JP3503557B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はディスプレイ等に使
用される有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造
方法及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに
関し、特に、色合いの変化が抑制された有機エレクトロ
ルミネッセンス素子、その製造方法及び有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、有機エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）素子においては、実用レベルの色度を得るため
に、ゲスト材料（ドーパント）がホスト材料に目的とす
る濃度でドープされて形成された層が発光層として使用
されている。図４は従来の有機ＥＬ素子を示す断面図で
ある。

【０００３】従来の有機ＥＬ素子においては、ガラス基
板１１上にＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）からなる
透明電極が陽極１２として形成されている。そして、陽
極１２の上にホールが輸送される正孔輸送層１３、ホー
ルと電子との再結合により発光する発光層１４及び電子
が輸送される電子輸送層１５からなる有機ＥＬ層が形成
されている。更に、電子輸送層１５上に陰極１６が形成
されている。なお、発光層１４には、ある一定の濃度で
ゲスト材がドープされている。

【０００４】このように形成された従来の有機ＥＬ素子
においては、印加電圧の関係でホール又は電子が発光層
を抜けてしまってキャリアバランスに変化が生じること
がある。このため、電子輸送層又は正孔輸送層中でホー
ルと電子との再結合が生じ、電子輸送層又は正孔輸送層
そのものが発光することにより、色合いが変化するとい
う欠点がある。

【０００５】そこで、色合いの変化を防止するために、
印加電圧に応じて複数の色調を生じさせることができる
有機ＥＬ素子が開示されている（特開平８−３１５９８
２号公報）。この公報に記載された有機ＥＬ素子におい
ては、発光層又は電子輸送層にアルミニウム錯体が使用
されている。そして、低印加電圧時には、電子輸送層
（又は電子輸送層中にドープされた蛍光色素）の発光が
得られ、高印加電圧時には、正孔輸送層（又は正孔輸送
層にドープされた蛍光色素）の発光が得られている。

【０００６】更に、有機発光層と陰極との間にホールブ
ロッキング層が設けられた有機ＥＬ素子が開示されてい
る（特開平１０−２３１４７６号公報、特開平１０−２
３１４７７号公報、特開平１０−２３１４７８号公
報）。この公報に記載された有機ＥＬ素子においては、
ホールブロッキング材としてトリアゾール化合物が使用
されている。また、より高い発光効率及び優れた耐熱性
を得るために、正孔輸送層中にもドーパントをドープす
ることが記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−３１５９８２号公報に記載された従来の有機ＥＬ素
子のように、電子輸送層又は正孔輸送層中で発光させる
場合には、その発光色は発光層での発光色と同等のもの
ではなくなるという問題点がある。

【０００８】また、特開平１０−２３１４７６号公報等
に記載された従来の有機ＥＬ素子のように、発光効率を
上げるためにホールブロック層を設けたとしても、発光
層を抜けブロック層で押し止められたホールが発光に寄
与している割合はあまり高いものではないので、色合い
の変化を抑制することはできない。正孔輸送層中にドー
パントをドープした場合には、色合いの変化を抑制する
ことができる場合もあるが、単にドープしただけでは、
安定してそのような変化を抑制することはできない。

【０００９】このように、これらの従来例によっても、
発光層を抜けたホール又は電子による電子輸送層又は正
孔輸送層そのものの発光を十分に抑制することはできな
い。

【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、電子輸送層及び正孔輸送層そのものの発光
による色合いの変化を十分に抑制することができ、常時
安定した色度を保つことができる有機エレクトロルミネ
ッセンス素子、その製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る有機エレク
トロルミネッセンス素子は、ドーパントがドープされ正
孔と電子との再結合により発光する発光層と、陽極から
供給されたホールを前記発光層に輸送する正孔輸送層
と、陰極から供給された電子を前記発光層に輸送する電
子輸送層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層の前
記発光層に接し、厚さが前記正孔輸送層及び／又は電子
輸送層の厚さの２／３以下である領域には、前記ドーパ
ントと同種類のドーパントが前記発光層中の濃度よりも
低い濃度でドープされていることを特徴とする。

【００１２】本発明においては、正孔輸送層及び／又は
電子輸送層の発光層に接する領域に発光層中のドーパン
トと同種類のドーパントが前記発光層中の濃度よりも低
い濃度でドープされているので、ホールと電子との再結
合が正孔輸送層及び／又は電子輸送層中で生じる場合に
は、発光はドーパントがドープされた領域において生じ
る。この結果、印加電圧の関係で電子及び／又はホール
が発光層を抜けたとしても、電流効率は低下せず、正孔
輸送層及び／又は電子輸送層そのものの発光が抑制され
るので、色合いの変化が安定して抑制される。

【００１３】なお、前記正孔輸送層及び／又は電子輸送
層の前記ドーパントがドープされている領域の厚さは、
夫々前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層の厚さの２／
３以下であることが必要である。この理由は、ドープ
層、即ち前記ドーパントがドープされている領域が厚す
ぎると、注入効率の低下を招いてしまい、反対に薄すぎ
ると、色合いの変化の抑制効果が小さくなってしまうた
めであり、夫々前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層の
厚さの２／３以下に設計することで、良好な注入効率及
び色合いの変化の抑制効果が同時に得られる。

【００１４】また、前記正孔輸送層及び／又は電子輸送
層の前記発光層に接する領域におけるドーパント濃度が
前記発光層に近づくにつれて高くなってもよい。

【００１５】 本発明に係る有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法は、陽極から供給されたホールを輸
送する正孔輸送層を形成する工程と、ドーパントがドー
プされ前記正孔輸送層から輸送された正孔と電子との再
結合により発光する発光層を前記正孔輸送層上に形成す
る工程と、陰極から供給された電子を前記発光層に輸送
する電子輸送層を形成する工程と、を有する有機エレク
トロルミネッセンス素子の製造方法において、前記正孔
輸送層を形成する工程は、前記正孔輸送層の前記発光層
に接し、厚さが前記正孔輸送層の厚さの２／３以下であ
る領域に前記ドーパントと同種類のドーパントを前記発
光層中の濃度よりも低い濃度でドーピングする工程を有
することを特徴とする。

【００１６】 本発明に係る他の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法は、陽極から供給されたホール
を輸送する正孔輸送層を形成する工程と、ドーパントが
ドープされ前記正孔輸送層から輸送された正孔と電子と
の再結合により発光する発光層を前記正孔輸送層上に形
成する工程と、陰極から供給された電子を前記発光層に
輸送する電子輸送層を形成する工程と、を有する有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記
電子輸送層を形成する工程は、前記電子輸送層の前記発
光層に接し、厚さが前記電子輸送層の厚さの２／３以下
である領域に前記ドーパントと同種類のドーパントを前
記発光層中の濃度よりも低い濃度でドーピングする工程
を有することを特徴とする。

【００１７】本発明においては、正孔輸送層及び／又は
電子輸送層の発光層に接する領域に発光層中のドーパン
トと同種類のドーパントを前記発光層中の濃度よりも低
い濃度でドーピングしているので、前述のように、色合
いの変化が抑制される。

【００１８】また、前記正孔輸送層及び／又は電子輸送
層の前記ドーパントがドープされている領域の厚さは、
夫々前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層の厚さの２／
３以下であることが必要である。この理由は、ドープ
層、即ち前記ドーパントがドープされている領域が厚す
ぎると、注入効率の低下を招いてしまい、反対に薄すぎ
ると、色合いの変化の抑制効果が小さくなってしまうた
めであり、夫々前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層の
厚さの２／３以下に設計することで、良好な注入効率及
び色合いの変化の抑制効果が同時に得られる。

【００１９】更に、前記正孔輸送層及び／又は電子輸送
層の前記ドーパントがドープされている領域においてド
ーパント濃度が前記発光層に近づくにつれて高くなるよ
うに、夫々正孔輸送材料及び／又は電子輸送材料とドー
パント材料との共蒸着レートを制御してもよい。

【００２０】本発明に係る有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイは、上述の有機エレクトロルミネッセン
ス素子が搭載されていることを特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係る有機
エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子について、添付
の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の第
１の実施例に係る有機ＥＬ素子を示す断面図である。

【００２２】第１の実施例に係る有機ＥＬ素子において
は、ガラス基板１上にＩＴＯ（インジウム−スズ酸化
物）からなる透明電極が陽極２として形成されている。
また、この陽極２上にホールが輸送される正孔輸送層３
ａ、ホールと電子との結合により発光する発光層４及び
電子が輸送される電子輸送層５ａからなる有機ＥＬ層が
形成されている。更に、電子輸送層５ａ上に陰極６が形
成されている。

【００２３】本実施例においては、電子輸送層５ａの発
光層４と接する領域である発光層側領域に、発光層４に
ドープされているものと同種のドーパントが発光層４よ
りも低濃度でドープされることにより、ドープ層７が形
成されている。即ち、電子輸送層５ａは、発光層４側に
ドーパントを含んだドープ層７と、陰極６側にド−パン
トを含まず電子輸送材料単独層９とにより構成されてい
る。なお、このときのドープ量は蒸着レートで制御され
たものである。ここで、発光層４及びドープ層７中のド
ープ量は、使用される材料によって異なり、特に限定さ
れるものではないが、発光層４中のドープ量は体積率で
１〜１０％、ドープ層７中のドープ量は体積率で０．６
〜６％程度とすることが好ましい。例えば、発光層４の
ドープ量を５％とするとき、電子輸送層５ａの発光層４
に接するドープ層７中のドープ量を３％とする。なお、
本実施例では、各構成の厚みは、ガラス基板１を１．１
ｍｍ、陽極２を２５０ｎｍ、正孔輸送層３ａを５０ｎ
ｍ、発光層４を５０ｎｍ、電子輸送層５ａを４０ｎｍ、
陰極６を１００ｎｍ、電子輸送層５ａ内に形成されるド
ープ層７を１５ｎｍとしている。なお、図１中のｐ、ｑ
及びｒは、夫々電子輸送材料単独層９とドープ層７との
境界、ドープ層７と発光層４との境界、発光層４と正孔
輸送層３ａとの境界を示している。

【００２４】このように構成された第１の実施例におい
ては、電子輸送層５ａのドープ層７に、発光層４のもの
と同種のドーパントが低濃度でドープされているので、
ドープ層７がホールブロック層を兼ねて機能する。従っ
て、ホールと電子との再結合が電子輸送層５ａ中で生じ
る場合には、発光はドープ層７において生じる。この結
果、印加電圧の関係でホールが発光層４を抜けたとして
も、電流効率は低下せず、電子輸送層５ａそのものの発
光が抑制されるので、色合いの変化が安定して抑制され
る。

【００２５】即ち、印加電圧の関係でホール及び電子の
キャリアバランスが変化しても、色合いの変化が抑制さ
れる。これにより、有機ＥＬ素子の色純度が安定し、長
期的信頼性が得られる。

【００２６】なお、電子輸送層５ａ中のドーパントがド
ープされたドープ層７の厚さは、注入効率の低下を防止
するために、電子輸送層５ａの厚さの２／３以下である
ことが好ましい。ドープ層７の厚さを電子輸送層５ａの
厚さの２／３より大きくした場合、輝度が２０％程度低
下する。

【００２７】次に、上述のような有機ＥＬ素子を製造す
る方法について説明する。

【００２８】先ず、ガラス基板１上にＩＴＯ（インジウ
ム−スズ酸化物）からなる透明電極を陽極２として形成
する。次に、この陽極２上にホールが輸送される正孔輸
送層３ａ、ホールと電子との再結合により発光する発光
層４及び電子が輸送される電子輸送層５ａを順次形成す
ることにより、有機ＥＬ層を形成する。このとき、発光
層４を形成した後に、発光層４で用いているドーパント
と同種のものを電子輸送材料と共蒸着することでドープ
層７を形成し、続いて電子輸送材料のみを蒸着すること
で電子輸送層５ａを形成する。

【００２９】次に、実際に上述の方法により製造した有
機ＥＬ素子の色合いの変化について説明する。図２は横
軸に印加電圧をとり、縦軸にＣＩＥ色度座標のＸ座標を
とって両者の関係を示すグラフ図である。図２において
は、電子輸送層５の発光層側領域にドーパントがドープ
されてホールブロック層を兼ねるドープ層７が形成され
たものを本発明の第１実施例における実施例１−１とし
て△で示している。また、この実施例１−１よりもドー
プ層の厚さが厚いもの（ドープ層７：２５ｎｍ）を本発
明の実施例１−２として■で示している。これらに対
し、電子輸送層及び正孔輸送層にドーパントがドープさ
れていないものを従来例として○で示している。なお、
図２中の数値はＣＩＥ色度座標のＸ座標及びＹ座標を示
している。

【００３０】図２に示すように、第１実施例と従来例と
を比較すると、第１実施例において、印加電圧が増加し
ても色合いの変化が抑制されている。また、第１実施例
と第２実施例とを比較すると、ドープ層が厚い第２実施
例において、より一層色合いの変化が抑制されている。

【００３１】なお、本発明は前述の本実施例に限定され
るものではなく、正孔輸送層の発光層に接する領域であ
る発光層側領域にドープ層が形成されていてもよい。図
３は本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬ素子を示す断
面図である。なお、図３に示す第２の実施例において、
図１に示す第１の実施例と同一の構成要素には、同一の
符号を付してその詳細な説明は省略する。

【００３２】第２の実施例においては、陽極２上に正孔
輸送層３ｂが形成されている。この正孔輸送層３ｂの発
光層４と接する発光層側領域には、発光層４にドープさ
れたものと同種のドーパントが発光層４よりも低濃度に
ドープされることにより、ドープ層８が形成されてい
る。なお、このドーピングは、第１の実施例におけるド
ープ層７の形成と同様に、共蒸着により行われる。即
ち、陽極の形成後、正孔輸送材料単独層１０を形成し、
その後、正孔輸送材料及びドーパントを共蒸着させたド
ープ層８を形成することにより、正孔輸送層３ｂは構成
されている。一方、電子輸送層５ｂには、ドープ層は形
成されていない。ここで、発光層４及び正孔輸送層中の
ドープ量は、使用される材料によって異なり、特に限定
されるものではないが、発光層４中のドープ量は体積率
で１〜１０％、正孔輸送層中のドープ量は体積率で０．
６〜６％程度とすることが好ましい。１例として、発光
層のドープ量を５％とするとき、電子輸送層の発光層に
接する領域のドープ量を３％とする。なお、本実施例で
は、各構成の厚みは、ガラス基板１を１．１ｍｍ、陽極
２を２５０ｎｍ、正孔輸送層３ｂを５０ｎｍ、発光層４
を５０ｎｍ、電子輸送層５ｂを４０ｎｍ、陰極６を１０
０ｎｍ、正孔輸送層３ｂ内に形成されるドープ層８を３
０ｎｍとしている。

【００３３】このように構成された第２の実施例におい
ては、正孔輸送層３ｂのドープ層８に、発光層４のもの
と同種のドーパントが低濃度でドープされているので、
ドープ層８が電子ブロック層を兼ねて機能する。従っ
て、ホールと電子との再結合が正孔輸送層３ｂ中で生じ
る場合には、発光はドープ層８において生じる。この結
果、印加電圧の関係で電子が発光層４を抜けたとして
も、電流効率は低下せず、正孔輸送層３ｂそのものの発
光が抑制されるので、色合いの変化が安定して抑制され
る。

【００３４】なお、ドープ層８の厚さは、第１の実施例
と同様の理由により、正孔輸送層３ｂのそれの２／３以
下であることが好ましい。

【００３５】また、第１の実施例におけるドープ層７中
のドーパント濃度は均一であってもよく、不均一であっ
てもよい。図５（ａ）乃至（ｄ）は第１の実施例におけ
るドープ層７及び発光層４中の種々のドーパント濃度プ
ロファイルを示すグラフ図である。

【００３６】第１の実施例におけるドープ層７中のドー
パント濃度は、例えば図５（ａ）に示すように、発光層
４中のドーパント濃度より低い一定の値をとってもよ
い。また、図５（ｂ）に示すように、発光層４に近づく
に連れて高くなるような濃度プロファイルを設けること
もできる。このような濃度プロファイルを設定すること
によって、電子輸送層５ａにおける電子の注入効率を下
げずに、発光層４と同色に発光させることができるの
で、より一層有効である。更に、図５（ｂ）に示す濃度
プロファイルでは、ドープ層７と発光層４との境界ｑで
ドーパント濃度が不連続となっているが、図５（ｃ）に
示すように、連続していてもよい。ドープ層７と発光層
４との境界ｑで両層中のドープ量は等しいが、ドープ層
７全体のドープ量は発光層４全体のドープ量よりも少な
くなっている。更にまた、ドープ層７中のドーパント濃
度プロファイルは、必ずしも直線状である必要はなく、
図５（ｄ）に示すような曲線状又は図５（ｅ）に示すよ
うな部分的に一定の濃度領域を含む階段状であってもよ
い。また、発光層４中のドーパント濃度は、ドープ層７
中のドーパント濃度よりも高ければ、図５（ｆ）に示す
ように、層内で均一でなくてもよい。

【００３７】なお、濃度プロファイルは、言うまでもな
く、これらの例に限定されるものではない。

【００３８】また、第２の実施例の構成における正孔輸
送層３ｂ内に形成されるドープ層８においても、正孔輸
送層３ｂの発光層４側のドーパントの濃度が高くなるよ
うに、第１の実施例における電子輸送層５ａ内に形成さ
れるドープ層７と同様な濃度プロファイルとすることが
できる。更に、発光層４の両側に正孔輸送層及び電子輸
送層を設け、各々のドープ層において発光層側のドーパ
ントの濃度が高くなるように、前述の濃度プロファイル
と同様な濃度プロファイルとすることができる。

【００３９】本発明で使用される正孔輸送層、発光層、
電子輸送層、ドーパント、陽極、陰極及び基板の材料
は、特に限定されるものではなく、一般的に使用されて
いるものは使用可能である。また、本発明における正孔
輸送層には、正孔注入層が、電子輸送層には、電子注入
層が各々含まれていてもよく、この場合、正孔注入層は
正孔輸送層の陽極側に、電子注入層は電子輸送層の陰極
側に各々配置される。

【００４０】なお、これらの有機ＥＬ素子は、例えば有
機ＥＬディスプレイに搭載されて使用される。

【００４１】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
正孔輸送層及び／又は電子輸送層の発光層に接する領域
に発光層中のドーパントと同種類のドーパントが発光層
中の濃度よりも低い濃度でドープされているので、ホー
ルと電子との再結合が正孔輸送層及び／又は電子輸送層
中で生じる場合には、発光はドーパントがドープされた
領域において生じ、印加電圧の関係で電子及び／又はホ
ールが発光層を抜けたとしても、電流効率は低下せず、
正孔輸送層及び／又は電子輸送層そのものの発光を抑制
することができる。従って、色合いの変化を安定して抑
制することができる。つまり、正孔輸送層及び／又は電
子輸送層が発光する場合であっても、電流効率を低下さ
せることなく発光層と同色（単一の色調）に発光させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬ素子を示
す断面図である。

【図２】種々の有機ＥＬ素子における印加電圧とＣＩＥ
色度座標のＸ座標との関係を示すグラフ図である。

【図３】本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬ素子を示
す断面図である。

【図４】従来の有機ＥＬ素子を示す断面図である。

【図５】（ａ）乃至（ｆ）は、本発明の第１の実施例に
係る有機ＥＬ素子の発光層４及びドープ層７中のドーパ
ント濃度プロファイルを示すグラフ図である。

【符号の説明】

１、１１；ガラス基板 ２、１２；陽極 ３ａ、３ｂ、１３；正孔輸送層 ４、１４；発光層 ５ａ、５ｂ、１５；電子輸送層 ６、１６；陰極 ７、８；ドープ層 ９；電子輸送材料単独層 １０；正孔輸送材料単独層

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05B 33/00 - 33/28

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ドーパントがドープされ正孔と電子との
   再結合により発光する発光層と、陽極から供給されたホ
   ールを前記発光層に輸送する正孔輸送層と、陰極から供
   給された電子を前記発光層に輸送する電子輸送層と、を
   有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前
   記正孔輸送層及び／又は電子輸送層の前記発光層に接
   し、厚さが前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層の厚さ
   の２／３以下である領域には、前記ドーパントと同種類
   のドーパントが前記発光層中の濃度よりも低い濃度でド
   ープされていることを特徴とする有機エレクトロルミネ
   ッセンス素子。
2. 【請求項２】 前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層の
   前記発光層に接する領域におけるドーパント濃度が前記
   発光層に近づくにつれて高くなることを特徴とする請求
   項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 【請求項３】 陽極から供給されたホールを輸送する正
   孔輸送層を形成する工程と、ドーパントがドープされ前
   記正孔輸送層から輸送された正孔と電子との再結合によ
   り発光する発光層を前記正孔輸送層上に形成する工程
   と、陰極から供給された電子を前記発光層に輸送する電
   子輸送層を形成する工程と、を有する有機エレクトロル
   ミネッセンス素子の製造方法において、前記正孔輸送層
   を形成する工程は、前記正孔輸送層の前記発光層に接
   し、厚さが前記正孔輸送層の厚さの２／３以下である領
   域に前記ドーパントと同種類のドーパントを前記発光層
   中の濃度よりも低い濃度でドーピングする工程を有する
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の
   製造方法。
4. 【請求項４】 陽極から供給されたホールを輸送する正
   孔輸送層を形成する工程と、ドーパントがドープされ前
   記正孔輸送層から輸送された正孔と電子との再結合によ
   り発光する発光層を前記正孔輸送層上に形成する工程
   と、陰極から供給された電子を前記発光層に輸送する電
   子輸送層を形成する工程と、を有する有機エレクトロル
   ミネッセンス素子の製造方法において、前記電子輸送層
   を形成する工程は、前記電子輸送層の前記発光層に接
   し、厚さが前記電子輸送層の厚さの２／３以下である領
   域に前記ドーパントと同種類のドーパントを前記発光層
   中の濃度よりも低い濃度でドーピングする工程を有する
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の
   製造方法。
5. 【請求項５】 前記正孔輸送層を形成する工程は、前記
   正孔輸送層の前記発光層に接し、厚さが前記正孔輸送層
   の厚さの２／３以下である領域に前記ドーパントと同種
   類のドーパントを前記発光層中の濃度よりも低い濃度で
   ドーピングする工程を有することを特徴とする請求項４
   に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層の
   前記ドーパントがドープされている領域においてドーパ
   ント濃度が前記発光層に近づくにつれて高くなるよう
   に、夫々正孔輸送材料及び／又は電子輸送材料とドーパ
   ント材料との共蒸着レートを制御することを特徴とする
   請求項３乃至５のいずれか１項に記載の有機エレクトロ
   ルミネッセンス素子の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１又は２に記載の有機エレクトロ
   ルミネッセンス素子が搭載されていることを特徴とする
   有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。