JP3485561B1 - 無電解メッキ方法および無電解メッキ装置 - Google Patents
無電解メッキ方法および無電解メッキ装置Info
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- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims abstract description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 214
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 128
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 20
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 206
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate Chemical compound [Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001981 cobalt nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 1
- -1 cyanide compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoboron Chemical compound [B]N(C)C YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N sulfurothioic S-acid Chemical compound OS(O)(=O)=S DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
【要約】
【課題】 形成されるメッキ膜の均一性の向上を図れる
無電解メッキ方法を提供する。 【解決手段】 無電解メッキ液を供給し、反応促進条件
を付与することでメッキ膜の形成を開始させる。無電解
メッキ液を供給した段階ではメッキ膜の形成が行われな
いか、行われてもその膜形成の速度が小さい。このた
め、メッキ膜の本格的な形成が行われる以前に無電解メ
ッキ液を基板上に行き渡らせて、無電解メッキ膜の均一
性を向上できる。
無電解メッキ方法を提供する。 【解決手段】 無電解メッキ液を供給し、反応促進条件
を付与することでメッキ膜の形成を開始させる。無電解
メッキ液を供給した段階ではメッキ膜の形成が行われな
いか、行われてもその膜形成の速度が小さい。このた
め、メッキ膜の本格的な形成が行われる以前に無電解メ
ッキ液を基板上に行き渡らせて、無電解メッキ膜の均一
性を向上できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解メッキ膜を
形成する無電解メッキ方法に関する。
形成する無電解メッキ方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの作成に際して半導体基
板上への配線の形成が行われる。半導体デバイスの集積
度の向上に伴って配線の微細化が進められており、これ
に対応して配線の作成技術の開発が行われている。例え
ば、銅配線の形成方法として、銅のシード層をスパッタ
リングで形成し、電気メッキで溝等を埋め込むことで配
線および層間接続を形成するデュアルダマシン法が実用
化されている。但し、この手法では、シード層が形成さ
れていない被メッキ面への電気メッキの形成が困難であ
る。一方、シード層を必要としないメッキ法として無電
解メッキ法がある。無電解メッキは化学還元によってメ
ッキ膜を形成するものであり、形成されたメッキ膜が自
己触媒として作用することで配線材料からなるメッキ膜
を連続的に形成することができる。無電解メッキはシー
ド層を事前に作成する必要がなく(もしくは、被メッキ
面全体へのシード層の形成が不要)、シード層の形成時
での膜厚の不均一性(特に、凹部、凸部におけるステッ
プカバレージ)を考慮しなくても済む利点がある。無電
解メッキに関して、以下のような技術が公開されてい
る。
板上への配線の形成が行われる。半導体デバイスの集積
度の向上に伴って配線の微細化が進められており、これ
に対応して配線の作成技術の開発が行われている。例え
ば、銅配線の形成方法として、銅のシード層をスパッタ
リングで形成し、電気メッキで溝等を埋め込むことで配
線および層間接続を形成するデュアルダマシン法が実用
化されている。但し、この手法では、シード層が形成さ
れていない被メッキ面への電気メッキの形成が困難であ
る。一方、シード層を必要としないメッキ法として無電
解メッキ法がある。無電解メッキは化学還元によってメ
ッキ膜を形成するものであり、形成されたメッキ膜が自
己触媒として作用することで配線材料からなるメッキ膜
を連続的に形成することができる。無電解メッキはシー
ド層を事前に作成する必要がなく(もしくは、被メッキ
面全体へのシード層の形成が不要)、シード層の形成時
での膜厚の不均一性(特に、凹部、凸部におけるステッ
プカバレージ)を考慮しなくても済む利点がある。無電
解メッキに関して、以下のような技術が公開されてい
る。
【0003】
【特許文献1】特開2001−73157号公報(第4
頁、第1図)
頁、第1図)
【特許文献2】特開2001−342573号公報(第
4−5頁、第2、3図)
4−5頁、第2、3図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、無電解
メッキでは、例えば、ビア・ホールやトレンチ等の微細
な凹部内にメッキ膜を形成するときに、凹部内にボイド
(空孔)が生じ、凹部内へのメッキ膜の形成の均一性に
欠ける可能性がある。この原因として、無電解メッキで
は触媒活性を有する基板にメッキ液が接触することでメ
ッキ膜の形成が行われるため、凹部内にメッキ液が充填
される以前にメッキ膜の形成が開始されることが考えら
れる。以上に鑑み本発明は、形成されるメッキ膜の均一
性の向上を図れる無電解メッキ方法を提供することを目
的とする。
メッキでは、例えば、ビア・ホールやトレンチ等の微細
な凹部内にメッキ膜を形成するときに、凹部内にボイド
(空孔)が生じ、凹部内へのメッキ膜の形成の均一性に
欠ける可能性がある。この原因として、無電解メッキで
は触媒活性を有する基板にメッキ液が接触することでメ
ッキ膜の形成が行われるため、凹部内にメッキ液が充填
される以前にメッキ膜の形成が開始されることが考えら
れる。以上に鑑み本発明は、形成されるメッキ膜の均一
性の向上を図れる無電解メッキ方法を提供することを目
的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】A.上記目的を達成する
ために、本発明に係る無電解メッキ方法は、基板上に無
電解メッキ液を供給するメッキ液供給ステップと、前記
メッキ液供給ステップで基板上に供給された無電解メッ
キ液に反応を促進する反応促進条件を付与する反応促進
条件付与ステップと、前記反応促進条件付与ステップで
反応促進条件が付与された無電解メッキ液によって前記
基板上にメッキ膜を形成するメッキ膜形成ステップと、
を具備することを特徴とする。無電解メッキ液を供給
し、反応促進条件を付与することでメッキ膜の形成が開
始される。無電解メッキ液を供給した段階(反応促進条
件が付与される以前)ではメッキ膜の形成が行われない
か、行われてもその膜形成の速度が小さい。このため、
メッキ膜の本格的な形成が行われる以前に無電解メッキ
液を基板上に行き渡らせ、例えば、凹部を無電解メッキ
液で充填させることができる。無電解メッキ液が行き渡
った状態で無電解メッキが行われることから、無電解メ
ッキ膜の均一性を向上できる。
ために、本発明に係る無電解メッキ方法は、基板上に無
電解メッキ液を供給するメッキ液供給ステップと、前記
メッキ液供給ステップで基板上に供給された無電解メッ
キ液に反応を促進する反応促進条件を付与する反応促進
条件付与ステップと、前記反応促進条件付与ステップで
反応促進条件が付与された無電解メッキ液によって前記
基板上にメッキ膜を形成するメッキ膜形成ステップと、
を具備することを特徴とする。無電解メッキ液を供給
し、反応促進条件を付与することでメッキ膜の形成が開
始される。無電解メッキ液を供給した段階(反応促進条
件が付与される以前)ではメッキ膜の形成が行われない
か、行われてもその膜形成の速度が小さい。このため、
メッキ膜の本格的な形成が行われる以前に無電解メッキ
液を基板上に行き渡らせ、例えば、凹部を無電解メッキ
液で充填させることができる。無電解メッキ液が行き渡
った状態で無電解メッキが行われることから、無電解メ
ッキ膜の均一性を向上できる。
【0006】(1)ここで、反応促進条件は、無電解メ
ッキ液の温度の上昇によって実現可能である。温度の上
昇によって無電解メッキ液の反応を促進し、無電解メッ
キ液の温度の上昇は、無電解メッキ液を基板によって
(基板を介して)、あるいは輻射熱によって加熱するこ
とによって行える。また、この温度上昇は、基板上に供
給される無電解メッキ液の温度を制御することによって
も行える。
ッキ液の温度の上昇によって実現可能である。温度の上
昇によって無電解メッキ液の反応を促進し、無電解メッ
キ液の温度の上昇は、無電解メッキ液を基板によって
(基板を介して)、あるいは輻射熱によって加熱するこ
とによって行える。また、この温度上昇は、基板上に供
給される無電解メッキ液の温度を制御することによって
も行える。
【0007】(2)反応促進条件は、無電解メッキ液の
組成を変化させることによっても実現可能である。例え
ば、金属塩の濃度やpHを変化させることで、メッキ膜
の生成速度を変化させることができる。無電解メッキ液
の組成の変化は、基板上に供給される無電解メッキ液を
切り換えること、あるいは前記基板上に供給される無電
解メッキ液を構成する複数の薬液の混合比を変化するこ
とによって行える。
組成を変化させることによっても実現可能である。例え
ば、金属塩の濃度やpHを変化させることで、メッキ膜
の生成速度を変化させることができる。無電解メッキ液
の組成の変化は、基板上に供給される無電解メッキ液を
切り換えること、あるいは前記基板上に供給される無電
解メッキ液を構成する複数の薬液の混合比を変化するこ
とによって行える。
【0008】B.本発明に係る無電解メッキ方法は、基
板上に、第1の無電解メッキ液によって、第1の膜形成
速度で、第1のメッキ膜を形成する第1のメッキ膜形成
ステップと、第1のメッキ膜形成ステップで第1のメッ
キ膜が形成された基板上に、第2の無電解メッキ液によ
って、第1の膜形成速度より大きい第2の膜形成速度
で、第2のメッキ膜を形成する第2のメッキ膜形成ステ
ップと、を具備することを特徴とする。第1のメッキ膜
形成ステップでは、それぞれ第1、第2の無電解メッキ
液を用いることでそれぞれ第1、第2の膜形成速度でメ
ッキ膜が形成される。第1の膜形成速度が第2の膜形成
速度よりも小さいことから、第1の無電解メッキ液によ
って基板上の比較的微細なパターンへのメッキ膜の形成
した後に、第2の無電解メッキ液により速やかにメッキ
膜を形成できる。この結果、基板上へのメッキ膜の形成
を均一性良く、しかも処理時間の長時間化を招くことな
く、実現することが可能となる。
板上に、第1の無電解メッキ液によって、第1の膜形成
速度で、第1のメッキ膜を形成する第1のメッキ膜形成
ステップと、第1のメッキ膜形成ステップで第1のメッ
キ膜が形成された基板上に、第2の無電解メッキ液によ
って、第1の膜形成速度より大きい第2の膜形成速度
で、第2のメッキ膜を形成する第2のメッキ膜形成ステ
ップと、を具備することを特徴とする。第1のメッキ膜
形成ステップでは、それぞれ第1、第2の無電解メッキ
液を用いることでそれぞれ第1、第2の膜形成速度でメ
ッキ膜が形成される。第1の膜形成速度が第2の膜形成
速度よりも小さいことから、第1の無電解メッキ液によ
って基板上の比較的微細なパターンへのメッキ膜の形成
した後に、第2の無電解メッキ液により速やかにメッキ
膜を形成できる。この結果、基板上へのメッキ膜の形成
を均一性良く、しかも処理時間の長時間化を招くことな
く、実現することが可能となる。
【0009】(1)無電解メッキ方法が、前記第2のメ
ッキ膜形成ステップに先だって、前記第1のメッキ膜形
成ステップで用いられた第1の無電解メッキ液を基板上
から除去する無電解メッキ液除去ステップをさらに具備
してもよい。第1の無電解メッキ液を基板上から除去す
ることで、第2の無電解メッキ液への第1の無電解メッ
キ液の混入を防止できる。
ッキ膜形成ステップに先だって、前記第1のメッキ膜形
成ステップで用いられた第1の無電解メッキ液を基板上
から除去する無電解メッキ液除去ステップをさらに具備
してもよい。第1の無電解メッキ液を基板上から除去す
ることで、第2の無電解メッキ液への第1の無電解メッ
キ液の混入を防止できる。
【0010】(2)前記第1、第2のメッキ液が、互い
に異なるメッキ液貯蔵部から供給されてもよい。メッキ
を供給するメッキ貯蔵部を切り換えることで、第1、第
2のメッキ液を適宜に供給できる。
に異なるメッキ液貯蔵部から供給されてもよい。メッキ
を供給するメッキ貯蔵部を切り換えることで、第1、第
2のメッキ液を適宜に供給できる。
【0011】(3)前記第1、第2のメッキ液が、複数
の薬液を混合する薬液混合部を経由して供給されてもよ
い。薬液混合部での薬液の混合比を変化させることで、
第1、第2のメッキ液を適宜に供給できる。
の薬液を混合する薬液混合部を経由して供給されてもよ
い。薬液混合部での薬液の混合比を変化させることで、
第1、第2のメッキ液を適宜に供給できる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る無
電解メッキ方法を図面を参照して詳細に説明する。 (第1実施形態)図1は、本発明の第1実施形態に係る
無電解メッキ方法の手順の一例を表すフロー図である。
また、図2は図1の手順により処理された基板たるウエ
ハWの断面状態を表す断面図である。さらに、図3は図
1の手順による無電解メッキを実行可能な無電解メッキ
装置10の一例を示す一部断面図である。先に図2の処
理の概略を説明する(詳細は後述)。凹部を有するウエ
ハW(図2(A))にメッキ液Lを供給、保持し(ステ
ップS13および図2(B))、その後にメッキ液Lを
加熱して反応を促進しウエハWにメッキ膜Pを形成する
(ステップS14および図2(C))。ステップS13
でメッキ液Lを供給、保持し、メッキ液Lを凹部も含め
たウエハW全体に行き渡らせることができる。その後の
ステップS14で、メッキ液Lを昇温することでメッキ
膜が形成される。メッキ液Lが行き渡った状態で無電解
メッキが行われることから、メッキ膜の形成の均一性を
向上できる。
電解メッキ方法を図面を参照して詳細に説明する。 (第1実施形態)図1は、本発明の第1実施形態に係る
無電解メッキ方法の手順の一例を表すフロー図である。
また、図2は図1の手順により処理された基板たるウエ
ハWの断面状態を表す断面図である。さらに、図3は図
1の手順による無電解メッキを実行可能な無電解メッキ
装置10の一例を示す一部断面図である。先に図2の処
理の概略を説明する(詳細は後述)。凹部を有するウエ
ハW(図2(A))にメッキ液Lを供給、保持し(ステ
ップS13および図2(B))、その後にメッキ液Lを
加熱して反応を促進しウエハWにメッキ膜Pを形成する
(ステップS14および図2(C))。ステップS13
でメッキ液Lを供給、保持し、メッキ液Lを凹部も含め
たウエハW全体に行き渡らせることができる。その後の
ステップS14で、メッキ液Lを昇温することでメッキ
膜が形成される。メッキ液Lが行き渡った状態で無電解
メッキが行われることから、メッキ膜の形成の均一性を
向上できる。
【0013】(無電解メッキ装置の詳細)先に無電解メ
ッキ装置につき説明する。無電解メッキ装置10は、処
理液を用いて基板たるウエハWへの無電解メッキ処理、
その前処理、メッキ後の洗浄処理および乾燥処理を行う
ことができる。即ち、処理液としては、無電解メッキ用
の薬液の他に、メッキの前処理、後処理用の薬液、純水
等種々の液体を含めることができる。
ッキ装置につき説明する。無電解メッキ装置10は、処
理液を用いて基板たるウエハWへの無電解メッキ処理、
その前処理、メッキ後の洗浄処理および乾燥処理を行う
ことができる。即ち、処理液としては、無電解メッキ用
の薬液の他に、メッキの前処理、後処理用の薬液、純水
等種々の液体を含めることができる。
【0014】無電解メッキに用いる薬液(無電解メッキ
液)として以下の材料を混合し純水に溶解したものを用
いることができる。 金属塩:メッキ膜を構成する金属イオンを供給する材
料であり、メッキ膜が銅の場合には、例えば、硫酸銅、
硝酸銅、塩化銅である。 錯化剤:強アルカリ性下において、金属イオンが水酸
化物として沈殿しないように、金属を錯体化して液中で
の安定性を向上させるための材料であり、例えば、アミ
ン系材料としてHEDTA、EDTA、ED、有機系材
料としてクエン酸、酒石酸、グルコン酸を用いることが
できる。 還元剤:金属イオンを触媒的に還元析出させるための
材料であり、例えば、ホルムアルデヒド、次亜燐酸塩、
グルオキシル酸、硝酸塩(硝酸第二コバルト等)、ジメ
チルアミノボラン、塩化第二スズ、水素化ホウ素化合物
を用いることができる。 安定剤:酸化物(メッキ膜が銅の場合には酸化第二
銅)の不均一性に起因するメッキ液の自然分解を防止す
る材料であり、窒素系の材料として、例えば、1価の銅
と優先的に錯体を形成するビビルジル、シアン化合物、
チオ尿素、0−フェナントロリン、ネオブロインを用い
ることができる。 pH緩衝剤:メッキ液の反応が進んだときのpHの変
化を抑制するための材料であり、例えば、ホウ酸、炭
酸、オキシカルボン酸を用いることができる。 添加剤:添加剤にはメッキ膜の析出の促進、抑制を行
う材料や、表面またはメッキ膜の改質を行う材料があ
る。 ・メッキ膜の析出速度を抑制し、メッキ液の安定化およ
びメッキ膜の特性を改善するための材料としては、硫黄
系の材料として、例えば、チオ硫酸、2−MBTを用い
ることができる。 ・メッキ液の表面張力を低下させ、ウエハWの面上にメ
ッキ液が均一に配置されるようにするための材料として
は、界面活性剤のノニオン系材料として例えばポリアル
キレングリコール、ポリエチレングリコールを用いるこ
とができる。
液)として以下の材料を混合し純水に溶解したものを用
いることができる。 金属塩:メッキ膜を構成する金属イオンを供給する材
料であり、メッキ膜が銅の場合には、例えば、硫酸銅、
硝酸銅、塩化銅である。 錯化剤:強アルカリ性下において、金属イオンが水酸
化物として沈殿しないように、金属を錯体化して液中で
の安定性を向上させるための材料であり、例えば、アミ
ン系材料としてHEDTA、EDTA、ED、有機系材
料としてクエン酸、酒石酸、グルコン酸を用いることが
できる。 還元剤:金属イオンを触媒的に還元析出させるための
材料であり、例えば、ホルムアルデヒド、次亜燐酸塩、
グルオキシル酸、硝酸塩(硝酸第二コバルト等)、ジメ
チルアミノボラン、塩化第二スズ、水素化ホウ素化合物
を用いることができる。 安定剤:酸化物(メッキ膜が銅の場合には酸化第二
銅)の不均一性に起因するメッキ液の自然分解を防止す
る材料であり、窒素系の材料として、例えば、1価の銅
と優先的に錯体を形成するビビルジル、シアン化合物、
チオ尿素、0−フェナントロリン、ネオブロインを用い
ることができる。 pH緩衝剤:メッキ液の反応が進んだときのpHの変
化を抑制するための材料であり、例えば、ホウ酸、炭
酸、オキシカルボン酸を用いることができる。 添加剤:添加剤にはメッキ膜の析出の促進、抑制を行
う材料や、表面またはメッキ膜の改質を行う材料があ
る。 ・メッキ膜の析出速度を抑制し、メッキ液の安定化およ
びメッキ膜の特性を改善するための材料としては、硫黄
系の材料として、例えば、チオ硫酸、2−MBTを用い
ることができる。 ・メッキ液の表面張力を低下させ、ウエハWの面上にメ
ッキ液が均一に配置されるようにするための材料として
は、界面活性剤のノニオン系材料として例えばポリアル
キレングリコール、ポリエチレングリコールを用いるこ
とができる。
【0015】図3に示すように無電解メッキ装置10
は、ベース11、中空モータ12,基板保持部たるウエ
ハチャック20,上部プレート30,下部プレート4
0、カップ50,ノズルアーム61,62,傾斜調節部
たる基板傾斜機構70,液供給機構80を有する。ここ
で、中空モータ12、ウエハチャック20,上部プレー
ト30,下部プレート40、カップ50,ノズルアーム
61,62は、直接的あるいは間接的にベース11に接
続され、ベース11と共に移動、基板傾斜機構70によ
る傾斜等が行われる。
は、ベース11、中空モータ12,基板保持部たるウエ
ハチャック20,上部プレート30,下部プレート4
0、カップ50,ノズルアーム61,62,傾斜調節部
たる基板傾斜機構70,液供給機構80を有する。ここ
で、中空モータ12、ウエハチャック20,上部プレー
ト30,下部プレート40、カップ50,ノズルアーム
61,62は、直接的あるいは間接的にベース11に接
続され、ベース11と共に移動、基板傾斜機構70によ
る傾斜等が行われる。
【0016】ウエハチャック20は、ウエハWを保持・
固定するものであり、ウエハ保持爪21,ウエハチャッ
ク底板23、ウエハチャック支持部24から構成され
る。ウエハ保持爪21は、ウエハチャック底板23の外
周上に複数個配置され、ウエハWを保持、固定する。ウ
エハチャック底板23は、ウエハチャック支持部24の
上面に接続された略円形の平板であり、カップ50の底
面上に配置されている。ウエハチャック支持部24は、
略円筒形状であり、ウエハチャック底板23に設けられ
た円形状の開口部に接続され、かつ中空モータ12の回
転軸を構成する。この結果、中空モータ12を駆動する
ことで、ウエハWを保持したままで、ウエハチャック2
0を回転させることができる。
固定するものであり、ウエハ保持爪21,ウエハチャッ
ク底板23、ウエハチャック支持部24から構成され
る。ウエハ保持爪21は、ウエハチャック底板23の外
周上に複数個配置され、ウエハWを保持、固定する。ウ
エハチャック底板23は、ウエハチャック支持部24の
上面に接続された略円形の平板であり、カップ50の底
面上に配置されている。ウエハチャック支持部24は、
略円筒形状であり、ウエハチャック底板23に設けられ
た円形状の開口部に接続され、かつ中空モータ12の回
転軸を構成する。この結果、中空モータ12を駆動する
ことで、ウエハWを保持したままで、ウエハチャック2
0を回転させることができる。
【0017】上部プレート30は、略円形の平板形状で
あり、ヒータH(図示せず)、処理液吐出口31、処理
液流入部32,温度測定機構33を有し、かつ昇降機構
34に接続されている。ヒータHは上部プレート30を
加熱するための電熱線等の加熱手段である。ヒータHは
温度測定機構33での温度測定結果に対応して、上部プ
レート30、ひいてはウエハWが所望の温度に保持され
るように(例えば、室温から60℃程度の範囲)、図示
しない制御手段により発熱量が制御される。処理液吐出
口31は、上部プレート30の下面に単数または複数形
成され、処理液流入部32から流入した処理液を吐出す
る。処理液流入部32は上部プレート30の上面側にあ
って、処理液が流入し、流入した処理液は処理液吐出口
31へと分配される。処理液流入部32に流入する処理
液は、純水(RT:室温)、加熱された薬液1,2(例
えば、室温から60℃程度の範囲)を切り替えて用いる
ことができる。また、後述するミキシングボックス85
で混合された薬液1,2(場合により、他の薬液を含む
複数の薬液を混合して)を処理液流入部32に流入させ
ることもできる。温度測定機構33は、上部プレート3
0に埋め込まれた熱電対等の温度測定手段であり、上部
プレート30の温度を測定する。昇降機構34は、上部
プレート30に接続され、上部プレート30をウエハW
に対向した状態で上下に昇降し、例えば、ウエハWとの
間隔を0.1〜500mmの間で制御することができ
る。無電解メッキ中においてはウエハWと上部プレート
30を近接させ(例えば、ウエハWと上部プレート30
との間隔が2mm以下)、これらのギャップの空間の大
きさを制限し、ウエハWの面上に供給される処理液の均
一化、および使用量の低減を図ることができる。
あり、ヒータH(図示せず)、処理液吐出口31、処理
液流入部32,温度測定機構33を有し、かつ昇降機構
34に接続されている。ヒータHは上部プレート30を
加熱するための電熱線等の加熱手段である。ヒータHは
温度測定機構33での温度測定結果に対応して、上部プ
レート30、ひいてはウエハWが所望の温度に保持され
るように(例えば、室温から60℃程度の範囲)、図示
しない制御手段により発熱量が制御される。処理液吐出
口31は、上部プレート30の下面に単数または複数形
成され、処理液流入部32から流入した処理液を吐出す
る。処理液流入部32は上部プレート30の上面側にあ
って、処理液が流入し、流入した処理液は処理液吐出口
31へと分配される。処理液流入部32に流入する処理
液は、純水(RT:室温)、加熱された薬液1,2(例
えば、室温から60℃程度の範囲)を切り替えて用いる
ことができる。また、後述するミキシングボックス85
で混合された薬液1,2(場合により、他の薬液を含む
複数の薬液を混合して)を処理液流入部32に流入させ
ることもできる。温度測定機構33は、上部プレート3
0に埋め込まれた熱電対等の温度測定手段であり、上部
プレート30の温度を測定する。昇降機構34は、上部
プレート30に接続され、上部プレート30をウエハW
に対向した状態で上下に昇降し、例えば、ウエハWとの
間隔を0.1〜500mmの間で制御することができ
る。無電解メッキ中においてはウエハWと上部プレート
30を近接させ(例えば、ウエハWと上部プレート30
との間隔が2mm以下)、これらのギャップの空間の大
きさを制限し、ウエハWの面上に供給される処理液の均
一化、および使用量の低減を図ることができる。
【0018】下部プレート40は、ウエハWの下面に対
向して配置された略円形の平板形状であり、ウエハWに
近接した状態でその下面へ加熱された純水の供給を行う
ことで、ウエハWを適宜に加熱することができる。ウエ
ハWの加熱を効率よく行うためには、下部プレート40
の大きさがウエハWの大きさに近似することが好まし
い。具体的には、下部プレート40の大きさがウエハW
の面積の80%以上、あるいは90%以上とすることが
好ましい。下部プレート40は、その上面の中央に処理
液吐出口41が形成され、支持部42で支持されてい
る。処理液吐出口41は、支持部42内を通過した処理
液が吐出する。処理液は純水(RT:室温)、加熱され
た純水(例えば、室温から60℃程度の範囲)を切り替
えて用いることができる。支持部42は、中空モータ1
2を貫通し、間隔調節部たる昇降機構(図示せず)に接
続されている。昇降機構を動作することで、支持部4
2、ひいては下部プレート40を上下に昇降することが
できる。
向して配置された略円形の平板形状であり、ウエハWに
近接した状態でその下面へ加熱された純水の供給を行う
ことで、ウエハWを適宜に加熱することができる。ウエ
ハWの加熱を効率よく行うためには、下部プレート40
の大きさがウエハWの大きさに近似することが好まし
い。具体的には、下部プレート40の大きさがウエハW
の面積の80%以上、あるいは90%以上とすることが
好ましい。下部プレート40は、その上面の中央に処理
液吐出口41が形成され、支持部42で支持されてい
る。処理液吐出口41は、支持部42内を通過した処理
液が吐出する。処理液は純水(RT:室温)、加熱され
た純水(例えば、室温から60℃程度の範囲)を切り替
えて用いることができる。支持部42は、中空モータ1
2を貫通し、間隔調節部たる昇降機構(図示せず)に接
続されている。昇降機構を動作することで、支持部4
2、ひいては下部プレート40を上下に昇降することが
できる。
【0019】カップ50は、ウエハチャック20をその
中に保持し、かつウエハWの処理に用いられた処理液を
受け止め排出するものであり、カップ側部51,カップ
底板52,廃液管53を有する。カップ側部51は、そ
の内周がウエハチャック20の外周に沿う略円筒形であ
り、その上端がウエハチャック20の保持面の上方近傍
に位置している。カップ底板52は,カップ側部51の
下端に接続され、中空モータ12に対応する位置に開口
部を有し、その開口部に対応する位置にウエハチャック
20が配置されている。廃液管53は、カップ底板52
に接続され、カップ50から廃液(ウエハWを処理した
処理液)を無電解メッキ装置10が設置された工場の廃
液ライン等へと排出するための配管である。カップ50
は、図示しない昇降機構に接続され、ベース11とウエ
ハWに対して上下に移動することができる。
中に保持し、かつウエハWの処理に用いられた処理液を
受け止め排出するものであり、カップ側部51,カップ
底板52,廃液管53を有する。カップ側部51は、そ
の内周がウエハチャック20の外周に沿う略円筒形であ
り、その上端がウエハチャック20の保持面の上方近傍
に位置している。カップ底板52は,カップ側部51の
下端に接続され、中空モータ12に対応する位置に開口
部を有し、その開口部に対応する位置にウエハチャック
20が配置されている。廃液管53は、カップ底板52
に接続され、カップ50から廃液(ウエハWを処理した
処理液)を無電解メッキ装置10が設置された工場の廃
液ライン等へと排出するための配管である。カップ50
は、図示しない昇降機構に接続され、ベース11とウエ
ハWに対して上下に移動することができる。
【0020】ノズルアーム61,62は、ウエハWの上
面近傍に配置され、その先端の開口部から処理液、エア
ー等の流体を吐出する。吐出する流体は純水、薬液、窒
素ガスを適宜に選択することができる。ノズルアーム6
1,62にはそれぞれ、ウエハWの中央に向かう方向に
ノズルアーム61,62を移動させる移動機構(図示せ
ず)が接続されている。ウエハWに流体を吐出する場合
にはノズルアーム61,62がウエハWの上方に移動さ
れ、吐出が完了するとウエハWの外周の外に移動され
る。なお、ノズルアームの数は吐出する薬液の量、種類
により単数もしくは3本以上にすることも可能である。
面近傍に配置され、その先端の開口部から処理液、エア
ー等の流体を吐出する。吐出する流体は純水、薬液、窒
素ガスを適宜に選択することができる。ノズルアーム6
1,62にはそれぞれ、ウエハWの中央に向かう方向に
ノズルアーム61,62を移動させる移動機構(図示せ
ず)が接続されている。ウエハWに流体を吐出する場合
にはノズルアーム61,62がウエハWの上方に移動さ
れ、吐出が完了するとウエハWの外周の外に移動され
る。なお、ノズルアームの数は吐出する薬液の量、種類
により単数もしくは3本以上にすることも可能である。
【0021】基板傾斜機構70は,ベース11に接続さ
れ、ベース11の一端を上下させることで、ベース1
1、およびこれに接続されたウエハチャック20,ウエ
ハW、上部プレート30,下部プレート40、カップ5
0を例えば、0〜10°、あるいは0〜5°の範囲で傾
斜させる。図4は基板傾斜機構70によって、ウエハW
等が傾斜された状態を表す一部断面図である。基板傾斜
機構70によってベース11が傾き、ベース11に直接
的あるいは間接的に接続されたウエハW等が角度θ傾斜
していることが判る。
れ、ベース11の一端を上下させることで、ベース1
1、およびこれに接続されたウエハチャック20,ウエ
ハW、上部プレート30,下部プレート40、カップ5
0を例えば、0〜10°、あるいは0〜5°の範囲で傾
斜させる。図4は基板傾斜機構70によって、ウエハW
等が傾斜された状態を表す一部断面図である。基板傾斜
機構70によってベース11が傾き、ベース11に直接
的あるいは間接的に接続されたウエハW等が角度θ傾斜
していることが判る。
【0022】液供給機構80は、上部プレート30,下
部プレート40に加熱された処理液を供給するものであ
り、温度調節機構81,処理液タンク82,83,8
4、ポンプP1〜P5、バルブV1〜V5、ミキシング
ボックス85から構成される。なお、図3は薬液1,2
と2種類の薬液を用いた場合を表しているが、処理タン
ク、ポンプ、バルブの数はミキシングボックス85で混
合する薬液に数に応じて適宜に設定できる。温度調節機
構81はその内部に温水、および処理液タンク82〜8
4を有し、処理液タンク82〜84中の処理液(純水、
薬液1,2)を温水によって加熱する装置であり、処理
液を例えば、室温から60℃程度の範囲で適宜に加熱す
る。この温度調節には、例えば、ウォータバス、投げ込
みヒータ、外部ヒータを適宜に用いることができる。処
理液タンク82,83,84は、それぞれ、純水、薬液
1,2を保持するタンクである。ポンプP1〜P3は、
処理液タンク82〜84から処理液を吸い出す。なお、
処理液タンク82〜84をそれぞれ加圧することで、処
理液タンク82〜84からの送液を行ってもよい。バル
ブV1〜V3は配管の開閉を行い、処理液の供給および
供給停止を行う。また、バルブV4,V5は、それぞれ
上部プレート30、下部プレート40に室温の(加熱さ
れない)純水を供給するためのものである。ミキシング
ボックス85は、処理液タンク83,84から送られた
薬液1,2を混合するための容器である。上部プレート
30には、薬液1,2を適宜にミキシングボックス85
で混合、温度調節して送ることができる。また、下部プ
レート40には、温度調節された純水を適宜に送ること
ができる。
部プレート40に加熱された処理液を供給するものであ
り、温度調節機構81,処理液タンク82,83,8
4、ポンプP1〜P5、バルブV1〜V5、ミキシング
ボックス85から構成される。なお、図3は薬液1,2
と2種類の薬液を用いた場合を表しているが、処理タン
ク、ポンプ、バルブの数はミキシングボックス85で混
合する薬液に数に応じて適宜に設定できる。温度調節機
構81はその内部に温水、および処理液タンク82〜8
4を有し、処理液タンク82〜84中の処理液(純水、
薬液1,2)を温水によって加熱する装置であり、処理
液を例えば、室温から60℃程度の範囲で適宜に加熱す
る。この温度調節には、例えば、ウォータバス、投げ込
みヒータ、外部ヒータを適宜に用いることができる。処
理液タンク82,83,84は、それぞれ、純水、薬液
1,2を保持するタンクである。ポンプP1〜P3は、
処理液タンク82〜84から処理液を吸い出す。なお、
処理液タンク82〜84をそれぞれ加圧することで、処
理液タンク82〜84からの送液を行ってもよい。バル
ブV1〜V3は配管の開閉を行い、処理液の供給および
供給停止を行う。また、バルブV4,V5は、それぞれ
上部プレート30、下部プレート40に室温の(加熱さ
れない)純水を供給するためのものである。ミキシング
ボックス85は、処理液タンク83,84から送られた
薬液1,2を混合するための容器である。上部プレート
30には、薬液1,2を適宜にミキシングボックス85
で混合、温度調節して送ることができる。また、下部プ
レート40には、温度調節された純水を適宜に送ること
ができる。
【0023】(無電解メッキ工程の詳細)図1に示した
ように、本発明の第1実施形態に係る無電解メッキ方法
では、ステップS11〜S18の順にウエハWが処理さ
れる。以下、この処理手順の詳細を説明する。
ように、本発明の第1実施形態に係る無電解メッキ方法
では、ステップS11〜S18の順にウエハWが処理さ
れる。以下、この処理手順の詳細を説明する。
【0024】(1)ウエハWの保持(ステップS11、
図5、および図2(A)) ウエハWがウエハチャック20上に保持される。例え
ば、ウエハWをその上面で吸引した図示しない吸引アー
ム(基板搬送機構)がウエハチャック20上にウエハW
を載置する。そして、ウエハチャック20のウエハ保持
爪21によってウエハWを保持・固定する。なお、カッ
プ50を降下させることで、ウエハWの上面より下で吸
引アームを水平方向に動かすことができる。
図5、および図2(A)) ウエハWがウエハチャック20上に保持される。例え
ば、ウエハWをその上面で吸引した図示しない吸引アー
ム(基板搬送機構)がウエハチャック20上にウエハW
を載置する。そして、ウエハチャック20のウエハ保持
爪21によってウエハWを保持・固定する。なお、カッ
プ50を降下させることで、ウエハWの上面より下で吸
引アームを水平方向に動かすことができる。
【0025】(2)ウエハWの前処理(ステップS12
および図6) ウエハWを回転させ、ウエハWの上面にノズルアーム6
1またはノズルアーム62から処理液を供給すること
で、ウエハWの前処理が行われる。ウエハWの回転は中
空モータ12によりウエハチャック20を回転すること
で行われ、このときの回転速度は一例として100〜2
00rpmとすることができる。ノズルアーム61,6
2いずれかまたは双方がウエハWの上方に移動し、処理
液を吐出する。ノズルアーム61,62から供給される
処理液は、前処理の目的に応じて、例えば、ウエハW洗
浄用の純水あるいはウエハWの触媒活性化処理用の薬液
が順次に供給される。このときの吐出量は、ウエハW上
に処理液のパドル(層)を形成するに必要な量、例え
ば、100mL程度で足りる。但し、必要に応じて、吐
出量を多くしても差し支えない。また、吐出される処理
液は適宜に加熱(例えば、室温から60℃程度の範囲)
してもよい。
および図6) ウエハWを回転させ、ウエハWの上面にノズルアーム6
1またはノズルアーム62から処理液を供給すること
で、ウエハWの前処理が行われる。ウエハWの回転は中
空モータ12によりウエハチャック20を回転すること
で行われ、このときの回転速度は一例として100〜2
00rpmとすることができる。ノズルアーム61,6
2いずれかまたは双方がウエハWの上方に移動し、処理
液を吐出する。ノズルアーム61,62から供給される
処理液は、前処理の目的に応じて、例えば、ウエハW洗
浄用の純水あるいはウエハWの触媒活性化処理用の薬液
が順次に供給される。このときの吐出量は、ウエハW上
に処理液のパドル(層)を形成するに必要な量、例え
ば、100mL程度で足りる。但し、必要に応じて、吐
出量を多くしても差し支えない。また、吐出される処理
液は適宜に加熱(例えば、室温から60℃程度の範囲)
してもよい。
【0026】(3)ウエハWへのメッキ液の供給・保持
(ステップS13、図7、および図2(B))。 ウエハWにメッキ液が供給、保持される。上部プレート
30をウエハWの上面に近接させ(一例として、ウエハ
W上面と上部プレート30下面との間隔:0.1〜2m
m程度)、処理液吐出口31からメッキ用の薬液(メッ
キ液)を供給する(一例として、30〜100mL/m
in)。供給されたメッキ液は、ウエハW上面と上部プ
レート30下面との間に充満し、カップ50へと流出す
る。上部プレート30とウエハWを近接させることで、
メッキ液の消費量を低減できる。この時点では、メッキ
液によってウエハWへの無電解メッキを行うための温度
条件が十分には備わっていないものとする(温度が低
い)。従って、無電解メッキは実質的にまだ始まってお
らず。ウエハW上への無電解メッキ膜の形成は実質的に
行われないか、行われたとしてもその形成速度は小さ
い。このため、ウエハW全体にメッキ液を十分行き渡ら
せることができる。例えば、ウエハWにピアホールやト
レンチ等の微細な凹部が形成されている場合に、その凹
部内にメッキ液が充填される。なお、メッキ液の供給中
にウエハWを回転することで、ウエハW上へのメッキ液
供給の均一性を向上することができる。
(ステップS13、図7、および図2(B))。 ウエハWにメッキ液が供給、保持される。上部プレート
30をウエハWの上面に近接させ(一例として、ウエハ
W上面と上部プレート30下面との間隔:0.1〜2m
m程度)、処理液吐出口31からメッキ用の薬液(メッ
キ液)を供給する(一例として、30〜100mL/m
in)。供給されたメッキ液は、ウエハW上面と上部プ
レート30下面との間に充満し、カップ50へと流出す
る。上部プレート30とウエハWを近接させることで、
メッキ液の消費量を低減できる。この時点では、メッキ
液によってウエハWへの無電解メッキを行うための温度
条件が十分には備わっていないものとする(温度が低
い)。従って、無電解メッキは実質的にまだ始まってお
らず。ウエハW上への無電解メッキ膜の形成は実質的に
行われないか、行われたとしてもその形成速度は小さ
い。このため、ウエハW全体にメッキ液を十分行き渡ら
せることができる。例えば、ウエハWにピアホールやト
レンチ等の微細な凹部が形成されている場合に、その凹
部内にメッキ液が充填される。なお、メッキ液の供給中
にウエハWを回転することで、ウエハW上へのメッキ液
供給の均一性を向上することができる。
【0027】以上のメッキ液の供給に際して、以下〜
のようなことを併せて行うことも可能である。 メッキ液の供給の際に、ウエハチャック20によって
ウエハWを回転することで、ウエハWに均一性よくメッ
キ液を供給することができ、ひいてはメッキ膜の均一性
向上に寄与する。一例として、ウエハWを10〜50r
pmで回転する。 メッキ液の供給前(又は、供給中、供給後)に、基板
傾斜機構70によってウエハチャック20および上部プ
レート30を傾斜させることができる。ウエハWが傾斜
されることで、ウエハWと上部プレート30間の気体
(例えば、大気)を速やかに除去し、メッキ液に置換す
ることができる。仮に、ウエハWと上部プレート30間
の気体の除去が不完全だと、ウエハWと上部プレート3
0間に気泡が残存し形成されるメッキ膜の均一性が阻害
される原因になる。 ウエハWに所定量のメッキ液が供給されたら、その供
給を停止してもよい。ウエハW上に供給されたメッキ液
を低減して、その使用量を削減できる。このステップで
のメッキ液の供給はウエハWにメッキ液を行き渡らせる
ことが目的であり、メッキ液の反応(即ち、メッキ液の
消費)は目的としていない。このため、必ずしもメッキ
液の供給を連続的に行う必要はない。 なお、上部プレート30とウエハWの接近は必ずしも
絶対的に必要なものではなく、上部プレート30とウエ
ハWを大きく離したままでメッキ液を供給することも可
能である。この場合には、(所定量のメッキ液供給後
の供給停止)が併せて行われるのが一般的である。
のようなことを併せて行うことも可能である。 メッキ液の供給の際に、ウエハチャック20によって
ウエハWを回転することで、ウエハWに均一性よくメッ
キ液を供給することができ、ひいてはメッキ膜の均一性
向上に寄与する。一例として、ウエハWを10〜50r
pmで回転する。 メッキ液の供給前(又は、供給中、供給後)に、基板
傾斜機構70によってウエハチャック20および上部プ
レート30を傾斜させることができる。ウエハWが傾斜
されることで、ウエハWと上部プレート30間の気体
(例えば、大気)を速やかに除去し、メッキ液に置換す
ることができる。仮に、ウエハWと上部プレート30間
の気体の除去が不完全だと、ウエハWと上部プレート3
0間に気泡が残存し形成されるメッキ膜の均一性が阻害
される原因になる。 ウエハWに所定量のメッキ液が供給されたら、その供
給を停止してもよい。ウエハW上に供給されたメッキ液
を低減して、その使用量を削減できる。このステップで
のメッキ液の供給はウエハWにメッキ液を行き渡らせる
ことが目的であり、メッキ液の反応(即ち、メッキ液の
消費)は目的としていない。このため、必ずしもメッキ
液の供給を連続的に行う必要はない。 なお、上部プレート30とウエハWの接近は必ずしも
絶対的に必要なものではなく、上部プレート30とウエ
ハWを大きく離したままでメッキ液を供給することも可
能である。この場合には、(所定量のメッキ液供給後
の供給停止)が併せて行われるのが一般的である。
【0028】(4)メッキ液の加熱(ステップS14、
図8,および図2(C)) メッキ液の温度を反応に適した温度まで上昇させ(一例
として、室温から60℃程度の範囲)、メッキ液の反応
によるメッキ膜の形成が開始される。このときには、何
らかの手段でメッキ液の温度を測定し、その加熱を制御
することが好ましい。この温度測定は、メッキ液そのも
のの温度を直接測定することで行ってもよいが、例え
ば、ウエハWの温度を測定することでメッキ液の温度を
間接的に測定することで行っても差し支えない。
図8,および図2(C)) メッキ液の温度を反応に適した温度まで上昇させ(一例
として、室温から60℃程度の範囲)、メッキ液の反応
によるメッキ膜の形成が開始される。このときには、何
らかの手段でメッキ液の温度を測定し、その加熱を制御
することが好ましい。この温度測定は、メッキ液そのも
のの温度を直接測定することで行ってもよいが、例え
ば、ウエハWの温度を測定することでメッキ液の温度を
間接的に測定することで行っても差し支えない。
【0029】メッキ液の温度上昇は以下〜に示すよ
うな種々の手法それぞれ、またはそれらの組み合わせに
よって行える。 下部プレート40による加熱 この加熱手法は図8で示されている。下部プレート40
を加熱してウエハWの下面に近接させ(一例として、ウ
エハW下面と下部プレート40上面との間隔:0.1〜
2mm程度)、処理液吐出口41から液供給機構80で
加熱された純水を供給する。この加熱された純水は、ウ
エハW下面と下部プレート40上面との間に充満し、ウ
エハWを加熱する。ウエハWを加熱することによりメッ
キ液が加熱され、ウエハWへのメッキ膜の形成が行われ
る。この手法は、メッキ液がウエハWとの界面から加熱
される。この界面はメッキ膜が形成される界面でもある
ため、メッキ液に加えられた熱が有効に利用される。ウ
エハWを純水等の液体で加熱することで、ウエハWと下
部プレート40とを別個に回転または非回転とすること
が容易となり、かつウエハW下面の汚染が防止される。
なお、場合により、加熱した下部プレート40をウエハ
Wに接触することでウエハWを加熱してもよい。
うな種々の手法それぞれ、またはそれらの組み合わせに
よって行える。 下部プレート40による加熱 この加熱手法は図8で示されている。下部プレート40
を加熱してウエハWの下面に近接させ(一例として、ウ
エハW下面と下部プレート40上面との間隔:0.1〜
2mm程度)、処理液吐出口41から液供給機構80で
加熱された純水を供給する。この加熱された純水は、ウ
エハW下面と下部プレート40上面との間に充満し、ウ
エハWを加熱する。ウエハWを加熱することによりメッ
キ液が加熱され、ウエハWへのメッキ膜の形成が行われ
る。この手法は、メッキ液がウエハWとの界面から加熱
される。この界面はメッキ膜が形成される界面でもある
ため、メッキ液に加えられた熱が有効に利用される。ウ
エハWを純水等の液体で加熱することで、ウエハWと下
部プレート40とを別個に回転または非回転とすること
が容易となり、かつウエハW下面の汚染が防止される。
なお、場合により、加熱した下部プレート40をウエハ
Wに接触することでウエハWを加熱してもよい。
【0030】供給するメッキ液の温度上昇
ウエハに供給する以前のメッキ液の温度を上昇させるこ
とで、メッキ膜の形成を開始してもよい。この温度上昇
は、液供給機構80によって行うことができる。供給す
るメッキ液自体の温度を変化させることから、メッキ液
の温度の安定性を向上できる。 上部プレート30による加熱 メッキ液の加熱は上部プレート30によって行うことも
できる。上部プレート30がメッキ液に接触しているこ
とから、上部プレート30の温度を上昇することでメッ
キ液を加熱できる。 メッキ液の加熱はヒータやランプの輻射熱等適宜の手
段によって行える。 例えば、上部プレート30とウエハWを大きく離したま
までメッキ液を供給し、所定量のメッキ液供給後にその
供給が停止される場合には、ウエハWの上面からランプ
の輻射熱でメッキ液を加熱することが容易に行える。
とで、メッキ膜の形成を開始してもよい。この温度上昇
は、液供給機構80によって行うことができる。供給す
るメッキ液自体の温度を変化させることから、メッキ液
の温度の安定性を向上できる。 上部プレート30による加熱 メッキ液の加熱は上部プレート30によって行うことも
できる。上部プレート30がメッキ液に接触しているこ
とから、上部プレート30の温度を上昇することでメッ
キ液を加熱できる。 メッキ液の加熱はヒータやランプの輻射熱等適宜の手
段によって行える。 例えば、上部プレート30とウエハWを大きく離したま
までメッキ液を供給し、所定量のメッキ液供給後にその
供給が停止される場合には、ウエハWの上面からランプ
の輻射熱でメッキ液を加熱することが容易に行える。
【0031】以上のメッキ液の加熱に際して、以下〜
のようなことを併せて行うことも可能である。 メッキ液の加熱の際に、ウエハチャック20によっ
てウエハWを回転することで、メッキ液加熱の均一性を
向上することができ、ひいてはメッキ膜の均一性向上に
寄与する。一例として、ウエハWを10〜50rpmで
回転する。 基板傾斜機構70によってウエハチャック20および
上部プレート30を傾斜させることができる。メッキ液
の反応により水素等の気泡が生じる場合がある。ウエハ
Wが傾斜されることで、ウエハWと上部プレート30間
の気体を速やかに除去し、メッキ膜の均一性が阻害され
ることを防止できる。 メッキ膜の形成中におけるメッキ液の供給を、連続的
ではなく、間欠的に行うこともできる。ウエハW上に供
給されたメッキ液を効率良く消費して、その使用量を削
減できる。 メッキ液の供給は停止されていてもよい。ウエハW上
に既に供給されたメッキ液を用いてメッキ膜を形成する
場合にも、本実施例の手法は有効である。 上部プレート30とウエハWを大きく離したままでも
メッキ膜の形成が可能である。この場合には、(所定
量のメッキ液供給後の供給停止)が併せて行われるのが
一般的である。
のようなことを併せて行うことも可能である。 メッキ液の加熱の際に、ウエハチャック20によっ
てウエハWを回転することで、メッキ液加熱の均一性を
向上することができ、ひいてはメッキ膜の均一性向上に
寄与する。一例として、ウエハWを10〜50rpmで
回転する。 基板傾斜機構70によってウエハチャック20および
上部プレート30を傾斜させることができる。メッキ液
の反応により水素等の気泡が生じる場合がある。ウエハ
Wが傾斜されることで、ウエハWと上部プレート30間
の気体を速やかに除去し、メッキ膜の均一性が阻害され
ることを防止できる。 メッキ膜の形成中におけるメッキ液の供給を、連続的
ではなく、間欠的に行うこともできる。ウエハW上に供
給されたメッキ液を効率良く消費して、その使用量を削
減できる。 メッキ液の供給は停止されていてもよい。ウエハW上
に既に供給されたメッキ液を用いてメッキ膜を形成する
場合にも、本実施例の手法は有効である。 上部プレート30とウエハWを大きく離したままでも
メッキ膜の形成が可能である。この場合には、(所定
量のメッキ液供給後の供給停止)が併せて行われるのが
一般的である。
【0032】(5)ウエハWの洗浄(ステップS15お
よび図9)。 ウエハWを純水で洗浄する。この洗浄は、上部プレート
30の処理液吐出口31から吐出される処理液をメッキ
液から純水に切り替えることで行える。このとき、下部
プレート40の処理液吐出口41から純水を供給するこ
とができる。ウエハWの洗浄に、ノズルアーム61,6
2を用いることもできる。このときには、上部プレート
30の処理液吐出口31からのメッキ液の供給を停止
し、上部プレート30をウエハWから離す。しかる後
に、ノズルアーム61,62をウエハWの上方に移動さ
せて、純水を供給する。このときにも下部プレート40
の処理液吐出口41から純水を供給することが好まし
い。以上のウエハWの洗浄中にウエハWを回転すること
で、ウエハWの洗浄の均一性を向上することができる。
なお、上部プレート30とウエハWを大きく離したまま
でメッキ膜の形成を行う場合には、ウエハWの洗浄の除
去に先立って、ウエハW上からメッキ液を排出すること
が、洗浄効率上好ましい。この排出は、例えば、ウエハ
Wを高速に回転することで行える。
よび図9)。 ウエハWを純水で洗浄する。この洗浄は、上部プレート
30の処理液吐出口31から吐出される処理液をメッキ
液から純水に切り替えることで行える。このとき、下部
プレート40の処理液吐出口41から純水を供給するこ
とができる。ウエハWの洗浄に、ノズルアーム61,6
2を用いることもできる。このときには、上部プレート
30の処理液吐出口31からのメッキ液の供給を停止
し、上部プレート30をウエハWから離す。しかる後
に、ノズルアーム61,62をウエハWの上方に移動さ
せて、純水を供給する。このときにも下部プレート40
の処理液吐出口41から純水を供給することが好まし
い。以上のウエハWの洗浄中にウエハWを回転すること
で、ウエハWの洗浄の均一性を向上することができる。
なお、上部プレート30とウエハWを大きく離したまま
でメッキ膜の形成を行う場合には、ウエハWの洗浄の除
去に先立って、ウエハW上からメッキ液を排出すること
が、洗浄効率上好ましい。この排出は、例えば、ウエハ
Wを高速に回転することで行える。
【0033】(6)ウエハWの乾燥(ステップS16お
よび図10)。 ウエハWへの純水の供給を停止し、ウエハWを高速で回
転することで、ウエハW上の純水を除去する。場合によ
り、ノズルアーム61,62から窒素ガスを噴出してウ
エハWの乾燥を促進してもよい。 (7)ウエハWの除去(ステップS17および図1
1)。 ウエハWの乾燥が終了した後、ウエハチャック20によ
るウエハWの保持が停止される。その後、図示しない吸
引アーム(基板搬送機構)によりウエハWがウエハチャ
ック20上から取り去られる。
よび図10)。 ウエハWへの純水の供給を停止し、ウエハWを高速で回
転することで、ウエハW上の純水を除去する。場合によ
り、ノズルアーム61,62から窒素ガスを噴出してウ
エハWの乾燥を促進してもよい。 (7)ウエハWの除去(ステップS17および図1
1)。 ウエハWの乾燥が終了した後、ウエハチャック20によ
るウエハWの保持が停止される。その後、図示しない吸
引アーム(基板搬送機構)によりウエハWがウエハチャ
ック20上から取り去られる。
【0034】(第2実施形態)図12は、本発明の第2
実施形態に係る無電解メッキ方法の手順の一例を表すフ
ロー図である。また、図13は図12の手順により処理
された基板たるウエハWの断面状態を表す断面図であ
る。先に図12の処理の概略を説明する(詳細は後
述)。凹部を有するウエハW(図13(A))に第1の
メッキ液を供給し第1のメッキ膜P1を形成する(ステ
ップS24および図13(B))。その後に第2のメッ
キ液を供給し第2のメッキ膜P2を形成する(ステップ
S25および図13(C))。このとき、第1のメッキ
膜の形成速度は第1のメッキ膜の形成速度よりも小さい
ものとする。従い、ステップS24で微細な凹部(狭い
パターン)の埋め込みを行い、ステップS25で比較的
幅の広い凹部(広いパターン)の埋め込みを行うことが
できる。この結果、ウエハWへのメッキ膜の形成を均一
性良好に、しかも速やかに行うことが可能となる。
実施形態に係る無電解メッキ方法の手順の一例を表すフ
ロー図である。また、図13は図12の手順により処理
された基板たるウエハWの断面状態を表す断面図であ
る。先に図12の処理の概略を説明する(詳細は後
述)。凹部を有するウエハW(図13(A))に第1の
メッキ液を供給し第1のメッキ膜P1を形成する(ステ
ップS24および図13(B))。その後に第2のメッ
キ液を供給し第2のメッキ膜P2を形成する(ステップ
S25および図13(C))。このとき、第1のメッキ
膜の形成速度は第1のメッキ膜の形成速度よりも小さい
ものとする。従い、ステップS24で微細な凹部(狭い
パターン)の埋め込みを行い、ステップS25で比較的
幅の広い凹部(広いパターン)の埋め込みを行うことが
できる。この結果、ウエハWへのメッキ膜の形成を均一
性良好に、しかも速やかに行うことが可能となる。
【0035】次に図12に示す処理手順の詳細を説明す
る。 (1)ウエハWの保持、前処理(ステップS21、S2
2、および図13(A)) メッキ装置10にウエハWが保持され、メッキ処理前の
前処理が行われる。このステップS21,S22は、第
1の実施形態でのステップS11,S12に相当するも
のであり、実質的に異なるものではないので詳細な説明
を省略する。
る。 (1)ウエハWの保持、前処理(ステップS21、S2
2、および図13(A)) メッキ装置10にウエハWが保持され、メッキ処理前の
前処理が行われる。このステップS21,S22は、第
1の実施形態でのステップS11,S12に相当するも
のであり、実質的に異なるものではないので詳細な説明
を省略する。
【0036】(2)ウエハWの加熱(ステップS23お
よび図14) ウエハWをメッキ液の反応に適した温度に保つためにウ
エハWの加熱が行われる。下部プレート40を加熱して
ウエハWの下面に近接させ(一例として、ウエハW下面
と下部プレート40上面との間隔:0.1〜2mm程
度)、処理液吐出口41から液供給機構80で加熱され
た純水を供給する。この加熱された純水は、ウエハW下
面と下部プレート40上面との間に充満し、ウエハWを
加熱する。なお、このウエハWの加熱中にウエハWを回
転することで、ウエハWの加熱の均一性を向上すること
ができる。ウエハWを純水等の液体で加熱することで、
ウエハWと下部プレート40とを別個に回転または非回
転とすることが容易となり、かつウエハW下面の汚染が
防止される。以上のウエハWの加熱は他の手段で行って
も差し支えない。例えば、ヒータやランプの輻射熱によ
ってウエハWを加熱しても差し支えない。また、場合に
より、加熱した下部プレート40をウエハWに接触する
ことでウエハWを加熱してもよい。
よび図14) ウエハWをメッキ液の反応に適した温度に保つためにウ
エハWの加熱が行われる。下部プレート40を加熱して
ウエハWの下面に近接させ(一例として、ウエハW下面
と下部プレート40上面との間隔:0.1〜2mm程
度)、処理液吐出口41から液供給機構80で加熱され
た純水を供給する。この加熱された純水は、ウエハW下
面と下部プレート40上面との間に充満し、ウエハWを
加熱する。なお、このウエハWの加熱中にウエハWを回
転することで、ウエハWの加熱の均一性を向上すること
ができる。ウエハWを純水等の液体で加熱することで、
ウエハWと下部プレート40とを別個に回転または非回
転とすることが容易となり、かつウエハW下面の汚染が
防止される。以上のウエハWの加熱は他の手段で行って
も差し支えない。例えば、ヒータやランプの輻射熱によ
ってウエハWを加熱しても差し支えない。また、場合に
より、加熱した下部プレート40をウエハWに接触する
ことでウエハWを加熱してもよい。
【0037】(3)第1のメッキ液の供給による第1の
メッキ膜の形成(ステップS24、図15、および図1
3(B))。 上部プレート30を加熱してウエハWの上面に近接させ
(一例として、ウエハW上面と上部プレート30下面と
の間隔:0.1〜2mm程度)、処理液吐出口31から
メッキ用の薬液(第1のメッキ液)を供給する(一例と
して、30〜100ml/min)。供給されたメッキ
液は、ウエハW上面と上部プレート30下面との間に充
満し、カップ50へと流出する。このとき、メッキ液は
上部プレート30によって温度調節される(一例とし
て、室温から60℃程度の範囲)。なお、供給されるメ
ッキ液は液供給機構80によって温度調節されているこ
とが好ましい。ここで、ウエハチャック20によってウ
エハWを回転することで、ウエハWに形成されるメッキ
膜の均一性を向上できる。一例として、ウエハWを10
〜50rpmで回転する。また、上部プレート30の加
熱は先のステップS1〜S3のどこかで先行して行うこ
とができる。上部プレート30の加熱を他の工程と並行
して行うことでウエハWの処理時間を低減できる。以上
のように、ウエハWの上面に所望の温度に加熱された第
1のメッキ液を供給することでウエハWに第1のメッキ
膜が形成される。このときのメッキ膜の形成速度は次の
ステップS25での第2のメッキ膜の形成速度に比して
小さいものとする。比較的遅い速度でメッキ膜が形成さ
れることから、ウエハWの微細な凹部へのメッキ膜の形
成が確実に行われる。
メッキ膜の形成(ステップS24、図15、および図1
3(B))。 上部プレート30を加熱してウエハWの上面に近接させ
(一例として、ウエハW上面と上部プレート30下面と
の間隔:0.1〜2mm程度)、処理液吐出口31から
メッキ用の薬液(第1のメッキ液)を供給する(一例と
して、30〜100ml/min)。供給されたメッキ
液は、ウエハW上面と上部プレート30下面との間に充
満し、カップ50へと流出する。このとき、メッキ液は
上部プレート30によって温度調節される(一例とし
て、室温から60℃程度の範囲)。なお、供給されるメ
ッキ液は液供給機構80によって温度調節されているこ
とが好ましい。ここで、ウエハチャック20によってウ
エハWを回転することで、ウエハWに形成されるメッキ
膜の均一性を向上できる。一例として、ウエハWを10
〜50rpmで回転する。また、上部プレート30の加
熱は先のステップS1〜S3のどこかで先行して行うこ
とができる。上部プレート30の加熱を他の工程と並行
して行うことでウエハWの処理時間を低減できる。以上
のように、ウエハWの上面に所望の温度に加熱された第
1のメッキ液を供給することでウエハWに第1のメッキ
膜が形成される。このときのメッキ膜の形成速度は次の
ステップS25での第2のメッキ膜の形成速度に比して
小さいものとする。比較的遅い速度でメッキ膜が形成さ
れることから、ウエハWの微細な凹部へのメッキ膜の形
成が確実に行われる。
【0038】以上のメッキ液の供給に際して、以下〜
のようなことを併せて行うことも可能である。 このメッキ液の供給中にウエハWを回転することで、
ウエハWへのメッキ膜の形成の均一性を向上することが
できる。 メッキ液の供給前に、基板傾斜機構70によってウエ
ハチャック20および上部プレート30を傾斜させるこ
とができる。ウエハWが傾斜されることで、ウエハWと
上部プレート30間の気体を速やかに除去し、メッキ液
に置換することができる。仮に、ウエハWと上部プレー
ト30間の気体の除去が不完全だと、ウエハWと上部プ
レート30間に気泡が残存し形成されるメッキ膜の均一
性が阻害される原因になる。また、メッキ液によるメッ
キ膜の形成に伴って気体(例えば、水素)が発生し、発
生した気体により気泡が形成されて、メッキ膜の均一性
が阻害される可能性もある。基板傾斜機構70によって
ウエハWを傾斜させることで、気泡の発生の低減および
発生した気泡の脱出の促進を図り、メッキ膜の均一性を
向上することが可能となる。
のようなことを併せて行うことも可能である。 このメッキ液の供給中にウエハWを回転することで、
ウエハWへのメッキ膜の形成の均一性を向上することが
できる。 メッキ液の供給前に、基板傾斜機構70によってウエ
ハチャック20および上部プレート30を傾斜させるこ
とができる。ウエハWが傾斜されることで、ウエハWと
上部プレート30間の気体を速やかに除去し、メッキ液
に置換することができる。仮に、ウエハWと上部プレー
ト30間の気体の除去が不完全だと、ウエハWと上部プ
レート30間に気泡が残存し形成されるメッキ膜の均一
性が阻害される原因になる。また、メッキ液によるメッ
キ膜の形成に伴って気体(例えば、水素)が発生し、発
生した気体により気泡が形成されて、メッキ膜の均一性
が阻害される可能性もある。基板傾斜機構70によって
ウエハWを傾斜させることで、気泡の発生の低減および
発生した気泡の脱出の促進を図り、メッキ膜の均一性を
向上することが可能となる。
【0039】メッキ膜の形成中におけるメッキ液の供
給を、連続的ではなく、間欠的に行うこともできる。ウ
エハW上に供給されたメッキ液を効率良く消費して、そ
の使用量を削減できる。 ウエハWに所定量のメッキ液が供給されたら、その供
給を停止してもよい。ウエハW上に供給されたメッキ液
を低減して、その使用量を削減できる。このステップで
のメッキ液の供給はウエハWにメッキ液を行き渡らせる
ことが目的であり、メッキ液の反応(即ち、メッキ液の
消費)は目的としていない。このため、必ずしもメッキ
液の供給を連続的に行う必要はない。 なお、上部プレート30とウエハWの接近は必ずしも
絶対的に必要なものではなく、上部プレート30とウエ
ハWを大きく離したままでメッキ液を供給することも可
能である。この場合には、(所定量のメッキ液供給後
の供給停止)が併せて行われるのが一般的である。
給を、連続的ではなく、間欠的に行うこともできる。ウ
エハW上に供給されたメッキ液を効率良く消費して、そ
の使用量を削減できる。 ウエハWに所定量のメッキ液が供給されたら、その供
給を停止してもよい。ウエハW上に供給されたメッキ液
を低減して、その使用量を削減できる。このステップで
のメッキ液の供給はウエハWにメッキ液を行き渡らせる
ことが目的であり、メッキ液の反応(即ち、メッキ液の
消費)は目的としていない。このため、必ずしもメッキ
液の供給を連続的に行う必要はない。 なお、上部プレート30とウエハWの接近は必ずしも
絶対的に必要なものではなく、上部プレート30とウエ
ハWを大きく離したままでメッキ液を供給することも可
能である。この場合には、(所定量のメッキ液供給後
の供給停止)が併せて行われるのが一般的である。
【0040】(4)第2のメッキ液の供給による第2の
メッキ膜の形成(ステップS25、図16、および図1
3(C))。 処理液吐出口31供給するメッキ液を第1のメッキ液か
ら第2のメッキ液に変更する。第2のメッキ液を供給す
ることでウエハWに第2のメッキ膜が形成される。この
ときのメッキ膜の形成速度は次のステップS25での第
2のメッキ膜の形成速度に比して大きいものとする。ウ
エハWへのメッキ膜の形成が速やかに行われる。ステッ
プS24で微細なパターンが第1のメッキ膜により埋め
込まれていることから、このステップでは比較的広大な
パターンの埋め込みが行われることになる。このとき、
第1、第2のメッキ膜が同一の材質になるようにするこ
とで、ウエハWへのメッキ膜の形成の均質性が向上す
る。このように、メッキ膜の形成速度の異なるメッキ液
を用いることで、微細なパターン(凹凸)が形成された
ウエハWへのメッキの形成を均一かつ速やかに行うこと
ができる。
メッキ膜の形成(ステップS25、図16、および図1
3(C))。 処理液吐出口31供給するメッキ液を第1のメッキ液か
ら第2のメッキ液に変更する。第2のメッキ液を供給す
ることでウエハWに第2のメッキ膜が形成される。この
ときのメッキ膜の形成速度は次のステップS25での第
2のメッキ膜の形成速度に比して大きいものとする。ウ
エハWへのメッキ膜の形成が速やかに行われる。ステッ
プS24で微細なパターンが第1のメッキ膜により埋め
込まれていることから、このステップでは比較的広大な
パターンの埋め込みが行われることになる。このとき、
第1、第2のメッキ膜が同一の材質になるようにするこ
とで、ウエハWへのメッキ膜の形成の均質性が向上す
る。このように、メッキ膜の形成速度の異なるメッキ液
を用いることで、微細なパターン(凹凸)が形成された
ウエハWへのメッキの形成を均一かつ速やかに行うこと
ができる。
【0041】第1、第2のメッキ液で同一材質のメッキ
膜の形成速度を異ならせるには、その組成比を変化する
ことによって行える。例えば、金属塩の濃度やpHを異
ならせることで、メッキ膜の形成速度を変化させること
ができる。メッキ液の組成の変化は、使用するメッキ液
を供給するタンクを切り替えることによって行える。こ
の他に、ミキシングボックス85で混合する液の混合比
を変化させることによっても行える。上部プレート30
とウエハWを大きく離したままでメッキ膜の形成を行う
場合には、第2のメッキ液の供給に先立って、ウエハW
上から第1のメッキ液を排出して、第2のメッキ液に第
1のメッキ液が混入することを防止してもよい。この排
出は、例えば、ウエハWを高速に回転することで行え
る。また、これに加えてウエハW上を純水等で洗浄して
も差し支えない。
膜の形成速度を異ならせるには、その組成比を変化する
ことによって行える。例えば、金属塩の濃度やpHを異
ならせることで、メッキ膜の形成速度を変化させること
ができる。メッキ液の組成の変化は、使用するメッキ液
を供給するタンクを切り替えることによって行える。こ
の他に、ミキシングボックス85で混合する液の混合比
を変化させることによっても行える。上部プレート30
とウエハWを大きく離したままでメッキ膜の形成を行う
場合には、第2のメッキ液の供給に先立って、ウエハW
上から第1のメッキ液を排出して、第2のメッキ液に第
1のメッキ液が混入することを防止してもよい。この排
出は、例えば、ウエハWを高速に回転することで行え
る。また、これに加えてウエハW上を純水等で洗浄して
も差し支えない。
【0042】(5)ウエハWの洗浄、乾燥、除去(ステ
ップS26〜S28)。 ウエハWが洗浄、乾燥され、無電解メッキ装置10から
除去される。このステップS26〜S28は、第1の実
施形態でのステップS15〜S27に相当するものであ
り、実質的に異なるものではないので詳細な説明を省略
する。
ップS26〜S28)。 ウエハWが洗浄、乾燥され、無電解メッキ装置10から
除去される。このステップS26〜S28は、第1の実
施形態でのステップS15〜S27に相当するものであ
り、実質的に異なるものではないので詳細な説明を省略
する。
【0043】(その他の実施形態)本発明の実施形態は
既述の実施形態には限られず、拡張、変更できる。拡
張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ
る。例えば、基板としてウエハW以外の例えばガラス板
等を利用することができる。なお、第1、第2の実施形
態ではそれぞれ温度の変化、メッキ液の切換によってメ
ッキ膜の形成速度を異ならせているが、これらをメッキ
液の反応条件(温度、メッキ液の組成(例えば、金属イ
オンの濃度、pH)等)として広く捕らえることが可能
である。
既述の実施形態には限られず、拡張、変更できる。拡
張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ
る。例えば、基板としてウエハW以外の例えばガラス板
等を利用することができる。なお、第1、第2の実施形
態ではそれぞれ温度の変化、メッキ液の切換によってメ
ッキ膜の形成速度を異ならせているが、これらをメッキ
液の反応条件(温度、メッキ液の組成(例えば、金属イ
オンの濃度、pH)等)として広く捕らえることが可能
である。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、形
成されるメッキ膜の均一性の向上を図れる無電解メッキ
方法を提供することが可能となる。
成されるメッキ膜の均一性の向上を図れる無電解メッキ
方法を提供することが可能となる。
【図1】 第1実施形態に係る無電解メッキ方法の手順
を表したフロー図である。
を表したフロー図である。
【図2】 図1の手順におけるウエハWの断面状態を表
す断面図である。
す断面図である。
【図3】 図1での無電解メッキに用いられる無電解メ
ッキ装置を表した一部断面図である。
ッキ装置を表した一部断面図である。
【図4】 図3に示した無電解メッキ装置に設置された
ウエハW等が傾斜された状態を表す一部断面図である。
ウエハW等が傾斜された状態を表す一部断面図である。
【図5】 図1に表した手順で無電解メッキを行った場
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
【図6】 図1に表した手順で無電解メッキを行った場
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
【図7】 図1に表した手順で無電解メッキを行った場
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
【図8】 図1に表した手順で無電解メッキを行った場
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
【図9】 図1に表した手順で無電解メッキを行った場
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面図
である。
【図10】 図1に表した手順で無電解メッキを行った
場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面
図である。
場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面
図である。
【図11】 図1に表した手順で無電解メッキを行った
場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面
図である。
場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断面
図である。
【図12】 第2実施形態に係る無電解メッキ方法の手
順を表したフロー図である。
順を表したフロー図である。
【図13】 図12の手順におけるウエハWの断面状態
を表す断面図である。
を表す断面図である。
【図14】 図12に表した手順で無電解メッキを行っ
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
【図15】 図12に表した手順で無電解メッキを行っ
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
【図16】 図12に表した手順で無電解メッキを行っ
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
た場合における無電解メッキ装置の状態を表した一部断
面図である。
W…ウエハ
L…無電解メッキ液
P,P1,P2…無電解メッキ膜
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平11−87273(JP,A)
特開 平8−78801(JP,A)
特開 平10−298771(JP,A)
特開 平6−232136(JP,A)
特開 平3−291385(JP,A)
特開 平8−127877(JP,A)
特開 昭55−117299(JP,A)
特開 昭59−211566(JP,A)
特開2001−210679(JP,A)
特公 平3−76599(JP,B2)
特許3005469(JP,B2)
特許3274381(JP,B2)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
C23C 18/16 - 18/50
H01L 21/288
Claims (6)
- 【請求項1】 基板上に無電解メッキ液を供給するメッ
キ液供給ステップと、前記基板上への無電解メッキ液の供給を停止するメッキ
液供給停止ステップと、 前記メッキ液供給ステップで前記基板上に供給された無
電解メッキ液を加熱する加熱ステップと、前記加熱ステップで加熱さ れた無電解メッキ液によって
前記基板上にメッキ膜を形成するメッキ膜形成ステップ
と、 を具備することを特徴とする無電解メッキ方法。 - 【請求項2】 前記加熱ステップでの無電解メッキ液の
加熱が、前記基板を介して行われることを特徴とする請
求項1記載の無電解メッキ方法。 - 【請求項3】 前記加熱ステップでの無電解メッキ液の
加熱が、輻射熱によって行われることを特徴とする請求
項1記載の無電解メッキ方法。 - 【請求項4】 基板を保持する基板保持部と、 前記基板上に無電解メッキ液を供給するメッキ液供給部
と、 前記メッキ液供給部から前記基板上への無電解メッキ液
の供給および供給停止を制御する供給制御部と、 前記供給制御部によって前記基板上に供給された無電解
メッキ液を加熱する加熱部と、 を具備することを特徴とする無電解メッキ装置。 - 【請求項5】 前記加熱部が、前記基板を介して無電解
メッキ液を加熱することを特徴とする請求項4記載の無
電解メッキ装置。 - 【請求項6】 前記加熱部が、輻射熱によって無電解メ
ッキ液を加熱する
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002293913A JP3485561B1 (ja) | 2002-10-07 | 2002-10-07 | 無電解メッキ方法および無電解メッキ装置 |
AU2003241759A AU2003241759A1 (en) | 2002-10-07 | 2003-05-23 | Method of electroless plating |
KR1020057005896A KR20050061514A (ko) | 2002-10-07 | 2003-05-23 | 무전해도금방법 |
CNA038238918A CN1688746A (zh) | 2002-10-07 | 2003-05-23 | 无电解镀方法 |
PCT/JP2003/006500 WO2004031447A1 (ja) | 2002-10-07 | 2003-05-23 | 無電解メッキ方法 |
US11/100,393 US20050196523A1 (en) | 2002-10-07 | 2005-04-07 | Electroless plating method and apparatus, and computer storage medium storing program for controlling same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002293913A JP3485561B1 (ja) | 2002-10-07 | 2002-10-07 | 無電解メッキ方法および無電解メッキ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3485561B1 true JP3485561B1 (ja) | 2004-01-13 |
JP2004124235A JP2004124235A (ja) | 2004-04-22 |
Family
ID=30437822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002293913A Expired - Fee Related JP3485561B1 (ja) | 2002-10-07 | 2002-10-07 | 無電解メッキ方法および無電解メッキ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050196523A1 (ja) |
JP (1) | JP3485561B1 (ja) |
KR (1) | KR20050061514A (ja) |
CN (1) | CN1688746A (ja) |
AU (1) | AU2003241759A1 (ja) |
WO (1) | WO2004031447A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060219566A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating metal layer |
US20070080067A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Applied Materials, Inc. | Pre-treatment to eliminate the defects formed during electrochemical plating |
JP4803821B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2011-10-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US20090017624A1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Chih-Hung Liao | Nodule Defect Reduction in Electroless Plating |
JP5306670B2 (ja) | 2008-03-05 | 2013-10-02 | 独立行政法人科学技術振興機構 | シリコンを母材とする複合材料及びその製造方法 |
US8722196B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-05-13 | Japan Science And Technology Agency | Composite material, method of producing the same, and apparatus for producing the same |
JP5281847B2 (ja) | 2008-08-19 | 2013-09-04 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置 |
JP2013249495A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Tokyo Electron Ltd | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
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JP7297905B2 (ja) * | 2019-08-27 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、基板液処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
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-
2002
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-
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- 2003-05-23 KR KR1020057005896A patent/KR20050061514A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-05-23 WO PCT/JP2003/006500 patent/WO2004031447A1/ja active Application Filing
- 2003-05-23 CN CNA038238918A patent/CN1688746A/zh active Pending
- 2003-05-23 AU AU2003241759A patent/AU2003241759A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-04-07 US US11/100,393 patent/US20050196523A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|
CN1688746A (zh) | 2005-10-26 |
AU2003241759A1 (en) | 2004-04-23 |
WO2004031447A1 (ja) | 2004-04-15 |
JP2004124235A (ja) | 2004-04-22 |
US20050196523A1 (en) | 2005-09-08 |
KR20050061514A (ko) | 2005-06-22 |
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