JP3552410B2 - Ccd固体撮像素子 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、CCD固体撮像素子に関し、とりわけ3相による全画素駆動方式のCCD固体撮像素子の電極構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の全画素駆動方式のCCD固体撮像素子の上部構造の模式平面図を図5に、またB−B断面図(画素間断面図)を図6に示す。さらに図7に、従来のCCD固体撮像素子の読み出し動作タイミングを示す。
【0003】
図5および図6で、103は画素であるフォトセンサ部、110は第1電極、111は第2電極、112は第3電極である。フォトセンサ部103は基板121内に平面マトリクス状に複数基が配設され、これらマトリクス状に配置されたフォトセンサ部103間の基板121上に、ゲート酸化膜122を介して第1電極〜第3電極110〜112が配されている。
【0004】
第1電極110は、フォトセンサ部103の図中左端側の間隔に位置する転送部110Bと、フォトセンサ部103の図中上端側または下端側の間隔に位置する、幅が転送部110Bの幅と同じの画素間部110Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の転送部110Bを、画素間部110Aが接続する構成となっている。
【0005】
同様に、第2電極111は、フォトセンサ部103の図中左端側の間隔に位置する、比較的広幅の読出・転送部111Bと、フォトセンサ部103の図中上端側または下端側の間隔に位置する、比較的狭幅の画素間部111Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の読出・転送部111Bを、画素間部111Aが接続する構成となっている。
【0006】
さらに、第3電極112は、フォトセンサ部103の図中左端側の間隔に位置する、比較的広幅の読出・転送部112Bと、フォトセンサ部103の図中上端側または下端側の間隔に位置する、比較的狭幅の画素間部112Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の読出・転送部112Bを、画素間部112Aが接続する構成となっている。
【0007】
したがって、第1電極110に例えば列の左端から与えた転送・読出パルスの信号電位は、複数個の画素間部110Aを順に介して、列の右端の読出・転送部110Bまで順に伝達される。第2電極111、第3電極112についても同様である。
【0008】
転送部110Bならびに読出・転送部111B、112Bは、互いに一部分を重畳させて配されており、これらの下には、いずれも図示されない読出ゲート部と、読出ゲート部に隣接し、電荷を転送させる転送チャンネル領域と、転送チャンネル領域に隣接するチャンネルストッパ領域が配設されている。
【0009】
そして、図6に示されるように、第1〜第3電極110〜112の画素間部110A〜112Aが、ゲート酸化膜122上に、この順に1層目から3層目まで、それぞれ絶縁膜を介して、3層に重ねて形成されている。
【0010】
すなわち、第1電極110の画素間部110Aは、ゲート酸化膜122に接して第1層に形成され、第2電極111の画素間部111Aは、ゲート酸化膜122に接することなく、第2層に形成され、さらに第3電極112の画素間部112Aは、ゲート酸化膜27に接することなく、第3層に形成されている。
【0011】
ところで、フォトセンサ部103はHAD構造として構成され、基板121内に形成されたアキュムレーションレイヤー123に電荷が蓄積される。このため、アキュムレーションレイヤー123に信号電荷読出時以外の正の電圧が、外乱として例えば画素間部に配設されている電極から印加された場合は、アキュムレーションレイヤーから蓄積電荷が流出する結果空乏化し、この空乏の拡大にともない再結合が生じて、白キズ発生の原因となる。
【0012】
したがって、従来技術ではフォトセンサ部のアキュムレーションレイヤーへの、外乱としての正の電圧の印加を避けるべく、信号電荷読出しを第2電極111と第3電極112だけで行い、第1電極110は電荷読出に寄与しない構成としている。
よって正の読出電圧が印加されない第1電極の画素間部110Aを再下層(1層目)に、シリコン酸化膜122に接して配し、この画素間部110Aの上に、正の読出電圧が印加される第2電極および第3電極の画素間部111A、112Aをこの順に、絶縁膜を介してそれぞれ配置し、よって図6に示されるような3層の電極構造が構成されている。
【0013】
したがって、この画素間部における電極の形状は、図示されるように第1電極の断面積が最も大きく、第3電極の断面積が最も小さく形成されている。
【0014】
これにより、フォトセンサ部103からの信号電荷読出時には、第2電極111および第3電極112の両方に、図7に示されるようなタイミングで正の読出電圧V2、V3が印加される。ここで、HDは水平同期信号、V1は第1電極に印加されるクロックパルス、V2は第2電極に印加されるクロックパルス、V3は第3電極に印加されるクロックパルスである。第1電極110には読出電圧が印加されない。
【0015】
前記のように、従来の構成のCCD固体撮像素子は、第2電極および第3電極により電荷を読出すため、第2電極および第3電極の両方に正の電位の読出パルスが印加される構成となっていた。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記のように第3電極の断面積が他の電極の断面積に比して小さい構成の結果、第3電極の抵抗値が最も高くなり、このため第3電極における転送クロックの伝搬遅延が増大して、画素数が多い分野での適用の障害となっていた。
【0017】
さらに、他の電極の伝搬遅延とに差が生じてタイミングのずれが発生し、あるいは時定数の差に基づくパルス信号のなまりや、歪みの発生による弊害が発生するという問題があった。
【0018】
また、伝搬遅延を緩和する方法として、画素間部の線幅を広くする方法があるが、この部分はセンサ領域を形成しない、いわば無効な部分であるから、CCD固体撮像素子の感度や取扱信号電荷量が減少することになり、好ましくない。
【0019】
また、伝搬遅延特性の改善のため、第3電極の膜厚を厚くし、体積を大とする試みでは、厚膜化により上層の高さが高くなる為、入射光の一部がけられて感度の低下を招き、またエッチング残りが発生しやすくなり、ショート不良により部留りが低下するといった不具合いがあった。
【0020】
さらに、読出効率の改善のため、第3電極に印加する電圧を高める場合、従来構成では第3電極の下端全面が第2電極に(絶縁膜を介して)接しているため、パルスによる電位変化が寄生容量等を介して第2電極に印加されるおそれがあり、第2電極におけるクロストークノイズのレベルが増大するおそれがあった。
【0021】
本発明は従来技術の前記のような課題や欠点を解決するためなされたもので、その目的は電極の伝搬遅延特性を改善でき、多い画素数への適用が可能であり、さらに電荷量の増大により感度の改善が可能で、しかもクロストーク特性に優れたCCD固体撮像素子を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明に係るCCD固体撮像素子は、画素に蓄積された電荷の読出・転送のための3相の信号に基づき、基板のゲート酸化膜上に3層に亘り形成された第1電極〜第3電極がこの順に起動される全画素駆動方式のCCD固体撮像素子において、前記画素間に設けられた前記第1電極の画素間部が前記基板のゲート酸化膜に接して設けられ、前記画素間に設けられた前記第2電極の画素間部の少なくとも一部分が、前記基板のゲート酸化膜に接して設けられ、さらに前記画素間に設けられた前記第3電極の画素間部の少なくとも一部分が、前記第1電極の画素間部ならびに前記第2電極の画素間部の両方に絶縁膜を介して接し、しかも前記第3電極の画素間部は前記基板のゲート酸化膜に接しない構成とされる。
あるいは、画素の蓄積電荷を第3電極のみで読出す構成とされる。
【0023】
前記の構成によれば、第3電極の画素間部が下層あるいは同層にある第1電極の画素間部と第2電極の画素間部の両方に接するから、第3電極の起動により第1電極と第2電極に生じる誘導電位が分散され、よって第1電極と第2電極におけるクロストークのレベルが低下して、しきい値以下となる。
【0024】
しかも、画素の蓄積電荷が第3電極のみで読出されるから、第3電極のみが正の電位になり、かつ第3電極の画素間部は前記基板のゲート酸化膜に接しないから、第3電極の画素間部から画素に正の電位が印加されることがなく、よって電荷流出や空乏の発生が避けられる。
【0025】
あるいは、第1電極〜第3電極の画素間部が同等の断面積を有して構成される場合は、第1電極〜第3電極の抵抗値が略同等になり、よって転送クロックの伝般遅延は均一化される。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るCCD固体撮像素子をインターライン転送(IT)方式のイメージセンサに適用した実施形態を、添付図面を参照しながら説明する。
まず、図4に示される全体ブロック図に基づいて、この実施形態に係るイメージセンサ全体を説明する。
【0027】
本実施形態に係るイメージセンサ1は、図4に示されるように、入射光Lを光量に応じた量の電荷に光電変換する複数基のフォトセンサ部3がマトリックス状に配され、更にこれらのフォトセンサ部3のうち、列方向に配列されたフォトセンサ部3に対して共通とされた垂直転送レジスタ2が複数本、行方向に配列されている。
さらに、複数本の垂直転送レジスタ2に対して共通とされた水平転送レジスタ4を有する。
【0028】
前記の水平転送レジスタ4の最終段には、出力部5が接続されている。出力部5は、水平転送レジスタ4の最終段から転送されてきた信号電荷を電気信号(例えば電圧信号)に変換する、例えばフローティング・ディフュージョンあるいはフローティング・ゲート等と、変換された電気信号を増幅するアンプを有して構成されている。
【0029】
垂直転送レジスタ2には、後述する転送電極が複数基配設され、これら複数基の転送電極に3相の転送・読出パルスφ1〜φ3が印加されている。
【0030】
フォトセンサ部3に蓄積されている信号電荷は、垂直帰線期間においてまず、転送・読出パルスによって垂直転送レジスタ2に読み出される。ついで各転送電極下のポテンシャル分布が転送・読出パルスによって順次変化すると、これによって信号電荷がそれぞれ垂直転送レジスタ2を縦方向(水平レジスタ4側)に転送され、その後の水平帰線において1行単位に水平転送レジスタ4側に転送される。
【0031】
そして、次の水平走査期間において、水平転送レジスタ4内で信号電荷が順次出力部に転送され、出力部において電気信号に変換され出力端子から映像信号s1として取り出されるものである。
【0032】
図1は、本発明に係るCCD固体撮像素子の一実施形態における、要部の模式平面図である。また図2は、図1のA―A断面図である。さらに図3は、読出し動作タイミング図である。以下、各図に基づき要部の構成を説明する。
【0033】
図1で、3はフォトセンサ部、10は第1層に配された第1電極、11は第1層および第2層に亘って配された第2電極、12は第2層および第3層に亘って配された第3電極である。
フォトセンサ部3は基板21内に平面マトリクス状に複数基が配設され、これらマトリクス状に配置されたフォトセンサ部3間の基板21上に、ゲート酸化膜27を介して第1電極〜第3電極10〜12が配されている。これら電極は、例えば多結晶シリコン層、高融点シリサイド層、高融点ポリサイド層等で構成され、それぞれ絶縁膜を介して形成されている。
【0034】
第1電極10は、フォトセンサ部3の図中左端側の間隔に位置する、比較的広幅の転送部10Bと、フォトセンサ部3の図中上端側または下端側の間隔に位置する、比較的狭幅の画素間部10Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の転送部10Bを、画素間部10Aが接続する構成となっている。
【0035】
同様に、第2電極11は、フォトセンサ部3の図中左端側の間隔に位置する、比較的広幅の転送部11Bと、フォトセンサ部3の図中上端側または下端側の間隔に位置する、比較的狭幅の画素間部11Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の転送部11Bを、画素間部11Aが接続する構成となっている。
【0036】
さらに、第3電極12は、フォトセンサ部3の図中左端側の間隔に位置する、比較的広幅の読出部12Bと、フォトセンサ部3の図中上端側または下端側の間隔に位置する、比較的狭幅の画素間部12Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の読出部12Bを、画素間部12Aが接続する構成となっている。
【0037】
したがって、第1〜第3電極10〜12のそれぞれに、例えば列の左端から与えた転送・読出パルスの信号電位は、狭幅の複数個の画素間部10A〜12Aを順に介して、列の右端の読出部あるいは転送部まで伝達される。
【0038】
転送部10B、11Bならびに読出部12Bは、互いに一部分を重畳させて配されており、これら転送部10B、11Bならびに読出部12Bの下には、いずれも図示されない読出ゲート部と、読出ゲート部に隣接し、電荷を転送させる転送チャンネル領域と、転送チャンネル領域に隣接するチャンネルストッパ領域が配設されている。
【0039】
各電極10〜12にそれぞれ個別に印加される3相の読出あるいは転送クロックによって、転送部10B、11Bならびに読出部12B下のポテンシャル分布が順次変化し、これによって読み出し期間においてフォトセンサ部3から信号電荷が読み出され、また垂直帰線期間において信号電荷が垂直転送されることになる。
【0040】
図2は、前記フォトセンサ部3ならびに画素間部20周辺の断面(図1のA−A断面)である。同図に示されるように、n型のシリコン基板21上にp型不純物(例えばボロンB)の導入によるp型のウエル領域22と、フォトセンサ部3を形成するためのn型の不純物拡散領域23と、この不純物拡散領域23の表面に形成されたp型の正電荷蓄積領域26が形成され、さらにこれらの上に形成されたゲート酸化膜27上に、各電極10〜12の画素間部10A〜12Aが、絶縁膜を介して形成されている。
【0041】
第1電極10の画素間部10Aは、ゲート酸化膜27に接して第1層に形成され、第2電極11の画素間部11Aは、一部をゲート酸化膜27に接して第1層ならびに第2層に亘り形成され、さらに第3電極12の画素間部12Aは、ゲート酸化膜27に接することなく、第2層ならびに第3層に亘って形成されている。
【0042】
本発明では、フォトセンサ部3からの蓄積電荷の読み出しを、第3電極12だけにより行う構成とする。すなわち、図3に示されるように、読み出しパルス(正電位)は、第3電極12に与えられるクロックV3のみに発生させる構成とする。したがって、読み出し時に第3電極12は正電位となり、よって画素間部12Aも正電位となるが、図2に示されるように、画素間部12Aは基板(ゲート酸化膜27)に接触しないから、画素間部12Aの正電位がフォトセンサ部3に影響を及ぼすことがない。
【0043】
また前記の構成により、第3電極12の画素間部12Aは、第2電極11の画素間部11Aおよび第1電極10の画素間部10Aに絶縁膜を介して、分散して接することになり、第3電極12への印加電圧を上昇させても、寄生容量により発生するクロストークノイズは両画素間部11Aと10Aに分散され、低いしきい値でのノイズ制御が可能になる。すなわち、この構成によりクロストーク特性が改善される。
【0044】
また、画素間部10A〜12Aの断面積に着目すると、前記の構成により、画素間部10Aの断面積を、過剰であった従来の断面積よりも少なくでき、またその分だけ画素間部11Aの一部を1層目に展開することで2層目に空間的余裕が生じ、よってこの2層目の空間に画素間部12Aの一部を展開することで、全体の厚みを増加させることなく、画素間部12Aの断面積を増加させることが可能になる。
【0045】
したがって、画素間部10A〜12Aの断面積を同一に構成することができ、これによって各電極の信号伝般遅延を均一化することができる。
【0046】
前記の結果、第1電極の画素間部10Aの幅を従来のものよりも狭く構成することが可能になり、よって削減された面積だけフォトセンサ部3の面積を拡大させることができ、高感度のCCD固体撮像素子を実現することができる。
なお、全画素読出CCDでは、垂直レジスタを第1〜第3電極で3等分する必要があるため、本発明では第1電極の転送部の幅は従来のように3等分するようにし、画素間部を細く構成する。
【0047】
また前記図2に示される実施形態では、図中で画素間部11Aが画素間部10Aの右横に(図1では下側に)展開する構成を示したが、これに限られず、左側に展開させてもよい。
【0048】
【発明の効果】
本発明の請求項1に係るCCD固体撮像素子は、第1電極の画素間部ならびに、第2電極の画素間部の少なくとも一部分が基板のゲート酸化膜に接して設けられ、さらに第3電極の画素間部の少なくとも一部分が、第1電極の画素間部ならびに第2電極の画素間部の両方に絶縁膜を介して接し、しかも第3電極の画素間部は基板のゲート酸化膜に接しない構成する構成であるから、第3電極の起動により第1電極と第2電極に生じる誘導電位が分散され、よって第1電極と第2電極におけるクロストークのレベルが低下して、しきい値以下となる。よってノイズによる誤作動のない、安定した動作のCCD固体撮像素子を実現できる。
【0049】
また、本発明の請求項2に係るCCD固体撮像素子は、第1電極〜第3電極の画素間部の断面積を同等にして構成するものであるから、従来に比してとりわけ第3電極の体積を大にできる。この結果、伝搬遅延の影響を抑えることが可能になり、より高速な動作や、垂直レジスタの取扱電荷量の増大といった特性の向上を実現することができる。
【0050】
また、第3電極の体積を大にできるため、電極を構成する多結晶シリコンの薄膜化が可能となり、オンチップマイクロレンズの集光効率を向上させることができるといった効果もある。
【0051】
また、本発明の請求項3に係るCCD固体撮像素子は、画素の蓄積電荷が第3電極のみで読出されるから、第3電極のみが正の電位になり、かつ第3電極の画素間部は前記基板のゲート酸化膜に接しないから、第3電極の画素間部から画素に正の電位が印加されることがなく、よって電荷流出や空乏の発生が避けられるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るCCD固体撮像素子の一実施形態における要部の模式平面図である。
【図2】図1のA―A断面図である。
【図3】本発明に係るCCD固体撮像素子の読み出し動作タイミング図である。
【図4】本発明に係るCCD固体撮像素子の全体ブロック図である。
【図5】従来のCCD固体撮像素子の要部模式平面図である。
【図6】図5のB―B断面図である。
【図7】従来のCCD固体撮像素子の読み出し動作タイミング図である。
【符号の説明】
3……フォトセンサ部、10……第1電極、10A……第1電極の画素間部、10B……第1電極の転送部、11……第2電極、11A……第2電極の画素間部、11B……第2電極の転送部、12……第3電極、12A……第3電極の画素間部、12B……第3電極の転送部、20……画素間部。
【発明の属する技術分野】
本発明は、CCD固体撮像素子に関し、とりわけ3相による全画素駆動方式のCCD固体撮像素子の電極構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の全画素駆動方式のCCD固体撮像素子の上部構造の模式平面図を図5に、またB−B断面図(画素間断面図)を図6に示す。さらに図7に、従来のCCD固体撮像素子の読み出し動作タイミングを示す。
【0003】
図5および図6で、103は画素であるフォトセンサ部、110は第1電極、111は第2電極、112は第3電極である。フォトセンサ部103は基板121内に平面マトリクス状に複数基が配設され、これらマトリクス状に配置されたフォトセンサ部103間の基板121上に、ゲート酸化膜122を介して第1電極〜第3電極110〜112が配されている。
【0004】
第1電極110は、フォトセンサ部103の図中左端側の間隔に位置する転送部110Bと、フォトセンサ部103の図中上端側または下端側の間隔に位置する、幅が転送部110Bの幅と同じの画素間部110Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の転送部110Bを、画素間部110Aが接続する構成となっている。
【0005】
同様に、第2電極111は、フォトセンサ部103の図中左端側の間隔に位置する、比較的広幅の読出・転送部111Bと、フォトセンサ部103の図中上端側または下端側の間隔に位置する、比較的狭幅の画素間部111Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の読出・転送部111Bを、画素間部111Aが接続する構成となっている。
【0006】
さらに、第3電極112は、フォトセンサ部103の図中左端側の間隔に位置する、比較的広幅の読出・転送部112Bと、フォトセンサ部103の図中上端側または下端側の間隔に位置する、比較的狭幅の画素間部112Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の読出・転送部112Bを、画素間部112Aが接続する構成となっている。
【0007】
したがって、第1電極110に例えば列の左端から与えた転送・読出パルスの信号電位は、複数個の画素間部110Aを順に介して、列の右端の読出・転送部110Bまで順に伝達される。第2電極111、第3電極112についても同様である。
【0008】
転送部110Bならびに読出・転送部111B、112Bは、互いに一部分を重畳させて配されており、これらの下には、いずれも図示されない読出ゲート部と、読出ゲート部に隣接し、電荷を転送させる転送チャンネル領域と、転送チャンネル領域に隣接するチャンネルストッパ領域が配設されている。
【0009】
そして、図6に示されるように、第1〜第3電極110〜112の画素間部110A〜112Aが、ゲート酸化膜122上に、この順に1層目から3層目まで、それぞれ絶縁膜を介して、3層に重ねて形成されている。
【0010】
すなわち、第1電極110の画素間部110Aは、ゲート酸化膜122に接して第1層に形成され、第2電極111の画素間部111Aは、ゲート酸化膜122に接することなく、第2層に形成され、さらに第3電極112の画素間部112Aは、ゲート酸化膜27に接することなく、第3層に形成されている。
【0011】
ところで、フォトセンサ部103はHAD構造として構成され、基板121内に形成されたアキュムレーションレイヤー123に電荷が蓄積される。このため、アキュムレーションレイヤー123に信号電荷読出時以外の正の電圧が、外乱として例えば画素間部に配設されている電極から印加された場合は、アキュムレーションレイヤーから蓄積電荷が流出する結果空乏化し、この空乏の拡大にともない再結合が生じて、白キズ発生の原因となる。
【0012】
したがって、従来技術ではフォトセンサ部のアキュムレーションレイヤーへの、外乱としての正の電圧の印加を避けるべく、信号電荷読出しを第2電極111と第3電極112だけで行い、第1電極110は電荷読出に寄与しない構成としている。
よって正の読出電圧が印加されない第1電極の画素間部110Aを再下層(1層目)に、シリコン酸化膜122に接して配し、この画素間部110Aの上に、正の読出電圧が印加される第2電極および第3電極の画素間部111A、112Aをこの順に、絶縁膜を介してそれぞれ配置し、よって図6に示されるような3層の電極構造が構成されている。
【0013】
したがって、この画素間部における電極の形状は、図示されるように第1電極の断面積が最も大きく、第3電極の断面積が最も小さく形成されている。
【0014】
これにより、フォトセンサ部103からの信号電荷読出時には、第2電極111および第3電極112の両方に、図7に示されるようなタイミングで正の読出電圧V2、V3が印加される。ここで、HDは水平同期信号、V1は第1電極に印加されるクロックパルス、V2は第2電極に印加されるクロックパルス、V3は第3電極に印加されるクロックパルスである。第1電極110には読出電圧が印加されない。
【0015】
前記のように、従来の構成のCCD固体撮像素子は、第2電極および第3電極により電荷を読出すため、第2電極および第3電極の両方に正の電位の読出パルスが印加される構成となっていた。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記のように第3電極の断面積が他の電極の断面積に比して小さい構成の結果、第3電極の抵抗値が最も高くなり、このため第3電極における転送クロックの伝搬遅延が増大して、画素数が多い分野での適用の障害となっていた。
【0017】
さらに、他の電極の伝搬遅延とに差が生じてタイミングのずれが発生し、あるいは時定数の差に基づくパルス信号のなまりや、歪みの発生による弊害が発生するという問題があった。
【0018】
また、伝搬遅延を緩和する方法として、画素間部の線幅を広くする方法があるが、この部分はセンサ領域を形成しない、いわば無効な部分であるから、CCD固体撮像素子の感度や取扱信号電荷量が減少することになり、好ましくない。
【0019】
また、伝搬遅延特性の改善のため、第3電極の膜厚を厚くし、体積を大とする試みでは、厚膜化により上層の高さが高くなる為、入射光の一部がけられて感度の低下を招き、またエッチング残りが発生しやすくなり、ショート不良により部留りが低下するといった不具合いがあった。
【0020】
さらに、読出効率の改善のため、第3電極に印加する電圧を高める場合、従来構成では第3電極の下端全面が第2電極に(絶縁膜を介して)接しているため、パルスによる電位変化が寄生容量等を介して第2電極に印加されるおそれがあり、第2電極におけるクロストークノイズのレベルが増大するおそれがあった。
【0021】
本発明は従来技術の前記のような課題や欠点を解決するためなされたもので、その目的は電極の伝搬遅延特性を改善でき、多い画素数への適用が可能であり、さらに電荷量の増大により感度の改善が可能で、しかもクロストーク特性に優れたCCD固体撮像素子を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明に係るCCD固体撮像素子は、画素に蓄積された電荷の読出・転送のための3相の信号に基づき、基板のゲート酸化膜上に3層に亘り形成された第1電極〜第3電極がこの順に起動される全画素駆動方式のCCD固体撮像素子において、前記画素間に設けられた前記第1電極の画素間部が前記基板のゲート酸化膜に接して設けられ、前記画素間に設けられた前記第2電極の画素間部の少なくとも一部分が、前記基板のゲート酸化膜に接して設けられ、さらに前記画素間に設けられた前記第3電極の画素間部の少なくとも一部分が、前記第1電極の画素間部ならびに前記第2電極の画素間部の両方に絶縁膜を介して接し、しかも前記第3電極の画素間部は前記基板のゲート酸化膜に接しない構成とされる。
あるいは、画素の蓄積電荷を第3電極のみで読出す構成とされる。
【0023】
前記の構成によれば、第3電極の画素間部が下層あるいは同層にある第1電極の画素間部と第2電極の画素間部の両方に接するから、第3電極の起動により第1電極と第2電極に生じる誘導電位が分散され、よって第1電極と第2電極におけるクロストークのレベルが低下して、しきい値以下となる。
【0024】
しかも、画素の蓄積電荷が第3電極のみで読出されるから、第3電極のみが正の電位になり、かつ第3電極の画素間部は前記基板のゲート酸化膜に接しないから、第3電極の画素間部から画素に正の電位が印加されることがなく、よって電荷流出や空乏の発生が避けられる。
【0025】
あるいは、第1電極〜第3電極の画素間部が同等の断面積を有して構成される場合は、第1電極〜第3電極の抵抗値が略同等になり、よって転送クロックの伝般遅延は均一化される。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るCCD固体撮像素子をインターライン転送(IT)方式のイメージセンサに適用した実施形態を、添付図面を参照しながら説明する。
まず、図4に示される全体ブロック図に基づいて、この実施形態に係るイメージセンサ全体を説明する。
【0027】
本実施形態に係るイメージセンサ1は、図4に示されるように、入射光Lを光量に応じた量の電荷に光電変換する複数基のフォトセンサ部3がマトリックス状に配され、更にこれらのフォトセンサ部3のうち、列方向に配列されたフォトセンサ部3に対して共通とされた垂直転送レジスタ2が複数本、行方向に配列されている。
さらに、複数本の垂直転送レジスタ2に対して共通とされた水平転送レジスタ4を有する。
【0028】
前記の水平転送レジスタ4の最終段には、出力部5が接続されている。出力部5は、水平転送レジスタ4の最終段から転送されてきた信号電荷を電気信号(例えば電圧信号)に変換する、例えばフローティング・ディフュージョンあるいはフローティング・ゲート等と、変換された電気信号を増幅するアンプを有して構成されている。
【0029】
垂直転送レジスタ2には、後述する転送電極が複数基配設され、これら複数基の転送電極に3相の転送・読出パルスφ1〜φ3が印加されている。
【0030】
フォトセンサ部3に蓄積されている信号電荷は、垂直帰線期間においてまず、転送・読出パルスによって垂直転送レジスタ2に読み出される。ついで各転送電極下のポテンシャル分布が転送・読出パルスによって順次変化すると、これによって信号電荷がそれぞれ垂直転送レジスタ2を縦方向(水平レジスタ4側)に転送され、その後の水平帰線において1行単位に水平転送レジスタ4側に転送される。
【0031】
そして、次の水平走査期間において、水平転送レジスタ4内で信号電荷が順次出力部に転送され、出力部において電気信号に変換され出力端子から映像信号s1として取り出されるものである。
【0032】
図1は、本発明に係るCCD固体撮像素子の一実施形態における、要部の模式平面図である。また図2は、図1のA―A断面図である。さらに図3は、読出し動作タイミング図である。以下、各図に基づき要部の構成を説明する。
【0033】
図1で、3はフォトセンサ部、10は第1層に配された第1電極、11は第1層および第2層に亘って配された第2電極、12は第2層および第3層に亘って配された第3電極である。
フォトセンサ部3は基板21内に平面マトリクス状に複数基が配設され、これらマトリクス状に配置されたフォトセンサ部3間の基板21上に、ゲート酸化膜27を介して第1電極〜第3電極10〜12が配されている。これら電極は、例えば多結晶シリコン層、高融点シリサイド層、高融点ポリサイド層等で構成され、それぞれ絶縁膜を介して形成されている。
【0034】
第1電極10は、フォトセンサ部3の図中左端側の間隔に位置する、比較的広幅の転送部10Bと、フォトセンサ部3の図中上端側または下端側の間隔に位置する、比較的狭幅の画素間部10Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の転送部10Bを、画素間部10Aが接続する構成となっている。
【0035】
同様に、第2電極11は、フォトセンサ部3の図中左端側の間隔に位置する、比較的広幅の転送部11Bと、フォトセンサ部3の図中上端側または下端側の間隔に位置する、比較的狭幅の画素間部11Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の転送部11Bを、画素間部11Aが接続する構成となっている。
【0036】
さらに、第3電極12は、フォトセンサ部3の図中左端側の間隔に位置する、比較的広幅の読出部12Bと、フォトセンサ部3の図中上端側または下端側の間隔に位置する、比較的狭幅の画素間部12Aから成り、水平方向(図中の左右方向)に1列に並ぶ複数個の読出部12Bを、画素間部12Aが接続する構成となっている。
【0037】
したがって、第1〜第3電極10〜12のそれぞれに、例えば列の左端から与えた転送・読出パルスの信号電位は、狭幅の複数個の画素間部10A〜12Aを順に介して、列の右端の読出部あるいは転送部まで伝達される。
【0038】
転送部10B、11Bならびに読出部12Bは、互いに一部分を重畳させて配されており、これら転送部10B、11Bならびに読出部12Bの下には、いずれも図示されない読出ゲート部と、読出ゲート部に隣接し、電荷を転送させる転送チャンネル領域と、転送チャンネル領域に隣接するチャンネルストッパ領域が配設されている。
【0039】
各電極10〜12にそれぞれ個別に印加される3相の読出あるいは転送クロックによって、転送部10B、11Bならびに読出部12B下のポテンシャル分布が順次変化し、これによって読み出し期間においてフォトセンサ部3から信号電荷が読み出され、また垂直帰線期間において信号電荷が垂直転送されることになる。
【0040】
図2は、前記フォトセンサ部3ならびに画素間部20周辺の断面(図1のA−A断面)である。同図に示されるように、n型のシリコン基板21上にp型不純物(例えばボロンB)の導入によるp型のウエル領域22と、フォトセンサ部3を形成するためのn型の不純物拡散領域23と、この不純物拡散領域23の表面に形成されたp型の正電荷蓄積領域26が形成され、さらにこれらの上に形成されたゲート酸化膜27上に、各電極10〜12の画素間部10A〜12Aが、絶縁膜を介して形成されている。
【0041】
第1電極10の画素間部10Aは、ゲート酸化膜27に接して第1層に形成され、第2電極11の画素間部11Aは、一部をゲート酸化膜27に接して第1層ならびに第2層に亘り形成され、さらに第3電極12の画素間部12Aは、ゲート酸化膜27に接することなく、第2層ならびに第3層に亘って形成されている。
【0042】
本発明では、フォトセンサ部3からの蓄積電荷の読み出しを、第3電極12だけにより行う構成とする。すなわち、図3に示されるように、読み出しパルス(正電位)は、第3電極12に与えられるクロックV3のみに発生させる構成とする。したがって、読み出し時に第3電極12は正電位となり、よって画素間部12Aも正電位となるが、図2に示されるように、画素間部12Aは基板(ゲート酸化膜27)に接触しないから、画素間部12Aの正電位がフォトセンサ部3に影響を及ぼすことがない。
【0043】
また前記の構成により、第3電極12の画素間部12Aは、第2電極11の画素間部11Aおよび第1電極10の画素間部10Aに絶縁膜を介して、分散して接することになり、第3電極12への印加電圧を上昇させても、寄生容量により発生するクロストークノイズは両画素間部11Aと10Aに分散され、低いしきい値でのノイズ制御が可能になる。すなわち、この構成によりクロストーク特性が改善される。
【0044】
また、画素間部10A〜12Aの断面積に着目すると、前記の構成により、画素間部10Aの断面積を、過剰であった従来の断面積よりも少なくでき、またその分だけ画素間部11Aの一部を1層目に展開することで2層目に空間的余裕が生じ、よってこの2層目の空間に画素間部12Aの一部を展開することで、全体の厚みを増加させることなく、画素間部12Aの断面積を増加させることが可能になる。
【0045】
したがって、画素間部10A〜12Aの断面積を同一に構成することができ、これによって各電極の信号伝般遅延を均一化することができる。
【0046】
前記の結果、第1電極の画素間部10Aの幅を従来のものよりも狭く構成することが可能になり、よって削減された面積だけフォトセンサ部3の面積を拡大させることができ、高感度のCCD固体撮像素子を実現することができる。
なお、全画素読出CCDでは、垂直レジスタを第1〜第3電極で3等分する必要があるため、本発明では第1電極の転送部の幅は従来のように3等分するようにし、画素間部を細く構成する。
【0047】
また前記図2に示される実施形態では、図中で画素間部11Aが画素間部10Aの右横に(図1では下側に)展開する構成を示したが、これに限られず、左側に展開させてもよい。
【0048】
【発明の効果】
本発明の請求項1に係るCCD固体撮像素子は、第1電極の画素間部ならびに、第2電極の画素間部の少なくとも一部分が基板のゲート酸化膜に接して設けられ、さらに第3電極の画素間部の少なくとも一部分が、第1電極の画素間部ならびに第2電極の画素間部の両方に絶縁膜を介して接し、しかも第3電極の画素間部は基板のゲート酸化膜に接しない構成する構成であるから、第3電極の起動により第1電極と第2電極に生じる誘導電位が分散され、よって第1電極と第2電極におけるクロストークのレベルが低下して、しきい値以下となる。よってノイズによる誤作動のない、安定した動作のCCD固体撮像素子を実現できる。
【0049】
また、本発明の請求項2に係るCCD固体撮像素子は、第1電極〜第3電極の画素間部の断面積を同等にして構成するものであるから、従来に比してとりわけ第3電極の体積を大にできる。この結果、伝搬遅延の影響を抑えることが可能になり、より高速な動作や、垂直レジスタの取扱電荷量の増大といった特性の向上を実現することができる。
【0050】
また、第3電極の体積を大にできるため、電極を構成する多結晶シリコンの薄膜化が可能となり、オンチップマイクロレンズの集光効率を向上させることができるといった効果もある。
【0051】
また、本発明の請求項3に係るCCD固体撮像素子は、画素の蓄積電荷が第3電極のみで読出されるから、第3電極のみが正の電位になり、かつ第3電極の画素間部は前記基板のゲート酸化膜に接しないから、第3電極の画素間部から画素に正の電位が印加されることがなく、よって電荷流出や空乏の発生が避けられるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るCCD固体撮像素子の一実施形態における要部の模式平面図である。
【図2】図1のA―A断面図である。
【図3】本発明に係るCCD固体撮像素子の読み出し動作タイミング図である。
【図4】本発明に係るCCD固体撮像素子の全体ブロック図である。
【図5】従来のCCD固体撮像素子の要部模式平面図である。
【図6】図5のB―B断面図である。
【図7】従来のCCD固体撮像素子の読み出し動作タイミング図である。
【符号の説明】
3……フォトセンサ部、10……第1電極、10A……第1電極の画素間部、10B……第1電極の転送部、11……第2電極、11A……第2電極の画素間部、11B……第2電極の転送部、12……第3電極、12A……第3電極の画素間部、12B……第3電極の転送部、20……画素間部。
Claims (3)
- 画素に蓄積された電荷の読出・転送のための3相の信号に基づき、基板のゲート酸化膜上に3層に亘り形成された第1電極〜第3電極がこの順に起動される全画素駆動方式のCCD固体撮像素子において、
前記画素間に設けられた前記第1電極の画素間部が前記基板のゲート酸化膜に接して設けられ、
前記画素間に設けられた前記第2電極の画素間部の少なくとも一部分が、前記基板のゲート酸化膜に接して設けられ、
さらに前記画素間に設けられた前記第3電極の画素間部の少なくとも一部分が、前記第1電極の画素間部ならびに前記第2電極の画素間部の両方に絶縁膜を介して接し、しかも前記第3電極の画素間部は前記基板のゲート酸化膜に接しない構成とされたことを特徴とするCCD固体撮像素子。 - 前記第1電極〜第3電極の画素間部は同等の断面積を有して構成されたことを特徴とする請求項1記載のCCD固体撮像素子。
- 前記画素の蓄積電荷を、前記第3電極のみで読出す構成としたことを特徴とする請求項1または2記載のCCD固体撮像素子。
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