JP3544838B2 - 多重インバータ装置及びその制御方法 - Google Patents

多重インバータ装置及びその制御方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、数kVの高電圧出力を得るインバータ装置に係り、特に単位インバータを複数個使用して高電圧出力を得るようにした多重インバータ装置及びその制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、交流電動機、特に誘導電動機の可変速運転による省エネルギー化のニーズは多くある。特に既設の高圧モータ、例えば3kV系、6kV系、海外では4.2kV系や2.4kV系へそのまま適用できる高圧の駆動装置が必要とされている。
【0003】
従来高電圧を得る電力変換装置としては、電気学会技術報告「多重電力変換器とその応用技術」(1995年7月発行)の3章に記述されているように、複数変圧器の2次巻線を直列に接続して構成する方法が一般的である。
【0004】
従来から多く使用されている高圧の12相インバータ装置の例を図28に示す。これは交流を直流に変換する整流器110と、リアクトル121とコンデンサ122からなる直流平滑回路120と、直流を任意の周波数の交流に変換するインバータ回路130、131と、変圧器140、141と負荷150とから構成されている。
【0005】
これは整流器110の直流出力を共通とし、この直流電圧に複数個のインバータ回路130、131を設け、出力変圧器140、141の2次側巻線を直列接続して所望の高電圧を得るように構成したものである。
【0006】
制御回路は、速度指令器162と、インバータ回路130、131内の出力周波数を決定する発信器(OSC)163と、その信号をインバータ回路130、131内の半導体素子に分配する分配器(RING)164と、増幅器165と、電圧制御回路(AVR)166と、整流器110のゲート信号位相を決定する位相器(PHC)167と、整流器110の入力交流電圧を検出し位相器167に与える電圧検出用変圧器142と、出力変圧器140、141の出力交流電圧を検出する電圧検出用変圧器143と、電圧検出用変圧器143で検出した電圧を逆流防止用ダイオード144を介して比較器145の一方の入力端子に与え、比較器145の他方の入力端子に速度指令器162からの指令を入力し、比較器145により求められる偏差が電圧制御回路166に与えられるように構成されている。
【0007】
図29は、互いに絶縁された複数のインバータ回路130、131を出力変圧器140、141で合成し、高電圧を得るように構成したものであり、これ以外の構成で、図28と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。
【0008】
touの直流出力を共通とし、この直流電圧に複数個のインバータ回路を設け、出力変圧器の2次側巻線を直列に接続して所望の高電圧を得るように構成したものである。
【0009】
図28、図29に示す構成の場合には、インバータ回路130、131の出力にそれぞれ出力変圧器140,141が必要であり、このため据付け面積が大きくなる。さらに出力変圧器140,141を低周波からの使用に耐えるようにするには、通常の固定周波数の変圧器より外形が大きくなるという欠点がある。
【0010】
また、近年では図30に示すように中性点クランプ式3レベルインバータが開発され実用化されている。これは、交流電源11を整流器12で直流に変換し、コンデンサ13、14で平滑後、例えばゲートターンオフサイリスタ(GTO)からなる自己消弧半導体素子S1〜S4と、ダイオードD1〜D6で構成された回路を3組用いた3レベルインバータ回路で得られる交流出力を負荷電動機16に供給するものである。なお、P、Nは制御母線、Cは中性点電位を示している。
【0011】
図30のような多レベルインバータでは出力電圧に相当する回路電圧となるため、半導体素子の直列構成が必要になること、絶縁電圧耐力が高くなることにより装置が大型化するため経済的な問題がある。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
このように構成された従来の装置においては、次のような問題点が存在する。高圧変換器を構成する際の技術的課題として以下が挙げられる。
【0013】
(1)半導体素子を直列接続しないでインバータ回路を構成すると出力変圧器が必要となり、経済的でない。
【0014】
(2)半導体素子を直列接続してインバータ回路を構成すると出力変圧器は削除できるが、直列構成用半導体素子を選別する必要があること、ゲート制御が複雑になること、回路電圧が高電圧になることから装置の信頼性に難がある。
【0015】
(3)直列構成では半導体のPWMスイッチング周波数で出力側の高調波成分が決まるため、高調波低減には自ずと限界があった。
【0016】
(4)主回路を構成する多数の半導体素子の1つでも故障すると装置の運転継続は不可能になり、運転継続を要求されるシステムでは問題となる。
【0017】
本発明は、このような問題点を改善するためなされたもので、出力変圧器を必要とせず、これにより小型で高電圧出力を得ると共に、負荷側への高調波を低減すること、また電源系統の高調波電流を低減することができる経済的な多重インバータ装置及び制御方法を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
前記目的を実現するため、請求項1に対応する発明は、3n組(n:自然数:1,2,・・,k,・・,n)の3相の2次巻線を有し、かつ該各2次巻線は各相でπ/3n位相がずれている入力変圧器と、n個の単位インバータセルの出力側を直列接続した3組の単位インバータセル群とを具備し、前記単位インバータセル群を構成するk段目の単位インバータセルの入力側には、単位インバータセル群毎に位相のずれた前記入力変圧器の2次巻線を接続し、前記単位インバータセル群の一方の出力を互いに接続して、他方の出力に負荷を接続することを特徴とする多重インバータ装置である。
【0019】
前記目的を実現するため、請求項2に対応する発明は、3n組(n:自然数:1,2,・・,k,・・,n)の3相の2次巻線を有する入力変圧器と、少なくとも1個の3相インバータと、(n−1)個の単位インバータセルの出力側を直列接続した3組の単位インバータセル群とを具備し、前記単位インバータセル群の一方の出力を前記3相インバータの所定の出力相に接続して、他方の出力に負荷を接続することを特徴とする多重インバータ装置である。
【0020】
前記目的を実現するため、請求項3に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記入力変圧器は、前記単位インバータセル群の単位インバータセルの直列数nに対してn個設けたことを特徴とする請求項1記載の多重インバータ装置である。
【0021】
前記目的を実現するため、請求項4に対応する発明は、前記3相インバータ及び前記単位インバータセル群を構成するn個の単位インバータセルの入力側には、π/3n位相がずれた前記入力変圧器の2次巻線を接続したことを特徴とする請求項2記載の多重インバータ装置である。
【0022】
前記目的を実現するため、請求項5に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記入力変圧器は、複数m個として、それぞれの入力変圧器は3n/m組の3相の2次巻線を有することを特徴とする請求項1または請求項2記載の多重インバータ装置である。
【0023】
前記目的を実現するため、請求項6に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記複数m個の入力変圧器は、同一2次巻線で構成することを特徴とする請求項記載の多重インバータ装置である。
【0024】
前記目的を実現するため、請求項7に対応する発明は、3n組(n:自然数:1,2,・・,k,・・,n)の3相の2次巻線を有する入力変圧器と、n個の単位インバータセルの出力側を直列接続した3組の単位インバータセル群とを具備し、前記単位インバータセル群を構成するk段目の単位インバータセルの入力側には、同一位相の前記入力変圧器の2次巻線を接続し、前記単位インバータセル群の一方の出力を互いに接続して、他方の出力に負荷を接続することを特徴とする多重インバータ装置である。
【0025】
前記目的を実現するため、請求項8に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記入力変圧器は、複数m個として、各入力変圧器の1次側は6m相構成となるように巻線位相をずらし、各入力変圧器の2次巻線は3n/m 組の3相の2次巻線を有することを特徴とする請求項1、請求項2、請求項7のいずれかに記載の多重インバータ装置である。
【0026】
前記目的を実現するため、請求項9に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記入力変圧器は複数m個とし、該各入力変圧器の各2次巻線には所定のリアクタンスを持たせ、単位インバータに所定の負荷電流が流れている状態ではその入力電流が断続しないようにしたことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の多重インバータ装置である。
【0027】
前記目的を実現するため、請求項10に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記入力変圧器の1次側または2次側の各3相巻線の少なくとも一方に、電路を遮断できる開閉器を具備し、該開閉器は、単位インバータセルが故障した際には、その故障信号により開放動作、また保守する際に手動開放動作させることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0028】
前記目的を実現するため、請求項11に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記負荷へ供給する出力電圧が低い時には、少なくとも1段の単位インバータセルを零電圧出力にするように制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0029】
前記目的を実現するため、請求項12に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記単位インバータセルの出力部に、その出力をバイパスするバイパス開閉器を備え、前記負荷へ供給する出力電圧が低い時には、少なくとも1段の単位インバータセルの出力部のバイパス開閉器を動作させるように制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0030】
前記目的を実現するため、請求項13に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記単位インバータセルの出力部に、その出力をバイパスするバイパス開閉器を備え、前記負荷へ供給する出力電圧が低い時には、ある単位インバータセルが故障した場合には、当該インバータセル出力部のバイパス開閉器を動作させると共に、故障インバータセルと同一段の他の相の単位インバータセルのバイパス開閉器も動作するように制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法である
【0031】
前記目的を実現するため、請求項14に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記単位インバータセルの出力部に、その出力をバイパスするバイパス開閉器を備え、ある単位インバータセルが故障した場合には、前記バイパス開閉器を動作させると共に、故障インバータセルと同一段の他の相の単位インバータセルの出力電圧を零電圧制御することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法である
【0032】
前記目的を実現するため、請求項15に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記バイパス開閉器として、半導体素子を使用し、単位インバータセルの出力間に逆並列に接続したことを特徴とする請求項12〜14のいずれかに記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0033】
前記目的を実現するため、請求項16に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記バイパス開閉器に使用する半導体素子として、自己消弧型半導体素子を使用したことを特徴とする請求項15に記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0034】
前記目的を実現するため、請求項17に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記バイパス開閉器として、ダイオードをブリッジ接続し、その直流出力に短絡用制御極付き半導体素子を接続したことを特徴とする請求項12〜14のいずれかに記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0035】
前記目的を実現するため、請求項18に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記短絡用制御極付き半導体素子と直列に可飽和リアクトルを接続したことを特徴とする請求項17に記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0036】
前記目的を実現するため、請求項19に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記バイパス開閉器として、ダイオードと制御極付き半導体素子を用いてブリッジ接続し、その直流出力を短絡するようにしたことを特徴とする請求項12〜14のいずれかに記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0037】
前記目的を実現するため、請求項20に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記バイパス開閉器が動作または零電圧出力制御している単位インバータを除く他の単位インバータセルは、インバータ回路のPWM動作周波数を通常時と変えること特徴とする請求項12〜14のいずれかに記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0038】
前記目的を実現するため、請求項21に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記インバータのPWM周波数を高くするように制御したことを特徴とする請求項20に記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0039】
前記目的を実現するため、請求項22に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記多相負荷への供給出力電圧を開閉器により切替えることができるように構成したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置である。
【0040】
前記目的を実現するため、請求項23に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記単位インバータセルn段の任意の段の各相の位置から出力を取り出せるような構成とし、出力電圧を切替えることができるように構成したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置である。
【0042】
前記目的を実現するため、請求項24に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、少なくとも1台の単位インバータセルは、PAM制御により、他の単位インバータセルはPWM制御によりそれぞれ出力電圧を制御し、それぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するように構成したことを特徴とする請求項1に記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0043】
前記目的を実現するため、請求項25に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、少なくとも1台の単位インバータセルは、PAM制御により、他の3相インバータ及び単位インバータセルはPWM制御によりそれぞれ出力電圧を制御し、それぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するように構成したことを特徴とした請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0044】
前記目的を実現するため、請求項26に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記3相インバータはPAM制御により、他の単位インバータセルはPWM制御によりそれぞれ出力電圧を制御し、それぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するように構成したことを特徴とした請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法である
【0045】
前記目的を実現するため、請求項27に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、任意の単位インバータセルにはPWM制御により電流値を制御する機能を有し、多重インバータ装置の起動時にはこれを動作させて各相の単位インバータセルに電流を流し、予め設定された直流電圧値まで充電後に交流電源を投入するように制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法である。
【0046】
前記目的を実現するため、請求項28に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記入力変圧器を複数m個設けた場合には、3n個の単位インバータを3n/m個に分割し、これを1組として1台の入力変圧器と結合して1セットを構成し、mセット配置することを特徴とする請求項5に記載の多重インバータ装置である。
【0047】
前記目的を実現するため、請求項29に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記入力変圧器が偶数個ある場合には、2個単位にそれぞれのセットを互いに背中合わせおよび一直線上に列盤配置したことを特徴とする請求項28に記載の多重インバータ装置である。
【0048】
前記目的を実現するため、請求項30に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記入力変圧器が偶数個ある場合には、2個単位にそれぞれのセットを互いに向かい合せて配置することを特徴とする請求項28に記載の多重インバータ装置である。
【0049】
前記目的を実現するため、請求項31に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記入力変圧器の2次巻線を構成する際に、3n組の3相2次巻線はそれぞれの%インピーダンスを揃えるために、3相鉄心の異なる位置に巻かれた各相巻線で3相結線を構成し、各相の単位インバータセルには位相がずれた2次巻線を接続して構成したことを特徴とする請求項1に記載の多重インバータ装置である。
【0050】
前記目的を実現するため、請求項32に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、故障インバータセルと異なる段の他の相の単位インバータセルの出力のバイパス開閉器を動作、または出力電圧を零電圧制御することを特徴とする請求項13または請求項14に記載の多重インバータ装置の制御方法である
【0067】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【0068】
<第1の実施形態>
図1は、第1の実施形態を示す回路図であるが、商用交流電源1と、開閉器2と、開閉器2と、3n組の3相の2次巻線3S及び1組の1次巻線3Pを持つ入力変圧器3と、U、V、Wの各相を構成するために各相にn(ここでは3)段設けられた単位インバータセル4U1〜4U3、4V1〜4V3、4W1〜4W3とから構成される。
【0069】
図1においては、入力変圧器3の2次巻線3Sは互いに電気角で20度ずれた18相構成の巻線を3組設けられており、その1組単位に各相を構成する単位インバータの同一段に接続される。
【0070】
このように接続することにより、各相のn段目をバイパスした場合にも18相構成を崩すことなく、入力電流の高調波成分は同一になる。
【0071】
図1では、入力変圧器3の二次巻線3Sをデルタ結線による千鳥構成のものを示しているが、スター結線による千鳥構成とすることもできる。
【0072】
上述べた第1の実施形態によれば、複数の2次巻線3Sを持つ入力変圧器3と単位インバータセル4U1〜4U3、4V1〜4V3、4W1〜4W3を組合せることにより、次のような作用効果が得られる。
【0073】
1)従来必要であった出力変圧器(図28、図29の140、141)が不要となり、これにより小型で高電圧出力を得ることができる。
【0074】
2)単位インバータセル4U1〜4U3、4V1〜4V3、4W1〜4W3を使用しているので、従来のように直列構成用半導体素子を選別する必要がなく、ゲート制御が簡単で、回路電圧が低電圧になることから装置の信頼性が向上する。
【0075】
(3)単位インバータセル4U1〜4U3、4V1〜4V3、4W1〜4W3を使用しているので、従来の問題である半導体素子を直列接続する構成では半導体のPWMスイッチング周波数で出力側の高調波成分が決まるため、高調波低減には自ずと限界があるという点を改善できる。
【0076】
(4)単位インバータセル4U1〜4U3、4V1〜4V3、4W1〜4W3を使用しているので、従来の問題であった主回路を構成する多数の半導体素子の1つでも故障すると装置の運転継続は不可能になることは改善される。
【0077】
<第2の実施形態>
図2は、第2の実施形態を示す回路図で、図1と同一符号は同一の要素を示す。図1と異なるところは、1組の3相インバータ41と複数の単相の単位インバータセル4U2、4U3、4V2、4V3、4W2、4W3から構成されることである。
【0078】
それ以外の構成は、3n組の複数の3相2次巻線3Sを持つ入力変圧器3を備え、単位インバータセル4U2、4U3、4V2、4V3、4W2、4W3は複数個(nー1)段直列接続して各相を構成し、3相インバータ41の各同一相へ接続して多相負荷5に電力を供給するものである。
【0079】
図3は図2の3相インバータ41の回路例を示したもので、これは例えばIGBTなどの自已消弧型半導体素子Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6をブリッジ接続し、各半導体素子Q1〜Q6にダイオードD1〜D6がそれぞれ並列に接続され、これにより3相インバータ回路104を構成し、この出力側には端子105U,105V,105Wが接続されている。3相インバータ回路104の入力側に直流電源103が接続されるようになっている。3相インバータ回路の動作はよく知られているので省略する。
【0080】
3相インバータ41及び各相で直列接続された(n−1)段目の単相インバータセルには、π/3n位相がずれた変圧器3の2次巻線3Sを接続して構成されている。
【0081】
このようにすることにより、前述の実施形態と同様な効果が得られるが、この実施形態では特に単位インバータ数を低減すること、入力変圧器3の巻線数を低減することができ小型化が可能である。
【0082】
<第3の実施形態>
図4は第3の実施形態を示す回路図である。これは概略、入力変圧器は各相の単位インバータセル4U1〜4U3、4V1〜4V3、4W1〜4W3の直列数n(ここでは3)個に対して、31、32、33と3個設けたものである。
【0083】
それぞれの変圧器31〜33は、π/3n位相がずれた3組の3相巻線31S、32S、33Sを2次側に有し、各相のn段目の単位インバータセル4U1〜4U3、4V1〜4V3、4W1〜4W3には各相で位相がずれた2次巻線31S〜33Sを接続して構成したものである。
【0084】
単位インバータセル直列数n=3個に対して3個(31、32、33)設け、それぞれの変圧器はπ/(3×3)位相がずれた3組の3相巻線を2次側に有し、各相のn段目の単位インバータセルには各相で位相がずれた2次巻線を接続して構成したものである。このように入力変圧器31、32、33を分離することにより、2次巻線の個数は変圧器1個で製造する場合より大幅に減るので、各巻線間のインピーダンスのラツキを小さく抑えることができる利点がある。したがって、入力電流の高調波成分は各相で大きくばらつくことはなくなる。
【0085】
<第4の実施形態>
図5は第4の実施形態で、入力変圧器をm個設けてそれぞれの変圧器の2次巻線は3n組みの3相巻線を有する構成としている。そして、各相のn段目の単位インバータセル4U1〜4U2、4U、4V1〜4V2、4V、4W1〜4W2、4Wには各相で位相がずれた2次巻線を接続して構成したものである。
【0086】
図5の例では、2台の変圧器31,32は全く同一の巻線構成であるが、1次巻線31P,32Pを例えばY構成とΔ構成にすることでもよい。
【0087】
<第5の実施形態>
図6は第5の実施形態で有り、各相のn段目の単位インバータセルには同一位相の入力変圧器31、32の2次巻線31S、32Sを接続して構成したものである。
【0088】
図5及び図6の例では各相2段の構成を2セット用意することにより、設計や製造の簡素化が図れる。このことは図3の場合各相1段づつ変圧器とセットとし、3セットで構成することで簡素化が図れることになる。
【0089】
<第6の実施形態>
図7は第6の実施形態であり、入力変圧器31,32の1次側31P,32Pは12相構成となるよう巻線位相をY、Δでずらし、2次側はそれぞれ3n組の3相巻線を有し、各相のn段目の単位インバータセル4U1〜4U2、4U、4V1〜4V2、4V、4W1〜4W2、4Wには各相で位相がずれた2次巻線を接続して構成したことを特徴とする。
【0090】
1次側は同一巻線としてももちろん構わない。
【0091】
<第7の実施形態>
図8は第7の実施形態で有り、図7と異なるところは、各相のn段目の単位インバータセル4U1〜4U4、4V1〜4V4、4W1〜4W4には各相で同一位相の2次巻線を接続して構成したものである。
【0092】
<第8の実施形態>
図9は第8の実施形態を説明するための図で有り、図9(a)は変圧器のリアクタンスがほとんどゼロに近い時の単位インバータセルの入力電流を示す図である。図9(b)は変圧器のリアクタンスを電流が断続しないように適切な値としたものである。一般に変圧器の%インピーダンスは10〜20%であれば容易に製作可能である。
【0093】
このような配慮により入力電流の低次の高調波成分は大幅に改善できる。
【0094】
<第9の実施形態>
図10は第9の実施形態であり、入力変圧器3の1次側または2次側の各3相巻線の少なくとも一方に、電路を遮断できる開閉器2c〜2kを具備し、単位インバータセル4U1,4U2a,4U3a、4V1,4V2a,4V3a、4W1,4W2a,4W3aが故障した際、又は保守時に対応する主電源を開放できるように構成したものである。
【0095】
<第10の実施形態>
図11は第10の実施形態を示すもので、単位インバータセルは交流を直流に変換するダイオード整流器102と、平滑用コンンサ103と、直流を任意の周波数に変換する単相インバータ回路104とから構成されたものである。整流器にダイオードを使用した場合には、コンデンサ103への突入電流防止のため所定時間抵抗Rを介して初期充電し、その後スイッチSWをオンしておく。図14では、単相インバータ回路104の素子としてGTOやトランジスタなどの自己消弧型の半導体素子を、図15ではIGBTなどの電圧駆動型の自己消弧素子を使用するものである。
【0096】
<第11の実施形態>
図12は第11の実施形態を示すもので、交流を直流に変換する整流器102にサイリスタやGTOなどのゲート制御極付きの半導体素子を使用するものである。この場合には、図10にある直流コンデンサ103を初期充電する回路106は省略することが出来る。
【0097】
<第12の実施形態>
図13は第12の実施形態を示すもので、少なくとも1台の単位インバータセル内の整流器は、ゲート制御極を持つ自已消弧型の半導体素子(IGBTやGTOなど)で構成されたもので、PWM制御することにより力率1制御だけでなく、特に進み制御も可能としたものある。図13では、電流高調波低減のため入力部にリアクトルを設けている例を示す。リアクトルを設けず入力変圧器のリアクタンスでリアクトルを兼ねることも前述の通り可能である。
【0098】
<第13の実施形態>
図14、図15はいずれも第13の実施形態を示すのもで、図14はインバータ回路104の素子にGTOなどの電流駆動の自已消弧型半導体素子を使用したものである。図15は、インバータ回路104の素子にIGBTなどの電圧駆動の自己消弧型半導体素子Q1〜Q4を使用したものである。さらに、図15の実施形態は、単位インバータセルのインバータ回路の出力部には、その出力をバイパスする開閉器104aを備えたものである。
【0099】
<第14の実施形態>
図16(a),(b)は第14の実施形態の出力波形を示すもので、図11において、複数の単位インバータセルの少なくとも1台のインバータ回路は、PWM制御により出力電圧を制御し、残りの他の単位インバータはPAM制御するものである。
【0100】
<第15の実施形態>
図17は第15の実施形態を示すのもで、図17(a)はサイリス夕を逆並列に接続したもの、図17(b)はGTOなどの自已消弧型素子を逆並列に接続したもの、図17(c)は整流器としてダイオードをブリッジ接続し、その直流出力に短絡用制御極付き半導体素子S1を接続したもので、その半導体素子と直列に可飽和リアクトルL1を接続して電流の立上がりを抑えるようにしたものである。図17において、単位インバータセルの出力をバイパスする開閉器として、ダイオードD1,D2と制御極付き半導体素子S1,S2を用いてブリッジ接続し、その直流出力を短絡するように構成したものである。
【0101】
<第16の実施形態>
図18は第16の実施形態であり、例えば図1の第3段目のU,V,W相(4U3,4V3,4W3)の単位インバータセルのインバータ回路(図10のQ1〜Q4)へのゲート信号位相を示す図である。このような位相のゲート信号を与えることにより単位インバータの出力電圧は零電圧になり、多重インバータ装置としての出力電圧は低い電圧を得ることが出来る。破線は通常のPAM運転時の動作波形を示す。
【0102】
一方、図17に示すバイパス回路を動作させて単位インバータセルの出力を短絡することにより、出力電圧を零とするように制御するものである。この時単位インバータセルのインバータ回路の素子へのゲート信号は停止しておく。
【0103】
<第17の実施形態>
図19は第17の実施形態であり、図18のように制御する際、多重インバータ装置としては出力電圧の高調波成分が増加することが有り得るので、運転中の他の段(図1では他の2段)のPWM動作周波数を増加させる(図1の例ではPWM周波数を1.5倍へ上げる)ことにより、高調波成分を増加させることなく負荷へ供給することができる。このためバイパス指令信号または出力電圧零指令により運転中の単位インバータセルのPWM周波数を切替えるようにする。
【0104】
<第18の実施形態>
図20は第18の実施形態であり、多重インバータ装置の各相の単位インバータセル間に出力電圧を切替えられる開閉器401〜406を設け、多相負荷への供給電圧を切替えることができるように構成したものである。高圧電動機としては、日本国内では6kV系、3kV系が、米国内では4.2kVと2.4kV系が一般であり、負荷に応じて切替える用途も有り得る。
【0105】
<第19の実施形態>
図21は第19の実施形態であり、多重インバータ装置の各相の単位インバータセル間に出力端子U1,V1,W1またU2,V2,W2を設け、多相負荷への供給電圧を切替えることができるように構成したものである。
【0106】
<第20の実施形態>
図22は第20の実施形態であり、各相の任意の段の単位インバータセルの整流器に逆並列に回生用コンバータを設けたものである。負荷からの回生量が多いシステムでは、全ての単位インバータセルに回生回路を設けておき、回生量に応じて任意の単位インバータを回生制御するようにすることも容易に考えられる。回生用コンータとして自己消弧型半導体素子を使用することによりPWM動作させることも容易であり、回生電力を細かく制御することが可能となる。
【0107】
<第21の実施形態>
図23は第21の実施形態であり、単位インバータセルの故障検出と保護動作回路を設けられ、単位インバータセル4U1〜4W3が故障した際、又は保守時にその単位インバータに相当するn段目の各単位インバータに対応する入力変圧器の1次側または2次側の各3相巻線の少なくとも一方に設けられた開閉器2c〜2kを少なくとも1台以上開放するように制御するものである。
【0108】
<第22の実施形態>
第22の実施形態の出力電圧波形は図16に示したものであり、図1または図 の装置において、少なくとも1台の単位インバータセルはPAM制御により、他の単位インバータセルはPWM制御によりそれぞれの出力電圧を制御し、それぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するように構成した多重インー夕装置の制御方法である。
【0109】
<第23の実施形態>
第23の実施形態は、図2の装置において、3相インバータセルはPAM制御により、他の単位インバータセルはPWM制御によりそれぞれの出力電圧を制御し、それぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するように構成した多重インバータ装置の制御方法である。
【0110】
<第24の実施形態>
図24は図1の回路を基にU相のPWM制御を示したものであり、各相の単位インバータセルの出力基本波位相は、相互にπ/3nだけずらして制御すると共に、同一相の各段のPWMスイッチング位相が重ならないように制御したものである。V,W相は図22の波形からそれぞれ位相が120゜ずれた波形となることは言うまでもない。
【0111】
図25に示すように本発明の多重インバータ装置を起動する際の制御に関し、任意の単位インバータセルにはPWM制御により電流値を制御する機能を有し、多重インバータ装置の起動時にはこれを動作させて各相の単位インバータセルに電流を流し、予め設定された直流電圧値まで充電後に交流電源を投入し運転するように制御した多重インバータ装置である。
【0112】
動機268の回転速度を回転検出器269により検出して速度フィードバックを行い、トルク指令に応じ滑り周波数となるようにインバータ周波数を制御するものである。
【0113】
流制御ループ(電流制御増幅器266)を併せ持つことが多い。この場合のすべり周波数と電流とを共に制御するので安定性がよく、急激な加減速や負荷変動に耐えられる。また速度フィードバックを取っているので、回転速度の精度は向上する。
【0114】
度制御増幅器262の出力をすべり周波数と電流の指令に変換し、それぞれのループでインバータ周波数fと、周波数指令と、電動機一次端子電圧V1指令に変換する。周波数指令と、電動機一次端子電圧V1以後のPWM制御回路を備えている。また、急激な加減速を行うので、順変換部には、電力回生付加回路を用いている。この方式は、閉ループ制御を行う必要があるので、単独運転に用いられ、定出力特性、直巻き特性や回転速度に無関係に最大トルクを発生させることが可能である。この構成は、速度設定器260、比較器261、速度制御増幅器262、電流パターン発生器263、電流検出器264、比較器265、電流制御増幅器266、PWM制御回路267、すべり周波数パターン発生器271、比較器272、速度検出器270から構成されている。
【0115】
<第24の実施形態>
図26は第24の実施形態を示したもので装置の真上からみた図であり、図1の装置において、入力変圧器を複数m個設けた場合には、3n個の単位インバータを3n/m個に分割し、これを1組として1台の入力変圧器と結合して1セットを構成し、mセット配置するものである。すなわち図5、図6に示した実施形態を配置する際に、入力変圧器31と変換装置41の組合せをーセットとして図のように構成することにより、同一設計により設計や製造の経済的効果が期待できる。また、分離することにより絶縁耐圧も低減することができるので装置の小型が可能となる。入力変圧器が偶数個ある場合には、図26(a)によう1こ背中合わせに配置する方法、(b)のように2個単位にそれぞれのセットを互いに向かい合せて配置する方法、(c)のように中央から左右対称に配置する方法などがあり、配置性、保守性や運転操作性の向上など目的に応じて他の方法も考えられる。
【0116】
<第25の実施形態>
図27は第25の実施形態であり、変圧器の2次巻線を構成する際に、3n組の3相2次巻線はそれぞれの%インピーダンスを揃えために、3相鉄心の異なる位置に巻かれた各相巻線で3相結線を構成したものである。一般に変圧器は内側と外側の巻線では結合度が異なるため、インピーダンスも変わる。図27で通常はul、v5、w3の同一位置で3相結線を行なうが、図のような位置から3相巻線の結線を組むことにより変圧器の%インピーダンスを揃えることが可能で各単位インバータセルの入力電流は均等化でき電源側の各相電流や高調波成分はバランスさせることができる。
【0117】
【発明の効果】
以上述べた本発明によれば、2次多巻線を持つ変圧器と単位インバータセルを組合せることにより、出力変圧器を必要とせず、これにより小型で高電圧出力を得ると共に、負荷側への高調波を低減すること、また電源系統の高調波電流を低減することができる経済的な多重インバータ装置及びその制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の多重インバータ装置の第1の実施形態を説明するための回路図。
【図2】本発明の多重インバータ装置の第2の実施形態を説明するための回路図。
【図3】本発明の多重インバータ装置の第2の実施形態を説明するためのインバータの回路図。
【図4】本発明の多重インバータ装置の第3の実施形態を説明するための回路図。
【図5】本発明の多重インバータ装置の第4の実施形態を説明するための回路図。
【図6】本発明の多重インバータ装置の第5の実施形態を説明するための回路図。
【図7】本発明の多重インバータ装置の第6の実施形態を説明するための回路図。
【図8】本発明の多重インバータ装置の第7の実施形態を説明するための回路図。
【図9】本発明の多重インバータ装置の第8の実施形態を説明するための信号波形図。
【図10】本発明の多重インバータ装置の第9の実施形態を説明するための回路図。
【図11】本発明の多重インバータ装置の第10の実施形態を説明するためのインバータの回路図。
【図12】本発明の多重インバータ装置の第11の実施形態を説明するためのインバータの回路図。
【図13】本発明の多重インバータ装置の第12の実施形態を説明するためのインバータの回路図。
【図14】本発明の多重インバータ装置の第13の実施形態を説明するためのインバータの回路図。
【図15】本発明の多重インバータ装置の第13の実施形態を説明するためのインバータの回路図。
【図16】本発明の多重インバータ装置の第14の実施形態を説明するための信号波形図。
【図17】本発明の多重インバータ装置の第15の実施形態を説明するためのインバータの回路図。
【図18】本発明の多重インバータ装置の第16の実施形態を説明するための信号波形図。
【図19】本発明の多重インバータ装置の第17の実施形態を説明するための図。
【図20】本発明の多重インバータ装置の第18の実施形態を説明するための回路図。
【図21】本発明の多重インバータ装置の第19の実施形態を説明するための回路図。
【図22】本発明の多重インバータ装置の第20の実施形態を説明するためのインバータの回路図。
【図23】本発明の多重インバータ装置の第21の実施形態を説明するための回路図。
【図24】本発明の多重インバータ装置の第22の実施形態を説明するための信号波形図。
【図25】本発明の多重インバータ装置の第23の実施形態を説明するための回路図。
【図26】本発明の多重インバータ装置の第24の実施形態を説明するための図。
【図27】本発明の多重インバータ装置の第25の実施形態を説明するための変圧器の概略図。
【図28】従来の多重インバータ装置の第1の例を説明するための回路図。
【図29】従来の多重インバータ装置の第2の例を説明するための回路図。
【図30】従来の多重インバータ装置の第3の例を説明するためのインバータの回路図。
【符号の説明】
1…商用交流電源
2,2a〜2k…開閉器
3…入力変圧器
3P…一次巻線
3S…二次巻線
4…インバータ回路
4U1〜4U3、4V1〜4V3、4W1〜4W3…単位インバータセル
5…多相負荷
41…3相インバータ
Q1〜Q6…自己消弧型半導体素子
D1〜D6…ダイオード
31,32,33…入力変圧器
31P,32P,33P…一次巻線
31S,32S,33S…二次巻線

Claims (32)

  1. 3n組(n:自然数:1,2,・・,k,・・,n)の3相の2次巻線を有し、かつ該各2次巻線は各相でπ/3n位相がずれている入力変圧器と、
    n個の単位インバータセルの出力側を直列接続した3組の単位インバータセル群とを具備し、
    前記単位インバータセル群を構成するk段目の単位インバータセルの入力側には、単位インバータセル群毎に位相のずれた前記入力変圧器の2次巻線を接続し、
    前記単位インバータセル群の一方の出力を互いに接続して、他方の出力に負荷を接続することを特徴とする多重インバータ装置。
  2. 3n組(n:自然数:1,2,・・,k,・・,n)の3相の2次巻線を有する入力変圧器と、
    少なくとも1個の3相インバータと、
    (n−1)個の単位インバータセルの出力側を直列接続した3組の単位インバータセル群とを具備し、
    前記単位インバータセル群の一方の出力を前記3相インバータの所定の出力相に接続して、他方の出力に負荷を接続することを特徴とする多重インバータ装置。
  3. 前記入力変圧器は、前記単位インバータセル群の単位インバータセルの直列数nに対してn個設けたことを特徴とする請求項1記載の多重インバータ装置。
  4. 前記3相インバータ及び前記単位インバータセル群を構成するn個の単位インバータセルの入力側には、π/3n位相がずれた前記入力変圧器の2次巻線を接続したことを特徴とする請求項2記載の多重インバータ装置。
  5. 前記入力変圧器は、複数m個として、それぞれの入力変圧器は3n/m組の3相の2次巻線を有することを特徴とする請求項1または請求項2記載の多重インバータ装置。
  6. 前記複数m個の入力変圧器は、同一の2次巻線で構成することを特徴とする請求項5記載の多重インバータ装置。
  7. 3n組(n:自然数:1,2,・・,k,・・,n)の3相の2次巻線を有する入力変圧器と、
    n個の単位インバータセルの出力側を直列接続した3組の単位インバータセル群とを具備し、
    前記単位インバータセル群を構成するk段目の単位インバータセルの入力側には、同一位相の前記入力変圧器の2次巻線を接続し、
    前記単位インバータセル群の一方の出力を互いに接続して、他方の出力に負荷を接続することを特徴とする多重インバータ装置。
  8. 前記入力変圧器は、複数m個として、各入力変圧器の1次側は6m相構成となるように巻線位相をずらし、各入力変圧器の2次巻線は3n/m組の3相の2次巻線を有することを特徴とする請求項1、請求項2、請求項7のいずれかに記載の多重インバータ装置。
  9. 前記入力変圧器は複数m個とし、該各入力変圧器の各2次巻線には所定のリアクタンスを持たせ、単位インバータに所定の負荷電流が流れている状態ではその入力電流が断続しないようにしたことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の多重インバータ装置。
  10. 前記入力変圧器の1次側または2次側の各3相巻線の少なくとも一方に、電路を遮断できる開閉器を具備し、該開閉器は、単位インバータセルが故障した際には、その故障信号により開放動作、また保守する際に手動開放動作させることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の多重インバータ装置の制御方法。
  11. 前記負荷へ供給する出力電圧が低い時には、少なくとも1段の単位インバータセルを零電圧出力にするように制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法。
  12. 前記単位インバータセルの出力部に、その出力をバイパスするバイパス開閉器を備え、前記負荷へ供給する出力電圧が低い時には、少なくとも1段の単位インバータセルの出力部のバイパス開閉器を動作させるように制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法。
  13. 前記単位インバータセルの出力部に、その出力をバイパスするバイパス開閉器を備え、ある単位インバータセルが故障した場合には、当該インバータセル出力部のバイパス開閉器を動作させると共に、故障インバータセルと同一段の他の相の単位インバータセルのバイパス開閉器も動作するように制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法。
  14. 前記単位インバータセルの出力部に、その出力をバイパスするバイパス開閉器を備え、ある単位インバータセルが故障した場合には、前記バイパス開閉器を動作させると共に、故障インバータセルと同一段の他の相の単位インバータセルの出力電圧を零電圧制御することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法。
  15. 前記バイパス開閉器として、半導体素子を使用し、単位インバータセルの出力間に逆並列に接続したことを特徴とする請求項12〜14のいずれかに記載の多重インバータ装置の制御方法
  16. 前記バイパス開閉器に使用する半導体素子として、自己消弧型半導体素子を使用したことを特徴とする請求項15に記載の多重インバータ装置の制御方法
  17. 前記バイパス開閉器として、ダイオードをブリッジ接続し、その直流出力に短絡用制御極付き半導体素子を接続したことを特徴とする請求項12〜14のいずれかに記載の多重インバータ装置の制御方法
  18. 前記短絡用制御極付き半導体素子と直列に可飽和リアクトルを接続したことを特徴とする請求項17に記載の多重インバータ装置の制御方法
  19. 前記バイパス開閉器として、ダイオードと制御極付き半導体素子を用いてブリッジ接続し、その直流出力を短絡するようにしたことを特徴とする請求項12〜14のいずれかに記載の多重インバータ装置の制御方法
  20. 前記バイパス開閉器が動作または零電圧出力制御している単位インバータを除く他の単位インバータセルは、インバータ回路のPWM動作周波数を通常時と変えること特徴とする請求項12〜14のいずれかに記載の多重インバータ装置の制御方法。
  21. 前記インバータのPWM周波数を高くするように制御したことを特徴とする請求項20に記載の多重インバータ装置の制御方法。
  22. 前記多相負荷への供給出力電圧を開閉器により切替えることができるように構成したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置。
  23. 前記単位インバータセルn段の任意の段の各相の位置から出力を取り出せるような構成とし、出力電圧を切替えることができるように構成したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置。
  24. 少なくとも1台の単位インバータセルは、PAM制御により、他の単位インバータセルはPWM制御によりそれぞれ出力電圧を制御し、それぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するように構成したことを特徴とする請求項1に記載の多重インバータ装置の制御方法。
  25. 少なくとも1台の単位インバータセルは、PAM制御により、他の3相インバータ及び単位インバータセルはPWM制御によりそれぞれ出力電圧を制御し、それぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するように構成したことを特徴とした請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法。
  26. 前記3相インバータはPAM制御により、他の単位インバータセルはPWM制御によりそれぞれ出力電圧を制御し、それぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するように構成したことを特徴とした請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法。
  27. 任意の単位インバータセルにはPWM制御により電流値を制御する機能を有し、多重インバータ装置の起動時にはこれを動作させて各相の単位インバータセルに電流を流し、予め設定された直流電圧値まで充電後に交流電源を投入するように制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法。
  28. 前記入力変圧器を複数m個設けた場合には、3n個の単位インバータを3n/m個に分割し、これを1組として1台の入力変圧器と結合して1セットを構成し、mセット配置することを特徴とする請求項5に記載の多重インバータ装置。
  29. 前記入力変圧器が偶数個ある場合には、2個単位にそれぞれのセットを互いに背中合わせおよび一直線上に列盤配置したことを特徴とする請求項28に記載の多重インバータ装置。
  30. 前記入力変圧器が偶数個ある場合には、2個単位にそれぞれのセットを互いに向かい合せて配置することを特徴とする請求項28に記載の多重インバータ装置。
  31. 前記入力変圧器の2次巻線を構成する際に、3n組の3相2次巻線はそれぞれの%インピーダンスを揃えるために、3相鉄心の異なる位置に巻かれた各相巻線で3相結線を構成し、各相の単位インバータセルには位相がずれた2次巻線を接続して構成したことを特徴とする請求項1に記載の多重インバータ装置。
  32. 故障インバータセルと異なる段の他の相の単位インバータセルの出力のバイパス開閉器を動作、または出力電圧を零電圧制御することを特徴とする請求項13または請求項14に記載の多重インバータ装置の制御方法。
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