JP3469803B2 - Coating and developing apparatus operating method and coating and developing apparatus - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板にレジストを
塗布し、露光後の基板に対して現像を行う装置及びその
運転方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for applying a resist to a substrate and developing the exposed substrate, and an operating method thereof.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程の一つであるフォトレジ
スト工程においては、半導体ウエハ（以下ウエハとい
う）上に形成された薄膜上にレジストを塗布し、レジス
ト膜を所定のパタ−ンで露光した後、現像してマスクパ
タ−ンを形成している。このような処理は、一般にレジ
ストの塗布及び現像を行う塗布、現像装置に露光装置を
接続したシステムを用いて行われる。2. Description of the Related Art In a photoresist process, which is one of semiconductor manufacturing processes, a resist is applied on a thin film formed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) and the resist film is exposed by a predetermined pattern. After that, development is performed to form a mask pattern. Such processing is generally performed using a system in which an exposure device is connected to a coating / developing device for coating and developing a resist.

【０００３】一方最近において化学増幅型のレジスト材
料が検討されている。このレジスト材料は、露光するこ
とにより感光剤から酸が生成し、この酸が加熱処理によ
り拡散して触媒として作用し、レジスト材料の主成分で
あるベ−ス樹脂を分解したり分子構造を変えて現像液に
対して可溶化あるいは不可溶化するものである。具体例
を挙げると、例えばポリビニルフェノ−ルなどのポリマ
−中の水酸基をアルカリ基やシリル基でブロックし、酸
によりこのブロックを外してアルカリ可溶性を回復させ
るものなど、多数提案されている。この種のレジストを
用いれば、原理的に微細な線幅に対応することができる
利点がある。On the other hand, recently, chemically amplified resist materials have been investigated. This resist material produces an acid from the photosensitizer when exposed to light, and this acid diffuses by heat treatment to act as a catalyst, decomposing the base resin which is the main component of the resist material, and changing the molecular structure. It is solubilized or insoluble in the developing solution. As a specific example, many proposals have been made, for example, in which a hydroxyl group in a polymer such as polyvinylphenol is blocked with an alkali group or a silyl group, and the block is removed with an acid to restore alkali solubility. The use of this type of resist has an advantage that it is possible to cope with a fine line width in principle.

【０００４】ところで化学増幅型のレジストを用いる場
合、クリ−ンル−ムの壁の塗料に用いられるエチレンジ
アミンや疎水化処理に用いられるＨＭＤＳ（ヘキサメチ
ルジシラザン）から発生するアミンなどのアルカリ成分
がレジスト膜の表面付近の酸と接触すると、酸による触
媒反応を抑制し、パタ−ン形状を劣化させてしまう。こ
のため塗布、現像装置においては、現像部や前処理であ
る加熱処理を行う加熱部などを筐体で囲まれた空間に配
置し、酸を添加したフィルタ（ケミカルフィルタなどと
呼ばれている）を前記空間の上部に設けてこのフィルタ
を通じて清浄空気を流すようにし、更に筐体内を陽圧に
して外気の侵入を防いでいる。また疎水化処理部は、例
えばユニットの回りをカバ−で覆ってアミンが露光後の
基板の搬送領域に漏洩しないような工夫もなされてい
る。By the way, when a chemically amplified resist is used, an alkaline component such as an ethylene diamine used for a paint on a wall of a clean room or an amine generated from HMDS (hexamethyldisilazane) used for a hydrophobic treatment is used as a resist. Contact with an acid in the vicinity of the surface of the film suppresses the catalytic reaction due to the acid and deteriorates the pattern shape. Therefore, in the coating / developing apparatus, a developing section and a heating section for performing a heat treatment as a pretreatment are arranged in a space surrounded by a housing, and an acid-added filter (called a chemical filter or the like) is used. Is provided above the space to allow clean air to flow through the filter, and a positive pressure is applied to the inside of the housing to prevent outside air from entering. Further, the hydrophobizing unit is designed so that the unit is covered with, for example, a cover so that the amine does not leak to the transport region of the substrate after exposure.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら露光後の
基板の搬送領域に何らかのトラブルによりアミンが混入
して基板を汚染すると、予定とするパタ−ンが得られ
ず、そのままにしておくと検査が不合格になり基板の再
生処理の負担が大きくなってしまう。またパタ−ン検査
結果の後アミン混入の原因を究明すると対処が遅れてし
まい、パタ−ン欠陥の基板が多くなってしまい、結果と
してスル−プットが低くなってしまう。However, if the substrate is contaminated due to some trouble in the transport area of the substrate after exposure due to some trouble, the expected pattern cannot be obtained, and if left as it is, the inspection is unsuccessful. The result is a pass, and the burden of reprocessing the substrate increases. Further, if the cause of the amine mixture is investigated after the pattern inspection result, the countermeasure will be delayed, the number of pattern defective substrates will increase, and as a result, the throughput will decrease.

【０００６】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は基板の搬送領域や処理領域にアミ
ンが混入したときに迅速に対処することのできる技術を
提供することにある。The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a technique capable of promptly dealing with the case where amine is mixed in the transfer area or the processing area of the substrate. .

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
に対してアミンを含むガスにより疎水化処理を行う疎水
化処理部、疎水化処理された基板にレジストを塗布する
塗布処理部、露光後の基板を現像する現像処理部、及び
基板の搬送領域が筐体内に設けられ、筐体内は外部に対
して陽圧に保たれている塗布、現像装置において、前記
筐体内のアミン濃度をアミン濃度測定部により測定する
工程と、この工程で測定されたアミン濃度測定値が予め
設定した設定濃度以上となったときに、前記筐体と外部
との差圧の異常の有無を判断する工程、または前記疎水
化処理部の状態を不具合検出手段により判断する工程の
少なくとも一方を行う工程と、を含むことを特徴とする
塗布、現像装置の運転方法である。According to a first aspect of the present invention, there is provided a hydrophobizing section for hydrophobizing a substrate with a gas containing an amine, a coating section for applying a resist to the hydrophobized substrate, A development processing unit for developing the exposed substrate and a substrate transfer region are provided in the housing, and the inside of the housing is kept at a positive pressure with respect to the coating / developing apparatus. A step of measuring with an amine concentration measuring unit, and a step of determining whether or not there is an abnormality in the differential pressure between the housing and the outside when the amine concentration measurement value measured in this step is equal to or higher than a preset set concentration Or a step of performing at least one of the steps of determining the state of the hydrophobization processing section by a defect detecting means, the operating method of the coating / developing apparatus.

【０００８】請求項２の発明は、請求項１の発明を更に
具体化したものであり、基板に対してアミンを含むガス
により疎水化処理を行う疎水化処理部、疎水化処理され
た基板にレジストを塗布する塗布処理部、露光後の基板
を現像する現像処理部、及び基板の搬送領域が筐体内に
設けられ、筐体内は外部に対して陽圧に保たれていると
共に外部から筐体内にアミンが侵入するのを防止するた
めのフィルタを備えた塗布、現像装置において、疎水化
処理中に前記筐体内のアミン濃度をアミン濃度測定部に
より測定する第１の工程と、疎水化処理を終了して所定
時間経過後に前記アミン濃度測定部によりアミン濃度を
測定する第２の工程と、第１の工程におけるアミン濃度
の測定値が設定値以上で第２の工程におけるアミン濃度
の測定値が設定値よりも低いときには、疎水化処理部に
不具合があると認識し、また第１の工程及び第２の工程
におけるアミン濃度の測定値がいずれも設定値以上であ
るときには、筐体と外部との差圧の異常の有無を判断す
るかまたは前記フィルタの状態を不具合検出手段により
判断するかの少なくとも一方を行う工程と、を含むこと
を特徴とする塗布、現像装置の運転方法である。According to a second aspect of the present invention, the invention of the first aspect is further embodied, and a hydrophobic treatment portion and a hydrophobic treatment for subjecting the substrate to a hydrophobic treatment with a gas containing an amine. A coating processing unit for coating a resist on the exposed substrate, a development processing unit for developing the exposed substrate, and a substrate transfer region are provided inside the housing, and the inside of the housing is kept at a positive pressure with respect to the outside. In a coating / developing apparatus equipped with a filter for preventing an amine from entering the housing from the outside, a first step of measuring the amine concentration in the housing by a amine concentration measuring unit during a hydrophobic treatment, A second step of measuring the amine concentration by the amine concentration measuring unit after a lapse of a predetermined time after finishing the hydrophobic treatment, and a measured value of the amine concentration in the first step is not less than a set value and the amine concentration in the second step. The measured value of When the value is lower than the value, it is recognized that there is a problem in the hydrophobization processing section, and when the measured values of the amine concentration in the first step and the second step are both above the set value, the case and the outside And at least one of determining whether or not there is an abnormality in the differential pressure and determining the state of the filter by the defect detecting means.

【０００９】このような発明によれば、レジストパタ−
ンに悪影響を与えるアミンが基板の搬送領域や処理領域
に侵入したことを即座に検知し、その原因が例えば筐体
の陽圧度の低下によるものか、疎水化処理部の不具合に
よるものかをいち早く予測あるいは把握することがで
き、従ってその後迅速な対応を取ることができる。According to such an invention, the resist pattern
Immediately detects that an amine, which has a negative impact on the substrate, has entered the transfer area or processing area of the substrate, and determines whether the cause is, for example, a decrease in the positive pressure of the housing or a defect in the hydrophobization processing section. You can quickly predict or grasp, and then take prompt action.

【００１０】請求項２の発明においては、筐体と外部と
の差圧の異常の有無を判断するかまたは前記フィルタの
状態を不具合検出手段により判断するかのいずれか一方
を行った結果、正常であれば他方の判断を行うようにし
てもよい。また疎水化処理部に不具合があると認識した
ときには、疎水化処理部の状態を不具合検出手段により
判断して不具合があるか否かを確認するようにしてもよ
い。According to the second aspect of the present invention, as a result of performing either of the determination of whether there is an abnormality in the differential pressure between the housing and the outside or the determination of the state of the filter by the defect detecting means, the result is normal. If so, the other determination may be performed. Further, when it is recognized that there is a defect in the hydrophobization processing unit, the condition of the hydrophobization processing unit may be determined by the defect detection unit to check whether or not there is a defect.

【００１１】疎水化処理部に不具合があると認識したと
き、筐体と外部との差圧が異常であると判断したとき、
フィルタの状態がを不具合検出手段により不具合である
と判断されたときには夫々その旨を表示部に表示するこ
とが好ましい。なお疎水化処理部の状態を判断する不具
合検出手段は、例えば疎水化処理部の近傍にガス採取口
を備えたアミン濃度測定部である。本発明の塗布、現像
装置は、基板に対してアミンを含むガスにより疎水化処
理を行う疎水化処理部と、疎水化処理された基板にレジ
ストを塗布する塗布処理部と、前記基板を加熱処理する
加熱処理部と、露光後の基板を現像する現像処理部と、
を備え、前記各処理部と前記基板を搬送する搬送領域と
を囲む筐体と、この筐体に設けられ、装置外部の空気を
取り込むためのファン及びフィルタを有する天井部と、
前記筐体内の空気を採取する複数のガス採取口を備え、
前記筐体内のアミンの濃度を測定するアミン濃度測定部
と、前記ガス採取口は、前記疎水化処理部の近傍と前記
搬送領域と前記フィルタの吹き出し面近傍とに設けられ
ていることを特徴。この発明において、前記アミン濃度
測定部の前記ガス採取口のチューブは、例えば前記複数
のガス採取口から採取される空気を切り替えるバルブを
有している。 When it is recognized that there is a defect in the hydrophobization processing unit, when it is determined that the differential pressure between the housing and the outside is abnormal,
When the condition of the filter is determined to be defective by the defect detecting means, it is preferable to display that fact on the display unit. The malfunction detecting means for determining the state of the hydrophobizing unit is, for example, an amine concentration measuring unit having a gas sampling port near the hydrophobizing unit. Coating and development of the present invention
The device uses a gas containing amine to hydrophobize the substrate.
The hydrophobic processing section that performs the processing and the substrate that has been subjected to the hydrophobic processing are registered.
A coating processing unit for coating a strike and heat treatment of the substrate
A heat treatment section, a development treatment section for developing the exposed substrate,
And a transfer area for transferring the respective processing units and the substrate.
The enclosure surrounding the enclosure and the air provided outside
A ceiling part having a fan and a filter for taking in,
A plurality of gas sampling ports for sampling the air in the housing,
Amine concentration measuring unit for measuring the concentration of amine in the housing
And the gas sampling port is in the vicinity of the hydrophobic treatment section and
Provided in the transport area and near the blowing surface of the filter
It is characterized by In the present invention, the amine concentration
The tube of the gas sampling port of the measurement unit is, for example,
A valve that switches the air taken from the gas sampling port of
Have

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る塗布、現像
装置の運転方法の実施の形態に用いられる塗布、現像装
置１００を露光装置２００に接続してなる塗布、現像シ
ステムの全体の概略を示す斜視図、図２はこのシステム
の内部を示す平面図である。先ずこの装置の全体構成に
ついて簡単に説明する。塗布、現像装置１００は、複数
枚例えば２５枚の基板であるウエハＷが棚状に保持され
た搬送容器をなすウエハキャリア（以下単に「キャリ
ア」という）Ｃが搬入出されるキャリア搬入出部をなす
搬入出ステ−ジ１と、ウエハＷに対して塗布、現像処理
を行うための処理部２と、この処理部２と前記搬入出ス
テ−ジ１との間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡しア
−ム１１と、を備えている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an overall coating and developing system in which a coating and developing apparatus 100 used in an embodiment of a method for operating a coating and developing apparatus according to the present invention is connected to an exposure apparatus 200. FIG. 2 is a schematic perspective view, and FIG. 2 is a plan view showing the inside of this system. First, the overall configuration of this device will be briefly described. The coating / developing apparatus 100 serves as a carrier loading / unloading section for loading and unloading a wafer carrier (hereinafter simply referred to as “carrier”) C, which is a transport container holding a plurality of wafers W, which are, for example, 25 substrates, in a shelf shape. A loading / unloading stage 1, a processing unit 2 for coating and developing the wafer W, and a delivery unit for delivering the wafer W between the processing unit 2 and the loading / unloading stage 1. -Mum 11 and.

【００１３】処理部２は、中央にメイン搬送ア−ム２１
が設けられており、このメイン搬送ア−ムの前後（搬入
出ステ−ジ１から奥を見たときの方向で表わしてい
る。）には、夫々棚２２Ａ、２２Ｂが設けられている。
これら棚２２Ａ、２２Ｂは、複数のユニットが積み上げ
られて構成されており、図３に示すようにそれらユニッ
トに対してウエハを加熱する加熱ユニット１２、冷却ユ
ニット１３、ウエハの位置合わせをするための位置合わ
せユニット１４、疎水化ユニット３、受け渡しユニット
１５として割り当てられている。なお図３に示すユニッ
トの割り当てはイメ−ジを示す便宜上のもので、この割
り当てに拘束されるものではない。なお図２に示すよう
にガイドレ−ルＧＬに沿ってスライドできるように前記
棚２２Ａ、２２Ｂと同様な棚２２Ｃを設けてもよい。The processing section 2 has a main transfer arm 21 at the center.
Are provided, and shelves 22A and 22B are provided in front of and behind this main transfer arm (indicated by the direction when the back is seen from the loading / unloading stage 1 ).
These shelves 22A and 22B are configured by stacking a plurality of units, and as shown in FIG. 3, a heating unit 12 that heats a wafer, a cooling unit 13, and a wafer for aligning the units. It is assigned as the alignment unit 14, the hydrophobizing unit 3, and the delivery unit 15. Note that the unit allocation shown in FIG. 3 is for convenience of showing an image, and is not restricted to this allocation. As shown in FIG. 2, a shelf 22C similar to the shelves 22A and 22B may be provided so that it can slide along the guide rail GL.

【００１４】前記メイン搬送ア−ム２１の右側には、上
段側に２個の現像処理部をなす現像ユニット２３が設け
られ、下段側に２個の塗布ユニット２４が設けられてい
る。前記メイン搬送ア−ム２１は昇降自在、鉛直軸まわ
りに回転自在、進退自在に構成されており、ウエハＷを
棚２２Ａ〜２２Ｃの各ユニット、塗布ユニット２４及び
現像ユニット２３の間で受け渡す役割をもっている。ま
た塗布、現像装置１００はインターフェイス部２５を備
えており、処理部３はこのインターフェイス部２５を介
して露光装置に接続されている。このインターフェイス
部２５は、前記棚２２Ｂの受け渡しユニット１５と露光
装置２００との間をウエハＷを搬送するための搬送アー
ム２６を備えている。On the right side of the main carrying arm 21, there are provided a developing unit 23 which forms two developing processing units on the upper stage side and two coating units 24 on the lower stage side. The main transfer arm 21 is configured to be movable up and down, rotatable about a vertical axis, and movable back and forth, and serves to transfer the wafer W between the units of the shelves 22A to 22C, the coating unit 24, and the developing unit 23. I have The coating / developing apparatus 100 includes an interface section 25, and the processing section 3 is connected to the exposure apparatus via the interface section 25. The interface section 25 includes a transfer arm 26 for transferring the wafer W between the transfer unit 15 of the shelf 22B and the exposure apparatus 200.

【００１５】次にこの実施の形態の特徴部分に関連する
要部に関して説明する。塗布、現像装置１００の天井部
４は、フィルタ４１を備えており、ファン４２により装
置外部の空気（クリ−ンル−ム内の空気）を取り込んで
フィルタ４１を通じて装置内に流すように構成されてい
る。従って搬送ア−ム１１の搬送領域、処理部２及びイ
ンタ−フェイス部２５には清浄空気のダウンフロ−が形
成される。Next, a description will be given of a main part relating to the characteristic part of this embodiment. The ceiling 4 of the coating / developing apparatus 100 is provided with a filter 41, and is configured so that air outside the apparatus (air in the clean room) is taken in by a fan 42 and flows into the apparatus through the filter 41. There is. Therefore, a downflow of clean air is formed in the transfer area of the transfer arm 11, the processing section 2 and the interface section 25.

【００１６】図３ではフィルタ４１を模式的に描いてあ
るが、処理部２及びインタ−フェイス部２５に空気が流
れるフィルタ４１については実際にはパ−ティクル除去
用の清浄化フィルタとアミンやアンモニアなどのアルカ
リ成分を除去するために酸成分が添加されたフィルタ
（ケミカルフィルタ）とが含まれている。Although the filter 41 is schematically shown in FIG. 3, the filter 41 in which air flows to the processing section 2 and the interface section 25 is actually a cleaning filter for removing particles and an amine or ammonia. And a filter (chemical filter) to which an acid component has been added to remove an alkaline component such as.

【００１７】前記処理部２の前面側、後側（インタ−フ
ェイス部２５との境界）及びインタ−フェイス部２５の
後側（露光装置２００との境界）には夫々パネルＰ１、
Ｐ２及びＰ３が設けられている。処理部３は、これらパ
ネルＰ１、Ｐ２と装置の外装体をなすパネルＰ４と天井
部４とからなる筐体に囲まれており、インタ−フェイス
部２５はパネルＰ２、Ｐ３と装置の外装体をなすパネル
Ｐ４及び天井部４からなる筐体に囲まれている。そして
これらの筐体内が筐体の外部（装置外部）に対して陽圧
となるように例えば０．０２ｍｍＨ2 ０以上となるよう
にファン４２の回転数が設定されている。筐体内と外部
との差圧は、図２に示すように例えば処理部２及びイン
タ−フェイス部２５の各側壁部に設けた差圧測定部５に
より測定される。A panel P1 is provided on the front side of the processing section 2 , a rear side (a boundary with the interface section 25) and a panel P1 on a rear side (a boundary with the exposure apparatus 200) of the interface section 25, respectively.
P2 and P3 are provided. The processing unit 3 is surrounded by a housing composed of the panels P1 and P2, a panel P4 that forms an exterior body of the device, and a ceiling portion 4, and the interface unit 25 includes the panels P2 and P3 and the exterior body of the device. It is surrounded by a casing made up of an eggplant panel P4 and a ceiling portion 4. The rotation speed of the fan 42 is set so that the inside of these casings has a positive pressure with respect to the outside of the casing (outside of the apparatus), for example, 0.02 mmH20 or more. The differential pressure between the inside and the outside of the housing is measured, for example, by the differential pressure measuring unit 5 provided on each side wall of the processing unit 2 and the interface unit 25 as shown in FIG.

【００１８】次いで前記疎水化処理部３の構成につい
て、図４を参照しながら簡単に述べると、３１は蓋体３
１ａ及び下部容器３１ｂからなる密閉容器であり、蓋体
３１ａにはガス供給部３２が設けられている。ガス供給
部３２はガス供給管３３を介して図示しないガス供給源
に接続されている。３３ａはガス供給管の継手部であ
る。下部容器３１ｂ内にはウエハ載置台３４が設けられ
ており、その周囲には排気路３５が形成されている。密
閉容器３１はカバ−体３６により覆われており、カバ−
体３６には、シャッタ−３７で開閉されるウエハ搬送口
３８が形成されると共に排気管３９が接続されている。Next, the structure of the hydrophobizing section 3 will be briefly described with reference to FIG.
The lid 31a is provided with a gas supply unit 32, which is a closed container composed of 1a and a lower container 31b. The gas supply unit 32 is connected to a gas supply source (not shown) via a gas supply pipe 33. 33a is a joint portion of the gas supply pipe. A wafer mounting table 34 is provided inside the lower container 31b, and an exhaust path 35 is formed around the wafer mounting table 34. The closed container 31 is covered with a cover body 36,
A wafer transfer port 38 that is opened and closed by a shutter 37 is formed in the body 36, and an exhaust pipe 39 is connected to the body 36.

【００１９】この疎水化処理部３では、蓋体３１ａが上
昇し、ウエハＷは搬送口３８を介して載置台３４内に搬
入される。そしてシャッタ−３７が閉じると共に蓋体３
１ａが閉じ、ガス供給部３２から吸湿性ガス例えばＨＭ
ＤＳガス（ヘキサメチルジシラザンガス）がウエハＷ表
面に供給されて当該表面の水分が除去される。このＨＭ
ＤＳガスはアミン基を有しているため、外部に漏れない
ように密閉容器３１内を十分に排気してから蓋体３１ａ
が開かれ、またカバ−体３６も排気されている。In the hydrophobizing unit 3, the lid 31a is raised and the wafer W is loaded into the mounting table 34 via the transfer port 38. Then, the shutter 37 closes and the lid 3
1a is closed and a hygroscopic gas such as HM is fed from the gas supply unit 32.
The DS gas (hexamethyldisilazane gas) is supplied to the surface of the wafer W to remove the water content on the surface. This HM
Since the DS gas has an amine group, the inside of the closed container 31 is sufficiently exhausted so that it does not leak to the outside, and then the lid 31a.
Is opened, and the cover body 36 is also exhausted.

【００２０】ここで塗布、現像装置１００は、ウエハＷ
に塗布するレジストが「従来技術」の項目で述べた化学
増幅型レジストの場合アミンを嫌うため、アミン濃度測
定部を備えている。図５にアミン濃度測定部６の概略を
示す。即ち多孔性材料例えば商品名「テフロン」からな
るチュ−ブ６１の周囲をガラス管６２で覆うと共にガラ
ス管６２の中に純水６３（斜線部）を通流させ、チュ−
ブ６１の一端側であるガス採取口６０から測定対象とな
っている空気を図示しないポンプにより吸引して取込
み、この空気をチュ−ブ６１の孔を通じて純水中に溶け
込ませる。そしてこの純水を図示しない濃縮カラムで濃
縮し、イオンクロマトアナライザよりなる測定手段６５
により純粋中に溶け込んでいるアミン濃度を測定し、吸
気量に基づいて大気換算におけるアミン濃度を求める。Here, the coating / developing apparatus 100 is a wafer W.
In the case where the resist to be coated on is a chemically amplified resist described in the section of "Prior Art", amine is disliked, and therefore an amine concentration measuring unit is provided. FIG. 5 shows an outline of the amine concentration measuring unit 6. That is, the circumference of a tube 61 made of a porous material such as "Teflon" is covered with a glass tube 62, and pure water 63 (hatched portion) is passed through the glass tube 62 to form a tube.
The air to be measured is sucked and taken in from the gas sampling port 60 on one end side of the tube 61 by a pump (not shown), and this air is dissolved in pure water through the hole of the tube 61. Then, this pure water is concentrated by a concentrating column (not shown), and a measuring means 65 composed of an ion chromatograph analyzer.
The concentration of the amine dissolved in pure is measured by, and the amine concentration in the atmosphere is calculated based on the intake amount.

【００２１】この実施の形態では、ガス採取口６０が複
数設けられており、バルブＶの切り替えによって各ガス
採取口６０から順次ガス（この例では空気）を採取し、
空気中のアミン濃度を共通の測定手段６５により測定す
るようにしている。またガス採取口６０としては第１の
ガス採取口６０Ａ、第２のガス採取口６０Ｂ及び第３の
ガス採取口６０Ｃが用意されており、図２及び図３には
第１のガス採取口６０Ａ及び第３のガス採取口６０Ｃ
を、また図４には第２のガス採取口６０Ｃを夫々丸印で
示してある。In this embodiment, a plurality of gas sampling ports 60 are provided, and gas (air in this example) is sequentially sampled from each gas sampling port 60 by switching the valve V,
The amine concentration in the air is measured by the common measuring means 65. As the gas sampling port 60, a first gas sampling port 60A, a second gas sampling port 60B and a third gas sampling port 60C are prepared, and the first gas sampling port 60A is shown in FIGS. 2 and 3. And the third gas sampling port 60C
Further, in FIG. 4, the second gas sampling port 60C is indicated by a circle.

【００２２】第１のガス採取口６０Ａは、露光後のウエ
ハＷの搬送領域及び加熱処理などの処理領域にアミンが
許容量存在するか否かを調べる目的のものであり、処理
部２内にてウエハＷの搬送の邪魔にならない複数箇所に
設けられている。第２のガス採取口６０Ｂは、疎水化処
理部３の不具合をの有無を判断するためのものであり、
例えば疎水化処理部３のドア３７の近傍及びガス供給管
３３の継手部３３ａの近傍に設けられている。第３のガ
ス採取口６０Ｃは、フィルタ４１の不具合の有無を判断
するためのものであり、フィルタ４１のガス吹き出し面
の近傍及びフィルタ４１の取り付け部分の近傍に設けら
れている。なおこれらガス採取口６０Ａ、６０Ｂ及び６
０Ｃから採取された空気は、共通の測定手段により測定
する代わりに別々の測定手段で分析するようにしてもよ
い。The first gas sampling port 60A is provided for the purpose of checking whether or not the amine exists in an allowable amount in the transfer region of the wafer W after the exposure and the processing region such as the heat treatment. It is provided at a plurality of locations that do not interfere with the transfer of the wafer W. The second gas sampling port 60B is for determining whether or not there is a defect in the hydrophobization processing unit 3,
For example, it is provided in the vicinity of the door 37 of the hydrophobizing unit 3 and in the vicinity of the joint 33 a of the gas supply pipe 33. The third gas sampling port 60C is for determining whether or not there is a defect in the filter 41, and is provided in the vicinity of the gas blowing surface of the filter 41 and the mounting portion of the filter 41. These gas sampling ports 60A, 60B and 6
The air sampled from 0C may be analyzed by separate measuring means instead of being measured by the common measuring means.

【００２３】各ガス採取口６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃから
採取した空気中に含まれているアミン濃度の測定値は、
図６に示すように制御部７に送られる。測定手段６５は
この例では１個であるが、図６では便宜上各ガス採取口
６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ毎に測定手段６５を示し、時系
列のデ−タ（測定値）を平面的に分けて記載してある。
制御部７は、後述するように第１のガス採取口６０Ａか
ら取り込んだ空気中のアミン濃度に応じて、所定のプロ
グラムに従って第２、第３のガス採取口６０Ｂ、６０Ｃ
からの空気の採取や差圧測定部５の差圧の認識あるいは
各部の不具合の表示などを表示部７１にて行わせる。The measured value of the amine concentration contained in the air sampled from each gas sampling port 60A, 60B, 60C is
It is sent to the control unit 7 as shown in FIG. Although the number of the measuring means 65 is one in this example, in FIG. 6, the measuring means 65 is shown for each of the gas sampling ports 60A, 60B, and 60C for convenience, and the time-series data (measurement values) are divided in a plane. It is described.
The control unit 7 controls the second and third gas sampling ports 60B and 60C according to a predetermined program according to the amine concentration in the air taken in from the first gas sampling port 60A as described later.
The display unit 71 causes the display unit 71 to collect air from the chamber, recognize the differential pressure of the differential pressure measuring unit 5, or display a defect in each unit.

【００２４】次いで上述実施の形態の作用について述べ
る。先ず外部からキャリアＣがキャリア搬入出ステ−ジ
１に搬入され、受け渡しア−ム１１によりこのキャリア
Ｃ内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、受け渡
しア−ム１１から棚２２Ａの受け渡しユニット１５を介
してメイン搬送ア−ム２１に受け渡され、更に棚２２Ａ
（あるいは２２Ｂ、２２Ｃ）の処理ユニットに順次搬送
されて、所定の処理例えば疎水化処理、冷却処理などが
行われる。なお疎水化処理は、図４に示す装置により既
述のようにして行われる。続いてこのウエハＷは塗布ユ
ニット２４にて化学増幅型のレジストが塗布され、更に
加熱処理された後、棚２２Ｂの受け渡しユニット１５か
らインタ−フェイス部２５を経て露光装置２００に送ら
れる。Next, the operation of the above embodiment will be described. First, the carrier C is loaded into the carrier loading / unloading stage 1 from the outside, and the wafer W is taken out of the carrier C by the delivery arm 11. The wafer W is transferred from the transfer arm 11 to the main transfer arm 21 via the transfer unit 15 of the shelf 22A, and further transferred to the shelf 22A.
(Or 22B, 22C) is sequentially transported to a predetermined treatment, for example, a hydrophobic treatment and a cooling treatment. The hydrophobic treatment is performed by the device shown in FIG. 4 as described above. Subsequently, the wafer W is coated with a chemically amplified resist by the coating unit 24, and is further heat-treated, and then sent from the delivery unit 15 of the shelf 22B to the exposure apparatus 200 via the interface section 25.

【００２５】露光装置２００にて露光されたウエハＷ
は、逆の経路で処理部２に戻され、メイン搬送ア−ム２
１により現像ユニット２３に搬送され、現像処理され
る。なお詳しくは、ウエハＷは、現像処理の前に加熱処
理及び冷却処理される。現像処理されたウエハＷは上述
と逆の経路で受け渡しア−ム１１に受け渡され、キャリ
ア搬入出ステ−ジ１に載置されている元のキャリアＣに
戻される。Wafer W exposed by exposure apparatus 200
Is returned to the processing section 2 by the reverse path, and the main transport arm 2
1 is carried to the developing unit 23 and subjected to development processing. More specifically, the wafer W is heated and cooled before the developing process. The developed wafer W is transferred to the transfer arm 11 by a route opposite to the above, and is returned to the original carrier C placed on the carrier loading / unloading stage 1.

【００２６】ここでアミン濃度の測定及び装置の不具合
の認識を行うフロ−について図７を参照しながら説明す
る。まず制御部７は、例えば製品ウエハＷが上述のよう
に処理されるときに、疎水化処理部３による疎水化処理
中に第１のガス採取口６０Ａから空気を採取して測定部
６５でアミン濃度を測定し（ステップＳ１）、予め設定
した濃度例えば大気換算で１ｐｐｂ以上か否かを判定す
る（ステップＳ２）。１ｐｐｂより低ければ装置は正常
なものとして取扱い、アミン濃度のチェックを終了す
る。１ｐｐｂより低いとは、いずれの第１のガス採取口
６０Ａから採取した空気中のアミン濃度がすべて１ｐｐ
ｂより低いという意味である。１ｐｐｂ以上であれば、
疎水化処理が停止しているとき（行われていないとき）
に再度第１のガス採取口６０Ａから空気を採取してアミ
ン濃度を測定し（ステップＳ３）、１ｐｐｂ以上か否か
を判定する（ステップＳ４）。A flow for measuring the amine concentration and recognizing a malfunction of the apparatus will be described with reference to FIG. First, for example, when the product wafer W is processed as described above, the control unit 7 collects air from the first gas sampling port 60A during the hydrophobizing process by the hydrophobizing unit 3 and causes the measuring unit 65 to measure the amine. The concentration is measured (step S1), and it is determined whether or not the preset concentration is, for example, 1 ppb or more in terms of atmosphere (step S2). If it is lower than 1 ppb, the device is regarded as normal and the amine concentration check is completed. Lower than 1 ppb means that the amine concentration in the air sampled from any of the first gas sampling ports 60A is 1 pp
It is lower than b. If it is 1 ppb or more,
When the hydrophobizing process is stopped (when not being performed)
Then, air is again sampled from the first gas sampling port 60A to measure the amine concentration (step S3), and it is determined whether the concentration is 1 ppb or more (step S4).

【００２７】アミン濃度が１ｐｐｂより低ければ、疎水
化処理部３に不具合があると考えられ、それを確認する
ために疎水化処理部２の近傍の第２のガス採取口６０Ｂ
から空気を採取してアミン濃度を測定し（ステップＳ
５）、１ｐｐｂ以上か否かを判定する（ステップＳ
６）。１ｐｐｂより低ければ、この段階ではステップＳ
３における測定結果の原因が分からず、測定部６５の不
具合などの原因も考えられるため、フロ−はとりあえず
終了する。１ｐｐｂ以上であれば疎水化処理部３のドア
３７などに不具合が発生していると考えられ、表示部７
１に疎水化処理部が不具合であることの表示を行う（ス
テップＳ７）。If the amine concentration is lower than 1 ppb, it is considered that there is a problem in the hydrophobization processing section 3. To confirm this, the second gas sampling port 60B near the hydrophobization processing section 2 is confirmed.
Air is collected from the sample to measure the amine concentration (step S
5) Determine whether it is 1 ppb or more (step S
6). If it is lower than 1 ppb, step S is performed at this stage.
Since the cause of the measurement result in 3 is not known and the cause of the malfunction of the measuring unit 65 is also considered, the flow ends for the time being. If it is 1 ppb or more, it is considered that a problem has occurred in the door 37 of the hydrophobization processing unit 3, and the display unit 7
A message indicating that the hydrophobization processing unit is defective is displayed in 1 (step S7).

【００２８】一方ステップＳ４でアミン濃度が１ｐｐｂ
以上と判断されれば、差圧測定部５により測定した陽圧
度（筐体内の気圧から外部の気圧を差し引いた値）が所
定値以上であるか否かを判定し（ステップＳ８）、所定
値以上であればパネルからの外気の侵入は考えにくいた
め、フィルタ４１に不具合があると考えられる。そこで
それを確認するためフィルタ４１の直ぐ下の第３のガス
採取口６０Ｃから空気を採取してアミン濃度を測定し
（ステップＳ９）、１ｐｐｂ以上か否かを判定する（ス
テップＳ１０）。１ｐｐｂより低ければ、この段階では
ステップＳ３における測定結果の原因が分からず、測定
部６５の不具合などの原因も考えられるため、フロ−は
とりあえず終了する。１ｐｐｂ以上であればフィルタ４
１の寿命や取り付け状態に不具合が発生していると考え
られ、表示部７１にフィルタが不具合であることの表示
を行う（ステップＳ１１）。一方ステップＳ８で陽圧度
が所定値以下と判定されれば、陽圧度異常を表示部７１
に表示する（ステップＳ１２）。On the other hand, in step S4, the amine concentration is 1 ppb.
If it is judged as above, it is judged whether or not the positive pressure degree measured by the differential pressure measuring unit 5 (the value obtained by subtracting the external atmospheric pressure from the atmospheric pressure inside the housing) is a predetermined value or more (step S8), If the value is greater than or equal to the value, it is unlikely that outside air will enter from the panel, and it is considered that the filter 41 has a defect. Therefore, in order to confirm this, air is sampled from the third gas sampling port 60C immediately below the filter 41 to measure the amine concentration (step S9), and it is determined whether it is 1 ppb or more (step S10). If it is lower than 1 ppb, the cause of the measurement result in step S3 is unknown at this stage, and a cause such as a malfunction of the measuring unit 65 may be considered. Therefore, the flow ends for the time being. If it is 1 ppb or more, filter 4
It is considered that there is a problem in the life of No. 1 and the mounting state, and the display unit 71 displays that the filter is defective (step S11). On the other hand, if the positive pressure is determined to be less than or equal to the predetermined value in step S8, the positive pressure abnormality is displayed on the display unit 71.
(Step S12).

【００２９】このような実施の形態によれば、レジスト
パタ−ンに悪影響を与えるアミンの侵入を即座に検知
し、その原因が筐体内の陽圧度の低下によるものか、疎
水化処理部３の不具合によるものか、フィルタ４１の不
具合によるものかをいち早く把握することができる。従
って疎水化処理部３の不具合と認識されれば配管の継手
の緩みやシャッタ−３７の締まり具合などを調べればよ
いし、陽圧度の低下と認識されればパネルの取り付け状
態などを調べればよく、またフィルタ４１の不具合と認
識されればフィルタ４１の取り付け状態などを調べれば
よく、このように迅速な対応を取ることができる。この
結果不合格品の発生を抑えることができ、また装置の稼
働効率を高めることができる。According to such an embodiment, the invasion of amine, which adversely affects the resist pattern, is immediately detected, and the cause thereof is whether the positive pressure in the housing is lowered or whether the hydrophobic treatment section 3 is used. It is possible to quickly grasp whether it is due to a malfunction or the malfunction of the filter 41. Therefore, if it is recognized that the hydrophobizing unit 3 is defective, the looseness of the joint of the pipe or the tightness of the shutter-37 may be checked, and if it is recognized that the positive pressure is lowered, the mounting state of the panel may be checked. If it is recognized that the filter 41 is defective, the mounting state of the filter 41 or the like may be checked, and quick response can be taken. As a result, the generation of rejected products can be suppressed, and the operation efficiency of the device can be improved.

【００３０】以上において、ステップＳ５〜ステップＳ
７は疎水化処理部３の不具合を認識する工程であり、第
２のガス採取口６０Ｂを用いてアミン濃度を測定する工
程は疎水化処理部の不具合を確認することを狙いとして
いるが、この確認工程であるステップＳ５、Ｓ６はなく
てもよいし、あるいはステップＳ７で行う不具合の表示
の後に行ってもよい。なお筐体内の陽圧度を調べるステ
ップＳ８はステップＳ９，Ｓ１０で行うフィルタ４１の
不具合を調べる工程の後に行ってもよいし、これらを並
行して行ってもよい。In the above, steps S5 to S
7 is a step of recognizing a defect in the hydrophobization processing section, and the step of measuring the amine concentration using the second gas sampling port 60B aims to confirm the defect in the hydrophobization processing section. Steps S5 and S6, which are confirmation steps, may be omitted, or may be performed after the display of the defect performed in step S7. The step S8 of checking the positive pressure inside the housing may be performed after the step of checking the defect of the filter 41 performed in steps S9 and S10, or may be performed in parallel.

【００３１】ここで図８はアミン濃度の測定結果とこの
結果に基づいて予想される装置の状態との関係を示すも
のであり、上述のフローはこの対応に基づいて作成され
ている。また本発明では、アミン濃度を監視して装置の
状態を判断するにあたって、図９に示すフロ−により行
ってもよい。図７のフロ−では疎水化処理処理中に第１
のガス採取口６０Ａを用いてアミン濃度を測定していた
のに対し、図９のフロ−では、例えば一定時間間隔で第
１のガス採取口６０Ａを介してアミン濃度を測定し、そ
の測定のタイミングが疎水化処理中であるか否かにより
その後のフロ−が変わるものであるが、図８に示す判定
を行わせるという点では図７のフロ−と同じである。Here, FIG. 8 shows the relationship between the measurement result of the amine concentration and the state of the apparatus expected based on this result, and the above-mentioned flow is prepared based on this correspondence. Further, in the present invention, the amine concentration may be monitored to determine the state of the apparatus by the flow shown in FIG. In the flow chart of FIG. 7, the first process is performed during the hydrophobic treatment.
While the amine concentration was measured using the gas sampling port 60A of FIG. 9, in the flow chart of FIG. 9, for example, the amine concentration was measured via the first gas sampling port 60A at regular time intervals, and the measurement was performed. The subsequent flow changes depending on whether or not the timing is during the hydrophobizing process, but it is the same as the flow in FIG. 7 in that the determination shown in FIG. 8 is performed.

【００３２】即ち先ず第１のガス採取口６０Ａから空気
を採取してアミン濃度を測定し（ステップＳ１）、その
タイミングが疎水化処理中または疎水化処理終了後所定
時間内であるか否かを判定する（ステップＳ２）。疎水
化処理終了後所定時間内を考慮したのは、もし疎水化処
理部３に不具合が発生してここからアミンが漏洩したと
すると、疎水化処理終了後例えばシャッタ３７を閉じた
後も、シャッタ３７を開いたときに漏洩したアミンが筐
体内にしばらく拡散しており、その時間を考慮したこと
による。なおこの所定時間はゼロであってもよい。That is, first, air is sampled from the first gas sampling port 60A to measure the amine concentration (step S1), and it is determined whether the timing is during the hydrophobic treatment or within a predetermined time after the hydrophobic treatment is completed. The determination is made (step S2). The reason for considering the predetermined time after completion of the hydrophobic treatment is that if a failure occurs in the hydrophobic treatment unit 3 and amine leaks from here, even if the shutter 37 is closed after completion of the hydrophobic treatment, the shutter is released. This is because the leaked amine diffused in the housing for a while when 37 was opened, and the time was taken into consideration. The predetermined time may be zero.

【００３３】ステップＳ３で「ＹＥＳ」と判断されれ
ば、その後のステップＳ４〜Ｓ１３は、図７のフロ−Ｓ
３〜Ｓ１２と同じである。ステップＳ２で「ＮＯ」と判
断されれば、アミン濃度が１ｐｐｂ以上であるか否かを
判断し（ステップＳ１４）、１ｐｐｂ以上であれば疎水
化処理部３が原因ではなく、パネルの取り付けやフィル
タ４１の不具合が考えられるのでステップ９に進む。一
方１ｐｐｂより低い場合には疎水化処理中に第１のガス
採取口６０Ａから空気を採取しアミン濃度の測定を行い
（ステップＳ１５）、１ｐｐｂ以上であるか否かを判定
する（ステップＳ１６）。１ｐｐｂよりも低ければ異常
がないのでフロ−を終了し、１ｐｐｂ以上であればステ
ップＳ６に進む。If "YES" is determined in the step S3, the subsequent steps S4 to S13 are the flow S of FIG.
The same as 3 to S12. If "NO" is determined in the step S2, it is determined whether or not the amine concentration is 1 ppb or more (step S14), and if it is 1 ppb or more, the hydrophobic treatment unit 3 is not the cause, and the panel mounting or the filter is performed. Since the problem of 41 is considered, the process proceeds to step 9. On the other hand, if it is lower than 1 ppb, air is sampled from the first gas sampling port 60A during the hydrophobic treatment to measure the amine concentration (step S15), and it is determined whether it is 1 ppb or more (step S16). If it is lower than 1 ppb, there is no abnormality and the flow is ended. If it is 1 ppb or higher, the process proceeds to step S6.

【００３４】なお基板としてはウエハに限らず液晶ディ
スプレイ用のガラス基板であってもよい。The substrate is not limited to a wafer, but may be a glass substrate for a liquid crystal display.

【００３５】[0035]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、レジスト
パタ−ンに悪影響を与えるアミンの侵入をいち早く検知
することができ、またその後の原因究明などの対応が用
意である。As described above, according to the present invention, it is possible to promptly detect the invasion of amine, which adversely affects the resist pattern, and to take measures such as the investigation of the cause thereafter.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施の形態に用いられる塗布、現像装
置の概観を示す概観斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an outline of a coating / developing apparatus used in an embodiment of the present invention.

【図２】本発明の実施の形態に用いられる塗布、現像装
置の内部を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the inside of a coating / developing apparatus used in the embodiment of the present invention.

【図３】本発明の実施の形態に用いられる塗布、現像装
置の内部を示す縦断側面図である。FIG. 3 is a vertical sectional side view showing the inside of a coating / developing apparatus used in an embodiment of the present invention.

【図４】疎水化処理部を示す縦断側面図である。FIG. 4 is a vertical sectional side view showing a hydrophobizing unit.

【図５】アミン濃度測定部を示す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing an amine concentration measuring unit.

【図６】アミン濃度測定値及び差圧測定値を処理するた
めの制御部を含めた制御系を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a control system including a control unit for processing amine concentration measurement values and differential pressure measurement values.

【図７】本発明の運転方法の一例を示すフローチャート
である。FIG. 7 is a flowchart showing an example of a driving method of the present invention.

【図８】アミン濃度の測定結果と装置の状態との対応関
係を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a correspondence relationship between the amine concentration measurement result and the state of the apparatus.

【図９】本発明の運転方法の他の例を示すフローチャー
トである。FIG. 9 is a flowchart showing another example of the driving method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１００ 塗布、現像装置 ２００ 露光装置 １ キャリア搬入出ステージ Ｃ キャリア Ｗ 半導体ウエハ ２ 処理部 ２３ 塗布ユニット ２４ 現像ユニット ３ 疎水化処理部 ３１ 密閉容器 ３３ ガス供給管 ３７ シャッター ４ 天井部 ４１ フィルタ ５ 差圧測定部 ６０Ａ〜６０Ｃ ガス採取口 ６５ 測定手段 ７ 制御部 ７１ 表示部 100 coating and developing device 200 exposure equipment 1 Carrier loading / unloading stage C carrier W semiconductor wafer 2 processing section 23 Application unit 24 Development unit 3 Hydrophobization processing section 31 airtight container 33 gas supply pipe 37 shutter 4 ceiling 41 Filter 5 Differential pressure measurement unit 60A-60C Gas sampling port 65 Measuring means 7 control unit 71 display

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/16 502 G03F 7/30 502 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/027 G03F 7/16 502 G03F 7/30 502

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 基板に対してアミンを含むガスにより疎
水化処理を行う疎水化処理部、疎水化処理された基板に
レジストを塗布する塗布処理部、露光後の基板を現像す
る現像処理部、及び基板の搬送領域が筐体内に設けら
れ、筐体内は外部に対して陽圧に保たれている塗布、現
像装置において、 前記筐体内のアミン濃度をアミン濃度測定部により測定
する工程と、 この工程で測定されたアミン濃度測定値が予め設定した
設定濃度以上となったときに、前記筐体と外部との差圧
の異常の有無を判断する工程、または前記疎水化処理部
の状態を不具合検出手段により判断する工程の少なくと
も一方を行う工程と、を含むことを特徴とする塗布、現
像装置の運転方法。1. A hydrophobization processing unit for hydrophobizing a substrate with a gas containing an amine, a coating processing unit for coating a resist on the hydrophobized substrate, and a development processing unit for developing the exposed substrate. A step of measuring the amine concentration in the housing by an amine concentration measuring unit in a coating and developing apparatus in which a transfer area for the substrate is provided in the housing and the inside of the housing is kept at a positive pressure with respect to the outside; When the amine concentration measurement value measured in the step becomes equal to or higher than a preset set concentration, the step of determining whether there is an abnormality in the differential pressure between the casing and the outside, or the state of the hydrophobizing section is defective. And a step of performing at least one of the steps of judging by the detecting means. 【請求項２】 基板に対してアミンを含むガスにより疎
水化処理を行う疎水化処理部、疎水化処理された基板に
レジストを塗布する塗布処理部、露光後の基板を現像す
る現像処理部、及び基板の搬送領域が筐体内に設けら
れ、筐体内は外部に対して陽圧に保たれていると共に外
部から筐体内にアミンが侵入するのを防止するためのフ
ィルタを備えた塗布、現像装置において、 疎水化処理中に前記筐体内のアミン濃度をアミン濃度測
定部により測定する第１の工程と、 疎水化処理を終了して所定時間経過後に前記アミン濃度
測定部によりアミン濃度を測定する第２の工程と、 第１の工程におけるアミン濃度の測定値が設定値以上で
第２の工程におけるアミン濃度の測定値が設定値よりも
低いときには、疎水化処理部に不具合があると認識し、
また第１の工程及び第２の工程におけるアミン濃度の測
定値がいずれも設定値以上であるときには、筐体と外部
との差圧の異常の有無を判断するかまたは前記フィルタ
の状態を不具合検出手段により判断するかの少なくとも
一方を行う工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像
装置の運転方法。2. A hydrophobization processing unit for hydrophobizing a substrate with a gas containing amine, a coating processing unit for coating a resist on the hydrophobized substrate, and a development processing unit for developing the exposed substrate. And a substrate transfer region provided inside the housing, the inside of the housing being kept at a positive pressure with respect to the outside, and a coating and developing device provided with a filter for preventing the amine from entering the inside of the housing from the outside. In the first step of measuring the amine concentration in the housing by the amine concentration measuring section during the hydrophobic treatment, and the first step of measuring the amine concentration by the amine concentration measuring section after a predetermined time has elapsed after the hydrophobic treatment is completed. When the measured value of the amine concentration in the second step and the first step is equal to or higher than the set value and the measured value of the amine concentration in the second step is lower than the set value, it is recognized that there is a problem in the hydrophobization unit,
Further, when the measured values of the amine concentration in the first step and the second step are both set values or more, it is judged whether there is an abnormality in the differential pressure between the housing and the outside, or the condition of the filter is detected as a defect. And a step of performing at least one of judgment by means, and a method of operating a coating and developing apparatus. 【請求項３】筐体と外部との差圧の異常の有無を判断す
るかまたは前記フィルタの状態を不具合検出手段により
判断するかのいずれか一方を行った結果、正常であれば
他方の判断を行うことを特徴とする請求項２記載の塗
布、現像装置の運転方法。3. If it is normal as a result of determining whether or not there is an abnormality in the differential pressure between the housing and the outside or determining the state of the filter by the malfunction detecting means, the other determination is made. The method of operating a coating / developing apparatus according to claim 2, wherein 【請求項４】 疎水化処理部に不具合があると認識した
ときには、疎水化処理部の状態を不具合検出手段により
判断して不具合があるか否かを確認することを特徴とす
る請求項２または３記載の塗布、現像装置の運転方法。4. The method according to claim 2, wherein when it is recognized that the hydrophobization processing section has a defect, the state of the hydrophobization processing section is judged by the defect detection means to confirm whether or not there is a defect. 3. The method for operating the coating and developing apparatus described in 3. 【請求項５】 疎水化処理部に不具合があると認識した
ときには、その旨を表示部に表示することを特徴とする
請求項２、３または４記載の塗布、現像装置の運転方
法。5. The method of operating a coating / developing apparatus according to claim 2, wherein when the hydrophobization processing portion is recognized to have a defect, the fact is displayed on the display portion. 【請求項６】 筐体と外部との差圧が異常であると判断
したときには、その旨を表示部に表示することを特徴と
する請求項２ないし５のいずれかに記載の塗布、現像装
置の運転方法。6. The coating / developing apparatus according to claim 2, wherein when it is determined that the differential pressure between the housing and the outside is abnormal, a message to that effect is displayed on the display unit. Driving method. 【請求項７】 フィルタの状態が不具合検出手段により
不具合であると判断したときにはその旨を表示部に表示
することを特徴とする請求項２ないし６のいずれかに記
載の塗布、現像装置の運転方法。7. The operation of the coating / developing apparatus according to any one of claims 2 to 6, wherein when the defect detecting means determines that the condition of the filter is defective, the fact is displayed on the display unit. Method. 【請求項８】 疎水化処理部の状態を判断する不具合検
出手段は、疎水化処理部の近傍にガス採取口を備えたア
ミン濃度測定部であることを特徴とする請求項２ないし
７のいずれかに記載の塗布、現像装置の運転方法。8. The defect detecting means for determining the state of the hydrophobization processing section is an amine concentration measuring section having a gas sampling port near the hydrophobization processing section. The method of operating the coating and developing device as described in 1. 【請求項９】 基板に対してアミンを含むガスにより疎
水化処理を行う疎水化処理部と、疎水化処理された基板
にレジストを塗布する塗布処理部と、前記基板を加熱処
理する加熱処理部と、露光後の基板を現像する現像処理
部と、を備えた塗布、現像装置において、 前記各処理部と前記基板を搬送する搬送領域とを囲む筐
体と、 この筐体に設けられ、装置外部の空気を取り込むための
ファン及びフィルタを有する天井部と、 前記筐体内の空気を採取する複数のガス採取口を備え、
前記筐体内のアミンの濃度を測定するアミン濃度測定部
と、 前記ガス採取口は、前記疎水化処理部の近傍と前記搬送
領域と前記フィルタの吹き出し面近傍とに設けられてい
ることを特徴とする塗布、現像装置。 9. A substrate containing a gas containing amine is sparsely dispersed.
Hydrophobization treatment part that performs hydration treatment and substrate that has been hydrophobized
A coating treatment section for coating a resist on the substrate and a heating treatment for the substrate.
Heat treatment section for processing and development processing for developing the exposed substrate
In a coating and developing apparatus including a unit, a casing that surrounds each processing unit and a transfer region that transfers the substrate.
The body and this housing are provided to take in air outside the device.
A ceiling part having a fan and a filter; and a plurality of gas sampling ports for sampling the air in the housing,
Amine concentration measuring unit for measuring the concentration of amine in the housing
And the gas sampling port is located near the hydrophobic treatment section
Provided in the area and near the outlet surface of the filter
A coating and developing device characterized by the above. 【請求項１０】 前記アミン濃度測定部の前記ガス採取
口のチューブは、前 記複数のガス採取口から採取される
空気を切り替えるバルブを有していることを特徴とする
請求項９記載の塗布、現像装置。 10. The gas sampling of the amine concentration measuring unit
Mouth of the tube, is taken from the previous Symbol plurality of gas sampling port
Characterized by having a valve that switches air
The coating and developing apparatus according to claim 9.