JP3485561B1 - 無電解メッキ方法および無電解メッキ装置 - Google Patents
無電解メッキ方法および無電解メッキ装置Info
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Abstract
【要約】
【課題】 形成されるメッキ膜の均一性の向上を図れる
無電解メッキ方法を提供する。 【解決手段】 無電解メッキ液を供給し、反応促進条件
を付与することでメッキ膜の形成を開始させる。無電解
メッキ液を供給した段階ではメッキ膜の形成が行われな
いか、行われてもその膜形成の速度が小さい。このた
め、メッキ膜の本格的な形成が行われる以前に無電解メ
ッキ液を基板上に行き渡らせて、無電解メッキ膜の均一
性を向上できる。
無電解メッキ方法を提供する。 【解決手段】 無電解メッキ液を供給し、反応促進条件
を付与することでメッキ膜の形成を開始させる。無電解
メッキ液を供給した段階ではメッキ膜の形成が行われな
いか、行われてもその膜形成の速度が小さい。このた
め、メッキ膜の本格的な形成が行われる以前に無電解メ
ッキ液を基板上に行き渡らせて、無電解メッキ膜の均一
性を向上できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解メッキ膜を
形成する無電解メッキ方法に関する。
形成する無電解メッキ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの作成に際して半導体基
板上への配線の形成が行われる。半導体デバイスの集積
度の向上に伴って配線の微細化が進められており、これ
に対応して配線の作成技術の開発が行われている。例え
ば、銅配線の形成方法として、銅のシード層をスパッタ
リングで形成し、電気メッキで溝等を埋め込むことで配
線および層間接続を形成するデュアルダマシン法が実用
化されている。但し、この手法では、シード層が形成さ
れていない被メッキ面への電気メッキの形成が困難であ
る。一方、シード層を必要としないメッキ法として無電
解メッキ法がある。無電解メッキは化学還元によってメ
ッキ膜を形成するものであり、形成されたメッキ膜が自
己触媒として作用することで配線材料からなるメッキ膜
を連続的に形成することができる。無電解メッキはシー
ド層を事前に作成する必要がなく（もしくは、被メッキ
面全体へのシード層の形成が不要）、シード層の形成時
での膜厚の不均一性（特に、凹部、凸部におけるステッ
プカバレージ）を考慮しなくても済む利点がある。無電
解メッキに関して、以下のような技術が公開されてい
る。
板上への配線の形成が行われる。半導体デバイスの集積
度の向上に伴って配線の微細化が進められており、これ
に対応して配線の作成技術の開発が行われている。例え
ば、銅配線の形成方法として、銅のシード層をスパッタ
リングで形成し、電気メッキで溝等を埋め込むことで配
線および層間接続を形成するデュアルダマシン法が実用
化されている。但し、この手法では、シード層が形成さ
れていない被メッキ面への電気メッキの形成が困難であ
る。一方、シード層を必要としないメッキ法として無電
解メッキ法がある。無電解メッキは化学還元によってメ
ッキ膜を形成するものであり、形成されたメッキ膜が自
己触媒として作用することで配線材料からなるメッキ膜
を連続的に形成することができる。無電解メッキはシー
ド層を事前に作成する必要がなく（もしくは、被メッキ
面全体へのシード層の形成が不要）、シード層の形成時
での膜厚の不均一性（特に、凹部、凸部におけるステッ
プカバレージ）を考慮しなくても済む利点がある。無電
解メッキに関して、以下のような技術が公開されてい
る。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−７３１５７号公報（第４
頁、第１図）
頁、第１図）
【特許文献２】特開２００１−３４２５７３号公報（第
４−５頁、第２、３図）
４−５頁、第２、３図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、無電解
メッキでは、例えば、ビア・ホールやトレンチ等の微細
な凹部内にメッキ膜を形成するときに、凹部内にボイド
（空孔）が生じ、凹部内へのメッキ膜の形成の均一性に
欠ける可能性がある。この原因として、無電解メッキで
は触媒活性を有する基板にメッキ液が接触することでメ
ッキ膜の形成が行われるため、凹部内にメッキ液が充填
される以前にメッキ膜の形成が開始されることが考えら
れる。以上に鑑み本発明は、形成されるメッキ膜の均一
性の向上を図れる無電解メッキ方法を提供することを目
的とする。
メッキでは、例えば、ビア・ホールやトレンチ等の微細
な凹部内にメッキ膜を形成するときに、凹部内にボイド
（空孔）が生じ、凹部内へのメッキ膜の形成の均一性に
欠ける可能性がある。この原因として、無電解メッキで
は触媒活性を有する基板にメッキ液が接触することでメ
ッキ膜の形成が行われるため、凹部内にメッキ液が充填
される以前にメッキ膜の形成が開始されることが考えら
れる。以上に鑑み本発明は、形成されるメッキ膜の均一
性の向上を図れる無電解メッキ方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】Ａ．上記目的を達成する
ために、本発明に係る無電解メッキ方法は、基板上に無
電解メッキ液を供給するメッキ液供給ステップと、前記
メッキ液供給ステップで基板上に供給された無電解メッ
キ液に反応を促進する反応促進条件を付与する反応促進
条件付与ステップと、前記反応促進条件付与ステップで
反応促進条件が付与された無電解メッキ液によって前記
基板上にメッキ膜を形成するメッキ膜形成ステップと、
を具備することを特徴とする。無電解メッキ液を供給
し、反応促進条件を付与することでメッキ膜の形成が開
始される。無電解メッキ液を供給した段階（反応促進条
件が付与される以前）ではメッキ膜の形成が行われない
か、行われてもその膜形成の速度が小さい。このため、
メッキ膜の本格的な形成が行われる以前に無電解メッキ
液を基板上に行き渡らせ、例えば、凹部を無電解メッキ
液で充填させることができる。無電解メッキ液が行き渡
った状態で無電解メッキが行われることから、無電解メ
ッキ膜の均一性を向上できる。
ために、本発明に係る無電解メッキ方法は、基板上に無
電解メッキ液を供給するメッキ液供給ステップと、前記
メッキ液供給ステップで基板上に供給された無電解メッ
キ液に反応を促進する反応促進条件を付与する反応促進
条件付与ステップと、前記反応促進条件付与ステップで
反応促進条件が付与された無電解メッキ液によって前記
基板上にメッキ膜を形成するメッキ膜形成ステップと、
を具備することを特徴とする。無電解メッキ液を供給
し、反応促進条件を付与することでメッキ膜の形成が開
始される。無電解メッキ液を供給した段階（反応促進条
件が付与される以前）ではメッキ膜の形成が行われない
か、行われてもその膜形成の速度が小さい。このため、
メッキ膜の本格的な形成が行われる以前に無電解メッキ
液を基板上に行き渡らせ、例えば、凹部を無電解メッキ
液で充填させることができる。無電解メッキ液が行き渡
った状態で無電解メッキが行われることから、無電解メ
ッキ膜の均一性を向上できる。
【０００６】（１）ここで、反応促進条件は、無電解メ
ッキ液の温度の上昇によって実現可能である。温度の上
昇によって無電解メッキ液の反応を促進し、無電解メッ
キ液の温度の上昇は、無電解メッキ液を基板によって
（基板を介して）、あるいは輻射熱によって加熱するこ
とによって行える。また、この温度上昇は、基板上に供
給される無電解メッキ液の温度を制御することによって
も行える。
ッキ液の温度の上昇によって実現可能である。温度の上
昇によって無電解メッキ液の反応を促進し、無電解メッ
キ液の温度の上昇は、無電解メッキ液を基板によって
（基板を介して）、あるいは輻射熱によって加熱するこ
とによって行える。また、この温度上昇は、基板上に供
給される無電解メッキ液の温度を制御することによって
も行える。
【０００７】（２）反応促進条件は、無電解メッキ液の
組成を変化させることによっても実現可能である。例え
ば、金属塩の濃度やｐＨを変化させることで、メッキ膜
の生成速度を変化させることができる。無電解メッキ液
の組成の変化は、基板上に供給される無電解メッキ液を
切り換えること、あるいは前記基板上に供給される無電
解メッキ液を構成する複数の薬液の混合比を変化するこ
とによって行える。
組成を変化させることによっても実現可能である。例え
ば、金属塩の濃度やｐＨを変化させることで、メッキ膜
の生成速度を変化させることができる。無電解メッキ液
の組成の変化は、基板上に供給される無電解メッキ液を
切り換えること、あるいは前記基板上に供給される無電
解メッキ液を構成する複数の薬液の混合比を変化するこ
とによって行える。
【０００８】Ｂ．本発明に係る無電解メッキ方法は、基
板上に、第１の無電解メッキ液によって、第１の膜形成
速度で、第１のメッキ膜を形成する第１のメッキ膜形成
ステップと、第１のメッキ膜形成ステップで第１のメッ
キ膜が形成された基板上に、第２の無電解メッキ液によ
って、第１の膜形成速度より大きい第２の膜形成速度
で、第２のメッキ膜を形成する第２のメッキ膜形成ステ
ップと、を具備することを特徴とする。第１のメッキ膜
形成ステップでは、それぞれ第１、第２の無電解メッキ
液を用いることでそれぞれ第１、第２の膜形成速度でメ
ッキ膜が形成される。第１の膜形成速度が第２の膜形成
速度よりも小さいことから、第１の無電解メッキ液によ
って基板上の比較的微細なパターンへのメッキ膜の形成
した後に、第２の無電解メッキ液により速やかにメッキ
膜を形成できる。この結果、基板上へのメッキ膜の形成
を均一性良く、しかも処理時間の長時間化を招くことな
く、実現することが可能となる。
板上に、第１の無電解メッキ液によって、第１の膜形成
速度で、第１のメッキ膜を形成する第１のメッキ膜形成
ステップと、第１のメッキ膜形成ステップで第１のメッ
キ膜が形成された基板上に、第２の無電解メッキ液によ
って、第１の膜形成速度より大きい第２の膜形成速度
で、第２のメッキ膜を形成する第２のメッキ膜形成ステ
ップと、を具備することを特徴とする。第１のメッキ膜
形成ステップでは、それぞれ第１、第２の無電解メッキ
液を用いることでそれぞれ第１、第２の膜形成速度でメ
ッキ膜が形成される。第１の膜形成速度が第２の膜形成
速度よりも小さいことから、第１の無電解メッキ液によ
って基板上の比較的微細なパターンへのメッキ膜の形成
した後に、第２の無電解メッキ液により速やかにメッキ
膜を形成できる。この結果、基板上へのメッキ膜の形成
を均一性良く、しかも処理時間の長時間化を招くことな
く、実現することが可能となる。
【０００９】（１）無電解メッキ方法が、前記第２のメ
ッキ膜形成ステップに先だって、前記第１のメッキ膜形
成ステップで用いられた第１の無電解メッキ液を基板上
から除去する無電解メッキ液除去ステップをさらに具備
してもよい。第１の無電解メッキ液を基板上から除去す
ることで、第２の無電解メッキ液への第１の無電解メッ
キ液の混入を防止できる。
ッキ膜形成ステップに先だって、前記第１のメッキ膜形
成ステップで用いられた第１の無電解メッキ液を基板上
から除去する無電解メッキ液除去ステップをさらに具備
してもよい。第１の無電解メッキ液を基板上から除去す
ることで、第２の無電解メッキ液への第１の無電解メッ
キ液の混入を防止できる。
【００１０】（２）前記第１、第２のメッキ液が、互い
に異なるメッキ液貯蔵部から供給されてもよい。メッキ
を供給するメッキ貯蔵部を切り換えることで、第１、第
２のメッキ液を適宜に供給できる。
に異なるメッキ液貯蔵部から供給されてもよい。メッキ
を供給するメッキ貯蔵部を切り換えることで、第１、第
２のメッキ液を適宜に供給できる。
【００１１】（３）前記第１、第２のメッキ液が、複数
の薬液を混合する薬液混合部を経由して供給されてもよ
い。薬液混合部での薬液の混合比を変化させることで、
第１、第２のメッキ液を適宜に供給できる。
の薬液を混合する薬液混合部を経由して供給されてもよ
い。薬液混合部での薬液の混合比を変化させることで、
第１、第２のメッキ液を適宜に供給できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る無
電解メッキ方法を図面を参照して詳細に説明する。 （第１実施形態）図１は、本発明の第１実施形態に係る
無電解メッキ方法の手順の一例を表すフロー図である。
また、図２は図１の手順により処理された基板たるウエ
ハＷの断面状態を表す断面図である。さらに、図３は図
１の手順による無電解メッキを実行可能な無電解メッキ
装置１０の一例を示す一部断面図である。先に図２の処
理の概略を説明する（詳細は後述）。凹部を有するウエ
ハＷ（図２（Ａ））にメッキ液Ｌを供給、保持し（ステ
ップＳ１３および図２（Ｂ））、その後にメッキ液Ｌを
加熱して反応を促進しウエハＷにメッキ膜Ｐを形成する
（ステップＳ１４および図２（Ｃ））。ステップＳ１３
でメッキ液Ｌを供給、保持し、メッキ液Ｌを凹部も含め
たウエハＷ全体に行き渡らせることができる。その後の
ステップＳ１４で、メッキ液Ｌを昇温することでメッキ
膜が形成される。メッキ液Ｌが行き渡った状態で無電解
メッキが行われることから、メッキ膜の形成の均一性を
向上できる。
電解メッキ方法を図面を参照して詳細に説明する。 （第１実施形態）図１は、本発明の第１実施形態に係る
無電解メッキ方法の手順の一例を表すフロー図である。
また、図２は図１の手順により処理された基板たるウエ
ハＷの断面状態を表す断面図である。さらに、図３は図
１の手順による無電解メッキを実行可能な無電解メッキ
装置１０の一例を示す一部断面図である。先に図２の処
理の概略を説明する（詳細は後述）。凹部を有するウエ
ハＷ（図２（Ａ））にメッキ液Ｌを供給、保持し（ステ
ップＳ１３および図２（Ｂ））、その後にメッキ液Ｌを
加熱して反応を促進しウエハＷにメッキ膜Ｐを形成する
（ステップＳ１４および図２（Ｃ））。ステップＳ１３
でメッキ液Ｌを供給、保持し、メッキ液Ｌを凹部も含め
たウエハＷ全体に行き渡らせることができる。その後の
ステップＳ１４で、メッキ液Ｌを昇温することでメッキ
膜が形成される。メッキ液Ｌが行き渡った状態で無電解
メッキが行われることから、メッキ膜の形成の均一性を
向上できる。
【００１３】（無電解メッキ装置の詳細）先に無電解メ
ッキ装置につき説明する。無電解メッキ装置１０は、処
理液を用いて基板たるウエハＷへの無電解メッキ処理、
その前処理、メッキ後の洗浄処理および乾燥処理を行う
ことができる。即ち、処理液としては、無電解メッキ用
の薬液の他に、メッキの前処理、後処理用の薬液、純水
等種々の液体を含めることができる。
ッキ装置につき説明する。無電解メッキ装置１０は、処
理液を用いて基板たるウエハＷへの無電解メッキ処理、
その前処理、メッキ後の洗浄処理および乾燥処理を行う
ことができる。即ち、処理液としては、無電解メッキ用
の薬液の他に、メッキの前処理、後処理用の薬液、純水
等種々の液体を含めることができる。
【００１４】無電解メッキに用いる薬液（無電解メッキ
液）として以下の材料を混合し純水に溶解したものを用
いることができる。 金属塩：メッキ膜を構成する金属イオンを供給する材
料であり、メッキ膜が銅の場合には、例えば、硫酸銅、
硝酸銅、塩化銅である。 錯化剤：強アルカリ性下において、金属イオンが水酸
化物として沈殿しないように、金属を錯体化して液中で
の安定性を向上させるための材料であり、例えば、アミ
ン系材料としてＨＥＤＴＡ、ＥＤＴＡ、ＥＤ、有機系材
料としてクエン酸、酒石酸、グルコン酸を用いることが
できる。 還元剤：金属イオンを触媒的に還元析出させるための
材料であり、例えば、ホルムアルデヒド、次亜燐酸塩、
グルオキシル酸、硝酸塩（硝酸第二コバルト等）、ジメ
チルアミノボラン、塩化第二スズ、水素化ホウ素化合物
を用いることができる。 安定剤：酸化物（メッキ膜が銅の場合には酸化第二
銅）の不均一性に起因するメッキ液の自然分解を防止す
る材料であり、窒素系の材料として、例えば、１価の銅
と優先的に錯体を形成するビビルジル、シアン化合物、
チオ尿素、０−フェナントロリン、ネオブロインを用い
ることができる。 ｐＨ緩衝剤：メッキ液の反応が進んだときのｐＨの変
化を抑制するための材料であり、例えば、ホウ酸、炭
酸、オキシカルボン酸を用いることができる。 添加剤：添加剤にはメッキ膜の析出の促進、抑制を行
う材料や、表面またはメッキ膜の改質を行う材料があ
る。 ・メッキ膜の析出速度を抑制し、メッキ液の安定化およ
びメッキ膜の特性を改善するための材料としては、硫黄
系の材料として、例えば、チオ硫酸、２−ＭＢＴを用い
ることができる。 ・メッキ液の表面張力を低下させ、ウエハＷの面上にメ
ッキ液が均一に配置されるようにするための材料として
は、界面活性剤のノニオン系材料として例えばポリアル
キレングリコール、ポリエチレングリコールを用いるこ
とができる。
液）として以下の材料を混合し純水に溶解したものを用
いることができる。 金属塩：メッキ膜を構成する金属イオンを供給する材
料であり、メッキ膜が銅の場合には、例えば、硫酸銅、
硝酸銅、塩化銅である。 錯化剤：強アルカリ性下において、金属イオンが水酸
化物として沈殿しないように、金属を錯体化して液中で
の安定性を向上させるための材料であり、例えば、アミ
ン系材料としてＨＥＤＴＡ、ＥＤＴＡ、ＥＤ、有機系材
料としてクエン酸、酒石酸、グルコン酸を用いることが
できる。 還元剤：金属イオンを触媒的に還元析出させるための
材料であり、例えば、ホルムアルデヒド、次亜燐酸塩、
グルオキシル酸、硝酸塩（硝酸第二コバルト等）、ジメ
チルアミノボラン、塩化第二スズ、水素化ホウ素化合物
を用いることができる。 安定剤：酸化物（メッキ膜が銅の場合には酸化第二
銅）の不均一性に起因するメッキ液の自然分解を防止す
る材料であり、窒素系の材料として、例えば、１価の銅
と優先的に錯体を形成するビビルジル、シアン化合物、
チオ尿素、０−フェナントロリン、ネオブロインを用い
ることができる。 ｐＨ緩衝剤：メッキ液の反応が進んだときのｐＨの変
化を抑制するための材料であり、例えば、ホウ酸、炭
酸、オキシカルボン酸を用いることができる。 添加剤：添加剤にはメッキ膜の析出の促進、抑制を行
う材料や、表面またはメッキ膜の改質を行う材料があ
る。 ・メッキ膜の析出速度を抑制し、メッキ液の安定化およ
びメッキ膜の特性を改善するための材料としては、硫黄
系の材料として、例えば、チオ硫酸、２−ＭＢＴを用い
ることができる。 ・メッキ液の表面張力を低下させ、ウエハＷの面上にメ
ッキ液が均一に配置されるようにするための材料として
は、界面活性剤のノニオン系材料として例えばポリアル
キレングリコール、ポリエチレングリコールを用いるこ
とができる。
【００１５】図３に示すように無電解メッキ装置１０
は、ベース１１、中空モータ１２，基板保持部たるウエ
ハチャック２０，上部プレート３０，下部プレート４
０、カップ５０，ノズルアーム６１，６２，傾斜調節部
たる基板傾斜機構７０，液供給機構８０を有する。ここ
で、中空モータ１２、ウエハチャック２０，上部プレー
ト３０，下部プレート４０、カップ５０，ノズルアーム
６１，６２は、直接的あるいは間接的にベース１１に接
続され、ベース１１と共に移動、基板傾斜機構７０によ
る傾斜等が行われる。
は、ベース１１、中空モータ１２，基板保持部たるウエ
ハチャック２０，上部プレート３０，下部プレート４
０、カップ５０，ノズルアーム６１，６２，傾斜調節部
たる基板傾斜機構７０，液供給機構８０を有する。ここ
で、中空モータ１２、ウエハチャック２０，上部プレー
ト３０，下部プレート４０、カップ５０，ノズルアーム
６１，６２は、直接的あるいは間接的にベース１１に接
続され、ベース１１と共に移動、基板傾斜機構７０によ
る傾斜等が行われる。
【００１６】ウエハチャック２０は、ウエハＷを保持・
固定するものであり、ウエハ保持爪２１，ウエハチャッ
ク底板２３、ウエハチャック支持部２４から構成され
る。ウエハ保持爪２１は、ウエハチャック底板２３の外
周上に複数個配置され、ウエハＷを保持、固定する。ウ
エハチャック底板２３は、ウエハチャック支持部２４の
上面に接続された略円形の平板であり、カップ５０の底
面上に配置されている。ウエハチャック支持部２４は、
略円筒形状であり、ウエハチャック底板２３に設けられ
た円形状の開口部に接続され、かつ中空モータ１２の回
転軸を構成する。この結果、中空モータ１２を駆動する
ことで、ウエハＷを保持したままで、ウエハチャック２
０を回転させることができる。
固定するものであり、ウエハ保持爪２１，ウエハチャッ
ク底板２３、ウエハチャック支持部２４から構成され
る。ウエハ保持爪２１は、ウエハチャック底板２３の外
周上に複数個配置され、ウエハＷを保持、固定する。ウ
エハチャック底板２３は、ウエハチャック支持部２４の
上面に接続された略円形の平板であり、カップ５０の底
面上に配置されている。ウエハチャック支持部２４は、
略円筒形状であり、ウエハチャック底板２３に設けられ
た円形状の開口部に接続され、かつ中空モータ１２の回
転軸を構成する。この結果、中空モータ１２を駆動する
ことで、ウエハＷを保持したままで、ウエハチャック２
０を回転させることができる。
【００１７】上部プレート３０は、略円形の平板形状で
あり、ヒータＨ（図示せず）、処理液吐出口３１、処理
液流入部３２，温度測定機構３３を有し、かつ昇降機構
３４に接続されている。ヒータＨは上部プレート３０を
加熱するための電熱線等の加熱手段である。ヒータＨは
温度測定機構３３での温度測定結果に対応して、上部プ
レート３０、ひいてはウエハＷが所望の温度に保持され
るように（例えば、室温から６０℃程度の範囲）、図示
しない制御手段により発熱量が制御される。処理液吐出
口３１は、上部プレート３０の下面に単数または複数形
成され、処理液流入部３２から流入した処理液を吐出す
る。処理液流入部３２は上部プレート３０の上面側にあ
って、処理液が流入し、流入した処理液は処理液吐出口
３１へと分配される。処理液流入部３２に流入する処理
液は、純水（ＲＴ：室温）、加熱された薬液１，２（例
えば、室温から６０℃程度の範囲）を切り替えて用いる
ことができる。また、後述するミキシングボックス８５
で混合された薬液１，２（場合により、他の薬液を含む
複数の薬液を混合して）を処理液流入部３２に流入させ
ることもできる。温度測定機構３３は、上部プレート３
０に埋め込まれた熱電対等の温度測定手段であり、上部
プレート３０の温度を測定する。昇降機構３４は、上部
プレート３０に接続され、上部プレート３０をウエハＷ
に対向した状態で上下に昇降し、例えば、ウエハＷとの
間隔を０．１〜５００ｍｍの間で制御することができ
る。無電解メッキ中においてはウエハＷと上部プレート
３０を近接させ（例えば、ウエハＷと上部プレート３０
との間隔が２ｍｍ以下）、これらのギャップの空間の大
きさを制限し、ウエハＷの面上に供給される処理液の均
一化、および使用量の低減を図ることができる。
あり、ヒータＨ（図示せず）、処理液吐出口３１、処理
液流入部３２，温度測定機構３３を有し、かつ昇降機構
３４に接続されている。ヒータＨは上部プレート３０を
加熱するための電熱線等の加熱手段である。ヒータＨは
温度測定機構３３での温度測定結果に対応して、上部プ
レート３０、ひいてはウエハＷが所望の温度に保持され
るように（例えば、室温から６０℃程度の範囲）、図示
しない制御手段により発熱量が制御される。処理液吐出
口３１は、上部プレート３０の下面に単数または複数形
成され、処理液流入部３２から流入した処理液を吐出す
る。処理液流入部３２は上部プレート３０の上面側にあ
って、処理液が流入し、流入した処理液は処理液吐出口
３１へと分配される。処理液流入部３２に流入する処理
液は、純水（ＲＴ：室温）、加熱された薬液１，２（例
えば、室温から６０℃程度の範囲）を切り替えて用いる
ことができる。また、後述するミキシングボックス８５
で混合された薬液１，２（場合により、他の薬液を含む
複数の薬液を混合して）を処理液流入部３２に流入させ
ることもできる。温度測定機構３３は、上部プレート３
０に埋め込まれた熱電対等の温度測定手段であり、上部
プレート３０の温度を測定する。昇降機構３４は、上部
プレート３０に接続され、上部プレート３０をウエハＷ
に対向した状態で上下に昇降し、例えば、ウエハＷとの
間隔を０．１〜５００ｍｍの間で制御することができ
る。無電解メッキ中においてはウエハＷと上部プレート
３０を近接させ（例えば、ウエハＷと上部プレート３０
との間隔が２ｍｍ以下）、これらのギャップの空間の大
きさを制限し、ウエハＷの面上に供給される処理液の均
一化、および使用量の低減を図ることができる。
【００１８】下部プレート４０は、ウエハＷの下面に対
向して配置された略円形の平板形状であり、ウエハＷに
近接した状態でその下面へ加熱された純水の供給を行う
ことで、ウエハＷを適宜に加熱することができる。ウエ
ハＷの加熱を効率よく行うためには、下部プレート４０
の大きさがウエハＷの大きさに近似することが好まし
い。具体的には、下部プレート４０の大きさがウエハＷ
の面積の８０％以上、あるいは９０％以上とすることが
好ましい。下部プレート４０は、その上面の中央に処理
液吐出口４１が形成され、支持部４２で支持されてい
る。処理液吐出口４１は、支持部４２内を通過した処理
液が吐出する。処理液は純水（ＲＴ：室温）、加熱され
た純水（例えば、室温から６０℃程度の範囲）を切り替
えて用いることができる。支持部４２は、中空モータ１
２を貫通し、間隔調節部たる昇降機構（図示せず）に接
続されている。昇降機構を動作することで、支持部４
２、ひいては下部プレート４０を上下に昇降することが
できる。
向して配置された略円形の平板形状であり、ウエハＷに
近接した状態でその下面へ加熱された純水の供給を行う
ことで、ウエハＷを適宜に加熱することができる。ウエ
ハＷの加熱を効率よく行うためには、下部プレート４０
の大きさがウエハＷの大きさに近似することが好まし
い。具体的には、下部プレート４０の大きさがウエハＷ
の面積の８０％以上、あるいは９０％以上とすることが
好ましい。下部プレート４０は、その上面の中央に処理
液吐出口４１が形成され、支持部４２で支持されてい
る。処理液吐出口４１は、支持部４２内を通過した処理
液が吐出する。処理液は純水（ＲＴ：室温）、加熱され
た純水（例えば、室温から６０℃程度の範囲）を切り替
えて用いることができる。支持部４２は、中空モータ１
２を貫通し、間隔調節部たる昇降機構（図示せず）に接
続されている。昇降機構を動作することで、支持部４
２、ひいては下部プレート４０を上下に昇降することが
できる。
【００１９】カップ５０は、ウエハチャック２０をその
中に保持し、かつウエハＷの処理に用いられた処理液を
受け止め排出するものであり、カップ側部５１，カップ
底板５２，廃液管５３を有する。カップ側部５１は、そ
の内周がウエハチャック２０の外周に沿う略円筒形であ
り、その上端がウエハチャック２０の保持面の上方近傍
に位置している。カップ底板５２は，カップ側部５１の
下端に接続され、中空モータ１２に対応する位置に開口
部を有し、その開口部に対応する位置にウエハチャック
２０が配置されている。廃液管５３は、カップ底板５２
に接続され、カップ５０から廃液（ウエハＷを処理した
処理液）を無電解メッキ装置１０が設置された工場の廃
液ライン等へと排出するための配管である。カップ５０
は、図示しない昇降機構に接続され、ベース１１とウエ
ハＷに対して上下に移動することができる。
中に保持し、かつウエハＷの処理に用いられた処理液を
受け止め排出するものであり、カップ側部５１，カップ
底板５２，廃液管５３を有する。カップ側部５１は、そ
の内周がウエハチャック２０の外周に沿う略円筒形であ
り、その上端がウエハチャック２０の保持面の上方近傍
に位置している。カップ底板５２は，カップ側部５１の
下端に接続され、中空モータ１２に対応する位置に開口
部を有し、その開口部に対応する位置にウエハチャック
２０が配置されている。廃液管５３は、カップ底板５２
に接続され、カップ５０から廃液（ウエハＷを処理した
処理液）を無電解メッキ装置１０が設置された工場の廃
液ライン等へと排出するための配管である。カップ５０
は、図示しない昇降機構に接続され、ベース１１とウエ
ハＷに対して上下に移動することができる。
【００２０】ノズルアーム６１，６２は、ウエハＷの上
面近傍に配置され、その先端の開口部から処理液、エア
ー等の流体を吐出する。吐出する流体は純水、薬液、窒
素ガスを適宜に選択することができる。ノズルアーム６
１，６２にはそれぞれ、ウエハＷの中央に向かう方向に
ノズルアーム６１，６２を移動させる移動機構（図示せ
ず）が接続されている。ウエハＷに流体を吐出する場合
にはノズルアーム６１，６２がウエハＷの上方に移動さ
れ、吐出が完了するとウエハＷの外周の外に移動され
る。なお、ノズルアームの数は吐出する薬液の量、種類
により単数もしくは３本以上にすることも可能である。
面近傍に配置され、その先端の開口部から処理液、エア
ー等の流体を吐出する。吐出する流体は純水、薬液、窒
素ガスを適宜に選択することができる。ノズルアーム６
１，６２にはそれぞれ、ウエハＷの中央に向かう方向に
ノズルアーム６１，６２を移動させる移動機構（図示せ
ず）が接続されている。ウエハＷに流体を吐出する場合
にはノズルアーム６１，６２がウエハＷの上方に移動さ
れ、吐出が完了するとウエハＷの外周の外に移動され
る。なお、ノズルアームの数は吐出する薬液の量、種類
により単数もしくは３本以上にすることも可能である。
【００２１】基板傾斜機構７０は，ベース１１に接続さ
れ、ベース１１の一端を上下させることで、ベース１
１、およびこれに接続されたウエハチャック２０，ウエ
ハＷ、上部プレート３０，下部プレート４０、カップ５
０を例えば、０〜１０°、あるいは０〜５°の範囲で傾
斜させる。図４は基板傾斜機構７０によって、ウエハＷ
等が傾斜された状態を表す一部断面図である。基板傾斜
機構７０によってベース１１が傾き、ベース１１に直接
的あるいは間接的に接続されたウエハＷ等が角度θ傾斜
していることが判る。
れ、ベース１１の一端を上下させることで、ベース１
１、およびこれに接続されたウエハチャック２０，ウエ
ハＷ、上部プレート３０，下部プレート４０、カップ５
０を例えば、０〜１０°、あるいは０〜５°の範囲で傾
斜させる。図４は基板傾斜機構７０によって、ウエハＷ
等が傾斜された状態を表す一部断面図である。基板傾斜
機構７０によってベース１１が傾き、ベース１１に直接
的あるいは間接的に接続されたウエハＷ等が角度θ傾斜
していることが判る。
【００２２】液供給機構８０は、上部プレート３０，下
部プレート４０に加熱された処理液を供給するものであ
り、温度調節機構８１，処理液タンク８２，８３，８
４、ポンプＰ１〜Ｐ５、バルブＶ１〜Ｖ５、ミキシング
ボックス８５から構成される。なお、図３は薬液１，２
と２種類の薬液を用いた場合を表しているが、処理タン
ク、ポンプ、バルブの数はミキシングボックス８５で混
合する薬液に数に応じて適宜に設定できる。温度調節機
構８１はその内部に温水、および処理液タンク８２〜８
４を有し、処理液タンク８２〜８４中の処理液（純水、
薬液１，２）を温水によって加熱する装置であり、処理
液を例えば、室温から６０℃程度の範囲で適宜に加熱す
る。この温度調節には、例えば、ウォータバス、投げ込
みヒータ、外部ヒータを適宜に用いることができる。処
理液タンク８２，８３，８４は、それぞれ、純水、薬液
１，２を保持するタンクである。ポンプＰ１〜Ｐ３は、
処理液タンク８２〜８４から処理液を吸い出す。なお、
処理液タンク８２〜８４をそれぞれ加圧することで、処
理液タンク８２〜８４からの送液を行ってもよい。バル
ブＶ１〜Ｖ３は配管の開閉を行い、処理液の供給および
供給停止を行う。また、バルブＶ４，Ｖ５は、それぞれ
上部プレート３０、下部プレート４０に室温の（加熱さ
れない）純水を供給するためのものである。ミキシング
ボックス８５は、処理液タンク８３，８４から送られた
薬液１，２を混合するための容器である。上部プレート
３０には、薬液１，２を適宜にミキシングボックス８５
で混合、温度調節して送ることができる。また、下部プ
レート４０には、温度調節された純水を適宜に送ること
ができる。
部プレート４０に加熱された処理液を供給するものであ
り、温度調節機構８１，処理液タンク８２，８３，８
４、ポンプＰ１〜Ｐ５、バルブＶ１〜Ｖ５、ミキシング
ボックス８５から構成される。なお、図３は薬液１，２
と２種類の薬液を用いた場合を表しているが、処理タン
ク、ポンプ、バルブの数はミキシングボックス８５で混
合する薬液に数に応じて適宜に設定できる。温度調節機
構８１はその内部に温水、および処理液タンク８２〜８
４を有し、処理液タンク８２〜８４中の処理液（純水、
薬液１，２）を温水によって加熱する装置であり、処理
液を例えば、室温から６０℃程度の範囲で適宜に加熱す
る。この温度調節には、例えば、ウォータバス、投げ込
みヒータ、外部ヒータを適宜に用いることができる。処
理液タンク８２，８３，８４は、それぞれ、純水、薬液
１，２を保持するタンクである。ポンプＰ１〜Ｐ３は、
処理液タンク８２〜８４から処理液を吸い出す。なお、
処理液タンク８２〜８４をそれぞれ加圧することで、処
理液タンク８２〜８４からの送液を行ってもよい。バル
ブＶ１〜Ｖ３は配管の開閉を行い、処理液の供給および
供給停止を行う。また、バルブＶ４，Ｖ５は、それぞれ
上部プレート３０、下部プレート４０に室温の（加熱さ
れない）純水を供給するためのものである。ミキシング
ボックス８５は、処理液タンク８３，８４から送られた
薬液１，２を混合するための容器である。上部プレート
３０には、薬液１，２を適宜にミキシングボックス８５
で混合、温度調節して送ることができる。また、下部プ
レート４０には、温度調節された純水を適宜に送ること
ができる。
【００２３】（無電解メッキ工程の詳細）図１に示した
ように、本発明の第１実施形態に係る無電解メッキ方法
では、ステップＳ１１〜Ｓ１８の順にウエハＷが処理さ
れる。以下、この処理手順の詳細を説明する。
ように、本発明の第１実施形態に係る無電解メッキ方法
では、ステップＳ１１〜Ｓ１８の順にウエハＷが処理さ
れる。以下、この処理手順の詳細を説明する。
【００２４】（１）ウエハＷの保持（ステップＳ１１、
図５、および図２（Ａ）） ウエハＷがウエハチャック２０上に保持される。例え
ば、ウエハＷをその上面で吸引した図示しない吸引アー
ム（基板搬送機構）がウエハチャック２０上にウエハＷ
を載置する。そして、ウエハチャック２０のウエハ保持
爪２１によってウエハＷを保持・固定する。なお、カッ
プ５０を降下させることで、ウエハＷの上面より下で吸
引アームを水平方向に動かすことができる。
図５、および図２（Ａ）） ウエハＷがウエハチャック２０上に保持される。例え
ば、ウエハＷをその上面で吸引した図示しない吸引アー
ム（基板搬送機構）がウエハチャック２０上にウエハＷ
を載置する。そして、ウエハチャック２０のウエハ保持
爪２１によってウエハＷを保持・固定する。なお、カッ
プ５０を降下させることで、ウエハＷの上面より下で吸
引アームを水平方向に動かすことができる。
【００２５】（２）ウエハＷの前処理（ステップＳ１２
および図６） ウエハＷを回転させ、ウエハＷの上面にノズルアーム６
１またはノズルアーム６２から処理液を供給すること
で、ウエハＷの前処理が行われる。ウエハＷの回転は中
空モータ１２によりウエハチャック２０を回転すること
で行われ、このときの回転速度は一例として１００〜２
００ｒｐｍとすることができる。ノズルアーム６１，６
２いずれかまたは双方がウエハＷの上方に移動し、処理
液を吐出する。ノズルアーム６１，６２から供給される
処理液は、前処理の目的に応じて、例えば、ウエハＷ洗
浄用の純水あるいはウエハＷの触媒活性化処理用の薬液
が順次に供給される。このときの吐出量は、ウエハＷ上
に処理液のパドル（層）を形成するに必要な量、例え
ば、１００ｍＬ程度で足りる。但し、必要に応じて、吐
出量を多くしても差し支えない。また、吐出される処理
液は適宜に加熱（例えば、室温から６０℃程度の範囲）
してもよい。
および図６） ウエハＷを回転させ、ウエハＷの上面にノズルアーム６
１またはノズルアーム６２から処理液を供給すること
で、ウエハＷの前処理が行われる。ウエハＷの回転は中
空モータ１２によりウエハチャック２０を回転すること
で行われ、このときの回転速度は一例として１００〜２
００ｒｐｍとすることができる。ノズルアーム６１，６
２いずれかまたは双方がウエハＷの上方に移動し、処理
液を吐出する。ノズルアーム６１，６２から供給される
処理液は、前処理の目的に応じて、例えば、ウエハＷ洗
浄用の純水あるいはウエハＷの触媒活性化処理用の薬液
が順次に供給される。このときの吐出量は、ウエハＷ上
に処理液のパドル（層）を形成するに必要な量、例え
ば、１００ｍＬ程度で足りる。但し、必要に応じて、吐
出量を多くしても差し支えない。また、吐出される処理
液は適宜に加熱（例えば、室温から６０℃程度の範囲）
してもよい。
【００２６】（３）ウエハＷへのメッキ液の供給・保持
（ステップＳ１３、図７、および図２（Ｂ））。 ウエハＷにメッキ液が供給、保持される。上部プレート
３０をウエハＷの上面に近接させ（一例として、ウエハ
Ｗ上面と上部プレート３０下面との間隔：０．１〜２ｍ
ｍ程度）、処理液吐出口３１からメッキ用の薬液（メッ
キ液）を供給する（一例として、３０〜１００ｍＬ／ｍ
ｉｎ）。供給されたメッキ液は、ウエハＷ上面と上部プ
レート３０下面との間に充満し、カップ５０へと流出す
る。上部プレート３０とウエハＷを近接させることで、
メッキ液の消費量を低減できる。この時点では、メッキ
液によってウエハＷへの無電解メッキを行うための温度
条件が十分には備わっていないものとする（温度が低
い）。従って、無電解メッキは実質的にまだ始まってお
らず。ウエハＷ上への無電解メッキ膜の形成は実質的に
行われないか、行われたとしてもその形成速度は小さ
い。このため、ウエハＷ全体にメッキ液を十分行き渡ら
せることができる。例えば、ウエハＷにピアホールやト
レンチ等の微細な凹部が形成されている場合に、その凹
部内にメッキ液が充填される。なお、メッキ液の供給中
にウエハＷを回転することで、ウエハＷ上へのメッキ液
供給の均一性を向上することができる。
（ステップＳ１３、図７、および図２（Ｂ））。 ウエハＷにメッキ液が供給、保持される。上部プレート
３０をウエハＷの上面に近接させ（一例として、ウエハ
Ｗ上面と上部プレート３０下面との間隔：０．１〜２ｍ
ｍ程度）、処理液吐出口３１からメッキ用の薬液（メッ
キ液）を供給する（一例として、３０〜１００ｍＬ／ｍ
ｉｎ）。供給されたメッキ液は、ウエハＷ上面と上部プ
レート３０下面との間に充満し、カップ５０へと流出す
る。上部プレート３０とウエハＷを近接させることで、
メッキ液の消費量を低減できる。この時点では、メッキ
液によってウエハＷへの無電解メッキを行うための温度
条件が十分には備わっていないものとする（温度が低
い）。従って、無電解メッキは実質的にまだ始まってお
らず。ウエハＷ上への無電解メッキ膜の形成は実質的に
行われないか、行われたとしてもその形成速度は小さ
い。このため、ウエハＷ全体にメッキ液を十分行き渡ら
せることができる。例えば、ウエハＷにピアホールやト
レンチ等の微細な凹部が形成されている場合に、その凹
部内にメッキ液が充填される。なお、メッキ液の供給中
にウエハＷを回転することで、ウエハＷ上へのメッキ液
供給の均一性を向上することができる。
【００２７】以上のメッキ液の供給に際して、以下〜
のようなことを併せて行うことも可能である。 メッキ液の供給の際に、ウエハチャック２０によって
ウエハＷを回転することで、ウエハＷに均一性よくメッ
キ液を供給することができ、ひいてはメッキ膜の均一性
向上に寄与する。一例として、ウエハＷを１０〜５０ｒ
ｐｍで回転する。 メッキ液の供給前（又は、供給中、供給後）に、基板
傾斜機構７０によってウエハチャック２０および上部プ
レート３０を傾斜させることができる。ウエハＷが傾斜
されることで、ウエハＷと上部プレート３０間の気体
（例えば、大気）を速やかに除去し、メッキ液に置換す
ることができる。仮に、ウエハＷと上部プレート３０間
の気体の除去が不完全だと、ウエハＷと上部プレート３
０間に気泡が残存し形成されるメッキ膜の均一性が阻害
される原因になる。 ウエハＷに所定量のメッキ液が供給されたら、その供
給を停止してもよい。ウエハＷ上に供給されたメッキ液
を低減して、その使用量を削減できる。このステップで
のメッキ液の供給はウエハＷにメッキ液を行き渡らせる
ことが目的であり、メッキ液の反応（即ち、メッキ液の
消費）は目的としていない。このため、必ずしもメッキ
液の供給を連続的に行う必要はない。 なお、上部プレート３０とウエハＷの接近は必ずしも
絶対的に必要なものではなく、上部プレート３０とウエ
ハＷを大きく離したままでメッキ液を供給することも可
能である。この場合には、（所定量のメッキ液供給後
の供給停止）が併せて行われるのが一般的である。
のようなことを併せて行うことも可能である。 メッキ液の供給の際に、ウエハチャック２０によって
ウエハＷを回転することで、ウエハＷに均一性よくメッ
キ液を供給することができ、ひいてはメッキ膜の均一性
向上に寄与する。一例として、ウエハＷを１０〜５０ｒ
ｐｍで回転する。 メッキ液の供給前（又は、供給中、供給後）に、基板
傾斜機構７０によってウエハチャック２０および上部プ
レート３０を傾斜させることができる。ウエハＷが傾斜
されることで、ウエハＷと上部プレート３０間の気体
（例えば、大気）を速やかに除去し、メッキ液に置換す
ることができる。仮に、ウエハＷと上部プレート３０間
の気体の除去が不完全だと、ウエハＷと上部プレート３
０間に気泡が残存し形成されるメッキ膜の均一性が阻害
される原因になる。 ウエハＷに所定量のメッキ液が供給されたら、その供
給を停止してもよい。ウエハＷ上に供給されたメッキ液
を低減して、その使用量を削減できる。このステップで
のメッキ液の供給はウエハＷにメッキ液を行き渡らせる
ことが目的であり、メッキ液の反応（即ち、メッキ液の
消費）は目的としていない。このため、必ずしもメッキ
液の供給を連続的に行う必要はない。 なお、上部プレート３０とウエハＷの接近は必ずしも
絶対的に必要なものではなく、上部プレート３０とウエ
ハＷを大きく離したままでメッキ液を供給することも可
能である。この場合には、（所定量のメッキ液供給後
の供給停止）が併せて行われるのが一般的である。
【００２８】（４）メッキ液の加熱（ステップＳ１４、
図８，および図２（Ｃ）） メッキ液の温度を反応に適した温度まで上昇させ（一例
として、室温から６０℃程度の範囲）、メッキ液の反応
によるメッキ膜の形成が開始される。このときには、何
らかの手段でメッキ液の温度を測定し、その加熱を制御
することが好ましい。この温度測定は、メッキ液そのも
のの温度を直接測定することで行ってもよいが、例え
ば、ウエハＷの温度を測定することでメッキ液の温度を
間接的に測定することで行っても差し支えない。
図８，および図２（Ｃ）） メッキ液の温度を反応に適した温度まで上昇させ（一例
として、室温から６０℃程度の範囲）、メッキ液の反応
によるメッキ膜の形成が開始される。このときには、何
らかの手段でメッキ液の温度を測定し、その加熱を制御
することが好ましい。この温度測定は、メッキ液そのも
のの温度を直接測定することで行ってもよいが、例え
ば、ウエハＷの温度を測定することでメッキ液の温度を
間接的に測定することで行っても差し支えない。
【００２９】メッキ液の温度上昇は以下〜に示すよ
うな種々の手法それぞれ、またはそれらの組み合わせに
よって行える。 下部プレート４０による加熱 この加熱手法は図８で示されている。下部プレート４０
を加熱してウエハＷの下面に近接させ（一例として、ウ
エハＷ下面と下部プレート４０上面との間隔：０．１〜
２ｍｍ程度）、処理液吐出口４１から液供給機構８０で
加熱された純水を供給する。この加熱された純水は、ウ
エハＷ下面と下部プレート４０上面との間に充満し、ウ
エハＷを加熱する。ウエハＷを加熱することによりメッ
キ液が加熱され、ウエハＷへのメッキ膜の形成が行われ
る。この手法は、メッキ液がウエハＷとの界面から加熱
される。この界面はメッキ膜が形成される界面でもある
ため、メッキ液に加えられた熱が有効に利用される。ウ
エハＷを純水等の液体で加熱することで、ウエハＷと下
部プレート４０とを別個に回転または非回転とすること
が容易となり、かつウエハＷ下面の汚染が防止される。
なお、場合により、加熱した下部プレート４０をウエハ
Ｗに接触することでウエハＷを加熱してもよい。
うな種々の手法それぞれ、またはそれらの組み合わせに
よって行える。 下部プレート４０による加熱 この加熱手法は図８で示されている。下部プレート４０
を加熱してウエハＷの下面に近接させ（一例として、ウ
エハＷ下面と下部プレート４０上面との間隔：０．１〜
２ｍｍ程度）、処理液吐出口４１から液供給機構８０で
加熱された純水を供給する。この加熱された純水は、ウ
エハＷ下面と下部プレート４０上面との間に充満し、ウ
エハＷを加熱する。ウエハＷを加熱することによりメッ
キ液が加熱され、ウエハＷへのメッキ膜の形成が行われ
る。この手法は、メッキ液がウエハＷとの界面から加熱
される。この界面はメッキ膜が形成される界面でもある
ため、メッキ液に加えられた熱が有効に利用される。ウ
エハＷを純水等の液体で加熱することで、ウエハＷと下
部プレート４０とを別個に回転または非回転とすること
が容易となり、かつウエハＷ下面の汚染が防止される。
なお、場合により、加熱した下部プレート４０をウエハ
Ｗに接触することでウエハＷを加熱してもよい。
【００３０】供給するメッキ液の温度上昇
ウエハに供給する以前のメッキ液の温度を上昇させるこ
とで、メッキ膜の形成を開始してもよい。この温度上昇
は、液供給機構８０によって行うことができる。供給す
るメッキ液自体の温度を変化させることから、メッキ液
の温度の安定性を向上できる。 上部プレート３０による加熱 メッキ液の加熱は上部プレート３０によって行うことも
できる。上部プレート３０がメッキ液に接触しているこ
とから、上部プレート３０の温度を上昇することでメッ
キ液を加熱できる。 メッキ液の加熱はヒータやランプの輻射熱等適宜の手
段によって行える。 例えば、上部プレート３０とウエハＷを大きく離したま
までメッキ液を供給し、所定量のメッキ液供給後にその
供給が停止される場合には、ウエハＷの上面からランプ
の輻射熱でメッキ液を加熱することが容易に行える。
とで、メッキ膜の形成を開始してもよい。この温度上昇
は、液供給機構８０によって行うことができる。供給す
るメッキ液自体の温度を変化させることから、メッキ液
の温度の安定性を向上できる。 上部プレート３０による加熱 メッキ液の加熱は上部プレート３０によって行うことも
できる。上部プレート３０がメッキ液に接触しているこ
とから、上部プレート３０の温度を上昇することでメッ
キ液を加熱できる。 メッキ液の加熱はヒータやランプの輻射熱等適宜の手
段によって行える。 例えば、上部プレート３０とウエハＷを大きく離したま
までメッキ液を供給し、所定量のメッキ液供給後にその
供給が停止される場合には、ウエハＷの上面からランプ
の輻射熱でメッキ液を加熱することが容易に行える。
【００３１】以上のメッキ液の加熱に際して、以下〜
のようなことを併せて行うことも可能である。 メッキ液の加熱の際に、ウエハチャック２０によっ
てウエハＷを回転することで、メッキ液加熱の均一性を
向上することができ、ひいてはメッキ膜の均一性向上に
寄与する。一例として、ウエハＷを１０〜５０ｒｐｍで
回転する。 基板傾斜機構７０によってウエハチャック２０および
上部プレート３０を傾斜させることができる。メッキ液
の反応により水素等の気泡が生じる場合がある。ウエハ
Ｗが傾斜されることで、ウエハＷと上部プレート３０間
の気体を速やかに除去し、メッキ膜の均一性が阻害され
ることを防止できる。 メッキ膜の形成中におけるメッキ液の供給を、連続的
ではなく、間欠的に行うこともできる。ウエハＷ上に供
給されたメッキ液を効率良く消費して、その使用量を削
減できる。 メッキ液の供給は停止されていてもよい。ウエハＷ上
に既に供給されたメッキ液を用いてメッキ膜を形成する
場合にも、本実施例の手法は有効である。 上部プレート３０とウエハＷを大きく離したままでも
メッキ膜の形成が可能である。この場合には、（所定
量のメッキ液供給後の供給停止）が併せて行われるのが
一般的である。
のようなことを併せて行うことも可能である。 メッキ液の加熱の際に、ウエハチャック２０によっ
てウエハＷを回転することで、メッキ液加熱の均一性を
向上することができ、ひいてはメッキ膜の均一性向上に
寄与する。一例として、ウエハＷを１０〜５０ｒｐｍで
回転する。 基板傾斜機構７０によってウエハチャック２０および
上部プレート３０を傾斜させることができる。メッキ液
の反応により水素等の気泡が生じる場合がある。ウエハ
Ｗが傾斜されることで、ウエハＷと上部プレート３０間
の気体を速やかに除去し、メッキ膜の均一性が阻害され
ることを防止できる。 メッキ膜の形成中におけるメッキ液の供給を、連続的
ではなく、間欠的に行うこともできる。ウエハＷ上に供
給されたメッキ液を効率良く消費して、その使用量を削
減できる。 メッキ液の供給は停止されていてもよい。ウエハＷ上
に既に供給されたメッキ液を用いてメッキ膜を形成する
場合にも、本実施例の手法は有効である。 上部プレート３０とウエハＷを大きく離したままでも
メッキ膜の形成が可能である。この場合には、（所定
量のメッキ液供給後の供給停止）が併せて行われるのが
一般的である。
【００３２】（５）ウエハＷの洗浄（ステップＳ１５お
よび図９）。 ウエハＷを純水で洗浄する。この洗浄は、上部プレート
３０の処理液吐出口３１から吐出される処理液をメッキ
液から純水に切り替えることで行える。このとき、下部
プレート４０の処理液吐出口４１から純水を供給するこ
とができる。ウエハＷの洗浄に、ノズルアーム６１，６
２を用いることもできる。このときには、上部プレート
３０の処理液吐出口３１からのメッキ液の供給を停止
し、上部プレート３０をウエハＷから離す。しかる後
に、ノズルアーム６１，６２をウエハＷの上方に移動さ
せて、純水を供給する。このときにも下部プレート４０
の処理液吐出口４１から純水を供給することが好まし
い。以上のウエハＷの洗浄中にウエハＷを回転すること
で、ウエハＷの洗浄の均一性を向上することができる。
なお、上部プレート３０とウエハＷを大きく離したまま
でメッキ膜の形成を行う場合には、ウエハＷの洗浄の除
去に先立って、ウエハＷ上からメッキ液を排出すること
が、洗浄効率上好ましい。この排出は、例えば、ウエハ
Ｗを高速に回転することで行える。
よび図９）。 ウエハＷを純水で洗浄する。この洗浄は、上部プレート
３０の処理液吐出口３１から吐出される処理液をメッキ
液から純水に切り替えることで行える。このとき、下部
プレート４０の処理液吐出口４１から純水を供給するこ
とができる。ウエハＷの洗浄に、ノズルアーム６１，６
２を用いることもできる。このときには、上部プレート
３０の処理液吐出口３１からのメッキ液の供給を停止
し、上部プレート３０をウエハＷから離す。しかる後
に、ノズルアーム６１，６２をウエハＷの上方に移動さ
せて、純水を供給する。このときにも下部プレート４０
の処理液吐出口４１から純水を供給することが好まし
い。以上のウエハＷの洗浄中にウエハＷを回転すること
で、ウエハＷの洗浄の均一性を向上することができる。
なお、上部プレート３０とウエハＷを大きく離したまま
でメッキ膜の形成を行う場合には、ウエハＷの洗浄の除
去に先立って、ウエハＷ上からメッキ液を排出すること
が、洗浄効率上好ましい。この排出は、例えば、ウエハ
Ｗを高速に回転することで行える。
【００３３】（６）ウエハＷの乾燥（ステップＳ１６お
よび図１０）。 ウエハＷへの純水の供給を停止し、ウエハＷを高速で回
転することで、ウエハＷ上の純水を除去する。場合によ
り、ノズルアーム６１，６２から窒素ガスを噴出してウ
エハＷの乾燥を促進してもよい。 （７）ウエハＷの除去（ステップＳ１７および図１
１）。 ウエハＷの乾燥が終了した後、ウエハチャック２０によ
るウエハＷの保持が停止される。その後、図示しない吸
引アーム（基板搬送機構）によりウエハＷがウエハチャ
ック２０上から取り去られる。
よび図１０）。 ウエハＷへの純水の供給を停止し、ウエハＷを高速で回
転することで、ウエハＷ上の純水を除去する。場合によ
り、ノズルアーム６１，６２から窒素ガスを噴出してウ
エハＷの乾燥を促進してもよい。 （７）ウエハＷの除去（ステップＳ１７および図１
１）。 ウエハＷの乾燥が終了した後、ウエハチャック２０によ
るウエハＷの保持が停止される。その後、図示しない吸
引アーム（基板搬送機構）によりウエハＷがウエハチャ
ック２０上から取り去られる。
【００３４】（第２実施形態）図１２は、本発明の第２
実施形態に係る無電解メッキ方法の手順の一例を表すフ
ロー図である。また、図１３は図１２の手順により処理
された基板たるウエハＷの断面状態を表す断面図であ
る。先に図１２の処理の概略を説明する（詳細は後
述）。凹部を有するウエハＷ（図１３（Ａ））に第１の
メッキ液を供給し第１のメッキ膜Ｐ１を形成する（ステ
ップＳ２４および図１３（Ｂ））。その後に第２のメッ
キ液を供給し第２のメッキ膜Ｐ２を形成する（ステップ
Ｓ２５および図１３（Ｃ））。このとき、第１のメッキ
膜の形成速度は第１のメッキ膜の形成速度よりも小さい
ものとする。従い、ステップＳ２４で微細な凹部（狭い
パターン）の埋め込みを行い、ステップＳ２５で比較的
幅の広い凹部（広いパターン）の埋め込みを行うことが
できる。この結果、ウエハＷへのメッキ膜の形成を均一
性良好に、しかも速やかに行うことが可能となる。
実施形態に係る無電解メッキ方法の手順の一例を表すフ
ロー図である。また、図１３は図１２の手順により処理
された基板たるウエハＷの断面状態を表す断面図であ
る。先に図１２の処理の概略を説明する（詳細は後
述）。凹部を有するウエハＷ（図１３（Ａ））に第１の
メッキ液を供給し第１のメッキ膜Ｐ１を形成する（ステ
ップＳ２４および図１３（Ｂ））。その後に第２のメッ
キ液を供給し第２のメッキ膜Ｐ２を形成する（ステップ
Ｓ２５および図１３（Ｃ））。このとき、第１のメッキ
膜の形成速度は第１のメッキ膜の形成速度よりも小さい
ものとする。従い、ステップＳ２４で微細な凹部（狭い
パターン）の埋め込みを行い、ステップＳ２５で比較的
幅の広い凹部（広いパターン）の埋め込みを行うことが
できる。この結果、ウエハＷへのメッキ膜の形成を均一
性良好に、しかも速やかに行うことが可能となる。
【００３５】次に図１２に示す処理手順の詳細を説明す
る。 （１）ウエハＷの保持、前処理（ステップＳ２１、Ｓ２
２、および図１３（Ａ）） メッキ装置１０にウエハＷが保持され、メッキ処理前の
前処理が行われる。このステップＳ２１，Ｓ２２は、第
１の実施形態でのステップＳ１１，Ｓ１２に相当するも
のであり、実質的に異なるものではないので詳細な説明
を省略する。
る。 （１）ウエハＷの保持、前処理（ステップＳ２１、Ｓ２
２、および図１３（Ａ）） メッキ装置１０にウエハＷが保持され、メッキ処理前の
前処理が行われる。このステップＳ２１，Ｓ２２は、第
１の実施形態でのステップＳ１１，Ｓ１２に相当するも
のであり、実質的に異なるものではないので詳細な説明
を省略する。
【００３６】（２）ウエハＷの加熱（ステップＳ２３お
よび図１４） ウエハＷをメッキ液の反応に適した温度に保つためにウ
エハＷの加熱が行われる。下部プレート４０を加熱して
ウエハＷの下面に近接させ（一例として、ウエハＷ下面
と下部プレート４０上面との間隔：０．１〜２ｍｍ程
度）、処理液吐出口４１から液供給機構８０で加熱され
た純水を供給する。この加熱された純水は、ウエハＷ下
面と下部プレート４０上面との間に充満し、ウエハＷを
加熱する。なお、このウエハＷの加熱中にウエハＷを回
転することで、ウエハＷの加熱の均一性を向上すること
ができる。ウエハＷを純水等の液体で加熱することで、
ウエハＷと下部プレート４０とを別個に回転または非回
転とすることが容易となり、かつウエハＷ下面の汚染が
防止される。以上のウエハＷの加熱は他の手段で行って
も差し支えない。例えば、ヒータやランプの輻射熱によ
ってウエハＷを加熱しても差し支えない。また、場合に
より、加熱した下部プレート４０をウエハＷに接触する
ことでウエハＷを加熱してもよい。
よび図１４） ウエハＷをメッキ液の反応に適した温度に保つためにウ
エハＷの加熱が行われる。下部プレート４０を加熱して
ウエハＷの下面に近接させ（一例として、ウエハＷ下面
と下部プレート４０上面との間隔：０．１〜２ｍｍ程
度）、処理液吐出口４１から液供給機構８０で加熱され
た純水を供給する。この加熱された純水は、ウエハＷ下
面と下部プレート４０上面との間に充満し、ウエハＷを
加熱する。なお、このウエハＷの加熱中にウエハＷを回
転することで、ウエハＷの加熱の均一性を向上すること
ができる。ウエハＷを純水等の液体で加熱することで、
ウエハＷと下部プレート４０とを別個に回転または非回
転とすることが容易となり、かつウエハＷ下面の汚染が
防止される。以上のウエハＷの加熱は他の手段で行って
も差し支えない。例えば、ヒータやランプの輻射熱によ
ってウエハＷを加熱しても差し支えない。また、場合に
より、加熱した下部プレート４０をウエハＷに接触する
ことでウエハＷを加熱してもよい。
【００３７】（３）第１のメッキ液の供給による第１の
メッキ膜の形成（ステップＳ２４、図１５、および図１
３（Ｂ））。 上部プレート３０を加熱してウエハＷの上面に近接させ
（一例として、ウエハＷ上面と上部プレート３０下面と
の間隔：０．１〜２ｍｍ程度）、処理液吐出口３１から
メッキ用の薬液（第１のメッキ液）を供給する（一例と
して、３０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ）。供給されたメッキ
液は、ウエハＷ上面と上部プレート３０下面との間に充
満し、カップ５０へと流出する。このとき、メッキ液は
上部プレート３０によって温度調節される（一例とし
て、室温から６０℃程度の範囲）。なお、供給されるメ
ッキ液は液供給機構８０によって温度調節されているこ
とが好ましい。ここで、ウエハチャック２０によってウ
エハＷを回転することで、ウエハＷに形成されるメッキ
膜の均一性を向上できる。一例として、ウエハＷを１０
〜５０ｒｐｍで回転する。また、上部プレート３０の加
熱は先のステップＳ１〜Ｓ３のどこかで先行して行うこ
とができる。上部プレート３０の加熱を他の工程と並行
して行うことでウエハＷの処理時間を低減できる。以上
のように、ウエハＷの上面に所望の温度に加熱された第
１のメッキ液を供給することでウエハＷに第１のメッキ
膜が形成される。このときのメッキ膜の形成速度は次の
ステップＳ２５での第２のメッキ膜の形成速度に比して
小さいものとする。比較的遅い速度でメッキ膜が形成さ
れることから、ウエハＷの微細な凹部へのメッキ膜の形
成が確実に行われる。
メッキ膜の形成（ステップＳ２４、図１５、および図１
３（Ｂ））。 上部プレート３０を加熱してウエハＷの上面に近接させ
（一例として、ウエハＷ上面と上部プレート３０下面と
の間隔：０．１〜２ｍｍ程度）、処理液吐出口３１から
メッキ用の薬液（第１のメッキ液）を供給する（一例と
して、３０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ）。供給されたメッキ
液は、ウエハＷ上面と上部プレート３０下面との間に充
満し、カップ５０へと流出する。このとき、メッキ液は
上部プレート３０によって温度調節される（一例とし
て、室温から６０℃程度の範囲）。なお、供給されるメ
ッキ液は液供給機構８０によって温度調節されているこ
とが好ましい。ここで、ウエハチャック２０によってウ
エハＷを回転することで、ウエハＷに形成されるメッキ
膜の均一性を向上できる。一例として、ウエハＷを１０
〜５０ｒｐｍで回転する。また、上部プレート３０の加
熱は先のステップＳ１〜Ｓ３のどこかで先行して行うこ
とができる。上部プレート３０の加熱を他の工程と並行
して行うことでウエハＷの処理時間を低減できる。以上
のように、ウエハＷの上面に所望の温度に加熱された第
１のメッキ液を供給することでウエハＷに第１のメッキ
膜が形成される。このときのメッキ膜の形成速度は次の
ステップＳ２５での第２のメッキ膜の形成速度に比して
小さいものとする。比較的遅い速度でメッキ膜が形成さ
れることから、ウエハＷの微細な凹部へのメッキ膜の形
成が確実に行われる。
【００３８】以上のメッキ液の供給に際して、以下〜
のようなことを併せて行うことも可能である。 このメッキ液の供給中にウエハＷを回転することで、
ウエハＷへのメッキ膜の形成の均一性を向上することが
できる。 メッキ液の供給前に、基板傾斜機構７０によってウエ
ハチャック２０および上部プレート３０を傾斜させるこ
とができる。ウエハＷが傾斜されることで、ウエハＷと
上部プレート３０間の気体を速やかに除去し、メッキ液
に置換することができる。仮に、ウエハＷと上部プレー
ト３０間の気体の除去が不完全だと、ウエハＷと上部プ
レート３０間に気泡が残存し形成されるメッキ膜の均一
性が阻害される原因になる。また、メッキ液によるメッ
キ膜の形成に伴って気体（例えば、水素）が発生し、発
生した気体により気泡が形成されて、メッキ膜の均一性
が阻害される可能性もある。基板傾斜機構７０によって
ウエハＷを傾斜させることで、気泡の発生の低減および
発生した気泡の脱出の促進を図り、メッキ膜の均一性を
向上することが可能となる。
のようなことを併せて行うことも可能である。 このメッキ液の供給中にウエハＷを回転することで、
ウエハＷへのメッキ膜の形成の均一性を向上することが
できる。 メッキ液の供給前に、基板傾斜機構７０によってウエ
ハチャック２０および上部プレート３０を傾斜させるこ
とができる。ウエハＷが傾斜されることで、ウエハＷと
上部プレート３０間の気体を速やかに除去し、メッキ液
に置換することができる。仮に、ウエハＷと上部プレー
ト３０間の気体の除去が不完全だと、ウエハＷと上部プ
レート３０間に気泡が残存し形成されるメッキ膜の均一
性が阻害される原因になる。また、メッキ液によるメッ
キ膜の形成に伴って気体（例えば、水素）が発生し、発
生した気体により気泡が形成されて、メッキ膜の均一性
が阻害される可能性もある。基板傾斜機構７０によって
ウエハＷを傾斜させることで、気泡の発生の低減および
発生した気泡の脱出の促進を図り、メッキ膜の均一性を
向上することが可能となる。
【００３９】メッキ膜の形成中におけるメッキ液の供
給を、連続的ではなく、間欠的に行うこともできる。ウ
エハＷ上に供給されたメッキ液を効率良く消費して、そ
の使用量を削減できる。 ウエハＷに所定量のメッキ液が供給されたら、その供
給を停止してもよい。ウエハＷ上に供給されたメッキ液
を低減して、その使用量を削減できる。このステップで
のメッキ液の供給はウエハＷにメッキ液を行き渡らせる
ことが目的であり、メッキ液の反応（即ち、メッキ液の
消費）は目的としていない。このため、必ずしもメッキ
液の供給を連続的に行う必要はない。 なお、上部プレート３０とウエハＷの接近は必ずしも
絶対的に必要なものではなく、上部プレート３０とウエ
ハＷを大きく離したままでメッキ液を供給することも可
能である。この場合には、（所定量のメッキ液供給後
の供給停止）が併せて行われるのが一般的である。
給を、連続的ではなく、間欠的に行うこともできる。ウ
エハＷ上に供給されたメッキ液を効率良く消費して、そ
の使用量を削減できる。 ウエハＷに所定量のメッキ液が供給されたら、その供
給を停止してもよい。ウエハＷ上に供給されたメッキ液
を低減して、その使用量を削減できる。このステップで
のメッキ液の供給はウエハＷにメッキ液を行き渡らせる
ことが目的であり、メッキ液の反応（即ち、メッキ液の
消費）は目的としていない。このため、必ずしもメッキ
液の供給を連続的に行う必要はない。 なお、上部プレート３０とウエハＷの接近は必ずしも
絶対的に必要なものではなく、上部プレート３０とウエ
ハＷを大きく離したままでメッキ液を供給することも可
能である。この場合には、（所定量のメッキ液供給後
の供給停止）が併せて行われるのが一般的である。
【００４０】（４）第２のメッキ液の供給による第２の
メッキ膜の形成（ステップＳ２５、図１６、および図１
３（Ｃ））。 処理液吐出口３１供給するメッキ液を第１のメッキ液か
ら第２のメッキ液に変更する。第２のメッキ液を供給す
ることでウエハＷに第２のメッキ膜が形成される。この
ときのメッキ膜の形成速度は次のステップＳ２５での第
２のメッキ膜の形成速度に比して大きいものとする。ウ
エハＷへのメッキ膜の形成が速やかに行われる。ステッ
プＳ２４で微細なパターンが第１のメッキ膜により埋め
込まれていることから、このステップでは比較的広大な
パターンの埋め込みが行われることになる。このとき、
第１、第２のメッキ膜が同一の材質になるようにするこ
とで、ウエハＷへのメッキ膜の形成の均質性が向上す
る。このように、メッキ膜の形成速度の異なるメッキ液
を用いることで、微細なパターン（凹凸）が形成された
ウエハＷへのメッキの形成を均一かつ速やかに行うこと
ができる。
メッキ膜の形成（ステップＳ２５、図１６、および図１
３（Ｃ））。 処理液吐出口３１供給するメッキ液を第１のメッキ液か
ら第２のメッキ液に変更する。第２のメッキ液を供給す
ることでウエハＷに第２のメッキ膜が形成される。この
ときのメッキ膜の形成速度は次のステップＳ２５での第
２のメッキ膜の形成速度に比して大きいものとする。ウ
エハＷへのメッキ膜の形成が速やかに行われる。ステッ
プＳ２４で微細なパターンが第１のメッキ膜により埋め
込まれていることから、このステップでは比較的広大な
パターンの埋め込みが行われることになる。このとき、
第１、第２のメッキ膜が同一の材質になるようにするこ
とで、ウエハＷへのメッキ膜の形成の均質性が向上す
る。このように、メッキ膜の形成速度の異なるメッキ液
を用いることで、微細なパターン（凹凸）が形成された
ウエハＷへのメッキの形成を均一かつ速やかに行うこと
ができる。
【００４１】第１、第２のメッキ液で同一材質のメッキ
膜の形成速度を異ならせるには、その組成比を変化する
ことによって行える。例えば、金属塩の濃度やｐＨを異
ならせることで、メッキ膜の形成速度を変化させること
ができる。メッキ液の組成の変化は、使用するメッキ液
を供給するタンクを切り替えることによって行える。こ
の他に、ミキシングボックス８５で混合する液の混合比
を変化させることによっても行える。上部プレート３０
とウエハＷを大きく離したままでメッキ膜の形成を行う
場合には、第２のメッキ液の供給に先立って、ウエハＷ
上から第１のメッキ液を排出して、第２のメッキ液に第
１のメッキ液が混入することを防止してもよい。この排
出は、例えば、ウエハＷを高速に回転することで行え
る。また、これに加えてウエハＷ上を純水等で洗浄して
も差し支えない。
膜の形成速度を異ならせるには、その組成比を変化する
ことによって行える。例えば、金属塩の濃度やｐＨを異
ならせることで、メッキ膜の形成速度を変化させること
ができる。メッキ液の組成の変化は、使用するメッキ液
を供給するタンクを切り替えることによって行える。こ
の他に、ミキシングボックス８５で混合する液の混合比
を変化させることによっても行える。上部プレート３０
とウエハＷを大きく離したままでメッキ膜の形成を行う
場合には、第２のメッキ液の供給に先立って、ウエハＷ
上から第１のメッキ液を排出して、第２のメッキ液に第
１のメッキ液が混入することを防止してもよい。この排
出は、例えば、ウエハＷを高速に回転することで行え
る。また、これに加えてウエハＷ上を純水等で洗浄して
も差し支えない。
【００４２】（５）ウエハＷの洗浄、乾燥、除去（ステ
ップＳ２６〜Ｓ２８）。 ウエハＷが洗浄、乾燥され、無電解メッキ装置１０から
除去される。このステップＳ２６〜Ｓ２８は、第１の実
施形態でのステップＳ１５〜Ｓ２７に相当するものであ
り、実質的に異なるものではないので詳細な説明を省略
する。
ップＳ２６〜Ｓ２８）。 ウエハＷが洗浄、乾燥され、無電解メッキ装置１０から
除去される。このステップＳ２６〜Ｓ２８は、第１の実
施形態でのステップＳ１５〜Ｓ２７に相当するものであ
り、実質的に異なるものではないので詳細な説明を省略
する。
【００４３】（その他の実施形態）本発明の実施形態は
既述の実施形態には限られず、拡張、変更できる。拡
張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ
る。例えば、基板としてウエハＷ以外の例えばガラス板
等を利用することができる。なお、第１、第２の実施形
態ではそれぞれ温度の変化、メッキ液の切換によってメ
ッキ膜の形成速度を異ならせているが、これらをメッキ
液の反応条件（温度、メッキ液の組成（例えば、金属イ
オンの濃度、ｐＨ）等）として広く捕らえることが可能
である。
既述の実施形態には限られず、拡張、変更できる。拡
張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ
る。例えば、基板としてウエハＷ以外の例えばガラス板
等を利用することができる。なお、第１、第２の実施形
態ではそれぞれ温度の変化、メッキ液の切換によってメ
ッキ膜の形成速度を異ならせているが、これらをメッキ
液の反応条件（温度、メッキ液の組成（例えば、金属イ
オンの濃度、ｐＨ）等）として広く捕らえることが可能
である。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、形
成されるメッキ膜の均一性の向上を図れる無電解メッキ
方法を提供することが可能となる。
成されるメッキ膜の均一性の向上を図れる無電解メッキ
方法を提供することが可能となる。
【図１】 第１実施形態に係る無電解メッキ方法の手順
を表したフロー図である。
を表したフロー図である。
【図２】 図１の手順におけるウエハＷの断面状態を表
す断面図である。
す断面図である。
【図３】 図１での無電解メッキに用いられる無電解メ
ッキ装置を表した一部断面図である。
ッキ装置を表した一部断面図である。
【図４】 図３に示した無電解メッキ装置に設置された
ウエハＷ等が傾斜された状態を表す一部断面図である。
ウエハＷ等が傾斜された状態を表す一部断面図である。
【図５】 図１に表した手順で無電解メッキを行った場
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
【図６】 図１に表した手順で無電解メッキを行った場
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
【図７】 図１に表した手順で無電解メッキを行った場
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
【図８】 図１に表した手順で無電解メッキを行った場
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
【図９】 図１に表した手順で無電解メッキを行った場
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
【図１０】 図１に表した手順で無電解メッキを行った
場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面
図である。
場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面
図である。
【図１１】 図１に表した手順で無電解メッキを行った
場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面
図である。
場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面
図である。
【図１２】 第２実施形態に係る無電解メッキ方法の手
順を表したフロー図である。
順を表したフロー図である。
【図１３】 図１２の手順におけるウエハＷの断面状態
を表す断面図である。
を表す断面図である。
【図１４】 図１２に表した手順で無電解メッキを行っ
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
【図１５】 図１２に表した手順で無電解メッキを行っ
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
【図１６】 図１２に表した手順で無電解メッキを行っ
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
Ｗ…ウエハ
Ｌ…無電解メッキ液
Ｐ，Ｐ１，Ｐ２…無電解メッキ膜
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平11−87273（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−78801（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−298771（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−232136（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−291385（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−127877（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−117299（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−211566（ＪＰ，Ａ)
特開2001−210679（ＪＰ，Ａ)
特公 平３−76599（ＪＰ，Ｂ２)
特許3005469（ＪＰ，Ｂ２)
特許3274381（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 18/16 - 18/50
H01L 21/288
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に無電解メッキ液を供給するメッ
キ液供給ステップと、前記基板上への無電解メッキ液の供給を停止するメッキ
液供給停止ステップと、 前記メッキ液供給ステップで前記基板上に供給された無
電解メッキ液を加熱する加熱ステップと、前記加熱ステップで加熱さ れた無電解メッキ液によって
前記基板上にメッキ膜を形成するメッキ膜形成ステップ
と、 を具備することを特徴とする無電解メッキ方法。 - 【請求項２】 前記加熱ステップでの無電解メッキ液の
加熱が、前記基板を介して行われることを特徴とする請
求項１記載の無電解メッキ方法。 - 【請求項３】 前記加熱ステップでの無電解メッキ液の
加熱が、輻射熱によって行われることを特徴とする請求
項１記載の無電解メッキ方法。 - 【請求項４】 基板を保持する基板保持部と、 前記基板上に無電解メッキ液を供給するメッキ液供給部
と、 前記メッキ液供給部から前記基板上への無電解メッキ液
の供給および供給停止を制御する供給制御部と、 前記供給制御部によって前記基板上に供給された無電解
メッキ液を加熱する加熱部と、 を具備することを特徴とする無電解メッキ装置。 - 【請求項５】 前記加熱部が、前記基板を介して無電解
メッキ液を加熱することを特徴とする請求項４記載の無
電解メッキ装置。 - 【請求項６】 前記加熱部が、輻射熱によって無電解メ
ッキ液を加熱する
Priority Applications (6)
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| US8722196B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-05-13 | Japan Science And Technology Agency | Composite material, method of producing the same, and apparatus for producing the same |
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| JP2013249495A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Tokyo Electron Ltd | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
| JP5917297B2 (ja) * | 2012-05-30 | 2016-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理方法、めっき処理装置および記憶媒体 |
| JP7297905B2 (ja) * | 2019-08-27 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、基板液処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| CN114369816A (zh) * | 2020-10-15 | 2022-04-19 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 化学镀槽、化学镀***及化学镀方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3005469B2 (ja) | 1996-06-05 | 2000-01-31 | 住友軽金属工業株式会社 | 内面スズめっき長尺銅管の製造方法 |
| JP3274381B2 (ja) | 1997-03-11 | 2002-04-15 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の突起電極形成方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55117299A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-09 | Hitachi Ltd | Method of fabricating printed circuit board by noovoltage copper plating |
| JPS59211566A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-30 | Tokyo Mekki:Kk | 無電解はんだめつき方法 |
| JPH0878801A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Murata Mfg Co Ltd | 回路基板およびその製造方法 |
| WO1997046732A1 (fr) * | 1996-06-05 | 1997-12-11 | Sumitomo Light Metal Industries, Ltd. | Procede de fabrication de tuyau de cuivre dont l'interieur est plaque a l'etain |
| JPH10298771A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 無電解ニッケルメッキ方法 |
| DE69840975D1 (de) * | 1997-09-02 | 2009-08-27 | Ebara Corp | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer Schichten auf einen Körper |
| JP3371332B2 (ja) * | 2000-01-27 | 2003-01-27 | セイコーエプソン株式会社 | フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置 |
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- 2002-10-07 JP JP2002293913A patent/JP3485561B1/ja not_active Expired - Fee Related
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2003
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