JP3484658B2 - Processing equipment - Google Patents

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JP3484658B2 JP2000309328A JP2000309328A JP3484658B2 JP 3484658 B2 JP3484658 B2 JP 3484658B2 JP 2000309328 A JP2000309328 A JP 2000309328A JP 2000309328 A JP2000309328 A JP 2000309328A JP 3484658 B2 JP3484658 B2 JP 3484658B2
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Elimination Of Static Electricity (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Warehouses Or Storage Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、レジスト塗布現
像装置と露光装置との間で相互に半導体ウエハ等の被処
理体を搬送する処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for transporting an object to be processed such as a semiconductor wafer between a resist coating / developing apparatus and an exposure apparatus.

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウエハにレジスト液を塗布し、例えば電
子ビーム露光によりレジストに回路パターン等を転写
し、これを現像処理する一連の処理が施される。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor device manufacturing process, a series of processes are carried out in which a semiconductor wafer is coated with a resist solution, a circuit pattern or the like is transferred to the resist by electron beam exposure, and the resist solution is developed. .

【０００３】このような処理を行う場合、例えば図１２
に示す処理システム６０が使用されている。この処理シ
ステム６０は、被処理体としての半導体ウエハ（以下、
単にウエハという）Ｗに電子線感応レジスト液を塗布
し、露光処理後のウエハＷを現像処理するレジスト塗布
現像装置６１と、このレジスト塗布現像装置６１によっ
てレジスト膜が形成されたウエハＷに電子ビームを照射
して露光処理する電子ビーム露光装置（以下、ＥＢ露光
装置という）６２と、これらレジスト塗布現像装置６１
とＥＢ露光装置６２との間でウエハＷの受け渡しを行う
搬送装置６３とからなる。When performing such processing, for example, FIG.
The processing system 60 shown in is used. The processing system 60 includes a semiconductor wafer (hereinafter,
A resist coating / developing device 61 for coating an electron beam sensitive resist solution on W and simply developing the exposed wafer W, and an electron beam for the wafer W on which a resist film is formed by the resist coating / developing device 61. Electron beam exposure apparatus (hereinafter referred to as EB exposure apparatus) 62 for irradiating and exposing the film, and these resist coating and developing apparatus 61
And the EB exposure apparatus 62. The transfer apparatus 63 transfers the wafer W.

【０００４】レジスト塗布現像装置６１は、ウエハＷを
搬入・搬出するローダ部６４、ウエハＷをブラシ洗浄す
るブラシ洗浄部６５、ウエハＷを高圧ジェット水で洗浄
するジェット水洗浄部６６、ウエハＷの表面を疎水化処
理するアドヒージョン部６７、ウエハＷの表面にレジス
ト液を塗布しかつサイドリンス処理によりウエハ周縁部
の余分なレジストを除去する機能を備えたレジスト塗布
部６８、レジスト塗布の前後でウエハＷを加熱してプリ
ベーク並びにポストベークを行うベーク部６９、上記ア
ドヒージョン部６７の下段に配置されウエハＷを所定温
度に冷却する冷却部７０、ＥＢ露光装置６２で露光処理
されたウエハＷを現像処理しかつ現像後のレジストパタ
ーンをリンス処理する機能を備えた現像部７１などを集
合化して構成されている。The resist coating / developing device 61 includes a loader section 64 for loading / unloading the wafer W, a brush cleaning section 65 for brush cleaning the wafer W, a jet water cleaning section 66 for cleaning the wafer W with high pressure jet water, and a wafer W. An adhesion part 67 for hydrophobicizing the surface, a resist coating part 68 having a function of coating a resist solution on the surface of the wafer W and removing excess resist on the peripheral portion of the wafer by a side rinse process, a wafer before and after the resist coating. A baking unit 69 that heats W to perform pre-baking and post-baking, a cooling unit 70 that is disposed below the adhesion unit 67 and cools the wafer W to a predetermined temperature, and a developing process for the wafer W that has been exposed by the EB exposure device 62. And a developing section 71 having a function of rinsing the developed resist pattern is assembled. There.

【０００５】このレジスト塗布現像装置６１の中央部に
は、２つに分割されたメイン搬送路７２，７３が配置さ
れると共に、それぞれにメイン搬送アーム７４，７５が
移動自在に設けられている。上記各処理部６５〜７１
は、メイン搬送路７２，７３の両側に配置されており、
メイン搬送路７２，７３間には、メイン搬送アーム７
４，７５間でウエハＷの受け渡しを行うための待機台７
６が設けられている。At the center of the resist coating / developing device 61, main transport paths 72 and 73 divided into two are arranged, and main transport arms 74 and 75 are movably provided respectively. Each of the processing units 65 to 71
Are arranged on both sides of the main transport paths 72 and 73,
The main transfer arm 7 is provided between the main transfer paths 72 and 73.
Standby stand 7 for transferring wafer W between 4 and 75
6 is provided.

【０００６】そして、レジスト塗布現像装置６１に隣接
し、ＥＢ露光装置６２との間でウエハＷの搬出搬入を行
うための搬送装置６３には、例えば、メイン搬送路７５
の端部に面して中間受け渡し台７７が昇降可能に設けら
れると共に、この中間受け渡し台７７の両側にバッファ
用キャリアカセット７８が設けられ、更に中間受け渡し
台７７の前に、図１３中、Ｘ，Ｙ（水平）、Ｚ（上下）
及びθ（回転）方向に移動可能なウエハ受渡用搬送機構
７９が設けられ、この搬送機構７９のＥＢ露光装置６２
側にウエハ受渡用載置台８０が配置されている。The transfer device 63 adjacent to the resist coating / developing device 61 and for carrying in / out the wafer W from / to the EB exposure device 62 includes, for example, a main transfer path 75.
13, an intermediate transfer table 77 is provided so as to be capable of moving up and down, buffer carrier cassettes 78 are provided on both sides of the intermediate transfer table 77, and in front of the intermediate transfer table 77, X in FIG. , Y (horizontal), Z (up and down)
Further, a wafer delivery transfer mechanism 79 that is movable in the θ and rotation directions is provided, and the EB exposure device 62 of the transfer mechanism 79 is provided.
A wafer delivery table 80 is arranged on the side.

【０００７】上述の処理システムでは、レジスト塗布現
像装置６１の未処理のウエハＷの入ったウエハカセット
８１から一方のメイン搬送アーム７４によってウエハＷ
が取り出され、一方のメイン搬送路７２の両側に設けら
れた各処理部６５〜７０へ順次搬送されてレジスト塗布
処理が施された後、待機台７６を介して他方のメイン搬
送アーム７５に受け渡されて搬送装置６３へ搬送され、
中間受け渡し台７７で必要に応じて冷却された後、ウエ
ハ受渡用搬送機構７９により搬送されてウエハ受渡用載
置台８０上に載置される。In the above-described processing system, the wafer W is unloaded from the wafer cassette 81 containing the unprocessed wafer W of the resist coating / developing apparatus 61 by one main transfer arm 74.
Is taken out and sequentially carried to each of the processing units 65 to 70 provided on both sides of the one main transfer path 72 for resist coating processing, and then received by the other main transfer arm 75 via the standby table 76. Is delivered to the transport device 63,
After being cooled by the intermediate transfer table 77 as needed, the wafer is transferred by the wafer transfer transfer mechanism 79 and placed on the wafer transfer table 80.

【０００８】その後、ウエハＷはＥＢ露光装置６２内に
設けられた図示省略の搬送機構によってＥＢ露光装置６
２内へ搬入されて露光処理される。また、ＥＢ露光装置
６２からレジスト塗布現像装置６１内にウエハＷを搬入
するときは、ＥＢ露光装置６２の搬送機構によって露光
処理後のウエハＷがウエハ受渡用載置台８０上に載置さ
れ、そのウエハＷをウエハ受渡用搬送機構７９が受取
り、中間受け渡し台７７を介して上記他方のメイン搬送
アーム７５へ受け渡される。After that, the wafer W is transferred to the EB exposure device 6 by a transfer mechanism (not shown) provided in the EB exposure device 62.
2 is carried in and exposed. When the wafer W is carried into the resist coating / developing apparatus 61 from the EB exposure apparatus 62, the wafer W after the exposure processing is placed on the wafer delivery table 80 by the transfer mechanism of the EB exposure apparatus 62, and The wafer W transfer mechanism 79 receives the wafer W, and transfers it to the other main transfer arm 75 via the intermediate transfer table 77.

【０００９】そして、ウエハＷは上記他方のメイン搬送
アーム７５によって現像処理部７１へ搬送されて現像処
理された後、待機台７６を介して上記一方のメイン搬送
アーム７２に受け渡され、ローダ部６４へ搬送されて処
理済ウエハ用のウエハカセット８２内に収納される。な
お、レジスト塗布現像装置６１とＥＢ露光装置６２の双
方のウエハＷの搬入、搬出のタイミングが大きくずれる
場合などには、ウエハＷはバッファ用キャリアカセット
７８内に一時収容される。Then, the wafer W is transferred to the developing processing section 71 by the other main transfer arm 75 and subjected to development processing, and then transferred to the one main transfer arm 72 via the stand-by table 76, and the loader section. It is conveyed to 64 and stored in the wafer cassette 82 for processed wafers. The wafer W is temporarily stored in the buffer carrier cassette 78 when the loading and unloading timings of the wafer W in both the resist coating and developing apparatus 61 and the EB exposure apparatus 62 are significantly deviated.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
にＥＢ露光装置６２を含む処理システムでは、レジスト
を塗布したウエハＷに電子ビームを照射して露光処理が
なされるため、ウエハＷが帯電しやすい。ウエハＷが帯
電していると、上述した一連の処理及び搬送の過程にお
いて静電気の影響でウエハ表面にパーティクルが付着し
やすくなり、歩留まり低下の原因になる。また、上述し
た一連の処理を繰り返し行う場合などにおいては、帯電
したウエハＷがＥＢ露光処理に供されることになり、ウ
エハＷの周囲に形成される電場の影響で電子ビームが曲
げられてしまい、正確なパターン形状が得られなくな
る。また、ＥＢ露光装置以外の露光装置とレジスト塗布
現像装置とを有する処理システムにおいても、ウエハが
帯電し、上述と同様にウエハがダメージを受ける虞れが
ある。By the way, in the processing system including the EB exposure apparatus 62 as described above, since the wafer W coated with the resist is irradiated with the electron beam to perform the exposure processing, the wafer W is charged. Cheap. When the wafer W is charged, particles are likely to adhere to the wafer surface due to the influence of static electricity in the above-described series of processing and carrying processes, which causes a reduction in yield. Further, when the above-described series of processes are repeatedly performed, the charged wafer W is subjected to the EB exposure process, and the electron beam is bent due to the influence of the electric field formed around the wafer W. , An accurate pattern shape cannot be obtained. Further, in a processing system having an exposure device other than the EB exposure device and a resist coating / developing device, the wafer may be charged, and the wafer may be damaged as described above.

【００１１】この発明はかかる事情の下に創案されたも
のであり、その目的は、被処理体を除電しつつ、レジス
ト塗布現像装置と露光装置との間で相互に被処理体を搬
送することができる処理装置を提供することにある。The present invention was conceived under such circumstances, and an object thereof is to convey the object to be processed mutually between the resist coating / developing apparatus and the exposure apparatus while discharging the object. It is to provide a processing device capable of

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体にレジストを塗布
しかつ露光処理された被処理体を現像処理するレジスト
塗布現像装置と、レジストが塗布された被処理体を露光
処理する露光装置との間で被処理体を相互に搬送するた
めの処理装置を前提とし、上記露光装置の被処理体搬出
入部近傍に設けられた第１の受渡用載置部と、上記レジ
スト塗布現像装置の被処理体搬出入部近傍に設けられた
第２の受渡用載置部と、第１の受渡用載置部を介して上
記露光装置内の被処理体搬送機構と相互に被処理体の受
け渡しを行うと共に第２の受渡用載置部を介して上記レ
ジスト塗布現像装置内の被処理体搬送機構と相互に被処
理体の受け渡しを行う受渡用搬送アームと、上記第２の
受渡用載置部と上記受渡用搬送アームとの間の被処理体
の受け渡しの際に被処理体を一時収容、あるいは、異常
帯電した被処理体を収納するバッファ用カセットとを具
備し、上記第１の受 渡用載置部、受渡用搬送アーム及び
バッファ用カセットに、被処理体に蓄積した電荷を除去
するための除電手段が設けられていることを特徴とす
る。In order to achieve the above object, the processing apparatus of the present invention comprises a resist coating / developing apparatus for coating a resist on an object to be processed and developing the exposed object to be processed. Assuming a processing device for mutually transporting the object to be processed with an exposure device that performs an exposure process on the object to which the resist is applied, the first device is provided near the object loading / unloading part of the exposure device. In the exposure apparatus via the delivery placement section, the second delivery placement section provided in the vicinity of the object loading / unloading section of the resist coating and developing apparatus, and the first delivery placement section. A transfer for transferring an object to be processed to and from the object transfer mechanism, and for transferring an object to be processed to and from the object transfer mechanism in the resist coating and developing apparatus via the second transfer placing section. Transfer arm and the second
Object to be processed between the delivery placing part and the delivery carrier arm
When the product is handed over, the object to be processed is temporarily accommodated or abnormal
A buffer cassette for storing charged objects to be processed
And Bei, the first receiving transient for mounting unit, the transfer arm and for delivery
It is characterized in that the buffer cassette is provided with a discharging unit for removing charges accumulated in the object to be processed.

【００１４】この発明の処理装置において、上記除電手
段は、例えばバッファ用カセット等を導電性材料で形成
すると共にこれと接触する導電性の部材を接地しておく
ことで実現される。その場合、接地される導電性の部材
には１０ＭΩ程度の抵抗を接続しておくことが望まし
い。また、除電手段を、被処理体の表面に蓄積した電荷
と異なる極性のイオン化した気体を吹き付けるイオナイ
ザーにて形成することも可能である。In the processing apparatus of the present invention, the charge eliminating means is realized, for example, by forming a buffer cassette or the like with a conductive material and grounding a conductive member in contact therewith. In that case, it is desirable to connect a resistance of about 10 MΩ to the conductive member to be grounded. Further, a charge removing means, Ru blowing gas ionized in polarity differs from the charge accumulated in the surface of the object Ionai
It is also possible to form at users.

【００１５】また、この処理装置において、受渡用搬送
アームを２機装備し、例えば一方のアームで第１の受渡
用載置部から露光後の被処理体を受け取る動作と、他方
のアームで露光前の被処理体を搬送して第１の受渡用載
置部に載置する動作を並行して行うようにしてもよい。
その場合、両方のアームを例えば接地等により除電して
おくことが望ましい。また、被処理体を一時待機させる
ための一時載置部を第１の受渡用載置部の近傍２箇所に
設け、例えば露光装置より搬出され第１の受渡用載置部
に載置された露光後の被処理体を一方の一時載置部上に
一旦載置し、他方の一時載置部に待機させた露光前の被
処理体を第１の受渡用載置部に載置した後、上記一方の
一時載置部に待機させた露光後の被処理体をレジスト塗
布現像装置へ搬送するようにしてもよい。Further, in this processing apparatus, two delivery transfer arms are provided, and for example, one arm receives the exposed object from the first delivery platform and the other arm exposes it. You may make it perform the operation | movement which conveys the to-be-processed object before and mounts it on the 1st delivery mounting part in parallel.
In that case, it is desirable to charge off both arms by grounding, for example. Further, temporary placement parts for temporarily holding the object to be processed are provided at two locations in the vicinity of the first delivery placement part, and are carried out from the exposure apparatus and placed on the first delivery placement part, for example. After the object to be processed after exposure is temporarily placed on one temporary placing section, and the object to be exposed before exposure which has been made to stand by on the other temporary placing section is placed on the first delivery placing section. Alternatively, the exposed object to be processed which has been placed in standby on one of the temporary mounting sections may be conveyed to the resist coating / developing apparatus.

【００１６】上記のように構成されるこの発明の処理装
置によれば、レジスト塗布現像装置によってレジストが
塗布された被処理体は、レジスト塗布現像装置内の被処
理体搬送機構によって第２の受渡用載置部に載置された
後、受渡用搬送アームによって搬送されて第１の受渡用
載置部に載置される。この受渡用搬送アームによる第２
の受渡用載置部から第１の受渡用載置部への搬送の過程
で、受渡用搬送アームに設けられた除電手段によって被
処理体は除電され、続いて、第１の受渡用載置部に設け
られた除電手段によって除電される。その後露光装置内
の被処理体搬送機構によって露光処理部に搬送されて露
光処理が施される。また、露光装置で露光処理された被
処理体は、露光装置内の被処理体搬送機構によって第１
の受渡用載置部に載置された後、受渡用搬送アームによ
って搬送されて第２の受渡用載置部に載置される。被処
理体は、この第１の受渡用載置部に設けられた除電手段
によって除電され、続いて、受渡用搬送アームによる第
１の受渡用載置部から第２の受渡用載置部への搬送の過
程で、受渡用搬送アームに設けられた除電手段によって
除電される。その後レジスト塗布現像装置内の被処理体
搬送機構によって現像処理部に搬送されて現像処理が施
される。According to the processing apparatus of the present invention configured as described above, the object to be processed to which the resist has been applied by the resist coating and developing apparatus is transferred to the second object by the object carrying mechanism in the resist coating and developing apparatus. After being placed on the delivery placing section, it is transported by the delivery delivery arm and placed on the first delivery placing section. The second by this transfer arm for delivery
In the process of transporting from the delivery placing part to the first delivery placing part, the object to be processed is destaticized by the destaticizing means provided on the delivery carrying arm, and subsequently, the first delivery placing part. The electricity is removed by the electricity removing means provided in the section. After that, it is conveyed to an exposure processing section by an object conveying mechanism in the exposure apparatus and subjected to an exposure process. Further, the object to be processed which has been subjected to the exposure processing by the exposure apparatus is first transferred by the object transfer mechanism in the exposure apparatus.
After being placed on the delivery placing section, the article is conveyed by the delivery conveying arm and placed on the second delivery placing section. The object to be processed is destaticized by the destaticizing means provided in the first delivery placing section, and subsequently, from the first delivery placing section to the second delivery placing section by the delivery transfer arm. In the process of carrying, the charge is removed by the charge removing means provided on the delivery transfer arm. After that, it is conveyed to the development processing section by the conveyance mechanism of the object to be processed in the resist coating / developing apparatus and subjected to the development processing.

【００１７】このように、レジスト塗布現像装置から露
光装置へ被処理体を搬送する場合及び露光装置からレジ
スト塗布現像装置へ被処理体を搬送する場合のいずれの
場合にも被処理体が載置される第１の受渡用載置部及び
被処理体が載置ないし保持される受渡用搬送アームに除
電手段を設けたことにより、帯電した被処理体がレジス
ト塗布現像装置及び露光装置へ搬入されるのを未然に防
止できる。In this way, the object to be processed is placed in both cases of transferring the object to be processed from the resist coating and developing apparatus to the exposure apparatus and transferring the object to be processed from the exposure apparatus to the resist coating and developing apparatus. Since the first transfer placing section and the transfer carrying arm on which the object to be processed is placed or held are provided with the charge removing means, the charged object is carried into the resist coating / developing apparatus and the exposure apparatus. Can be prevented in advance.

【００１８】したがって、この発明の処理装置によれ
ば、レジスト塗布現像装置内での一連の処理及び搬送の
過程における静電気による被処理体へのパーティクルの
付着を防止でき、かつ例えばＥＢ露光装置によって被処
理体に電子ビームを照射する際における被処理体周囲の
電場の影響による電子ビームの曲り等の弊害を防止で
き、正確なパターン形状が得られると共に歩留まりが向
上する。Therefore, according to the processing apparatus of the present invention, it is possible to prevent particles from adhering to the object to be processed due to static electricity during a series of processing and conveyance in the resist coating / developing apparatus, and, for example, by the EB exposure apparatus. When the processing object is irradiated with the electron beam, adverse effects such as bending of the electron beam due to the influence of an electric field around the processing object can be prevented, an accurate pattern shape can be obtained, and the yield is improved.

【００１９】また、第１の受渡用載置部と受渡用搬送ア
ームとの間の被処理体の受け渡しの際に被処理体を一時
収容、あるいは、異常帯電した被処理体を収納するため
のバッファ用カセットを装備することで、レジスト塗布
現像装置及び露光装置の双方の搬入、搬出のタイミング
が大きくずれる場合などに被処理体を一時収容して搬送
効率を向上でき、また、異常帯電した被処理体をバッフ
ァ用カセットに収納して、異常帯電により破壊された被
処理体の露光処理を防止することができる。そして、こ
のバッファ用カセットに除電手段を設けておくことで、
被処理体を一時収容している間にも除電が行われ、被処
理体に蓄積された電荷をより確実に除去できる。Further, the temporary housing the object to be processed during the transfer of the workpiece between the first carrying arm Handoff mounting unit and delivery, or for housing an abnormal charged workpiece by equipping the cassette buffer, both carrying the resist coating and developing apparatus and the exposure apparatus, can be improved transport efficiency to accommodate temporarily the workpiece in a case where the timing of the discharge is largely shifted, also abnormally charged under Buff processing body
Stored in the cassette for the
Ru can be prevented exposure processing of the processing member. And by providing a static eliminating means in this buffer cassette,
The charge is removed even while the object to be processed is temporarily accommodated, and the charge accumulated in the object to be processed can be removed more reliably.

【００２０】また、この発明の処理装置において、除電
手段を接地導線とする場合には、接地導線の途中に抵抗
器を設けるので、被処理体に蓄積されていた電荷が急激
に放電して過大な電流が流れるのを防止し、スパークの
発生による被処理体の破損を防ぐことができる。Further, in the processing apparatus of the present invention, when the charge eliminating means is the grounding conductor, since the resistor is provided in the middle of the grounding conductor, the electric charge accumulated in the object to be processed is suddenly discharged and becomes excessive. It is possible to prevent a large amount of current from flowing and prevent damage to the object to be processed due to the occurrence of sparks.

【００２１】[0021]

【発明の実施の形態】以下、この発明の処理装置の実施
形態を図面に基いて詳細に説明する。図１は、この発明
の処理装置の一実施形態を示す部分破断斜視図、図２
は、図１の平面図が示されている。なお、レジスト塗布
現像装置６１並びにＥＢ露光装置６２は図１３と同様の
ものとする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a processing apparatus of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. 1 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of the processing apparatus of the present invention, FIG.
Is shown in plan view in FIG. The resist coating / developing device 61 and the EB exposure device 62 are the same as those in FIG.

【００２２】図１及び図２に示すように、この発明の処
理装置１は、ＥＢ露光装置６２の被処理体搬出入部近傍
に設けられた第１の受渡用載置部であるウエハ受渡しス
テージ２と、レジスト塗布現像装置６１の被処理体搬出
入部近傍に設けられた第２の受渡用載置部であるウエハ
受渡し台３と、ウエハ受渡しステージ２を介してＥＢ露
光装置６２内の図示省略の被処理体搬送機構と相互にウ
エハＷの受け渡しを行うと共にウエハ受渡し台３を介し
てレジスト塗布現像装置６１内の被処理体搬送機構のメ
イン搬送アーム７５と相互にウエハＷの受け渡しを行う
受渡用搬送アーム４を備えた受渡用搬送機構５と、ウエ
ハ受渡し台３と受渡用搬送アーム４との間のウエハＷの
受け渡しの際にウエハＷを一時収容するための複数のバ
ッファ用カセット（以下にバッファ用ウエハカセットと
いう）６とで概略構成されている。As shown in FIGS. 1 and 2, the processing apparatus 1 of the present invention is a wafer delivery stage 2 which is a first delivery placement section provided in the vicinity of the object loading / unloading section of the EB exposure apparatus 62. Through the wafer transfer stage 2 and the wafer transfer table 3 which is a second transfer mounting portion provided in the vicinity of the target object loading / unloading part of the resist coating / developing device 61, the EB exposure device 62 is not shown. For transferring the wafer W to and from the object transfer mechanism, and also transferring the wafer W to and from the main transfer arm 75 of the object transfer mechanism in the resist coating and developing apparatus 61 via the wafer transfer table 3. A transfer mechanism 5 having a transfer arm 4, and a plurality of buffer cassettes for temporarily storing the wafer W when the wafer W is transferred between the wafer transfer table 3 and the transfer arm 4. Is schematically composed of a buffer that the wafer cassette) 6 below.

【００２３】上記ウエハ受渡しステージ２には、そのウ
エハ載置面から突出させて３本のウエハ支持ピン８が設
けられている。これらウエハ支持ピン８は、図３に示す
ようにウエハＷの下面に接触してこれを３点支持するよ
うになっている。また、図８に示すように、ウエハ受渡
しステージ２の上方に除電手段であるイオナイザー２３
が設けられており、ウエハ受渡しステージ２上の帯電し
たウエハＷの表面に、イオナイザー２３で生成した異な
る極性のイオン化した気体を吹き付けることによりウエ
ハＷに帯電した電荷を打ち消すことができる。The wafer delivery stage 2 is provided with three wafer support pins 8 protruding from the wafer mounting surface. As shown in FIG. 3, these wafer support pins 8 contact the lower surface of the wafer W and support it at three points. Further, as shown in FIG. 8, an ionizer 23, which is a charge removing means, is provided above the wafer delivery stage 2.
Is provided, the charge charged on the wafer W can be canceled by spraying the ionized gas of different polarity generated by the ionizer 23 onto the surface of the charged wafer W on the wafer transfer stage 2.

【００２４】図８に示すイオン化した気体を吹き付けて
除電する方式を採用する場合、処理装置１のウエハ搬送
経路にバーコード等の記号を読み取る機構を設け、例え
ば図１０に示すようにバーコード１１等の識別記号を付
したウエハＷを処理に供することで、バーコード１１か
ら読み取ったそのウエハＷの予想帯電量と実測した帯電
量とを比較し、その結果に基づいてイオナイザー２３が
自動制御されるシステム構成を採用することにより、個
々のウエハＷの帯電量に応じた除電処理を行うことがで
きる。また、このようなシステム構成によれば、ウエハ
の異常帯電を判定・表示したり、異常帯電したウエハや
パイロット用ウエハ等を別途定められた場所例えばバッ
ファ用カセット６に搬送し収納することも可能になる。
したがって、異常帯電により破壊されたウエハＷの露光
処理を防止すると共に、正常なウエハＷのスループット
の低下を防止することができる。In the case of adopting the method of spraying an ionized gas to remove electricity as shown in FIG. 8, a mechanism for reading a symbol such as a bar code is provided in the wafer transfer path of the processing apparatus 1. For example, as shown in FIG. By subjecting the wafer W having an identification symbol such as “1” to the processing, the expected charge amount of the wafer W read from the barcode 11 is compared with the actually measured charge amount, and the ionizer 23 is automatically controlled based on the result. By adopting the system configuration according to the above, it is possible to perform the static elimination processing according to the charge amount of each wafer W. Further, according to such a system configuration, it is possible to judge and display the abnormal charge of the wafer, and to transfer the abnormally charged wafer, the pilot wafer and the like to a separately defined place, for example, the buffer cassette 6 and store them therein. become.
Therefore, it is possible to prevent the exposure process of the wafer W destroyed by the abnormal charging and prevent the throughput of the normal wafer W from being lowered.

【００２５】上記ウエハ受渡し台３は、昇降装置１９に
よって上下に移動できるようになっており、これを上昇
させた状態でメイン搬送アーム７５との間でウエハＷの
受け渡しができ、下降させた状態で受渡用搬送アーム４
との間でウエハＷの受け渡しができるようになってい
る。このウエハ受渡し台３のウエハ載置面には、メイン
搬送アーム７５及び受渡用搬送アーム４からウエハＷを
受け取る際にウエハＷを正確に位置決めするための３つ
の爪９が設けられている。The wafer transfer table 3 can be moved up and down by an elevating device 19. When the wafer transfer table 3 is lifted, the wafer W can be transferred to and from the main transfer arm 75 and lowered. And transfer arm 4 for delivery
The wafer W can be delivered to and from. The wafer placement surface of the wafer delivery table 3 is provided with three claws 9 for accurately positioning the wafer W when the wafer W is received from the main transfer arm 75 and the delivery transfer arm 4.

【００２６】上記受渡用搬送機構５は、Ｙ方向すなわち
前記メイン搬送路７３と直交する方向に延びる搬送路１
０に沿って移動自在に設けられており、昇降自在かつ回
転自在な搬送基台１３と、この搬送基台１３上に進退自
在に設けられたピンセット式の受渡用搬送アーム４とを
備えている。更に詳細には、Ｙ方向に移動する移動体１
１と、移動体１１に組み込まれた昇降機構によりＺ方向
（上下方向）に昇降される昇降台１２と、昇降台１２上
に上記搬送基台１３を支持してこれを回転させる（θ方
向に駆動する）ための回転軸１４とを具備しており、こ
れらによって受渡用搬送機構５が構成されている。そし
て、この受渡用搬送機構５は、上記ウエハ受渡し台３が
下降位置にあるときに昇降台１２を上昇位置に置いてウ
エハ受渡し台３との間でウエハＷの受け渡しを行い、ま
た、昇降台１２を下降位置に置いて上記ウエハ受渡しス
テージ２との間でウエハＷの受け渡しを行う。The delivery transport mechanism 5 has a transport path 1 extending in the Y direction, that is, a direction orthogonal to the main transport path 73.
It is provided so as to be movable along 0, and is provided with a transfer base 13 that is vertically movable and rotatable, and a tweezers transfer carrier arm 4 that is provided on the transfer base 13 so as to be movable back and forth. . More specifically, the moving body 1 that moves in the Y direction
1, a lift table 12 that is lifted and lowered in the Z direction (up and down direction) by a lift mechanism incorporated in the moving body 11, and the carrier base 13 is supported on the lift table 12 and rotated (in the θ direction. A rotary shaft 14 for driving), and these constitute the delivery transport mechanism 5. The transfer mechanism 5 for delivery transfers the wafer W to and from the wafer transfer table 3 by placing the lift table 12 in the raised position when the wafer transfer table 3 is in the lowered position. The wafer W is transferred between the wafer transfer stage 2 and the wafer transfer stage 2.

【００２７】搬送基台１３には受渡用搬送アーム４が後
端位置まで後退したときに受渡用搬送アーム４に保持さ
れているウエハＷの後方側の周縁部に当接する当接片１
５が受渡用搬送アーム４を挟んで両側に固定して設けら
れており、これら２つの当接片１５と受渡用搬送アーム
４の先端に形成された段部４ａとにより、ウエハＷが受
渡用搬送アーム４上の適切な保持位置に位置決め（セン
タリング）されるようになっている。受渡用搬送アーム
４は導電性材料例えばステンレススチールで形成されて
おり、除電手段である接地導線１６により処理装置１の
本体フレーム等に電気的に接続されている。なお、受渡
用搬送アーム４が受渡用搬送機構５を介して本体フレー
ムに導通状態であれば、上記接地導線１６を省略しても
よい。On the transfer base 13, the contact piece 1 comes into contact with the peripheral edge of the rear side of the wafer W held by the transfer arm 4 when the transfer arm 4 is retracted to the rear end position.
5 are fixedly provided on both sides of the delivery transfer arm 4, and the wafer W is delivered by the two contact pieces 15 and the step portion 4a formed at the tip of the delivery transfer arm 4. The transfer arm 4 is positioned (centered) at an appropriate holding position. The delivery transfer arm 4 is formed of a conductive material such as stainless steel, and is electrically connected to the main body frame of the processing apparatus 1 by a grounding conductor 16 which is a charge eliminating means. The grounding conductor 16 may be omitted as long as the delivery carrier arm 4 is electrically connected to the main body frame via the delivery mechanism 5.

【００２８】上記バッファ用ウエハカセット６は、上記
ウエハ受渡し台３の両側に設けられたガイドフレーム１
８（図４参照）内に、単独に或いは数段に積み重ねて上
下に移動可能に収納されており、バッファ用ウエハカセ
ット６の下方には、カセット取出用ピン１７が設けられ
ている。このカセット取出用ピン１７は、図４に示すよ
うに、ガイドフレーム１８内のバッファ用ウエハカセッ
ト６を上方に押し上げるためのもので、処理装置１本体
の上板１ａを貫通して図示省略の昇降機構により昇降自
在に設けられている。この場合、バッファ用ウエハカセ
ット６とカセット取出用ピン１７は共に導電性材料例え
ばステンレススチールで形成されており、カセット取出
用ピン１７は、除電手段である接地導線１６によって処
理装置１の本体フレーム等に電気的に接続されている。
したがって、バッファ用ウエハカセット６は、カセット
取出用ピン１７との接触により接地される。この場合、
接地導線１６の途中には、１０ＭΩ程度の抵抗を有する
抵抗器７が設けられている。このように設置導線１６の
途中に抵抗器７を設けることにより、カセット取出用ピ
ン１７とウエハＷとが接触した際に急激に放電し過大な
電流が流れるのを防止し、スパークの発生によるウエハ
Ｗの破損を防ぐことができる。The buffer wafer cassette 6 is provided with guide frames 1 provided on both sides of the wafer transfer table 3.
8 (see FIG. 4) is housed individually or stacked in several stages so as to be movable up and down. Below the buffer wafer cassette 6, a cassette take-out pin 17 is provided. As shown in FIG. 4, the cassette eject pin 17 is for pushing up the buffer wafer cassette 6 in the guide frame 18, and penetrates the upper plate 1a of the main body of the processing apparatus 1 to raise and lower (not shown). It is provided so that it can be raised and lowered by a mechanism. In this case, both the buffer wafer cassette 6 and the cassette take-out pin 17 are made of a conductive material such as stainless steel, and the cassette take-out pin 17 is connected to the main body frame of the processing apparatus 1 by the grounding conductor 16 which is a charge eliminating means. Electrically connected to.
Therefore, the buffer wafer cassette 6 is grounded by contact with the cassette eject pin 17. in this case,
A resistor 7 having a resistance of about 10 MΩ is provided in the middle of the ground conductor 16. By disposing the resistor 7 in the middle of the installation lead wire 16 as described above, it is possible to prevent an excessive current from flowing due to abrupt discharge when the cassette ejection pin 17 and the wafer W come into contact with each other, and a wafer caused by a spark is generated. It is possible to prevent W from being damaged.

【００２９】次に、上記のように構成されたこの実施形
態の処理装置１によるレジスト塗布現像装置６１とＥＢ
露光装置６２間におけるウエハＷの搬送動作について説
明する。Next, the resist coating / developing apparatus 61 and the EB by the processing apparatus 1 of the present embodiment configured as described above.
A transfer operation of the wafer W between the exposure devices 62 will be described.

【００３０】レジスト塗布現像装置６１によってレジス
ト液例えば電子ビームに感応する電子線感応レジスト液
が塗布されたウエハＷは、メイン搬送アーム７５によっ
てウエハ受渡し台３に載置される。その後、ウエハ受渡
し台３が下降すると共に、受渡用搬送機構５が駆動して
受渡用搬送アーム４でウエハＷを受け取る。受渡用搬送
アーム４がウエハＷに接触した瞬間に、蓄積されていた
電荷が受渡用搬送アーム４に接続された接地導線１６を
通って導出され、ウエハＷの除電がなされる。その後、
受渡用搬送機構５は、昇降台１２を下降させた後、ウエ
ハ受渡しステージ２との受渡し位置に移動し、受渡用搬
送アーム４を駆動してウエハＷをウエハ受渡しステージ
２のウエハ支持ピン８上に載置する。受渡用搬送アーム
４との接触によるウエハＷの除電が十分でなかった場
合、このウエハ受渡しステージ２の上方に配設されたイ
オナイザー２３からウエハＷに向かってウエハＷに蓄積
された電荷と異なる極性のイオン化した気体が吹き付け
られることにより、再びウエハＷの除電がなされる。こ
の際、上述したように、処理装置１のウエハ搬送経路に
バーコード等の記号を読み取る機構を設け、図１０に示
すようにバーコード１１等の識別記号を付したウエハＷ
を処理に供することで、バーコード１１から読み取った
そのウエハＷの予想帯電量と実測した帯電量とを比較
し、その結果に基づいてイオナイザー２３が自動制御さ
れるシステム構成を採用することにより、個々のウエハ
Ｗの帯電量に応じた除電処理を行うことができる。ま
た、このようなシステム構成によれば、ウエハの異常帯
電を判定・表示したり、異常帯電したウエハやパイロッ
ト用ウエハ等を別途定められた場所例えばバッファ用カ
セット６に搬送し収納することも可能になる。したがっ
て、異常帯電により破壊されたウエハＷの露光処理を防
止すると共に、正常なウエハＷのスループットの低下を
防止することができる。このようにしてウエハＷの除電
を行なった後、ウエハ支持ピン８上のウエハＷがＥＢ露
光装置６２内の図示しないウエハ搬送機構によって露光
処理部に搬送されて露光処理が施される。The wafer W coated with a resist solution, for example, an electron beam sensitive resist solution sensitive to an electron beam by the resist coating / developing device 61, is placed on the wafer transfer table 3 by the main transfer arm 75. Thereafter, the wafer delivery table 3 is lowered, and the delivery transfer mechanism 5 is driven to receive the wafer W by the delivery transfer arm 4. At the moment when the transfer carrier arm 4 contacts the wafer W, the accumulated charges are discharged through the grounding conductor 16 connected to the transfer carrier arm 4, and the wafer W is discharged. afterwards,
After the elevating table 12 is moved down, the delivery transfer mechanism 5 moves to a delivery position with the wafer delivery stage 2 and drives the delivery delivery arm 4 to move the wafer W onto the wafer support pins 8 of the wafer delivery stage 2. Place on. When the charge removal of the wafer W due to the contact with the delivery transfer arm 4 is not sufficient, the polarity different from the charge accumulated on the wafer W from the ionizer 23 arranged above the wafer delivery stage 2 toward the wafer W is used. By spraying the ionized gas of, the charge of the wafer W is removed again. At this time, as described above, a mechanism for reading a symbol such as a bar code is provided in the wafer transfer path of the processing apparatus 1, and the wafer W having an identification symbol such as the bar code 11 as shown in FIG.
By comparing the expected charge amount of the wafer W read from the barcode 11 with the actually measured charge amount, and adopting a system configuration in which the ionizer 23 is automatically controlled based on the result. It is possible to perform static elimination processing according to the charge amount of each wafer W. Further, according to such a system configuration, it is possible to judge and display the abnormal charge of the wafer, and to transfer the abnormally charged wafer, the pilot wafer and the like to a separately defined place, for example, the buffer cassette 6 and store them therein. become. Therefore, it is possible to prevent the exposure process of the wafer W destroyed by the abnormal charging and prevent the throughput of the normal wafer W from being lowered. After the charge of the wafer W is removed in this manner, the wafer W on the wafer support pin 8 is transferred to the exposure processing section by the wafer transfer mechanism (not shown) in the EB exposure apparatus 62 and subjected to the exposure process.

【００３１】また、ＥＢ露光装置６２で露光処理された
ウエハＷは、ＥＢ露光装置６２内のウエハ搬送機構によ
ってウエハ受渡しステージ２のウエハ支持ピン８上に載
置され、イオナイザー２３からのイオン化した気体が吹
き付けられることにより、電子ビーム照射によってウエ
ハＷに蓄積されていた電荷が打ち消され、ウエハＷの除
電がなされる。その後、受渡用搬送機構５はウエハ支持
ピン８上のウエハＷを受渡用搬送アーム４で把持して搬
送し、ウエハ受渡し台３に載置する。したがって、ウエ
ハ受渡しステージ２上でのウエハＷの除電が十分でなか
った場合、この受渡用搬送アーム４との接触により、再
びウエハＷの除電がなされる。その後、ウエハ受渡し台
３上のウエハＷがメイン搬送アーム７５によって現像処
理部７１に搬送されて現像処理が施される。The wafer W exposed by the EB exposure device 62 is placed on the wafer support pins 8 of the wafer delivery stage 2 by the wafer transfer mechanism in the EB exposure device 62, and the ionized gas from the ionizer 23 is transferred. By being sprayed with, the charges accumulated on the wafer W due to the electron beam irradiation are canceled and the wafer W is discharged. After that, the delivery transfer mechanism 5 holds and transfers the wafer W on the wafer support pins 8 by the delivery transfer arm 4, and places it on the wafer delivery table 3. Therefore, when the charge removal of the wafer W on the wafer delivery stage 2 is not sufficient, the charge of the wafer W is removed again by the contact with the delivery transfer arm 4. After that, the wafer W on the wafer delivery table 3 is transferred to the development processing section 71 by the main transfer arm 75 and subjected to the development processing.

【００３２】また、レジスト塗布現像装置６１とＥＢ露
光装置６２との間でのウエハＷの搬入、搬出のタイミン
グが大きくずれる場合などには、ウエハＷは受渡用搬送
機構５によりバッファ用ウエハカセット６内に搬送され
て一時収容される。そして、カセット取出用ピン１７を
バッファ用ウエハカセット６に接触させることにより、
バッファ用ウエハカセット６内にウエハＷに帯電してい
た電荷がカセット取出用ピン１７に接続された接地導線
１６を通して導出され、ここでもウエハＷの除電がなさ
れる。この場合も接地導線１６の途中に１０ＭΩ程度の
抵抗器７が設けられているので、バッファ用ウエハカセ
ット６とカセット取出用ピン１７とが接触した際に過大
な電流が流れるのを防止し、スパークの発生を防ぐこと
ができる。なお、抵抗器７の抵抗値が１０ＭΩよりも小
さすぎるとスパークが発生し、大きすぎると放電時間を
多大に要することになる。When the wafer W is loaded and unloaded between the resist coating / developing apparatus 61 and the EB exposure apparatus 62, the transfer mechanism 5 transfers the wafer W to the buffer wafer cassette 6. It is transported inside and temporarily stored. Then, by bringing the cassette eject pin 17 into contact with the buffer wafer cassette 6,
The charges charged on the wafer W in the buffer wafer cassette 6 are led out through the grounding conductor 16 connected to the cassette take-out pin 17, and the charge of the wafer W is also removed here. Also in this case, since the resistor 7 having a resistance of about 10 MΩ is provided in the middle of the grounding conductor 16, it is possible to prevent an excessive current from flowing when the buffer wafer cassette 6 and the cassette ejecting pin 17 come into contact with each other, and to prevent sparking. Can be prevented. If the resistance value of the resistor 7 is less than 10 MΩ, sparks will occur, and if it is too large, it will take a long discharge time.

【００３３】この実施形態のように、ウエハ受渡しステ
ージ２、受渡用搬送アーム４及びバッファ用ウエハカセ
ット６の各々にウエハＷの除電手段を設けたことによ
り、帯電したウエハＷがレジスト塗布現像装置６１及び
ＥＢ露光装置６２へ搬入されるのを確実に防止できる。As in this embodiment, the wafer transfer stage 2, the transfer carrier arm 4 and the buffer wafer cassette 6 are provided with the charge removing means for removing the wafer W. Further, it can be reliably prevented from being carried into the EB exposure device 62.

【００３４】したがって、レジスト塗布現像装置６２内
での一連の処理及び搬送の過程における静電気によるウ
エハＷへのパーティクルの付着を防止し、かつＥＢ露光
装置６２によってウエハＷに電子ビームを照射する際に
おけるウエハＷの周囲の電場の影響による電子ビームの
曲りを防止し、正確なパターン形状が得られると共に歩
留まりを著しく向上できる。ただし、この実施形態のよ
うにウエハ受渡しステージ２、受渡用搬送アーム４及び
バッファ用ウエハカセット６の全てに除電手段を設ける
ことができない場合、少なくともウエハ受渡しステージ
２に除電手段を設けることで十分対応できる。Therefore, particles are prevented from adhering to the wafer W due to static electricity during a series of processing and conveyance in the resist coating / developing device 62, and when the EB exposure device 62 irradiates the wafer W with an electron beam. The bending of the electron beam due to the influence of the electric field around the wafer W can be prevented, an accurate pattern shape can be obtained, and the yield can be remarkably improved. However, in the case where it is not possible to provide all of the wafer delivery stage 2, the delivery transfer arm 4 and the buffer wafer cassette 6 with the charge removal means as in this embodiment, it is sufficient to provide at least the wafer delivery stage 2 with the charge removal means. it can.

【００３５】上記実施形態におけるウエハ受渡しステー
ジ２と受渡用搬送アーム４との間でのウエハＷの搬送形
態はほんの一例であり、これ以外にも搬送効率の良い種
々の搬送形態が適用できる。The transfer mode of the wafer W between the wafer transfer stage 2 and the transfer transfer arm 4 in the above embodiment is merely an example, and various transfer modes with high transfer efficiency can be applied.

【００３６】例えば、図５に示すように、ウエハ受渡し
ステージ２の両隣に、ウエハＷを一時待機させるための
載置台２０、２１を設け、例えば、ウエハ受渡しステ
ージ２に載置された露光後のウエハＷ１を一方の載置台
２０上に一旦載置し、他方の載置台２１に待機させた
露光前のウエハＷ２をウエハ受渡しステージ２に載置し
た後、上記一方の載置台２０に待機させた露光後のウ
エハＷ１をレジスト塗布現像装置６１へ搬送するように
受渡用搬送アーム４を動作させることで搬送効率を向上
できる。For example, as shown in FIG. 5, mounting tables 20 and 21 for temporarily holding the wafer W are provided on both sides of the wafer delivery stage 2 and, for example, after exposure placed on the wafer delivery stage 2. The wafer W1 is once placed on one of the mounting tables 20, and the wafer W2 before exposure which has been made to stand by on the other mounting table 21 is placed on the wafer transfer stage 2 and then made to stand by at the one mounting table 20. The transfer efficiency can be improved by operating the delivery transfer arm 4 so as to transfer the exposed wafer W1 to the resist coating / developing apparatus 61.

【００３７】また、図６に示すように、受渡用搬送アー
ム４を例えば上下に２機装備し、ウエハ受渡しステー
ジ２に載置された露光後のウエハＷ１を一方のアーム４
Ａで受け取る動作と、他方のアーム４Ｂで露光前のウ
エハＷ２をウエハ受渡しステージ２に載置する動作を並
行して行うようにしてもよい。この場合、両方のアーム
４Ａ，４Ｂを接地等して除電可能にしておくことが望ま
しい。Further, as shown in FIG. 6, for example, two transfer carriers 4 are provided for the upper and lower sides, and the exposed wafer W1 placed on the wafer transfer stage 2 is provided on one arm 4.
The operation of receiving by A and the operation of placing the unexposed wafer W2 on the wafer transfer stage 2 by the other arm 4B may be performed in parallel. In this case, it is desirable that both the arms 4A and 4B be grounded or the like so that the charges can be removed.

【００３８】なお、図７に示すように、処理装置１内の
ウエハＷを手動にて取り出すための可搬式ピンセット３
２に接地導線１６によって処理装置１の本体等に接地し
ておくことで、人体３３の帯電荷によりウエハＷが帯電
するのを防止できる。As shown in FIG. 7, a portable tweezers 3 for manually taking out the wafer W in the processing apparatus 1.
2 is grounded to the main body of the processing apparatus 1 or the like by the grounding conductor 16 to prevent the wafer W from being charged by the electrostatic charge of the human body 33.

【００３９】上記実施形態では、上記受渡し用搬送アー
ム４及びバッファ用ウエハカセット６は、ウエハＷと接
触する部材を導電性部材で形成しこれを接地することに
よってウエハＷの除電を行う方式の除電手段を具備する
場合について説明したが、この発明の処理装置にはその
他種々の方式による除電手段が適用できる。In the above embodiment, the transfer arm 4 for transfer and the wafer cassette 6 for buffer are formed of a conductive member which is in contact with the wafer W, and are grounded to remove the charge of the wafer W. Although the case where the means is provided has been described, the processing apparatus of the present invention can be applied with other various types of charge eliminating means.

【００４０】例えば、ウエハ受渡しステージ２の除電手
段と同様に、受渡し用搬送アーム４の移動領域の上方或
いはバッファ用ウエハカセット６の上方にイオナイザー
２３を設け、受渡し用搬送アーム４或いはバッファ用ウ
エハカセット６上の帯電したウエハＷの表面に、イオナ
イザー２３で生成した異なる極性のイオン化した気体を
吹き付けることによりウエハＷに帯電した電荷を打ち消
す方式や、図９に示すように、受渡し用搬送アーム４の
上方或いはバッファ用ウエハカセット６の上方に紫外線
光源２４を設け、受渡し用搬送アーム４或いはバッファ
用ウエハカセット６上の帯電したウエハＷの表面に、紫
外線光源２４からの紫外線を照射することで、ウエハＷ
に帯電している電荷を放出させる方式等が有効である。For example, like the charge removing means of the wafer delivery stage 2, the ionizer 23 is provided above the moving region of the delivery transfer arm 4 or above the buffer wafer cassette 6, and the delivery transfer arm 4 or the buffer wafer cassette is provided. A method of canceling the electric charges charged on the wafer W by spraying an ionized gas having a different polarity generated by the ionizer 23 onto the surface of the charged wafer W on 6 or a transfer carrier arm 4 for transfer as shown in FIG. An ultraviolet light source 24 is provided above or above the buffer wafer cassette 6, and the surface of the charged wafer W on the transfer carrier arm 4 or the buffer wafer cassette 6 is irradiated with ultraviolet light from the ultraviolet light source 24, thereby W
It is effective to use a method of discharging the electric charge that is charged in the area.

【００４１】図８の方式を採用する場合、上述したよう
に、処理装置１のウエハ搬送経路にバーコード等の記号
を読み取る機構を設け、例えば図１０に示すようにバー
コード１１等の識別記号を付したウエハＷを処理に供す
ることで、バーコード１１から読み取ったそのウエハＷ
の予想帯電量と実測した帯電量とを比較し、その結果に
基づいてイオナイザー２３が自動制御されるシステム構
成を採用することにより、個々のウエハＷの帯電量に応
じた除電処理を行うことができる。また、このようなシ
ステム構成によれば、ウエハの異常帯電を判定・表示し
たり、異常帯電したウエハやパイロット用ウエハ等を別
途定められた場所に搬送し収納することも可能になる。When the method of FIG. 8 is adopted, a mechanism for reading a symbol such as a bar code is provided on the wafer transfer path of the processing apparatus 1 as described above, and, for example, as shown in FIG. By subjecting the wafer W with the mark to the processing, the wafer W read from the barcode 11 is read.
By comparing the expected charge amount with the actually measured charge amount, and adopting a system configuration in which the ionizer 23 is automatically controlled based on the result, it is possible to perform the static elimination processing according to the charge amount of each wafer W. it can. Further, according to such a system configuration, it becomes possible to judge and display the abnormal charge of the wafer, and to convey and store the abnormally charged wafer, the pilot wafer and the like to a separately determined place.

【００４２】なお、この発明の処理装置が適用される処
理システムにおいては、ＥＢ露光装置の電子ビーム照射
機能を有効に利用し、例えば、図１１に示すように、レ
ジスト３５が塗布されたウエハＷの周縁部に付着してい
る不要なレジスト３５ａを電子ビーム露光によって露光
し現像することにより除去することができる。その場
合、ウエハＷの周縁部の上面、側面及び下面に電子ビー
ムＥＢ１，ＥＢ２及びＥＢ３をそれぞれ照射しつつウエ
ハＷを回転させることにより、不要なレジスト３５ａを
全周に亙って有効に除去できる。また、ウエハＷの回転
を制御することにより、部分的に露光して不要なレジス
トを除去することも可能である。ウエハＷの周縁部の不
要なレジストを除去することにより、ウエハ搬送中にお
けるパーティクルの発生を防止できる。この種の処理を
行う際の露光方法としては、ガウシアンビームによる露
光、可変矩形ビームによる露光、ブロック露光など露光
方法を採用することができる。ＥＢ露光装置を利用して
不要なレジストの除去処理を行うことにより、レジスト
除去のための専用の露光装置が不要になる。In the processing system to which the processing apparatus of the present invention is applied, the electron beam irradiation function of the EB exposure apparatus is effectively used, and for example, as shown in FIG. 11, a wafer W coated with a resist 35 is used. The unnecessary resist 35a adhering to the peripheral portion of the can be removed by exposing and developing by electron beam exposure. In that case, the unnecessary resist 35a can be effectively removed over the entire circumference by rotating the wafer W while irradiating the upper, side and lower surfaces of the peripheral edge of the wafer W with electron beams EB1, EB2 and EB3, respectively. . Further, by controlling the rotation of the wafer W, it is also possible to partially expose and remove unnecessary resist. By removing the unnecessary resist on the peripheral portion of the wafer W, it is possible to prevent the generation of particles during wafer transfer. As an exposure method for performing this type of processing, an exposure method such as Gaussian beam exposure, variable rectangular beam exposure, or block exposure can be employed. By performing the unnecessary resist removal process using the EB exposure apparatus, a dedicated exposure apparatus for removing the resist becomes unnecessary.

【００４３】上記実施形態では、被処理体が半導体ウエ
ハの場合について説明したが、被処理体は半導体ウエハ
に限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板をレジスト
塗布現像処理装置とＥＢ露光装置との間で相互に搬送す
るものについても適用できるものである。また、上記実
施形態では露光手段として電子ビームを用いる場合につ
いて説明したが、電子ビーム露光以外の半導体ウエハが
帯電し易い露光手段を用いる場合にも適用できるもので
ある。In the above embodiment, the case where the object to be processed is a semiconductor wafer has been described, but the object to be processed is not limited to the semiconductor wafer, and for example, the LCD substrate is provided between the resist coating and developing processing apparatus and the EB exposure apparatus. The present invention can also be applied to products that are mutually transported. Further, in the above embodiment, the case where the electron beam is used as the exposure means has been described, but the present invention can also be applied to the case where an exposure means other than the electron beam exposure that easily charges the semiconductor wafer is used.

【００４４】[0044]

【発明の効果】以上要するにこの発明の処理装置によれ
ば、以下のような優れた効果が発揮できる。In summary, according to the processing apparatus of the present invention, the following excellent effects can be exhibited.

【００４５】１）この発明の処理装置によれば、レジス
ト塗布現像装置から露光装置へ被処理体を搬送する際及
び露光装置からレジスト塗布現像装置へ被処理体を搬送
する際に被処理体が載置される第１の受渡用載置部、被
処理体が載置ないし保持される受渡用搬送アーム及び第
２の受渡用載置部と受渡用搬送アームとの間の被処理 体
の受け渡しの際に被処理体を一時収容、あるいは、異常
帯電した被処理体を収納するバッファ用カセットに除電
手段を設けたことにより、帯電した被処理体がレジスト
塗布現像装置及び露光装置へ搬入されるのを未然に防止
できる。したがって、レジスト塗布現像装置内での一連
の処理及び搬送の過程における静電気による被処理体へ
のパーティクルの付着を防止でき、かつ被処理体周囲の
電場の影響による弊害を防止でき、正確なパターン形状
が得られると共に歩留まりを向上できる。1) According to the processing apparatus of the present invention, the object to be processed is conveyed when the object is transferred from the resist coating and developing apparatus to the exposure apparatus and when the object is transferred from the exposure apparatus to the resist coating and developing apparatus. A first delivery placing portion to be placed, a delivery transport arm on which an object to be processed is placed or held, and a first delivery placing arm .
Workpiece between the mounting portion for the second delivery and conveying arm delivery
When the product is handed over, the object to be processed is temporarily accommodated or abnormal
By providing the charge eliminating means in the buffer cassette for accommodating the charged object to be processed , it is possible to prevent the charged object to be carried into the resist coating / developing apparatus and the exposure apparatus. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the object to be processed due to static electricity during a series of processing and conveyance in the resist coating / developing device, and to prevent adverse effects due to the influence of the electric field around the object to be processed, and to obtain an accurate pattern shape. And the yield can be improved.

【００４６】２）また、バッファ用カセットに、被処理
体に蓄積した電荷を除去するための除電手段を設けるの
で、被処理体の搬送効率の向上が図れると共に、被処理
体の一時待機中においても被処理体に蓄積された電荷を
確実に除去することができる。2) Further , since the buffer cassette is provided with a charge removing means for removing charges accumulated in the object to be processed, the efficiency of carrying the object to be processed can be improved and the object to be processed can be temporarily suspended. Also, the electric charge accumulated in the object to be processed can be surely removed.

【００４７】３）請求項２記載の処理装置によれば、接
地導線の途中に抵抗器を設けることにより、被処理体に
蓄積されていた電荷が急激に放電し過大な電流が流れる
のを防止し、スパークの発生による被処理体の破損を防
ぐことができる。3) According to the processing apparatus of the second aspect , by providing the resistor in the middle of the grounding wire, it is possible to prevent the electric charge accumulated in the object to be processed from being rapidly discharged and causing an excessive current to flow. However, damage to the object to be processed due to the occurrence of sparks can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明の処理装置を適用した処理システムの
実施形態の要部を示す部分破断斜視図である。FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing a main part of an embodiment of a processing system to which a processing apparatus of the present invention is applied.

【図２】図１の実施形態を示す平面図である。2 is a plan view showing the embodiment of FIG. 1. FIG.

【図３】この発明の処理装置における第１の受渡用載置
部を示す部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing a first delivery placing portion in the processing apparatus of the present invention.

【図４】この発明の処理装置におけるバッファ用カセッ
トの除電手段の一実施形態を示す部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing an embodiment of a charge eliminating means for a buffer cassette in the processing apparatus of the present invention.

【図５】この発明の処理装置における被処理体の別の搬
送動作を示す概略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing another carrying operation of the object to be processed in the processing apparatus of the present invention.

【図６】この発明の処理装置における被処理体の更に別
の搬送動作を示す概略平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view showing still another conveying operation of the object to be processed in the processing apparatus of the present invention.

【図７】この発明の処理装置の除電手段の変形実施形態
を示す概略側面図である。FIG. 7 is a schematic side view showing a modified embodiment of the charge eliminating means of the processing apparatus of the present invention.

【図８】この発明の処理装置における第１の受渡用載置
部の除電手段の一実施形態を示す部分側面図である。FIG. 8 is a partial side view showing an embodiment of the charge eliminating means of the first delivery placing portion in the processing apparatus of the present invention.

【図９】この発明の処理装置の除電手段の変形実施形態
を示す部分側面図である。FIG. 9 is a partial side view showing a modified embodiment of the static eliminator of the processing apparatus of the present invention.

【図１０】個別情報のバーコードマークを付与した半導
体ウエハの平面図である。FIG. 10 is a plan view of a semiconductor wafer provided with a barcode mark of individual information.

【図１１】電子ビーム露光装置を半導体ウエハの周縁部
のレジスト除去に使用する際の電子ビーム照射方法を示
す部分断面図である。FIG. 11 is a partial cross-sectional view showing an electron beam irradiation method when the electron beam exposure apparatus is used for removing the resist on the peripheral portion of the semiconductor wafer.

【図１２】従来の処理装置を用いた処理システムを示す
平面図である。FIG. 12 is a plan view showing a processing system using a conventional processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 処理装置 ２ ウエハ受渡しステージ（第１の受渡用載置部） ３ ウエハ受渡第（第２の受渡用載置部） ４ 受渡用搬送アーム ６ バッファ用ウエハカセット（バッファ用カセット） ７ 抵抗器（除電手段） １６ 接地導線（除電手段） １７ カセット取出用ピン（除電手段） ２３ イオナイザー（除電手段） ２４ 紫外線光源（除電手段） ６１ レジスト塗布現像装置 ６２ 電子ビーム露光装置 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） 1 processor 2 Wafer delivery stage (first delivery placement part) 3 Wafer delivery No. (2nd delivery placing part) 4 Delivery transfer arm 6 Buffer wafer cassette (buffer cassette) 7 Resistor (static elimination means) 16 Ground conductor (static elimination means) 17 Cassette ejection pin (static elimination means) 23 Ionizer (static elimination means) 24 Ultraviolet light source (static elimination means) 61 Resist coating and developing device 62 electron beam exposure apparatus W Semiconductor wafer (Processing object)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−178416（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−287638（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−133644（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−218175（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−7855（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−287923（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−218941（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−40599（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 B65G 49/07 H01L 21/027 H05F 3/02 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-5-178416 (JP, A) JP-A-62-287638 (JP, A) JP-A-63-133644 (JP, A) JP-A-5- 218175 (JP, A) JP-A-4-7855 (JP, A) JP-A-4-287923 (JP, A) JP-A-4-218941 (JP, A) Actual development 4-40599 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 B65G 49/07 H01L 21/027 H05F 3/02

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 被処理体にレジストを塗布しかつ露光処
理された被処理体を現像処理するレジスト塗布現像装置
と、レジストが塗布された被処理体を露光処理する露光
装置との間で被処理体を相互に搬送するための処理装置
において、 上記露光装置の被処理体搬出入部近傍に設けられた第１
の受渡用載置部と、上記レジスト塗布現像装置の被処理
体搬出入部近傍に設けられた第２の受渡用載置部と、第
１の受渡用載置部を介して上記露光装置内の被処理体搬
送機構と相互に被処理体の受け渡しを行うと共に第２の
受渡用載置部を介して上記レジスト塗布現像装置内の被
処理体搬送機構と相互に被処理体の受け渡しを行う受渡
用搬送アームと、上記第２の受渡用載置部と上記受渡用
搬送アームとの間の被処理体の受け渡しの際に被処理体
を一時収容、あるいは、異常帯電した被処理体を収納す
るバッファ用カセットとを具備し、上記第１の受渡用載
置部、受渡用搬送アーム及びバッファ用カセットに、被
処理体に蓄積した電荷を除去するための除電手段が設け
られていることを特徴とする処理装置。1. A resist coating / developing device for coating a resist on a target to be processed and developing the target to be processed by exposure, and an exposure device for exposing the target to which the resist is applied to exposure. In a processing apparatus for transporting processing objects to each other, a first processing device provided near a processing object loading / unloading unit of the exposure apparatus.
In the exposure apparatus via the delivery placement section, the second delivery placement section provided in the vicinity of the object loading / unloading section of the resist coating and developing apparatus, and the first delivery placement section. A transfer for transferring an object to be processed to and from the object transfer mechanism, and for transferring an object to be processed to and from the object transfer mechanism in the resist coating and developing apparatus via the second transfer placing section. Carrier arm , the second delivery placing part, and the delivery
The object to be processed when transferring the object to and from the transfer arm
Temporarily store, or store the object to be processed that is abnormally charged
And a cassette for a buffer,
A processing apparatus , wherein the placing section, the delivery transfer arm, and the buffer cassette are provided with a charge removing unit for removing charges accumulated in the object to be processed. 【請求項２】 上記除電手段は接地導線であり、接地導
線の途中に抵抗器を設けたことを特徴とする請求項１記
載の処理装置。Wherein the said discharging means is a ground wire, processing apparatus according to claim 1, characterized in that a resistor in the middle of the ground conductor. 【請求項３】 上記除電手段が、被処理体に蓄積した電
荷と異なる極性のイオン化した気体を吹き付けるイオナ
イザーであることを特徴とする請求項１記載の処理装
置。3. The processing apparatus according to claim 1, wherein the charge removing unit is an ionizer that blows an ionized gas having a polarity different from the charge accumulated in the object to be processed.
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