JP3532114B2 - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
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Description
光半導体素子を駆動させる駆動素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージに関するものである。 【0002】 【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、一般に酸化アルミニウ
ム質焼結体から成り、上面中央部に光半導体素子及び該
光半導体素子を駆動させる駆動素子が載置される光半導
体素子載置領域及び駆動素子載置領域を有する基体と、
前記光半導体素子載置領域及び駆動素子載置領域を囲繞
するようにして基体上に取着され、側部に貫通孔を有す
る酸化アルミニウム質焼結体から成る枠体と、前記枠体
の貰通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、内部に
光信号が伝達される空間を有する鉄ーニッケルーコバル
ト合金等の金属材料から成る筒状の固定部材と、前記筒
状の固定部材に融点が200〜400℃の金ー錫合金等
の低融点ロウ材を介して取着された固定部材の内部を塞
ぐ非晶質ガラス等から成る透光性部材と、前記基体の枠
体内側から外側にかけて被着導出されているタングステ
ンやモリブデン、マンガン等から成り、光半導体素子の
電極及び駆動素子の電極がボンディングワイヤ等の電気
的接続手段を介して接続される複数個の配線導体層と、
前記枠体の上面に取着され、光半導体素子及び駆動素子
を気密に封止する蓋部材とから構成されており、前記基
体の光半導体素子載置領域に光半導体素子を、また駆動
素子載置領域に駆動素子を各々、載置固定させるととも
に該光半導体素子及び駆動素子の各電極をボンデイング
ワイヤ等の電気的接続手段を介して所定の配線導体層に
電気的に接続し、しかる後、前記枠体の上面に蓋部材を
接合させ、基体と枠体と蓋部材とから成る容器内部に光
半導体素子及び駆動素子を気密に収容するとともに筒状
固定部材に光ファイバー部材を取着接続させることによ
って製品としての光半導体装置となる。 【0003】かかる光半導体装置は外部電気回路から供
給される駆動信号に基づいて駆動素子に所定の駆動を行
わせるとともに該駆動素子の駆動に伴って光半導体素子
に所定の光励起を起こさせ、該励起した光を透光性部材
を介し光ファイバー部材に授受させるとともに該光ファ
イバー部材の光ファイバー内を伝達させることによって
高速通信等に使用される。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、基体が
酸化アルミニウム質焼結体により形成されており、該酸
化アルミニウム質焼結体は熱伝導率が約15W/m・k
であることから、駆動素子に外部電気回路から駆動信号
を供給して所定の駆動を起こさせるとともに該駆動素子
の駆動に伴って光半導体素子に所定の光励起を起こさせ
た場合、駆動素子が作動時に多量の熱を発するとともに
その熱の一部が基体を介して光半導体素子に作用し、光
半導体素子を高温として光半導体素子に誤動作を起こさ
せるという欠点を有していた。 【0005】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は駆動素子の作動時に発する熱が光半導体
素子に作用するのを有効に防止し、光半導体素子を常に
適温として光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安
定に作動させることができる光半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。 【0006】 【課題を解決するための手段】本発明は、上面に光半導
体素子及び該光半導体素子を駆動する駆動素子が載置さ
れる光半導体素子載置領域及び駆動素子載置領域を有す
る基体と、前記基体上に光半導体素子載置領域及び駆動
素子載置領域を囲繞するようにして取着され、側部に貫
通孔を有する枠体と、前記貫通孔もしくは貫通孔周辺の
枠体に取着され、光ファイバー部材が接合される筒状の
固定部材と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子
及び駆動素子を気密に封止する蓋部材とから成る光半導
体素子収納用パッケージであって、前記基体に切欠孔を
形成し、光半導体素子載置領域と駆動素子載置領域とを
区分するとともに該切欠孔内に炭素繊維布から成り、か
つ露出する外表面が被覆層で被覆されている熱遮断部材
を配設したことを特徴とするものである。 【0007】本発明の光半導体素子収納用パッケージに
よれば、光半導体素子及び該光半導体素子を駆動する駆
動素子が載置される基体に、光半導体素子載置領域と駆
動素子載置領域とを区分するように切欠孔を設けるとと
もに、該切欠孔内に炭素繊維布から成り、かつ露出する
外表面が被覆層で被覆されている熱遮断部材を配設した
ことから、駆動素子に外部電気回路から駆動信号を供給
して所定の駆動を起こさせるとともに該駆動素子の駆動
に伴って光半導体素子に所定の光励起を起こさせた際、
駆動素子が作動時に多量の熱を発し、その熱の一部が基
体を介し光半導体素子に作用しようとしても熱の伝達が
前記熱遮断部材で遮断されて光半導体素子に作用するこ
とはなく、その結果、光半導体素子は常に適温となり、
光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動さ
せることが可能となる。 【0008】 【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図1及び図2は本発明の光半導体素子
収納用パッケージの一実施例を示し、1は基体、2は枠
体、3は蓋部材である。この基体1と枠体2と蓋部材3
とで内部に光半導体素子4と該光半導体素子4を駆動さ
せる駆動素子5とを収容するための容器が構成される。 【0009】前記基体1は光半導体素子4及び駆動素子
5を支持するための支持部材として作用し、その上面に
光半導体素子4が載置される光半導体素子載置領域1a
と駆動素子5が載置される駆動素子載置領域1bを有
し、光半導体素子載置領域1aには光半導体素子4が、
例えば、間にシリコン基板を挟んで金ーゲルマニウム等
から成るロウ材を介して接着固定され、また駆動素子載
置領域1bには駆動素子5が載置固定される。 【0010】前記基体1は、例えば、酸化アルミニウム
質焼結体等の電気絶縁材料から成り、酸化アルミニウ
ム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状
となすとともに該泥漿物を従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法等を採用することによってセラ
ミックグリーンシート(セラミック生シート)を得、し
かる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜
き加工法等を施すとともに複数枚を上下に積層し、しか
る後、これを高温(約1600℃)で焼成することによ
って製作される。 【0011】また前記基体1は光半導体素子載置領域1
aと駆動素子載置領域1bとの間に切欠孔1cが形成さ
れており、該切欠孔1cによって光半導体素子載置領域
1aと駆動素子載置領域1bとが区分されているととも
に切欠孔1c内に炭素繊維布から成り、かつ露出する外
表面が被覆層で被覆されている熱遮断部材6が配設され
ている。 【0012】前記切欠孔1cは熱遮断部材6を配設する
ための配設孔として作用し、複数枚のセラミックグリー
ンシートを積層し焼成して基体1を得る際、基体1とな
るセラミックグリーンシートの所定位置に予め打ち抜き
加工法により孔を開けておくことによって形成される。 【0013】また前記切欠孔1cに配設されている熱遮
断部材6は、駆動素子5が作動時に発した熱が基体1を
介して光半導体素子4に作用するのを有効に防止する作
用をなし、駆動素子5に外部電気回路から駆動信号を供
給して所定の駆動を起こさせるとともに該駆動素子5の
駆動に伴って光半導体素子4に所定の光励起を起こさせ
た際、駆動素子5が作動時に多量の熱を発し、その熱の
一部が基体1を介し光半導体素子4に作用しようとして
も熱の伝達が前記熱遮断部材6で遮断されて光半導体素
子4に作用することはなく、その結果、光半導体素子4
は常に適温となり、光半導体素子4を長期間にわたり正
常、かつ安定に作動させることが可能となる。 【0014】前記熱遮断部材6は、炭素繊維布から成
り、かつ露出する外表面が被覆層6aで被覆されて形成
されている。 【0015】前記熱遮断部材6を形成する炭素繊維布
は、厚み方向、幅方向、長さ方向の熱伝導率がいずれも
0.5W/m・k以下であり、優れた断熱性を有してい
ることからこの炭素繊維布から成る熱遮断部材6を基体
1に設けた切欠孔1c内に配設した場合、駆動素子5が
作動時に発した熱は基体1を広がって光半導体素子4が
載置されている光半導体素子載置領域1aに伝達しよう
としても前記熱遮断部材6で熱の伝達が阻止され、その
結果、光半導体素子4が駆動素子5の発した熱によって
高温となることはなく、光半導体素子4を常に適温とし
て、光半導体素子4を長期間にわたり正常、かつ安定に
作動させることが可能となる。 【0016】なお、前記炭素繊維布から成る熱遮断部材
6は、例えば、所定長さの複数の炭素繊維を圧縮加熱
し、各々の炭素繊維をからみ合わせて膠着させ布状とす
るとともにこれを固体のピッチあるいはコークスなどの
微粉末を分散させたフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂
の溶液中に含浸させ、次にこれを乾燥させた後、所定の
圧力を加えるとともに加熱して熱硬化性樹脂部分を硬化
させ、最後にこれを不活性雰囲気中、高温で焼成し、フ
ェノール樹脂とピッチあるいはコークスの微粉末を炭化
させる(炭素を形成する)とともに該炭素を各々の炭素
繊維に結合させることによって製作される。 【0017】また前記炭素繊維布から成る熱遮断部材6
はその露出する外表面に被覆層6aが被着されており、
該被覆層6aによって熱遮断部材6を構成する炭素繊維
布はその内部及び表面に多数の気孔が形成されており、
多孔質であるとしてもその気孔が前記被覆層6aで完全
に塞がれ、容器の気密封止の信頼性が極めて高いものと
なる。また同時に前記被覆層6aによって熱遮断部材6
の気孔が完全に塞がれることから容器内部に光半導体素
子4及び駆動素子5を収容し、光半導体装置となした
後、ヘリウムを使用して光半導体装置の気密封止の検査
をする場合、ヘリウムの一部が熱遮断部材6の気孔内に
トラップされることはなく、光半導体装置の気密封止の
検査を極めて正確に行うことができる。 【0018】前記被覆層6aは金属や鉛ホウ酸系やホウ
ケイ酸系のガラス、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂、ウ
レタン樹脂等の樹脂により形成されている。 【0019】前記被覆層6aを金属で形成する場合、熱
遮断部材6の下面に鉄やニッケル、クロム、チタン、モ
リブデン、タンタル、タングステン等の厚さ50μm以
下の薄板状金属部材を配置させ、次にこれを真空ホット
プレスで5MPaの圧力をかけつつ1200℃の温度を
1時間印加し、薄板状金属部材の一部を熱遮断部材6に
拡散させ、拡散接合することによって行われる。 【0020】なお、前記炭素繊維布から成る熱遮断部材
6はその弾性率が30GPa以下であり、軟質であるこ
とから熱遮断部材6と該熱遮断部材6が配設される基体
1との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が
多少発生したとしてもその熱応力は熱遮断部材6を適度
に変形させることによって吸収され、その結果、熱遮断
部材6と基体1とは極めて強固に接合し、容器の気密封
止の信頼性を高いものとして内部に収容する光半導体素
子4及び駆動素子5を長期間にわたり正常、かつ安定に
作動させることが可能となる。 【0021】更に前記熱遮断部材6が配設された基体1
はその上面に、前記光半導体素子載置領域1a及び駆動
素子載置領域1bを囲繞するようにして枠体2が取着さ
れており、枠体2の内側には光半導体素子4及び駆動素
子5を収容するための空所が形成される。 【0022】前記枠体2は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪
素質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼
結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニ
ウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉
末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿
物を作るとともに、該泥漿物をドクターブレード法やカ
レンダーロール法を採用することによってセラミックグ
リーンシート(セラミック生シート)となし、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともにこれを複数枚積層し、約1600℃の
温度で焼成することによって製作される。 【0023】また前記枠体2の内側に位置する基体1の
表面から基体1の下面にかけて複数個のメタライズ配線
層7が被着形成されており、枠体2の内側に位置する基
体1表面に形成されているメタライズ配線層7には光半
導体素子4や駆動素子5の各電極がボンディングワイヤ
等の電気的接続手段を介して電気的に接続され、また基
体1の下面に導出する部位には外部電気回路基板の配線
導体が半田等を介して接続される。 【0024】前記メタライズ配線層7は光半導体素子4
や駆動素子5の各電極を外部電気回路に接続する、ある
いは光半導体素子4と駆動素子5とを電気的に接続する
際の導電路として作用し、タングステン、モリブデン、
マンガン等の高融点金属粉末により形成されている。 【0025】前記メタライズ配線層7はタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機
バインダー、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを
基体1となるセラミックグリーンシートに予め従来周知
のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布して
おくことによって枠状2の内側に位置する基体1の表面
から基体1の下面にかけて被着形成される。 【0026】また前記メタライズ配線層7はその露出す
る表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材と
の濡れ性に優れる金属を1μm〜20μmの厚みにメッ
キ法により被着させておくとメタライズ配線層7の酸化
腐蝕を有効に防止することができるとともにメタライズ
配線層7と光半導体素子4や駆動素子5及び外部電気回
路基板の配線導体との接続を強固となすことができる。
従って、前記メタライズ配線層7は、その露出する表面
にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ
性に優れる金属を1μm〜20μmの厚みに被着させて
おくことが好ましい。 【0027】更に前記枠体2はその側部に貫通孔2aが
設けてあり、該貫通孔2aの内壁面には筒状の固定部材
8が取着され、更に筒状の固定部材8の内側の一端には
透光性部材9が取着されている。 【0028】前記枠体2の側部に形成されている貫通孔
2aは固定部材8を枠体2に取着するための取着孔とし
て作用し、例えば、枠体2の側部に従来周知のドリル孔
あけ加工を施すことによって所定形状に形成される。 【0029】前記枠体2の貫通孔2aに取着されている
固定部材8は光ファイバー部材10を枠体2に固定する
際の下地固定部材として作用するとともに光半導体素子
4が励起した光を光ファイバー部材10に伝達させる作
用をなし、その内側の一端には、例えば、透光性部材9
が取着され、また外側の一端には光ファイバー部材10
が取着接続される。 【0030】前記筒状の固定部材8は、例えば、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料
から成り、鉄ーニッケル合金のインゴット(塊)をプレ
ス加工により筒状とすることによって形成される。 【0031】また前記固定部材8はその内側の一端に、
例えば、透光性部材9が取着されており、該透光性部材
9は固定部材8の内部空間を塞ぎ、基体1と枠体2と蓋
部材3とから成る容器の気密封止を保持させるとともに
固定部材8の内部空間を伝達する光半導体素子4の励起
した光をそのまま固定部材8に取着接続される光ファイ
バー部材10に伝達させる作用をなす。 【0032】前記透光性部材9は例えば、酸化珪素、酸
化鉛を主成分とした鉛系及びホウ酸、ケイ砂を主成分と
したホウケイ酸系の非晶質ガラスで形成されており、該
非晶質ガラスは結晶軸が存在しないことから光半導体素
子4の励起する光を透光性部材9を通過させて光ファイ
バー部材10に授受させる場合、光半導体素子4の励起
した光は透光性部材9で複屈折を起こすことはなくその
まま光ファイバー部材10に授受されることとなり、そ
の結果、光半導体素子4が励起した光の光ファイバー部
材10への授受が高効率となって光信号の伝送効率を高
いものとなすことができる。 【0033】前記透光性部材9の固定部材8への取着
は、例えば、図2に示すように、透光性部材7の外周部
に予めメタライズ層11を被着させておき、該メタライ
ズ層11と固定部材8とを金ー錫合金等のロウ材を介し
ロウ付けすることによって行われる。この場合、透光性
部材9の固定部材8への取着が金ー錫合金等によるロウ
付けにより行われることから取着の信頼性が高いものと
なり、これによって固定部材8と透光性部材9との取着
部における光半導体素子4や駆動素子5を収容する容器
の気密封止が完全となり、容器内部に収容する光半導体
素子4や駆動素子5を長期間にわたり正常、かつ安定に
作動させることができる。 【0034】なお、前記透光性部材9の外周部に予め被
着されているメタライズ層11は透光性部材9を構成す
る非晶質ガラスの融点が約700℃と低く、従来周知の
Mo−Mn法を採用することによって形成することかで
きないことから図2に示すように、非晶質ガラスに対し
て活性があり、強固に接合するチタン、チタンータング
ステン、窒化タンタルの少なくとも1種から成る第1層
11aと、この第1層11aが透光性部材9を固定部材
8にロウ付けする際の熱によって後述する第3層11c
に拡散し、メタライズ層11の透光性部材9に対する接
合強度が低下するのを有効に防止する白金、ニッケル、
ニッケルークロムの少なくとも1種から成る第2層11
bと、メタライズ層11に対するロウ材の濡れ性を改善
し、メタライズ層11にロウ材を強固に接合させて透光
性部材9を固定部材8に強固に取着させる金、白金、銅
の少なくとも1種から成る第3層11cとを順次、積層
させることによって形成されており、特にチタンー白金
ー金を順次積層させて形成したメタライズ層11は透光
性部材9との接合強度が強く、かつロウ材との濡れ性が
良好で透光性部材9を固定部材8にロウ付けすることが
可能なことからメタライズ層11として極めて好適であ
る。 【0035】更に前記チタン、チタンータングステン、
窒化タンタルの少なくとも1種から成る第1層11a
と、白金、ニッケル、ニッケルークロムの少なくとも1
種から成る第2層11bと、金、白金、銅の少なくとも
1種から成る第3層11cとの3層構造を有するメタラ
イズ層11はその各々の金属材料、窒化物を透光性部材
9の外周部にスパッタリング法や蒸着法、イオンプレー
ティング法、メッキ法等により順次、所定厚みに被着さ
せることによって形成される。 【0036】また更に前記メタライズ層11をチタン、
チタンータングステン、窒化タンタルの少なくとも1種
から成る第1層11aと、白金、ニッケル、ニッケルー
クロムの少なくとも1種から成る第2層11bと、金、
白金、銅の少なくとも1種から成る第3層11cとで形
成する場合、第1層11aの層厚は500オングストロ
ーム未満となるとメタライズ層11の透光性部材9に対
する接合強度が弱くなる傾向にあり、また2000オン
グストロームを超えると透光性部材9に第1層11aを
被着させる際に第1層11a中に大きな応力が発生内在
し、該内在応力によって第1層11aが透光性部材9よ
り剥離し易くなる傾向にあることから第1層11aの厚
みは500オングストローム乃至2000オングストロ
ームの範囲としておくことが好ましく、第2層11bの
層厚は500オングストローム未満となると透光性部材
9を固定部材8にロウ付けする際の熱によって第1層1
1aが第3層11cに拡散するのを有効に防止すること
ができず、メタライズ層11の透光性部材9に対する接
合強度が低下してしまう危険性があり、また10000
オングストロームを超えると第1層11a上に第2層1
1bを被着させる際に第2層11b中に大きな応力が発
生内在し、該内在応力によって第2層11bが第1層1
1aより剥離し易くなる傾向にあることから第2層11
bの厚みは500オングストローム乃至10000オン
グストロームの範囲としておくことが好ましく、第3層
11cの層厚は0.5μm未満であるとメタライズ層1
1に対するロウ材の濡れ性が大きく改善されず、透光性
部材9を固定部材8に強固にロウ付け取着するのが困難
となる傾向にあり、また5μmを超えると第2層11b
上に第3層11cを被着させる際に第3層11c中に大
きな応力が発生内在し、該内在応力によって第3層11
cが第2層11bより剥離し易くなる傾向にあることか
ら第3層11cの厚みは0.5μm乃至5μmの範囲と
しておくことが好ましい。 【0037】更に前記枠体2はその上面に、例えば、鉄
ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属
材料から成る蓋部材3が接合され、これによって基体1
と枠体2と蓋部材3とからなる容器の内部に光半導体素
子4及び駆動素子5が気密に封止されることとなる。 【0038】前記蓋部材3の枠体2上面への接合は、例
えは、シームウェルド法等の溶接によって行われる。 【0039】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば、基体1の光半導体素子載置領域1aに
光半導体素子4を、駆動素子載置領域1bに駆動素子5
を載置固定するとともに光半導体素子4及び駆動素子5
の各電極をボンデイングワイヤ等の電気的接続手段を介
してメタライズ配線層7に電気的に接続し、次に枠体2
の上面に蓋部材3を接合させ、基体1と枠体2と蓋部材
3とから成る容器内部に光半導体素子4及び駆動素子5
を収容し、最後に枠体2に取着させた筒状の固定部材8
に光ファイバー部材10を取着接続させることによって
最終製品としての光半導体装置となる。 【0040】かかる光半導体装置は外部電気回路から供
給される駆動信号に基づいて駆動素子5に所定の駆動を
行わせるとともに該駆動素子5の駆動に伴って光半導体
素子4に所定の光励起を起こさせ、該励起した光を透光
性部材9を介し光ファイバー部材10に授受させるとと
もに該光ファイバー部材10の光ファイバー内を伝達さ
せることによって高速通信等に使用される。 【0041】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では、
駆動素子5の駆動によって光半導体素子4が光を励起す
る場合について説明したが、これが光ファイバー部材1
0を介して伝達された光を光半導体素子4が電気信号に
変換し、該変換された電気信号を駆動素子5が増幅する
ようになした場合にも適用可能である。 【0042】 【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば、光半導体素子及び該光半導体素子を駆動する
駆動素子が載置される基体に、光半導体素子載置領域と
駆動素子載置領域とを区分するように切欠孔を設けると
ともに、該切欠孔内に炭素繊維布から成り、かつ露出す
る外表面が被覆層で被覆されている熱遮断部材を配設し
たことから、駆動素子に外部電気回路から駆動信号を供
給して所定の駆動を起こさせるとともに該駆動素子の駆
動に伴って光半導体素子に所定の光励起を起こさせた
際、駆動素子が作動時に多量の熱を発し、その熱の一部
が基体を介し光半導体素子に作用しようとしても熱の伝
達が前記熱遮断部材で遮断されて光半導体素子に作用す
ることはなく、その結果、光半導体素子は常に適温とな
り、光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作
動させることが可能となる。
施例を示す断面図である。 【図2】図1に示す光半導体素子収納用パッケージの透
光性部材を説明するための一部拡大断面図である。 【符号の説明】 1・・・・・・・・基体 1a・・・・・・・光半導体素子載置領域 1b・・・・・・・駆動素子載置領域 1c・・・・・・・切欠孔 2・・・・・・・・枠体 2a・・・・・・・貫通孔 3・・・・・・・・蓋部材 4・・・・・・・・光半導体素子 5・・・・・・・・駆動素子 6・・・・・・・・熱遮断部材 7・・・・・・・・メタライズ配線層 8・・・・・・・・固定部材 9・・・・・・・・透光性部材 10・・・・・・・・光ファイバー部材
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】上面に光半導体素子及び該光半導体素子を
駆動する駆動素子が載置される光半導体素子載置領域及
び駆動素子載置領域を有する基体と、前記基体上に光半
導体素子載置領域及び駆動素子載置領域を囲繞するよう
にして取着され、側部に貫通孔を有する枠体と、前記貫
通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、光ファイバ
ー部材が接合される筒状の固定部材と、前記枠体の上面
に取着され、光半導体素子及び駆動素子を気密に封止す
る蓋部材とから成る光半導体素子収納用パッケージであ
って、前記基体に切欠孔を形成し、光半導体素子載置領
域と駆動素子載置領域とを区分するとともに該切欠孔内
に炭素繊維布から成り、かつ露出する外表面が被覆層で
被覆されている熱遮断部材を配設したことを特徴とする
光半導体素子収納用パッケージ。
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---|---|---|---|
JP08077499A JP3532114B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP08077499A JP3532114B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 光半導体素子収納用パッケージ |
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