JP3583820B2 - Cleaning apparatus and method of cleaning object to be cleaned - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、被洗浄物を洗浄液で洗浄する洗浄装置に関し、例えば、薬液が付着した半導体ウエハを洗浄するのに好適な洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多数のチップが形成された半導体ウエハ（以下、ウエハという）が製造されるまでには、ウエハを薬液に浸漬してウェットエッチングするウェットエッチング工程や、このウェットエッチング工程の後に続く、薬液を洗い流してウエハを洗浄する洗浄工程等の多数の工程が、複数回繰り返される。これら多数の工程のうち薬液を洗い流す洗浄工程では、迅速に薬液を洗い流さないとウエハ表面を薬液が流れてエッチングむらが生じる等の不都合があるので、薬液を迅速に洗い流すための技術が従来から多数提案されている。
【０００３】
このような技術の一つとして、特開平５−３１５３１２号公報には、ウェットエッチングのための薬液が貯えられた薬液槽の上に純水を噴射する多数の噴射ノズルを配置し、薬液槽内でウエハにウェットエッチングを施した後、薬液槽からウエハを引き上げると共にこの薬液槽に蓋をし、引き上げられたウエハに噴射ノズルから純水を噴射してウエハを洗浄し、その後、純水がオーバーフローする槽内でウエハを純水洗浄する技術が開示されている。この技術によれば、薬液槽から引き上げられた後、ウエハ表面から薬液を迅速に洗い流すことができるものの、純水を噴射してウエハを洗浄する際に、純水が雰囲気を巻き込み雰囲気中のパーティクルがウエハ表面に付着するおそれがある。ウエハ表面に付着したパーティクルは、純水のオーバーフローによってウェハを洗浄しても容易に除去されない。パーティクルの付着を防止するために、パーティクルの少ない窒素雰囲気等でウェハを洗浄する技術も考えられるが、費用の点から問題がある。
【０００４】
また、他の従来技術として、特開平５−２５１４２２号公報には、純水が噴射されるシャワー槽に、薬液が付着したウエハを収容し、このウエハに純水を噴射すると共にシャワー槽に溜まった純水を真空吸引して、純水シャワーによるウェハの洗浄効果を高める技術が開示されている。この技術によっても、上記と同様に、雰囲気中のパーティクルがウエハ表面に付着するおそれがある。
【０００５】
さらに、他の従来技術として、特開平４−２９４５３７号公報には、ウェットエッチング用の薬液が貯えられた薬液槽の底に、それぞれにバルブが取り付けられた純水供給用の複数の配管を接続し、ウエハのウェットエッチング終了後、薬液槽の底からバルブを経由して純水を供給して、ウエハ表面から薬液を除去する技術が開示されている。この技術によれば、ウエハ表面の薬液を純水により除去することができるものの、可動部品であるバルブに付着したパーティクルが純水と共に供給されてウエハ表面にパーティクルが付着するおそれがある。
【０００６】
さらにまた、他の従来技術として、特開平４−３７２１２９号公報には、純水が供給される洗浄槽にウエハカセットが載置される載置台を配置し、バルブが取り付けられた純水供給用配管を洗浄槽の底を貫通させて載置台に接続し、ウエハのウェットエッチング終了後、純水供給用配管からバルブを経由して純水をウエハカセット内部に供給して、効率良くウエハ表面から薬液を除去する技術が開示されている。この技術によれば、ウエハカセット内部に効率よく純水が供給されるので、迅速にウエハ表面を洗浄できるものの、上記と同様に、バルブに付着しているパーティクルが純水と共に供給されてウエハ表面にパーティクルが付着するおそれがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑み、例えば薬液の付着したウエハを洗浄するに当たって、ウエハ表面にパーティクルを付着させずにウエハ表面を迅速に洗浄できる洗浄装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の洗浄装置は、
（１）上壁、底壁、及び側壁に囲まれた空間に洗浄液を貯えるバッファータンク
（２）バッファータンクに貯えられた洗浄液の液面、前記上壁、及び前記側壁に囲まれた空間を減圧する、前記バッファータンクに接続された真空ポンプ
（３）被洗浄物が収容される洗浄タンク
（４）バッファータンクの底部及び前記洗浄タンクの底部を接続する接続管
を備え、
（５）前記バッファータンク内を減圧しながら該バッファータンク内に洗浄液を貯めることによって、該バッファータンクに貯められる前記洗浄液の液面を前記洗浄タンクに貯められる洗浄液の液面よりも高くすることを可能としたことを特徴とするものである。
【０００９】
ここで、バッファータンクの内部に窒素ガス等の不活性ガスを供給するためのガス供給管をバッファータンクの上壁に接続することが好ましい。
また、バッファータンクの側壁の外周面にヒータを配置したり巻き付けたりすることが好ましい。
さらに、洗浄タンクの底壁をバッファータンクの底壁よりも下方に配置させることが好ましい。
また、上記目的を達成するための本発明の被洗浄物の洗浄方法は、
洗浄タンクに被洗浄物を収納し、
前記洗浄タンクの底部と接続管で接続されたバッファータンクに、該バッファータンク内を真空ポンプを用いて減圧しながら洗浄液を貯めることによって、該バッファータンクに貯められる前記洗浄液の液面を前記洗浄タンクに貯められる洗浄液の液面よりも高くし、
その後、前記バッファータンク内の減圧を停止して大気圧に戻すことにより、該バッファータンク内に貯められた洗浄液を前記洗浄タンクに供給することを特徴とする。
ここで、前記バッファータンク内の減圧を停止するとともに、ガス供給管から不活性ガスを供給して前記バッファータンク内を大気圧よりも高い圧力にすることにより、前記バッファータンク内に貯められた洗浄液の前記洗浄タンクヘの供給を行うことが好ましい。
【００１０】
【作用】
本発明の洗浄装置を用いて被洗浄物を洗浄するに当たっては、先ず、バッファータンク内部を外気から遮断できる程度にこのバッファータンクに洗浄液を貯め、この洗浄液の液面とバッファータンクの上壁と側壁とに囲まれた空間を真空ポンプを用いて減圧しながら、洗浄液をバッファータンクにさらに貯める。このように、洗浄液の液面等に囲まれた上記空間を減圧しながら洗浄液を貯めることにより、バッファータンクに貯められる洗浄液の液面は、洗浄タンクに貯められる洗浄液の液面よりも高くできる。以上のようにして洗浄の準備をしておき、被洗浄物を洗浄タンクに収容し、真空ポンプの使用を停止して洗浄液の液面等に囲まれた上記空間を大気圧に戻す。これにより、バッファータンクに貯められていた洗浄液は、重力により接続管を経由し勢いよく洗浄タンクに供給され、洗浄タンクに収容されている被洗浄物は迅速に洗浄される。バッファータンク内の洗浄液は、バルブなどの可動部品がない接続管を経由して洗浄タンクに供給されるので、洗浄液がパーティクル等を巻き込むことなく洗浄タンクに供給され、被洗浄物表面にパーティクル等が付着することが防止される。
【００１１】
ここで、バッファータンク内部に窒素ガス等の不活性ガスを供給するためのガス供給管をこのバッファータンクの上壁に接続した場合は、真空ポンプの使用を停止して洗浄液を洗浄タンクに供給する際に、ガス供給管から不活性ガスをバッファータンク内部に供給して上記空間を大気圧よりも高い圧力にでき、これにより、バッファータンク内部の洗浄液をいっそう勢いよく洗浄タンクに供給でき、いっそう迅速に洗浄できる。
【００１２】
また、バッファータンクの側壁の外周面にヒータを配置したり巻き付けたりした場合は、バッファータンクに貯えられた洗浄液を温めることができ、洗浄効果を高めることができる。
さらに、洗浄タンクの底壁をバッファータンクの底壁よりも下方に配置させた場合は、バッファタンクの洗浄液がいっそう勢いよく洗浄タンクに供給されて洗浄効果をいっそう高めることができる。
【００１３】
【実施例】
以下、図面を参照して本発明の洗浄装置の一実施例を説明する。
図１は洗浄装置を示す斜視図、図２は図１の洗浄装置を示す、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図である。
洗浄装置１０には、上壁１２ａ、底壁１２ｂ、及び側壁１２ｃに囲まれた空間に洗浄液を貯える約６０リットルの容量のバッファータンク１２が備えられている。上壁１２ａには、バッファータンク１２の内部に窒素ガスと純水（本発明にいう洗浄液の一例）をそれぞれ供給するための窒素ガス供給口１４と純水供給口１６が設けられており、窒素ガス供給口１４は窒素ガスタンク（図示せず）に接続され、純水供給口１６は純水供給タンク（図示せず）に接続されている。また、上壁１２ａには排気口１８が設けられており、この排気口１８は真空ポンプ（図示せず）に接続されている。バッファータンク１２の底壁１２ｃには、この底壁１２ｃの一辺の長さと同じ長さの幅をもち下方に延びる幅広の接続管２０が接続されている。接続管２０の下端部２０ａは洗浄タンク２２の底部２２ａに接続されており、この結果、バッファータンク１２と洗浄タンク２２は接続管２０を介して連通している。洗浄タンク２２の底壁２２ｂは、バッファータンク１２の底壁１２ｂよりも低い位置にあり、一方、洗浄タンク２２の開口された上面２２ｃは、バッファータンク１２の底壁１２ｂとほぼ同じ位置にある。また、洗浄タンク２２の底部には、複数枚のウエハ２４が収容されたウエハカセット２６が載置される、多数の孔２８ａが形成された載置板２８が固定されており、バッファータンク１２に貯められた純水は、この載置板２８の孔２８ａを通って洗浄タンク２２に供給されるように構成されている。尚、バッファータンク１２の側壁１２ｃの外周面にシートヒータ（図示せず）等を貼り付けると、バッファータンク１２の内部の純水を温めることができ洗浄効果を高めることができる。上記のバッファータンク１２、接続管２０、及び洗浄タンク２２は、複数枚のステンレス板を折り曲げたり溶接したりして一体的に形成されている。
【００１４】
薬液によるウェットエッチングが終了し、ウエハカセット２６に収容された複数枚のウエハ２４を洗浄するに当たっては、先ず、バッファータンク１２の内部を外気から遮断できる程度にこの内部に純水供給口１６から純水を供給する。次に、この純水の液面、上壁１２ａ、及び側壁１２ｃに囲まれた空間を真空ポンプを用いて減圧しながら、バッファータンク１２の内部に純水をさらに供給する。このように、純水の液面等に囲まれた空間を真空ポンプで減圧しながら純水を貯めることにより、バッファータンク１２に貯められる純水の液面は、洗浄タンクに貯められる純水の液面よりも高くできる。以上のようにして洗浄の準備をしておき、ウエハ２４が収容されたウエハカセット２６を洗浄タンクの載置板２８に載置し、真空ポンプの使用を停止すると共に窒素ガス供給口１４から窒素ガスをバッファータンク内部に供給し、純水の液面等に囲まれた空間を大気圧よりも高い圧力にする。この結果、バッファータンク１２に貯められていた純水は、接続管２０を経由して勢いよく洗浄タンク２２に供給され、ウエハ２４が迅速に洗浄される。バッファータンク１２の純水は、バルブなどの可動部品を経由せずに接続管２０を経由して洗浄タンク２２に供給されるので、純水がパーティクル等を巻き込むことなく洗浄タンク２２に供給され、ウエハ２４の表面にパーティクル等が付着することが防止される。
【００１５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の洗浄装置によれば、洗浄液の液面とバッファータンクの上壁と側壁とに囲まれた空間を真空ポンプを用いて減圧しながら洗浄液をバッファータンク内部に貯めるので、バッファータンクに貯められる洗浄液の液面を洗浄タンクに貯められる洗浄液の液面よりも高くできる。所定量の洗浄液を貯えた後、真空ポンプの使用を停止して洗浄液の液面等に囲まれた上記空間を大気圧に戻すので、バッファータンクに貯められていた洗浄液は、重力により接続管を経由し勢いよく洗浄タンクに供給され、洗浄タンクに収容されている被洗浄物は、迅速に、かつ、表面にパーティクル等が付着することなしに洗浄される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の洗浄装置の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１の洗浄装置を示す、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図である。
【符号の説明】
１０ 洗浄装置
１２ａ 上壁
１２ｂ 底壁
１２ｃ 側壁
１２ バッファータンク
１４ 窒素ガス供給口
１６ 純水供給口
１８ 排気口
２０ 接続管
２２ 洗浄タンク
２２ｂ 底壁[0001]
[Industrial applications]
The present invention relates to a cleaning apparatus for cleaning an object to be cleaned with a cleaning liquid, for example, to a cleaning apparatus suitable for cleaning a semiconductor wafer to which a chemical liquid has adhered.
[0002]
[Prior art]
By the time a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) on which a number of chips are formed is manufactured, the wafer is immersed in a chemical solution to perform wet etching, or the chemical solution that follows the wet etching process is washed away. Many processes such as a cleaning process for cleaning a wafer are repeated a plurality of times. Of these many processes, in the cleaning step of washing out the chemical solution, there is a disadvantage that the chemical solution flows on the wafer surface unless the chemical solution is washed out quickly, and uneven etching occurs.Therefore, there have been many techniques for quickly washing out the chemical solution. Proposed.
[0003]
As one of such techniques, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-31512 discloses a method in which a large number of spray nozzles for spraying pure water are arranged on a chemical solution tank in which a chemical solution for wet etching is stored. After performing wet etching on the wafer, lift the wafer from the chemical bath, cover the chemical bath, spray the pure water from the spray nozzle to the lifted wafer to wash the wafer, and then overflow the pure water. A technique for cleaning a wafer with pure water in a bath is disclosed. According to this technique, the chemical solution can be quickly washed away from the wafer surface after being lifted out of the chemical solution tank, but when the pure water is jetted to clean the wafer, the pure water entrains the atmosphere and particles in the atmosphere. May adhere to the wafer surface. Particles adhering to the wafer surface are not easily removed even when the wafer is washed by overflow of pure water. In order to prevent the particles from adhering, a technique of cleaning the wafer in a nitrogen atmosphere containing few particles can be considered, but there is a problem in terms of cost.
[0004]
Further, as another prior art, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-251422 discloses that a shower tank to which pure water is sprayed accommodates a wafer to which a chemical solution is attached, and the pure water is sprayed onto the wafer and accumulated in the shower tank. A technique has been disclosed in which pure water is suctioned in vacuum to enhance the cleaning effect of a wafer by a pure water shower. According to this technique, particles in the atmosphere may adhere to the wafer surface as in the above case.
[0005]
Further, as another prior art, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-2944537 discloses that a plurality of pipes for supplying pure water each having a valve attached thereto are connected to the bottom of a chemical solution tank storing a chemical solution for wet etching. Then, a technique is disclosed in which after the wet etching of the wafer is completed, pure water is supplied from the bottom of the chemical solution tank via a valve to remove the chemical solution from the wafer surface. According to this technique, although the chemical solution on the wafer surface can be removed with pure water, particles attached to the valve, which is a movable component, may be supplied together with the pure water, and the particles may adhere to the wafer surface.
[0006]
Furthermore, as another prior art, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-372129 discloses a mounting table on which a wafer cassette is mounted in a cleaning tank to which pure water is supplied, and a pure water supply tank provided with a valve. The pipe is connected to the mounting table by penetrating the bottom of the cleaning tank, and after the wet etching of the wafer is completed, pure water is supplied from the pure water supply pipe to the inside of the wafer cassette via a valve, and efficiently from the wafer surface. A technique for removing a chemical solution has been disclosed. According to this technique, since pure water is efficiently supplied into the inside of the wafer cassette, the wafer surface can be quickly cleaned. However, similarly to the above, particles attached to the valve are supplied together with the pure water to remove the wafer surface. Particles may adhere to the surface.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a cleaning apparatus capable of quickly cleaning a wafer surface without causing particles to adhere to the wafer surface, for example, in cleaning a wafer to which a chemical solution has adhered.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The cleaning device of the present invention for achieving the above object,
(1) A buffer tank that stores a cleaning liquid in a space surrounded by an upper wall, a bottom wall, and a side wall. (2) A pressure level is reduced in a liquid surface of the cleaning liquid stored in the buffer tank, a space surrounded by the upper wall, and the side wall. A vacuum pump (3) connected to the buffer tank, a washing tank (4) containing an object to be washed, (4) a connection pipe connecting the bottom of the buffer tank and the bottom of the washing tank ,
(5) By storing the cleaning liquid in the buffer tank while depressurizing the buffer tank, the level of the cleaning liquid stored in the buffer tank is made higher than the level of the cleaning liquid stored in the cleaning tank. it is characterized in that it has possible.
[0009]
Here, it is preferable to connect a gas supply pipe for supplying an inert gas such as nitrogen gas into the buffer tank to the upper wall of the buffer tank.
Further, it is preferable to arrange or wind a heater around the outer peripheral surface of the side wall of the buffer tank.
Further, it is preferable that the bottom wall of the washing tank is disposed below the bottom wall of the buffer tank.
Further, the method for cleaning an object to be cleaned of the present invention to achieve the above object,
Store the object to be cleaned in the cleaning tank,
In a buffer tank connected to the bottom of the washing tank by a connecting pipe, the washing liquid is stored while depressurizing the inside of the buffer tank using a vacuum pump, so that the level of the washing liquid stored in the buffer tank is reduced by the washing tank. Higher than the level of the cleaning liquid stored in the
Thereafter, the pressure in the buffer tank is stopped and the pressure is returned to the atmospheric pressure, whereby the cleaning liquid stored in the buffer tank is supplied to the cleaning tank.
Here, while the depressurization in the buffer tank is stopped, an inert gas is supplied from a gas supply pipe to make the inside of the buffer tank a pressure higher than the atmospheric pressure, so that the cleaning liquid stored in the buffer tank is Is preferably supplied to the washing tank.
[0010]
[Action]
In cleaning an object to be cleaned by using the cleaning apparatus of the present invention, first, the cleaning liquid is stored in the buffer tank to an extent that the inside of the buffer tank can be shut off from the outside air, and the liquid level of the cleaning liquid, the upper wall and the side wall of the buffer tank. The washing liquid is further stored in the buffer tank while reducing the pressure in the space surrounded by the above by using a vacuum pump. As described above, by storing the cleaning liquid while decompressing the space surrounded by the liquid level of the cleaning liquid and the like, the liquid level of the cleaning liquid stored in the buffer tank can be higher than the liquid level of the cleaning liquid stored in the cleaning tank. As described above, the preparation for cleaning is performed, the object to be cleaned is stored in the cleaning tank, the use of the vacuum pump is stopped, and the space surrounded by the liquid level of the cleaning liquid is returned to the atmospheric pressure. As a result, the cleaning liquid stored in the buffer tank is supplied to the cleaning tank vigorously via the connection pipe by gravity, and the object to be cleaned contained in the cleaning tank is quickly cleaned. Since the cleaning liquid in the buffer tank is supplied to the cleaning tank via a connection pipe having no moving parts such as valves, the cleaning liquid is supplied to the cleaning tank without involving the particles and the like, and the particles and the like are deposited on the surface of the cleaning target. Adherence is prevented.
[0011]
Here, when a gas supply pipe for supplying an inert gas such as nitrogen gas to the inside of the buffer tank is connected to the upper wall of the buffer tank, the use of the vacuum pump is stopped to supply the cleaning liquid to the cleaning tank. At this time, an inert gas can be supplied from the gas supply pipe into the buffer tank to make the above space a pressure higher than the atmospheric pressure, whereby the cleaning liquid inside the buffer tank can be supplied to the cleaning tank more vigorously and more quickly. Can be washed.
[0012]
Further, when a heater is arranged or wound around the outer peripheral surface of the side wall of the buffer tank, the cleaning liquid stored in the buffer tank can be warmed, and the cleaning effect can be enhanced.
Further, when the bottom wall of the washing tank is disposed below the bottom wall of the buffer tank, the washing liquid in the buffer tank is more rapidly supplied to the washing tank, and the washing effect can be further enhanced.
[0013]
【Example】
Hereinafter, an embodiment of the cleaning apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 is a perspective view showing a cleaning device, FIG. 2 is a diagram showing the cleaning device of FIG.
The cleaning device 10 is provided with a buffer tank 12 having a capacity of about 60 liters and storing a cleaning liquid in a space surrounded by a top wall 12a, a bottom wall 12b, and a side wall 12c. The upper wall 12a is provided with a nitrogen gas supply port 14 and a pure water supply port 16 for supplying nitrogen gas and pure water (an example of a cleaning liquid according to the present invention) into the buffer tank 12, respectively. The gas supply port 14 is connected to a nitrogen gas tank (not shown), and the pure water supply port 16 is connected to a pure water supply tank (not shown). Further, an exhaust port 18 is provided in the upper wall 12a, and the exhaust port 18 is connected to a vacuum pump (not shown). To the bottom wall 12c of the buffer tank 12, a wide connecting pipe 20 having a width equal to the length of one side of the bottom wall 12c and extending downward is connected. The lower end 20 a of the connection pipe 20 is connected to the bottom 22 a of the washing tank 22. As a result, the buffer tank 12 and the washing tank 22 are in communication via the connection pipe 20. The bottom wall 22b of the washing tank 22 is located lower than the bottom wall 12b of the buffer tank 12, while the open upper surface 22c of the washing tank 22 is located substantially at the same position as the bottom wall 12b of the buffer tank 12. At the bottom of the cleaning tank 22, a mounting plate 28 having a large number of holes 28 a on which a wafer cassette 26 containing a plurality of wafers 24 is mounted is fixed. The stored pure water is configured to be supplied to the cleaning tank 22 through the hole 28a of the mounting plate 28. If a sheet heater (not shown) or the like is attached to the outer peripheral surface of the side wall 12c of the buffer tank 12, the pure water inside the buffer tank 12 can be warmed and the cleaning effect can be enhanced. The buffer tank 12, the connection pipe 20, and the washing tank 22 are integrally formed by bending or welding a plurality of stainless plates.
[0014]
When the wet etching with the chemical solution is completed and the plurality of wafers 24 housed in the wafer cassette 26 are cleaned, first, the inside of the buffer tank 12 is purified through the pure water supply port 16 so that the inside of the buffer tank 12 can be shielded from the outside air. Supply water. Next, pure water is further supplied to the inside of the buffer tank 12 while depressurizing the space surrounded by the liquid surface of the pure water, the upper wall 12a, and the side wall 12c using a vacuum pump. As described above, by storing pure water while depressurizing the space surrounded by the pure water level by the vacuum pump, the pure water level stored in the buffer tank 12 becomes higher than the pure water level stored in the cleaning tank. Can be higher than the liquid level. After preparing for cleaning as described above, the wafer cassette 26 containing the wafers 24 is mounted on the mounting plate 28 of the cleaning tank, the use of the vacuum pump is stopped, and the nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply port 14. The gas is supplied into the buffer tank, and the space surrounded by the liquid level of the pure water is set to a pressure higher than the atmospheric pressure. As a result, the pure water stored in the buffer tank 12 is vigorously supplied to the cleaning tank 22 via the connection pipe 20, and the wafer 24 is quickly cleaned. Since the pure water in the buffer tank 12 is supplied to the cleaning tank 22 via the connection pipe 20 without passing through movable parts such as valves, the pure water is supplied to the cleaning tank 22 without involving particles or the like, Particles and the like are prevented from adhering to the surface of the wafer 24.
[0015]
【The invention's effect】
As described above, according to the cleaning device of the present invention, the cleaning liquid is stored in the buffer tank while the space surrounded by the liquid level of the cleaning liquid and the upper wall and the side wall of the buffer tank is reduced using a vacuum pump. The level of the cleaning liquid stored in the buffer tank can be higher than the level of the cleaning liquid stored in the cleaning tank. After storing a predetermined amount of the cleaning liquid, the use of the vacuum pump is stopped and the above-mentioned space surrounded by the liquid surface of the cleaning liquid is returned to the atmospheric pressure, so that the cleaning liquid stored in the buffer tank is connected to the connection pipe by gravity. The object to be cleaned, which is supplied to the cleaning tank via the vigorously and is contained in the cleaning tank, is cleaned quickly and without particles or the like adhering to the surface.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of a cleaning device of the present invention.
2 (a) is a front view, FIG. 2 (b) is a side view, and FIG. 2 (c) is a plan view showing the cleaning device of FIG.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 10 Cleaning device 12a Top wall 12b Bottom wall 12c Side wall 12 Buffer tank 14 Nitrogen gas supply port 16 Pure water supply port 18 Exhaust port 20 Connection pipe 22 Cleaning tank 22b Bottom wall

Claims (4)

上壁、底壁、及び側壁に囲まれた空間に洗浄液を貯えるバッファータンクと、
該バッファータンクに貯えられた洗浄液の液面、前記上壁、及び前記側壁に囲まれた空間を減圧する、前記バッファータンクに接続された真空ポンプと、
被洗浄物が収容される洗浄タンクと、
前記バッファータンクの底部及び前記洗浄タンクの底部を接続する接続管とを備え、
前記バッファータンク内を減圧しながら該バッファータンク内に洗浄液を貯めることによって、該バッファータンクに貯められる前記洗浄液の液面を前記洗浄タンクに貯められる洗浄液の液面よりも高くすることを可能としたことを特徴とする洗浄装置。A buffer tank that stores the washing liquid in a space surrounded by the top wall, the bottom wall, and the side wall,
A vacuum pump connected to the buffer tank, which decompresses the liquid level of the cleaning liquid stored in the buffer tank, the upper wall, and the space surrounded by the side walls,
A cleaning tank for storing the object to be cleaned;
A connection pipe for connecting the bottom of the buffer tank and the bottom of the washing tank ,
By storing the cleaning liquid in the buffer tank while depressurizing the buffer tank, the liquid level of the cleaning liquid stored in the buffer tank can be made higher than the liquid level of the cleaning liquid stored in the cleaning tank . A washing device characterized by the above-mentioned. 前記洗浄タンクの底壁を前記バッファータンクの底壁よりも下方に配置したことを特徴とする請求項１に記載の洗浄装置。The cleaning device according to claim 1, wherein a bottom wall of the cleaning tank is disposed below a bottom wall of the buffer tank. 洗浄タンクに被洗浄物を収納し、
前記洗浄タンクの底部と接続管で接続されたバッファータンクに、該バッファータンク内を真空ポンプを用いて減圧しながら洗浄液を貯めることによって、該バッファータンクに貯められる前記洗浄液の液面を前記洗浄タンクに貯められる洗浄液の液面よりも高くし、
その後、前記バッファータンク内の減圧を停止して大気圧に戻すことにより、該バッファータンク内に貯められた洗浄液を前記洗浄タンクに供給することを特徴とする被洗浄物の洗浄方法。Store the object to be cleaned in the cleaning tank,
In a buffer tank connected to the bottom of the washing tank by a connecting pipe, the washing liquid is stored while depressurizing the inside of the buffer tank using a vacuum pump, so that the level of the washing liquid stored in the buffer tank is reduced by the washing tank. Higher than the level of the cleaning liquid stored in the
Thereafter, the decompression in the buffer tank is stopped and the pressure is returned to the atmospheric pressure, whereby the cleaning liquid stored in the buffer tank is supplied to the cleaning tank. 前記バッファータンク内の減圧を停止するとともに、ガス供給管から不活性ガスを供給して前記バッファータンク内を大気圧よりも高い圧力にすることにより、前記バッファータンク内に貯められた洗浄液の前記洗浄タンクヘの供給を行うことを特徴とする請求項３に記載の被洗浄物の洗浄方法。By stopping the decompression in the buffer tank and supplying an inert gas from a gas supply pipe to make the inside of the buffer tank a pressure higher than the atmospheric pressure, the cleaning of the washing liquid stored in the buffer tank is performed. The method for cleaning an object to be cleaned according to claim 3, wherein the supply is performed to a tank.

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