JP2000306825A - 処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法 - Google Patents
処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法Info
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- JP2000306825A JP2000306825A JP35101699A JP35101699A JP2000306825A JP 2000306825 A JP2000306825 A JP 2000306825A JP 35101699 A JP35101699 A JP 35101699A JP 35101699 A JP35101699 A JP 35101699A JP 2000306825 A JP2000306825 A JP 2000306825A
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Abstract
正確に載置されていない状態等を迅速に検知し、加熱処
理や冷却処理の際の不良を最小限に食い止めることがで
きる技術を提供すること。 【解決手段】 ホットプレート31上の基板載置位置に
正確にウェハWが載置されたときにホットプレート31
の温度が所定のしきい値以下となるのに対して、ホット
プレート31上の基板載置位置に正確にウェハWが載置
されていないときには所定のしきい値となる。そこで、
ホットプレート31上にウェハWが載置されたときにホ
ットプレート31の温度が所定のしきい値以上になった
ときに、ウェハWが案内ガイド43上に乗り上げたもの
とみなし、スピーカや表示部より警報を発している
Description
半導体ウェハやLCD用基板等にレジストの塗布や現像
処理を施す装置等に具備され基板に熱処理を適切に施す
ための処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法
に関する。
一般に基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡
し、更に露光装置から露光された基板を受け取り、現像
処理を施すことが行われており、更にその露光の前後等
においては基板に対して加熱処理や冷却処理が施されて
いる。
ハ」と呼ぶ。)に対して加熱処理を施す加熱処理ユニッ
トの概略的な正面図である。
て加熱処理を施すためのホットプレートであり、このホ
ットプレート101上にはホットプレート101上でウ
ェハWを浮かせて保持するためのプロキシミティピン1
02及びプロキシミティシート102’が配置され、更
にホットプレート101上のほぼ中央のウェハ載置位置
103に向けて傾斜面104を有する複数のガイド10
5がウェハ載置位置103を取り囲むように設けられて
いる。
ェハWを搬送するための搬送装置との間でウェハWの受
け渡しを行うための昇降ピン(図示を省略)がホットプ
レート101表面から出没可能に配置されている。そし
て、昇降ピンがホットプレート101表面から突き出た
状態で搬送装置からウェハWを受け取って下降し、ホッ
トプレート101表面から没入する。これにより、ウェ
ハWはホットプレート101表面上に載置されることに
なる。
ハWを正確な位置に受け渡さないとウェハWをウェハ載
置位置103の正確な載置位置に載置できない。そのた
め、上記のようにガイド105を設け、搬送装置が昇降
ピンに対してウェハWを多少ずれた位置に対して受け渡
したときでも、ウェハWをガイド105を介してウェハ
載置位置103の正確な載置位置に導かれるようにして
いる。
置が昇降ピンに対してウェハWを受け渡した位置が相当
ずれているときには、ウェハWがガイド105の上に乗
り上げてしまい、熱処理が正確に行われず製品不良が発
生する。そして、このような不良の発生は後工程の検査
工程で発見されるのが通常であり、しかもこのような搬
送装置による昇降ピンに対するウェハWの受け渡しの位
置ずれは偶発的ではなく、連続的に発生することが多い
ことから、不良が発見されたときは既に相当数の不良が
発生していることになり、その被害は甚大である。
れもので、処理板上に搬送された基板が基板載置位置に
正確に載置されていない状態等を迅速に検知し、加熱処
理や冷却処理の際の不良を最小限に食い止めることがで
きる技術を提供することを目的としている。
た基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、
調整を迅速かつ正確に行うことができる技術を提供する
ことを目的としている。
め、本発明の処理装置は、基板が表面に載置され、載置
された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前
記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に
設けられた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定
の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板
が載置された際の前記温度センサにより検出された温度
が所定以上変化しないとき、異常が発生したものとみな
す手段(例えば前記処理板上に基板が載置された際の前
記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しな
いとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置
位置に正確に載置されていないものとみなす手段)とを
具備することを特徴とする。
乗り上げて基板載置位置からずれると、基板が案内部材
上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が処理
板表面と接触するだけで、当該基板は処理板上から浮い
た状態となる。一方、例えば基板を加熱処理する処理板
では、当該処理板上に基板が載置されると処理板が基板
から熱を奪われ温度が一旦低下する。そして、基板が処
理板上から浮いた状態となった場合、基板が基板載置位
置に正確に載置された場合と比較すると、基板が処理板
上に載置された際の温度の低下が小さくなる。本発明は
かかる点に着目し、処理板上に基板が載置された際の温
度センサにより検出された処理板の温度が所定以上変化
しないとき、例えば処理板上に搬送された基板が基板載
置位置に正確に載置されていないものとみなすことで、
処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置
されていない状態を迅速に検知している。従って、本発
明によれば、加熱処理や冷却処理の際の不良を最小限に
食い止めることができる。
れ、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理
板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処
理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板
の基板載置位置の中心から所定距離離れた位置に設けら
れた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際
の前記温度センサにより検出された温度に基づき、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を推定する手段とを具備する。
乗り上げて基板載置位置からずれると、基板が案内部材
上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が処理
板表面と接触するだけで、当該基板は処理板上から浮い
た状態となる。一方、例えば基板を加熱処理する処理板
では、当該処理板上に基板が載置されると処理板が基板
から熱を奪われ温度が一旦低下する。そして、基板が処
理板上から浮いた状態となった場合、基板が基板載置位
置に正確に載置された場合と比較すると、基板が処理板
上に載置された際の温度の低下が小さくなり、しかもこ
のような温度の低下は処理板上の位置に応じて異なる。
例えば、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くとそ
の反対側(基板が案内部材上に乗り上げた位置とは反対
側の当該基板の端部が接触する位置の近く)とでは、基
板が処理板上に載置された際の温度の低下が異なる。即
ち、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くにおける
基板と処理板との間隔は、その反対側における基板と処
理板との間隔と比べると、より大きいため、基板が案内
部材上に乗り上げた位置の近くにおける、基板が処理板
上に載置された際の温度の低下はより小さい。本発明は
かかる点に着目し、処理板上に基板が載置された際の処
理板の所定位置における温度センサにより検出された温
度に基づき、処理板上に搬送された基板の基板載置位置
からのずれ位置を推定することで、処理板上に搬送され
た基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、
調整を迅速かつ正確に行うことができるようにしたもの
である。
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板のそれぞれ別個の位置に設けられた複数の温度セン
サと、前記処理板上に基板が載置された際の前記各温度
センサにより検出された温度の差異に基づき、前記処理
板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位
置を推定する手段とを具備する。
際の処理板における異なる位置に配置された各温度セン
サにより検出された温度の差異に基づき、処理板上に搬
送された基板の基板載置位置からのずれ位置を推定する
ことで、処理板上に搬送された基板の基板載置位置から
のずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速かつ正確に行う
ことができるようにしたものである。
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理
板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出
された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置
と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするた
めの搬送装置と、1つの前記処理装置で前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなされたとき、当該処理装置による処理
を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手段とを具
備する。
搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていな
いものとみなされたとき、当該処理装置による処理を禁
止して残りの処理装置で処理を行わせるようにしている
ので、加熱処理または冷却処理による不良が連続的に発
生するのを防止することができ、しかもかかる不良が発
生してもシステムを停止することなく通常の処理を続行
できる。
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理
板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出
された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置
と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするた
めの搬送装置と、1つの前記処理装置で前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものと連続してみなされたとき、当該処理装置に
よる処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手
段とを具備する。
搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていな
いものと連続してみなされたとき、当該処理装置による
処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせるように
しているので、加熱処理または冷却処理による不良が連
続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる
不良が発生してもシステムを停止することなく通常の処
理を続行でき、更に偶発的に処理板上に搬送された基板
が基板載置位置に正確に載置されていなかったときには
当該処理装置による処理が禁止されるこはなくなる。
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理
板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出
された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置
と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするた
めの搬送装置と、1つの前記処理装置で前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなされたとき、当該処理装置による処理
された基板にマーキングを施す手段とを具備する。
搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていな
いものとみなされたとき、当該処理装置による処理され
た基板にマーキングを施すようにしているので、加熱処
理または冷却処理による不良が発生してもシステムを停
止することなく通常の処理を続行でき、しかも不良基板
を正常基板から容易に区分することができる。なお、こ
こで、マーキングとは、基板に実際に直接付されるマー
キングの他、ソフトウェア上で正常基板から区別できる
ように不良基板にマーキングするような場合も含まれ
る。
れた基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記
処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設
けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内
で、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置
に正確に載置されているかどうか判別する方法であっ
て、前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、前
記検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理
板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置
されていないものとみなす工程とを具備する。
れた基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記
処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設
けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内
で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置
からのずれ位置を検出する方法であって、前記処理板の
所定位置の温度を検出する工程と、前記検出された温度
に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載
置位置からのずれ位置を推定する工程とを具備する。
れた基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記
処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設
けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内
で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置
からのずれ位置を検出する方法であって、前記処理板の
複数位置の温度を検出する工程と、前記検出された複数
位置での温度の差異に基づき、前記処理板上に搬送され
た基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工
程とを具備する。
レジストを塗布し、現像するレジスト塗布現像システム
に本発明を適用した実施形態を図面に基づき説明する。
像システムの平面図、図2は図1に示したレジスト塗布
現像システムの正面図、図3は図1に示したレジスト塗
布現像システムの背面図、図4は図1に示したレジスト
塗布現像システムにおける空気の流れを示す正面図であ
る。
システム1は、カセットステーション10、処理ステー
ション11及びインターフェイス部12を一体に接続し
た構成を有している。カセットステーション10では、
ウェハWがカセットC単位で複数枚、例えば25枚単位
で外部からレジスト塗布現像システム1に搬入され、ま
たレジスト塗布現像システム1から外部に搬出される。
また、カセットCに対してウェハWが搬出・搬入され
る。処理ステーション11では、塗布現像処理工程の中
で1枚ずつウェハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インタ
ーフェイス部12では、このレジスト塗布現像システム
1に隣接して設けられる露光装置13との間でウェハW
が受け渡される。
載置台20上の位置決め突起20aの位置に複数個、例
えば4個のカセットCが、それぞれのウェハW出入口を
処理ステーション11側に向けてX方向(図1中の上下
方向)一列に載置される。このカセットC配列方向(X
方向)およびカセットC内に収容されたウェハWのウェ
ハW配列方向(Z方向;垂直方向)に移動可能なウェハ
搬送装置21が、搬送路21aに沿って移動自在であ
り、各カセットCに選択的にアクセスする。
に構成されており、後述するように処理ステーション1
1側の第3の処理装置群G3の多段ユニット部に属する
アライメントユニット(ALIM)およびエクステンシ
ョンユニット(EXT)にもアクセスできるようになっ
ている。
うに、その中心部には垂直搬送型の搬送装置22が設け
られ、その周りに処理室としての各種処理ユニットが1
組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理ユニ
ット群を構成している。このレジスト塗布現像システム
1においては、5つの処理ユニット群G1、G2、G
3、G4、G5が配置可能な構成であり、第1および第
2の処理ユニット群G1、G2はシステム正面側に配置
され、第3の処理ユニット群G3はカセットステーショ
ン10に隣接して配置され、第4の処理ユニット群G4
はインターフェイス部12に隣接して配置され、さらに
破線で示した第5の処理ユニット群G5を背面側に配置
することが可能となっている。搬送装置22は、θ方向
に回転自在でZ方向に移動可能に構成されており、各処
理ユニットとの間でウェハWの受け渡しが可能とされて
いる。
すように、カップCP内でウェハWをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像
処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられて
いる。そして第1の処理ユニット群G1と同様に、第2
の処理ユニット群G2においても、2台のスピンナ型処
理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)及
び現像処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ね
られている。
すように、ウェハWを載置台(図示せず)に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行う冷却処理ユニット(COL)、レジストの定着
性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージ
ョン処理ユニット(AD)、位置合わせを行うアライメ
ントユニット(ALIM)、エクステンションユニット
(EXT)、プリベークを行う加熱処理ユニット(PR
EBAKE)及びポストベークを行う加熱処理ユニット
(POBAKE)が下から順に、例えば8段に重ねられ
ている。
ウェハWを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型
の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニッ
ト(COL)、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷
却処理ユニット(EXTCOL)、エクステンションユ
ニット(EXT)、アドヒージョン処理ユニット(A
D)、プリベークを行う加熱処理ユニット(PREBA
KE)及びポストベークを行う加熱処理ユニット(PO
BAKE)が下から順に、例えば8段に重ねられてい
る。
ように、奥行き方向(X方向)については、上記処理ス
テーション11と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。図1及び図2に
示すように、このインターフェイス部12の正面側に
は、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバ
ッファカセットBRが2段に配置され、他方背面部には
周辺露光装置24が配設されている。
ェハ搬送装置25が設けられている。ウェハ搬送装置2
5は、X方向、Z方向(垂直方向)に移動して両カセッ
トCR、BR及び周辺露光装置24にアクセスできるよ
うになっている。ウェハ搬送装置25は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、処理ステーション
11側の第4の処理ユニット群G4に属するエクステン
ションユニット(EXT)や、さらには隣接する露光装
置側のウェハ受け渡し台(図示せず)にもアクセスでき
るようになっている。
10の上部にはフィルタ26が、処理ステーション11
の上部にはフイルタ27が、インタフェース部12の上
部にはフィルタ28がそれぞれ取り付けられている。こ
れらのフィルタは上部空間29を共有している。この上
部空間29はダクト(図示を省略)を介して下方の空調
装置(図示を省略)に連通し、アンモニアを除去し、湿
度及び温度が制御された清浄空気が空調装置から上部空
間29に供給されるようになっている。清浄空気は、上
部空間29から各フィルタを通って下方に向けて吹き出
され、これにより清浄空気のダウンフローが各部10、
11、12に形成されるようになっている。
図、図6はその平面図である。
理ユニットのほぼ中央には、ウェハWを加熱処理するた
めの処理板としてのホットプレート31が配置されてい
る。このホットプレート31では、例えばウェハWより
少し大きな直径で円形状の保持板32の裏面側に、例え
ばこの保持板32とほぼ同形状の発熱素子33、例えば
ヒーター或いはペルチェ素子等が保持板32と密着する
ように配置されている。発熱素子33は、例えば電流が
流されることで発熱する抵抗体により構成され、制御機
構としての制御部40によりこの電流値が制御されるこ
とで加熱処理のための温度が制御されるようになってい
る。
に、複数カ所、例えば3カ所に貫通穴34が設けられて
いる。これら貫通穴34には、それぞれ、ウェハWの受
け渡しのための複数本、例えば3本の支持ピン35が出
没可能に介挿されている。これら支持ピン35は、保持
板32の裏面側に配置された結合部材36により、保持
板32の裏面側で一体に結合されている。結合部材36
は、保持板32の裏面側に配置された昇降機構37に接
続されている。昇降機構37の昇降動作により、支持ピ
ン35は保持板32の表面から突き出たり、没したりす
る。支持ピン35は、保持板32の表面から突き出た状
態で、搬送装置22との間でウェハWの受け渡しを行
う。搬送装置22からウェハWを受け取った支持ピン3
5は、下降して保持板32内に没し、これによりウェハ
Wが保持板32の表面に密着し、ウェハWの加熱処理が
行われるようになっている。
保持されるウェハWを覆うように、蓋体51が配置され
ている。蓋体51は、図示を省略した昇降機構により昇
降可能とされている。該ユニット内では、蓋体51が上
昇し蓋体51が開いた状態で、搬送装置22との間でウ
ェハWの受け渡しを行い、蓋体51が下降し蓋体51が
閉じた状態で、密閉空間を形成し、ウェハWの加熱処理
が行われるようになっている。
きに傾斜する構造を有し、そのほぼ中央、つまり保持板
32により保持されたウェハWのほほ中央に対応する位
置に排気口52が設けられている。排気口52には、真
空ポンプ等の排気装置53が接続され、密閉空間内の排
気が行われるようになっている。
ットプレート31を取り囲むようにシャッター部材54
が出没可能に配置されている。シャッター部材54は、
ホットプレート31の裏面に配置された昇降機構55に
より昇降されるようになっている。さらに、シャッター
部材54の内壁には、例えば高温の不活性ガスを噴出す
るための噴出孔56が多数設けられている。噴出孔56
は噴出孔56へ高温ガスを供給する高温ガス供給装置1
06に接続されている。保持板32上にウェハWを保持
し、ウェハWを加熱処理するとき、シャッター部材54
がホットプレート31表面から突き出て、噴出孔56か
ら保持板32上に保持されたウェハWの表面に向けて高
温ガスが噴出されるようになっている。
加熱処理を良好に行うためには、ウェハWは温度分布の
ばらつきが少ないホットプレート31上のほぼ中心に載
置される必要がある。このようにホットプレート31上
でウェハWが本来載置されるべき位置を基板載置位置と
呼び、図6中点線で囲まれた領域41が基板載置位置で
ある。
に密着することなくホットプレート31上で浮かせて、
つまりホットプレートとウェハWとが直接接しないよう
に所定の間隔にホットプレート31上にウェハWを離間
して保持するためのプロキシミティシート42’が基板
載置位置41の外周部の複数カ所、例えば6カ所に配置
され、更に基板載置位置41の中央にプロキシミティピ
ン42が配置されている。
れたプロキシミティシート42’は、それぞれ基板載置
位置41の外側に延在しており、各プロキシミティシー
ト42’の延在した位置には、それぞれ基板案内用の案
内ガイド43が配置されている。従って、本実施の形態
においては、6個の案内ガイド43が基板載置位置41
を取り囲むようにホットプレート31上に設けられてい
る。案内ガイド43は例えば断面が矩形で、高さ(少な
くとも基板載置位置41側の壁面のほぼ垂直部分の高
さ)が1mmを越えるもの、より好ましくは3mm前後
とされている。
離離れた位置、例えば基板載置位置41の外周に近い位
置には、ホットプレート31の裏面から表面に向けて所
定の深さの有底の穴38が設けられている。この穴38
の底部(穴38内で保持板32の表面に最も近い位置)
には、例えば熱伝対である温度センサ39が配置されて
いる。この温度センサ39による検出結果は制御部40
に送られるようになっており、制御部40ではこの検出
結果に基づき発熱機構としての発熱素子33に対する電
流の制御や後述するウェハW載置不良の検出等が行われ
る。また、制御部40には、警報等を発するためのスピ
ーカや表示部(図示を省略)が接続されている。その
際、表示部では、処理をそのまま続行するかどうかを作
業者に提示し、作業者からはこの提示に応じて図示を省
略したキーボードや入力部を兼ねる表示部等から作業の
続行を指示してもよいし、処理を中断するようにしても
よい。そして、加熱処理を中断するようにすれば、後述
する搬送装置22と支持ピン35との位置ずれを即座に
修正することができる。また、そのまま処理を続行すれ
ばシステムにおけるスループットを落とさずに処理を行
うことができる。ただし、この場合、加熱不良のウェハ
Wが良品と混在してシステム内を流れることになる。そ
こで、このように処理を続行するような場合にはウェハ
Wに対して不良であることを示すマーキングを行うよう
にすればよい。このようなマーキング方法としては、実
際にウェハWに対してマーキングを行う他、ソフトウェ
ア上で良品から区別できるように不良ウェハWにマーキ
ングするように構成しても構わない。
の動作を図7〜図10に基づき説明する。
31の表面から支持ピン35が突き出た状態で、搬送装
置22から支持ピン35上にウェハWが受け渡される。
らウェハWを受け取った支持ピン35が下降してホット
プレート31内に没入し、これによりウェハWがホット
プレート31上に載置される。そして、ウェハWの加熱
処理が行われるようになっている。
と、再び支持ピン35が突き出て、搬送装置22が支持
ピン35上に載置されたウェハWを受け取る。
35との間でのウェハWの受け渡しが位置ずれすること
なく行われ、ウェハWがホットプレート31の基板載置
位置41内に正確に載置された例を示している。
2から支持ピン35へウェハWを受け渡す際に、ウェハ
Wが支持ピン35上の所望の位置(点線で示す。)から
ずれた位置に受け渡されると、その後支持ピン35が下
降してホットプレート31内に没入したときに、図10
に示すように、ウェハWは基板載置位置41内に正確に
載置されずに案内ガイド43上に乗り上げてしまう。
より検出されるホットプレート31の温度変化を示して
いる。図11は図8に示したようにウェハWがホット
プレート31の基板載置位置41内に正確に載置された
ときの温度変化、図11は図10に示したようにウェ
ハWは基板載置位置41内に正確に載置されずに案内ガ
イド43上に乗り上げたときの温度変化を示している。
この図から分かるように、ウェハWがホットプレート3
1の基板載置位置41内に正確に載置されたときとウェ
ハWが基板載置位置41内に正確に載置されずに案内ガ
イド43上に乗り上げたときとでは、温度変化が異な
る。具体的には、前者が後者と比べ温度が一旦より大き
く下がる。これは、ウェハWが基板載置位置41内に正
確に載置された方がこれらの間の近接面積が大きくホッ
トプレート31から奪う熱量が大きいからである。
のような温度変化の差異に基づき図10に示したような
ウェハWの載置不良の検出を行っている。即ち、制御部
40では、温度センサ39からホットプレート31の温
度検出結果を入力しており、ホットプレート31上にウ
ェハWが載置されたときにホットプレート31が所定の
しきい値以下、図11の例でいうと例えば89℃以下に
なったときに、図8に示したようにウェハWがホットプ
レート31の基板載置位置41内に正確に載置されたも
のとみなし、ホットプレート31上にウェハWが載置さ
れたときにホットプレート31が所定のしきい値以上、
図11の例でいうと例えば89℃以上になったときに、
図10に示したようにウェハWが基板載置位置41内に
正確に載置されずに案内ガイド43上に乗り上げたもの
とみなしている。そして、ウェハWが案内ガイド43上
に乗り上げたものとみなしたときには、スピーカや表示
部より警報を発している。なお、所定のしきい値として
は、上記のように絶対温度としてもよいし、ウェハWが
載置される以前のホットプレート31の温度を基準とし
てその基準温度からの低下温度としてもよい。
は、ホットプレート31上にウェハWが載置されたとき
にホットプレート31の温度が所定のしきい値以上にな
ったときに、ウェハWが案内ガイド43上に乗り上げた
ものとみなし、スピーカや表示部より警報を発している
ので、ホットプレート31上に搬送されたウェハWが基
板載置位置41に正確に載置されていない状態を迅速に
検知し、加熱処理の不良を最小限に食い止めることがで
きる。また、温度センサ39はホットプレート31の温
度制御のために従来から必要なデバイスであるので、特
別なハード構成を必要とせずに、上記の効果を奏する。
板載置位置41内に案内するための案内ガイド43の断
面が矩形でその高さが3mm前後とされているので、ウ
ェハWが基板載置位置41内に正確に載置されずに案内
ガイド43上に乗り上げたときのホットプレート31の
低下温度がより小さくなる。即ち、ウェハWがホットプ
レート31の基板載置位置41内に正確に載置されたと
きとウェハWが基板載置位置41内に正確に載置されず
に案内ガイド43上に乗り上げたときとの温度低下の差
異がより大きくなる。従って、これらの状態の差異をよ
り明確に区別できて誤検出がなくなると共に、上記のし
きい値の調整が容易となる。しかしながら、本発明で
は、図12に示すように、案内ガイド43が基板載置位
置41内に向けてウェハ案内用の斜面43aを有し、そ
の高さを1mm以下とするように構成しても勿論構わな
い。そして、このような案内ガイド43がウェハ案内用
の斜面43aを有することで基板載置位置41内へのウ
ェハWの案内をより確実に行うことができる。
案内ガイド43上に乗り上げた位置が異なると(例えば
図中実線のウェハWと点線のウェハWの如く。)、図1
4に示すように、ウェハWが乗り上げた位置に応じて温
度変化が異なる。例えば、図13の実線で示す場合の方
(図14)が図13の点線で示した場合(図14)
と比べて温度変化が大きい。つまり、前者が後者と比べ
温度が一旦より大きく下がる。
のような温度変化の差異に基づきホットプレート31上
に搬送されたウェハWの基板載置位置41からのずれ位
置を推定し、この推定結果を例えば表示部45に表示し
ている。従って、例えば作業者は、この表示内容に基づ
いて搬送装置22と支持ピン35との位置ずれを簡単に
修正することができる。また、このように推定されたず
れ位置に応じて搬送装置22と支持ピン35との位置ず
れを自動的に修正しても構わない。
置、より好ましくは3カ所以上例えば図15に示すよう
に3カ所に温度センサ39を配置し、複数位置での検出
結果を用いることで、より正確にホットプレート31上
のウェハWのずれ位置を推定することができる。
る。
示した塗布現像処理システムにおける冷却処理ユニット
に適用したものである。図16は冷却処理ユニットにお
ける冷却プレートの構成を示す正面図であり、前述の加
熱処理ユニットとほぼ同様の構成を有する。
理ユニットのほぼ中央には、ウェハWを冷却処理するた
めの処理板としての冷却プレート61が配置されてい
る。この冷却プレート61内には、例えば多数のペルチ
ェ素子62が埋め込まれている。そして、制御部(図示
を省略)によりペルチェ素子62に流れる電流値が制御
されることで冷却処理のための温度が制御されるように
なっている。
複数カ所、例えば3カ所に貫通穴64が設けられてい
る。これら貫通穴64には、それぞれ、ウェハWの受け
渡しのための複数本、例えば3本の支持ピン65が出没
可能に介挿されている。これら支持ピン65は、冷却プ
レート61の裏面側に配置された結合部材66により、
冷却プレート61の裏面側で一体に結合されている。結
合部材66は、冷却プレート61の裏面側に配置された
昇降機構67に接続されている。昇降機構67の昇降動
作により、支持ピン65は冷却プレート61の表面から
突き出たり、没したりする。なお、冷却プレート61の
上方には、図示を省略した昇降可能な蓋体が配置されて
いる。
板載置位置71の外周部の複数カ所、例えば6カ所に配
置され、更に基板載置位置71の中央に配置されてい
る。基板載置位置71の外周部に配置されたプロキシミ
ティシート72’は、それぞれ基板載置位置71の外側
に延在しており、各プロキシミティシート72’の延在
した位置には、それぞれ基板案内用の案内ガイド73が
配置されている。
離離れた位置、その裏面より有底の穴78が設けられて
おり、この穴78の底部には温度センサ79が配置され
ている。この温度センサ79による検出結果は制御部に
送られるようになっている。
変化の差異に基づきウェハWの載置不良の検出を行って
いる。即ち、制御部では、温度センサ79から冷却プレ
ート61の温度検出結果を入力しており、冷却プレート
61上にウェハWが載置されたときに冷却プレート61
が所定のしきい値以上となったときに、ウェハWが冷却
プレート61の基板載置位置71内に正確に載置された
ものとみなし、冷却プレート61上にウェハWが載置さ
れたときに冷却プレート61が所定のしきい値以下であ
ったときに、ウェハWが基板載置位置71内に正確に載
置されずに案内ガイド73上に乗り上げたものとみなし
ている。そして、ウェハWが案内ガイド73上に乗り上
げたものとみなしたとき、支持ピン65を一旦昇降して
ウェハWを冷却プレート61から浮かして再び支持ピン
65を下降してウェハWを冷却プレート61表面に戻
し、これによりウェハWが冷却プレート61の基板載置
位置71内に正確に載置される試みをしている。そし
て、再試行してもウェハWが冷却プレート61の基板載
置位置71内に正確に載置されないときに警報等を発し
ている。
は、ウェハWの冷却不良を激減することができる。特
に、加熱処理の場合にはそれまでの熱履歴が重要である
ことから、一旦加熱処理した不良品を再度加熱処理して
も良品化することは非常に困難であるが、冷却処理では
熱履歴はそれ程問題とならないので、本実施形態の如く
位置決めを再試行し、正しい基板載置位置71内で再度
冷却処理することは有効である。
例えば冷却プレート61に振動を付与する振動装置を設
けても良いし、支持ピンを35を少なくとも1回以上上
下動させるように構成しても構わない。
様に、冷却処理ユニットにおいてもずれ位置の推定を行
うように構成しても構わない。
ウェハWの裏面にパーティクル等のゴミ80が付着、或
いはホットプレート31上にゴミ80が付着していた場
合、前述のような案内ガイド43上に乗り上げた位置が
異なるのと同様にホットプレート31の温度センサー3
9による温度検出にバラツキが生ずることとなる。
に、ウェハW自体の形状の変化、例えばそり81等の凸
凹が発生している場合において、他の正常なフラットな
ウエハWに比べホットプレート31の温度センサー39
による温度検出にバラツキが生ずることとなる。
不具合は、搬送装置22又は支持ピン35とウェハWの
位置ずれを自動的に修正が容易に出来できうるものでは
ないのであるので、例えば図19に示すようなシーケン
スにて判断することが可能である。すなわち、ホットプ
レート31上にウエハWを搬送した際に複数の温度セン
サー39により温度検出にバラツキが生ずるか否かを判
断する(ステップ82)。このときのバラツキ量が所定
の量以下であれば正常とみなすことが出来るので終了す
る。
異常であるので所定回数ループ処理(ステップ83)を
繰り返す、この繰り返しにおいて、搬送装置22又は支
持ピン35によりウェハWの位置ずれを修正する動作
(ステップ87)を所定回数、例えば3回(カウンター
値3)行う。
にウエハWを搬送した際の複数の温度センサー39によ
る温度検出バラツキ量が所定の量以下、つまり正常とみ
なしても良い状態となればカウンターの値を0にし(ス
テップ85)、搬送装置22によるウェハWの搬送の位
置ずれから次のウェハWを搬送する位置情報を校正して
記憶し動作を終了する。
3)を繰り返しても、バラツキ量が所定の量以上である
場合、つまり搬送装置22又は支持ピン35によりウェ
ハWの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因(例
えば前述のようなパーティクルの付着によるもの或いは
ウエハWの形状或いは搬送装置22又は支持ピン35の
動作不良等)であるとみなし、ルート84に進み異常対
応(ステップ88)を行いカウンターの値を0にし(ス
テップ85)、終了する。
は、例えば前述のように警報を作業員等に発してもよい
し、さらにそのウエハWは実質的に処理が不完全である
のでそのウエハWは不具合として情報を記憶し、また所
定の手段、例えば表示で見れたり、通信等で外部にその
情報を伝達するようにするのが好ましい。これにより不
完全なウエハWをこの処理の後工程で処理することなく
カセットC等に排出したりでき、処理の無駄を省くこと
が可能となる。
た際の温度センサー39による温度検出は、例えば図2
0に示すようにしきい値を例えば、89℃とした場合、
温度検出値が第1の領域90に存在する場合を正常とみ
なし、温度検出値が第2の領域91に存在する場合を搬
送装置22又は支持ピン35によりウェハWの位置ずれ
を修正出来ない要因に起因する原因(前述のようにパー
ティクル等の原因)によるものとみなし、温度検出値が
第3の領域92に存在する場合を搬送装置22又は支持
ピン35によりウェハWの位置ずれを修正出来る要因に
起因する原因(例えば案内ガイド34等にウェハWが乗
り上げている場合等)によるものとみなすものである。
は、ホットプレート31とウエハWとの間の距離にも比
例し、案内ガイド34等にウェハWが乗り上げている場
合のホットプレート31とウエハWとの間の距離はパー
ティクル等の原因等によるホットプレート31とウエハ
Wとの間の距離より大きいため、その分ある程度温度に
差が生じるのを区別するものである。
による温度検出値で搬送装置22又は支持ピン35によ
りウェハWの位置ずれを修正するのか、それともウェハ
Wの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因による
ものかを判断することにより毎回、搬送装置22又は支
持ピン35によりウェハWの位置ずれを修正することな
く正確に異常時の対応動作を行うことが可能となる。こ
れにより処理のスループット或いは装置の稼働率を向上
することが可能となる。
33、例えばヒーターを径方向に複数例えば四つH1〜
H4備えた例である。これらの発熱素子33には、温度
センサー39が各1つ以上設けられ、領域毎に温度を検
出することが出来るよう構成されている。
は発熱素子33を一つ設けたシステムに比べてよりウェ
ハWの温度の面内均一性をコントロールすることが出来
るものである。
31上にウェハWが搬送された際に前述したしきい値以
下に温度が低下するか否か或いは所定の領域に温度が低
下したか否かによって各温度センサー39の情報に基づ
いて判断しても良いが、例えばホットプレート31の各
発熱素子33毎の面積に対する総発熱量と各発熱素子3
3毎に対応し熱を一時的に奪うウェハWの面積当たりの
熱の消費量とが各発熱素子33H1〜H4で異なること
が考えられる。したがって温度の低下点が正常な領域に
存在するか否かについては、図22に示すように異なる
領域Z1〜Z4を設定し、対応するのが好ましい。この
異なる領域Z1〜Z4を設定し、各Z1〜Z4毎に図2
0にて説明したように、ウェハWの位置ずれを修正出来
ない要因に起因する原因によるものか否を判断する領域
を設定しても良い。
現像システム1内に複数の加熱処理ユニット(或いは冷
却処理ユニット)が設けられた場合には、次のように構
成する。
プレート上に搬送されたウェハWが基板載置位置に正確
に載置されていないものとみなされたときには、該加熱
処理ユニットによる加熱処理を禁止して以降残りの加熱
処理ユニットで加熱処理を行わせるように構成する。こ
れにより、加熱処理による不良が連続的に発生するのを
防止することができ、しかもかかる不良が発生してもシ
ステムを停止することなく通常の加熱処理を続行でき
る。
加熱処理の禁止は連続的にウェハWが基板載置位置に正
確に載置されていないものとみなされたときだけ行うよ
うにしてもよい。これにより、加熱処理による不良が連
続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる
不良が発生してもシステムを停止することなく通常の加
熱処理を続行でき、更に偶発的にホットプレート上に搬
送されたウェハWが基板載置位置に正確に載置されてい
なかったときには当該加熱処理ユニットによる加熱処理
が禁止されるこはなくなる。
等を発するための手段としてスピーカや表示部が制御部
40に接続されているとしたが、本発明はかかる例には
限定されず、例えば制御部40に警報情報として記憶媒
体、例えばハードデイスク或いはRAM等の記憶メモリ
ー或いはフロッピーディスク等に記憶しておいても良い
し、装置外部のCPUに対して警報情報を所定の通信に
より発するようにしても良い。
位置での温度を検出する温度センサ39を配置したが、
複数ではなく一箇所での検出でもよいことに言うまでも
無く発明はかかる例には限定されない。
にウェハWを用いた例について説明したが、本発明はか
かる例には限定されず、例えばLCD基板を使用する例
についても適用が可能である。
処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置
されていない状態等を迅速に検知し、加熱処理や冷却処
理の際の不良を最小限に食い止めることができる。ま
た、本発明によれば、処理板上に搬送された基板の基板
載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速か
つ正確に行うことができる。
システムの平面図である。
面図である。
面図である。
ける空気の流れを示す正面図である。
である。
る。
の動作(その1)の説明図である。
の動作(その2)の説明図である。
の動作(その3)の説明図である。
ットの動作(その4)の説明図である。
ットでの温度変化を示す図である。
ットの説明図である。
ユニットの説明図である。
ユニットでの温度変化を示す図である。
処理ユニットの平面図である。
ユニットの正面図である。
ユニットの断面図である。
ユニットの断面図である。
る処理フロー図である。
理ユニットでの温度変化を示す図である。
ユニットの説明図である。
理ユニットでの温度領域を示す図である。
トの概略的な正面図である。
Claims (25)
- 【請求項1】 基板を加熱処理または冷却処理する処理
装置において、 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理また
は冷却処理する処理板と、 前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上
に設けられた基板案内用の案内部材と、 前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、 前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサに
より検出された温度が所定以上変化しないとき、異常が
発生したものとみなす手段とを具備することを特徴とす
る処理装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が所定
以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみな
すことを特徴とする処理装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が所定
以上変化しないとき、前記基板が不良であるとみなすこ
とを特徴とする処理装置。 - 【請求項4】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が所定
以上変化しないとき、前記基板にゴミが付着したものと
みなすことを特徴とする処理装置。 - 【請求項5】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が第1
の値以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基
板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものと
みなし、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度
センサにより検出された温度が前記第1の温度よりも小
さくかつ前記第1の値よりも小さい第2の値以上変化し
ないとき前記基板が不良または前記基板にゴミが付着し
たものとみなすことを特徴とする処理装置。 - 【請求項6】 請求項1に記載の処理装置において、 前記前記異常発生みなし手段により異常が発生したもの
とみなされたとき、警報を発する手段を具備することを
特徴とする処理装置。 - 【請求項7】 請求項1に記載の処理装置において、 前記処理板表面から出没可能配置され、基板の受け渡し
を行うための複数のピンと、 前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なされたとき前記ピンを処理板表面から突き出し再び処
理板表面より没入させる没入手段とを具備することを特
徴とする処理装置。 - 【請求項8】 請求項7に記載の処理装置において、 前記没入手段が前記ピンを処理板表面から突き出し再び
処理板表面より没入させた後に、前記温度センサにより
検出された温度が所定以上変化しないとき、前記基板が
不良または前記基板にゴミが付着したものとみなす手段
を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項9】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なされたとき前記処理板に振動を付与する手段を具備す
ることを特徴とする処理装置。 - 【請求項10】 請求項9に記載の処理装置において、 前記処理板が、基板を冷却処理するものであることを特
徴とする処理装置。 - 【請求項11】 請求項1に記載の処理装置において、 前記案内部材の前記基板載置位置側の壁面のほぼ垂直部
分の高さが1mmを越えることを特徴とする処理装置。 - 【請求項12】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なすために前記温度センサにより検出される温度変化
は、前記温度センサにより検出された温度と予め定めら
れた温度との比較によって行われることを特徴とする処
理装置。 - 【請求項13】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なすために前記温度センサにより検出される温度変化
は、前記温度センサにより検出された温度の変化と予め
定められた変化温度との比較によって行われることを特
徴とする処理装置。 - 【請求項14】 基板を加熱処理または冷却処理する処
理装置において、 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理また
は冷却処理する処理板と、 前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上
に設けらた基板案内用の案内部材と、 前記処理板の基板載置位置の中心から所定距離離れた位
置に設けられた温度センサと、 前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサに
より検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送され
た基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する手
段とを具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項15】 基板を加熱処理または冷却処理する処
理装置において、 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理また
は冷却処理する処理板と、 前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上
に設けらた基板案内用の案内部材と、 前記処理板のそれぞれ別個の位置に設けられた複数の温
度センサと、 前記処理板上に基板が載置された際の前記各温度センサ
により検出された温度の差異に基づき、前記処理板上に
搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推
定する手段とを具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項16】 請求項15に記載の処理装置におい
て、 前記温度センサが、前記処理基板上の3カ所以上の位置
に設けられていることを特徴とする処理装置。 - 【請求項17】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設
けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置され
た際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上
変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記
基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手
段とを具備する複数の処理装置と、 少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための
搬送装置と、 1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみな
されたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの
処理装置で処理を行わせる手段とを具備することを特徴
とする処理システム。 - 【請求項18】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設
けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置され
た際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上
変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記
基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手
段とを具備する複数の処理装置と、 少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための
搬送装置と、 1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものと連続
してみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止し
て残りの処理装置で処理を行わせる手段とを具備するこ
とを特徴とする処理システム。 - 【請求項19】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設
けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置され
た際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上
変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記
基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手
段とを具備する複数の処理装置と、 少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための
搬送装置と、 1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみな
されたとき、当該処理装置による処理された基板にマー
キングを施す手段とを具備することを特徴とする処理シ
ステム。 - 【請求項20】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記
処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に
載置されているかどうか判別する方法であって、 前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、 前記検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処
理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載
置されていないものとみなす工程とを具備することを特
徴とする判別方法。 - 【請求項21】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を検出する方法であって、 前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、 前記検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送され
た基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工
程とを具備することを特徴とする検出方法。 - 【請求項22】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を検出する方法であって、 前記処理板の複数位置の温度を検出する工程と、 前記検出された複数位置での温度の差異に基づき、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を推定する工程とを具備することを特徴とする検
出方法。 - 【請求項23】 載置された基板を加熱処理または冷却
処理する処理板と、 この処理板と前記基板とを所定の間隔に維持するシート
と、 前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、 前記処理板上に基板が載置された際に前記温度センサに
より検出された温度が所定値以上変化しないとき、異常
と判断及び/または前記処理板上に基板を再載置するよ
う判断する制御機構とを具備することを特徴とする処理
装置。 - 【請求項24】 請求項23に記載の処理装置におい
て、 前記処理板には、発熱機構が複数設けられ、その発熱機
構には各々温度センサが設けられ、前記処理板上に基板
が載置された際に前記各温度センサにより検出された温
度の正常とみなす許容範囲は各々異なることを特徴とす
る処理装置。 - 【請求項25】 請求項23に記載の処理装置におい
て、 前記処理板上に基板が載置された際に前記各温度センサ
により検出された温度により搬送装置及び/または支持
ピンにより基板の位置ずれを修正出来ない要因に起因す
る原因か否かを判断することを特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35101699A JP3577436B2 (ja) | 1999-02-16 | 1999-12-10 | 処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法 |
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