JP3529495B2 - 窒化アルミニウムセラミックス基板及びその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウムセラミックス基板及びその製造方法Info
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- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、メタライズ組成物及
びそれを用いた窒化アルミニウムセラミックス基板に関
する。この発明によるセラミックス基板は、高密度高集
積回路基板、ＩＣパッケージ、トランジスタパッケージ
等の電子・半導体機器部品に好適に利用され得る。
びそれを用いた窒化アルミニウムセラミックス基板に関
する。この発明によるセラミックス基板は、高密度高集
積回路基板、ＩＣパッケージ、トランジスタパッケージ
等の電子・半導体機器部品に好適に利用され得る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体の高密度化、高集積化に伴
い、半導体から発生する熱量は増加してきている。従っ
て、熱伝導率が約２０Ｗ／ｍ・Ｋと低いＡｌ2Ｏ3セラミ
ツクスよりも、熱伝導率の高い材料としてＡｌＮ（理論
上の熱伝導率３２０Ｗ／ｍ・Ｋ）が注目されてきてい
る。
い、半導体から発生する熱量は増加してきている。従っ
て、熱伝導率が約２０Ｗ／ｍ・Ｋと低いＡｌ2Ｏ3セラミ
ツクスよりも、熱伝導率の高い材料としてＡｌＮ（理論
上の熱伝導率３２０Ｗ／ｍ・Ｋ）が注目されてきてい
る。
【０００３】ところが、ＡｌＮセラミックスの焼結助剤
として用いられるＹ2Ｏ3は、ガラス形成成分とならない
ので、ＡｌＮ粉末表面の酸化層と反応してアルミナＡｌ
2Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3系化合物を生成してもＷ層側に
浸透し難い。従って、ＡｌＮ表面に、Ｗメタライズ層を
形成しても、メタライズ強度にバラツキがあり、気密性
に劣っていた。
として用いられるＹ2Ｏ3は、ガラス形成成分とならない
ので、ＡｌＮ粉末表面の酸化層と反応してアルミナＡｌ
2Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3系化合物を生成してもＷ層側に
浸透し難い。従って、ＡｌＮ表面に、Ｗメタライズ層を
形成しても、メタライズ強度にバラツキがあり、気密性
に劣っていた。
【０００４】これを改善するために窒化アルミニウムセ
ラミックスと同じ成分をＷペーストに添加しようとする
提案が種々なされている（特開昭６１−２９１４８０
号、特開昭６２−１９７３７２号、特開平２−８３２６
２号、特開平４−３１３６７号、特開平４−８３７８３
号及び特開平５−１９１０３９号の各公報）。
ラミックスと同じ成分をＷペーストに添加しようとする
提案が種々なされている（特開昭６１−２９１４８０
号、特開昭６２−１９７３７２号、特開平２−８３２６
２号、特開平４−３１３６７号、特開平４−８３７８３
号及び特開平５−１９１０３９号の各公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、’４８０号公
報、’３７２号公報に記載の提案は、メタライズ強度の
みに着目しており、電気的特性や他部材との接合性等の
ように、上記利用分野で利用するにあたっての総合的観
点から検討されていない。従って、メタライズ強度は高
くても、Ｗ層の電気抵抗が高すぎて回路基板として不十
分であったり、焼結後に反りが発生してＩＣチップが接
合できなかったり気密性が悪いという課題が残されてい
た。
報、’３７２号公報に記載の提案は、メタライズ強度の
みに着目しており、電気的特性や他部材との接合性等の
ように、上記利用分野で利用するにあたっての総合的観
点から検討されていない。従って、メタライズ強度は高
くても、Ｗ層の電気抵抗が高すぎて回路基板として不十
分であったり、焼結後に反りが発生してＩＣチップが接
合できなかったり気密性が悪いという課題が残されてい
た。
【０００６】また、’２６２号公報には、焼結後の基板
の反りが一応測定されているものの、これと解決手段と
の関係が解明されていない。従って、どのようにすれば
反りが無くなるのか不明である。’３６７号公報にも導
通ビアの亀裂を防止する手段として、タングステンＷ粒
子の空間占有率及び平均粒径を限定する手段が開示され
ているのみで、上記の総合的観点から検討されていな
い。’７８３号公報及び’０３９号公報には、焼結後の
基板の反りについて全く検討されていない。
の反りが一応測定されているものの、これと解決手段と
の関係が解明されていない。従って、どのようにすれば
反りが無くなるのか不明である。’３６７号公報にも導
通ビアの亀裂を防止する手段として、タングステンＷ粒
子の空間占有率及び平均粒径を限定する手段が開示され
ているのみで、上記の総合的観点から検討されていな
い。’７８３号公報及び’０３９号公報には、焼結後の
基板の反りについて全く検討されていない。
【０００７】それゆえ、この発明の目的は、上記課題を
解決し、窒化アルミニウムセラミックスに電気抵抗の低
いＷ層を、セラミックスの変形を伴わずに強く固着さ
せ、気密性に優れ、電子・半導体機器分野での汎用が期
待できる窒化アルミニウムセラミックス基板を提供する
ことにある。
解決し、窒化アルミニウムセラミックスに電気抵抗の低
いＷ層を、セラミックスの変形を伴わずに強く固着さ
せ、気密性に優れ、電子・半導体機器分野での汎用が期
待できる窒化アルミニウムセラミックス基板を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】その目的を達成する第一
の手段は、平均粒径が０．６μｍを超え３．０μｍ未満
のタングステンＷ１００重量部と、窒化アルミニウムＡ
ｌＮ粉末及びアルミナＡｌ２Ｏ３−イットリアＹ２Ｏ３
混合物のうち１種以上（以下、「添加物」という。）４
重量部以上とを含むことを特徴とするメタライズ組成物
を用いて後述のようにセラミックス基板を製造するとこ
ろにある。
の手段は、平均粒径が０．６μｍを超え３．０μｍ未満
のタングステンＷ１００重量部と、窒化アルミニウムＡ
ｌＮ粉末及びアルミナＡｌ２Ｏ３−イットリアＹ２Ｏ３
混合物のうち１種以上（以下、「添加物」という。）４
重量部以上とを含むことを特徴とするメタライズ組成物
を用いて後述のようにセラミックス基板を製造するとこ
ろにある。
【０００９】ここで、Ｗ以外の含有物の添加形態として
は、ＡｌＮ単独、Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3二成分混合物、Ａｌ
Ｎ−Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3三成分混合物のどれでもよく、合
計量で４〜４０重量部とすればよい。ただし、Ａｌ2Ｏ3
とＹ2Ｏ3とを混合する場合その比率は、焼成後に３Ｙ2
Ｏ3・５Ａｌ2Ｏ3結晶、Ｙ2Ｏ3・Ａｌ2Ｏ3結晶又は２Ｙ2
Ｏ3・Ａｌ2Ｏ3結晶のようなＡｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3化合物と
なるように定めるのがよい。
は、ＡｌＮ単独、Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3二成分混合物、Ａｌ
Ｎ−Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3三成分混合物のどれでもよく、合
計量で４〜４０重量部とすればよい。ただし、Ａｌ2Ｏ3
とＹ2Ｏ3とを混合する場合その比率は、焼成後に３Ｙ2
Ｏ3・５Ａｌ2Ｏ3結晶、Ｙ2Ｏ3・Ａｌ2Ｏ3結晶又は２Ｙ2
Ｏ3・Ａｌ2Ｏ3結晶のようなＡｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3化合物と
なるように定めるのがよい。
【００１０】同じく第二の手段は、イットリウムＹ成分
を含有する窒化アルミニウムＡｌＮ焼結体に導通ビアが
形成されているものにおいて、導通ビアが、平均粒径が
０．６μｍを超え３．０μｍ未満のタングステンＷ１０
０重量部と、窒化アルミニウムＡｌＮ及びアルミナＡｌ
２Ｏ３−イットリアＹ２Ｏ３系化合物のうち１種以上４
重量部以上４０重量部以下とからなることを特徴とする
窒化アルミニウムセラミックス基板；並びに上記窒化ア
ルミニウムＡｌＮ焼結体に更にメタライズ層が形成され
ているものにおいて、メタライズ層が、平均粒径が０．
６μｍを超え３．０μｍ未満のタングステンＷ１００重
量部と、窒化アルミニウムＡｌＮ及びアルミナＡｌ２Ｏ
３−イットリアＹ２Ｏ３系化合物のうち１種以上４重量
部以上２０重量部以下とからなることを特徴とする窒化
アルミニウムセラミックス基板にある。
を含有する窒化アルミニウムＡｌＮ焼結体に導通ビアが
形成されているものにおいて、導通ビアが、平均粒径が
０．６μｍを超え３．０μｍ未満のタングステンＷ１０
０重量部と、窒化アルミニウムＡｌＮ及びアルミナＡｌ
２Ｏ３−イットリアＹ２Ｏ３系化合物のうち１種以上４
重量部以上４０重量部以下とからなることを特徴とする
窒化アルミニウムセラミックス基板；並びに上記窒化ア
ルミニウムＡｌＮ焼結体に更にメタライズ層が形成され
ているものにおいて、メタライズ層が、平均粒径が０．
６μｍを超え３．０μｍ未満のタングステンＷ１００重
量部と、窒化アルミニウムＡｌＮ及びアルミナＡｌ２Ｏ
３−イットリアＹ２Ｏ３系化合物のうち１種以上４重量
部以上２０重量部以下とからなることを特徴とする窒化
アルミニウムセラミックス基板にある。
【００１１】このセラミックス基板を製造する適切な方
法は、貫通孔を有する窒化アルミニウムの焼結前駆体の
貫通孔及び表面に、メタライズ組成物を充填，印刷し、
焼結前駆体及びメタライズ組成物を同時に焼結する方法
において、そのメタライズ組成物が、平均粒径が０．６
μｍを超え３．０μｍ未満のタングステンＷ１００重量
部と、窒化アルミニウムＡｌＮ粉末及びアルミナＡｌ2
Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3混合物のうち１種以上４重量部
以上とを含むことを特徴とする。
法は、貫通孔を有する窒化アルミニウムの焼結前駆体の
貫通孔及び表面に、メタライズ組成物を充填，印刷し、
焼結前駆体及びメタライズ組成物を同時に焼結する方法
において、そのメタライズ組成物が、平均粒径が０．６
μｍを超え３．０μｍ未満のタングステンＷ１００重量
部と、窒化アルミニウムＡｌＮ粉末及びアルミナＡｌ2
Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3混合物のうち１種以上４重量部
以上とを含むことを特徴とする。
【００１２】この製造方法において、貫通孔に充填され
るメタライズ組成物としては、タングステンＷの平均粒
径が１．０μｍ以上２．５μｍ以下であると好ましく、
そのメタライズ組成物中の窒化アルミニウムＡｌＮ及び
アルミナＡｌ２Ｏ３−イットリアＹ２Ｏ３系混合物のう
ち１種以上の含有量が４０重量部以下である。
るメタライズ組成物としては、タングステンＷの平均粒
径が１．０μｍ以上２．５μｍ以下であると好ましく、
そのメタライズ組成物中の窒化アルミニウムＡｌＮ及び
アルミナＡｌ２Ｏ３−イットリアＹ２Ｏ３系混合物のう
ち１種以上の含有量が４０重量部以下である。
【００１３】また、表面に印刷されるメタライズ組成物
としては、タングステンＷの平均粒径が１．０μｍ以上
２．０μｍ以下であると好ましく、そのメタライズ組成
物中の窒化アルミニウムＡｌＮ及びアルミナＡｌ２Ｏ３
−イットリアＹ２Ｏ３系混合物のうち１種以上の含有量
が２０重量部以下である。
としては、タングステンＷの平均粒径が１．０μｍ以上
２．０μｍ以下であると好ましく、そのメタライズ組成
物中の窒化アルミニウムＡｌＮ及びアルミナＡｌ２Ｏ３
−イットリアＹ２Ｏ３系混合物のうち１種以上の含有量
が２０重量部以下である。
【００１４】
【作用】イットリアＹ2Ｏ3を焼結助剤成分として含有す
る窒化アルミニウムＡｌＮのグリーンシートに上記メタ
ライズ組成物を充填及び又は印刷して同時焼成すると、
グリーンシート中のＡｌＮ粉末の酸化層とＹ2Ｏ3とから
生成する液相成分が、メタライズ組成物中に浸透しやす
くなる。そのため、導通ビアやメタライズ層と基板との
接着強度が高くなるとともに、導通ビア及びメタライズ
層の気密性が向上する。
る窒化アルミニウムＡｌＮのグリーンシートに上記メタ
ライズ組成物を充填及び又は印刷して同時焼成すると、
グリーンシート中のＡｌＮ粉末の酸化層とＹ2Ｏ3とから
生成する液相成分が、メタライズ組成物中に浸透しやす
くなる。そのため、導通ビアやメタライズ層と基板との
接着強度が高くなるとともに、導通ビア及びメタライズ
層の気密性が向上する。
【００１５】ただし、メタライズ組成物中の添加物の量
が、４重量部より少ないと、その作用に乏しく、他方、
貫通孔に充填される場合は４０重量部、表面に印刷され
る場合は２０重量部より多くなると、電気抵抗が高くな
りすぎて回路用に適さない。表面に印刷される場合より
も貫通孔に充填される場合のほうが、添加物含有量の上
限値が高いのは、後者の方が断面積が大きく且つ配線長
が短いので、基板内の配線全体の電気抵抗に及ぼす寄与
が小さいからである。
が、４重量部より少ないと、その作用に乏しく、他方、
貫通孔に充填される場合は４０重量部、表面に印刷され
る場合は２０重量部より多くなると、電気抵抗が高くな
りすぎて回路用に適さない。表面に印刷される場合より
も貫通孔に充填される場合のほうが、添加物含有量の上
限値が高いのは、後者の方が断面積が大きく且つ配線長
が短いので、基板内の配線全体の電気抵抗に及ぼす寄与
が小さいからである。
【００１６】尚、添加物は、その大部分が焼結後にアル
ミナＡｌ2Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3系化合物となるが、焼
成中にグリーンシートから前記の液相成分が浸透してく
るので、焼結後のＡｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3系化合物含有量は、
その構成成分の添加量よりも若干多い。
ミナＡｌ2Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3系化合物となるが、焼
成中にグリーンシートから前記の液相成分が浸透してく
るので、焼結後のＡｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3系化合物含有量は、
その構成成分の添加量よりも若干多い。
【００１７】また、タングステンＷ粉末の平均粒径が
０．６μｍ以下であると、メタライズ組成物の焼成収縮
量がグリーンシートのそれよりも大きくなるので、導通
ビアに適用すると導通ビアの端面が基板表面よりも大き
く凹むし、メタライズ組成物を平面配線に適用すると基
板全体がメタライズ層側に反る。他方Ｗ粉末の平均粒径
が３．０μｍ以上になると両者の焼成収縮量が逆転し
て、導通ビア端面が基板表面よりも突出したり、基板全
体がセラミックス側に反ったりするほか、メタライズ強
度及び気密性も劣化するので、平均粒径を上記のように
限定した。好ましい平均粒径の範囲は、貫通孔充填用と
しては１．０μｍ〜２．５μｍ、表面印刷用としては
１．０μｍ〜２．０μｍである。前者の方が好ましい平
均粒径の上限値が高いのは、貫通孔に充填されたメタラ
イズ組成物の場合、基板の厚さ方向の収縮量に対して平
面方向のそれが小さいので、表面印刷用に比べて基板の
反りや導通ビアの凹凸に及ぼす影響が少ないからであ
る。
０．６μｍ以下であると、メタライズ組成物の焼成収縮
量がグリーンシートのそれよりも大きくなるので、導通
ビアに適用すると導通ビアの端面が基板表面よりも大き
く凹むし、メタライズ組成物を平面配線に適用すると基
板全体がメタライズ層側に反る。他方Ｗ粉末の平均粒径
が３．０μｍ以上になると両者の焼成収縮量が逆転し
て、導通ビア端面が基板表面よりも突出したり、基板全
体がセラミックス側に反ったりするほか、メタライズ強
度及び気密性も劣化するので、平均粒径を上記のように
限定した。好ましい平均粒径の範囲は、貫通孔充填用と
しては１．０μｍ〜２．５μｍ、表面印刷用としては
１．０μｍ〜２．０μｍである。前者の方が好ましい平
均粒径の上限値が高いのは、貫通孔に充填されたメタラ
イズ組成物の場合、基板の厚さ方向の収縮量に対して平
面方向のそれが小さいので、表面印刷用に比べて基板の
反りや導通ビアの凹凸に及ぼす影響が少ないからであ
る。
【００１８】
−実施例１−
ここでは、この発明のメタライズ組成物を基板の導通ビ
アすなわち厚さ方向の配線に適用した例を示す。
アすなわち厚さ方向の配線に適用した例を示す。
【００１９】ＡｌＮ粉末（平均粒径１．２μｍ）１００
重量部に、焼結助剤としてＹ2Ｏ3粉末（平均粒径１．４
μｍ）を５重量部、着色剤としてＴｉＯ2粉末（平均粒
径０．７μｍ）を０．５重量部を添加し、更に有機バイ
ンダーとしてのポリビニルブチラール（ＰＶＢ）及び可
塑剤としてのフタル酸ジブチル（ＤＢＰ）を添加し溶媒
と共に混合してスラリーとした後、ドクターブレード装
置にてテープ成形し、厚さ０．６ｍｍのＡｌＮグリーン
シート（以下、単に「グリーンシート」という。）を作
製した。別途、Ｗ粉末に所定の添加物及び有機バインダ
ーとしてのエチルセルロースを溶媒中で混合してＷペー
スト（メタライズ組成物）を作製した。
重量部に、焼結助剤としてＹ2Ｏ3粉末（平均粒径１．４
μｍ）を５重量部、着色剤としてＴｉＯ2粉末（平均粒
径０．７μｍ）を０．５重量部を添加し、更に有機バイ
ンダーとしてのポリビニルブチラール（ＰＶＢ）及び可
塑剤としてのフタル酸ジブチル（ＤＢＰ）を添加し溶媒
と共に混合してスラリーとした後、ドクターブレード装
置にてテープ成形し、厚さ０．６ｍｍのＡｌＮグリーン
シート（以下、単に「グリーンシート」という。）を作
製した。別途、Ｗ粉末に所定の添加物及び有機バインダ
ーとしてのエチルセルロースを溶媒中で混合してＷペー
スト（メタライズ組成物）を作製した。
【００２０】そして、上記のグリーンシートを打ち抜い
て、４行１０列に４０個並んだ各々直径０．２５ｍｍの
貫通孔を設け、そこにＷペーストを充填した。このグリ
ーンシートを２枚重ね、所定形状に切断し、加湿のＮ2
／Ｈ2雰囲気中８００℃で脱脂した後、Ｎ2雰囲気中１８
００℃で焼成することによって、窒化アルミニウムセラ
ミックス基板を製造した。
て、４行１０列に４０個並んだ各々直径０．２５ｍｍの
貫通孔を設け、そこにＷペーストを充填した。このグリ
ーンシートを２枚重ね、所定形状に切断し、加湿のＮ2
／Ｈ2雰囲気中８００℃で脱脂した後、Ｎ2雰囲気中１８
００℃で焼成することによって、窒化アルミニウムセラ
ミックス基板を製造した。
【００２１】得られた基板は、４０×２０×１tｍｍの
大きさで、導通ビアの直径は、０．２０ｍｍとなってい
た。この基板について、以下の条件で平坦度、気密性及
び体積抵抗を測定した結果を表１に示す。
大きさで、導通ビアの直径は、０．２０ｍｍとなってい
た。この基板について、以下の条件で平坦度、気密性及
び体積抵抗を測定した結果を表１に示す。
【００２２】［平坦度評価］表面粗さ計の測定針を基板
の平面方向に０．６ｍｍ／ｓｅｃ．の速度で走行させ、
導通ビアを通過するときの測定針の鉛直方向変位を測定
し、ｎ＝５の平均値が１０〜１５（１０を除く）μｍを
□、５〜１０（５を除く）μｍを○、−５〜５（５，−
５を含む）μｍを◎、−１０〜−５（−５を除く）μｍ
を●、−１５〜−１０（−１０を除く）μｍを■と表示
した。
の平面方向に０．６ｍｍ／ｓｅｃ．の速度で走行させ、
導通ビアを通過するときの測定針の鉛直方向変位を測定
し、ｎ＝５の平均値が１０〜１５（１０を除く）μｍを
□、５〜１０（５を除く）μｍを○、−５〜５（５，−
５を含む）μｍを◎、−１０〜−５（−５を除く）μｍ
を●、−１５〜−１０（−１０を除く）μｍを■と表示
した。
【００２３】［気密性評価］グリーンシートの表面にＷ
ペーストを用いて所定寸法の十字パターンにスクリーン
印刷し、その上に直径５ｍｍの孔が中央に貫通したグリ
ーンシートをパターン交点が中心となるように積層し、
８ｍｍ四方の方形状に切断した。そして、上記焼成条件
にて焼成することによって、セラミックス積層基板を製
造した。前記十字パターンは、幅０．２ｍｍ×厚さ２０
μｍの大きさとなっていた。図２に示すようにこの積層
基板６にシリコンゴムＳを当てて、ヘリウムＨｅリーク
ディテクター装置にかけ、基板の一方の主面側を真空に
保った状態で外部よりヘリウムガスを吹きかけた。ヘリ
ウムガスのリーク量が１０-9atm・cc／sec以下のものを
○、１０-7〜１０-8atm・cc／secのものを△、１０-6atm
・cc／sec以上のものを×として表１に示した。
ペーストを用いて所定寸法の十字パターンにスクリーン
印刷し、その上に直径５ｍｍの孔が中央に貫通したグリ
ーンシートをパターン交点が中心となるように積層し、
８ｍｍ四方の方形状に切断した。そして、上記焼成条件
にて焼成することによって、セラミックス積層基板を製
造した。前記十字パターンは、幅０．２ｍｍ×厚さ２０
μｍの大きさとなっていた。図２に示すようにこの積層
基板６にシリコンゴムＳを当てて、ヘリウムＨｅリーク
ディテクター装置にかけ、基板の一方の主面側を真空に
保った状態で外部よりヘリウムガスを吹きかけた。ヘリ
ウムガスのリーク量が１０-9atm・cc／sec以下のものを
○、１０-7〜１０-8atm・cc／secのものを△、１０-6atm
・cc／sec以上のものを×として表１に示した。
【００２４】［体積抵抗評価］貫通孔内部にメタライズ
組成物が充填されて形成された４０個の導通ビアを任意
に１０個選び、両端面間の電気抵抗を測定し、導通ビア
の直径及び長さから体積抵抗を計算し、平均値を表示し
た。
組成物が充填されて形成された４０個の導通ビアを任意
に１０個選び、両端面間の電気抵抗を測定し、導通ビア
の直径及び長さから体積抵抗を計算し、平均値を表示し
た。
【００２５】
【表１】
表１にみられるように、この発明の範囲に属する試料Ｎ
ｏ．３〜８，１０，１１，１６〜２１，２３，２４は、
平坦度、気密性及び体積抵抗のすべてにおいて優れてい
た。これに対して、試料Ｎｏ．１，１４は、Ｗ平均粒径
が０．６μｍと細かいので、グリーンシートよりも貫通
孔に充填されたメタライズ組成物のほうが多く収縮し、
その結果、導通ビア端面が基板表面よりも陥没したもの
と考えられる。試料Ｎｏ．２，１５は、メタライズ組成
物に含まれるＷ以外の無機質添加物の添加量が２重量部
と少ないので、セラミックス側からの液相成分の浸透が
不十分となり、気密性に劣ったものと考えられる。試料
Ｎｏ．９，２２は、逆に添加量が過剰であったので、体
積抵抗が高くなりすぎたものである。試料Ｎｏ．１２，
１３，２５，２６は、Ｎｏ．１と反対にＷ平均粒径がそ
れぞれ３μｍ，４μｍと過大であったので、貫通孔に充
填されたメタライズ組成物がグリーンシートほどには収
縮せず、相対的に導通ビアが基板表面より突出したもの
と考えられる。
ｏ．３〜８，１０，１１，１６〜２１，２３，２４は、
平坦度、気密性及び体積抵抗のすべてにおいて優れてい
た。これに対して、試料Ｎｏ．１，１４は、Ｗ平均粒径
が０．６μｍと細かいので、グリーンシートよりも貫通
孔に充填されたメタライズ組成物のほうが多く収縮し、
その結果、導通ビア端面が基板表面よりも陥没したもの
と考えられる。試料Ｎｏ．２，１５は、メタライズ組成
物に含まれるＷ以外の無機質添加物の添加量が２重量部
と少ないので、セラミックス側からの液相成分の浸透が
不十分となり、気密性に劣ったものと考えられる。試料
Ｎｏ．９，２２は、逆に添加量が過剰であったので、体
積抵抗が高くなりすぎたものである。試料Ｎｏ．１２，
１３，２５，２６は、Ｎｏ．１と反対にＷ平均粒径がそ
れぞれ３μｍ，４μｍと過大であったので、貫通孔に充
填されたメタライズ組成物がグリーンシートほどには収
縮せず、相対的に導通ビアが基板表面より突出したもの
と考えられる。
【００２６】−比較例１−
比較のために、グリーンシートに含まれる焼結助剤とし
て、Ｙ2Ｏ3に代えてＣａＯを用い、メタライズ組成物中
の添加物として、ＡｌＮ及びＡｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3に代えて
ＣａＯを４重量部Ｗ平均粒径１．０μｍを用いた以外
は、実施例１と同一条件でセラミックス基板を製造し
た。
て、Ｙ2Ｏ3に代えてＣａＯを用い、メタライズ組成物中
の添加物として、ＡｌＮ及びＡｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3に代えて
ＣａＯを４重量部Ｗ平均粒径１．０μｍを用いた以外
は、実施例１と同一条件でセラミックス基板を製造し
た。
【００２７】実施例１と同様に平坦度、気密性及び体積
抵抗を評価したところ、平坦度は○、気密性は×、体積
抵抗は２３μΩ・ｃｍとなった。気密性が悪かったの
は、ＣａＯが焼成時に揮発したため、導通ビア側に液相
成分が浸透しなかったことによると考えられる。
抵抗を評価したところ、平坦度は○、気密性は×、体積
抵抗は２３μΩ・ｃｍとなった。気密性が悪かったの
は、ＣａＯが焼成時に揮発したため、導通ビア側に液相
成分が浸透しなかったことによると考えられる。
【００２８】−実施例２−
ここでは、この発明のメタライズ組成物を基板のメタラ
イズ層すなわち平面方向の配線に適用した例を示す。実
施例１で作製したものと同形同質のグリーンシート及び
Ｗペーストを準備した。そして、上記のグリーンシート
及びＷペーストを用いて以下の評価を行った。
イズ層すなわち平面方向の配線に適用した例を示す。実
施例１で作製したものと同形同質のグリーンシート及び
Ｗペーストを準備した。そして、上記のグリーンシート
及びＷペーストを用いて以下の評価を行った。
【００２９】［メタライズ強度の評価］グリーンシート
の表面に、Ｗペーストをスクリーン印刷して、所定のパ
ッドを４行×５列＝２０個形成し、加湿のＮ2／Ｈ2雰囲
気下８００℃で樹脂抜きを行った後、Ｎ2雰囲気下１７
５０〜１８５０℃で焼成し、続いてパッドの上に厚さ
１．０μｍの無電解Ｎｉ鍍金を施した。前記パッドは、
直径１．５ｍｍ、厚さ２０μｍの大きさとなり、２．５
４ｍｍのピッチで配列していた。次に軸部直径０．４５
ｍｍ、ヘッド直径０．７０ｍｍのネールヘッドピンを７
２Ａｇ−２８Ｃｕ共晶ろう材にて接合した。接合構造を
図１に示す。図中、接合体１は、セラミックス基板２、
メタライズ層及びＮｉ鍍金層からなるパッド３、ネール
ヘッドピン４並びにろう材５にて構成されている。
の表面に、Ｗペーストをスクリーン印刷して、所定のパ
ッドを４行×５列＝２０個形成し、加湿のＮ2／Ｈ2雰囲
気下８００℃で樹脂抜きを行った後、Ｎ2雰囲気下１７
５０〜１８５０℃で焼成し、続いてパッドの上に厚さ
１．０μｍの無電解Ｎｉ鍍金を施した。前記パッドは、
直径１．５ｍｍ、厚さ２０μｍの大きさとなり、２．５
４ｍｍのピッチで配列していた。次に軸部直径０．４５
ｍｍ、ヘッド直径０．７０ｍｍのネールヘッドピンを７
２Ａｇ−２８Ｃｕ共晶ろう材にて接合した。接合構造を
図１に示す。図中、接合体１は、セラミックス基板２、
メタライズ層及びＮｉ鍍金層からなるパッド３、ネール
ヘッドピン４並びにろう材５にて構成されている。
【００３０】接合体１のセラミックス基板２を固定し、
ネールヘッドピン４をセラミックス基板２に対して垂直
方向に引っ張り、メタライズ強度を測定した。試料５個
（１００パッド）中、メタライズ強度が５ｋｇ／ｍｍ2
未満のパッドを不良とし、不良率を計算して表２に示し
た。尚、メタライズ強度が５ｋｇ／ｍｍ2以上になると
ネールヘッドピン４が切れるので、メタライズ強度５ｋ
ｇ／ｍｍ2を合否の基準とした。
ネールヘッドピン４をセラミックス基板２に対して垂直
方向に引っ張り、メタライズ強度を測定した。試料５個
（１００パッド）中、メタライズ強度が５ｋｇ／ｍｍ2
未満のパッドを不良とし、不良率を計算して表２に示し
た。尚、メタライズ強度が５ｋｇ／ｍｍ2以上になると
ネールヘッドピン４が切れるので、メタライズ強度５ｋ
ｇ／ｍｍ2を合否の基準とした。
【００３１】［気密性評価］実施例１と同様に基板にシ
リコンゴムを当てて、ヘリウムＨｅリークディテクター
装置にかけ、積層基板６の孔側を真空に保った状態で外
部よりヘリウムガスを吹きかけ、実施例１と同様に評価
して表２に示した。
リコンゴムを当てて、ヘリウムＨｅリークディテクター
装置にかけ、積層基板６の孔側を真空に保った状態で外
部よりヘリウムガスを吹きかけ、実施例１と同様に評価
して表２に示した。
【００３２】［体積抵抗評価］グリーンシートの表面に
Ｗペーストを用いて所定寸法の帯パターンを３本並列に
スクリーン印刷し、上記焼成条件にて焼成した。前記帯
パターンは、幅０．２ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ２０μ
ｍの大きさになっていた。各々の帯パターン両端の電気
抵抗を測定し、帯パターンの寸法から体積抵抗を計算
し、３本の平均値を表２に示した。
Ｗペーストを用いて所定寸法の帯パターンを３本並列に
スクリーン印刷し、上記焼成条件にて焼成した。前記帯
パターンは、幅０．２ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ２０μ
ｍの大きさになっていた。各々の帯パターン両端の電気
抵抗を測定し、帯パターンの寸法から体積抵抗を計算
し、３本の平均値を表２に示した。
【００３３】［反り評価］グリーンシートの主面全面に
Ｗペーストをスクリーン印刷した後、円盤形に切断し、
上記焼成条件にて焼成した。焼成後のＷ層の厚さは、２
０μｍに、円盤の直径は、２５ｍｍであった。そして、
この円盤の反り量を測定した。図３に示すように円盤が
メタライズ層７側に反っている場合の反り量ｄを正値、
セラミックス８側に反っている場合の反り量ｄを負値と
し、その絶対値が３００μｍ未満のものを○、３００〜
６００μｍの範囲のものを△、６００μｍ以上のものを
×として表２に示した。
Ｗペーストをスクリーン印刷した後、円盤形に切断し、
上記焼成条件にて焼成した。焼成後のＷ層の厚さは、２
０μｍに、円盤の直径は、２５ｍｍであった。そして、
この円盤の反り量を測定した。図３に示すように円盤が
メタライズ層７側に反っている場合の反り量ｄを正値、
セラミックス８側に反っている場合の反り量ｄを負値と
し、その絶対値が３００μｍ未満のものを○、３００〜
６００μｍの範囲のものを△、６００μｍ以上のものを
×として表２に示した。
【００３４】
【表２】
表にみられるように、この発明の範囲に属する試料Ｎ
ｏ．３〜６，８，１３〜１６，１８は、メタライズ強
度、気密性、体積抵抗及び反り量のすべてにおいて優れ
ていた。体積抵抗については、添加物の添加量との関係
を図４に示した。図４から添加量が２０重量部を超える
と体積抵抗が急上昇することが明らかである。また、反
り量とＷ平均粒径との関係を図５に示した。図５からＷ
平均粒径が１．０〜２．０μｍの範囲にあるときにメタ
ライズ層とセラミックス基板との焼成収縮量が一致し、
ほとんど反りを生じないことが明らかである。
ｏ．３〜６，８，１３〜１６，１８は、メタライズ強
度、気密性、体積抵抗及び反り量のすべてにおいて優れ
ていた。体積抵抗については、添加物の添加量との関係
を図４に示した。図４から添加量が２０重量部を超える
と体積抵抗が急上昇することが明らかである。また、反
り量とＷ平均粒径との関係を図５に示した。図５からＷ
平均粒径が１．０〜２．０μｍの範囲にあるときにメタ
ライズ層とセラミックス基板との焼成収縮量が一致し、
ほとんど反りを生じないことが明らかである。
【００３５】これに対して、試料Ｎｏ．１，１１は、Ｗ
平均粒径が小さいので、反り量が正方向に過大となっ
た。試料Ｎｏ．２，１２は、添加物量が少ないので、グ
リーンシートからの液相成分の浸透量が少なくなり、気
密性に劣ったものと考えられる。試料Ｎｏ．７，１７
は、添加物量が過剰であるので、体積抵抗が高くなりす
ぎた。試料Ｎｏ．９，１０，１９，２０は、Ｗ平均粒径
が大きいので、反り量が負方向に過大となった。また、
試料Ｎｏ．２１は、添加物を加えていないし、試料Ｎ
ｏ．２２は、添加物が液相を構成しないＴｉＮであるの
で、いずれもすべての特性に劣っていた。
平均粒径が小さいので、反り量が正方向に過大となっ
た。試料Ｎｏ．２，１２は、添加物量が少ないので、グ
リーンシートからの液相成分の浸透量が少なくなり、気
密性に劣ったものと考えられる。試料Ｎｏ．７，１７
は、添加物量が過剰であるので、体積抵抗が高くなりす
ぎた。試料Ｎｏ．９，１０，１９，２０は、Ｗ平均粒径
が大きいので、反り量が負方向に過大となった。また、
試料Ｎｏ．２１は、添加物を加えていないし、試料Ｎ
ｏ．２２は、添加物が液相を構成しないＴｉＮであるの
で、いずれもすべての特性に劣っていた。
【００３６】ちなみにメタライズ層をＸＲＤで分析する
と、試料Ｎｏ．４及びＮｏ．１５のものは、それぞれ図
６及び図７に示すようにメタライズ層中にアルミナＡｌ
2Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3系化合物が確認され、それらが
浸透していたことが判るのに対し、試料Ｎｏ．２１及び
Ｎｏ．２２のものは、それぞれ図８及び図９に示すよう
にそのような化合物が確認されなかった。従って、上記
諸特性の差異は、そのような化合物の浸透の有無に起因
することが明らかである。
と、試料Ｎｏ．４及びＮｏ．１５のものは、それぞれ図
６及び図７に示すようにメタライズ層中にアルミナＡｌ
2Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3系化合物が確認され、それらが
浸透していたことが判るのに対し、試料Ｎｏ．２１及び
Ｎｏ．２２のものは、それぞれ図８及び図９に示すよう
にそのような化合物が確認されなかった。従って、上記
諸特性の差異は、そのような化合物の浸透の有無に起因
することが明らかである。
【００３７】−比較例２−
比較のために、グリーンシートに含まれる焼結助剤とし
て、Ｙ2Ｏ3に代えてＣａＯを用い、メタライズ組成物中
の添加物として、ＡｌＮ及びＡｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3に代えて
ＣａＯを４重量部用いた以外は、実施例２と同一条件で
セラミックス基板を製造した。
て、Ｙ2Ｏ3に代えてＣａＯを用い、メタライズ組成物中
の添加物として、ＡｌＮ及びＡｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3に代えて
ＣａＯを４重量部用いた以外は、実施例２と同一条件で
セラミックス基板を製造した。
【００３８】実施例２と同様にメタライズ強度、気密
性、体積抵抗及び反りを評価したところ、メタライズ強
度は不良率１２％、気密性は×、体積抵抗は２２μΩ・
ｃｍ、反りは×となった。
性、体積抵抗及び反りを評価したところ、メタライズ強
度は不良率１２％、気密性は×、体積抵抗は２２μΩ・
ｃｍ、反りは×となった。
【００３９】−実施例３−
実施例１では、Ｗペーストの添加物を窒化アルミニウム
ＡｌＮ単独かあるいは、アルミナＡｌ2Ｏ3−イットリア
Ｙ2Ｏ3二成分混合物としているが、ここでは、窒化アル
ミニウムＡｌＮとアルミナＡｌ2Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3
の混合比を１：１としたＡｌＮ−Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3三成
分混合物とし、実施例１と同様に、この発明のメタライ
ズ組成物を基板の導通ビアすなわち厚さ方向の配線に適
用した例を示す。
ＡｌＮ単独かあるいは、アルミナＡｌ2Ｏ3−イットリア
Ｙ2Ｏ3二成分混合物としているが、ここでは、窒化アル
ミニウムＡｌＮとアルミナＡｌ2Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3
の混合比を１：１としたＡｌＮ−Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3三成
分混合物とし、実施例１と同様に、この発明のメタライ
ズ組成物を基板の導通ビアすなわち厚さ方向の配線に適
用した例を示す。
【００４０】添加物を変えた以外は、実施例１で作製し
たものと同形同質のグリーンシート及びＷペーストを準
備した。そして、実施例１と同様の方法で、４０×２０
×１tｍｍの大きさで、導通ビアの直径は、０．２０ｍ
ｍのセラミックス基板を得た。この基板について、以下
の条件で平坦度、気密性及び体積抵抗を測定した結果を
表３に示す。
たものと同形同質のグリーンシート及びＷペーストを準
備した。そして、実施例１と同様の方法で、４０×２０
×１tｍｍの大きさで、導通ビアの直径は、０．２０ｍ
ｍのセラミックス基板を得た。この基板について、以下
の条件で平坦度、気密性及び体積抵抗を測定した結果を
表３に示す。
【００４１】［平坦度評価］実施例１と同様に、導通ビ
アを通過するときの測定針の鉛直方向変位を測定し、実
施例１と同様に評価して表３に示した。
アを通過するときの測定針の鉛直方向変位を測定し、実
施例１と同様に評価して表３に示した。
【００４２】［気密性評価］実施例１と同様に基板にシ
リコンゴムを当てて、ヘリウムＨｅリークディテクター
装置にかけ、積層基板６の孔側を真空に保った状態で外
部よりヘリウムガスを吹きかけ、実施例１と同様に評価
して表３に示した。
リコンゴムを当てて、ヘリウムＨｅリークディテクター
装置にかけ、積層基板６の孔側を真空に保った状態で外
部よりヘリウムガスを吹きかけ、実施例１と同様に評価
して表３に示した。
【００４３】［体積抵抗評価］実施例１と同様に両端面
間の電気抵抗を測定し、導通ビアの直径及び長さから体
積抵抗を計算し、平均値を表３に示した。
間の電気抵抗を測定し、導通ビアの直径及び長さから体
積抵抗を計算し、平均値を表３に示した。
【００４４】
【表３】
表３にみられるように、この発明の範囲に属する試料Ｎ
ｏ．３０〜３５，３７，３８は、平坦度、気密性及び体
積抵抗のすべてにおいて優れていた。これに対して、試
料Ｎｏ．２８は、Ｗ平均粒径が０．６μｍと細かいの
で、グリーンシートよりも貫通孔に充填されたメタライ
ズ組成物のほうが多く収縮し、その結果、導通ビア端面
が基板表面よりも陥没したものと考えられる。試料Ｎ
ｏ．２９は、メタライズ組成物に含まれるＷ以外の無機
質添加物の添加量が２重量部と少ないので、セラミック
ス側からの液相成分の浸透が不十分となり、気密性に劣
ったものと考えられる。試料Ｎｏ．３６は、逆に添加量
が過剰であったので、体積抵抗が高くなりすぎたもので
ある。試料Ｎｏ．３９，４０は、Ｎｏ．２８と反対にＷ
平均粒径がそれぞれ３μｍ，４μｍと過大であったの
で、貫通孔に充填されたメタライズ組成物がグリーンシ
ートほどには収縮せず、相対的に導通ビアが基板表面よ
り突出したものと考えられる。
ｏ．３０〜３５，３７，３８は、平坦度、気密性及び体
積抵抗のすべてにおいて優れていた。これに対して、試
料Ｎｏ．２８は、Ｗ平均粒径が０．６μｍと細かいの
で、グリーンシートよりも貫通孔に充填されたメタライ
ズ組成物のほうが多く収縮し、その結果、導通ビア端面
が基板表面よりも陥没したものと考えられる。試料Ｎ
ｏ．２９は、メタライズ組成物に含まれるＷ以外の無機
質添加物の添加量が２重量部と少ないので、セラミック
ス側からの液相成分の浸透が不十分となり、気密性に劣
ったものと考えられる。試料Ｎｏ．３６は、逆に添加量
が過剰であったので、体積抵抗が高くなりすぎたもので
ある。試料Ｎｏ．３９，４０は、Ｎｏ．２８と反対にＷ
平均粒径がそれぞれ３μｍ，４μｍと過大であったの
で、貫通孔に充填されたメタライズ組成物がグリーンシ
ートほどには収縮せず、相対的に導通ビアが基板表面よ
り突出したものと考えられる。
【００４５】−実施例４−
実施例２では、Ｗペーストの添加物を窒化アルミニウム
ＡｌＮ単独かあるいは、アルミナＡｌ2Ｏ3−イットリア
Ｙ2Ｏ3二成分混合物としているが、ここでは、窒化アル
ミニウムＡｌＮとアルミナＡｌ2Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3
の混合比を１：１としたＡｌＮ−Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3三成
分混合物とし、実施例２と同様に、この発明のメタライ
ズ組成物を基板のメタライズ層すなわち平面方向の配線
に適用した例を示す。
ＡｌＮ単独かあるいは、アルミナＡｌ2Ｏ3−イットリア
Ｙ2Ｏ3二成分混合物としているが、ここでは、窒化アル
ミニウムＡｌＮとアルミナＡｌ2Ｏ3−イットリアＹ2Ｏ3
の混合比を１：１としたＡｌＮ−Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3三成
分混合物とし、実施例２と同様に、この発明のメタライ
ズ組成物を基板のメタライズ層すなわち平面方向の配線
に適用した例を示す。
【００４６】添加物を変えた以外は、実施例１で作製し
たものと同形同質のグリーンシート及びＷペーストを準
備した。そして、上記のグリーンシート及びＷペースト
を用いて以下の評価を行った。
たものと同形同質のグリーンシート及びＷペーストを準
備した。そして、上記のグリーンシート及びＷペースト
を用いて以下の評価を行った。
【００４７】［メタライズ強度の評価］実施例２と同様
に接合体１のセラミックス基板２を固定し、ネールヘッ
ドピン４をセラミックス基板２に対して垂直方向に引っ
張り、実施例２と同様に評価して表４に示した。
に接合体１のセラミックス基板２を固定し、ネールヘッ
ドピン４をセラミックス基板２に対して垂直方向に引っ
張り、実施例２と同様に評価して表４に示した。
【００４８】［気密性評価］実施例１と同様に基板にシ
リコンゴムを当てて、ヘリウムＨｅリークディテクター
装置にかけ、積層基板６の孔側を真空に保った状態で外
部よりヘリウムガスを吹きかけ、実施例１と同様に評価
して表４に示した。
リコンゴムを当てて、ヘリウムＨｅリークディテクター
装置にかけ、積層基板６の孔側を真空に保った状態で外
部よりヘリウムガスを吹きかけ、実施例１と同様に評価
して表４に示した。
【００４９】［体積抵抗評価］実施例２と同様に各々の
帯パターン両端の電気抵抗を測定し、帯パターンの寸法
から体積抵抗を計算し、３本の平均値を表４に示した。 ［反り評価］実施例２と同様に円盤の反り量を測定し実
施例２と同様に評価して表４に示した。
帯パターン両端の電気抵抗を測定し、帯パターンの寸法
から体積抵抗を計算し、３本の平均値を表４に示した。 ［反り評価］実施例２と同様に円盤の反り量を測定し実
施例２と同様に評価して表４に示した。
【００５０】
【表４】
表にみられるように、この発明の範囲に属する試料Ｎ
ｏ．２５〜２８，３０は、メタライズ強度、気密性、体
積抵抗及び反り量のすべてにおいて優れていた。
ｏ．２５〜２８，３０は、メタライズ強度、気密性、体
積抵抗及び反り量のすべてにおいて優れていた。
【００５１】これに対して、試料Ｎｏ．２３は、Ｗ平均
粒径が小さいので、反り量が正方向に過大となった。試
料Ｎｏ．２４は、添加物量が少ないので、グリーンシー
トからの液相成分の浸透量が少なくなり、気密性に劣っ
たものと考えられる。試料Ｎｏ．２９は、添加物量が過
剰であるので、体積抵抗が高くなりすぎた。試料Ｎｏ．
３１，３２は、Ｗ平均粒径が大きいので、反り量が負方
向に過大となった。
粒径が小さいので、反り量が正方向に過大となった。試
料Ｎｏ．２４は、添加物量が少ないので、グリーンシー
トからの液相成分の浸透量が少なくなり、気密性に劣っ
たものと考えられる。試料Ｎｏ．２９は、添加物量が過
剰であるので、体積抵抗が高くなりすぎた。試料Ｎｏ．
３１，３２は、Ｗ平均粒径が大きいので、反り量が負方
向に過大となった。
【００５２】
【発明の効果】以上のように本発明メタライズ組成物を
窒化アルミニウムセラミックス基板のメタライズ層及び
導通ビアとして適用すれば、セラミックスとの接着強度
が高く、気密性に優れ、焼成変形もなく、且つ電気抵抗
の低い電子・半導体部品を得ることができる。
窒化アルミニウムセラミックス基板のメタライズ層及び
導通ビアとして適用すれば、セラミックスとの接着強度
が高く、気密性に優れ、焼成変形もなく、且つ電気抵抗
の低い電子・半導体部品を得ることができる。
【図１】メタライズ強度の評価方法を説明する図であ
る。
る。
【図２】気密性の評価方法を説明する図である。
【図３】反り量の評価方法を説明する図である。
【図４】添加物量に対する体積抵抗の関係を打点したグ
ラフである。
ラフである。
【図５】Ｗの平均粒径に対する反り量の関係を打点した
グラフである。
グラフである。
【図６】実施例２の試料Ｎｏ．４のＸＲＤの結果を示す
チャート図である。
チャート図である。
【図７】実施例２の試料Ｎｏ．１５のＸＲＤの結果を示
すチャート図である。
すチャート図である。
【図８】実施例２の試料Ｎｏ．２１のＸＲＤの結果を示
すチャート図である。
すチャート図である。
【図９】実施例２の試料Ｎｏ．２２のＸＲＤの結果を示
すチャート図である。
すチャート図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−83782（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−83783（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−191039（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 41/80 - 41/91
Claims (3)
- 【請求項１】 イットリウムＹ成分を含有する窒化アル
ミニウムＡｌＮ焼結体に導通ビアが形成されているもの
において、導通ビアが、平均粒径が０．６μｍを超え
３．０μｍ未満のタングステンＷ１００重量部と、窒化
アルミニウムＡｌＮ及びアルミナＡｌ２Ｏ３−イットリ
アＹ２Ｏ３系化合物のうち１種以上４重量部以上４０重
量部以下とからなることを特徴とする窒化アルミニウム
セラミックス基板。 - 【請求項２】 イットリウムＹ成分を含有する窒化アル
ミニウムＡｌＮ焼結体に導通ビア及びメタライズ層が形
成されているものにおいて、導通ビアが、平均粒径が
０．６μｍを超え３．０μｍ未満のタングステンＷ１０
０重量部と、窒化アルミニウムＡｌＮ及びアルミナＡｌ
２Ｏ３−イットリアＹ２Ｏ３系化合物のうち１種以上４
重量部以上４０重量部以下とからなり、メタライズ層
が、平均粒径が０．６μｍを超え３．０μｍ未満のタン
グステンＷ１００重量部と、窒化アルミニウムＡｌＮ及
びアルミナＡｌ２Ｏ３−イットリアＹ２Ｏ３系化合物の
うち１種以上４重量部以上２０重量部以下とからなるこ
とを特徴とする窒化アルミニウムセラミックス基板。 - 【請求項３】 貫通孔を有する窒化アルミニウムの焼結
前駆体の貫通孔にメタライズ組成物を充填し、表面にメ
タライズ組成物を印刷し、焼結前駆体及びメタライズ組
成物を同時に焼結する方法において、該貫通孔のメタラ
イズ組成物が、平均粒径が０．６μｍを超え３．０μｍ
未満のタングステンＷ１００重量部と、窒化アルミニウ
ムＡｌＮ粉末及びアルミナＡｌ２Ｏ３−イットリアＹ２
Ｏ３混合物のうち１種以上４重量部以上４０重量部以下
とを含み、該表面のメタライズ組成物が、平均粒径が
０．６μｍを超え３．０μｍ未満のタングステンＷ１０
０重量部と、窒化アルミニウムＡｌＮ粉末及びアルミナ
Ａｌ２Ｏ３−イットリアＹ２Ｏ３混合物のうち１種以上
４重量部以上２０重量部以下とを含むことを特徴とする
窒化アルミニウムセラミックス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13276695A JP3529495B2 (ja) | 1994-06-13 | 1995-05-02 | 窒化アルミニウムセラミックス基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-155180 | 1994-06-13 | ||
| JP15518094 | 1994-06-13 | ||
| JP13276695A JP3529495B2 (ja) | 1994-06-13 | 1995-05-02 | 窒化アルミニウムセラミックス基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0859374A JPH0859374A (ja) | 1996-03-05 |
| JP3529495B2 true JP3529495B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=26467267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13276695A Expired - Fee Related JP3529495B2 (ja) | 1994-06-13 | 1995-05-02 | 窒化アルミニウムセラミックス基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3529495B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113161297B (zh) * | 2021-03-08 | 2022-07-22 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种陶瓷封装基座 |
-
1995
- 1995-05-02 JP JP13276695A patent/JP3529495B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0859374A (ja) | 1996-03-05 |
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