JP2000306825A

JP2000306825A - 処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法

Info

Publication number: JP2000306825A
Application number: JP35101699A
Authority: JP
Inventors: Koji Harada; 浩二原田; Juichi Nakayama; 寿一中山; Atsushi Okura; 淳大倉
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-02-16
Filing date: 1999-12-10
Publication date: 2000-11-02
Anticipated expiration: 2019-12-10
Also published as: JP3577436B2

Abstract

(57)【要約】【課題】処理板上に搬送された基板が基板載置位置に
正確に載置されていない状態等を迅速に検知し、加熱処
理や冷却処理の際の不良を最小限に食い止めることがで
きる技術を提供すること。【解決手段】ホットプレート３１上の基板載置位置に
正確にウェハＷが載置されたときにホットプレート３１
の温度が所定のしきい値以下となるのに対して、ホット
プレート３１上の基板載置位置に正確にウェハＷが載置
されていないときには所定のしきい値となる。そこで、
ホットプレート３１上にウェハＷが載置されたときにホ
ットプレート３１の温度が所定のしきい値以上になった
ときに、ウェハＷが案内ガイド４３上に乗り上げたもの
とみなし、スピーカや表示部より警報を発している

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板、例えば特に
半導体ウェハやＬＣＤ用基板等にレジストの塗布や現像
処理を施す装置等に具備され基板に熱処理を適切に施す
ための処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の塗布・現像処理システムでは、
一般に基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡
し、更に露光装置から露光された基板を受け取り、現像
処理を施すことが行われており、更にその露光の前後等
においては基板に対して加熱処理や冷却処理が施されて
いる。

【０００３】図２３は半導体ウェハ（以下、単に「ウェ
ハ」と呼ぶ。）に対して加熱処理を施す加熱処理ユニッ
トの概略的な正面図である。

【０００４】図２３において、１０１はウェハＷに対し
て加熱処理を施すためのホットプレートであり、このホ
ットプレート１０１上にはホットプレート１０１上でウ
ェハＷを浮かせて保持するためのプロキシミティピン１
０２及びプロキシミティシート１０２’が配置され、更
にホットプレート１０１上のほぼ中央のウェハ載置位置
１０３に向けて傾斜面１０４を有する複数のガイド１０
５がウェハ載置位置１０３を取り囲むように設けられて
いる。

【０００５】また、このユニットには、システム内でウ
ェハＷを搬送するための搬送装置との間でウェハＷの受
け渡しを行うための昇降ピン（図示を省略）がホットプ
レート１０１表面から出没可能に配置されている。そし
て、昇降ピンがホットプレート１０１表面から突き出た
状態で搬送装置からウェハＷを受け取って下降し、ホッ
トプレート１０１表面から没入する。これにより、ウェ
ハＷはホットプレート１０１表面上に載置されることに
なる。

【０００６】その際、搬送装置が昇降ピンに対してウェ
ハＷを正確な位置に受け渡さないとウェハＷをウェハ載
置位置１０３の正確な載置位置に載置できない。そのた
め、上記のようにガイド１０５を設け、搬送装置が昇降
ピンに対してウェハＷを多少ずれた位置に対して受け渡
したときでも、ウェハＷをガイド１０５を介してウェハ
載置位置１０３の正確な載置位置に導かれるようにして
いる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、搬送装
置が昇降ピンに対してウェハＷを受け渡した位置が相当
ずれているときには、ウェハＷがガイド１０５の上に乗
り上げてしまい、熱処理が正確に行われず製品不良が発
生する。そして、このような不良の発生は後工程の検査
工程で発見されるのが通常であり、しかもこのような搬
送装置による昇降ピンに対するウェハＷの受け渡しの位
置ずれは偶発的ではなく、連続的に発生することが多い
ことから、不良が発見されたときは既に相当数の不良が
発生していることになり、その被害は甚大である。

【０００８】本発明はかかる課題を解決するためになさ
れもので、処理板上に搬送された基板が基板載置位置に
正確に載置されていない状態等を迅速に検知し、加熱処
理や冷却処理の際の不良を最小限に食い止めることがで
きる技術を提供することを目的としている。

【０００９】本発明の別の目的は、処理板上に搬送され
た基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、
調整を迅速かつ正確に行うことができる技術を提供する
ことを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の処理装置は、基板が表面に載置され、載置
された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前
記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に
設けられた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定
の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板
が載置された際の前記温度センサにより検出された温度
が所定以上変化しないとき、異常が発生したものとみな
す手段（例えば前記処理板上に基板が載置された際の前
記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しな
いとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置
位置に正確に載置されていないものとみなす手段）とを
具備することを特徴とする。

【００１１】処理板上に搬送された基板が案内部材上に
乗り上げて基板載置位置からずれると、基板が案内部材
上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が処理
板表面と接触するだけで、当該基板は処理板上から浮い
た状態となる。一方、例えば基板を加熱処理する処理板
では、当該処理板上に基板が載置されると処理板が基板
から熱を奪われ温度が一旦低下する。そして、基板が処
理板上から浮いた状態となった場合、基板が基板載置位
置に正確に載置された場合と比較すると、基板が処理板
上に載置された際の温度の低下が小さくなる。本発明は
かかる点に着目し、処理板上に基板が載置された際の温
度センサにより検出された処理板の温度が所定以上変化
しないとき、例えば処理板上に搬送された基板が基板載
置位置に正確に載置されていないものとみなすことで、
処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置
されていない状態を迅速に検知している。従って、本発
明によれば、加熱処理や冷却処理の際の不良を最小限に
食い止めることができる。

【００１２】本発明の処理装置は、基板が表面に載置さ
れ、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理
板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処
理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板
の基板載置位置の中心から所定距離離れた位置に設けら
れた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際
の前記温度センサにより検出された温度に基づき、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を推定する手段とを具備する。

【００１３】処理板上に搬送された基板が案内部材上に
乗り上げて基板載置位置からずれると、基板が案内部材
上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が処理
板表面と接触するだけで、当該基板は処理板上から浮い
た状態となる。一方、例えば基板を加熱処理する処理板
では、当該処理板上に基板が載置されると処理板が基板
から熱を奪われ温度が一旦低下する。そして、基板が処
理板上から浮いた状態となった場合、基板が基板載置位
置に正確に載置された場合と比較すると、基板が処理板
上に載置された際の温度の低下が小さくなり、しかもこ
のような温度の低下は処理板上の位置に応じて異なる。
例えば、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くとそ
の反対側（基板が案内部材上に乗り上げた位置とは反対
側の当該基板の端部が接触する位置の近く）とでは、基
板が処理板上に載置された際の温度の低下が異なる。即
ち、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くにおける
基板と処理板との間隔は、その反対側における基板と処
理板との間隔と比べると、より大きいため、基板が案内
部材上に乗り上げた位置の近くにおける、基板が処理板
上に載置された際の温度の低下はより小さい。本発明は
かかる点に着目し、処理板上に基板が載置された際の処
理板の所定位置における温度センサにより検出された温
度に基づき、処理板上に搬送された基板の基板載置位置
からのずれ位置を推定することで、処理板上に搬送され
た基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、
調整を迅速かつ正確に行うことができるようにしたもの
である。

【００１４】本発明の処理システムは、基板が表面に載
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板のそれぞれ別個の位置に設けられた複数の温度セン
サと、前記処理板上に基板が載置された際の前記各温度
センサにより検出された温度の差異に基づき、前記処理
板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位
置を推定する手段とを具備する。

【００１５】本発明では、処理板上に基板が載置された
際の処理板における異なる位置に配置された各温度セン
サにより検出された温度の差異に基づき、処理板上に搬
送された基板の基板載置位置からのずれ位置を推定する
ことで、処理板上に搬送された基板の基板載置位置から
のずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速かつ正確に行う
ことができるようにしたものである。

【００１６】本発明の処理システムは、基板が表面に載
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理
板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出
された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置
と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするた
めの搬送装置と、１つの前記処理装置で前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなされたとき、当該処理装置による処理
を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手段とを具
備する。

【００１７】本発明では、１つの処理装置で処理板上に
搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていな
いものとみなされたとき、当該処理装置による処理を禁
止して残りの処理装置で処理を行わせるようにしている
ので、加熱処理または冷却処理による不良が連続的に発
生するのを防止することができ、しかもかかる不良が発
生してもシステムを停止することなく通常の処理を続行
できる。

【００１８】本発明の処理システムは、基板が表面に載
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理
板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出
された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置
と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするた
めの搬送装置と、１つの前記処理装置で前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものと連続してみなされたとき、当該処理装置に
よる処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手
段とを具備する。

【００１９】本発明では、１つの処理装置で処理板上に
搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていな
いものと連続してみなされたとき、当該処理装置による
処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせるように
しているので、加熱処理または冷却処理による不良が連
続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる
不良が発生してもシステムを停止することなく通常の処
理を続行でき、更に偶発的に処理板上に搬送された基板
が基板載置位置に正確に載置されていなかったときには
当該処理装置による処理が禁止されるこはなくなる。

【００２０】本発明の処理システムは、基板が表面に載
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理
板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出
された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置
と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするた
めの搬送装置と、１つの前記処理装置で前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなされたとき、当該処理装置による処理
された基板にマーキングを施す手段とを具備する。

【００２１】本発明では、１つの処理装置で処理板上に
搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていな
いものとみなされたとき、当該処理装置による処理され
た基板にマーキングを施すようにしているので、加熱処
理または冷却処理による不良が発生してもシステムを停
止することなく通常の処理を続行でき、しかも不良基板
を正常基板から容易に区分することができる。なお、こ
こで、マーキングとは、基板に実際に直接付されるマー
キングの他、ソフトウェア上で正常基板から区別できる
ように不良基板にマーキングするような場合も含まれ
る。

【００２２】本発明は、基板が表面に載置され、載置さ
れた基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記
処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設
けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内
で、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置
に正確に載置されているかどうか判別する方法であっ
て、前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、前
記検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理
板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置
されていないものとみなす工程とを具備する。

【００２３】本発明は、基板が表面に載置され、載置さ
れた基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記
処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設
けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内
で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置
からのずれ位置を検出する方法であって、前記処理板の
所定位置の温度を検出する工程と、前記検出された温度
に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載
置位置からのずれ位置を推定する工程とを具備する。

【００２４】本発明は、基板が表面に載置され、載置さ
れた基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記
処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設
けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内
で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置
からのずれ位置を検出する方法であって、前記処理板の
複数位置の温度を検出する工程と、前記検出された複数
位置での温度の差異に基づき、前記処理板上に搬送され
た基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工
程とを具備する。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、半導体ウェハに化学増幅型
レジストを塗布し、現像するレジスト塗布現像システム
に本発明を適用した実施形態を図面に基づき説明する。

【００２６】図１はこの実施形態に係るレジスト塗布現
像システムの平面図、図２は図１に示したレジスト塗布
現像システムの正面図、図３は図１に示したレジスト塗
布現像システムの背面図、図４は図１に示したレジスト
塗布現像システムにおける空気の流れを示す正面図であ
る。

【００２７】図１に示すように、このレジスト塗布現像
システム１は、カセットステーション１０、処理ステー
ション１１及びインターフェイス部１２を一体に接続し
た構成を有している。カセットステーション１０では、
ウェハＷがカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位
で外部からレジスト塗布現像システム１に搬入され、ま
たレジスト塗布現像システム１から外部に搬出される。
また、カセットＣに対してウェハＷが搬出・搬入され
る。処理ステーション１１では、塗布現像処理工程の中
で１枚ずつウェハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インタ
ーフェイス部１２では、このレジスト塗布現像システム
１に隣接して設けられる露光装置１３との間でウェハＷ
が受け渡される。

【００２８】カセットステーション１０では、カセット
載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に複数個、例
えば４個のカセットＣが、それぞれのウェハＷ出入口を
処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下
方向）一列に載置される。このカセットＣ配列方向（Ｘ
方向）およびカセットＣ内に収容されたウェハＷのウェ
ハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ
搬送装置２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在であ
り、各カセットＣに選択的にアクセスする。

【００２９】ウェハ搬送装置２１は、θ方向に回転自在
に構成されており、後述するように処理ステーション１
１側の第３の処理装置群Ｇ３の多段ユニット部に属する
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっ
ている。

【００３０】処理ステーション１１では、図１に示すよ
うに、その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設け
られ、その周りに処理室としての各種処理ユニットが１
組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理ユニ
ット群を構成している。このレジスト塗布現像システム
１においては、５つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ
３、Ｇ４、Ｇ５が配置可能な構成であり、第１および第
２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２はシステム正面側に配置
され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセットステーショ
ン１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４
はインターフェイス部１２に隣接して配置され、さらに
破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５を背面側に配置
することが可能となっている。搬送装置２２は、θ方向
に回転自在でＺ方向に移動可能に構成されており、各処
理ユニットとの間でウェハＷの受け渡しが可能とされて
いる。

【００３１】第１の処理ユニット群Ｇ１では、図２に示
すように、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像
処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられて
いる。そして第１の処理ユニット群Ｇ１と同様に、第２
の処理ユニット群Ｇ２においても、２台のスピンナ型処
理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及
び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ね
られている。

【００３２】第３の処理ユニット群Ｇ３では、図３に示
すように、ウェハＷを載置台（図示せず）に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行う冷却処理ユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着
性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージ
ョン処理ユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメ
ントユニット（ＡＬＩＭ）、エクステンションユニット
（ＥＸＴ）、プリベークを行う加熱処理ユニット（ＰＲ
ＥＢＡＫＥ）及びポストベークを行う加熱処理ユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられ
ている。

【００３３】同様に、第４の処理ユニット群Ｇ４では、
ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型
の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニッ
ト（ＣＯＬ）、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷
却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）、アドヒージョン処理ユニット（Ａ
Ｄ）、プリベークを行う加熱処理ユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）及びポストベークを行う加熱処理ユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられてい
る。

【００３４】インターフェイス部１２では、図１に示す
ように、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。図１及び図２に
示すように、このインターフェイス部１２の正面側に
は、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバ
ッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には
周辺露光装置２４が配設されている。

【００３５】インターフェイス部１２の中央部には、ウ
ェハ搬送装置２５が設けられている。ウェハ搬送装置２
５は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセッ
トＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２４にアクセスできるよ
うになっている。ウェハ搬送装置２５は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、処理ステーション
１１側の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装
置側のウェハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスでき
るようになっている。

【００３６】図４に示すように、カセットステーション
１０の上部にはフィルタ２６が、処理ステーション１１
の上部にはフイルタ２７が、インタフェース部１２の上
部にはフィルタ２８がそれぞれ取り付けられている。こ
れらのフィルタは上部空間２９を共有している。この上
部空間２９はダクト（図示を省略）を介して下方の空調
装置（図示を省略）に連通し、アンモニアを除去し、湿
度及び温度が制御された清浄空気が空調装置から上部空
間２９に供給されるようになっている。清浄空気は、上
部空間２９から各フィルタを通って下方に向けて吹き出
され、これにより清浄空気のダウンフローが各部１０、
１１、１２に形成されるようになっている。

【００３７】図５は上述した加熱処理ユニットの正面
図、図６はその平面図である。

【００３８】図５及び図６に示すように、上記の加熱処
理ユニットのほぼ中央には、ウェハＷを加熱処理するた
めの処理板としてのホットプレート３１が配置されてい
る。このホットプレート３１では、例えばウェハＷより
少し大きな直径で円形状の保持板３２の裏面側に、例え
ばこの保持板３２とほぼ同形状の発熱素子３３、例えば
ヒーター或いはペルチェ素子等が保持板３２と密着する
ように配置されている。発熱素子３３は、例えば電流が
流されることで発熱する抵抗体により構成され、制御機
構としての制御部４０によりこの電流値が制御されるこ
とで加熱処理のための温度が制御されるようになってい
る。

【００３９】ホットプレート３１の表面と裏面との間
に、複数カ所、例えば３カ所に貫通穴３４が設けられて
いる。これら貫通穴３４には、それぞれ、ウェハＷの受
け渡しのための複数本、例えば３本の支持ピン３５が出
没可能に介挿されている。これら支持ピン３５は、保持
板３２の裏面側に配置された結合部材３６により、保持
板３２の裏面側で一体に結合されている。結合部材３６
は、保持板３２の裏面側に配置された昇降機構３７に接
続されている。昇降機構３７の昇降動作により、支持ピ
ン３５は保持板３２の表面から突き出たり、没したりす
る。支持ピン３５は、保持板３２の表面から突き出た状
態で、搬送装置２２との間でウェハＷの受け渡しを行
う。搬送装置２２からウェハＷを受け取った支持ピン３
５は、下降して保持板３２内に没し、これによりウェハ
Ｗが保持板３２の表面に密着し、ウェハＷの加熱処理が
行われるようになっている。

【００４０】保持板３２の上方には、保持板３２により
保持されるウェハＷを覆うように、蓋体５１が配置され
ている。蓋体５１は、図示を省略した昇降機構により昇
降可能とされている。該ユニット内では、蓋体５１が上
昇し蓋体５１が開いた状態で、搬送装置２２との間でウ
ェハＷの受け渡しを行い、蓋体５１が下降し蓋体５１が
閉じた状態で、密閉空間を形成し、ウェハＷの加熱処理
が行われるようになっている。

【００４１】蓋体５１は、そのほぼ中央に向かって上向
きに傾斜する構造を有し、そのほぼ中央、つまり保持板
３２により保持されたウェハＷのほほ中央に対応する位
置に排気口５２が設けられている。排気口５２には、真
空ポンプ等の排気装置５３が接続され、密閉空間内の排
気が行われるようになっている。

【００４２】また、ホットプレート３１の周囲には、ホ
ットプレート３１を取り囲むようにシャッター部材５４
が出没可能に配置されている。シャッター部材５４は、
ホットプレート３１の裏面に配置された昇降機構５５に
より昇降されるようになっている。さらに、シャッター
部材５４の内壁には、例えば高温の不活性ガスを噴出す
るための噴出孔５６が多数設けられている。噴出孔５６
は噴出孔５６へ高温ガスを供給する高温ガス供給装置１
０６に接続されている。保持板３２上にウェハＷを保持
し、ウェハＷを加熱処理するとき、シャッター部材５４
がホットプレート３１表面から突き出て、噴出孔５６か
ら保持板３２上に保持されたウェハＷの表面に向けて高
温ガスが噴出されるようになっている。

【００４３】ここで、加熱処理ユニット内でウェハＷの
加熱処理を良好に行うためには、ウェハＷは温度分布の
ばらつきが少ないホットプレート３１上のほぼ中心に載
置される必要がある。このようにホットプレート３１上
でウェハＷが本来載置されるべき位置を基板載置位置と
呼び、図６中点線で囲まれた領域４１が基板載置位置で
ある。

【００４４】そして、ウェハＷをホットプレート３１上
に密着することなくホットプレート３１上で浮かせて、
つまりホットプレートとウェハＷとが直接接しないよう
に所定の間隔にホットプレート３１上にウェハＷを離間
して保持するためのプロキシミティシート４２’が基板
載置位置４１の外周部の複数カ所、例えば６カ所に配置
され、更に基板載置位置４１の中央にプロキシミティピ
ン４２が配置されている。

【００４５】また、基板載置位置４１の外周部に配置さ
れたプロキシミティシート４２’は、それぞれ基板載置
位置４１の外側に延在しており、各プロキシミティシー
ト４２’の延在した位置には、それぞれ基板案内用の案
内ガイド４３が配置されている。従って、本実施の形態
においては、６個の案内ガイド４３が基板載置位置４１
を取り囲むようにホットプレート３１上に設けられてい
る。案内ガイド４３は例えば断面が矩形で、高さ（少な
くとも基板載置位置４１側の壁面のほぼ垂直部分の高
さ）が１ｍｍを越えるもの、より好ましくは３ｍｍ前後
とされている。

【００４６】また、基板載置位置４１の中央から所定距
離離れた位置、例えば基板載置位置４１の外周に近い位
置には、ホットプレート３１の裏面から表面に向けて所
定の深さの有底の穴３８が設けられている。この穴３８
の底部（穴３８内で保持板３２の表面に最も近い位置）
には、例えば熱伝対である温度センサ３９が配置されて
いる。この温度センサ３９による検出結果は制御部４０
に送られるようになっており、制御部４０ではこの検出
結果に基づき発熱機構としての発熱素子３３に対する電
流の制御や後述するウェハＷ載置不良の検出等が行われ
る。また、制御部４０には、警報等を発するためのスピ
ーカや表示部（図示を省略）が接続されている。その
際、表示部では、処理をそのまま続行するかどうかを作
業者に提示し、作業者からはこの提示に応じて図示を省
略したキーボードや入力部を兼ねる表示部等から作業の
続行を指示してもよいし、処理を中断するようにしても
よい。そして、加熱処理を中断するようにすれば、後述
する搬送装置２２と支持ピン３５との位置ずれを即座に
修正することができる。また、そのまま処理を続行すれ
ばシステムにおけるスループットを落とさずに処理を行
うことができる。ただし、この場合、加熱不良のウェハ
Ｗが良品と混在してシステム内を流れることになる。そ
こで、このように処理を続行するような場合にはウェハ
Ｗに対して不良であることを示すマーキングを行うよう
にすればよい。このようなマーキング方法としては、実
際にウェハＷに対してマーキングを行う他、ソフトウェ
ア上で良品から区別できるように不良ウェハＷにマーキ
ングするように構成しても構わない。

【００４７】次に、このように構成された加熱処理装置
の動作を図７〜図１０に基づき説明する。

【００４８】まず、図７に示すように、ホットプレート
３１の表面から支持ピン３５が突き出た状態で、搬送装
置２２から支持ピン３５上にウェハＷが受け渡される。

【００４９】次に、図８に示すように、搬送装置２２か
らウェハＷを受け取った支持ピン３５が下降してホット
プレート３１内に没入し、これによりウェハＷがホット
プレート３１上に載置される。そして、ウェハＷの加熱
処理が行われるようになっている。

【００５０】その後、ウェハＷの加熱処理が終了する
と、再び支持ピン３５が突き出て、搬送装置２２が支持
ピン３５上に載置されたウェハＷを受け取る。

【００５１】図７は及び図８は搬送装置２２と支持ピン
３５との間でのウェハＷの受け渡しが位置ずれすること
なく行われ、ウェハＷがホットプレート３１の基板載置
位置４１内に正確に載置された例を示している。

【００５２】ところが、図９に示すように、搬送装置２
２から支持ピン３５へウェハＷを受け渡す際に、ウェハ
Ｗが支持ピン３５上の所望の位置（点線で示す。）から
ずれた位置に受け渡されると、その後支持ピン３５が下
降してホットプレート３１内に没入したときに、図１０
に示すように、ウェハＷは基板載置位置４１内に正確に
載置されずに案内ガイド４３上に乗り上げてしまう。

【００５３】図１１は加熱処理の際に温度センサ３９に
より検出されるホットプレート３１の温度変化を示して
いる。図１１は図８に示したようにウェハＷがホット
プレート３１の基板載置位置４１内に正確に載置された
ときの温度変化、図１１は図１０に示したようにウェ
ハＷは基板載置位置４１内に正確に載置されずに案内ガ
イド４３上に乗り上げたときの温度変化を示している。
この図から分かるように、ウェハＷがホットプレート３
１の基板載置位置４１内に正確に載置されたときとウェ
ハＷが基板載置位置４１内に正確に載置されずに案内ガ
イド４３上に乗り上げたときとでは、温度変化が異な
る。具体的には、前者が後者と比べ温度が一旦より大き
く下がる。これは、ウェハＷが基板載置位置４１内に正
確に載置された方がこれらの間の近接面積が大きくホッ
トプレート３１から奪う熱量が大きいからである。

【００５４】そこで、本実施形態では、制御部４０がこ
のような温度変化の差異に基づき図１０に示したような
ウェハＷの載置不良の検出を行っている。即ち、制御部
４０では、温度センサ３９からホットプレート３１の温
度検出結果を入力しており、ホットプレート３１上にウ
ェハＷが載置されたときにホットプレート３１が所定の
しきい値以下、図１１の例でいうと例えば８９℃以下に
なったときに、図８に示したようにウェハＷがホットプ
レート３１の基板載置位置４１内に正確に載置されたも
のとみなし、ホットプレート３１上にウェハＷが載置さ
れたときにホットプレート３１が所定のしきい値以上、
図１１の例でいうと例えば８９℃以上になったときに、
図１０に示したようにウェハＷが基板載置位置４１内に
正確に載置されずに案内ガイド４３上に乗り上げたもの
とみなしている。そして、ウェハＷが案内ガイド４３上
に乗り上げたものとみなしたときには、スピーカや表示
部より警報を発している。なお、所定のしきい値として
は、上記のように絶対温度としてもよいし、ウェハＷが
載置される以前のホットプレート３１の温度を基準とし
てその基準温度からの低下温度としてもよい。

【００５５】このように本実施形態の加熱処理装置で
は、ホットプレート３１上にウェハＷが載置されたとき
にホットプレート３１の温度が所定のしきい値以上にな
ったときに、ウェハＷが案内ガイド４３上に乗り上げた
ものとみなし、スピーカや表示部より警報を発している
ので、ホットプレート３１上に搬送されたウェハＷが基
板載置位置４１に正確に載置されていない状態を迅速に
検知し、加熱処理の不良を最小限に食い止めることがで
きる。また、温度センサ３９はホットプレート３１の温
度制御のために従来から必要なデバイスであるので、特
別なハード構成を必要とせずに、上記の効果を奏する。

【００５６】また、本実施形態では、特にウェハＷを基
板載置位置４１内に案内するための案内ガイド４３の断
面が矩形でその高さが３ｍｍ前後とされているので、ウ
ェハＷが基板載置位置４１内に正確に載置されずに案内
ガイド４３上に乗り上げたときのホットプレート３１の
低下温度がより小さくなる。即ち、ウェハＷがホットプ
レート３１の基板載置位置４１内に正確に載置されたと
きとウェハＷが基板載置位置４１内に正確に載置されず
に案内ガイド４３上に乗り上げたときとの温度低下の差
異がより大きくなる。従って、これらの状態の差異をよ
り明確に区別できて誤検出がなくなると共に、上記のし
きい値の調整が容易となる。しかしながら、本発明で
は、図１２に示すように、案内ガイド４３が基板載置位
置４１内に向けてウェハ案内用の斜面４３ａを有し、そ
の高さを１ｍｍ以下とするように構成しても勿論構わな
い。そして、このような案内ガイド４３がウェハ案内用
の斜面４３ａを有することで基板載置位置４１内へのウ
ェハＷの案内をより確実に行うことができる。

【００５７】次に、本発明の他の実施形態を説明する。

【００５８】ここで、図１３に示すように、ウェハＷが
案内ガイド４３上に乗り上げた位置が異なると（例えば
図中実線のウェハＷと点線のウェハＷの如く。）、図１
４に示すように、ウェハＷが乗り上げた位置に応じて温
度変化が異なる。例えば、図１３の実線で示す場合の方
（図１４）が図１３の点線で示した場合（図１４）
と比べて温度変化が大きい。つまり、前者が後者と比べ
温度が一旦より大きく下がる。

【００５９】そこで、本実施形態では、制御部４０がこ
のような温度変化の差異に基づきホットプレート３１上
に搬送されたウェハＷの基板載置位置４１からのずれ位
置を推定し、この推定結果を例えば表示部４５に表示し
ている。従って、例えば作業者は、この表示内容に基づ
いて搬送装置２２と支持ピン３５との位置ずれを簡単に
修正することができる。また、このように推定されたず
れ位置に応じて搬送装置２２と支持ピン３５との位置ず
れを自動的に修正しても構わない。

【００６０】なお、ホットプレート３１上の複数の位
置、より好ましくは３カ所以上例えば図１５に示すよう
に３カ所に温度センサ３９を配置し、複数位置での検出
結果を用いることで、より正確にホットプレート３１上
のウェハＷのずれ位置を推定することができる。

【００６１】次に、本発明の更に別の実施形態を説明す
る。

【００６２】この実施形態は、本発明を図１乃至図４に
示した塗布現像処理システムにおける冷却処理ユニット
に適用したものである。図１６は冷却処理ユニットにお
ける冷却プレートの構成を示す正面図であり、前述の加
熱処理ユニットとほぼ同様の構成を有する。

【００６３】即ち、図１６に示すように、上記の冷却処
理ユニットのほぼ中央には、ウェハＷを冷却処理するた
めの処理板としての冷却プレート６１が配置されてい
る。この冷却プレート６１内には、例えば多数のペルチ
ェ素子６２が埋め込まれている。そして、制御部（図示
を省略）によりペルチェ素子６２に流れる電流値が制御
されることで冷却処理のための温度が制御されるように
なっている。

【００６４】冷却プレート６１の表面と裏面との間に、
複数カ所、例えば３カ所に貫通穴６４が設けられてい
る。これら貫通穴６４には、それぞれ、ウェハＷの受け
渡しのための複数本、例えば３本の支持ピン６５が出没
可能に介挿されている。これら支持ピン６５は、冷却プ
レート６１の裏面側に配置された結合部材６６により、
冷却プレート６１の裏面側で一体に結合されている。結
合部材６６は、冷却プレート６１の裏面側に配置された
昇降機構６７に接続されている。昇降機構６７の昇降動
作により、支持ピン６５は冷却プレート６１の表面から
突き出たり、没したりする。なお、冷却プレート６１の
上方には、図示を省略した昇降可能な蓋体が配置されて
いる。

【００６５】そして、プロキシミティシート７２’が基
板載置位置７１の外周部の複数カ所、例えば６カ所に配
置され、更に基板載置位置７１の中央に配置されてい
る。基板載置位置７１の外周部に配置されたプロキシミ
ティシート７２’は、それぞれ基板載置位置７１の外側
に延在しており、各プロキシミティシート７２’の延在
した位置には、それぞれ基板案内用の案内ガイド７３が
配置されている。

【００６６】また、基板載置位置７１の中央から所定距
離離れた位置、その裏面より有底の穴７８が設けられて
おり、この穴７８の底部には温度センサ７９が配置され
ている。この温度センサ７９による検出結果は制御部に
送られるようになっている。

【００６７】そして、制御部が冷却プレート６１の温度
変化の差異に基づきウェハＷの載置不良の検出を行って
いる。即ち、制御部では、温度センサ７９から冷却プレ
ート６１の温度検出結果を入力しており、冷却プレート
６１上にウェハＷが載置されたときに冷却プレート６１
が所定のしきい値以上となったときに、ウェハＷが冷却
プレート６１の基板載置位置７１内に正確に載置された
ものとみなし、冷却プレート６１上にウェハＷが載置さ
れたときに冷却プレート６１が所定のしきい値以下であ
ったときに、ウェハＷが基板載置位置７１内に正確に載
置されずに案内ガイド７３上に乗り上げたものとみなし
ている。そして、ウェハＷが案内ガイド７３上に乗り上
げたものとみなしたとき、支持ピン６５を一旦昇降して
ウェハＷを冷却プレート６１から浮かして再び支持ピン
６５を下降してウェハＷを冷却プレート６１表面に戻
し、これによりウェハＷが冷却プレート６１の基板載置
位置７１内に正確に載置される試みをしている。そし
て、再試行してもウェハＷが冷却プレート６１の基板載
置位置７１内に正確に載置されないときに警報等を発し
ている。

【００６８】従って、本実施形態の冷却処理ユニットで
は、ウェハＷの冷却不良を激減することができる。特
に、加熱処理の場合にはそれまでの熱履歴が重要である
ことから、一旦加熱処理した不良品を再度加熱処理して
も良品化することは非常に困難であるが、冷却処理では
熱履歴はそれ程問題とならないので、本実施形態の如く
位置決めを再試行し、正しい基板載置位置７１内で再度
冷却処理することは有効である。

【００６９】なお、位置決めの再試行の手段としては、
例えば冷却プレート６１に振動を付与する振動装置を設
けても良いし、支持ピンを３５を少なくとも１回以上上
下動させるように構成しても構わない。

【００７０】また、前述の加熱処理ユニットの場合と同
様に、冷却処理ユニットにおいてもずれ位置の推定を行
うように構成しても構わない。

【００７１】次に、本発明の他の実施形態を説明する。

【００７２】ここで、図１７に示すように、搬送された
ウェハＷの裏面にパーティクル等のゴミ８０が付着、或
いはホットプレート３１上にゴミ８０が付着していた場
合、前述のような案内ガイド４３上に乗り上げた位置が
異なるのと同様にホットプレート３１の温度センサー３
９による温度検出にバラツキが生ずることとなる。

【００７３】このような要因は他に図１８に示すよう
に、ウェハＷ自体の形状の変化、例えばそり８１等の凸
凹が発生している場合において、他の正常なフラットな
ウエハＷに比べホットプレート３１の温度センサー３９
による温度検出にバラツキが生ずることとなる。

【００７４】このような要因でのウェハＷの温度処理の
不具合は、搬送装置２２又は支持ピン３５とウェハＷの
位置ずれを自動的に修正が容易に出来できうるものでは
ないのであるので、例えば図１９に示すようなシーケン
スにて判断することが可能である。すなわち、ホットプ
レート３１上にウエハＷを搬送した際に複数の温度セン
サー３９により温度検出にバラツキが生ずるか否かを判
断する（ステップ８２）。このときのバラツキ量が所定
の量以下であれば正常とみなすことが出来るので終了す
る。

【００７５】一方、バラツキ量が所定の量以上であれば
異常であるので所定回数ループ処理（ステップ８３）を
繰り返す、この繰り返しにおいて、搬送装置２２又は支
持ピン３５によりウェハＷの位置ずれを修正する動作
（ステップ８７）を所定回数、例えば３回（カウンター
値３）行う。

【００７６】この所定回数の間にホットプレート３１上
にウエハＷを搬送した際の複数の温度センサー３９によ
る温度検出バラツキ量が所定の量以下、つまり正常とみ
なしても良い状態となればカウンターの値を０にし（ス
テップ８５）、搬送装置２２によるウェハＷの搬送の位
置ずれから次のウェハＷを搬送する位置情報を校正して
記憶し動作を終了する。

【００７７】また、所定回数ループ処理（ステップ８
３）を繰り返しても、バラツキ量が所定の量以上である
場合、つまり搬送装置２２又は支持ピン３５によりウェ
ハＷの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因（例
えば前述のようなパーティクルの付着によるもの或いは
ウエハＷの形状或いは搬送装置２２又は支持ピン３５の
動作不良等）であるとみなし、ルート８４に進み異常対
応（ステップ８８）を行いカウンターの値を０にし（ス
テップ８５）、終了する。

【００７８】前述の異常対応（ステップ８８）において
は、例えば前述のように警報を作業員等に発してもよい
し、さらにそのウエハＷは実質的に処理が不完全である
のでそのウエハＷは不具合として情報を記憶し、また所
定の手段、例えば表示で見れたり、通信等で外部にその
情報を伝達するようにするのが好ましい。これにより不
完全なウエハＷをこの処理の後工程で処理することなく
カセットＣ等に排出したりでき、処理の無駄を省くこと
が可能となる。

【００７９】次に、本発明の他の実施形態を説明する。

【００８０】ホットプレート３１上にウエハＷを搬送し
た際の温度センサー３９による温度検出は、例えば図２
０に示すようにしきい値を例えば、８９℃とした場合、
温度検出値が第１の領域９０に存在する場合を正常とみ
なし、温度検出値が第２の領域９１に存在する場合を搬
送装置２２又は支持ピン３５によりウェハＷの位置ずれ
を修正出来ない要因に起因する原因（前述のようにパー
ティクル等の原因）によるものとみなし、温度検出値が
第３の領域９２に存在する場合を搬送装置２２又は支持
ピン３５によりウェハＷの位置ずれを修正出来る要因に
起因する原因（例えば案内ガイド３４等にウェハＷが乗
り上げている場合等）によるものとみなすものである。

【００８１】第２の領域９１と第３の領域９２との差
は、ホットプレート３１とウエハＷとの間の距離にも比
例し、案内ガイド３４等にウェハＷが乗り上げている場
合のホットプレート３１とウエハＷとの間の距離はパー
ティクル等の原因等によるホットプレート３１とウエハ
Ｗとの間の距離より大きいため、その分ある程度温度に
差が生じるのを区別するものである。

【００８２】このような領域における温度センサー３９
による温度検出値で搬送装置２２又は支持ピン３５によ
りウェハＷの位置ずれを修正するのか、それともウェハ
Ｗの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因による
ものかを判断することにより毎回、搬送装置２２又は支
持ピン３５によりウェハＷの位置ずれを修正することな
く正確に異常時の対応動作を行うことが可能となる。こ
れにより処理のスループット或いは装置の稼働率を向上
することが可能となる。

【００８３】次に、本発明の他の実施形態を説明する。

【００８４】図２１は、ホットプレート３１の発熱素子
３３、例えばヒーターを径方向に複数例えば四つＨ１〜
Ｈ４備えた例である。これらの発熱素子３３には、温度
センサー３９が各１つ以上設けられ、領域毎に温度を検
出することが出来るよう構成されている。

【００８５】このような、発熱素子３３を複数設けるの
は発熱素子３３を一つ設けたシステムに比べてよりウェ
ハＷの温度の面内均一性をコントロールすることが出来
るものである。

【００８６】このような構成において、ホットプレート
３１上にウェハＷが搬送された際に前述したしきい値以
下に温度が低下するか否か或いは所定の領域に温度が低
下したか否かによって各温度センサー３９の情報に基づ
いて判断しても良いが、例えばホットプレート３１の各
発熱素子３３毎の面積に対する総発熱量と各発熱素子３
３毎に対応し熱を一時的に奪うウェハＷの面積当たりの
熱の消費量とが各発熱素子３３Ｈ１〜Ｈ４で異なること
が考えられる。したがって温度の低下点が正常な領域に
存在するか否かについては、図２２に示すように異なる
領域Ｚ１〜Ｚ４を設定し、対応するのが好ましい。この
異なる領域Ｚ１〜Ｚ４を設定し、各Ｚ１〜Ｚ４毎に図２
０にて説明したように、ウェハＷの位置ずれを修正出来
ない要因に起因する原因によるものか否を判断する領域
を設定しても良い。

【００８７】更に、前述の実施形態の如くレジスト塗布
現像システム１内に複数の加熱処理ユニット（或いは冷
却処理ユニット）が設けられた場合には、次のように構
成する。

【００８８】例えば、１つの加熱処理ユニットでホット
プレート上に搬送されたウェハＷが基板載置位置に正確
に載置されていないものとみなされたときには、該加熱
処理ユニットによる加熱処理を禁止して以降残りの加熱
処理ユニットで加熱処理を行わせるように構成する。こ
れにより、加熱処理による不良が連続的に発生するのを
防止することができ、しかもかかる不良が発生してもシ
ステムを停止することなく通常の加熱処理を続行でき
る。

【００８９】また、このような加熱処理ユニットによる
加熱処理の禁止は連続的にウェハＷが基板載置位置に正
確に載置されていないものとみなされたときだけ行うよ
うにしてもよい。これにより、加熱処理による不良が連
続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる
不良が発生してもシステムを停止することなく通常の加
熱処理を続行でき、更に偶発的にホットプレート上に搬
送されたウェハＷが基板載置位置に正確に載置されてい
なかったときには当該加熱処理ユニットによる加熱処理
が禁止されるこはなくなる。

【００９０】更に、上記の実施の形態においては、警報
等を発するための手段としてスピーカや表示部が制御部
４０に接続されているとしたが、本発明はかかる例には
限定されず、例えば制御部４０に警報情報として記憶媒
体、例えばハードデイスク或いはＲＡＭ等の記憶メモリ
ー或いはフロッピーディスク等に記憶しておいても良い
し、装置外部のＣＰＵに対して警報情報を所定の通信に
より発するようにしても良い。

【００９１】更に、上記の実施の形態においては、複数
位置での温度を検出する温度センサ３９を配置したが、
複数ではなく一箇所での検出でもよいことに言うまでも
無く発明はかかる例には限定されない。

【００９２】更に、上記の実施の形態においては、基板
にウェハＷを用いた例について説明したが、本発明はか
かる例には限定されず、例えばＬＣＤ基板を使用する例
についても適用が可能である。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置
されていない状態等を迅速に検知し、加熱処理や冷却処
理の際の不良を最小限に食い止めることができる。ま
た、本発明によれば、処理板上に搬送された基板の基板
載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速か
つ正確に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るレジスト塗布現像
システムの平面図である。

【図２】図１に示したレジスト塗布現像システムの正
面図である。

【図３】図１に示したレジスト塗布現像システムの背
面図である。

【図４】図１に示したレジスト塗布現像システムにお
ける空気の流れを示す正面図である。

【図５】図３に示した加熱処理ユニットを示す正面図
である。

【図６】図５に示した加熱処理ユニットの平面図であ
る。

【図７】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニット
の動作（その１）の説明図である。

【図８】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニット
の動作（その２）の説明図である。

【図９】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニット
の動作（その３）の説明図である。

【図１０】は本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニ
ットの動作（その４）の説明図である。

【図１１】本発明の一実施形態における加熱処理ユニ
ットでの温度変化を示す図である。

【図１２】本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニ
ットの説明図である。

【図１３】本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理
ユニットの説明図である。

【図１４】本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理
ユニットでの温度変化を示す図である。

【図１５】本発明のまた更に別の実施形態に係る加熱
処理ユニットの平面図である。

【図１６】本発明のまた別の実施形態に係る冷却処理
ユニットの正面図である。

【図１７】本発明のまた別の実施形態に係る加熱処理
ユニットの断面図である。

【図１８】本発明のまた別の実施形態に係る加熱処理
ユニットの断面図である。

【図１９】本発明の一実施形態における動作を説明す
る処理フロー図である。

【図２０】本発明のまた別の実施形態における加熱処
理ユニットでの温度変化を示す図である。

【図２１】本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理
ユニットの説明図である。

【図２２】本発明のまた別の実施形態における加熱処
理ユニットでの温度領域を示す図である。

【図２３】従来技術を説明するための加熱処理ユニッ
トの概略的な正面図である。

【符号の説明】

Ｗウェハ２２搬送装置３１ホットプレート３５支持ピン３９温度センサ４０制御部４１基板載置位置４３案内ガイド６１冷却プレート６５支持ピン７１基板載置位置７３案内ガイド７９温度センサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を加熱処理または冷却処理する処理
装置において、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理また
は冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上
に設けられた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサに
より検出された温度が所定以上変化しないとき、異常が
発生したものとみなす手段とを具備することを特徴とす
る処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の処理装置において、前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が所定
以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみな
すことを特徴とする処理装置。
【請求項３】請求項１に記載の処理装置において、前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が所定
以上変化しないとき、前記基板が不良であるとみなすこ
とを特徴とする処理装置。
【請求項４】請求項１に記載の処理装置において、前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が所定
以上変化しないとき、前記基板にゴミが付着したものと
みなすことを特徴とする処理装置。
【請求項５】請求項１に記載の処理装置において、前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が第１
の値以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基
板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものと
みなし、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度
センサにより検出された温度が前記第１の温度よりも小
さくかつ前記第１の値よりも小さい第２の値以上変化し
ないとき前記基板が不良または前記基板にゴミが付着し
たものとみなすことを特徴とする処理装置。
【請求項６】請求項１に記載の処理装置において、前記前記異常発生みなし手段により異常が発生したもの
とみなされたとき、警報を発する手段を具備することを
特徴とする処理装置。
【請求項７】請求項１に記載の処理装置において、前記処理板表面から出没可能配置され、基板の受け渡し
を行うための複数のピンと、前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なされたとき前記ピンを処理板表面から突き出し再び処
理板表面より没入させる没入手段とを具備することを特
徴とする処理装置。
【請求項８】請求項７に記載の処理装置において、前記没入手段が前記ピンを処理板表面から突き出し再び
処理板表面より没入させた後に、前記温度センサにより
検出された温度が所定以上変化しないとき、前記基板が
不良または前記基板にゴミが付着したものとみなす手段
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項９】請求項１に記載の処理装置において、前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なされたとき前記処理板に振動を付与する手段を具備す
ることを特徴とする処理装置。
【請求項１０】請求項９に記載の処理装置において、前記処理板が、基板を冷却処理するものであることを特
徴とする処理装置。
【請求項１１】請求項１に記載の処理装置において、前記案内部材の前記基板載置位置側の壁面のほぼ垂直部
分の高さが１ｍｍを越えることを特徴とする処理装置。
【請求項１２】請求項１に記載の処理装置において、前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なすために前記温度センサにより検出される温度変化
は、前記温度センサにより検出された温度と予め定めら
れた温度との比較によって行われることを特徴とする処
理装置。
【請求項１３】請求項１に記載の処理装置において、前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なすために前記温度センサにより検出される温度変化
は、前記温度センサにより検出された温度の変化と予め
定められた変化温度との比較によって行われることを特
徴とする処理装置。
【請求項１４】基板を加熱処理または冷却処理する処
理装置において、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理また
は冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上
に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の基板載置位置の中心から所定距離離れた位
置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサに
より検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送され
た基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する手
段とを具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１５】基板を加熱処理または冷却処理する処
理装置において、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理また
は冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上
に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板のそれぞれ別個の位置に設けられた複数の温
度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記各温度センサ
により検出された温度の差異に基づき、前記処理板上に
搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推
定する手段とを具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１６】請求項１５に記載の処理装置におい
て、前記温度センサが、前記処理基板上の３カ所以上の位置
に設けられていることを特徴とする処理装置。
【請求項１７】基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設
けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置され
た際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上
変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記
基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手
段とを具備する複数の処理装置と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための
搬送装置と、１つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみな
されたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの
処理装置で処理を行わせる手段とを具備することを特徴
とする処理システム。
【請求項１８】基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設
けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置され
た際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上
変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記
基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手
段とを具備する複数の処理装置と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための
搬送装置と、１つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものと連続
してみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止し
て残りの処理装置で処理を行わせる手段とを具備するこ
とを特徴とする処理システム。
【請求項１９】基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設
けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置され
た際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上
変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記
基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手
段とを具備する複数の処理装置と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための
搬送装置と、１つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみな
されたとき、当該処理装置による処理された基板にマー
キングを施す手段とを具備することを特徴とする処理シ
ステム。
【請求項２０】基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記
処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に
載置されているかどうか判別する方法であって、前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、前記検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処
理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載
置されていないものとみなす工程とを具備することを特
徴とする判別方法。
【請求項２１】基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を検出する方法であって、前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、前記検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送され
た基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工
程とを具備することを特徴とする検出方法。
【請求項２２】基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を検出する方法であって、前記処理板の複数位置の温度を検出する工程と、前記検出された複数位置での温度の差異に基づき、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を推定する工程とを具備することを特徴とする検
出方法。
【請求項２３】載置された基板を加熱処理または冷却
処理する処理板と、この処理板と前記基板とを所定の間隔に維持するシート
と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際に前記温度センサに
より検出された温度が所定値以上変化しないとき、異常
と判断及び／または前記処理板上に基板を再載置するよ
う判断する制御機構とを具備することを特徴とする処理
装置。
【請求項２４】請求項２３に記載の処理装置におい
て、前記処理板には、発熱機構が複数設けられ、その発熱機
構には各々温度センサが設けられ、前記処理板上に基板
が載置された際に前記各温度センサにより検出された温
度の正常とみなす許容範囲は各々異なることを特徴とす
る処理装置。
【請求項２５】請求項２３に記載の処理装置におい
て、前記処理板上に基板が載置された際に前記各温度センサ
により検出された温度により搬送装置及び／または支持
ピンにより基板の位置ずれを修正出来ない要因に起因す
る原因か否かを判断することを特徴とする処理装置。