JP3094055B2 - Filter device and resist processing system - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハ等の基板を
レジスト処理するシステムに用いられるフィルタ装置及
びそのようなフィルタを備えたレジスト処理システムに
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a filter device used in a system for resist-processing a substrate such as a semiconductor wafer, and a resist processing system provided with such a filter.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトレジスト処
理工程にあっては、半導体ウエハ上に形成された例えば
ＳｉＯ₂ などの薄膜上にレジストを塗布し、レジスト膜
を所定のパタ―ンで露光した後に現像し、マスクパタ―
ンを形成している。このような処理を行うためにレジス
ト処理システムが用いられている。 _2. Description of the Related Art In a photoresist processing step of manufacturing a semiconductor device, a resist is applied on a thin film such as SiO ₂ formed on a semiconductor wafer, and after exposing the resist film with a predetermined pattern, Develop and mask pattern
Is formed. A resist processing system is used to perform such processing.

【０００３】レジスト処理システムは、疎水化処理（ア
ドヒ―ジョン）部、レジスト塗布部、ベーキング部、露
光部、現像部などを備えている。レジスト処理システム
のプロセス部（露光部を除く）には搬送路が設けられ、
レジスト塗布部やベーキング部が搬送路の両側に設けら
れている。搬送アーム機構が搬送路上を走行可能に設け
られ、この搬送アーム機構によってウエハが疎水化処理
部やレジスト塗布部にそれぞれ搬送されるようになって
いる。露光部は外部機構としてプロセス部に連結されて
いる。The resist processing system includes a hydrophobic treatment (adhesion) section, a resist coating section, a baking section, an exposure section, a development section, and the like. A transport path is provided in the process section (excluding the exposure section) of the resist processing system,
A resist coating unit and a baking unit are provided on both sides of the transport path. A transfer arm mechanism is provided so as to run on the transfer path, and the transfer arm mechanism transfers the wafer to the hydrophobizing section and the resist coating section. The exposure unit is connected to the process unit as an external mechanism.

【０００４】ところで近年の急激なデバイスの集積化に
伴いフォトリソグラフィ技術についても改良がなされて
いる。例えばＤＲＡＭの場合、４ＭのＤＲＡＭのパタ―
ンについては、０．７〜０．８μｍ程度の線幅が要求さ
れており、露光の光源としてはｇ線やｉ線などが用いら
れると共にレジスト材料としてはノボラック系の樹脂が
用いられている。Incidentally, with the recent rapid integration of devices, improvements have been made in photolithography technology. For example, in the case of a DRAM, the pattern of a 4M DRAM is used.
A line width of about 0.7 to 0.8 [mu] m is required, and g-line and i-line are used as a light source for exposure, and a novolak-based resin is used as a resist material.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら次世代の
デバイス、例えば１６Ｍビット、６４Ｍビットあるいは
それ以上の容量のＤＲＡＭに対応するためには光源波長
の短波長化を進めることが必要であり、例えばエキシマ
レ―ザ光などの紫外線が有力視されている。しかし、ノ
ボラック系樹脂は短波長光に対して光吸収率が相当大き
いので、エッチングされたレジスト側壁の垂直性（形
状）が悪い。However, in order to support a next-generation device, for example, a DRAM having a capacity of 16 Mbit, 64 Mbit or more, it is necessary to shorten the wavelength of the light source. -Ultraviolet light such as the light is considered promising. However, the novolak-based resin has a considerably high light absorption for short-wavelength light, so that the verticality (shape) of the etched resist side wall is poor.

【０００６】そこで最近ではノボラック系樹脂の代わり
に化学増幅型のレジスト材料が用いられるようになって
きている。化学増幅型のレジスト材料は、露光すると感
光剤から酸が発生し、この酸がベーキングにより拡散し
て触媒として作用する。酸の作用によりレジスト材料の
主成分であるベ―ス樹脂が分解されたり分子構造が変化
し、その結果レジスト材料は現像液に対して可溶性ある
いは不溶性となる。Therefore, recently, a chemically amplified resist material has been used in place of the novolak resin. When a chemically amplified resist material is exposed to light, an acid is generated from a photosensitive agent, and the acid diffuses by baking to act as a catalyst. The base resin, which is a main component of the resist material, is decomposed or its molecular structure is changed by the action of the acid. As a result, the resist material becomes soluble or insoluble in a developing solution.

【０００７】各種化学増幅型のレジスト材料の特徴を下
記（１）〜（３）にあげる。 （１）例えばポリビニルフェノ―ルなどのポリマ―中の
水酸基をアルキル基やシリル基でブロックし、酸により
このブロックを外してアルカリ可溶性を回復させる（ポ
ジ型レジスト）。The characteristics of various chemically amplified resist materials are described in (1) to (3) below. (1) For example, a hydroxyl group in a polymer such as polyvinyl phenol is blocked with an alkyl group or a silyl group, and this block is removed with an acid to recover alkali solubility (positive resist).

【０００８】（２）ノボラック樹脂に溶解阻止作用を示
す物質を混合し、露光により生成した酸の触媒作用で溶
解阻止成分を分解、変性させて溶解性を復元または促進
させる。(2) A substance having a dissolution inhibiting action is mixed with the novolak resin, and the dissolution inhibiting component is decomposed and denatured by the catalytic action of an acid generated by exposure to restore or promote the solubility.

【０００９】（３）酸発生剤、架橋剤及びベ―ス樹脂に
よりレジスト材料を構成し、酸触媒縮合反応により架橋
剤がベ―ス樹脂を硬化（架橋）し、この架橋反応がアル
カリ水溶液に対する溶解性を著しく低下させる。(3) A resist material is composed of an acid generator, a cross-linking agent and a base resin, and the cross-linking agent cures (cross-links) the base resin by an acid-catalyzed condensation reaction. Significantly reduces solubility.

【００１０】従って、化学増幅型のレジスト材料は、触
媒（酸）１分子が複数の化学反応に寄与するため、従来
のものに比べて原理的に光感度が高く、また短波長領域
における光透過率が高くなる。このため、化学増幅型の
レジスト材料にエキシマレ―ザ光を用いた場合に、膜厚
方向の光強度分布を緩和することができ、結果として
０．３μｍレベルの線幅に対応することができる。しか
しながら上述の化学増幅型のレジスト膜にパタ―ンを形
成する場合に、露光後のベーキング及び現像工程におい
て、パタ―ンの平面形状及び深さ方向の形状（コンタク
トホール形状）が劣化するという問題点がある。[0010] Therefore, the chemically amplified resist material has a higher light sensitivity in principle than conventional ones and a light transmission in a short wavelength region because one molecule of the catalyst (acid) contributes to a plurality of chemical reactions. Rate is higher. Therefore, when excimer laser light is used as a chemically amplified resist material, the light intensity distribution in the film thickness direction can be relaxed, and as a result, a line width of 0.3 μm level can be accommodated. However, when a pattern is formed on the above-described chemically amplified resist film, the pattern is deteriorated in the planar shape and the shape in the depth direction (contact hole shape) in the baking and developing steps after exposure. There is a point.

【００１１】例えば上述（１）のポジ型レジストの場合
は、図１（ａ）に示すように露光部３ｂのレジスト中に
酸（水素イオン）が発生し、図１（ｂ）に示すように酸
がアルカリ成分（アルカリ性の成分）と反応して中和層
４が形成される。この中和層４では現像液に対して不溶
性又は難溶性の化合物が生成されるので、図１（ｃ）に
示すように現像後においても不溶化部５が残留する。不
溶化部５はコンタクトホール６の開口を狭めるので、後
工程においてエッチング不良を生じる。なお、符号２は
シリコン基板を、符号３ａは未露光部を示す。For example, in the case of the positive resist described in (1) above, an acid (hydrogen ion) is generated in the resist in the exposed portion 3b as shown in FIG. 1A, and as shown in FIG. The acid reacts with the alkali component (alkaline component) to form the neutralized layer 4. Since a compound insoluble or hardly soluble in the developer is generated in the neutralization layer 4, the insolubilized portion 5 remains even after the development as shown in FIG. 1C. Since the insolubilized portion 5 narrows the opening of the contact hole 6, an etching failure occurs in a later step. Reference numeral 2 indicates a silicon substrate, and reference numeral 3a indicates an unexposed portion.

【００１２】ところで上述のアルカリ成分は、空気中に
含まれている微量なアンモニア、あるいは壁の塗料や疎
水化処理に用いられるＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサ
ン）から発生するアミンに起因している。外気中に含ま
れるこれらの微量アルカリ成分がレジスト膜の表面近傍
の酸と反応すると推定されている。本発明の目的は、外
気に含まれるアルカリ性の成分を高い効率で除去するこ
とができるフィルタ装置を提供することにある。Incidentally, the above-mentioned alkali component is caused by a trace amount of ammonia contained in the air or amine generated from HMDS (hexamethyldisilazane) used for wall coating or hydrophobic treatment. It is estimated that these trace alkali components contained in the outside air react with the acid near the surface of the resist film. An object of the present invention is to provide a filter device capable of removing an alkaline component contained in outside air with high efficiency.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明に係るフィルタ装
置は、外気をレジスト処理システム内に取り入れるため
の開口部をもつ枠体と、前記開口部に外気を吸引する吸
引手段と、この吸引手段の少なくとも一方面側に位置す
るように前記枠体によって支持されたフィルタエレメン
トと、を有し、前記フィルタエレメントは、酸溶液中に
浸漬した後に、微細孔中に侵入した酸溶液の一部を遠心
分離機によりはじき飛ばし、その後プレスしてプレート
化してなるアルカリ成分と反応吸着しうる酸成分を含む
多孔質体を有することを特徴とする。本発明に係るフィ
ルタ装置は、外気をレジスト処理システム内に取り入れ
るための開口部をもつ枠体と、前記開口部に外気を吸引
する吸引手段と、この吸引手段の少なくとも一方面側に
位置するように前記枠体によって支持されたフィルタエ
レメントと、を有し、前記フィルタエレメントは、前記
吸引手段の吸い込み側に二段に設けられ、アルカリ成分
と反応吸着しうる酸成分を含む多孔質体を有する第１の
フィルタエレメントと、前記吸引手段の送り出し側に設
けられた第２のフィルタエレメントと、を具備すること
を特徴とする。 本発明に係るレジスト処理システムは、
基板にレジストを塗布するレジスト塗布手段と、塗布レ
ジストをベークするベーキング手段と、塗布レジストを
現像する現像手段と、外気中の不純物を除去するフィル
タ手段と、を備えたレジスト処理システムであって、前
記フィルタ手段は、前記レジスト塗布手段、ベーキング
手段および現像手段のうちの少なくとも１つに外気を取
り入れるための開口部をもつ枠体と、前記開口部に外気
を吸引する吸引手段と、この吸引手段の少なくとも一方
面側に位置するように前記枠体によって支持されたフィ
ルタエレメントと、を有し、前記フィルタエレメント
は、酸溶液中に浸漬した後に、微細孔中に侵入した酸溶
液の一部を遠心分離機によりはじき飛ばし、その後プレ
スしてプレート化してなるアルカリ成分と反応吸着しう
る酸成分を含む多孔質体を有することを特徴とする。 本
発明に係るレジスト処理システムは、基板にレジストを
塗布するレジスト塗布手段と、塗布レジストをベークす
るベーキング手段と、塗布レジストを現像す る現像手段
と、外気中の不純物を除去するフィルタ手段と、を備え
たレジスト処理システムであって、前記フィルタ手段
は、前記レジスト塗布手段、ベーキング手段および現像
手段のうちの少なくとも１つに外気を取り入れるための
開口部をもつ枠体と、前記開口部に外気を吸引する吸引
手段と、この吸引手段の少なくとも一方面側に位置する
ように前記枠体によって支持されたフィルタエレメント
と、を有し、前記フィルタエレメントは、前記吸引手段
の吸い込み側に二段に設けられ、アルカリ成分と反応吸
着しうる酸成分を含む多孔質体を有する第１のフィルタ
エレメントと、前記吸引手段の送り出し側に設けられた
第２のフィルタエレメントと、を具備することを特徴と
する。 A filter device according to the present invention comprises a frame having an opening for introducing outside air into a resist processing system, suction means for sucking outside air into the opening, and this suction means. of anda filter element supported by said frame so as to be positioned on at least one side, said filter element, the acid solution
After immersion, part of the acid solution that has penetrated the micropores is centrifuged.
Flick off with a separator, then press and plate
It characterized by having a porous body comprising turned into alkaline component and acid component capable of reacting adsorption comprising. The filter according to the present invention
Ruta equipment takes outside air into the resist processing system
Frame with an opening for sucking outside air into the opening
Suction means, and at least one side of the suction means
A filter filter supported by the frame so as to be positioned.
And the filter element includes the filter element,
Alkaline components are provided in two stages on the suction side of the suction means.
Having a porous body containing an acid component capable of reacting and adsorbing with
A filter element and a suction element
And a second filter element that is
It is characterized by. The resist processing system according to the present invention includes:
A resist coating means for coating the substrate with a resist;
Baking means to bake dyst and coating resist
Developing means for developing, and a film for removing impurities in the outside air
A resist processing system comprising:
The filter means is the resist coating means, baking
At least one of the means and the developing means.
A frame having an opening for receiving
Suction means, and at least one of the suction means
Surface supported by the frame so as to be positioned
A filter element, and the filter element
Is the acid solution that has entered the micropores after immersion in the acid solution.
A portion of the solution is repelled by a centrifuge, and then
And reacts with the alkali components formed into plates
Characterized by having a porous body containing an acid component. Book
A resist processing system according to the present invention applies a resist to a substrate.
Resist coating means to apply and bake the applied resist
Baking means that, developing means you developing the coated resist
And filter means for removing impurities in the outside air.
Resist processing system, said filter means
Means the resist coating means, baking means and developing
For taking fresh air into at least one of the means
A frame having an opening, and suction for sucking outside air into the opening
Means and at least one side of the suction means
Filter element supported by said frame
And the filter element includes the suction unit.
Is provided in two stages on the suction side of
First filter having porous body containing acid component capable of being attached
Element, provided on the delivery side of the suction means
And a second filter element.
I do.

【００１４】[0014]

【作用】多孔質体を酸溶液に浸漬すると、微細孔に酸溶
液が侵入する。そして遠心分離機により処理すると、微
細孔内の酸溶液がはじき飛ばされて空洞が形成され、そ
の内壁面に酸溶液の分子が吸着した状態となる。更にこ
の多孔質体をプレスすることにより微細孔の密度が高ま
り、しかも多孔質体の微細孔は形状が揃っており、また
規則正しく配列されているので比表面積が大きく、従っ
てアルカリ成分を高い効率で除去できる。また、酸成分
を含む多孔質体をもつ第１のフィルタエレメントを吸引
手段の吸い込み側に二段に設けるので、十分な吸着表面
積が確保され、外気に含まれるアルカリ成分が化学増幅
型レジストの露光現像処理に無害な程度になるまで十分
に除去される。 When the porous body is immersed in an acid solution, the acid solution penetrates into the fine pores. When processed by a centrifugal separator, the acid solution in the micropores is repelled to form a cavity, and the molecules of the acid solution are adsorbed on the inner wall surface. Further, by pressing this porous body, the density of the micropores is increased, and the micropores of the porous body are uniform in shape and regularly arranged, so that the specific surface area is large, and thus the alkali component is efficiently removed. Can be removed. Also, acid component
A first filter element having a porous body containing
Provided with two stages on the suction side of the means, sufficient suction surface
Product is secured, and the alkaline components contained in the outside air are chemically amplified
Enough to be harmless to the exposure and development of the mold resist
Is removed.

【００１５】[0015]

【実施例】以下、添付の図面を参照しながら本発明の種
々の実施例について説明する。図２、図３、図４に示す
ように、レジスト処理システムはプロセス部２０、ロー
ド／アンロード部２１、インターフェイス部２２及び露
光部１００を備えている。プロセス部２０には搬送路３
１が設けられ、搬送路３１上をロボット３０が走行する
ようになっている。搬送路３１はロード／アンロード部
２１からインターフェイス部２２のところまで設けられ
ており、ロボット３０のアーム機構によって半導体ウェ
ハＷが搬送されるようになっている。搬送路３１の両側
には処理ユニット４０，５１，５２，５３，５４が並ん
でいる。露光部１００はインターフェイス部２２を介し
てプロセス部２０に連結されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Various embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. As shown in FIGS. 2, 3, and 4, the resist processing system includes a process unit 20, a load / unload unit 21, an interface unit 22, and an exposure unit 100. The transport path 3 is provided in the process section 20.
1 is provided, and the robot 30 travels on the transport path 31. The transfer path 31 is provided from the load / unload unit 21 to the interface unit 22, and the semiconductor wafer W is transferred by the arm mechanism of the robot 30. Processing units 40, 51, 52, 53, 54 are arranged on both sides of the transport path 31. The exposure unit 100 is connected to the processing unit 20 via the interface unit 22.

【００１６】ロード／アンロード部２１はカセット載置
用のステ―ジ２３を備えている。カセットステージ２３
には移載機構２１ａが設けられ、移載機構２１ａによっ
てウェハカセットがＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θ回転軸の各方
向に移動されるようになっている。なお、インターフェ
イス部２２の移載機構２２ａは実質的に上記移載機構２
１ａと同じである。The loading / unloading section 21 has a stage 23 for mounting a cassette. Cassette stage 23
Is provided with a transfer mechanism 21a, and the wafer cassette is moved in each direction of the X axis, the Y axis, the Z axis, and the θ rotation axis by the transfer mechanism 21a. The transfer mechanism 22a of the interface unit 22 is substantially the same as the transfer mechanism 2a.
Same as 1a.

【００１７】疎水化（アドヒ―ジョン）処理部４０では
ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）の蒸気によりウエ
ハ表面を疎水化し、これによりウエハ表面へのレジスト
膜の密着性を向上させる。レジスト塗布部５１では化学
増幅型のレジスト液がウエハに均一に塗布される。In the hydrophobizing (adhesion) processing section 40, the wafer surface is hydrophobized by the vapor of HMDS (hexamethyldisilazane), thereby improving the adhesion of the resist film to the wafer surface. In the resist coating section 51, a chemically amplified resist liquid is uniformly coated on the wafer.

【００１８】ベーキング部５２はウエハＷを加熱する加
熱板を有する。ベーキング部５２ではウエハＷに塗布さ
れたレジスト材から溶剤を蒸発させ、あるいは露光後の
レジスト膜をベークして露光時に発生した酸を拡散させ
る。４つのベーキング部５２を交互に使うことによりス
ル―プットを向上させるようになっている。冷却部５３
は、処理部４０での疎水化処理後、塗布部５１でのレジ
スト塗布前にウェハＷを冷却するためのものである。現
像部５４は、露光後、ベーキング部５２を経たウエハＷ
に対してアルカリ性の現像液により現像を行うためのも
のである。なお、プロセス部２０及びロード／アンロー
ド部２１の上部には電源ユニット２４及びフィルタユニ
ット７０がそれぞれ設けられている。また、インターフ
ェイス部２２の上部にはフィルタユニット７０ａのみが
設けられている。The baking section 52 has a heating plate for heating the wafer W. In the baking unit 52, the solvent is evaporated from the resist material applied to the wafer W, or the resist film after the exposure is baked to diffuse the acid generated during the exposure. The throughput is improved by using the four baking units 52 alternately. Cooling unit 53
Is for cooling the wafer W after the hydrophobic treatment in the processing unit 40 and before the application of the resist in the coating unit 51. After the exposure, the developing unit 54
To perform development with an alkaline developer. The power supply unit 24 and the filter unit 70 are provided above the process unit 20 and the load / unload unit 21, respectively. Further, only the filter unit 70a is provided above the interface unit 22.

【００１９】図５に示すように、システム全体はカバ―
１６で覆われ、このカバ―１６の上面側には空気取り入
れ口６０が設けられている。カバ―１６の前後にはウエ
ハ搬入出口がそれぞれ形成されている。なお、カバ―１
６は一体のものである必要はなく、メンテナンスや運搬
の容易性などを考慮して別体ものを組み合わせたもので
あってもよい。As shown in FIG. 5, the entire system is covered.
The cover 16 is provided with an air inlet 60 on the upper surface side. Wafer loading / unloading ports are formed before and after the cover 16, respectively. Cover 1
6 does not need to be integrated, and may be a combination of different components in consideration of maintenance and ease of transportation.

【００２０】図６に示すように、プロセス部２０、ロー
ド／アンロード部２１並びにインターフェイス部２２の
床にはパンチングメタル板７８が敷かれている。ダウン
フローエアはパンチングメタル板７８の孔７８ａを通っ
て床下空間７９に流れ込むようになっている。ダクト７
７はカバー１６の外に設けられ、空気取り入れ口６０お
よび床下空間７９の両者に連通している。エアはフィル
タ装置７０ａ、インターフェイス部２２、床下空間７
９、ダクト７７を循環するようになっている（セミクロ
ーズドシステム）。As shown in FIG. 6, a punching metal plate 78 is laid on the floor of the process section 20, the load / unload section 21 and the interface section 22. The downflow air flows into the underfloor space 79 through the hole 78a of the punched metal plate 78. Duct 7
7 is provided outside the cover 16 and communicates with both the air intake port 60 and the underfloor space 79. The air flows through the filter device 70a, the interface unit 22, the underfloor space 7
9. The duct 77 is circulated (semi-closed system).

【００２１】図２に示すように、プロセス部２０及びロ
ード／アンロード部２１の空気取り入れ口６０には３個
のフィルタユニット７０が設けられている。一方、イン
ターフェイス部２２の上部には１個のフィルタユニット
７０ａが設けられている。As shown in FIG. 2, three filter units 70 are provided in the air intake port 60 of the process section 20 and the load / unload section 21. On the other hand, one filter unit 70a is provided above the interface unit 22.

【００２２】図５に示すように、フィルタユニット７０
の四方は支持枠７２で取り囲まれている。支持枠７２内
には、上から順に第１のフィルタ部６１、ファン６２、
第２のフィルタ部６３が設けられている。なお、フィル
タユニット７０内の第１フィルタ部６１および第２フィ
ルタ部６３は支持枠７２から取り外せるので、第１フィ
ルタ部６１および第２フィルタ部６３を新品に取換える
ことが容易である。As shown in FIG. 5, the filter unit 70
Are surrounded by a support frame 72. In the support frame 72, the first filter unit 61, the fan 62,
A second filter unit 63 is provided. Since the first filter part 61 and the second filter part 63 in the filter unit 70 can be removed from the support frame 72, it is easy to replace the first filter part 61 and the second filter part 63 with new ones.

【００２３】第１のフィルタ部６１は、空気中に含まれ
るアンモニアやアミンなどのアルカリ成分を数ＰＰｂ以
下のオーダーに抑えるためのケミカルフィルタである。
第２のフィルタ部６３は、空気中に含まれるパ―ティク
ルを除去するためのものである。The first filter section 61 is a chemical filter for suppressing alkali components such as ammonia and amine contained in air to the order of several PPb or less.
The second filter section 63 is for removing particles contained in the air.

【００２４】図７に示すように、第１フィルタ部６１の
エレメント７１はシ―ト７１ａを蛇腹状に折り曲げた形
状をなしている。シ―ト７１ａとシ―ト７１ａとの間を
エアが通過するようになっている。図８に示すように、
各シ―ト７１ａの相互間には部材７１ｂが設けられ、フ
ィルタエレメント７１は全体としてハニカム構造をなし
ている。シ―ト７１ａ及び部材７１ｂは炭素繊維ででき
ている。エレメント７１にはリン酸が添着されている。As shown in FIG. 7, the element 71 of the first filter section 61 has a shape obtained by bending a sheet 71a in a bellows shape. The air passes between the sheets 71a. As shown in FIG.
A member 71b is provided between the sheets 71a, and the filter element 71 has a honeycomb structure as a whole. The sheet 71a and the member 71b are made of carbon fiber. The element 71 is impregnated with phosphoric acid.

【００２５】第２フィルタ部６３は、フィルタエレメン
トの材質としてグラスファイバよりなるシ―トを用いた
点と、シ―トにはリン酸を添着していない点とを除け
ば、第１のフィルタ部６１と実質的に同じである。な
お、第１及び第２のフィルタ部６１、６３に用いられる
ガスケットの材質としては、アンモニアの発生が少ない
ものが望ましく、例えばシリコンゴムやＰＶＣなどが好
適である。これらの材質は超純水に浸漬してアンモニア
の溶出量を測定したところ１ｃｍ² 当り２０ｎｇ／ｃｍ
² 以下の溶出量であるので、空気中ではアンモニアが実
質的に発生しない。The second filter unit 63 is different from the first filter unit except that a sheet made of glass fiber is used as a material of the filter element and that the sheet is not attached with phosphoric acid. It is substantially the same as the part 61. As a material of the gasket used for the first and second filter portions 61 and 63, a material that generates a small amount of ammonia is desirable, and for example, silicon rubber or PVC is suitable. These materials per 1 cm ² was measured elution amount of ammonia was immersed in ultrapure water 20 ng / cm
^Since the elution amount is ² or less, substantially no ammonia is generated in the air.

【００２６】次に、上記システムを用いてウェハＷをレ
ジスト処理する場合について説明する。８インチ径のウ
エハＷをプロセス部２０に搬入し、これをアドヒージョ
ン処理し、冷却し、レジスト塗布し、ベークする。次
に、ウエハＷをインターフェイス部２２を介して露光部
１００に搬入し、露光する。ウエハＷをプロセス部２０
に戻し、ベーキング部５２に入れる。ウエハＷをベーク
すると、レジスト膜の露光された部分に酸が発生する。
そして、レジスト膜中で酸が拡散して酸触媒反応が起こ
り、レジスト膜は現像液に対して可溶になる。Next, a description will be given of a case where the wafer W is subjected to a resist process using the above system. The wafer W having a diameter of 8 inches is carried into the processing section 20, subjected to an adhesion process, cooled, coated with a resist, and baked. Next, the wafer W is loaded into the exposure unit 100 via the interface unit 22 and exposed. The wafer W is transferred to the processing unit 20
And put it in the baking section 52. When the wafer W is baked, acid is generated in the exposed portions of the resist film.
Then, the acid diffuses in the resist film to cause an acid-catalyzed reaction, and the resist film becomes soluble in a developing solution.

【００２７】外気はフィルタユニット７０のファン６２
によりプロセス部２０内に引き込まれる。この外気（例
えばクリ―ンル―ムの中の空気）には、壁の塗料などか
ら発生したアンモニアやアミンなどのアルカリ成分が微
量ながら含まれている。これらのアルカリ成分は、第１
フィルタ部６１のエレメント７１を通過するときにリン
酸と中和反応を起こしてトラップされる。The outside air is supplied to the fan 62 of the filter unit 70.
Is drawn into the process section 20 by the This outside air (for example, air in a clean room) contains a small amount of an alkali component such as ammonia or amine generated from a wall coating or the like. These alkaline components are the first
When passing through the element 71 of the filter section 61, it is trapped by causing a neutralization reaction with phosphoric acid.

【００２８】表１は、酸を添着した各種材質のフィルタ
エレメントを用いて、エアに含まれるアンモニアの捕集
効率を調べた結果である。 表１ 試料No. エレメント 酸成分 形状 カラム入口 カラム出口 捕集効率 濃度(ppb) 濃度(ppb) (%) 試料１ ゼオライト リン酸 ペレッ １５．８７ ０．１５ ９９．１ ト状 試料２ 活性炭 リン酸 ペレッ １２．５１ ０．０６ ９９．５ ト状 試料３ オレフィン スルホ 布状 １０．７６ ０．１１ ９９．０ 系繊維 ン酸 ただし、試料１〜３のエレメントは厚さ４９ｍｍであ
る。なお、試料３の厚さを０．７９ｍｍとしてもよい。
試料１及び試料２のエレメントは所定の気孔率及び平均
気孔径の多孔質ペレットでできている。試料３の繊維の
太さは約１５μｍである。Table 1 shows the results obtained by examining the efficiency of collecting ammonia contained in air using filter elements made of various materials to which an acid is attached. Table 1 Sample No. Element Acid component Shape Column inlet Column outlet Collection efficiency Concentration (ppb) Concentration (ppb) (%) Sample 1 Zeolite Phosphate Pellet 15.87 0.15 99.1 Grape Sample 2 Activated carbon Phosphate Pellet 12.51 0.06 99.5 G Sample 3 Olefin Sulfo Cloth 10.76 0.11 99.0-based Fiber Acid However, the elements of Samples 1 to 3 have a thickness of 49 mm. Note that the thickness of the sample 3 may be 0.79 mm.
The elements of Sample 1 and Sample 2 are made of porous pellets having a predetermined porosity and an average pore diameter. The thickness of the fiber of the sample 3 is about 15 μm.

【００２９】試料１及び試料２のエレメントにおいては
ゼオライト及び活性炭にそれぞれリン酸が物理的に吸着
している。活性炭はペレット状（多孔質体）のみなら
ず、繊維状のもの（いわゆる炭素繊維）を用いてもよ
い。炭素繊維をフィルタエレメントに用いる場合は複数
枚の炭素繊維シートを重ね合わせる。炭素繊維の太さは
約１５μｍである。一方、試料３のエレメントにおいて
はオレフィン系繊維のベースポリマーにスルホン酸基が
化学結合している。In the elements of Sample 1 and Sample 2, phosphoric acid is physically adsorbed on zeolite and activated carbon, respectively. The activated carbon is not limited to a pellet (porous body), but may be a fibrous one (so-called carbon fiber). When carbon fibers are used for the filter element, a plurality of carbon fiber sheets are stacked. The thickness of the carbon fiber is about 15 μm. On the other hand, in the element of Sample 3, a sulfonic acid group is chemically bonded to the base polymer of the olefin fiber.

【００３０】試料１ではアンモニア濃度を１５．８７ｐ
ｐｂから０．１５ｐｐｂまで低減することができた。試
料２ではアンモニア濃度を１２．５１ｐｐｂから０．０
６ｐｐｂまで低減することができた。試料３ではアンモ
ニア濃度を１０．７６ｐｐｂから０．１１ｐｐｂまで低
減することができた。いずれの試料でも９９％以上のア
ンモニア補集効率を得た。In sample 1, the ammonia concentration was 15.87 p
pb was reduced to 0.15 ppb. In sample 2, the ammonia concentration was changed from 12.51 ppb to 0.0
It could be reduced to 6 ppb. In sample 3, the ammonia concentration could be reduced from 10.76 ppb to 0.11 ppb. All the samples obtained an ammonia collection efficiency of 99% or more.

【００３１】上記フィルタ装置によれば、プロセス部２
０内においてレジスト膜中の酸の中和が抑えられ、露光
された部分が確実にアルカリ可溶化するので、レジスト
膜を高精度に現像することができる。According to the above filter device, the processing unit 2
Within 0, the neutralization of the acid in the resist film is suppressed, and the exposed portion is reliably alkali-solubilized, so that the resist film can be developed with high precision.

【００３２】また、上記フィルタ装置によれば、レジス
ト塗布後のウェハＷが搬入出口から搬出されるまでの間
にアルカリ成分濃度の極めて低い雰囲気内に置かれるの
で、レジスト膜表面部へのアルカリ成分の吸着が抑えら
れる。Further, according to the filter device, since the wafer W after resist application is placed in an atmosphere having an extremely low alkali component concentration before being carried out of the loading / unloading port, the alkali component on the resist film surface is prevented. Is suppressed.

【００３３】化学増幅型のレジスト材料には例えばＡＰ
ＥＸ−Ｅ（ＩＢＭ社の商品名）、ＡＺ−ＤＸ４６（ＨＯ
ＥＣＨＳＴ社の商品名）、ＡＸＴ−２４８（シープレー
社の商品名）などの種々のものを用いることができる。
露光後のウエハＷを、アンモニア濃度が１ＰＰｂ程度及
び１０ＰＰｂ程度の雰囲気にそれぞれ所定時間だけ放置
したところ、前者の場合はパタ―ンの線幅±０．３％の
合格基準をクリアしたが後者の場合パタ―ンが大幅に崩
れた。従って化学増幅型のレジスト材料においてはアン
モニア濃度が１ＰＰｂ以下であればよいが、０．７ＰＰ
ｂ以下であれば更に好ましい。The chemically amplified resist material includes, for example, AP
EX-E (trade name of IBM), AZ-DX46 (HO
Various types such as ECHST (trade name of ECHST) and AXT-248 (trade name of Seaplay) can be used.
When the exposed wafer W was left in an atmosphere having an ammonia concentration of about 1 PPb and about 10 PPb for a predetermined period of time, in the former case, the pass criteria of the pattern line width ± 0.3% were satisfied. If the pattern is severely disrupted. Therefore, in the case of a chemically amplified resist material, the ammonia concentration may be 1 PPb or less.
It is more preferable that it is b or less.

【００３４】ここで本発明では、図９に示すように疎水
化処理部４０を構成することが好ましい。図中にて符号
４１は上下に分離可能な密閉容器である。この密閉容器
４１の上部中央にはＨＭＤＳガスを供給するためのガス
供給管４２が接続され、容器４１の下部には第１排気管
４３が接続されている。密閉容器４１の底部には熱板４
４が配置されている。この熱板４４の上面より３本の保
持ピン４５が突出または退入するようになっている。ウ
エハＷは突起部４４ａにより支持され、その裏面が熱板
４４から離れている。密閉容器４１の側面にはゲ―ト４
６により開閉されるウエハＷの搬入出口４７が形成され
ている。Here, in the present invention, it is preferable to configure the hydrophobizing section 40 as shown in FIG. In the figure, reference numeral 41 denotes a closed container that can be vertically separated. A gas supply pipe 42 for supplying HMDS gas is connected to an upper center of the closed container 41, and a first exhaust pipe 43 is connected to a lower part of the container 41. At the bottom of the sealed container 41, a hot plate 4
4 are arranged. The three holding pins 45 project or retreat from the upper surface of the heating plate 44. The wafer W is supported by the protrusions 44 a, and the back surface is separated from the heating plate 44. Gate 4 on the side of sealed container 41
6, a loading / unloading port 47 for the wafer W which is opened and closed is formed.

【００３５】密閉容器４１はカバー１８によって取り囲
まれている。カバ―１８はウエハＷの搬入出口８１を備
えている。また、カバ―１８には第２の排気管８３が設
けられている。第２排気管８３は排気ポンプ８２の吸込
み側に連通している。第２排気管８３の端部はクリ―ン
ル―ム内のダクトに連通している。The closed container 41 is surrounded by the cover 18. The cover 18 has a loading / unloading port 81 for the wafer W. The cover 18 is provided with a second exhaust pipe 83. The second exhaust pipe 83 communicates with the suction side of the exhaust pump 82. The end of the second exhaust pipe 83 communicates with a duct in the clean room.

【００３６】このような疎水化処理部４０によれば、密
閉容器４１内にてウエハＷの上部中央からＨＭＤＳガス
が供給されウエハＷが疎水化処理される。その後第１の
排気管４３により排気しながらガス供給管４２から不活
性ガスが導入され、大気圧に戻ったときにゲ―ト６４が
開かれる。このとき密閉容器４１の内壁面などに付着し
たＨＭＤＳが飛散して、微量のＨＭＤＳが密閉容器４１
の外に漏れ出す。この場合に密閉容器４１はカバ―１８
で覆われており、常時カバ―１８の内部が排気されてい
るので、ＨＭＤＳに含まれるアミン系成分はカバ―１８
の外部には漏れ出さない。According to the hydrophobizing section 40, the HMDS gas is supplied from the upper center of the wafer W in the closed vessel 41, and the wafer W is hydrophobized. Thereafter, an inert gas is introduced from the gas supply pipe 42 while exhausting the gas through the first exhaust pipe 43, and the gate 64 is opened when the pressure returns to the atmospheric pressure. At this time, the HMDS adhering to the inner wall surface or the like of the closed container 41 is scattered, and a small amount of HMDS is removed.
Leak out of the room. In this case, the closed container 41 is
Because the interior of the cover 18 is constantly evacuated, the amine components contained in the HMDS are not covered by the cover 18.
Do not leak out of the

【００３７】さらに、図１０及び図１１を参照して疎水
化処理部４０について説明する。図１１に示すように、
疎水化処理部４０はプロセス部２０の棚の最下段に設置
するのが好ましい。その理由は、図１０に示すように疎
水化処理部４０を棚の最上段に設置すると、漏れ出たＨ
ＭＤＳガス４９がエアのダウンフローにのってプロセス
部２０内の広い範囲に拡がり、ガス４９がウェハＷに接
触するからである。従ってガス４９に含まれるアミン系
成分によるレジスト膜の汚染を防止するためには、疎水
化処理部４０を棚の最下段に設置するほうがよい。図１
１に示すように、疎水化処理部４０を棚の最下段に設置
すると、漏れ出たＨＭＤＳガス４９がプロセス部２０内
のきわめて狭い領域のみに限られ、ウェハＷがアミン系
成分によって汚染されなくなる。Further, the hydrophobizing section 40 will be described with reference to FIGS. As shown in FIG.
The hydrophobizing section 40 is preferably installed at the bottom of the shelf of the processing section 20. The reason is that, as shown in FIG. 10, when the hydrophobizing section 40 is installed at the top of the shelf, the leaked H
This is because the MDS gas 49 spreads over a wide area in the processing unit 20 due to the downflow of air, and the gas 49 comes into contact with the wafer W. Therefore, in order to prevent the resist film from being contaminated by the amine component contained in the gas 49, it is better to install the hydrophobizing section 40 at the bottom of the shelf. FIG.
As shown in FIG. 1, when the hydrophobization processing unit 40 is installed at the bottom of the shelf, the leaked HMDS gas 49 is limited to only a very narrow area in the processing unit 20, and the wafer W is not contaminated by the amine-based component. .

【００３８】なお、疎水化処理部４０の下方側には他の
処理部が存在せず、かつ疎水化処理部４０が搬送路３１
とほぼ同じ高さレベルに位置することから、漏洩ガス４
９の拡散領域は搬送路３１に対してほとんど重ならな
い。従ってアミン系成分によりウエハＷは実質的に汚染
されなくなる。No other processing unit exists below the hydrophobizing unit 40, and the hydrophobizing unit 40 is connected to the transport path 31.
Is located at almost the same height level as
The diffusion region 9 hardly overlaps the transport path 31. Therefore, the wafer W is not substantially contaminated by the amine component.

【００３９】ここで、疎水化処理部４０内の雰囲気を不
活性ガスに置換し、アミン系成分の飛散量自体を少なく
するようにすることも考えられるが、アミン系成分の濃
度を極めて低い濃度（数ｐｐｂオーダー）に抑えるため
には、長時間にわたって疎水化処理部４０内をガス置換
しなければならない。このため、スル―プットが低下し
てしまう。Here, it is conceivable to replace the atmosphere in the hydrophobizing section 40 with an inert gas so as to reduce the amount of the scattered amine component itself. In order to reduce the pressure to (a few ppb order), the inside of the hydrophobic treatment section 40 must be gas-replaced for a long time. For this reason, the throughput decreases.

【００４０】次に、図１２および図１３を参照しながら
本発明の他の実施例について説明する。図１２に示すよ
うに、この実施例のフィルタ装置９は、２つのエレメン
ト９２を持つ第１のフィルタ部９１を有し、さらに２組
のガス捕集管９３、測定部９４及び検出部９５を有す
る。一方のガス捕集管９３の吸入口は第１フィルタ部９
１のエレメント相互間に位置する。他方のガス捕集管９
３の吸入口は第２フィルタ部６３のエレメント下部（フ
ィルタ装置９の出口側）に位置する。各ガス捕集管９３
は各測定部９４に連通し、各測定部９４は各検出部９５
に接続されている。測定部９４にはガスクロマトグラフ
ィ―、イオンクロマトグラフィ―あるいはガス電極によ
るｐＨ測定器を用いる。一方の検出部９５には第１アラ
ーム９６ａが接続され、他方の検出部９５には第２アラ
ーム９６ｂが接続されている。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 12, the filter device 9 of this embodiment has a first filter unit 91 having two elements 92, and further includes two sets of gas collection tubes 93, a measurement unit 94, and a detection unit 95. Have. The suction port of one gas collecting pipe 93 is connected to the first filter section 9.
It is located between one element. The other gas collection tube 9
The suction port 3 is located below the element of the second filter section 63 (the outlet side of the filter device 9). Each gas collecting pipe 93
Communicates with each measuring unit 94, and each measuring unit 94
It is connected to the. As the measuring unit 94, a gas chromatography, an ion chromatography, or a pH measuring device using a gas electrode is used. One detection unit 95 is connected to a first alarm 96a, and the other detection unit 95 is connected to a second alarm 96b.

【００４１】図１３に示すように、フィルタエレメント
９２は炭素繊維シ―トを蛇腹状に折り曲げた形状（プリ
ーツ構造）をなしている。エレメント９２の側周部は、
折り曲げた面を外気が通気するようにシ―ル層７５を介
して支持枠７２に取り付けられている。エアはスリット
７３を通って下流側に流れる。支持枠７２にはファン６
２の側にガスケット７４が取り付けられている。エレメ
ント９２は、炭素繊維網状体（炭素繊維を編み込んだシ
ート）をリン酸溶液に浸漬した後に、微細孔中に侵入し
たリン酸溶液の一部を遠心分離機によりはじき飛ばし、
その後プレスしてプレ―ト化してつくられる。As shown in FIG. 13, the filter element 92 has a shape (pleated structure) in which a carbon fiber sheet is bent in a bellows shape. The side circumference of the element 92 is
It is attached to the support frame 72 via a seal layer 75 so that the outside air can ventilate the bent surface. The air flows downstream through the slit 73. The support frame 72 includes a fan 6
A gasket 74 is mounted on the second side. After immersing the carbon fiber network (sheet woven with carbon fibers) in the phosphoric acid solution, the element 92 repels a part of the phosphoric acid solution that has penetrated into the micropores with a centrifuge,
It is then pressed and made into plates.

【００４２】外気が第１のフィルタ部９１を通過すると
きに、外気中に含まれるアルカリ成分、主としてアミン
系成分はリン酸と中和反応を起こしてトラップされる。
このとき、外気は、上部側のエレメント９２から下部側
のエレメント９２へ通過する際に、第１のガス捕集管９
３によって定期的に捕集され、測定部９４の水溶液中に
バブリングされる。測定部９４で測定されたアミン系成
分の濃度が一定値を越えると、検出部９５は第１アラー
ム９６ａに指令信号を送り、第１出力部９６ａからアラ
―ムが発される。オペレータはアラームを聞くと、フィ
ルタエレメント９２を別のものと取り換える。この場合
に、２つとも新品に取り換えてもよいが、下部側のフィ
ルタエレメント９２を上部側に取り付け、新品のフィル
タエレメントは下部側のみに取り付けてもよい。When the outside air passes through the first filter section 91, alkali components, mainly amine components, contained in the outside air undergo a neutralization reaction with phosphoric acid and are trapped.
At this time, when the outside air passes from the upper element 92 to the lower element 92, the first gas collection pipe 9
3 and is periodically bubbled in the aqueous solution of the measuring section 94. When the concentration of the amine component measured by the measuring section 94 exceeds a certain value, the detecting section 95 sends a command signal to the first alarm 96a, and an alarm is issued from the first output section 96a. Upon hearing the alarm, the operator replaces the filter element 92 with another. In this case, both may be replaced with new ones, but the lower filter element 92 may be mounted on the upper side, and the new filter element may be mounted only on the lower side.

【００４３】上記実施例のフィルタ装置によれば、アミ
ン系成分の吸着能力は上流側に位置するフィルタエレメ
ント９２から順に低下していくため、第２のアラ―ム９
６が鳴るよりも前に、一段目のエレメントを通過した空
気を取り込む検出部９５におけるアラ―ムが鳴る。従っ
て第１フィルタエレメント９２相互間のアミン系成分濃
度が所定値を超えたときにその上段側のエレメント９２
を交換するだけで、装置内のウエハについては処分しな
くて済む。なお、第１のフィルタエレメント９２の交換
の方法については、例えば第１アラ―ム９６ａが鳴った
ときに各段全部を交換してもよいし、下段側のエレメン
ト９２については時期をずらして交換してもよい。According to the filter device of the above embodiment, the adsorbing ability of the amine-based component decreases in order from the filter element 92 located on the upstream side.
Prior to the sound of 6, the alarm in the detection unit 95 that takes in the air that has passed through the first-stage element sounds. Therefore, when the concentration of the amine-based component between the first filter elements 92 exceeds a predetermined value, the upper element 92
The wafer in the apparatus need not be disposed of only by replacing the wafer. As for the method of replacing the first filter element 92, for example, all the stages may be replaced when the first alarm 96a sounds, or the lower-stage element 92 may be replaced at a different time. May be.

【００４４】図１３に示すように、エレメント９２の折
り曲げた面を通気するようにフィルタユニット９を配置
した場合には、エレメント９２の空気抵抗が大きく、第
１のフィルタ部６１を２段に積層すると、ファン６２の
能力を相当大きくしなければならず現実的には多段化が
困難である。しかし、本実施例のようにエレメント９２
を配置すれば、第１のフィルタ部９１の空気抵抗が小さ
くなり、その結果圧力損失も小さくなるため、ファン６
２を用いて外気を十分に吸引でき、第１のフィルタ部９
１の多段化が可能となる。As shown in FIG. 13, when the filter unit 9 is arranged so as to ventilate the bent surface of the element 92, the air resistance of the element 92 is large and the first filter portion 61 is laminated in two stages. Then, the capacity of the fan 62 must be considerably increased, and it is practically difficult to increase the number of stages. However, as in the present embodiment, the element 92
Is arranged, the air resistance of the first filter unit 91 is reduced, and as a result, the pressure loss is also reduced.
2, the outside air can be sufficiently sucked, and the first filter section 9
1 can be realized in multiple stages.

【００４５】上記実施例のフィルタエレメントは、比表
面積の大きい炭素繊維網状体を酸溶液に浸漬した後に、
遠心分離機で溶液をはじき飛ばし、更にプレスしている
ので、アルカリ成分の吸着領域が大きく、かつ高密度に
配列され、アルカリ成分の吸着効率が高い。The filter element of the above embodiment is obtained by immersing a carbon fiber network having a large specific surface area in an acid solution.
Since the solution is repelled by a centrifugal separator and further pressed, the adsorption area of the alkali component is large and arranged at a high density, and the adsorption efficiency of the alkali component is high.

【００４６】なお、アミン系成分は拡散しやすいため、
エレメント９２をこのように配置しても十分に除去する
ことができる。さらに、第１フィルタエレメント９２に
は、上述実施例のもののみに限られずゼオライトや活性
炭などの粒状体または網状体を用いてもよいし、エレメ
ントに添着する酸成分としてはリン酸以外にスルホン酸
などであってもよいし、イオン交換繊維のようなもので
あってもよい。ただし、パ―ティクルの発生が少ない点
で繊維状体のフィルタエレメントが好ましい。Since the amine-based component is easily diffused,
Even if the element 92 is arranged in this manner, it can be sufficiently removed. Further, the first filter element 92 is not limited to the above-described embodiment, but may be a granular or reticulated material such as zeolite or activated carbon. The acid component attached to the element may be sulfonic acid other than phosphoric acid. Or the like, or a material such as ion exchange fiber. However, a fibrous filter element is preferable in that the generation of particles is small.

【００４７】また、ファン６２は、第１のフィルタ部６
１（９１）と第２のフィルタ部６３との間に配置すれ
ば、プロセス部２０内における風速を０．２〜０．４ｍ
／秒の好ましい範囲にすることができる。The fan 62 is connected to the first filter unit 6.
1 (91) and the second filter unit 63, the wind speed in the process unit 20 is 0.2 to 0.4 m.
/ Second in a preferred range.

【００４８】そしてまた本発明は、塗布装置と現像装置
とが分離されているものに対しても適用することができ
る。更には塗布、現像装置と露光部とが例えば搬送路を
介して連結されている場合には、これら全体をカバ―で
覆ってこのカバ―にフィルタユニット部を設けてもよ
い。なお、半導体ウエハ以外にＬＣＤ用のガラス基板な
どを被処理基板としてもよい。The present invention is also applicable to a device in which a coating device and a developing device are separated. Further, when the coating / developing apparatus and the exposure unit are connected via, for example, a transport path, the entire unit may be covered with a cover and a filter unit may be provided in this cover. In addition, a glass substrate for LCD or the like other than the semiconductor wafer may be used as the substrate to be processed.

【００４９】[0049]

【発明の効果】本発明によれば、比表面積の大きい多孔
質体を酸溶液に浸漬した後に、遠心分離機で過剰な酸溶
液を除去し、さらにプレスしてフィルタエレメントを形
成している。このようなフィルタエレメントは、多孔質
体にアルカリ成分と反応吸着しうる酸成分を含むので、
アルカリ成分の捕捉率が極めて高い。このため、現像後
におけるレジスト塗布膜の形状が良好になる。とくにク
リーンルームに設置されたレジスト処理システム内で化
学増幅型のレジストを使用する場合に、コンタクトホー
ル側壁の垂直特性が飛躍的に改善され、回路に欠陥を生
じなくなる。 According to the present invention, after the porous body having a large specific surface area is immersed in an acid solution, an excess acid solution is removed by a centrifugal separator, and further pressed to form a filter element. Since such a filter element contains an acid component capable of reacting and adsorbing with the alkali component in the porous body,
Extremely high alkali component capture rate. For this reason, the shape of the resist coating film after development is improved. In particular, click
When using chemically amplified resist in the resist processing system installed in the lean room , the contact hole
Vertical characteristics of Le sidewalls is remarkably improved, the raw defects in circuit
Will not be repelled.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ）のそれぞ
れは、従来のレジスト膜の現像処理を模式化して説明す
る縦断面モデル図。FIGS. 1A, 1B, and 1C are longitudinal sectional model views schematically illustrating a conventional resist film developing process.

【図２】レジスト処理システムの外観を示す斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing the appearance of a resist processing system.

【図３】レジスト処理システムの内部の概略レイアウト
を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing a schematic layout inside a resist processing system.

【図４】レジスト処理システムを示す外観側面図。FIG. 4 is an external side view showing a resist processing system.

【図５】レジスト処理システムのプロセス部を示す縦断
面図。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a processing unit of the resist processing system.

【図６】レジスト処理システムのインターフェイス部を
示す縦断面図。FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing an interface section of the resist processing system.

【図７】フィルタユニットの一部を切り欠いて内部エレ
メントを示す斜視図。FIG. 7 is a perspective view showing the internal element by cutting out a part of the filter unit.

【図８】フィルタエレメントの一部を示す部分断面図。FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing a part of the filter element.

【図９】疎水化処理部を示す縦断面図。FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing a hydrophobization unit.

【図１０】従来のプロセス部を示す縦断面図。FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing a conventional process unit.

【図１１】実施例のプロセス部を示す縦断面図。FIG. 11 is a vertical cross-sectional view showing a process unit of the embodiment.

【図１２】他の実施例に係るフィルタユニットを示す正
面図。FIG. 12 is a front view showing a filter unit according to another embodiment.

【図１３】他の実施例のフィルタユニットの一部を切り
欠いて内部エレメントを示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing an internal element by cutting out a part of a filter unit of another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２０…プロセス部、２１…ロード／アンロード部、２２
…インターフェイス部、６０…開口部、６１，６１ａ，
９１…第１のフィルタ部、６２，６２ａ…ファン、６
３，６３ａ…第３のフィルタ部、７０，７０ａ…フィル
タユニット、７１，９２…フィルタエレメント、７２…
支持枠、７３…スリット、７７…循環ダクト、９３…ガ
ス捕集管、９４…測定部、９５…検出部、１００…露光
部20: process unit, 21: load / unload unit, 22
... Interface part, 60 ... Opening part, 61, 61a,
91: first filter section, 62, 62a: fan, 6
3, 63a: third filter section, 70, 70a: filter unit, 71, 92: filter element, 72 ...
Support frame, 73: slit, 77: circulation duct, 93: gas collecting tube, 94: measuring unit, 95: detecting unit, 100: exposure unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−20906（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−40215（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−162340（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−238011（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−144732（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−208947（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B01D 53/42 B01D 53/58 B01D 53/81 H01L 21/027 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-6-20906 (JP, A) JP-A-2-40215 (JP, A) JP-A-55-162340 (JP, A) JP-A-3-202 238011 (JP, A) JP-A-62-144732 (JP, A) JP-A-6-208947 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁷ , DB name) B01D 53/42 B01D 53 / 58 B01D 53/81 H01L 21/027

Claims (20)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 外気をレジスト処理システム内に取り入
れるための開口部をもつ枠体と、前記開口部に外気を吸
引する吸引手段と、この吸引手段の少なくとも一方面側
に位置するように前記枠体によって支持されたフィルタ
エレメントと、を有し、 前記フィルタエレメントは、酸溶液中に浸漬した後に、
微細孔中に侵入した酸溶液の一部を遠心分離機によりは
じき飛ばし、その後プレスしてプレート化してなるアル
カリ成分と反応吸着しうる酸成分を含む多孔質体を有す
ることを特徴とするフィルタ装置。1. A frame body having an opening for taking in outside air into a resist processing system, suction means for sucking outside air into said opening, and said frame so as to be located on at least one surface side of said suction means. And a filter element supported by a body, said filter element being immersed in an acid solution,
Part of the acid solution that has penetrated into the micropores is removed by a centrifuge.
A filter device comprising a porous body containing an acid component capable of reacting and adsorbing with an alkali component formed by flicking and then pressing to form a plate . 【請求項２】 上記フィルタエレメントは、外気の出口
側にスリットをもつプリーツ構造の多孔質体のシートを
有することを特徴とする請求項１記載のフィルタ装置。 2. The filter element according to claim 1, wherein said filter element is an outlet for outside air.
Pleated porous sheet with slit on the side
The filter device according to claim 1, further comprising: 【請求項３】 上記フィルタエレメントは、上記吸引手
段の吸い込み側に設けられ、アルカリ成分と反応吸着し
うる酸成分を含む上記多孔質体を有する第１のフィルタ
エレメントと、上記吸引手段の送り出し側に設けられた
第２のフィルタエレメントと、を具備することを特徴と
する請求項１記載のフィルタ装置。 3. The filter element according to claim 2, wherein the filter element is
Provided on the suction side of the stage, reacts and adsorbs with alkaline components
First filter having the above-mentioned porous body containing an acid component
Element, provided on the delivery side of the suction means
And a second filter element.
The filter device according to claim 1, wherein 【請求項４】 さらに、上記第１のフィルタエレメント
を通過したガスに含まれるアルカリ成分を測定検出する
手段を有することを特徴とする請求項３記載のフィルタ
装置。 4. The first filter element according to claim 1, further comprising :
Measurement and detection of alkali components contained in gas passing through
4. The filter according to claim 3, further comprising means.
apparatus. 【請求項５】 さらに、測定検出されたアルカリ成分が
いき値を越えたときにアラームを発するアラーム手段を
有することを特徴とする請求項４記載のフィルタ装置。 5. The method according to claim 1, wherein the alkali component detected and detected is
Alarm means to generate an alarm when the threshold is exceeded
The filter device according to claim 4, further comprising: 【請求項６】 第１のフィルタエレメントが二段になっ
ていることを特徴とする請求項３記載のフィルタ装置。 6. A two-stage first filter element.
4. The filter device according to claim 3, wherein: 【請求項７】 外気をレジスト処理システム内に取り入
れるための開口部をもつ枠体と、前記開口部に外気を吸
引する吸引手段と、この吸引手段の少なくとも一方面側
に位置するように前記枠体によって支持されたフィルタ
エレメントと、を有し、 前記フィルタエレメントは、前記吸引手段の吸い込み側
に二段に設けられ、アルカリ成分と反応吸着しうる酸成
分を含む多孔質体を有する第１のフィルタエレメント
と、前記吸引手段の送り出し側に設けられた第２のフィ
ルタエレメントと、を具備することを特徴とするフィル
タ装置。7. The outside air is taken into a resist processing system.
A frame having an opening through which air is drawn, and outside air being sucked into the opening.
Suction means for pulling, and at least one surface side of the suction means
The filter supported by the frame so as to be located at
An element, wherein the filter element is provided in two stages on the suction side of the suction means and has a porous body containing an acid component capable of reacting and adsorbing with an alkali component; A second filter element provided on the delivery side of the means. 【請求項８】 上記第１のフィルタエレメントは、外気
の出口側にスリットをもつプリーツ構造の多孔質体のシ
ートを有することを特徴とする請求項７記載のフィルタ
装置。 8. The first filter element according to claim 1 , wherein
Of a pleated porous body with a slit on the outlet side of
The filter according to claim 7, further comprising a filter.
apparatus. 【請求項９】 さらに、上記第１のフィルタエレメント
を通過したガスに含まれるアルカリ成分を測定検出する
手段を有することを特徴とする請求項７記載のフィルタ
装置。 9. The first filter element according to claim 1, further comprising :
Measurement and detection of alkali components contained in gas passing through
8. The filter according to claim 7, comprising means.
apparatus. 【請求項１０】 さらに、測定検出されたアルカリ成分
がいき値を越えたときにアラームを発するアラーム手段
を有することを特徴とする請求項９記載のフィルタ装
置。 10. The alkali component detected and detected.
Means to generate an alarm when the value exceeds the threshold
10. The filter device according to claim 9, comprising:
Place. 【請求項１１】 基板にレジストを塗布するレジスト塗
布手段と、塗布レジストをベークするベーキング手段
と、塗布レジストを現像する現像手段と、外気中の不純
物を除去するフィルタ手段と、を備えたレジスト処理シ
ステムであって、 前記フィルタ手段は、前記レジスト塗布手段、ベーキン
グ手段および現像手段のうちの少なくとも１つに外気を
取り入れるための開口部をもつ枠体と、前記開口部に外
気を吸引する吸引手段と、この吸引手段の少なくとも一
方面側に位置するように前記枠体によって支持されたフ
ィルタエレメントと、を有し、 前記フィルタエレメントは、酸溶液中に浸漬した後に、
微細孔中に侵入した酸溶液の一部を遠心分離機によりは
じき飛ばし、その後プレスしてプレート化してなるアル
カリ成分と反応吸着しうる酸成分を含む多孔質体を有す
ることを特徴とするレジスト処理システム。11. A resist coating for applying a resist to a substrate.
Cloth means and baking means for baking the applied resist
And developing means for developing the coating resist, and impurities in the outside air.
A resist processing system comprising:
A stem having an opening for taking in outside air into at least one of the resist coating unit, the baking unit and the developing unit; and a suction unit for sucking outside air into the opening. And a filter element supported by the frame so as to be located on at least one surface side of the suction means, wherein the filter element is immersed in an acid solution,
A resist processing system comprising a porous body containing an acid component capable of reacting and adsorbing an alkali component formed by pressing off a part of the acid solution penetrating into the micropores by a centrifugal separator, and then pressing and forming the plate. . 【請求項１２】 上記フィルタエレメントは、外気の出
口側にスリットをもつプリーツ構造の多孔質体のシート
を有することを特徴とする請求項１１記載のレジスト処
理システム。 12. The filter element according to claim 1, wherein
Pleated porous sheet with slit on the mouth side
12. The resist treatment according to claim 11, wherein:
Management system. 【請求項１３】 上記フィルタエレメントは、上記吸引
手段の吸い込み側に設けられ、アルカリ成分と反応吸着
しうる酸成分を含む上記多孔質体を有する第 １のフィル
タエレメントと、上記吸引手段の送り出し側に設けられ
た第２のフィルタエレメントと、を具備することを特徴
とする請求項１１記載のレジスト処理システム。 13. The filter element according to claim 13 , wherein
Provided on the suction side of the means, reacts with alkaline components
First fill having the above-mentioned porous body containing a susceptible acid component
And the suction element are provided on the delivery side of the suction means.
And a second filter element.
The resist processing system according to claim 11, wherein 【請求項１４】 さらに、上記第１のフィルタエレメン
トを通過したガスに含まれるアルカリ成分を測定検出す
る手段を有することを特徴とする請求項１３記載のレジ
スト処理システム。 14. The first filter element according to claim 1, wherein
Measures and detects the alkali components contained in the gas that has passed
14. The cash register according to claim 13, further comprising:
Strike processing system. 【請求項１５】 さらに、測定検出されたアルカリ成分
がいき値を越えたときにアラームを発するアラーム手段
を有することを特徴とする請求項１４記載のレジスト処
理システム。 15. The alkali component detected and detected.
Means to generate an alarm when the value exceeds the threshold
15. The resist treatment according to claim 14, comprising:
Management system. 【請求項１６】 第１のフィルタエレメントが二段にな
っていることを特徴とする請求項１３記載のレジスト処
理システム。 16. A two-stage first filter element.
14. The resist processing according to claim 13, wherein
Management system. 【請求項１７】 基板にレジストを塗布するレジスト塗
布手段と、塗布レジストをベークするベーキング手段
と、塗布レジストを現像する現像手段と、外気中の不純
物を除去するフィルタ手段と、を備えたレジスト処理シ
ステムであって、 前記フィルタ手段は、前記レジスト塗布手段、ベーキン
グ手段および現像手段のうちの少なくとも１つに外気を
取り入れるための開口部をもつ枠体と、前記開口部に外
気を吸引する吸引手段と、この吸引手段の少なくとも一
方面側に位置するように前記枠体によって支持されたフ
ィルタエレメントと、を有し、 前記フィルタエレメントは、前記吸引手段の吸い込み側
に二段に設けられ、アルカリ成分と反応吸着しうる酸成
分を含む多孔質体を有する第１のフィルタエレメント
と、前記吸引手段の送り出し側に設けられた第２のフィ
ルタエレメントと、を具備することを特徴とするレジス
ト処理システム。17. A resist coating for applying a resist to a substrate.
Cloth means and baking means for baking the applied resist
And developing means for developing the coating resist, and impurities in the outside air.
A resist processing system comprising:
A stem having an opening for taking in outside air into at least one of the resist coating unit, the baking unit and the developing unit; and a suction unit for sucking outside air into the opening. And a filter element supported by the frame so as to be located on at least one surface side of the suction means. The filter element is provided in two stages on a suction side of the suction means, and includes an alkali component. A resist processing system comprising: a first filter element having a porous body containing an acid component capable of reacting and adsorbing with a filter element; and a second filter element provided on a delivery side of the suction means. 【請求項１８】 上記第１のフィルタエレメントは、外
気の出口側にスリットをもつプリーツ構造の多孔質体の
シートを有することを特徴とする請求項１７記載のレジ
スト処理システム。 18. The first filter element according to claim 17 , wherein
Pleated porous body with a slit on the air outlet side
The cash register according to claim 17, further comprising a sheet.
Strike processing system. 【請求項１９】 さらに、上記第１のフィルタエレメン
トを通過したガスに含まれるアルカリ成分を測定検出す
る手段を有することを特徴とする請求項１７記載のレジ
スト処理システム。 19. The method according to claim 19, further comprising the step of :
Measures and detects the alkali components contained in the gas that has passed
18. The cash register according to claim 17, further comprising:
Strike processing system. 【請求項２０】 さらに、測定検出されたアルカリ成分
がいき値を越えたときにアラームを発するアラーム手段
を有することを特徴とする請求項１９記載のレジスト処
理システム。 20. An alkali component which has been measured and detected.
Means to generate an alarm when the value exceeds the threshold
20. The resist processing according to claim 19, comprising:
Management system.