JP3479591B2 - スパークプラグ検査方法及び装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スパークプラグの
検査方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】内燃機関に使用されるスパークプラグに
おいては近年、耐火花消耗性を向上させるために、接地
電極及び中心電極の少なくともいずれかに貴金属チップ
を固着したものが使用されている。この場合、十分な耐
火花消耗性を確保するためには、上記貴金属チップの位
置決め精度が重要である。例えば接地電極側に固着され
たチップの中心軸線と、中心電極又はその中心電極に固
着されたチップの中心軸線とが、チップ固着位置のずれ
等により偏心することがある。このような位置ずれが生
ずると、例えばチップの偏った消耗による寿命低下や、
発火ミスといったトラブルにつながる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来、例えば火花ギャ
ップの偏心検査やギャップ周辺を形成する各部の寸法検
査は多くが目視により行われているが、この場合、検査
精度が個人差によりばらついたり、検査漏れによる不合
格品の流出を招きやすい問題がある。そこで、偏心検査
を自動で行うために、ＣＣＤカメラによりスパークプラ
グの発火部の画像を撮影し、その画像に基づいて偏心量
を検出する技術が、例えば特開平８−１５３５６６号公
報に開示されている。

【０００４】ところで、画像による偏心検出の場合、そ
の検出精度を向上させるためには、接地電極ないし中心
電極に固着されたチップの位置を正確に特定する必要が
ある。しかしながら、上記公報には、接地電極ないし中
心電極に上述のようなチップを固着した場合の具体的な
検査方法については、何ら開示されていない。

【０００５】本発明の課題は、接地電極ないし中心電極
に、貴金属チップ等のチップが固着されたスパークプラ
グについて、そのチップ位置やギャップ偏心量等に関す
る検査を正確かつ能率よく行うことができるスパークプ
ラグの検査方法及び装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段および作用・効果】本発明
のスパークプラグの検査方法の第一は、中心電極と、先
端側が中心電極と対向するように配置された接地電極
と、それら中心電極と接地電極との少なくとも一方に固
着されて火花ギャップを形成するチップとを備えたスパ
ークプラグの検査方法に関するものであって、上述の課
題を解決するために、下記の工程を含むことを特徴とす
る。 撮影工程：少なくともチップと、中心電極又は接地電
極のうち該チップが固着される部分（以下、被チップ固
着部という）との画像が得られるように、スパークプラ
グを撮影する。 チップ判別工程：その撮影画像において、チップの全
部又は一部に対応した形状のマスター画像を予め用意
し、撮影画像においてマスター画像と適合する部分を検
索することにより、その適合部分をチップの少なくとも
一部をなす部分として判別する。 検査情報生成工程：判別されたチップの撮影画像と適
合部分に重ね合わされる形で位置決めされたマスター画
像との少なくともいずれかに基づいて、チップの寸法及
び位置の少なくともいずれかに関する検査情報を生成す
る。 検査情報出力工程：その生成した検査情報を出力す
る。

【０００７】また、これに対応する本発明のスパークプ
ラグの検査装置の第一は、中心電極と、先端側が中心電
極と対向するように配置された接地電極と、それら中心
電極と接地電極との少なくとも一方に固着されて火花ギ
ャップを形成するチップとを備えたスパークプラグの検
査装置に関するものであって、上述の課題を解決するた
めに、下記の手段を含むことを特徴とする。 撮影手段：少なくともチップと、中心電極又は接地電
極のうち該チップが固着される部分（以下、被チップ固
着部という）との画像が得られるように、スパークプラ
グを撮影する。 マスター画像データ記憶手段：その撮影画像におい
て、チップの全部又は一部に対応した形状のマスター画
像の画像データを記憶する。 チップ判別手段：撮影画像においてマスター画像と適
合する部分を検索することにより、その適合部分をチッ
プの少なくとも一部をなす部分として判別する。 検査情報生成手段：判別されたチップの撮影画像と上
記適合部分に重ね合わされる形で位置決めされたマスタ
ー画像との少なくともいずれかに基づいて、チップの寸
法及び位置の少なくともいずれかに関する検査情報を生
成する。 検査情報出力手段：その検査情報を出力する。

【０００８】上記本発明の第一の方法ないし装置によれ
ば、撮影画像においてマスター画像と適合する部分を検
索することにより、その適合部分をチップの少なくとも
一部をなす部分として判別するようにした。これによ
り、チップ部分を正確に特定することができ、ひいて
は、チップ位置やギャップ偏心量等に関する検査を正確
かつ能率よく行うことができる。また、チップと電極部
分との間で明確なコントラストを生じていない場合で
も、マスター画像の使用によりチップ部分の外形線位置
を正確に特定することができ、検査精度の向上を図るこ
とができる。

【０００９】次に、本発明のスパークプラグの検査方法
の第二は、中心電極と、先端側が中心電極と対向するよ
うに配置された接地電極と、それら中心電極と接地電極
との少なくとも一方に固着されて火花ギャップを形成す
るチップとを備えたスパークプラグの検査方法に関する
ものであって、上述の課題を解決するために、下記の工
程を含むことを特徴とする。 撮影工程：接地電極に固着された接地電極側チップと
中心電極との撮影、中心電極に固着された中心電極側チ
ップと接地電極との撮影、接地電極に固着された接地電
極側チップと中心電極に固着された中心電極側チップと
の撮影、及び中心電極とこれに固着された中心電極側チ
ップとの撮影の少なくともいずれかを行なう。 チップ判別工程：その撮影画像において、チップと、
中心電極又は接地電極のうち該チップが固着される部分
（以下、被チップ固着部という）との画像を判別する。 検査情報生成工程：その判別後の画像情報に基づい
て、接地電極側チップと中心電極の間の偏心量に関する
情報、接地電極と中心電極側チップとの間の偏心量に関
する情報、接地電極側チップと中心電極側チップとの間
の偏心量に関する情報、及び中心電極側チップと中心電
極との間の偏心量に関する情報の少なくともいずれかを
検査情報として生成する。 検査情報出力工程：その検査情報を出力する。

【００１０】また、これに対応する本発明のスパークプ
ラグの検査装置の第二は、中心電極と、先端側が中心電
極と対向するように配置された接地電極と、それら中心
電極と接地電極との少なくとも一方に固着されて火花ギ
ャップを形成するチップとを備えたスパークプラグの検
査装置に関するものであって、上述の課題を解決するた
めに、下記の手段を含むことを特徴とする。 撮影手段：接地電極又は接地電極に固着された接地電
極側チップと、中心電極又は該中心電極に固着された中
心電極側チップとを撮影する。 チップ判別手段：その撮影画像において、チップと、
中心電極又は接地電極のうち該チップが固着される部分
（以下、被チップ固着部という）との画像を判別する。 検査情報生成手段：その判別後の画像情報に基づい
て、接地電極又は接地電極側チップと、中心電極又は中
心電極側チップとの間の偏心量に関する情報を検査情報
として生成する。 検査情報出力手段：その検査情報を出力する。

【００１１】上記本発明の第二の方法ないし装置では、
接地電極又は接地電極に固着された接地電極側チップ
と、中心電極又は該中心電極に固着された中心電極側チ
ップとの撮影画像において、チップと、中心電極又は接
地電極のうち該チップが固着される部分（被チップ固着
部）との画像を判別し、その判別後の画像情報に基づい
て、接地電極又は接地電極側チップと、中心電極又は中
心電極側チップとの間の偏心量に関する情報を検査情報
として生成するようにした。これにより、接地電極ない
し中心電極の少なくとも一方に貴金属チップ等のチップ
が固着されている場合であっても、そのチップにより形
成される火花ギャップの偏心状態を正確かつ能率よく検
査することができる。

【００１２】上記本発明の第二の方法及び装置において
も、チップの全部又は一部に対応した形状のマスター画
像を予め用意し、撮影画像においてマスター画像と適合
する部分を検索することにより、当該撮影画像のマスタ
ー画像との適合部分をチップの少なくとも一部をなすチ
ップ画像部分として判別し、判別されたチップ画像部分
と該チップ画像部分に重ね合わされる形で位置決めされ
たマスター画像との少なくともいずれかに基づいて、チ
ップの寸法及び位置の少なくともいずれかに関する検査
情報が生成されるようにすることができる。これによ
り、チップ部分をさらに正確に特定することができ、ひ
いては、チップ位置やギャップ偏心量等に関する検査を
一層正確に行うことができる。

【００１３】チップ判別に際しては、撮影画像とマスタ
ー画像とを、中間濃度出力が可能な複数の画素の出力状
態の組み合わせにより形成しておき、撮影画像におい
て、マスター画像との間で対応する画素間の濃度差の総
計が最小となる部分を適合部分として選定するようにで
きる。このようにすることで、撮影画像とマスター画像
とのマッチング精度が高められてチップ形状の特定をよ
り正確に行うことができるようになり、ひいては検査精
度がさらに向上する。この場合、上記方法ないし装置に
は、チップ外形線方向と交差する向きにおいて各画素の
濃度値レベルが、所定の閾値を挟んで該閾値よりも大き
い状態と小さい状態との一方から他方に変化する位置、
又はチップ外形線方向と交差する向きに沿って検出した
各画素の濃度値レベルの変化率が最大となる位置を、チ
ップの外形線位置として決定するチップ外形線情報生成
工程ないし手段を追加することができる。これにより、
チップの外形線位置の特定を精度高く行うことができ
る。

【００１４】なお、チップ外形線方向は、例えばマスタ
ー画像の外形線を仮外形線とし、その仮外形線の方向と
して定めることが可能である。

【００１５】また、チップの軸断面が円形状のものであ
る場合、チップ判別工程においては、そのチップの軸方
向端面の撮影画像に対して、円形状のマスター画像を適
合させ、チップ外形線情報生成工程において、チップの
軸方向端面の外形線位置としての互いに異なる３点を決
定し、それら３点を通る円を当該軸方向端面の外形線と
して決定することができる。これにより、円形状のチッ
プの軸方向端面の外形線を簡単に定めることができる。
なお、上記円はその中心位置と半径とを定めることによ
り特定できる。

【００１６】この場合、互いに異なる３点の組を複数決
定し、各３点を通る複数の円の中心位置と半径とをそれ
ぞれ定め、チップの軸方向端面の最終的な外形線を、そ
れら複数の円の平均的な中心位置と同じく平均的な半径
とを、それぞれ中心及び半径とする円として定めるよう
にすれば、チップの軸方向端面の外形線をより高精度に
決定することができる。例えばチップが接地電極や中心
電極に対し溶接により取り付けられている場合、チップ
周囲に溶接だれ部分等が形成されて外形線が多少不明瞭
になっていても、上記方法によりこれを精度よく判別す
ることができる。

【００１７】チップの位置は、例えば画素平面上の絶対
位置の形で特定するようにしてもよいが、例えばギャッ
プ偏心状態やチップの取付位置等の検査を行いたい場合
には、チップの位置基準を与えるスパークプラグの所定
構成部分（位置基準構成部分）を適宜選定し、位置基準
構成部分とチップとの間の相対的な位置関係を与える情
報を検査情報として得るようにすることがより望まし
い。この場合は、上記方法ないし装置は、チップととも
に位置基準構成部分の画像も撮影する撮影工程ないし手
段と、チップの撮影画像と、位置基準構成部分の撮影画
像とに基づいて、チップの位置基準構成部分に対する位
置関係情報を生成するチップ位置情報生成工程ないしチ
ップ位置情報生成手段とを含むものとする。

【００１８】なお、該位置基準構成部分の全部又は一部
に対応した形状のマスター画像を予め用意し、当該撮影
画像のマスター画像との適合部分を位置基準構成部分の
少なくとも一部をなす位置基準構成部分画像部として判
別し、判別された位置基準構成部分画像部と該位置基準
構成部分画像部に重ね合わされる形で位置決めされたマ
スター画像との少なくともいずれかに基づいて、該位置
基準構成部分の外形線を特定することができる。この場
合、撮影画像とマスター画像とを、中間濃度出力が可能
な複数の画素の出力状態の組み合わせにより形成してお
き、撮影画像において、マスター画像との間で対応する
画素間の濃度差の総計が最小となる部分を適合部分とし
て選定するようにできる。また、位置基準構成部分の外
形線方向と交差する向きにおいて各画素の濃度値レベル
が、所定の閾値を挟んで該閾値よりも大きい状態と小さ
い状態との一方から他方に変化する位置、又は位置基準
構成部分の外形線方向と交差する向きに沿って検出した
各画素の濃度値レベルの変化率が最大となる位置を、位
置基準構成部分の外形線位置として決定することができ
る。これにより、位置基準構成部分の外形線位置の特定
を極めて精度高く行うことができる。

【００１９】なお、位置基準構成部分の外形線方向は、
前述のチップの場合と同様に、例えばマスター画像の外
形線を仮外形線とし、その仮外形線の方向として定める
ことが可能である。

【００２０】また、マスター画像は、例えば検査対象と
なるスパークプラグに使用されるものと同一種類のチッ
プあるいは位置基準構成部分を、予め所定の条件で撮影
することにより作ることができる。

【００２１】検査対象となるスパークプラグの形状は特
に限定されないが、例えば次のようなものが可能であ
る。すなわち、接地電極は、基端側が主体金具に結合さ
れる一方、先端側の側面が中心電極の先端面と対向する
ように、当該先端側が曲げ加工により内側に曲げ返され
た形状をなすものとする。接地電極側チップは先端側側
面に固着されて、中心電極先端面又は該先端面に固着さ
れた中心電極側チップと対向する。この場合、チップ位
置情報生成工程においては、次のような情報の少なくと
もいずれかを得るようにする。 ・接地電極先端部の中心軸線と接地電極側チップの中心
点との距離ａに関連した情報（位置基準構成部分は接地
電極の先端部となる）。ここで、接地電極側チップの中
心点とは、接地電極側チップの撮影画像の幾何学的重心
位置を意味する（以下も同様）。 ・該接地電極に固着されたチップ（接地電極側チップ）
の中心点の該接地電極の先端面からの距離ｂに関連した
情報（位置基準構成部分は接地電極の先端部となる）。 ・中心電極の先端面又は中心電極側チップの接地電極側
の対向面と、接地電極側チップの中心電極側の対向面と
の間の対向距離ｅに関連した情報（いわゆる火花ギャッ
プ間隔：位置基準構成部分は中心電極又は中心電極側チ
ップとする）。これにより、接地電極側チップの位置ず
れ状態あるいは偏心状態を反映した情報を的確に得るこ
とができる。

【００２２】また、検査情報生成工程あるいは手段にお
いては、接地電極の撮影画像と中心電極の撮影画像とに
基づいて、次のような情報の少なくともいずれかを生成
するようにしてもよい。 ・接地電極先端部の中心軸線と、中心電極の中心軸線又
は中心電極側チップの中心軸線との距離ｃに関連する情
報。 ・接地電極の先端面と、中心電極の中心軸線又は中心電
極側チップの中心軸線との距離ｄに関連する情報。これ
らの情報を合わせて得ることで、スパークプラグのギャ
ップ形成状態をより精密に検査することができる。

【００２３】なお、撮影手段による撮影方向によって
は、位置基準構成部分とチップとの相対的な位置に関す
る情報が得にくい場合がある。この場合は、スパークプ
ラグを互いに異なる２以上の方向から撮影し、それら複
数方向からのチップの撮影画像及び位置基準構成部分の
撮影画像により、位置関係情報を生成するようにする。
例えば撮影手段から見て中心電極が前方側、接地電極の
基端部が後方側となるように、当該中心電極と接地電極
基端部とが互いに重なって見える撮影方向を正面撮影方
向、中心電極の中心軸線周りにおいて、該正面撮影方向
とほぼ直交する撮影方向を側方撮影方向とすれば、距離
ｃに関連する情報は正面撮影方向における撮影画像によ
り生成するのがよい。また、距離ｅに関連する情報と、
距離ｄに関連する情報とは、側方撮影方向における撮影
画像に基づいて生成するのがよい。

【００２４】一方、スパークプラグの品種によっては、
接地電極側チップの大部分が接地電極側に埋没した形に
なっていたり、突出部分が生じていても溶接だれ部分等
によりチップ突出部分の外形が特定しにくいものもあ
る。この場合は接地電極の曲げ加工が終了後であると、
チップの撮影が困難になることもある。そこで、接地電
極に曲げ加工を施すのに先立って、スパークプラグを前
述の正面撮影方向から撮影することにより、接地電極の
側面と、該側面に固着された接地電極側チップとの画像
を得る曲げ前撮影工程を、（曲げ前撮影手段により）実
施すれば、その撮影画像に基づいて、接地電極と接地電
極側チップとの位置関係を正確に把握することが可能と
なる。

【００２５】例えば、上記曲げ前撮影工程において得ら
れる撮影画像に基づいて、前述の距離ａに関連する情報
及びあるいは距離ｂに関連する情報を極めて容易に得る
ことができる。この場合、距離ａに関連する情報と、距
離ｃに関連する情報とに基づいて、接地電極幅方向にお
ける接地電極側チップの中心軸線の、中心電極の中心軸
線又は中心電極側チップの中心軸線からの偏心量に関す
る情報（接地電極側チップ幅方向偏心量情報）を得る幅
方向偏心情報生成工程を実施することができる。また、
距離ｂに関連する情報と、距離ｄに関連する情報とに基
づいて、接地電極軸線方向における接地電極側チップの
中心軸線の、中心電極の中心軸線又は中心電極側チップ
の中心軸線からの偏心量に関する情報（接地電極側チッ
プ軸線方向偏心量情報）を生成する軸線方向偏心情報生
成工程を実施することもできる。これにより、チップが
接地電極中に埋没している場合など、正面撮影方向ある
いは側方撮影方向からの撮影画像からは、接地電極上の
チップ位置を特定しにくい場合でも、例えば撮影工程の
実施により上記距離ａないしｂに関連する情報を得るこ
とで、上記各方向における偏心量を的確に把握すること
が可能となる。

【００２６】一方、チップはその中心電極側の対向面
が、接地電極の中心電極側の対向面よりも突出して接地
電極先端部に対し固着されているスパークプラグの場合
は、例えば、曲げ加工後の接地電極を前述の正面撮影方
向から撮影し、接地電極側チップの突出部の撮影画像
と、中心電極の撮影画像又は該中心電極に固着されたチ
ップの撮影画像とに基づいて、接地電極幅方向における
接地電極側チップの中心軸線の、中心電極の中心軸線又
は中心電極側チップの中心軸線からの偏心量に関する情
報（接地電極側チップ幅方向偏心量情報）を生成するよ
うにしてもよい。また、曲げ加工後の接地電極を前述の
側方撮影方向から撮影し、接地電極側チップの突出部の
撮影画像と、中心電極の撮影画像又は該中心電極に固着
されたチップの撮影画像とに基づいて、接地電極軸線方
向における接地電極側チップの中心軸線の、中心電極の
中心軸線又は中心電極側チップの中心軸線からの偏心量
に関する情報（接地電極側チップ軸線方向偏心量情報）
を生成するようにしてもよい。ただし、この場合も前述
の曲げ前撮影工程で得られる撮影画像に基づいて距離ａ
ないし距離ｂに関連する情報を得、それらａないしｂの
値を用いて前述の偏心量の情報を得るようにしてもよ
い。

【００２７】一方、接地電極側チップの多くの部分が接
地電極内に埋没している場合、前述の距離ｅ（火花ギャ
ップ間隔）は、撮影画像の情報のみでは正確に決定でき
ない場合がある。この場合、本発明の方法（ないし装
置）には、接地電極側チップの中心電極側の対向面の表
面起伏状態を、接地電極の曲げ加工に先立って測定する
接地電極側チップ表面起伏状態測定工程（ないし手段）
を付加することができる。この場合、撮影工程（ないし
手段）は、接地電極の曲げ加工後において、中心電極又
は中心電極側チップと接地電極との画像を撮影するもの
とする。また、検査情報生成工程（ないし手段）は、接
地電極側チップの中心電極側の対向面の、上記測定され
た表面起伏状態の情報と、撮影された画像の情報とに基
づいて、接地電極側チップの中心電極側の対向面と、中
心電極の先端面又は中心電極側チップの接地電極側の対
向面との距離ｅに関連する情報を検査情報として生成す
るものとする。

【００２８】これによれば、接地電極の曲げ加工に先立
って接地電極側チップの中心電極側の対向面の表面起伏
状態（例えば表面粗さあるいは表面変位分布等の情報）
を測定し、例えば接地電極側チップが接地電極内に埋没
している場合でも、その表面起伏状態の情報と中心電極
又は中心電極側チップと接地電極との画像情報とに基づ
いて、上記距離ｅに関連する情報を容易に得ることがで
きるようになる。なお、表面起伏状態の測定手段として
は、探針を被測定表面に接触させ、その状態で探針を該
表面上で移動させたときの当該探針の変位を読み取る方
法、あるいはレーザー光を被測定表面上で反射させ、そ
の反射光の情報に基づいて測定する方法など、各種公知
の手法を採用できる。

【００２９】さて、上記方法ないし装置においては、得
られた検査情報に基づいて、接地電極に固着されたチッ
プが、スパークプラグの予め定められた部分に対して所
期の位置関係を満足しているか否かを判定するチップ位
置判定工程ないし手段と、その判定結果を出力するチッ
プ位置判定結果出力工程ないし手段とを付加することが
できる。これにより、検査結果の判定を自動的に行うこ
とができるようになり、人為的なミスによる検査漏れ等
のトラブルが極めて生じにくくなり、また判定も含めた
検査工程の能率を大幅に向上させることができる。この
場合、判定結果が否の場合に、チップがスパークプラグ
の予め定められた部分に対して所期の位置関係を満足す
るものとなるように、接地電極に矯正加工を施す接地電
極矯正工程ないし手段を設けることができる。これによ
り、チップ位置に不具合が生じているスパークプラグの
修正も自動で行うことができるようになり、ひいては修
正工程の能率向上と、スパークプラグの製造歩留まりの
向上とを同時に図ることが可能となる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、図１及び図２は、本発明の
スパークプラグ検査装置（以下、単に検査装置という）
の一実施例を概念的に示す平面図及び側面断面図であ
る。すなわち、該検査装置１は、被処理スパークプラグ
（以下、ワークともいう）Ｗを円周経路（搬送経路）Ｃ
に沿って間欠的に搬送する搬送手段としてのロータリコ
ンベア２を備え、その円周経路Ｃに沿って、被処理スパ
ークプラグ搬入機構としてのワーク搬入機構１１と、ワ
ークＷの接地電極を所定位置に位置決めするワーク位置
決め機構(I)１２と、撮影・解析ユニット(I)１３（曲げ
前撮影手段）と、不合格品排出機構(I)１４と、接地電
極曲げ加工機１５と、ワーク位置決め機構(II)１６と、
撮影・解析ユニット(II)１７と、不合格品排出機構(II)
１８と、ワークＷを中心電極の軸線周りに９０°転回す
るワーク９０°転回機構１９と、撮影・解析ユニット(I
II)２０と、不合格品排出機構(III)２１と、製品排出機
構２２とがこの順序で配列されている。これら各機構及
びユニット１１〜２２の配置位置が、ワークＷに対する
検査の各工程の実施位置となる。これら各機構及びユニ
ット間の間隔は、上記円周経路Ｃに沿うある角度θを単
位として、その角度θの整数倍となるように調整されて
いる。

【００３１】図１（ｂ）に示すように、ロータリコンベ
ア２は、ほぼ水平に配置された円板状の搬送回転体３０
を有し、ワークホルダＨに固定された被処理スパークプ
ラグＷを、着脱可能にほぼ水平に保持する複数のワーク
保持部２３が、円周経路Ｃに沿って上記角度θに対応す
る間隔で一体的に形成されている。そして、該搬送回転
体３０は、間欠駆動手段としてのサーボモータ３４によ
り、図示しない回転伝達機構を介して上記角度θ単位で
間欠的に回転駆動される。これにより、各ワーク保持部
２３に保持されたワークＷは、図１に示す円周経路Ｃ上
を、各機構及びユニット１１〜２２による工程実施位置
に順次停止しながら間欠的に搬送されることとなる。

【００３２】図２に示すように、図１に示すワーク搬入
機構１１、不合格品排出機構(I)１４、同(II)１８、同
(III)２１、及び製品排出機構２２は、例えばワーク供
給部あるいはワーク排出部Ｑとロータリコンベア２のワ
ーク保持部２３との間で、ワークホルダＨに装着された
ワークＷを移送する移送機構により構成される。該移送
機構３５は、エアシリンダ３７により昇降可能に保持さ
れるチャックハンド機構３６、エアシリンダ３８等によ
りチャックハンド機構３６を円周経路Ｃの半径方向に進
退駆動する進退駆動機構３９等を含んで構成される。チ
ャックハンド機構３６は図示しないエアシリンダ等によ
り開閉駆動されるようになっており、エアシリンダ３７
により下降してワークホルダＨ（ワークＷ）を保持し、
次いで上昇した後エアシリンダ３８により進退駆動され
て移送先に移動し、そこで再び下降してワークホルダＨ
（ワークＷ）の保持を解除して移送を完了する。

【００３３】次に、図１に戻って撮影・解析ユニット
(I)１３、同(II)１７、同(III)２０はいずれも同一の構
造を有する。以下、図３の模式図により、撮影・解析ユ
ニット(I)１３で代表させて説明する。すなわち、撮影
・解析ユニット(I)１３は、ワークＷの先端部を照らす
照明部としてのリングライト２３８、フィルタ（例えば
偏光フィルタ）２３９及び撮影手段としての撮影カメラ
４０を備え、図示しないフレーム等によりそれぞれ所定
高さに保持されている。ここで、リングライト２３８、
フィルタ２３９及び撮影カメラ４０は、撮影カメラ４０
の光軸方向にほぼ同心的に配列されている。なお、解析
部の電気的構成については後述する。

【００３４】撮影カメラ４０は、例えば二次元ＣＣＤセ
ンサを画像検出部として有するＣＣＤカメラとして構成
されており、水平に保持されたワークＷの中心電極Ｗ2
と、接地電極Ｗ1と、それら中心電極Ｗ2と接地電極Ｗ1
との間に形成される火花ギャップｇ（図４）とを上方か
ら撮影するようになっている。なお、各撮影・解析ユニ
ット１３，１７，２０は、寸法既知の基準体を予め撮影
することにより、画像倍率（例えば、１画素当りの対応
実寸法の値）がそれぞれ所定の値となるように、各撮影
カメラ４０の高さが調整されている。なお、画像倍率
は、撮影・解析ユニット１３，１７，２０間で全て同じ
値となっていてもよいし、２以上のものの間で互いに異
なる値となっていてもよい。また、各撮影カメラ４０の
撮影光学系は、焦点ずれによる画像サイズの変化が小さ
くなるように、テレセントリック光学系で構成すること
が望ましい。

【００３５】次に、本実施例で使用する被処理スパーク
プラグＷは、例えば図４（ｂ）に示すように、接地電極
Ｗ1の基端側が主体金具Ｗ3に結合される一方、接地電極
Ｗ1の先端側の側面が中心電極Ｗ2の先端面と対向するよ
うに、当該先端側が曲げ加工により内側に曲げ返された
形状をなす。そして、その先端側側面には接地電極側チ
ップＷ4 が溶接により固着されて、中心電極Ｗ2の先端
面と対向している。また、接地電極側チップＷ4は大部
分が接地電極Ｗ1側に埋没した形になっている。なお、
各電極は例えばＮｉ合金により、チップＷ4はＰｔやＩ
ｒ等の貴金属を主体に構成される。

【００３６】該被処理スパークプラグＷは、ワーク搬入
機構１１（図１）により搬入される時点では、図４
（ａ）に示すように、接地電極Ｗ1は曲げ加工が施され
る前の状態となっている。また、被処理スパークプラグ
ＷはワークホルダＨに対し、撮影カメラ４０（図３）か
ら見て中心電極Ｗ2が前方側、接地電極Ｗ1の基端部が後
方側となるように、当該中心電極Ｗ2と接地電極Ｗ1の基
端部とが互いに重なって見える位置関係（すなわち、撮
影方向が正面撮影方向となる位置関係）で取り付けられ
ている。そして、接地電極曲げ加工機１５（図１）によ
り接地電極Ｗ1に曲げ加工が施されて図４（ｂ）に示す
状態となる。また、さらにワーク９０°転回機構１９に
より中心電極Ｗ2の軸線周りに９０°転回され、図４
（ｃ）に示す状態、すなわち、撮影方向が上記正面撮影
方向とほぼ直交する側方撮影方向となる状態で保持され
ることとなる。なお、逆方向に９０°転回して、図４
（ｄ）の状態としてもよい。

【００３７】次に、検査装置１の電気的構成をブロック
図を用いて説明する。図５は、主制御部１００とその周
辺の構成を表すブロック図である。主制御部１００は、
Ｉ／Ｏポート１０１とこれに接続されたＣＰＵ１０２、
ＲＯＭ１０３及びＲＡＭ１０４等からなるマイクロプロ
セッサにより構成されており、ＲＯＭ１０３には主制御
プログラム１０３ａが格納されている。そして、Ｉ／Ｏ
ポート１０１には、ロータリコンベア２の駆動部２ｃが
接続されている。該駆動部２ｃは、サーボ駆動ユニット
２ａと、これに接続された前述のロータリコンベア駆動
用のサーボモータ３４と、そのサーボモータ３４の回転
角度位置を検出するロータリエンコーダ等の角度センサ
２ｂ等を含んで構成されている。また、Ｉ／Ｏポート１
０１には、前述の各機構及びユニット１１〜２２等の
他、ハードディスク装置等で構成された記憶装置１０５
と、キーボードあるいはマウス等で構成された入力部１
０６などが接続されている。

【００３８】図６は、撮影・解析ユニット１３，１７，
２０の電気的構成例を示すブロック図である（以下、撮
影・解析ユニット１３で代表させて説明する）。撮影・
解析ユニット１３は、その制御部１１０が、Ｉ／Ｏポー
ト１１１とこれに接続されたＣＰＵ１１２、ＲＯＭ１１
３及びＲＡＭ１１４等からなるマイクロプロセッサによ
り構成されており、ＲＯＭ１１３には画像解析プログラ
ム１１３ａが格納されている。また、Ｉ／Ｏポート１１
１には、撮影手段としての撮影カメラ４０（二次元ＣＣ
Ｄセンサ１１５と、そのセンサ出力を二次元デジタル画
像入力信号に変換するためのセンサコントローラ１１６
とを含む）と、マスター画像データ記憶手段としての記
憶装置１１５とが接続されている。記憶装置１１５に
は、マスター画像データ１１５ａ及び後述する各検査寸
法の基準値を与える寸法データ１１５ｂが記憶されてい
る。また、ＲＡＭ１１４には、ＣＰＵ１１２のワークエ
リア１１４ａ、撮影カメラ４０によるワークＷの撮影画
像データ、そのワークＷの検査に使用されるマスター画
像データ及び寸法データを記憶するためのメモリ１１４
ｂ〜１１４ｄが形成されている。なお、ＣＰＵ１１２
は、画像解析プログラム１１３ａにより、チップ判別手
段、検査情報生成手段、チップ位置判定手段、及びチッ
プ位置判定結果出力手段の主体となるものである。な
お、マスター画像データを図５の主制御部１００に接続
された記憶装置１０５に記憶し、必要なものをその都度
各撮影・解析ユニット１３，１７，２０に転送して用い
てもよい。

【００３９】以下、検査装置１の作動についてフローチ
ャートを用いて説明する。図７は、１つのワークＷに着
目した場合の検査の各工程の流れを示すものである。た
だし、本実施例では、図１に示すように複数のワークＷ
が間欠的に搬送されながら検査の各工程が、図５の主制
御部１００からの指示を受けて各機構及びユニット１１
〜２２により並列的に実行される。従って、図７のフロ
ーチャートの各工程は、必ずしも１本のプログラムルー
チンによりシーケンシャルに実行されるわけではない。

【００４０】すなわち、図１に示すように、ワーク搬入
機構１１によりロータリコンベア２に搬入され、ワーク
保持部２３に装着されたワークＷは、ワーク位置決め機
構(I)１２により所定位置に位置決めされ、撮影・解析
ユニット(I)１３により図４（ａ）の画像が撮影される
（図７：Ｓ１，Ｓ２）。そして、図７のＳ３で画像処理
／寸法検査１となる。

【００４１】図８は、画像処理／寸法検査１の処理の流
れを示す。まず、Ｓ５１で曲げ前の接地電極Ｗ1の正面
画像を認識する。該処理で認識するのは、図１９に示す
ように、曲げ前の接地電極Ｗ1の先端部と、接地電極側
チップＷ4との各正面画像の外形線位置である。図９
は、画像認識処理の流れを示すものである。すなわち、
接地電極Ｗ1の撮影画像データを取り込み、これに対応
するマスター画像データを記憶装置１１５（図６）から
読み出して、ＲＡＭ１１４のメモリ１１４ｂ，１１４ｃ
にそれぞれ格納する（図９：Ｓ１０１，Ｓ１０２）。

【００４２】マスター画像は、例えば検査対象となるス
パークプラグ構成部分を、予め所定の条件で撮影するこ
とにより作成されたものである。例えば図１７に示すよ
うに、接地電極のような方形の撮影画像５１の場合は各
角部に対応するマスター画像５０をそれぞれ用意し、そ
れらの中から、寸法測定に使用する構成部分の外形線決
定に必要なものを適宜選択して用いるようにする。ここ
で、マスター画像５０と撮影画像５１とは、いずれも中
間濃度出力が可能な複数の画素の出力状態の組み合わせ
により、いわゆるグレースケール画像として形成されて
いる。

【００４３】マスター画像５０は、撮影画像５１の画素
平面上の各位置間を平行移動しながら、撮影画像５１と
の間での適合位置が検索される。すなわち、図１７
（ａ）に示すように、画素平面上で所定位置に位置決め
されたマスター画像５０と、これと重なり合う撮影画像
５１との間で、対応する画素間の濃度差（あるいはその
絶対値）を演算し、その総計（あるいは平均値）を算出
する。そして、各位置毎に算出した上記総計の値が最小
となる撮影画像部分を適合部分として選定する（図９：
Ｓ１０４〜Ｓ１０７）。例えば撮影対象がチップである
場合、この適合部分はチップ画像部分となる。また、Ｓ
１０８において、マスター画像５０を上記適合部分に重
ねた状態で位置決めし、その外形線を仮外形線として設
定し、Ｓ１０９に進んで、エッジツールによる外形線上
の所定位置（以下、エッジ位置という）の確定処理とな
る。

【００４４】図１０は、エッジ位置確定処理の流れを示
すものである。まず、マスター画像５０の外形線上に仮
エッジ位置を定め、図１８（ａ）に示すような一定の大
きさの画素マトリックス６０を定め、次いで同図（ｂ）
に示すように、各画素の濃度値を読み込む（図１０：Ｓ
１５１、Ｓ１５２）。そして、上記仮外形線と平行な方
向を行方向（請求項でいう外形線方向に相当する）、直
角な方向を列方向として、各行毎に画素の濃度値を合計
する（Ｓ１５３：以下その濃度値の合計値を濃度値レベ
ルという）。次いで、図１０のＳ１５４、Ｓ１５５に進
み、列方向において各画素Ｐの濃度値レベルｇｉの変化
率が最大となる位置を、エッジ位置として決定する。す
なわち、図１８（ｃ）に示すように、上記ｇｉの列方向
隣接値同士の差分演算を行い、その差分が最大となる位
置をエッジ位置とする。なお、濃度値レベルｇｉに対
し、ある閾値を定め、その閾値を挟んで、該閾値よりも
大きい状態と小さい状態との一方から他方へ変化する列
方向画素位置をエッジ位置としてもよい。

【００４５】図８に戻り、接地電極Ｗ1の外形線とし
て、接地電極Ｗ1の幅方向両縁Ｅ1，Ｅ2と、先端縁Ｅ3
（図１９）とを上記方法により定める。この場合、各外
形線を決定するには、上記エッジ位置確定処理により定
められた外形線上の少なくとも２点が必要であるが、精
度向上のため３点以上を用い、これに直線回帰を施すよ
うにしてもよい。そして、各外形線が決まると、その交
点位置の座標を算出することができる。本処理では、先
端縁Ｅ3の両端点Ｔ1，Ｔ2の座標が算出され、さらにそ
れらの中点Ｔ3の座標（ｘt，ｙt）が算出される（以
上、Ｓ５２，Ｓ５３）。

【００４６】続いて、図８のＳ５４に進み、接地電極側
チップＷ4の軸方向端面の外形線を同様に認識する。こ
の場合、図２０（ａ）に示すように、接地電極側チップ
Ｗ4の撮影画像にマスター画像５０をマッチングさせ、
（ｂ）に示すように、前述と同様のエッジ確定処理によ
り外形線上の３点を確定し、それら３点を通る円Ｒを接
地電極側チップＷ4の最終的な外形線として確定する。
また、同時に円Ｒの中心ＯＯの座標（ｘ0，ｙ0）も算出
する（図８：Ｓ５５）。そして、図１９に示すように、
上記中心ＯＯ、すなわち接地電極側チップＷ4の中心軸
線Ｏ2と接地電極Ｗ1の中心軸線Ｏ1との距離ａを、ａ＝
ｘt−ｘ0により求める。また、接地電極側チップＷ4の
中心軸線の先端縁（先端面）Ｅ3からの距離ｂを、ｂ＝
ｙt−ｙ0により求める（Ｓ５６）。

【００４７】なお、接地電極側チップＷ4の軸方向端面
の外形線を、より精度高く決定するためには、外形線上
の互いに異なる３点の組を複数決定し、各３点を通る複
数の円の中心位置と半径とをそれぞれ定め、Ｗ4の軸方
向端面の最終的な外形線を、それら複数の円の平均的な
中心位置と同じく平均的な半径とを、それぞれ中心及び
半径とする円として定めることが望ましい。この場合の
処理を、図３２の工程説明図と、図３３のフローチャー
トに基づいて説明する。

【００４８】まず、図３３のＳ３０１において、接地電
極側チップＷ4の軸方向端面の外形線の画像を撮影し、
次いでＳ３０２において図３２（ａ）に示すように、マ
スター画像５０をこれに適合させてチップ外形線の仮中
心Ｏvを決定する。ここで、撮影された画像とマスター
画像５０との間の対応する画素間の濃度差の絶対値の総
計Ｋが、予め定められた基準値Ｋ0を超える場合は、Ｓ
３１３に進んで接地電極側チップＷ4が不存在である不
良判定を行なう。

【００４９】一方、ＫがＫ0以下であればＳ３０５に進
み、図３２（ｂ）に示すように、仮中心Ｏvを中心とし
て前述のエッジ位置確定処理により、所定の角度間隔γ
（例えば２°間隔）で外形線点（エッジ位置）ＥCを確
定する（Ｓ３０５）。そして、図３２（ｃ）に示すよう
に、各外形線点ＥCを基準点（図中○で示す）として、
その基準点の左右に角度β（例えば４４°）だけ振れた
位置にある外形線点（図中△で示す）として選択し、そ
の選択された２点と、基準点との計３点を通る円の中心
Ｏ’と半径ｒ’とをそれぞれ算出する（Ｓ３０７）。な
お、決定されたｒ’が、Ｓ３０８においてチップの標準
規格範囲（例えば下限値ｒmin、上限値ｒmax）から外れ
るものは不良とみなし、不良円カウンタＮpを１だけイ
ンクリメントするとともに（Ｓ３０９）、Ｓ３１０で上
記不良円カウンタＮpのカウント値と基準値Ｎ0（例えば
３０）とを比較判断する。

【００５０】Ｓ３１０において不良円カウント値Ｎpが
基準値Ｎ0を上回っていれば、Ｓ３１３に進んで接地電
極側チップＷ4が不存在である不良判定を行なう。一
方、不良円カウンタＮpのカウント値が基準値Ｎ0以下で
あればＳ３１１に進み、全ての外形線点ＥCについて上
記３点円の中心Ｏ’と半径ｒ’とを算出する。このよう
にＳ３１１において全ての外形線点ＥCについて、上記
３点円の中心Ｏ’と半径ｒ’とを算出し終えたらＳ３１
４に進み、算出された各円の中心座標Ｏ’ｉ（＝（ｘ
ｉ，ｙｉ）、ｉ＝１，２，‥‥，ｎ）と、半径ｒ’ｉ
（ｉ＝１，２，‥‥，ｎ）との平均値を、接地電極側チ
ップＷ4の軸方向端面の外形線の中心Ｏ及び半径ｒとし
て決定し、処理を終了する。

【００５１】次に、図８に戻り、Ｓ５７の検査判定工程
となる。本実施例では、図１４に示すように、上記ａな
いしｂの各絶対値に、予め設定された検査誤差αを加え
た値、すなわち｜ａ｜＋α、ないし｜ｂ｜＋αが規定範
囲に入っていれば合格、入っていなければ不合格とな
る。なお、この規定範囲のデータは、図６の寸法データ
１１５ｂの中から読み出して使用される。

【００５２】なお、以上の処理において、撮影・解析ユ
ニット(I)１３は、撮影手段としての撮影カメラ４０、
マスター画像データ記憶手段としての記憶装置１１５、
チップ判別手段、検査情報生成手段及び検査情報出力手
段としてのＣＰＵ１１２を備え、最終的にチップＷ4の
位置情報としてａないしｂの値を生成している。従っ
て、撮影・解析ユニット(I)１３は、単独でも本発明の
検査装置を構成しているとみることができる。

【００５３】図７に戻り、上記検査結果が不合格であれ
ば、例えば図５のＩ／Ｏポート１０１に接続されたモニ
タ１０７等に不合格通知を表示し、不合格品排出機構
(I)１４（図１）により該不合格となったワークＷを排
出し、ワークＷの取出確認を行った後処理が終了する
（Ｓ４→Ｓ１５〜Ｓ１７：以下、このルーチンを不合格
品排出ルーチンという）。一方、合格であればＳ５以降
へ進み、図１の接地電極曲げ加工機１５で接地電極Ｗ1
に曲げ加工を施し（Ｓ５）、さらにワーク位置決め機構
(II)１６でワークＷを再位置決めした後（Ｓ６）、撮影
・解析ユニット(II)１７により図４（ｂ）の画像が撮影
される（Ｓ７）。そして、図７のＳ８で画像処理／寸法
検査２となる。

【００５４】図１１は、画像処理／寸法検査２の流れを
示している。この処理も基本的には、画像処理／寸法検
査１と同様の、マスター画像とのマッチング処理とエッ
ジツールによるエッジ位置確定処理（以下、グレーサー
チ処理という）との組み合わせに基づいて実行される。
概略を図２１を用いて説明する。すなわち、正面撮影さ
れた接地電極Ｗ1の端面両縁Ｅ4，Ｅ5及び中心電極Ｗ2と
の対向縁Ｅ6を確定し、それらの交点によりＥ6の両端点
Ｔ4，Ｔ5の座標を求め、さらにＥ6の中点Ｔ6の座標（ｘ
k、ｙk）を求める。また、中心電極Ｗ2の両縁Ｅ7，Ｅ8
及び先端縁Ｅ9を確定し、それらの交点によりＥ9の両端
点Ｔ7，Ｔ8の座標を求め、さらにＥ9の中点Ｔ9の座標
（ｘl、ｙl）を求める。そして、接地電極Ｗ1の中心軸
線と、中心電極Ｗ2の中心軸線Ｏ3との距離ｃを、ｃ＝ｘ
k−ｘlにより求める（以上、図１１：Ｓ２０１〜Ｓ２０
７）。

【００５５】なお、中心電極Ｗ2の先端縁（先端面）Ｅ9
と、接地電極側チップＷ4の対向面との間の対向距離ｅ
（火花ギャップ間隔）を、所定方向（例えば接地電極Ｗ
1の端面両縁Ｅ4ないしＥ5とほぼ平行な方向）における
中心電極Ｗ2の先端縁（先端面）Ｅ9と接地電極Ｗ1の対
向縁Ｅ6との間の距離の最小値として決定するようにし
てもよい（Ｓ２０８）。そして、Ｓ２０９で検査判定と
なる。すなわち、｜ｃ｜＋α（あるいは｜ｅ｜＋α）が
規定範囲に入っていれば合格、入っていなければ不合格
となる（図１５（ａ）：Ｊ５１〜Ｊ５３）。

【００５６】図７に戻り、Ｓ９において、不合格品はＳ
４と同様にＳ１５〜Ｓ１７の不合格品排出ルーチンに回
される（排出は、図１の不合格品排出機構(II)１８が行
う）。一方、合格であればＳ１０に進んでワーク９０°
転回機構１９によりワーク位置を９０°転回し、撮影・
解析ユニット(III)２０により図４（ｃ）（又は図４
（ｄ）の画像が撮影される（Ｓ１１）。そして、Ｓ１２
で画像処理／寸法検査３となる。

【００５７】図１２は、画像処理／寸法検査３の流れを
示している。この処理も同様に、マスター画像とのマッ
チング処理とエッジツールによるエッジ位置確定処理と
の組み合わせに基づいて実行される。概略を図２２を用
いて説明する。すなわち、側方撮影された接地電極Ｗ1
の先端縁Ｅ10及び中心電極Ｗ2との対向縁Ｅ11を確定
し、それらの交点によりＥ11の先端点Ｔ10の座標（ｘ
5，ｙ5）を求める。また、中心電極Ｗ2の両縁Ｅ12，Ｅ1
3及び先端縁Ｅ14を確定し、それらの交点によりＥ14の
両端点Ｔ11，Ｔ12の座標を求め、さらにＥ14の中点Ｔ13
の座標（ｘm、ｙm）を求める。また、中心電極Ｗ2の先
端縁（先端面）Ｅ14と、接地電極側チップＷ4の対向面
との間の対向距離ｅ（火花ギャップ間隔）を、所定方向
（例えば接地電極Ｗ1の先端縁Ｅ10とほぼ平行な方向）
における中心電極Ｗ2の先端縁（先端面）Ｅ14と接地電
極Ｗ1の対向縁Ｅ11との間の距離の最小値として決定す
る。また接地電極Ｗ1の先端縁（先端面）Ｅ10と、中心
電極Ｗ2の中心軸線Ｏ3との距離ｄをｄ＝ｘ5−ｘmにより
求める（以上、Ｓ２５１〜Ｓ２５７）。なお、中心電極
Ｗ2の中心軸線Ｏ3と接地電極側チップＷ4の中心軸線間
の偏心量ｆを、ｆ＝ｘ5−ｘm−ｂで算出するようにして
もよい。（Ｓ２５８）。そして、Ｓ２５９で検査判定と
なる。すなわち、｜ｄ｜＋α、｜ｅ｜＋α（あるいは｜
ｆ｜＋α）が規定範囲に入っていれば合格、入っていな
ければ不合格となる（図１６（ａ）：Ｊ１０１〜Ｊ１０
４）。

【００５８】図７に戻り、Ｓ１３において、不合格品は
Ｓ４と同様にＳ１５〜Ｓ１７の不合格品排出ルーチンに
回される（排出は、図１の不合格品排出機構(III)２１
が行う）。一方、合格であればＳ１４に進んで合格通知
を行い、図１の製品排出機構２２により排出される。な
お、当該ワークＷのワーク保持部２３は、ロータリコン
ベア２の回転によりワーク搬入位置に戻され、以下上記
と全く同様の工程により検査が繰り返される。

【００５９】なお、上記処理では不合格品は、不合格品
排出機構により排出されるのみであったが、例えば上記
ｃないしｄの値が規定範囲を満足していないワークＷに
ついては、これを接地電極Ｗ1の矯正により、規定範囲
に入るように修正することも可能である。該修正を行う
場合は、図１及び図５に示すように、接地電極Ｗ1の幅
方向位置の矯正を行う矯正機構(I)６０（接地電極矯正
手段）と、同じく接地電極Ｗ1の軸線方向位置の矯正を
行う矯正機構(II)６１（接地電極矯正手段）との少なく
ともいずれかを設けることができる。

【００６０】図２３は、矯正機構(I)６０の構成例を概
念的に示している。すなわち、矯正機構(I)６０は、接
地電極Ｗ1の基端部を把持・固定する第一把持部７１
と、同じく先端側を把持する第二把持部７０とを有す
る。そして、第一把持部７１により基端側を把持した状
態で接地電極Ｗ1の先端側に対し、第二把持部７０を介
してねじり駆動部７２により中心電極Ｗ2の中心軸線と
ほぼ平行に設定されたねじり軸周りのねじり力を加える
ことにより、接地電極Ｗ1の幅方向位置の矯正を行う。
一方、図２４は矯正機構(II)６１の構成例を示すもので
ある。すなわち、矯正機構(II)６１は、中心電極Ｗ2が
移動しないようにワークＷを保持するワーク保持部７３
と、ガイド７５により接地電極Ｗ1の軸線方向にスライ
ド可能に設けられて、接地電極Ｗ1の先端部を把持する
先端把持部７４と、接地電極Ｗ1の基端部を把持する基
端把持部７６とを有する。そして、先端把持部７４によ
りその先端を把持した状態で基端把持部７６を介してね
じり駆動部７７により、接地電極Ｗ1の軸線Ｏ4及び中心
電極Ｗ2の軸線Ｏ5と直交する所定の軸線（紙面と直交す
る軸線）回りにおいて、ワーク保持部７３に保持された
ワークＷの接地電極Ｗ1に対しねじり力を加えることに
より、接地電極Ｗ1の軸線方向位置の矯正を行う。

【００６１】この場合の処理の流れは、例えば図１３に
示すようなものとなる。すなわち、Ｓ１〜Ｓ１６の処理
は図７とほぼ同様であるが、Ｓ９ないしＳ１５で不合格
判定されたワークＷについては、上記ｃないしｄの値が
矯正可能なものかどうかを判定した後（Ｓ２２，Ｓ２
４）、矯正可能であれば矯正処理となる（Ｓ２１，Ｓ２
３）。なお、矯正可否の判定を行わず、直接矯正処理へ
進むようにしてもよい。いずれの場合も、図１１及び図
１２の画像処理／寸法検査２ないし画像処理／寸法検査
３では、矯正値算出のステップＳ２１０ないしＳ２６０
が付加される。処理の一例は、図１５（ｂ）ないし図１
６（ｂ）に示す通りであって、検出されたｃないしｄの
値とそれぞれの規定範囲とを比較し、矯正不能であれば
不合格判定とし、矯正可能であれば、検出されたｃない
しｄの値と規定値との偏差が縮小されてそれぞれ規定範
囲に入るように、矯正機構(I)６０ないし矯正機構(II)
６１に指示すべき矯正値を、算出・設定する。

【００６２】ここで、矯正機構(I)６０ないし矯正機構
(II)６１による矯正処理後に、再度検査を行なって、前
述のｃないしｄの値が規定範囲を満足しているか否かを
確認することができる。なお、この構成では、矯正機構
(I)６０ないし矯正機構(II)６１の各下流側に新たな撮
影・解析ユニットを設ける必要がある。また、その検査
により、ｃないしｄの値が規定範囲を満足していないこ
とが判明した場合は、そのワークＷを不合格品として排
出するか、あるいは２段階目の矯正を行なうようにする
ことができる。２段階目の矯正を行なう場合は、新たな
矯正機構の追加を行なうか、あるいは上流側の矯正機構
に手動等によりワークを戻し、再度矯正を行なわせるよ
うにする。

【００６３】なお、以上の処理においては、ａ〜ｅの各
値を個別に検査し、それぞれ規定範囲に入っているかど
うかの合否判定を行うようにしていたが、距離ａの情報
と、距離ｃの情報とに基づいて、接地電極Ｗ1の幅方向
における接地電極側チップＷ4の中心軸線の、中心電極
Ｗ2の中心軸線からの偏心量を検査情報として算出する
ようにしてもよい。また、距離ｂに関する情報と、距離
ｄに関する情報とに基づいて、接地電極軸線線方向にお
ける接地電極側チップＷ4の中心軸線の、中心電極Ｗ2の
中心軸線からの偏心量を検査情報として算出するように
してもよい。

【００６４】この場合の処理の一例を図２５に示す。す
なわち、Ｓ１〜Ｓ１４の処理は図７とほぼ同様である
が、画像処理／寸法検査１と同２とにおいて、ａ〜ｃの
各値の測定はなされるが、それら各値に対する検査判定
（図８：Ｓ５７，図１１：Ｓ２０９）は省略される。代
わって、図１２の画像処理／寸法検査３においてその検
査判定処理Ｓ２５９は、図２６に示すものとなる。すな
わち、測定されたａ〜ｄの値により、幅方向偏心量をａ
＋ｃにより、また、軸方向偏心量をｂ−ｄによりそれぞ
れ算出する（Ｊ１５１〜Ｊ１５３）。なお、ｅの値はそ
のまま用いる。そして、上記｜ａ＋ｃ｜＋α、｜ｂ−ｄ
｜＋α及び｜ｅ｜＋αの各値が規定範囲に入っていれば
合格、外れていれば不合格判定となる（Ｊ１５４〜Ｊ１
５８）。なお、｜ａ＋ｃ｜＋αが規定範囲に入っていな
い場合、これが規定範囲に入るように矯正機構(I)６０
により接地電極Ｗ1の幅方向の矯正を行ってもよい。ま
た、｜ｂ−ｄ｜＋αが規定範囲に入っていない場合、こ
れが規定範囲に入るように矯正機構(II)６１により接地
電極Ｗ1の軸線方向の矯正を行ってもよい。

【００６５】次に、図２７に示すように、接地電極側チ
ップＷ4は、中心電極Ｗ2との対向縁（対向面）Ｅ30が、
接地電極Ｗ1の中心電極側の対向面Ｅ32よりも突出して
固着されていることがある。このとき、曲げ加工後の接
地電極Ｗ1を正面撮影方向から撮影し、前述のグレーサ
ーチ法により、チップＷ4の対向縁Ｅ30の中点座標を
（ｘp，ｙp）、中心電極Ｗ2の先端縁Ｅ31の中点座標を
（ｘr，ｙr）として求めれば、接地電極Ｗ1の幅方向に
おける接地電極側チップＷ4の中心軸線の、中心電極Ｗ2
の中心軸線からの偏心量（すなわち幅方向偏心量）ｃ’
を、ｃ’＝ｘp−ｘrとして直接決定することができる。
この場合は、撮影・解析ユニット(II)１７を省略するこ
とができる。なお、チップＷ4の突出部の画像と接地電
極Ｗ1の画像とのコントラストが比較的大きい場合に
は、両者を通常の二値化処理により判別することも可能
である。

【００６６】また、図２８に示すように、中心電極Ｗ2
の先端面に中心電極側チップＷ5が固着されている場合
がある。この場合、上記ｃ’あるいは前述のｄの値は、
中心電極Ｗ2の中心軸線ではなく、該中心電極側チップ
Ｗ5の中心軸線を基準に測定される。例えば、上記ｃ’
の値は、中心電極側チップＷ5の先端縁Ｅ32（先端面、
あるいは接地電極側の対向面）の中点座標をＴ32（ｘ
l，ｙl）として、ｃ’＝ｘp−ｘlとして決定される。ま
た、中心電極Ｗ2の画像と中心電極側チップＷ5の画像と
に基づいて、両者の中心軸線間の距離（すなわち偏心
量）を検査情報として算出するようにしてもよい。この
場合、この偏心量は、例えば図２９（ａ）に示すよう
に、接地電極Ｗ4の幅方向における偏心量δ1として、あ
るいは図２９（ｂ）に示すように、接地電極Ｗ4の軸線
方向における偏心量δ2として算出することができる。
なお、中心電極側チップＷ5が設けられる場合、接地電
極側チップＷ4が特に設けられないこともある。

【００６７】一方、図２２に示すように、接地電極側チ
ップＷ4の多くの部分が接地電極Ｗ1内に埋没している場
合、前述の距離ｅ（火花ギャップ間隔）を、撮影画像の
情報のみでは正確に決定できない場合がある。特に、接
地電極側チップＷ4をレーザー溶接により固着した場合
は、チップ表面が荒れやすく、ｅの測定はさらに困難と
なる。この場合、接地電極Ｗ1の曲げ加工に先立って接
地電極側チップＷ4の中心電極Ｗ2側の対向面の表面起伏
状態を、図５に示す表面起伏状態測定装置２００により
測定し、接地電極Ｗ1の曲げ加工後において撮影した、
中心電極Ｗ2又は中心電極側チップＷ5と接地電極Ｗ1と
の画像と、上記表面起伏情報とに基づいて上記距離ｅを
測定するようにしてもよい。

【００６８】表面起伏状態測定装置２００としては、例
えば図３０（ａ）に示すように、探針２０１を接地電極
側チップＷ4の被測定表面Ｓiに接触させ、その状態で探
針２０１を該表面Ｓi 上で移動させたときの当該探針２
０１の変位を読み取る方式、あるいは光源２０２からの
レーザー光Ｌを被測定表面Ｓi上で反射させ、その反射
光をＣＣＤセンサ等の光センサ２０３で受けて、その検
出情報に基づいて測定する方式など、各種公知の装置を
採用できる。例えば、光源２０２と被測定表面Ｓiとの
距離を変えながらレーザー光Ｌを照射した場合、その反
射光の反射角度、ひいては光センサ２０３上の受光位置
が被測定表面Ｓiの起伏状態を反映して変化するので、
その情報から被測定表面Ｓi上の各位置の変位を読み取
ることができる。

【００６９】この場合、前述のグレーサーチ法により接
地電極Ｗ1の対向縁Ｅkを決定しておき、図３０（ｂ）に
示すように、上記表面起伏状態測定装置２００により、
この対向縁Ｅkを基準とした被測定表面Ｓi上の各位置の
起伏量ｈ’を測定することができる。そして、接地電極
Ｗ1の曲げ加工後において、中心電極Ｗ2の対向縁（対向
面）Ｅjと、接地電極Ｗ1の対向縁Ｅk（ないしその延
長）との各位置での距離ｄ0から、対応する起伏量ｈ’
の値を減ずれば、該位置での接地電極側チップＷ4と中
心電極Ｗ2との対向面間の距離をｄ0−ｈ’で算出するこ
とができる。そして、このｄ0−ｈ’の例えば最小値を
上記ｅとして決定すればよい。なお、中心電極側チップ
Ｗ5が設けられる場合においても、同様の方法によりｅ
を決定することができる。

【００７０】また、上記実施例では、ワークＷを円周経
路Ｃに沿って間欠的に搬送する構成であったが、これを
直線経路に沿って間欠的に搬送する構成も可能である。
図３１は、その一例を示している。すなわち、この構成
では、巡回部材としてのチェーン３０１に対し、ワーク
ホルダ２３を着脱可能に装着するためのキャリア３０２
を所定の間隔で取り付け、これをモータ３０５により間
欠的に巡回駆動することにより、各ワークホルダ２３を
所定の直線経路に沿って間欠的に搬送するコンベア３０
１が形成されている。そして、その直線経路に沿って、
前述のワーク搬入機構１１、ワーク位置決め機構(I)１
２、撮影・解析ユニット(I)１３、不合格品排出機構(I)
１４、接地電極曲げ加工機１５、ワーク位置決め機構(I
I)１６、撮影・解析ユニット(II)１７、不合格品排出機
構(II)１８、ワーク９０°転回機構１９、撮影・解析ユ
ニット(III)２０、不合格品排出機構(III)２１、及び製
品排出機構２２が所定の間隔で配列されている。そし
て、図１の構成と同様に、各機構及びユニット１１〜２
２の配置位置が、ワークＷに対する検査の各工程の実施
位置となる。

【００７１】また、上記実施例では、撮影・解析ユニッ
ト(I)１３、同(II)１７、同(III)２０は、検査対象とな
るスパークプラグ構成部分をグレースケール画像として
撮影していたが、検査対象部分とその背景部分（あるい
は隣接部分）との間で十分なコントラストがついている
場合は、前述のグレーサーチ処理を行なわず、画像を二
値化して、より簡略な処理を行なうようにしてもよい。
例えば、図４（ｃ）あるいは（ｄ）のように、スパーク
プラグ（ワーク）Ｗを側方から撮影する場合、検査に使
用される構成部分の各外形線の背後には、別の構成部分
が存在せず空間となっているので、これを撮影する撮影
・解析ユニット(III)２０（図１等）は、上述のような
二値化処理を行なうものとして構成できる。この場合、
ワークＷを背後からバックライトで照らして画像をシル
エットにすれば、より明確なコントラストを得ることが
でき、二値化処理に好都合となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のスパークプラグ検査装置の一実施例を
模式的に示す平面図及び側面断面図。

【図２】移送機構の模式図。

【図３】撮影・解析ユニットの模式図。

【図４】被処理スパークプラグの撮影画像の例を示す模
式図。

【図５】スパークプラグ検査装置の主制御部の電気的構
成の一例を示すブロック図。

【図６】同じく撮影・解析ユニットの電気的構成の一例
を示すブロック図。

【図７】スパークプラグ検査工程の流れを示すフローチ
ャート。

【図８】画像処理／寸法検査１の処理の流れを示すフロ
ーチャート。

【図９】画像認識処理の流れを示すフローチャート。

【図１０】エッジ位置確定処理の流れを示すフローチャ
ート。

【図１１】画像処理／寸法検査２の処理の流れを示すフ
ローチャート。

【図１２】画像処理／寸法検査３の処理の流れを示すフ
ローチャート。

【図１３】接地電極の矯正を行う場合の検査工程の流れ
を示すフローチャート。

【図１４】画像処理／寸法検査１の検査判定ルーチンの
流れを示すフローチャート。

【図１５】画像処理／寸法検査２の検査判定ルーチン及
び矯正値算出ルーチンの流れを示すフローチャート。

【図１６】画像処理／寸法検査３の検査判定ルーチン及
び矯正値算出ルーチンの流れを示すフローチャート。

【図１７】マスター画像と撮影画像とのマッチング処理
の概念を示す説明図。

【図１８】エッジ確定処理の概念を示す説明図。

【図１９】画像処理／寸法検査１の画像処理内容を示す
説明図。

【図２０】接地電極側チップの外形線確定方法の説明
図。

【図２１】画像処理／寸法検査２の画像処理内容を示す
説明図。

【図２２】画像処理／寸法検査３の画像処理内容を示す
説明図。

【図２３】矯正機構の一例を示す概念図。

【図２４】同じく別の例を示す概念図。

【図２５】スパークプラグ検査工程の変形例の流れを示
すフローチャート。

【図２６】その画像処理／寸法検査３の検査判定ルーチ
ン流れを示すフローチャート。

【図２７】画像処理／寸法検査２の画像処理の変形例の
内容を示す説明図。

【図２８】画像処理／寸法検査２の画像処理の別の変形
例の内容を示す説明図。

【図２９】中心電極と中心電極側チップとの偏心量を測
定する場合の説明図。

【図３０】接地電極チップの表面起伏を考慮に入れた場
合の火花ギャップ量の検査方法の一例を示す説明図。

【図３１】本発明のスパークプラグ検査装置の変形例を
模式的に示す平面図及び側面図。

【図３２】接地電極側チップの外形線確定方法の別の例
を示す工程説明図。

【図３３】その工程の流れを示すフローチャート。

【符号の説明】

１ スパークプラグ検査装置 Ｗ 被処理スパークプラグ Ｗ1 接地電極 Ｗ2 中心電極 Ｗ3 主体金具 Ｗ4 接地電極側チップ Ｗ5 中心電極側チップ １３ 撮影・解析ユニット(I)（撮影手段、スパークプ
ラグ検査装置） １７ 撮影・解析ユニット(II)（撮影手段） ２０ 撮影・解析ユニット(III)（撮影手段、スパーク
プラグ検査装置） ４０ 撮影カメラ（撮影手段） １１２ ＣＰＵ（チップ判別手段、検査情報生成手段、
チップ位置判定手段、チップ位置判定結果出力手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−45645（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−306468（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01T 21/02 G01M 19/02

Claims (25)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 中心電極と、先端側が前記中心電極と対
   向するように配置された接地電極と、それら中心電極と
   接地電極との少なくとも一方に固着されて火花ギャップ
   を形成するチップとを備えたスパークプラグの検査方法
   であって、 少なくとも前記チップと、前記中心電極又は前記接地電
   極のうち該チップが固着される部分（以下、被チップ固
   着部という）との画像が得られるように、前記スパーク
   プラグを撮影する撮影工程と、 その撮影画像において、前記チップの全部又は一部に対
   応した形状のマスター画像を予め用意し、前記撮影画像
   において前記マスター画像と適合する部分を検索するこ
   とにより、その適合部分を前記チップの少なくとも一部
   をなす部分として判別するチップ判別工程と、 判別された前記チップの撮影画像と前記適合部分に重ね
   合わされる形で位置決めされた前記マスター画像との少
   なくともいずれかに基づいて、前記チップの寸法及び位
   置の少なくともいずれかに関する検査情報を生成する検
   査情報生成工程と、 その生成した検査情報を出力する検査情報出力工程と、 を含むことを特徴とするスパークプラグ検査方法。
2. 【請求項２】 中心電極と、先端側が前記中心電極と対
   向するように配置された接地電極と、それら中心電極と
   接地電極との少なくとも一方に固着されて火花ギャップ
   を形成するチップとを備えたスパークプラグの検査方法
   であって、 前記接地電極に固着された接地電極側チップと前記中心
   電極との撮影、前記中心電極に固着された中心電極側チ
   ップと前記接地電極との撮影、前記接地電極に固着され
   た接地電極側チップと前記中心電極に固着された中心電
   極側チップとの撮影、及び前記中心電極とこれに固着さ
   れた中心電極側チップとの撮影の少なくともいずれかを
   行なう撮影工程と、 その撮影画像において、前記チップと、前記中心電極又
   は前記接地電極のうち該チップが固着される部分（以
   下、被チップ固着部という）との画像を判別するチップ
   判別工程と、 その判別後の画像情報に基づいて、前記接地電極側チッ
   プと前記中心電極の間の偏心量に関する情報、前記接地
   電極と前記中心電極側チップとの間の偏心量に関する情
   報、前記接地電極側チップと前記中心電極側チップとの
   間の偏心量に関する情報、及び前記中心電極側チップと
   前記中心電極との間の偏心量に関する情報の少なくとも
   いずれかを検査情報として生成する検査情報生成工程
   と、 その生成した検査情報を出力する検査情報出力工程と、 を含むことを特徴とするスパークプラグ検査方法。
3. 【請求項３】 前記チップ判別工程においては、前記チ
   ップの全部又は一部に対応した形状のマスター画像を予
   め用意し、前記撮影画像において前記マスター画像と適
   合する部分を検索することにより、当該撮影画像の前記
   マスター画像との適合部分を前記チップの少なくとも一
   部をなすチップ画像部分として判別し、 前記検査情報生成工程においては、判別された前記チッ
   プ画像部分と該チップ画像部分に重ね合わされる形で位
   置決めされた前記マスター画像との少なくともいずれか
   に基づいて、前記チップの寸法及び位置の少なくともい
   ずれかに関する検査情報を生成する請求項２記載のスパ
   ークプラグ検査方法。
4. 【請求項４】 前記撮影画像と前記マスター画像とが、
   中間濃度出力が可能な複数の画素の出力状態の組み合わ
   せにより形成されており、前記撮影画像において、前記
   マスター画像との間で対応する画素間の濃度差の総計が
   最小となる部分を前記適合部分として選定する前記チッ
   プ判別工程を含む請求項１又は３に記載のスパークプラ
   グ検査方法。
5. 【請求項５】 チップ外形線方向と交差する向きにおい
   て前記各画素の濃度値レベルが、所定の閾値を挟んで該
   閾値よりも大きい状態と小さい状態との一方から他方に
   変化する位置、又はチップ外形線方向と交差する向きに
   沿って検出した、前記チップ画像部分の各画素又は前記
   マスター画像の各画素の、前記の濃度値レベルの変化率
   が最大となる位置を、前記チップの外形線位置として決
   定するチップ外形線情報生成工程を含む請求項４記載の
   スパークプラグ検査方法。
6. 【請求項６】 前記チップは軸断面が円形状のものとさ
   れ、 前記チップ判別工程においては、そのチップの軸方向端
   面の撮影画像に対して、円形状の前記マスター画像を適
   合させ、 前記チップ外形線情報生成工程において、前記チップの
   軸方向端面の外形線位置としての互いに異なる３点を決
   定し、それら３点を通る円を当該軸方向端面の外形線と
   して決定する請求項５記載のスパークプラグ検査方法。
7. 【請求項７】 前記互いに異なる３点の組を複数決定
   し、各３点を通る複数の円の中心位置と半径とをそれぞ
   れ定め、前記チップの軸方向端面の最終的な外形線を、
   それら複数の円の平均的な中心位置と同じく平均的な半
   径とを、それぞれ中心及び半径とする円として定める請
   求項６記載のスパークプラグ検査方法。
8. 【請求項８】 前記チップと、当該チップの位置基準を
   与える前記スパークプラグの所定構成部分（以下、位置
   基準構成部分という）との位置関係を検査するために、 前記撮影工程においては、前記チップとともに前記位置
   基準構成部分の画像も撮影され、 前記検査情報生成工程は、 前記チップの撮影画像と、前記位置基準構成部分の撮影
   画像とに基づいて、前記チップの前記位置基準構成部分
   に対する位置関係情報を生成するチップ位置情報生成工
   程を含むものである請求項１ないし７のいずれかに記載
   のスパークプラグ検査方法。
9. 【請求項９】 前記撮影工程において、前記スパークプ
   ラグは互いに異なる２以上の方向から撮影され、 前記検査情報生成工程において、それら複数方向からの
   前記チップの撮影画像及び前記位置基準構成部分の撮影
   画像により、前記位置関係情報が生成される請求項８記
   載のスパークプラグ検査方法。
10. 【請求項１０】 前記接地電極は、基端側が主体金具に
    結合される一方、先端側の側面が前記中心電極の先端面
    と対向するように、当該先端側が曲げ加工により内側に
    曲げ返された形状をなすとともに、前記接地電極側チッ
    プは前記先端側側面に固着されるものとされ、 前記チップ位置情報生成工程においては、 前記位置基準構成部分を前記接地電極の先端部として、
    その接地電極先端部の中心軸線と、前記接地電極側チッ
    プの中心点との距離ａに関連した情報と、 前記位置基準構成部分を前記接地電極の先端部として、
    前記接地電極側チップの中心点と該接地電極の先端面と
    の距離ｂに関連した情報と、 前記位置基準構成部分を前記中心電極又は前記中心電極
    側チップとして、前記中心電極の先端面又は前記中心電
    極側チップの接地電極側の対向面と、前記接地電極側チ
    ップの中心電極側の対向面との間の対向距離ｅに関連し
    た情報と、 の少なくともいずれかが前記チップ位置情報として生成
    される請求項８又は９に記載のスパークプラグ検査方
    法。
11. 【請求項１１】 前記検査情報生成工程は、前記接地電
    極の撮影画像と前記中心電極の撮影画像とに基づいて、 前記接地電極先端部の中心軸線と、前記中心電極の中心
    軸線又は前記中心電極側チップの中心軸線との距離ｃに
    関連する情報と、 前記接地電極の先端面と、前記中心電極の中心軸線又は
    前記中心電極側チップの中心軸線との距離ｄに関連する
    情報と、 の少なくともいずれかを補助検査情報として生成する補
    助検査情報生成工程を含む請求項８ないし１０のいずれ
    かに記載のスパークプラグ検査方法。
12. 【請求項１２】 撮影手段から見て前記中心電極が前方
    側、前記接地電極の基端部が後方側となるように、当該
    中心電極と接地電極基端部とが互いに重なって見える撮
    影方向を正面撮影方向、前記中心電極の中心軸線周りに
    おいて、該正面撮影方向とほぼ直交する撮影方向を側方
    撮影方向として、 前記距離ｃに関連する情報が前記正面撮影方向における
    撮影画像に基づいて生成され、 前記距離ｅに関連する情報と、前記距離ｄに関連する情
    報との少なくともいずれかが前記側方撮影方向における
    撮影画像に基づいて生成される請求項１０又は１１に記
    載のスパークプラグ検査方法。
13. 【請求項１３】 撮影手段から見て前記中心電極が前方
    側、前記接地電極の基端部が後方側となるように、当該
    中心電極と接地電極基端部とが互いに重なって見える撮
    影方向を正面撮影方向として、 前記撮影工程は、前記接地電極に対し前記曲げ加工を施
    すのに先立って、前記スパークプラグを前記正面撮影方
    向から撮影することにより、前記接地電極の前記側面
    と、該側面に固着された前記接地電極側チップとの画像
    を得る曲げ前撮影工程を含む請求項８ないし１１のいず
    れかに記載のスパークプラグ検査方法。
14. 【請求項１４】 前記曲げ前撮影工程において得られる
    撮影画像に基づいて、前記距離ａに関連する情報及び前
    記距離ｂに関連する情報の少なくともいずれかが前記チ
    ップ位置情報として生成される請求項１３記載のスパー
    クプラグ検査方法。
15. 【請求項１５】 前記検査情報生成工程は、 前記距離ａに関連する情報と、前記距離ｃに関連する情
    報とに基づいて、前記接地電極幅方向における前記接地
    電極側チップの中心軸線の、前記中心電極の中心軸線又
    は前記中心電極側チップの中心軸線からの偏心量に関す
    る、接地電極側チップ幅方向偏心量情報を生成する幅方
    向偏心情報生成工程と、 前記距離ｂに関連する情報と、前記距離ｄに関連する情
    報とに基づいて、前記接地電極軸線方向における前記接
    地電極側チップの中心軸線の、前記中心電極の中心軸線
    又は前記中心電極側チップの中心軸線からの偏心量に関
    する、接地電極側チップ軸線方向偏心量情報を生成する
    軸線方向偏心情報生成工程と、 の少なくともいずれかを含む請求項１１記載のスパーク
    プラグ検査方法。
16. 【請求項１６】 前記接地電極先端部に対し、前記接地
    電極側チップはその中心電極側の対向面が、前記接地電
    極の前記中心電極側の対向面よりも突出して固着されて
    おり、 前記撮影工程においては、撮影手段から見て前記中心電
    極が前方側、前記接地電極の基端部が後方側となるよう
    に、当該中心電極と接地電極基端部とが互いに重なって
    見える撮影方向を正面撮影方向として、曲げ加工後の前
    記接地電極を該正面撮影方向から撮影し、 前記チップ位置情報生成工程においては、接地電極側チ
    ップの突出部の撮影画像と、前記中心電極の撮影画像又
    は該中心電極に固着されたチップの撮影画像とに基づい
    て、前記接地電極幅方向における前記接地電極側チップ
    の中心軸線の、前記中心電極の中心軸線又は前記中心電
    極側チップの中心軸線からの偏心量に関する、接地電極
    側チップ幅方向偏心量情報が生成される請求項８ないし
    １５のいずれかに記載のスパークプラグ検査方法。
17. 【請求項１７】 前記接地電極先端部に対し、前記接地
    電極側チップはその中心電極側の対向面が、前記接地電
    極の前記中心電極側の対向面よりも突出して固着されて
    おり、 前記撮影工程においては、撮影手段から見て前記中心電
    極が前方側、前記接地電極の基端部が後方側となるよう
    に、当該中心電極と接地電極基端部とが互いに重なって
    見える撮影方向を正面撮影方向とし、中心電極の中心軸
    線周りにおいて、該正面撮影方向とほぼ直交する撮影方
    向を側方撮影方向として、曲げ加工後の前記接地電極を
    該側方撮影方向から撮影し、 前記チップ位置情報生成工程においては、接地電極側チ
    ップの突出部の撮影画像と、前記中心電極の撮影画像又
    は該中心電極に固着されたチップの撮影画像とに基づい
    て、前記接地電極軸線方向における前記接地電極側チッ
    プの中心軸線の、前記中心電極の中心軸線又は前記中心
    電極側チップの中心軸線からの偏心量に関する、接地電
    極側チップ軸線方向偏心量情報が生成される請求項８な
    いし１６のいずれかに記載のスパークプラグ検査方法。
18. 【請求項１８】 前記接地電極側チップの前記中心電極
    側の対向面の表面起伏状態を、前記接地電極の前記曲げ
    加工に先立って測定する接地電極側チップ表面起伏状態
    測定工程と、 前記接地電極の前記曲げ加工後において、前記中心電極
    又は前記中心電極側チップと前記接地電極との画像を撮
    影する前記撮影工程と、 前記接地電極側チップの前記中心電極側の対向面の、測
    定された前記表面起伏状態の情報と、前記撮影された画
    像の情報とに基づいて、前記接地電極側チップの前記中
    心電極側の対向面と、前記中心電極の先端面又は前記中
    心電極側チップの前記接地電極側の対向面との距離ｅに
    関連する情報を前記検査情報として生成する前記検査情
    報生成工程と、 を含む請求項１ないし１７のいずれかに記載のスパーク
    プラグ検査方法。
19. 【請求項１９】 前記検査情報に基づいて、前記接地電
    極に固着されたチップが、前記スパークプラグの予め定
    められた部分に対して所期の位置関係を満足しているか
    否かを判定するチップ位置判定工程と、 その判定結果を出力するチップ位置判定結果出力工程と
    を含む請求項１ないし１８のいずれかに記載のスパーク
    プラグ検査方法。
20. 【請求項２０】 前記判定結果が否の場合に、前記チッ
    プが前記スパークプラグの前記予め定められた部分に対
    して前記所期の位置関係を満足するものとなるように、
    前記接地電極に矯正加工を施す接地電極矯正工程を含む
    請求項１９記載のスパークプラグ検査方法。
21. 【請求項２１】 中心電極と、先端側が前記中心電極と
    対向するように配置された接地電極と、それら中心電極
    と接地電極との少なくとも一方に固着されて火花ギャッ
    プを形成するチップとを備えたスパークプラグの検査装
    置であって、 少なくとも前記チップと、前記中心電極又は前記接地電
    極のうち該チップが固着される部分（以下、被チップ固
    着部という）との画像が得られるように、前記スパーク
    プラグを撮影する撮影手段と、 その撮影画像において、前記チップの全部又は一部に対
    応した形状のマスター画像の画像データを記憶するマス
    ター画像データ記憶手段と、 前記撮影画像において前記マスター画像と適合する部分
    を検索することにより、その適合部分を前記チップの少
    なくとも一部をなす部分として判別するチップ判別手段
    と、 判別された前記チップの撮影画像と前記適合部分に重ね
    合わされる形で位置決めされた前記マスター画像との少
    なくともいずれかに基づいて、前記チップの寸法及び位
    置の少なくともいずれかに関する検査情報を生成する検
    査情報生成手段と、 その生成した検査情報を出力する検査情報出力手段と、 を含むことを特徴とするスパークプラグ検査装置。
22. 【請求項２２】 中心電極と、先端側が前記中心電極と
    対向するように配置された接地電極と、それら中心電極
    と接地電極との少なくとも一方に固着されて火花ギャッ
    プを形成するチップとを備えたスパークプラグの検査装
    置であって、 前記接地電極又は該接地電極に固着された接地電極側チ
    ップと、前記中心電極又は該中心電極に固着された中心
    電極側チップとを撮影する撮影手段と、 その撮影画像において、前記チップと、前記中心電極又
    は前記接地電極のうち該チップが固着される部分（以
    下、被チップ固着部という）との画像を判別するチップ
    判別手段と、 その判別後の画像情報に基づいて、前記接地電極又は前
    記接地電極側チップと、前記中心電極又は前記中心電極
    側チップとの間の偏心量に関する情報を検査情報として
    生成する検査情報生成手段と、 その検査情報を出力する検査情報出力手段と、 を含むことを特徴とするスパークプラグ検査装置。
23. 【請求項２３】 前記チップ判別手段は、前記チップの
    全部又は一部に対応した形状のマスター画像を予め用意
    し、前記撮影画像において前記マスター画像と適合する
    部分を検索することにより、その適合部分を前記チップ
    の少なくとも一部をなす部分として判別するものであ
    り、 前記検査情報生成手段は、判別された前記チップの撮影
    画像と前記適合部分に重ね合わされる形で位置決めされ
    た前記マスター画像との少なくともいずれかに基づい
    て、前記チップの寸法及び位置の少なくともいずれかに
    関する検査情報を生成するものである請求項２２記載の
    スパークプラグ検査装置。
24. 【請求項２４】 前記検査情報に基づいて、前記接地電
    極に固着されたチップが、前記スパークプラグの予め定
    められた部分に対して所期の位置関係を満足しているか
    否かを判定するチップ位置判定手段と、 その判定結果を出力するチップ位置判定結果出力手段と
    を含む請求項２１ないし２３のいずれかに記載のスパー
    クプラグ検査装置。
25. 【請求項２５】 前記判定結果が否の場合に、前記チッ
    プが前記スパークプラグの前記予め定められた部分に対
    して前記所期の位置関係を満足するように、前記接地電
    極に矯正加工を施す接地電極矯正手段を含む請求項２４
    記載のスパークプラグ検査装置。