JP3576934B2

JP3576934B2 - Method for growing multimetallic compound layers and compositions for growing mixed metal or metal compound layers

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Publication number: JP3576934B2
Application number: JP2000212008A
Authority: JP
Inventors: センザキヨシヒデ; アレンロバーツデビット; アントニートーマスノーマンジョン
Original assignee: Air Products and Chemicals Inc
Current assignee: Air Products and Chemicals Inc
Priority date: 1999-07-08
Filing date: 2000-07-07
Publication date: 2004-10-13
Anticipated expiration: 2020-07-07
Also published as: KR20010015186A; TW467963B; KR100333933B1; JP2001081560A; EP1067595A2; US6238734B1; EP1067595A3

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基材上に多元金属又は金属化合物層を成長させるための組成物と方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
半導体製造産業は、集積回路、記憶装置及びフラットパネルディスプレイ装置のための適切な電気デバイスを作るために半導体及び絶縁性又は誘電性基材に薄い層、プラグ、ビア及びパターンでもって金属、金属混合物及び金属化合物混合物を堆積させるのに適切な材料と堆積技術を必要としている。
【０００３】
適当な電子材料基材上に金属、金属化合物及びそれらの混合物を堆積させるための様々な方法が知られており、それらには、物理的な方法（スパッタリング、分子線エピタキシー、蒸着及びレーザーアブレーション）、合金化、そして化学気相成長（プラズマ、光又はレーザーに支援される、低圧及び高温での）が含まれる。
【０００４】
様々な多元金属酸化物が、“ＡｄｖａｎｃｅｓｉｎＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇｏｆＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＴｈｉｎＦｉｌｍｓ”，Ｌ．Ｍ．Ｓｈｅｐｐａｒｄ，ＣｅｒａｍｉｃＢｕｌｌｅｔｉｎ，Ｖｏｌ．７１，Ｎｏ．１，ｐｐ．８５−９５（１９９２）、“ＦｏｒｍａｔｉｏｎｏｆＡｌ_２Ｏ_３−Ｔａ_２Ｏ_５Ｄｏｕｂｌｅ−ＯｘｉｄｅＴｈｉｎＦｉｌｍｓｂｙＬｏｗ−ＰｒｅｓｓｕｒｅＭＯＣＶＤａｎｄＥｖａｌｕａｔｉｏｎｏｆＴｈｅｉｒＣｏｒｒｏｓｉｏｎＲｅｓｉｓｔａｎｃｅｓｉｎＡｃｉｄａｎｄＡｌｋａｌｉＳｏｌｕｔｉｏｎｓ”，Ｈａｒａｅｔａｌ．，ＪｏｕｒｎａｌｏｆｔｈｅＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ，１４６（２），ｐｐ．５１０−５１６（１９９９）、“ＨｉｇｈＣｏｅｒｃｉｖｉｔｙｉｎＳｍ_２Ｆｅ_１７Ｎ_ｘＭａｇｎｅｔｓ”，Ｓｃｈｎｉｔｚｋｅｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５７（２６），ｐｐ．２８５３−２８５５（Ｄｅｃ．２４，１９９０）、“ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＴｅｒｎａｒｙＴｒａｎｓｉｔｉｏｎ−ＭｅｔａｌＮｉｔｒｉｄｅＳｙｓｔｅｍｓｂｙＲｅａｃｔｉｖｅＣｏｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ”，ＶａｎＤｏｖｅｒｅｔａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，Ｖｏｌ．５，ｐｐ．３２−３５（１９９３）、“ＲｅａｃｔｉｖｅｌｙＳｐｕｔｔｅｒｅｄＴｉ−Ｓｉ−ＮＦｉｌｍｓＩＩ．ＤｉｆｆｕｓｉｏｎＢａｒｒｉｅｒｓｆｏｒＡｌａｎｄＣｕＭｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｓｏｎＳｉ”，Ｓｕｎｅｔａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，８１（２），ｐｐ．６６４−６７１（Ｊａｎ．１５，１９９７）、“ＭＯＣＶＤＲｏｕｔｅｓｔｏＴｈｉｎＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＦｉｌｍｓｆｏｒＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ”，Ｓｃｈｕｌｚｅｔａｌ．，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．６，Ｎｏ．１０，ｐｐ．７１９−７３０（１９９４）、“ＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｌａｎｄＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＲｕＯ_２−ＴｉＯ_２ＣａｔａｌｙｓｔｓＳｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄｂｙｔｈｅＳｏｌ−ＧｅｌＭｅｔｈｏｄ”，Ｇｕｇｌｉｅｌｍｉｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１３９，Ｎｏ．６，ｐｐ．１６６５−１６６１（Ｊｕｎｅ１９９２）、“ＥｎｈａｎｃｅｍｅｎｔｏｆｔｈｅＤｉｅｌｅｃｔｒｉｃＣｏｎｓｔａｎｔｏｆＴａ_２Ｏ_５ＴｈｒｏｕｇｈＳｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎｗｉｔｈＴｉＯ_２”，Ｃａｖａｅｔａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ，Ｖｏｌ．３７７，２１，ｐｐ．２１５−２１７（Ｓｅｐｔ．１９９５）、米国特許第４０５８４３０号明細書で列挙されたものを含めて、文献で知られており、そのうちの後者の米国特許明細書には「原子層エピタキシー」として知られる成長方法も開示されている。
【０００５】
化学気相成長（ＣＶＤ）は、均一でコンフォーマルな成長をもたらす特性と高制御性の条件下で材料のアレイを成長させることができることから、近年支持を獲得している。一般的に、化学気相成長は、制御された仕方でもって高純度の材料を高速に成長させることができる。
【０００６】
しかし、化学気相成長には、その実施を忌避させるいくつかの欠点がある。所望の化学物質の全てが、化学気相成長で処理できるだけ十分に揮発性であるわけではない。一部の化学物質は貯蔵あるいは送出条件において固体である。一部の化学物質は適切な貯蔵と送出のためには揮発性でありすぎる。
【０００７】
化学気相成長を行うための状況は、例えば多元金属化学物質の気相成長、例として多元金属酸化物の化学気相成長におけるように、いくつかの化学物質を同時に成長（堆積）させる必要性によって更に複雑にされる。金属前駆物質がお互いどうし反応することがあり、あるいはＣＶＤのための少なくとも１種の金属前駆物質が非常に揮発性であり又は非常に不揮発性である、すなわち固体であることがある。
【０００８】
ＣＶＤのこれらの不都合を克服するために、先行技術では、固体の金属前駆物質を溶解するために、あるいはＣＶＤ用の液体の、特に粘稠な液体の、金属前駆物質を混合するために、溶媒を使用してきた。
【０００９】
米国特許第５２０４３１４号明細書には、ＣＶＤのための金属前駆物質の液体混合物あるいは溶媒混合物のフラッシュ蒸発のための孔付きの装置が開示されている。
米国特許第５８２０６６４号明細書には、ＣＶＤにとって有用である、混合金属化合物前駆物質の種々の溶媒混合物が記載されている。
【００１０】
しかし、ＣＶＤのために液体を送出するための溶媒系は、相溶性の揮発性溶媒を選定しなくてはならないので、問題がある。溶媒は、所定の流量と時間について送出される有効な化学物質の量を減少させる。より重大なことに、溶媒は、慎重な扱いを要する半導体及び電子デバイスの製造を行う敏感な反応帯域へ更に別の化学物質を導入する。そのような溶媒が存在することの不利な影響を考慮しなくてはならない。最後に、溶媒は環境及びコスト要因を代表するものである。溶媒又はその分解生成物は、利用後に再循環し、捕捉し、あるいは処理しなくてはならない。
【００１１】
国際公開第９８／４６６１７号パンフレットには、金属前駆物質と、混合β−ジケトネートから金属を成長（堆積）させる方法とが記載されている。この国際出願は、直接の液体の注入によるＣＶＤ及びそのほかの成長用に金属前駆物質を液体で送出することに関するものである。混合β−ジケトネートを使用することは、前駆物質の液体状態を増進して送出を容易にする。溶媒はこれらの液体混合物にとっての一つの選択肢である。
【００１２】
同様の開示が、“ＮｅｗＬｉｑｕｉｄＰｒｅｃｕｒｓｏｒｓｆｏｒＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ”，Ｇｏｒｄｏｎｅｔａｌ．，Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．，４９５，ｐｐ．６３−６８（１９９８）と、“ＬｉｑｕｉｄＣｏｍｐｏｕｎｄｓｆｏｒＣＶＤｏｆＡｌｋａｌｉｎｅＥａｒｔｈＭｅｔａｌｓ”，Ｇｏｒｄｏｎｅｔ．ａｌ．，ＭＲＳＭｅｅｔｉｎｇ，Ａｐｒｉｌ７，１９９９，ＳａｎＦｒａｎｃｉｓｃｏ，ＣＡに見られる。
【００１３】
金属前駆物質の送出のために適切な液体媒体を提供する先行技術の試みは、選ばれた溶媒又は混合β−ジケトネート配位子を使用して送出のための液体条件を確保することを必要とした。溶媒にあっては、汚染と除去が問題となる。混合配位子にあっては、液体なしの条件に至りかねない意図しない配位子交換が問題となる。β−ジケトネート配位子はしばしば、固体条件に通じる条件を回避するためのβ−ジケトネート置換基の調節がないと固体金属化合物に通じ、かくして意図することなく配位子交換するという結果を更に悪化させる。本発明は、確固とした成長性能のために溶媒と配位子交換の欠点を回避するため、成長のために金属の無溶媒の共通配位子混合物を液体状態で、好ましくは直接の液体注入により使用することによって、これらの欠点を克服する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、次に掲げるａ）〜ｄ）を含む、電子材料の基材上に酸素含有多元金属化合物層を成長させるための方法である。
ａ）周囲条件において液体を構成する２種以上の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒の液体混合物を提供すること。ここで、当該配位子は同一であって、アルキル、アルコキシド、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれる。
ｂ）当該無溶媒の液体混合物を、上記基材が位置している成長帯域へ送出すること。
ｃ）当該基材を成長条件下で当該無溶媒の液体混合物と接触させ、この成長条件下での接触を、化学気相成長、スプレー熱分解、ゾル−ゲルプロセス、スピンコーティング及び原子層エピタキシーからなる群より選択すること。
ｄ）当該無溶媒の液体混合物から当該基材上に酸素含有多元金属化合物層を成長させること。
【００１５】
本発明は、より好ましくは、次に掲げるａ）〜ｄ）を含む、電子材料の基材上に酸素含有多元金属化合物層を成長させるための方法である。
ａ）周囲条件において液体を構成する２種以上の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒の液体混合物を提供すること。ここで、当該前駆物質の配位子は同一であって、そしてアルキル、アルコキシド、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれる。
ｂ）当該無溶媒の液体混合物を直接の液体注入によりフラッシュ蒸発帯域へ送出して当該無溶媒の液体混合物を気化させること。
ｃ）当該基材を、得られた当該無溶媒の液体混合物の蒸気と成長条件下で接触させること。
ｄ）当該無溶媒の液体混合物から当該基材上に酸素含有多元金属化合物層を成長させること。
【００１６】
好ましくは、周囲条件は４０℃以下且つ２０７ｋＰａ（ゲージ圧）（３０ｐｓｉｇ）以下である。
より好ましくは、周囲条件は２０〜３０℃且つ３４〜４１ｋＰａ（ゲージ圧）（５〜６ｐｓｉｇ）である。
【００１７】
好ましくは、無溶媒混合物は基材上に多元金属化合物層を成長させる前に酸素源と混合される。
好ましくは、酸素源は９５＋体積％の酸素、オゾン、亜酸化窒素、酸化窒素、二酸化窒素、水、過酸化水素、空気及びそれらの混合物からなる群から選ばれる。
【００１８】
もう一つの側面において、本発明は、電子材料の基材上に多元金属化合物層を成長させるための方法であって、下記のａ）〜ｄ）、すなわち、
ａ）周囲条件において液体を構成する２種以上の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物であって、当該配位子が同一であり、且つアルキル、アルコキシド、ハロゲン、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれる、無溶媒混合物を提供すること、
ｂ）当該無溶媒混合物を直接の液体注入によりフラッシュ蒸発帯域へ送出して当該無溶媒混合物を気化させること、
ｃ）当該基材を、得られた当該無溶媒混合物の蒸気と成長条件下で接触させること、
ｄ）当該無溶媒混合物から当該基材上に多元金属化合物層を成長させること、
を含み、当該基材上に当該多元金属化合物層を成長させる前に当該無溶媒混合物を窒素源と混合する、電子材料の基材上に多元金属化合物層を成長させるための方法である。
好ましくは、窒素源は窒素、アンモニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン、アジ化水素、アルキルアミン及びそれらの混合物からなる群から選ばれる。
【００１９】
好ましくは、無溶媒混合物から基材上に多元金属又は金属化合物層を作るための成長法は、化学気相成長、スプレー熱分解、ゾル−ゲルプロセス、スピンコーティング及び原子層エピタキシーからなる群より選ばれる。
【００２０】
好ましくは、多元金属化合物層は、混合金属合金、混合金属酸化物、混合金属窒化物、混合金属炭化物、混合金属炭窒化物、混合金属酸炭窒化物、混合金属酸炭化物、混合金属硫化物、混合金属リン化物、混合金属ヒ化物、混合金属アンチモン化物、混合金属セレン化物、混合金属テルル化物及びそれらの混合物からなる群より選ばれる。
【００２１】
本発明はまた、混合金属又は金属化合物層を成長させるための組成物であって、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物を含み、当該混合物が周囲条件において液体であり、且つ当該前駆物質の配位子が、アルキル、アルコキシド、ハロゲン、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれ、当該混合物は周囲条件において液体である第一の金属−配位子錯体前駆物質と、周囲条件において液体である第二の金属−配位子錯体前駆物質とを含む、混合金属又は金属化合物層の成長のための組成物である。
【００２３】
好ましくは、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物の金属は、亜鉛、カドミウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、ケイ素及びセリウムからなる群より個々に選ばれる。
【００２４】
好ましくは、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物の配位子は、ジメチルアミド、ジエチルアミド、エチルメチルアミド、ブチルアミド、ジプロピルアミド、メチルプロピルアミド、エチルプロピルアミド、メトキシ、エトキシ、プロポキシ及びブトキシからなる群より選ばれる。
【００２５】
好ましくは、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物は、Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、Ｓｎ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４及びＴｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４を含む。
あるいはまた、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物は、Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_４、Ｓｎ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_４及びＴｉ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_４を含む。
【００２６】
更にあるいは、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物は、Ｚｒ（Ｏ（Ｃ_４Ｈ_９））_４、Ｓｎ（Ｏ（Ｃ_４Ｈ_９））_４及びＴｉ（Ｏ（Ｃ_４Ｈ_９））_４を含む。
更にあるいは、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物は、Ｔａ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_５及びＴｉ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_４を含む。
更にあるいは、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物は、ＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝Ｔａ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_３及びＴｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４を含む。
更にあるいは、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物は、Ａｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３及びＴａ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_５を含む。
【００２７】
好ましくは、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物は、Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４を含み、且つ、Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、Ｈｆ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、Ｖ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_５、Ｖ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、Ｎｂ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_５、Ｎｂ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、ＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝Ｎｂ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_３、ＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝Ｖ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_３、（ＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝）_２Ｗ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_２、（ＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝）_２Ｍｏ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_２及びＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝Ｔａ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_３からなる群より選ばれる金属−配位子錯体前駆物質を含む。
【００２８】
【発明の実施の形態】
多成分金属含有材料、例えば混合金属酸化物や窒化物等は、各個々の金属酸化物／窒化物成分にはない独特の物理的性質を有することがよくある。例えば、一部の混合金属酸化物は、高誘電率材料、強誘電体、高温超伝導体、触媒及び耐腐食性コーティング用に使用することができる。また、一部の混合金属窒化物は、良好な拡散バリア特性、超伝導及び磁気特性を示す。
【００２９】
電子産業では、集積回路（ＩＣ）デバイスの大きさがどんどん小さくなるにつれて、化学気相成長（ＣＶＤ）により成長させた薄膜は種々の非平坦面におけるコンフォーマルカバレージに関して物理気相成長（ＰＶＤ）法よりも有利であることを証明している。一般に、前駆物質の送出における容易さと再現性のために、ＣＶＤ用途向けには液体の前駆物質の方が好まれる。ＣＶＤ処理で使用される普通の前駆物質送出方法には、蒸気の抜き出し、キャリヤガスでのバブリング、霧滴（エーロゾル又はスプレー）での送出、そして直接の液体注入（ＤＬＩ）が含まれる。ＤＬＩは、供給元コンテナにおけるのと同じ比率の構成成分を反応器へ送出するので、多成分の送出にとって特に好ましい方法である。ＤＬＩには、前駆物質を室温で保管しそして送出しようとする必要量のみを加熱するという、従って前駆物質の保存寿命を向上させるという、追加の利点がある。
【００３０】
本発明においては、ＣＶＤ用途におけるＤＬＩを含めて、前駆物質分散送出法のために使用することができる新しい液体前駆物質混合物組成が開示される。揮発性の成分は、
１）それらが化学的に相容性であり、従って不揮発性のポリマー種又は多核種が生成されないように、
２）金属上での配位子交換のため又は配位子間反応のために沈降物が生じないように、すなわち全ての前駆物質について同一の配位子が使用される（すなわちホモレプチック（ｈｏｍｏｌｅｐｔｉｃ）であり、本発明について言えば、（ＲＮ）＝ＭはＭ（ＮＲ_２）と同じであると見なされる）ように、
３）混合物が低粘度と熱安定性を維持するように、そして
４）不所望の酸化還元化学反応（例えば、Ｍ^＋１＋Ｍ’^＋３→Ｍ^＋２＋Ｍ’^＋２）が起こらないように、
選ばれる。
【００３１】
液体混合物は、液体の金属−配位子錯体を直接混合するか、あるいは液体の金属−配位子錯体（１種又は複数種）中に固体の金属−配位子錯体（１種又は複数種）を溶解させて、調製することができる。これらの系では、前駆物質混合物を溶解又は希釈し得られた混合物の全体を液相とするのに、溶媒は必要でなくあるいは求められない。有機溶媒を使用する広い範囲のＣＶＤ前駆物質溶液が、以前は薄膜の成長のための前駆物質として使用されていた。本発明の新しい無溶媒の前駆物質混合物は、ＣＶＤ処理後に集めるべき余計な揮発性有機媒体がないので、排気中のＣＶＤ流出物を除去する負担を軽減する。その上、ここに記載された液体混合物では溶媒を使用しないので、大きな処理量の金属含有蒸気をＣＶＤ反応器へ送出することができる。こうして、これらの新しい液体前駆物質混合物を使用するＣＶＤの全体プロセスは、従来技術の説明で述べた前駆物質溶液の液体注入による送出よりも環境に優しく且つ原価効率的である。
【００３２】
ＣＶＤ又はＭＯＣＶＤ（有機金属ＣＶＤ）のほかに、本発明の液体混合物は、原子層エピタキシー、スピンコーティング、スプレー熱分解及びゾル−ゲルプロセスで処理することができる。原子層エピタキシーでは、ほぼ単層の前駆物質分子が表面に吸着される。この第一の前駆物質層の上に第二の反応物を投入し、続いてこの第二の反応物と既に表面にある第一の反応物とを反応させる。この交互の手順を繰り返して、原子の厚さに近い層でもって所望の厚さの元素又は化合物を提供する。基材の温度を制御して不所望の成長（堆積）を避けることができる。スピンコーティングでは、液体媒体を回転している基材上へ分配して、加熱又は反応等の作用により乾燥させる。スプレー熱分解では、霧滴（エーロゾル）を作り続いて前駆物質を熱的に又は光の作用で分解させる。ゾル−ゲルプロセスでは、前駆物質の加水分解と縮合を行い、前駆物質は回転、浸漬又は吹き付けにより目標の基材上に付着させる。得られたアモルファスの膜を比較的低温（５００〜８００℃）でアニールし、結晶化と緻密化を行う。ＤＬＩを使用するＣＶＤでは、無溶媒混合物を周囲条件で貯蔵器から液体の状態でフラッシュ蒸発帯域へ送出し、そこで無溶媒混合物を金属−配位子錯体前駆物質の気化温度、典型的に１００〜５００℃まで素早く加熱する。これらは、反応室のような成長帯域において起こる様々な成長プロセスについてそれぞれの成長条件を構成する。
【００３３】
多成分前駆物質は、金属アルキル、金属アルコキシド、金属ハロゲン化物、金属水素化物、金属アミド、金属イミド、金属アジ化物、金属硝酸塩、金属シクロペンタジエニル、金属カルボニル、及びそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれるが、それらに限定はされない。好ましくは、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物の配位子は、ジメチルアミド、ジエチルアミド、エチルメチルアミド、ブチルアミド、ジプロピルアミド、メチルプロピルアミド、エチルプロピルアミド、メトキシ、エトキシ、プロポキシ及びブトキシからなる群より選ばれる。可能性のある従来技術の配位子交換の問題を回避するために、同じであるか共通の配位子、ホモレプチック配位子を使用することが重要である。好ましくは、ホモレプチック配位子は単座配位子である。
【００３４】
金属配位子前駆物質の金属は、亜鉛、カドミウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、ケイ素及びセリウムのうちの１種又は２種以上でよい。
【００３５】
２種以上の金属−配位子前駆物質の無溶媒混合物が液体でなければならない周囲条件は、一般に４０℃以下且つ２０７ｋＰａ（ゲージ圧）（３０ｐｓｉｇ）未満として定義される。好ましくは、液相の送出のための周囲条件は２０〜３０℃且つ３４〜４１ｋＰａ（ゲージ圧）（５〜６ｐｓｉｇ）である。
【００３６】
適切に選ばれた前駆物質は、酸化剤又は窒素含有反応物の存在下においては、混合金属酸化物、窒化物及び酸窒化物のいずれかをもたらす。そのほかに、適切な前駆物質混合物とＣＶＤ条件を使用して、混合金属合金、炭化物、炭窒化物、酸炭化物、酸炭窒化物、硫化物、リン化物、ヒ化物、アンチモン化物、セレン化物及びテルル化物を成長させることも可能である。酸化剤又は窒素含有反応物には、９５＋体積％の酸素、オゾン、水、過酸化水素、亜酸化窒素、酸化窒素、二酸化窒素、空気、窒素ガス、アンモニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン、アルキルアミン及びそれらの混合物が含まれるが、酸化剤又は窒素含有反応物はそれらには限定されない。
【００３７】
熱ＣＶＤに加えて、上記の前駆物質は、プラズマ、レーザー又は光に支援されるＣＶＤ成長、周知の成長手法のために、あるいは原子層エピタキシーにより、利用することができよう。更に、液体混合物前駆物質の適切な選択は、膜のゾル−ゲルプロセス、スプレー熱分解及びスピンコーティングにも当てはめることができる。
【００３８】
少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の典型例の無溶媒混合物は、Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４とＳｎ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４とＴｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、又はＺｒ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_４とＳｎ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_４とＴｉ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_４、又はＺｒ（Ｏ（Ｃ_４Ｈ_９））_４とＳｎ（Ｏ（Ｃ_４Ｈ_９））_４とＴｉ（Ｏ（Ｃ_４Ｈ_９））_４、又はＴａ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_５とＴｉ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_４、又はＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝Ｔａ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_３とＴｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、又はＡｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３とＴａ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_５、又はＳｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４と、次の群、すなわちＴｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、Ｈｆ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、Ｖ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_５、Ｖ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、Ｎｂ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_５、Ｎｂ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、ＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝Ｎｂ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_３、ＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝Ｖ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_３、（ＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝）_２Ｗ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_２、（ＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝）_２Ｍｏ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_２及びＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝Ｔａ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_３からなる群より選ばれる金属−配位子錯体前駆物質、を含む。
【００３９】
【実施例】
次に、前駆物質と成長（堆積）のいくつかの比限定の例でもって、本発明を説明することにする。
【００４０】
（例１）
この例はＺｒ−Ｓｎ−Ｔｉ−Ｏ_ｘ前駆物質を説明する。
１９．０ｇ（０．０５モル）のＺｒ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、２０．４ｇ（０．０５モル）のＳｎ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、及び５０．５ｇ（０．１５モル）のＴｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４を、不活性雰囲気下に室温で混合して、黄−オレンジ色の透明な液体混合物を得た。この混合物を１１０〜１２０℃の加熱浴温度範囲において減圧下で蒸留した。これはＤＬＩ送出のために有用であることを示す。
【００４１】
（例２）
この例はＴｉ−Ｔａ−Ｏ_ｘを説明する。
Ｔｉ−Ｔａ−Ｏ_ｘのための金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒液体混合物は、例１におけるのと同じやり方でもってＴｉ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_５（液体）に溶かしたＴａ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_５（固体）から作ることができる。
【００４２】
（例３）
この例はＴｉ−Ｔａ−Ｏ_ｘを説明する。
Ｔｉ−Ｔａ−Ｏ_ｘのための金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒液体混合物は、例１におけるのと同じやり方でもってＴｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４に混合したＣＨ_３ＣＨ_２Ｎ＝Ｔａ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_３から作ることができる。
【００４３】
（例４）
この例はＡｌをドープしたＴａＯ_ｘを説明する。
ＡｌをドープしたＴａＯ_ｘのための金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒液体混合物は、例１におけるのと同じやり方でもってＡｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３（固体）とＴａ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_５（液体）の混合物から作ることができる。
【００４４】
（例５）
この例はＭ−Ｓｉ−Ｍを説明する。
Ｍ−Ｓｉ−Ｍのための金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒液体混合物は、例１におけるのと同じやり方でもって、（ａ）Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４（液体）と（ｂ）Ｍ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_ｘ（この式中のＭ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂであり、ｘ＝４又は５である）、あるいは（ｃ）（Ｒ−Ｎ＝）_ｘＭ’（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_ｙ（この式中のＭ’＝Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏであり、Ｒ＝Ｃ_１〜Ｃ_５アルキルであり、Ｍ’＝Ｔａ又はＮｂの場合ｘ＝１且つｙ＝３、Ｍ’＝Ｗ又はＭｏの場合ｘ＝ｙ＝２である）（全て液体）の混合物から作ることができる。
【００４５】
（例６）
この例はＣＶＤによる混合金属化合物の成長を説明する。
１００ｓｃｃｍの酸素流とともに１２０ｓｃｃｍのヘリウムスイープガスを使用して、気化温度が１１０℃の直接液体注入装置の、混合金属化合物膜の成長のため２４０〜３００℃に保持したウエハー基材ターゲット上へ、Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４、Ｓｎ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４及びＴｉ（Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）_４の金属−配位子錯体前駆物質の溶媒混合物を０．０６ｍｌ／ｍｉｎで送出した。成長は１０〜３０ｎｍ（１００〜３００オングストローム）／ｍｉｎであった。反応器の反応室圧力は２７０Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）であった。これらの条件下でＣＶＤにより前駆物質混合物から成長させた膜のエネルギー分散性Ｘ線分析から、成長した膜中にＺｒ、Ｓｎ及びＴｉ金属が取り込まれることが証明された。
【００４６】
金属前駆物質を送出するための適切な液体媒体を提供するという以前の試みは、送出のために液体条件を確保するのに、選ばれた溶媒又は混合β−ジケトネート配位子の使用を必要とした。溶媒は費用を追加することになり、そして相溶性のために適切な選定をするという問題、且つまた汚染と使用後の除去という問題を引き起こす。液相での送出の目標を解決するための無溶媒の試みは、β−ジケトネート配位子を必要としたが、これらでは非液体条件に至りかねない意図しない配位子交換が問題となる。固体条件に通じる条件を回避するためにβ−ジケトネート置換基を操作しなければ、β−ジケトネート配位子はしばしば固体の金属化合物をもたらし、そうして意図しない配位子交換の結果を一層悪化させる。本発明は、ばらつきのない成長性能のために溶媒とβ−ジケトネート配位子交換の欠点を避けるため、好ましくは直接の液体注入による金属の混合物の成長用の液体状態の金属−配位子錯体において、無溶媒の、非β−ジケトネートの、単一又は共通配位子を使用することによって、これらの欠点を克服することを示した。
【００４７】
本発明はいくつかの好ましい態様に関して説明されてはいるが、本発明の完全な範囲は特許請求の範囲の記載から確認されるべきものである。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to compositions and methods for growing multi-metal or metal compound layers on a substrate.
[0002]
Problems to be solved by the prior art and the invention
The semiconductor manufacturing industry has developed metal, metal mixtures with thin layers, plugs, vias and patterns in semiconductors and insulating or dielectric substrates to make suitable electrical devices for integrated circuits, storage devices and flat panel display devices. And appropriate materials and deposition techniques to deposit the metal compound mixture.
[0003]
Various methods are known for depositing metals, metal compounds and mixtures thereof on suitable electronic material substrates, including physical methods (sputtering, molecular beam epitaxy, evaporation and laser ablation). Alloying, and chemical vapor deposition (at low pressure and high temperature, assisted by plasma, light or laser).
[0004]
Various multimetal oxides are described in "Advances in Processing of Ferroelectric Thin Films", L.A. M. Sheppard, Ceramic Bulletin, Vol. 71, No. 1, pp. 85-95 (1992), "Formation of Al₂O₃-Ta₂O₅ Double-Oxide Thin Films by Low-Pressure MOCVD and Evaluation of Their Corrosion Resistances in Acid andAlkali Solutions ", Hara et al., Journal of the Electrochemical Society, 146 (2), pp.510-516 (1999)," High Coercivity in Sm₂Fe₁₇N_x Magnets ", Schnitzke et al., Appl. Phys. Lett. 57 (26), pp. 2853-2855 (Dec. 24, 1990)," Investigation of Ternery Translation Transition Vitalization System. Chem. Mater., Vol. 5, pp. 32-35 (1993), "Reactively Sputtered Ti-Si-N Films II. Diffusion Barriers for Aland Cu Metallizations on Si ", Sun et al., J. Appl. Phys., 81 (2), pp. 664-671 (Jan. 15, 1997, 1997)," MOCVD Routes to Foreign Metals. 6, Schulz et al., Adv. Mater. 6, No. 10, pp. 719-730 (1994), "Compositional and Microstructural Characterization of RuO.₂-TiO₂ "Catalysts Synthesized by the Sol-Gel Method", Guglielmi et. Al., J. Electrochem. Soc., Vol. 139, No. 6, pp. 1666-1661 (June 1992).₂O₅ Through Substitution with TiO₂, Cava et al., Nature, Vol. 377, 21, pp. 215-217 (Sept. 1995), including those listed in U.S. Pat. No. 4,058,430, of which The latter US patent also discloses a growth method known as "atomic layer epitaxy".
[0005]
Chemical vapor deposition (CVD) has gained popularity in recent years because of its ability to grow arrays of materials under conditions that provide uniform and conformal growth and high controllability. In general, chemical vapor deposition can grow high purity materials at a high rate in a controlled manner.
[0006]
However, chemical vapor deposition has several drawbacks that make its implementation evasive. Not all desired chemicals are sufficiently volatile to be processed in chemical vapor deposition. Some chemicals are solid under storage or delivery conditions. Some chemicals are too volatile for proper storage and delivery.
[0007]
The situation for performing chemical vapor deposition is the need to grow (deposit) several chemicals simultaneously, for example, in the vapor phase growth of multimetallic chemicals, for example, in the chemical vapor deposition of multimetal oxides Is further complicated by: The metal precursors may react with each other, or at least one metal precursor for CVD may be very volatile or very nonvolatile, ie, a solid.
[0008]
In order to overcome these disadvantages of CVD, the prior art discloses a method for dissolving a solid metal precursor or for mixing a metal precursor in a liquid for CVD, especially in a viscous liquid. I've been using
[0009]
U.S. Pat. No. 5,204,314 discloses a perforated apparatus for flash evaporation of a liquid or solvent mixture of a metal precursor for CVD.
U.S. Pat. No. 5,820,664 describes various solvent mixtures of mixed metal compound precursors that are useful for CVD.
[0010]
However, the solvent system for delivering the liquid for CVD is problematic because compatible volatile solvents must be selected. Solvents reduce the amount of available chemicals delivered for a given flow rate and time. More importantly, the solvent introduces additional chemicals into sensitive reaction zones where sensitive semiconductor and electronic device fabrication takes place. The adverse effects of the presence of such solvents must be considered. Finally, solvents represent environmental and cost factors. The solvent or its decomposition products must be recycled, captured or processed after use.
[0011]
WO 98/46617 describes a metal precursor and a method for growing (depositing) a metal from a mixed β-diketonate. This international application is concerned with delivering metal precursors in liquid form for CVD and other growth by direct liquid injection. The use of mixed β-diketonates enhances the liquid state of the precursor and facilitates delivery. Solvents are one option for these liquid mixtures.
[0012]
A similar disclosure is provided in “New Liquid Precursors for Chemical Vapor Deposition”, Gordon et al. , Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 495 pp. 63-68 (1998), "Liquid Compounds for CVD of Alkaline Earth Metals", Gordon et. al. , MRS Meeting, April 7, 1999, San Francisco, CA.
[0013]
Prior art attempts to provide a suitable liquid medium for delivery of metal precursors have required using selected solvents or mixed β-diketonate ligands to ensure liquid conditions for delivery. did. For solvents, contamination and removal are problems. For mixed ligands, unintentional ligand exchange, which can lead to liquid-free conditions, becomes a problem. Beta-diketonate ligands often pass through solid metal compounds without the modulation of the beta-diketonate substituent to avoid conditions leading to solid conditions, thus further exacerbating the consequences of unintentionally exchanging ligands. Let it. The present invention avoids the disadvantages of solvent and ligand exchange for robust growth performance, so that a solvent-free common ligand mixture of metal is grown in liquid form for growth, preferably by direct liquid injection. Overcoming these drawbacks.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The present invention relates to a method for manufacturing an electronic material comprising the following a) to d)Contains oxygenManyprincipalThis is a method for growing a genus compound layer.
a) Solvent-free of two or more metal-ligand complex precursors that constitute a liquid at ambient conditionsLiquidProviding a mixture. Here, the ligands are the same, and alkyl, alkoxide,waterSelected from the group consisting of nitrogen, amide, imide, azide ion, nitrate, cyclopentadienyl, carbonyl, and their fluorine, oxygen and nitrogen substituted analogs.
b) the solvent-freeLiquidDelivering the mixture to the growth zone where the substrate is located.
c) removing the substrate under solvent-free conditions under growth conditions;LiquidContacting with a mixture, wherein the contact under the growth conditions is selected from the group consisting of chemical vapor deposition, spray pyrolysis, sol-gel process, spin coating and atomic layer epitaxy.
d) the solvent-freeLiquidFrom the mixture onto the substrateContains oxygenManyprincipalGrowing a genus compound layer.
[0015]
The present invention more preferably relates to an electronic material substrate comprising the following a) to d):Contains oxygenManyprincipalThis is a method for growing a genus compound layer.
a) Solvent-free of two or more metal-ligand complex precursors that constitute a liquid at ambient conditionsLiquidProviding a mixture. Wherein the ligands of the precursor are the same and are alkyl, alkoxide,waterSelected from the group consisting of nitrogen, amide, imide, azide ion, nitrate, cyclopentadienyl, carbonyl, and their fluorine, oxygen and nitrogen substituted analogs.
b) the solvent-freeLiquidThe mixture is delivered to the flash evaporation zone by direct liquid injection and the solvent freeLiquidEvaporate the mixture.
c) converting the substrate to the obtained solvent-freeLiquidContact with the vapor of the mixture under growth conditions.
d) the solvent-freeLiquidFrom the mixture onto the substrateContains oxygenManyprincipalGrowing a genus compound layer.
[0016]
Preferably, ambient conditions are 40 ° C. or less and 207 kPa (gauge pressure) (30 psig) or less.
More preferably, ambient conditions are 20-30 ° C. and 34-41 kPa (gauge pressure) (5-6 psig).
[0017]
Preferably, the solventless mixture is mixed with an oxygen source before growing the multimetallic compound layer on the substrate.
Preferably, the oxygen source is selected from the group consisting of 95 +% by volume of oxygen, ozone, nitrous oxide, nitric oxide, nitrogen dioxide, water, hydrogen peroxide, air and mixtures thereof.
[0018]
In another aspect, the present invention is a method for growing a multi-metallic compound layer on a substrate of electronic material, comprising the following steps a) to d):
a) A solvent-free mixture of two or more metal-ligand complex precursors that constitute a liquid at ambient conditions, wherein the ligands are the same and alkyl, alkoxide, halogen, hydrogen, amide, imide Providing a solvent-free mixture selected from the group consisting of: azide ion, nitrate, cyclopentadienyl, carbonyl, and their fluorine, oxygen and nitrogen substituted analogs;
b) delivering the solventless mixture to the flash evaporation zone by direct liquid injection to vaporize the solventless mixture;
c) contacting the substrate with the resulting vapor of the solventless mixture under growth conditions;
d) growing a multimetallic compound layer on the substrate from the solventless mixture;
IncludingOn the substrateTheBefore growing the multimetal compound layerThe solvent-free mixtureMix with nitrogen sourceA method for growing a multimetallic compound layer on a substrate of electronic material.
Preferably, the nitrogen source is selected from the group consisting of nitrogen, ammonia, hydrazine, alkyl hydrazine, hydrogen azide, alkylamine and mixtures thereof.
[0019]
Preferably, the growth method for forming a multi-metal or metal compound layer on a substrate from a solventless mixture is selected from the group consisting of chemical vapor deposition, spray pyrolysis, sol-gel process, spin coating and atomic layer epitaxy. It is.
[0020]
Preferably, multipleprincipalThe compound layer is composed of mixed metal alloy, mixed metal oxide, mixed metal nitride, mixed metal carbide, mixed metal carbonitride, mixed metal oxycarbonitride, mixed metal oxycarbide, mixed metal sulfide, mixed metal phosphide , Mixed metal arsenides, mixed metal antimonides, mixed metal selenides, mixed metal tellurides, and mixtures thereof.
[0021]
The present invention also includes a composition for growing a mixed metal or metal compound layer, the composition comprising a solventless mixture of at least two metal-ligand complex precursors, wherein the mixture is liquid at ambient conditions. And the ligand of the precursorButSelected from the group consisting of alkyl, alkoxide, halogen, hydrogen, amide, imide, azide ion, nitrate, cyclopentadienyl, carbonyl, and their fluorine, oxygen and nitrogen substituted analogs.A mixed metal or metal compound layer comprising a first metal-ligand complex precursor that is liquid at ambient conditions and a second metal-ligand complex precursor that is liquid at ambient conditions. Composition for the growth ofYou.
[0023]
Preferably, the metal of the solventless mixture of the at least two metal-ligand complex precursors is zinc, cadmium, mercury, aluminum, gallium, indium, thallium, tin, lead, antimony, bismuth, lithium, sodium, potassium , Rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, scandium, yttrium, lanthanum, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium, rhenium, iron, ruthenium, osmium , Cobalt, rhodium, iridium, nickel, palladium, platinum, copper, silver, gold, silicon and cerium.
[0024]
Preferably, the ligand of the solvent-free mixture of at least two metal-ligand complex precursors is dimethylamide, diethylamide, ethylmethylamide, butylamide, dipropylamide, methylpropylamide, ethylpropylamide, methoxy, It is selected from the group consisting of ethoxy, propoxy and butoxy.
[0025]
Preferably, the solvent-free mixture of at least two metal-ligand complex precursors is Zr (N (CH₂CH₃)₂)₄, Sn (N (CH₂CH₃)₂)₄And Ti (N (CH₂CH₃)₂)₄including.
Alternatively, the solvent-free mixture of at least two metal-ligand complex precursors is Zr (N (CH₃)₂)₄, Sn (N (CH₃)₂)₄And Ti (N (CH₃)₂)₄including.
[0026]
Additionally or alternatively, the solvent-free mixture of at least two metal-ligand complex precursors may be Zr (O (C₄H₉))₄, Sn (O (C₄H₉))₄And Ti (O (C₄H₉))₄including.
Further alternatively, the solvent-free mixture of at least two metal-ligand complex precursors may be Ta (N (CH₃)₂)₅And Ti (N (CH₃)₂)₄including.
Further alternatively, the solvent-free mixture of at least two metal-ligand complex precursors may be CH 2₃CH₂N = Ta (N (CH₂CH₃)₂)₃And Ti (N (CH₂CH₃)₂)₄including.
Further alternatively, the solvent-free mixture of at least two metal-ligand complex precursors may be Al (OCH₂CH₃)₃And Ta (OCH₂CH₃)₅including.
[0027]
Preferably, the solvent-free mixture of at least two metal-ligand complex precursors is Si (N (CH₂CH₃)₂)₄And Ti (N (CH (CH₂CH₃)₂)₄, Zr (N (CH₂CH₃)₂)₄, Hf (N (CH₂CH₃)₂)₄, V (N (CH₂CH₃)₂)₅, V (N (CH₂CH₃)₂)₄, Nb (N (CH₂CH₃)₂)₅, Nb (N (CH₂CH₃)₂)₄, CH₃CH₂N = Nb (N (CH₂CH₃)₂)₃, CH₃CH₂N = V (N (CH₂CH₃)₂)₃, (CH₃CH₂N =)₂W (N (CH₂CH₃)₂)₂, (CH₃CH₂N =)₂Mo (N (CH₂CH₃)₂)₂And CH₃CH₂N = Ta (N (CH₂CH₃)₂)₃And a metal-ligand complex precursor selected from the group consisting of:
[0028]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Multi-component metal-containing materials, such as mixed metal oxides and nitrides, often have unique physical properties not found in each individual metal oxide / nitride component. For example, some mixed metal oxides can be used for high dielectric constant materials, ferroelectrics, high temperature superconductors, catalysts, and corrosion resistant coatings. Also, some mixed metal nitrides exhibit good diffusion barrier properties, superconductivity and magnetic properties.
[0029]
In the electronics industry, as integrated circuit (IC) devices continue to shrink in size, thin films grown by chemical vapor deposition (CVD) are subject to physical vapor deposition (PVD) for conformal coverage on various non-planar surfaces. Has proved to be more advantageous. In general, liquid precursors are preferred for CVD applications because of the ease and reproducibility of precursor delivery. Common precursor delivery methods used in CVD processes include vapor withdrawal, bubbling with a carrier gas, delivery with a mist (aerosol or spray), and direct liquid injection (DLI). DLI is a particularly preferred method for multi-component delivery because it delivers the same proportions of components to the reactor as in the source container. DLI has the added advantage of storing the precursor at room temperature and heating only the required amount to be delivered, thus increasing the shelf life of the precursor.
[0030]
In the present invention, a new liquid precursor mixture composition is disclosed that can be used for precursor dispersion delivery methods, including DLI in CVD applications. Volatile components are:
1) so that they are chemically compatible and therefore non-volatile polymer or polynuclear species are not formed
2) The same ligand is used in such a way that no precipitates are formed due to ligand exchange on the metal or due to interligand reactions, ie the same ligand is used for all precursors (ie homoleptic) And for the present invention, (RN) = M is M (NR₂) Is considered the same as))
3) so that the mixture maintains low viscosity and thermal stability, and
4) Undesired redox chemical reactions (eg, M⁺¹+ M '⁺³→ M⁺²+ M '⁺²)
To be elected.
[0031]
The liquid mixture may be a direct mixture of the liquid metal-ligand complex or a solid metal-ligand complex (one or more) in the liquid metal-ligand complex (s). ) Can be dissolved and prepared. In these systems, no solvent is required or required to dissolve or dilute the precursor mixture to make the entire mixture into a liquid phase. A wide range of CVD precursor solutions using organic solvents have previously been used as precursors for thin film growth. The new solvent-free precursor mixture of the present invention reduces the burden of removing the CVD effluent in the exhaust as there is no extra volatile organic medium to collect after the CVD process. Moreover, because no solvents are used in the liquid mixtures described herein, large throughputs of metal-containing vapors can be delivered to the CVD reactor. Thus, the overall process of CVD using these new liquid precursor mixtures is more environmentally friendly and cost-effective than the liquid injection delivery of precursor solutions described in the prior art description.
[0032]
Besides CVD or MOCVD (metal-organic CVD), the liquid mixtures according to the invention can be processed by atomic layer epitaxy, spin coating, spray pyrolysis and sol-gel processes. In atomic layer epitaxy, nearly monolayer precursor molecules are adsorbed on the surface. A second reactant is charged over the first precursor layer, and the second reactant is subsequently reacted with the first reactant already on the surface. This alternating procedure is repeated to provide the desired thickness of the element or compound in a layer close to the thickness of the atoms. The temperature of the substrate can be controlled to avoid unwanted growth (deposition). In spin coating, a liquid medium is distributed over a rotating substrate and dried by the action of heating or reaction. In spray pyrolysis, mist droplets (aerosols) are created and subsequently the precursor is decomposed thermally or by the action of light. In the sol-gel process, the precursor is hydrolyzed and condensed, and the precursor is deposited on a target substrate by spinning, dipping or spraying. The obtained amorphous film is annealed at a relatively low temperature (500 to 800 ° C.) to perform crystallization and densification. In CVD using DLI, a solvent-free mixture is delivered in liquid form from a reservoir at ambient conditions to a flash evaporation zone where the solvent-free mixture is vaporized to a metal-ligand complex precursor vapor temperature, typically 100 to 100%. Heat quickly to 500 ° C. These constitute the respective growth conditions for the various growth processes taking place in the growth zone, such as the reaction chamber.
[0033]
Multi-component precursors include metal alkyls, metal alkoxides, metal halides, metal hydrides, metal amides, metal imides, metal azides, metal nitrates, metal cyclopentadienyls, metal carbonyls and their fluorine, oxygen and nitrogen It is selected from, but not limited to, the group consisting of substituted analogs. Preferably, the ligand of the solvent-free mixture of at least two metal-ligand complex precursors is dimethylamide, diethylamide, ethylmethylamide, butylamide, dipropylamide, methylpropylamide, ethylpropylamide, methoxy, It is selected from the group consisting of ethoxy, propoxy and butoxy. It is important to use the same or common ligand, a homoleptic ligand, to avoid possible prior art ligand exchange problems. Preferably, the homoleptic ligand is a monodentate ligand.
[0034]
The metal of the metal ligand precursor is zinc, cadmium, mercury, aluminum, gallium, indium, thallium, tin, lead, antimony, bismuth, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, Barium, scandium, yttrium, lanthanum, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium, rhenium, iron, ruthenium, osmium, cobalt, rhodium, iridium, nickel, palladium, platinum, One or more of copper, silver, gold, silicon and cerium may be used.
[0035]
The ambient conditions under which a solvent-free mixture of two or more metal-ligand precursors must be liquid are generally defined as 40 ° C. or less and less than 207 kPa (gauge pressure) (30 psig). Preferably, the ambient conditions for delivery of the liquid phase are 20-30 ° C and 34-41 kPa (gauge pressure) (5-6 psig).
[0036]
Properly selected precursors will provide either mixed metal oxides, nitrides, and oxynitrides in the presence of oxidizing agents or nitrogen-containing reactants. In addition, using appropriate precursor mixtures and CVD conditions, mixed metal alloys, carbides, carbonitrides, oxycarbides, oxycarbonitrides, sulfides, phosphides, arsenides, antimonides, selenides and tellurides It is also possible to grow nitrides. Oxidizing agents or nitrogen containing reactants include 95 + vol% oxygen, ozone, water, hydrogen peroxide, nitrous oxide, nitric oxide, nitrogen dioxide, air, nitrogen gas, ammonia, hydrazine, alkylhydrazine, alkylamine and the like. , But is not limited to oxidants or nitrogen-containing reactants.
[0037]
In addition to thermal CVD, the above precursors could be utilized for plasma, laser or light assisted CVD growth, well-known growth techniques, or by atomic layer epitaxy. Further, the appropriate choice of liquid mixture precursor can also apply to sol-gel processing of films, spray pyrolysis and spin coating.
[0038]
A typical solvent-free mixture of at least two metal-ligand complex precursors is Zr (N (CH₂CH₃)₂)₄And Sn (N (CH₂CH₃)₂)₄And Ti (N (CH₂CH₃)₂)₄, Or Zr (N (CH₃)₂)₄And Sn (N (CH₃)₂)₄And Ti (N (CH₃)₂)₄, Or Zr (O (C₄H₉))₄And Sn (O (C₄H₉))₄And Ti (O (C₄H₉))₄, Or Ta (N (CH₃)₂)₅And Ti (N (CH₃)₂)₄Or CH₃CH₂N = Ta (N (CH₂CH₃)₂)₃And Ti (N (CH₂CH₃)₂)₄, Or Al (OCH₂CH₃)₃And Ta (OCH₂CH₃)₅, Or Si (N (CH₂CH₃)₂)₄And the next group: Ti (N (CH₂CH₃)₂)₄, Zr (N (CH₂CH₃)₂)₄, Hf (N (CH₂CH₃)₂)₄, V (N (CH₂CH₃)₂)₅, V (N (CH₂CH₃)₂)₄, Nb (N (CH₂CH₃)₂)₅, Nb (N (CH₂CH₃)₂)₄, CH₃CH₂N = Nb (N (CH₂CH₃)₂)₃, CH₃CH₂N = V (N (CH₂CH₃)₂)₃, (CH₃CH₂N =)₂W (N (CH₂CH₃)₂)₂, (CH₃CH₂N =)₂Mo (N (CH₂CH₃)₂)₂And CH₃CH₂N = Ta (N (CH₂CH₃)₂)₃And a metal-ligand complex precursor selected from the group consisting of:
[0039]
【Example】
The invention will now be described by way of some limiting examples of precursors and growth (deposition).
[0040]
(Example 1)
This example is Zr-Sn-Ti-O_xThe precursor will be described.
19.0 g (0.05 mol) of Zr (N (CH₂CH₃)₂)₄20.4 g (0.05 mol) of Sn (N (CH₂CH₃)₂)₄, And 50.5 g (0.15 mol) of Ti (N (CH₂CH₃)₂)₄Was mixed at room temperature under an inert atmosphere to give a yellow-orange clear liquid mixture. The mixture was distilled under reduced pressure in a heating bath temperature range of 110-120 ° C. This indicates that it is useful for DLI transmission.
[0041]
(Example 2)
This example is Ti-Ta-O_xWill be described.
Ti-Ta-O_xThe solvent-free liquid mixture of the metal-ligand complex precursor for is prepared in the same manner as in Example 1 by Ti (N (CH (CH₃)₂)₅(Liquid) dissolved in Ta (N (CH₃)₂)₅(Solid) can be made.
[0042]
(Example 3)
This example is Ti-Ta-O_xWill be described.
Ti-Ta-O_xThe solvent-free liquid mixture of the metal-ligand complex precursor for is prepared in the same manner as in Example 1 by Ti (N (CH (CH₂CH₃)₂)₄CH mixed with₃CH₂N = Ta (N (CH₂CH₃)₂)₃Can be made from
[0043]
(Example 4)
This example is TaO doped with Al._xWill be described.
TaO doped with Al_xThe solvent-free liquid mixture of the metal-ligand complex precursor for is prepared in the same manner as in Example 1 with Al (OCH₂CH₃)₃(Solid) and Ta (OCH₂CH₃)₅(Liquid) mixture.
[0044]
(Example 5)
This example illustrates M-Si-M.
The solvent-free liquid mixture of the metal-ligand complex precursor for M-Si-M was prepared in the same manner as in Example 1 by (a) Si (N (CH₂CH₃)₂)₄(Liquid) and (b) M (N (CH₂CH₃)₂)_x(Where M = Ti, Zr, Hf, V, Nb in this formula and x = 4 or 5) or (c) (R−N =)_xM '(N (CH₂CH₃)₂)_y(Where M '= Ta, Nb, W, Mo, and R = C₁~ C₅Alkyl, and x = 1 and y = 3 if M '= Ta or Nb, x = y = 2 if M' = W or Mo) (all liquid).
[0045]
(Example 6)
This example illustrates the growth of mixed metal compounds by CVD.
Using a 120 sccm helium sweep gas with a 100 sccm oxygen flow, a direct liquid injector with a vaporization temperature of 110 ° C. onto a wafer substrate target held at 240-300 ° C. for growth of the mixed metal compound film, Zr. (N (CH₂CH₃)₂)₄, Sn (N (CH₂CH₃)₂)₄And Ti (N (CH₂CH₃)₂)₄The solvent mixture of the metal-ligand complex precursor was sent out at 0.06 ml / min. The growth was 10-30 nm (100-300 Å) / min. The reaction chamber pressure of the reactor was 270 Pa (2 Torr). Energy dispersive X-ray analysis of films grown from the precursor mixture by CVD under these conditions demonstrated the incorporation of Zr, Sn and Ti metals into the grown films.
[0046]
Previous attempts to provide a suitable liquid medium for delivering metal precursors have required the use of selected solvents or mixed β-diketonate ligands to ensure liquid conditions for delivery. did. Solvents add cost and cause problems of proper selection for compatibility and also of contamination and post-use removal. Solvent-free attempts to solve the goal of delivery in the liquid phase have required β-diketonate ligands, which pose problems with unintentional ligand exchange which can lead to non-liquid conditions. Unless the β-diketonate substituent is manipulated to avoid conditions that lead to solid conditions, β-diketonate ligands often result in solid metal compounds, thus further exacerbating the consequences of unintended ligand exchange. Let it. The present invention is directed to a metal-ligand complex in the liquid state for the growth of a mixture of metals, preferably by direct liquid injection, to avoid the disadvantages of solvent and β-diketonate ligand exchange for consistent growth performance. Have shown that these disadvantages can be overcome by using solvent-free, non-β-diketonate, single or common ligands.
[0047]
Although the invention has been described in terms of several preferred embodiments, the full scope of the invention should be ascertained from the claims that follow.

Claims

下記のａ）〜ｄ）を含む、電子材料の基材上に酸素含有多元金属化合物層を成長させるための方法。
ａ）周囲条件において液体を構成する２種以上の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒の液体混合物であって、当該配位子が同一であり、且つアルキル、アルコキシド、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれる、無溶媒の液体混合物を提供すること
ｂ）当該無溶媒の液体混合物を上記基材が位置している成長帯域へ送出すること
ｃ）当該基材を成長条件下で当該無溶媒の液体混合物と接触させ、この成長条件下での接触を、化学気相成長、スプレー熱分解、ゾル−ゲルプロセス、スピンコーティング及び原子層エピタキシーからなる群より選択すること
ｄ）当該無溶媒の液体混合物から当該基材上に酸素含有多元金属化合物層を成長させることA method for growing an oxygen-containing multimetal compound layer on a substrate of an electronic material, comprising the following a) to d).
a) A solventless liquid mixture of two or more metal-ligand complex precursors that constitute a liquid at ambient conditions, wherein the ligands are the same and are alkyl, alkoxide, hydrogen, amide, imide Providing a solvent-free liquid mixture selected from the group consisting of: azide ion, nitrate, cyclopentadienyl, carbonyl, and their fluorine, oxygen, and nitrogen-substituted analogs. B) The solvent-free liquid mixture. C) contacting the substrate with the solvent-free liquid mixture under growth conditions, and contacting the substrate under the growth conditions with chemical vapor deposition, spraying. Selecting from the group consisting of pyrolysis, sol-gel processes, spin coating and atomic layer epitaxy. D) oxygen-containing multimetallic compounds from said solvent-free liquid mixture onto said substrate. Growing a layer

下記のａ）〜ｄ）を含む、電子材料の基材上に酸素含有多元金属化合物層を成長させるための方法。
ａ）周囲条件において液体を構成する２種以上の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒の液体混合物であって、当該配位子が同一であり、且つアルキル、アルコキシド、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれる、無溶媒の液体混合物を提供すること
ｂ）当該無溶媒の液体混合物を直接の液体注入によりフラッシュ蒸発帯域へ送出して当該無溶媒の液体混合物を気化させること
ｃ）当該基材を、得られた当該無溶媒の液体混合物の蒸気と成長条件下で接触させること
ｄ）当該無溶媒の液体混合物から当該基材上に酸素含有多元金属化合物層を成長させることA method for growing an oxygen-containing multimetal compound layer on a substrate of an electronic material, comprising the following a) to d).
a) A solventless liquid mixture of two or more metal-ligand complex precursors that constitute a liquid at ambient conditions, wherein the ligands are the same and are alkyl, alkoxide, hydrogen, amide, imide Providing a solvent-free liquid mixture selected from the group consisting of: azide ion, nitrate, cyclopentadienyl, carbonyl, and their fluorine, oxygen, and nitrogen-substituted analogs. B) The solvent-free liquid mixture. To the flash evaporation zone by direct liquid injection to vaporize the solvent-free liquid mixture c) contacting the substrate with the resulting vapor of the solvent-free liquid mixture under growth conditions d ) Growing an oxygen-containing multimetallic compound layer on the substrate from the solvent-free liquid mixture

前記周囲条件が４０℃以下且つ２０７ｋＰａ（ゲージ圧）（３０ｐｓｉｇ）以下である、請求項１又は２記載の方法。The method of claim 1 or 2, wherein the ambient conditions are 40 ° C or less and 207 kPa (gauge pressure) (30 psig) or less.

前記周囲条件が２０〜３０℃且つ３４〜４１ｋＰａ（ゲージ圧）（５〜６ｐｓｉｇ）である、請求項１又は２記載の方法。The method of claim 1 or 2, wherein the ambient conditions are 20-30 ° C and 34-41 kPa (gauge pressure) (5-6 psig).

前記基材上に前記多元金属化合物層を成長させる前に前記無溶媒混合物を酸素源と混合する、請求項１から４までのいずれか一つに記載の方法。5. The method according to any one of the preceding claims, wherein the solventless mixture is mixed with an oxygen source before growing the multimetallic compound layer on the substrate.

前記酸素源を９５＋体積％の酸素、オゾン、亜酸化窒素、酸化窒素、二酸化窒素、水、過酸化水素、空気及びそれらの混合物からなる群から選ぶ、請求項５記載の方法。The method of claim 5, wherein the oxygen source is selected from the group consisting of 95 + vol% oxygen, ozone, nitrous oxide, nitric oxide, nitrogen dioxide, water, hydrogen peroxide, air and mixtures thereof.

電子材料の基材上に多元金属化合物層を成長させるための方法であって、下記のａ）〜ｄ）、すなわち、
ａ）周囲条件において液体を構成する２種以上の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物であって、当該配位子が同一であり、且つアルキル、アルコキシド、ハロゲン、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれる、無溶媒混合物を提供すること、
ｂ）当該無溶媒混合物を直接の液体注入によりフラッシュ蒸発帯域へ送出して当該無溶媒混合物を気化させること、
ｃ）当該基材を、得られた当該無溶媒混合物の蒸気と成長条件下で接触させること、
ｄ）当該無溶媒混合物から当該基材上に多元金属化合物層を成長させること、
を含み、当該基材上に当該多元金属化合物層を成長させる前に当該無溶媒混合物を窒素源と混合する、電子材料の基材上に多元金属化合物層を成長させるための方法。A method for growing a multimetallic compound layer on a substrate of an electronic material, comprising the following a) to d):
a) A solventless mixture of two or more metal-ligand complex precursors that constitute a liquid at ambient conditions, wherein the ligands are the same and are alkyl, alkoxide, halogen, hydrogen, amide, imide Providing a solvent-free mixture selected from the group consisting of: azide ion, nitrate, cyclopentadienyl, carbonyl, and their fluorine, oxygen and nitrogen substituted analogs;
b) delivering the solventless mixture to a flash evaporation zone by direct liquid injection to vaporize the solventless mixture;
c) contacting the substrate with the resulting vapor of the solventless mixture under growth conditions;
d) growing a multimetallic compound layer on the substrate from the solventless mixture;
And mixing the solventless mixture with a nitrogen source before growing the multimetallic compound layer on the substrate. A method for growing a multimetallic compound layer on a substrate of electronic material.

前記窒素源を窒素、アンモニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン、アジ化水素、アルキルアミン及びそれらの混合物からなる群から選ぶ、請求項７記載の方法。The method of claim 7, wherein the nitrogen source is selected from the group consisting of nitrogen, ammonia, hydrazine, alkyl hydrazine, hydrogen azide, alkylamine, and mixtures thereof.

前記多元金属化合物層を、混合金属合金、混合金属酸化物、混合金属窒化物、混合金属炭化物、混合金属炭窒化物、混合金属酸炭窒化物、混合金属酸炭化物、混合金属硫化物、混合金属リン化物、混合金属ヒ化物、混合金属アンチモン化物、混合金属セレン化物、混合金属テルル化物及びそれらの混合物からなる群より選ぶ、請求項１から４までのいずれか一つに記載の方法。The multimetal compound layer is formed by using a mixed metal alloy, a mixed metal oxide, a mixed metal nitride, a mixed metal carbide, a mixed metal carbonitride, a mixed metal oxycarbonitride, a mixed metal oxycarbide, a mixed metal sulfide, or a mixed metal. The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the method is selected from the group consisting of phosphides, mixed metal arsenides, mixed metal antimonides, mixed metal selenides, mixed metal tellurides and mixtures thereof.

混合金属又は金属化合物層の成長のための組成物であって、少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物を含み、当該混合物が周囲条件において液体であり、且つ当該配位子が、アルキル、アルコキシド、ハロゲン、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれ、当該混合物が、周囲条件において液体である第一の金属−配位子錯体前駆物質と、周囲条件において液体である第二の金属−配位子錯体前駆物質とを含む、混合金属又は金属化合物層の成長のための組成物。A composition for the growth of a mixed metal or metal compound layer, comprising a solventless mixture of at least two metal-ligand complex precursors, wherein the mixture is liquid at ambient conditions and Is selected from the group consisting of alkyl, alkoxide, halogen, hydrogen, amide, imide, azide ion, nitrate, cyclopentadienyl, carbonyl, and their fluorine, oxygen and nitrogen-substituted analogs, wherein the mixture is The growth of a mixed metal or metal compound layer comprising a first metal-ligand complex precursor that is liquid at ambient conditions and a second metal-ligand complex precursor that is liquid at ambient conditions. Composition for

前記少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物の当該金属が、亜鉛、カドミウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、ケイ素及びセリウムからなる群より個々に選ばれる、請求項１０記載の組成物。The metal of the solventless mixture of the at least two metal-ligand complex precursors is zinc, cadmium, mercury, aluminum, gallium, indium, thallium, tin, lead, antimony, bismuth, lithium, sodium, potassium, Rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, scandium, yttrium, lanthanum, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium, rhenium, iron, ruthenium, osmium, cobalt, rhodium, iridium, nickel, palladium, platinum, copper, silver, gold, individually selected from the group consisting of silicon and cerium, 10. Symbol mounting of the composition.

前記少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物の当該配位子が、ジメチルアミド、ジエチルアミド、エチルメチルアミド、ブチルアミド、ジプロピルアミド、メチルプロピルアミド、エチルプロピルアミド、メトキシ、エトキシ、プロポキシ及びブトキシからなる群より選ばれる、請求項１０又は１１記載の組成物。The ligand of the solvent-free mixture of the at least two metal-ligand complex precursors is dimethylamide, diethylamide, ethylmethylamide, butylamide, dipropylamide, methylpropylamide, ethylpropylamide, methoxy, ethoxy; is selected from the group consisting of propoxy and butoxy, claim 10 or 11 composition.

前記少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物が、Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₄ 、Ｓｎ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₄及びＴｉ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₄ を含む、請求項１０記載の組成物。Wherein the at least two metal - free solvent mixtures ligand complex _{precursor, Zr (N (CH 2 CH} 3) 2) 4, Sn (N (CH 2 CH 3) 2) 4 and Ti (N (CH _₂ CH ₃₎ ₂₎ ₄ comprises a composition of claim 10, wherein.

前記少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物が、Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ₃ ）₂ ）₄ 、Ｓｎ（Ｎ（ＣＨ₃ ）₂ ）₄ 及びＴｉ（Ｎ（ＣＨ₃ ）₂ ）₄ を含む、請求項１０記載の組成物。Wherein the at least two metal - free solvent mixtures ligand complex _{precursor, Zr (N (CH 3)} 2) 4, Sn (N (CH 3) 2) 4 and _{_{Ti (N (CH 3) 2}} ) including _4, the composition of claim 10.

前記少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物が、Ｚｒ（Ｏ（Ｃ₄ Ｈ₉ ））₄ 、Ｓｎ（Ｏ（Ｃ₄ Ｈ₉ ））₄ 及びＴｉ（Ｏ（Ｃ₄ Ｈ₉ ））₄ を含む、請求項１０記載の組成物。Wherein the at least two metal - free solvent mixtures ligand complex _{precursor, Zr (O (C 4 H} 9)) 4, Sn (O (C 4 H 9)) 4 and Ti (O (C ₄ H ₉ )) The composition of claim 10, comprising ₄ ).

前記少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物が、Ｔａ（Ｎ（ＣＨ₃ ）₂ ）₅ 及びＴｉ（Ｎ（ＣＨ₃ ）₂ ）₄ を含む、請求項１０記載の組成物。Wherein the at least two metal - free solvent mixtures ligand complex _{precursor, Ta (N (CH 3)} 2) 5 and _{_{Ti (N (CH 3) 2}} ) 4 comprises a composition of claim 10, .

前記少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物が、Ａｌ（ＯＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₃ 及びＴａ（ＯＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₅ を含む、請求項１０記載の組成物。Wherein the at least two metal - free solvent mixtures ligand complex _{_{precursor, Al (OCH 2 CH 3)}} 3 and Ta (OCH ₂ CH ₃₎ containing ₅ The composition of claim 10, wherein.

前記少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物が、ＣＨ₃ ＣＨ₂ Ｎ＝Ｔａ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₃ 及びＴｉ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₄ を含む、請求項１０記載の組成物。Wherein the at least two metal - free solvent mixtures ligand complex _{_{precursors, CH 3 CH 2 N = Ta}} (N (CH 2 CH 3) 2) 3 and _{_{Ti (N (CH 2 CH 3}} ) 2) 4 The composition of claim 10, comprising:

前記少なくとも２種の金属−配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物が、Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₄ を含み、且つ、Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₄ 、Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₄ 、Ｈｆ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂）₄ 、Ｖ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₅ 、Ｖ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₄ 、Ｎｂ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₅ 、Ｎｂ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₄ 、ＣＨ₃ ＣＨ₂ Ｎ＝Ｎｂ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₃ 、ＣＨ₃ ＣＨ₂ Ｎ＝Ｖ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₃ 、（ＣＨ₃ ＣＨ₂ Ｎ＝）₂ Ｍｏ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₂ 、（ＣＨ₃ ＣＨ₂ Ｎ＝）₂ Ｗ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₂ 、及びＣＨ₃ ＣＨ₂ Ｎ＝Ｔａ（Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）₂ ）₃ からなる群より選ばれる金属−配位子錯体前駆物質を含む、請求項１０記載の組成物。Wherein the at least two metal - free solvent mixtures ligand complex precursors comprises a _{_{Si (N (CH 2 CH 3}} ) 2) 4, _{and, Ti (N (CH 2 CH} 3) 2) 4, Zr (N (CH ₂ CH ₃ ) ₂ ) ₄ , Hf (N (CH ₂ CH ₃ ) ₂ ) ₄ , V (N (CH ₂ CH ₃ ) ₂ ) ₅ , V (N (CH ₂ CH ₃ ) ₂ ) ₄ , Nb (N (CH ₂ CH ₃ ) ₂ ) ₅ , Nb (N (CH ₂ CH ₃ ) ₂ ) ₄ , CH ₃ CH ₂ N = Nb (N (CH ₂ CH ₃ ) ₂ ) ₃ , CH ₃ CH ₂ N = V (N (CH ₂ CH ₃ ) ₂ ) ₃ , (CH ₃ CH ₂ N =) ₂ Mo (N (CH ₂ CH ₃ ) ₂ ) ₂ , (CH ₃ CH ₂ N =) ₂ W (N ( _{_{_{_{CH 2 CH 3) 2) 2}}}} , and _{_{CH 3 CH 2 N = Ta (}} N (CH 2 CH 3) 2) metal selected from the group consisting of ₃ - containing ligand complex precursors, according to claim 10, wherein Composition.