JP3532397B2 - 熱分解窒化ホウ素製円錐筒およびその製造方法 - Google Patents
熱分解窒化ホウ素製円錐筒およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3532397B2 JP3532397B2 JP29948397A JP29948397A JP3532397B2 JP 3532397 B2 JP3532397 B2 JP 3532397B2 JP 29948397 A JP29948397 A JP 29948397A JP 29948397 A JP29948397 A JP 29948397A JP 3532397 B2 JP3532397 B2 JP 3532397B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron nitride
- conical cylinder
- pyrolytic boron
- molecular beam
- conical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、分子線エピタキシ
ー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ，
以下ＭＢＥと略称する。）法において分子線源を収容す
る容器（分子線源容器）の分子線放出口に設置される底
の開いた逆円錐形の熱分解窒化ホウ素製円錐筒に関する
ものである。
ー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ，
以下ＭＢＥと略称する。）法において分子線源を収容す
る容器（分子線源容器）の分子線放出口に設置される底
の開いた逆円錐形の熱分解窒化ホウ素製円錐筒に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＢＥ法は、薄膜成長室を１０−６〜１
０−１１ Ｔｏｒｒ（１．３３×１０ −４ 〜１．３３×
１０ −９ Ｐａ）という超高真空とし、分子線源となる
原料を充填した容器を例えば５００℃〜１５００℃に加
熱して、溶融原料から発生する分子線を加熱された基板
上に当てることにより、数原子層レベルの制御が可能な
薄膜の製造方法である。特に、ＧａＡｓ等の化合物半導
体のエピタキシャル膜の製造には広く用いられており、
分子線源容器の材質としては純度、耐熱性、強度等の点
から化学気相蒸着（以下、ＣＶＤと略称する。）反応に
よる熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）が広く用いられてい
る。
０−１１ Ｔｏｒｒ（１．３３×１０ −４ 〜１．３３×
１０ −９ Ｐａ）という超高真空とし、分子線源となる
原料を充填した容器を例えば５００℃〜１５００℃に加
熱して、溶融原料から発生する分子線を加熱された基板
上に当てることにより、数原子層レベルの制御が可能な
薄膜の製造方法である。特に、ＧａＡｓ等の化合物半導
体のエピタキシャル膜の製造には広く用いられており、
分子線源容器の材質としては純度、耐熱性、強度等の点
から化学気相蒸着（以下、ＣＶＤと略称する。）反応に
よる熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）が広く用いられてい
る。
【０００３】従来、このようなＭＢＥ法においては、長
時間にわたり操業すると、原料金属が毛細管現象等によ
って容器内壁面を伝わって這い上がり、容器外に漏出し
てヒーターその他の加熱部材、炉内部材に付着して、こ
れらを腐食、変質せしめたり、破損やヒーターの短絡を
生じたりすると言うトラブルを起こしていた。特に、蒸
発、飛散した原料金属が、低温の容器内壁面の上部に付
着し易く、このような容器上部に付着したものは、時間
の経過と共に容器内壁を伝わって這い上がり、直接容器
外に漏出したり、あるいは原料融液に落下して原料の液
滴をまき散らすこともある。
時間にわたり操業すると、原料金属が毛細管現象等によ
って容器内壁面を伝わって這い上がり、容器外に漏出し
てヒーターその他の加熱部材、炉内部材に付着して、こ
れらを腐食、変質せしめたり、破損やヒーターの短絡を
生じたりすると言うトラブルを起こしていた。特に、蒸
発、飛散した原料金属が、低温の容器内壁面の上部に付
着し易く、このような容器上部に付着したものは、時間
の経過と共に容器内壁を伝わって這い上がり、直接容器
外に漏出したり、あるいは原料融液に落下して原料の液
滴をまき散らすこともある。
【０００４】また、従来、このようなＭＢＥ法におい
て、長時間にわたって操業すると、円錐形の分子線源容
器では、原料仕込み量が少なく、頻繁に原料をチャージ
する必要があるし、円筒形の容器でも原料の液面レベル
が変わり、発生する分子ビームの状況が変化してしま
う。このようなことが起こると、長時間操業する内に生
成エピタキシャル膜質が変化したり、欠陥が形成される
等、長時間の安定運転ができないと言った不都合も生じ
るようになる。
て、長時間にわたって操業すると、円錐形の分子線源容
器では、原料仕込み量が少なく、頻繁に原料をチャージ
する必要があるし、円筒形の容器でも原料の液面レベル
が変わり、発生する分子ビームの状況が変化してしま
う。このようなことが起こると、長時間操業する内に生
成エピタキシャル膜質が変化したり、欠陥が形成される
等、長時間の安定運転ができないと言った不都合も生じ
るようになる。
【０００５】このような問題点を解決するために、分子
線源を収容する容器の分子線放出口に底の開いた逆円錐
形の熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）製円錐筒を設置して、
分子線ビーム形状を常に一定に保ち、さらに、ＰＢＮの
上にＰＧ（熱分解グラファイト）を複合し、電流を流し
てヒータとして加熱し、分子線原料がドロップとして付
着することを防止するといった提案がなされている（特
開平５−８５８８８号公報参照）。しかし、このような
方法では、高温下に電力を供給するため構造が複雑にな
り、ショート、断線等故障の原因になり易い。また、異
質な材料であるＰＢＮとＰＧとを複合化するため、複合
膜がヒートサイクルで使用中に剥離が発生し破損すると
か、製造工程が長くコストが嵩むといった不具合があっ
た。
線源を収容する容器の分子線放出口に底の開いた逆円錐
形の熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）製円錐筒を設置して、
分子線ビーム形状を常に一定に保ち、さらに、ＰＢＮの
上にＰＧ（熱分解グラファイト）を複合し、電流を流し
てヒータとして加熱し、分子線原料がドロップとして付
着することを防止するといった提案がなされている（特
開平５−８５８８８号公報参照）。しかし、このような
方法では、高温下に電力を供給するため構造が複雑にな
り、ショート、断線等故障の原因になり易い。また、異
質な材料であるＰＢＮとＰＧとを複合化するため、複合
膜がヒートサイクルで使用中に剥離が発生し破損すると
か、製造工程が長くコストが嵩むといった不具合があっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題点に鑑みなされたもので、長時間操業をしても分子
線が安定して発生し、しかも安定使用が可能な熱分解窒
化ホウ素製円錐筒を、簡単かつ低コストで提供し、分子
線エピタキシー操業の安定化とエピタキシャル膜の品質
向上をはかることを主目的とする。
問題点に鑑みなされたもので、長時間操業をしても分子
線が安定して発生し、しかも安定使用が可能な熱分解窒
化ホウ素製円錐筒を、簡単かつ低コストで提供し、分子
線エピタキシー操業の安定化とエピタキシャル膜の品質
向上をはかることを主目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、本発明は、分子線エピタキシー用分子線源容器
の開口部に配置される熱分解窒化ホウ素製円錐筒におい
て、該熱分解窒化ホウ素製円錐筒の波数が２６００ｃｍ
−１〜６５００ｃｍ−１の光の透過率が、２０％以下で
あることを特徴とする熱分解窒化ホウ素製円錐筒であ
る。
るため、本発明は、分子線エピタキシー用分子線源容器
の開口部に配置される熱分解窒化ホウ素製円錐筒におい
て、該熱分解窒化ホウ素製円錐筒の波数が２６００ｃｍ
−１〜６５００ｃｍ−１の光の透過率が、２０％以下で
あることを特徴とする熱分解窒化ホウ素製円錐筒であ
る。
【０００８】このように、分子線エピタキシー用分子線
源容器の開口部に配置される熱分解窒化ホウ素製円錐筒
のＩＲ透過率を２０％以下にすることにより、外部ヒー
タからの放射熱を吸収して、該円錐筒の温度を従来より
高くすることができる。こうして、該円錐筒における飛
散した原料の付着を効果的に抑制し、長期にわたって安
定的に分子線を発生させると共に、生成したエピタキシ
ャル膜の表面欠陥を極めて少ないものとすることができ
る。
源容器の開口部に配置される熱分解窒化ホウ素製円錐筒
のＩＲ透過率を２０％以下にすることにより、外部ヒー
タからの放射熱を吸収して、該円錐筒の温度を従来より
高くすることができる。こうして、該円錐筒における飛
散した原料の付着を効果的に抑制し、長期にわたって安
定的に分子線を発生させると共に、生成したエピタキシ
ャル膜の表面欠陥を極めて少ないものとすることができ
る。
【０００９】この円錐筒のＩＲ透過率が２０％を超える
と放射光が吸収されずに透過してしまい、円錐筒の温度
を十分高くすることができなくなってしまう。そして、
円錐筒の温度が低くなると原料の付着が激しくなり、こ
れが原料融液に滴下して、いわゆるドロップ現象を起こ
し、エピタキシャル膜質低下の原因となる。通常のＰＢ
ＮのＩＲ透過率は、２０％を越えているので放射光を吸
収せず低温化してしまう。そうすると原料の付着やドロ
ップ現象が激しくなるので、円錐筒の透過率を２０％以
下に設定して吸収率を上げ、温度低下を防止することが
できる。
と放射光が吸収されずに透過してしまい、円錐筒の温度
を十分高くすることができなくなってしまう。そして、
円錐筒の温度が低くなると原料の付着が激しくなり、こ
れが原料融液に滴下して、いわゆるドロップ現象を起こ
し、エピタキシャル膜質低下の原因となる。通常のＰＢ
ＮのＩＲ透過率は、２０％を越えているので放射光を吸
収せず低温化してしまう。そうすると原料の付着やドロ
ップ現象が激しくなるので、円錐筒の透過率を２０％以
下に設定して吸収率を上げ、温度低下を防止することが
できる。
【００１０】そして、本発明では、熱分解窒化ホウ素製
円錐筒の波数が２６００ｃｍ−１〜６５００ｃｍ−１の
光の透過率を２０％以下にするのに、熱分解窒化ホウ素
製円錐筒の外表面の粗さを粗し、前記光の透過率を２０
％以下とすることができる。また、本発明は、ＣＶＤ反
応によって得られた熱分解窒化ホウ素製円錐筒の成形体
の外表面を粗し、外表面における光の散乱量を調整する
ことによって、該円錐筒の２６００ｃｍ−１〜６５００
ｃｍ−１の光の透過率を２０％以下にする、ことを特徴
とする熱分解窒化ホウ素製円錐筒の製造方法である。
円錐筒の波数が２６００ｃｍ−１〜６５００ｃｍ−１の
光の透過率を２０％以下にするのに、熱分解窒化ホウ素
製円錐筒の外表面の粗さを粗し、前記光の透過率を２０
％以下とすることができる。また、本発明は、ＣＶＤ反
応によって得られた熱分解窒化ホウ素製円錐筒の成形体
の外表面を粗し、外表面における光の散乱量を調整する
ことによって、該円錐筒の２６００ｃｍ−１〜６５００
ｃｍ−１の光の透過率を２０％以下にする、ことを特徴
とする熱分解窒化ホウ素製円錐筒の製造方法である。
【００１１】このように、ＩＲ透過率が２０％以下の熱
分解窒化ホウ素製円錐筒は、円錐筒の外表面の粗さを粗
くして、外表面で輻射光を散乱させることによって、製
造することができる。そしてこの場合、熱分解窒化ホウ
素製円錐筒自体が２０％以下のＩＲ透過率を有すること
になるので、前記ＰＧと複合する場合のように、不純物
による汚染や複合膜の剥離といった問題を解決できると
ともに、製造工程も簡単かつ低コストで良質の熱分解窒
化ホウ素製円錐筒を作製することができる。
分解窒化ホウ素製円錐筒は、円錐筒の外表面の粗さを粗
くして、外表面で輻射光を散乱させることによって、製
造することができる。そしてこの場合、熱分解窒化ホウ
素製円錐筒自体が２０％以下のＩＲ透過率を有すること
になるので、前記ＰＧと複合する場合のように、不純物
による汚染や複合膜の剥離といった問題を解決できると
ともに、製造工程も簡単かつ低コストで良質の熱分解窒
化ホウ素製円錐筒を作製することができる。
【００１２】次に、本発明は、前記した熱分解窒化ホウ
素製円錐筒であって、熱分解窒化ホウ素にＮ、Ｂ以外の
元素をドープし、そのドープ層の厚さ、面積、ドープ濃
度を調整して、前記光の透過率を２０％以下としたこと
を特徴とするものである。また、本発明は、ＣＶＤ反応
による生成物をグラファイト製の心金上に蒸着させ、そ
の後心金と分離することによって成形体を得る熱分解窒
化ホウ素製円錐筒の製造方法において、少なくともＣＶ
Ｄ反応時に炉内にドープガスを導入することによって、
熱分解窒化ホウ素中にドープ層を形成する工程を有し、
このドープ層の厚さ、面積、ドープ濃度を調整すること
によって、該円錐筒の２６００ｃｍ−１〜６５００ｃｍ
−１の光の透過率を２０％以下にすることを特徴とする
熱分解窒化ホウ素製円錐筒の製造方法である。
素製円錐筒であって、熱分解窒化ホウ素にＮ、Ｂ以外の
元素をドープし、そのドープ層の厚さ、面積、ドープ濃
度を調整して、前記光の透過率を２０％以下としたこと
を特徴とするものである。また、本発明は、ＣＶＤ反応
による生成物をグラファイト製の心金上に蒸着させ、そ
の後心金と分離することによって成形体を得る熱分解窒
化ホウ素製円錐筒の製造方法において、少なくともＣＶ
Ｄ反応時に炉内にドープガスを導入することによって、
熱分解窒化ホウ素中にドープ層を形成する工程を有し、
このドープ層の厚さ、面積、ドープ濃度を調整すること
によって、該円錐筒の２６００ｃｍ−１〜６５００ｃｍ
−１の光の透過率を２０％以下にすることを特徴とする
熱分解窒化ホウ素製円錐筒の製造方法である。
【００１３】このように、ＩＲ透過率が２０％以下であ
る熱分解窒化ホウ素製円錐筒は、熱分解窒化ホウ素をＣ
ＶＤ反応生成する際に、ドープガスを導入することによ
ってドープ層を形成し、このドープ層の厚さ、面積、ド
ープ濃度を調整することによっても作製することができ
る。そしてこの場合も、熱分解窒化ホウ素の物性を変化
させることによってＩＲ透過率を２０％以下にすること
になるので、前記ＰＧのような他の材料と複合する場合
のように、不純物による汚染や複合膜の剥離といった問
題を解決できると共に、製造工程も簡単かつ低コストで
良質の熱分解窒化ホウ素製円錐筒を作製することができ
る。
る熱分解窒化ホウ素製円錐筒は、熱分解窒化ホウ素をＣ
ＶＤ反応生成する際に、ドープガスを導入することによ
ってドープ層を形成し、このドープ層の厚さ、面積、ド
ープ濃度を調整することによっても作製することができ
る。そしてこの場合も、熱分解窒化ホウ素の物性を変化
させることによってＩＲ透過率を２０％以下にすること
になるので、前記ＰＧのような他の材料と複合する場合
のように、不純物による汚染や複合膜の剥離といった問
題を解決できると共に、製造工程も簡単かつ低コストで
良質の熱分解窒化ホウ素製円錐筒を作製することができ
る。
【００１４】この場合、元素をドープしたドープ層を、
円錐筒の内外表面に露出しないようにすれば、原料融液
がドーパントによって汚染される危険性はない。このド
ープ層の露出を避けるにはＣＶＤ反応の中間でドープガ
スを導入すればよく、極めて簡単に行うことができる。
そして、このような熱分解窒化ホウ素にドープする元素
としては、Ｓｉ，Ｃ，Ａｌから選択される１種以上のも
のとするのが好ましい。これらは、ＩＲの吸収率が高
く、かつ、簡単にドープ出来るからである。ただし、本
発明において使用可能なドープ元素としてはこれらに限
定されるものではない。
円錐筒の内外表面に露出しないようにすれば、原料融液
がドーパントによって汚染される危険性はない。このド
ープ層の露出を避けるにはＣＶＤ反応の中間でドープガ
スを導入すればよく、極めて簡単に行うことができる。
そして、このような熱分解窒化ホウ素にドープする元素
としては、Ｓｉ，Ｃ，Ａｌから選択される１種以上のも
のとするのが好ましい。これらは、ＩＲの吸収率が高
く、かつ、簡単にドープ出来るからである。ただし、本
発明において使用可能なドープ元素としてはこれらに限
定されるものではない。
【００１５】以下、本発明につき更に詳述するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。本発明者らはＭ
ＢＥ法における大容量のルツボで分子線の発生を安定化
させるために、分子線放出部に設置される底の開いた逆
円錐形円錐筒で、原料融液の這い上がり現象、容器上部
での付着を抑制するために種々検討した結果、これには
熱分解窒化ホウ素製円錐筒自体の輻射線の透過率を２０
％以下にすることが有効であることを見出し、本発明を
完成させたものである。
明はこれらに限定されるものではない。本発明者らはＭ
ＢＥ法における大容量のルツボで分子線の発生を安定化
させるために、分子線放出部に設置される底の開いた逆
円錐形円錐筒で、原料融液の這い上がり現象、容器上部
での付着を抑制するために種々検討した結果、これには
熱分解窒化ホウ素製円錐筒自体の輻射線の透過率を２０
％以下にすることが有効であることを見出し、本発明を
完成させたものである。
【００１６】ここで、本発明の円錐筒を装着した分子線
発生装置を用いるＭＢＥ成長方法を図１により説明して
おく。ＭＢＥ装置７は、チャンバー８内にセットされた
ウエーハ９と分子線発生装置１とから構成され、分子線
発生装置１は本発明のＰＢＮ製円錐筒３を装着したＰＢ
Ｎ製分子線源容器２を内蔵し、該容器２内の分子線原料
６をヒータ４で加熱して分子線を発生させている。この
分子線は該容器２から円錐筒３を通して、ウエーハ９に
向かって放出され、ウエーハ表面にエピタキシャル膜を
析出、成長させている。分子線原料６の温度は熱電対５
で測定し温度制御を行っている。
発生装置を用いるＭＢＥ成長方法を図１により説明して
おく。ＭＢＥ装置７は、チャンバー８内にセットされた
ウエーハ９と分子線発生装置１とから構成され、分子線
発生装置１は本発明のＰＢＮ製円錐筒３を装着したＰＢ
Ｎ製分子線源容器２を内蔵し、該容器２内の分子線原料
６をヒータ４で加熱して分子線を発生させている。この
分子線は該容器２から円錐筒３を通して、ウエーハ９に
向かって放出され、ウエーハ表面にエピタキシャル膜を
析出、成長させている。分子線原料６の温度は熱電対５
で測定し温度制御を行っている。
【００１７】本発明の円錐筒３は、これを装着すること
で、ＰＢＮ製分子線源容器２内の原料融液６が、該容器
２の内壁を這い上がったり、ドロップ状に付着し落下し
て分子線の安定均一な放出を乱しているのを防止しよう
としている。そこで、熱分解窒化ホウ素製円錐筒自体の
ＩＲ透過率を２０％以下のものとすれば、前述の複合膜
を被覆してＰＢＮ・ＰＧ複合円錐筒とする場合のよう
な、不純物汚染やヒータショートあるいは複合膜の剥離
といった問題を解決することができるとともに、円錐筒
の製造工程も簡単で、低コスト化をはかることもでき
る。
で、ＰＢＮ製分子線源容器２内の原料融液６が、該容器
２の内壁を這い上がったり、ドロップ状に付着し落下し
て分子線の安定均一な放出を乱しているのを防止しよう
としている。そこで、熱分解窒化ホウ素製円錐筒自体の
ＩＲ透過率を２０％以下のものとすれば、前述の複合膜
を被覆してＰＢＮ・ＰＧ複合円錐筒とする場合のよう
な、不純物汚染やヒータショートあるいは複合膜の剥離
といった問題を解決することができるとともに、円錐筒
の製造工程も簡単で、低コスト化をはかることもでき
る。
【００１８】本発明者らはまず、ＭＢＥ法の円錐筒にお
いて問題となる輻射線の波数について検討してみた。Ｍ
ＢＥ法でビーム源を発生させるのに用いられる温度領域
は約５００〜１，６００℃とされるが、この時の最大エ
ネルギー伝熱波長λmax は、下記の（１）式で表され
る。 λmax ＝２，８９８（μｍ・Ｋ）／Ｔ ・・・・（１） （ここでＴは絶対温度である。） そこで、上記温度領域について、（１）式からλmax を
求め、これを波数に換算すると、２６００ｃｍ-1〜６５
００ｃｍ-1という値が得られる。したがって、この２６
００ｃｍ-1〜６５００ｃｍ-1の光の透過率を下げ、吸収
を上げることによって、円錐筒の熱吸収を上げることが
可能となる。
いて問題となる輻射線の波数について検討してみた。Ｍ
ＢＥ法でビーム源を発生させるのに用いられる温度領域
は約５００〜１，６００℃とされるが、この時の最大エ
ネルギー伝熱波長λmax は、下記の（１）式で表され
る。 λmax ＝２，８９８（μｍ・Ｋ）／Ｔ ・・・・（１） （ここでＴは絶対温度である。） そこで、上記温度領域について、（１）式からλmax を
求め、これを波数に換算すると、２６００ｃｍ-1〜６５
００ｃｍ-1という値が得られる。したがって、この２６
００ｃｍ-1〜６５００ｃｍ-1の光の透過率を下げ、吸収
を上げることによって、円錐筒の熱吸収を上げることが
可能となる。
【００１９】そして、例えば熱源として分子線源容器を
囲繞するように配置したタンタルヒータのような抵抗加
熱方式を用いた場合には、熱は輻射熱により円錐筒外部
より供給されることになるが、この輻射線が円錐筒であ
る熱分解窒化ホウ素に吸収されずに透過すると、原料が
存在する分子線源容器の底部側だけが加熱されることに
なり、分子線源容器上部と円錐筒は低温化してしまう。
そこで、熱分解窒化ホウ素製円錐筒の２６００ｃｍ-1〜
６５００ｃｍ-1の光の透過率を、２０％以下にすれば、
円錐筒の温度を高く保つことができ、この部分での原料
金属の付着を抑制することができる。原料が円錐筒や分
子線源容器に付着してドロップを形成してしまうと、ビ
ームの不安定化、ひいてはヒータのショート等が起こる
可能性がある。
囲繞するように配置したタンタルヒータのような抵抗加
熱方式を用いた場合には、熱は輻射熱により円錐筒外部
より供給されることになるが、この輻射線が円錐筒であ
る熱分解窒化ホウ素に吸収されずに透過すると、原料が
存在する分子線源容器の底部側だけが加熱されることに
なり、分子線源容器上部と円錐筒は低温化してしまう。
そこで、熱分解窒化ホウ素製円錐筒の２６００ｃｍ-1〜
６５００ｃｍ-1の光の透過率を、２０％以下にすれば、
円錐筒の温度を高く保つことができ、この部分での原料
金属の付着を抑制することができる。原料が円錐筒や分
子線源容器に付着してドロップを形成してしまうと、ビ
ームの不安定化、ひいてはヒータのショート等が起こる
可能性がある。
【００２０】そして、本発明者らはこのＭＢＥ法で用い
られる熱分解窒化ホウ素製円錐筒自体に、２６００ｃｍ
-1〜６５００ｃｍ-1の光の透過率を２０％以下にする方
法として、次の二つの方法を開発した。その（１）はＰ
ＢＮの外表面の粗さを変化させ、光の散乱量を変化させ
る方法であり、その（２）はＰＢＮに元素をドープし、
そのドープ層の厚さ、面積、ドープ濃度を変化させる方
法である。
られる熱分解窒化ホウ素製円錐筒自体に、２６００ｃｍ
-1〜６５００ｃｍ-1の光の透過率を２０％以下にする方
法として、次の二つの方法を開発した。その（１）はＰ
ＢＮの外表面の粗さを変化させ、光の散乱量を変化させ
る方法であり、その（２）はＰＢＮに元素をドープし、
そのドープ層の厚さ、面積、ドープ濃度を変化させる方
法である。
【００２１】以下、これらの方法につき一つずつ詳述す
る。 （１）ＰＢＮ円錐筒の外表面を粗し、光の散乱量を変化
させる方法。 ＰＢＮ円錐筒の２６００ｃｍ-1〜６５００ｃｍ-1の光の
透過率、吸光係数は、ＰＢＮの表面状態、すなわち表面
の粗さを調整することによって変化する。例えば、ＰＢ
Ｎの表面粗さと２６００ｃｍ-1〜６５００ｃｍ-1の光の
透過率、吸光係数との関係を調査した結果を表１に示
す。
る。 （１）ＰＢＮ円錐筒の外表面を粗し、光の散乱量を変化
させる方法。 ＰＢＮ円錐筒の２６００ｃｍ-1〜６５００ｃｍ-1の光の
透過率、吸光係数は、ＰＢＮの表面状態、すなわち表面
の粗さを調整することによって変化する。例えば、ＰＢ
Ｎの表面粗さと２６００ｃｍ-1〜６５００ｃｍ-1の光の
透過率、吸光係数との関係を調査した結果を表１に示
す。
【００２２】
【表１】
【００２３】これは物質としての吸光係数が１．２と
２．２であるＰＢＮの表面を、ＣＶＤ反応で析出させた
ままのもの（アズデポ）、＃３２０の粗いＡｌ2 Ｏ3 ペ
ーパーで磨いたもの、＃１２００の細かいＡｌ2 Ｏ3 ペ
ーパーで磨いたものとで、みかけ上の光の透過率、吸光
係数がどのように変わるかを示したものである。
２．２であるＰＢＮの表面を、ＣＶＤ反応で析出させた
ままのもの（アズデポ）、＃３２０の粗いＡｌ2 Ｏ3 ペ
ーパーで磨いたもの、＃１２００の細かいＡｌ2 Ｏ3 ペ
ーパーで磨いたものとで、みかけ上の光の透過率、吸光
係数がどのように変わるかを示したものである。
【００２４】表１から明らかなように、アズデポでは物
質固有の吸光係数と、みかけの吸光係数との差が小さ
く、その表面における光の散乱は余り起こっていないも
のと思われる。一方、表面を粗い＃３２０のペーパーで
磨いたものは、その表面が粗いために光の散乱量が多
く、みかけの吸光係数が著しく大きくなり、透過率が下
がる。また、表面を＃１２００のペーパーで磨いたもの
は、その表面が＃３２０のものより細かくなるので、光
の散乱量が減少し、みかけの吸光係数が下がり、透過率
が上がっている。
質固有の吸光係数と、みかけの吸光係数との差が小さ
く、その表面における光の散乱は余り起こっていないも
のと思われる。一方、表面を粗い＃３２０のペーパーで
磨いたものは、その表面が粗いために光の散乱量が多
く、みかけの吸光係数が著しく大きくなり、透過率が下
がる。また、表面を＃１２００のペーパーで磨いたもの
は、その表面が＃３２０のものより細かくなるので、光
の散乱量が減少し、みかけの吸光係数が下がり、透過率
が上がっている。
【００２５】このように表面粗さを調整することによ
り、透過率を変化させることができることから、例えば
熱分解窒化ホウ素製円錐筒の外表面を＃３２０のぺーパ
ーで磨けば、透過率の小さいものとなる。尚、この場
合、円錐筒の外表面で光が散乱されるので、結局、円錐
筒に光が吸収される訳ではなく、円錐筒の温度を上昇さ
せることが出来ないのではないかとの疑問も生じるが、
そうはならない。すなわち、輻射光は、円錐筒の外表面
だけで散乱するので、分子線発生装置の温度分布として
は、容器底部の原料のある部分と容器上部の円錐筒配置
部が高温となる温度分布となる。
り、透過率を変化させることができることから、例えば
熱分解窒化ホウ素製円錐筒の外表面を＃３２０のぺーパ
ーで磨けば、透過率の小さいものとなる。尚、この場
合、円錐筒の外表面で光が散乱されるので、結局、円錐
筒に光が吸収される訳ではなく、円錐筒の温度を上昇さ
せることが出来ないのではないかとの疑問も生じるが、
そうはならない。すなわち、輻射光は、円錐筒の外表面
だけで散乱するので、分子線発生装置の温度分布として
は、容器底部の原料のある部分と容器上部の円錐筒配置
部が高温となる温度分布となる。
【００２６】（２）ＰＢＮに元素をドープする方法
これはＣＶＤ反応によりＰＢＮを蒸着する場合に、ドー
プガスを導入し、ＰＢＮに所望元素をドープすることに
よって、簡単かつ確実にＰＢＮ製円錐筒の透過率を下げ
ることができる方法である。
プガスを導入し、ＰＢＮに所望元素をドープすることに
よって、簡単かつ確実にＰＢＮ製円錐筒の透過率を下げ
ることができる方法である。
【００２７】この場合、ドープする元素としては、ＰＢ
ＮのＩＲ透過率を変更することができるものであれば原
則としてなにを用いてもよいが、ドープガスにより簡単
にドープすることが可能である等の点から、Ｓｉ，Ｃ，
Ａｌから選択される１以上の元素とすればよい。そし
て、ＣＶＤ反応により心金上にＰＢＮを蒸着する際に、
ドープガスとして例えば、ＳｉＣｌ4 ，ＣＨ4 ，Ａｌ
（ＣＨ3 ）3 等のドープ元素を含むガスを導入すること
によって、ＰＢＮ中にこれらの元素をドープしたドープ
層を形成することができる。
ＮのＩＲ透過率を変更することができるものであれば原
則としてなにを用いてもよいが、ドープガスにより簡単
にドープすることが可能である等の点から、Ｓｉ，Ｃ，
Ａｌから選択される１以上の元素とすればよい。そし
て、ＣＶＤ反応により心金上にＰＢＮを蒸着する際に、
ドープガスとして例えば、ＳｉＣｌ4 ，ＣＨ4 ，Ａｌ
（ＣＨ3 ）3 等のドープ元素を含むガスを導入すること
によって、ＰＢＮ中にこれらの元素をドープしたドープ
層を形成することができる。
【００２８】このドープ層は、ＰＢＮ製円錐筒全体とし
ても良いし、円錐筒の一部のどの位置に形成することも
可能であり、例えば円錐筒外表面に形成してもよいが、
外表面に形成すると分子線源容器内に収容される原料融
液を汚染する恐れがあるので、円錐筒外表面にドープ層
が露出しないようにするのが良い。一般的に、円錐筒の
内表面で形成するか、またはＰＢＮ層中で形成されるよ
うにすれば、ドープ層は内外表面に露出しないので、原
料融液がこれらのドープ元素によって汚染される心配も
なくなる。この露出を避けるには、ＣＶＤ反応の中間で
ドープガスを導入してドープ層をＰＢＮ層の間に形成さ
せればよい。
ても良いし、円錐筒の一部のどの位置に形成することも
可能であり、例えば円錐筒外表面に形成してもよいが、
外表面に形成すると分子線源容器内に収容される原料融
液を汚染する恐れがあるので、円錐筒外表面にドープ層
が露出しないようにするのが良い。一般的に、円錐筒の
内表面で形成するか、またはＰＢＮ層中で形成されるよ
うにすれば、ドープ層は内外表面に露出しないので、原
料融液がこれらのドープ元素によって汚染される心配も
なくなる。この露出を避けるには、ＣＶＤ反応の中間で
ドープガスを導入してドープ層をＰＢＮ層の間に形成さ
せればよい。
【００２９】そして、このドープ層の厚さ、面積、ドー
プ濃度等を調整することによって、ＰＢＮ製円錐筒の２
６００ｃｍ-1〜６５００ｃｍ-1の光の透過率を自在にコ
ントロールすることができる。
プ濃度等を調整することによって、ＰＢＮ製円錐筒の２
６００ｃｍ-1〜６５００ｃｍ-1の光の透過率を自在にコ
ントロールすることができる。
【００３０】このドープ層の厚さを制御するには、例え
ばＣＶＤ反応中にドープガスを導入する時間を調整すれ
ば良いし、ドープ濃度の制御は、導入されるガス中のド
ープガスの濃度を調整することによって簡単に行うこと
ができる。また、ドープ層の厚さや面積に分布をつける
には、ドープ反応終了後ドープ層を機械的に研磨する等
の操作によって簡単に行うことができる。
ばＣＶＤ反応中にドープガスを導入する時間を調整すれ
ば良いし、ドープ濃度の制御は、導入されるガス中のド
ープガスの濃度を調整することによって簡単に行うこと
ができる。また、ドープ層の厚さや面積に分布をつける
には、ドープ反応終了後ドープ層を機械的に研磨する等
の操作によって簡単に行うことができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を実施
例と図面により説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。ここで、図２はＣＶＤ反応により本発
明のＰＢＮ製円錐筒を作製するＣＶＤ反応炉の概略断面
図である。
例と図面により説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。ここで、図２はＣＶＤ反応により本発
明のＰＢＮ製円錐筒を作製するＣＶＤ反応炉の概略断面
図である。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の実施例および比較例を示す。
（実施例１）図２において、先ず、黒鉛製円筒型ＣＶＤ
反応炉２０内に、上部開口部に鍔のある円錐筒の形状を
したグラファイト製の心金２１を反応ガスの流れ方向に
対して直角の位置にセットし、これを回転させながら所
望の厚さになるまでＣＶＤ反応によりＰＢＮの析出を行
う。
反応炉２０内に、上部開口部に鍔のある円錐筒の形状を
したグラファイト製の心金２１を反応ガスの流れ方向に
対して直角の位置にセットし、これを回転させながら所
望の厚さになるまでＣＶＤ反応によりＰＢＮの析出を行
う。
【００３３】ＣＶＤ反応は、ＣＶＤ反応炉２０に三塩化
ホウ素２Ｌ／ｍｉｎ，アンモニア５Ｌ／ｍｉｎを供給
し、炉の中心における平均圧力４Ｔｏｒｒ（５３３．２
Ｐａ）、１８５０℃の条件で反応させて、厚さが０．８
〜１．３ｍｍで上部開口部の直径２０ｍｍ、高さ４０ｍ
ｍの上部開口部に鍔を有するＭＢＥ法用ＰＢＮ製円錐筒
を作製した。反応終了後、ＰＢＮと心金を分離し、その
後中間部で機械的に切断し、仕上げ加工を施し、底に穴
の開いた最終形状のＰＢＮ製円錐筒を製造した。
ホウ素２Ｌ／ｍｉｎ，アンモニア５Ｌ／ｍｉｎを供給
し、炉の中心における平均圧力４Ｔｏｒｒ（５３３．２
Ｐａ）、１８５０℃の条件で反応させて、厚さが０．８
〜１．３ｍｍで上部開口部の直径２０ｍｍ、高さ４０ｍ
ｍの上部開口部に鍔を有するＭＢＥ法用ＰＢＮ製円錐筒
を作製した。反応終了後、ＰＢＮと心金を分離し、その
後中間部で機械的に切断し、仕上げ加工を施し、底に穴
の開いた最終形状のＰＢＮ製円錐筒を製造した。
【００３４】こうして得られたＰＢＮ製円錐筒の２６０
０ｃｍ-1〜６５００ｃｍ-1における吸光量ＡをＩＲスペ
クトルメータ（ＦＴＩＲ−７１０ ＮＩＣＯＬＥＴ社
製）で測定し、下記の（２）、（３）、（４）式から、
それぞれ４８００ｃｍ-1の吸光係数Ｂを求めた。 吸光量（Ａ）＝Ｌｏｇ10（Ｉo ／Ｉ） ・・・（２） （ここで、Ｉo は入射光、Ｉは透過光である。） 吸光係数（Ｂ）＝Ａ／ｔ ・・・・（３） （ここで、ｔは厚さである。） 透過率（Ｔ）＝Ｉ／Ｉo ・・・・（４）
０ｃｍ-1〜６５００ｃｍ-1における吸光量ＡをＩＲスペ
クトルメータ（ＦＴＩＲ−７１０ ＮＩＣＯＬＥＴ社
製）で測定し、下記の（２）、（３）、（４）式から、
それぞれ４８００ｃｍ-1の吸光係数Ｂを求めた。 吸光量（Ａ）＝Ｌｏｇ10（Ｉo ／Ｉ） ・・・（２） （ここで、Ｉo は入射光、Ｉは透過光である。） 吸光係数（Ｂ）＝Ａ／ｔ ・・・・（３） （ここで、ｔは厚さである。） 透過率（Ｔ）＝Ｉ／Ｉo ・・・・（４）
【００３５】次に、このＰＢＮ製円錐筒の外表面を＃３
２０のアルミナサンドペーパーで表面処理を行い、こう
して外表面を粗くしたＰＢＮ容器の４８００ｃｍ-1の光
の透過率を測定し、これらの結果を表２に示した。
２０のアルミナサンドペーパーで表面処理を行い、こう
して外表面を粗くしたＰＢＮ容器の４８００ｃｍ-1の光
の透過率を測定し、これらの結果を表２に示した。
【００３６】（比較例１）次に、上記実施例１の製造工
程の内、後半のサンドペーパーによる表面処理を施さな
い円錐筒全体の吸光係数、透過率の均一なＰＢＮ製円錐
筒を作製し、４８００ｃｍ-1の光の透過率を測定し、表
２に併記した。このように、ＣＶＤ反応で作製しＰＢＮ
の透過率は、通常２０％を超えている。
程の内、後半のサンドペーパーによる表面処理を施さな
い円錐筒全体の吸光係数、透過率の均一なＰＢＮ製円錐
筒を作製し、４８００ｃｍ-1の光の透過率を測定し、表
２に併記した。このように、ＣＶＤ反応で作製しＰＢＮ
の透過率は、通常２０％を超えている。
【００３７】
【表２】
【００３８】表２の結果を見れば明らかなように、表面
処理を施した実施例１の円錐筒では、表面が粗いために
光がその表面で散乱し透過率が小さくなるのに対し、比
較例１ではアズデポのままであるために光の透過率が高
い。実施例１の円錐筒をＭＢＥ法に用いれば、原料の付
着を有効に防止しながら、分子ビームを安定化させるこ
とが期待される。
処理を施した実施例１の円錐筒では、表面が粗いために
光がその表面で散乱し透過率が小さくなるのに対し、比
較例１ではアズデポのままであるために光の透過率が高
い。実施例１の円錐筒をＭＢＥ法に用いれば、原料の付
着を有効に防止しながら、分子ビームを安定化させるこ
とが期待される。
【００３９】（実施例２）
次に、上記実施例１と同様な条件、方法でＣＶＤ反応さ
せ、心金上に円錐筒を形成して原料供給を停止した。続
いて１Ｔｏｒｒ（１３３．３Ｐａ）の減圧下、１６００
℃に降温し、これにメタンガスを５ＳＬＭ、三塩化ホウ
素２Ｌ／ｍｉｎ、アンモニア５Ｌ／ｍｉｎで供給し、Ｐ
ＢＮにカーボンをドープしたドープ層を形成し、これを
冷却後取り出した。こうしてカーボンドープ層を形成し
たＰＢＮ製円錐筒の４８００ｃｍ−１の光の透過率を測
定し、これらの結果を表２に合せて示した。
せ、心金上に円錐筒を形成して原料供給を停止した。続
いて１Ｔｏｒｒ（１３３．３Ｐａ）の減圧下、１６００
℃に降温し、これにメタンガスを５ＳＬＭ、三塩化ホウ
素２Ｌ／ｍｉｎ、アンモニア５Ｌ／ｍｉｎで供給し、Ｐ
ＢＮにカーボンをドープしたドープ層を形成し、これを
冷却後取り出した。こうしてカーボンドープ層を形成し
たＰＢＮ製円錐筒の４８００ｃｍ−１の光の透過率を測
定し、これらの結果を表２に合せて示した。
【００４０】表２の結果を見れば明らかなように、カー
ボンをドープした実施例２の円錐筒では、カーボン元素
が光を吸収するためにその透過率が非常に小さくなる。
したがって、この円錐筒をＭＢＥ法に用いれば、より輻
射光が吸収されるために、円錐筒の温度が低下せず、こ
の部分での原料の付着、あるいは原料の這い上がり現象
を効果的に抑制し、分子ビームを安定化させることが期
待される。
ボンをドープした実施例２の円錐筒では、カーボン元素
が光を吸収するためにその透過率が非常に小さくなる。
したがって、この円錐筒をＭＢＥ法に用いれば、より輻
射光が吸収されるために、円錐筒の温度が低下せず、こ
の部分での原料の付着、あるいは原料の這い上がり現象
を効果的に抑制し、分子ビームを安定化させることが期
待される。
【００４１】（比較例２）
上記比較例１と同様にしてＣＶＤ反応によりＰＢＮ製円
錐筒を作製した後、再びＣＶＤ炉にセットし、１Ｔｏｒ
ｒ（１３３．３Ｐａ）の減圧下、１７５０℃に昇温し、
これにメタンガスを５ＳＬＭで供給し、ＰＢＮの表面に
５０μｍ厚のカーボン層を形成した。これを冷却後取り
出し、円錐筒の内表面はすべて機械的研磨によりカーボ
ン層を除去した。さらにこの表面処理を行ったＰＢＮ製
円錐筒を再びＣＶＤ炉にセットし、その最表面に約１０
０μｍのＰＢＮ層を析出させ、前記カーボン層を埋め込
んだ複合円錐筒を作製した。ところが、このものは冷却
後複合した各層がはがれて破損してしまい、使用不能な
ものとなった。
錐筒を作製した後、再びＣＶＤ炉にセットし、１Ｔｏｒ
ｒ（１３３．３Ｐａ）の減圧下、１７５０℃に昇温し、
これにメタンガスを５ＳＬＭで供給し、ＰＢＮの表面に
５０μｍ厚のカーボン層を形成した。これを冷却後取り
出し、円錐筒の内表面はすべて機械的研磨によりカーボ
ン層を除去した。さらにこの表面処理を行ったＰＢＮ製
円錐筒を再びＣＶＤ炉にセットし、その最表面に約１０
０μｍのＰＢＮ層を析出させ、前記カーボン層を埋め込
んだ複合円錐筒を作製した。ところが、このものは冷却
後複合した各層がはがれて破損してしまい、使用不能な
ものとなった。
【００４２】次に、上記実施例１、実施例２、比較例１
で得られたＰＢＮ製円錐筒を使用し、実際にＭＢＥ法で
ＧａＡｌＡｓのエピタキシャル膜を育成した。エピタキ
シャル膜の成長は、雰囲気圧力を１０−１０ Ｔｏｒｒ
（１．３３×１０ −８ Ｐａ）、加熱温度は１０００℃と
し、各例ともＰＢＮ製分子線源容器をＧａ充填用容器と
して用いた。育成されたエピタキシャル膜の表面を光学
顕微鏡により観察し、その表面欠陥密度を測定した。そ
の結果を表２に示した。
で得られたＰＢＮ製円錐筒を使用し、実際にＭＢＥ法で
ＧａＡｌＡｓのエピタキシャル膜を育成した。エピタキ
シャル膜の成長は、雰囲気圧力を１０−１０ Ｔｏｒｒ
（１．３３×１０ −８ Ｐａ）、加熱温度は１０００℃と
し、各例ともＰＢＮ製分子線源容器をＧａ充填用容器と
して用いた。育成されたエピタキシャル膜の表面を光学
顕微鏡により観察し、その表面欠陥密度を測定した。そ
の結果を表２に示した。
【００４３】表２からわかるように、実施例のＰＢＮ製
円錐筒を用いた場合には、育成されるエピタキシャル膜
の表面欠陥密度が少なく、円錐筒での原料付着が少ない
ために、付着原料が滴下して液滴が飛散するような問題
が抑制されていることがわかる。一方、比較例１のＰＢ
Ｎ製円錐筒を用いた場合は、円錐筒の温度が低く、この
部分での原料付着が激しいために、分子線が安定せず、
育成されるエピタキシャル膜の表面欠陥が多いものとな
っている。
円錐筒を用いた場合には、育成されるエピタキシャル膜
の表面欠陥密度が少なく、円錐筒での原料付着が少ない
ために、付着原料が滴下して液滴が飛散するような問題
が抑制されていることがわかる。一方、比較例１のＰＢ
Ｎ製円錐筒を用いた場合は、円錐筒の温度が低く、この
部分での原料付着が激しいために、分子線が安定せず、
育成されるエピタキシャル膜の表面欠陥が多いものとな
っている。
【００４４】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４５】例えば、上記説明では円錐筒の透過率を下
げる方法として、二つの方法を挙げ、それぞれ個別に説
明したが、これらの方法は同時に実施してもよく、より
高精度に透過率を制御した円錐筒を形成することも可能
である。
げる方法として、二つの方法を挙げ、それぞれ個別に説
明したが、これらの方法は同時に実施してもよく、より
高精度に透過率を制御した円錐筒を形成することも可能
である。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、分子線エピタキシャル
法で用いられる熱分解窒化ホウ素製分子線源容器の、分
子線放出口に設置される底の開いた逆円錐形のＰＢＮ製
円錐筒の、２６００〜６５００ｃｍ-1の光の透過率を２
０％以下としたもので、円錐筒への原料の付着現象を有
効に防止でき、かつ、分子線を長期に安定化できる熱分
解窒化ホウ素製円錐筒を、簡単かつ低コストで提供する
ことができる。従って、この円錐筒を用いてＭＢＥ法に
よって、エピタキシャル膜の製造を行えば、表面欠陥の
少ない良質のエピタキシャル膜を長期に渡って育成する
ことができる。
法で用いられる熱分解窒化ホウ素製分子線源容器の、分
子線放出口に設置される底の開いた逆円錐形のＰＢＮ製
円錐筒の、２６００〜６５００ｃｍ-1の光の透過率を２
０％以下としたもので、円錐筒への原料の付着現象を有
効に防止でき、かつ、分子線を長期に安定化できる熱分
解窒化ホウ素製円錐筒を、簡単かつ低コストで提供する
ことができる。従って、この円錐筒を用いてＭＢＥ法に
よって、エピタキシャル膜の製造を行えば、表面欠陥の
少ない良質のエピタキシャル膜を長期に渡って育成する
ことができる。
【図１】本発明の円錐筒を装着した分子線発生装置を用
いてＭＢＥ成長を行う方法の説明図である。
いてＭＢＥ成長を行う方法の説明図である。
【図２】ＣＶＤ反応によりＭＢＥ法のＰＢＮ製円錐筒を
作製するＣＶＤ反応炉の概略断面図である。
作製するＣＶＤ反応炉の概略断面図である。
１…分子線発生装置、
２…分子線源容器、
３…ＰＢＮ製円錐筒、
４…ヒータ、
５…熱電対、
６…分子線原料、
７…ＭＢＥ装置、
８…チャンバー、
９…ウエーハ、
２０…ＣＶＤ炉、
２１…グラファイト製心金。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 伊藤 賢治
群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越
化学工業株式会社 精密機能材料研究所
内
(72)発明者 新井 延男
群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越
化学工業株式会社 精密機能材料研究所
内
(56)参考文献 特開 平５−85888（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−204391（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−135793（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−95785（ＪＰ，Ａ)
実開 平３−22067（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C30B 1/00 - 35/00
Claims (7)
- 【請求項１】 分子線エピタキシー用分子線源容器の開
口部に配置される熱分解窒化ホウ素製円錐筒において、
熱分解窒化ホウ素製円錐筒の外表面の表面粗さを粗し、
該熱分解窒化ホウ素製円錐筒の波数が２６００ｃｍ−１
〜６５００ｃｍ−１の光の透過率を２０％以下としたこ
とを特徴とする熱分解窒化ホウ素製円錐筒。 - 【請求項２】 分子線エピタキシー用分子線源容器の開
口部に配置される熱分解窒化ホウ素製円錐筒において、
熱分解窒化ホウ素製円錐筒に、窒素、ホウ素以外の元素
をドープし、そのドープ層の厚さ、面積、ドープ濃度を
調整して、該熱分解窒化ホウ素製円錐筒の波数が２６０
０ｃｍ−１〜６５００ｃｍ−１の光の透過率を２０％以
下としたことを特徴とする熱分解窒化ホウ素製円錐筒。 - 【請求項３】 前記熱分解窒化ホウ素製円錐筒に、窒
素、ホウ素以外の元素をドープし、そのドープ層の厚
さ、面積、ドープ濃度を調整して、前記光の透過率を２
０％以下としたことを特徴とする請求項１に記載した熱
分解窒化ホウ素製円錐筒。 - 【請求項４】 前記元素をドープしたドープ層を、熱分
解窒化ホウ素製円錐筒の内外全表面に露出しないように
したことを特徴とする請求項２または請求項３に記載し
た熱分解窒化ホウ素製円錐筒。 - 【請求項５】 前記熱分解窒化ホウ素にドープする元素
は、Ｓｉ、Ｃ、Ａｌから選択される１種以上の元素であ
る、ことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか
１項に記載した熱分解窒化ホウ素製円錐筒。 - 【請求項６】 分子線エピタキシー用分子線源容器の開
口部に配置される熱分解窒化ホウ素製円錐筒の製造方法
において、ＣＶＤ反応によって得られた熱分解窒化ホウ
素製円錐筒の成形体の外表面を粗し、外表面における光
の散乱量を調整することによって、該円錐筒の２６００
ｃｍ−１〜６５００ｃｍ−１の光の透過率を２０％以下
とすることを特徴とする熱分解窒化ホウ素製円錐筒の製
造方法。 - 【請求項７】 ＣＶＤ反応による生成物をグラファイト
製の心金上に蒸着させ、その後心金と分離することによ
って成形体を得る、分子線エピタキシー用分子線源容器
の開口部に配置される熱分解窒化ホウ素製円錐筒の製造
方法において、少なくともＣＶＤ反応時に、ドープガス
を導入することによって、熱分解窒化ホウ素中にドープ
層を形成する工程を有し、このドープ層の厚さ、面積、
ドープ濃度を調整することによって、該円錐筒の２６０
０ｃｍ−１〜６５００ｃｍ−１の光の透過率を２０％以
下とする、ことを特徴とする熱分解窒化ホウ素製円錐筒
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29948397A JP3532397B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | 熱分解窒化ホウ素製円錐筒およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29948397A JP3532397B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | 熱分解窒化ホウ素製円錐筒およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11116381A JPH11116381A (ja) | 1999-04-27 |
| JP3532397B2 true JP3532397B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=17873164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29948397A Expired - Fee Related JP3532397B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | 熱分解窒化ホウ素製円錐筒およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3532397B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3559307B1 (en) | 2017-02-08 | 2022-08-03 | Picosun Oy | Deposition or cleaning apparatus with movable structure and method of operation |
-
1997
- 1997-10-16 JP JP29948397A patent/JP3532397B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11116381A (ja) | 1999-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11238688A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| US8926752B2 (en) | Method of producing a group III nitride crystal | |
| EP0935013A1 (en) | SiC product and manufacturing method thereof | |
| WO2008096884A1 (ja) | ｎ型導電性窒化アルミニウム半導体結晶及びその製造方法 | |
| JP2002265296A (ja) | ダイヤモンド薄膜及びその製造方法 | |
| US5882807A (en) | Jig for heat treatment and process for fabricating the jig | |
| JP3532397B2 (ja) | 熱分解窒化ホウ素製円錐筒およびその製造方法 | |
| JPH10189452A (ja) | 分子線エピタキシー用熱分解窒化硼素るつぼ | |
| US5925429A (en) | Pyrolytic boron nitride container, and manufacture thereof | |
| EP0842913B1 (en) | Pyrolytic boron nitride container and manufacture thereof | |
| US5232868A (en) | Method for forming a thin semiconductor film | |
| JP4309509B2 (ja) | 熱分解黒鉛からなる単結晶成長用のルツボの製造方法 | |
| JP3247838B2 (ja) | 熱分解窒化ほう素ルツボ及びその製造方法 | |
| US6924012B2 (en) | Pyrolytic boron nitride double container and manufacture thereof | |
| JP3614282B2 (ja) | 熱分解窒化ホウ素容器およびその製造方法 | |
| Volchkov et al. | The role of a liquid Al sublayer as a catalyst for the directional growth of ZnO nanocrystals | |
| US5762865A (en) | Pyrolytic boron nitride crucible | |
| US4550014A (en) | Method for production of free-standing polycrystalline boron phosphide film | |
| JP3850083B2 (ja) | 熱分解窒化ホウ素ルツボ | |
| JP3453190B2 (ja) | 真空蒸着方法および真空蒸着装置 | |
| TWI651284B (zh) | 用以製造矽錠的容器及其製造方法以及結晶矽錠的製造方法 | |
| Nishino et al. | Preparation of ZnO by a nearby vaporizing chemical vapor deposition method | |
| JP2000169298A (ja) | ＳｉＣ成形体 | |
| JPH02281614A (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| TW477823B (en) | Method and application for preparing ZnSe thin films by ion-assisted cw CO2 laser deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040115 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040122 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040217 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040303 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |