JP3598545B2 - カラーフィルタ、ブラックマトリックス、表示装置、アクティブマトリックス型液晶表示装置、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明はPCモニターやカラーテレビジョン等に用いられるカラー表示装置と、それに用いられるカラーフィルタ、ブラックマトリックスに関する。特に薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス型の液晶表示装置を対象にしている。
【0002】
【従来の技術】
従来より液晶パネルとして、単純マトリックス型パネルとアクティブマトリックス型パネルとが知られている。単純マトリックス型パネルは、透明電極が互いに直行する様に配置された上下基板と、これらの2枚の基板間に電気光学的変調材料としてTN(twisted nematic)液晶や強誘電性液晶等を狭持した構造となっている。また、アクティブマトリックス型パネルは、各々の表示画素毎に薄膜トランジスタ(TFT)等のスイッチング素子及びこれにより選択駆動される画素電極を備えた薄膜トランジスタ側基板と、対向電極を備えた対向基板と、これらの2枚の基板間に液晶を挟持した構造となっている。この様なパネル構成においてカラー表示をする為には、赤(R)、緑(G)、青(B)の色彩を有する透過型のカラーフィルタを表示画素毎に配置する必要がある。この場合液晶パネルを斜めから見た時の視差を極力減らす為に、カラーフィルタを液晶パネル内部に配置する様に構成している。
【0003】
この様なカラーフィルタの構造をアクティブマトリックス型パネルの場合を例にとり、図1を用いて説明する(なお、図1においては薄膜トランジスタの構造を明確に表すために、薄膜トランジスタの大きさを実際のものよりも大きく表している)。対向して設けた薄膜トランジスタ側基板101と対向基板102との間に液晶103が封入されている。対向基板102には、クロム等の遮光膜からなるブラックマトリックス104、赤色に染色されたゼラチンで形成された赤色カラーフィルタ部105、緑色に染色されたゼラチンで形成された緑色カラーフィルタ部106、青色に染色されたゼラチンで形成された青色カラーフィルタ部107が形成されている。この上に保護絶縁膜108と透明導電膜からなる対向電極109が形成されている。一方、薄膜トランジスタ側基板101には、その内側に薄膜トランジスタ110とこれにより選択駆動される透明導電膜からなる画素電極111が設けられている。そして、画素電極111上、対向電極109上には、配向膜112、113が積層されラビング処理されている。
【0004】
この他には、カラーフィルタをレジストに各色の顔料を分散させることで形成した顔料分散型のカラーフィルタが知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来例には以下に述べるような問題があった。
【0006】
第1に、上記従来例では、カラーフィルタは、各色に染色されたゼラチンあるい各色の顔料を分散したレジストにより形成されている。しかし、ゼラチン、レジストは耐熱性、耐薬品性に劣り、例えばゼラチンは多少熱を加えるだけで、またレジストは250度程度の温度にすることで変形等してしまう。従って、透明導電膜の蒸着やスパッタ時の加熱等によるカラーフィルタのダメージが大きいという問題があった。また、単純マトリックス型パネルの場合は、透明導電膜をパターニングする必要があるが、この時のエッチャントによるダメージも問題となる。
【0007】
第2に、上記従来例では、ブラックマトリックスはクロム等の材質を用いて形成される。しかし、クロム等の材質を用いたブラックマトリックスは圧縮応力あるいは引っ張り応力が強く、クラックが生じやすいという問題点があった。また、クロム等の材質を用いると、このクロム等からの反射光により表示パネルにギラツキが生じるという問題点もあった。
【0008】
第3に、上記従来例では、カラーフィルタ、ブラックマトリックスは薄膜トランジスタ側基板ではなく対向基板に形成されている。しかし、この構成によると対向基板の製造にあたりカラーフィルタ等を形成する工程が必要となり、対向基板のコストが非常に高価になるという問題がある。また、薄膜トランジスタ側基板と対向基板とを張り合わせる際、薄膜トランジスタ側基板に形成された画素電極と、対向基板に形成されたカラーフィルタ、ブラックマトリックスとを精度よくアライメントとすることが困難であるという問題もある。
【0009】
これに対して、カラーフィルタを薄膜トランジスタ側基板に形成する構成とすると、対向基板のコストを低く抑えることができると共に、上記アライメントを光学機器等により精度良く行うことが可能となり、上記問題点を解決できる。ところが、上記従来例では、カラーフィルタはゼラチン、レジストにより形成されており耐熱性、耐薬品性に劣る。このため、カラーフィルタ形成後に施すプロセスの条件(温度、エッチング液等の薬品)が制限され、この結果、上記従来例によってはカラーフィルタ、ブラックマトリックスを薄膜トランジスタ側基板に形成することは極めて困難である。特に、液晶駆動時におけるカラーフィルタに対する電圧印加を防止し表示装置の画質劣化を防止するためには、画素電極下部にカラーフィルタ等を形成する構成が望まれる。しかし、この構成とすると画素電極形成時の温度、薬品等によりカラーフィルタ等が変形等してしまい、上記困難性は更に増す。
【0010】
更に、カラーフィルタ、ブラックマトリックスを薄膜トランジスタ側基板に形成した場合の製造プロセスの容易性・信頼性を増し、基板のコストを低く抑えるためには、カラーフィルタ等の製造プロセスを工程数が少ないものにすると共に、薄膜トランジスタの製造プロセスと相性が良いものにすることが望まれる。
【0011】
なお、例えば特開平2−207222号公報には、ブラックマトリックスとなるべき遮光層を薄膜トランジスタ側基板に形成する手法が開示されている。しかし、この手法では、薄膜トランジスタを動作させる配線をブラックマトリックスとするものであり、この配線は金属膜等により構成される。しかし、金属膜をブラックマトリックスに使用するとギラツキの問題が生じる場合がある。また、この手法では、ブラックマトリックスとなる配線と、画素電極及びゲート線との間に寄生容量が生じる。そして、この配線には所定の信号が流れるため、この寄生容量により、画素電極、ゲート線の電位等が変化する等の事態が生じ、これにより画質が低下するという問題が生じる。
【0012】
また、特開平4−253028号公報、特開平6−242433号公報には、カラーフィルタ等を薄膜トランジスタ側基板に形成する手法が開示されている。しかし、この手法では、有機性の樹脂材料を染色したり、有機性の樹脂材料に顔料を分散させてカラーフィルタ等を形成している。しかし、有機性樹脂膜は、薄膜トランジスタで使用されるシリコン酸化膜等と材質が異なり、従って、これらのシリコン酸化膜等の製造条件との適合性が問題となる。即ち、コンタクトホールを形成する場合には、有機性樹脂膜とシリコン酸化膜の両方を開口できる薬品等によりコンタクトホールを開口しなければならなく、これによりプロセス条件が厳しくなる。また、有機性樹脂膜とシリコン酸化膜とでは、耐薬品性が異なり、例えば有機性樹脂膜とシリコン酸化膜を保護膜としてエッチング処理等を行う場合には、これらの両方の膜を浸食しない薬品を選ばなければならなく、これによりプロセス条件が更に厳しくなるという問題がある。更に、シリコン酸化膜等と有機性樹脂膜とを多層構造とした場合には、材質が異なることにより応力等によるひずみが生じやすいという問題もある。また、これらの従来技術では、有機性樹脂膜として非感光性の有機性樹脂膜を使用しているため、パターニングのためのエッチング工程が必要となり、工程数が増えるという問題もある。
【0013】
本発明は以上述べた課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、カラーフィルタ、ブラックマトリックスの耐熱性や耐薬品性を向上させ、透明導電膜の蒸着やスパッタ時の加熱やパターニング時におけるダメージを低減することにある。
【0014】
また、本発明の他の目的は、ブラックマトリックスにおけるクラックの発生を防止すると共に、反射光の少ないブラックマトリックスを提供することにある。また、本発明の更なる他の目的は、カラーフィルタ、ブラックマトリックスの耐熱性や耐薬品性を向上させることによりカラーフィルタ、ブラックマトリックスの薄膜トランジスタ側基板への形成を可能とし、これにより基板の製品コストを低減すると共に、薄膜トランジスタ側基板と対向基板の張り合わせ精度のマージンを緩和させることにある。
【0015】
【課題を解決するための手段及び作用】
本発明は、カラーフィルタを従来の各色に染色されたゼラチン、レジストから、色素の添加された絶縁膜に置き変える事で耐熱性や耐薬品性を向上させようとするものである。この時絶縁膜は、液相成膜法(LPD法:liquid phase deposition法)により形成したり、感光性のポリイミドを用いたりする。ここで、LPD法の概要を、シリコン酸化膜を成膜する場合を例にして具体的に説明する。LPD法では、シリカをケイフッ化水素酸(H2SiF6)に溶解し飽和水溶液を作り、この中に基板を漬積する。その後、アルミニウム、塩化アルミニウム、ホウ素、ほう酸等を添加して過飽和状態を作り、基板表面にシリコン酸化膜を析出成長させる。
【0016】
【化1】
【0017】
【化2】
【0018】
例えば、上記の化学式(1)、(2)において、添加剤であるほう酸(H3BO3)を加えることで化学式(2)の化学反応が右方向に進行し、フッ化水素酸(HF)が消費される。これにより化学式(1)の化学反応が右方向に進行し、シリコン酸化膜(SiO2)が析出する。このように、LPD法では、絶縁物質を構成する少なくとも1つの物質、例えばシリコン(Si)を含む化合物の飽和水溶液を用意する。そして、この飽和水溶液を例えば添加剤を加えることで過飽和状態にし、絶縁物質を析出させることで絶縁膜を成膜させる。この際、本発明では、飽和水溶液に色素を含ませており、これにより内部に色素が添加された絶縁膜を得ることができる。
【0019】
なお、以下にはアルミニウムを添加剤と用いる場合の化学式を示す。
【0020】
【化3】
【0021】
【化4】
【0022】
上式では、添加剤であるアルミニウム(Al)を添加することで化学式(4)の化学反応が右方向に進行し、フッ化水素酸(HF)が消費される。これにより化学式(3)の化学反応が右方向に進行し、シリコン酸化膜(SiO2)が析出することになる。
【0023】
このように本発明では、LPD法を用いて絶縁膜を成膜しているため、絶縁膜の形成を室温程度の低温で行うことができる。絶縁膜を低温で形成できると、絶縁膜形成の際にガラス基板に与えるダメージを少なくできるため、安価なガラス基板を採用することができ、製品コストを低く抑えることができる。また、カラーフィルタを薄膜トランジスタ側基板に形成した場合に、カラーフィルタを形成する際の加熱温度により、薄膜トランジスタのデバイス特性が劣化する等の事態も防止できる。
【0024】
また、本発明では、LPD法を用いているため、内部に色素が添加された絶縁膜を簡易に形成することが可能となる。例えば、絶縁膜を成膜する際には、化学気相成長法(CVD法)を用いるのが一般的である。しかし、通常、顔料等の色素は固形物であり、CVD法によってはこの固形物の色素を絶縁膜中に添加することは容易ではない。これに対して、LPD法では飽和水溶液にこの固体物である色素を溶かす等するだけで、簡易に内部に色素が添加された絶縁膜を形成することができる。本発明の大きな特徴は、着色が必要なカラーフィルタ等の形成を、色素を容易に添加できるLPD法を用いて行った点にある。
【0025】
また、LPD法を用いて形成された本発明の絶縁膜は無機の絶縁膜となるため、ゼラチン、レジストに比べて耐熱性や耐薬品性が高い絶縁膜を得ることができる。これにより、透明導電膜の蒸着やスパッタ時の加熱やパターニング時におけるダメージが低減できる。また、カラーフィルタを薄膜トランジスタの画素電極下部に形成することも可能となる。
【0026】
また、本発明では、LPD法を用いているため、レジストパターンに対して選択的に絶縁膜を成膜することが可能となる。即ち、LPD法においては、絶縁物質はレジスト上には析出されないという特徴を持つ。これは、レジストの表面が撥水性の性質を持つことによる。この特徴を用いるとパターン形成時におけるエッチング工程が不要となり、製品の低コスト化が可能となる。
【0027】
本発明によれば、カラーフィルタのみならず、ブラックマトリックスについても色素を添加した絶縁膜により形成することができる。このブラックマトリックスは、ストライプ型、モザイク型、トライアングル型、4画素配置型等のパターンに配置されたカラーフィルタの間に配置され、遮光層となるものである。但し、本発明のブラックマトリックスはカラー表示パネルのみならず、カラーフィルタの用いられない白黒表示パネルについても当然に適用することができる。また、本発明におけるブラックマトリックスは少なくとも遮光層としての機能を果たすものであればよく、黒色のもののみならず、赤色、緑色、青色の各色素を全て添加したもの、あるいは各色のパターンを重ねたもの等も含まれる。従来においては、このブラックマトリックスは、クロム等からなる遮光膜により形成されていた。このため、応力によるクラックが生じたり、クロム等の反射によるギラツキが生じる等の問題があった。これに対して、本発明では、ブラックマトリックスが色素を添加した絶縁膜により形成されているため、このようなクラックが生じたり、ギラツキが生じたりする等の問題を解決できる。また、カラーフィルタ及びブラックマトリックスの両者を、色素を添加した絶縁膜により形成すれば、両者が同質の材料で形成されることになるため、両者に生じる応力が等しくなり、クラック等の発生を更に抑えることが可能となる。
【0028】
また、本発明のブラックマトリックスによれば、配線層等をブラックマトリックスとする従来例において生じる問題、即ち画素電極及びゲート線との間の寄生容量の問題が生じないため、画質の低下等を防止することができる。
【0029】
なお、例えばカラーレジストによりカラーフィルタを形成する場合には、このカラーレジストに対してLPD法により選択的にブラックマトリックスを形成することができる。これにより、ブラックマトリックスを形成する工程を簡略化できるとともに、ブラックマトリックスをカラーレジストに対してセルフアラインに形成できるため、ブラックマトリックスを精度良く形成することが可能となる。
【0030】
本発明における色素を添加した絶縁膜は、シリコン酸化膜であることが望ましい。シリコン酸化膜は、薄膜トランジスタ、LSI等の製造プロセスにおける絶縁膜として一般的に使用されるものであり、耐熱性、耐薬品性に優れたものだからである。即ち、従来のカラーフィルタ等に用いられた材質に比べ、薄膜トランジスタ等の製造プロセスとの相性が良い。特に、カラーフィルタ等を薄膜トランジスタ側基板上に形成する場合には、この相性が問題となる。この場合には、カラーフィルタ等も薄膜トランジスタと同一製造プロセスで形成されることになるからである。本発明では、カラーフィルタの材質として薄膜トランジスタの製造で一般的に使用されるシリコン酸化膜等を用いる。従って、例えばカラーフィルタ等の形成の後に画素電極を形成する場合等に、使用するエッチング液、温度等についてそれほど考慮する必要がなくなる。例えば、コンタクトホールを形成する場合、あるいは、シリコン酸化膜、カラーフィルタを保護膜として用いる場合の薬品等の選択が容易となる。また、薄膜トランジスタにおける絶縁膜とカラーフィルタ等とが多層構造となった場合にも、これらは同じ材質で形成されるため応力等により生じるひずみの悪影響を少なくすることができる。また、カラーフィルタ等を構成するシリコン酸化膜を、薄膜トランジスタの絶縁膜として兼用することも可能となる。
【0031】
なお、本発明においてはシリコン酸化膜のみならず、このシリコン酸化膜と均等な材質の膜、チタン酸化膜等も採用でき、薄膜トランジスタ等の製造とのプロセス適合性がよいものであれば種々のものを採用できる。
【0032】
また、絶縁膜をシリコン酸化膜とする場合には、ケイフッ化水素酸にアルミニウム或いはアルミニウム化合物からなる添加剤、又は、ホウ素或いはホウ素化合物からなる添加剤を加えることでシリコン酸化膜を形成することが望ましい。LPD法により使用される添加剤を構成する元素は、不純物として絶縁膜中に残る。従って、この残った元素が、例えば薄膜トランジスタ等に悪影響を与えないものであることが望まれる。アルミニウム等は薄膜トランジスタ等のプロセスで通常に使われるものである。また、ホウ素等を含ませた絶縁膜は、LSIプロセスにおいてBPSGと呼ばれる絶縁膜として使用されている。従って、これらの元素が絶縁膜中に残っても、薄膜トランジスタ等に与える悪影響は少ないものと考えられる。
【0033】
また、本発明においては、色素が添加された絶縁膜を感光性のポリイミドにより形成することもできる。感光性のポリイミドは、上記に説明したLPD法による絶縁膜と同様の優位点を持っている。即ち、感光性のポリイミドは、高い耐熱性と耐薬品性を有しており、また、その感光性の性質を利用すれば、エッチング工程を省略でき、低コスト化が実現できる。
【0034】
また、本発明において絶縁膜に含ませる色素としては顔料が望ましい。顔料には耐熱性が比較的あり、従って、カラーフィルタ等の耐熱性を増したときに、これに応じて色素の耐熱性を増すことが望ましいからである。但し、絶縁膜に含ませる色素はこれに限られるものではなく、例えば染料等を用いてもよい。
【0035】
なお、このような顔料としては、赤色の顔料としてはジアントラキノン系のものが、緑色用の顔料としてハロゲン化フタロシアニン系のものが、青色の顔料としてはフタロシアニン系のものが、黒色の顔料としてはカーボン系のものが考えられる。また、LPD法に使用する顔料としては水溶性の顔料が好ましい。
【0036】
また、本発明のカラーフィルタ、ブラックマトリックスは、薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置のみならず、MIM等を用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置、単純マトリックス型液晶表示装置、あるいは液晶素子以外の表示素子を用いた表示装置等、あらゆる表示装置に適用できるものである。
【0037】
以上のように、本発明のカラーフィルタ、ブラックマトリックスは耐熱性、耐薬品性が高く、また、低温形成可能なため、アクティブマトリックス型液晶表示装置等において、カラーフィルタ等の薄膜トランジスタ側基板への形成が可能となる。これにより、対向基板にカラーフィルタ等を形成する必要がなくなるため、対向基板の製造コストを非常に低く抑えることが可能となる。更に、カラーフィルタ等と画素電極との合わせを光学機器等により行うことができるため、従来技術の問題点であった薄膜トランジスタ側基板と対向基板の張り合わせ精度のマージンを大幅に緩和することが可能となる。
【0038】
また、本発明によれば、カラーフィルタ、ブラックマトリックスを、画素電極の下部あるいは薄膜トランジスタの下部に形成することも可能となる。これにより、カラーフィルタ等に液晶駆動時の電圧が印加されることが防止され、画質に悪影響が生じない。即ち、カラーフィルタ等に液晶駆動時の電圧が印加されると、電圧分割により液晶素子に印加される電圧が減少し、画質低下の原因となる。また、カラーフィルタ等に電圧が印加されると、カラーフィルタ等に電子がトラップされ残像等が発生する等の事態が生じ、これも画質低下の原因となる。カラーフィルタ等が画素電極の下部、薄膜トランジスタの下部に形成できれば、このような問題が生じず、これにより画質を向上できる。更に、カラーフィルタ等を画素電極下部に形成した場合には、カラーフィルタ等を、ゲート電極及びソース電極と、画素電極との間の絶縁膜として兼用することも可能となる。
【0039】
また、カラーフィルタ、ブラックマトリックスを画素電極下部に形成する場合には、カラーフィルタ等と画素電極との間に保護絶縁膜を設けることが好ましい。
【0040】
このようにすれば、例えばカラーフィルタ等をマスクにしてコンタクトホールのエッチングする場合等に、カラーフィルタ等をエッチング液から守ることが可能となるからである。
【0041】
また、本発明によれば画素電極のパターニングに使用したレジストを用いて、LPD法によりブラックマトリックスを形成することができる。この場合、ブラックマトリックスは、画素電極に対してセルフアラインに形成されるため、非常に精度良くブラックマトリックスを形成することができる。これにより開口率の大幅な向上を図れるとともに、工程を簡易化できる。
【0042】
この場合、カラーフィルタをカラーレジストにより形成すればブラックマトリックスとカラーフィルタの両方を薄膜トランジスタ側基板に形成することが可能となる。これにより、カラーフィルタ等を精度良くアライメントする必要が無くなり、大幅なコスト低減を図れる。
【0043】
また、例えば、LPD法あるいは感光性のポリイミド等を用いることにより、画素電極の下部にカラーフィルタを形成してもよい。このようにすれば、カラーフィルタに電圧が印加されないため、画質の低下を防止できる。
【0044】
また、本発明によれば、画素電極上にカラーレジストから構成されるカラーフィルタを形成し、このカラーレジストを用いてLPD法により選択的にブラックマトリックスを形成することもできる。これによりブラックマトリックスを形成する工程を簡略化できると共に、ブラックマトリックスとカラーフィルタの両方を薄膜トランジスタ側基板に形成でき、大幅なコスト低減を図れる。
【0045】
なお、カラーレジストによりカラーフィルタを構成する場合には、導電性のカラーレジストを用いることが望ましい。これは、ITO(酸化インジウム)、SnO2(酸化錫)等の粒子をカラーレジストに混ぜ合わせること等により形成でき、これにより、画質の低下を防止できる。
【0046】
また、ブラックマトリックスについては、ゲート線、ソース線、容量線の内少なくとも1つにより兼用させることもできる。これにより、開口率を大幅に向上させることができる。特に、本発明では、カラーフィルタを薄膜トランジスタ側基板に形成でき、従って、このカラーフィルタと、ブラックマトリックスとなるゲート線等とを光学機器等により正確にアライメントすることができる。これにより、カラーフィルタに必要とされる合わせ余裕を小さくすることができ、この結果、開口率を更に向上させることができる。
【0047】
なお、ブラックマトリックスをLPD法により形成したり、感光性のポリイミドにより形成する場合には、横方向または縦方向の中の一方のブラックマトリックスをLPD法、感光性のポリイミドにより形成し、他方のブラックマトリックスをゲート線、ソース線、容量線の中の少なくとも1つにより兼用することになる。
【0048】
また、本発明でLPD法によりカラーフィルタ、ブラックマトリックスを形成する場合には、まずレジストパターンを形成し、このレジストパターンの形成されていない領域に対してLPD法により色素が添加された絶縁膜を選択的に成膜させる。また、感光性ポリイミドによりカラーフィルタ、ブラックマトリックスを形成する場合には、まず色素が添加された感光性ポリイミド膜を形成し、この感光性ポリイミド膜を感光することによりカラーフィルタ等のパターンを形成する。この場合、画素電極上部にカラーフィルタ等を形成する場合には、画素電極を形成した後にカラーフィルタ等を形成する。一方、画素電極下部に形成する場合には、カラーフィルタ等を形成した後に、コンタクトホールを形成し、画素電極を形成することになる。但し、例えばLPD法の場合にはレジストパターン形成の際にコンタクトホールを形成する部分にもレジストパターンを形成することにより、また、感光性ポリイミドの場合にはコンタクトホールを形成する部分にも感光を行うことにより、コンタクトホールを形成する工程を省略することが可能となる。
【0049】
【実施例】
以下本発明の実施例について図面を用いて詳しく説明する。
【0050】
1.第1の実施例
第1の実施例は、LPD法によりカラーフィルタを形成する場合の実施例である。図2(A)〜(E)は薄膜トランジスタ(TFT)等を用いたアクティブマトリックス型パネルを、本実施例により形成する場合の一例を示す工程断面図である(なお、以下に示す図面においては薄膜トランジスタの構造を明確に表すために、薄膜トランジスタの大きさを実際のものよりも大きく表している)。
【0051】
基板201に、クロム等の遮光膜からなるブラックマトリックス202を形成する(図2(A))。次にシリカをケイフッ化水素酸(H2SiF6)に溶解し飽和水溶液を作り、この中に基板を漬積する。その後、アルミニウム、塩化アルミニウム、ホウ素、ほう酸等を添加して過飽和状態を作り、基板表面にシリコン酸化膜を析出成長させる。この時水溶液中に色素を添加しておくと、所望の色素が添加されたシリコン酸化膜を成膜できる。そこで例えば、まず赤色の色素の添加されたシリコン酸化膜を形成し、光露光技術等を用いて所望のパターン203を形成する(図2(B))。同様に緑色のパターン204、青色のパターン205を順次形成してカラーフィルタが完成する(図2(C))。この上に保護絶縁膜206と透明導電膜からなる対向電極207を形成して対向基板208が完成する(図2(D))。一方、薄膜トランジスタ側基板209には、その内側に薄膜トランジスタ210とこれにより選択駆動される透明導電膜からなる画素電極211が設けられている。そして、画素電極211上、対向電極207上には配向膜212、214が積層されラビング処理されている。この対向基板208と薄膜トランジスタ側基板209との間に液晶213が封入されている(図2(E))。
【0052】
上記で用いられる色素としては、顔料が考えられる。またLPD法で形成した絶縁膜としてシリコン酸化膜を例にとって説明したが、これ以外でも例えばチタン酸化膜等の成膜が可能である。この様にして作られたカラーフィルタは耐熱性に優れ、従来の問題点を解決するものである。更にLPD法により形成した絶縁膜の代わりに、感光性のポリイミドを用いても同様の効果が得られる。
【0053】
2.第2の実施例
第2の実施例はLPD法によりブラックマトリックスを形成する場合の実施例である。即ち、第1の実施例では、ブラックマトリックスの材料としてクロムを用いたが、このブラックマトリックスについてもカラーフィルタと同様の方法で形成できる。その一例を図3(A)〜(D)の工程断面図を用いて説明する。色素を添加し、LPD法で形成したシリコン酸化膜により、基板301上に各色のパターン302、303、304を形成する(図3(A))。同様にして黒色の色素を添加したシリコン酸化膜をLPD法で形成し、これをパターンニングしてブラックマトリックス305とする(図3(B))。後は、この上に保護絶縁膜306と透明導電膜からなる対向電極307を形成して対向基板308が完成する(図3(C))。一方、薄膜トランジスタ側基板309には、その内側に薄膜トランジスタ310とこれにより選択駆動される透明導電膜からなる画素電極311が設けられている。そして、画素電極311上、対向電極307上には配向膜312、314が積層されラビング処理されている。この対向基板308と薄膜トランジスタ側基板309との間に液晶313が封入されている(図3(D))。
【0054】
上記ではブラックマトリックスとして、LPD法で形成し、且つ黒色の色素を添加したシリコン酸化膜を用いたが、これ以外でもカラーフィルタを形成する際に添加する赤色、緑色、青色の各色素を全て添加したものでも代用できる。また図4に示す様に、各色のパターン401、402、403を重ねる事でもブラックマトリックス404を形成できる。このように各色のパターンを重ね合わせは、各色のパターンを形成する際に使用するマスクパターンの形状を工夫することで実現できる。更にブラックマトリックスをカラーフィルタを構成する各パターンと同一平面ではなく、これらの各パターンの下に形成しても本発明の主旨を逸しない。この様にして作られたカラーフィルタは耐熱性に優れ、従来の問題点を解決するものである。そして、従来のクロム等を用いたカラーフィルタに比べ、クラックが生じにくく、ギラツキが生じにくいという利点がある。更にLPD法により形成した絶縁膜の代わりに、感光性のポリイミドを用いても同様の効果が得られる。
【0055】
3.第3の実施例
第3の実施例は、単純マトリックス型パネルに本発明を適用した場合の実施例であり、図5(A)〜(E)にはこの場合の工程断面図が示される。色素を添加し、LPD法で形成したシリコン酸化膜により、基板501上にパターン502、503、504を形成する(図5(A)、(B))。同様にして黒色の色素を添加したシリコン酸化膜をLPD法で形成し、これをパターンニングしてブラックマトリックス505とする。この上に保護絶縁膜506と透明導電膜507を形成する(図5(C))。この後透明導電膜507をパターニングして対向電極508を形成し、カラーフィルタ側基板509が完成する(図5(D))。一方、対向基板510には、透明導電膜からなる画素電極511が設けられている。そして、画素電極511上、対向電極508上には、配向膜512、514が積層されラビング処理されている。この対向基板510とカラーフィルタ側基板509との間に液晶513が封入されている(図5(E))。
【0056】
この様にして作られたカラーフィルタは耐熱性に優れ、従来の問題点を解決するものである。また、カラーフィルタを透明導電膜下に形成でき、液晶駆動時においてカラーフィルタに電圧が印加されるのも防止できる。絶縁膜としては、チタン酸化膜あるいは感光性のポリイミドを用いても同様の効果が得られる。
【0057】
4.第4の実施例
第4の実施例は、感光性ポリイミドによりカラーフィルタ等を形成する場合の製造プロセス(特にパターニング)の具体例を示す実施例であり、図6(A)〜(D)はその工程断面図である。まず、基板601上に、例えば赤色の色素を添加した感光性ポリイミド膜602を形成する(図6(A))。次に、光露光技術等を用いて前記ポリイミド膜602を感光し、所望のパターン603を形成する(図6(B))。同様に緑色のパターン604、青色のパターン605を順次形成してカラーフィルタが完成する(図6(C))。同様にして黒色の色素を添加したパターン606を形成し、これをブラックマトリックスとする。この上に保護絶縁膜607と透明導電膜からなる対向電極608を形成して、対向基板609が完成する(図6(D))。この方法を用いるとパターン加工時におけるエッチング工程が不要となり、低コスト化を図れる。
【0058】
5.第5の実施例
第5の実施例は、LPD法によりカラーフィルタ等を形成する場合の製造プロセス(特にパターニング)の具体例を示す実施例であり、図7(A)〜(D)はその工程断面図である。基板701上に、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン702を形成する(図7(A))。次に、LPD法により色素が添加されたシリコン酸化膜を成膜する。LPD法には、レジストパターン上にシリコン酸化膜が析出しないという特徴がある。この性質を用いるとレジストパターンに対し選択的にシリコン酸化膜を形成できる。そこで例えば、まず赤色の色素の添加されたシリコン酸化膜を前記レジストパターン702に対し選択的に成膜し、赤色のパターン703を形成する(図7(B))。前記レジストパターン702を除去した後、同様に緑色のパターン704、青色のパターン705を順次形成してカラーフィルタが完成する(図7(C))。同様にして黒色の色素を添加したパターン706を形成し、これをブラックマトリックスとする。この上に保護絶縁膜707と透明導電膜からなる対向電極708を形成して対向基板709が完成する(図7(D))。この方法を用いるとパターン加工時におけるエッチング工程が不要となり、低コスト化が図れる。
【0059】
6.第6の実施例
以下の第6〜第9の実施例は、薄膜トランジスタ側基板にカラーフィルタを内蔵したアクティブマトリックス型パネルの具体的な構造について示す実施例である。
【0060】
第6の実施例は、カラーフィルタ等を画素電極上部に形成した実施例であり、図8はこの場合の断面図の一例である。薄膜トランジスタ側基板801には、その内側に薄膜トランジスタ802とこれにより選択駆動される透明導電膜からなる画素電極803が設けられている。この画素電極803上にLPD法によりカラーフィルタ804が形成されている。更にこの上には、配向膜806が積層されラビング処理されている。一方、対向基板807はその内側に透明導電膜からなる対向電極808及び配向膜810が設けられているだけの構造であり、従来の様に各画素電極に対し、カラーフィルタを精度良くアライメントする必要がない。従って大幅なコスト低減が実現できる。薄膜トランジスタ側基板801と対向基板807の間には、液晶809が封入されている。ここではカラーフィルタをLPD法により形成したが、代わりに感光性のポリイミドを用いても同様に形成できる。
7.第7の実施例
第7の実施例は、カラーフィルタ等を画素電極下部に形成した実施例であり、図9はこの場合の断面図の一例である。上記第6の実施例と異なるのは、画素電極903下部に、カラーフィルタ904が形成されている点である。このように画素電極下部にカラーフィルタを形成できると、液晶駆動時において、カラーフィルタに電圧がかからなくなり画質を大幅に向上できる。なお、これらのカラーフィルタ、ブラックマトリックスは、色素が添加されたLPD膜(LPD法により成膜した絶縁膜)あるいは感光性のポリイミド膜により形成される。
【0061】
このように、画素電極下部にカラーフィルタ等が内蔵可能となったのは、LPD膜あるいはポリイミド膜により形成されたカラーフィルタ及びブラックマトリックスが耐熱性、耐薬品性に優れているためである。即ち、このような構造であると、カラーフィルタを形成した後に画素電極を形成する必要があり、従来のゼラチン等からなるカラーフィルタであると、画素電極形成時のエッチング液、加熱温度によりカラーフィルタが変形等してしまう事態が生じる。これに対して、本実施例のカラーフィルタ等は耐熱性、耐薬品性に優れているため、このような事態が生じにくい。
【0062】
また、本実施例のカラーフィルタ等は低温で形成できることも大きな優位点である。即ち、薄膜トランジスタを形成した後、カラーフィルタ形成の際に、高温の加熱を行うと薄膜トランジスタのデバイス特性が劣化する場合がある。特に、多結晶シリコン(ポリシリコン)型の薄膜トランジスタにおいては、加熱により、MOS界面の準位が増加し、移動度が低下するという現象が生じる。従って、いわゆる低温プロセスにより多結晶シリコン型の薄膜トランジスタを形成する場合には、少なくとも薄膜トランジスタ形成以降の工程では300度以下のプロセス温度とする必要がある。この意味において例えば室温でカラーフィルタとなる絶縁膜を形成できるLPD法等は大きな優位点を持つ。更に、カラーフィルタ等を低温で形成できると、安価なガラス基板を採用することができ、製品のコストを低く抑えることができるという利点もある。
【0063】
8.第8の実施例
第8の実施例は、ゲート線等によりブラックマトリックスを兼用する場合の実施例であり、図10はその場合の断面図の一例である。薄膜トランジスタ側基板1001には、その内側に薄膜トランジスタ1002とこれにより選択駆動される透明導電膜からなる画素電極1003が設けられている。この画素電極1003は薄膜トランジスタ1002を構成するゲート線1004、ソース線1005の上部に形成され、且つそれらと絶縁膜1006、1007を介して重なりあっている。この時、ゲート線1004、ソース線1005がブラックマトリックスの役割を兼ねており、これによって開口率を大幅に増大できる。
【0064】
なお、図10では、ゲート線1004のみがブラックマトリックスを兼ねているように見えるが、これは図10が断面図を示すものであるからである。実際には、図29の平面図の一例から明らかなように、ゲート線2903のみならずソース線2902によってもブラックマトリックスを兼用することができる。
【0065】
この画素電極1003下部には、色素を添加したLPD膜あるいは感光性ポリイミド膜によりカラーフィルタ1008が形成されている。この画素電極1003には配向膜1009が積層されラビング処理されている。一方、対向基板1010はその内側に透明導電膜からなる対向電極1011及び配向膜1013が設けられているだけの構造であり、従来の様に各画素電極に対し、カラーフィルタを精度良くアライメントする必要がない。従って大幅なコスト低減が実現できる。
【0066】
さて、カラーフィルタが対向基板に形成される従来例では、ブラックマトリックスとなるゲート線等と、カラーフィルタとを精度良くアライメントすることは困難である。従って、その分だけ合わせ余裕が必要となり、このため、開口率がその分だけ低下する。これに対して、本実施例では、ブラックマトリックスとなるゲート線等と、カラーフィルタとは共に薄膜トランジスタ側基板に設けられている。従って、ゲート線等とカラーフィルタとは、光学機器等を用いて正確にアライメントすることができ、これにより従来例より更に開口率を高めることが可能となる。
【0067】
なお、ここでは、ゲート線とソース線がブラックマトリックスの役割を兼ねる場合で説明を行ったが、容量線がブラックマトリックスの少なくても一部を兼ねる場合であっても、本発明の主旨を逸しない。
【0068】
9.第9の実施例
第9の実施例は、カラーフィルタ等を薄膜トランジスタ下部に形成した実施例であり、図11はその場合の断面図の一例である。基板1101上にLPD膜あるいは感光性ポリイミド膜のカラーフィルタ1102とブラックマトリックス1103が形成されている。この上には、薄膜トランジスタ1104とこれにより選択駆動される透明導電膜からなる画素電極1105が設けられている。更にこの上に配向膜1106が積層されラビング処理されている。一方、対向基板1107はその内側に透明導電膜からなる対向電極1108及び配向膜1111が設けられているだけの構造であり、従来の様に各画素電極に対し、カラーフィルタを精度良くアライメントする必要がない。従って大幅なコスト低減が実現できる。また薄膜トランジスタ下部にカラーフィルタが内蔵可能となったのは、色素を添加したLPD膜あるいは感光性ポリイミド膜により形成されたカラーフィルタとブラックマトリックスが耐熱性に優れている為である。これにより液晶駆動時において、カラーフィルタに電圧がかからなくなり画質を大幅に向上できる。
【0069】
更に、カラーフィルタを画素電極下部に形成した場合には、画素電極と薄膜トランジスタとを接続する為のコンタクトホール1109をカラーフィルタにも開口する必要があった。この時、絶縁膜中に添加した顔料がエッチングされずに残る事がある。即ち、エッチング液により顔料も同時にエッチングされるとは限らないからである。このように顔料が残ると、この顔料がコンタクトホールのコンタクト面付近に堆積する可能性があり、これによりコンタクト抵抗が低下する可能性がある。しかし、薄膜トランジスタ下部にカラーフィルタを内蔵すると、この問題についても解決できる。
【0070】
10.第10の実施例
以下の第10〜第15の実施例は、薄膜トランジスタ側基板にカラーフィルタを内蔵したアクティブマトリックス型パネルの具体的な製造プロセス(特にパターニング)について示す実施例である。第10〜第15の実施例では、LPD法によりカラーフィルタ等が形成されている。
【0071】
第10の実施例は、カラーフィルタ等を画素電極上部に形成した実施例であり、図12(A)〜(D)はこの場合の工程断面図の一例である。薄膜トランジスタ側基板1201には、その内側に薄膜トランジスタ1202とこれにより選択駆動される透明導電膜からなる画素電極1203が設けられている。この画素電極1203上に光露光技術等を用いて所望のレジストパターン1204を形成する(図12(A))。次にシリカをケイフッ化水素酸(H2SiF6)に溶解し飽和水溶液を作り、この中に基板1201を漬積する。その後、アルミニウム、塩化アルミニウム、ホウ素、ほう酸等を添加して過飽和状態を作り、基板表面にシリコン酸化膜を析出成長させる。この時水溶液中に色素を添加しておくと、所望の色素が添加されたシリコン酸化膜を成膜できる。このLPD法には、レジストパターン上にシリコン酸化膜が析出しないという特徴もある。この性質を用いるとレジストパターンに対し選択的にシリコン酸化膜を形成できる。そこで例えば、まず赤色の色素の添加されたシリコン酸化膜を前記レジストパターン1204に対し選択的に成膜し、赤色のパターン1205を形成する(図12(B))。前記レジストパターン1204を除去した後、同様に緑色のパターン1206、青色のパターン1207を順次形成してカラーフィルタが完成する(図12(C))。同様にして黒色の色素を添加したパターン1208を形成し、これをブラックマトリックスとする。更にこの上に配向膜1209を積層しラビング処理する。一方、対向基板1210はその内側に透明導電膜からなる対向電極1211及び配向膜1213が設けられているだけの構造となる。薄膜トランジスタ側基板1201と対向基板1210の間には、液晶1212が封入されている(図12(D))。この様な方法はパターン加工時におけるエッチング工程が不要となり、低コスト化が可能となる。
【0072】
11.第11の実施例
第11の実施例は、カラーフィルタ等を画素電極下部に形成した実施例であり、図13(A)〜(F)はこの場合の工程断面図の一例である。薄膜トランジスタ側基板1301には、その内側に薄膜トランジスタ1302が形成されている。この上に、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン1303を形成する(図13(A))。上記第10の実施例では、画素電極形成後にレジストパターンを形成したが、本実施例においてはレジストパターン形成時には画素電極は形成されていない。次に、LPD法により所望の色素が添加されたシリコン酸化膜を成膜する。この時、LPD法の、レジストパターンに対し選択的にシリコン酸化膜を形成できるという性質を用いる。これにより赤色のパターン1304を形成する(図13(B))。前記レジストパターン1303を除去した後、同様に緑色のパターン1305、青色のパターン1306を順次形成してカラーフィルタが完成する。同様にして黒色の色素を添加したパターン1307を形成し、これをブラックマトリックスとする(図13(C))。
【0073】
続いて、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン1308を形成し、RIE技術等を用いてコンタクトホール1309を開口する(図13(D))。上記第10の実施例ではカラーフィルタにコンタクトホールを開口する必要はなかったが、本第11の実施例では開口する必要がある。次に、前記レジストパターン1308を除去した後、透明導電膜からなる画素電極1310を形成する。
【0074】
この場合、カラーフィルタ1304、1305、1306とブラックマトリックス1307が、薄膜トランジスタ1302を構成するソース線1311等と画素電極1310との間の絶縁膜を兼ねている。これは工程の短縮化にも有効である。即ち、本実施例におけるカラーフィルタ等はLPD法により形成され、その材質は、薄膜トランジスタの絶縁膜として一般的に使用されるシリコン酸化膜である。従って、これらのシリコン酸化膜で形成されるカラーフィルタ等を薄膜トランジスタの絶縁膜として兼用することが可能となり、これにより絶縁膜を形成する工程を省略することが可能となる。
【0075】
画素電極1310は前記薄膜トランジスタ1302に接続され、これにより選択駆動される。更にこの画素電極1310上に配向膜1312を積層しラビング処理する(図13(E))。一方、対向基板1313はその内側に透明導電膜からなる対向電極1314及び配向膜1316が設けられているだけの構造である。薄膜トランジスタ側基板1301と対向基板1313の間には、液晶1315が封入されている(図13(F))。
【0076】
12.第12の実施例
第12の実施例は、カラーフィルタ等を画素電極下部に形成した実施例であり、図14(A)〜(F)はこの場合の工程断面図の一例である。上記第11の実施例と異なるのは、レジストパターン1403をコンタクトホールの形状1405を含むように形成したところにある(図13(A)、(B)及び図14(A)、(B)を比較参照)。これにより、赤色のパターン1404はコンタクトホールの領域には形成されないことになる(図14(C))。
【0077】
上記第11の実施例に示されるように、カラーフィルタを画素電極下部に形成した場合には、画素電極と薄膜トランジスタとを接続する為のコンタクトホールをカラーフィルタにも開口する必要があった。この時、絶縁膜中に添加した顔料がエッチングされずに残るという問題がある。しかし、上記の方法を用いるとこの問題も解決できる。
【0078】
なお、RIE技術等を用いてコンタクトホール1409を開口する場合には、図14(D)に示すように、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン1410を形成し、それをマスクにエッチングする方法が1つ考えられる。しかし、本第12の実施例のように、カラーフィルタ1404、1406、1407にあらかじめコンタクトホールの形状が形成されている場合には(例えば図14(C)のカラーフィルタ1404)、レジストパターン1410を形成せず、カラーフィルタ1404、1406、1407及びブラックマトリックス1408をマスクにしてエッチングする方法を採用することができる。この方法を採用すれば、レジストパターン1410を形成する工程を省略することが可能となる。そして、この方法を採用できるのは、カラーフィルタ等が、ゼラチン、レジスト等ではなく、耐熱性、耐薬品性に優れたシリコン酸化膜等の絶縁膜で形成されていることによる。
【0079】
13.第13の実施例
第13の実施例は、ゲート線等によりブラックマトリックスを兼用する場合の実施例であり、図15(A)〜(F)はその場合の工程断面図の一例である。薄膜トランジスタ側基板1501には、その内側に薄膜トランジスタ1502が形成されている。この薄膜トランジスタ1502は、ゲート線1503、ソース線1504、絶縁膜1505、1506等から構成されている。この上に、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン1507を形成する(図15(A))。次に、LPD法により所望の色素が添加されたシリコン酸化膜を成膜する。この時、LPD法の、レジストパターンに対し選択的にシリコン酸化膜を形成できるという性質を用いる。これにより、赤色のパターン1508を形成する(図15(B))。前記レジストパターン1507を除去した後、同様に、緑色のパターン1509、青色のパターン1510を順次形成してカラーフィルタが完成する(図15(C))。
【0080】
続いて、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン1511を形成し、RIE技術等を用いてコンタクトホール1512を開口する(図15(D))。前記レジストパターン1511を除去した後、透明導電膜からなる画素電極1513を形成する。この画素電極1513はゲート線1503、ソース線1504と絶縁膜1505、1506、カラーフィルタ1508、1509、1510を介して重なりあっている。この時、ゲート線1503、ソース線1504がブラックマトリックスの役割を兼ねており(図29の平面図に示されるようにゲート線についてもブラックマトリックスを兼ねることが可能)、これによって開口率を大幅に増大できる。その後の工程の処理(図15(E)、(F))は、第11の実施例と同様となる。
【0081】
なおここでは、ゲート線とソース線がブラックマトリックスの役割を兼ねる場合で説明を行ったが、容量線がブラックマトリックスの少なくても一部を兼ねる場合であっても、本発明の主旨を逸しない。
【0082】
14.第14の実施例
第14の実施例は、上記第12の実施例と第13の実施例とを組み合わせた実施例であり、図16(A)〜(F)はその場合の工程断面図の一例である。即ち、本第14の実施例では、カラーフィルタ等を画素電極下部に形成するとともに、レジストパターン1607をコンタクトホールの形状1609を含むように形成し、更に、ゲート線1503、ソース線1504あるいは容量線の一部によりブラックマトリックスを兼用させる。その他については、上記第12、第13の実施例と同様である。
【0083】
15.第15の実施例
第15の実施例は、カラーフィルタ等と画素電極との間に保護絶縁膜を設ける実施例であり、図17(A)〜(F)はその場合の工程断面図の一例である。上記第14の実施例と異なるのは、保護絶縁膜を設ける点であり、その他は第14の実施例と同様である。まず、図17(A)、(B)の工程を経て所望の赤色のパターン1708を形成する。この時レジストパターン1707はコンタクトホールの形状1709を含んでおり、結果的に赤色のパターン1708はコンタクトホールの領域には形成されない。レジストパターン1707を除去した後、同様に緑色のパターン1710、青色のパターン1711を順次形成してカラーフィルタが完成する。この様な方法はパターン加工時におけるエッチング工程が不要となり、低コスト化が図れる。更にカラーフィルタを画素電極下部に形成した場合には、画素電極と薄膜トランジスタとを接続する為のコンタクトホールをカラーフィルタにも開口する必要があった。この時、絶縁膜中に添加した顔料がエッチングされずに残る事がある。しかし、上記の方法を用いるとこの問題も解決できる。
【0084】
続いて、カラーフィルタ1708、1710、1711の保護を目的として、シリコン酸化膜等からなる保護絶縁膜1712を形成する(図17(C))。このような保護絶縁膜1712を設ければ、例えばカラーフィルタ等をマスクにしてコンタクトホールのエッチング等を行う場合に、カラーフィルタ等をエッチング液等から守ることが可能となる。
【0085】
次にRIE技術等を用いてコンタクトホール1713を開口する。この時、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン1714を形成しそれをマスクにエッチングする方法と、レジストパターン1714を形成せず前記シリコン酸化膜等からなる保護絶縁膜1712をマスクにエッチングする方法とが考えられる。本実施例のように、保護絶縁膜を設ける構成とすれば、より容易に後者の方法を用いることができ、工程を1つ省略することも可能となる。なお、図17(D)〜図17(F)には、前者の方法を用いた場合の工程断面図が示される。この場合においても、保護絶縁膜1712によりカラーフィルタの側面をエッチング液から守ることができる。
【0086】
16.第16の実施例
以下の第16〜第21の実施例は、薄膜トランジスタ側基板にカラーフィルタを内蔵したアクティブマトリックス型パネルの具体的な製造プロセス(特にパターニング)について示す実施例である。第16〜第21の実施例は、上記第10〜第15の実施例と対応するものであるが、第10〜第15の実施例とは、カラーフィルタ等が感光性のポリイミド膜により形成されている点が異なっている。第16の実施例は、カラーフィルタ等を画素電極上部に形成した実施例であり、図18(A)〜(D)はこの場合の工程断面図の一例である。薄膜トランジスタ側基板1801には、その内側に薄膜トランジスタ1802とこれにより選択駆動される透明導電膜からなる画素電極1803が設けられている。この画素電極1803上に、例えばまず赤色の色素を添加した感光性ポリイミド膜1804を形成する(図18(A))。次に、光露光技術等を用いて前記ポリイミド膜1804を感光し、所望のパターン1805を形成する(図18(B))。同様に緑色のパターン1806、青色のパターン1807を順次形成してカラーフィルタが完成する(図18(C))。同様にして黒色の色素を添加したパターン1808を形成し、これをブラックマトリックスとする。更にこの上に配向膜1809を積層しラビング処理する。一方、対向基板1810はその内側に透明導電膜からなる対向電極1811及び配向膜1813が設けられているだけの構造であり、従来の様に各画素電極に対し、カラーフィルタを精度良くアライメントする必要がない。従って大幅なコスト低減が実現できる。薄膜トランジスタ側基板1801と対向基板1810の間には、液晶1812が封入されている(図18(D))。この様な方法はパターン加工時におけるエッチング工程が不要となるだけでなく、低コスト化に対しても有効である。
【0087】
17.第17の実施例
第17の実施例は、カラーフィルタ等を画素電極下部に形成した実施例であり、図19(A)〜(F)はこの場合の工程断面図の一例である。薄膜トランジスタ側基板1901には、その内側に薄膜トランジスタ1902が形成されている。この上に、例えばまず赤色の色素を添加した感光性ポリイミド膜1903を形成する(図19(A))。上記第16の実施例では、画素電極形成後にポリイミド膜を形成したが、本実施例においてはポリイミド膜形成時には画素電極は形成されていない。次に、光露光技術等を用いて前記ポリイミド膜1903を感光し、所望のパターン1904を形成する(図19(B))。同様に緑色のパターン1905、青色のパターン1906を順次形成してカラーフィルタが完成する。同様にして黒色の色素を添加したパターン1907を形成し、これをブラックマトリックスとする(図19(C))。この様な方法はパターン加工時におけるエッチング工程が不要となり、低コスト化が可能となる。
【0088】
続いて、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン1908を形成し、RIE技術等を用いてコンタクトホール1909を開口する(図19(D))。上記第16の実施例ではカラーフィルタにコンタクトホールを開口する必要はなかったが、本実施例では開口する必要がある。次に、レジストパターン1908を除去した後、透明導電膜からなる画素電極1910を形成する。
【0089】
この場合、カラーフィルタ1904、1905、1906とブラックマトリックス1907が、薄膜トランジスタ1902を構成するソース線1911と画素電極1910間の絶縁膜を兼ねている。これは工程の短縮化についても有効である。即ち、本実施例におけるカラーフィルタは絶縁膜であるポリイミド膜により形成されるため、これを薄膜トランジスタの絶縁膜として兼用することが可能となり、これにより絶縁膜を形成する工程を省略することが可能となる。
【0090】
画素電極1910は前記薄膜トランジスタ1902に接続され、これにより選択駆動される。更にこの画素電極1910上に配向膜1912を積層しラビング処理する(図19(E))。一方、対向基板1913はその内側に透明導電膜からなる対向電極1914及び配向膜1916が設けられているだけの構造である。薄膜トランジスタ側基板1901と対向基板1913の間には、液晶1915が封入されている(図19(F))。
【0091】
18.第18の実施例
第18の実施例は、カラーフィルタ等を画素電極下部に形成した実施例であり、図20(A)〜(F)はこの場合の工程断面図の一例である。上記第17の実施例と異なるのは、ポリイミド膜のパターン形成の際にコンタクトホールを形成する部分にも感光を行うところにある。薄膜トランジスタ側基板2001には、その内側に薄膜トランジスタ2002が形成されている。この上に、例えばまず赤色の色素を添加した感光性ポリイミド膜2003を形成する(図20(A))。次に、光露光技術等を用いて前記ポリイミド膜2003を感光し、所望のパターン2004を形成する。この時少なくともコンタクトホールの形成領域2005は露光されており、結果的に赤色のパターン2004はコンタクトホールの領域には形成されない(図20(B))。同様に緑色のパターン2006、青色のパターン2007を順次形成してカラーフィルタが完成する(図20(C))。同様にして黒色の色素を添加したパターン2008を形成し、これをブラックマトリックスとする。
【0092】
なお、RIE技術等を用いてコンタクトホール2009を開口する場合には、図20(D)に示すように、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン2010を形成し、それをマスクにエッチングする方法が1つ考えられる。しかし、本第18の実施例のように、カラーフィルタ2004、2006、2007にあらかじめコンタクトホールの形状が形成されている場合には(例えば図20(C)のカラーフィルタ2004)、レジストパターン2010を形成せず、カラーフィルタ2004、2006、2007及びブラックマトリックス2008をマスクにしてエッチングする方法も採用することができる。この方法を採用すれば、レジストパターン2010を形成する工程を省略することが可能となる。そして、この方法を採用できるのは、カラーフィルタ等が、ゼラチン、レジスト等ではなく、耐熱性、耐薬品性に優れたポリイミド膜の絶縁膜で形成されていることによる。
【0093】
19.第19の実施例
第19の実施例は、ゲート線等によりブラックマトリックスを兼用する場合の実施例であり、図21(A)〜(F)はその場合の工程断面図の一例である。薄膜トランジスタ側基板2101には、その内側に薄膜トランジスタ2102が形成されている。この薄膜トランジスタ2102は、ゲート線2103、ソース線2104、絶縁膜2105、2106等から構成されている。この上に、例えば、まず赤色の色素を添加した感光性ポリイミド膜2107を形成する(図21(A))。次に、光露光技術等を用いて前記ポリイミド膜2107を感光し、所望のパターン2108を形成する(図21(B))。同様に緑色のパターン2109、青色のパターン2110を順次形成してカラーフィルタが完成する(図21(C))。
【0094】
続いて、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン2111を形成し、RIE技術等を用いてコンタクトホール2112を開口する(図21(D))。前記レジストパターン2111を除去した後、透明導電膜からなる画素電極2113を形成する。この画素電極2113はゲート線2103、ソース線1204と絶縁膜2105、2106、カラーフィルタ2108、2109、2110を介して重なりあっている。この時、ゲート線2103、ソース線2104がブラックマトリックスの役割を兼ねており(図29の平面図に示されるようにゲート線についてもブラックマトリックスを兼ねることが可能)、これによって開口率を大幅に増大できる。
【0095】
その後の工程の処理(図21(E)、(F))は、第17の実施例と同様となる。
【0096】
なお、ここでは、ゲート線とソース線がブラックマトリックスの役割を兼ねる場合で説明を行ったが、容量線がブラックマトリックスの少なくても一部を兼ねる場合であっても、本発明の主旨を逸しない。
【0097】
20.第20の実施例
第20の実施例は、上記第18の実施例と第19の実施例とを組み合わせた実施例であり、図22(A)〜(F)はその場合の工程断面図の一例である。即ち、本第20の実施例では、カラーフィルタ等を画素電極下部に形成するとともに、ポリイミド膜2207をコンタクトホールの形状2209を含むように形成し、更に、ゲート線1503、ソース線1504あるいは容量線の一部によりブラックマトリックスを兼用させる。その他については、上記第18、第19の実施例と同様である。
【0098】
21.第21の実施例
第21の実施例は、カラーフィルタ等と画素電極との間に保護絶縁膜を設ける実施例であり、図23(A)〜(F)はその場合の工程断面図の一例である。上記第20の実施例と異なるのは、保護絶縁膜を設ける点であり、その他は第20の実施例と同様である。まず、図23(A)、(B)の工程を経て所望の赤色の形成する。この時少なくともコンタクトホールの形成領域2309は露光されており、結果的に赤色のパターン2308はコンタクトホールの領域には形成されない。同様に緑色のパターン2310、青色のパターン2311を順次形成してカラーフィルタが完成する。この様な方法はパターン加工時におけるエッチング工程が不要となり、低コスト化が図れる。更にカラーフィルタを画素電極下部に形成した場合には、画素電極と薄膜トランジスタとを接続する為のコンタクトホールをカラーフィルタにも開口する必要があった。この時、絶縁膜中に添加した顔料がエッチングされずに残る事がある。しかし、上記の方法を用いるとこの問題も解決できる。
【0099】
続いて、カラーフィルタ2308、2310、2311の保護を目的として、シリコン酸化膜等からなる保護絶縁膜2312を形成する(図23(C))。このような保護絶縁膜2312を設ければ、例えばカラーフィルタ等をマスクにしてコンタクトホールのエッチング等を行う場合に、カラーフィルタ等をエッチング液等から守ることが可能となる。
【0100】
次にRIE技術等を用いてコンタクトホール2313を開口する。この時、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン2314を形成しそれをマスクにエッチングする方法と、レジストパターン2314を形成せず前記ポリイミド膜からなる絶縁膜2312をマスクにエッチングする方法とが考えられる。本実施例のように、保護絶縁膜を設ける構成とすれば、より容易に後者の方法を用いることができ、工程を1つ省略することも可能となる。なお、図23(D)〜図23(F)には、前者の方法を用いた場合の工程断面図が示される。この場合においても、保護絶縁膜2312によりカラーフィルタの側面をエッチング液から守ることができる。
【0101】
22.第22の実施例
以下に示す第22〜第24の実施例は、画素電極のパターニングに用いたレジストに対して、LPD法により選択的にブラックスマトリックスを形成する実施例である。
【0102】
図24(A)〜(D)には第22の実施例の工程断面図の一例が示される。薄膜トランジスタ側基板2401には、その内側に薄膜トランジスタ2402が形成されている。この薄膜トランジスタ2402は、ゲート線2403、ソース線2404、絶縁膜2405、及び必要に応じて形成される保護膜である絶縁膜2406等から構成されている(図24(A))。
【0103】
次に、コンタクトホールを開口し、その後、全面に透明導電膜を形成し、この透明導電膜の上に光露光技術等を用いて所望のレジストパターン2408を形成する。そして、このレジストパターン2408を用いて透明導電膜をパターンニングすることで画素電極2407を形成する(図24(B))
次にシリカをケイフッ化水素酸(H2SiF6)に溶解し飽和水溶液を作り、この中に基板2401を漬積する。その後、アルミニウム、塩化アルミニウム、ホウ素、ほう酸等を添加して過飽和状態を作り、基板表面にシリコン酸化膜を析出成長させる。この時水溶液中に黒色の色素を添加しておくと、黒色の色素が添加されたシリコン酸化膜を成膜できる。このLPD法には、レジストパターン上にシリコン酸化膜が析出しないという特徴もある。この性質を用いるとレジストパターンに対し選択的にシリコン酸化膜を形成できる。そこで、黒色の色素の添加されたシリコン酸化膜を前記レジストパターン2408に対し選択的に成膜することで、ブラックマトリックス2409を形成できることになる(図24(C))。次に、このレジストパターン2408を除去した後、配向膜2410を積層しラビング処理する。一方、対向基板2411はその内側に、カラーフィルター2412、2413、2414、透明導電膜からなる対向電極2415及び配向膜2417が設けられた構造となっている。薄膜トランジスタ側基板2401と対向基板2411の間には、液晶2416が封入されている(図24(D))。本実施例によれば、ブラックマトリックスを薄膜トランジスタ側に形成できるため、従来のように各画素に対してブラックマトリックスを精度良くアライメントする必要がない。従って、開口率の向上及びコスト低減が実現できる。更に、本実施例では、ブラックマトリックスは、画素電極を形成するためのレジストパターンを用いて選択的に形成される。即ち、ブラックマトリックスが画素電極に対してセルフアラインに形成されることになる。従って、ブラックマトリックス形成のための専用のレジストパターンを用いてブラックマトリックスを形成する場合に比べ、専用のレジストパターンの形成に要するアライメント精度の分だけ、更に精度良くブラックマトリックスを形成できる。これにより、開口率の大幅な向上を図れる。更に、ブラックマトリックス専用のレジストパターンを形成する工程が不要となるため、コスト低減が実現できる。
【0104】
23.第23の実施例
第23の実施例は、第22の実施例で対向基板に設けられていたカラーフィルタを薄膜トランジスタ側基板に設ける実施例である。
【0105】
図25には、第23の実施例の工程断面図の一例が示される。図25(A)〜(C)の工程は、第22の実施例の図24(A)〜(C)に示す工程と同様に行う。第23の実施例では、図25(C)に示す工程の後に、レジストパターン2508を除去し、その後にカラーレジストのパターン2510、2511、2512を画素電極2507上に順次形成する(図25(D))。このようなカラーレジストとしては、例えばレジスト内に顔料を分散することで形成した顔料分散型のレジスト等を用いることができる。カラーレジストを形成した後、配向膜2513を積層しラビング処理する。一方、対向基板2514はその内側に、透明導電膜からなる対向電極2515及び配向膜2517が設けられているだけの構造となっている。薄膜トランジスタ側基板2501と対向基板2514の間には、液晶2516が封入されている(図25(D))。
【0106】
本実施例によれば、ブラックマトリックスのみならずカラーフィルタも薄膜トランジスタ側基板に設けられているため、従来の様に各画素電極に対し、カラーフィルタを精度良くアライメントする必要がない。従って大幅なコスト低減が実現できる。なお、この場合、カラーフィルタとなるカラーレジストは導電性の性質を持つことが望ましい。導電性を持ったカラーレジストは、例えば、透明導電膜の材料となるITO(酸化インジウム)、SnO2(酸化錫)等の粒子をカラーレジストに混ぜ合わせること等により形成することができる。そして、カラーフィルタとなるカラーレジストに導電性を持たせると、カラーレジストが画素電極と液晶素子との間に介在することによる生ずる電圧分割の問題が防止される。また、カラーレジストに電子がトラップされ残像等が発生する事態も防止される。以上により、画質の低下を防止できる。
【0107】
24.第24の実施例
第24の実施例は、第22の実施例で対向基板に設けられていたカラーフィルタを薄膜トランジスタ側基板に設けるとともに、このカラーフィルタを画素電極の下部に設ける実施例である。
【0108】
図26には、第24の実施例の工程断面図が示される。薄膜トランジスタ側基板2601には、その内側に薄膜トランジスタ2602が形成されている。この上に、光露光技術等を用いて所望のレジストパターン2605を形成する(図26(A))。次に、LPD法により所望の色素が添加されたシリコン酸化膜を成膜する。この時、LPD法の、レジストパターンに対し選択的にシリコン酸化膜を形成できるという性質を用いる。これにより赤色のパターン2606を形成する(図26(B))。前記レジストパターン2605を除去した後、同様に緑色のパターン2607、青色のパターン2608を順次形成してカラーフィルタが完成する(図26(C))。この場合、必要に応じて保護膜2609を形成する。
【0109】
その後は、図24(B)〜(D)に示す第22の実施例の工程と同様になる。即ち、レジストパターン2611により画素電極2610を形成した後、LPD法を用いて、このレジストパターン2611に対し選択的に黒色の色素が添加された絶縁膜を成膜し、これをブラックマトリックス2612とする(図26(D)、(E))。その後、配向膜2613を積層しラビング処理する。そして、完成した薄膜トランジスタ側基板2601と、内側に対向電極2615及び配向膜2617が設けられただけの構造となっている対向基板2614とにより、液晶2516が封入される(図26(F))。
【0110】
本実施例によれば、カラーフィルタ及びブラックマトリックスが薄膜トランジスタ側基板に設けられるとともに、カラーフィルタが画素電極の下部に設けられる。これにより、カラーフィルタを精度良くアライメントする必要が無くなり、大幅なコスト低減が実現できるとともに、カラーフィルタに電圧が印加されないため、画質の低下を防止できる。
【0111】
なお、画素電極の下部に設けるカラーフィルタは感光性のポリイミド等により形成しても構わない。
【0112】
25.第25の実施例
以下に示す第25、26の実施例は、カラーフィルタをカラーレジストにより構成し、このカラーレジストに対して、LPD法により選択的にブラックマトリックスを形成する実施例である。
【0113】
図27(A)〜(E)には第25の実施例の工程断面図が示される。まず、基板2701上に、赤色のカラーレジストのパターン2702を形成する(図27(A))。このようなカラーレジストとしては、例えばレジスト内に赤色の顔料を分散することで形成した顔料分散型のレジスト等を用いることができる。同様にして、緑色のカラーレジストのパターン2703、青色のカラーレジストのパターン2704を順次形成してカラーフィルタが完成する(図27(B))。
【0114】
次に、これらのカラーレジストのパターン2702〜2704に対してLPD法により選択的に黒色の色素を添加した絶縁膜を成膜し、これをブラックマトリックス2705とする(図27(C))。その後は、この上に保護絶縁膜2707と対向電極2708を形成して対向基板2709が完成する(図27(D))。一方、薄膜トランジスタ側基板2710には、その内側に薄膜トランジスタ2711及び画素電極2712が設けられている。そして、画素電極2712上、対向電極2708上には配向膜2714、2715が積層されラビング処理されている。この対向基板2709と薄膜トランジスタ側基板2710との間には液晶2713が封入されている(図27(E))。
【0115】
本実施例によれば、カラーフィルタを構成するカラーレジストを用いてブラックマトリックスを選択的に形成できる。従って、ブラックマトリックスを形成する工程を簡略化することができ、コスト低減を実現できる。更に、ブラックマトリックスをカラーレジストに対してセルフアラインに形成できるため、ブラックマトリックスを精度良く形成することができる。なお、本実施例においては導電性のカラーレジストを用いることが望ましい。
【0116】
26.第26の実施例
第26の実施例は、第25の実施例で対向基板に設けられたブラックマトリックス等を薄膜トランジスタ側基板に設ける実施例である。
【0117】
図28には、第26の実施例の工程断面図の一例が示される。薄膜トランジスタ側基板2801には、その内側に薄膜トランジスタ2802が形成されている。この薄膜トランジスタ2802は、ゲート線2803、ソース線2804、絶縁膜2805、及び必要に応じて形成される保護膜である絶縁膜2806等から構成されている(図28(A))。
【0118】
次に、コンタクトホールを開口し、所望の場所に形成したレジストパターンを用いて透明導電膜をパターニングし、画素電極2807を形成する。次に、画素電極形成に用いたレジストパターンを除去し、赤色のカラーレジストのパターン2808を形成する(図28(B))。その後、緑色、青色のカラーレジストのパターン2809、2810を、画素電極2507上に順次形成する(図28(C))。このようなカラーレジストとしては、例えば顔料分散型のレジスト等を用いることができる。次に、これらのカラーレジストのパターン2808〜2810に対してLPD法により選択的に黒色の色素を添加した絶縁膜を成膜し、これをブラックマトリックス2811とする(図28(D))。そして、完成した薄膜トランジスタ側基板2801と、内側に対向電極2815及び配向膜2817が設けられただけの構造となっている対向基板2814とにより、液晶2816が封入される(図28(E))。
【0119】
本実施例によれば、カラーレジストを用いてブラックマトリックスを形成できるため、ブラックマトリックスを形成する工程を簡略化できる。また、カラーフィルタが薄膜トランジスタ側基板に設けられ、カラーフィルタを精度良くアライメントする必要が無くなる。以上より、大幅なコスト低減が実現できる。
【0120】
なお、本実施例においては導電性のカラーレジストを用いることが望ましい。これは、ITO(酸化インジウム)、SnO2(酸化錫)等の粒子をカラーレジストに混ぜ合わせること等により形成できる。そして、カラーレジストに導電性を持たせると、電圧分割の問題、電子のトラップの問題を防止できるため、画質の低下を防止できる。
【0121】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【0122】
例えば、本発明で用いられるLPD法は上記実施例で説明したものに限らず、少なくとも、絶縁物質を構成する少なくとも1つの物質を含む化合物の飽和水溶液に色素を含ませ該飽和水溶液を過飽和状態にし前記絶縁物質を析出させる成膜法であればよい。
【0123】
また、本発明に係るブラックマトリックスは、カラー表示パネルのみならず白黒表示パネルにも適用できる。また、本発明のカラーフィルタ、ブラックマトリックスは、液晶表示装置に限らず、液晶素子を用いない表示装置にも広く適用することができる。
【0124】
また、本発明のカラーフィルタ、ブラックマトリックス、アクティブマトリックス型液晶表示装置等の製造方法は、上記実施例で説明した製造方法に限られるものではない。また、カラーフィルタ、ブラックマトリックスの配置構成も本実施例で説明した構成に限らず、種々の構成を採用することができる。
【0125】
また、薄膜トランジスタの構造も本実施例で説明したものに限らず、アモルファス(非晶質)シリコン薄膜トランジスタにおける逆スガタ型、正スガタ型の構造、ポリ(多結晶)シリコン薄膜トランジスタにおけるプレーナ型、正スガタ型の構造等、種々のものを採用できる。
【0126】
【発明の効果】
以上述べた様に本発明によれば、カラーフィルタ、ブラックマトリックスを従来の各色に染色されたゼラチンから、色素の添加された絶縁膜に置き変える事で、耐熱性や耐薬品性が向上する為、透明導電膜の蒸着やスパッタ時の加熱やパターニング時におけるカラーフィルタへのダメージを低減できる。またアクティブマトリックス型パネルにおいては、カラーフィルタ等の薄膜トランジスタ側基板への形成が可能となり、これにより薄膜トランジスタ側基板と対向基板の張り合わせ精度のマージンを緩和できる。特にカラーフィルタ等を画素電極下部に形成した場合、カラーフィルタに液晶駆動時の電圧が印加されない為、画質に悪影響は生じない。本発明は、このようにカラーフィルタ等を画素電極下部に形成する際の具体的手段を提供するものである。本発明により、耐熱性、耐薬品性に優れたカラーフィルタが実現できた事でそれが可能になった。加えて、LPD法を用いるとレジストパターンに対して選択的に絶縁膜を成膜できる。この特徴を用いるとパターン形成時におけるエッチング工程が不要となり、低コスト化に対しても有効である。
【0127】
一方ポリイミドには感光性を有するものがあり、このタイプのポリイミド膜を使用すれば、同様にエッチング工程を省略でき、低コスト化が実現できる。この方法はカラーフィルタ等を画素電極下部に形成する場合特に有効で、画素電極と薄膜トランジスタのドレイン部を接続するのに必要となるコンタクトホールも同時に形成できる。一方単純マトリックス型パネルにおいては、カラーフィルタ等を透明導電膜下に形成することも可能となる。
【0128】
更に、画素電極形成に用いたレジストパターンや、カラーフィルタを構成するカラーレジストパターンに対して、LPD法により選択的にブラックマトリックスを構成すれば、ブラックマトリックスを精度良く簡易な工程で形成することが可能となる。
【0129】
【図面の簡単な説明】
【図1】従来知られているアクティブマトリックス型パネルのカラーフィルタの構造の一例を示す図である。
【図2】薄膜トランジスタ(TFT)等を用いたアクティブマトリックス型パネルを、第1の実施例により形成する場合の工程断面図である。
【図3】第2の実施例によりブラックマトリックスを形成する場合の工程断面図である。
【図4】各色のパターンを重ね合わせてブラックマトリックスを形成した場合の断面図である。
【図5】単純マトリックス型パネルを、第3の実施例により形成する場合の工程断面図である。
【図6】カラーフィルタを、感光性ポリイミドを用いる第4の実施例により形成する場合の工程断面図である。
【図7】カラーフィルタを、LPD法を用いる第5の実施例により形成する場合の工程断面図である。
【図8】薄膜トランジスタ側基板にカラーフィルタを形成した第6の実施例の断面図である。
【図9】画素電極下部にカラーフィルタを形成した第7の実施例の断面図である。
【図10】画素電極下部にカラーフィルタを形成し、ゲート線等によりブラックマトリックスを兼用した第8の実施例の断面図である。
【図11】薄膜トランジスタ下部にカラーフィルタを形成した第9の実施例の断面図である。
【図12】画素電極上部にLPD法によるカラーフィルタを形成した第10の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図13】画素電極下部にLPD法によるカラーフィルタを形成した第11の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図14】画素電極下部にLPD法によるカラーフィルタを形成し、レジストパターンをコンタクトホールを形成する部分にも形成した第12の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図15】画素電極下部にLPD法によるカラーフィルタを形成し、ゲート線等によりブラックマトリックスを兼用した第13の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図16】第12の実施例と第13の実施例を組み合わせた第14の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図17】LPD法によるカラーフィルタと画素電極との間に保護絶縁膜を設けた第15の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図18】画素電極上部に感光性ポリイミド膜のカラーフィルタを形成した第16の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図19】画素電極下部に感光性ポリイミド膜のカラーフィルタを形成した第17の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図20】画素電極下部に感光性ポリイミド膜のカラーフィルタを形成し、ポリイミド膜のパターン形成の際にコンタクトホールの部分にも感光を行った第18の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図21】画素電極下部に感光性ポリイミド膜のカラーフィルタを形成し、ゲート線等によりブラックマトリックスを兼用した第19の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図22】第18の実施例と第19の実施例を組み合わせた第20の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図23】感光性ポリイミド膜のカラーフィルタと画素電極との間に保護絶縁膜を設けた第21の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図24】画素電極形成のためのレジストパターンを用いてLPD法によりブラックマトリックスを形成する第22の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図25】第22の実施例で対向基板に設けられていたカラーフィルタを薄膜トランジスタ側基板に設ける第23の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図26】第22の実施例で対向基板に設けられていたカラーフィルタを薄膜トランジスタ側基板の画素電極下部に設ける第24の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図27】カラーフィルタを構成するカラーレジストパターンを用いてLPD法によりブラックマトリックスを形成する第25の実施例の工程断面図である。
【図28】第25の実施例で対向基板に設けられたブラックマトリックス等を薄膜トランジスタ側基板に設ける第26の実施例のアクティブマトリックス型パネルの工程断面図である。
【図29】標準的な薄膜トランジスタの構造を示す平面図である。
【符号の説明】
507・・・・・透明導電膜
509・・・・・カラーフィルタ側基板
105・・・・・赤色に染色されたゼラチンで形成された赤色カラーフィルタ部
106・・・・・緑色に染色されたゼラチンで形成された緑色カラーフィルタ部
107・・・・・青色に染色されたゼラチンで形成された青色カラーフィルタ部
602・・・・・赤色の色素を添加した感光性ポリイミド膜
101、209、309、801、901、1001、1101、1201、1301、1401、1501、1601、1701、1801、1901、2001、2101、2201、2301、2401、2501、2601、2801・・・・・薄膜トランジスタ側基板
110、210、311、802、902、1002、1104、1202、1302、1402、1502、1602、1702、1802、1902、2002、2102、2202、2302、2402、2502、2602、2802・・・・・薄膜トランジスタ
201、301、501、601、701、2701・・・・・基板
203、302、401、502、603、703、1205、1304、1404、1508、1608、1708、1805、1904、2004、2108、2208、2308・・・・・赤色のパターン
204、303、402、503、604、704、1206、1305、1406、1509、1610、1710、1806、1905、2006、2109、2210、2310・・・・・緑色のパターン
205、304、403、504、605、705、1207、1306、1407、1510、1611、1711、1807、1906、2007、2110、2211、2311・・・・・青色のパターン
104、202、305、505、606、706、805、905、1103、
1208、1307、1408、1808、1907、2008、2409、2509、2612、2705、2811・・・・・ブラックマトリックス
108、206、306、506、607、707・・・・・保護絶縁膜
109、207、307、508、608、708、808、908、1108、
1211、1314、1415、1516、1617、1718、1811、1914、2015、2116、2217、2318、2415、2515、2615、2715、2815・・・・・対向電極
102、208、308、510、609、709、807、907、1010、1107、1210、1313、1414、1515、1616、1717、1810、1913、2014、2115、2216、2317、2411、2514、2614、2814・・・・・対向基板
111、211、511、803、903、1003、1011、1105、1203、1310、1411、1513、1614、1715、1803、1910、2011、2113、2214、2315、2407、2507、2607、2712、2807・・・・・画素電極
112、212、214、312、314、512、514、806、810、906、910、1009、1013、1106、1111、1209、1213、1312、1316、1413、1417、1514、1518、1615、1619、1716、1720、1809、1813、1912、1916、2013、2017、2114、2118、2215、2219、2316、2320、2410、2417、2513、2517、2613、2617、2714、2715、2813、2817・・・・・配向膜
103、213、313、513、809、909、1012、1110、1212、1315、1416、1517、1618、1719、1812、1915、2016、2117、2218、2319、2416、2516、2616、2713、2816・・・・・液晶
804、904、1008、1102・・・・・カラーフィルタ
1004、1503、1603、1703、2103、2203、2303・・・・・ゲート線
1005、1311、1412、1504、1604、1704、1911、2012、2104、2204、2304・・・・・ソース線
1006、1007、1505、1506、1605、1606、1705、1706、1712、2105、2106、2205、2206、2305、2306、2312・・・・・絶縁膜
1109、1309、1409、1512、1612、1713、1909、2009、2112、2212、2313・・・・・コンタクトホール
702、1204、1303、1308、1403、1410、1507、1511、1607、1613、1707、1714、1908、2010、2111、2213、2314・・・・・レジストパターン
1405、1609、1709、2005、2209、2309・・・・・コンタクトホールの領域
1804、1903、2003、2107、2207、2307・・・・・赤色の色素を添加した感光性ポリイミド膜
Claims (13)
- 薄膜トランジスタ及びこれにより選択駆動される画素電極を有する薄膜トランジスタ側基板と、対向電極を有する対向基板と、前記薄膜トランジスタ側基板及び前記対向基板に狭持される液晶とを含み、絶縁物質を構成する少なくとも1つの物質を含む化合物の飽和水溶液に色素を含ませ該飽和水溶液を過飽和状態にし前記絶縁物質を析出させて絶縁膜を形成させる液相成膜法により、前記薄膜トランジスタ側基板にカラーフィルタが形成されるアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタ側基板の、コンタクトホールを形成する部分に対し、前記飽和水溶液に対して撥水性を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ側基板上の前記レジストパターンが形成されていない領域に対して、前記液相成膜法により、3原色の内第1の色素が添加された絶縁膜を選択的に成膜させる工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記絶縁膜をマスクにして、前記絶縁膜の開口部をエッチングする工程と、
前記開口部を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続される前記画素電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 薄膜トランジスタ及びこれにより選択駆動される画素電極を有する薄膜トランジスタ側基板と、対向電極を有する対向基板と、前記薄膜トランジスタ側基板及び前記対向基板に狭持される液晶とを含み、絶縁物質を構成する少なくとも1つの物質を含む化合物の飽和水溶液に色素を含ませ該飽和水溶液を過飽和状態にし前記絶縁物質を析出させて絶縁膜を形成させる液相成膜法により、前記薄膜トランジスタ側基板にブラックマトリックスが形成されるアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタ側基板に、第1の薄膜トランジスタと電気的に接続される第1の画素電極を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ側基板に、第2の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2の画素電極を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ側基板に、第3の薄膜トランジスタと電気的に接続される第3の画素電極を形成する工程と、
前記第1の画素電極上に、3原色の内第1の色の第1のカラーレジストにより第1のカラーフィルタを形成する工程と、
前記第2の画素電極上に、3原色の内第2の色の第2のカラーレジストにより第2のカラーフィルタを形成する工程と、
前記第3の画素電極上に、3原色の内第3の色の第3のカラーレジストにより第3のカラーフィルタを形成する工程と、
前記第1〜第3のカラーフィルタが形成されていない領域に対して、前記液相成膜法により、遮光用の色素が添加された絶縁膜を選択的に成膜させる工程と、
を含むことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 薄膜トランジスタ及びこれにより選択駆動される画素電極を有する薄膜トランジスタ側基板と、対向電極を有する対向基板と、前記薄膜トランジスタ側基板及び前記対向基板に狭持される液晶とを含み、絶縁物質を構成する少なくとも1つの物質を含む化合物の飽和水溶液に色素を含ませ該飽和水溶液を過飽和状態にし前記絶縁物質を析出させて絶縁膜を成膜させる液相成膜法により、前記薄膜トランジスタ側基板にカラーフィルタが形成されるアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタ側基板に、前記飽和水溶液に対して撥水性を有する第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ側基板上の前記第1のレジストパターンが形成されていない領域に対して、前記液相成膜法により、3原色の内第1の色素が添加された第1の絶縁膜を選択的に成膜させる工程と、
前記薄膜トランジスタ側基板に、前記飽和水溶液に対して撥水性を有する第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ側基板上の前記第2のレジストパターンが形成されていない領域に対して、前記液相成膜法により、3原色の内第2の色素が添加された第2の絶縁膜を選択的に成膜させる工程と、
前記薄膜トランジスタ側基板に、前記飽和水溶液に対して撥水性を有する第3のレジストパターンを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ側基板上の前記第3のレジストパターンが形成されていない領域に対して、前記液相成膜法により、3原色の内第3の色素が添加された第3の絶縁膜を選択的に成膜させる工程と、
を含むことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 薄膜トランジスタ及びこれにより選択駆動される画素電極を有する薄膜トランジスタ側基板と、対向電極を有する対向基板と、前記薄膜トランジスタ側基板及び前記対向基板に狭持される液晶とを含み、絶縁物質を構成する少なくとも1つの物質を含む化合物の飽和水溶液に色素を含ませ該飽和水溶液を過飽和状態にし前記絶縁物質を析出させて絶縁膜を成膜させる液相成膜法により、前記薄膜トランジスタ側基板にブラックマトリックスが形成されるアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタ側基板に、前記飽和水溶液に対して撥水性を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ側基板上の前記レジストパターンが形成されていない領域に対して、前記液相成膜法により、遮光用の色素が添加された絶縁膜を選択的に成膜させる工程と、
を含むことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 請求項3又は4のいずれかにおいて、
前記絶縁膜成膜工程の後に、コンタクトホールを形成する工程と、画素電極を形成する工程とを含み、前記画素電極下部にカラーフィルタあるいはブラックマトリックスが形成されることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 請求項3又は4のいずれかにおいて、
前記第1〜第3のレジストパターン又は前記レジストパターン形成工程の際にコンタクトホールを形成する部分に対してもレジストパターンを形成するとともに、前記絶縁膜成膜工程の後に前記画素電極を形成する工程を含み、前記画素電極下部にカラーフィルタあるいはブラックマトリックスが形成されることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 請求項5又は6のいずれかにおいて、
前記絶縁膜成膜工程と前記画素電極形成工程との間に、前記カラーフィルタあるいは前記ブラックマトリックスと前記画素電極との間の保護絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 請求項4において、
前記レジストパターンが前記画素電極のパターンニングに使用するレジストパターンであることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 請求項8において、
前記絶縁膜の成膜工程の後に、カラーレジストにより構成されるカラーフィルタを形成する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 請求項8において、
前記画素電極を形成する前にカラーフィルタを形成する工程を含み、該カラーフィルタが画素電極の下部に形成されていることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 請求項4において、
カラーレジストにより構成されるカラーフィルタを形成する工程を含み、前記レジストパターンが該カラーレジストのパターンであることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 請求項9又は11のいずれかにおいて、
前記カラーレジストが導電性の材質から成り、該カラーレジストが前記画素電極の上部に形成されていることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 請求項3乃至12のいずれかにおいて、
ゲート線、ソース線、容量線の内少なくとも1つを形成する工程を含むと共に、前記レジストパターン形成工程の際に前記レジストパターンを前記ゲート線、ソース線、容量線の内少なくとも1つに対して重なり合う様に形成し、ゲート線、ソース線、容量線の内少なくとも1つが縦方向又は横方向又は縦及び横方向のブラックマトリックスを兼ねることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。
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