JP3546451B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3546451B2 JP3546451B2 JP32830093A JP32830093A JP3546451B2 JP 3546451 B2 JP3546451 B2 JP 3546451B2 JP 32830093 A JP32830093 A JP 32830093A JP 32830093 A JP32830093 A JP 32830093A JP 3546451 B2 JP3546451 B2 JP 3546451B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- solid electrolytic
- metal wire
- electrolytic capacitor
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップ状固体電解コンデンサは、図５及び図６に示すように表面に誘電体酸化皮膜層２を有するアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用金属からなる平板状の金属箔１の表面に陽極部となる一部を除いて半導体層３及び導電体層４を順次積層した固体電解コンデンサ素子５（以下コンデンサ素子と称する）を形成し、次いでこのコンデンサ素子５をリードフレーム６に接続するが、リードフレーム６の２ヶ所の凸部６ａ、６ｂを間隔をおいて対向させ、それぞれの凸部６ａ、６ｂに前記コンデンサ素子５の陽極部７と陰極部８を載置している。
【０００３】
そして前者は熔接９などで、後者は銀ペースト等の導電材１０でリードフレーム６の凸部６ａ、６ｂに電気的、かつ機械的に接続した後、外装樹脂１３で封止して、チップ状固体電解コンデンサが構成されている。
そしてこの封口した固体電解コンデンサは、容量等の電気性能を満たすことが要求され、さらに負荷テスト、耐湿テスト等の抜き取り検査が合格したものを製品としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前述したコンデンサ素子は、耐湿テスト時、湿気がリードフレームから進入し、コンデンサ素子の誘電体酸化皮膜層近くまで接近し、作製したコンデンサの容量並びにｔａｎδ値を上昇させるという欠点があった。
このような欠点を防ぐために、コンデンサ素子を耐水性の樹脂で覆うことが考えられているが、作業性が悪く、またコスト上の問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述した問題点を解決するためになされたものであって、その要旨は表面に誘電体酸化皮膜層を有する弁作用金属箔に金属線を接続して陽極部とし、該金属線と金属箔との接続部に絶縁材を塗布し、しかる後、金属箔表面に半導体層および導電体層を順次形成して陰極部とし、次いでリードフレームの陽極リード引出し部と陰極リード引出し部とにそれぞれ前記コンデンサ素子の陽極部と陰極部を接続して外装樹脂で封止成形することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法にある。
【０００６】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明において用いられる弁作用金属箔としては、例えばアルミニウム、タンタル、及びこれらを基質とする合金等、弁作用を有する金属の箔が使用できる。又、弁作用金属箔の表面はエッチングによって実表面積が増加されていてもよい。
弁作用金属箔の表面に設けられる誘電体酸化皮膜層は、弁作用金属の表面部分に設けられた弁作用金属自体の酸化物層であってもよく、或は、弁作用金属の表面上に設けられた他の誘電体酸化物の層であってもよいが、特に弁作用金属自体の酸化物からなる層であることが望ましい。
【０００７】
次に、このようにして誘電体酸化皮膜層まで形成された弁作用金属箔に、金属線を接続して陽極部とし、金属箔と金属線との接続部に絶縁材を塗布し、しかる後、金属箔表面に半導体層および導電体層を順次形成して陰極部とする方法を説明する。図１は、上述した陰極部８まで形成されたコンデンサ素子５を示す平面図である。
図２は、図１のＡ−Ａ’部断面図である。
図１及び図２において、弁作用金属箔１の表面に誘電体酸化皮膜層２が形成されており、金属線１１が接続していて、金属箔１と金属線１１との接続部に絶縁材１２が塗布されている。さらに誘電体酸化皮膜層２の上に、半導体層３、導電体層４が順次形成されている。
【０００８】
金属線１１の材質としてアルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン及びこれらを基質とする合金等弁作用を有する金線の線が使用できる。金属線の断面形状は、丸、楕円、四角等の形状である。また金属線の長さおよび径の大きさは、使用する弁作用金属箔の大きさ、作製した固体電解コンデンサの形状によって変化するので、あらかじめ行う予備実験によって決定される。また、金属線には前述した手法であらかじめ導電体酸化皮膜層を形成していてもよい。
弁作用金属箔１と金属線１１との接続は、熔接、銀ペースト等の導電ペースト、半田等の１つ以上の手法で接続される。
又、本発明において、弁作用金属箔１と金属線１１との接続部には絶縁材１２が塗布されるが、接続時に弁作用金属箔１の金属線１１との接続面と反対側に応力がかかる場合には、接続面と反対側の面にも絶縁材１２を塗布することが望ましい。
【０００９】
絶縁材としては、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、ブタジエンゴム等の炭化水素樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂等従来公知の絶縁性樹脂およびアルミナ、シリカ等のセラミックスからなる絶縁性無機物があげられる。
本発明では、弁作用金属箔１に金属線１１を接続して陽極部とし、該陽極部の一部を除いて残りの誘電体酸化皮膜層上に半導体層を形成させているが、半導体層の種類には特に制限はなく、従来公知の半導体層が使用できる。
【００１０】
この中で、とりわけ本願出願人の出願による二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層（特開昭６２−２５６４２３号公報、特開昭６３−５１６２１号公報）が、作製した固体電解コンデンサの高周波性能が良好なために好ましい。
また、テトラチオテトラセンとクロラニルの錯体を半導体層として形成させる方法（特開昭６２−２９１２３号公報）、複素５員環高分子化合物にドーパントをドープした電導性高分子化合物からなる半導体層（特開昭６０−３７１１４号公報）もその一例である。
そしてこのような半導体層上には、例えばカーボンペースト及び／又は銀ペースト等の従来公知の導電ペーストを積層して導電体層を形成して陰極部８を形成している。
【００１１】
次に、このように導電体層まで形成されたコンデンサ素子をリードフレームに接続する方法を説明する。図３及び図４はコンデンサ素子５をリードフレーム６に接続した状態を示す平面図および断面図である。
図３及び図４において、コンデンサ素子５の陽極部７（１１金属線）と陰極部８（図示せず）とがリードフレーム６の陽極リード引出し部６ａと陰極リード引出し部６ｂとにそれぞれ載置されていて、陽極部は熔接、導電ペースト、半田等で接続し、一方、陰極部は導電ペースト、半田等の導電材１０で接続されている。
このようにしてリードフレームに接続されたコンデンサ素子は、リードフレームの一部を残してエポキシ樹脂等の外装樹脂により封止成形され固体電解コンデンサとしている。
【００１２】
【作用】
コンデンサ素子の陽極部と、リードフレームとの接続を金属線で行っているので、リードフレームを介して、湿気が誘電体酸化皮膜層に進入することが緩和される。
【００１３】
【実施例】
以下、実施例および比較例を示して本発明をさらに詳しく説明する。
実施例１〜６
りん酸とりん酸アンモニウム水溶液中で化成処理して表面に誘電体酸化皮膜層を形成した４５μＦ／ｃｍ２ のアルミニウムエッチング箔（以下、化成箔と称する。）の小片３ｍｍ×３．５ｍｍを用意し、表１に示した金属線を化成箔小片の一端中央部に熔接により接続した。この接続部及び接続面と反対の面の接続部に対応する側に表１に併記した絶縁材を塗布後乾燥硬化した。次に金属線と化成箔を再度りん酸とりん酸アンモニウム水溶液中に入れ化成処理を行い表面に誘電体酸化皮膜層を形成した。つづいて化成箔小片３ｍｍ×３．５ｍｍの部分を酢酸鉛三水和物２．４モル／ｌ水溶液と過硫酸アンモニウム４．０モル／ｌ水溶液の混合液に浸漬し、６０℃で２０分放置し、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層を形成した。
このような操作を３回行った後、半導体層上にカーボンペースト及び銀ペーストを順に積層して導電体層を形成し、コンデンサ素子を作製した。一方別に用意したリードフレーム（材質４２アロイ、半田メッキ、厚み０．１ｍｍ）の陽極リード引出し部と陰極引出し部（各引出し部の幅３．０ｍｍ、引出し間隔１ｍｍ）に陽極部の金属線と陰極部を載置し、前者は熔接で、後者は銀ペーストで接続した。その後、エポキシ樹脂を用いてトランスファー成形して外形寸法７ｍｍ×４ｍｍ×３ｍｍのチップ状固体電解コンデンサを作製した。
【００１４】
比較例１
実施例１で、化成箔の寸法を３ｍｍ×５ｍｍにし、３ｍｍ×３．５ｍｍの部分に半導体層、導電体層を形成し、残り３ｍｍ×１．５ｍｍの部分を陽極部としてリードフレームの陽極リード引出し部に接続した以外は、実施例１と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを作製した。
以上のように作製した直後の固体電解コンデンサの状態及び８５℃、８５％ＲＨの耐湿テストを２００時間行った後のコンデンサの性能を表２に示した。なお、各実施例又は比較例は全数値ｎ＝５０点の平均値である。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】
本発明の固体電解コンデンサは、コンデンサ素子の陽極部を金属線とし、陽極リード引出し部と接続しているため、耐湿テスト後の容量とｔａｎδ値の上昇がおさえられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一例を示すコンデンサ素子の平面図である。
【図２】本発明の一例を示すコンデンサ素子の断面図である。
【図３】コンデンサ素子を陽極リード引出しと陰極リード引出しとに接続した状態を示す平面図である。
【図４】（ａ）コンデンサ素子を陽極リード引出しと陰極リード引出しとに接続した状態を示す断面図である。
（ｂ）コンデンサ素子を陽極リード引出しと陰極リード引出しとに接続した状態を示す他例の断面図である。
【図５】従来のコンデンサ素子をリードフレームに載置した状態を示す平面図である。
【図６】従来のコンデンサ素子をリードフレームに載置した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 弁作用金属箔
２ 誘電体酸化皮膜層
３ 半導体層
４ 導電体層
５ 固体電解コンデンサ素子 ６ａ リードフレームの一方の凸部（陽極リード引出し部） ６ｂ リードフレームの他方の凸部（陰極リード引出し部）
７ 陽極部
８ 陰極部
９ 熔接
１０ 導電材 １１ 金属線 １２ 絶縁材 １３ 外装樹脂
【産業上の利用分野】
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップ状固体電解コンデンサは、図５及び図６に示すように表面に誘電体酸化皮膜層２を有するアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用金属からなる平板状の金属箔１の表面に陽極部となる一部を除いて半導体層３及び導電体層４を順次積層した固体電解コンデンサ素子５（以下コンデンサ素子と称する）を形成し、次いでこのコンデンサ素子５をリードフレーム６に接続するが、リードフレーム６の２ヶ所の凸部６ａ、６ｂを間隔をおいて対向させ、それぞれの凸部６ａ、６ｂに前記コンデンサ素子５の陽極部７と陰極部８を載置している。
【０００３】
そして前者は熔接９などで、後者は銀ペースト等の導電材１０でリードフレーム６の凸部６ａ、６ｂに電気的、かつ機械的に接続した後、外装樹脂１３で封止して、チップ状固体電解コンデンサが構成されている。
そしてこの封口した固体電解コンデンサは、容量等の電気性能を満たすことが要求され、さらに負荷テスト、耐湿テスト等の抜き取り検査が合格したものを製品としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前述したコンデンサ素子は、耐湿テスト時、湿気がリードフレームから進入し、コンデンサ素子の誘電体酸化皮膜層近くまで接近し、作製したコンデンサの容量並びにｔａｎδ値を上昇させるという欠点があった。
このような欠点を防ぐために、コンデンサ素子を耐水性の樹脂で覆うことが考えられているが、作業性が悪く、またコスト上の問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述した問題点を解決するためになされたものであって、その要旨は表面に誘電体酸化皮膜層を有する弁作用金属箔に金属線を接続して陽極部とし、該金属線と金属箔との接続部に絶縁材を塗布し、しかる後、金属箔表面に半導体層および導電体層を順次形成して陰極部とし、次いでリードフレームの陽極リード引出し部と陰極リード引出し部とにそれぞれ前記コンデンサ素子の陽極部と陰極部を接続して外装樹脂で封止成形することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法にある。
【０００６】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明において用いられる弁作用金属箔としては、例えばアルミニウム、タンタル、及びこれらを基質とする合金等、弁作用を有する金属の箔が使用できる。又、弁作用金属箔の表面はエッチングによって実表面積が増加されていてもよい。
弁作用金属箔の表面に設けられる誘電体酸化皮膜層は、弁作用金属の表面部分に設けられた弁作用金属自体の酸化物層であってもよく、或は、弁作用金属の表面上に設けられた他の誘電体酸化物の層であってもよいが、特に弁作用金属自体の酸化物からなる層であることが望ましい。
【０００７】
次に、このようにして誘電体酸化皮膜層まで形成された弁作用金属箔に、金属線を接続して陽極部とし、金属箔と金属線との接続部に絶縁材を塗布し、しかる後、金属箔表面に半導体層および導電体層を順次形成して陰極部とする方法を説明する。図１は、上述した陰極部８まで形成されたコンデンサ素子５を示す平面図である。
図２は、図１のＡ−Ａ’部断面図である。
図１及び図２において、弁作用金属箔１の表面に誘電体酸化皮膜層２が形成されており、金属線１１が接続していて、金属箔１と金属線１１との接続部に絶縁材１２が塗布されている。さらに誘電体酸化皮膜層２の上に、半導体層３、導電体層４が順次形成されている。
【０００８】
金属線１１の材質としてアルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン及びこれらを基質とする合金等弁作用を有する金線の線が使用できる。金属線の断面形状は、丸、楕円、四角等の形状である。また金属線の長さおよび径の大きさは、使用する弁作用金属箔の大きさ、作製した固体電解コンデンサの形状によって変化するので、あらかじめ行う予備実験によって決定される。また、金属線には前述した手法であらかじめ導電体酸化皮膜層を形成していてもよい。
弁作用金属箔１と金属線１１との接続は、熔接、銀ペースト等の導電ペースト、半田等の１つ以上の手法で接続される。
又、本発明において、弁作用金属箔１と金属線１１との接続部には絶縁材１２が塗布されるが、接続時に弁作用金属箔１の金属線１１との接続面と反対側に応力がかかる場合には、接続面と反対側の面にも絶縁材１２を塗布することが望ましい。
【０００９】
絶縁材としては、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、ブタジエンゴム等の炭化水素樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂等従来公知の絶縁性樹脂およびアルミナ、シリカ等のセラミックスからなる絶縁性無機物があげられる。
本発明では、弁作用金属箔１に金属線１１を接続して陽極部とし、該陽極部の一部を除いて残りの誘電体酸化皮膜層上に半導体層を形成させているが、半導体層の種類には特に制限はなく、従来公知の半導体層が使用できる。
【００１０】
この中で、とりわけ本願出願人の出願による二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層（特開昭６２−２５６４２３号公報、特開昭６３−５１６２１号公報）が、作製した固体電解コンデンサの高周波性能が良好なために好ましい。
また、テトラチオテトラセンとクロラニルの錯体を半導体層として形成させる方法（特開昭６２−２９１２３号公報）、複素５員環高分子化合物にドーパントをドープした電導性高分子化合物からなる半導体層（特開昭６０−３７１１４号公報）もその一例である。
そしてこのような半導体層上には、例えばカーボンペースト及び／又は銀ペースト等の従来公知の導電ペーストを積層して導電体層を形成して陰極部８を形成している。
【００１１】
次に、このように導電体層まで形成されたコンデンサ素子をリードフレームに接続する方法を説明する。図３及び図４はコンデンサ素子５をリードフレーム６に接続した状態を示す平面図および断面図である。
図３及び図４において、コンデンサ素子５の陽極部７（１１金属線）と陰極部８（図示せず）とがリードフレーム６の陽極リード引出し部６ａと陰極リード引出し部６ｂとにそれぞれ載置されていて、陽極部は熔接、導電ペースト、半田等で接続し、一方、陰極部は導電ペースト、半田等の導電材１０で接続されている。
このようにしてリードフレームに接続されたコンデンサ素子は、リードフレームの一部を残してエポキシ樹脂等の外装樹脂により封止成形され固体電解コンデンサとしている。
【００１２】
【作用】
コンデンサ素子の陽極部と、リードフレームとの接続を金属線で行っているので、リードフレームを介して、湿気が誘電体酸化皮膜層に進入することが緩和される。
【００１３】
【実施例】
以下、実施例および比較例を示して本発明をさらに詳しく説明する。
実施例１〜６
りん酸とりん酸アンモニウム水溶液中で化成処理して表面に誘電体酸化皮膜層を形成した４５μＦ／ｃｍ２ のアルミニウムエッチング箔（以下、化成箔と称する。）の小片３ｍｍ×３．５ｍｍを用意し、表１に示した金属線を化成箔小片の一端中央部に熔接により接続した。この接続部及び接続面と反対の面の接続部に対応する側に表１に併記した絶縁材を塗布後乾燥硬化した。次に金属線と化成箔を再度りん酸とりん酸アンモニウム水溶液中に入れ化成処理を行い表面に誘電体酸化皮膜層を形成した。つづいて化成箔小片３ｍｍ×３．５ｍｍの部分を酢酸鉛三水和物２．４モル／ｌ水溶液と過硫酸アンモニウム４．０モル／ｌ水溶液の混合液に浸漬し、６０℃で２０分放置し、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層を形成した。
このような操作を３回行った後、半導体層上にカーボンペースト及び銀ペーストを順に積層して導電体層を形成し、コンデンサ素子を作製した。一方別に用意したリードフレーム（材質４２アロイ、半田メッキ、厚み０．１ｍｍ）の陽極リード引出し部と陰極引出し部（各引出し部の幅３．０ｍｍ、引出し間隔１ｍｍ）に陽極部の金属線と陰極部を載置し、前者は熔接で、後者は銀ペーストで接続した。その後、エポキシ樹脂を用いてトランスファー成形して外形寸法７ｍｍ×４ｍｍ×３ｍｍのチップ状固体電解コンデンサを作製した。
【００１４】
比較例１
実施例１で、化成箔の寸法を３ｍｍ×５ｍｍにし、３ｍｍ×３．５ｍｍの部分に半導体層、導電体層を形成し、残り３ｍｍ×１．５ｍｍの部分を陽極部としてリードフレームの陽極リード引出し部に接続した以外は、実施例１と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを作製した。
以上のように作製した直後の固体電解コンデンサの状態及び８５℃、８５％ＲＨの耐湿テストを２００時間行った後のコンデンサの性能を表２に示した。なお、各実施例又は比較例は全数値ｎ＝５０点の平均値である。
【００１５】
【表１】
【表２】
【発明の効果】
本発明の固体電解コンデンサは、コンデンサ素子の陽極部を金属線とし、陽極リード引出し部と接続しているため、耐湿テスト後の容量とｔａｎδ値の上昇がおさえられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一例を示すコンデンサ素子の平面図である。
【図２】本発明の一例を示すコンデンサ素子の断面図である。
【図３】コンデンサ素子を陽極リード引出しと陰極リード引出しとに接続した状態を示す平面図である。
【図４】（ａ）コンデンサ素子を陽極リード引出しと陰極リード引出しとに接続した状態を示す断面図である。
（ｂ）コンデンサ素子を陽極リード引出しと陰極リード引出しとに接続した状態を示す他例の断面図である。
【図５】従来のコンデンサ素子をリードフレームに載置した状態を示す平面図である。
【図６】従来のコンデンサ素子をリードフレームに載置した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 弁作用金属箔
２ 誘電体酸化皮膜層
３ 半導体層
４ 導電体層
５ 固体電解コンデンサ素子 ６ａ リードフレームの一方の凸部（陽極リード引出し部） ６ｂ リードフレームの他方の凸部（陰極リード引出し部）
７ 陽極部
８ 陰極部
９ 熔接
１０ 導電材 １１ 金属線 １２ 絶縁材 １３ 外装樹脂
Claims (4)
- 表面に誘電体酸化皮膜層を有する弁作用金属箔に弁作用を有する金属線を接続して陽極部とし、該金属線と金属箔との接続部に絶縁材を塗布し、しかる後、金属箔表面に半導体層および導電体層を順次形成して陰極部とし、次いでリードフレームの陽極リード引出し部と陰極リード引出し部とにそれぞれ前記コンデンサ素子の金属線による陽極部と陰極部を接続して外装樹脂で封止成形することを特徴とするチップ状固体電解コンデンサの製造方法。
- 該金属線と金属箔との接続部に絶縁材を塗布し、金属線と金属箔を再度化成処理し、しかる後、金属箔表面に半導体層および導電体層を順次形成して陰極部とすることを特徴とする請求項１に記載のチップ状固体電解コンデンサの製造方法。
- 弁作用を有する金属線が、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン及びこれらを基質とする合金のいずれかの金属線であることを特徴とする請求項１または２に記載のチップ状固体電解コンデンサの製造方法。
- 請求項１乃至３のいずれかに記載の製造方法によって得られたチップ状固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32830093A JP3546451B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32830093A JP3546451B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183167A JPH07183167A (ja) | 1995-07-21 |
| JP3546451B2 true JP3546451B2 (ja) | 2004-07-28 |
Family
ID=18208693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32830093A Expired - Lifetime JP3546451B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3546451B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10304756B4 (de) | 2003-02-05 | 2005-04-07 | W.C. Heraeus Gmbh | Sauerstoffangereicherter Niob-Draht |
| DE102004032128B4 (de) | 2003-10-17 | 2010-10-14 | W.C. Heraeus Gmbh | Metallischer Werkstoff, Herstellverfahren und Verwendung |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP32830093A patent/JP3546451B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07183167A (ja) | 1995-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1439556A1 (en) | Solid-state electrolytic capacitor and its manufacturing method | |
| JP3920670B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2001267181A (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
| JP3557564B2 (ja) | 積層型固体電解コンデンサ | |
| US7349197B2 (en) | Method for manufacturing capacitor element for solid electrolytic capacitor, method for manufacturing solid electrolytic capacitor using such capacitor element and solid electrolytic capacitor using such capacitor element | |
| JP3546451B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3463692B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3433478B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2001035752A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH05234829A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2001126958A (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
| JPH05175085A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
| JP3433490B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
| JP3505763B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
| JPH05326341A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3185405B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3433479B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3208875B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサおよびその製法 | |
| JPH10335187A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP3441095B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0533000Y2 (ja) | ||
| KR900004257B1 (ko) | 적층형 알루미늄고체전해 콘덴서의 제조방법 | |
| JPH04354318A (ja) | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2596996B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH07192973A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040323 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040405 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120423 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |