JP3461032B2 - Ｃｖｄ装置用カーボン電極及びその製造法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置用カーボン電極及びその製造法Info
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- JP3461032B2 JP3461032B2 JP12794294A JP12794294A JP3461032B2 JP 3461032 B2 JP3461032 B2 JP 3461032B2 JP 12794294 A JP12794294 A JP 12794294A JP 12794294 A JP12794294 A JP 12794294A JP 3461032 B2 JP3461032 B2 JP 3461032B2
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Description
【０００１】本発明は、ＣＶＤ装置用カーボン電極（以
下カーボン電極とする）の改良に関し、特に半導体デバ
イス用シリコンウエハーに薄膜を形成するホットウォー
ル型プラズマＣＶＤ装置などに用いられるカーボン電極
及びその製造法に関する
下カーボン電極とする）の改良に関し、特に半導体デバ
イス用シリコンウエハーに薄膜を形成するホットウォー
ル型プラズマＣＶＤ装置などに用いられるカーボン電極
及びその製造法に関する
【０００２】
【従来の技術】従来のカーボン電極は、コークスを粉砕
したカーボン粉末（粒子）とバインダーとを混練した
後、所定の形状に形成し、さらに黒鉛化したカーボン基
材を用いていた。
したカーボン粉末（粒子）とバインダーとを混練した
後、所定の形状に形成し、さらに黒鉛化したカーボン基
材を用いていた。
【０００３】カーボン電極は、通常半導体デバイス用シ
リコンウエハを載置して用いられるが、長時間使用して
いるとカーボン電極に窒化物、酸化物等が付着し、半導
体デバイス用シリコンウエハ上にＣＶＤ膜を均一に形成
することが困難になる。
リコンウエハを載置して用いられるが、長時間使用して
いるとカーボン電極に窒化物、酸化物等が付着し、半導
体デバイス用シリコンウエハ上にＣＶＤ膜を均一に形成
することが困難になる。
【０００４】そこでカーボン電極に付着している窒化
物、酸化物等を取り除くためにフレオンガスなどを用い
て定期的にカーボン電極を洗浄する必要があるが、しか
しこの洗浄の繰り返しにより、短期間でカーボン電極か
らカーボン粒子が脱落してプラズマＣＶＤ処理中に半導
体デバイス用シリコンウエハに付着するおそれがある。
物、酸化物等を取り除くためにフレオンガスなどを用い
て定期的にカーボン電極を洗浄する必要があるが、しか
しこの洗浄の繰り返しにより、短期間でカーボン電極か
らカーボン粒子が脱落してプラズマＣＶＤ処理中に半導
体デバイス用シリコンウエハに付着するおそれがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の問題点を解消す
るために、黒鉛化したカーボン基材の表面にガラス状炭
素の被膜を形成したカーボン電極があるが、このカーボ
ン電極は、カーボン基材の表面に単にガラス状炭素の被
膜が薄く付着しているだけであるため、被膜自体の機械
的強度が弱いという欠点がある。そこで上記被膜の強度
を高めるために、膜厚を厚くすることが考えられるが、
膜厚を厚くすると被膜生成時の熱処理工程で被膜が剥離
するという欠点が生じる。
るために、黒鉛化したカーボン基材の表面にガラス状炭
素の被膜を形成したカーボン電極があるが、このカーボ
ン電極は、カーボン基材の表面に単にガラス状炭素の被
膜が薄く付着しているだけであるため、被膜自体の機械
的強度が弱いという欠点がある。そこで上記被膜の強度
を高めるために、膜厚を厚くすることが考えられるが、
膜厚を厚くすると被膜生成時の熱処理工程で被膜が剥離
するという欠点が生じる。
【０００６】本発明は、カーボン粒子の結合力を向上さ
せ、カーボン電極からカーボン粒子が脱落したり、ガラ
ス状炭素の被膜が剥離したりすることを極力防止し、使
用回数を向上させたカーボン電極を提供するものであ
る。
せ、カーボン電極からカーボン粒子が脱落したり、ガラ
ス状炭素の被膜が剥離したりすることを極力防止し、使
用回数を向上させたカーボン電極を提供するものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らはかかる現状
に鑑み、従来公知の黒鉛材料について種々検討した結
果、黒鉛材料はピッチなどの結合材とコークスなどの微
粉とを混練した後、粉砕、成形、焼成炭化、さらに黒鉛
化を行って得られるが、コークスなどの微粒子の集合体
は組織上極めて結合力が弱く洗浄を繰り返して行った場
合、カーボン粒子間の浸食によりカーボン粒子の脱落が
生じることを確認し、そこで本発明者らは該組織上弱い
結合力を補う方法を鋭意検討した結果、ガラス状炭素を
コークスなどの微粒子の集合体の組織中に含浸すること
により微粒子の集合体の粒子をガラス状炭素で被覆する
と共に組織中の気孔を充填し、結合力を向上させること
が出来ることを見いだし本発明を完成するに至った。
に鑑み、従来公知の黒鉛材料について種々検討した結
果、黒鉛材料はピッチなどの結合材とコークスなどの微
粉とを混練した後、粉砕、成形、焼成炭化、さらに黒鉛
化を行って得られるが、コークスなどの微粒子の集合体
は組織上極めて結合力が弱く洗浄を繰り返して行った場
合、カーボン粒子間の浸食によりカーボン粒子の脱落が
生じることを確認し、そこで本発明者らは該組織上弱い
結合力を補う方法を鋭意検討した結果、ガラス状炭素を
コークスなどの微粒子の集合体の組織中に含浸すること
により微粒子の集合体の粒子をガラス状炭素で被覆する
と共に組織中の気孔を充填し、結合力を向上させること
が出来ることを見いだし本発明を完成するに至った。
【０００８】本発明は、平均気孔径が０．１〜２．６μ
ｍ及び見掛け密度が１．７０〜１．８７ｇ／ｃｍ３のガ
ラス状炭素含浸用黒鉛材料に、ガラス状炭素となり得る
樹脂を含浸し、硬化し、焼成炭化し、黒鉛化処理し、所
望の形状に加工し、熱処理して高純度精製を行って形成
された、ガラス状炭素の含有率が３．５〜７．０重量
％、見掛け密度が１．８５〜１．９５ｇ／ｃｍ３及び含
有平均気孔率が０．５〜８％であるカーボン電極並びに
上記のカーボン電極の製造法であって、平均気孔径が
０．１〜２．６μｍ及び見掛け密度が１．７０〜１．８
７ｇ／ｃｍ ３ のガラス状炭素含浸用黒鉛材料にガラス状
炭素となり得る樹脂を含浸した後、硬化、焼成炭化、黒
鉛化処理し、所望の形状に加工した後熱処理して高純度
精製を行うカーボン電極の製造法に関する。
ｍ及び見掛け密度が１．７０〜１．８７ｇ／ｃｍ３のガ
ラス状炭素含浸用黒鉛材料に、ガラス状炭素となり得る
樹脂を含浸し、硬化し、焼成炭化し、黒鉛化処理し、所
望の形状に加工し、熱処理して高純度精製を行って形成
された、ガラス状炭素の含有率が３．５〜７．０重量
％、見掛け密度が１．８５〜１．９５ｇ／ｃｍ３及び含
有平均気孔率が０．５〜８％であるカーボン電極並びに
上記のカーボン電極の製造法であって、平均気孔径が
０．１〜２．６μｍ及び見掛け密度が１．７０〜１．８
７ｇ／ｃｍ ３ のガラス状炭素含浸用黒鉛材料にガラス状
炭素となり得る樹脂を含浸した後、硬化、焼成炭化、黒
鉛化処理し、所望の形状に加工した後熱処理して高純度
精製を行うカーボン電極の製造法に関する。
【０００９】本発明においてガラス状炭素となり得る樹
脂を含浸する前の平均気孔径は、０．１〜２．６μｍの
範囲とされ、０．１μｍ未満であると気孔径が小さいた
めガラス状炭素が黒鉛材料の中心部まで含浸されず、使
用中に異物の発生が増大する。また２．６μｍを越える
と樹脂含浸後に樹脂の吹出しが生じ、含浸回数を多くし
なければならないため時間を費やすと共に十分に含浸さ
れない部分が生じ異物の発生が増大する。
脂を含浸する前の平均気孔径は、０．１〜２．６μｍの
範囲とされ、０．１μｍ未満であると気孔径が小さいた
めガラス状炭素が黒鉛材料の中心部まで含浸されず、使
用中に異物の発生が増大する。また２．６μｍを越える
と樹脂含浸後に樹脂の吹出しが生じ、含浸回数を多くし
なければならないため時間を費やすと共に十分に含浸さ
れない部分が生じ異物の発生が増大する。
【００１０】またガラス状炭素となり得る樹脂を含浸す
る前の黒鉛材料の見掛け密度は、１．７０〜１．８７g/
cm3、好ましくは１．７５〜１．８７g/cm3、より好まし
くは１．８０〜１．８７g/cm3の範囲とされ、１．７０g
/cm3未満であると含浸回数を多くしなければならないた
め時間を費やすと共に十分に含浸されない部分が生じ異
物の発生が増大する。また１．８７g/cm3を越えると組
織中の気孔径が小さいためガラス状炭素が黒鉛材料の中
心部まで含浸されず、使用中に異物の発生が増大する。
なお黒鉛材料としては特に制限はなく従来公知のものが
用いられる。
る前の黒鉛材料の見掛け密度は、１．７０〜１．８７g/
cm3、好ましくは１．７５〜１．８７g/cm3、より好まし
くは１．８０〜１．８７g/cm3の範囲とされ、１．７０g
/cm3未満であると含浸回数を多くしなければならないた
め時間を費やすと共に十分に含浸されない部分が生じ異
物の発生が増大する。また１．８７g/cm3を越えると組
織中の気孔径が小さいためガラス状炭素が黒鉛材料の中
心部まで含浸されず、使用中に異物の発生が増大する。
なお黒鉛材料としては特に制限はなく従来公知のものが
用いられる。
【００１１】得られる製品（カーボン電極）は、ガラス
状炭素の含有率が３．５〜７．０重量％、見掛け密度が
１．８５〜１．９５g/cm3及び含有平均気孔率が０．５
〜８％の範囲とされ、ガラス状炭素の含有率が７．０重
量％を越えた場合、見掛け密度が１．９５g/cm3を越え
た場合及び／又は含有平均気孔率が０．５％未満である
といたずらに含浸回数を費やすだけで手間がかかり、ま
たガラス状炭素の含有率が３．５重量％未満、見掛け密
度が１．８５g/cm3未満及び／又は含有平均気孔率が８
％を越えると含浸量が少なく、気孔率が大であるため使
用中に異物の発生が増大する。
状炭素の含有率が３．５〜７．０重量％、見掛け密度が
１．８５〜１．９５g/cm3及び含有平均気孔率が０．５
〜８％の範囲とされ、ガラス状炭素の含有率が７．０重
量％を越えた場合、見掛け密度が１．９５g/cm3を越え
た場合及び／又は含有平均気孔率が０．５％未満である
といたずらに含浸回数を費やすだけで手間がかかり、ま
たガラス状炭素の含有率が３．５重量％未満、見掛け密
度が１．８５g/cm3未満及び／又は含有平均気孔率が８
％を越えると含浸量が少なく、気孔率が大であるため使
用中に異物の発生が増大する。
【００１２】本発明におけるガラス状炭素の含有率とは
黒鉛材料に含浸されたガラス状炭素の量を重量％で示し
たものである。また含有平均気孔率とはＪＩＳ−Ｒ−７
２１２に準じる方法より求めた値である。さらに平均気
孔径とは水銀ポロシメータにより１ｃｍ2中に含まれる
気孔の平均径から求めた値である。
黒鉛材料に含浸されたガラス状炭素の量を重量％で示し
たものである。また含有平均気孔率とはＪＩＳ−Ｒ−７
２１２に準じる方法より求めた値である。さらに平均気
孔径とは水銀ポロシメータにより１ｃｍ2中に含まれる
気孔の平均径から求めた値である。
【００１３】ガラス状炭素となり得る樹脂としては、フ
ェノール樹脂、フラン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリ
エステル樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、キシレ
ン樹脂等の一種以上が用いられるが、本発明においては
フェノール樹脂を用いることが好ましい。
ェノール樹脂、フラン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリ
エステル樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、キシレ
ン樹脂等の一種以上が用いられるが、本発明においては
フェノール樹脂を用いることが好ましい。
【００１４】カーボン電極の製造工程における硬化、焼
成炭化、黒鉛化処理、加工、熱処理等については特に制
限はなく、従来公知の方法で行われる。また含浸につい
ては減圧下で行えば黒鉛材料中の空気などを十分に取り
除くことができ含浸効果に優れるので好ましい。なお減
圧下における真空度については特に制限はない。本発明
においては必要に応じ予備加熱して水分などを除去して
もよい。
成炭化、黒鉛化処理、加工、熱処理等については特に制
限はなく、従来公知の方法で行われる。また含浸につい
ては減圧下で行えば黒鉛材料中の空気などを十分に取り
除くことができ含浸効果に優れるので好ましい。なお減
圧下における真空度については特に制限はない。本発明
においては必要に応じ予備加熱して水分などを除去して
もよい。
【００１５】
【実施例】以下発明の実施例を説明する。
実施例１
見掛け密度が１．８１g/cm3、電気比抵抗が１２μΩ
ｍ、曲げ強さが５３MPa、含有平均気孔率が１１％及び
平均気孔径が０．１μｍの特性を有する人造黒鉛材料
（日立化成工業製、商品名ＰＤ−６００）を所望の形状
に加工した後、デシケータに入れ真空度２０Torr以下の
減圧下でメタノールを用いて樹脂分を５５重量％に調整
したフェノール樹脂（日立化成工業製、商品名ＶＰ−１
１Ｎ）の含浸を１０分間行った。該含浸品を乾燥機に入
れ１６０℃まで昇温し、１２時間保持して硬化を行った
後、環状炉に入れ窒素気流中で１１００℃まで昇温し、
５時間保持して焼成炭化を行った。さらに、２８００℃
まで昇温し、６時間保持して黒鉛化処理を行った。含浸
から黒鉛化処理までの作業を３回繰り返し行った後、所
定の形状寸法に加工し、次いで２５００℃の温度で熱処
理して高純度精製を行いカーボン電極を得た。
ｍ、曲げ強さが５３MPa、含有平均気孔率が１１％及び
平均気孔径が０．１μｍの特性を有する人造黒鉛材料
（日立化成工業製、商品名ＰＤ−６００）を所望の形状
に加工した後、デシケータに入れ真空度２０Torr以下の
減圧下でメタノールを用いて樹脂分を５５重量％に調整
したフェノール樹脂（日立化成工業製、商品名ＶＰ−１
１Ｎ）の含浸を１０分間行った。該含浸品を乾燥機に入
れ１６０℃まで昇温し、１２時間保持して硬化を行った
後、環状炉に入れ窒素気流中で１１００℃まで昇温し、
５時間保持して焼成炭化を行った。さらに、２８００℃
まで昇温し、６時間保持して黒鉛化処理を行った。含浸
から黒鉛化処理までの作業を３回繰り返し行った後、所
定の形状寸法に加工し、次いで２５００℃の温度で熱処
理して高純度精製を行いカーボン電極を得た。
【００１６】実施例２
実施例１の人造黒鉛材料に代えて見掛け密度が１．７５
g/cm3、電気比抵抗が１３μΩｍ、曲げ強さが４０MPa、
含有平均気孔率が１５％及び平均気孔径が２．６μｍの
特性を有する人造黒鉛材料（日立化成工業製、商品名Ｐ
Ｄ−６２０）を用いた以外は、実施例１と同様のフェノ
ール樹脂を用い、実施例１と同様の工程を経てカーボン
電極を得た。
g/cm3、電気比抵抗が１３μΩｍ、曲げ強さが４０MPa、
含有平均気孔率が１５％及び平均気孔径が２．６μｍの
特性を有する人造黒鉛材料（日立化成工業製、商品名Ｐ
Ｄ−６２０）を用いた以外は、実施例１と同様のフェノ
ール樹脂を用い、実施例１と同様の工程を経てカーボン
電極を得た。
【００１７】実施例３
実施例１で用いたフェノール樹脂にアセトンとメタノー
ルの混合溶媒（重量比でアセトン５０：メタノール５
０）を加えて樹脂分を３０重量％とした以外は実施例１
と同様の人造黒鉛材料を用い、実施例１と同様の工程を
経てカーボン電極を得た。
ルの混合溶媒（重量比でアセトン５０：メタノール５
０）を加えて樹脂分を３０重量％とした以外は実施例１
と同様の人造黒鉛材料を用い、実施例１と同様の工程を
経てカーボン電極を得た。
【００１８】実施例４
実施例１で用いたフェノール樹脂を撹拌機を備えた容器
に入れ、この容器を３０℃に保持したウォーターバス中
に入れ撹拌しながら溶媒を蒸発させて樹脂分を６５重量
％とした以外は実施例１と同様の人造黒鉛材料を用い、
実施例１と同様の工程を経てカーボン電極を得た。
に入れ、この容器を３０℃に保持したウォーターバス中
に入れ撹拌しながら溶媒を蒸発させて樹脂分を６５重量
％とした以外は実施例１と同様の人造黒鉛材料を用い、
実施例１と同様の工程を経てカーボン電極を得た。
【００１９】実施例５
平均粒径が１０μｍのコークス粉１００重量部と結合材
ピッチ４５重量部とを混練した混練物を粉砕機で平均粒
径が２０μｍになるよう粉砕し、次いで１００MPaの圧
力で成形した後、焼成炉に入れ１０００℃まで昇温し、
５時間保持して焼成し、さらに２８００℃まで昇温し、
６時間保持して黒鉛化を行い黒鉛材料を得た。得られた
黒鉛材料は見掛け密度が１．８７g/cm3、電気比抵抗が
１１μΩｍ、曲げ強さが５２MPa、含有平均気孔率が１
０．６％及び平均気孔径が１．０μｍであった。
ピッチ４５重量部とを混練した混練物を粉砕機で平均粒
径が２０μｍになるよう粉砕し、次いで１００MPaの圧
力で成形した後、焼成炉に入れ１０００℃まで昇温し、
５時間保持して焼成し、さらに２８００℃まで昇温し、
６時間保持して黒鉛化を行い黒鉛材料を得た。得られた
黒鉛材料は見掛け密度が１．８７g/cm3、電気比抵抗が
１１μΩｍ、曲げ強さが５２MPa、含有平均気孔率が１
０．６％及び平均気孔径が１．０μｍであった。
【００２０】次に上記で得た黒鉛材料を所望の形状に加
工した後、デシケータに入れ、真空度２０Torr以下の減
圧下で実施例１と同様のフェノール樹脂を用いて含浸を
行った。以下実施例１と同様の工程を経てカーボン電極
を得た。
工した後、デシケータに入れ、真空度２０Torr以下の減
圧下で実施例１と同様のフェノール樹脂を用いて含浸を
行った。以下実施例１と同様の工程を経てカーボン電極
を得た。
【００２１】比較例１
平均粒径が１０μｍのコークス粉１００重量部と結合材
ピッチ４５重量部とを混練した混練物を粉砕機で平均粒
径が２０μｍになるよう粉砕し、次いで７０MPaの圧力
で成形した後、焼成炉に入れ１０００℃まで昇温し、５
時間保持して焼成し、さらに２８００℃まで昇温し、６
時間保持して黒鉛化を行い黒鉛材料を得た。得られた黒
鉛材料は見掛け密度が１．６８g/cm3、電気比抵抗が２
１μΩｍ、曲げ強さが３２MPa、含有平均気孔率が２６
％及び平均気孔径が３．１μｍであった。
ピッチ４５重量部とを混練した混練物を粉砕機で平均粒
径が２０μｍになるよう粉砕し、次いで７０MPaの圧力
で成形した後、焼成炉に入れ１０００℃まで昇温し、５
時間保持して焼成し、さらに２８００℃まで昇温し、６
時間保持して黒鉛化を行い黒鉛材料を得た。得られた黒
鉛材料は見掛け密度が１．６８g/cm3、電気比抵抗が２
１μΩｍ、曲げ強さが３２MPa、含有平均気孔率が２６
％及び平均気孔径が３．１μｍであった。
【００２２】次に上記で得た黒鉛材料を所望の形状に加
工した後、デシケータに入れ、真空度２０Torr以下の減
圧下で実施例１と同様のフェノール樹脂を用いて含浸を
行った。以下実施例１と同様の工程を経てカーボン電極
を得た。
工した後、デシケータに入れ、真空度２０Torr以下の減
圧下で実施例１と同様のフェノール樹脂を用いて含浸を
行った。以下実施例１と同様の工程を経てカーボン電極
を得た。
【００２３】比較例２
平均粒径が１０μｍのコークス粉１００重量部と結合材
ピッチ６０重量部とを混練した混練物を粉砕機で平均粒
径が２０μｍになるよう粉砕し、次いで１１０MPaの圧
力で成形した後、焼成炉に入れ１０００℃まで昇温し、
５時間保持して焼成し、さらに２８００℃まで昇温し、
６時間保持して黒鉛化を行い黒鉛材料を得た。得られた
黒鉛材料は見掛け密度が１．８９g/cm3、電気比抵抗が
１０μΩｍ、曲げ強さが４７MPa、含有平均気孔率が８
％及び平均気孔径が０．０８μｍであった。
ピッチ６０重量部とを混練した混練物を粉砕機で平均粒
径が２０μｍになるよう粉砕し、次いで１１０MPaの圧
力で成形した後、焼成炉に入れ１０００℃まで昇温し、
５時間保持して焼成し、さらに２８００℃まで昇温し、
６時間保持して黒鉛化を行い黒鉛材料を得た。得られた
黒鉛材料は見掛け密度が１．８９g/cm3、電気比抵抗が
１０μΩｍ、曲げ強さが４７MPa、含有平均気孔率が８
％及び平均気孔径が０．０８μｍであった。
【００２４】次に上記で得た黒鉛材料を所望の形状に加
工した後、デシケータに入れ、真空度２０Torr以下の減
圧下で実施例１と同様のフェノール樹脂を用いて含浸を
行った。以下実施例１と同様の工程を経てカーボン電極
を得た。
工した後、デシケータに入れ、真空度２０Torr以下の減
圧下で実施例１と同様のフェノール樹脂を用いて含浸を
行った。以下実施例１と同様の工程を経てカーボン電極
を得た。
【００２５】次いで各実施例及び各比較例で得たカーボ
ン電極の使用回数及び性状を従来品と共に調べた。その
結果を表１に示す。なお使用回数は、カーボン電極上に
半導体デバイス用シリコンウエハを載置し、ＣＶＤ処理
を行った後、半導体デバイス用シリコンウエハを交換
し、再度ＣＶＤ処理を行うという工程を繰り返し行い、
異物（カーボン粒子など）が半導体デバイス用シリコン
ウエハに付着してＣＶＤ処理が均一にできなくなるまで
の回数を求めたものである。
ン電極の使用回数及び性状を従来品と共に調べた。その
結果を表１に示す。なお使用回数は、カーボン電極上に
半導体デバイス用シリコンウエハを載置し、ＣＶＤ処理
を行った後、半導体デバイス用シリコンウエハを交換
し、再度ＣＶＤ処理を行うという工程を繰り返し行い、
異物（カーボン粒子など）が半導体デバイス用シリコン
ウエハに付着してＣＶＤ処理が均一にできなくなるまで
の回数を求めたものである。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１に示されるように、本発明の実施例に
なるカーボン電極は、比較例のカーボン電極及び従来の
黒鉛材料を用いたカーボン電極に比較して使用回数の多
いことが示される。
なるカーボン電極は、比較例のカーボン電極及び従来の
黒鉛材料を用いたカーボン電極に比較して使用回数の多
いことが示される。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、カーボン粒子の結合力
を向上させ、カーボン電極からカーボン粒子が脱落した
り、ガラス状炭素の被膜が剥離したりすることを極力防
止し、使用回数を大幅に向上させることができ、工業上
極めて有益である。
を向上させ、カーボン電極からカーボン粒子が脱落した
り、ガラス状炭素の被膜が剥離したりすることを極力防
止し、使用回数を大幅に向上させることができ、工業上
極めて有益である。
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(56)参考文献 特開 平３−33007（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−150024（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−326032（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−33524（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−320955（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−221744（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/205
C23C 16/50
C04B 35/52
C04B 35/54
Claims (2)
- 【請求項１】 平均気孔径が０．１〜２．６μｍ及び見
掛け密度が１．７０〜１．８７ｇ／ｃｍ３のガラス状炭
素含浸用黒鉛材料に、ガラス状炭素となり得る樹脂を含
浸し、硬化し、焼成炭化し、黒鉛化処理し、所望の形状
に加工し、熱処理して高純度精製を行って形成された、
ガラス状炭素の含有率が３．５〜７．０重量％、見掛け
密度が１．８５〜１．９５ｇ／ｃｍ３及び含有平均気孔
率が０．５〜８％であるＣＶＤ装置用カーボン電極。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＣＶＤ装置用カーボン
電極の製造法であって、平均気孔径が０．１〜２．６μ
ｍ及び見掛け密度が１．７０〜１．８７ｇ／ｃｍ ３ のガ
ラス状炭素含浸用黒鉛材料にガラス状炭素となり得る樹
脂を含浸した後、硬化、焼成炭化、黒鉛化処理し、所望
の形状に加工した後熱処理して高純度精製を行うことを
特徴とするＣＶＤ装置用カーボン電極の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12794294A JP3461032B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | Ｃｖｄ装置用カーボン電極及びその製造法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP12794294A JP3461032B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | Ｃｖｄ装置用カーボン電極及びその製造法 |
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1994
- 1994-06-10 JP JP12794294A patent/JP3461032B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH07335561A (ja) | 1995-12-22 |
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