JP3472802B2 - サイアロン焼結体の製造法 - Google Patents
サイアロン焼結体の製造法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、自動車エンジ
ン、化学プラント、切削工具、精密機械等の分野におい
て利用されるサイアロン焼結体の製造法に関するもので
ある。
ン、化学プラント、切削工具、精密機械等の分野におい
て利用されるサイアロン焼結体の製造法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】サイアロンは、窒化ケイ素の固溶体であ
り、耐摩耗性や耐食性に優れた材料である。特に、α−
型窒化ケイ素の固溶体であるα−サイアロンは硬度が高
く耐摩耗性材料として優れている。α−型窒化ケイ素に
固溶してその構造を安定化する金属は、Ｌｉ，Ｍｇ，Ｃ
ａ，Ｙ，ランタニド金属（ＬａとＣｅを除く）が知ら
れ、α−型窒化ケイ素の単位格子内に２個存在する大き
な空孔の一部に侵入型固溶する。
り、耐摩耗性や耐食性に優れた材料である。特に、α−
型窒化ケイ素の固溶体であるα−サイアロンは硬度が高
く耐摩耗性材料として優れている。α−型窒化ケイ素に
固溶してその構造を安定化する金属は、Ｌｉ，Ｍｇ，Ｃ
ａ，Ｙ，ランタニド金属（ＬａとＣｅを除く）が知ら
れ、α−型窒化ケイ素の単位格子内に２個存在する大き
な空孔の一部に侵入型固溶する。
【０００３】Ｙを固溶したα−サイアロンは最も多く研
究され、本特許出願の発明者の一人（三友）等の発明
（特許１６２８３７４号）はすでに実用化されている。
その後、ＬａまたはＣｅは、上記の既知の金属と同時添
加するとその一部が固溶する事実が報告されている。た
とえば、ＣｅをＹと同時に添加すると、そのＹとＣｅで
安定化されたα−サイアロンが得られる（Journal of E
uropean Ceramic Society, 8巻、3-9 頁(1991)）。ただ
し、この材料の硬度は報告されていない。
究され、本特許出願の発明者の一人（三友）等の発明
（特許１６２８３７４号）はすでに実用化されている。
その後、ＬａまたはＣｅは、上記の既知の金属と同時添
加するとその一部が固溶する事実が報告されている。た
とえば、ＣｅをＹと同時に添加すると、そのＹとＣｅで
安定化されたα−サイアロンが得られる（Journal of E
uropean Ceramic Society, 8巻、3-9 頁(1991)）。ただ
し、この材料の硬度は報告されていない。
【０００４】α−サイアロンの格子寸法は、固溶によっ
て大きな変化はないので、イオン半径の大きな金属ほど
原子密度が大きくなり高硬度であると予想される。した
がって、ＬａやＣｅ単独で安定化されたα−サイアロン
を合成する目的で研究が進められて来た。最近になっ
て、高温から急冷するとＣｅで安定化されたα−サイア
ロン（Ｃｅ−α−サイアロン）が合成できることが報告
された（Journal of Materials Science Letters,15巻,
1435-1438頁(1996))。しかし、Ｃｅ−α−サイアロンの
含有率は２０％程度であり、残りの大部分はβ−サイア
ロンであり、一部はＡｌＮのポリタイプである２１Ｒで
あった。
て大きな変化はないので、イオン半径の大きな金属ほど
原子密度が大きくなり高硬度であると予想される。した
がって、ＬａやＣｅ単独で安定化されたα−サイアロン
を合成する目的で研究が進められて来た。最近になっ
て、高温から急冷するとＣｅで安定化されたα−サイア
ロン（Ｃｅ−α−サイアロン）が合成できることが報告
された（Journal of Materials Science Letters,15巻,
1435-1438頁(1996))。しかし、Ｃｅ−α−サイアロンの
含有率は２０％程度であり、残りの大部分はβ−サイア
ロンであり、一部はＡｌＮのポリタイプである２１Ｒで
あった。
【０００５】このように、ＬａまたはＣｅで安定化され
たα−サイアロンを主成分として高硬度である焼結体は
合成されていない。また、従来技術では、α−サイアロ
ンの合成は高温で行われ、２１Ｒのように耐酸化性の低
い副生成物が混入することは避けられなかった。
たα−サイアロンを主成分として高硬度である焼結体は
合成されていない。また、従来技術では、α−サイアロ
ンの合成は高温で行われ、２１Ｒのように耐酸化性の低
い副生成物が混入することは避けられなかった。
【０００６】α−サイアロンは、Ｓｉ3Ｎ4−ＡｌＮ−Ａ
l2Ｏ3−金属酸化物系の所定の割合の混合粉末を窒素雰
囲気中で高温に加熱し、焼結と同時に固溶反応を起こさ
せて焼結体が製造される。ＣｅＯ2を酸化物として使用
した場合には、通常の焼結法ではα−サイアロンが合成
できない。また、高温から急冷してもＣｅで安定化され
たα−サイアロンを主成分とする焼結体は合成できない
うえ、２１Ｒポリタイプの共存は避けられない。
l2Ｏ3−金属酸化物系の所定の割合の混合粉末を窒素雰
囲気中で高温に加熱し、焼結と同時に固溶反応を起こさ
せて焼結体が製造される。ＣｅＯ2を酸化物として使用
した場合には、通常の焼結法ではα−サイアロンが合成
できない。また、高温から急冷してもＣｅで安定化され
たα−サイアロンを主成分とする焼結体は合成できない
うえ、２１Ｒポリタイプの共存は避けられない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Ｃｅで安定
化されたα−サイアロン以外にはβ−サイアロンおよび
粒界のガラス相のみから構成される高硬度で耐摩耗性に
優れたサイアロン焼結体の製造法を提供することを目的
とする。
化されたα−サイアロン以外にはβ−サイアロンおよび
粒界のガラス相のみから構成される高硬度で耐摩耗性に
優れたサイアロン焼結体の製造法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明者等は、Ｃｅ−α−サイアロンの反応過程を
検討し、固溶体の生成が核形成段階に大きく依存するこ
とを見出した。すなわち、従来の焼結法で合成できなか
ったのは、前記固溶体が熱力学的に安定でないためでな
く、核形成の駆動力が十分でなかったためであることを
明確にした。そして、所定の割合のＳｉ3Ｎ4−ＡｌＮ−
Ａｌ2Ｏ3−ＣｅＯ2系の原料粉末に予め合成したα−サ
イアロン粉末を粒成長の核として添加するとＣｅ−α−
サイアロンが成長するため、目的のサイアロン焼結体が
製造できた。
め、本発明者等は、Ｃｅ−α−サイアロンの反応過程を
検討し、固溶体の生成が核形成段階に大きく依存するこ
とを見出した。すなわち、従来の焼結法で合成できなか
ったのは、前記固溶体が熱力学的に安定でないためでな
く、核形成の駆動力が十分でなかったためであることを
明確にした。そして、所定の割合のＳｉ3Ｎ4−ＡｌＮ−
Ａｌ2Ｏ3−ＣｅＯ2系の原料粉末に予め合成したα−サ
イアロン粉末を粒成長の核として添加するとＣｅ−α−
サイアロンが成長するため、目的のサイアロン焼結体が
製造できた。
【０００９】本発明は、Ｃｅ−α−サイアロンに相当す
る原料粉末にα−サイアロン粉末を核として添加し、高
温で焼結することによりＣｅ−α−サイアロンを含有す
るサイアロン焼結体を製造するものである。
る原料粉末にα−サイアロン粉末を核として添加し、高
温で焼結することによりＣｅ−α−サイアロンを含有す
るサイアロン焼結体を製造するものである。
【００１０】すなわち、本発明は、Ｓｉ３Ｎ４−ＡｌＮ
−Ａｌ２O３−ＣｅO２系の混合粉末に、α−サイアロン
粉末を０．２〜３０重量％を加え、窒素雰囲気中におい
て１５００〜２０００℃で焼結することによりＣｅで安
定化されたα−サイアロンを含有するサイアロン焼結体
の製造法である。
−Ａｌ２O３−ＣｅO２系の混合粉末に、α−サイアロン
粉末を０．２〜３０重量％を加え、窒素雰囲気中におい
て１５００〜２０００℃で焼結することによりＣｅで安
定化されたα−サイアロンを含有するサイアロン焼結体
の製造法である。
【００１１】また、本発明は、原料粉末中の窒化ケイ素
（Ｓｉ3Ｎ4）：窒化アルミニウム（ＡｌＮ）：アルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）：酸化セリウム（ＣｅＯ2）がモル比で３
〜１２：４〜６：０〜０．５：１の範囲内である上記の
サイアロン焼結体の製造法である。
（Ｓｉ3Ｎ4）：窒化アルミニウム（ＡｌＮ）：アルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）：酸化セリウム（ＣｅＯ2）がモル比で３
〜１２：４〜６：０〜０．５：１の範囲内である上記の
サイアロン焼結体の製造法である。
【００１２】また、本発明は、Ｃｅで安定化されたα−
サイアロン以外の物質がβ−サイアロンおよび粒界のガ
ラス相からなる上記のサイアロン焼結体の製造法であ
る。
サイアロン以外の物質がβ−サイアロンおよび粒界のガ
ラス相からなる上記のサイアロン焼結体の製造法であ
る。
【００１３】また、本発明は、プラズマ焼結炉を用い、
１気圧以下の窒素中で１５００〜１８５０℃において１
〜６０分間焼結する上記のサイアロン焼結体の製造法で
ある。
１気圧以下の窒素中で１５００〜１８５０℃において１
〜６０分間焼結する上記のサイアロン焼結体の製造法で
ある。
【００１４】また、本発明は、１気圧の窒素中で１６５
０〜１８５０℃で常圧焼結またはホットプレス焼結する
上記のサイアロン焼結体の製造法である。
０〜１８５０℃で常圧焼結またはホットプレス焼結する
上記のサイアロン焼結体の製造法である。
【００１５】また、本発明は、加圧窒素下で焼結する際
に、２気圧の窒素中で１６５０〜１７５０℃、５気圧の
窒素中で１７５０〜１８５０℃、１０気圧の窒素中で１
８５０〜２０００℃の温度範囲のいずれかにおいてガス
圧焼結する上記のサイアロン焼結体の製造法である。
に、２気圧の窒素中で１６５０〜１７５０℃、５気圧の
窒素中で１７５０〜１８５０℃、１０気圧の窒素中で１
８５０〜２０００℃の温度範囲のいずれかにおいてガス
圧焼結する上記のサイアロン焼結体の製造法である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に述べ
る．原料粉末は、Ｓｉ3Ｎ4−ＡｌＮ−Ａｌ2Ｏ3−ＣｅＯ
2 系とする。ＣｅＯ2は高温で熱分解し、Ｃｅ2Ｏ3とな
り、他の３価のランタニド金属と同様に、ある組成範囲
内で固溶体を形成することができる。その組成範囲は、
モル比でそれぞれ３〜１２：４〜６：０〜０．５：１と
する。この組成比の範囲外では、焼結体内にα−サイア
ロンは生成せず、β−サイアロンまたはβ−Ｓｉ3 Ｎ4
が主成分の焼結体となる。
る．原料粉末は、Ｓｉ3Ｎ4−ＡｌＮ−Ａｌ2Ｏ3−ＣｅＯ
2 系とする。ＣｅＯ2は高温で熱分解し、Ｃｅ2Ｏ3とな
り、他の３価のランタニド金属と同様に、ある組成範囲
内で固溶体を形成することができる。その組成範囲は、
モル比でそれぞれ３〜１２：４〜６：０〜０．５：１と
する。この組成比の範囲外では、焼結体内にα−サイア
ロンは生成せず、β−サイアロンまたはβ−Ｓｉ3 Ｎ4
が主成分の焼結体となる。
【００１７】さらに、原料を上記組成範囲内に制御して
高温焼結してもα−サイアロンは生成しない。Ｃｅ−α
−サイアロンが生成しないのは、Ｃｅ3+イオンの半径が
大きすぎるためその構造が不安定であると考えられて来
た。そこで、予め合成したα−サイアロンを０．２〜３
０重量％添加するとＣｅが固溶したα−サイアロンがそ
の上に成長する。
高温焼結してもα−サイアロンは生成しない。Ｃｅ−α
−サイアロンが生成しないのは、Ｃｅ3+イオンの半径が
大きすぎるためその構造が不安定であると考えられて来
た。そこで、予め合成したα−サイアロンを０．２〜３
０重量％添加するとＣｅが固溶したα−サイアロンがそ
の上に成長する。
【００１８】本発明で明らかにしたように、核形成のた
めに大きな活性化エネルギーが必要であり、核形成段階
が律速であったために生成できなかつたものと考えられ
る。核はα−サイアロンであればよい。添加するα−サ
イアロンが０．２重量％以下では添加の効果がなく、３
０重量％以上では製品が高価となる。望ましい量は３〜
１０重量％である。
めに大きな活性化エネルギーが必要であり、核形成段階
が律速であったために生成できなかつたものと考えられ
る。核はα−サイアロンであればよい。添加するα−サ
イアロンが０．２重量％以下では添加の効果がなく、３
０重量％以上では製品が高価となる。望ましい量は３〜
１０重量％である。
【００１９】Ｃｅ−α−サイアロンは高硬度と予想され
るので、焼結体内の含有率は高いほど望ましい。しか
し、現状では結晶相としてα−サイアロンのみの焼結体
は得られない。残りはβ−サイアロンおよび粒界に残存
するガラス相となる。従来の報告のように、高温焼結で
熱分解が進むと、α−サイアロンやβ−サイアロンのみ
でなく耐酸化性や耐摩耗性の劣る２１Ｒ等のポリタイプ
が副生する。この２１Ｒの生成を抑制するには、焼結過
程で熱分解が進行するのを抑制するため十分な窒素ガス
圧下で加熱する必要がある。
るので、焼結体内の含有率は高いほど望ましい。しか
し、現状では結晶相としてα−サイアロンのみの焼結体
は得られない。残りはβ−サイアロンおよび粒界に残存
するガラス相となる。従来の報告のように、高温焼結で
熱分解が進むと、α−サイアロンやβ−サイアロンのみ
でなく耐酸化性や耐摩耗性の劣る２１Ｒ等のポリタイプ
が副生する。この２１Ｒの生成を抑制するには、焼結過
程で熱分解が進行するのを抑制するため十分な窒素ガス
圧下で加熱する必要がある。
【００２０】焼結法は、焼結および反応が十分進行し、
かつ２１Ｒの生成が抑制できればよいが、プラズマ焼
結、ホットプレス、常圧焼結、ガス圧焼結が適当であ
る。プラズマ焼結は急速加熱が可能なので、比較的低温
・短時間の焼結で高密度化できる。プラズマ焼結は、１
気圧以下の窒素中で１５００〜１８５０℃、好ましくは
１６００〜１８５０℃に１〜６０分焼結するが、低温ほ
ど長時間加熱する必要がある。１６００〜１７００℃で
は４５〜６０分、１７００〜１８００℃では１０〜３０
分、１８５０℃では１〜１０分程度である。
かつ２１Ｒの生成が抑制できればよいが、プラズマ焼
結、ホットプレス、常圧焼結、ガス圧焼結が適当であ
る。プラズマ焼結は急速加熱が可能なので、比較的低温
・短時間の焼結で高密度化できる。プラズマ焼結は、１
気圧以下の窒素中で１５００〜１８５０℃、好ましくは
１６００〜１８５０℃に１〜６０分焼結するが、低温ほ
ど長時間加熱する必要がある。１６００〜１７００℃で
は４５〜６０分、１７００〜１８００℃では１０〜３０
分、１８５０℃では１〜１０分程度である。
【００２１】ホットプレスや常圧焼結法では、１気圧の
窒素中で１６５０〜１８５０℃で焼結する。ガス圧焼結
では、高温で焼結するほど雰囲気の窒素圧を高圧にする
必要がある。２気圧の窒素中で１６５０〜１７５０℃、
５気圧の窒素中で１７５０〜１８５０℃、１０気圧の窒
素中で１８５０〜２０００℃の温度範囲が望ましい。
窒素中で１６５０〜１８５０℃で焼結する。ガス圧焼結
では、高温で焼結するほど雰囲気の窒素圧を高圧にする
必要がある。２気圧の窒素中で１６５０〜１７５０℃、
５気圧の窒素中で１７５０〜１８５０℃、１０気圧の窒
素中で１８５０〜２０００℃の温度範囲が望ましい。
【００２２】
【実施例】以下、実施例を挙げてさらに具体的に本発明
を説明する。 実施例１〜３ 市販されているβ型微粉末（電気化学製、ＳＮ−Ｐ２１
ＦＣ）から沈降法および遠心分級により平均粒径０．２
５ミクロンの微粉を分離した。この粉末１３モルに窒化
アルミニウム９モルと酸化セリウム（ＣｅＯ2）２モル
を加えた。さらに、この粉末に表１に示す各実施例ごと
の量のＹ−α−サイアロン粉末（宇部興産製、ＳＮ−Ｓ
Ｙ５）を添加し、ヘキサンを溶媒として分散した後、窒
化ケイ素製の遊星型ボールミルで２時間混合した。
を説明する。 実施例１〜３ 市販されているβ型微粉末（電気化学製、ＳＮ−Ｐ２１
ＦＣ）から沈降法および遠心分級により平均粒径０．２
５ミクロンの微粉を分離した。この粉末１３モルに窒化
アルミニウム９モルと酸化セリウム（ＣｅＯ2）２モル
を加えた。さらに、この粉末に表１に示す各実施例ごと
の量のＹ−α−サイアロン粉末（宇部興産製、ＳＮ−Ｓ
Ｙ５）を添加し、ヘキサンを溶媒として分散した後、窒
化ケイ素製の遊星型ボールミルで２時間混合した。
【００２３】混合物を乾燥後、黒鉛型の内部にＢＮを塗
布し、上下にカーボン膜つけ３００気圧のプレス圧下に
おいて、１気圧の窒素中で放電プラズマを発生させて加
熱焼結した。加熱および冷却速度は約３００℃／分であ
った。
布し、上下にカーボン膜つけ３００気圧のプレス圧下に
おいて、１気圧の窒素中で放電プラズマを発生させて加
熱焼結した。加熱および冷却速度は約３００℃／分であ
った。
【００２４】焼結体の相対密度は９９％以上であった。
焼結体内の結晶相は粉砕した試料をＸ線回折で調べ、す
べてα−サイアロンやβ−サイアロンのみであることを
確認した。硬度は、ダイヤモンド（ビッカース）圧子を
１ｋｇの荷重で押し込んで測定した。結果は、表１に示
すように、すべて窒化ケイ素系材料の１５〜１６ＧＰａ
より高い値が得られた。
焼結体内の結晶相は粉砕した試料をＸ線回折で調べ、す
べてα−サイアロンやβ−サイアロンのみであることを
確認した。硬度は、ダイヤモンド（ビッカース）圧子を
１ｋｇの荷重で押し込んで測定した。結果は、表１に示
すように、すべて窒化ケイ素系材料の１５〜１６ＧＰａ
より高い値が得られた。
【００２５】
【表１】
【００２６】実施例４〜６
市販されているα型微粉末（宇部興産製、ＳＮ−Ｅ１
０）、実施例１に使用した窒化アルミニウムと酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2 ）およびアルミナ（住友化学製、ＡＫＰ
−２０）を所定比に混合した。さらに、この粉末に所定
量のＹ−α−サイアロン（宇部興産製、ＳＮ−ＳＹ５）
を添加し、ヘキサンを溶媒として分散した後、窒化ケイ
素製の遊星型ボールミルで２時間混合した。混合物を乾
燥後、表２に示す焼結法で処理した。
０）、実施例１に使用した窒化アルミニウムと酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2 ）およびアルミナ（住友化学製、ＡＫＰ
−２０）を所定比に混合した。さらに、この粉末に所定
量のＹ−α−サイアロン（宇部興産製、ＳＮ−ＳＹ５）
を添加し、ヘキサンを溶媒として分散した後、窒化ケイ
素製の遊星型ボールミルで２時間混合した。混合物を乾
燥後、表２に示す焼結法で処理した。
【００２７】
【表２】
【００２８】ホットブレス法ではＢＮを塗布した黒鉛型
に充填し、２００気圧のプレス圧を加えた。雰囲気の窒
素圧は、ホットプレスおよび常圧焼結では１気圧、ガス
圧焼結では１０気圧とした。加熱速度は３０℃／分であ
った。焼結法および焼結条件は表２に示した。結果は表
３に示すように、高硬度のＣｅ−α−サイアロンが得ら
れた。
に充填し、２００気圧のプレス圧を加えた。雰囲気の窒
素圧は、ホットプレスおよび常圧焼結では１気圧、ガス
圧焼結では１０気圧とした。加熱速度は３０℃／分であ
った。焼結法および焼結条件は表２に示した。結果は表
３に示すように、高硬度のＣｅ−α−サイアロンが得ら
れた。
【００２９】
【表３】
【００３０】比較例
実施例１および４の原料粉末にα−サイアロン粉末を添
加せず、実施例１と同じ条件でプラズマ焼結すると、相
対密度が９９％以上の焼結体となった。Ｘ線回折で結晶
組成を調べると、β−サイアロンのみであった。このよ
うに、核となるα−サイアロンを添加しないとＣｅ−α
−サイアロンは全く生成しなかった。
加せず、実施例１と同じ条件でプラズマ焼結すると、相
対密度が９９％以上の焼結体となった。Ｘ線回折で結晶
組成を調べると、β−サイアロンのみであった。このよ
うに、核となるα−サイアロンを添加しないとＣｅ−α
−サイアロンは全く生成しなかった。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭62−46966（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−263764（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−208341（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/599
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｓｉ ３ Ｎ ４ −ＡｌＮ−Ａｌ ２ O ３ −Ｃ
ｅO ２ 系の混合粉末に、α−サイアロン粉末を０．２〜
３０重量％を加え、窒素雰囲気中において焼結すること
を特徴とするＣｅで安定化されたα−サイアロンを含有
するサイアロン焼結体の製造法。 - 【請求項２】 原料粉末中の窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）：
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）：アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）：
酸化セリウム（ＣｅＯ2）がモル比で３〜１２：４〜
６：０〜０．５：１の範囲内である請求項１記載のサイ
アロン焼結体の製造法。 - 【請求項３】 Ｃｅで安定化されたα−サイアロン以外
の物質がβ−サイアロンおよび粒界のガラス相からなる
請求項１記載のサイアロン焼結体の製造法。 - 【請求項４】 プラズマ焼結炉を用い、１気圧以下の窒
素中で１５００〜１８５０℃において１〜６０分間焼結
する請求項１記載のサイアロン焼結体の製造法。 - 【請求項５】 １気圧の窒素中で１６５０〜１８５０℃
で常圧焼結またはホットプレス焼結する請求項１記載の
サイアロン焼結体の製造法。 - 【請求項６】 加圧窒素下で焼結する際に、２気圧の窒
素中で１６５０〜１７５０℃、５気圧の窒素中で１７５
０〜１８５０℃、１０気圧の窒素中で１８５０〜２００
０℃の温度範囲のいずれかにおいてガス圧焼結する請求
項１記載のサイアロン焼結体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000081828A JP3472802B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | サイアロン焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000081828A JP3472802B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | サイアロン焼結体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001261447A JP2001261447A (ja) | 2001-09-26 |
| JP3472802B2 true JP3472802B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=18598706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000081828A Expired - Lifetime JP3472802B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | サイアロン焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3472802B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7074346B2 (en) | 2003-02-06 | 2006-07-11 | Ube Industries, Ltd. | Sialon-based oxynitride phosphor, process for its production, and use thereof |
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-
2000
- 2000-03-17 JP JP2000081828A patent/JP3472802B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001261447A (ja) | 2001-09-26 |
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