JP3476127B2 - 積層コンデンサ - Google Patents
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Description
に関するもので、特に、高周波回路において有利に適用
され得る積層コンデンサに関するものである。
ンデンサとして、たとえば特開平2−256216号公
報に記載されたものがある。ここに記載された積層コン
デンサは、高周波域での使用に適するように、等価直列
インダクタンス(ESL)の低減化が図られている。
対向する各々複数の第1および第2の内部電極は、それ
ぞれ、コンデンサ本体の相対向する2つの側面の少なく
とも一方上にまで引き出される複数の引出し部を形成
し、各々の引出し部に関連して、外部端子電極が設けら
れる。そして、これら外部端子電極は、コンデンサ本体
の側面上において、第1の内部電極の複数の引出し部に
それぞれ接続される複数の第1の外部端子電極と第2の
内部電極の複数の引出し部に接続される複数の第2の外
部端子電極とを交互に位置させるように配置される。
の外部端子電極の各々から第2の外部端子電極の各々に
向かって電流が流れると、この電流の方向によってその
方向が決まる磁束が誘起され、そのため自己インダクタ
ンス成分が生じるが、上述のように、第1の外部端子電
極と第2の外部端子電極とが交互に配置されているの
で、第1の外部端子電極と第2の外部端子電極とが隣り
合う部分において、電流によって誘起される磁束は有利
に相殺されるため、磁束の発生を低減することができ
る。その結果、ESLの低減を図ることができる。
ンサ本体の相対向する2つの端面上には、いずれの外部
端子電極をも位置させていないので、これら2つの端面
の各々の近傍においては、磁束の相殺効果を実質的に期
待できず、ESLの一層の低減の妨げとなっている。
より効果的に図り得るように改良された積層コンデンサ
を提供しようとすることである。
的課題を解決するため、次のような構成を備えることを
特徴としている。
は、コンデンサ本体として、長さ方向寸法、幅方向寸法
および厚み方向寸法によって規定され、かつ長さ方向寸
法と幅方向寸法とが実質的に等しい、四角柱状をなして
おり、長さ方向寸法および幅方向寸法によって規定され
る相対向する第1および第2の主面、長さ方向寸法およ
び厚み方向寸法によって規定される相対向する第1およ
び第2の側面、ならびに、幅方向寸法および厚み方向寸
法によって規定される相対向する第1および第2の端面
を有するものを備えている。
に延びる複数の誘電体層、ならびにコンデンサユニット
を形成するように特定の誘電体層を介して互いに対向す
る少なくとも1対の第1および第2の内部電極を備えて
いる。これら第1および第2の内部電極は、ともに、コ
ンデンサ本体の第1および第2の側面ならびに第1およ
び第2の端面の各々に対して平行に延びる辺を有する、
実質的に正方形のパターンをそれぞれ有している。
の側面ならびに第1および第2の端面の各々上にまでそ
れぞれ引き出される第1の引出し部を形成しており、第
1の引出し部が引き出された第1および第2の側面なら
びに第1および第2の端面の各々上には、第1の引出し
部にそれぞれ電気的に接続される第1の外部端子電極が
設けられる。
の側面ならびに第1および第2の端面の各々上にまでそ
れぞれ引き出される第2の引出し部を形成しており、第
2の引出し部が引き出された第1および第2の側面なら
びに第1のおよび第2の端面の各々上には、第2の引出
し部にそれぞれ電気的に接続される第2の外部端子電極
が設けられる。
端子電極とは、第1および第2の側面ならびに第1およ
び第2の端面上において交互に並ぶとともに、相異なる
ものがコンデンサ本体を介して互いに正面で対向するよ
うに配置されている。そして、この発明に係る積層コン
デンサは、すべての前記第1の外部端子電極およびすべ
ての前記第2の外部端子電極のいずれか一方からいずれ
か他方に向かって電流が流れるように用いられる。
ならびに第1および第2の端面の各々に関して、各々複
数の第1および第2の引出し部ならびに第1および第2
の外部端子電極を備えることが好ましい。
の側面ならびに第1および第2の端面の各々に関して、
各々4つ以下(合計)の第1および第2の引出し部なら
びに第1および第2の外部端子電極を備えることがより
好ましい。
1および第2の外部端子電極によって並列接続された複
数のコンデンサユニットを形成するように、第1の内部
電極と第2の内部電極との対向する部分の数は複数とさ
れる。
実施形態による積層コンデンサ1を説明するためのもの
で、図1は、積層コンデンサ1の外観を示す斜視図であ
り、図2は、積層コンデンサ1の内部構造を特定の断面
をもって示す平面図であり、図2において、(1)と
(2)とは互いに異なる断面が表わされている。また、
図3は、積層コンデンサ1において流れる電流の典型的
な経路および方向を矢印で示す平面図である。
方向寸法Wおよび厚み方向寸法Tによって規定される、
四角柱状をなすコンデンサ本体2を備えている。コンデ
ンサ本体2は、長さ方向寸法Lおよび幅方向寸法Wによ
って規定される相対向する第1および第2の主面3およ
び4、長さ方向寸法Lおよび厚み方向寸法Tによって規
定される相対向する第1および第2の側面5および6、
ならびに、幅方向寸法Wおよび厚み方向寸法Tによって
規定される相対向する第1および第2の端面7および8
を有している。
4の方向に延びる複数の誘電体層9、ならびにコンデン
サユニットを形成するように特定の誘電体層9を介して
互いに対向する少なくとも1対の第1および第2の内部
電極10および11を備えている。
断面を示し、また、図2(2)は、第2の内部電極11
が通る断面を示している。
サ本体2の長さ方向寸法Lと幅方向寸法Wとは実質的に
等しくされる。また、第1および第2の内部電極10お
よび11は、ともに、コンデンサ本体2の第1および第
2の側面5および6ならびに第1および第2の端面7お
よび8の各々に対して平行に延びる辺を有する、実質的
に正方形のパターンをそれぞれ有している。
部電極10は、第1および第2の側面5および6ならび
に第1および第2の端面7および8の各々上にまでそれ
ぞれ引き出される第1の引出し部12を形成している。
た第1および第2の側面5および6ならびに第1および
第2の端面7および8の各々上には、第1の引出し部1
2にそれぞれ電気的に接続される第1の外部端子電極1
3が設けられる。
部電極11は、第1および第2の側面5および6ならび
に第1および第2の端面7および8の各々上にまでそれ
ぞれ引き出される第2の引出し部14を形成している。
た第1および第2の側面5および6ならびに第1および
第2の端面7および8の各々上には、第2の引出し部1
4にそれぞれ電気的に接続される第2の外部端子電極1
5が設けられる。
第1および第2の引出し部12および14ならびに第1
および第2の外部端子電極13および15の配置状態の
特徴について、以下に説明する。
の側面5および6ならびに第1および第2の端面7およ
び8の各々に関して、各々2つずつの第1および第2の
引出し部12および14ならびに第1および第2の外部
端子電極13および15を備えている。
5、第1の端面7、第2の側面6、第2の端面8の順序
で一方向に見たとき、第1の引出し部12と第2の引出
し部14とは交互に並んでおり、したがって、第1の外
部端子電極13と第2の外部端子電極15とは、第1お
よび第2の側面5および6ならびに第1および第2の端
面7および8上において交互に並んでいる。
部端子電極15とは、コンデンサ本体2を介して互いに
正面で対向するように配置されている。
2および14ならびに第1および第2の外部端子電極1
3および15の配置状態は、この積層コンデンサ1にお
いて流れる電流によって誘起される磁束を効果的に相殺
し、ESLの低減に寄与させることができる。
あるいは時点では、すべての第2の外部端子電極15か
らすべての第1の外部端子電極13に向かって流れてい
る。なお、図3では、第1の外部端子電極13を黒塗り
で示し、第2の外部端子電極15を白抜きで示してい
る。
状態が前述のように選ばれているので、図3からわかる
ように、互いに平行に向く電流は、互いに隣り合うもの
の間で逆方向に流れることになる。また、第1および第
2の側面5および6間で流れる電流と第1および第2の
端面7および8間で流れる電流とは互いに直交してい
る。このようなことから、これら各電流によって誘起さ
れる磁束は効果的に相殺され、低ESL化を図ることが
できる。
の長さ方向寸法Lと幅方向寸法Wとが実質的に等しく、
内部電極10および11が実質的に正方形のパターンを
それぞれ有しているので、図3に示した電流の経路長に
ついていえば、第1および第2の側面5および6間を結
ぶ電流と第1および第2の端面7および8間を結ぶ電流
とは互いに実質的に等しい経路長を有している。このよ
うに、互いに直交する電流の各経路長を実質的に均等に
することにより、磁束の相殺効果がより高められ、その
結果、ESLのさらなる低減を図ることができる。
減効果を確認するため、以下のような実験を実施した。
する図であって、この実験において作製された積層コン
デンサ21〜24を示している。図4ないし図7におい
て、コンデンサ本体を共通の参照符号「25」で示し、
第1および第2の側面をそれぞれ共通の参照符号「2
6」および「27」で示し、第1および第2の端面をそ
れぞれ共通の参照符号「28」および「29」で示し、
第1および第2の外部端子電極をそれぞれ共通の参照符
号「30」および「31」で示している。
デンサ21は、この発明の実施形態に係るもので、図5
ないし図7に示した積層コンデンサ22〜24は、比較
例である。
て、コンデンサ本体25の長さ方向寸法Lおよび幅方向
寸法Wは、双方とも、2.23mmに設定した。また、
図5ないし図7にそれぞれ示した積層コンデンサ22〜
24においては、ともに、コンデンサ本体25の長さ方
向寸法Lを3.2mmに設定し、幅方向寸法Wを1.6
mmに設定した。
について、コンデンサ本体25の厚み方向寸法を0.5
mmに設定した。
は、積層コンデンサ21〜24のすべてについて、4層
形成し、重なり面積を互いに同じとし、8.9pFの静
電容量を得るように設定した。また、誘電体層の厚み
を、積層コンデンサ21〜24のすべてについて、0.
1mmとし、比誘電率が10の誘電体を用いて誘電体層
を構成した。
について、第1および第2の外部端子電極30および3
1の各幅を0.2mmとしながら、これら第1および第
2の外部端子電極30および31を交互に配置した。
は、第1および第2の外部端子電極30および31の数
の合計を8とし、積層コンデンサ24においては、これ
を12とした。
1〜24についてESLを求めたところ、この発明の実
施形態に係る図4に示した積層コンデンサ21では、共
振周波数が8.9GHzとなり、ESLが36pHとな
った。
ンデンサ22では、共振周波数が5.0GHzとなり、
ESLが114pHとなった。
ンデンサ23では、共振周波数が6.2GHzとなり、
ESLが74pHとなった。
ンデンサ24では、共振周波数が8.0GHzとなり、
ESLが45pHとなった。
Wとが互いに等しいコンデンサ本体25を備える積層コ
ンデンサ21は、長手方向寸法Lが幅方向寸法Wより長
いコンデンサ本体25を備える積層コンデンサ22〜2
4のいずれに対しても、ESLを低くできることがわか
る。なお、積層コンデンサ21と積層コンデンサ24と
を比較したとき、後者の方が外部端子電極30および3
1の数が多いにもかかわらず、前者においてより低いE
SLが得られていることに特に注目すべきである。
方向寸法とを互いに等しくしながら、コンデンサ本体の
長さ方向寸法および幅方向寸法すなわち本体平面寸法、
各内部電極の各面への引出し部の数、ならびに引出し部
の幅を種々に変えた場合におけるESLを求めた。以下
の表1には、その結果が示されている。
とESLとの関係について言えば、引出し部の数が増え
るに従い、ESLが小さくなる傾向が現れる。これは、
引出し部の数すなわち外部端子電極の数を増やすことに
よって、電流の分散度合いが高められ、電界を相殺する
箇所が増えるためである。
6を比較すればわかるように、各内部電極についての引
出し部の数が4になると、3の場合と比較して、ESL
の減少傾向は横ばいとなる。これは、引出し部の数を増
やすに従い、引出し部の幅が狭くならざるを得ず、この
ように狭くされた引出し部に電界が集中し、その結果、
ESLを高めることになり、引出し部の数を増やす効果
を減殺しているためである。
ると、表1における試料1および2を比較したり、試料
4および5を比較したりすればわかるように、引出し部
の数が等しい場合、引出し部の幅が広いほど、ESLを
低くできる。これは、引出し部の幅が広いほど、インダ
クタンス成分が小さくなり、電界集中の度合いが弱めら
れるためである。
き、各内部電極の各面への引出し部の数は、4以下であ
ることが好ましい。
して説明したが、この発明の範囲内において、たとえ
ば、内部電極の引出し部の数や位置を種々に変更した
り、それに応じて、外部端子電極の数や位置を種々に変
更したりすることができる。
側面にそれぞれ引き出される引出し部の数およびそれに
対応する外部端子電極の数は、コンデンサ本体の第1お
よび第2の端面にまで引き出される引出し部の数および
それに対応する外部端子電極の数に対して、必ずしも等
しくされる必要はない。たとえば、コンデンサ本体の第
1および第2の側面には、4つの引出し部が引き出され
4つの外部端子電極が設けられながらも、第1および第
2の端面には2つの引出し部が引き出され2つの外部端
子電極が設けられてもよい。
静電容量を得るため、第1の内部電極と第2の内部電極
との対向する部分の数が複数とされ、複数のコンデンサ
ユニットを形成するようにされてもよい。このように、
第1の内部電極と第2の内部電極との対向する部分の数
が複数とされたときには、複数のコンデンサユニット
は、外部端子電極によって並列接続されることになる。
デンサにおいては、コンデンサ本体の長さ方向寸法と幅
方向寸法とが実質的に等しくされ、また、内部電極が実
質的に正方形のパターンを有するようにされ、第1の内
部電極は、コンデンサ本体の2つの側面および2つの端
面の各々上にまでそれぞれ引き出される第1の引出し部
を形成し、第2の内部電極も、コンデンサ本体の2つの
側面および2つの端面の各々上にまでそれぞれ引き出さ
れる第2の引出し部を形成し、第1の引出し部にそれぞ
れ電気的に接続される第1の外部端子電極と第2の引出
し部にそれぞれ電気的に接続される第2の外部端子電極
とは、コンデンサ本体の側面および端面上において交互
に並ぶとともに、相異なるものがコンデンサ本体を介し
て互いに正面で対向するように配置されている。
サにおいて第1および第2の外部端子電極間で流れる電
流は、2つの側面間を結ぶ電流および2つの端面間を結
ぶ電流について言えば、互いに隣り合うものを逆方向に
向けることができ、また、2つの側面間を結ぶ電流と2
つの端面間を結ぶ電流とを互いに直交する方向に向ける
ことができる。しかも、2つの側面間を結ぶ電流の経路
長と2つの端面間を結ぶ電流の経路長を互いに実質的に
等しくすることができる。
誘起される磁束が効果的に相殺され、積層コンデンサの
ESLを小さくすることができる。そのため、積層コン
デンサの共振周波数を高めることができる。このこと
は、積層コンデンサのコンデンサとして機能する周波数
域を高周波化できることを意味し、このような積層コン
デンサが適用される電子回路の高周波化に十分対応する
ことができるようになる。
の側面および2つの端面の各々に関して、各々複数の第
1および第2の引出し部ならびに第1および第2の外部
端子電極を備えるようにすれば、低ESL化をより図る
ことができる。
の2つの側面および2つの端面の各々に関して、各々4
つ以下の第1および第2の引出し部ならびに第1および
第2の外部端子電極を備えるようにすれば、引出し部の
幅を狭くすることなく、したがって引出し部に生じる電
界集中の度合いを弱めながら、より確実に低ESL化を
図ることができる。
の外部端子電極によって並列接続された複数のコンデン
サユニットを形成するように、第1の内部電極と第2の
内部電極との対向する部分の数が複数にされると、積層
コンデンサの小型化かつ高容量化に有効である。
の外観を示す斜視図である。
す平面図であり、(1)は第1の内部電極10が通る断
面をもって示し、(2)は第2の内部電極11が通る断
面をもって示している。
典型的な電流およびその方向を図解的に示す平面図であ
る。
験例において作製されたこの発明の実施形態に係る積層
コンデンサ21を示す、図3に相当する図である。
積層コンデンサ22を示す、図3に相当する図である。
積層コンデンサ23を示す、図3に相当する図である。
積層コンデンサ24を示す、図3に相当する図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 長さ方向寸法、幅方向寸法および厚み方
向寸法によって規定され、かつ前記長さ方向寸法と前記
幅方向寸法とが実質的に等しい、四角柱状をなしてお
り、前記長さ方向寸法および前記幅方向寸法によって規
定される相対向する第1および第2の主面、前記長さ方
向寸法および前記厚み方向寸法によって規定される相対
向する第1および第2の側面、ならびに、前記幅方向寸
法および前記厚み方向寸法によって規定される相対向す
る第1および第2の端面を有する、コンデンサ本体を備
え、 前記コンデンサ本体は、前記主面の方向に延びる複数の
誘電体層、ならびにコンデンサユニットを形成するよう
に特定の前記誘電体層を介して互いに対向する少なくと
も1対の第1および第2の内部電極を備え、 前記第1および第2の内部電極は、ともに、前記コンデ
ンサ本体の前記第1および第2の側面ならびに第1およ
び第2の端面の各々に対して平行に延びる辺を有する、
実質的に正方形のパターンをそれぞれ有し、 前記第1の内部電極は、前記第1および第2の側面なら
びに第1および第2の端面の各々上にまでそれぞれ引き
出される第1の引出し部を形成しており、 前記第1の引出し部が引き出された前記第1および第2
の側面ならびに第1および第2の端面の各々上には、前
記第1の引出し部にそれぞれ電気的に接続される第1の
外部端子電極が設けられ、 前記第2の内部電極は、前記第1および第2の側面なら
びに第1および第2の端面の各々上にまでそれぞれ引き
出される第2の引出し部を形成しており、 前記第2の引出し部が引き出された前記第1および第2
の側面ならびに第1のおよび第2の端面の各々上には、
前記第2の引出し部にそれぞれ電気的に接続される第2
の外部端子電極が設けられ、 前記第1の外部端子電極と前記第2の外部端子電極と
は、前記第1および第2の側面ならびに第1および第2
の端面上において交互に並ぶとともに、相異なるものが
前記コンデンサ本体を介して互いに正面で対向するよう
に配置され、 すべての前記第1の外部端子電極およびすべての前記第
2の外部端子電極のいずれか一方からいずれか他方に向
かって電流が流れるように用いられる、 積層コンデン
サ。 - 【請求項2】 前記第1および第2の側面ならびに第1
および第2の端面の各々に関して、各々複数の前記第1
および第2の引出し部ならびに前記第1および第2の外
部端子電極を備える、請求項1の記載の積層コンデン
サ。 - 【請求項3】 前記第1および第2の側面ならびに第1
および第2の端面の各々に関して、各々4つ以下の前記
第1および第2の引出し部ならびに前記第1および第2
の外部端子電極を備える、請求項1の記載の積層コンデ
ンサ。 - 【請求項4】 前記第1および第2の外部端子電極によ
って並列接続された複数の前記コンデンサユニットを形
成するように、前記第1の内部電極と前記第2の内部電
極との対向する部分の数は複数とされる、請求項1ない
し3のいずれかに記載の積層コンデンサ。
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US6346743B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-02-12 | Intel Corp. | Embedded capacitor assembly in a package |
US6590762B2 (en) * | 2001-08-06 | 2003-07-08 | Intel Corporation | Layered polymer on aluminum stacked capacitor |
TWI266342B (en) | 2001-12-03 | 2006-11-11 | Tdk Corp | Multilayer capacitor |
US6606237B1 (en) | 2002-06-27 | 2003-08-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer capacitor, wiring board, decoupling circuit, and high frequency circuit incorporating the same |
US20040022038A1 (en) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Intel Corporation | Electronic package with back side, cavity mounted capacitors and method of fabrication therefor |
US6819543B2 (en) * | 2002-12-31 | 2004-11-16 | Intel Corporation | Multilayer capacitor with multiple plates per layer |
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WO2004084243A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Tdk Corporation | コンデンサ素子、固体電解コンデンサ及びそれらの製造方法並びにコンデンサ素子結合体 |
US6906907B2 (en) * | 2003-04-15 | 2005-06-14 | Kemet Electronics Corporation | Monolithic multi-layer capacitor with improved lead-out structure |
JP4354227B2 (ja) * | 2003-07-23 | 2009-10-28 | Tdk株式会社 | 固体電解コンデンサ |
EP1538639B1 (en) * | 2003-12-05 | 2007-02-28 | NGK Spark Plug Co., Ltd. | Capacitor and method for manufacturing the same |
US7068490B2 (en) * | 2004-04-16 | 2006-06-27 | Kemet Electronics Corporation | Thermal dissipating capacitor and electrical component comprising same |
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KR100568305B1 (ko) | 2004-07-21 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 적층형 세라믹 캐패시터 |
KR100691145B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
KR100884902B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2009-02-19 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 커패시터 및 그 실장구조 |
JP4961818B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2012-06-27 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
US7212395B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-05-01 | Intel Corporation | Capacitor design for controlling equivalent series resistance |
US7355836B2 (en) * | 2005-06-07 | 2008-04-08 | Intel Corporation | Array capacitor for decoupling multiple voltage rails |
KR20070002654A (ko) * | 2005-06-30 | 2007-01-05 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
US7599166B2 (en) * | 2005-11-17 | 2009-10-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer chip capacitor |
JP4049182B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2008-02-20 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
JP4049181B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2008-02-20 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
US8643532B1 (en) | 2005-12-12 | 2014-02-04 | Nomadics, Inc. | Thin film emitter-absorber apparatus and methods |
US7956793B2 (en) * | 2005-12-12 | 2011-06-07 | Icx Technologies, Inc. | Selective reflective and absorptive surfaces and methods for resonantly coupling incident radiation |
EP1969391B1 (en) * | 2005-12-12 | 2014-07-16 | Irina Puscasu | Thin film emitter-absorber apparatus and methods |
JP5268276B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2013-08-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその実装構造 |
KR100900673B1 (ko) | 2007-01-31 | 2009-06-01 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
KR100887124B1 (ko) * | 2007-08-06 | 2009-03-04 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
KR100935994B1 (ko) * | 2008-04-01 | 2010-01-08 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
US8159813B2 (en) * | 2008-04-01 | 2012-04-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer chip capacitor, motherboard apparatus having the same, and power distribution network |
KR100983121B1 (ko) * | 2008-08-07 | 2010-09-17 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
KR100983122B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2010-09-17 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
KR100992311B1 (ko) | 2008-08-13 | 2010-11-05 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 및 이를 구비한 회로기판 장치 |
KR101018181B1 (ko) * | 2010-08-02 | 2011-02-28 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
JP2012169594A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品 |
USD692896S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-11-05 | Connectblue Ab | Module |
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US9196586B2 (en) * | 2014-02-13 | 2015-11-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor package including an embedded surface mount device and method of forming the same |
JP2016149479A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
JP2018093164A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-14 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミック電子部品及びその実装基板 |
TWI776290B (zh) | 2020-11-27 | 2022-09-01 | 財團法人工業技術研究院 | 電容器以及包含所述電容器的濾波器與重佈線層結構 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3308359A (en) | 1965-03-12 | 1967-03-07 | Bruce R Hayworth | Low-inductance capacitor |
FR1464631A (fr) | 1965-07-27 | 1967-01-06 | Thomson Houston Comp Francaise | Perfectionnements à la fabrication de condensateurs |
US3612693A (en) | 1970-05-15 | 1971-10-12 | Gc Optronics Inc | Method for measurement of surface profile change using a vernier scale in hologram interferometry |
US3822397A (en) | 1973-05-07 | 1974-07-02 | Sprague Electric Co | A capacitor package with a split metal-plate terminal cover |
US3971970A (en) | 1974-11-27 | 1976-07-27 | P. R. Mallory & Co., Inc. | Electrical component with low impedance at high frequency |
DE2545672C3 (de) | 1975-10-11 | 1978-05-03 | Draloric Electronic Gmbh, 8500 Nuernberg | Mehrschichtkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung |
US4074340A (en) | 1976-10-18 | 1978-02-14 | Vitramon, Incorporated | Trimmable monolithic capacitors |
US4295183A (en) | 1979-06-29 | 1981-10-13 | International Business Machines Corporation | Thin film metal package for LSI chips |
US4274124A (en) | 1979-12-26 | 1981-06-16 | International Business Machines Corporation | Thick film capacitor having very low internal inductance |
US4328530A (en) | 1980-06-30 | 1982-05-04 | International Business Machines Corporation | Multiple layer, ceramic carrier for high switching speed VLSI chips |
US4346429A (en) | 1980-07-09 | 1982-08-24 | Union Carbide Corporation | Multilayer ceramic capacitor with foil terminal |
FR2507379A1 (fr) | 1981-06-05 | 1982-12-10 | Europ Composants Electron | Bloc de condensateurs en serie et multiplicateur de tension utilisant un tel bloc de condensateurs |
US4419714A (en) | 1982-04-02 | 1983-12-06 | International Business Machines Corporation | Low inductance ceramic capacitor and method for its making |
US4430690A (en) | 1982-10-07 | 1984-02-07 | International Business Machines Corporation | Low inductance MLC capacitor with metal impregnation and solder bar contact |
DE3669614D1 (de) | 1985-01-17 | 1990-04-19 | Eurofarad | Keramischer hochfrequenzmehrschichtkondensator mit hoher kapazitaet. |
US4706162A (en) | 1985-01-22 | 1987-11-10 | Rogers Corporation | Multilayer capacitor elements |
US4814940A (en) | 1987-05-28 | 1989-03-21 | International Business Machines Corporation | Low inductance capacitor |
US4830723A (en) | 1988-06-22 | 1989-05-16 | Avx Corporation | Method of encapsulating conductors |
US4831494A (en) | 1988-06-27 | 1989-05-16 | International Business Machines Corporation | Multilayer capacitor |
US4853826A (en) | 1988-08-01 | 1989-08-01 | Rogers Corporation | Low inductance decoupling capacitor |
US4852227A (en) | 1988-11-25 | 1989-08-01 | Sprague Electric Company | Method for making a multilayer ceramic capacitor with buried electrodes and terminations at a castellated edge |
US4862318A (en) | 1989-04-04 | 1989-08-29 | Avx Corporation | Method of forming thin film terminations of low inductance ceramic capacitors and resultant article |
JPH0442910A (ja) | 1990-06-06 | 1992-02-13 | Marcon Electron Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JP2878919B2 (ja) | 1991-12-30 | 1999-04-05 | 韓國電子通信研究院 | 高周波ノイズ除去用チップ型キャパシター |
US5517385A (en) | 1992-11-19 | 1996-05-14 | International Business Machines Corporation | Decoupling capacitor structure |
JPH06260364A (ja) | 1993-03-08 | 1994-09-16 | Masusaku Okumura | チップ部品 |
FR2707123B1 (fr) | 1993-06-29 | 1995-09-01 | Europ Composants Electron | Condensateur céramique multicouches quadripole. |
JPH07201651A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 積層コンデンサ |
JPH08172026A (ja) | 1994-12-19 | 1996-07-02 | Sumitomo Metal Ind Ltd | コンデンサ |
US5880925A (en) | 1997-06-27 | 1999-03-09 | Avx Corporation | Surface mount multilayer capacitor |
JP2991175B2 (ja) * | 1997-11-10 | 1999-12-20 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
JP3309813B2 (ja) * | 1998-10-06 | 2002-07-29 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
US6282079B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-08-28 | Kyocera Corporation | Capacitor |
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