JP3495797B2 - 光学定数測定方法およびその装置 - Google Patents

光学定数測定方法およびその装置

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JP3495797B2 JP29540594A JP29540594A JP3495797B2 JP 3495797 B2 JP3495797 B2 JP 3495797B2 JP 29540594 A JP29540594 A JP 29540594A JP 29540594 A JP29540594 A JP 29540594A JP 3495797 B2 JP3495797 B2 JP 3495797B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は光学定数測定方法およ
びその装置に関し、さらに詳細にいえば、透光性のある
基板に光を照射し、反射光の光強度分布を検出すること
により透光性のある基板の光学定数または透光性のある
基板の表面に形成された薄膜の光学定数を測定するため
の方法およびその装置に関する。なお、光学定数とは、
膜厚、屈折率、消衰係数を含む概念であり、必要に応じ
て全ての定数または一部の定数が測定される。
【0002】
【従来の技術】従来から、非透光性の基板、またはその
基板上に形成された単層、あるいは多層の薄膜層の光学
定数を測定する方法として、特開平3−17505号公
報に示す方法が提案されている。この方法は、光ビーム
を非透光性の基板表面の薄膜に照射し、その反射光の光
強度分布を測定することにより光学定数を測定する方法
であり、例えば、膜厚を測定する場合には、予め既知の
膜厚の薄膜に光ビームを照射して、その反射光の光強度
分布を得ておき、次いで、測定対象となる薄膜に光ビー
ムを照射して、その反射光の光強度分布を得、得られた
光強度分布に基づいて薄膜の膜厚を得る。しかし、この
方法で透光性のある基板、またはその基板上に形成され
た薄膜の光学定数を測定する場合には、反射光の光強度
分布に、薄膜の表面における反射光のみならず透光性の
ある基板の裏面における反射光も含まれていることにな
るので、光学定数を正確に測定することができないとい
う不都合がある。
【0003】この不都合を考慮して、(1)透光性のあ
る基板の裏面に黒色の塗料などを塗布して基板の裏面に
おける反射の量を小さくする方法、および(2)透光性
のある基板の裏面を粗面に加工して基板の裏面における
反射光ビームを散乱させる方法が提案されている。
【0004】また、(3)透光性のある基板の裏面にお
ける反射光ビームの光量の理論値を求め、実際の測定値
からこの理論値を予め取り除き、理論値が取り除かれた
値に基づいて光学定数を測定する方法も提案されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記(1)、(2)の
方法を採用する場合には、透光性のある基板の裏面を汚
し、または傷つけることが必須であるから、透光性のあ
る基板の裏面における反射の量を小さくして光学定数の
測定精度を高めることができるという効果はあっても、
実用的とはいいがたい。すなわち、本来は非破壊的に行
えるべき光学定数の測定において、破壊的測定とならざ
るを得ないのである。
【0006】また、前記(3)の方法を採用する場合に
は、透光性のある基板の裏面における反射光ビームの光
量の理論値が実際の測定値と一致するという保証がない
ので、光学定数を正確に測定できるという保証がない。
また、透光性のある基板の光学定数が未知である場合に
は、基板の裏面における反射光ビームの光量を推定する
ことが困難であり、実用化に当っては、その応用範囲に
著しい制限を生じるという不都合がある。すなわち、透
光性のある基板の光学定数が既知であり、基板の裏面に
おける反射光ビームの光量の推定が簡単に行えるもので
なければならない。
【0007】
【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、破壊的処理を必要とせず、しかも透光性
のある基板の裏面における反射光の影響を除去して光学
定数の測定精度を高めることができる光学定数測定方法
およびその装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の光学定数測定
方法は、透光性のある基板表面に収束光または発散光を
照射し、該収束光または発散光の前記透光性のある基板
における反射光の光ビーム内光強度分布をアレイ検出器
を用いて検出し、該光強度分布のうち、前記収束光また
は発散光の反射光が導かれるとともに、裏面における反
射光が入射しない範囲における光強度分布に基づいて前
記透光性のある基板の光学定数または前記透光性のある
基板表面に形成された薄膜の光学定数を測定する方法で
ある。
【0009】請求項2の光学定数測定装置は、透光性の
ある基板表面に収束光または発散光を照射する照射光学
系と、前記収束光または発散光の前記透光性のある基板
における反射光を導く受光光学系と、該受光光学系によ
り導かれた該反射光の光ビーム内光強度分布を検出する
アレイ検出器と、検出された該光ビーム内光強度分布に
基づいて前記透光性のある基板の光学定数または前記透
光性のある基板表面に形成された薄膜の光学定数を算出
する光学定数算出手段とを備え、かつ、前記受光光学系
は、前記収束光または前記発散光の前記透光性のある基
板表面における反射光の少なくとも一部を、アレイ検出
器の、前記収束光または前記発散光の前記透光性のある
基板裏面における反射光が導かれない前記受光部位に導
くものであり、前記光学定数算出手段は、前記アレイ検
出器の、前記収束光または前記発散光の前記透光性のあ
る基板裏面における反射光が導かれない受光部位によっ
て検出された光ビーム内強度分布に基づいて前記透光性
のある基板の光学定数または前記透光性のある基板表面
に形成された薄膜の光学定数を算出するものである。
【0010】請求項3の光学定数測定装置は、前記受光
光学系として、前記収束光または前記発散光の前記透光
性のある基板表面における反射光が導かれるアレイ検出
器の受光部位の面積が、前記収束光または前記発散光の
前記透光性のある基板裏面における反射光が導かれるア
レイ検出器の受光部位の面積の2倍以上となるように前
記透光性のある基板における反射光を導くものを採用し
ている。
【0011】請求項4の光学定数測定装置は、前記アレ
イ検出器として1次元または2次元のアレイセンサを採
用し、前記受光光学系として、前記収束光または前記発
散光の前記透光性のある基板表面における反射光が導か
れ、かつ前記収束光または前記発散光の前記透光性のあ
る基板裏面における反射光が導かれるアレイセンサの受
光部位における受光ピクセル数が10個以上となるよう
に前記透光性のある基板における反射光を導くものを採
用している。
【0012】ただし、基板における反射光とは、基板の
表面、裏面における反射光および基板の内部での散乱光
を含む概念として使用されている。
【0013】
【作用】請求項1の光学定数測定装置であれば、透光性
のある基板表面に収束光または発散光を照射し、該収束
光または発散光の前記透光性のある基板における反射光
の光ビーム内光強度分布をアレイ検出器を用いて検出
し、該光強度分布のうち、前記収束光または発散光の反
射光が導かれるとともに、裏面における反射光が入射し
ない範囲における光強度分布に基づいて前記透光性のあ
る基板の光学定数または前記透光性のある基板表面に形
成された薄膜の光学定数を測定するのであるから、透光
性のある基板の裏面における反射光の影響を除去するこ
とができ、この結果、高精度に光学定数を測定すること
ができる。
【0014】請求項2の光学定数測定装置であれば、照
射光学系により透光性のある基板表面に収束光または発
散光を照射し、受光光学系により前記収束光または発散
光の前記透光性のある基板における反射光をアレイ検出
器に導くので、アレイ検出器により該反射光の光ビーム
内光強度分布を検出することができる。この場合におい
て、前記受光光学系は、検出された該光ビーム内光強度
分布に基づいて前記透光性のある基板の光学定数または
前記透光性のある基板表面に形成された薄膜の光学定数
を算出する光学定数算出手段とを備え、かつ、前記受光
光学系は、前記収束光または前記発散光の前記透光性の
ある基板表面における反射光の少なくとも一部を、アレ
イ検出器の、前記収束光または前記発散光の前記透光性
のある基板裏面における反射光が導かれない前記受光部
位に導くものであるから、基板表面における反射光の少
なくとも一部が基板裏面における編者光の影響を受けな
い状態になる。そして、前記光学定数算出手段は、前記
アレイ検出器の、前記収束光または前記発散光の前記透
光性のある基板裏面における反射光が導かれない受光部
位によって検出された光ビーム内強度分布に基づいて前
記透光性のある基板の光学定数または前記透光性のある
基板表面に形成された薄膜の光学定数を算出するもので
あるから、基板表面における反射光の光ビーム内光強度
分布のみに基づいて高精度に光学定数を測定することが
できる。
【0015】請求項3の光学定数測定装置であれば、前
記受光光学系として、前記収束光または前記発散光の前
記透光性のある基板表面における反射光が導かれるアレ
イ検出器の受光部位の面積が、前記収束光または前記発
散光の前記透光性のある基板裏面における反射光が導か
れるアレイ検出器の受光部位の面積の2倍以上となるよ
うに前記透光性のある基板における反射光を導くものを
採用しているので、基板裏面における反射光の影響を受
けない受光部位の面積を十分に大きくすることができ、
この結果、高精度に光学定数を測定することができる。
【0016】請求項4の光学定数測定装置は、前記アレ
イ検出器として1次元または2次元のアレイセンサを採
用し、前記受光光学系として、前記収束光または前記発
散光の前記透光性のある基板表面における反射光が導か
れ、かつ前記収束光または前記発散光の前記透光性のあ
る基板裏面における反射光が導かれるアレイセンサの受
光部位における受光ピクセル数が10個以上となるよう
に前記透光性のある基板における反射光を導くものを採
用しているので、10個以上の受光ピクセルにより検出
される光強度分布に基づいて十分な制度で光学定数を測
定することができる。
【0017】
【実施例】以下、実施例を示す添付図面によってこの発
明を詳細に説明する。図1はこの発明の光学定数測定装
置の一実施例を示す概略図である。この光学定数測定装
置は、レーザ光源1から出射した光ビームの向きをハー
フミラー2により変更し、レンズ3により集光して透光
性のある基板4の表面(光を入射させる側の面)に形成
された薄膜層4aに照射している。ここで、光ビームの
光軸は透光性のある基板4に対してほぼ直角に設定され
ている。また、透光性のある基板4上には広い入射角を
有する光ビームが形成されている。
【0018】この光ビームは、透光性のある基板4の表
面および薄膜層4aにおいて反射され、ハーフミラー2
を通してアレイ検出器5に入射する。ここで、アレイ検
出器5により検出される反射ビームの光量は、透光性の
ある基板4の光学定数、薄膜層4aの光学定数および入
射角度によって決定される値である。したがって、アレ
イ検出器5により検出される値をコンピュータ6に供給
して所定の計算を行わせることにより、薄膜層4aの光
学定数などを決定することができる。
【0019】また、アレイ検出器5は、一次元または二
次元のCCDなどからなるアレイセンサまたはイメージ
インテンシファイアなど、少なくとも一次元的な光強度
の分布を測定できる光のセンサを含み、また、小さな単
一の受光部位が時間的にビーム内を移動するものをも含
む。さらに詳細に説明する。
【0020】光ビームの中央付近から出た光線20Aは
ハーフミラー2により曲げられて光線20Bになり、レ
ンズ3を経て光線20Cになり、基板4および薄膜4a
にほぼ垂直に入射する。この光線20Cは基板4および
薄膜4aにより反射されて光線20Dになり、レンズ3
およびハーフミラー2を経て光線20Eになり、アレイ
検出器5上のセンサ素子50に入射する。また、光ビー
ムの上部から出た光線2nAはハーフミラー2により曲
げられて光線2nBになり、レンズ3を経て光線2nC
になり、基板4および薄膜4aに角度θで入射する。こ
の光線2nCは基板4および薄膜4aにより角度θで反
射されて光線2nDになり、レンズ3およびハーフミラ
ー2を経て光線2nEになり、アレイ検出器5上のセン
サ素子5nに入射する。このようにして、アレイ検出器
5の各センサ素子には、それぞれに異なる角度の反射光
量が入射される。
【0021】これらの各センサ素子による測定値は、例
えば、シリコン基板上に形成された膜厚5,000オン
グストローム、10,000オグストローム、20,0
00オングストロームの酸化膜の場合には、図2、図3
に示すような曲線になる。なお、図2、図3において実
線が5,000オングストロームの場合を、破線が1
0,000オングストロームの場合を、一点鎖線が2
0,000オングストロームの場合をそれぞれ示してい
る。ここで、入射光ビームの直線偏光の振動方向に対し
て平行な方向に観測されるP偏光成分と、垂直方向に観
測されるS偏光成分とに分離して測定することができ、
図2がS偏光、図3がP偏光の場合をそれぞれ示してい
る。ここでは、膜厚が変わった場合について説明した
が、屈折率が変わった場合にもこれらの曲線は異なった
ものになる。
【0022】また、図4に示すように、透光性のある基
板4上に形成された薄膜層4aに光が入射したことに応
答して光が多重反射されているような数学モデルを考え
ると、その反射率Rは数1で表される。
【0023】
【数1】
【0024】ここで、r1は空気層と薄膜層4aとの境
界での反射率、r2は薄膜層4aと基板4との境界での
反射率、tは薄膜層4aの膜厚をそれぞれ示し、kは数
2で与えられる。
【0025】
【数2】
【0026】ここで、λは光ビームの波長、n1は薄膜
層4aの屈折率をそれぞれ示している。上記反射率r
1、r2はS偏光、P偏光に対する値が異なり、それぞ
れ数3から数6で表される。ただし、添字S,PがS偏
光に対する値、P偏光に対する値であることをそれぞれ
示している。
【0027】
【数3】
【0028】
【数4】
【0029】
【数5】
【0030】
【数6】
【0031】ここで、n0は空気の屈折率、n2は基板
の屈折率、θ1は空気層から薄膜層4aに入射した光ビ
ームの屈折角、θ2は薄膜層4aから基板4に入射した
光ビームの屈折角をそれぞれ示している。このように連
続した角度に応じて測定された反射率の曲線は膜厚など
の光学定数が変わるとその形を変えることになるが、そ
のことを利用して、測定された角度に対する曲線から、
薄膜層4aの光学定数を逆に求めることができる。
【0032】図5はコンピュータ6において、アレイ検
出器5の各センサ素子の出力信号から得られる、角度に
応じた反射率の計算値を用いて薄膜層4aの膜厚を求め
るための処理を説明するフローチャートである。ステッ
プSP1において、アレイ検出器5の各センサ素子によ
り測定した反射光のS偏光成分およびP偏光成分、およ
びレーザ光源1からの出射光強度に基づいて反射率を算
出し、ステップSP2において、角度に応じた反射率の
計算値および数2から数6を用いて数1を解く。この処
理を行うことにより、個々のセンサ素子の出力信号に基
づいて得られる反射率の計算値に対してそれぞれ膜厚の
解が得られ、一群の解が得られることになる。次いで、
ステップSP3において、統計解析処理を行って、これ
ら一群の解の中から最も確からしい解を選定する。そし
て、ステップSP4において、解の精度を向上させるた
めに、材料の吸収、アレイ検出器5の寸法などの寄与を
補正した数1を用いて、最小二乗法による数値解法によ
って解を求める。ただし、この計算は難解であるから、
数値解法を容易にするために、ステップSP3による解
による制限の下で実行する。このようにして、50オン
グストロームから50,000オングストロームまでの
膜厚範囲において、20オングストローム以下の正確さ
で測定が可能である。そして、これらの統計解析、およ
び最小二乗法による数値解法を用いて計算を行うために
は、測定値の数が10以上であればよい。ただし、たと
えば、膜厚の厚い薄膜を測定対象とする場合は、反射率
の曲線の変化の周期が短い(図2または図3の曲線の変
化の上下の極値の出現回数が多い)ため、測定値の数を
多くすることが好ましい。たとえば、膜厚が50,00
0オングストローム程度の薄膜の光学定数を測定する場
合は、測定値の数は15個以上用いるのが好ましく、さ
らに膜厚が100,000オングストローム程度の薄膜
の測定を行なう場合は、30個以上を用いるのが好まし
い。また、測定値は基板の裏側からの反射光の影響のな
い範囲でアレイ検出器5の広い範囲にまんべんなく分布
したセンサ素子により得られたものを用いるのが好まし
い場合が多い。
【0033】また、この光学定数測定方法によれば、薄
膜層4aの膜厚とともに、薄膜層4aまたは基板4の屈
折率を計算することもできる。図6はコンピュータ6に
おいて、アレイ検出器5の各センサ素子の出力信号から
得られる、角度に応じた反射率の計算値を用いて薄膜層
4aまたは基板4の屈折率を求めるための処理を説明す
るフローチャートである。
【0034】ステップSP1において、アレイ検出器5
の各センサ素子により測定した反射光のS偏光成分およ
びP偏光成分、およびレーザ光源1からの出射光強度に
基づいて反射率を算出し、ステップSP2において、角
度に応じた反射率の計算値、薄膜層4aの膜厚の推定値
および数2から数6を用いて数1を解く。この処理を行
うことにより屈折率の近似解を得る。そして、ステップ
SP3において、角度に応じた反射率の計算値、屈折率
の近似解および数2から数6を用いて数1を解く。この
処理を行うことにより、個々のセンサ素子の出力信号に
基づいて得られる反射率の計算値に対してそれぞれ膜厚
の解が得られ、一群の解が得られることになる。次い
で、ステップSP4において、統計解析処理を行って、
これら一群の解の中から最も確からしい解を選定する。
そして、ステップSP5において、解の精度を向上させ
るために、材料の吸収、アレイ検出器5の寸法などの寄
与を補正した数1を用いて、最小二乗法による数値解法
によって解を求める。ただし、この計算は難解であるか
ら、数値解法を容易にするために、ステップSP4によ
る解による制限の下で実行する。
【0035】しかし、基板4がガラスのように透光性を
有している場合、基板4の裏面からの反射ビームが生じ
る。図7に示すように、ガラス基板4上の薄膜層4aの
点Pに集光している入射光ビームは、破線で示すよう
に、ガラス基板4内に入り、ガラス基板4の裏面で反射
を受ける。このとき、反射光ビームは、点PKガラス基
板4の裏面に対する鏡像点である点Qからあたかも光ビ
ームが出てきているかのようにふるまう。この反射光ビ
ームは、レンズ3によって集光され、その後、再び広が
りながらアレイ検出器5上に到達する。この時、ガラス
基板4の裏面からの反射光ビームはアレイ検出器5上
の、破線で示す光路の範囲内に位置するセンサ素子に影
響を与える。これらは、ガラス基板4の表面の薄膜層4
aからの反射光に対して著しい影響を与えることにな
り、そのままでは正確な測定を妨げることになる。しか
し、ガラス基板4の表面の薄膜層4aからの反射光ビー
ムの照射範囲が、上記破線で示す光路の範囲よりも大き
ければ、破線で示す光路の範囲におけるセンサ素子から
の出力信号を採用せず、ガラス基板4の表面の薄膜層4
aからの反射光ビームのみが照射される範囲におけるセ
ンサ素子からの出力信号を採用することにより、基板裏
面からの反射光ビームの影響を除去して正確な光学定数
の測定を達成できる。もちろん、アレイ検出器5上の、
破線で示す光路の範囲を可能な限り小さくすることが好
ましい。
【0036】図7において、点Pの鏡像点である点Qの
位置を空気中での位置に置き換えた点Q´に対して数7
および数8が成り立つ。
【0037】
【数7】
【0038】
【数8】
【0039】ここで、S1はレンズ3から点Q´までの
距離、S1´はレンズ3から点Q´がレンズ3によって
集光される点Rまでの距離、F1はレンズ3の焦点距
離、Tはガラス基板4の厚み、Nはガラス基板4の屈折
率をそれぞれ示している。数7および数8からS1´を
求めると、数9になる。
【0040】
【数9】
【0041】レンズ3は光ビームの角度を広くとるため
に開口数の大きいレンズである必要があり、歪みなどを
避けるためには焦点距離の短いレンズが有利である。例
えば、開口数が0.9の、顕微鏡用の対物レンズをレン
ズ3として採用した場合、約64°の広がり角度を有し
ており、上記の測定に適しているが、焦点距離は、たと
えば、市販されているものの例では2.25mmであ
る。したがって、ガラス基板4の厚みが1.1mm、屈
折率が1.54であると仮定すれば、数9から位置Rの
レンズ3からの距離S1´は9.3mmになり、この位
置Rにアレイ検出器5を配置すればよい。ただし、物理
的に配置が困難な場合も考えられる。
【0042】図8は上記物理的に配置が困難な場合に対
処するための実施例を示している。この実施例において
は、レンズ3とアレイ検出器5との間にレンズ7を追加
した点が図7の実施例と異なる。ここで、ガラス基板4
の表面の薄膜層4aからの反射光ビームがレンズ7によ
りアレイ検出器5上に照射されるビーム径Dがアレイ検
出器5のセンサ面サイズDとなるように、レンズ7に対
するアレイ検出器5の距離L2を設定する。ただし、レ
ンズ7に入射するガラス基板4の表面における反射光ビ
ームのビーム径をW、レンズ7の焦点距離をF2とすれ
ば、数10が得られる。
【0043】
【数10】
【0044】また、ガラス基板4の裏面からの反射光ビ
ームは、点Pの鏡像点である点Qの位置を空気中での位
置に置き換えた点Q´に対して数11から数14が成り
立つ。
【0045】
【数11】
【0046】
【数12】
【0047】
【数13】
【0048】
【数14】
【0049】ここで、S2は点Rからレンズ7までの距
離、S2´はレンズ7から点Rがレンズ7によって集光
される点R´までの距離をそれぞれ示している。なお、
S1,S1´,F1,T,Nは図7の場合と同様であ
る。数11から数14よりS2´を求めると、数15に
なる。
【0050】
【数15】
【0051】したがって、S2´とL2とが等しくなる
条件に設定すれば、ガラス基板4の裏面からの反射光ビ
ームがアレイ検出器5に及ぼす影響を最小にすることが
できる。図7、図8の何れの実施例においても、アレイ
検出器5の中央付近のセンサ素子はガラス基板4の裏面
からの反射光ビームの影響を受けることになる。図8に
おいてガラス基板4の裏面からの反射光ビームの影響を
受ける範囲D2は数16となる。
【0052】
【数16】
【0053】ここで、W´はレンズ7に入射する、ガラ
ス基板4の裏面からの反射光ビームのビーム径である。
したがって、この範囲D2を可能な限り小さくすること
が好ましいが、測定精度を考慮すれば、この範囲D2
が、ガラス基板4の表面の薄膜層4aからの反射光ビー
ムがレンズ7によりアレイ検出器5上に照射される面積
の1/2以下になるように設定すればよい。もちろん、
この範囲D2におけるセンサ素子からの出力信号に基づ
く処理は図5、図6のフローチャートのステップSP1
の処理において除外され、ガラス基板4の裏面からの反
射光ビームの影響を全く受けない状態で光学定数の測定
を行うことができる。
【0054】次いで、前記範囲D2の面積が、ガラス基
板4の表面の薄膜層4aからの反射光ビームがレンズ7
によりアレイ検出器5上に照射される範囲Dの面積の1
/m以下である場合の、L2のとり得る範囲は以下のよ
うにして算出される。ただし、前記各範囲D、D2の直
径を、それぞれd、d2で表す。π(d/2)2/π
(d2/2)2=mであるから、d/d2=m1/2=Mと
なる。
【0055】L2の最小値L2minは以下の式により
定まる。 S2´:W´=(S2´−L2min):D´ したがって、数17になる。
【0056】
【数17】
【0057】また、d/d2=m1/2=Mと数17から
D/M={(S2´−L2min)/S2´}W´であ
るから、数18が得られる。
【0058】
【数18】
【0059】同様にしてL2の最大値L2maxを求め
ると、 S2´:W´=(L2max−S2´):D´ したがって、数19になる。
【0060】
【数19】
【0061】また、d/d2=m1/2=Mと数19から
D/M={(L2max−S2´)/S2´}W´であ
るから、数20が得られる。
【0062】
【数20】
【0063】したがって、数18、数20より、数21
が得られる。
【0064】
【数21】
【0065】そして、M=21/2に設定することによ
り、範囲D2の面積を範囲Dの面積の1/2以下にする
ことができる。ただし、アレイ検出器5として一次元的
な光強度分布を測定するもの(2次元的なアレイ検出器
のうち特定の一次元的な方向に配列したピクセルの値を
利用して一次元的な光強度分布を測定する場合を含む。
以下同じ)を採用した場合には、d/d2=m1/2=M
に代えてd/d2=m=Mを採用すればよい(ここで
は、d、d2はそれぞれ範囲D、D2の長さである)。
したがって、上式においてM=2に設定することによ
り、範囲D2の面積(長さ)を範囲Dの面積(長さ)の
1/2以下にすることができる。
【0066】また、図7に示す実施例においてレンズ3
とアレイ検出器5との距離をLとすれば、前記範囲D2
の面積が、ガラス基板4の表面の薄膜層4aからの反射
光ビームがレンズ7によりアレイ検出器5上に照射され
る範囲Dの面積の1/m以下である場合の、Lのとり得
る範囲は以下のようにして算出される。π(d/2)2
/π(d2/2)2=mであるから、d/d2=m1/2
Mとなる。
【0067】Lの最小値Lminは以下の式により定ま
る。 S1´:W´=(S1´−Lmin):D´ したがって、数22になる。
【0068】
【数22】
【0069】また、d/d2=m1/2=Mと数22から
D/M={(S1´−Lmin)/S1´}W´である
から、Lmin=S1´{1−(D/MW´)}が得ら
れる。したがって、数9より数23が得られる。
【0070】
【数23】
【0071】同様にしてLの最大値Lmaxを求める
と、 S1´:W´=(Lmax−S1´):D´ したがって、数24になる。
【0072】
【数24】
【0073】また、d/d2=m1/2=Mと数24から
D/M={(Lmax−S1´)/S1´}W´である
から、Lmax=S1´{1+(D/MW´)}が得ら
れる。したがって、数9より数25が得られる。
【0074】
【数25】
【0075】したがって、数22、数24より、数26
が得られる。
【0076】
【数26】
【0077】そして、M=21/2に設定することによ
り、範囲D2の面積を範囲Dの面積の1/2以下にする
ことができる。ただし、アレイ検出器5として一次元の
ものを採用した場合には、d/d2=m1/2=Mに代え
てd/d2=m=Mを採用すればよい(ここでは、d、
d2はそれぞれ範囲D、D2の長さである)。したがっ
て、上式においてM=2に設定することにより、範囲D
2の面積(長さ)を範囲Dの面積(長さ)の1/2以下
にすることができる。
【0078】図9、図10はアレイ検出器5の受光幅に
対する基板4の裏面からの反射光ビームの影響が与える
割合に対して測定誤差が変化する様子を実測した図であ
り、図9がアレイ検出器5として一次元的なものを採用
した場合を、図10がアレイ検出器5として二次元的な
ものを採用した場合をそれぞれ示している。また、図9
は膜厚が3710オングストロームのITO膜に対する
測定を行った場合における測定誤差(オングストロー
ム)の、(基板裏面における反射光の影響を受ける長さ
/アレイ検出器の受光幅)の変化に対する変動を示して
いる。図10は膜厚が3710オングストロームのIT
O膜に対する測定を行った場合における測定誤差(オン
グストローム)の、(基板裏面における反射光の影響を
受ける面積/アレイ検出器の受光面積)の変化に対する
変動を示している。測定誤差が約1オングストロームま
での範囲であれば、使用上十分満足できる測定誤差であ
るといえる。この範囲は、アレイ検出器5が一次元的な
ものである場合には、(基板裏面における反射光の影響
を受ける長さ/アレイ検出器の受光幅)が約70%以下
の範囲であり、アレイ検出器5が二次元的なものである
場合には、(基板裏面における反射光の影響を受ける面
積/アレイ検出器の受光面積)が約50%以下の範囲で
ある。ただし、測定誤差をより小さくする必要がある場
合には、(基板裏面における反射光の影響を受ける長さ
/アレイ検出器の受光幅)を約30%以下の範囲に設定
し、アレイ検出器5が二次元的なものである場合には、
(基板裏面における反射光の影響を受ける面積/アレイ
検出器の受光面積)を約10%以下の範囲に設定すれば
よい。
【0079】なお、以上には、レンズ3による入射光ビ
ームの集光位置が薄膜層の表面である場合について説明
したが、上記集光位置が薄膜層よりも手前であり、入射
光ビームが一旦集光した後に発散する状態で薄膜層に照
射される場合であっても、同様に光学定数の測定を行う
ことができる。さらに、以上には基板4の裏面からの反
射光ビームをそのままアレイ検出器5に照射させている
が、アレイ検出器5の前面にマスク部材を設けて基板4
の裏面からの反射光ビームの照射を阻止することもでき
る。
【0080】
【発明の効果】請求項1の発明は、透光性のある基板の
裏面における反射光の影響を除去することができ、この
結果、高精度に光学定数を測定することができるという
特有の効果を奏する。請求項2の発明は、基板表面にお
ける反射光の光ビーム内光強度分布のみに基づいて高精
度に光学定数を測定することができるという特有の効果
を奏する。
【0081】請求項3の発明は、基板裏面における反射
光の影響を受けない受光部位の面積を十分に大きくする
ことができ、この結果、高精度に光学定数を測定するこ
とができるという特有の効果を奏する。請求項4の発明
は、10個以上の受光ピクセルにより検出される光強度
分布に基づいて十分な精度で光学定数を測定することが
できるという特有の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の光学定数測定の原理を説明する図で
ある。
【図2】S偏光成分の反射率の入射角に対する変化特性
の例を示す図である。
【図3】P偏光成分の反射率の入射角に対する変化特性
の例を示す図である。
【図4】入射光を多重反射する数学モデルを概略的に示
す図である。
【図5】コンピュータにおいて、アレイ検出器の各セン
サ素子の出力信号から得られる、角度に応じた反射率の
計算値を用いて薄膜層の膜厚を求めるための処理を説明
するフローチャートである。
【図6】コンピュータにおいて、アレイ検出器の各セン
サ素子の出力信号から得られる、角度に応じた反射率の
計算値を用いて薄膜層または基板の屈折率を求めるため
の処理を説明するフローチャートである。
【図7】基板裏面からの反射光ビームの影響を少なくす
るための実施例を示す概略図である。
【図8】基板裏面からの反射光ビームの影響を少なくす
るための他の実施例を示す概略図である。
【図9】一次元的なアレイ検出器の受光幅に対する基板
の裏面からの反射光ビームの影響が与える割合に対して
測定誤差が変化する様子を実測した図である。
【図10】二次元的なアレイ検出器の受光面積に対する
基板の裏面からの反射光ビームの影響が与える割合に対
して測定誤差が変化する様子を実測した図である。
【符号の説明】
3,7 レンズ 4 透光性のある基板 4a 薄膜層 5 アレイ検出器 6 コンピュータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 21/00 - 21/01 G01N 21/17 - 21/61 PATOLIS

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透光性のある基板(4)表面に収束光ま
    たは発散光を照射し、該収束光または発散光の前記透光
    性のある基板(4)における反射光の光ビーム内光強度
    分布をアレイ検出器(5)を用いて検出し、該光強度分
    布のうち、前記収束光または発散光の前記透光性のある
    基板(4)表面における反射光が導かれるとともに、裏
    面における反射光が入射しない範囲における光強度分布
    に基づいて前記透光性のある基板(4)の光学定数また
    は前記透光性のある基板(4)表面に形成された薄膜
    (4a)の光学定数を測定することを特徴とする光学定
    数測定方法。
  2. 【請求項2】 透光性のある基板(4)表面に収束光ま
    たは発散光を照射する照射系光学系(3)と、前記収束
    光または発散光の前記透光性のある基板(4)における
    反射光を導く受光光学系(3)(7)と、該受光光学系
    (3)(7)により導かれた該反射光の光ビーム内光強
    度分布を検出するアレイ検出器(5)と、検出された該
    光ビーム内光強度分布に基づいて前記透光性のある基板
    (4)の光学定数または前記透光性のある基板(4)表
    面に形成された薄膜(4a)の光学定数を算出する光学
    定数算出手段(6)とを備え、かつ、前記受光光学系
    (3)(7)は、前記収束光または発散光の前記透光性
    のある基板(4)表面における反射光の少なくとも一部
    を、前記アレイ検出器(5)の、前記収束光または発散
    光の前記透光性のある基板(4)裏面における反射光が
    導かれない前記アレイ検出器(5)の受光部位に導くも
    のであり、前記光学定数算出手段(6)は、前記アレイ
    検出器(5)の、前記収束光または発散光の前記透光性
    のある基板(4)裏面における反射光が導かれない前記
    アレイ検出器(5)の受光部位によって検出された光ビ
    ーム内強度分布に基づいて前記透光性のある基板(4)
    の光学定数または前記透光性のある基板(4)表面に形
    成された薄膜(4a)の光学定数を算出するものである
    ことを特徴とする光学定数測定装置。
  3. 【請求項3】 前記受光光学系(3)(7)は、前記収
    束光または前記発散光の前記透光性のある基板(4)表
    面における反射光が導かれるアレイ検出器(5)の受光
    部位の面積が、前記収束光または前記発散光の前記透光
    性のある基板(4)裏面における反射光が導かれるアレ
    イ検出器(5)の受光部位の面積の2倍以上となるよう
    に前記透光性のある基板(4)における反射光を導くも
    のである請求項2に記載の光学定数測定装置。
  4. 【請求項4】前記アレイ検出器(5)は1次元または2
    次元のアレイセンサであり、前記受光光学系(3)
    (7)は、前記収束光または発散光の前記透光性のある
    基板(4)表面における反射光が導かれ、かつ前記収束
    光または発散光の前記透光性のある基板(4)裏面にお
    ける反射光が導かれない前記アレイセンサ(5)の受光
    部位における受光ピクセル数が10個以上となるように
    前記透光性のある基板(4)における反射光を導くもの
    である請求項2に記載の光学定数測定装置。
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JP4100330B2 (ja) * 2003-11-10 2008-06-11 オムロン株式会社 薄膜測定方法及び薄膜測定装置
JP4084817B2 (ja) * 2005-09-16 2008-04-30 テクノス株式会社 膜厚測定方法及び膜厚測定装置
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