JP3532978B2 - SiC単結晶の成長方法 - Google Patents
SiC単結晶の成長方法Info
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Description
法に関するものである。
バイスなどの基板ウェハとなる良質で大型のSiC単結
晶インゴットの成長方法に関するものである。
sなどに比べて大きく、物理的・化学的に安定であり高
温や放射線に耐えられる素材であるため、耐環境性半導
体素子材料としての応用が期待されている。また、短波
長の発光ダイオード材料としても利用されている。
iC基板ウェハは、改良レイリー法と呼ばれる昇華再結
晶法によって成長させたSiC単結晶インゴットから切
り出されている。従来は種結晶としてSiC単結晶の
{0001}ウェハ基板が用いられ、この{0001}
面上にSiC単結晶インゴットを成長させていた。この
成長インゴットから再び{0001}ウェハを切り出
し、このウェハを種結晶として成長を行ない、これを繰
り返すことによって口径の拡大やウェハの増産を図って
いた。しかしながら、J.Crystal Growt
h 128(1993)358−362に記載されてい
るように、このような従来の方法で成長したインゴット
から取り出されたSiC{0001}ウェハ中には、マ
イクロパイプ欠陥と呼ばれるウェハを貫通する直径数ミ
クロンのピンホールが102 〜103個/cm2 含まれ
ていた。IEEE ELECTRON DEVICE
LETTER 15(1994)63〜65に記載され
ているように、これらの欠陥は素子を作製したときに電
気リーク等を引き起こし、SiCの電子デバイス応用に
おける最も重大な問題となっていた。またこれ以外に
も、Phisica B185(1993)211〜2
16に記載されているように、種結晶から成長結晶に中
空の黒い線状欠陥(Channel)が伸び、ウェハの
品質を低下させていた。
パイプ欠陥の存在しない単結晶の成長方法が開示されて
いる。この方法によって得られるSiC{0001}ウ
ェハはこの種の欠陥はないものの、図1のように成長方
向に切り出すことになるため、{0001}ウェハの面
内に不純物むらやキャリア濃度の不均一が生じやすい。
さらに、得られるウェハの外形は円形とはなりにくく、
形状の加工が必要となる。
イプ欠陥の非常に少ない良質で大型のSiC単結晶を成
長させる方法を提供することを目的とする。
内においてSiC原料粉末を不活性気体雰囲気中で加熱
昇華させ原料よりやや低温になっている種結晶のSiC
単結晶基板上にSiC単結晶を成長させる昇華再結晶法
において、第1の種結晶として{0001}面から約6
0°〜約120°傾いたSiC単結晶の結晶面を使用し
て成長させた第1のSiC単結晶から、新たに{000
1}ウェハを取り出し、これを第2の種結晶とし再び上
記昇華再結晶法によって第2のSiC単結晶を成長させ
ることによって課題が解決される。
とき、その種結晶基板表面にマイクロパイプ欠陥を含ん
でいる場合、成長結晶にマイクロパイプ欠陥が引き継が
れてしまう。{0001}面上の成長で種結晶基板にこ
のようなマイクロパイプ欠陥が全く存在しなくとも、成
長初期にマイクロパイプ欠陥や転位の発生が起こる。こ
のため、一度成長した単結晶インゴットから再び{00
01}ウェハを取り出しこれを種結晶として成長を行な
うと、マイクロパイプ欠陥の数は一般にはその種結晶よ
りも増えてしまうことになる。
の成長で、マイクロパイプ欠陥のより少ない単結晶を成
長させるためには、種結晶としてマイクロパイプ欠陥が
存在しないまたは非常に少ない{0001}ウェハが必
要とされる。しかしながら現在入手可能なSiC単結晶
であるアチソン結晶は、確かにマイクロパイプ欠陥はほ
とんどなくこの欠陥の少ない良質な結晶を成長させるこ
とはできるが、結晶サイズが1cmと小さいため大口径
のインゴットを1度の成長で得ることはできない。
した方法、つまり{0001}面から約60°〜約12
0°傾いた結晶面を第1の種結晶として使用し、成長し
た単結晶インゴットから図1のように切り出した{00
01}ウェハを種結晶に用いれば良い。このウェハには
ウェハを貫通するマイクロパイプ欠陥は存在せず、種結
晶から伝わるマイクロパイプ欠陥を防ぐことができる。
また、この{0001}ウェハには貫通する転位なども
ほとんどないため、種結晶から伸びる黒色の欠陥の発生
も抑えられる。さらに、種結晶として使える{000
1}ウェハはアチソン結晶に比べ十分大きなものが得ら
れるため、これを使用した成長で容易に大型の結晶が成
長できる。
は、その成長方向の軸はより結晶対称性の良い軸が好ま
しい。これは成長結晶の品質と後の加工のしやすさに影
響する。その意味でさらに好ましい前記第1の種結晶は
{0001}面に垂直な結晶面
ためである。このとき、{0001}に垂直な結晶面と
は厳密に垂直を意味するのではなく、これより10°以
内の傾きならば同じ効果が期待できる。
説明する。図2は、本発明のSiC単結晶の成長方法に
おいて用いられる単結晶成長装置の一例を示すものであ
る。図に示されるように、該単結晶成長装置に使用され
る黒鉛製の坩堝は、有底の坩堝4とSiC基板種結晶8
の取り付け部7を有する前記坩堝4の開口部を覆う黒鉛
製の坩堝蓋6とにより構成され、坩堝4と坩堝蓋6の側
面および上下は黒鉛フィルト製の断熱材9により覆われ
ており、さらに真空排気装置により真空排気できかつ内
部雰囲気をArなどの不活性気体で圧力制御できる容器
に入れられている。加熱は、例えば容器外に巻装した高
周波誘導コイルなどにより行なう。坩堝温度の計測は、
例えば坩堝下部を覆うフェルトの中央部に直径2〜4m
mの光路10を設け坩堝下部の光を取り出し、二色温度
計を用いて常時行なう。この温度を原料温度とみなす。
予め上部フェルトに同じような光路を設け坩堝蓋の温度
を測定し、これを種結晶の温度とみなす。
面を説明した図である。本発明の第1の種結晶として使
用する結晶面は{0001}面から約60°〜120°
傾いた面であり、この傾き角は図中θで示される。この
所望の面を出したSiC単結晶の基板ウェハを種結晶と
して坩堝蓋に取り付け、例えば下記のように結晶成長を
行なう。
℃まで上げる。その後、不活性気体を流入させながら約
8×10 4 Paに保ち、原料温度を目標温度に上昇させ
る。減圧は、10〜90分かけて行ない、雰囲気圧力を
1.3×10 2 〜6.7×10 3 Pa、より好ましくは
6.7×10 2 〜2.7×10 3 Pa、原料温度を21
00〜2500℃、より好ましくは2200〜2400
℃に設定し成長を開始するのが望ましい。これより低温
では原料が気化しずらくなり、これより高温では熱エッ
チングなどにより良質の単結晶が成長しずらくなる。ま
た、種結晶温度は原料温度より40〜100℃、より好
ましくは50〜70℃低く、温度勾配は5〜25℃/c
m、より好ましくは10〜20℃/hとなるように設定
するのが望ましい。さらに、温度と圧力の関係は、単結
晶の成長速度が0.5〜1.5mm/h、より好ましく
は、0.8〜1.3mm/hとなるようにすることが望
ましい。これより高速では結晶品質が低下するため適当
ではなく、これより低速では生産性が良くない。
のように切断し、研磨加工を行ない{0001}ウェハ
を作製する。このウェハを第2の成長の種結晶として使
用し、{0001}面上に例えば上記と同じ成長条件で
成長を行なう。この{0001}ウェハは成長に悪影響
がなければ、{0001}面から20°程度傾いていて
も構わない。
以下の手順で行なった。作製した単結晶インゴットを切
断、研磨によって{0001}ウェハに加工する。この
時、ウェハに加工歪が残らないように注意する。エッチ
ングは、約530度のKOH融液で約10分間行った。
エッチング後、ノマルスキー微分干渉顕微鏡により発生
したエッチピット個数を計測した。この時大型の正六角
形のエッチピットがマイクロパイプ欠陥に対応する。ま
た前後に偏光板を取り付けた透過型の偏光顕微鏡の観測
によっても、切り出した{0001}ウェハのマイクロ
パイプ欠陥は伴う結晶歪に対応するコントラストによっ
て計測できる。また、結晶のホール測定はファン・デル
・ポー法によって行った。
Paとして単結晶成長を行なった。得られた単結晶イン
ゴットから{0001}ウェハを取り出し、このウェハ
を種結晶として再び同じ成長条件で成長を行なった。成
長インゴットから{0001}ウェハを取り出し、エッ
チングや偏光顕微鏡で観測したところ、マイクロパイプ
欠陥は平均して100個/cm2 以下と非常に少ない
値を示した。またウェハ内にはこの欠陥が全く存在して
いない領域も多く見られた。さらに、種結晶付近に通常
に見られる黒色の線状欠陥がこの結晶ではほとんど見ら
れなかった。またホール測定によってウェハの面内分布
を調べると、キャリア濃度は面内でほぼ均一であった。
使用して、原料温度を2370℃、種結晶温度を231
0℃、雰囲気圧力を2.7×10 3 Paとして単結晶成
長を行なった。得られた単結晶インゴットから{000
1}ウェハを取り出し、このウェハを種結晶として再び
同じ成長条件で成長を行なった。成長インゴットから
{0001}ウェハを取り出し、エッチングや偏光顕微
鏡で観測したところ、マイクロパイプ欠陥は平均して1
00/cm2 以下と少ない値を示した。さらに、種結
晶付近に通常見られる黒色の線状欠陥はこの結晶ではほ
とんど見られなかった。またホール測定によってウェハ
の面内分布を調べると、キャリア濃度は面内でほぼ均一
であった。
使用して、原料温度を2370℃、種結晶温度を231
0℃、雰囲気圧力を2.7×10 3 Paとして単結晶成
長を行なった。得られた単結晶インゴットから{000
1}ウェハを取り出し、このウェハを種結晶として再び
同じ成長条件で成長を行なった。成長インゴットから
{0001}ウェハを取り出し、エッチングや偏光顕微
鏡で観測したところ、マイクロパイプ欠陥は平均して2
00/cm2 以下と少ない値を示した。さらに、種結
晶付近に通常見られる黒色の線状欠陥はこの結晶ではほ
とんど見られなかった。またホール測定によってウェハ
の面内分布を調べると、キャリア濃度は面内でほぼ均一
であった。
を使用して、原料温度を2370℃、種結晶温度を23
10℃、雰囲気圧力を2.7×10 3 Paとして単結晶
成長を行なった。得られた単結晶インゴットから{00
01}ウェハを取り出し、このウェハを種結晶として再
び同じ成長条件で成長を行なった。成長インゴットから
{0001}ウェハを取り出し、エッチングや偏光顕微
鏡で観測したところ、マイクロパイプ欠陥は平均して2
00/cm2 以下と少ない値を示した。さらに、種結
晶付近に通常見られる黒色の線状欠陥はこの結晶ではほ
とんど見られなかった。またホール測定によってウェハ
の面内分布を調べると、キャリア濃度は面内でほぼ均一
であった。
40℃、種結晶温度を2280℃、雰囲気圧力を1.3
×10 3 Paとして単結晶成長を行なった。得られた単
結晶インゴットから{0001}ウェハを取り出した。
ウェハには非常に多くのマイクロパイプ欠陥が含まれて
いた。このウェハを種結晶として再び同じ成長条件で成
長を行なった。成長インゴットから{0001}ウェハ
を取り出し、エッチングや偏光顕微鏡で観測したとこ
ろ、マイクロパイプ欠陥は平均して102 〜103
個/cm2 と非常に多い値を示していた。さらに、種
結晶の近くから切り出したウェハには黒い線状欠陥が含
まれていた。
使用して、原料温度を2370℃、種結晶温度を221
0℃、雰囲気圧力を2.7×10 3 Paとして単結晶成
長を行なった。得られた単結晶インゴットから{000
1}ウェハを取り出した。ウェハには多くのマイクロパ
イプ欠陥や黒い線状欠陥が含まれていた。このウェハを
種結晶として再び同じ成長条件で成長を行った。成長イ
ンゴットから{0001}ウェハを取り出し、エッチン
グや偏光顕微鏡で観測したところ、マイクロパイプ欠陥
は平均して102 〜103 個/cm2 と非常に多
い上、黒い線状欠陥も多数見られた。
のSiC単結晶を用いた電子デバイスの各種応用面に有
用なマイクロパイプ欠陥の少ない大口径単結晶ウェハの
供給を可能とする。
結晶の成長装置の一例の構造を模式的に示す断面図であ
る。
した図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 黒鉛製の坩堝内においてSiC原料粉末
を不活性気体雰囲気中で加熱昇華させ原料よりやや低温
になっている種結晶のSiC単結晶基板上にSiC単結
晶を成長させる昇華再結晶法において、{0001}面
から約60°〜約120°傾いたSiC単結晶の結晶面
を第1の種結晶として使用して成長させた第1のSiC
単結晶から、新たに{0001}ウェハを取り出し、こ
れを第2の種結晶とし再び上記昇華再結晶法によって第
2のSiC単結晶を成長させる方法。 - 【請求項2】 {0001}面に垂直な結晶面を第1の
種結晶として使用する請求項1に記載の方法。 【外1】 の方法。
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- 1994-11-21 JP JP28695694A patent/JP3532978B2/ja not_active Expired - Lifetime
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