JP3561197B2 - 配線基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子などの電子部品を表面に気密に搭載する半導体素子収納用パッケージや、半導体素子の他にコンデンサや抵抗体等の各種電子部品が表面に搭載される混成集積配線基板や、パワーモジュール基板等のセラミック絶縁基板の表面に配線導体を有した配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体素子収納用パッケージや混成集積配線基板等に用いられる多層配線基板は、一般にアルミナ質焼結体等の電気絶縁性のセラミック焼結体から成る絶縁基板を用い、その上面の略中央部に設けた凹部周辺から下面に、あるいはその内部及び表面に、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等の高融点金属から成る複数の配線導体を配設すると共に、各配線導体を絶縁基板内に設けた前記同様の高融点金属から成るビアホール導体で接続した構造を成している。
【0003】
さらに、配線導体の低抵抗化が必要となる場合には、絶縁基体表面に形成された高融点金属からなる配線導体の上にCu板やAl板をAgろう系、Alろう系等のろう材で接合し、配線を形成することが行なわれている。
【0004】
また、セラミック絶縁基板が、ガラスセラミックス等の焼成温度が1000℃前後の場合には、絶縁基板内部の内層配線や表層配線を共に、Cuペーストで配設して、同時焼成によって形成することが行なわれている。
【0005】
また、高熱伝導性が要求されるパワーモジュール基板等は、絶縁基板にAlNセラミックスを使用して、この絶縁基板にCu板やAl板を銀ろう系、Alろう系等のろう材で接合して配線導体を形成することも行なわれている。
【0006】
そして、これらの配線導体表面に半田濡れ性の優れたNi,Auなどの導体層をめっき等により形成して、この表面に各種電子部品が半田などによってロウ付け実装される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、配線導体の低抵抗化が必要とされる配線基板において、配線導体をCuによって形成した場合、Cuの熱膨張係数は約18ppm/℃と、一般的なセラミックスの熱膨張係数(3〜8ppm/℃)よりも大きいために、その配線基板に熱サイクルが付加されるとセラミック絶縁基板との熱膨張係数の相違により、熱応力が発生し、絶縁基板への接合部付近で絶縁基板や配線導体と絶縁基板との界面にクラックが発生したり、電子部品とのロウ付け部の半田層にクラックが発生したり、電子部品が配線導体から取れたり、配線導体が絶縁基板から剥離するなどの問題が発生し接合信頼性が確保できないという問題があった。
【0008】
また、配線導体をAlによって形成した場合、Cuに比較してヤング率、降伏応力が低く絶縁基板との接合面での剥離等は発生しにくいが、熱膨張係数が23ppm/℃と大きく、その結果、著しい形状変化を起こすため、配線導体としての機能上、支障をきたす恐れがある。さらに、AlはCuに比較して電気抵抗が大きく、熱伝導性も悪いため、Al配線導体の厚みを厚くすると配線導体の熱抵抗が悪化するために、パワートランジスタ等の冷却器の冷却能力を上げる必要があった。よってモジュールの薄型化(小型化)やローコスト化の要求に応えることができないという課題を有していた。
【0009】
従って、本発明は、前記課題を解消せんとして成されたもので、その目的は、低抵抗を有しつつ、絶縁基板や半田層においてクラックが発生したり、配線導体の剥離などが発生することがなく、電気的接続や熱伝導性が良好な高信頼性の配線基板を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、セラミック絶縁基板の表面に配線導体を接合してなり、該配線導体上に電子部品が実装される配線基板において、配線導体を、Cu導体層と、そのCu導体層の電子部品実装面側および絶縁基板への接合面側にAl導体層を積層した積層体によって構成することによって、上記の目的が達成できることを見いだし本発明に至った。
【0011】
なお、上記金属導体において、前記Cu導体層の厚みが0.3mm以上であり、前記Al導体層の厚みがCu配線導体の厚みの1/10以上、1/2以下であることが望ましい。
【0012】
また、前記Cu導体層と前記Al導体層とは、積層後、熱間圧延によって互いに拡散接合されていることが望ましい。
【0013】
また、前記セラミック絶縁基板としては、Al2O3、AlN、Si3N4のうちの少なくとも1種を主成分とするセラミックスが挙げられる。
【0014】
本発明の配線基板によれば、Cu又はCuを主成分とする配線導体の電子部品実装面と、絶縁基板への接合面側の両面に、Al導体層を形成することによって、セラミック絶縁基板とCuとの熱膨張係数の相違に起因して熱応力が発生しても、この熱応力がヤング率の小さい前記導体層によって良好に吸収される結果、絶縁基板や半田層に印加される熱応力を小さくすることができるため、絶縁基板ののクラック発生や半田層、配線導体の剥離を防ぐことができる。
【0015】
また、Al導体層をCu導体層の両面にほぼ同じ厚さで、また拡散接合によって形成することにより、積層体からなる配線導体を作製する場合に配線導体の反り、変形を防止することができるとともに、熱的応力が付与された場合においても、応力のバランスが保たれるために変形、反りをも防止することができる。
【0016】
また、上記導体層にも有効に電流が流れるため、配線導体の低抵抗化においても、不要に配線導体の厚みを厚くする必要もなく、配線基板全体の厚みの薄層化を図ることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の配線基板を図面に基づき詳細に説明する。図1は、本発明の配線基板の一実施例を示す多層配線基板の概略断面図であり、図2は、その配線導体と電子部品との実装部の要部拡大図である。
【0018】
図1および図2の配線基板によれば、絶縁基板1は、複数の絶縁層1a〜1dが積層された積層体によって構成されており、その絶縁基板1の表面には、配線導体2が接合されており、また、この配線導体2の表面には、パワートランジスタ、半導体素子などの電子部品3が半田層4によってロウ付け実装されている。
【0019】
本発明によれば、上記の配線基板において、配線導体2は、Cu導体層2aと、Cu導体層2aの電子部品3実装面側および絶縁基板1への接合面側にAl導体層2b,2bを積層した積層体によって形成されている。
【0020】
言い換えれば、Cu導体層2aはAl導体層2bを介して絶縁基板1に接合されており、また、Cu導体層2aの表面には、Al導体層2bを介して、電子部品3が実装されている。
【0021】
なお、この多層配線基板によれば、絶縁基板1の裏面にも同様な配線導体5が形成されていてもよく、その場合には、この表面に形成された配線導体2と、裏面に形成された配線導体5とは、絶縁基板1の内部に形成されたビアホール導体6あるいは内部配線導体7によって互いに接続することができる。
【0022】
配線導体2におけるCu導体層2aは、Cuを主導体とするるものであって純度99%以上のCuであることが配線導体の低抵抗化、高熱伝導化によって大電流を流すことができ、またコストの面からも有利である。
【0023】
また、Al導体層2bも、純度99%以上のAlの変形応力が小さいからなることが望ましい。このAl導体層2bは塑性変形しやすく、Cu導体層2aの厚みを厚くしても絶縁基板1、半田層4との熱膨張係数の相違に起因して発生する熱応力を良好に吸収緩和する。Al以外の金属では変形抵抗が大きいために、熱応力を十分に吸収緩和することができず、クラックや剥離を防ぐことが困難である。
【0024】
なお、Cu導体層2aの厚みは、0.3mm以上、特に0.5mm以上であることが、大きな電流を印加するとともに高い信頼性を得るために点から必要である。
【0025】
一方、Al導体層2bの厚みは、熱応力の吸収緩和効果を十分に発揮させる上でCu導体層2aの厚みの1/10以上、特に1/5以上であることが重要であって、この厚みが1/10よりも薄いと、Al導体層2bを形成しても、熱応力を十分に吸収緩和することができず、クラックや剥離などを防止することが困難となる。一方、配線導体2全体の特性としてCuの低抵抗および高熱伝導性を阻害しないためには、Al導体層の厚みが前記Cu導体層2aの厚みの1/2以下であることが望ましい。
【0026】
また、上記の配線導体は、Cu導体層2aを中心に配置してその両側にAl導体層を形成することが必要である。これは、Cu導体層2aとAl導体層2bとの熱膨張差などに起因する熱応力のバランスを保ち、Cu導体層2a自体の変形を抑制するためである。特に、応力のバランスを保つ上で、2つのAl導体層2bの厚みの差は0.1mm以下、特に0.05mm以下であることが望ましい。
【0027】
また、このCu導体層2aとAl導体層2bとは、拡散接合されていることが望ましい。これは、ロウ材などの接着材によって両者を積層すると、ロウ材の層の熱抵抗および電気抵抗が高く、配線導体の熱的、電気的特性を劣化させてしまうのに対して、拡散接合すると接合力が強固であり、また反応層が極めて薄く、電気的、熱的特性を劣化させることがないなどの点で優れているためである。
【0028】
また、絶縁基板1としては、一般にセラミック配線基板に適用されるアルミナ(Al2O3)や窒化アルミニウム(AlN)、窒化珪素(Si3N4)等を主成分とするセラミックスであればいずれにも適用できるが、高熱伝導性が要求されるパワーモジュール基板ではAlNセラミックスが、多層化した配線基板にはアルミナセラミックスが好適である。
【0029】
例えば、アルミナセラミックスからなる絶縁基板は、アルミナ(Al2O3)粉末に、シリカ(SiO2)、マグネシア(MgO)、カルシア(CaO)等の原料粉末に周知の有機性バインダーと有機溶剤、可塑剤、分散剤等を添加混合して調製した泥漿を、周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形法によりセラミックグリーンシートを作成する。そして、適宜、このグリーンシートにビアホールを形成後、導体ペーストを充填したり、グリーンシート表面に導体ペーストをスクリーン印刷した後、それらを複数枚積層し、約1500〜1700℃の温度で焼成することにより得られる。
【0030】
AlNセラミックスを絶縁基板とする場合には、AlN粉末に、Y2O3などの周期律表第3a族酸化物、CaOなどのアルカリ土類金属酸化物などの焼結助剤を添加し、上記と同様にして調製した泥漿を用いてグリーンシートを作成し、適宜ビアホール導体や配線パターンを形成し、1600〜1850℃で焼成することにより得られる。
【0031】
また、窒化珪素セラミックスを絶縁基板とする場合には、Si3N4粉末に、Y2O3などの周期律表第3a族酸化物、MgOなどのアルカリ土類金属酸化物、Al2O3、SiO2などの焼結助剤を添加し、この混合物をプレス成形、あるいは上記と同様にして調製した泥漿を用いてグリーンシートを作製し、適宜ビアホール導体や配線パターンを形成し、1600〜1950℃で焼成することにより得られる。
【0032】
なお、上記の製造過程でビアホール導体に充填される導体としては、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、レニウム(Re)、コバルト(Co)の群から選ばれる少なくとも1種の高融点金属を主成分とするものが挙げられ、特に絶縁基板との熱膨張率の整合性及びコストの点からはW,Moが好適である。また、ビアホール導体は、基板の表面に実装されたパワーMOSFET等の発熱性の電子部品から発生した熱を基板裏面に伝達する効果も奏することができる。
【0033】
一方、内部配線導体については、セラミック絶縁基板と同時焼成で形成する場合、前記スルーホール導体と同様の上記の高融点金属が使用できる。
【0034】
特に、熱伝達性を目的として、絶縁基板の内部に熱放散性を目的として上記のビアホール導体の形成方法と同様な方法によって、発熱性の電子部品を搭載する部分にサーマルビアを兼用したビアホール導体を多数設けることも可能である。なお、本発明における基板表面の配線導体は、例えば、カーボン治具に所定の厚みのCu板を2枚の所定の厚みのAl板で挟むように重ねた後、約1100℃の温度でCuを溶融させることによってCu板とAl板とを拡散接合することができる。また、他の方法としては、プレス金型内にAl粉末を所定の厚みになるように充填し、次にCu粉末またはCu板をその上に重ねるように充填し、さらにその上にAl粉末を充填した後、1ton/cm3以上でプレス成形し、約1050℃前後の還元雰囲気で焼成することによって作製することができる。
【0035】
また、この表面配線導体2の表面に電子部品を実装する場合、半田によって実装するが、半田との濡れ性を改善するために、配線導体の表面にNiやCuなどの金属層を1〜3μmの厚みでメッキ処理を施すことが望ましい。
【0036】
【実施例】
次に、以下のようにして本発明の配線基板を評価した。なお、評価にあたっては、絶縁基板としてAlNセラミックスを用いて作製した。
【0037】
まず、AlN粉末に、CaO0.5重量%、Y2O35重量%を添加したAlN粉末組成物にアクリル系の有機性バインダーと可塑剤、溶剤を添加混合して泥漿を調整し、該泥漿をドクターブレード法により厚さ約300μmのシート状に成形した。このセラミックグリーンシートを複数枚積層後、1750℃で焼成し、幅20mm×長さ60mm×厚さ1mmの絶縁基板を作製した。
【0038】
次に、配線導体を作製した。所定の厚みのCu板を所定の厚みの2枚のAl板で挟み積層し、1100℃で熱間圧延して拡散接合し、Cu導体層、Al導体層の厚みがそれぞれ表1の配線導体を作製した。この3層積層配線導体を幅15mm×長さ50mmに加工後、Alろうを用いて前記AlN基板表面に500℃で加熱接合して配線導体を有する配線基板を形成した。
【0039】
その後、この配線導体の表面に厚み3〜4μmの無電解Niめっきを施した後、組成Pb60%−Sn40%の半田リボンを用いて10mm角のSiチップを配線導体上に実装した。
【0040】
こうしてSiチップを搭載した配線基板について、配線導体の絶縁基板への接合直後、並びに−40〜125℃の温度サイクル試験500サイクルまでの各100サイクル毎に、絶縁基板と配線導体との接合部、Siチップの半田接合部において、配線導体の剥離やクラックの発生をマイクロスコープ(25〜200倍)で観察した。結果を表1に示す。
【0041】
【表1】
【0042】
配線導体をCu導体層単味で形成した試料No.1では、およびAl導体層を形成しても、その厚みがCu導体層の厚みの1/10よりも薄い試料No.9では、ロウ付け後、導体層と基板の接合面からの剥離や、配線導体端部近傍の絶縁基板にクラックが発生した。
【0043】
なお、片方のみにAl板を積層して、上記と同様にして積層体を作製したが、積層体の変形が大きく、配線導体として使用できるものではなかった。
【0044】
温度サイクル試験において、半田接合部においてもAl導体層を形成していないもの(試料No1)や、Al導体層が薄いもの(試料No10)は300サイクル以下で、チップとの接合部近傍の半田層にクラックが確認された。
【0045】
これに対して、本発明の試料は、配線導体と絶縁基板接合部では400サイクル,半田接合部では400サイクルまで剥離、クラックの発生は見られず、信頼性が高い配線基板であることが確認された。
【0046】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の配線基板によれば、厚さ0.3mm以上のCu導体層の電子部品実装面と、絶縁基板への接合面に、Al導体層を所定の厚みで形成することによって、Al導体層によって熱膨張係数の相違に起因して発生する熱応力を吸収緩和し、クラックや剥離の発生を抑制し、低抵抗で且つ熱伝導性が良好な高信頼性の配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の配線基板の一実施例を示す多層配線基板の概略断面図である。
【図2】図1の配線導体と電子部品との実装部の要部拡大図である。
【符号の説明】
1 絶縁基板
2,5 配線導体
2a Cu導体層
2b Al導体層
3 電子部品
4 半田層
6 ビアホール導体
7 内部配線導体
Claims (5)
- セラミック絶縁基板の表面に配線導体を接合してなり、該配線導体上に電子部品が実装される配線基板であって、前記配線導体が、厚さ0.3mm以上のCu導体層と、該Cu導体層の電子部品実装面側および前記絶縁基板への接合面側に、前記Cu導体層の厚さの1/10以上の厚さを有するAl導体層を積層した積層体からなることを特徴とする配線基板。
- 前記Al導体層の厚みが前記Cu導体層の厚みの1/2以下であることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記電子部品実装面側および前記絶縁基板への接合面側のAl導体層の厚みの差が0.1mm以下であることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記Cu導体層と前記Al導体層とが拡散接合されたものである請求項1記載の配線基板。
- 前記セラミック絶縁基板が、Al2O3、AlN、Si3N4のうちの少なくとも1種を主成分とするセラミックスからなることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
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