JP3506002B2 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

プリント配線板の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣカード用などに使用されるプリント
配線板として、特開平３−３２８９５号公報等によっ
て、図１に示すような構造のものが従来から提案されて
いる。このものは、基材１の片面にコンタクト端子２を
設けると共に、このコンタクト端子２が底面となるよう
に基材１に部品実装用の開口部３ａとボンディングワイ
ヤー用の開口部４を設け、部品実装用の開口部３ａにＩ
Ｃ等の電子部品５を実装し、そしてボンディングワイヤ
ー用の開口部４を通してボンディングワイヤー６で電子
部品５とコンタクト端子２を接続するようにした構造に
形成されているものであり、さらに封止樹脂７をポッテ
ィングして封止することによって、ＩＣカード用のモジ
ュールとするようにしてある。
【０００３】そしてこのようなプリント配線板を製造す
るにあたっては、図４４（ａ）に示すようにまず基材１
の片面に接着剤８を塗布し、図４４（ｂ）のように基材
１に部品実装用の開口部３ａと複数のボンディングワイ
ヤー用開口部４を打ち抜き加工して設けた後、図４４
（ｃ）のように接着剤８で基材１の片面に銅箔等の金属
箔９を接着する。次に、この金属箔９をエッチング等し
て回路形成加工することによって、表面が外部に露出し
て外部接点となるコンタクト端子２を図４４（ｄ）のよ
うに形成する。部品実装用開口部３ａや複数のボンディ
ングワイヤー用開口部４の底面はこのコンタクト端子２
で形成されるものであり、部品実装用開口部３ａの底面
のコンタクト端子２は電子部品５を保持する機能も有す
る。このように回路形成した後、図４４（ｅ）のように
コンタクト端子２の外面の部分と、開口部３ａ，４の底
面に臨む部分にＮｉメッキとＡｕメッキを施すことによ
って、仕上げメッキ１０ａ，１０ｂを形成するようにし
てある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしコンタクト端子
２は、上記のように基材１に接着剤８で接着した金属箔
９によって形成されており、高温の作用による接着剤８
の劣化でコンタクト端子２が剥離するなど、耐熱性に問
題を有するものであり、さらに接着剤８の分だけ厚みが
増し、薄型化が困難になるものであった。
【０００５】また、開口部３ａ，４は打ち抜き加工で形
成するために、開口部３ａ，４の径を小さくするには限
界があり、また開口部３ａ，４間の間隔を小さくするこ
とも困難であり、小型化に制限があるという問題があっ
た。
【０００６】また、基材１としては、樹脂積層板が主と
して用いられるが、樹脂積層板は両面に銅箔などの金属
箔を張った両面金属張り積層板として形成しないと、表
面の平滑性や厚みの均一性に問題が生じる。このため
に、基材１として両面金属張り積層板が用いられるが、
基材１に開口部３ａ，４を加工するために、一旦、基材
１の両面の金属箔をエッチング除去する必要があり、そ
して開口部３ａ，４を加工した後に、コンタクト端子２
を形成するための金属箔９を図４４（ｃ）のように基材
１に接着するようにしており、製造の工程が長くなると
共に材料ロスが大きいという問題があった。
【０００７】さらに、コンタクト端子２の外面の部分
と、開口部３ａ，４の底面に臨む部分に仕上げメッキ１
０ａ，１０ｂを施すにあたって、同じ工程で行なうこと
になるため、コンタクト端子２の外面の部分はＮｉメッ
キと光沢Ａｕメッキで仕上げメッキ１０ａを形成し、コ
ンタクト端子２の開口部３ａ，４の底面に臨む部分はＮ
ｉメッキと無光沢Ａｕメッキで仕上げメッキ１０ｂを形
成するというように、異なる種類のメッキを行なうこと
が難しいという問題があった。
【０００８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、耐熱性が高く小型化することが容易であり、基材
の表面の平坦度が高いと共に材料ロスが少なく、コンタ
クト端子に異なる種類のメッキを行なうことが容易であ
るプリント配線板の製造方法を提供することを目的とす
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
プリント配線板の製造方法は、電子部品５が実装される
部品実装部３を有する基材１と、基材１の一方の片面に
設けられ表面が外部に露出して外部接点となるコンタク
ト端子２と、基材１に形成され部品実装部３に実装され
る電子部品５とコンタクト端子２とを接続するボンディ
ングワイヤー６を通すために基材１に他方の片面に開口
させて形成される開口部４とを具備して形成され、上記
コンタクト端子２が基材１に直接密着して設けられた金
属箔９から形成されたプリント配線板を製造するにあた
って、部品実装部５を基材１に開口部３ａとして形成
し、光ビームを基材１に照射することによって、ボンデ
ィングワイヤー用開口部４と部品実装用開口部３ａを同
時にコンタクト端子２の裏面側において基材１に加工す
ることを特徴とするものである。
【００１０】また請求項２の発明は、両面に金属箔９，
９を張った基材１を用い、一方の金属箔９をエッチング
除去すると共に他方の金属箔９を回路形成加工してコン
タクト端子２を形成した後に、金属箔９をエッチング除
去した側の片面から基材１に開口部４を加工することを
特徴とするものである。
【００１１】また請求項３の発明は、上記基材１とし
て、ロール状に巻いた長尺のガラス繊維を含有するフレ
キシブル両面金属張り積層板１ａを用いることを特徴と
するものである。
【００１２】また請求項４の発明は、フレキシブル両面
金属張り積層板１ａの側端縁に沿ってスプロケット穴１
２を形成したものを用いることを特徴とするものであ
る。
【００１３】また請求項５の発明は、開口部３ａ，４を
加工した後、開口部３ａ，４の底部のコンタクト端子２
の表面を酸洗することを特徴とするものである。
【００１４】また請求項６の発明は、光ビームとして炭
酸ガスレーザを用いることを特徴とするものである。
【００１５】また請求項７の発明は、両面に金属箔９，
９を張った基材１を用い、一方の金属箔９にエッチング
して開口孔１４を設けた後に、この開口孔１４の箇所に
開口孔１４よりも径の大きなビームの炭酸ガスレーザを
照射することによって、基材１に開口部３ａ，４を加工
することを特徴とするものである。
【００１６】また請求項８の発明は、基材１との密着面
を酸化処理した金属箔９を張った基材１を用いることを
特徴とするものである。
【００１７】また請求項９の発明は、基材１との密着面
を粗面化した金属箔９を張った基材１を用いることを特
徴とするものである。
【００１８】また請求項１０の発明は、炭酸ガスレーザ
として、ビームのエネルギー分布が開口部３ａ，４にお
いて均一なものを用いることを特徴とするものである。
【００１９】また請求項１１の発明は、炭酸ガスレーザ
の照射で基材１に開口部３ａ，４を形成した後、開口部
３ａ，４の側面及び開口部３ａ，４の底部を洗浄するこ
とを特徴とするものである。
【００２０】また請求項１２の発明は、開口部３ａ，４
を過マンガン酸カリウム液で処理して洗浄を行なうこと
を特徴とするものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
【００２２】本発明において基材１としては、図２
（ａ）に示すような、両面に銅箔などの金属箔９，９を
張った両面金属張り樹脂積層板１ａを用いるものであ
る。この両面金属張り樹脂積層板１ａは例えば、ガラス
クロスなどガラス繊維基材にエポキシ樹脂などの熱硬化
性樹脂ワニスを含浸して樹脂含浸基材を作製し、この樹
脂含浸基材を必要に応じて複数枚重ねると共にその両側
を金属箔９，９で挟み込み、これを加熱しつつロールの
間に通して（ロールによる加圧は不要）、樹脂含浸基材
の樹脂を硬化させることによって、樹脂含浸基材に含浸
した樹脂で金属箔９，９を積層一体化して製造すること
ができるものであり、樹脂含浸基材による基材１の両側
の表面に金属箔９を一体成形したものとして製造するこ
とができる。例えば厚み１００μｍのガラスエポキシ基
材１の両面に厚み１８μｍの金属箔（銅箔）９を一体成
形して積層したものとして製造することができる。両面
金属張り積層板１ａは、表面に金属箔９を積層しないで
作製した積層板よりも、表面の平滑性が高く、厚みの均
一性が優れた基材１として用いることができるものであ
る。また、金属箔９は接着剤を用いて基材１に貼り付け
られているのではなく、基材１に含有されている樹脂の
自己接着作用で、基材１に直接密着しているものであ
る。
【００２３】ここで、上記のようにガラスクロスなどの
ガラス繊維を含有する基材１は、強度や電気絶縁性、耐
湿性が優れており、このようなガラス繊維を含有する基
材１を用いることによって、強度や電気絶縁性、耐湿性
が高いプリント配線板を製造することができるものであ
る。
【００２４】また、上記のようなガラス繊維を含有する
両面金属張り樹脂積層板１ａとして、フレキシブルな長
尺のものを用い、これを図３のようにロール状に巻いた
ものから繰り出して使用するようにすることができる。
このように基材１として、ロール状に巻いた長尺のガラ
ス繊維を含有するフレキシブル両面金属張り積層板１ａ
を用いることによって、これを連続して送りながら加工
をしてプリント配線板を製造することができるものであ
り、生産性を高めることができるものである（請求項
３）。
【００２５】またこのように基材１として長尺のフレキ
シブル両面金属張り積層板１ａを用いるにあたって、図
４のように長尺のフレキシブル両面金属張り積層板１ａ
の両側端縁に沿って所定間隔でスプロケット孔１２を設
け、スプロケット孔１２にスプロケットの爪（図示省
略）を嵌合させることによって、ロール状に巻いた長尺
のフレキシブル両面金属張り積層板１ａを位置決めしな
がら後工程に連続的に送ることができるようにすること
ができるものである（請求項４）。
【００２６】次に、基材１の一方の面（例えば下面）に
張った金属箔９にはエッチングレジストを貼着し、他方
の面（例えば上面）に張った金属箔９にはエッチングレ
ジストを貼着せず、そしてエッチングレジストを露光・
現像処理した後、各金属箔９をエッチング処理すること
によって、図２（ｂ）のように基材１の一方の面の金属
箔９を回路形成加工してコンタクト端子２を形成すると
共に、基材１の他方の面の金属箔９を除去して、基材１
の表面を露出させる。
【００２７】ここで、上記のように基材１として両面金
属張り積層板１ａを用いるようにしているので、表面に
金属箔９を積層しないで作製した積層板を基材１として
用いる場合よりも、基材１は表面の平滑性が高く、厚み
の均一性が優れており、品質の高いプリント配線板を製
造することができるものである。また基材１に予め張っ
た金属箔９でコンタクト端子２を形成するようにしてお
り、従来のように、基材１に予め張った金属箔２を開口
部３ａ，４の加工の前に一旦除去した後、コンタクト端
子２を形成するための金属箔９を基材１に再度接着する
というような必要がなくなるものであり、製造の工程が
長くなったり材料ロスが大きくなったりすることがなく
なるものである（請求項２）。また、金属箔９は接着剤
を用いて基材１に貼り付けられているのではなく、基材
１に含有されている樹脂の自己接着作用で、基材１に直
接密着しているものであって、この金属箔９から形成さ
れるコンタクト端子２は基材１に直接密着しているもの
であり、接着剤を用いて接着する場合のような耐熱性低
下の問題がなくなり、耐熱性の高いプリント配線板を製
造することができるものである。また接着剤を用いる必
要がないので、この分、厚みを薄くすることが可能にな
るものである（請求項１）。
【００２８】上記のように基材１の片面に回路形成加工
してコンタクト端子２を形成した後、コンタクト端子２
の露出する表面に仕上げメッキ１０ａを図２（ｃ）のよ
うに設ける。仕上げメッキ１０ａはＮｉメッキを施した
後にこの上にさらに光沢Ａｕメッキを施すことによって
行なうことができる。
【００２９】次に、基材１に開口部３ａ，４を加工す
る。開口部３ａ，４の加工は基材１の金属箔９を除去し
た側の面から光ビームを照射し、光ビームを照射した部
分の基材１を消失させることによって行なうことができ
るものであり、図２（ｄ）のように基材１の片面に設け
たコンタクト端子２が底面となる開口部３ａ，４を形成
することができるものである。光ビームはその光束の径
を小さくすることができるので、開口部３ａ，４を小さ
な径で加工することが可能になり、また開口部３ａ，４
の間隔も小さく設定して加工することが可能になる。従
って、小さな開口部３ａ，４を高密度に配置して基材１
に形成することができるものであり、プリント配線板の
小型化が可能になるものである（請求項１）。
【００３０】ここで、開口部３ａは後述のように電子部
品５を実装する部品実装部（キャビティ）３を形成する
ものであり、また開口部４は後述のようにボンディング
ワイヤー６を通すためのものであり、図５のように、ボ
ンディングワイヤー用開口部４は部品実装用開口部３ａ
の周囲を囲むように複数個設けられるが、部品実装用開
口部３ａとボンディングワイヤー用開口部４の間の間隔
の寸法Ｌがボンディングワイヤー用開口部４の径Ｄより
も小さく（等しくてもよい）なるように、開口部３ａ，
４を形成してあり、開口部３ａ，４の配置が高密度にな
るようにして、プリント配線板を小型化することができ
るようにしてある。
【００３１】また、電子部品５を実装する部品実装部
（キャビティ）３をこのように開口部３ａとして形成
し、ボンディングワイヤー用開口部４と同時にこの部品
実装用開口部３ａを加工して形成するようにすれば、加
工の工数を低減できると共に、後述のように部品実装部
３に電子部品５を実装するにあたって、電子部品５は開
口部３ａ内に納められ、基材１の表面からの電子部品５
の突出を小さくすることができ、電子部品５を実装した
ＩＣカード用のプリント配線板を小型化することができ
るものである（請求項１）。
【００３２】上記の光ビームとしては、炭酸ガスレーザ
を用いることができる。炭酸ガスレーザは照射エネルギ
ーの制御が容易であり、開口部３ａ，４を加工する際の
深さの制御を容易に行なうことができると共に、炭酸ガ
スレーザはエポキシ樹脂などの絶縁材に対して吸収が良
く、しかも銅箔等の金属箔９に作用し難く貫通したり亀
裂等が生じ難いので、コンタクト端子２に与えるダメー
ジを少なくして開口部３ａ，４を加工することができる
ものである（請求項６）。例えば、出力１５０Ｗ、３０
０ｍＪ／ｐｕｌｓの炭酸ガスレーザのビームを、加工面
でのエネルギー密度約４Ｊ／ｍｍ2で照射して、開口部
３ａ，４を加工することができる。
【００３３】上記のように炭酸ガスレーザを照射して開
口部３ａ，４を加工するにあたって、図６に示すよう
に、炭酸ガスレーザＬのビームのエネルギーの強度分布
が開口部３ａ，４の全面において均一なものを用いるこ
とができる。このようにエネルギー分布が均一な炭酸ガ
スレーザＬを用いることによって、コンタクト端子２に
ダメージを与えることを少なくして均一に基材１の樹脂
を除去して開口部３ａ，４を加工することができるもの
である（請求項１０）。
【００３４】また炭酸ガスレーザを照射して開口部３
ａ，４を加工するにあたって、図７に示すように、炭酸
ガスレーザＬのビームのエネルギーの強度分布が開口部
３ａ，４の周部ほど高くなるものを用いることができ
る。このようにエネルギー分布が周部で高い炭酸ガスレ
ーザＬを用いて開口部３ａ，４を加工することによっ
て、基材１としてガラス繊維含有のものを用いる場合
に、開口部３ａ，４の内周に突出するガラス繊維を炭酸
ガスレーザＬで消失させることができ、開口部３ａ，４
の内周にガラス繊維が突出することをなくして、開口部
３ａ，４の内周を平滑にすることができるものである。
【００３５】上記のように炭酸ガスレーザは金属箔９に
作用し難いが、熱の逃げ場がないときには、金属箔９に
ダメージを与えるおそれがある。そこで図８の実施の形
態では、図８（ａ）のように開口部３ａ，４を加工する
個所において金属箔９の表面に放熱板４２を接触させる
ように設置し、そして図８（ｂ）のように炭酸ガスレー
ザＬを基材１に照射して開口部３ａ，４を加工するよう
にしてある。放熱板４２としては熱伝導性の良好な金属
板などを用いることができるものであり、炭酸ガスレー
ザＬの照射による熱を放熱板４２で破線矢印のように放
熱させることによって、金属箔９の熱ダメージを低減す
ることができるものである。
【００３６】また、図９の実施の形態では、冷却水供給
パイプ４３を接続して冷却水を循環させるように形成し
た水冷管４４を用い、図９（ａ）のように開口部３ａ，
４を加工する個所において金属箔９の表面に水冷管４４
を接触させるように設置し、そして図９（ｂ）のように
炭酸ガスレーザＬを基材１に照射して開口部３ａ，４を
加工するようにしてある。このものでは、炭酸ガスレー
ザＬの照射による熱を水冷管４４で冷却することができ
るものであり、金属箔９の熱ダメージを低減することが
できるものである。
【００３７】上記のように炭酸ガスレーザの照射で開口
部３ａ，４を加工するにあたって、炭酸ガスレーザのビ
ームモードがシングルモードの場合、図１０（ｃ）のよ
うにビーム径の中心部のパワーが強いので、開口部３
ａ，４の中心部において開口部３ａ，４の底面の金属箔
９に熱が集中してダメージが発生するおそれがある。そ
こで図１０の実施形態では、炭酸ガスレーザＬのビーム
光路の中心にビーム減衰用フィルター４５を配置するよ
うにしてある。ビーム減衰用フィルター４５は光の透過
率が７０〜９０％程度の合成石英等を用いることができ
るものであり、直径を炭酸ガスレーザＬのビーム径より
小さいビーム減衰用フィルター４５を図１０（ａ）
（ｂ）のように複数本の金属線４６で支持して、炭酸ガ
スレーザＬのビーム光路の中心に配置するようにしてあ
る（図１０（ｂ）において炭酸ガスレーザＬのビームの
範囲を点線で示す）。このように炭酸ガスレーザＬのビ
ーム光路の中心にビーム減衰用フィルター４５を配置し
た状態で、炭酸ガスレーザＬを照射して開口部３ａ，４
を加工することによって、ビーム径の中心部のパワーを
減衰させ、開口部３ａ，４の中心部において金属箔９に
熱が集中してダメージが発生することを防ぐことができ
るものである。
【００３８】また、基材１に積層した金属箔９として、
基材１への密着面を酸化処理したものを用いるのが好ま
しい。銅箔などの金属箔９の表面を酸化処理することに
よって、金属箔９の表面を暗色に着色することができる
と共に表面が粗面化される。従ってこのような金属箔９
で形成されるコンタクト端子２の基材１に密着している
面は着色されていると共に粗面化されているので、基材
１に炭酸ガスレーザＬを照射して図１１のように開口部
３ａ，４を加工するにあたって、コンタクト端子２の表
面での炭酸ガスレーザＬの反射率は低くなり、コンタク
ト端子２の近傍の基材１の温度を上昇させることがで
き、開口部３ａ，４の底部に炭酸ガスレーザＬの照射で
除去されない樹脂が残存することを低減することができ
るものである（請求項８）。
【００３９】金属箔９として基材１への密着面をこのよ
うに酸化処理したものを用いる他に、金属箔９として基
材１への密着面を粗面化処理したものを用いることもで
きる。粗面化処理は例えば、３０℃の塩化銅２％、塩酸
７％のエッチング用水溶液を用い、金属箔９をこのエッ
チング用水溶液に３０分間浸漬することによって行なう
ことができる。このような金属箔９で形成されるコンタ
クト端子２の基材１に密着している面は粗面化されてい
るので、上記と同様に基材１に炭酸ガスレーザＬを照射
して開口部３ａ，４を加工するにあたって、コンタクト
端子２の表面での炭酸ガスレーザＬの反射率は低く、コ
ンタクト端子２の近傍の基材１の温度を上昇させて、開
口部３ａ，４の底部に炭酸ガスレーザＬの照射で除去さ
れない樹脂が残存することを低減することができるもの
である（請求項９）。
【００４０】ガラスエポキシ樹脂積層板などガラスクロ
ス等のガラス繊維を有する基材１に炭酸ガスレーザＬを
照射して開口部３ａ，４を加工するにあたって、炭酸ガ
スレーザＬの照射の際にガラス繊維は殆ど溶融して蒸発
するが、図１２（ａ）のように溶融不足のために一部の
ガラス繊維４９が球状になって開口部３ａ，４に残留す
るおそれがあり、このようにガラス繊維が残留するとワ
イヤボンディングの信頼性が低下するおそれがある。そ
こで図１２の実施の形態では、炭酸ガスレーザＬを照射
して開口部３ａ，４を加工した後、図１２（ｂ）のよう
にノズル５０から高圧水５１を開口部３ａ，４に噴出さ
せる処理をするようにしてある。高圧水５１による処理
条件は、水圧３〜５０ｋｇ／ｃｍ２、時間３〜３０秒が
好ましい。このように、高圧水１５で開口部３ａ，４を
処理することによって、開口部３ａ，４内の残留ガラス
繊維４９を除去することができ、ワイヤボンディングの
信頼性を向上させることができるものである。
【００４１】ここで、ガラスエポキシ樹脂積層板などガ
ラスクロス５３を有する基材１を用いる場合、ガラスク
ロス５２の縦糸や横糸を構成するガラス繊維５４の密度
が高い場合、図１３（ｂ）のように開口部３ａ，４を形
成する個所にこのガラス繊維５４が位置し、炭酸ガスレ
ーザを照射して開口部３ａ，４を加工するにあたって、
図１２（ａ）の場合と同様に開口部３ａ，４内に残留ガ
ラス繊維４９が残るおそれがある。そこで図１３（ａ）
の実施の形態では、縦糸や横糸を構成するガラス繊維５
４の密度を疎にしたガラスクロス５３で作製したガラス
エポキシ樹脂積層板などで基材１を形成し、開口部３
ａ，４を形成する個所にこのガラス繊維５４が存在しな
いようにしてある。このように、開口部３ａ，４を形成
する個所にガラスクロス５３の繊維５４が存在しない基
材１を用いて開口部３ａ，４を加工することによって、
開口部３ａ，４内に残留ガラス繊維４９が残るようなこ
とがなくなるものである。しかも、炭酸ガスレーザでガ
ラス繊維を蒸発させるような必要がなくなるので、開口
部３ａ，４を加工する際の炭酸ガスレーザのパワーを低
くすることが可能になり、開口部３ａ，４の底部の金属
箔９のダメージを抑制することもできるものである。
【００４２】また、図１４の実施の形態では、ガラスエ
ポキシ樹脂積層板などガラスクロス５３を有する基材１
を用いるにあたって、開口部３ａ，４を形成する個所に
ガラスクロス５３の縦糸や横糸を構成するガラス繊維５
４が位置しないように、部分的に打ち抜いたガラスクロ
ス５３で形成した基材１を用いるようにしている。すな
わち、まず図１４（ａ）のように、打ち抜き具５６によ
って開口部３ａ，４を形成する個所に、開口部３ａ，４
の径よりも大きな開口孔５７を加工し、このガラスクロ
ス５３を用いて基材１を作製する。つまり、基材１にエ
ポキシ樹脂ワニス等の熱硬化性樹脂ワニスを含浸すると
共にこれを積層成形して図１４（ｂ）のような金属箔９
張りの基材１を作製するものである（図１４（ｂ）の基
材１は片面の金属箔９を除去してある）。そして、この
図１４（ｂ）のようにガラスクロス５３に開口孔５７を
加工した個所において、基材１に炭酸ガスレーザを照射
して開口部３ａ，４を加工するものである。このよう
に、開口部３ａ，４を形成する個所にガラスクロス５３
の繊維が存在しない基材１を用いて開口部３ａ，４を加
工することによって、開口部３ａ，４内に残留ガラス繊
維４９が残るようなことがなくなるものである。しか
も、炭酸ガスレーザでガラス繊維を蒸発させるような必
要がなくなるので、開口部３ａ，４を加工する際の炭酸
ガスレーザのパワーを低くすることが可能になり、開口
部３ａ，４の底部の金属箔９のダメージを抑制すること
もできるものである。
【００４３】上記のように光ビームの照射で開口部３
ａ，４を加工するにあたって、開口部３ａ，４に樹脂層
が残存するおそれがある。特に、光ビームとして炭酸ガ
スレーザを用いる場合、レーザ波長の影響で厚み１μ程
度の樹脂層が残存し易い。そこで、光ビームの照射で基
材１にコンタクト端子２が底面となる開口部３ａ，４を
加工した後、開口部３ａ，４の側面及び開口部３ａ，４
の底部を洗浄して、開口部３ａ，４の底部となるコンタ
クト端子２の表面に残存する樹脂を除去すると共に、開
口部３ａ，４の側面や周囲に残存する樹脂を除去し、後
述のように開口部４を通してコンタクト端子２にボンデ
ィングワイヤー６をボンディングする際の接続信頼性を
高め、また部品実装部３となる開口部３ａに電子部品を
実装する際の実装信頼性を高めるようにする（請求項１
１）。
【００４４】この開口部３ａ，４の側面及び開口部３
ａ，４の底部の残存樹脂を除去する洗浄は、開口部３
ａ，４を過マンガン酸カリウム液で処理することによっ
て行なうことができる。開口部３ａ，４を加工した基材
１を図１５のように籠２０等に入れて、処理槽１９中の
過マンガン酸カリウム液２１に浸漬することよってこの
処理を行なうことができるものであり、例えば、８０℃
に調整したシプレイ社の「ＭＬＢ２１１」液に５分間浸
漬して膨潤処理した後、過マンガン酸カリウム含有溶液
であるシプレイ社の「ＭＬＢ２１３」液を８０℃に加温
した液中に５分間浸漬させて酸化分解処理を行ない、次
いで水洗した後に１０％硫酸水溶液に５分間浸漬して処
理残さを中和後、さらに水洗を行なう工程で、過マンガ
ン酸カリウム液による処理を行なうことができる（請求
項１２）。
【００４５】また、開口部３ａ，４の側面及び開口部３
ａ，４の底部の残存樹脂を除去する洗浄は、開口部３
ａ，４にエキシマレーザを照射することによっても行な
うことができる。例えば、加工エネルギー密度３．０ｍ
Ｊ／ｃｍ2／ｐｕｌｓｅ、繰り返し周波数１００Ｈｚ、
１０ショットの条件で開口部３ａ，４の底部に図１６の
ようにエキシマレーザＥを照射することによって行なう
ことができる。このエキシマレーザを照射して開口部３
ａ，４の側面や底部を洗浄する方法では、エキシマレー
ザを照射する箇所の選択で、洗浄する箇所を任意に選択
することが可能である。
【００４６】金属箔９、例えば銅箔に対するエキシマレ
ーザの反射率は一般に２０〜３０％程度であり、開口部
３ａ，４の底面の金属箔９でエキシマレーザが反射する
と、樹脂の除去の効率が低下する。そこで、図１７のよ
うに、エキシマレーザＥを照射する周辺部に反射板４１
を設置し、金属箔９から反射するエキシマレーザＥを反
射板４１で反射させて再度このエキシマレーザが開口部
３ａ，４に作用するようにして、残留樹脂の除去の効率
を高めるようにしてある。またこのようにエキシマレー
ザＥの照射部を囲むように反射板４１を設けることによ
って、エキシマレーザＥの漏れを抑えることができ、安
全性を高めることができるものである。
【００４７】ここで、上記のように金属箔（銅箔）９と
して基材１への密着面を粗面に形成したものを用いる場
合、開口部３ａ，４の底面には金属箔９で形成されるコ
ンタクト端子２の粗面が面することになり、開口部４を
通してコンタクト端子２にボンディングワイヤー６をボ
ンディングする際の接続信頼性が低下するおそれがあ
る。一方、エキシマレーザは紫外域で短波長であるた
め、樹脂の他に銅など金属に対する吸収率が高く、上記
のように開口部３ａ，４内の残留樹脂を除去する洗浄を
エキシマレーザの照射で行なう場合、残留樹脂の除去と
同時に、開口部３ａ，４の底面の金属箔９の極表面層
（１μｍ程度の厚み）を溶融させて、開口部３ａ，４の
底面の金属箔９の粗面を平滑化することができるもので
ある。また金属箔９の粗面の平滑化に加えて、金属箔９
の表面の清浄化を行なうことができるものであり、さら
にエキシマレーザは短波長であることに加え、加工レー
トもμｍ単位で制御できるために、金属箔９に貫通や亀
裂等の損傷を与えることがなくなるものである。
【００４８】上記のようにエキシマレーザの照射で、開
口部３ａ，４内の残留樹脂の除去に加えて、開口部３
ａ，４底面の金属箔９の平滑化や清浄化を行なうにあた
っては、エキシマレーザの照射条件を３〜１０Ｊ／ｃｍ
２、１０〜３０ショットの範囲に制御するのが好まし
い。照射がこれより低パワー、すなわち強度が３Ｊ／ｃ
ｍ２未満でショット数が１０未満であると、開口部３
ａ，４底面の金属箔９の平滑化や清浄化をする改質が不
充分になり、逆に照射がこれより高パワー、すなわち強
度が１０Ｊ／ｃｍ２を超えショット数が３０を超える
と、金属箔９の平滑化は可能であるが、レーザ衝撃波の
影響で新たな凹凸が形成されるおそれがある。
【００４９】また、上記のようにエキシマレーザの照射
で、開口部３ａ，４内の残留樹脂の除去に加えて、開口
部３ａ，４の底面の金属箔９の平滑化や清浄化を行なう
にあたっては、エキシマレーザの反射光をモニタリング
しながらエキシマレーザの照射を行なうのが好ましい。
エキシマレーザの反射光のモニタリングはパワーメータ
５８を用いて行なうことができるものであり、図１８に
示すように、パワーメータ５８をエキシマレーザＥの照
射部の近傍において、反射光が開口部３ａ，４の壁面か
ら陰にならない個所に設置するのが好ましく、またなる
べくエキシマレーザＥの照射面と垂直な面に対して大き
な角度を持った位置に設置するのが好ましい。そして、
エキシマレーザの照射の初期では、開口部３ａ，４の底
面の金属箔９の表面にはまだ凹凸があるため、エキシマ
レーザの乱反射が大きく、パワーメータ５８に入力され
る反射光の光量が多いが、エキシマレーザの照射が継続
されると、金属箔９の表面層の溶融によって開口部３
ａ，４の底面の金属箔９の表面が平滑化され、乱反射が
少なくなってパワーメータ５８に入力される反射光の光
量が少なくなる。従って、パワーメータ５８でエキシマ
レーザの反射光をモニタリングしながらエキシマレーザ
の照射を行なうことによって、開口部３ａ，４の底面の
金属箔９の表面の平滑度を管理することができるもので
あり、開口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面の平滑度
のばらつきを小さくすることができるものである。
【００５０】開口部３ａ，４内の残留樹脂の除去に加え
て、開口部３ａ，４の底面の金属箔９の平滑化や清浄化
を行なうにあたっては、短パルス赤外光レーザを用いる
ことも好ましい。パルス幅がμｓｅｃオーダーの一般的
な赤外域のレーザは、熱加工で銅などの金属箔９に対す
る吸収率が低いため、金属箔９の表面にレーザを照射し
ても大部分のレーザ光が反射され、残りのレーザ光につ
いても金属箔９内を熱拡散し、金属箔９の表面を平滑化
することが困難である。これに対して、赤外域のレーザ
でも、パルス幅が１０−１５〜１０−１２（すなわち１
から１０００フェムト）ｓｅｃの短パルス赤外光レーザ
を用いると、ピークパワーが高いことと、加工形態が熱
加工からアブレーション加工へ変わることのために、銅
箔など金属箔９への加工が可能になり、開口部３ａ，４
の底面の金属箔９の平滑化や清浄化を行なうことが出来
るものである。この短パルス赤外光レーザの照射条件
は、１０〜５０Ｊ／ｃｍ２、１０〜５０ショット程度が
好ましく、またパルス幅は１０〜５０ｆｓ程度が好まし
い。
【００５１】また、開口部３ａ，４の側面及び開口部３
ａ，４の底部の樹脂を除去する洗浄は、開口部３ａ，４
をプラズマ処理することによっても行なうことができ
る。例えば、真空槽２２を０．０００１Ｔｏｒｒまで排
気した後、真空槽２２にＡｒガス（流量５０ｃｃ／ｍｉ
ｎ）と酸素ガス（流量５０ｃｃ／ｍｉｎ）の混合ガスを
導入し、あるいは必要に応じてＣＦ4ガス（流量５０ｃ
ｃ／ｍｉｎ）を追加導入して真空槽２２中の圧力を０．
１Ｔｏｒｒにし、そしてこの真空槽２２内に開口部３
ａ，４を加工した基材１を図１９のように設置し、プラ
ズマ印加電力６０Ｗ（高周波１３．５６ＭＨｚ）を数分
間印加することによってプラズマ２３を発生させ、プラ
ズマ２３で開口部３ａ，４の側面や底部を洗浄すること
ができる。このプラズマで開口部３ａ，４の側面や底部
を洗浄するようにすれば、基板１に対するダメージを少
なくすることができるものである。
【００５２】また、開口部３ａ，４の側面及び開口部３
ａ，４の底部の樹脂を除去する洗浄は、開口部３ａ，４
をサンドブラスト処理することによっても行なうことが
できる。例えば粒径５μｍのアルミナ粉を砥粒２４とし
て用い、サンドブラスト装置によって砥粒２４をエア圧
５ｋｇ／ｃｍ2で図２０のように数秒間、開口部３ａ，
４が開口する側から基材１に噴射することによって行な
うことができる。サンドブラスト処理は、砥粒２４が衝
突する面だけが処理を受ける異方性加工であるので、開
口部３ａ，４の内周面の樹脂にはダメージを与えないよ
うにすることができるものである。
【００５３】上記のようにサンドブラスト処理して、開
口部３ａ，４の側面及び開口部３ａ，４の底部の樹脂を
除去する洗浄を行なうにあたって、図２１の実施の形態
では、開口部３ａ，４にサンドブラストの砥石２４を吹
き付けながら、ノズル４７から液体４８を開口部３ａ，
４に吹き付けるようにしてある。この液体４８としては
水などを用いることができるものであり、開口部３ａ，
４の底面の金属箔９を傷付けない程度の水圧であれば、
高圧水処理でもよい。この場合の水圧は３〜１０ｋｇ／
ｃｍ２程度が好ましい。そしてこのようにサンドブラス
ト処理をしながら開口部３ａ，４に液体４８を吹き付け
ることによって、サンドブラスト処理で開口部３ａ，４
内から削られた残留樹脂を液体４８で洗い流すことがで
きるものである。
【００５４】上記の液体４８としては、水の他に、アル
カリ溶液を用いることができる。アルカリ溶液としては
過マンガン酸カリウム水溶液などを用いることができる
ものであり、このようにサンドブラスト処理で開口部３
ａ，４内から削られた残留樹脂を洗い流す液体４８とし
て、アルカリ溶液を用いることによって、アルカリ溶液
を残留樹脂と反応させて残留樹脂の除去の効果を高める
ことができるものである。
【００５５】また上記のようにサンドブラスト処理し
て、開口部３ａ，４の側面及び開口部３ａ，４の底部の
樹脂を除去する洗浄を行なうにあたって、砥粒２４を開
口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面に衝突させること
によって、開口部３ａ，４の底面の金属箔９の粗面を平
滑化し、また清浄化することができる。この場合、砥粒
２４の粒径が小さい程、金属箔９の表面の平滑化の効果
が大きく、砥粒２４の粒径は５μｍ以下が好ましい。
【００５６】しかし、図２２（ａ）のように角張った形
状の砥粒２４を用いてサンドブラスト処理を行なう場
合、金属箔９の表面の粗面の凹凸は図２２（ｂ）のよう
に小さくなるが、平滑面にすることは難しい。そこで図
２３の実施の形態では、図２３（ａ）のように球形の砥
粒２４を用いてサンドブラスト処理を行なうようにして
いる。このように球形の砥粒２４を用いてサンドブラス
ト処理を行なうと、金属箔９の表面の粗面の凹凸が潰
れ、図２３（ｂ）のように金属箔９の表面を平滑化する
ことができるものである。この砥粒２４の材質はガラス
ビーズが好ましく、粒径は５μｍ以下が好ましい。
【００５７】また、開口部３ａ，４の側面及び開口部３
ａ，４の底部の残留樹脂を除去する洗浄は、開口部３
ａ，４をフッ化アンモニウム処理することによっても行
なうことができるものであり、開口部３ａ，４を加工し
た基材１を図１５のように籠２０等に入れてフッ化アン
モニウム液２５に浸漬することによってこの処理を行な
うことができる。フッ化アンモニウム処理することによ
って、開口部３ａ，４の内周に突出しているガラス繊維
を除去することもできるものである。
【００５８】尚、基材１の開口部３ａ，４の側面及び開
口部３ａ，４の底部の残留樹脂を除去する洗浄を、エキ
シマレーザの照射、サンドブラスト処理、フッ化アンモ
ニウム処理で行なう場合は、これらの処理で同時に、開
口部３ａ，４の底面の金属箔９の粗面を平滑化すること
が可能であるが、過マンガン酸カリウム液で処理する場
合や、プラズマ処理で行なう場合は、開口部３ａ，４の
底面の金属箔９の粗面を平滑化することはできない。そ
こで、開口部３ａ，４の側面及び開口部３ａ，４の底部
の残留樹脂を除去する洗浄を、過マンガン酸カリウム液
による処理や、プラズマ処理で行なう場合は、これらの
処理で残留樹脂を除去した後、図２４に示すように、プ
レス処理して開口部３ａ，４の底面の金属箔９の粗面を
平滑化するのが好ましい。プレス処理は、基材１を押さ
え台６１の上に置き、プレス型６２で開口部３ａ，４の
底面の金属箔９をプレスすることによって、行なうこと
ができる。このようにプレスすることによって、上記の
各場合よりも、開口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面
をより平滑化することができ、ワイヤーボンディングの
信頼性が一層高まるものである。
【００５９】また、基材１の開口部３ａ，４の残留樹脂
を除去する洗浄したり、金属箔９の平滑化や清浄化をす
るにあたっては、上記の各処理の他に、機械的切削等に
よってもよい。
【００６０】上記のように基材１に開口部３ａ，４を加
工した後、開口部３ａ，４の残留樹脂を洗浄したり金属
箔９の平滑化や清浄化をする他、開口部３ａ，４の底面
に面するコンタクト端子２の表面を塩酸等の酸で酸洗
し、コンタクト端子２のこの部分の粗度をさらに下げて
平滑化するようにするのが好ましい。開口部３ａ，４の
底面に面するコンタクト端子２の表面の粗度をこのよう
にさらに下げることによって、後述のように開口部４を
通してコンタクト端子２にボンディングワイヤー６をボ
ンディングする際の接続信頼性を高め、また部品実装部
３となる開口部３ａに電子部品を実装する際の実装信頼
性を高めることができるものである（請求項５）。
【００６１】このように酸洗を行なった後、コンタクト
端子２の露出する外面にメッキレジストを貼着し、開口
部３ａ，４の底部に面する部分のコンタクト端子２に仕
上げメッキ１０ｂを図２（ｅ）のように形成する。この
仕上げメッキ１０ｂはＮｉメッキを施した後にこの上に
さらに無光沢Ａｕメッキを施すことによって形成するこ
とができる。仕上げメッキ１０ｂを形成した後、メッキ
レジストを除去する。ここで、コンタクト端子２の露出
する外面に設ける既述の仕上げメッキ１０ａと、このコ
ンタクト端子２の開口部３ａ，４の底部に面する部分に
設ける仕上げメッキ１０ｂとは、別の工程で形成するこ
とができるものであり、従って、コンタクト端子２の露
出する外面に設ける仕上げメッキ１０ａはＮｉメッキと
光沢Ａｕメッキで施し、またコンタクト端子２の開口部
３ａ，４の底部に面する部分に設ける仕上げメッキ１０
ｂはＮｉメッキと無光沢Ａｕメッキで施すというよう
に、異なる種類のメッキに形成することが可能になるも
のである。尚、仕上げメッキ１０ａ，１０ｂで異なるメ
ッキを施す必要がない場合には、開口部３ａ，４を形成
した後、コンタクト端子２の開口部３ａ，４の底部に面
する部分とコンタクト端子２の露出する外面に、同時に
同じ種類（例えばＮｉメッキと無光沢Ａｕメッキ）のメ
ッキを施すようにしてもよい。
【００６２】上記のようにして本発明に係るプリント配
線板Ａを作製することができるものであり、部品実装部
３を構成する開口部３ａにＩＣ等の電子部品５を納めて
開口部３ａの底面のコンタクト端子２に接着し（従って
このコンタクト端子２は電子部品５を保持する機能を有
する）、そしてボンディングワイヤー用の開口部４を通
してボンディングワイヤー６で電子部品５とコンタクト
端子２を接続し、さらに封止樹脂７をポッティングして
封止することによって、図１のようなＩＣカード用モジ
ュールとして仕上げることができるものである。
【００６３】そしてこのように電子部品５を実装したＩ
Ｃカード用のプリント配線板Ａを、カード本体１の凹部
２６にはめ込んで取り付けることによって、図２５に示
すようなＩＣカードＢを作製することができるものであ
る。
【００６４】尚、図２６（ａ）は、光ビームとして炭酸
ガスレーザを用いて、加工エネルギー１６．７ｍＪ／
Ｐ、発振電流値１３．０Ａ、パルス幅１６μｓ、ショッ
ト数３の条件で、基材１に開口部３ａ，４を加工した状
態を示すものであり、開口部３ａ，４の底部には樹脂６
７が残留している。ここで基材１は厚み７０μｍのガラ
スエポキシ積層板で形成してあり、金属箔９は厚み１８
μｍの銅箔で形成してある。図２７（ａ）は図２６
（ａ）の開口部３ａ，４を撮影した走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）写真を示すものであり、図２７（ｂ）はさら
に拡大して開口部３ａ，４の底面を撮影したＳＥＭ写真
である。図２６（ｂ）は開口部３ａ，４にエキシマレー
ザを照射して開口部３ａ，４の底面の残留樹脂６７を除
去した状態を示すものであり、図２８（ａ）はこのとき
の開口部３ａ，４の底面を撮影したＳＥＭ写真である。
図２６（ｃ）は開口部３ａ，４を塩酸で酸洗して開口部
３ａ，４の底面の金属箔９の表面を平滑化した状態を示
すものであり、図２８（ｂ）はこのときの開口部３ａ，
４の底面を撮影したＳＥＭ写真である。図２６（ｄ）は
開口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面に厚み１μｍの
Ｎｉめっきと厚み０．３μｍのＡｕめっきからなる仕上
げめっき１０ｂを施した状態を示すものであり、図２８
（ｃ）はこのときの開口部３ａ，４の底面を撮影したＳ
ＥＭ写真である。図２８のＳＥＭ写真にみられるよう
に、エキシマレーザの照射によって開口部３ａ，４の底
面の残留樹脂６７を除去することができ、酸洗によって
開口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面を平滑化するこ
とができるとともに、仕上げめっき１０ｂの状態が良好
になることが確認される。
【００６５】また図２９及び図３０は、エキシマレーザ
の照射条件を変えて基材１の開口部３ａ，４に図１６の
ようにエキシマレーザを照射したときの、開口部３ａ，
４の底面の金属箔９の表面の状態を撮影したＳＥＭ写真
を示すものであり、図２９の左側は５ショットで上から
１．１Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．５Ｊ／ｃｍ
２、３．２Ｊ／ｃｍ２、３．９Ｊ／ｃｍ２、４．６Ｊ／
ｃｍ２、５．３Ｊ／ｃｍ２の条件でエキシマレーザを照
射したときの状態を、図２９の右側は１０ショットで上
から１．１Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．５Ｊ／
ｃｍ２、３．２Ｊ／ｃｍ２、３．９Ｊ／ｃｍ２、４．６
Ｊ／ｃｍ２、５．３Ｊ／ｃｍ２の条件でエキシマレーザ
を照射したときの状態を、図３０の左側は１５ショット
で上から１．１Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．５
Ｊ／ｃｍ２、３．２Ｊ／ｃｍ２、３．９Ｊ／ｃｍ２、
４．６Ｊ／ｃｍ２、５．３Ｊ／ｃｍ２の条件でエキシマ
レーザを照射したときの状態を、図３０の右側は２０シ
ョットで上から１．１Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、
２．５Ｊ／ｃｍ２、３．２Ｊ／ｃｍ２、３．９Ｊ／ｃｍ
２、４．６Ｊ／ｃｍ２、５．３Ｊ／ｃｍ２の条件でエキ
シマレーザを照射したときの状態をそれぞれ示す。
【００６６】さらに図３１及び図３２は、エキシマレー
ザの照射条件を変えて基材１の開口部３ａ，４に図１６
のようにエキシマレーザを照射し、さらに開口部３ａ，
４の底面の金属箔９の表面にＮｉめっきとＡｕめっきか
らなる仕上げメッキ１０ｂを施したときの、開口部３
ａ，４の底面の金属箔９の断面の状態を撮影したＳＥＭ
写真を示すものであり、図３１の左側は５ショットで上
から１．１Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．５Ｊ／
ｃｍ２、３．２Ｊ／ｃｍ２、３．９Ｊ／ｃｍ２、４．６
Ｊ／ｃｍ２、５．３Ｊ／ｃｍ２の条件でエキシマレーザ
を照射したときの状態を、図３１の右側は１０ショット
で上から１．１Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．５
Ｊ／ｃｍ２、３．２Ｊ／ｃｍ２、３．９Ｊ／ｃｍ２、
４．６Ｊ／ｃｍ２、５．３Ｊ／ｃｍ２の条件でエキシマ
レーザを照射したときの状態を、図３２の左側は１５シ
ョットで上から１．１Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、
２．５Ｊ／ｃｍ２、３．２Ｊ／ｃｍ２、３．９Ｊ／ｃｍ
２、４．６Ｊ／ｃｍ２、５．３Ｊ／ｃｍ２の条件でエキ
シマレーザを照射したときの状態を、図３２の右側は２
０ショットで上から１．１Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ
２、２．５Ｊ／ｃｍ２、３．２Ｊ／ｃｍ２、３．９Ｊ／
ｃｍ２、４．６Ｊ／ｃｍ２、５．３Ｊ／ｃｍ２の条件で
エキシマレーザを照射したときの状態をそれぞれ示す。
【００６７】図２９、図３０、図３１、図３２にみられ
るように、３〜１０Ｊ／ｃｍ２、１０〜３０ショットの
条件でエキシマレーザを照射することによって、開口部
３ａ，４内の残留樹脂の除去に加えて、開口部３ａ，４
底面の金属箔９の平滑化を行なうことができ、さらに仕
上げめっき１０ｂの状態も良好になることが確認され
る。
【００６８】図３３は開口部４の底面の金属箔９の表面
に厚み５μｍのＮｉめっきと厚み０．３μｍのＡｕめっ
きからなる仕上げめっき１０ｂを施した後に、ボンディ
ングワイヤー６をボンディングした状態を示すものであ
り、左の開口部４にはキャピラリで第１接点に行なうフ
ァーストボンディング７０ａをワーク表面温度１５０
℃、超音波時間５０ｍｓｅｃの条件で施し、右の開口部
４ｂにはキャピラリで第２接点に行なうセカンドボンデ
ィング７０ｂをワーク表面温度１５０℃、超音波時間５
０ｍｓｅｃの条件で施すようにしてある。図３４は開口
部４の底面の金属箔９に施したボンディング７０ａ，７
０ｂの状態を撮影したＳＥＭ写真であり、図３４（ａ）
は開口部４の底面の金属箔９の表面状態が良い（凹凸が
小さい）ときのファーストボンディング７０ａの状態
を、図３４（ｂ）は開口部４の底面の金属箔９の表面状
態が良いときのセカンドボンディング７０ｂの状態を、
図３４（ｃ）は開口部４の底面の金属箔９の表面状態が
悪い（凹凸が大きい）ときのファーストボンディング７
０ａの状態を、図３４（ｄ）は開口部４の底面の金属箔
９の表面状態が悪いときのセカンドボンディング７０ｂ
の状態を示すものである。
【００６９】上記の図２の態様では、基材１の一方の片
面の金属箔９を回路形成加工してコンタクト端子２を形
成すると共に基材１の他方の片面の金属箔９をエッチン
グ除去した後に、基材１の金属箔９をエッチング除去し
た面において開口部３ａ，４を加工するようにしている
が、図３５に示す態様では、図３５（ａ）のように両面
に金属箔９，９を張った基材１を用い、そして各金属箔
９，９にエッチングレジストの貼着、露光・現像を行な
った後にエッチング処理することによって、図３５
（ｂ）に示すように、基材１の一方の片面の金属箔９を
回路形成加工してコンタクト端子２を形成すると共に基
材１の他方の片面の金属箔９に開口孔１４をエッチング
で形成するようにしてある。開口孔１４は開口部３ａ，
４を基材１に加工する位置において、開口部３ａ，４の
径と等しい開口径で形成してある。そしてこのように開
口孔１４によって露出する基材１に炭酸ガスレーザを照
射することによって、図３５（ｃ）のように基材１に開
口部３ａ，４を加工するようにしてある。
【００７０】ここで、炭酸ガスレーザＬはビームの光束
の径Ｄ２が、開口部３ａ，４の径Ｄ１（開口孔１４の径
もＤ１）よりも大き目のものを用いるものであり、図３
６に示すように光束の径Ｄ２が開口部３ａ，４の径Ｄ１
よりも大きい炭酸ガスレーザＬを照射しても、炭酸ガス
レーザＬの周部は金属箔９がマスクとなって遮られて開
口孔１４を通過する炭酸ガスレーザＬのみが基材１に照
射され、開口孔１４の径Ｄ１と同じ大きさの径に開口部
３ａ，４を形成することができる。このようにして、炭
酸ガスレーザＬとして光束の径が開口部３ａ，４の径と
正確に同じものを用いる必要なく、また炭酸ガスレーザ
Ｌの照射位置を正確に設定する必要なく、金属箔９に形
成した開口孔１４の位置に、開口孔１４と同じ径で、精
度の高い開口部３ａ，４を形成することができるもので
ある（請求項７）。
【００７１】また、炭酸ガスレーザＬとして、図３７の
ように直線状のビームに形成されたものを用い、ビーム
の長手方向と垂直な方向で基材１の上に沿って炭酸ガス
レーザＬを走査させながら、基材１の全面に炭酸ガスレ
ーザＬを照射するようにしてもよい。このように基材１
の全面に炭酸ガスレーザＬを照射しても、金属箔９がマ
スクとなって炭酸ガスレーザＬは開口孔１４を通しての
み基材１に作用し、開口孔１４を設けた部分に開口部３
ａ，４を形成することができるものである。そしてこの
ように、直線状のビームに形成された炭酸ガスレーザＬ
を走査させて基材１に炭酸ガスレーザを照射することに
よって、開口部３ａ，４を形成することができるので、
開口部３ａ，４の加工を生産性高く行なうことができる
ものである。
【００７２】また上記のように金属箔９をマスクとして
用いて炭酸ガスレーザを照射して開口部３ａ，４を加工
するにあたって、図３８（ａ）のように、金属箔９に形
成した開口孔１４の周囲の金属箔９をエッチング除去し
て、絶縁部１５を形成しておくのがよい。この絶縁部１
５は基材１の開口部４の全周を囲むと共に、開口部４と
開口部３ａとの間の部分にも設け、さらに開口部３ａの
周囲の全周を囲むように設けるのが好ましい。このよう
に開口孔１４の周囲に絶縁部１５を形成しておくと、こ
の金属箔９を残したままプリント配線板Ａを作製する場
合、図３８（ｂ）に示すように、開口部４の周囲の金属
箔９にボンディングワイヤー６が接触しても、絶縁部１
５によって短絡が発生することを防止することができる
ものである。
【００７３】開口部３ａ，４を加工する光ビームとして
は、高調波ＹＡＧレーザを用いることもできる。高調波
ＹＡＧレーザを用いることによって、基材１の絶縁層を
除去して開口部３ａ，４を加工することができると共
に、開口部３ａ，４内の残留樹脂の除去や、開口部３
ａ，４の底部の金属箔９の表面の平滑化や清浄化を同時
に行なうことができるものである。特にＹＡＧ第３高調
波（波長３５５ｎｍ）は基材１の絶縁層や銅箔などの金
属箔９の吸収率が良く、発振パワーが比較的高いため、
この加工に適しているものであり、またビーム集光性も
良いために、小径の開口部３ａ，４の加工に適している
ものである。照射条件は、１０〜５０Ｊ／ｃｍ２、１０
〜５０ショット程度が好ましい。
【００７４】また、上記の実施の形態では、光ビームと
して炭酸ガスレーザ等を用いるようにしたが、光ビーム
としてＳＨＧ（ｓｅｃｏｎｄ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅ
ｎｅｒａｔｉｏｎ）−ＹＡＧレーザ、ＴＨＧ（ｔｈｉｒ
ｄ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）−ＹＡ
Ｇレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレー
ザを用いることもできる。これらのＳＨＧ−ＹＡＧレー
ザ、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、Ｔ
ＨＧ−ＹＬＦレーザは銅箔などの金属箔９にも作用させ
ることができるので、基材１から金属箔９を除去する必
要なく、金属箔９の上から基材１に開口部３ａ，４を形
成することが可能になるものである。またエッチング加
工等をする必要なく、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザやＴＨＧ−
ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ−ＹＬＦ
レーザのうち一つ以上の照射で金属箔９に回路形成加工
を行なってコンタクト端子２を形成することができるも
のである。
【００７５】すなわち、図３９（ａ）のように両面に金
属箔９，９を張った基材１を用い、そして図３９（ｂ）
のように各金属箔９，９にＳＨＧ−ＹＡＧレーザＬやＴ
ＨＧ−ＹＡＧレーザＬ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザＬ、ＴＨ
Ｇ−ＹＬＦレーザＬを照射することによって、一方の金
属箔９の不要部分を消失させてコンタクト端子２を形成
すると共に、他方の金属箔９とともに基材１を消失させ
ることによって、金属箔９を通して基材１に開口部３
ａ，４を形成することができるものである。
【００７６】また、このようにしてＳＨＧ−ＹＡＧレー
ザやＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、Ｔ
ＨＧ−ＹＬＦレーザの照射で金属箔９を回路形成加工し
てコンタクト端子２を形成した後、このコンタクト端子
２を形成した面の基材１を液体ホーニング処理あるいは
サンドブラスト処理して、残存する金属箔を除去するの
が、コンタクト端子２の回路信頼性を高める上で好まし
い。
【００７７】また上記のようにＳＨＧ−ＹＡＧレーザや
ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ
−ＹＬＦレーザを照射することによって、金属箔９を通
して基材１に開口部３ａ，４を加工するにあたって、図
４０に示すように、同時に開口部３ａ，４の周囲の金属
箔９を除去するようにするのが好ましい。この場合、金
属箔９の除去は図３８（ａ）のように行なうようにして
もよい。このように開口部３ａ，４の周囲の金属箔９を
除去しておけば、この金属箔９を残したままＩＣカード
用プリント配線板Ａを作製する場合、開口部４の周囲の
金属箔９にボンディングワイヤー６が接触することがな
くなり、短絡が発生することを防止することができるも
のである。
【００７８】上記のようにしてＳＨＧ−ＹＡＧレーザや
ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ
−ＹＬＦレーザを照射して基材１にコンタクト端子２と
開口部３ａ，４を設けた後、コンタクト端子２の露出す
る外面にＮｉメッキ及び光沢Ａｕメッキを施して仕上げ
メッキ１０ａを形成し、次にこのコンタクト端子２の露
出する外面にメッキレジストを貼着して開口部３ａ，４
の底部に臨むコンタクト端子２の表面にＮｉメッキ及び
無光沢Ａｕメッキを施して仕上げメッキ１０ｂを形成
し、そしてメッキレジストを除去してプリント配線板Ａ
に仕上げることができるものである。
【００７９】図４１は本発明の実施の形態の他の例を示
すものであり、両面銅張りガラスエポキシ樹脂積層板な
ど、ガラス繊維を含有し、表面に金属箔９を張った基材
１を用いるにあたって、コンタクト端子２を形成する金
属箔９と基材１の間に、開口部３ａ，４を形成する個所
においてマスク６４を介在させたものを使用するように
してある。すなわち、ガラスクロスなどガラス繊維基材
にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂ワニスを含浸して樹
脂含浸基材を作製し、この樹脂含浸基材を必要に応じて
複数枚重ねると共にその両側を金属箔９，９で挟み込
み、この際にコンタクト端子２を形成する金属箔９と基
材１の間にマスク６４を挟み込み、これを加熱すること
によって、コンタクト端子２を形成する金属箔９との間
にマスク６４を介在させた基材１を作製することができ
るものである。
【００８０】マスク６４は図４１（ａ）に示すように、
コンタクト端子２を形成する金属箔９と基材１の境界部
分に介在されている。このマスク６４はドライフィルム
などで形成されるものであり、開口部３ａ，４の径とほ
ぼ同じ大きさに形成してある。そして図４１（ｂ）のよ
うに炭酸ガスレーザＬなどの光ビームを照射したり、あ
るいはサンドブラスト処理したりして、マスク６４を設
けた個所において基材１に開口部３ａ，４を加工する。
開口部３ａ，４の加工はマスク６４が露出するまで行な
うものであり、開口部３ａ，４の底部のマスク６４を除
去することによって、図４１（ｃ）のように開口部３
ａ，４の底面に金属箔９を露出させることができる。開
口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面はマスク６４で被
覆されており、この部分において基材１の樹脂は金属箔
９に付着していないので、マスク６４を除去することに
よって、残留樹脂が残らない開口部３ａ，４を形成する
ことができるものである。
【００８１】マスク６４の除去は、化学処理によって行
なうことができる。例えば図４２に示すように、開口部
３ａ，４を加工した基材１をアンモニア水などマスク６
４を溶解させる化学薬品６５に浸漬することによって、
開口部３ａ，４の底面にマスク６４を残すことなく除去
することができるものである。
【００８２】またマスク６４の除去は、図４３に示すよ
うに、基材１に開口部３ａ，４を加工した後、開口部３
ａ，４に炭酸ガスレーザなどのレーザＬを照射して、マ
スク６４を蒸発させるようにして行なうこともできる。
【００８３】
【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係るプ
リント配線板の製造方法は、電子部品が実装される部品
実装部を有する基材と、基材の一方の片面に設けられ表
面が外部に露出して外部接点となるコンタクト端子と、
基材に形成され部品実装部に実装される電子部品とコン
タクト端子とを接続するボンディングワイヤーを通すた
めに基材に他方の片面に開口させて形成される開口部と
を具備して形成され、上記コンタクト端子が基材に直接
密着して設けられた金属箔から形成されたプリント配線
板を製造するにあたって、部品実装部を基材に開口部と
して形成し、光ビームを基材に照射することによって、
ボンディングワイヤー用開口部と部品実装用開口部を同
時にコンタクト端子の裏面側において基材に加工するよ
うにしたので、光ビームの光束の径を小さくすることに
よって開口部を小さな径で加工することが可能になると
共に開口部の間隔も小さく設定して加工することが可能
になるものであり、小さな開口部を高密度に配置して基
材に形成することができ、プリント配線板を小型化する
ことができるものである。しかも、ボンディングワイヤ
ー用開口部と部品実装用開口部を同時に加工することで
加工の工数を低減できると共に、部品実装部に電子部品
を実装するにあたって、電子部品は開口部内に納めら
れ、基材の表面からの電子部品の突出を小さくすること
ができるものであり、電子部品を実装したプリント配線
板を小型化することができるものである。またコンタク
ト端子を構成する金属箔を接着剤を用いて基材に貼り付
けた場合のような耐熱性低下の問題がなくなり、耐熱性
の高いプリント配線板を得ることができると共に、接着
剤を用いない分、厚みを薄くすることができ、プリント
配線板の薄型化が容易になるものである。
【００８４】また請求項２の発明は、両面に金属箔を張
った基材を用い、一方の金属箔をエッチング除去すると
共に他方の金属箔を回路形成加工してコンタクト端子を
形成した後に、金属箔をエッチング除去した側の片面か
ら基材に開口部を加工するようにしたので、表面に金属
箔を積層しないで作製したものよりも基材は表面の平滑
性が高く、厚みの均一性が優れているものであり、品質
の高いプリント配線板を製造することができると共に、
基材に予め張った金属箔でコンタクト端子を形成するこ
とができるものであって、基材に予め張った金属箔を一
旦除去した後、コンタクト端子を形成するための金属箔
を基材に接着するような必要がなく、製造の工程が長く
なったり材料ロスが大きくなったりすることがなくなる
ものである。
【００８５】また請求項３の発明は、上記基材として、
ロール状に巻いた長尺のガラス繊維を含有するフレキシ
ブル両面金属張り積層板を用いるようにしたので、長尺
のフレキシブル両面金属張り積層板を連続して送りなが
ら加工をしてプリント配線板を製造することができるも
のであり、生産性を高めることができるものである。
【００８６】また請求項４の発明は、フレキシブル両面
金属張り積層板の側端縁に沿ってスプロケット穴を形成
して用いるようにしたので、スプロケット孔にスプロケ
ットの爪を嵌合させることによって、ロール状に巻いた
長尺のフレキシブル両面金属張り積層板を位置決めしな
がら後工程に連続的に送ることができ、加工を精確に且
つ生産性高く行なうことができるものである。
【００８７】また請求項５の発明は、開口部を加工した
後、開口部の底部のコンタクト端子の表面を酸洗するよ
うにしたので、酸洗によってコンタクト端子の開口部の
底部の部分の粗度を下げることができ、開口部を通して
コンタクト端子にボンディングワイヤーをボンディング
する際の接続信頼性を高めることができるものである。
【００８８】また請求項６の発明は、光ビームとして炭
酸ガスレーザを用いるようにしたので、炭酸ガスレーザ
は照射エネルギーの制御が容易であって、開口部を加工
する際の深さの制御を容易に行なうことができると共
に、炭酸ガスレーザは銅箔等の金属箔に作用し難く、コ
ンタクト端子に与えるダメージを少なくして開口部を加
工することができるものである。
【００８９】また請求項７の発明は、両面に金属箔を張
った基材を用い、一方の金属箔にエッチングして開口孔
を設けた後に、この開口孔の箇所に開口孔よりも径の大
きなビームの炭酸ガスレーザを照射することによって、
基材に開口部を加工するようにしたので、金属箔に形成
した開口孔の位置に、開口孔と同じ径で、精度の高い開
口部を形成することができるものである。
【００９０】また請求項８の発明は、基材との密着面を
酸化処理した金属箔を張った基材を用いるようにしたの
で、基材に炭酸ガスレーザを照射して開口部を加工する
にあたって、コンタクト端子の酸化処理した表面での炭
酸ガスレーザの反射率が低くなり、コンタクト端子の近
傍の基材の温度を上昇させて、開口部の底部に炭酸ガス
レーザの照射で除去されない樹脂が残存することを低減
することができるものである。
【００９１】また請求項９の発明は、基材との密着面を
粗面化した金属箔を張った基材を用いるようにしたの
で、基材に炭酸ガスレーザを照射して開口部を加工する
にあたって、コンタクト端子の粗面化した表面での炭酸
ガスレーザの反射率が低くなり、コンタクト端子の近傍
の基材の温度を上昇させて、開口部の底部に炭酸ガスレ
ーザの照射で除去されない樹脂が残存することを低減す
ることができるものである。
【００９２】また請求項１０の発明は、炭酸ガスレーザ
として、ビームのエネルギー分布が開口部において均一
なものを用いるようにしたので、炭酸ガスレーザは基材
に照射される面で均一に作用し、コンタクト端子に与え
るダメージを小さくして、開口部を加工することができ
るものである。
【００９３】また請求項１１の発明は、炭酸ガスレーザ
の照射で基材に開口部を形成した後、開口部の側面及び
開口部の底部を洗浄するようにしたので、開口部の底部
のコンタクト端子の表面に残存する樹脂を洗浄によって
除去することができ、開口部を通してコンタクト端子に
ボンディングワイヤーをボンディングする際の接続信頼
性を高めることができるものである。
【００９４】また請求項１２の発明は、開口部を過マン
ガン酸カリウム液で処理して洗浄を行なうようにしたの
で、開口部の底部のコンタクト端子の表面に残存する樹
脂を過マンガン酸カリウム液で除去することができ、開
口部を通してコンタクト端子にボンディングワイヤーを
ボンディングする際の接続信頼性を高めることができる
ものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプリント配線板の実施の形態の一
例を示す断面図である。
【図２】本発明に係るプリント配線板の製造方法の実施
の形態の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｅ）はそ
れぞれ各工程での断面図である。
【図３】同上に用いる基材の実施の形態の一例の斜視図
である。
【図４】同上に用いる基材の実施の形態の一例の斜視図
である。
【図５】同上に用いる基材の実施の形態の一例の平面図
である。
【図６】同上の開口部の形成工程の断面図である。
【図７】同上の開口部の形成工程の断面図である。
【図８】同上の開口部の形成工程を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図９】同上の開口部の形成工程を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図１０】同上の開口部の形成工程を示すものであり、
（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はビーム径と
パワーの関係を示すグラフである。
【図１１】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図１２】同上の開口部の形成工程と洗浄工程を示すも
のであり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図１３】同上の基材を形成するガラスクロスを示すも
のであり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ平面図である。
【図１４】本発明のプリント配線板の製造の工程の一例
を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ断面図
である。
【図１５】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図１６】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図１７】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図１８】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図１９】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図２０】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図２１】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図２２】同上の開口部の洗浄工程を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図２３】同上の開口部の洗浄工程を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図２４】同上の金属箔の平滑化の工程の断面図であ
る。
【図２５】本発明に係るＩＣカードの実施の形態の一例
を示す断面図である。
【図２６】本発明に係るプリント配線板の製造の各工程
を示すものであり、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は
それぞれ断面図である。
【図２７】（ａ），（ｂ）はそれぞれ、図２６（ａ）の
開口部の底面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図２８】（ａ）は図２６（ｂ）の開口部の底面を撮影
したＳＥＭ写真、（ｂ）は図２６（ｃ）の開口部の底面
を撮影したＳＥＭ写真、（ｃ）は図２６（ｄ）の開口部
の底面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図２９】基材の開口部にエキシマレーザを照射して処
理を行なった後の、開口部の底面を撮影したＳＥＭ写真
である。
【図３０】基材の開口部にエキシマレーザを照射して処
理を行なった後の、開口部の底面を撮影したＳＥＭ写真
である。
【図３１】基材の開口部にエキシマレーザを照射すると
共に開口部の底面の銅箔に仕上げメッキをした後の、銅
箔の断面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図３２】基材の開口部にエキシマレーザを照射すると
共に開口部の底面の銅箔に仕上げメッキをした後の、銅
箔の断面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図３３】ワイヤーボンディングを行なった状態のプリ
ント配線板を示す断面図である。
【図３４】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）はそれぞ
れ、同上のボンディング部分を撮影したＳＥＭ写真であ
る。
【図３５】本発明に係るプリント配線板の製造方法の実
施の形態の他例を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）は
それぞれ各工程での断面図である。
【図３６】同上の開口部の形成工程の断面図である。
【図３７】同上の開口部の形成工程の斜視図である。
【図３８】同上のプリント配線板を示すものであり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図３９】本発明に係るプリント配線板の製造方法の実
施の形態の他例を示すものであり、（ａ），（ｂ）はそ
れぞれ各工程での断面図である。
【図４０】同上の開口部の形成工程の断面図である。
【図４１】本発明のプリント配線板の製造の工程の一例
を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ断面図
である。
【図４２】同上のマスクの除去工程を示す断面図であ
る。
【図４３】同上のマスクの除去工程を示す断面図であ
る。
【図４４】従来のプリント配線板の製造方法を示すもの
であり、（ａ）乃至（ｅ）はそれぞれ各工程での断面図
である。
【符号の説明】
１ 基材 １ａ 両面金属張り積層板 ２ コンタクト端子 ３ 部品実装部 ３ａ 開口部 ４ 開口部 ５ 電子部品 ６ ボンディングワイヤー ９ 金属箔 １０ａ 仕上げメッキ １０ｂ 仕上げメッキ １１ カード本体 １２ スプロケット穴 １３ ブラストノズル １４ 開口孔 １５ 絶縁部 ２４ 砥粒 ４１ 反射板 ４２ 放射板 ４４ 水冷管 ４５ ビーム減衰用フィルター ４８ 液体 ５３ ガラスクロス ６４ マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 健一郎 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (56)参考文献 特開 平９−186264（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−307033（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−52258（ＪＰ，Ａ) 国際公開95／026047（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子部品が実装される部品実装部を有す
    る基材と、基材の一方の片面に設けられ表面が外部に露
    出して外部接点となるコンタクト端子と、基材に形成さ
    れ部品実装部に実装される電子部品とコンタクト端子と
    を接続するボンディングワイヤーを通すために基材に他
    方の片面に開口させて形成される開口部とを具備して形
    成され、上記コンタクト端子が基材に直接密着して設け
    られた金属箔から形成されたプリント配線板を製造する
    にあたって、部品実装部を基材に開口部として形成し、
    光ビームを基材に照射することによって、ボンディング
    ワイヤー用開口部と部品実装用開口部を同時にコンタク
    ト端子の裏面側において基材に加工することを特徴とす
    るプリント配線板の製造方法。
  2. 【請求項２】 両面に金属箔を張った基材を用い、一方
    の金属箔をエッチング除去すると共に他方の金属箔を回
    路形成加工してコンタクト端子を形成した後に、金属箔
    をエッチング除去した側の片面から基材に開口部を加工
    することを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板
    の製造方法。
  3. 【請求項３】 上記基材として、ロール状に巻いた長尺
    のガラス繊維を含有するフレキシブル両面金属張り積層
    板を用いることを特徴とする請求項１又は２に記載のプ
    リント配線板の製造方法。
  4. 【請求項４】 フレキシブル両面金属張り積層板の側端
    縁に沿ってスプロケット穴を形成したものを用いること
    を特徴とする請求項３に記載のプリント配線板の製造方
    法。
  5. 【請求項５】 開口部を加工した後、開口部の底部のコ
    ンタクト端子の表面を酸洗することを特徴とする請求項
    １乃至４のいずれかに記載のプリント配線板の製造方
    法。
  6. 【請求項６】 光ビームとして炭酸ガスレーザを用いる
    ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のプ
    リント配線板の製造方法。
  7. 【請求項７】 両面に金属箔を張った基材を用い、一方
    の金属箔にエッチングして開口孔を設けた後に、この開
    口孔の箇所に開口孔よりも径の大きなビームの炭酸ガス
    レーザを照射することによって、基材に開口部を加工す
    ることを特徴とする請求項６に記載のプリント配線板の
    製造方法。
  8. 【請求項８】 基材との密着面を酸化処理した金属箔を
    張った基材を用いることを特徴とする請求項１乃至７の
    いずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
  9. 【請求項９】 基材との密着面を粗面化した金属箔を張
    った基材を用いることを特徴とする請求項１乃至８のい
    ずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
  10. 【請求項１０】 炭酸ガスレーザとして、ビームのエネ
    ルギー分布が開口部において均一なものを用いることを
    特徴とする請求項６又は７に記載のプリント配線板の製
    造方法。
  11. 【請求項１１】 炭酸ガスレーザの照射で基材に開口部
    を形成した後、開口部の側面及び開口部の底部を洗浄す
    ることを特徴とする請求項６、７、１０のいずれかに記
    載のプリント配線板の製造方法。
  12. 【請求項１２】 開口部を過マンガン酸カリウム液で処
    理して洗浄を行なうことを特徴とする請求項１１に記載
    のプリント配線板の製造方法。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6280641B1 (en) * 1998-06-02 2001-08-28 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Printed wiring board having highly reliably via hole and process for forming via hole
SG80603A1 (en) 1998-10-30 2001-05-22 Gul Technologies Singapore Ltd Printed circuit boards with cavity and method of producing the same
JP2000263840A (ja) * 1999-03-11 2000-09-26 Hitachi Ltd レーザ印字方法及びレーザ印字装置
KR20010009350A (ko) * 1999-07-09 2001-02-05 윤종용 기판이 없는 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법
US6312972B1 (en) * 1999-08-09 2001-11-06 International Business Machines Corporation Pre-bond encapsulation of area array terminated chip and wafer scale packages
AU7091500A (en) * 1999-08-30 2001-03-26 Board Of Regents University Of Nebraska Lincoln Three-dimensional electrical interconnects
JP4190111B2 (ja) * 1999-10-29 2008-12-03 富士通株式会社 高周波モジュール
US6271057B1 (en) * 1999-11-19 2001-08-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method of making semiconductor chip package
JP4386522B2 (ja) * 2000-01-26 2009-12-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
CN100366132C (zh) * 2000-02-28 2008-01-30 Stsatl公司 在用于容纳电子元件的基片中形成开孔的方法
GB0012754D0 (en) 2000-02-28 2000-07-19 Sts Atl Corp Apparatus for forming interconnects on a substrate and related method
JP4459406B2 (ja) * 2000-07-27 2010-04-28 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 フレキシブル配線板製造方法
JP4519297B2 (ja) * 2000-09-21 2010-08-04 イビデン株式会社 ビアホール形成方法
US6395650B1 (en) * 2000-10-23 2002-05-28 International Business Machines Corporation Methods for forming metal oxide layers with enhanced purity
JP3941573B2 (ja) 2002-04-24 2007-07-04 宇部興産株式会社 フレキシブル両面基板の製造方法
US6930274B2 (en) 2003-03-26 2005-08-16 Siemens Vdo Automotive Corporation Apparatus and method of maintaining a generally constant focusing spot size at different average laser power densities
JP4367623B2 (ja) 2004-01-14 2009-11-18 住友電気工業株式会社 多孔質延伸ポリテトラフルオロエチレンシート製または多孔質延伸ポリテトラフルオロエチレンフィルム製の電気回路部品の製造方法、及び電気回路部品
US7163640B2 (en) * 2004-05-21 2007-01-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Methods and systems for laser processing
US20060017058A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. Construction of LED circuit board
US8502086B2 (en) * 2007-05-17 2013-08-06 Fujikura Ltd. Laminated wiring board and method for manufacturing the same
JP5477586B2 (ja) * 2010-04-19 2014-04-23 凸版印刷株式会社 デュアルインターフェイス型ｉｃカードの製造方法
EP2562692B1 (en) 2011-08-25 2013-10-09 Textilma Ag RFID chip module
WO2013032277A2 (en) 2011-09-02 2013-03-07 Lg Innotek Co., Ltd. Method of manufacturing substrate for chip packages and method of manufacturing chip package
FR3006551B1 (fr) 2013-05-30 2016-12-09 Linxens Holding Procede de fabrication d'un circuit imprime, circuit imprime obtenu par ce procede et module electronique comportant un tel circuit imprime
JP6125332B2 (ja) * 2013-05-31 2017-05-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
DE102016106134A1 (de) * 2016-04-04 2017-10-05 Vishay Semiconductor Gmbh Elektronische Einheit
KR101897641B1 (ko) * 2016-11-29 2018-10-04 현대오트론 주식회사 파워 모듈 패키지의 제조방법 및 이를 이용한 파워 모듈 패키지

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5219607A (en) * 1988-11-29 1993-06-15 Nippon Cmk Corp. Method of manufacturing printed circuit board
US5311407A (en) * 1992-04-30 1994-05-10 Siemens Components, Inc. Printed circuit based for mounted semiconductors and other electronic components
JP3153682B2 (ja) * 1993-08-26 2001-04-09 松下電工株式会社 回路板の製造方法

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