JP3534288B2 - 調光ガラスおよびその製造方法 - Google Patents
調光ガラスおよびその製造方法Info
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- JP3534288B2 JP3534288B2 JP05311197A JP5311197A JP3534288B2 JP 3534288 B2 JP3534288 B2 JP 3534288B2 JP 05311197 A JP05311197 A JP 05311197A JP 5311197 A JP5311197 A JP 5311197A JP 3534288 B2 JP3534288 B2 JP 3534288B2
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- control glass
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロクロミ
ック素子を基板表面に形成した調光ガラスおよびその製
造方法に関する。
ック素子を基板表面に形成した調光ガラスおよびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電圧を印加すると可逆的に電解酸化また
は還元反応が起こり、可逆的に着消色する現象をエレク
トロクロミズムという。
は還元反応が起こり、可逆的に着消色する現象をエレク
トロクロミズムという。
【０００３】このような現象を示すエレクトロクロミッ
ク（以下、ECと略す）物質を用いて、電圧操作により着
消色するEC素子（以下、ECD と略す）を作り、このECD
を光量制御素子（例えば調光ガラスや防眩ミラー等）や
７セグメントを利用した数字表示素子に利用しようとす
る試みは、20年以上前から行われている。
ク（以下、ECと略す）物質を用いて、電圧操作により着
消色するEC素子（以下、ECD と略す）を作り、このECD
を光量制御素子（例えば調光ガラスや防眩ミラー等）や
７セグメントを利用した数字表示素子に利用しようとす
る試みは、20年以上前から行われている。
【０００４】例えば、ガラス基板の上に透明電極膜（陰
極）、三酸化タングステン薄膜、二酸化ケイ素のような
絶縁膜、電極膜（陽極）を順次積層してなるECD （特公
昭52−46098 号参照）が全固体型ECD として知られてい
る。
極）、三酸化タングステン薄膜、二酸化ケイ素のような
絶縁膜、電極膜（陽極）を順次積層してなるECD （特公
昭52−46098 号参照）が全固体型ECD として知られてい
る。
【０００５】このECD に電圧を印加すると三酸化タング
ステン（WO3 ）薄膜が青色に着色する。その後、このEC
D に逆の電圧を印加すると、WO3 薄膜の青色が消えて、
無色になる。この着消色する機構は詳しくは解明されて
いないが、WO3 薄膜及び絶縁膜（イオン導電層）中に含
まれる少量の水分がWO3 の着消色を支配していると理解
されている。
ステン（WO3 ）薄膜が青色に着色する。その後、このEC
D に逆の電圧を印加すると、WO3 薄膜の青色が消えて、
無色になる。この着消色する機構は詳しくは解明されて
いないが、WO3 薄膜及び絶縁膜（イオン導電層）中に含
まれる少量の水分がWO3 の着消色を支配していると理解
されている。
【０００６】着色の反応式は、以下のように推定されて
いる。 H2O → H+ ＋OH- （WO3 膜＝陰極側）WO3 ＋nH+ ＋ne- →HnWO3 無色透明 青着色 （絶縁膜＝陽極側）OH- → (1/2)H20 ＋(1/4)O2 ↑＋(1/2)e- その他にECD として知られているものは、上部電極と下
部電極の間に、還元着色性EC層（例えばWO3 ）、イオン
導電層（例えば酸化タンタル）、可逆的電解酸化層（例
えば酸化または水酸化イリジウム）が積層〔EC三層〕さ
れ、両電極間に所定の電圧を印加できる構造となってい
る。
いる。 H2O → H+ ＋OH- （WO3 膜＝陰極側）WO3 ＋nH+ ＋ne- →HnWO3 無色透明 青着色 （絶縁膜＝陽極側）OH- → (1/2)H20 ＋(1/4)O2 ↑＋(1/2)e- その他にECD として知られているものは、上部電極と下
部電極の間に、還元着色性EC層（例えばWO3 ）、イオン
導電層（例えば酸化タンタル）、可逆的電解酸化層（例
えば酸化または水酸化イリジウム）が積層〔EC三層〕さ
れ、両電極間に所定の電圧を印加できる構造となってい
る。
【０００７】ところで、EC層を直接または間接的に挟む
一対の電極層は、EC層の着消色を外部に見せるために少
なくとも一方は透明でなければならない。特に透過型の
ECDの場合には両電極層とも透明でなければならない。
一対の電極層は、EC層の着消色を外部に見せるために少
なくとも一方は透明でなければならない。特に透過型の
ECDの場合には両電極層とも透明でなければならない。
【０００８】透明な電極材料としては、現在のところSn
O2、In2O3 、ITO （In2O3 とSnO2の混合物）、ZnO 等が
知られているが、これらの材料は比較的透明度が悪いた
めに薄くせねばならず、この理由及びその他の理由から
ECD は基板（例えばガラス板やプラスチック板）の上に
形成されるのが普通である。
O2、In2O3 、ITO （In2O3 とSnO2の混合物）、ZnO 等が
知られているが、これらの材料は比較的透明度が悪いた
めに薄くせねばならず、この理由及びその他の理由から
ECD は基板（例えばガラス板やプラスチック板）の上に
形成されるのが普通である。
【０００９】また、ECD は用途によって、素子を保護す
るための封止基板を素子基板と対向するように配置し、
例えばエポキシ樹脂等を用いて密封封止して用いられ
る。ところで、電気素子を用いる調光ガラスは、ECD や
液晶を利用するものなど、種々提案されており、液晶で
は既に実用化されている。
るための封止基板を素子基板と対向するように配置し、
例えばエポキシ樹脂等を用いて密封封止して用いられ
る。ところで、電気素子を用いる調光ガラスは、ECD や
液晶を利用するものなど、種々提案されており、液晶で
は既に実用化されている。
【００１０】ECD を用いる調光ガラスは、実用化は遅れ
ているが、透過光のエネルギーを連続的に制御でき、し
かも視角依存性がない等の液晶にはない優れた特性を有
する。ECD には、材料（主に電解質）の形態として溶液
型、ゲル型、全固体型等の種類がある。
ているが、透過光のエネルギーを連続的に制御でき、し
かも視角依存性がない等の液晶にはない優れた特性を有
する。ECD には、材料（主に電解質）の形態として溶液
型、ゲル型、全固体型等の種類がある。
【００１１】建築用、車両用窓材等をターゲットにした
調光ガラスの大型化が要請され、ECD においても大型化
の研究開発が進められているが、EC着色層、電解質層、
電極層等をすべて薄膜状に連続的に形成する全固体型EC
D は、貼り合わせや液状材料密封といった工程が不要で
あり、工程上最も大型化が容易と考えられている。
調光ガラスの大型化が要請され、ECD においても大型化
の研究開発が進められているが、EC着色層、電解質層、
電極層等をすべて薄膜状に連続的に形成する全固体型EC
D は、貼り合わせや液状材料密封といった工程が不要で
あり、工程上最も大型化が容易と考えられている。
【００１２】ECD 調光ガラスの電極層には透明導電膜が
用いられる。現在、透明導電膜に多く使われているのは
ITO であるが、ZnO やSnO2等その他の材料も検討されて
いる。これらの材料を使用して一対の透明電極層（上部
と下部の透明膜）が、通常、真空蒸着法やスパッタリン
グ法等で基板上に形成されるが、金属電極層と比較する
とかなり高抵抗である。
用いられる。現在、透明導電膜に多く使われているのは
ITO であるが、ZnO やSnO2等その他の材料も検討されて
いる。これらの材料を使用して一対の透明電極層（上部
と下部の透明膜）が、通常、真空蒸着法やスパッタリン
グ法等で基板上に形成されるが、金属電極層と比較する
とかなり高抵抗である。
【００１３】前記上部、下部透明電極層とも外部電源か
ら電圧を印加するために外部配線との接続が必要であ
る。しかし、上下部透明電極層に対応して外部配線との
接続するための電極として透明電極部（バスバ−部：上
下部透明電極層の適宜対向辺に対に）を使用した場合に
は、透明電極部が外部配線に比べて高抵抗であるので、
透明電極部に重ねて（即ち、接触させて）低抵抗の電極
部分を設ける。通常は、基板表面端部に位置する透明電
極層の端辺部に、帯状に低抵抗透明電極部を設ける（例
えば、金属製クリップを装着する）。
ら電圧を印加するために外部配線との接続が必要であ
る。しかし、上下部透明電極層に対応して外部配線との
接続するための電極として透明電極部（バスバ−部：上
下部透明電極層の適宜対向辺に対に）を使用した場合に
は、透明電極部が外部配線に比べて高抵抗であるので、
透明電極部に重ねて（即ち、接触させて）低抵抗の電極
部分を設ける。通常は、基板表面端部に位置する透明電
極層の端辺部に、帯状に低抵抗透明電極部を設ける（例
えば、金属製クリップを装着する）。
【００１４】また、ECD 調光ガラスは素子劣化を防ぐた
めに封止樹脂（例えばエポキシ樹脂）及び封止基板によ
り封止されて用いられる。本出願人が既に出願した発明
に係わる特開平6-167724号公報では、調光ガラスの製造
方法を記載し、少なくともエレクトロクロミック層とこ
れを挟む一対の透明電極層とからなるエレクトロクロミ
ック素子を素子基板表面に形成した調光ガラスの製造方
法において、素子基板表面の端部及び内部に位置する前
記透明電極層上に低抵抗電極部を設け、この素子基板を
合わせガラス用中間膜および封止基板により封止したこ
とを開示した。
めに封止樹脂（例えばエポキシ樹脂）及び封止基板によ
り封止されて用いられる。本出願人が既に出願した発明
に係わる特開平6-167724号公報では、調光ガラスの製造
方法を記載し、少なくともエレクトロクロミック層とこ
れを挟む一対の透明電極層とからなるエレクトロクロミ
ック素子を素子基板表面に形成した調光ガラスの製造方
法において、素子基板表面の端部及び内部に位置する前
記透明電極層上に低抵抗電極部を設け、この素子基板を
合わせガラス用中間膜および封止基板により封止したこ
とを開示した。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ECD 調光ガラスの大型
化には種々の技術的問題を伴うが、その中の大きな問題
点に不均一な着消色がある。この不均一な着消色は、EC
D 着色時に時間が経過しても着色濃度がECD の全面で一
定とならないで濃淡差（色むら）ができ、また消色時に
も濃淡差（色むら）が目立つ現象であり、外観不良の
他、耐久性低下の原因となる。
化には種々の技術的問題を伴うが、その中の大きな問題
点に不均一な着消色がある。この不均一な着消色は、EC
D 着色時に時間が経過しても着色濃度がECD の全面で一
定とならないで濃淡差（色むら）ができ、また消色時に
も濃淡差（色むら）が目立つ現象であり、外観不良の
他、耐久性低下の原因となる。
【００１６】また、別の問題点に封止の生産性が悪いこ
とがある。硬化する前の封止樹脂は液状であり、ECD 調
光ガラスの光学歪みや素子劣化を防ぐために、素子面全
体に均一な厚さで封止樹脂を硬化させる必要がある。こ
の均一な厚さの達成には、封止樹脂量、加圧力及び加圧
力分布の適切な調整を要する。
とがある。硬化する前の封止樹脂は液状であり、ECD 調
光ガラスの光学歪みや素子劣化を防ぐために、素子面全
体に均一な厚さで封止樹脂を硬化させる必要がある。こ
の均一な厚さの達成には、封止樹脂量、加圧力及び加圧
力分布の適切な調整を要する。
【００１７】例えば、基板面からはみだす程封止樹脂量
を十分に多くすると、均一厚さのための加圧力及び加圧
力分布の調整は比較的容易となるが、はみだした樹脂を
除去する工程が必要になる。また、基板面からはみださ
ないように封止樹脂量を少なくすると、はみだした樹脂
を除去する工程が不要になるが、均一厚さのための加圧
力及び加圧力分布の調整が非常に困難となり、均一厚さ
を実現できないか、または調整に多大の時間を要するこ
とになる。
を十分に多くすると、均一厚さのための加圧力及び加圧
力分布の調整は比較的容易となるが、はみだした樹脂を
除去する工程が必要になる。また、基板面からはみださ
ないように封止樹脂量を少なくすると、はみだした樹脂
を除去する工程が不要になるが、均一厚さのための加圧
力及び加圧力分布の調整が非常に困難となり、均一厚さ
を実現できないか、または調整に多大の時間を要するこ
とになる。
【００１８】また、本出願人が既に出願した発明に係わ
る特開平6-167724号公報に記載の調光ガラスの製造方法
では、着消色が均一で外観や耐久性及び生産性を向上せ
しめることができたものの、例えば上下電極部（バスバ
−部）に低抵抗電極部を粘着テ─プで適宜貼り付けてい
たが、貼り付け作業に時間がかかることがあり、また長
期の使用では該貼り付け部の接着が剥離する現象が起こ
ることがあって、外観不良になるばかりか、前記上下電
極部と前記低抵抗電極部との接触が悪くなり、接触抵抗
が高くなって着消色時とも応答性が低下することがあ
り、さらなる耐久性が望まれるものであった。
る特開平6-167724号公報に記載の調光ガラスの製造方法
では、着消色が均一で外観や耐久性及び生産性を向上せ
しめることができたものの、例えば上下電極部（バスバ
−部）に低抵抗電極部を粘着テ─プで適宜貼り付けてい
たが、貼り付け作業に時間がかかることがあり、また長
期の使用では該貼り付け部の接着が剥離する現象が起こ
ることがあって、外観不良になるばかりか、前記上下電
極部と前記低抵抗電極部との接触が悪くなり、接触抵抗
が高くなって着消色時とも応答性が低下することがあ
り、さらなる耐久性が望まれるものであった。
【００１９】本発明の目的は、着消色が均一で良好な外
観をより長く持続でき、より長期的な耐久性を備え、長
期的安定性に優れる調光ガラスを生産性をより向上しコ
ストダウンを図り、製造することにある。
観をより長く持続でき、より長期的な耐久性を備え、長
期的安定性に優れる調光ガラスを生産性をより向上しコ
ストダウンを図り、製造することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】ECD 調光ガラスの大型化
に伴って、基板表面端部に位置する透明電極層上に設け
た低抵抗電極部の間隔が増大する。図７は、ECD 調光ガ
ラスの概略断面図であり、図９は、従来のECD 調光ガラ
スであって、基板表面端部に位置する透明電極層上に設
けた低抵抗電極部（例えば金属製クリップ）H1，H2の間
隔が大きいECDに電圧を印加した場合における電流Ｉの
流れる様子を模式的に示した図〔図９(a) 〕、およびこ
れによるECD 調光ガラスにおける着色状況を示した図
〔図９(b)〕である。
に伴って、基板表面端部に位置する透明電極層上に設け
た低抵抗電極部の間隔が増大する。図７は、ECD 調光ガ
ラスの概略断面図であり、図９は、従来のECD 調光ガラ
スであって、基板表面端部に位置する透明電極層上に設
けた低抵抗電極部（例えば金属製クリップ）H1，H2の間
隔が大きいECDに電圧を印加した場合における電流Ｉの
流れる様子を模式的に示した図〔図９(a) 〕、およびこ
れによるECD 調光ガラスにおける着色状況を示した図
〔図９(b)〕である。
【００２１】ECD が大型化するに従い、透明電極層の抵
抗が増大してECD の内部方向への抵抗よりも大きくなる
ので、図９に示すように、電流Ｉの大部分は、透明電極
層の一端から比較的低抵抗で流れやすいECD 内部に流れ
込んでしまい、その結果、低抵抗電極部H1に近い部分で
は早く濃く着色するが、低抵抗電極部H1から離れた中央
部から他端にかけては、ほとんど電流が流れず、着色が
非常に遅く薄くなり、特に大型のECD において、この傾
向が著しいことが判った。
抗が増大してECD の内部方向への抵抗よりも大きくなる
ので、図９に示すように、電流Ｉの大部分は、透明電極
層の一端から比較的低抵抗で流れやすいECD 内部に流れ
込んでしまい、その結果、低抵抗電極部H1に近い部分で
は早く濃く着色するが、低抵抗電極部H1から離れた中央
部から他端にかけては、ほとんど電流が流れず、着色が
非常に遅く薄くなり、特に大型のECD において、この傾
向が著しいことが判った。
【００２２】また、消色時も、着色時に比べれば不均一
の傾向は少ないものの、同様の原因で不均一に消色する
ことが判った。なお、図６は、従来のECD 調光ガラス４
の基板の４辺端部に４本の導電性クリップH を装着した
場合の状態を示す概略平面図である。
の傾向は少ないものの、同様の原因で不均一に消色する
ことが判った。なお、図６は、従来のECD 調光ガラス４
の基板の４辺端部に４本の導電性クリップH を装着した
場合の状態を示す概略平面図である。
【００２３】従って、図８に示すような均等な電流が流
れ、均一に着消色する大型ECD とするためには、透明電
極層の抵抗をECD の内部抵抗程度に小さくすればよいこ
とが判った。
れ、均一に着消色する大型ECD とするためには、透明電
極層の抵抗をECD の内部抵抗程度に小さくすればよいこ
とが判った。
【００２４】透明電極層の抵抗を小さくするためには、
低抵抗の電極材料を使用すれば良いが、現状の透明電極
材料（ITO 、ZnO 、SnO2等）では、この要求を充分に満
たすことができない。
低抵抗の電極材料を使用すれば良いが、現状の透明電極
材料（ITO 、ZnO 、SnO2等）では、この要求を充分に満
たすことができない。
【００２５】本発明者らは、低抵抗の電極部の形成方法
について、ECD 調光ガラスの封止に合わせガラス用中間
膜を使用し、該中間膜に低抵抗電極部を直接熱着し、該
低抵抗電極部と前記したバスバ−部（上下電極部）に当
たる上下透明電極層の端辺部とをそれぞれ直接接触させ
るようにすると、長期の使用でも前記した剥離現象が起
こることもなく、着消色が均一で良好な外観をより長く
持続でき、より長期的な耐久性を備え、長期的安定性に
優れる調光ガラスを製造することができ、封止の生産性
がより向上しコストダウンができることを見出した。
について、ECD 調光ガラスの封止に合わせガラス用中間
膜を使用し、該中間膜に低抵抗電極部を直接熱着し、該
低抵抗電極部と前記したバスバ−部（上下電極部）に当
たる上下透明電極層の端辺部とをそれぞれ直接接触させ
るようにすると、長期の使用でも前記した剥離現象が起
こることもなく、着消色が均一で良好な外観をより長く
持続でき、より長期的な耐久性を備え、長期的安定性に
優れる調光ガラスを製造することができ、封止の生産性
がより向上しコストダウンができることを見出した。
【００２６】本発明は、少なくともエレクトロクロミッ
ク層とこれを挟む一対の透明電極層とからなるエレクト
ロクロミック素子を素子基板表面に形成した調光ガラス
において、前記透明電極層上のバスバ−部に当たる低抵
抗電極部に対応する位置に予め低抵抗電極部を設けた合
わせガラス用中間膜を透明電極層上に重ねてなることを
特徴とする調光ガラス、また、前記低抵抗電極部が素子
基板表面の端部の位置の前記透明電極層上に形成された
導電性の箔またはワイヤ−からなり、その箔またはワイ
ヤ−の一部が前記合わせガラス用中間膜の縁から外側へ
突出しており、リ−ド線との接続部となることを特徴と
する上述した調光ガラス、また、一対の透明電極層の重
なりがある領域の上部透明電極層上に、前記低抵抗電極
部に接続された導電性のワイヤ−を配設してなることを
特徴とする上述した調光ガラスを提供するものである。
ク層とこれを挟む一対の透明電極層とからなるエレクト
ロクロミック素子を素子基板表面に形成した調光ガラス
において、前記透明電極層上のバスバ−部に当たる低抵
抗電極部に対応する位置に予め低抵抗電極部を設けた合
わせガラス用中間膜を透明電極層上に重ねてなることを
特徴とする調光ガラス、また、前記低抵抗電極部が素子
基板表面の端部の位置の前記透明電極層上に形成された
導電性の箔またはワイヤ−からなり、その箔またはワイ
ヤ−の一部が前記合わせガラス用中間膜の縁から外側へ
突出しており、リ−ド線との接続部となることを特徴と
する上述した調光ガラス、また、一対の透明電極層の重
なりがある領域の上部透明電極層上に、前記低抵抗電極
部に接続された導電性のワイヤ−を配設してなることを
特徴とする上述した調光ガラスを提供するものである。
【００２７】さらに、本発明は、少なくともエレクトロ
クロミック層とこれを挟む一対の透明電極層とからなる
エレクトロクロミック素子を素子基板表面に形成した調
光ガラスの製造方法において、前記透明電極層上にバス
バ−部に当たる低抵抗電極部を設けるために、該低抵抗
電極部に対応する位置に予め低抵抗電極部を設けた合わ
せガラス用中間膜を前記透明電極層上に重ねることを特
徴とする調光ガラスの製造方法を提供するものである前
記低抵抗電極部を、熱によって合わせガラス用中間膜に
貼着するとよく、前記熱の温度が、約80℃以上150 ℃以
下程度であると好ましい。
クロミック層とこれを挟む一対の透明電極層とからなる
エレクトロクロミック素子を素子基板表面に形成した調
光ガラスの製造方法において、前記透明電極層上にバス
バ−部に当たる低抵抗電極部を設けるために、該低抵抗
電極部に対応する位置に予め低抵抗電極部を設けた合わ
せガラス用中間膜を前記透明電極層上に重ねることを特
徴とする調光ガラスの製造方法を提供するものである前
記低抵抗電極部を、熱によって合わせガラス用中間膜に
貼着するとよく、前記熱の温度が、約80℃以上150 ℃以
下程度であると好ましい。
【００２８】また、前記貼着する手段は、通電による発
熱、あるいはハンダゴテまたはこれに類するものでの熱
であるとよい。さらに、前記合わせガラス用中間膜は、
可塑化ポリビニールブチラール、もしくは変成エチレン
ビニールアセテートが好ましい。
熱、あるいはハンダゴテまたはこれに類するものでの熱
であるとよい。さらに、前記合わせガラス用中間膜は、
可塑化ポリビニールブチラール、もしくは変成エチレン
ビニールアセテートが好ましい。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明の調光ガラスでは、基板表
面端部に位置する透明電極層上だけでなく、透明電極層
パターンの輪郭線よりも内側の基板表面内部の上部透明
電極層上に低抵抗電極部（以後、この低抵抗電極部を補
助バスバーとも呼ぶ）を設けることにより、上下透明電
極層上の低抵抗電極部間隔を低減して透明電極層の抵抗
をECDの内部抵抗に近づけることができる。
面端部に位置する透明電極層上だけでなく、透明電極層
パターンの輪郭線よりも内側の基板表面内部の上部透明
電極層上に低抵抗電極部（以後、この低抵抗電極部を補
助バスバーとも呼ぶ）を設けることにより、上下透明電
極層上の低抵抗電極部間隔を低減して透明電極層の抵抗
をECDの内部抵抗に近づけることができる。
【００３０】その結果、ECD に電圧を印加した時の電流
Ｉは、図８に示すようにECD 内部方向だけでなく上部透
明電極層の水平方向にも充分に流れ、しかも比較的低抵
抗のECD 内部に於ける着色の拡散効果があるので、ECD
全面に渡って均一に着色させることができる。
Ｉは、図８に示すようにECD 内部方向だけでなく上部透
明電極層の水平方向にも充分に流れ、しかも比較的低抵
抗のECD 内部に於ける着色の拡散効果があるので、ECD
全面に渡って均一に着色させることができる。
【００３１】バスバーの材料としては、例えば金、銀、
アルミニウム、銅、白金、クロム、スズ、亜鉛、ニッケ
ル、ルテニウム、ロジウム、ステンレス等の金属ワイヤ
ー、金属箔及び金属薄膜または導電性ペースト等が使用
できる。
アルミニウム、銅、白金、クロム、スズ、亜鉛、ニッケ
ル、ルテニウム、ロジウム、ステンレス等の金属ワイヤ
ー、金属箔及び金属薄膜または導電性ペースト等が使用
できる。
【００３２】シ−トR の端部に設けたバスバ−の一部を
合わせガラス用中間膜の端縁から外側へ突出させてリ−
ド線との接続部とすることが好ましく、金属箔または金
属ワイヤ−を用いる場合は、その長さ方向に対して端部
を外側へ90°折り曲げるだけでよい。
合わせガラス用中間膜の端縁から外側へ突出させてリ−
ド線との接続部とすることが好ましく、金属箔または金
属ワイヤ−を用いる場合は、その長さ方向に対して端部
を外側へ90°折り曲げるだけでよい。
【００３３】ところで、バスバ−の長さとしては、基板
の−辺の長さいっぱいと長すぎると着色時にコ−ナ−４
箇所の透過率が下がりすぎ、全体のバランスがとれなく
なるため、基板の−辺の長さより短めとすることが好ま
しい（恐らく他の場所と比べ、通電による電圧降下の影
響が少ない）。最適のバスバ−の長さは、印加電圧、IT
O の抵抗、ECD の抵抗、ECD の形状、使用温度などの複
雑な要因を考慮して適宜決める。
の−辺の長さいっぱいと長すぎると着色時にコ−ナ−４
箇所の透過率が下がりすぎ、全体のバランスがとれなく
なるため、基板の−辺の長さより短めとすることが好ま
しい（恐らく他の場所と比べ、通電による電圧降下の影
響が少ない）。最適のバスバ−の長さは、印加電圧、IT
O の抵抗、ECD の抵抗、ECD の形状、使用温度などの複
雑な要因を考慮して適宜決める。
【００３４】なお、図７〜９に見られるように、バスバ
−が下部ITO 電極部、上部ITO 電極部ともに１本（１
辺）づつであれば、バスバーの長さを短くする必要はな
い。また、本発明にかかる合わせガラス用中間膜には、
例えば可塑化PVB （ポリビニールブチラール）または変
成EVA （エチレンビニールアセテート）が好ましいが、
これらに類するものであれば特に限定されるものではな
い。
−が下部ITO 電極部、上部ITO 電極部ともに１本（１
辺）づつであれば、バスバーの長さを短くする必要はな
い。また、本発明にかかる合わせガラス用中間膜には、
例えば可塑化PVB （ポリビニールブチラール）または変
成EVA （エチレンビニールアセテート）が好ましいが、
これらに類するものであれば特に限定されるものではな
い。
【００３５】本発明に於けるECD の積層構造は、特にど
れと限定されるものではないが、固体型ECD の構造とし
ては、例えば電極層／EC層（酸化発色膜または還元発
色膜）／イオン導電層／電極層のような４層構造、なら
びに電極層／還元着色型EC層／イオン導電層／可逆的
電解酸化層／電極層のような５層構造〔図７〕が挙げら
れる。
れと限定されるものではないが、固体型ECD の構造とし
ては、例えば電極層／EC層（酸化発色膜または還元発
色膜）／イオン導電層／電極層のような４層構造、なら
びに電極層／還元着色型EC層／イオン導電層／可逆的
電解酸化層／電極層のような５層構造〔図７〕が挙げら
れる。
【００３６】還元着色型EC層としては、一般にWO3 ，Mn
O3，V2O5等が使用される。イオン導電層としては、例え
ば酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミ
ニウム、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウ
ム、酸化ランタン、フッ化マグネシウム等が使用され
る。また、イオン導電層は、電子に対して絶縁体である
が、プロトン(H+ ) 及びヒドロキシイオン (OH- ) に対
しては良導体となる。EC層の着消色反応にはカチオンが
必要とされ、 H+ やLi+ をEC層その他に含有させる必要
がある。 H+ は、初めからイオンである必要はなく、電
圧が印加された時に H+ が生じればよく、従って H+ の
代わりに水を含有させてもよい。この水は、非常に少な
くて充分であり、しばしば大気中から自然に侵入する水
分でも着消色する。
O3，V2O5等が使用される。イオン導電層としては、例え
ば酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミ
ニウム、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウ
ム、酸化ランタン、フッ化マグネシウム等が使用され
る。また、イオン導電層は、電子に対して絶縁体である
が、プロトン(H+ ) 及びヒドロキシイオン (OH- ) に対
しては良導体となる。EC層の着消色反応にはカチオンが
必要とされ、 H+ やLi+ をEC層その他に含有させる必要
がある。 H+ は、初めからイオンである必要はなく、電
圧が印加された時に H+ が生じればよく、従って H+ の
代わりに水を含有させてもよい。この水は、非常に少な
くて充分であり、しばしば大気中から自然に侵入する水
分でも着消色する。
【００３７】可逆的電解酸化層としては、例えば酸化な
いし水酸化イリジウム、同じくニッケル、同じくクロ
ム、同じくルテニウム、同じくロジウム等が挙げられ
る。これらの物質は、イオン導電層または透明電極層中
に分散されていてもよいし、逆にそれらを分散していて
もよい。
いし水酸化イリジウム、同じくニッケル、同じくクロ
ム、同じくルテニウム、同じくロジウム等が挙げられ
る。これらの物質は、イオン導電層または透明電極層中
に分散されていてもよいし、逆にそれらを分散していて
もよい。
【００３８】なお、前記酸化発色膜（可逆的電解酸化
層）または還元発色膜（還元着色型EC層）は、どちらを
上にしても下にしてもよいが、同一の膜を上下には使用
しない。
層）または還元発色膜（還元着色型EC層）は、どちらを
上にしても下にしてもよいが、同一の膜を上下には使用
しない。
【００３９】前記の場合は、EC層とイオン導電層と
は、どちらを上にしても下にしてもよい。さらに前記
の場合は、EC層に対して間にイオン導電層を挟んで（場
合により酸化着色性EC層ともなる）可逆的電解酸化層
（ないし触媒層）を配設してもよい。
は、どちらを上にしても下にしてもよい。さらに前記
の場合は、EC層に対して間にイオン導電層を挟んで（場
合により酸化着色性EC層ともなる）可逆的電解酸化層
（ないし触媒層）を配設してもよい。
【００４０】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４１】実施例１
図１〜３に示す約45cm×45cmサイズの全固体型のECD
（エレクトロクロミック素子）調光ガラス１を以下の手
順で作製した。
（エレクトロクロミック素子）調光ガラス１を以下の手
順で作製した。
【００４２】(1) 約45cm×45cmサイズのガラス製素子基
板S の表面全体にDCスパッタリングにより下部ITO 電極
層B を形成した。スパッタリング時の基板加熱温度は約
200℃、該ITO 電極層の膜厚は約1000Å、該ITO 電極層
のシート抵抗は約25Ω／口であった。
板S の表面全体にDCスパッタリングにより下部ITO 電極
層B を形成した。スパッタリング時の基板加熱温度は約
200℃、該ITO 電極層の膜厚は約1000Å、該ITO 電極層
のシート抵抗は約25Ω／口であった。
【００４３】(2) 図２と３に示すように、フォトエッチ
ングにより上記下部ITO 電極層の両側B',B''の領域のIT
O 電極層を除去した。なお、ITO をマスク蒸着すること
により直接にこれらのパターンを形成してもよい。
ングにより上記下部ITO 電極層の両側B',B''の領域のIT
O 電極層を除去した。なお、ITO をマスク蒸着すること
により直接にこれらのパターンを形成してもよい。
【００４４】(3) DCスパッタリングにより酸化イリジウ
ムと酸化スズとの混合物からなる可逆的電解酸化層C 、
酸化タンタルのイオン導電層D 、酸化タングステン層E
を順次形成した。
ムと酸化スズとの混合物からなる可逆的電解酸化層C 、
酸化タンタルのイオン導電層D 、酸化タングステン層E
を順次形成した。
【００４５】(4) DCスパッタリングにより上部ITO 電極
層A を形成して、ECD を作製した。スパッタリング時の
基板加熱は行わず（加熱すると先に成膜したEC層が劣化
する）、上部ITO 電極層A の膜厚を約3000Åにして上部
ITO 電極層A のシート抵抗が下部電極層B と同じ約25Ω
／口になるようにした。
層A を形成して、ECD を作製した。スパッタリング時の
基板加熱は行わず（加熱すると先に成膜したEC層が劣化
する）、上部ITO 電極層A の膜厚を約3000Åにして上部
ITO 電極層A のシート抵抗が下部電極層B と同じ約25Ω
／口になるようにした。
【００４６】(5) 合わせガラス用中間膜であるシートR
（変成EVA または可塑化PVB ）を約45cm×45cmの大きさ
に切り出し、シートR の所定の場所〔図１〜３のJ （上
部透明電極用の低抵抗電極部＝バスバ−）、K （下部透
明電極用の低抵抗電極部＝バスバ−）の位置〕にエンボ
ス加工付き銅箔（厚さ10μm 、巾2.5mm 、長さ25mm。エ
ンボス加工がなくてもよいが、後工程の合わせ（封止）
時に良好な接着が得られるため該加工があるものの方が
好ましい）が一致するように置き、図４に示すように、
AC7Vの電圧を約1cm の間隔の通電端子に印加し、銅箔の
任意の点を押さえ、火花が僅かに発生するとともに、銅
箔とシ−トR とは瞬間的に接着した。このような操作を
銅箔１本当たり十数箇所連続して行った。
（変成EVA または可塑化PVB ）を約45cm×45cmの大きさ
に切り出し、シートR の所定の場所〔図１〜３のJ （上
部透明電極用の低抵抗電極部＝バスバ−）、K （下部透
明電極用の低抵抗電極部＝バスバ−）の位置〕にエンボ
ス加工付き銅箔（厚さ10μm 、巾2.5mm 、長さ25mm。エ
ンボス加工がなくてもよいが、後工程の合わせ（封止）
時に良好な接着が得られるため該加工があるものの方が
好ましい）が一致するように置き、図４に示すように、
AC7Vの電圧を約1cm の間隔の通電端子に印加し、銅箔の
任意の点を押さえ、火花が僅かに発生するとともに、銅
箔とシ−トR とは瞬間的に接着した。このような操作を
銅箔１本当たり十数箇所連続して行った。
【００４７】なお、銅箔とシートR とを接着する場所
は、銅箔とシートR のサイズにより適宜決めればよい。
また通電端子の大きさや形状についても適宜決めればよ
く、本実施例に限定されない。また複数の通電端子を用
いてもよい。
は、銅箔とシートR のサイズにより適宜決めればよい。
また通電端子の大きさや形状についても適宜決めればよ
く、本実施例に限定されない。また複数の通電端子を用
いてもよい。
【００４８】また、銅箔は後でリ−ド線と接続するた
め、シ−トR と接着していない部分を設け、シ−トR の
縁から外側へ接着した銅箔の長さ方向に対し90°に折り
曲げた〔図１〜３におけるJ'（上部電極部＝バスバ−の
接続部）,K' （下部電極部＝バスバ−の接続部）〕。な
お、印加電圧はそれほど大きくなくても銅箔とシートR
とは充分接着した。印加電圧としては、ACまたはDCで約
3〜10V で約１秒以内程度が好ましいものであった。ま
た、ハンダゴテの温度は約80〜150 ℃程度で押さえ時間
は約１秒以内とほぼ瞬時の接着である。また接着力につ
いては、長期的に通電抵抗が増加する変化が起こらない
低抵抗の導通が維持できるものであればよく、このよう
な接着方法でよい。
め、シ−トR と接着していない部分を設け、シ−トR の
縁から外側へ接着した銅箔の長さ方向に対し90°に折り
曲げた〔図１〜３におけるJ'（上部電極部＝バスバ−の
接続部）,K' （下部電極部＝バスバ−の接続部）〕。な
お、印加電圧はそれほど大きくなくても銅箔とシートR
とは充分接着した。印加電圧としては、ACまたはDCで約
3〜10V で約１秒以内程度が好ましいものであった。ま
た、ハンダゴテの温度は約80〜150 ℃程度で押さえ時間
は約１秒以内とほぼ瞬時の接着である。また接着力につ
いては、長期的に通電抵抗が増加する変化が起こらない
低抵抗の導通が維持できるものであればよく、このよう
な接着方法でよい。
【００４９】(6) このエンボス加工付きの銅箔を上記方
法で熔着的に貼り付けたシ−トR （EVA 膜：デュミラン
F300、約250 μm ）およびガラス製の封止基板G によ
り、該銅箔熔着EVA 膜であるシ─トR （銅箔熔着面を素
子基板のEC素子面向きとする）をEC素子付きガラス板で
ある素子基板S （素子側を内向きとする）と封止基板G
とを、上記(4) の工程で形成した透明電極層上に銅箔が
バスバ−の位置になるようにサンドイッチ状に重ね、ラ
ミネ−タ−（プレス用）を用い、例えば約40℃、約５分
で約0.1 〜0.5Torr または／および約85℃、約25分で0.
1 〜5Torr 等の条件により圧着することで合わせ、冷却
することによって素子を封止した。
法で熔着的に貼り付けたシ−トR （EVA 膜：デュミラン
F300、約250 μm ）およびガラス製の封止基板G によ
り、該銅箔熔着EVA 膜であるシ─トR （銅箔熔着面を素
子基板のEC素子面向きとする）をEC素子付きガラス板で
ある素子基板S （素子側を内向きとする）と封止基板G
とを、上記(4) の工程で形成した透明電極層上に銅箔が
バスバ−の位置になるようにサンドイッチ状に重ね、ラ
ミネ−タ−（プレス用）を用い、例えば約40℃、約５分
で約0.1 〜0.5Torr または／および約85℃、約25分で0.
1 〜5Torr 等の条件により圧着することで合わせ、冷却
することによって素子を封止した。
【００５０】なお、合わせによる封止の手順等、そのや
り方は特に限定されない。 (7) 上部電極層及び下部電極層のバスバーJ ，K のJ',
k' にそれぞれ外部配線（外部配線の端子LA，LB）をボ
ンディングしてECD 調光ガラス１を作製した。なお、前
記ボンディングする位置については特に左右限定される
ものではなく、また別の銅箔やワイヤ−等（補助バスバ
−）を、例えば中央部に貼り付けたシ−トR （貼り付け
なくてもよい）を用いる等、適宜最適な位置を選択すれ
ばよい。
り方は特に限定されない。 (7) 上部電極層及び下部電極層のバスバーJ ，K のJ',
k' にそれぞれ外部配線（外部配線の端子LA，LB）をボ
ンディングしてECD 調光ガラス１を作製した。なお、前
記ボンディングする位置については特に左右限定される
ものではなく、また別の銅箔やワイヤ−等（補助バスバ
−）を、例えば中央部に貼り付けたシ−トR （貼り付け
なくてもよい）を用いる等、適宜最適な位置を選択すれ
ばよい。
【００５１】この様にして作製したECD 調光ガラス１に
前記端子LA，LBを介して駆動電源Suから約＋1.5 V の消
色電圧を約５分間印加して、この時のECD 調光ガラス１
の着色部全面における C光源による透過率分布を測定し
たところ、約22〜27％程度であり、図８(b) に示すよう
になり、特に気になるような不均一な着色は観察されな
かった。次に、約−1.5 V の消色電圧を約１分間印加す
ると透過率は65〜68％程度に回復し、消色中も気になる
ような色ムラは観察されなかった。
前記端子LA，LBを介して駆動電源Suから約＋1.5 V の消
色電圧を約５分間印加して、この時のECD 調光ガラス１
の着色部全面における C光源による透過率分布を測定し
たところ、約22〜27％程度であり、図８(b) に示すよう
になり、特に気になるような不均一な着色は観察されな
かった。次に、約−1.5 V の消色電圧を約１分間印加す
ると透過率は65〜68％程度に回復し、消色中も気になる
ような色ムラは観察されなかった。
【００５２】実施例２
図５に示すように、上部透明電極（点線Ａ）上の対向す
る両端部に形成した銅箔または銅薄膜のバスバーJ ，J
を接続するようにニッケルメッキを施した約0.2mm φ、
長さ約44.5〜45mmの銅線からなる導電性のワイヤ−（２
点鎖線W ）を約5cm 間隔で５本並べたシ−トR を形成し
て低抵抗電極部の補助バスバ−とした他は、実施例１と
同様にしてECD 調光ガラス２を作製した。
る両端部に形成した銅箔または銅薄膜のバスバーJ ，J
を接続するようにニッケルメッキを施した約0.2mm φ、
長さ約44.5〜45mmの銅線からなる導電性のワイヤ−（２
点鎖線W ）を約5cm 間隔で５本並べたシ−トR を形成し
て低抵抗電極部の補助バスバ−とした他は、実施例１と
同様にしてECD 調光ガラス２を作製した。
【００５３】このECD 調光ガラス２に駆動電源Suから約
−1.5Vの消色電圧を約１分間印加して測定したリーク電
流は、約−0.8mA 程度であり、実施例１の場合よりもや
や増加した。リーク電流がやや大きいのは、図５に示す
ように、ニッケルメッキ銅線バスバーを設けた場所にお
いて圧力がかかり、上下透明電極A,B パタ−ンの重なり
部分に何らかの影響があるためと考えられる。
−1.5Vの消色電圧を約１分間印加して測定したリーク電
流は、約−0.8mA 程度であり、実施例１の場合よりもや
や増加した。リーク電流がやや大きいのは、図５に示す
ように、ニッケルメッキ銅線バスバーを設けた場所にお
いて圧力がかかり、上下透明電極A,B パタ−ンの重なり
部分に何らかの影響があるためと考えられる。
【００５４】該ECD 調光ガラス２に駆動電源Suから約＋
1.5Vの着色電圧を約２分間印加して、この時のECD 調光
ガラス２の着消色部全面における C光源による透過率分
布を測定したところ、約20〜23％程度であり、実施例１
と同様に、気になる不均一な着色は観察されなかった。
1.5Vの着色電圧を約２分間印加して、この時のECD 調光
ガラス２の着消色部全面における C光源による透過率分
布を測定したところ、約20〜23％程度であり、実施例１
と同様に、気になる不均一な着色は観察されなかった。
【００５５】次に、約−1.5Vの消色電圧を約１分間印加
すると透過率は約67〜70％程度に回復し、消色中も気に
なるような色ムラは観察されなかった。また、応答が約
2〜3倍に速くなったのは、上部ITO 膜にニッケルメッ
キ銅線バスバーを設けたため、上部ITO 膜のシ−ト抵抗
が見かけ上下がったためである。
すると透過率は約67〜70％程度に回復し、消色中も気に
なるような色ムラは観察されなかった。また、応答が約
2〜3倍に速くなったのは、上部ITO 膜にニッケルメッ
キ銅線バスバーを設けたため、上部ITO 膜のシ−ト抵抗
が見かけ上下がったためである。
【００５６】なお、補助電極として用いたニッケルメッ
キ銅線バスバーについては、これに限らず低抵抗の導体
であれば何でもよいが、導体の抵抗については１本当た
り約３Ω以下程度となるものが好ましい。３Ω程度以上
となると上部ITO 膜への補助電極としての効果が薄れ、
応答性の向上が少なくなる。さらにより好ましくは約0.
5 Ω前後程度以下（低ければ低いほどよい）である。
キ銅線バスバーについては、これに限らず低抵抗の導体
であれば何でもよいが、導体の抵抗については１本当た
り約３Ω以下程度となるものが好ましい。３Ω程度以上
となると上部ITO 膜への補助電極としての効果が薄れ、
応答性の向上が少なくなる。さらにより好ましくは約0.
5 Ω前後程度以下（低ければ低いほどよい）である。
【００５７】実施例３
図１に示したバスバーJ 、K の銅箔を貼り付けるシ−ト
R 上の位置に、銀ペ−ストによる銀薄膜またはマスク蒸
着により銅薄膜をコ−ティングした他は、実施例１と同
様にしてECD 調光ガラスを作製した。
R 上の位置に、銀ペ−ストによる銀薄膜またはマスク蒸
着により銅薄膜をコ−ティングした他は、実施例１と同
様にしてECD 調光ガラスを作製した。
【００５８】このECD 調光ガラスに駆動電源Suから約−
1.5Vの消色電圧を約１分間印加して測定したリーク電流
は、約−0.5mA 程度であった。このECD 調光ガラスに駆
動電源Suから約＋1.5Vの着色電圧を約５分間印加して、
この時のECD 調光ガラスの着消色部全面における C光源
による透過率分布を測定したところ、約21〜26％程度で
あり、実施例１と同様に、気になる不均一な着色は観察
されなかった。次に、約−1.5Vの消色電圧を約１分間印
加すると透過率は約65〜68％程度に回復し、消色中も気
になる色ムラは観察されなかった。
1.5Vの消色電圧を約１分間印加して測定したリーク電流
は、約−0.5mA 程度であった。このECD 調光ガラスに駆
動電源Suから約＋1.5Vの着色電圧を約５分間印加して、
この時のECD 調光ガラスの着消色部全面における C光源
による透過率分布を測定したところ、約21〜26％程度で
あり、実施例１と同様に、気になる不均一な着色は観察
されなかった。次に、約−1.5Vの消色電圧を約１分間印
加すると透過率は約65〜68％程度に回復し、消色中も気
になる色ムラは観察されなかった。
【００５９】比較例１
サイズを約25cm×15cmとし、断面がコの字型で長さが約
15cmのリン青銅またはステンレス製の導電性クリップH
（H1、H2）を２本用意し、この導電性クリップH ２本を
図９に示す様に素子基板端部の対抗する辺に装着し、こ
れにより導電性クリップH が上部、下部各電極層の取り
出し部を圧着するようにした他は、実施例１と同様にし
てECD 調光ガラスを作製した。
15cmのリン青銅またはステンレス製の導電性クリップH
（H1、H2）を２本用意し、この導電性クリップH ２本を
図９に示す様に素子基板端部の対抗する辺に装着し、こ
れにより導電性クリップH が上部、下部各電極層の取り
出し部を圧着するようにした他は、実施例１と同様にし
てECD 調光ガラスを作製した。
【００６０】このECD 調光ガラスに駆動電源Suから約−
1.5Vの消色電圧を約0.5 分間印加して測定したリーク電
流は、約−0.1mA 程度であった。このECD 調光ガラスに
駆動電源Suから約＋1.5Vの着色電圧を約３分間印加し
て、この時のECD 調光ガラスの着消色部全面における C
光源による透過率分布を測定したところ、約27〜35％程
度であり、図９の(a) および(b) に示すように、模式図
のような不均等な電流が流れ、平面図にあるような気に
なる不均一な着色が観察された。次に、約−1.5Vの消色
電圧を約0.5 分間印加すると透過率は、約65〜68％程度
に回復したが、消色中もやはり気になる色ムラが観察さ
れた。
1.5Vの消色電圧を約0.5 分間印加して測定したリーク電
流は、約−0.1mA 程度であった。このECD 調光ガラスに
駆動電源Suから約＋1.5Vの着色電圧を約３分間印加し
て、この時のECD 調光ガラスの着消色部全面における C
光源による透過率分布を測定したところ、約27〜35％程
度であり、図９の(a) および(b) に示すように、模式図
のような不均等な電流が流れ、平面図にあるような気に
なる不均一な着色が観察された。次に、約−1.5Vの消色
電圧を約0.5 分間印加すると透過率は、約65〜68％程度
に回復したが、消色中もやはり気になる色ムラが観察さ
れた。
【００６１】なお、本発明の調光ガラスの製造方法はEC
D について詳述したが、ECD 分野だけでなく、液晶（LC
D ）分野等これらに類する分野にも広く採用することが
可能であることは言うまでもない。
D について詳述したが、ECD 分野だけでなく、液晶（LC
D ）分野等これらに類する分野にも広く採用することが
可能であることは言うまでもない。
【００６２】比較例２
実施例１と同じ大きさで、断面がコの字型で長さが約25
cmのリン青銅またはステンレス製の導電性クリップH
（H1、H2）を４本用意し、この導電性クリップH４本を
図６に示す様に素子基板端部の対抗する辺に装着し、こ
れにより導電性クリップH が上部、下部各電極層の取り
出し部を圧着するようにした他は、実施例１と同様にし
てECD 調光ガラス４を作製した。
cmのリン青銅またはステンレス製の導電性クリップH
（H1、H2）を４本用意し、この導電性クリップH４本を
図６に示す様に素子基板端部の対抗する辺に装着し、こ
れにより導電性クリップH が上部、下部各電極層の取り
出し部を圧着するようにした他は、実施例１と同様にし
てECD 調光ガラス４を作製した。
【００６３】このECD 調光ガラスに駆動電源Suから約−
1.5Vの消色電圧を約１分間印加して測定したリーク電流
は、約−0.5mA 程度であった。このECD 調光ガラスに駆
動電源Suから約＋1.5Vの着色電圧を約５分間印加して、
この時のECD 調光ガラスの着消色部全面における C光源
による透過率分布を測定したところ、約30〜38％程度で
あり、比較例１と同様の傾向を示す不均等な電流が流
れ、気になる不均一な着色が観察された。次に、約−1.
5Vの消色電圧を約１分間印加すると透過率は、約67〜70
％程度に回復したが、消色中もやはり気になる色ムラが
観察された。
1.5Vの消色電圧を約１分間印加して測定したリーク電流
は、約−0.5mA 程度であった。このECD 調光ガラスに駆
動電源Suから約＋1.5Vの着色電圧を約５分間印加して、
この時のECD 調光ガラスの着消色部全面における C光源
による透過率分布を測定したところ、約30〜38％程度で
あり、比較例１と同様の傾向を示す不均等な電流が流
れ、気になる不均一な着色が観察された。次に、約−1.
5Vの消色電圧を約１分間印加すると透過率は、約67〜70
％程度に回復したが、消色中もやはり気になる色ムラが
観察された。
【００６４】なお、本発明の調光ガラスの製造方法はEC
D について詳述したが、ECD 分野だけでなく、液晶（LC
D ）分野等これらに類する分野にも広く採用することが
可能であることは言うまでもない。
D について詳述したが、ECD 分野だけでなく、液晶（LC
D ）分野等これらに類する分野にも広く採用することが
可能であることは言うまでもない。
【００６５】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、合わせガ
ラス用中間膜に電流の発熱等を利用して低抵抗電極部
（バスバー）を熱熔着させ、これを基板表面の端部の透
明電極層上に圧着し、この素子基板および封止基板によ
り封止するようにしたので、着消色が均一で良好な外観
をより長く持続でき、より長期的な耐久性を備え、長期
的安定性ならびに応答性が優れた調光ガラスをより生産
性よく製造することができ、コストダウンを図れる。
ラス用中間膜に電流の発熱等を利用して低抵抗電極部
（バスバー）を熱熔着させ、これを基板表面の端部の透
明電極層上に圧着し、この素子基板および封止基板によ
り封止するようにしたので、着消色が均一で良好な外観
をより長く持続でき、より長期的な耐久性を備え、長期
的安定性ならびに応答性が優れた調光ガラスをより生産
性よく製造することができ、コストダウンを図れる。
【００６６】また、一対の透明電極層の重なりがある領
域に前記貼着低抵抗電極部（バスバ−）に接続した前記
低抵抗電極部（補助バスバー）を設けることにより、さ
らに応答性が格段に優れた耐久性の良好な調光ガラスを
製造することができる。
域に前記貼着低抵抗電極部（バスバ−）に接続した前記
低抵抗電極部（補助バスバー）を設けることにより、さ
らに応答性が格段に優れた耐久性の良好な調光ガラスを
製造することができる。
【図１】実施例１にかかるECD 調光ガラスの概略断面図
である。
である。
【図２】図１の実施例１にかかるECD 調光ガラスのバス
バーのパターン等を示す概略平面図である。
バーのパターン等を示す概略平面図である。
【図３】図１の実施例１にかかるECD 調光ガラスの概略
斜視図である。
斜視図である。
【図４】実施例１にかかる中間膜へのバスバーの接着方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【図５】実施例２にかかるECD 調光ガラスのバスバ−と
補助バスバ−のパターン等を示す概略平面図である。
補助バスバ−のパターン等を示す概略平面図である。
【図６】従来の調光ガラスにおける基板端部に導電性ク
リップを装着した状態を示す概略平面図である。
リップを装着した状態を示す概略平面図である。
【図７】ECD 調光ガラスの概略断面図である。
【図８】本発明にかかるECD 調光ガラスにおいて電流Ｉ
が流れる様子を示す模式図：図８(a) 、およびこれによ
るECD 調光ガラスの着色状況を示す平面図：図８(b) で
ある。
が流れる様子を示す模式図：図８(a) 、およびこれによ
るECD 調光ガラスの着色状況を示す平面図：図８(b) で
ある。
【図９】比較例１のECD 調光ガラスにおいて電流Ｉが流
れる様子を示す模式図：図９(a) 、およびこれによるEC
D 調光ガラスの着色状況を示す平面図：図９(b) であ
る。
れる様子を示す模式図：図９(a) 、およびこれによるEC
D 調光ガラスの着色状況を示す平面図：図９(b) であ
る。
【符号の説明】１
・・・ECD 調光ガラス２
・・・ECD 調光ガラス４
・・・ECD 調光ガラス
Ａ・・・上部ITO 電極層
Ｂ・・・下部ITO 電極層
Ｅ・・・酸化タングステン層
Ｄ・・・イオン導電層
Ｃ・・・可逆的電解酸化層
ECD ・・エレクトロクロミック素子
Ｒ・・・シ−ト（合わせガラス用中間膜）
Ｓ・・・素子基板
Ｇ・・・封止基板
Ｈ・・・導電性クリップ
Ｊ・・・上部透明電極用の低抵抗電極部（バスバー）
Ｋ・・・下部透明電極用の低抵抗電極部（バスバー）
Ｊ’・・上部電極部（バスバー）の接続部
Ｋ’・・下部電極部（バスバー）の接続部
Ｉ・・・ECD 駆動電流
Ｗ・・・導電性のワイヤ−（補助バスバーの一例）
LA・・・Ｊ’からの外部配線の端子
LB・・・Ｋ’からの外部配線の端子
Su・・・駆動電源
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/15 502
C03C 27/12
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくともエレクトロクロミック層とこ
れを挟む一対の透明電極層とからなるエレクトロクロミ
ック素子を素子基板表面に形成した調光ガラスにおい
て、前記透明電極層上のバスバ−部に当たる低抵抗電極
部に対応する位置に予め低抵抗電極部を設けた合わせガ
ラス用中間膜を透明電極層上に重ねてなることを特徴と
する調光ガラス。 - 【請求項２】 前記低抵抗電極部が素子基板表面の端部
の位置の前記透明電極層上に形成された導電性の箔また
はワイヤ−からなり、その箔またはワイヤ−の一部が前
記合わせガラス用中間膜の縁から外側へ突出しており、
リ−ド線との接続部となることを特徴とする請求項１記
載の調光ガラス。 - 【請求項３】 一対の透明電極層の重なりがある領域の
上部透明電極層上に、前記低抵抗電極部に接続された導
電性のワイヤ−を配設してなることを特徴とする請求項
１乃至２記載の調光ガラス。 - 【請求項４】 少なくともエレクトロクロミック層とこ
れを挟む一対の透明電極層とからなるエレクトロクロミ
ック素子を素子基板表面に形成した調光ガラスの製造方
法において、前記透明電極層上にバスバ−部に当たる低
抵抗電極部を設けるために、該低抵抗電極部に対応する
位置に予め低抵抗電極部を設けた合わせガラス用中間膜
を前記透明電極層上に重ねることを特徴とする調光ガラ
スの製造方法。 - 【請求項５】 前記低抵抗電極部を、熱によって合わせ
ガラス用中間膜に貼着することを特徴とする請求項４記
載の調光ガラスの製造方法。 - 【請求項６】 前記合わせガラス用中間膜が、可塑化ポ
リビニールブチラール、もしくは変成エチレンビニール
アセテートであることを特徴とする請求項４乃至５記載
の調光ガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05311197A JP3534288B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 調光ガラスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05311197A JP3534288B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 調光ガラスおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10253995A JPH10253995A (ja) | 1998-09-25 |
| JP3534288B2 true JP3534288B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=12933697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05311197A Expired - Fee Related JP3534288B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 調光ガラスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3534288B2 (ja) |
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-
1997
- 1997-03-07 JP JP05311197A patent/JP3534288B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10253995A (ja) | 1998-09-25 |
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