JP3512168B2 - 信号送受信装置 - Google Patents
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Description
で信号送受信を行う装置に係わり、特に、ケーブルやフ
レキシブル基板を用いて、機器間又は機器内の異なるボ
ード間や、そのボード上に実装されたLSIやIC等の
デバイス間で、信号を送受信する場合に、送受信装置間
で、電源電圧や接地電位が異なる場合にも安定にデータ
の送受信を行う必要がある信号送受信装置に好適であ
る。
場合、図9Aに示される信号送受信装置1000のよう
に、伝送線路のインピーダンス整合により反射等の波形
の乱れを防ぐために、受信デバイス130にデータ線で
ある差動線対103Aおよび103Cを短絡するように
終端抵抗105を設け、受信デバイス130にはさらに
差動電位の中間電位を決定するバイアス発生回路102
を設け、その出力を終端抵抗105の中点に接続してい
た。これにより、差動線対103Aおよび103Cの中
間電位は、バイアス発生回路102から出力されるバイ
アス電圧である中間電位Vcmとなり、差動線対103
Aおよび103Cの反射等の波形の乱れの問題は解決さ
れる。送信デバイス120と受信デバイス130の間
で、電源電圧VCC1と電源電圧VCC2との差、およ
び接地電位GND1と接地電位GND2との差が、それ
ぞれ大きく無い場合には、送信デバイス120の差動線
対103Aおよび103Cの中間電位もほぼVcmであ
る。
位は、差動線対103Aおよび103Cに流れる電流と
終端抵抗105の値によって決まるが、通常は差動線対
103Aおよび103Cのインピーダンスは110Ωで
あるので、インピーダンス整合をとるために終端抵抗1
05の値も110Ωにするため、送信デバイス120の
ドライバ回路101が2mAの電流を伝送線路110に
流し込めば、差動線対103Aおよび103Cの振幅電
圧は220mVとなる。また上記バイアス電位を2.0
Vとした場合、差動線対103Aおよび103Cのハイ
側の電位は、(2.0V+220mV/2)で2.11
Vとなり、ロウ側の電位は、(2.0V−220mV/
2)で1.89Vとなる。
回路101が、出力端子AおよびCの内のハイ側の出力
端子(電位は2.11V)に安定して2mAの電流を流
すことができれば、220mVの小振幅伝送として40
0MHzを超える高速なデータ伝送を問題なく行うこと
ができる。ドライバ回路101の電源電位VCC1が、
上記ハイ側の出力端子(図11のドライバ回路101の
Vdに相当する電位は2.11V)の電位より十分高け
れば、図11に示すようなドライバ回路101のPMO
Sトランジスタ1101から出力端子AまたはCに電流
を流し込むことができるので、上述したように220m
Vの小振幅伝送として高速なデータ伝送を問題なく行う
ことができる。
バイス120と受信デバイス130の間で、電源電圧V
CC1と電源電圧VCC2との差、および接地電位GN
D1と接地電位GND2との差が、それぞれ大きい場合
には、送信デバイス120のドライバ回路101の出力
端子AおよびCの電位、すなわち伝送線路110の電位
が、ドライバ回路101の電源電圧VCC1に限りなく
近くなったり、ドライバ回路101の電源電圧VCC1
より高くなったりする可能性があるため、ドライバ回路
101から伝送線路110に電流を流し込むことが困難
となったりできなくなったりする。つまり、このような
状態においてはデータを伝送できなくなるという課題が
生じる。
回路1000における送信デバイス120の接地電位G
ND1と受信デバイス130の接地電位GND2との差
による問題を示した図であり、図10Bは、図10Aに
示すような信号送受信回路2000における送信デバイ
ス220の電源電圧VCC1と受信デバイス230の電
源電圧VCC2との差による問題を示した図である。以
下、図9A〜図10Bを用いて、さらに詳細に説明す
る。
0の接地電位GND1と受信デバイス130の接地電位
GND2とが異なる場合で、具体的には、受信デバイス
130の接地電位GND2が送信デバイス120の接地
電位GND1より高い場合を想定している。この場合、
図9Bに示すように送信デバイス120のドライバ回路
101の電源電圧VCC1より差動線対103Aおよび
103Cの中間電位Vcmの方が高くなると電流を流す
ことができない。この両者の接地電位の差(GND2−
GND1)は、送受信間が接地点を別にした異なる機器
間である場合に起きやすい。特に送信デバイス120が
据え置き型のビデオで電源を電源コンセントから供給し
ている場合、この場合には接地電位GND1は電源コン
セントの接地電位で決定される。もう一方の受信デバイ
ス130が電池で動作するビデオカメラであり、電源は
内蔵のバッテリから供給さる場合、その接地は筐体に接
続されているだけなので、上記電源コンセントの接地電
位と自ずと異なる接地電位GND2になってしまう。特
にIEEE1394等に代表されるように、上記据え置
き型のビデオから、ケーブルを介して上記ビデオカメラ
に電源パワーを供給する場合にはケーブルの抵抗の影響
で、ビデオカメラ側の接地電位GND2が据え置き型の
ビデオの接地電位GND1より、0.5V〜1.0V程
度浮く(GND2=GND1+0.5V〜1.0V)こ
とが考えられる。
で、受信デバイス130で発生した中間電位Vcmが、
送信デバイス120では送信デバイス120の接地電位
GND1から相対的に例えば0.5V〜1.0V高く見
えてしまう。例えば、受信デバイス130で2.0Vの
つもりで設定した中間電位Vcmが、送信デバイス12
0では2.5V〜3.0Vとなってしまうため、送信デ
バイス120のドライバ回路101の電源電圧VCC1
を2.5Vとした場合には、図11に示すVdの電位
は、例えば2.61V〜3.11Vとなり、VCC1≦
Vdとなるため、図11に示す上記PMOSトランジス
タ1101は、出力端子AおよびCに電流を流し込めな
いという課題がある。
源電圧VCC1と受信デバイス230の電源電圧VCC
2とが異なる場合を示している。具体的には、受信デバ
イス230の電源電圧VCC2が送信デバイス220の
電源電圧VCC1より高い場合を想定している。この場
合、図10Bに示すように送信デバイス220のドライ
バ回路201の電源電圧VCC1よりケーブルの中間電
位Vcmの方が高くなるので電流を流すことができな
い。
C1)は、デジタルビデオディスク装置等で用いられる
送受信装置を例に挙げると、送信デバイス220が信号
処理を行うLSIで、受信デバイス230がサーボモー
タを制御するICの場合に、以下の理由でシステム設計
上、避けられない状況になっている。その最も大きな理
由は、送信デバイスの信号処理を行うLSIはデジタル
回路で処理できるため、より多くのデジタル処理を行う
複数のLSIとワンチップ化することが可能なために、
低コストと省実装面積化を目的として、最先端のデバイ
ス技術を用いて集積度を高めてワンチップ化される方向
にある。そのため、図12に示すように、CMOSデバ
イスの電源電圧は、各世代で5.0V→3.0V→2.
5V→1.8Vというように低電圧化されていく方向に
ある。
するICの場合は、アナログ回路であるし、モータ等の
機械系を駆動する半導体であるため、バイポーラデバイ
スからなり、電源電圧も5Vと各世代、変わらず一定で
ある傾向にある。又、このICは、商品の各世代で、新
たな機能を追加する要求があまりないので、一旦、設計
されれば、通常5年程度は設計変更されないため、受信
デバイスの回路を変更することはあまり現実的ではな
い。上記理由で、図10Aおよび図10Bは受信デバイ
ス230の電源電圧VCC2が送信デバイス220の電
源電圧VCC1より、高い電圧で動作する場合を想定し
ている。
電位を中間電位Vcmと仮定して設計すると、Vcm=
2.5V(=5V*1/2)となる。従って、集積度を
高めるためにデザインルールが0.25μm以下となる
場合は、送信デバイス220の電源電圧VCC1を3.
3Vより低く設定しなければならないという問題が生じ
ることが図10Bから当業者には容易にわかる。もちろ
ん、受信回路の設計を送信回路の設計変更と同時に毎回
やり直せば、ある程度はこの問題を解決することはでき
るが、新たな機能を追加しないにも関わらず、中間電位
Vcmの再設計のためだけに上記ICの製品寿命を決め
ることはコストの上昇をまねき現実的ではない。加えて
送信デバイスの電源電圧の低下で、中間電位Vcmの値
を1.0V以下に設定しなければならない場合には、受
信デバイスで、5Vの電源から1.0V以下の中間電位
Vcmを設計しなければならず、根本的な回路変更が必
要になり、コストの上昇と安定動作の点とで問題が生じ
ることが容易に分かる。
デバイスの接地電位と受信デバイスの接地電位とが異な
る場合や、信号送受信装置の受信デバイスの電源電圧が
送信デバイスの電源電圧より高い電圧で動作する場合に
おいても、安定したデータ伝送を可能とする信号送受信
装置を提供することを目的とする。
は、データを伝送する送信デバイスと、前記データを受
信する受信デバイスと、前記データを伝送するデータ線
と、前記データ線の電圧を決定するバイアス電圧を伝送
する電源線とを備え、前記データ線および前記電源線に
よって前記送信デバイスと前記受信デバイスとを接続し
た信号送受信装置であって、前記送信デバイスは、前記
データを前記データ線へ出力するドライバ回路と、前記
バイアス電圧を発生し、前記電源線に出力するバイアス
発生手段と、を備え、前記受信デバイスは、前記データ
線に接続される終端抵抗と、前記データを前記データ線
から検出するレシーバ回路とを備え、前記データ線は、
前記終端抵抗の中点に接続された前記電源線に接続さ
れ、前記データ線の中間電位が、前記電源線を介して伝
送されるバイアス電圧によって決定され、それにより、
上記目的が達成される。
基準電圧発生回路とを備えてもよい。
続され、電源線を、終端抵抗の実質的に中点に接続して
もよい。
信デバイスは第2の接地電位を有し、第2の接地電位は
第1の接地電位よりも高くてもよい。
信デバイスは第2の電源電圧を有し、第2の電源電圧は
第1の電源電圧よりも高くてもよい。
とを接続する接地接続線を更に備えてもよい。
可撓性を有してもよい。
るデータ線と、前記データ線の電圧を決定するバイアス
電圧を伝送する電源線とに接続され、受信デバイスに前
記データを伝送する送信デバイスであって、前記受信デ
バイスは、前記データ線に接続される終端抵抗と、前記
データを前記データ線から検出するレシーバ回路とを備
え、前記データ線は、前記終端抵抗の中点に接続された
前記電源線に接続され、前記データ線の中間電位が、前
記電源線を介して伝送されるバイアス電圧によって決定
され、前記データを前記データ線へ出力するドライバ回
路と、前記バイアス電圧を発生し、前記電源線に出力す
るバイアス発生手段とを備え、それにより、上記目的が
達成される。
基準電圧発生回路とを備えてもよい。
伝送する接地接続線に更に接続されてもよい。
るデータ線と、前記データ線の電圧を決定するバイアス
電圧を伝送する電源線とに接続され、送信デバイスから
前記データを受信する受信デバイスであって、前記送信
デバイスは、前記データを前記データ線へ出力するドラ
イバ回路と、前記バイアス電圧を発生し、前記電源線に
出力するバイアス発生手段とを備え、前記データ線に接
続される終端抵抗と、前記データを前記データ線から検
出するレシーバ回路とを備え、前記データ線は、前記終
端抵抗の中点に接続された前記電源線に接続され、前記
データ線の中間電位が、前記電源線を介して伝送される
バイアス電圧によって決定され、それにより、上記目的
が達成される。
基準電圧発生回路とを備えてもよい。
は、差動線対間を短絡し、終端抵抗の実質的な中点にバ
イアス電圧が印加されてもよい。
続線に更に接続されてもよい。
および第2のデータを伝送する送信デバイスと、第1の
データおよび第2のデータを受信する受信デバイスと、
第1のデータおよび第2のデータを伝送するデータ線と
を備え、データ線によって送信デバイスと受信デバイス
とを接続した信号送受信装置であって、送信デバイス
は、第1のデータをデータ線へ出力するドライバ回路
と、第2のデータをデータ線へ出力する回路とを備え、
受信デバイスは、データ線に接続される終端抵抗と、デ
ータをデータ線から検出するレシーバ回路と、終端抵抗
に印加するバイアス電圧を発生するバイアス発生手段と
を備え、バイアス発生手段は、データ線からの第2のデ
ータに基づいてバイアス電圧を設定し、それにより、上
記目的が達成される。
基準電圧発生回路とを備えてもよい。
ータ線と第2のデータを伝送するデータ線とが異なって
もよい。
対であってもよい。
差動線対間を短絡するように接続され、バイアス電圧
は、終端抵抗の実質的に中点に印加されてもよい。
対であって、終端抵抗は差動線対間を短絡するように接
続され、バイアス電圧は、終端抵抗の実質的に中点に印
加されてもよい。
とを接続する接地接続線を更に備えてもよい。
よび第2のデータを伝送するデータ線に接続され、受信
デバイスに第1のデータおよび第2のデータを伝送する
送信デバイスであって、受信デバイスは、データ線に接
続される終端抵抗と、第1のデータをデータ線から検出
するレシーバ回路と、データ線からの第2のデータに基
づいて、終端抵抗に印加するバイアス電圧を発生するバ
イアス発生手段とを備え、第1のデータをデータ線へ出
力するドライバ回路と、第2のデータをデータ線へ出力
する回路とを備え、それにより、上記目的が達成され
る。
基準電圧発生回路とを備えてもよい。
ータ線と第2のデータを伝送するデータ線とが異なって
もよい。
伝送する接地接続線に更に接続されてもよい。
は、差動線対間を短絡し、終端抵抗の実質的な中点にバ
イアス電圧が印加されてもよい。
よび第2のデータを伝送するデータ線に接続され、送信
デバイスから第1のデータおよび第2のデータを受信す
る受信デバイスであって、送信デバイスは、第1のデー
タをデータ線へ出力するドライバ回路と、第2のデータ
をデータ線へ出力する回路とを備え、データ線に接続さ
れる終端抵抗と、データをデータ線から検出するレシー
バ回路と、バイアス電圧を発生し、終端抵抗に出力する
バイアス発生手段とを備える受信デバイスであって、バ
イアス発生手段は、データ線からの第2のデータに基づ
いてバイアス電圧を設定し、それにより、上記目的が達
成される。
基準電圧発生回路とを備えてもよい。
ータ線と第2のデータを伝送するデータ線とが異なって
もよい。
は、差動線対間を短絡し、終端抵抗の実質的な中点にバ
イアス電圧が印加されてもよい。
続線に更に接続されてもよい。
する送信デバイスと、前記データを受信する受信デバイ
スと、差動線対によって構成され、前記データを伝送す
るデータ線とを備え、前記データ線によって前記送信デ
バイスと前記受信デバイスとを接続した信号送受信装置
であって、前記送信デバイスは、前記データを前記デー
タ線へ出力するドライバ回路を備え、前記受信デバイス
は、前記データ線に接続される終端抵抗と、前記データ
を前記データ線から検出するレシーバ回路と、前記終端
抵抗に印加するバイアス電圧を発生するバイアス発生手
段とを備え、前記バイアス発生手段は、前記データ線の
電位に基づいて前記バイアス電圧を設定し、それによ
り、上記目的が達成される。
基準電圧発生回路とを備えてもよい。
続され、バイアス電圧は、終端抵抗の実質的に中点に印
加されてもよい。
とを接続する接地接続線を更に備えてもよい。
るデータ線に接続され、送信デバイスから前記データを
受信する受信デバイスであって、前記送信デバイスは、
前記データを前記データ線へ出力するドライバ回路を備
え、前記データ線に接続される終端抵抗と、前記データ
を前記データ線から検出するレシーバ回路と、バイアス
電圧を発生し、前記終端抵抗に出力するバイアス発生手
段とを備える受信デバイスであって、前記データ線が差
動線対であり、前記バイアス発生手段は、前記データ線
の電位に基づいて前記バイアス電圧を設定し、それによ
り、上記目的が達成される。
基準電圧発生回路とを備えてもよい。
し、前記終端抵抗の実質的な中点に前記バイアス電圧が
印加されてもよい。
続線に更に接続されてもよい。
を伝送する送信デバイスと、複数のデータを受信する受
信デバイスと、複数のデータを伝送する複数のデータ線
と、複数のデータ線の電圧を決定するバイアス電圧を伝
送する少なくとも一つの電源線とを備え、複数のデータ
線および少なくとも一つの電源線によって送信デバイス
と受信デバイスとを接続した信号送受信装置であって、
送信デバイスは、複数のデータを、対応する複数のデー
タ線へそれぞれ出力する、複数のドライバ回路と、バイ
アス電圧を発生し、少なくとも一つの電源線に出力する
少なくとも一つのバイアス発生手段とを備え、受信デバ
イスは、複数のデータ線の内の対応するデータ線にそれ
ぞれ接続される複数の終端抵抗と、複数のデータを複数
のデータ線からそれぞれ検出する複数のレシーバ回路と
を備え、複数のデータ線は、対応する複数の終端抵抗を
介して、対応する少なくとも一つの電源線に接続され、
それにより、上記目的が達成される。
くとも一つの電源線とが、電気抵抗を介して接続されて
もよい。
くとも一つの電源線とが、アンプを介して接続されても
よい。
データと少なくとも一つの第2のデータとを伝送する送
信デバイスと、複数の第1のデータと少なくとも一つの
第2のデータとを受信する受信デバイスと、複数の第1
のデータと少なくとも一つの第2のデータとを伝送する
複数のデータ線とを備え、複数のデータ線によって送信
デバイスと受信デバイスとを接続した信号送受信装置で
あって、送信デバイスは、複数の第1のデータを、対応
する複数のデータ線へそれぞれ出力する、複数のドライ
バ回路と、少なくとも一つの、少なくとも一つの第2の
データをデータ線へ出力する回路とを備え、受信デバイ
スは、複数のデータ線の内の対応するデータ線にそれぞ
れ接続される複数の終端抵抗と、複数の第1のデータを
複数のデータ線からそれぞれ検出する複数のレシーバ回
路と、複数の終端抵抗に印加するバイアス電圧を発生す
る少なくとも一つのバイアス発生手段とを備え、少なく
とも一つのバイアス発生手段は、複数のデータ線からの
少なくとも一つの第2のデータに基づいてバイアス電圧
を設定し、それにより、上記目的が達成される。
くとも一つのバイアス発生手段とが、電気抵抗を介して
接続されてもよい。
くとも一つのバイアス発生手段とが、アンプを介して接
続されてもよい。
を伝送する送信デバイスと、複数のデータを受信する受
信デバイスと、複数のデータを伝送する複数のデータ線
とを備え、複数のデータ線によって送信デバイスと受信
デバイスとを接続した信号送受信装置であって、送信デ
バイスは、複数のデータを、対応する複数のデータ線へ
それぞれ出力する、複数のドライバ回路を備え、受信デ
バイスは、複数のデータ線の内の対応するデータ線にそ
れぞれ接続される複数の終端抵抗と、複数のデータを複
数のデータ線からそれぞれ検出する複数のレシーバ回路
と、複数の終端抵抗に印加するバイアス電圧を発生する
少なくとも一つのバイアス発生手段とを備え、少なくと
も一つのバイアス発生手段は、複数のデータ線内の少な
くとも一つの電位に基づいてバイアス電圧を設定し、そ
れにより、上記目的が達成される。
くとも一つのバイアス発生手段とが、電気抵抗を介して
接続されてもよい。
くとも一つのバイアス発生手段とが、アンプを介して接
続されてもよい。
する送信デバイスと、前記データを受信する受信デバイ
スと、前記データを伝送するデータ線と、前記データ線
の電圧を決定するバイアス電圧を伝送する電源線とを用
いた、信号送受信方法であって、前記送信デバイスにお
いて、前記バイアス電圧を発生し、前記電源線に出力す
るステップと、前記受信デバイスにおける終端抵抗の中
点に接続された前記電源線に接続される前記データ線に
前記データを出力するステップと、前記受信デバイスに
おいて、前記データを前記データ線から検出するステッ
プとを包含し、前記データを前記データ線から検出する
ステップにおいて、前記データ線の中間電位が、前記電
源線を介して伝送されるバイアス電圧によって決定さ
れ、それにより、上記目的が達成される。
第1の実施の形態および第2の実施の形態について図1
Aから図2Bを用いて説明する。
態および第2の実施の形態の基本構成は、以下の1)お
よび2)の2点である。それ以外は、従来例と基本的に
は同じ構成である。
イアス電圧を伝送する電源線との2つに別れている。デ
ータ線として差動線対を用いた場合は、少なくとも合計
3本の伝送線路が送信デバイスから受信デバイスに渡る
ことになる。データ線として単線を用いた場合は、少な
くとも合計2本の伝送線路が送信デバイスから受信デバ
イスに渡ることになる。なお、適宜制御線を差動線対又
は単線を用いた伝送線路に追加してもよい。
アス発生回路2は、送信デバイスに設け、そのバイアス
電圧は、データ線と並行して走る電源線で伝送する。
発明の信号送受信装置の第1の実施の形態である、信号
送受信装置の送信デバイスと受信デバイスとの間の接地
電位差による問題を解決した信号送受信装置の構成図で
ある。
バイス18と受信デバイス19とが伝送線路17を介し
て接続されている構成となっている。伝送線路17は、
データを伝送するデータ線である差動線対13Aおよび
13Cと、差動線対13Aおよび13Cの電圧を決定す
るバイアス電圧を伝送する電源線(バイアス電圧伝送
線)14Bとで構成される。差動線対13Aおよび13
Cおよび電源線14Bと送信デバイス18および受信デ
バイス19とは、例えば接続端子A〜Fによって接続さ
れている。送信デバイス18は、データを伝送するため
のドライバ回路11と、バイアス電圧を発生してそのバ
イアス電圧を受信デバイス19に伝送するためのバイア
ス回路12とを備え、受信デバイス19は、差動線対1
3Aおよび13Cを終端するための終端抵抗15と、送
信デバイス18から伝送されたデータを検出するレシー
バ回路16とを備えている。差動線対13Aおよび13
Cは、受信デバイス19で終端抵抗15を介して電源線
14Bに接続されている。
る作用/効果について、従来例の課題と対比させながら
説明する。
ND1と受信デバイス19の接地電位GND2とが異な
る場合を示している。具体的には、受信デバイス19の
接地電位GND2が送信デバイス18の接地電位GND
1より高い場合を想定している。この場合においても、
本発明の信号送受信装置100においては、ドライバ回
路11の電源電圧VCC1より差動線対13Aおよび1
3Cの中間電位Vcmの方が低いので電流を流すことが
できる。
るが、従来例であると、図9Bに示しているように、受
信デバイス130のバイアス発生回路102で発生した
中間電位Vcmが、送信デバイス120では送信デバイ
ス120の接地電位GND1から相対的に例えば0.5
V〜1.0V高く見えていたが、図1Aに示す本実施の
形態のように、バイアス発生回路12で発生した中間電
位Vcmを、差動線対13Aおよび13Cと並走した電
源線14Bにより受信デバイス19に送れば、終端抵抗
15を介して差動線対13Aおよび13Cの中心電位が
決められてしまうので、差動線対13Aおよび13Cの
送信デバイス18側の中心電位はVcmと等しくなる。
この理由は、このバイアス電圧を伝送する電源線14B
は、受信デバイス19において終端抵抗15によって折
り返される差動線対13Aおよび13Cに流れる電流量
が等しければ、終端抵抗15の中心に接続される電源線
14BはDC的にバイアス電圧を供給しているだけで電
流は流れないので、伝送線路17の抵抗ドロップの影響
は無視できるからである。
び容量のアンバランスや、差動のドライバ回路11のア
ンバランスによって、微少な電流が流れることを考慮し
て、その分高めに中間電位Vcmを設定することで、送
信デバイス18での差動線対13Aおよび13Cの中心
電位を所望の最適な電位に設定することも、本発明の実
施の形態の範囲で容易に実施可能である。
2.0Vとして中間電位Vcmを設定すると、送信デバ
イス18側における差動線対13Aおよび13Cの中心
電位としても2.0Vと、中間電位Vcmと殆ど等しく
なるので、従来例のように、Vcmが電源電圧VCC1
=2.5Vより高くなることはなくなり、送信デバイス
18は、安定して出力端子AおよびCに電流を流し込む
ことができる。
デバイス18が据え置き型のビデオで電源を電源コンセ
ントから供給している場合で、もう一方の受信デバイス
19が、電池で動作するビデオカメラである場合で電源
は内蔵のバッテリから供給され、その接地は筐体に接続
されているだけの場合等で、送信デバイス18の電源コ
ンセントの接地電位GND1に対し、受信デバイス19
が自ずと異なる接地電位GND2になってしまう場合で
も、また特にIEEE1394等に代表されるように、
上記据え置き型のビデオからケーブルを介して上記ビデ
オカメラに電源パワーを供給する場合に、ケーブルの抵
抗の影響で、ビデオカメラ側の接地電位GND2が据え
置き型のビデオの接地電位GND1より、0.5V〜
1.0V程度浮く(GND2=GND1+0.5V〜
1.0V)ことが考えられる場合にも、問題なく信号の
送受信が可能になる。
発明の信号送受信装置の第2の実施の形態を示し、送信
デバイス28の電源電圧VCC1と受信デバイス29の
電源電圧VCC2とが異なる場合で、具体的には、受信
デバイス29の電源電圧VCC2が送信デバイス28の
電源電圧VCC1より高い場合を想定している。この場
合においても、本発明の信号送受信装置200において
は、ドライバ回路21の電源電圧VCC1より差動線対
23Aおよび23Cの中間電位Vcmの方が低いので電
流を流すことができる。
であるが、従来例では受信デバイス230で、電源電圧
の1/2の電位を中間電位Vcmと仮定して設計する
と、例えばVcm=2.5V(=5V*1/2)となっ
ていた。従って、送信デバイス220の回路の集積度を
高めるためにデザインルールが0.25μm以下となる
場合は、電源電圧VCC1を2.5Vより低く設定しな
ければならなくなる問題が生じることが当業者には容易
にわかる。
は、図1Aで説明したように、送信デバイス28だけ
で、送信デバイス28の差動線対23Aおよび23Cの
中心電位を決定する。従って、本実施の形態の場合で
は、ドライバ回路21から受信デバイス29へ安定して
電流を流し込むことができるので、問題なくデータの送
受信が可能となる。
2の実施の形態において、図2Aに示すように、送信デ
バイスの接地GND1と受信デバイスのGND2とを接
続する接地接続線20を設けてもよい。このようにGN
D1とGND2とを接続する接地接続線20を設けた場
合、送信デバイス28のGND1と受信デバイス29の
GND2との電位差が小さくなるので、より安定して送
信デバイス28から受信デバイス29へ電流を流すこと
が出来る。
4は、本発明の信号送受信装置の第3の実施の形態を示
す。第3の実施の形態では、バイアス電圧を発生する基
準電圧発生回路311が受信デバイス39に設けられ、
そのバイアス電圧が送信デバイス38から伝送される信
号によって設定される構成となっている。それ以外の構
成は基本的に、本発明の信号送受信装置の第1の実施の
形態および第2の実施の形態と同様である。
実施の形態の信号送受信装置300のセットアップ時
(例えば電源投入時)に、バイアス電圧を設定するため
の信号が送信デバイス38から受信デバイス39の基準
電圧発生回路311へ伝送され、その信号に基づいて基
準電圧発生回路311は、送信デバイス38から受信デ
バイス39へデータを伝送するための適切なバイアス電
圧を設定する。このようにして設定された適切なバイア
ス電圧により、送信デバイス38から受信デバイス39
へデータを安定して伝送することが出来る。
るための信号を伝送する方法、および基準電圧発生回路
311がその信号に基づいてバイアス電圧を設定する方
法は、当業者には公知の任意の方法によって行なわれ
る。例えば、信号の送受信は送信デバイス38に設けら
れるエンコーダ301と基準電圧発生回路311に設け
られるデコーダ302(図4)によって行なわれる。ま
た、基準電圧発生回路311がバイアス電圧を設定する
方法については、例えば図4に示すような基準電圧発生
回路311が用いられる。
電圧発生回路311の電源VCC3と受信デバイス39
の終端抵抗35との間に複数のトランジスタTr1、T
r2〜TrNが設けられている。Tr1〜TrNのゲー
ト電極はそれぞれデコーダ302に接続されている。
準電圧発生回路311内のデコーダ302に入力される
と、デコーダ302はその信号に基づいて、Tr1〜T
rNの内のオン状態にするトランジスタとオフ状態にす
るトランジスタとを決定する。この時、Tr1〜TrN
のそれぞれのオンオフの組み合わせを様々なパターンで
設定することにより、バイアス電圧が適切な値に設定さ
れる。このようにして設定された適切なバイアス電圧に
より、送信デバイス38から受信デバイス39へデータ
を安定して伝送することが出来る。
の送信デバイス38から受信デバイス39への伝送は、
図3Aに示すような信号線34Bを用いて行なわれても
よいし、差動線対33Aおよび33Cを用いて行なわれ
てもよい。差動線対33Aおよび33Cを用いた場合
は、送信デバイス38と受信デバイス39とを接続する
伝送線路37の総数を減らすことが出来る。
本発明の信号送受信装置の第4の実施の形態を示す。本
発明の第4の実施の形態の信号送受信装置500では、
バイアス電圧を発生する基準電圧発生回路511が受信
デバイス59に設けられ、基準電圧発生回路511が差
動線対53Aおよび53Cの電位を検出し、予め定めら
れたプログラム512に基づいてバイアス電圧を設定す
る構成となっている。バイアス電圧の設定は受信デバイ
ス59で行なうので、送信デバイス58と受信デバイス
59との間に、電源線および信号線は設けられていな
い。
および53Cの電位を検出する方法およびバイアス電圧
を設定する方法は、当業者には公知の任意の方法によっ
て行なわれる。それ以外の構成は基本的に、本発明の信
号送受信装置の第1の実施の形態および第2の実施の形
態と同様である。
は、まず基準電圧発生回路511において差動線対53
Aおよび53Cの電位を検出するために任意のバイアス
電圧が設定される。そして送信デバイス58から伝送さ
れるデータの電位が検出され、プログラム512に基づ
いて適切なバイアス電圧が設定される。このようにして
設定された適切なバイアス電圧により、送信デバイス5
8から受信デバイス59へデータを安定して伝送するこ
とが出来る。
4の実施の形態において、図3Aおよび図5Aに示すよ
うに、送信デバイスのGND1と受信デバイスのGND
2とを接続する接地接続線30および50をそれぞれ設
けてもよい。このようにGND1とGND2とを接続す
る接地接続線30および50をそれぞれ設けた場合、図
3Bおよび図5Bに示すように送信デバイスのGND1
と受信デバイスのGND2との電位差が小さくなるの
で、より安定して送信デバイスから受信デバイスへ電流
を流すことが出来る。
(VCC2−VCC1)は、従来技術の課題のところで
述べたように、デジタルビデオディスク装置等で用いら
れる送受信装置を例に挙げると、以下のようなシステム
的な要求の必然から生ずるものであるので、本発明の実
施の形態は非常に重要な課題を解決できる発明であると
言える。
ィスク装置600の概略構成図である。本発明をデジタ
ル部69内部の差動変換回路61とアナログ部68の書
き込み用レーザ駆動回路62とのデータ伝送に用いてい
る。光ディスク66はスピンドルモータ65により所定
の回転数で回転するように機構系制御回路165で回転
制御されている。読み出し回路166によって光ディス
ク66のトラックへレーザ光が照射されトラックに記録
されているデータが読み出される。読み出し回路166
の出力はアナログ信号としてリードチャネル回路162
に入力される。光ディスク66への書き込みデータは、
差動変換回路61が伝送線路67を介して書き込み用レ
ーザ駆動回路62に伝送され、書き込み用レーザ(図示
せず)を用いて光ディスク66に書き込まれる。
を行うLSI(デジタル部)69で、受信デバイスが、
サーボモータを制御するIC(アナログ部)68の場合
に、送信デバイスの信号処理を行うLSI69は低コス
トと省実装面積化を目的として、最先端のCMOSデバ
イス技術を用いて集積度を高めてワンチップ化される方
向にあり、電源電圧は、図12に示すように各世代で
5.0V→3.0V→2.5V→1.8Vというように
低電圧化されていく方向にある。
するIC68は、アナログ回路であるし、モータ等の機
械系を駆動する半導体であるため、バイポーラデバイス
からなり、電源電圧も5Vと各世代、変わらず一定であ
る。またこのIC68は、商品の各世代で、新たな機能
を追加する要求があまりないので、一旦、設計されれ
ば、5年程度は設計変更されないため、受信デバイスの
回路を変更することはあまり現実的ではない。従って、
デジタルビデオディスク装置等に代表されるように、光
ディスク駆動装置等に必要な高速なサーボモータ制御I
Cで用いられる送受信装置の受信デバイスの電源電圧V
CC2が、送信デバイスの電源電圧VCC1より高い電
圧で動作するという課題は必然的に起こってくる。本発
明は、そのような課題を解決できる低コストで高性能な
信号送受信装置を提供することができる。
Bに、本発明の第5の実施の形態である信号送受信装置
700、800および900を示す。図6に例として挙
げられるデジタルビデオディスク装置600におけるよ
うな、送信デバイスと受信デバイスとの間のデータ伝送
においては、複数種類のデータを伝送するために複数の
差動線対を設け、それぞれの差動線対のバイアス電圧を
設定しなければならない場合が考えられる。このような
場合、複数の差動線対のそれぞれのバイアス電圧を設定
するために同数の基準電圧発生回路を設けると、信号送
受信装置全体の構成が大掛かりとなり、またコストが高
くなるという問題が生じる。そこで、図7に示すよう
に、送信デバイス760に設けられた一個の基準電圧発
生回路720と一個のバイアス発生回路722と一本の
電源線750とで、複数の差動線対740A、740
C、741A、741C・・・74NAおよび74NC
のそれぞれのバイアス電圧を終端抵抗781、782・
・・78Nを介して共通に設定してもよい。各差動線対
の適切なバイアス電圧の値に差が生じる場合は、例えば
電源線750と各終端抵抗781、782・・・78N
との間に電気抵抗731およびアンプ732をそれぞれ
任意の数だけ設けることによって調節され得る。
ス870に基準電圧発生回路820を設置し、本発明の
第3の実施の形態において説明されるような基準電圧発
生回路が送信デバイスからの信号に基づいてバイアス電
圧を設定する構成とした場合においても、一個の基準電
圧発生回路820と一個のバイアス発生回路822とを
用いて複数の差動線対840A、840C、841A、
841C・・・84NAおよび84NCのそれぞれのバ
イアス電圧を終端抵抗881、882・・・88Nを介
して共通に設定してもよい。
の実施の形態において説明したような基準電圧発生回路
920がプログラム921に基づいてバイアス電圧を設
定する構成とし、一個の基準電圧発生回路920と一個
のバイアス発生回路922とを用いて複数の差動線対9
40A、940C、941A、941C・・・94NA
および94NCのそれぞれのバイアス電圧を終端抵抗9
81、982・・・98Nを介して共通に設定してもよ
い。
おいても、各差動線対の適切なバイアス電圧の値に差が
生じる場合は、電気抵抗831、931およびアンプ8
32、932をそれぞれ任意の数だけ設けてもよい。
じて送信デバイスのGND1と受信デバイスのGND2
とを接続する接地接続線を設けてもよい。
る信号送受信装置700、800および900に設けら
れる基準電圧発生回路720、820および920はそ
れぞれ一個であるが、一個に限定されず、各バイアス電
圧の値を適切に設定するために二個以上設けられてもよ
い。また、送信デバイス760、860および960内
のドライバ回路701〜70N、801〜80Nおよび
901〜90N、および受信デバイス770、870お
よび970内のレシーバ回路711〜71N、811〜
81Nおよび911〜91Nは、信号送受信装置の実施
の形態に応じてそれぞれ任意の数が設定される。
バイアス電圧を共通に設定することにより、信号送受信
装置全体の構成がシンプルとなり、またコストを低く抑
えることが出来る。
明においては、伝送線路としてケーブルを用いてきた
が、ケーブルの代わりに基板上に設けられる線路が用い
られてもよい。この場合もケーブルと同様に、線路が設
けられる基板は可撓性であることが好ましい。
イスの電源電圧(VCC2)が、送信デバイスの電源電
圧(VCC1)より、高い電圧で動作する場合や、両者
の接地電位が異なる場合でも、受信デバイスのICの設
計変更無しに、安定したデータ伝送が可能になるため、
低コストで高性能な信号送受信装置を提供することが出
来る。
の構成を示す図である。
受信デバイスの接地電位差を示す図である。
の構成を示す図である。
受信デバイスの電源電圧差を示す図である。
の構成を示す図である。
受信デバイスの電源電圧差を示す図である。
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
受信デバイスの電源電圧差を示す図である。
の概略構成図である。
構成を示す図である。
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
る。
デバイスの接地電位差を示した図である。
る。
信デバイスの電源電圧差を示した図である。
イバ回路の構成図である。
積度と電源電圧の関係図である。
Claims (56)
- 【請求項1】 データを伝送する送信デバイスと、 前記データを受信する受信デバイスと、 前記データを伝送するデータ線と、 前記データ線の電圧を決定するバイアス電圧を伝送する
電源線と、 を備え、前記データ線および前記電源線によって前記送
信デバイスと前記受信デバイスとを接続した信号送受信
装置であって、 前記送信デバイスは、 前記データを前記データ線へ出力するドライバ回路と、 前記バイアス電圧を発生し、前記電源線に出力するバイ
アス発生手段と、 を備え、 前記受信デバイスは、 前記データ線に接続される終端抵抗と、 前記データを前記データ線から検出するレシーバ回路
と、 を備え、 前記データ線は、前記終端抵抗の中点に接続された前記
電源線に接続され、前記データ線の中間電位が、前記電
源線を介して伝送されるバイアス電圧によって決定され
る、信号送受信装置。 - 【請求項2】 前記バイアス発生手段は、バイアス発生
回路と基準電圧発生回路とを備える、請求項1に記載の
信号送受信装置。 - 【請求項3】 前記データ線は差動線対である、請求項
1に記載の信号送受信装置。 - 【請求項4】 前記終端抵抗は前記差動線対間を短絡す
るように接続され、前記電源線を、前記終端抵抗の実質
的に中点に接続する、請求項3に記載の信号送受信装
置。 - 【請求項5】 前記送信デバイスは第1の接地電位を有
し、 前記受信デバイスは第2の接地電位を有し、 前記第2の接地電位は前記第1の接地電位よりも高い、
請求項1に記載の信号送受信装置。 - 【請求項6】 前記送信デバイスは第1の電源電圧を有
し、 前記受信デバイスは第2の電源電圧を有し、 前記第2の電源電圧は前記第1の電源電圧よりも高い、
請求項1に記載の信号送受信装置。 - 【請求項7】 前記送信デバイスの接地と前記受信デバ
イスの接地とを接続する接地接続線を更に備える、請求
項1に記載の信号送受信装置。 - 【請求項8】 前記データ線および前記電源線の少なく
とも一つは可撓性を有する、請求項1に記載の信号送受
信装置。 - 【請求項9】 前記接地接続線は可撓性を有する、請求
項7に記載の信号送受信装置。 - 【請求項10】 データを伝送するデータ線と、前記デ
ータ線の電圧を決定するバイアス電圧を伝送する電源線
とに接続され、受信デバイスに前記データを伝送する送
信デバイスであって、 前記受信デバイスは、前記データ線に接続される終端抵
抗と、前記データを前記データ線から検出するレシーバ
回路とを備え、前記データ線は、前記終端抵抗の中点に
接続された前記電源線に接続され、前記データ線の中間
電位が、前記電源線を介して伝送されるバイアス電圧に
よって決定され、 前記データを前記データ線へ出力するドライバ回路と、 前記バイアス電圧を発生し、前記電源線に出力するバイ
アス発生手段と、 を備える送信デバイス。 - 【請求項11】 前記バイアス発生手段は、バイアス発
生回路と基準電圧発生回路とを備える、請求項10に記
載の送信デバイス。 - 【請求項12】 前記送信デバイスの接地電位を前記受
信デバイスに伝送する接地接続線に更に接続される、請
求項10に記載の送信デバイス。 - 【請求項13】 データを伝送するデータ線と、前記デ
ータ線の電圧を決定するバイアス電圧を伝送する電源線
とに接続され、送信デバイスから前記データを受信する
受信デバイスであって、 前記送信デバイスは、前記データを前記データ線へ出力
するドライバ回路と、前記バイアス電圧を発生し、前記
電源線に出力するバイアス発生手段とを備え、 前記データ線に接続される終端抵抗と、 前記データを前記データ線から検出するレシーバ回路と
を備え、 前記データ線は、前記終端抵抗の中点に接続された前記
電源線に接続され、前記データ線の中間電位が、前記電
源線を介して伝送されるバイアス電圧によって決定され
る、受信デバイス。 - 【請求項14】 前記バイアス発生手段は、バイアス発
生回路と基準電圧発生回路とを備える、請求項13に記
載の受信デバイス。 - 【請求項15】 前記データ線が差動線対であって、 前記終端抵抗は、前記差動線対間を短絡し、 前記終端抵抗の実質的な中点に前記バイアス電圧が印加
される、請求項13に記載の受信デバイス。 - 【請求項16】 前記送信デバイスの接地電位を伝送す
る接地接続線に更に接続される、請求項13に記載の受
信デバイス。 - 【請求項17】 第1のデータおよび第2のデータを伝
送する送信デバイスと、 前記第1のデータおよび前記第2のデータを受信する受
信デバイスと、 前記第1のデータおよび前記第2のデータを伝送するデ
ータ線と、 を備え、前記データ線によって送信デバイスと受信デバ
イスとを接続した信号送受信装置であって、 前記送信デバイスは、 前記第1のデータを前記データ線へ出力するドライバ回
路と、 前記第2のデータを前記データ線へ出力する回路とを備
え、 前記受信デバイスは、 前記データ線に接続される終端抵抗と、 前記データを前記データ線から検出するレシーバ回路
と、 前記終端抵抗に印加するバイアス電圧を発生するバイア
ス発生手段とを備え、 前記バイアス発生手段は、前記データ線からの前記第2
のデータに基づいて前記バイアス電圧を設定する、信号
送受信装置。 - 【請求項18】 前記バイアス発生手段は、バイアス発
生回路と基準電圧発生回路とを備える、請求項17に記
載の信号送受信装置。 - 【請求項19】 前記データ線の内、前記第1のデータ
を伝送するデータ線と前記第2のデータを伝送するデー
タ線とが異なる、請求項17に記載の信号送受信装置。 - 【請求項20】 前記データ線は差動線対である、請求
項17に記載の信号送受信装置。 - 【請求項21】 前記第1のデータを伝送するデータ線
は差動線対である、請求項19に記載の信号送受信装
置。 - 【請求項22】 前記終端抵抗は前記差動線対間を短絡
するように接続され、 前記バイアス電圧は、前記終端抵抗の実質的に中点に印
加される、請求項20に記載の信号送受信装置。 - 【請求項23】 前記終端抵抗は前記差動線対間を短絡
するように接続され、 前記バイアス電圧は、前記終端抵抗の実質的に中点に印
加される、請求項21に記載の信号送受信装置。 - 【請求項24】 前記送信デバイスの接地と前記受信デ
バイスの接地とを接続する接地接続線を更に備える、請
求項17に記載の信号送受信装置。 - 【請求項25】前記データ線は可撓性を有する、請求項
17に記載の信号送受信装置。 - 【請求項26】 前記接地接続線は可撓性を有する、請
求項24に記載の信号送受信装置。 - 【請求項27】 第1のデータおよび第2のデータを伝
送するデータ線に接続され、受信デバイスに前記第1の
データおよび前記第2のデータを伝送する送信デバイス
であって、 前記受信デバイスは、前記データ線に接続される終端抵
抗と、前記第1のデータを前記データ線から検出するレ
シーバ回路と、前記データ線からの前記第2のデータに
基づいて、前記終端抵抗に印加するバイアス電圧を発生
するバイアス発生手段とを備え、 前記第1のデータを前記データ線へ出力するドライバ回
路と、 前記第2のデータを前記データ線へ出力する回路と、 を備える送信デバイス。 - 【請求項28】 前記バイアス発生手段は、バイアス発
生回路と基準電圧発生回路とを備える、請求項27に記
載の送信デバイス。 - 【請求項29】 前記データ線の内、前記第1のデータ
を伝送するデータ線と前記第2のデータを伝送するデー
タ線とが異なる、請求項27に記載の送信デバイス。 - 【請求項30】 前記送信デバイスの接地電位を前記受
信デバイスに伝送する接地接続線に更に接続される、請
求項27に記載の送信デバイス。 - 【請求項31】 前記データ線が差動線対であって、前
記終端抵抗は、前記差動線対間を短絡し、前記終端抵抗
の実質的な中点に前記バイアス電圧が印加される、請求
項27に記載の送信デバイス。 - 【請求項32】 第1のデータおよび第2のデータを伝
送するデータ線に接続され、送信デバイスから前記第1
のデータおよび前記第2のデータを受信する受信デバイ
スであって、 前記送信デバイスは、前記第1のデータを前記データ線
へ出力するドライバ回路と、前記第2のデータを前記デ
ータ線へ出力する回路とを備え、 前記データ線に接続される終端抵抗と、 前記データを前記データ線から検出するレシーバ回路
と、 バイアス電圧を発生し、前記終端抵抗に出力するバイア
ス発生手段とを備える受信デバイスであって、 前記バイアス発生手段は、前記データ線からの前記第2
のデータに基づいて前記バイアス電圧を設定する、受信
デバイス。 - 【請求項33】 前記バイアス発生手段は、バイアス発
生回路と基準電圧発生回路とを備える、請求項32に記
載の受信デバイス。 - 【請求項34】 前記データ線の内、前記第1のデータ
を伝送するデータ線と前記第2のデータを伝送するデー
タ線とが異なる、請求項32に記載の受信デバイス。 - 【請求項35】 前記データ線が差動線対であって、前
記終端抵抗は、前記差動線対間を短絡し、前記終端抵抗
の実質的な中点に前記バイアス電圧が印加される、請求
項32に記載の受信デバイス。 - 【請求項36】 前記送信デバイスの接地電位を伝送す
る接地接続線に更に接続される、請求項32に記載の受
信デバイス。 - 【請求項37】 データを伝送する送信デバイスと、 前記データを受信する受信デバイスと、差動線対によって構成され、 前記データを伝送するデー
タ線と、 を備え、前記データ線によって前記送信デバイスと前記
受信デバイスとを接続した信号送受信装置であって、 前記送信デバイスは、前記データを前記データ線へ出力
するドライバ回路を備え、 前記受信デバイスは、 前記データ線に接続される終端抵抗と、 前記データを前記データ線から検出するレシーバ回路
と、 前記終端抵抗に印加するバイアス電圧を発生するバイア
ス発生手段と、を備え、 前記バイアス発生手段は、前記データ線の電位に基づい
て前記バイアス電圧を設定する信号送受信装置。 - 【請求項38】 前記バイアス発生手段は、バイアス発
生回路と基準電圧発生回路とを備える、請求項37に記
載の信号送受信装置。 - 【請求項39】 前記終端抵抗は前記差動線対間を短絡
するように接続され、 前記バイアス電圧は、前記終端抵抗の実質的に中点に印
加される、請求項37に記載の信号送受信装置。 - 【請求項40】 前記送信デバイスの接地と前記受信デ
バイスの接地とを接続する接地接続線を更に備える、請
求項37に記載の信号送受信装置。 - 【請求項41】 前記データ線は可撓性を有する、請求
項37に記載の信号送受信装置。 - 【請求項42】 前記接地接続線は可撓性を有する、請
求項40に記載の信号送受信装置。 - 【請求項43】 データを伝送するデータ線に接続さ
れ、送信デバイスから前記データを受信する受信デバイ
スであって、 前記送信デバイスは、前記データを前記データ線へ出力
するドライバ回路を備え、 前記データ線に接続される終端抵抗と、 前記データを前記データ線から検出するレシーバ回路
と、 バイアス電圧を発生し、前記終端抵抗に出力するバイア
ス発生手段とを備える受信デバイスであって、前記データ線が差動線対であり、 前記バイアス発生手段は、前記データ線の電位に基づい
て前記バイアス電圧を設定する受信デバイス。 - 【請求項44】 前記バイアス発生手段は、バイアス発
生回路と基準電圧発生回路とを備える、請求項43に記
載の受信デバイス。 - 【請求項45】 前記終端抵抗は、前記差動線対間を短
絡し、 前記終端抵抗の実質的な中点に前記バイアス電圧が印加
される、請求項43に記載の受信デバイス。 - 【請求項46】 前記送信デバイスの接地電位を伝送す
る接地接続線に更に接続される、請求項43に記載の受
信デバイス。 - 【請求項47】 複数のデータを伝送する送信デバイス
と、 前記複数のデータを受信する受信デバイスと、 前記複数のデータを伝送する複数のデータ線と、 前記複数のデータ線の電圧を決定するバイアス電圧を伝
送する少なくとも一つの電源線と、 を備え、前記複数のデータ線および前記少なくとも一つ
の電源線によって前記送信デバイスと前記受信デバイス
とを接続した信号送受信装置であって、 前記送信デバイスは、 前記複数のデータを、対応する前記複数のデータ線へそ
れぞれ出力する、複数のドライバ回路と、 前記バイアス電圧を発生し、前記少なくとも一つの電源
線に出力する少なくとも一つのバイアス発生手段と、 を備え、 前記受信デバイスは、 前記複数のデータ線の内の対応するデータ線にそれぞれ
接続される複数の終端抵抗と、 前記複数のデータを前記複数のデータ線からそれぞれ検
出する複数のレシーバ回路と、 を備え、 前記複数のデータ線は、対応する前記複数の終端抵抗を
介して、対応する前記少なくとも一つの電源線に接続さ
れる信号送受信装置。 - 【請求項48】 前記複数の終端抵抗の少なくとも一つ
と、前記少なくとも一つの電源線とが、電気抵抗を介し
て接続される、請求項47に記載の信号送受信装置。 - 【請求項49】 前記複数の終端抵抗の少なくとも一つ
と、前記少なくとも一つの電源線とが、アンプを介して
接続される、請求項47に記載の信号送受信装置。 - 【請求項50】 複数の第1のデータと少なくとも一つ
の第2のデータとを伝送する送信デバイスと、 前記複数の第1のデータと前記少なくとも一つの第2の
データとを受信する受信デバイスと、 前記複数の第1のデータと前記少なくとも一つの第2の
データとを伝送する複数のデータ線と、 を備え、前記複数のデータ線によって前記送信デバイス
と前記受信デバイスとを接続した信号送受信装置であっ
て、 前記送信デバイスは、 前記複数の第1のデータを、対応する前記複数のデータ
線へそれぞれ出力する、複数のドライバ回路と、 少なくとも一つの、前記少なくとも一つの第2のデータ
を前記データ線へ出力する回路とを備え、 前記受信デバイスは、 前記複数のデータ線の内の対応するデータ線にそれぞれ
接続される複数の終端抵抗と、 前記複数の第1のデータを前記複数のデータ線からそれ
ぞれ検出する複数のレシーバ回路と、 前記複数の終端抵抗に印加するバイアス電圧を発生する
少なくとも一つのバイアス発生手段とを備え、 前記少なくとも一つのバイアス発生手段は、前記複数の
データ線からの前記少なくとも一つの第2のデータに基
づいて前記バイアス電圧を設定する信号送受信装置。 - 【請求項51】 前記複数の終端抵抗の少なくとも一つ
と、前記少なくとも一つのバイアス発生手段とが、電気
抵抗を介して接続される、請求項50に記載の信号送受
信装置。 - 【請求項52】 前記複数の終端抵抗の少なくとも一つ
と、前記少なくとも一つのバイアス発生手段とが、アン
プを介して接続される、請求項50に記載の信号送受信
装置。 - 【請求項53】 複数のデータを伝送する送信デバイス
と、 前記複数のデータを受信する受信デバイスと、 前記複数のデータを伝送する複数のデータ線と、 を備え、前記複数のデータ線によって前記送信デバイス
と前記受信デバイスとを接続した信号送受信装置であっ
て、 前記送信デバイスは、 前記複数のデータを、対応する前記複数のデータ線へそ
れぞれ出力する、複数のドライバ回路を備え、 前記受信デバイスは、 前記複数のデータ線の内の対応するデータ線にそれぞれ
接続される複数の終端抵抗と、 前記複数のデータを前記複数のデータ線からそれぞれ検
出する複数のレシーバ回路と、 前記複数の終端抵抗に印加するバイアス電圧を発生する
少なくとも一つのバイアス発生手段とを備え、 前記少なくとも一つのバイアス発生手段は、前記複数の
データ線内の少なくとも一つの電位に基づいて前記バイ
アス電圧を設定する信号送受信装置。 - 【請求項54】 前記複数の終端抵抗の少なくとも一つ
と、前記少なくとも一つのバイアス発生手段とが、電気
抵抗を介して接続される、請求項53に記載の信号送受
信装置。 - 【請求項55】 前記複数の終端抵抗の少なくとも一つ
と、前記少なくとも一つのバイアス発生手段とが、アン
プを介して接続される、請求項53に記載の信号送受信
装置。 - 【請求項56】 データを伝送する送信デバイスと、 前記データを受信する受信デバイスと、 前記データを伝送するデータ線と、 前記データ線の電圧を決定するバイアス電圧を伝送する
電源線と、 を用いた、信号送受信方法であって、 前記送信デバイスにおいて、前記バイアス電圧を発生
し、前記電源線に出力するステップと、 前記受信デバイスにおける終端抵抗の中点に接続された
前記電源線に接続される前記データ線に前記データを出
力するステップと、 前記受信デバイスにおいて、前記データを前記データ線
から検出するステップと、 を包含し、前記データを前記データ線から検出するステップにおい
て、前記データ線の中間電位が、前記電源線を介して伝
送されるバイアス電圧によって決定される、 信号送受信
方法。
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