JP3509374B2 - ジアリールカーボネートの製造方法 - Google Patents

ジアリールカーボネートの製造方法

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JP3509374B2
JP3509374B2 JP07025596A JP7025596A JP3509374B2 JP 3509374 B2 JP3509374 B2 JP 3509374B2 JP 07025596 A JP07025596 A JP 07025596A JP 7025596 A JP7025596 A JP 7025596A JP 3509374 B2 JP3509374 B2 JP 3509374B2
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勝正 原田
良二 杉瀬
陽一 印部
俊彦 住田
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリカーボネート
の製造原料として有用なジアリールカーボネートを製造
する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ジアリールカーボネートを製造する方法
としては、ホスゲンと芳香族ヒドロキシ化合物をアルカ
リ存在下で反応させる方法(特開昭62−190146
号公報など)や、ジアルキルカーボネートと芳香族ヒド
ロキシ化合物を触媒存在下でエステル交換反応させる方
法(特公昭56−42577号公報、特公平1−558
8号公報など)がよく知られている。しかしながら、前
者のホスゲンを用いる方法は、ホスゲン自体が毒性の強
い化合物であることや多量のアルカリを使用することな
どから工業的には必ずしも優れた方法ではない。また、
後者のエステル交換による方法は、この方法に係わる多
くの特許に記載されているように高活性な触媒を用いて
いるにも拘わらず反応速度が充分ではなく、これを補う
ために大規模の装置を必要とするなどの問題を有してい
る。
【0003】その他の方法として、ジアリールオキサレ
ートを脱カルボニル反応させてジアリールカーボネート
を生成させる方法が知られているが、この方法は目的の
ジアリールカーボネートの選択率及び收率が著しく低い
という問題を有している。即ち、シュウ酸ジフェニル
(ジフェニルオキサレート)を蒸留フラスコ中で煮沸し
て炭酸ジフェニル(ジフェニルカーボネート)を製造す
る方法(有機合成協会誌,5,報47(1948),7
0)では、文献記載の反応式にも示されるようにフェノ
ールが副生し、更に二酸化炭素も副生して、目的の炭酸
ジフェニル(ジフェニルカーボネート)の收率が著しく
低くなる。
【0004】また、オキサレートジエステルをアルコラ
ート触媒の存在下に50〜150℃に液相で加熱してカ
ーボネートジエステルを製造する方法も提案されている
が(USP4544507号公報)、この方法では、公
報記載の実施例に示されるように、ジフェニルオキサレ
ートをカリウムフェノキシド触媒の存在下で加熱して
も、主生成物として得られるものは原料のジフェニルオ
キサレートであって、目的のジフェニルカーボネートは
得られない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、毒性の強い
化合物であるホスゲンを用いることなく、ジアリールカ
ーボネートを容易に製造できる方法を提供することを課
題とする。即ち、ジアリールオキサレートからジアリー
ルカーボネートを製造する方法において、ジアリールカ
ーボネートを收率よく製造できる方法を提供することを
課題とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の課題は、ジアリ
ールオキサレートを金属容器中において230〜330
℃で液相で加熱して脱カルボニル反応させることを特徴
とするジアリールカーボネートの製造方法によって達成
される。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明では、ジアリールカーボネ
ートは、次式で示されるジアリールオキサレートの脱カ
ルボニル反応によって生成する。
【0008】
【化1】 (式中、Arはアリール基を示す)
【0009】前記のアリール基としては、(1)フェニ
ル基、(2)置換基として、(a)メチル基、エチル基
等の炭素数1〜12のアルキル基、(b)メトキシ基、
エトキシ基等の炭素数1〜12のアルコキシ基、(c)
ニトロ基、又は(d)フッ素原子、塩素原子等のハロゲ
ン原子などを有する置換フェニル基、及び(3)ナフチ
ル基などが挙げられる。
【0010】前記置換フェニル基は各種異性体を含む。
これら異性体としては、(a)2−(又は3−、4−)
メチルフェニル基、2−(又は3−、4−)エチルフェ
ニル基等の炭素数1〜12のアルキル基を有する2−
(又は3−、4−)アルキルフェニル基、(b)2−
(又は3−、4−)メトキシフェニル基、2−(又は3
−、4−)エトキシフェニル基等の炭素数1〜12のア
ルコキシ基を有する2−(又は3−、4−)アルコキシ
フェニル基、(c)2−(又は3−、4−)ニトロフェ
ニル基、(d)2−(又は3−、4−)フルオロフェニ
ル基、2−(又は3−、4−)クロロフェニル基等のハ
ロゲン原子を有する2−(又は3−、4−)ハロフェニ
ル基などが挙げられる。
【0011】ジアリールオキサレートの脱カルボニル反
応は、金属容器中において、ジアリールオキサレートを
液相で230〜330℃、好ましくは250〜330
℃、更に好ましくは280〜330℃、特には300〜
330℃で加熱することによって行われる。このとき、
前記反応式に従って、ジアリールオキサレートからジア
リールカーボネートが生成すると共に一酸化炭素が生成
する。反応温度が230℃より低くなると脱カルボニル
反応が殆ど起こらず、330℃を越えるとジアリールオ
キサレートの收率が低下するために好ましくない。ジフ
ェニルオキサレートの沸点が330℃付近であるので、
反応温度が330℃を越えると加圧下で反応を行わなけ
ればならず、ジフェニルオキサレートの收率が低下して
くる。なお、反応圧力は上記の反応温度の範囲内で特に
制限されるものではないが、通常は常圧又は減圧である
ことが好ましい。
【0012】金属容器としては、ステンレス鋼(SU
S)、鉄などの金属製の容器が用いられる。ステンレス
鋼(SUS)としては、例えばマルテンサイト系ステン
レス鋼(SUS410など)、フェライト系ステンレス
鋼(SUS430など)、オーステナイト系ステンレス
鋼(SUS304、SUS316など)が挙げられる。
金属容器の中では、ステンレス鋼製の容器が好ましい。
【0013】脱カルボニル反応は、例えば、ジアリール
オキサレートを金属製の容器(例えば、攪拌槽)に入れ
て液相で前記温度に加熱することによって、バッチ式又
は連続式で行われる。この反応には溶媒は特に必要とさ
れないが、必要に応じて非プロトン性の高沸点溶媒、例
えばスルホラン、N−メチルピロリドン、ジメチルイミ
ダゾリドン、1,3−ジメチル−3,4,5,6−テト
ラヒドロ−2(1H)−ピリミジノンを適宜使用するこ
とができる。反応後、生成したジアリールカーボネート
は蒸留等により分離精製される。
【0014】
【実施例】次に、実施例及び比較例を挙げて本発明を具
体的に説明する。なお、ジフェニルカーボネートの收率
(モル%)はジフェニルオキサレートに対して求めた。
【0015】実施例1 ガス排気管を有し、温度計、攪拌機、還流冷却管を備え
た内容積90mlのステンレス鋼(SUS316)製反
応器に、ジフェニルオキサレート20.7mmol
(5.0g)を入れ容器の空間部をアルゴンガスで置換
した後、330℃まで昇温して、常圧下、反応温度33
0℃で1.75時間脱カルボニル反応を行った。反応終
了後、容器を室温まで冷却して反応生成物をガスクロマ
トグラフィー(カラム温度:100〜180℃、注入口
温度:170℃)で分析したところ、ジフェニルカーボ
ネートが4.31mmol(0.92g)生成してい
た。收率は20.8%であった。なお、分析操作による
ジフェニルオキサレートからのジフェニルカーボネート
の生成は認められなかった。
【0016】比較例1 実施例1において、ステンレス鋼製容器をガラス製容器
に代え、反応時間を3時間に変えたほかは、実施例1と
同様に脱カルボニル反応を行った。その結果、ジフェニ
ルカーボネートが0.84mmol生成していた(收
率:4.1%)。
【0017】実施例2 実施例1において、反応温度を280℃に変え、反応時
間を 時間に変えたほかは、実施例1と同様に脱カルボ
ニル反応を行った。その結果、ジフェニルカーボネート
が1.07mmol生成していた(收率:5.4%)。
【0018】比較例2 実施例2において、ステンレス鋼製容器をガラス製容器
に代えほかは、実施例2と同様に脱カルボニル反応を行
った。その結果、ジフェニルカーボネートが0.02m
mol生成していた(收率:0.1%)。
【0019】比較例3 実施例1において、反応温度を200℃に変え、反応時
間を3時間に変えたほかは、実施例1と同様に脱カルボ
ニル反応を行った。その結果、ジフェニルカーボネート
の生成は認められなかった。
【0020】比較例4 実施例1において、反応温度を100℃に、そして反応
時間を3時間に変え、カリウムフェノラート3.8mm
ol(0.5g)を添加し、溶媒としてテトラヒドロフ
ラン5.0gを加えて反応を行ったほかは、実施例1と
同様に脱カルボニル反応を行った。その結果、ジフェニ
ルカーボネートの生成は認められなかった。実施例1、
2及び比較例1〜4の結果を表1に示す。
【0021】
【表1】
【0022】実施例3 実施例1において、ジフェニルオキサレートをビス(4
−クロロフェニル)オキサレート3.32mmol
(1.04g)に代えたほかは、実施例1と同様に脱カ
ルボニル反応を行った。その結果、ビス(4−クロロフ
ェニル)カーボネートが0.18mmol(0.05
g)生成していた(收率:5.3%)。
【0023】
【発明の効果】本発明により、毒性の強い化合物である
ホスゲンを用いることなく、ジアリールカーボネートを
容易に製造できる。即ち、ジアリールオキサレートを金
属容器中で加熱するという非常に簡単な方法により、ジ
アリールオキサレートからジアリールカーボネートを收
率よく製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 米国特許4544507(US,A) 特許3206425(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07C 68/00 - 68/08 C07C 69/96 CA(STN) REGISTRY(STN) CASREACT(STN)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ジアリールオキサレートを金属容器中に
    おいて280〜330℃で液相で加熱して脱カルボニル
    反応させることを特徴とするジアリールカーボネートの
    製造方法。
  2. 【請求項2】 金属容器がステンレス鋼製の容器である
    ことを特徴とする請求項1記載のジアリールカーボネー
    トの製造方法。
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