JP3475637B2 - 半導体構造体および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体構造体および半導体装置の製造方法Info
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- JP3475637B2 JP3475637B2 JP03944596A JP3944596A JP3475637B2 JP 3475637 B2 JP3475637 B2 JP 3475637B2 JP 03944596 A JP03944596 A JP 03944596A JP 3944596 A JP3944596 A JP 3944596A JP 3475637 B2 JP3475637 B2 JP 3475637B2
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Description
いられる半導体発光素子等の半導体装置に関するもので
ある。
型で広いバンドギャップをもつことから、近年、これを
用いた青色半導体レーザの開発が活発に行われている。
いた青色半導体レーザの構造を図11に示す。111は
Siをドープしたn型GaAs基板、112はClをドープしたn
型ZnSe層、113はClをドープしたn型ZnSSeクラッド
層、114はClをドープしたn型ZnMgSSeクラッド層、1
15はClをドープしたn型ZnSSe光導波層、116はZnCd
Se活性層、117はNをドープしたp型ZnSSe光導波層、
118はNをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層、119
はNをドープしたp型ZnSSe層、1110はNをドープした
p型ZnSe層、1111はp型ZnSe/ZnTe多重量子井戸層、
1112はNをドープしたp型ZnTeコンタクト層、111
3は絶縁層、1114はp型AuPd電極、1115はn型In
電極である。
する課題を以下に述べる。
直接形成してp型電極を得る場合、最も仕事関数の大き
な金属である金や白金などを用いても、ショットキー障
壁が生じオーム性接触が得られない。そのためレーザ素
子の駆動電圧の増加が生じる。
を用いる場合、p型ZnTeに対しては金を用いればオーム
性接触が容易に得られるが、ZnTeとその下の層であるZn
Seとは格子定数の不整合率が7%と大きいためZnTe層中に
ミスフィット転位が発生し、これがレーザの劣化を生じ
させる。
に放置すると急速に酸化が進み、ZnOやSeOが最表面に形
成される。特にこのZnOは材料的に非常に安定であるた
め金属-II-VI族半導体間に存在すると大きな障壁となり
オーム性接触を得ることは困難となる。
成長温度は一般に200から300℃と極めて低いため電極形
成のための熱処理温度をそれ以下に設定しなければなら
ない。金属が表面酸化層を拡散しII-VI族半導体と反応
層を形成できるような充分高い温度で熱処理を行うこと
ができない。
の低コンタクト抵抗のp型オーム性電極構造体を提供す
るものである。
段は次の通りである。
にアモルファス半導体を形成した後、そのアモルファス
半導体上に金属を形成した電極構造にすることである。
にS、Se、Te、AsS、AsSe、AsTe、As、Sb、Si、Ge、SiGe
またはSiC層を形成した後、その層上に金属を形成した
電極構造にすることである。
に水素不純物を添加したアモルファス半導体層を形成し
た後、そのアモルファス半導体層上に金属を形成した電
極構造にすることである。
に銀不純物を添加したアモルファス半導体層を形成した
後、そのアモルファス半導体層上に金属を形成した電極
構造にすることである。
半導体エピタキシャル層を成長した後、引き続き真空中
にて半導体基板及びII-VI族半導体エピタキシャル層を
冷却し、さらに引き続き真空中にてII-VI族半導体エピ
タキシャル層上にSiCなどのアモルファス半導体を形成
し、その後アモルファス半導体層上に電極用金属を形成
することである。
半導体エピタキシャル層を成長した後、引き続き真空中
にて成長温度付近の基板温度でII-VI族半導体エピタキ
シャル層上に電極用金属を形成することである。
半導体エピタキシャル層を成長した後、引き続き真空中
にて半導体基板及びII-VI族半導体エピタキシャル層を
冷却し、さらに引き続き真空中にてII-VI族半導体エピ
タキシャル層上に電極用金属を形成することである。
タキシャル層を成長した後、そのII-VI族半導体エピタ
キシャル層上に電極用金属を形成し、さらにその金属表
面に加速イオンを照射することである。
て図1から図10を用いて説明する。
導体を用いた青色半導体レーザの構造断面図を示す。1
1はSiをドープしたn型GaAs基板、12はClをドープし
たn型ZnSe層、13はClをドープしたn型ZnSSeクラッド
層、14はClをドープしたn型ZnMgSSeクラッド層、15
はClをドープしたn型ZnSSe光導波層、16はZnCdSe活性
層、17はNをドープしたp型ZnSSe光導波層、18はNを
ドープしたp型ZnMgSSeクラッド層、19はNをドープし
たp型ZnSSe層、110はNをドープしたp型ZnSe層、11
1はアモルファスTe層、112は絶縁層、113はp型A
uPd電極、114はn型In電極である。本実施の形態のよ
うに、Teアモルファス層111をコンタクト層に用いる
ことにより、低いコンタクト抵抗が得られた。
圧特性を図1(b)に示す。図に示すように従来に比べレ
ーザの立ち上がり電圧は減少し、レーザの駆動電圧の低
減化がはかれた。その結果長寿命化が実現できた。
ル層でコンタクト層を形成する場合も、p型ZnTeに対し
ては金を用いれば上述の実施の形態と同様にオーム性接
触が容易に得られる。しかしZnTeがエピタキシャル結晶
であるがためにZnTeとその下の層であるZnSeとの格子定
数の不整合率が大きな問題となり、これによりZnTe層中
にミスフィット転位が発生し、レーザの劣化を生じさせ
る。
に形成する場合は、アモルファス層がもともと規則的な
原子配列をとっていないため格子整合率を考慮する必要
がない。従って格子不整に起因した転位の発生、伝搬も
なく高品質のアモルファス層が形成できる。その結果レ
ーザの寿命も向上できる。またAuなどの金属を用いれば
Teアモルファス層111に対してオーム性接触が容易に
得られることは言うまでもない。
実施の形態ではZnSe系II-VI族半導体の成長方法とし
て、分子線エピタキシー法を用いた。まずGaAs基板11
上にClをドープしたn型ZnSe層12、Clをドープしたn型
ZnSSeクラッド層13、Clをドープしたn型ZnMgSSeクラ
ッド層14、Clをドープしたn型ZnSSe光導波層15、Zn
CdSe活性層16、Nをドープしたp型ZnSSe光導波層1
7、Nをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層18、Nをドー
プしたp型ZnSSe層19、Nをドープしたp型ZnSe層110
と順次エピタキシャル成長する。次に、Nをドープしたp
型ZnSe層110上に蒸着法を用いてTeアモルファス層1
11を形成する。次にフォトリソグラフ法によってスト
ライプ状のレジストパターンを成長層上に形成し、それ
をマスクとして用いて成長層をストライプ状にエッチン
グする。
したp型ZnMgSSeクラッド層18、Nをドープしたp型ZnSS
e層19、Nをドープしたp型ZnSe層110、Teアモルフ
ァス111をエッチング除去した。その後、絶縁層11
2を全面蒸着した後リフトオフを行い、エッチングされ
た領域に電流狭窄層として絶縁層112が埋め込まれた
構造を形成する。そしてさらにウエハ全面に蒸着法を用
いてp型AuPd電極113を形成する。
モルファス層111で構成した例で説明したが、その他
のS、Se、Te、AsS、AsSe、AsTe、As、Sb、Si、Ge、SiGe
またはSiC層についても同様に実施可能である。
半導体を用いた青色半導体レーザの構造断面図を示す。
31はSiをドープしたn型GaAs基板、32はClをドープ
したn型ZnSe層、33はClをドープしたn型ZnSSeクラッ
ド層、34はClをドープしたn型ZnMgSSeクラッド層、3
5はClをドープしたn型ZnSSe光導波層、36はZnCdSe活
性層、37はNをドープしたp型ZnSSe光導波層、38はN
をドープしたp型ZnMgSSeクラッド層、39はNをドープ
したp型ZnSSe層、310はNをドープしたp型ZnSe層、3
11は水素不純物を添加したアモルファスSiC層、31
2は絶縁層、313はp型AuPd電極、314はn型In電極
である。
したSiCアモルファス層311をコンタクト層に用いる
ことにより、低いコンタクト抵抗が得られた。その結果
である作製したレーザの電流ー電圧特性を図3(b)に示
す。図に示すように従来に比べレーザの立ち上がり電圧
は減少し、レーザの駆動電圧の低減化がはかれた。その
結果長寿命化が実現できた。
311に水素不純物を添加することによりSiCアモルフ
ァス層311のバンドギャップ内の局在準位密度を低減
または制御できる。II-VI族半導体とSiCアモルファス層
311との界面におけるキャリア輸送はこの局在準位密
度と強く関係しており、この水素不純物の添加量を制御
することによりII-VI族半導体に対するコンタクト層と
しての特性を容易に制御することができる。
ル層上に形成する場合も同様に格子整合率を考慮する必
要がない。従って格子不整に起因した転位の発生、伝搬
もなく高品質のアモルファス層が形成できる。その結果
レーザの寿命も向上できる。またAuなどの金属を用いれ
ばSiCアモルファス層311に対してオーム性接触が容
易に得られることは言うまでもない。
実施の形態ではZnSe系II-VI族半導体の成長方法とし
て、分子線エピタキシー法を用いた。まずGaAs基板31
上にClをドープしたn型ZnSe層32、Clをドープしたn型
ZnSSeクラッド層33、Clをドープしたn型ZnMgSSeクラ
ッド層34、Clをドープしたn型ZnSSe光導波層35、Zn
CdSe活性層36、Nをドープしたp型ZnSSe光導波層3
7、Nをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層38、Nをドー
プしたp型ZnSSe層39、Nをドープしたp型ZnSe層310
と順次エピタキシャル成長する。次に、Nをドープしたp
型ZnSe層310上にECRプラズマCVDを用いて水素不純物
を添加したSiCアモルファス層311を形成する。
プ状のレジストパターンを成長層上に形成し、それをマ
スクとして用いて成長層をストライプ状にエッチングす
る。レジストマスク下以外の領域のNをドープしたp型Zn
MgSSeクラッド層38、Nをドープしたp型ZnSSe層39、
Nをドープしたp型ZnSe層310、水素不純物を添加した
アモルファスSiC層311をエッチング除去した。その
後、絶縁層312を全面蒸着した後リフトオフを行い、
エッチングされた領域に電流狭窄層として絶縁層312
が埋め込まれた構造を形成する。そしてウエハ全面に蒸
着法を用いてp型AuPd電極310を形成する。
アモルファス層311で構成した例で説明したが、その
他のS、Se、Te、AsS、AsSe、AsTe、As、Sb、Si、Ge、Si
GeまたはSiC層についても同様に実施可能である。
半導体を用いた青色半導体レーザの構造断面図を示す。
51はSiをドープしたn型GaAs基板、52はClをドープ
したn型ZnSe層、53はClをドープしたn型ZnSSeクラッ
ド層、54はClをドープしたn型ZnMgSSeクラッド層、5
5はClをドープしたn型ZnSSe光導波層、56はZnCdSe活
性層、57はNをドープしたp型ZnSSe光導波層、58はN
をドープしたp型ZnMgSSeクラッド層、59はNをドープ
したp型ZnSSe層、510はNをドープしたp型ZnSe層、5
11は銀不純物を添加したアモルファスAsSe層、512
は絶縁層、513はp型AuPd電極、514はn型In電極で
ある。
たアモルファスAsSe層511をコンタクト層に用いるこ
とにより、低いコンタクト抵抗が得られた。その結果で
ある作製したレーザの電流ー電圧特性を図5(b)に示
す。図に示すように従来に比べレーザの立ち上がり電圧
は減少し、レーザの駆動電圧の低減化がはかれた。その
結果長寿命化が実現できた。
層511に銀不純物を添加すると銀不純物がII-VI族半
導体とアモルファスAsSe層511との界面に熱処理また
は光照射などにより異常拡散する。銀不純物はII-VI族
半導体中においてはアクセプタとして働き、界面に多く
存在させることにより電圧障壁の厚みを薄くすることが
可能となり、トンネル電流を増やし、コンタクト抵抗を
減少させることができる。
ル層上に形成する場合も同様に格子整合率を考慮する必
要がない。従って格子不整に起因した転位の発生、伝搬
もなく高品質のアモルファス層が形成できる。その結果
レーザの寿命も向上できる。またAuなどの金属を用いれ
ばAsSeアモルファス層511に対してオーム性接触が容
易に得られることは言うまでもない。
実施の形態ではZnSe系II-VI族半導体の成長方法とし
て、分子線エピタキシー法を用いた。まずGaAs基板51
上にClをドープしたn型ZnSe層52、Clをドープしたn型
ZnSSeクラッド層53、Clをドープしたn型ZnMgSSeクラ
ッド層54、Clをドープしたn型ZnSSe光導波層55、Zn
CdSe活性層56、Nをドープしたp型ZnSSe光導波層5
7、Nをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層58、Nをドー
プしたp型ZnSSe層59、Nをドープしたp型ZnSe層510
と順次エピタキシャル成長する。次に、分子線エピタキ
シー装置のチャンバー内で基板を冷却する。そして引き
続き同一チャンバー内にてNをドープしたp型ZnSe層51
0上に銀不純物を添加したアモルファスAsSe層511を
形成する。
プ状のレジストパターンを成長層上に形成し、それをマ
スクとして用いて成長層をストライプ状にエッチングす
る。レジストマスク下以外の領域のNをドープしたp型Zn
MgSSeクラッド層58、Nをドープしたp型ZnSSe層59、
Nをドープしたp型ZnSe層510、銀不純物を添加したア
モルファスAsSe層511をエッチング除去した。その
後、絶縁層512を全面蒸着した後リフトオフを行い、
エッチングされた領域に電流狭窄層として絶縁層512
が埋め込まれた構造を形成する。そしてウエハ全面に蒸
着法を用いてp型AuPd電極510を形成する。
アモルファス層511で構成した例で説明したが、その
他のS、Se、Te、AsS、AsSe、AsTe、As、Sb、Si、Ge、Si
GeまたはSiC層についても同様に実施可能である。
の一例を示す。本実施の形態ではZnSe系II-VI族半導体
の成長方法として、分子線エピタキシー法を用いた。ま
ずGaAs基板71上にClをドープしたn型ZnSe層72、Cl
をドープしたn型ZnSSeクラッド層73、Clをドープした
n型ZnMgSSeクラッド層74、Clをドープしたn型ZnSSe光
導波層75、ZnCdSe活性層76、Nをドープしたp型ZnSS
e光導波層77、Nをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層7
8、Nをドープしたp型ZnSSe層79、Nをドープしたp型Z
nSe層710と順次エピタキシャル成長する。
ー内で基板を冷却する。そして引き続き同一チャンバー
内にてNをドープしたp型ZnSe層710上にTeアモルファ
ス層711を室温において形成する。次に真空のチャン
バーより大気中に取り出す。そして、フォトリソグラフ
法によってストライプ状のレジストパターンを成長層上
に形成し、それをマスクとして用いて成長層をストライ
プ状にエッチングする。レジストマスク下以外の領域の
Nをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層78、Nをドープし
たp型ZnSSe層79、Nをドープしたp型ZnSe層710、Te
アモルファス層711をエッチング除去した。その後、
絶縁層712を全面蒸着した後リフトオフを行い、エッ
チングされた領域に電流狭窄層として絶縁層712が埋
め込まれた構造を形成する。その後さらにウエハ全面に
蒸着法を用いてp型AuPd電極713を形成する。
すると急速に酸化が進み、ZnOやSeOが最表面に形成され
る。特にこのZnOは材料的に非常に安定であるためエッ
チングなどにより完全に除去することは難しく、金属-I
I-VI族半導体間に存在すると大きな電圧障壁を形成する
ためオーム性接触を得ることは困難となる。しかし、本
実施の形態によれば、結晶成長後II-VI族半導体を空気
中に放置することなしに同一真空チャンバー中でその上
にTeアモルファス層711を形成するため、Teアモルフ
ァス層711とII-VI族半導体との間に酸化膜が介在す
ることがない。したがって酸化膜による電圧障壁を取り
除くことができ良好なコンタクト特性を得ることが可能
となる。
ー内で引き続きTeアモルファス層711の形成を行って
いるが、空気中に放置することなしに引き続きTeアモル
ファス層711の形成を行えば同様の効果は得られ、例
えばII-VI族半導体の成長室とは別の蒸着室を設けて真
空中でII-VI族半導体をそのチャンバーに移動してTeア
モルファス層711を形成してもよい。
モルファス層711で構成した例で説明したが、その他
のS、Se、Te、AsS、AsSe、AsTe、As、Sb、Si、Ge、SiGe
またはSiC層についても同様に実施可能である。
の一例を示す。本実施の形態ではZnSe系II-VI族半導体
の成長方法として、分子線エピタキシー法を用いた。ま
ずGaAs基板81上にClをドープしたn型ZnSe層82、Cl
をドープしたn型ZnSSeクラッド層83、Clをドープした
n型ZnMgSSeクラッド層84、Clをドープしたn型ZnSSe光
導波層85、ZnCdSe活性層86、Nをドープしたp型ZnSS
e光導波層87、Nをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層8
8、Nをドープしたp型ZnSSe層89、Nをドープしたp型Z
nSe層810と順次エピタキシャル成長する。次に、分
子線エピタキシー装置のチャンバー内で基板を冷却す
る。
ドープしたp型ZnSe層810上にp型Au電極811を室温
において形成する。次にフォトリソグラフ法によってス
トライプ状のレジストパターンを成長層上に形成し、そ
れをマスクとして用いて成長層をストライプ状にエッチ
ングする。レジストマスク下以外の領域のNをドープし
たp型ZnMgSSeクラッド層88、Nをドープしたp型ZnSSe
層89、Nをドープしたp型ZnSe層810、p型AuPd電極
811をエッチング除去した。その後、絶縁層812を
全面蒸着した後リフトオフを行い、エッチングされた領
域に電流狭窄層として絶縁層812が埋め込まれた構造
を形成する。その後さらにウエハ全面に蒸着法を用いて
p型Au電極811を形成する。
すると急速に酸化が進み、ZnOやSeOが最表面に形成され
る。特にこのZnOは材料的に非常に安定であるためエッ
チングなどにより完全に除去することは難しく、金属-I
I-VI族半導体間に存在すると大きな電圧障壁を形成する
ためオーム性接触を得ることは困難となる。しかし、本
実施の形態によれば、結晶成長後II-VI族半導体を空気
中に放置することなしに同一真空チャンバー中でその上
に電極金属を形成するため、金属とII-VI族半導体との
間に酸化膜が介在することがない。したがって酸化膜に
よる電圧障壁を取り除くことができ良好なコンタクト特
性を得ることが可能となる。
ー内で引き続き金属の形成を行っているが、空気中に放
置することなしに引き続き金属の形成を行えば同様の効
果は得られ、例えばII-VI族半導体形成用の成長室とは
別の蒸着室を設けて真空中でII-VI族半導体をそのチャ
ンバーに移動して金属を形成してもよい。
の一例を示す。本実施の形態ではZnSe系II-VI族半導体
の成長方法として、分子線エピタキシー法を用いた。ま
ずGaAs基板91上にClをドープしたn型ZnSe層92、Cl
をドープしたn型ZnSSeクラッド層93、Clをドープした
n型ZnMgSSeクラッド層94、Clをドープしたn型ZnSSe光
導波層95、ZnCdSe活性層96、Nをドープしたp型ZnSS
e光導波層97、Nをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層9
8、Nをドープしたp型ZnSSe層99、Nをドープしたp型Z
nSe層910と順次エピタキシャル成長する。成長温度
は270℃とした。
ー内で基板を成長温度付近に保持しておく。そして引き
続き同一チャンバー内にてNをドープしたp型ZnSe層91
0上にp型Au電極911を形成する。これにより、熱処
理効果からさらにコンタクト抵抗の低減がはかれる。次
にフォトリソグラフ法によってストライプ状のレジスト
パターンを成長層上に形成し、それをマスクとして用い
て成長層をストライプ状にエッチングする。レジストマ
スク下以外の領域のNをドープしたp型ZnMgSSeクラッド
層98、Nをドープしたp型ZnSSe層99、Nをドープした
p型ZnSe層910、p型Au電極911をエッチング除去し
た。その後、絶縁層912を全面蒸着した後リフトオフ
を行い、エッチングされた領域に電流狭窄層として絶縁
層912が埋め込まれた構造を形成する。その後さらに
ウエハ全面に蒸着法を用いてp型Au電極911を形成す
る。
族半導体を空気中に放置することなしに同一真空チャン
バー中でその上に電極金属を形成するため、金属-II-VI
族半導体間に酸化膜が介在することがない。したがって
酸化膜による電圧障壁を取り除くことができ良好なコン
タクト特性を得ることが可能となる。また成長温度付近
の基板温度にて金属を形成するため、熱処理効果が期待
できさらにコンタクト抵抗の低減がはかれる。
ー内で引き続き金属の形成を行っているが、空気中に放
置することなしに引き続き金属の形成を行えば同様の効
果は得られ、例えばII-VI族半導体形成用の成長室とは
別の蒸着室を設けて真空中でII-VI族半導体をそのチャ
ンバーに移動して金属を形成してもよい。
程の一例を示す。本実施の形態ではZnSe系II-VI族半導
体の成長方法として、分子線エピタキシー法を用いた。
まずGaAs基板101上にClをドープしたn型ZnSe層10
2、Clをドープしたn型ZnSSeクラッド層103、Clをド
ープしたn型ZnMgSSeクラッド層104、Clをドープした
n型ZnSSe光導波層105、ZnCdSe活性層106、Nをド
ープしたp型ZnSSe光導波層107、Nをドープしたp型Zn
MgSSeクラッド層108、Nをドープしたp型ZnSSe層10
9、Nをドープしたp型ZnSe層1010と順次エピタキシ
ャル成長する。
プ状のレジストパターンを成長層上に形成し、それをマ
スクとして用いて成長層をストライプ状にエッチングす
る。レジストマスク下以外の領域のNをドープしたp型Zn
MgSSeクラッド層108、Nをドープしたp型ZnSSe層10
9、Nをドープしたp型ZnSe層1010をエッチング除去
した。その後、絶縁層1011から成る電流狭窄層を形
成する。そしてウエハ全面に蒸着法を用いてp型AuPd電
極1012を形成する。
イオン注入を行う。イオン注入条件の一例は、加速電圧
90 eV、ドーズ量1X1013cm-2、でLSS理論から計算される
飛程はRp=0.14umである。ZnSe系II-VI族半導体に窒素を
イオン注入する場合、ドーズ量は1X1014cm-2以下であり
5X1012cm-2以上であることが望ましい。尚、本実施例で
はイオン注入後250C、10分間の熱処理を行なっている
が、これはドーズ量によっては省略可能である。
に放置すると急速に酸化が進み、ZnOやSeOが最表面に形
成される。特にこのZnOは材料的に非常に安定であるた
め金属-II-VI族半導体間に存在すると大きな電圧障壁と
なりオーム性接触を得ることは困難となる。そこで電極
金属を表面酸化膜を貫通してII-VI族半導体表面まで拡
散させて金属/II-VI界面反応層を形成するためには高温
での熱処理が一般的に有効である。しかし、ZnSe系II-V
I族化合物半導体の結晶成長温度は200から300℃と極め
て低いため電極形成のための熱処理温度をそれ以下に設
定しなければならない。金属が表面酸化層を拡散しII-V
I族半導体と反応層を形成できるような充分高い温度で
熱処理を行うことができない。
2上から窒素のイオン注入を行うと、まず運動エネルギ
ーを持った窒素イオンがp型AuPd電極1012中のAuま
たはPd原子と衝突する。それによりAuまたはPd原子がエ
ネルギーを得て表面酸化膜を貫通してII-VI族半導体内
に弾き出される。これによって擬似的な金属/II-VI界面
反応層が形成される。その結果250Cなどの低温の熱処理
によっても容易に良好なオーム性接触が得られる。
-VI族半導体レーザを例で説明したが、その他のZnS系II
-VI族半導体レーザやGaN系III-V族半導体レーザにおい
ても本発明が同様に実施可能である。また電極金属とし
てAnPdの例を示したが、Ni系やPt系など様々な金属につ
いてもその効果は得られる。
ァス半導体層をコンタクト層に用いることにより、コン
タクト抵抗が低減できるという有利な効果が得られる。
そのためZnSe系青色半導体レーザにおいて、従来にない
低電圧駆動、長寿命などが得られ、工業的価値は極めて
高い。
の構造断面図
の製造工程断面図
の構造断面図
の製造工程断面図
の構造断面図
の製造工程断面図
の製造工程断面図
の製造工程断面図
の製造工程断面図
ザの製造工程断面図
層 712 絶縁層 713 p型AuPd電極 714 n型In電極 810 Nをドープしたp型ZnSe層 811 同一チャンバー内にて形成したp型AuPd電極 812 絶縁層 813 n型In電極 910 Nをドープしたp型ZnSe層 911 同一チャンバー内にて形成したp型AuPd電極 912 絶縁層 913 n型In電極 1010 Nをドープしたp型ZnSe層 1011 絶縁層 1012 p型AuPd電極 1013 n型In電極
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に形成したZnSe系またはGa
N系のp型の半導体多層膜と、前記p型の半導体多層膜
上に形成した水素不純物を添加したアモルファス半導体
層と、前記アモルファス半導体層上に形成した金属電極
とを備えたことを特徴とする半導体構造体。 - 【請求項2】 真空中にて基板上に、ZnSe系または
GaN系のp型の半導体エピタキシャル層を成長する工
程と、真空中にて前記p型の半導体エピタキシャル層を
冷却する工程と、真空中にて前記p型の半導体エピタキ
シャル層上に水素不純物を添加したアモルファス半導体
層を形成する工程と、真空中にて前記アモルファス半導
体層上に金属電極を形成する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03944596A JP3475637B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 半導体構造体および半導体装置の製造方法 |
US08/806,929 US5956362A (en) | 1996-02-27 | 1997-02-26 | Semiconductor light emitting device and method of etching |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03944596A JP3475637B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 半導体構造体および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09232633A JPH09232633A (ja) | 1997-09-05 |
JP3475637B2 true JP3475637B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=12553227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03944596A Expired - Fee Related JP3475637B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 半導体構造体および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3475637B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6876003B1 (en) | 1999-04-15 | 2005-04-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, method of manufacturing transparent conductor film and method of manufacturing compound semiconductor light-emitting device |
-
1996
- 1996-02-27 JP JP03944596A patent/JP3475637B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09232633A (ja) | 1997-09-05 |
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