JP3548908B2 - Manufacturing method of liquid crystal display device - Google Patents

Manufacturing method of liquid crystal display device Download PDF

Info

Publication number
JP3548908B2
JP3548908B2 JP2000208473A JP2000208473A JP3548908B2 JP 3548908 B2 JP3548908 B2 JP 3548908B2 JP 2000208473 A JP2000208473 A JP 2000208473A JP 2000208473 A JP2000208473 A JP 2000208473A JP 3548908 B2 JP3548908 B2 JP 3548908B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
electrode
signal electrode
liquid crystal
scanning signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2000208473A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2001051305A (en
Inventor
玄士朗 河内
恒一 阿武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP590093A external-priority patent/JP3116149B2/en
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2000208473A priority Critical patent/JP3548908B2/en
Publication of JP2001051305A publication Critical patent/JP2001051305A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3548908B2 publication Critical patent/JP3548908B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＯＡ機器等の画像情報／文字情報の表示装置として用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アクティブマトリクス方式の液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ガラス等の絶縁基板上にＴＦＴをマトリクス状に形成しこれをスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、高画質のフラットパネルディスプレイとして期待されている。
【０００３】
現在、ＴＦＴアクティブマトリクス型ディスプレイにおいては、解決すべき課題がいくつかある。
【０００４】
第１の課題は、製造歩留まりの向上である。特に走査信号配線と映像信号配線との間のショート不良が最大の不良原因であり、この不良の低減が課題となっている。
【０００５】
第２の課題は、製造工程数の低減である。特にホトリソグラフィ工程数の削減が強く求められている。
【０００６】
第３の課題は、画面の高精細化／大型化に対応できる低抵抗の走査信号配線の形成技術である。
【０００７】
第４の課題は、信頼性の確保である。具体的には、画像品質の信頼性とともに配線の外部接続端子の腐食等に対する信頼性の確保が、課題としてあげられる。
【０００８】
以上の課題に対して、従来から種々の提案がなされている。
【０００９】
第１の製造歩留まり向上の課題については、例えば特開昭６１−１３３６６２号が、ＴＦＴのゲート絶縁膜をゲート電極の陽極酸化膜とＳｉＮ膜との２層構造とし、ゲート絶縁膜のピンホール等による配線間ショートを防止する技術を開示している（第１の従来技術）。
【００１０】
第２のホトリソグラフィ工程数削減の課題については、数多くの提案がなされている。例えば特開昭６３−９９７７号は、走査配線を透明電極と金属膜の２層構造とし、走査配線の透明電極により画素電極を構成する構造を開示している。この方式では、走査信号配線と画素電極とを１回のパターニングで形成できるので、ホトリソグラフィ工程を削減可能である（第２の従来技術）。
【００１１】
また、特開昭６２−３２６５１号は、１枚のホトマスクを用いてＴＦＴを構成するゲート絶縁膜と半導体膜とを同一パターンに加工することにより、ホトリソグラフィ工程数を削減する方法を開示している（第３の従来技術）。
【００１２】
第３の低抵抗の走査信号配線の形成技術の課題に対しては、例えば特開平２−８５８２６号が、Ａｌを走査配線とし、Ａｌ２Ｏ３膜をゲート絶縁膜および層間絶縁膜として用いる例を開示している。低抵抗のＡｌを走査配線として用いると、高精細化／大画面化により走査配線の負荷が増大しても、走査信号の遅延を実用上問題無いレベルに押さえることができる（第４の従来技術）。
【００１３】
さらに、特開昭６４−３５４２１号は、ＡｌとＡｌ上に形成したＴａを走査配線に用い、このＡｌとＴａの陽極酸化膜をゲート絶縁膜および層間絶縁膜として使用し、走査配線を低抵抗化し、層間ショート不良を低減し、併せて工程を削減する方法を開示している（第５の従来技術）。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ＴＦＴアクティブマトリクス型液晶表示装置を本格的に普及させるには、上記すべての課題を同時に解決し、高画質／低コスト／高信頼性を実現する必要がある。しかし、上記従来技術は、狙いとする各々の課題についてそれなりの効果をあげているが、各々の要素技術は互いにトレードオフの関係となるものが多く、上記すべての課題を同時に満足することはできない。また、上記の個々の技術を単に組合せただけでは、新たな問題が発生し所望の効果が得られない。その事情を説明する。
【００１５】
例えば、第１の従来技術と第２の従来技術とを組合せると、走査信号配線金属を透明電極の上で陽極酸化する必要がある。透明導電膜上で金属を陽極酸化すると、材料の標準電位の違いから電池反応により金属膜が溶失してしまう問題がある。また、陽極酸化時に選択酸化のためのレジストマスクを形成するには、新たにホトマスクが必要となるので、第２の課題である工程数の削減を達成することはできない。
【００１６】
また、第２の従来技術では、活性層である半導体膜がゲート電極の外にはみ出す構造となるので、表示装置を構成したときにバックライトや外光がゲート電極の外にはみ出した半導体膜に当たり、半導体膜の光電流によりＴＦＴのリーク電流が増加して画質が低下する。この画質低下を防止するには、半導体膜を薄膜化することが有効である。しかし、良く知られているように、プロセス上の制約から従来の逆スタガ型のＴＦＴで半導体膜を薄膜化するには、ＴＦＴのチャネル部を保護するチャネル保護膜を形成するためのホトマスクを１枚増やさなければならない。この問題については、例えば、『フラットパネルディスプレイ '９１』（日経ＢＰ社１９９０）８８頁〜９６頁に述べられている。
【００１７】
したがって、第２の従来技術では、半導体膜とゲート絶縁膜とのマスクを統合してホトマスクを１枚削減できるものの、実用に耐えうる画質を保証するには、半導体膜を薄膜化することが必要であり、チャネル保護膜を形成するためにホトマスクを１枚増やさなければならず、結果的にはホトマスク削減による工程簡略化は達成できない。
【００１８】
第３の従来技術と第４の従来技術とを組合せると、走査信号配線は透明電極と低抵抗配線であるＡｌ電極との２層構造となる。この場合、走査信号配線の外部接続端子部分にはＡｌ電極をそのまま用いるかまたは上層のＡｌを選択除去して、透明電極を外部接続端子として用いることになる。
【００１９】
配線の外部接続端子部分は、液晶封入等の後工程以後も種々の溶剤等に曝されるので、Ａｌのように活性な金属を用いると、腐食されるという問題がある。また、透明電極を端子部分に用いた場合、金属酸化物である透明電極と配線金属のＡｌの接合においては、Ａｌが透明電極中の酸素により酸化されて界面に絶縁膜を形成するため、コンタクトの信頼性が極めて低いという問題がある。
【００２０】
第５の従来技術においては、Ａｌの上にＴａが形成されるので、コンタクトの問題はないが、端子の側面にはＡｌがやはり露出するため、腐食が発生しやすい問題がある。
【００２１】
以上のような問題から、走査信号配線にＡｌを用いる場合、端子部分の透明電極とのコンタクトを良好に保つため、バリアメタルを間に挿入することがよく行なわれている。しかし、バリアメタルを加工するために新たなホトマスクが必要となる。したがって、第２の課題である工程数の削減を達成することはできない。
【００２２】
さらに、一般に、ＴＦＴのゲート絶縁膜および半導体膜は、プラズマ気相成長法（ＰＣＶＤ）により３００℃程度の温度で形成される。走査信号配線にＡｌを用いると、ＰＣＶＤ工程での熱履歴によりヒロックと呼ばれる表面の凹凸が多数成長する。このような凹凸には電界が集中し、走査信号配線と映像信号配線間の絶縁耐圧を極端に低下させる。したがって、走査信号配線に低抵抗のＡｌを用いると、第１の課題である製造歩留まりの向上を達成することが難しくなる。
【００２３】
以上述べたように、従来の技術の単なる組合せでは、上記の複数の課題を同時にすべて解決することはできない。
【００２４】
本発明の目的は、最小限のホトマスク数で高い信頼性と良好な画質とを確保しながら低コストで製造できる配線材料を用いた液晶表示装置の製造方法を提供することである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、絶縁基板上に形成され、かつ絶縁膜により少なくとも一部が被覆された走査信号電極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、前記走査信号電極と前記映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜トランジスタとを有する液晶表示装置の製造方法において、
ａ．前記絶縁基板上に金属の第１の導電膜と、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜とを積層し、前記第１の導電膜と前記ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜とを略同一パターンに加工して前記走査信号電極を形成する工程
ｂ．前記走査信号電極の一部を被覆する前記絶縁膜を形成する工程
ｃ．前記走査信号電極の外部駆動回路に接続する端子部分について、前記絶縁膜をマスクとして前記走査信号電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜を除去する工程
を有する液晶表示装置の製造方法を提供する。

【００２６】
本発明においては、前記工程ｃの後に、
ｄ．前記端子部分について、前記第１の導電膜上に透明導電膜を形成する工程を有することもできる。
【００２７】
さらに、前記工程ｄでは、前記透明導電膜は、前記絶縁膜上にも前記端子部分から連続して形成することが望ましい。
【００２８】
本発明においては、Ａｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜を含む配線材料としたので、Ａｌ表面のヒロックの発生を抑制できる。したがって、表示装置等を構成したときに配線間のショートを低減できる。このような現象はこれまで知られていないことであり、発明者等の実験により、初めて明らかとなった。
【００２９】
積層型配線を液晶表示装置の走査信号電極に用いると、走査信号電極と映像信号電極との間の層間絶縁耐圧が上がる。その結果、ショート不良を低減するとともに走査信号電極を低抵抗化し、表示画面の大型化／高精細化を達成できる。
【００３０】
また、上記Ａｌの表面をすべてＡｌを母材とする絶縁膜で被覆した場合、Ａｌが薬品等に曝されることがなくなるので、耐腐食性を確保できるとともに、Ａｌ表面のヒロック発生をさらに抑制できる。
【００３１】
１つの金属とその上層に形成した金属酸化物からなる透明導電膜により外部接続端子を構成すると、端子の耐薬品性が向上するとともに、透明導電膜と金属との反応による絶縁性バリア層が界面に形成されにくくなる。したがって、接続端子のコンタクト抵抗の増大を防止でき、信頼性の高い接続端子が得られる。
【００３２】
このような構造は、Ａｌ表面に形成した絶縁膜をマスクとしてＡｌをエッチング除去すると、形成できる。したがって、上記構造は、１枚のホトマスクだけで形成でき、工程数の削減，耐腐食性の確保，ショート不良の低減，走査信号電極の低抵抗化等の効果を同時にもたらす。
【００３３】
透明導電膜からなる画素電極を半導体膜とゲート絶縁膜の下層に配置し、半導体膜とゲート絶縁膜を映像信号電極に沿って映像信号電極よりも幅広のパターンとして延在させ、画素電極のパターンの周辺部のみを被覆すると、画素電極と映像信号電極とを分離できる。このようにすると、画素電極と映像信号電極とのショートを防止しつつ画素電極と映像信号電極との間の距離を縮小しても、ショートによる画素欠陥を低減できる。また、画素電極の幅が拡大され、画素開口率が向上する。したがって、工程数の削減，高歩留まり，低抵抗配線，端子部の信頼性向上等の特長に加えて、低欠陥，高輝度の液晶表示装置を実現できる。
【００３４】
発明者らは、Ｔａ膜を形成した後、特にその表面の清浄性を保ったまま、Ａｌ膜を真空中で連続して形成すると、（１１１）配向が弱くなり、（２２０）面が優先成長し、それと同時に膜表面のヒロックが小さくなることを発見した。本発明の製造方法は、この知見に基づいている。すなわち、本発明の液晶表示装置の製造方法においては、Ｔａ表面に成長するＡｌは、吸着層の影響を受けず、下地のＴａ膜の影響を直接受けるため、通常の条件では起こらない（２２０）面の優先成長が実現される。（２２０）面が優先成長すると、全体としてはランダムな配向に変化し膜表面のヒロックが小さくなる。
【００３５】
本発明のその他の変形例の特徴および／または効果は、以下の実施形態の記載から明らかになるであろう。
【００３６】
【発明の実施の形態】
【実施形態１】
図１は、本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施形態の斜視図である。本実施形態の積層配線材料は、マグネトロンスパッタ法により、Ｔａ膜１０とＡｌ膜１１とをガラス基板１上に順次積層し、同一のパターンに加工し形成してある。
【００３７】
上層のＡｌ膜１１は、下地の影響を受けて（２２０）面に配向した結晶方位を有する。体心立方格子（ｂｃｃ）を有するＴａの（１１０）上に面心立方格子（ｆｃｃ）であるＡｌを成長させると（１１１）に配向することが、従来から知られている。発明者らの実験では、Ｔａ膜１０を形成した後、特にその表面の清浄性を保ったまま、Ａｌ膜１１を真空中で連続して形成すると、（１１１）配向が弱くなり、（２２０）面が優先成長することが見出された。それと同時に膜表面のヒロックが小さくなることも発見された。
【００３８】
図２は、ガラス基板１上とＴａ膜１０と上にそれぞれ形成したＡｌ膜１１の表面の凹凸を比較して示す図である。ガラス基板１上に形成したＡｌ膜１１には、１００ｎｍ程度の高さのヒロックがいくつかみられるのに対し、Ｔａ膜１０上に形成したＡｌ膜１１では、微小な凹凸が数多く発生しているものの、大きなヒロックは全くみられない。この違いは、おそらく、微小な結晶粒を有するＴａ下地の影響を受けてＡｌが成長する結果、結晶粒が大きく成長しないので、膜の内部応力が緩和されることになり、ヒロックが成長する際、微小なヒロックが数多く発生するためと推察される。
【００３９】
（２２０）面を成長させるには、成膜時に注意が必要である。ＴａとＡｌとはほとんど時間を置くことなく、Ｔａ表面の清浄性を保ったまま、連続して成長させなければ、（２２０）配向が出現しないことが実験により確かめられた。Ｔａを成膜後、一旦放電を停止し数分以上放置すると、たとえ真空を解除しなくてもＴａ表面にＨ２Ｏ等の吸着層が形成され、（２２０）面の優先成長は起こらない。発明者等は、ＴａとＡｌとをそれぞれスパッタリング中のチャンバー内でゆっくりと移動させる方法により初めて（２２０）配向を得た。このような方式では、ＴａとＡｌは界面付近で多少混じり合いながら連続して形成されるので、従来のように、Ｔａ表面にＨ２Ｏ等の吸着層が形成されることはない。すなわち、Ｔａ表面に成長するＡｌは、吸着層の影響を受けず、下地のＴａ膜の影響を直接受けるため、通常の条件では起こらない（２２０）面の優先成長が実現される。
【００４０】
図３は、本発明の配線に用いたＡｌ薄膜のＸ線回折パターンと従来のＡｌ膜のＸ線回折パターンとを比較して示す図である。回折パターンのピークの高さは、それぞれのピークの位置に示した面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒の体積に比例する。（２２０）の回折ピークと（１１１）回折ピークの強度比は、従来のＡｌ膜においては０．１５であったが、本発明のＡｌ膜においては、０．７以上と大きくなる。従来のＡｌ膜に比べて、本発明のＡｌ膜では、（２２０）面からの回折ピークが大きくなり、（１１１）面からの回折ピークが減少しているのがわかる。従来のＡｌ膜では（１１１）面に強く配向していた結晶粒が、本発明のＡｌ膜では、（２２０）面の成長により、全体としてはランダムな配向に変化していると考えられる。すなわち、回折ピーク強度が最大の面の強度と、２番目に強度が大きい面の強度との比は、従来のＡｌ膜では、例えば約０．５であったが、本発明では、約０．７から１．０となる。このため、平均結晶粒径がやや小さくなり、粒径のばらつきも小さくなって、均一化したものと推察される。
【００４１】
また、従来、ＬＳＩで用いられるＡｌ配線においては、Ａｌの結晶粒が微小化するとエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに対する耐性が低下するため、Ａｌは（１１１）に優先配向させ結晶粒を大きくしている。このようなＡｌ膜では、応力を緩和するサイトとなる結晶粒の３重点が少ないために大きなヒロックが成長する。液晶表示装置用のＴＦＴアレイにおいては、配線幅が１０μｍ程度であり、ＬＳＩに比べると大きいため、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションは、さほど問題とはならない。むしろ、Ａｌ表面のヒロックを抑えて層間ショートを抑制ことが重要である。したがって、本発明の（２２０）配向化と結晶粒の微小化とによるヒロックの抑制は、ＴＦＴアレイ用の配線として、非常に望ましい。
【００４２】
図４は、上記Ａｌ膜のＸ線回折から得られた（２２０）の回折ピークおよび（２００）回折ピークの強度比と表面ヒロック密度との関係を示す図である。ヒロック密度は（２２０）/（２００）比が大きくなると減少し、（２２０）/（２００）比が１．０以上になると、ヒロックがほとんど消失することがわかる。
【００４３】
下地の材料としては、Ｔａだけでなく、ｂｃｃの結晶構造を有する金属であればよい。例えば、Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金でも同様な効果が得られる。また、上層の材料も、純Ａｌだけでなく、Ａｌ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｔａ，Ａｌ−Ｔａ−Ｔｉ等のＡｌ合金膜でもよい。
【００４４】
なお、本発明のＡｌ膜は、表面が清浄なＴａを含む上記合金上に成長可能であり、下地膜形成後連続して成膜を行なう方法の他に、形成済みの下地表面をスパッタエッチングなどで清浄にした後、成膜を実行する方法も採用できる。
【００４５】
【実施形態２】
図５は、上記本発明の積層配線材料を用いて構成した液晶表示装置用走査信号配線の平面図である。図６は、図５の走査信号配線の外部接続端子部分の断面図である。図７は、図６のＡ−Ａ面を矢印方向から見た断面図である。
【００４６】
ガラス基板１上にＴａ電極１０とＡｌ電極１１が形成され、これらの表面および側面はＴａ２Ｏ５膜２０とＡｌ２Ｏ３膜２１によって被覆されている。ここでは、Ａｌ２Ｏ３膜２１は、２層導電膜の上層膜であるＡｌ電極１１の表面をすべて被覆するように形成した。また、上層膜であるＡｌ電極１１は、走査信号電極の端部より距離Ｘ以上離れた位置から形成し（距離Ｘは、この例では１．０ｃｍとした）、外部部材と接触する端部からＡｌ電極１１を排除した。
【００４７】
本実施形態によれば、腐食しやすいＡｌ電極を完全にＡｌ２Ｏ３膜で被覆し、しかも外部部材と接触する端部から排除しつつ、走査信号電極に低抵抗のＡｌ電極を使用できるので、表示装置の高精細化／大型化が達成される。外部部材と確実に接続するには、Ｘは０．１ｃｍ以上とすればよい。また、腐食しやすいＡｌ電極の下層に耐腐食性の高いＴａを配置し、Ａｌ２Ｏ３膜とＡｌ電極との端面を一致させる構造とし、Ａｌ２Ｏ３膜をマスクとして端部のＡｌ電極をエッチング除去して外部接続端子を形成するので、接続端子を金属加工するためのホトマスクが不要となり、工程数を削減できる。さらに、ヒロックの少ない（２２０）配向のＡｌ電極を上層膜として用いてあり、層間ショート不良を低減できる。このように、高品質のＡｌ２Ｏ３膜を層間絶縁膜として利用できるので、層間ショート不良をさらに低減できる。
【００４８】
【実施形態３】
図８は、本発明による液晶表示装置の走査信号電極の他の実施形態の端部を示す断面図である。図９は、図８のＡ−Ａ面を矢印方向から見た断面図である。
【００４９】
本実施形態の走査信号電極は、２層のＴａ電極１０とこれらによりはさまされたＡｌ電極１１との３層の導電膜からなる。上記実施形態と同様に、これらの膜の表面および側面はＴａ２Ｏ５膜２０とＡｌ２Ｏ３膜２１により被覆され、最上層膜であるＴａ電極１０の表面は、すべてＴａ２Ｏ５膜２０で被覆されている。また、上層膜のＴａ電極１０とＡｌ電極１１とは、走査信号電極の端部より距離１．０ｃｍ以上離れた位置から形成して、外部部材と接触する端部からＡｌ電極１１を排除した。
【００５０】
本実施形態によれば、第１実施形態の場合と同様の効果に加えて、比誘電率の大きいＴａ２Ｏ５膜をＴＦＴのゲート絶縁膜の一部として利用できるので、ＴＦＴの相互コンダクタンスが向上する。また、上層のＴａ電極１０によりＡｌ電極１１のヒロック発生をさらに抑制し、層間ショート不良を低減できる。
【００５１】
【実施形態４】
図１０は、実施形態２の構造を有する走査信号電極を用いて構成した液晶表示装置の単位画素の模式断面図である。
【００５２】
ガラス基板１上にＴａ電極１０とＡｌ電極１１とからなる走査信号電極が形成され、これらの表面および側面は、Ｔａ２Ｏ５膜２０とＡｌ２Ｏ３膜２１とにより被覆されている。これらの走査信号電極上にＳｉＮ膜２２，a−Ｓｉ:Ｈ膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ:Ｈ膜３１が形成され、さらにｎ型ａ−Ｓｉ:Ｈ膜３１上には映像信号電極１４とソース電極１５とが形成され、ソース電極にはＩＴＯ膜からなる画素電極１３が接続されている。画素電極１３には、容量電極１６が接続され、走査信号電極１１と容量電極１６とは、付加容量を形成している。さらに、これら全体を保護ＳｉＮ膜２３で被覆してある。
【００５３】
図１１は、薄膜トランジスタ基板の走査信号電極の外部接続端子の断面図である。ここでは、走査信号電極のうち、上層のＡｌ電極１１の表面は、Ａｌ２Ｏ３膜２１により被覆し、Ｔａ電極１０をＡｌ２Ｏ３膜２１の外まで延在させ、外部接続端子を構成している。また、Ｔａ電極１０は、ＩＴＯ電極１３で被覆してある。 本実施形態では、ＴａとＩＴＯとの反応によってＴａ／ＩＴＯ界面に形成されるバリア層の絶縁性が完全ではないため、ＴａとＩＴＯとのコンタクト抵抗は、例えばＡｌとＩＴＯを組合せた場合に比べ、格段に小さくなる。また、ＴａとＩＴＯでは、熱処理によるコンタクト抵抗の増大もほとんどないため、極めて安定した接続端子が得られる。
【００５４】
本実施形態では、下地金属としてＴａを用いたが、Ｔａ以外にもＴａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金等でも、同様な効果が得られる。特に、Ｔａ−ＮやＴｉ−Ｎ等の金属窒化物を用いると、金属とＩＴＯの反応をより抑制し、コンタクト抵抗を極めて小さくできる。
【００５５】
図１２〜図１６は、上記実施形態の薄膜半導体装置の製造工程を示す図である。これらの図の右側は、走査信号電極端子部分の各工程での断面を示す図である。
【００５６】
図１２においては、ガラス基板１上にＴａ膜１０とＡｌ膜１１とをスパッタリングにより連続的に堆積させ、ホトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニングする。
【００５７】
図１３においては、陽極酸化法によりＴａ膜１０とＡｌ膜１１との表面および側面にＴａ２Ｏ５膜２０とＡｌ２Ｏ３膜２１を形成する。
【００５８】
図１４においては、Ａｌ２Ｏ３膜２１をマスクとして、走査信号電極端子部のＡｌ膜１１をエッチング除去し、Ｔａ電極１０を露出させる。このとき、臭化水素（ＨＢｒ）と３塩化硼素（ＢＣｌ３）との混合ガスプラズマを用いたリアクティブイオンエッチング法によれば、ＡｌとＴａのエッチング選択比を大きくとれるので、エッチングの作業裕度が大きくなり、歩留まりが向上する。続いてＩＴＯ膜をスパッタリングにより堆積し、ホトリソグラフィ技術を用いてパターニングして画素電極１３および端子Ｔａの保護膜１３１を形成する。
【００５９】
図１５においては、プラズマＣＶＤ法により、ゲートＳｉＮ膜２２，ａ−Ｓｉ:Ｈ膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ:Ｈ膜３１を堆積し、ａ−Ｓｉ:Ｈ膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ:Ｈ膜３１を所定の形状にパターニングし、続いて画素電極１３上および端子部電極上のゲートＳｉＮ膜２２を除去する。
【００６０】
図１６においては、スパッタリングによりＴｉ膜を堆積し、所定の形状にパターニングして映像信号電極１４とソース電極１５および容量電極１６を得る。最後に、プラズマＣＶＤ法により保護ＳｉＮ膜２３を形成して薄膜半導体装置は完成する。
【００６１】
本実施形態によれば、外部接続端子に耐腐食性の高いＴａを使用できるので、高信頼性を確保できる。また、Ａｌ２Ｏ３膜をマスクとして、外部接続端子部のＴａ電極を露出させるため、従来必要であった外部接続端子金属加工用ホトマスクが不要となり、工程数を削減できる。さらに、Ａｌ表面のヒロックの抑制により、層間ショートを低減するとともに、走査信号電極に低抵抗のＡｌ電極を使用可能となるので、液晶表示装置の高精細化／大型化が実現できる。
【００６２】
以上の実施形態では、走査信号電極にＴａとＡｌを用いたが、本発明はこの組合せに限らず、Ｔａの代りにＷ，Ｎｂやこれらを成分とする合金、例えばＴａＮ，Ｎｂ−Ｎ，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ等を用いても同様に適用できる。また、純Ａｌに限らず、Ａｌ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｔａ，Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等の合金を用いてもよい。
【００６３】
さらに、上記実施形態においては、Ａｌの表面に形成したＡｌ２Ｏ３膜をマスクとして、外部接続端子のＴａ電極を露出させる方法を採用したが、外部接続端子のＴａ電極を露出させる工程は、端子部電極上のゲートＳｉＮ膜２２を除去した後に行なってもよい。この場合でも、ゲートＳｉＮ膜２２上を加工するためのホトレジストをそのままＴａ電極１０を露出させるためのマスクとして用いることができるので、工程が増加することはない。
【００６４】
Ｔａ電極を露出させる時のプラズマにゲートＳｉＮ膜やＡｌ２Ｏ３膜が直接曝されることがなく、膜にプラズマダメージが入ることがないので、良好な絶縁特性を維持できる。
【００６５】
【実施形態５】
本発明による配線材料は、走査信号配線だけでなく、映像信号配線にも適用できる。図１７は、映像信号配線に本発明による配線材料を適用した実施形態の画素の断面図である。本実施形態においては、実施形態１の構造に加えて、映像信号配線とソース電極および容量電極とが、Ｔａ膜１４１，１５１，１６１とＡｌ膜１４２，１５２，１６２の積層電極とからなる。このような構造を採用したことにより、Ａｌ膜１４２，１５２，１６２が（２２０）配向となるので、既に述べた理由により、保護膜２３形成時の熱処理によるＡｌ膜からのホイスカ，ヒロックの成長を防止できる。
【００６６】
【実施形態６】
図１８は、図５に示した実施形態２の構造を有する走査信号電極を用いて構成した別の液晶表示装置の実施形態の画素部の断面図である。図１９は、図１８の実施形態の平面図である。
【００６７】
実施形態と同様、ガラス基板１上にＴａ電極１０とＡｌ電極１１からなる走査信号電極が形成されている。これら電極の表面および側面は、Ｔａ２Ｏ５膜２０とＡｌ２Ｏ３膜２１とにより被覆されている。これらの走査信号電極上に膜厚４００ｎｍのＳｉＮ膜２２と膜厚５０ｎｍのa−Ｓｉ:Ｈ膜３０とが同一の平面形状に形成され、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０上には映像信号電極１４とソース電極１５が形成されている。ソース電極１５には、ＩＴＯ膜からなる画素電極１３が接続されている。
【００６８】
画素電極１３は、ＳｉＮ膜２２の下層に配置され、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０とＳｉＮ膜２２は、映像信号電極１４の下層に映像信号電極１４に沿って延在しており、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０とＳｉＮ膜２２とは、画素電極１３のパターンの周辺部のみを被覆している。画素電極１３には、容量電極１６が接続され、走査信号電極１１と容量電極１６とは付加容量を形成している。これら全体は、保護ＳｉＮ膜２３で被覆されている。
【００６９】
図２０は、図１８中のＡ−Ａ断面におけるa−Ｓｉ:Ｈ膜３０内の３１Ｐと１１Ｂの深さ方向の濃度分布を示す図である。図２１は、図１８中のＢ−Ｂ断面におけるa−Ｓｉ:Ｈ膜３０内の３１Ｐと１１Ｂの深さ方向の濃度分布を示す図である。
【００７０】
ソース電極１５とコンタクトするＢ−Ｂ断面では、３１Ｐのみが表面から指数関数的に減少する急峻な濃度プロファイルで導入されている。また、ＴＦＴのチャネル領域であるＡ−Ａ断面では、ほぼ等量の３１Ｐと１１Ｂが導入されている。
【００７１】
以上の構成により、本実施形態には、先に述べた効果に加えて、以下の効果がある。
【００７２】
ａ．従来別々のホトマスクでパターニングしていたa−Ｓｉ:Ｈ膜３０とゲートＳｉＮ膜３１とが、１枚のホトマスクで同一の形状にパターニングされるので、ホトリソグラフィ工程が１回少なくなり、工程数を削減でき、製造コストを低減できる。
【００７３】
ｂ．ＴＦＴのチャネル領域は、３１Ｐと１１Ｂが相互に補償されて高抵抗化されるため、従来必要であったｎ型a−Ｓｉ:Ｈ膜のエッチングなしに、ソース電極とドレイン電極とを分離できるので、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０の薄膜化が可能となる。a−Ｓｉ:Ｈ膜３０の膜厚を６０ｎｍ以下とすると、光電流によるＴＦＴのオフ抵抗の低下を防止でき、良好な画質が得られる。また、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０を薄膜化する際に従来必要であったチャネル保護膜の形成が不要になり、製造工程の増加がない。
【００７４】
ｃ．画素電極１３と映像信号電極１４とが、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０とゲートＳｉＮ膜２２により分離されるので、画素電極１３と映像信号電極１４がショートすることがない。このため、主として画素電極１３と映像信号電極１４とのショートにより発生している画素欠陥を低減できる。また、画素電極１３と映像信号電極１４との距離を縮小し、その分画素電極１３の面積を拡大でき、画素開口率が向上する。その結果、ディスプレイの高輝度化が達成できる。
【００７５】
図２２〜２９は図１８の実施形態の製造工程を示す断面図である。
【００７６】
図２２においては、ガラス基板１上にＴａ膜１０とＡｌ膜１１とをスパッタリングにより堆積させ、ホトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニングする。次に、陽極酸化法によりＴａ膜とＡｌ膜との表面および側面にＴａ２Ｏ５膜２０とＡｌ２Ｏ３膜２１とを形成する。
【００７７】
図２３においては、スパッタリングにより、ＩＴＯ膜を１１０ｎｍ堆積させ、パターニングして画素電極１３とする。
【００７８】
図２４においては、プラズマＣＶＤ法により、ゲートＳｉＮ膜２２を４００ｎｍ堆積させ、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０を５０ｎｍ形成する。
【００７９】
図２５においては、ＰＨ３ガスの放電プラズマから引き出した質量分離しないＰＨ＋，ＰＨ２＋等のイオンを２ｋｅＶ程度の低エネルギーで照射し、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０にＰを導入する。このような質量分離しないイオンビームを用いる不純物ドーピング技術としては、例えば特開平２−１９９８２４号において磁気バケット型イオン源を用いた方法が開示されている。
【００８０】
図２６においては、ホトリソグラフィ技術により、ゲートＳｉＮ膜２２とa−Ｓｉ:Ｈ膜３０とを同一の平面形状に加工する。
【００８１】
図２７においては、Ｔｉ電極をスパッタリングにより形成し、パターニングして映像信号電極１４とソース電極１５と容量電極１６とを得る。
【００８２】
図２８においては、映像信号電極１４とソース電極１５のパターンをマスクとして、質量分離しないＢＨ＋，Ｂ２Ｈ２＋等のイオンを２ｋｅＶ程度の低エネルギーで照射し、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０のチャネル領域にＢを導入する。これは、先に述べた技術において、放電ガスをＢ２Ｈ６等のＢを含むガスにすれば、容易に実現できる。
【００８３】
図２９においては、保護ＳｉＮ膜を形成し、素子を完成させる。
【００８４】
上記製造工程を採用すると、既に述べたように、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０を薄膜化する際に従来必要であったチャネル保護膜の形成が不要になるので、製造工程を簡略化できる。特に、不純物導入法として質量分離しない低エネルギーのイオンビームを用いると、大面積に効率良く不純物を導入できるので、生産効率が向上する。
【００８５】
図３０は、本発明の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の等価回路である。ガラス基板１上に、複数の走査信号電極１０／１１と、これに直交する複数の映像信号電極１４と、これらの電極に接続されたＴＦＴと、ＴＦＴに接続された液晶容量および付加容量とを形成してある。走査信号電極１０／１１と映像信号電極１４とのどちらか一方の端部には、外部部材接続のための端子１４０が設けられている。
【００８６】
画像を表示するには、走査信号電極１０／１１に順次パルス信号を印加して１行分のＴＦＴをオン状態とし、その間に映像信号電極から画像信号を液晶層に印加する。この操作を１行ごとに繰り返す。
【００８７】
図３１は、本発明の液晶表示装置における別のＴＦＴ基板の等価回路である。ガラス基板１上に複数の走査信号電極１０，１１と、これに直交する複数の映像信号電極１４と、これらの電極接続されたＴＦＴと、ＴＦＴに接続された液晶容量および付加容量とから構成される部分は、上記例と同様であるが、本実施形態においては、ガラス基板１上に、ＴＦＴを駆動するための走査信号回路２００および映像信号回路２１０が、ＴＦＴを用いて形成されている。このように、駆動回路もガラス基板１上に集積することにより、外部部品が大幅に少なくなるので、全体としてのコストを大幅に低減できる。このような外部接続端子が少ない場合にも、本発明の配線材料を同様に適用できることはもちろんである。
【００８８】
以上述べた実施形態においては、逆スタガード型の薄膜トランジスタを用いた例を説明したが、本発明の配線材料は、これに限らず、スタガード型またはコープレーナ型の電極構造を持つ薄膜トランジスタにも同様に適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
【００８９】
図３２は、本発明による薄膜半導体装置により構成した液晶表示装置の模式断面を示す図である。図３２の中央部は、１画素部分の断面を示し、左側は、一対のガラス基板１および５０８の左側縁部で外部引出端子の存在する部分の断面を示し、右側は、一対のガラス基板１および５０８の右側縁部で外部引出端子の存在しない部分の断面を示している。
【００９０】
液晶層５０６を基準に、下部のガラス基板１上には、走査信号電極１１と映像信号電極１４とがマトリクス状に形成されている。その交点近傍に形成されたＴＦＴは、ＩＴＯからなる画素電極１３を駆動する。液晶層５０６をはさんで対向する対向ガラス基板５０８上には、ＩＴＯからなる対向電極５１０，カラーフィルタ５０７，カラーフィルタ保護膜５１１，遮光用ブラックマトリクスパターンとなる遮光膜５１２が形成されている。図３２の左側／右側のそれぞれに示すシール材ＳＬは、液晶層５０６を封止するように、（図示していない）液晶封入口を除くガラス基板１および５０８の縁全体に沿って形成されている。シール材は、例えばエポキシ樹脂である。
【００９１】
対向ガラス基板５０８側の対向電極５１０は、少なくとも一個所において、銀ペースト材ＳＩＬにより、ガラス基板１に形成された外部引出配線に接続されている。この外部接続配線は、走査信号配線１０，ソース電極１５，映像信号電極１４のそれぞれと同一製造工程で形成される。配向膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２，画素電極１３，保護膜２３，カラーフィルタ保護膜５１１，ゲートＳｉＮ膜２１のそれぞれの層は、シール材ＳＬの内側に形成されている。偏光板５０５は、それぞれ一対のガラス基板１および５０８の外側の表面に形成されている。
【００９２】
液晶層５０６は、液晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間に封入され、シール材ＳＬによりシールされている。下部配向膜ＯＲＩ１は、ガラス基板１側の保護膜２３の上部に形成される。対向ガラス基板５０８の内側の表面には、遮光膜５１２，カラーフィルタ５０７，カラーフィルタ保護膜５１１，対向電極５１０，上部配向膜ＯＲＩ２が、順次積層して設けられている。
【００９３】
この液晶表示装置は、ガラス基板１側と対向ガラス基板５０８側の層とを別々に形成し、その後に上下ガラス基板１および５０８を重ねあわせ、両者間に液晶５０６を封入して組立られる。バックライトＢＬからの光の透過を画素電極１３部分で調節すると、ＴＦＴ駆動型のカラー液晶表示装置が形成される。
【００９４】
本発明の液晶表示装置は、低抵抗のＡｌからなる走査信号電極を使用できるので、大型化／高精細化に好適である。また、簡略な製造工程で歩留まり良く製造できるので、コストを大幅に低減し、安価な液晶表示装置を提供することが可能となる。
【００９５】
本発明の特徴的構成を例示すると、次の通りである。
【００９６】
１．（２２０）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒と（２００）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒との体積比が、０．５以上であるＡｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜を含む配線材料。
【００９７】
２．（２２０）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒と（１１１）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒との体積比が、０．５以上であるＡｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜を含む配線材料。
【００９８】
３．含有量が最も多い第１の配向方向を有する結晶粒の体積に対する含有量が２番目に多い第２の配向方向を有する結晶粒の体積の割合が、ほぼ０．５以上である配線材料。
【００９９】
４．Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜と、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなり第１の導電膜上に形成される第２の導電膜とにより構成された積層型配線材料。
【０１００】
５．上記４に記載の積層型配線材料において、Ａｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜に含まれる（２２０）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒と（２００）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒との体積比が、０．５以上である積層型配線材料。
【０１０１】
６．絶縁基板上に形成された走査信号電極と、走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置において、走査信号電極と映像信号電極の少なくとも一方が、（２２０）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒と（２００）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒との体積比が、０．５以上であるＡｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜を含む配線材料で形成されている液晶表示装置。
【０１０２】
７．絶縁基板上に形成された走査信号電極と、走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置において、走査信号電極と映像信号電極の少なくとも一方が、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜と、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなり第１の導電膜上に形成される第２の導電膜とにより構成された積層型配線材料で形成されている液晶表示装置。
【０１０３】
８．上記７に記載の液晶表示装置において、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金に含まれる（２２０）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒と（２００）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒との体積比が、０．５以上である液晶表示装置。
【０１０４】
９．絶縁基板上に形成された走査信号電極と、走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置において、走査信号電極が、少なくともＡｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜を含む２種以上の導電膜の積層膜であり、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる導電膜をＡｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜の上層および下層に配置した液晶表示装置。
【０１０５】
１０．上記６ないし９のいずれかに記載の液晶表示装置において、Ａｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜の表面および側面に、Ａｌを母材とする被覆絶縁膜を形成した液晶表示装置。
【０１０６】
１１．上記６ないし９のいずれかに記載の液晶表示装置において、Ａｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜が、走査信号電極の一端部から０．１ｃｍ以上離れた位置にのみ存在する液晶表示装置。
【０１０７】
１２．上記６ないし１１のいずれかに記載の液晶表示装置において、走査信号電極と映像信号電極の少なくとも一方を構成する膜が、薄膜トランジスタのゲート電極である液晶表示装置。
【０１０８】
１３．上記６ないし１２のいずれかに記載の液晶表示装置において、Ａｌを母材とする絶縁膜が、Ａｌの酸化膜または窒化膜である液晶表示装置。
【０１０９】
１４．絶縁基板上に形成した走査信号電極と、走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極とからなるアクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板に接続された外部駆動回路とを有し、薄膜トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置において、外部駆動回路と映像信号電極または走査信号電極との接続端子が、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜と、第１の導電膜上に形成された金属酸化物からなる透明導電膜とにより構成された液晶表示装置。
【０１１０】
１５．上記１ないし５のいずれかに記載の配線からなる走査信号電極と、走査信号電極上に形成された薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、薄膜トランジスタに接続された画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置において、半導体膜と当該半導体膜に接するゲート絶縁膜とが、同一の平面形状である液晶表示装置。
【０１１１】
１６．上記１５に記載の液晶表示装置において、半導体膜および当該半導体膜に接するゲート絶縁膜が、映像信号電極の下層に当該映像信号電極よりも幅広のパターンで延在している液晶表示装置。
【０１１２】
１７．上記１５または１６に記載の液晶表示装置において、半導体膜のうち、ソース，ドレインの金属電極と接触する領域にはｎ型またはｐ型のいずれかの不純物の一方のみが導入され、チャネル部にはｎ型およびｐ型の両方の不純物が導入されている液晶表示装置。
【０１１３】
１８．上記１５ないし１７のいずれかに記載の液晶表示装置において、半導体膜が、膜厚が６０ｎｍ以下の水素化非晶質Ｓｉ，水素化非晶質ＳｉＧｅ，水素化非晶質Ｇｅのいずれかからなる液晶表示装置。
【０１１４】
１９．上記１８に記載の液晶表示装置において、ｎ型およびｐ型不純物の濃度が、半導体膜の表面において１０２１ｃｍ−３以上であり、半導体膜とゲート絶縁膜の界面で１０１９ｃｍ−３以下である液晶表示装置。
【０１１５】
２０．上記１５ないし１９のいずれかに記載の液晶表示装置において、画素電極が、半導体膜およびゲート絶縁膜の下層に配置されている液晶表示装置。
【０１１６】
２１．上記２０に記載の液晶表示装置において、半導体膜およびゲート絶縁膜が、画素電極のパターンの外周部のみを被覆している液晶表示装置。
【０１１７】
２２．絶縁基板上に形成された走査信号電極と、走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置の製造方法において、
ａ．絶縁基板上にＴａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜とＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜とを真空中で順次連続して積層し、所定のパターンに加工して走査信号電極と映像信号電極の少なくとも一方を形成する工程
ｂ．走査信号電極の一部を被覆する絶縁膜を形成する工程
ｃ．絶縁膜をマスクとして走査信号電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜のみを除去する工程
を含む液晶表示装置の製造方法。
【０１１８】
２３．上記２２に記載の液晶表示装置の製造方法において、絶縁膜を陽極酸化法，プラズマ酸化法，プラズマ窒化法のいずれかにより形成する液晶表示装置の製造方法。
【０１１９】
２４．上記２２に記載の液晶表示装置の製造方法において、絶縁膜をプラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成する液晶表示装置の製造方法。
【０１２０】
２５．上記２２に記載の液晶表示装置の製造方法において、絶縁膜をマスクとして走査信号電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜のみを除去する工程が、ハロゲン化水素ガスを含む混合ガスを用いたイオンエッチング法である液晶表示装置の製造方法。
【０１２１】
２６．上記２２に記載の液晶表示装置の製造方法において、第１の導電膜とＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜とを、真空を保持したまま連続して形成する液晶表示装置の製造方法。
【０１２２】
２７．絶縁基板上に形成された走査信号電極と、走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置の製造方法において、
ａ．絶縁基板上にＴａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜を形成し、第１の導電膜表面の清浄性を保った状態でその上にＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜を積層し、所定のパターンに加工して走査信号電極または映像信号電極を形成する工程
ｂ．走査信号電極または映像信号電極の一部を被覆する絶縁膜を形成する工程ｃ．絶縁膜をマスクとして走査信号電極または映像信号電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜のみを除去する工程
を含む液晶表示装置の製造方法。
【０１２３】
２８．絶縁基板上に形成された走査信号電極と、走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置の製造方法において、
ａ．絶縁基板上にＴａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜を形成する工程
ｂ．第１の導電膜の表面層の一部を除去する工程
ｃ．表面層の一部を除去した第１の導電膜の上にＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜を積層する工程
ｄ．積層膜を所定のパターンに加工して走査信号電極または映像信号電極を形成する工程
ｅ．走査信号電極または映像信号電極の一部を被覆する絶縁膜を形成する工程
ｆ．絶縁膜をマスクとして走査信号電極または映像信号電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜のみを除去する工程
を含む液晶表示装置の製造方法。
【０１２４】
２９．絶縁基板上に形成された走査信号電極と、走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置の製造方法において、
ａ．絶縁基板上に第１の導電膜とＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜を真空中で順次連続して積層し、所定のパターンに加工して走査信号電極を形成する工程
ｂ．走査信号電極の一部の表面および側面に各々の導電膜を構成する材料を母材とする絶縁膜を形成する工程
ｃ．絶縁膜をマスクとして走査信号電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜のみを除去する工程
ｄ．基板全面に透明電極膜を形成し所定の形状に加工して画素電極を形成する工程
ｅ．基板全面にゲート絶縁膜，半導体膜を形成する工程
ｆ．半導体膜に５ｋｅＶ以下のエネルギーでリンを含むイオンビームを照射して半導体膜中にリンを導入する工程
ｇ．ゲート絶縁膜、半導体膜を同一パターンに加工する工程
ｈ．導電膜を堆積して所定のパターンに加工し映像信号電極およびソース電極を形成する工程
ｉ．映像信号電極およびソース電極のパターンをマスクとして半導体膜に５ｋｅＶ以下のエネルギーでボロンを含むイオンビームを照射して半導体膜中にボロンを導入する工程
を含む液晶表示装置の製造方法。
【０１２５】
３０．上記６ないし２１のいずれかに記載の液晶表示装置を表示手段として備えた情報処理装置。
【０１２６】
３１．上記２２ないし２９のいずれかに記載の製造方法により製造した液晶表示装置を表示手段として備えた情報処理装置。
【０１２７】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、Ａｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜を含む配線材料としたので、Ａｌ表面のヒロックの発生を抑制できる。したがって、表示装置等を構成したときに配線間のショートを低減できる。
【０１２８】
積層型配線を液晶表示装置の走査信号電極に用いると、走査信号電極と映像信号電極との間の層間絶縁耐圧が上がる。その結果、ショート不良を低減するとともに走査信号電極を低抵抗化し、表示画面の大型化／高精細化を達成できる。
【０１２９】
また、上記Ａｌの表面をすべてＡｌを母材とする絶縁膜で被覆した場合、Ａｌが薬品等に曝されることがなくなるので、耐腐食性を確保できるとともに、Ａｌ表面のヒロック発生をさらに抑制できる。
【０１３０】
１つの金属とその上層に形成した金属酸化物からなる透明導電膜により外部接続端子を構成すると、端子の耐薬品性が向上するとともに、透明導電膜と金属との反応による絶縁性バリア層が界面に形成されにくくなる。したがって、接続端子のコンタクト抵抗の増大を防止でき、信頼性の高い接続端子が得られる。
【０１３１】
このような構造は、Ａｌ表面に形成した絶縁膜をマスクとしてＡｌをエッチング除去すると、形成できる。したがって、上記構造は、１枚のホトマスクだけで形成でき、工程数の削減，耐腐食性の確保，ショート不良の低減，走査信号電極の低抵抗化等の効果を同時にもたらす。
【０１３２】
透明導電膜からなる画素電極を半導体膜とゲート絶縁膜の下層に配置し、半導体膜とゲート絶縁膜を映像信号電極に沿って映像信号電極よりも幅広のパターンとして延在させ、画素電極のパターンの周辺部のみを被覆すると、画素電極と映像信号電極とを分離できる。このようにすると、画素電極と映像信号電極とのショートを防止しつつ画素電極と映像信号電極との間の距離を縮小しても、ショートによる画素欠陥を低減できる。また、画素電極の幅が拡大され、画素開口率が向上する。したがって、工程数の削減，高歩留まり，低抵抗配線，端子部の信頼性向上等の特長に加えて、低欠陥，高輝度の液晶表示装置を実現できる。
【０１３３】
その結果、最小限のホトリソグラフィ工程で、ヒロックの少ない低抵抗の走査信号電極と耐腐食性の高い外部接続端子とを備え、画素欠陥密度が少なく大きな画素開口率の液晶表示装置が得られ、液晶表示装置の大型化／高精細化／低コスト化を同時に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による積層配線材料の一実施形態の斜視図である。
【図２】ガラス基板１上とＴａ膜１０と上にそれぞれ形成したＡｌ膜１１の表面の凹凸を比較して示す図である。
【図３】本発明の配線に用いたＡｌ薄膜のＸ線回折パターンを従来のＡｌ膜のＸ線回折パターンと比較して示す図である。
【図４】上記Ａｌ膜のＸ線回折から得られた（２２０）の回折ピークおよび（２００）回折ピークの強度比と表面ヒロック密度との関係を示す図である。
【図５】上記本発明の積層配線材料を用いて構成した液晶表示装置用走査信号配線の平面図である。
【図６】図５の走査信号配線の外部接続端子部分の断面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ面を矢印方向から見た断面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の走査信号電極の他の実施形態の端部を示す断面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ面を矢印方向から見た断面図である。
【図１０】図５に示した実施形態２の構造を有する走査信号電極を用いて構成した液晶表示装置の単位画素の模式断面図である。
【図１１】薄膜トランジスタ基板の走査信号電極の外部接続端子の断面図である。
【図１２】上記実施形態の薄膜半導体装置の製造工程を示す図である。図の右側は、走査信号電極端子部分の各工程での断面を示す図である。
【図１３】上記実施形態の薄膜半導体装置の製造工程を示す図である。図の右側は、走査信号電極端子部分の各工程での断面を示す図である。
【図１４】上記実施形態の薄膜半導体装置の製造工程を示す図である。図の右側は、走査信号電極端子部分の各工程での断面を示す図である。
【図１５】上記実施形態の薄膜半導体装置の製造工程を示す図である。図の右側は、走査信号電極端子部分の各工程での断面を示す図である。
【図１６】上記実施形態の薄膜半導体装置の製造工程を示す図である。図の右側は、走査信号電極端子部分の各工程での断面を示す図である。
【図１７】本発明の配線材料を映像信号配線に適用した実施形態の画素の断面図である。
【図１８】図５に示した実施形態２の構造を有する走査信号電極を用いて構成した別の液晶表示装置の実施形態の画素部の断面図である。
【図１９】図１８の実施形態の平面図である。
【図２０】図１８中のＡ−Ａ断面におけるa−Ｓｉ:Ｈ膜３０内の３１Ｐと１１Ｂの深さ方向の濃度分布を示す図である。
【図２１】図１８中のＢ−Ｂ断面におけるa−Ｓｉ:Ｈ膜３０内の３１Ｐと１１Ｂの深さ方向の濃度分布を示す図である。
【図２２】図１８の実施形態の製造工程を示す断面図である。
【図２３】図１８の実施形態の製造工程を示す断面図である。
【図２４】図１８の実施形態の製造工程を示す断面図である。
【図２５】図１８の実施形態の製造工程を示す断面図である。
【図２６】図１８の実施形態の製造工程を示す断面図である。
【図２７】図１８の実施形態の製造工程を示す断面図である。
【図２８】図１８の実施形態の製造工程を示す断面図である。
【図２９】図１８の実施形態の製造工程を示す断面図である。
【図３０】本発明の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の等価回路である。
【図３１】本発明の液晶表示装置における別のＴＦＴ基板の等価回路である。
【図３２】本発明による薄膜半導体装置により構成した液晶表示装置の模式断面を示す図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板
１０ Ｔａ電極
１１ （２２０）面に配向したＡｌ電極
１３ 画素電極
１４ 映像信号電極
１５ ソース電極
１６ 容量電極
２０ Ｔａ２Ｏ５膜
２１ Ａｌ２Ｏ３膜
２２ ゲートＳｉＮ電極
２３ 保護ＳｉＮ膜
３０ ａ−Ｓｉ:Ｈ膜
３１ ｎ型ａ−Ｓｉ:Ｈ膜
１４０ 外部接続端子
１４１，１５１，１６１ Ｔａ膜
１４２，１５２，１６２ Ａｌ膜
２００ 走査信号回路
２１０ 映像信号回路
５０５ 偏光板
５０６ 液晶層
５０７ カラーフィルタ
５０８ 対向ガラス基板
５１０ 対向電極
５１１ カラーフィルタ保護膜
５１２ 遮光膜
ＢＬ バックライト
ＯＲＩ 配向膜
ＳＬ シール材
ＳＩＬ 銀ペースト材[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a thin film transistor (TFT) active matrix type liquid crystal display device used as a display device for image information / character information of an OA device or the like.
[0002]
[Prior art]
An active matrix type liquid crystal display device in which TFTs are formed in a matrix on an insulating substrate such as glass and used as switching elements is expected as a high-quality flat panel display.
[0003]
At present, there are some problems to be solved in the TFT active matrix type display.
[0004]
The first problem is to improve the production yield. In particular, short-circuit failure between the scanning signal wiring and the video signal wiring is the largest cause of the failure, and reduction of this failure has been a problem.
[0005]
The second problem is to reduce the number of manufacturing steps. In particular, there is a strong demand for a reduction in the number of photolithography steps.
[0006]
A third problem is a technique for forming a low-resistance scanning signal wiring that can cope with higher definition and larger screen size.
[0007]
The fourth problem is to ensure reliability. Specifically, it is an issue to secure not only reliability of image quality but also reliability against corrosion of external connection terminals of wiring.
[0008]
Various proposals have conventionally been made for the above problems.
[0009]
Regarding the first problem of improving the production yield, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-133662 discloses that a TFT gate insulating film has a two-layer structure of an anodic oxide film of a gate electrode and a SiN film, and a pin hole of a gate insulating film. Discloses a technique for preventing a short circuit between wirings (first related art).
[0010]
Many proposals have been made on the second problem of reducing the number of photolithography steps. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-9977 discloses a structure in which a scanning wiring has a two-layer structure of a transparent electrode and a metal film, and a pixel electrode is formed by the transparent electrode of the scanning wiring. In this method, since the scanning signal wiring and the pixel electrode can be formed by one patterning, the photolithography process can be reduced (second conventional technique).
[0011]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-32651 discloses a method of reducing the number of photolithography steps by processing a gate insulating film and a semiconductor film constituting a TFT into the same pattern using one photomask. (Third prior art).
[0012]
To solve the third problem of the formation technology of the low-resistance scanning signal wiring, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-85826 discloses that Al is used as the scanning wiring and Al is used as the scanning wiring. 2 O 3 An example in which the film is used as a gate insulating film and an interlayer insulating film is disclosed. When low-resistance Al is used for the scanning wiring, the delay of the scanning signal can be suppressed to a practically acceptable level even if the load on the scanning wiring increases due to higher definition / larger screen (fourth prior art). ).
[0013]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-35421 discloses that Al and Ta formed on Al are used for a scanning wiring, and an anodic oxide film of Al and Ta is used as a gate insulating film and an interlayer insulating film. And a method of reducing interlayer short-circuit defects and reducing the number of steps (fifth conventional technique).
[0014]
[Problems to be solved by the invention]
In order for TFT active matrix type liquid crystal display devices to become widely used, it is necessary to simultaneously solve all the above-mentioned problems and realize high image quality / low cost / high reliability. However, although the above-mentioned prior art has given a certain effect for each of the aimed problems, each of the elemental technologies often has a trade-off relationship with each other, and it is not possible to satisfy all of the above-mentioned problems at the same time. . Further, simply combining the above-described individual techniques causes a new problem and cannot achieve a desired effect. The situation will be explained.
[0015]
For example, when the first related art and the second related art are combined, it is necessary to anodize the scanning signal wiring metal on the transparent electrode. When a metal is anodized on a transparent conductive film, there is a problem that the metal film is dissolved by a battery reaction due to a difference in standard potential of the material. Further, in order to form a resist mask for selective oxidation at the time of anodic oxidation, a new photomask is required, so that the second problem of reduction in the number of steps cannot be achieved.
[0016]
Further, in the second prior art, since the semiconductor film as the active layer protrudes outside the gate electrode, a backlight or external light hits the semiconductor film protruding outside the gate electrode when a display device is formed. In addition, the leak current of the TFT increases due to the photocurrent of the semiconductor film, and the image quality deteriorates. In order to prevent this deterioration in image quality, it is effective to reduce the thickness of the semiconductor film. However, as is well known, in order to reduce the thickness of a semiconductor film using a conventional inverted staggered TFT due to process restrictions, a photomask for forming a channel protection film for protecting a channel portion of the TFT requires one photomask. I have to add more. This problem is described, for example, in “Flat Panel Display '91” (Nikkei BP 1990), pp. 88-96.
[0017]
Therefore, in the second conventional technique, although the number of photomasks can be reduced by integrating the masks of the semiconductor film and the gate insulating film, it is necessary to reduce the thickness of the semiconductor film in order to guarantee image quality that can be used practically. In order to form the channel protective film, the number of photomasks must be increased by one, and as a result, the process simplification by reducing the number of photomasks cannot be achieved.
[0018]
When the third prior art and the fourth prior art are combined, the scanning signal wiring has a two-layer structure of a transparent electrode and an Al electrode which is a low resistance wiring. In this case, the Al electrode is used as it is for the external connection terminal portion of the scanning signal wiring, or the upper layer of Al is selectively removed, and the transparent electrode is used as the external connection terminal.
[0019]
Since the external connection terminal portion of the wiring is exposed to various solvents and the like even after a post-process such as liquid crystal sealing, there is a problem that when an active metal such as Al is used, it is corroded. Further, when a transparent electrode is used for the terminal portion, when the transparent electrode, which is a metal oxide, and the wiring metal, Al, are oxidized by oxygen in the transparent electrode to form an insulating film at the interface, the contact is formed. There is a problem that the reliability of this is extremely low.
[0020]
In the fifth prior art, there is no contact problem because Ta is formed on Al, but there is a problem that corrosion is likely to occur because Al is also exposed on the side surface of the terminal.
[0021]
Due to the problems described above, when Al is used for the scanning signal wiring, a barrier metal is often inserted between the terminal and the transparent electrode in order to maintain good contact with the transparent electrode. However, a new photomask is required to process the barrier metal. Therefore, reduction of the number of steps, which is the second problem, cannot be achieved.
[0022]
Further, generally, a gate insulating film and a semiconductor film of a TFT are formed at a temperature of about 300 ° C. by a plasma vapor deposition method (PCVD). When Al is used for the scanning signal wiring, many surface irregularities called hillocks grow due to the thermal history in the PCVD process. An electric field concentrates on such irregularities, and extremely lowers the dielectric strength between the scanning signal wiring and the video signal wiring. Therefore, when low-resistance Al is used for the scanning signal wiring, it is difficult to achieve the first problem of improving the manufacturing yield.
[0023]
As described above, the mere combination of the conventional techniques cannot simultaneously solve all of the above-mentioned problems.
[0024]
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device using a wiring material that can be manufactured at low cost while securing high reliability and good image quality with a minimum number of photomasks.
[0025]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is formed on an insulating substrate to achieve the above object. , And at least partly covered with an insulating film A method for manufacturing a liquid crystal display device having a scanning signal electrode, a video signal electrode formed to intersect the scanning signal electrode, and a thin film transistor formed near an intersection of the scanning signal electrode and the video signal electrode;
a. A first metal conductive film and Al or an alloy film containing Al as a main component are laminated on the insulating substrate, and the first conductive film and the Al or Al-based alloy film as a main component are substantially Forming the scanning signal electrode by processing into the same pattern
b. Cover a part of the scanning signal electrode Said Step of forming insulating film
c. Removing, from the conductive film constituting the scanning signal electrode, Al or an alloy film containing Al as a main component, using the insulating film as a mask, for a terminal portion of the scanning signal electrode connected to an external drive circuit;
And a method for manufacturing a liquid crystal display device having the same.

[0026]
In the present invention, after the step c,
d. The method may further include forming a transparent conductive film on the first conductive film for the terminal portion.
[0027]
Further, in the step (d), it is preferable that the transparent conductive film is formed on the insulating film continuously from the terminal portion.
[0028]
In the present invention, since a wiring material including an Al film or an alloy film containing Al as a main component is used, generation of hillocks on the Al surface can be suppressed. Therefore, a short circuit between wirings can be reduced when a display device or the like is configured. Such a phenomenon has not been known so far, and has been clarified for the first time by experiments by the inventors.
[0029]
When the multilayer wiring is used for the scanning signal electrode of the liquid crystal display device, the interlayer dielectric strength between the scanning signal electrode and the video signal electrode increases. As a result, it is possible to reduce the short-circuit defect and reduce the resistance of the scanning signal electrode, thereby achieving an increase in the size and definition of the display screen.
[0030]
Further, when the entire surface of Al is covered with an insulating film containing Al as a base material, Al is not exposed to chemicals and the like, so that corrosion resistance can be ensured and hillock generation on the Al surface is further suppressed. it can.
[0031]
When the external connection terminal is constituted by one metal and a transparent conductive film made of a metal oxide formed thereon, the chemical resistance of the terminal is improved, and the insulating barrier layer formed by the reaction between the transparent conductive film and the metal forms an interface. Is difficult to form. Therefore, an increase in the contact resistance of the connection terminal can be prevented, and a highly reliable connection terminal can be obtained.
[0032]
Such a structure can be formed by etching and removing Al using the insulating film formed on the Al surface as a mask. Therefore, the above-described structure can be formed with only one photomask, and at the same time, the effects of reducing the number of steps, securing corrosion resistance, reducing short-circuit defects, and reducing the resistance of the scanning signal electrode can be obtained.
[0033]
A pixel electrode made of a transparent conductive film is arranged below the semiconductor film and the gate insulating film, and the semiconductor film and the gate insulating film are extended along the video signal electrode as a pattern wider than the video signal electrode, and the pixel electrode pattern , The pixel electrode and the video signal electrode can be separated. In this way, even if the distance between the pixel electrode and the video signal electrode is reduced while preventing the short circuit between the pixel electrode and the video signal electrode, pixel defects due to the short circuit can be reduced. Further, the width of the pixel electrode is increased, and the pixel aperture ratio is improved. Therefore, in addition to features such as a reduction in the number of steps, a high yield, low resistance wiring, and an improvement in the reliability of the terminal portion, a liquid crystal display device with low defects and high luminance can be realized.
[0034]
The inventors have found that, after forming a Ta film, if an Al film is continuously formed in a vacuum while keeping the surface cleanliness in particular, the (111) orientation becomes weak and the (220) plane grows preferentially. At the same time, they found that the hillocks on the film surface became smaller. The production method of the present invention is based on this finding. That is, in the manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention, Al growing on the Ta surface is not affected by the adsorption layer and is directly affected by the underlying Ta film, and thus does not occur under normal conditions (220). Priority growth of the surface is realized. When the (220) plane grows preferentially, the orientation changes randomly as a whole, and the hillocks on the film surface decrease.
[0035]
Features and / or effects of other modifications of the present invention will become apparent from the following description of embodiments.
[0036]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Embodiment 1
FIG. 1 is a perspective view of one embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention. The laminated wiring material of the present embodiment is formed by sequentially laminating a Ta film 10 and an Al film 11 on the glass substrate 1 by magnetron sputtering and processing the same pattern.
[0037]
The upper Al film 11 has a crystal orientation oriented to the (220) plane under the influence of the underlayer. It is conventionally known that when Al, which is a face-centered cubic lattice (fcc), is grown on (110) of Ta having a body-centered cubic lattice (bcc), it is oriented to (111). In the experiment by the inventors, after the Ta film 10 was formed, if the Al film 11 was continuously formed in vacuum while keeping the surface cleanliness in particular, the (111) orientation was weakened and the (220) The surface was found to grow preferentially. At the same time, it was discovered that the hillocks on the membrane surface were reduced.
[0038]
FIG. 2 is a diagram showing a comparison of the surface irregularities of the Al film 11 formed on the glass substrate 1 and the Ta film 10 respectively. The Al film 11 formed on the glass substrate 1 has some hillocks with a height of about 100 nm, whereas the Al film 11 formed on the Ta film 10 has many fine irregularities. There are no big hillocks. This difference is probably due to the fact that Al grows under the influence of a Ta base having fine crystal grains, and as a result, the crystal grains do not grow large, so that the internal stress of the film is alleviated. It is presumed that many minute hillocks are generated.
[0039]
In growing the (220) plane, care must be taken during film formation. It was experimentally confirmed that the (220) orientation did not appear unless Ta and Al were grown continuously without leaving any time while maintaining the cleanliness of the Ta surface. After forming the Ta film, once the discharge is stopped and left for several minutes or more, even if the vacuum is not released, H 2 An adsorption layer of O or the like is formed, and preferential growth of the (220) plane does not occur. The inventors obtained (220) orientation for the first time by a method in which Ta and Al were slowly moved in a chamber during sputtering. In such a method, Ta and Al are continuously formed while being slightly mixed near the interface. 2 An adsorption layer such as O is not formed. In other words, Al growing on the Ta surface is not affected by the adsorbed layer and is directly affected by the underlying Ta film, so that preferential growth of the (220) plane, which does not occur under normal conditions, is realized.
[0040]
FIG. 3 is a diagram showing a comparison between the X-ray diffraction pattern of the Al thin film used for the wiring of the present invention and the X-ray diffraction pattern of the conventional Al film. The height of the peak of the diffraction pattern is proportional to the volume of the crystal grain oriented so that the plane indicated at the position of each peak is parallel to the film surface. The intensity ratio between the (220) diffraction peak and the (111) diffraction peak was 0.15 in the conventional Al film, but increased to 0.7 or more in the Al film of the present invention. It can be seen that the diffraction peak from the (220) plane is larger and the diffraction peak from the (111) plane is smaller in the Al film of the present invention than in the conventional Al film. It is considered that crystal grains strongly oriented in the (111) plane in the conventional Al film are changed to random orientation as a whole by the growth of the (220) plane in the Al film of the present invention. That is, the ratio of the intensity of the surface having the largest diffraction peak intensity to the intensity of the surface having the second highest intensity is, for example, about 0.5 in the conventional Al film, but is about 0.5 in the present invention. From 7 to 1.0. For this reason, it is assumed that the average crystal grain size became slightly smaller, the variation in the grain size became smaller, and the grain size became uniform.
[0041]
Conventionally, in an Al wiring used in an LSI, since the resistance to electromigration and stress migration is reduced when Al crystal grains are miniaturized, Al is preferentially oriented to (111) to increase the crystal grains. In such an Al film, a large hillock grows because the number of triple points of crystal grains serving as sites for relaxing stress is small. In a TFT array for a liquid crystal display device, the wiring width is about 10 μm, which is larger than that of an LSI, so that electromigration and stress migration do not pose a significant problem. Rather, it is important to suppress hillocks on the Al surface to suppress interlayer short circuits. Therefore, the suppression of hillocks due to the (220) orientation and the miniaturization of crystal grains of the present invention is very desirable as a wiring for a TFT array.
[0042]
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the intensity ratio of the (220) diffraction peak and the (200) diffraction peak obtained from the X-ray diffraction of the Al film and the surface hillock density. It can be seen that the hillock density decreases as the (220) / (200) ratio increases, and that the hillocks almost disappear when the (220) / (200) ratio exceeds 1.0.
[0043]
As a material of the base, not only Ta but also a metal having a crystal structure of bcc may be used. For example, Ta-N alloy, Nb, Ta-Nb alloy, Nb-N alloy, Ta-Nb-N alloy, Ta-Ti alloy, Ta-Ti-N alloy, W, Ta-W alloy, Ta-W-N Similar effects can be obtained with alloys. The material of the upper layer is not limited to pure Al, but may be an Al alloy film such as Al-Pd, Al-Ta, Al-Ta-Ti, or the like.
[0044]
The Al film of the present invention can be grown on the above alloy containing Ta whose surface is clean. In addition to the method of continuously forming a film after the formation of the base film, the formed base surface is sputter-etched. Then, a method of performing film formation after cleaning with the above method can also be adopted.
[0045]
Embodiment 2
FIG. 5 is a plan view of a scanning signal wiring for a liquid crystal display device constituted by using the above-mentioned laminated wiring material of the present invention. FIG. 6 is a sectional view of an external connection terminal portion of the scanning signal wiring of FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of the AA plane of FIG. 6 viewed from the direction of the arrow.
[0046]
A Ta electrode 10 and an Al electrode 11 are formed on a glass substrate 1, and their surfaces and side surfaces are made of Ta. 2 O 5 Film 20 and Al 2 O 3 It is covered by the membrane 21. Here, Al 2 O 3 The film 21 was formed so as to cover the entire surface of the Al electrode 11 which is the upper layer film of the two-layer conductive film. Further, the Al electrode 11, which is an upper layer film, is formed from a position at a distance X or more from the end of the scanning signal electrode (the distance X is 1.0 cm in this example), and is formed from the end in contact with the external member. The Al electrode 11 was eliminated.
[0047]
According to the present embodiment, the easily corroded Al electrode is completely 2 O 3 Since a low-resistance Al electrode can be used for the scanning signal electrode while being covered with the film and being excluded from the end portion in contact with the external member, high definition and large size of the display device can be achieved. In order to reliably connect to the external member, X may be set to 0.1 cm or more. In addition, a highly corrosion-resistant Ta is arranged under the easily corroded Al electrode, 2 O 3 The structure is such that the end faces of the film and the Al electrode coincide with each other. 2 O 3 Since the external connection terminal is formed by etching away the Al electrode at the end using the film as a mask, a photomask for metal-working the connection terminal is not required, and the number of steps can be reduced. Furthermore, since the (220) -oriented Al electrode having few hillocks is used as the upper layer film, interlayer short-circuit failure can be reduced. Thus, high quality Al 2 O 3 Since the film can be used as an interlayer insulating film, interlayer short-circuit defects can be further reduced.
[0048]
Embodiment 3
FIG. 8 is a sectional view showing an end of another embodiment of the scanning signal electrode of the liquid crystal display device according to the present invention. FIG. 9 is a cross-sectional view of the AA plane of FIG. 8 as viewed from the direction of the arrow.
[0049]
The scanning signal electrode of the present embodiment is composed of a three-layered conductive film including a two-layered Ta electrode 10 and an Al electrode 11 sandwiched therebetween. As in the above embodiment, the surfaces and side surfaces of these films are made of Ta. 2 O 5 Film 20 and Al 2 O 3 The surface of the Ta electrode 10 which is covered with the film 21 and which is the uppermost film is entirely formed of Ta. 2 O 5 Coated with membrane 20. In addition, the Ta electrode 10 and the Al electrode 11 of the upper layer were formed at a distance of 1.0 cm or more from the end of the scanning signal electrode, and the Al electrode 11 was excluded from the end in contact with the external member.
[0050]
According to the present embodiment, in addition to the effect similar to that of the first embodiment, Ta having a large relative dielectric constant is used. 2 O 5 Since the film can be used as a part of the gate insulating film of the TFT, the mutual conductance of the TFT is improved. Further, the generation of hillocks in the Al electrode 11 can be further suppressed by the Ta electrode 10 in the upper layer, and interlayer short-circuit failure can be reduced.
[0051]
Embodiment 4
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a unit pixel of a liquid crystal display device configured using the scanning signal electrodes having the structure of the second embodiment.
[0052]
A scanning signal electrode composed of a Ta electrode 10 and an Al electrode 11 is formed on a glass substrate 1, and the surface and side surfaces thereof are made of Ta. 2 O 5 Film 20 and Al 2 O 3 It is covered with the film 21. On these scanning signal electrodes, a SiN film 22, an a-Si: H film 30, and an n-type a-Si: H film 31 are formed. On the n-type a-Si: H film 31, a video signal electrode 14 and A source electrode 15 is formed, and the pixel electrode 13 made of an ITO film is connected to the source electrode. A capacitance electrode 16 is connected to the pixel electrode 13, and the scanning signal electrode 11 and the capacitance electrode 16 form an additional capacitance. Further, the whole is covered with a protective SiN film 23.
[0053]
FIG. 11 is a cross-sectional view of the external connection terminal of the scanning signal electrode of the thin film transistor substrate. Here, of the scanning signal electrodes, the surface of the upper Al electrode 11 is made of Al. 2 O 3 The Ta electrode 10 is covered with a film 21 2 O 3 It extends outside the film 21 to constitute an external connection terminal. The Ta electrode 10 is covered with an ITO electrode 13. In the present embodiment, since the insulation of the barrier layer formed at the Ta / ITO interface due to the reaction between Ta and ITO is not perfect, the contact resistance between Ta and ITO is lower than that in the case where Al and ITO are combined, for example. , Is much smaller. In addition, in the case of Ta and ITO, since the contact resistance hardly increases due to the heat treatment, extremely stable connection terminals can be obtained.
[0054]
In this embodiment, Ta is used as the base metal, but in addition to Ta, Ta-N alloy, Nb, Ta-Nb alloy, Nb-N alloy, Ta-Nb-N alloy, Ta-Ti alloy, Ta-Ti alloy are also used. A similar effect can be obtained with an -N alloy, W, a Ta-W alloy, a Ta-W-N alloy, or the like. In particular, when a metal nitride such as Ta-N or Ti-N is used, the reaction between the metal and ITO can be further suppressed, and the contact resistance can be extremely reduced.
[0055]
12 to 16 are views showing the steps of manufacturing the thin-film semiconductor device of the embodiment. The right side of these figures is a diagram showing a cross section in each step of the scanning signal electrode terminal portion.
[0056]
In FIG. 12, a Ta film 10 and an Al film 11 are continuously deposited on a glass substrate 1 by sputtering, and are patterned into a predetermined shape by using a photolithography technique.
[0057]
In FIG. 13, the surface and side surfaces of the Ta film 10 and the Al film 11 are anodized to form Ta. 2 O 5 Film 20 and Al 2 O 3 A film 21 is formed.
[0058]
In FIG. 14, Al 2 O 3 Using the film 21 as a mask, the Al film 11 in the scanning signal electrode terminal portion is removed by etching to expose the Ta electrode 10. At this time, hydrogen bromide (HBr) and boron trichloride (BCl 3 According to the reactive ion etching method using the mixed gas plasma of (1) and (2), the etching selectivity between Al and Ta can be increased, so that the working margin of the etching is increased and the yield is improved. Subsequently, an ITO film is deposited by sputtering, and is patterned using photolithography to form the pixel electrode 13 and the protective film 131 of the terminal Ta.
[0059]
In FIG. 15, a gate SiN film 22, an a-Si: H film 30, and an n-type a-Si: H film 31 are deposited by a plasma CVD method, and an a-Si: H film 30, an n-type a-Si: The H film 31 is patterned into a predetermined shape, and then the gate SiN film 22 on the pixel electrode 13 and the terminal electrode is removed.
[0060]
In FIG. 16, a Ti film is deposited by sputtering and patterned into a predetermined shape to obtain a video signal electrode 14, a source electrode 15, and a capacitor electrode 16. Finally, the protective SiN film 23 is formed by the plasma CVD method, and the thin film semiconductor device is completed.
[0061]
According to this embodiment, Ta having high corrosion resistance can be used for the external connection terminal, so that high reliability can be ensured. Also, Al 2 O 3 Since the Ta electrode of the external connection terminal portion is exposed using the film as a mask, a photomask for processing the external connection terminal metal, which is conventionally required, becomes unnecessary, and the number of steps can be reduced. Furthermore, by suppressing hillocks on the Al surface, interlayer short-circuits can be reduced, and a low-resistance Al electrode can be used as the scanning signal electrode, so that a higher definition and larger size of the liquid crystal display device can be realized.
[0062]
In the above embodiments, Ta and Al were used for the scanning signal electrodes. However, the present invention is not limited to this combination, and instead of Ta, W, Nb or an alloy containing these components, for example, TaN, Nb-N, Ta -Nb-N, Ta-Ti-N or the like can be similarly used. Further, not limited to pure Al, an alloy such as Al-Pd, Al-Ta, or Al-Ti-Ta may be used.
[0063]
Furthermore, in the above embodiment, the Al formed on the surface of Al 2 O 3 Although the method of exposing the Ta electrode of the external connection terminal using the film as a mask is employed, the step of exposing the Ta electrode of the external connection terminal may be performed after removing the gate SiN film 22 on the terminal electrode. Also in this case, the photoresist for processing the gate SiN film 22 can be used as it is as a mask for exposing the Ta electrode 10, so that the number of steps does not increase.
[0064]
The gate SiN film or Al is applied to the plasma when the Ta electrode is exposed. 2 O 3 Since the film is not directly exposed and plasma damage does not occur in the film, good insulating properties can be maintained.
[0065]
Embodiment 5
The wiring material according to the present invention can be applied to not only the scanning signal wiring but also the video signal wiring. FIG. 17 is a sectional view of a pixel according to an embodiment in which the wiring material according to the present invention is applied to a video signal wiring. In the present embodiment, in addition to the structure of the first embodiment, the video signal wiring, the source electrode, and the capacitor electrode are formed of a stacked electrode of Ta films 141, 151, 161 and Al films 142, 152, 162. By adopting such a structure, the Al films 142, 152, and 162 have the (220) orientation. For the reason described above, the growth of whiskers and hillocks from the Al film by the heat treatment at the time of forming the protective film 23 is prevented. Can be prevented.
[0066]
Embodiment 6
FIG. 18 is a sectional view of a pixel portion of another embodiment of the liquid crystal display device configured using the scanning signal electrodes having the structure of the second embodiment shown in FIG. FIG. 19 is a plan view of the embodiment of FIG.
[0067]
As in the embodiment, a scanning signal electrode including a Ta electrode 10 and an Al electrode 11 is formed on a glass substrate 1. The surface and sides of these electrodes are Ta 2 O 5 Film 20 and Al 2 O 3 It is covered with the film 21. On these scanning signal electrodes, a 400-nm-thick SiN film 22 and a 50-nm-thick a-Si: H film 30 are formed in the same plane shape. And a source electrode 15 are formed. The pixel electrode 13 made of an ITO film is connected to the source electrode 15.
[0068]
The pixel electrode 13 is arranged below the SiN film 22, and the a-Si: H film 30 and the SiN film 22 extend along the video signal electrode 14 below the video signal electrode 14, : H film 30 and SiN film 22 cover only the periphery of the pattern of pixel electrode 13. A capacitance electrode 16 is connected to the pixel electrode 13, and the scanning signal electrode 11 and the capacitance electrode 16 form an additional capacitance. These are all covered with a protective SiN film 23.
[0069]
FIG. 20 is a sectional view of the a-Si: H film 30 taken along the line AA in FIG. 31 P and 11 FIG. 7 is a diagram illustrating a density distribution of B in a depth direction. FIG. 21 is a cross-sectional view of the a-Si: H film 30 taken along the line BB in FIG. 31 P and 11 FIG. 7 is a diagram illustrating a density distribution of B in a depth direction.
[0070]
In the BB section in contact with the source electrode 15, 31 Only P decreases exponentially from the surface Steep Introduced in concentration profiles. In the AA cross section, which is the channel region of the TFT, almost the same amount 31 P and 11 B has been introduced.
[0071]
With the above configuration, the present embodiment has the following effects in addition to the effects described above.
[0072]
a. Since the a-Si: H film 30 and the gate SiN film 31 which have been conventionally patterned by separate photomasks are patterned into the same shape by one photomask, the number of photolithography steps is reduced by one, and the number of steps is reduced. It is possible to reduce the production cost.
[0073]
b. The channel region of the TFT is 31 P and 11 Since B is compensated for each other and the resistance is increased, the source electrode and the drain electrode can be separated without etching the n-type a-Si: H film, which is conventionally required. Can be made thinner. When the thickness of the a-Si: H film 30 is 60 nm or less, a decrease in the off-resistance of the TFT due to a photocurrent can be prevented, and good image quality can be obtained. In addition, when the a-Si: H film 30 is thinned, the formation of a channel protective film, which is conventionally required, is not required, and the number of manufacturing steps is not increased.
[0074]
c. Since the pixel electrode 13 and the video signal electrode 14 are separated by the a-Si: H film 30 and the gate SiN film 22, the pixel electrode 13 and the video signal electrode 14 are not short-circuited. Therefore, it is possible to reduce pixel defects mainly caused by short-circuit between the pixel electrode 13 and the video signal electrode 14. Further, the distance between the pixel electrode 13 and the video signal electrode 14 can be reduced, and the area of the pixel electrode 13 can be increased accordingly, and the pixel aperture ratio can be improved. As a result, high brightness of the display can be achieved.
[0075]
22 to 29 are cross-sectional views showing the manufacturing steps of the embodiment shown in FIG.
[0076]
In FIG. 22, a Ta film 10 and an Al film 11 are deposited on a glass substrate 1 by sputtering, and are patterned into a predetermined shape using a photolithography technique. Next, Ta is applied to the surface and side surfaces of the Ta film and the Al film by anodic oxidation. 2 O 5 Film 20 and Al 2 O 3 A film 21 is formed.
[0077]
In FIG. 23, an ITO film is deposited to a thickness of 110 nm by sputtering and patterned to form a pixel electrode 13.
[0078]
In FIG. 24, a gate SiN film 22 is deposited to a thickness of 400 nm by plasma CVD, and an a-Si: H film 30 is formed to a thickness of 50 nm.
[0079]
In FIG. 25, PH 3 PH +, PH without mass separation extracted from gas discharge plasma 2 Irradiation with ions such as + at a low energy of about 2 keV introduces P into the a-Si: H film 30. As an impurity doping technique using an ion beam without mass separation, for example, a method using a magnetic bucket type ion source is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-199824.
[0080]
In FIG. 26, the gate SiN film 22 and the a-Si: H film 30 are processed into the same planar shape by photolithography.
[0081]
In FIG. 27, a Ti electrode is formed by sputtering and patterned to obtain a video signal electrode 14, a source electrode 15, and a capacitor electrode 16.
[0082]
In FIG. 28, the patterns of the video signal electrode 14 and the source electrode 15 are used as a mask, and BH +, B 2 H 2 Irradiation of ions such as + at a low energy of about 2 keV introduces B into the channel region of the a-Si: H film 30. This is because the discharge gas is B 2 H 6 If a gas containing B is used, it can be easily realized.
[0083]
In FIG. 29, a protective SiN film is formed to complete the device.
[0084]
By adopting the above-described manufacturing process, as described above, the formation of the channel protective film, which was conventionally required when the a-Si: H film 30 is thinned, becomes unnecessary, so that the manufacturing process can be simplified. In particular, when a low-energy ion beam without mass separation is used as an impurity introduction method, impurities can be efficiently introduced into a large area, so that production efficiency is improved.
[0085]
FIG. 30 is an equivalent circuit of a TFT substrate in the liquid crystal display device of the present invention. On a glass substrate 1, a plurality of scanning signal electrodes 10/11, a plurality of video signal electrodes 14 orthogonal thereto, TFTs connected to these electrodes, and a liquid crystal capacitor and an additional capacitor connected to the TFTs. It is formed. A terminal 140 for connecting an external member is provided at one end of the scanning signal electrode 10/11 and the video signal electrode 14.
[0086]
To display an image, a pulse signal is sequentially applied to the scanning signal electrodes 10/11 to turn on one row of TFTs, and during that time, an image signal is applied from the video signal electrode to the liquid crystal layer. This operation is repeated for each row.
[0087]
FIG. 31 is an equivalent circuit of another TFT substrate in the liquid crystal display device of the present invention. It is composed of a plurality of scanning signal electrodes 10 and 11 on a glass substrate 1, a plurality of video signal electrodes 14 orthogonal thereto, TFTs connected to these electrodes, and a liquid crystal capacitance and an additional capacitance connected to the TFTs. However, in this embodiment, the scanning signal circuit 200 and the video signal circuit 210 for driving the TFT are formed on the glass substrate 1 using the TFT. As described above, since the driving circuit is also integrated on the glass substrate 1, the number of external components is significantly reduced, so that the overall cost can be significantly reduced. Needless to say, the wiring material of the present invention can be similarly applied even when such external connection terminals are small.
[0088]
In the embodiment described above, an example using an inverted staggered thin film transistor is described. However, the wiring material of the present invention is not limited to this, and is similarly applied to a thin film transistor having a staggered or coplanar electrode structure. It is possible and the same effect can be obtained.
[0089]
FIG. 32 is a diagram showing a schematic cross section of a liquid crystal display device constituted by the thin film semiconductor device according to the present invention. 32 shows the cross section of one pixel portion, the left side shows the cross section of the left edge portion of the pair of glass substrates 1 and 508 where the external lead-out terminal exists, and the right side shows the cross section of the pair of glass substrates 1. And 508 show a cross section of the right edge of the portion where no external lead-out terminal exists.
[0090]
On the lower glass substrate 1 with reference to the liquid crystal layer 506, the scanning signal electrodes 11 and the video signal electrodes 14 are formed in a matrix. The TFT formed near the intersection drives the pixel electrode 13 made of ITO. A counter electrode 510 made of ITO, a color filter 507, a color filter protective film 511, and a light-shielding film 512 serving as a light-shielding black matrix pattern are formed on an opposite glass substrate 508 facing the liquid crystal layer 506 therebetween. The sealing material SL shown on each of the left and right sides of FIG. 32 is formed along the entire edge of the glass substrates 1 and 508 except for a liquid crystal sealing port (not shown) so as to seal the liquid crystal layer 506. I have. The sealing material is, for example, an epoxy resin.
[0091]
The opposing electrode 510 on the opposing glass substrate 508 is connected to an external lead wire formed on the glass substrate 1 by a silver paste material SIL at at least one place. The external connection wiring is formed in the same manufacturing process as each of the scanning signal wiring 10, the source electrode 15, and the video signal electrode 14. Each layer of the alignment films ORI1, ORI2, the pixel electrode 13, the protective film 23, the color filter protective film 511, and the gate SiN film 21 is formed inside the sealing material SL. The polarizing plate 505 is formed on the outer surfaces of the pair of glass substrates 1 and 508, respectively.
[0092]
The liquid crystal layer 506 is sealed between the lower alignment film ORI1 and the upper alignment film ORI2 for setting the direction of the liquid crystal molecules, and is sealed by the sealing material SL. The lower alignment film ORI1 is formed above the protective film 23 on the glass substrate 1 side. On the inner surface of the opposing glass substrate 508, a light-shielding film 512, a color filter 507, a color filter protective film 511, an opposing electrode 510, and an upper alignment film ORI2 are sequentially laminated.
[0093]
This liquid crystal display device is assembled by separately forming a layer on the glass substrate 1 side and a layer on the opposing glass substrate 508 side, and then superimposing the upper and lower glass substrates 1 and 508, and sealing the liquid crystal 506 therebetween. When the transmission of light from the backlight BL is adjusted at the pixel electrode 13, a TFT-driven color liquid crystal display device is formed.
[0094]
Since the liquid crystal display device of the present invention can use the scanning signal electrode made of low-resistance Al, it is suitable for enlargement and high definition. In addition, since the manufacturing can be performed with a simple manufacturing process with a high yield, the cost can be significantly reduced and an inexpensive liquid crystal display device can be provided.
[0095]
The characteristic configuration of the present invention is exemplified as follows.
[0096]
1. An Al film in which the volume ratio between crystal grains oriented so that the (220) plane is parallel to the film surface and crystal grains oriented so that the (200) plane is parallel to the film surface is 0.5 or more; A wiring material including an alloy film containing Al as a main component.
[0097]
2. An Al film in which the volume ratio between crystal grains oriented so that the (220) plane is parallel to the film surface and crystal grains oriented so that the (111) plane is parallel to the film surface is 0.5 or more; A wiring material including an alloy film containing Al as a main component.
[0098]
3. A wiring material in which the ratio of the volume of the crystal grains having the second orientation direction having the second largest content to the volume of the crystal grains having the first orientation direction having the largest content is substantially 0.5 or more.
[0099]
4. Ta, Ta-N alloy, Nb, Nb-N alloy, Ta-Nb alloy, Ta-Nb-N alloy, Ta-Ti alloy, Ta-Ti-N alloy, W, Ta-W alloy, Ta-W-N Stacked wiring composed of a first conductive film made of one of the alloys and a second conductive film made of Al or an alloy containing Al as a main component and formed on the first conductive film material.
[0100]
5. In the multilayer wiring material according to the above 4, the crystal grains oriented so that the (220) plane included in the Al film or the alloy film containing Al as a main component is parallel to the film surface and the (200) plane are the film surface A multilayer wiring material having a volume ratio of 0.5 or more to crystal grains oriented so as to be parallel to the multilayer wiring material.
[0101]
6. A scanning signal electrode formed on the insulating substrate, a video signal electrode formed to intersect the scanning signal electrode, a thin film transistor formed near an intersection of the scanning signal electrode and the video signal electrode, and a thin film transistor connected to the thin film transistor. In a liquid crystal display device comprising a pixel electrode and driving a liquid crystal by a thin film transistor, at least one of a scanning signal electrode and a video signal electrode is formed by crystal grains having a (220) plane oriented parallel to a film surface. A liquid crystal display device formed of a wiring material including an Al film or an alloy film containing Al as a main component, the volume ratio of which is 0.5 or more to crystal grains oriented so that the plane is parallel to the film surface.
[0102]
7. A scanning signal electrode formed on the insulating substrate, a video signal electrode formed to intersect the scanning signal electrode, a thin film transistor formed near an intersection of the scanning signal electrode and the video signal electrode, and a thin film transistor connected to the thin film transistor. In a liquid crystal display device comprising a pixel electrode and driving liquid crystal by a thin film transistor, at least one of a scanning signal electrode and a video signal electrode is composed of Ta, Ta-N alloy, Nb, Nb-N alloy, Ta-Nb alloy, Ta-Nb alloy. A first conductive film made of one of Nb-N alloy, Ta-Ti alloy, Ta-Ti-N alloy, W, Ta-W alloy, and Ta-W-N alloy; A liquid crystal display device formed of a stacked wiring material including an alloy as a component and a second conductive film formed over a first conductive film.
[0103]
8. 7. In the liquid crystal display device described in the above item 7, crystal grains oriented so that the (220) plane included in Al or an alloy containing Al as a main component is parallel to the film surface and the (200) plane is parallel to the film surface. A liquid crystal display device in which the volume ratio with the crystal grains oriented as follows is 0.5 or more.
[0104]
9. A scanning signal electrode formed on the insulating substrate, a video signal electrode formed to intersect the scanning signal electrode, a thin film transistor formed near an intersection of the scanning signal electrode and the video signal electrode, and a thin film transistor connected to the thin film transistor. In a liquid crystal display device including a pixel electrode and driving liquid crystal by a thin film transistor, the scanning signal electrode is a laminated film of two or more conductive films including at least an Al film or an alloy film containing Al as a main component. Ta-N alloy, Nb, Nb-N alloy, Ta-Nb alloy, Ta-Nb-N alloy, Ta-Ti alloy, Ta-Ti-N alloy, W, Ta-W alloy, Ta-W-N alloy A liquid crystal display device in which a conductive film made of one of these metals is arranged above and below an Al film or an alloy film containing Al as a main component.
[0105]
10. 10. The liquid crystal display device according to any one of the above items 6 to 9, wherein a coating insulating film containing Al as a base material is formed on the surface and side surfaces of the Al film or an alloy film containing Al as a main component.
[0106]
11. 10. The liquid crystal display device according to any one of the above items 6 to 9, wherein the Al film or the alloy film containing Al as a main component is present only at a position separated by 0.1 cm or more from one end of the scanning signal electrode.
[0107]
12. 12. The liquid crystal display device according to any one of the items 6 to 11, wherein a film forming at least one of the scanning signal electrode and the video signal electrode is a gate electrode of a thin film transistor.
[0108]
13. 13. The liquid crystal display device according to any one of the items 6 to 12, wherein the insulating film containing Al as a base material is an Al oxide film or a nitride film.
[0109]
14． A scanning signal electrode formed on an insulating substrate, a video signal electrode formed to cross the scanning signal electrode, a thin film transistor formed near an intersection of the scanning signal electrode and the video signal electrode, and a pixel connected to the thin film transistor In a liquid crystal display device having an active matrix substrate composed of electrodes and an external driving circuit connected to the active matrix substrate and driving liquid crystal by a thin film transistor, a connection terminal between the external driving circuit and a video signal electrode or a scanning signal electrode Are Ta, Ta-N alloy, Nb, Nb-N alloy, Ta-Nb alloy, Ta-Nb-N alloy, Ta-Ti alloy, Ta-Ti-N alloy, W, Ta-W alloy, Ta-W A first conductive film made of one metal of the -N alloy and a transparent conductive film made of a metal oxide formed on the first conductive film. A liquid crystal display device.
[0110]
15. 6. A scanning signal electrode comprising the wiring according to any one of the above 1 to 5, a gate insulating film of a thin film transistor formed on the scanning signal electrode, a semiconductor film formed on the gate insulating film, and an intersection with the scanning signal electrode. In a liquid crystal display device including a video signal electrode formed so as to form a pixel electrode connected to a thin film transistor, and driving a liquid crystal by the thin film transistor, a semiconductor film and a gate insulating film in contact with the semiconductor film are in the same plane. A liquid crystal display device having a shape.
[0111]
16. 16. The liquid crystal display device according to the item 15, wherein the semiconductor film and the gate insulating film in contact with the semiconductor film extend below the video signal electrode in a pattern wider than the video signal electrode.
[0112]
17． 17. In the liquid crystal display device according to the above 15 or 16, only one of n-type or p-type impurities is introduced into a region of the semiconductor film which is in contact with the source and drain metal electrodes, and into the channel portion. A liquid crystal display device into which both n-type and p-type impurities are introduced.
[0113]
18. 18. In the liquid crystal display device according to any one of the items 15 to 17, the semiconductor film is made of any of hydrogenated amorphous Si, hydrogenated amorphous SiGe, and hydrogenated amorphous Ge having a thickness of 60 nm or less. Liquid crystal display.
[0114]
19. 19. In the liquid crystal display device described in the above item 18, the concentration of the n-type and p-type impurities is 10% at the surface of the semiconductor film. 21 cm -3 That is, 10 at the interface between the semiconductor film and the gate insulating film. 19 cm -3 A liquid crystal display device as follows.
[0115]
20. 20. The liquid crystal display device according to any one of the items 15 to 19, wherein the pixel electrode is arranged below the semiconductor film and the gate insulating film.
[0116]
21. 21. The liquid crystal display device according to the item 20, wherein the semiconductor film and the gate insulating film cover only the outer peripheral portion of the pixel electrode pattern.
[0117]
22. A scanning signal electrode formed on the insulating substrate, a video signal electrode formed to intersect the scanning signal electrode, a thin film transistor formed near an intersection of the scanning signal electrode and the video signal electrode, and a thin film transistor connected to the thin film transistor. In a method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a pixel electrode and driving liquid crystal by a thin film transistor,
a. Ta, Ta-N alloy, Nb, Nb-N alloy, Ta-Nb alloy, Ta-Nb-N alloy, Ta-Ti alloy, Ta-Ti-N alloy, W, Ta-W alloy, Ta A first conductive film made of one of the -W-N alloys and Al or an alloy film containing Al as a main component are successively laminated in vacuum, processed into a predetermined pattern, and scanned. Forming at least one of an electrode and a video signal electrode
b. Forming an insulating film covering a part of the scanning signal electrode;
c. A step of removing only Al or an alloy film containing Al as a main component of the conductive film forming the scanning signal electrode using the insulating film as a mask;
A method for manufacturing a liquid crystal display device including:
[0118]
23. 23. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the above item 22, wherein the insulating film is formed by any one of an anodic oxidation method, a plasma oxidation method, and a plasma nitridation method.
[0119]
24. 23. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the above item 22, wherein the insulating film is formed by a plasma CVD method or a sputtering method.
[0120]
25. 22. In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the above item 22, the step of removing only Al or an alloy film containing Al as a main component among the conductive films forming the scanning signal electrodes using the insulating film as a mask may be performed using a hydrogen halide gas. A method for manufacturing a liquid crystal display device, which is an ion etching method using a mixed gas containing the same.
[0121]
26. 23. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the above item 22, wherein the first conductive film and Al or an alloy film containing Al as a main component are continuously formed while maintaining a vacuum.
[0122]
27. A scanning signal electrode formed on the insulating substrate, a video signal electrode formed to intersect the scanning signal electrode, a thin film transistor formed near an intersection of the scanning signal electrode and the video signal electrode, and a thin film transistor connected to the thin film transistor. In a method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a pixel electrode and driving liquid crystal by a thin film transistor,
a. Ta, Ta-N alloy, Nb, Nb-N alloy, Ta-Nb alloy, Ta-Nb-N alloy, Ta-Ti alloy, Ta-Ti-N alloy, W, Ta-W alloy, Ta Forming a first conductive film made of one of the -W-N alloys, and forming an Al film or an alloy film containing Al as a main component thereon while keeping the surface of the first conductive film clean; Forming a scanning signal electrode or a video signal electrode by laminating and processing into a predetermined pattern
b. Forming an insulating film covering a part of the scanning signal electrode or the video signal electrode c. A step of removing only Al or an alloy film containing Al as a main component among conductive films constituting a scanning signal electrode or a video signal electrode using an insulating film as a mask;
A method for manufacturing a liquid crystal display device including:
[0123]
28. A scanning signal electrode formed on the insulating substrate, a video signal electrode formed to intersect the scanning signal electrode, a thin film transistor formed near an intersection of the scanning signal electrode and the video signal electrode, and a thin film transistor connected to the thin film transistor. In a method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a pixel electrode and driving liquid crystal by a thin film transistor,
a. Ta, Ta-N alloy, Nb, Nb-N alloy, Ta-Nb alloy, Ta-Nb-N alloy, Ta-Ti alloy, Ta-Ti-N alloy, W, Ta-W alloy, Ta Forming a first conductive film made of one metal of a WN alloy
b. Step of removing a part of the surface layer of the first conductive film
c. Laminating Al or an alloy film containing Al as a main component on the first conductive film from which a part of the surface layer has been removed
d. Forming a scanning signal electrode or a video signal electrode by processing the laminated film into a predetermined pattern
e. Forming an insulating film covering a part of the scanning signal electrode or the video signal electrode;
f. A step of removing only Al or an alloy film containing Al as a main component among conductive films constituting a scanning signal electrode or a video signal electrode using an insulating film as a mask;
A method for manufacturing a liquid crystal display device including:
[0124]
29. A scanning signal electrode formed on the insulating substrate, a video signal electrode formed to intersect the scanning signal electrode, a thin film transistor formed near an intersection of the scanning signal electrode and the video signal electrode, and a thin film transistor connected to the thin film transistor. In a method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a pixel electrode and driving liquid crystal by a thin film transistor,
a. Forming a first conductive film and Al or an alloy film containing Al as a main component on an insulating substrate in a vacuum in succession, and forming a scanning signal electrode by processing into a predetermined pattern;
b. Forming an insulating film based on a material constituting each conductive film on a part of a surface and a side surface of the scanning signal electrode;
c. A step of removing only Al or an alloy film containing Al as a main component of the conductive film forming the scanning signal electrode using the insulating film as a mask;
d. Forming a pixel electrode by forming a transparent electrode film on the entire surface of the substrate and processing it into a predetermined shape
e. Process of forming gate insulating film and semiconductor film on the whole substrate
f. Irradiating the semiconductor film with an ion beam containing phosphorus at an energy of 5 keV or less to introduce phosphorus into the semiconductor film;
g. Process of processing gate insulating film and semiconductor film into the same pattern
h. A step of depositing a conductive film and processing it into a predetermined pattern to form a video signal electrode and a source electrode
i. A step of irradiating the semiconductor film with an ion beam containing boron at an energy of 5 keV or less using the pattern of the video signal electrode and the source electrode as a mask to introduce boron into the semiconductor film;
A method for manufacturing a liquid crystal display device including:
[0125]
30. 22. An information processing apparatus comprising the liquid crystal display device according to any one of the above items 6 to 21 as display means.
[0126]
31. A liquid crystal produced by the production method according to any one of the above items 22 to 29 display An information processing device comprising the device as a display means.
[0127]
【The invention's effect】
According to the manufacturing method of the present invention, since a wiring material including an Al film or an alloy film containing Al as a main component is used, generation of hillocks on the Al surface can be suppressed. Therefore, a short circuit between wirings can be reduced when a display device or the like is configured.
[0128]
When the multilayer wiring is used for the scanning signal electrode of the liquid crystal display device, the interlayer dielectric strength between the scanning signal electrode and the video signal electrode increases. As a result, it is possible to reduce the short-circuit defect and reduce the resistance of the scanning signal electrode, thereby achieving an increase in the size and definition of the display screen.
[0129]
Further, when the entire surface of Al is covered with an insulating film containing Al as a base material, Al is not exposed to chemicals and the like, so that corrosion resistance can be ensured and hillock generation on the Al surface is further suppressed. it can.
[0130]
When the external connection terminal is constituted by one metal and a transparent conductive film made of a metal oxide formed thereon, the chemical resistance of the terminal is improved, and the insulating barrier layer formed by the reaction between the transparent conductive film and the metal forms an interface. Is difficult to form. Therefore, an increase in the contact resistance of the connection terminal can be prevented, and a highly reliable connection terminal can be obtained.
[0131]
Such a structure can be formed by etching and removing Al using the insulating film formed on the Al surface as a mask. Therefore, the above-described structure can be formed with only one photomask, and at the same time, the effects of reducing the number of steps, securing corrosion resistance, reducing short-circuit defects, and reducing the resistance of the scanning signal electrode can be obtained.
[0132]
A pixel electrode made of a transparent conductive film is arranged below the semiconductor film and the gate insulating film, and the semiconductor film and the gate insulating film are extended along the video signal electrode as a pattern wider than the video signal electrode, and the pixel electrode pattern , The pixel electrode and the video signal electrode can be separated. In this way, even if the distance between the pixel electrode and the video signal electrode is reduced while preventing the short circuit between the pixel electrode and the video signal electrode, pixel defects due to the short circuit can be reduced. Further, the width of the pixel electrode is increased, and the pixel aperture ratio is improved. Therefore, in addition to features such as a reduction in the number of steps, a high yield, low resistance wiring, and an improvement in the reliability of the terminal portion, a liquid crystal display device with low defects and high luminance can be realized.
[0133]
As a result, in a minimum photolithography process, a liquid crystal display device having a low-resistance scan signal electrode with few hillocks and an external connection terminal with high corrosion resistance, a small pixel defect density, and a large pixel aperture ratio can be obtained. It is possible to simultaneously increase the size, increase the definition, and reduce the cost of the liquid crystal display device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of a laminated wiring material according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a comparison of surface irregularities of an Al film 11 formed on a glass substrate 1 and a Ta film 10 respectively.
FIG. 3 is a diagram showing an X-ray diffraction pattern of an Al thin film used for the wiring of the present invention in comparison with an X-ray diffraction pattern of a conventional Al film.
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the intensity ratio of the (220) diffraction peak and the (200) diffraction peak obtained from the X-ray diffraction of the Al film and the surface hillock density.
FIG. 5 is a plan view of a scanning signal wiring for a liquid crystal display device formed using the laminated wiring material of the present invention.
6 is a cross-sectional view of an external connection terminal portion of the scanning signal wiring of FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the AA plane of FIG. 6 as viewed from the direction of the arrow.
FIG. 8 is a sectional view showing an end of another embodiment of the scanning signal electrode of the liquid crystal display device according to the present invention.
9 is a cross-sectional view of the AA plane of FIG. 8 as viewed from the direction of the arrow.
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a unit pixel of a liquid crystal display device configured using the scanning signal electrodes having the structure of the second embodiment shown in FIG.
FIG. 11 is a sectional view of an external connection terminal of a scanning signal electrode of the thin film transistor substrate.
FIG. 12 is a diagram illustrating a manufacturing process of the thin-film semiconductor device of the embodiment. The right side of the figure is a diagram showing a cross section in each step of the scanning signal electrode terminal portion.
FIG. 13 is a diagram illustrating a manufacturing process of the thin-film semiconductor device of the embodiment. The right side of the figure is a diagram showing a cross section in each step of the scanning signal electrode terminal portion.
FIG. 14 is a diagram illustrating a manufacturing process of the thin-film semiconductor device of the embodiment. The right side of the figure is a diagram showing a cross section in each step of the scanning signal electrode terminal portion.
FIG. 15 is a diagram illustrating a manufacturing process of the thin-film semiconductor device of the embodiment. The right side of the figure is a diagram showing a cross section in each step of the scanning signal electrode terminal portion.
FIG. 16 is a diagram illustrating a manufacturing process of the thin-film semiconductor device of the embodiment. The right side of the figure is a diagram showing a cross section in each step of the scanning signal electrode terminal portion.
FIG. 17 is a cross-sectional view of a pixel according to an embodiment in which the wiring material of the present invention is applied to a video signal wiring.
FIG. 18 is a cross-sectional view of a pixel portion of another embodiment of the liquid crystal display device configured using the scanning signal electrodes having the structure of the second embodiment shown in FIG.
FIG. 19 is a plan view of the embodiment of FIG.
20 is a diagram showing the inside of an a-Si: H film 30 taken along the line AA in FIG. 18; 31 P and 11 FIG. 7 is a diagram illustrating a density distribution of B in a depth direction.
21 is a diagram showing the inside of an a-Si: H film 30 in a BB section in FIG. 18; 31 P and 11 FIG. 7 is a diagram illustrating a density distribution of B in a depth direction.
FIG. 22 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the embodiment in FIG. 18;
FIG. 23 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the embodiment in FIG. 18;
FIG. 24 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the embodiment in FIG. 18;
FIG. 25 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the embodiment in FIG. 18;
FIG. 26 is a sectional view showing a manufacturing step of the embodiment in FIG. 18;
FIG. 27 is a sectional view showing the manufacturing process of the embodiment in FIG. 18;
FIG. 28 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the embodiment in FIG. 18;
FIG. 29 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the embodiment in FIG. 18;
FIG. 30 is an equivalent circuit of a TFT substrate in the liquid crystal display device of the present invention.
FIG. 31 is an equivalent circuit of another TFT substrate in the liquid crystal display device of the present invention.
FIG. 32 is a diagram showing a schematic cross section of a liquid crystal display device constituted by the thin film semiconductor device according to the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Glass substrate
10 Ta electrode
11 Al electrode oriented on (220) plane
13 Pixel electrode
14 Video signal electrode
15 Source electrode
16 capacity electrode
20 Ta 2 O 5 film
21 Al 2 O 3 film
22 Gate SiN electrode
23 Protected SiN film
30 a-Si: H film
31 n-type a-Si: H film
140 External connection terminal
141, 151, 161 Ta film
142, 152, 162 Al film
200 scanning signal circuit
210 Video signal circuit
505 Polarizing plate
506 liquid crystal layer
507 Color filter
508 Opposing glass substrate
510 Counter electrode
511 Color filter protective film
512 Light shielding film
BL backlight
ORI alignment film
SL sealing material
SIL silver paste material

Claims (3)

絶縁基板上に形成され、かつ絶縁膜により少なくとも一部が被覆された走査信号電極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、前記走査信号電極と前記映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜トランジスタとを有する液晶表示装置の製造方法において、
ａ．前記絶縁基板上に金属の第１の導電膜と、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜とを積層し、前記第１の導電膜と前記ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜とを略同一パターンに加工して前記走査信号電極を形成する工程
ｂ．前記走査信号電極の一部を被覆する前記絶縁膜を形成する工程
ｃ．前記走査信号電極の外部駆動回路に接続する端子部分について、前記絶縁膜をマスクとして前記走査信号電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜を除去する工程
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 A scanning signal electrode formed on an insulating substrate and at least partially covered by an insulating film, a video signal electrode formed to intersect with the scanning signal electrode, and a scan signal electrode and the video signal electrode; A method for manufacturing a liquid crystal display device having a thin film transistor formed near an intersection.
a. A first conductive film of metal and Al or an alloy film containing Al as a main component are laminated on the insulating substrate, and the first conductive film and the Al or Al-based alloy film as a main component are substantially Forming the scanning signal electrode by processing into the same pattern b. Step of forming the insulating film covering a portion of the scanning signal electrode c. A step of removing, from the conductive film forming the scanning signal electrode, Al or an alloy film containing Al as a main component, using the insulating film as a mask, for a terminal portion of the scanning signal electrode connected to an external drive circuit. Characteristic manufacturing method of a liquid crystal display device. 請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記工程ｃの後に、
ｄ．前記端子部分について、前記第１の導電膜上に透明導電膜を形成する工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1,
After the step c,
d. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising a step of forming a transparent conductive film on the first conductive film for the terminal portion. 請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記工程ｄでは、前記透明導電膜は、前記絶縁膜上にも前記端子部分から連続して形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 2,
In the step (d), the transparent conductive film is formed continuously on the insulating film from the terminal portion.
JP2000208473A 1993-01-18 2000-07-10 Manufacturing method of liquid crystal display device Expired - Lifetime JP3548908B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000208473A JP3548908B2 (en) 1993-01-18 2000-07-10 Manufacturing method of liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP590093A JP3116149B2 (en) 1993-01-18 1993-01-18 Wiring material and liquid crystal display
JP2000208473A JP3548908B2 (en) 1993-01-18 2000-07-10 Manufacturing method of liquid crystal display device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP590093A Division JP3116149B2 (en) 1993-01-18 1993-01-18 Wiring material and liquid crystal display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001051305A JP2001051305A (en) 2001-02-23
JP3548908B2 true JP3548908B2 (en) 2004-08-04

Family

ID=32929488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000208473A Expired - Lifetime JP3548908B2 (en) 1993-01-18 2000-07-10 Manufacturing method of liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3548908B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008052154A (en) * 2006-08-28 2008-03-06 Optrex Corp Electronic apparatus and manufacturing method of electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001051305A (en) 2001-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4280727B2 (en) Method for manufacturing array substrate for liquid crystal display device
JP3940385B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
KR101065130B1 (en) Display device
US6624864B1 (en) Liquid crystal display device, matrix array substrate, and method for manufacturing matrix array substrate
JP2755376B2 (en) Manufacturing method of electro-optical element
US6731364B2 (en) Liquid crystal display device
US7400365B2 (en) Method for manufacturing a thin film transistor array substrate for a liquid crystal display device
JP4272272B2 (en) Wiring composition, metal wiring using the composition and manufacturing method thereof, display device using the wiring and manufacturing method thereof
JP2000002892A (en) Liquid crystal display device, matrix array substrate, and manufacture thereof
JP2002202527A (en) Active matrix type liquid crystal display device
US20060261335A1 (en) Liquid crystal display device
US20060081870A1 (en) Method of forming a lamination film pattern and improved lamination film pattern
JPH11258625A (en) Array substrate for display device and its manufacture
KR101000451B1 (en) Method of forming aluminium wiring in tft lcd substrate and tft lcd substrate wiring thereby
US7105896B2 (en) Thin film transistor circuit device, production method thereof and liquid crystal display using the think film transistor circuit device
JP3116149B2 (en) Wiring material and liquid crystal display
JPH06230428A (en) Liquid crystal display device and its production
JPH08194230A (en) Liquid crystal display device and its production
JP3516138B2 (en) Liquid crystal display
JP3548908B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2001066620A (en) Wiring material and liquid crystal display device
JPH05289105A (en) Liquid crystal display device and its production
JPH0713180A (en) Liquid crystal display device
JP3438178B2 (en) Thin film transistor array and liquid crystal display device using the same
JP2937126B2 (en) Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040120

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040316

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040406

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430

Year of fee payment: 6

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430

Year of fee payment: 7

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430

Year of fee payment: 7

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S631 Written request for registration of reclamation of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120430

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120430

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120430

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430

Year of fee payment: 9

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430

Year of fee payment: 9