一の短辺において実質的な中央部に接するように配置される。これは、ｎ電極１７により減少する発光面の面積を可及的に小さくするためである。
【００１８】
次に、ｐ型の第２の半導体層１５の上へ透光性電極１８を１０ｎｍの厚さに蒸着する。なお、透光性電極１８とエッチング壁面との間に１０μｍ幅の第２のクリアランス２２が設けられる。
【００１９】
そして、透光性電極１８の上へ平面から視て一辺が１２０μｍの実質的に正方形なｐ電極１９を蒸着する。ｐ電極１９の厚さは１．５μｍである。ｐ電極１９はその一辺が素子の他の短辺において中央部に接するように設けられている。これは、電極１７、１９間の隔たりを大きくし、ボンディング作業を容易にするためである。
【００２０】
このｐ電極１９と透光性電極１８とは同一の金属材料で形成されることが好ましい。この実施例ではＡｕ（金）によりこれらを形成したが、その他にＰｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）及びこれらを含む合金を用いることができる。
【００２１】
図６は図４の実施例の変形態様を示す。ここにおいて、ｎ電極１７０を実質的な正方形とし、ｐ電極１９０を実質的な円形とする。図６において、図４と同一の部材には同一の図符号を付してその説明を部分的に省略する。図６のように素子を設計すると、図４のものに比べて、透光性電極の面積をより広く取れることとなる。
【００２２】
ｎ電極１７とｐ電極１９の形状は図示した円形又は正方形に限定されない。ワイヤーボンディング作業時の画像処理において、両者の種別及び位置を特定できるものであれば、例えば、各電極の形状を三角形、四角形（長方形、菱形、平行四辺形、台形等）、六角形、又は八角形とすることができる。
【００２３】
このようにして半導体層の上にｎ電極及びｐ電極の形成材料を蒸着させ、熱処理をして各電極とする。その後、半導体ウエハを素子毎に切り分けて、所望の発光ダイオードとする。
【００２４】
この発光ダイオード１０は、図７に示すように、基台３１に固定され、ｎ電極１７及びｐ電極１９に対してそれぞれワイヤー３２、３３がボンディングされる。その後、モールド成形によりエポキシ樹脂でレンズ３４を形成する。
【００２５】
図８は実施例の発光ダイオード１０をモールドしたレンズ３４の平面図である。図９は図８におけるＡ−Ａ線上、Ｂ−Ｂ線上、Ｃ−Ｃ線上及びＤ−Ｄ線上の発光強度のプロファイルを示す。図９からわかるとおり、このレンズ３４にもＨ字形状の発光面に対応した発光強度の偏在が生じる。しかし、この発光強度の偏在及びその偏在の方向性は検討例の素子１において現れたそれ（図３参照）よりも小さいものとなる。これは、実施例の素子によれば、発光面が各電極１７、１９の両サイド（図４において上下）まで回り込んでおり、もって、素子上面において発光面がより均一に分布しているからである。
【００２６】
また、平面から視たとき素子の外郭を長方形とすることにより、正方形であるものに比べ、ｎ電極とｐ電極との間隔を広くすることができる。これにより、ボンディング作業を容易にできる。
【００２７】
この発明は上記発明の実施の形態及び実施例の記載に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で当業者が想到し得る種々の変形態様を包含する。
例えば、ＧａＡｓ系半導体を利用すれば、透光性電極を廃止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は検討例の発光素子の平面図である。
【図２】図２は検討例の発光素子がモールドされたレンズの発光状態を示す平面図である。
【図３】図３は検討例の発光素子の発光強度のプロファイルを示す図である。
【図４】図４はこの発明の実施例の発光ダイオードの平面図である。
【図５】図５は同断面図（図４におけるＶ−Ｖ線で示す）である。
【図６】図６はこの発明の変形態様の発光ダイオードの平面図である。
【図７】図７はレンズにモールドされた実施例の発光ダイオードの状態を示す断面図である。
【図８】図８は実施例の発光ダイオードがモールドされたレンズの発光状態を示す平面図である。
【図９】図９は実施例の発光ダイオードの発光強度のプロファイルを示す図である。
【符号の説明】
１、１０発光素子
２、１８発光面
３、１７、１７０ｎ電極
４、１９、１９０ｐ電極
１１基板
１２バッファ層
１３ｎ型の半導体層
１４発光層
１５ｐ型の半導体層
１８透光性電極[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a light emitting device. More specifically, the present invention relates to a configuration of an electrode of a semiconductor light emitting device.
[0002]
[Prior art]
A group III nitride semiconductor made of Al _X In _Y Ga _{1 -XYN} (including X = 0, Y = 0, and X = Y = 0) is a direct transition type, and therefore has high luminous efficiency and light 3 Since it emits blue light, which is one of the primary colors, it has recently attracted particular attention as a material for forming a light-emitting element, for example, a light-emitting diode.
[0003]
The group III nitride semiconductor constituting the light emitting device is generally formed on an insulating sapphire substrate. Therefore, the electrodes cannot be taken out from the substrate side, and a pair of electrodes is formed on the surface side on which the semiconductor layer is formed. The light emitting element thus configured is mounted on a reflection plate such as a lead frame with the substrate facing down, from the viewpoint of reducing the chip size. Then, wire bonding is performed on the pair of electrodes arranged on the upper surface, that is, on the n-electrode and the p-electrode.
[0004]
Further, according to the electrode configuration disclosed in the invention proposed in JP-A-6-338632, the n-electrode is circular when viewed from a plane, and the p-electrode is square when viewed from a plane.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, recently, there is a demand for higher integration of semiconductor light emitting devices, that is, a smaller chip size. On the other hand, in order to perform wire bonding reliably, the electrodes are required to have a certain size (for example, a diameter of 100 μm or more for a circular electrode and 100 μm or more for a square electrode). Therefore, when the chip size of the light emitting element is reduced, the light emitting surface is unevenly distributed on the chip.
[0006]
For example, in the light emitting element 1 of the study example shown in FIG. 1, the hatched portion is the light emitting surface 2. The light-emitting element 1 of this study example is a square chip having a side of 300 μm, and a circular n-electrode (diameter of 120 μm) 3 is arranged so that the element is sandwiched between two sides that intersect when viewed from a plane. A square p-electrode (one side of 120 μm) 4 is arranged so as to be sandwiched between the other two intersecting sides. As can be seen from the figure, the light emitting surface is unevenly distributed because the area ratio of each electrode on the upper surface of the chip is large.
[0007]
This light-emitting element is molded in a hemispherical or warhead-shaped lens formed of a transparent resin such as an epoxy resin (see FIG. 7). FIG. 2 is a plan view of the lens 34 in which the light emitting element 1 is molded. FIG. 3 shows emission intensity profiles on the line AA and the line BB in FIG. A display or the like is formed by arranging the lenses 34 two-dimensionally.
[0008]
However, when the light emitting surface is unevenly distributed as described above, as shown in FIGS. 2 and 3, a directional uneven emission of the light emission intensity occurs on the surface of the lens 34. Such uneven distribution of luminous intensity having strong directivity is not preferable in terms of display design.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made to solve such a problem, and an n-electrode is connected on an n-type first semiconductor layer, a p-electrode is connected on a p-type second semiconductor layer, and the n-electrode is connected. And a p-electrode in a light-emitting element formed on the same surface side,
The light emitting surface is substantially H-shaped, and an n-electrode is arranged on one side of the H-shaped recess, and a p-electrode is arranged on the other side.
It is a light emitting element characterized by the above.
[0010]
[Action and Effect of the Invention]
According to the light emitting element configured as described above, since the light emitting surface is formed in an H shape, uneven distribution of the light emitting surface is reduced, and uneven distribution of the light emission intensity is also reduced on the lens. In addition, although the uneven distribution of the light emission intensity remains, the directionality is remarkably reduced, which is preferable in terms of design.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described based on examples with reference to the drawings.
FIG. 4 is a plan view of the light emitting diode 10 according to the embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a sectional view taken along line VV in FIG.
As shown in FIG. 4, the light emitting diode 10 has a substantially rectangular outline when viewed from a plane, and has an n-electrode 17 and a p-electrode 19 at the center of opposing short sides so as to be in contact with each short side. Are formed. The translucent electrode 18 serving as a substantial light emitting surface extends between the n-electrode 17 and each long side and between the p-electrode 19 and each long side. In other words, the light emitting surface has an H-shape, and the

electrodes

17 and 19 are arranged in a pair of H-shaped recesses.
[0012]
As shown in FIG. 5, the light-emitting diode 10 has a buffer layer 12, an n-type first semiconductor layer 13, a superlattice-structure light-emitting layer 14, and a p-type second semiconductor layer 15 on a sapphire substrate 11. Are sequentially laminated. It is no semiconductor layer 13 15 is formed by _Al X _In Y Ga _{1-X over} Y N (including X = 0, Y = 0, X = Y = 0).
[0013]
The specific specifications of each semiconductor layer are as follows.

[0014]
In the above description, the n-type first semiconductor layer 13 can have a two-layer structure including a low electron concentration n layer on the light emitting layer side and a high electron concentration n ⁺ layer on the buffer layer side.
The light emitting layer 14 is not limited to the superlattice structure, but may be a single hetero type, a double hetero type, a homo junction type, or the like.
A wide band gap Al _X In _Y Ga _1-XY N doped with an acceptor such as magnesium between the light emitting layer 14 and the p-type second semiconductor layer 15 (X = 0, Y = 0, X = Y = 0) layer can be interposed. This is to prevent the electrons injected into the light emitting layer 14 from diffusing into the p-type second semiconductor layer 15.
The p-type second semiconductor layer 15 can have a two-layer structure including a low hole concentration p layer on the light emitting layer side and a high hole concentration p ⁺ layer on the electrode side.
[0015]
The semiconductor layers 12 to 15 on the substrate 11 are formed by metal organic compound vapor deposition (hereinafter, referred to as “MOVPE”). In this growth method, an ammonia gas and an alkyl compound gas of a Group 3 element, for example, trimethylgallium (TMG), trimethylaluminum (TMA) or trimethylindium (TMI) are supplied onto a substrate heated to an appropriate temperature. A thermal decomposition reaction is performed to grow a desired crystal on the substrate. Since a method for forming these semiconductor layers using the MOVPE method is well known, the description of the specific conditions is omitted. For details, refer to JP-A-8-97471.
[0016]
The semiconductor layer structure obtained as described above is subjected to reactive ion etching to remove a part of the p-type second semiconductor layer 15, the light-emitting layer 14 and the n-type first semiconductor layer 13. A forming surface 16 is obtained. The electrode forming surface 16 extends from the center of one short side to the center of the element when the element is viewed from a plane.
[0017]
Thereafter, Al (aluminum) is deposited to form the n-electrode 17 into a substantially circular shape having a diameter of 120 μm. The thickness of the n-electrode 17 is 1.5 μm. Note that V (vanadium), Nb (niobium), Zr (zirconia), Cr (chromium), or the like may be deposited as a base layer before depositing Al.
A first clearance 21 having a width of 10 μm is provided between the n-electrode 17 and the etching wall surface. Further, the n-electrode 17 is arranged such that its periphery is substantially in contact with the central portion on one short side of the element. This is to reduce the area of the light emitting surface reduced by the n-electrode 17 as much as possible.
[0018]
Next, a translucent electrode 18 is deposited on the p-type second semiconductor layer 15 to a thickness of 10 nm. Note that a second clearance 22 having a width of 10 μm is provided between the translucent electrode 18 and the etching wall surface.
[0019]
Then, a substantially square p-electrode 19 having a side of 120 μm as viewed from above is deposited on the translucent electrode 18. The thickness of the p-electrode 19 is 1.5 μm. The p-electrode 19 is provided such that one side thereof is in contact with the center on the other short side of the element. This is to increase the distance between the

electrodes

17 and 19 to facilitate the bonding operation.
[0020]
Preferably, the p-electrode 19 and the translucent electrode 18 are formed of the same metal material. In this embodiment, these are formed of Au (gold), but Pt (platinum), Pd (palladium), Ni (nickel), Co (cobalt), and alloys containing these can also be used.
[0021]
FIG. 6 shows a modification of the embodiment of FIG. Here, the n-electrode 170 has a substantially square shape, and the p-electrode 190 has a substantially circular shape. 6, the same members as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be partially omitted. When the element is designed as shown in FIG. 6, the area of the translucent electrode can be made larger than that of FIG.
[0022]
The shapes of the n-electrode 17 and the p-electrode 19 are not limited to the illustrated circle or square. In the image processing at the time of the wire bonding operation, if the types and positions of both electrodes can be specified, for example, the shape of each electrode may be triangular, rectangular (rectangular, rhombic, parallelogram, trapezoidal, etc.), hexagonal, or octagonal. It can be square.
[0023]
In this manner, the material for forming the n-electrode and the p-electrode is deposited on the semiconductor layer, and heat-treated to form each electrode. After that, the semiconductor wafer is cut for each element to obtain a desired light emitting diode.
[0024]
As shown in FIG. 7, the light emitting diode 10 is fixed to a base 31, and

wires

32 and 33 are bonded to the n-electrode 17 and the p-electrode 19, respectively. After that, the lens 34 is formed of epoxy resin by molding.
[0025]
FIG. 8 is a plan view of a lens 34 in which the light emitting diode 10 of the embodiment is molded. FIG. 9 shows the profiles of the light emission intensity on the lines AA, BB, CC, and DD in FIG. As can be seen from FIG. 9, the lens 34 also has uneven emission intensity corresponding to the H-shaped emission surface. However, the uneven distribution of the light emission intensity and the directionality of the uneven distribution are smaller than those appearing in the element 1 of the study example (see FIG. 3). This is because, according to the device of the example, the light emitting surface extends to both sides (up and down in FIG. 4) of each of the

electrodes

17 and 19, and thus the light emitting surface is more uniformly distributed on the upper surface of the device. It is.
[0026]
Further, by making the outline of the element rectangular when viewed from a plane, the distance between the n-electrode and the p-electrode can be made wider than that of a square element. This facilitates the bonding operation.
[0027]
The present invention is not limited to the description of the above-described embodiments and examples, and includes various modifications that can be made by those skilled in the art without departing from the scope of the claims.
For example, if a GaAs-based semiconductor is used, the translucent electrode can be eliminated.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of a light emitting device of a study example.
FIG. 2 is a plan view showing a light emitting state of a lens in which a light emitting element of a study example is molded.
FIG. 3 is a diagram showing a profile of light emission intensity of a light emitting element of a study example.
FIG. 4 is a plan view of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a sectional view of the same (indicated by line VV in FIG. 4).
FIG. 6 is a plan view of a light emitting diode according to a modified embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a sectional view showing a state of the light emitting diode of the embodiment molded on a lens.
FIG. 8 is a plan view showing a light emitting state of a lens in which a light emitting diode of the embodiment is molded.
FIG. 9 is a view showing a profile of light emission intensity of the light emitting diode of the example.
[Explanation of symbols]
1, 10 Light-emitting

element

2, 18 Light-emitting

surface

3, 17, 170 n-electrode 4, 19, 190 p-electrode 11 substrate 12 buffer layer 13 n-type semiconductor layer 14 light-emitting layer 15 p-type semiconductor layer 18 translucent electrode

Claims

ｎ型の第１の３族窒化物半導体層上にｎ電極が接続され、ｐ型の第２の３族窒化物半導体層上に透光性電極が形成され、該透光性電極の上にｐ電極が接続され、かつ前記ｎ電極とｐ電極は同一面側に形成される発光素子において、
前記透光性電極が実質的な発光面となって、該発光面は略Ｈ字形状であり、このＨ字の窪みの部分の一方に前記ｎ電極が配置され、他方に前記ｐ電極が配置され、
前記ｎ電極を実質的な正方形とし、前記ｐ電極を実質的な円形とする、ことを特徴とする３族窒化物半導体発光素子。n electrode is connected to the n-type first group III nitride semiconductor layer on the light-transmissive electrode is formed on the second group III nitride semiconductor layer on the p-type, on a light-transmissive electrode In a light-emitting element to which a p-electrode is connected and the n-electrode and the p-electrode are formed on the same surface side,
The translucent electrode serves as a substantial light-emitting surface, and the light-emitting surface is substantially H-shaped. The n-electrode is disposed on one of the H-shaped depressions, and the p-electrode is disposed on the other. And
3. The group III nitride semiconductor light-emitting device, wherein the n-electrode has a substantially square shape, and the p-electrode has a substantially circular shape.

前記発光素子の外郭が実質的に平面視で長方形であることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体発光素子。2. The group III nitride semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein an outline of the light emitting device is substantially rectangular in plan view.

前記ｐ電極及び前記ｎ電極は平面から視て素子の辺に接するように形成される、ことを特徴とする請求項２又は３に記載の３族窒化物半導体発光素子。 4. The group III nitride semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein the p electrode and the n electrode are formed so as to be in contact with sides of the device when viewed from a plane . 5.