JP3454497B2 - 投影露光方法および装置 - Google Patents
投影露光方法および装置Info
- Publication number
- JP3454497B2 JP3454497B2 JP20397497A JP20397497A JP3454497B2 JP 3454497 B2 JP3454497 B2 JP 3454497B2 JP 20397497 A JP20397497 A JP 20397497A JP 20397497 A JP20397497 A JP 20397497A JP 3454497 B2 JP3454497 B2 JP 3454497B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- optical axis
- projection
- photosensitive substrate
- measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子等を製造する投影露光方法および装置に関し、
特に素子製造用のマスク基板または半導体ウエハ等の基
板の姿勢制御機能を具備する投影露光方法および装置に
関するものである。
表示素子等を製造する投影露光方法および装置に関し、
特に素子製造用のマスク基板または半導体ウエハ等の基
板の姿勢制御機能を具備する投影露光方法および装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の露光装置は、感光材が塗
布されたウエハの表面を投影光学系の最良結像面に合わ
せるために、フォーカス傾きセンサによってウエハ位置
測定をし、フォーカス傾け機構を駆動させて位置合わせ
していた。その場合、フォーカス方向の測定のタイミン
グを、ウエハを平面方向に駆動しているＸＹステージの
位置決めが完了した後にすると、生産性を著しく悪化さ
せるという問題があった。一方、生産性を向上させるた
めに、ＸＹステージが整定する前に測定を開始すると、
フォーカス方向の位置計測精度が悪化し、最良結像面等
に合致出来ないという問題があった。
布されたウエハの表面を投影光学系の最良結像面に合わ
せるために、フォーカス傾きセンサによってウエハ位置
測定をし、フォーカス傾け機構を駆動させて位置合わせ
していた。その場合、フォーカス方向の測定のタイミン
グを、ウエハを平面方向に駆動しているＸＹステージの
位置決めが完了した後にすると、生産性を著しく悪化さ
せるという問題があった。一方、生産性を向上させるた
めに、ＸＹステージが整定する前に測定を開始すると、
フォーカス方向の位置計測精度が悪化し、最良結像面等
に合致出来ないという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
投影露光装置においては、生産性向上のため、通常はス
テージのフォーカス方向の振動成分が整定する前に垂直
（Ｚ）方向を測定するため、ステージが振動しており、
正しい垂直方向の計測が出来ない。ステージの振動が整
定するまで、待って計測すればよいが、時間がかかる。
結果として、生産性が下がるという問題があった。つま
り、精度を追求すると時間がかかり、時間を追求すると
精度が劣化するという関係にあった。
投影露光装置においては、生産性向上のため、通常はス
テージのフォーカス方向の振動成分が整定する前に垂直
（Ｚ）方向を測定するため、ステージが振動しており、
正しい垂直方向の計測が出来ない。ステージの振動が整
定するまで、待って計測すればよいが、時間がかかる。
結果として、生産性が下がるという問題があった。つま
り、精度を追求すると時間がかかり、時間を追求すると
精度が劣化するという関係にあった。
【０００４】本発明は、この相反する問題を同時に解決
すべくなされたもので、精度を劣化させることなく、計
測時間の短縮を図り、生産性を向上する方式を提供する
ことを目的とする。
すべくなされたもので、精度を劣化させることなく、計
測時間の短縮を図り、生産性を向上する方式を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに本発明においては、投影光学系の光軸方向および光
軸に垂直な方向に移動可能なステージに搭載された基板
を該光軸に垂直な方向に移動して該基板上の複数個の露
光対象領域を所定の露光位置に順次移動および位置決め
するとともに、露光対象領域ごとにその基板表面の前記
投影光学系の最良結像位置からのずれ量を計測し、該計
測値に基づいて該基板表面を前記最良結像位置に一致さ
せるべく移動および位置決めした後、該基板表面を露光
する際、前記露光すべき露光対象領域の前記基板内での
位置と前記基板表面を前記最良結像位置に一致させるべ
く移動および位置決めした後の位置ずれ量の残差との関
係を予め計測して記憶し、露光動作時は前記ずれ量計測
値を該残差に基づき補正して前記最良結像位置への移動
および位置決めを行なうことを特徴とする。
めに本発明においては、投影光学系の光軸方向および光
軸に垂直な方向に移動可能なステージに搭載された基板
を該光軸に垂直な方向に移動して該基板上の複数個の露
光対象領域を所定の露光位置に順次移動および位置決め
するとともに、露光対象領域ごとにその基板表面の前記
投影光学系の最良結像位置からのずれ量を計測し、該計
測値に基づいて該基板表面を前記最良結像位置に一致さ
せるべく移動および位置決めした後、該基板表面を露光
する際、前記露光すべき露光対象領域の前記基板内での
位置と前記基板表面を前記最良結像位置に一致させるべ
く移動および位置決めした後の位置ずれ量の残差との関
係を予め計測して記憶し、露光動作時は前記ずれ量計測
値を該残差に基づき補正して前記最良結像位置への移動
および位置決めを行なうことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態にお
いては、図１に示すように、感光基板であるウエハ３の
上の複数のショット領域の一つにマスクのパターンを投
影する投影光学系２と、ウエハ３を保持して前記投影光
学系２の光軸方向に移動できるＺステージ８と、該光軸
に垂直な方向に移動可能なＸＹステージ１２と、Ｚステ
ージ８をウエハ３の傾き方向であるωＸ，ωＹ方向に移
動可能なレベリングステージ９，１０，１１と、投影光
学系２の最良結像面の位置にウエハ３の位置を合致させ
るために、ウエハ３の表面のフォーカスおよび傾きを検
知するフォーカス傾きセンサ１５とを備えた投影露光装
置において、該光軸に垂直な方向である平面上の所定の
位置にウエハ３を移動させ、移動が完了する前に、フォ
ーカス傾きセンサ１５を使ってウエハ３上のフォーカス
ずれ量を求める第一の測定を行なう。第一の測定に基づ
いて、ウエハ３を所定の位置にＺ方向に移動させる。露
光中に、再びフォーカス傾きセンサ１５を使ってウエハ
３上のフォーカス傾きの位置ずれ量を測定（第二の測
定）する。そして、フォーカス傾きの位置ずれ量とステ
ージ位置を記憶する。
いては、図１に示すように、感光基板であるウエハ３の
上の複数のショット領域の一つにマスクのパターンを投
影する投影光学系２と、ウエハ３を保持して前記投影光
学系２の光軸方向に移動できるＺステージ８と、該光軸
に垂直な方向に移動可能なＸＹステージ１２と、Ｚステ
ージ８をウエハ３の傾き方向であるωＸ，ωＹ方向に移
動可能なレベリングステージ９，１０，１１と、投影光
学系２の最良結像面の位置にウエハ３の位置を合致させ
るために、ウエハ３の表面のフォーカスおよび傾きを検
知するフォーカス傾きセンサ１５とを備えた投影露光装
置において、該光軸に垂直な方向である平面上の所定の
位置にウエハ３を移動させ、移動が完了する前に、フォ
ーカス傾きセンサ１５を使ってウエハ３上のフォーカス
ずれ量を求める第一の測定を行なう。第一の測定に基づ
いて、ウエハ３を所定の位置にＺ方向に移動させる。露
光中に、再びフォーカス傾きセンサ１５を使ってウエハ
３上のフォーカス傾きの位置ずれ量を測定（第二の測
定）する。そして、フォーカス傾きの位置ずれ量とステ
ージ位置を記憶する。
【０００７】再び、別のウエハ３を送り込み、前記と同
様に第一の測定（フォーカスずれ量計測）を行なう。そ
して、この第一の測定に、ある関係に基づいて前記第二
の測定を加算し、最良結像面等に合致せしめるように、
ウエハをＺ方向に移動させる手段を具備している。
様に第一の測定（フォーカスずれ量計測）を行なう。そ
して、この第一の測定に、ある関係に基づいて前記第二
の測定を加算し、最良結像面等に合致せしめるように、
ウエハをＺ方向に移動させる手段を具備している。
【０００８】
【作用】本発明においては、ステージ上基板表面のフォ
ーカスずれや傾きずれを事前に記憶することによって、
計測する開始時期を遅らせることなく、最適なタイミン
グでフォーカスずれや傾きずれの計測を開始し、フォー
カスずれや傾きずれの計測精度を悪化させず、基板表面
を投影光学系の結像面に精度良く合致させ、かつ位置決
め時間を短縮させることが出来る。
ーカスずれや傾きずれを事前に記憶することによって、
計測する開始時期を遅らせることなく、最適なタイミン
グでフォーカスずれや傾きずれの計測を開始し、フォー
カスずれや傾きずれの計測精度を悪化させず、基板表面
を投影光学系の結像面に精度良く合致させ、かつ位置決
め時間を短縮させることが出来る。
【０００９】
【第一の実施例】図１は本発明の一実施例に係る制御手
段が適用されるステップアンドリピート方式の投影露光
装置の構成を示す。回路パターンを有するレチクル１
は、均一な照度の照明光ＩＬによって照明される。レチ
クル１のパターンは投影レンズ２によって半導体デバイ
ス作成用のウエハ３に結像投影される。ウエハ３は投影
レンズ２の光軸方向に移動できるΖ方向の駆動を行なう
Ｚステージ８上に載置されている。Ｚステージ８のレベ
リング（ωＸ，ωＹ）方向は駆動系９，１０，１１によ
って駆動される。Ｚレベリング方向の駆動は、Ｚレベリ
ング駆動指令部２２からの駆動量指令に応答して行なわ
れる。Ζステージ８と駆動系９，１０，１１は水平面内
で２次元的に平行移動するＸＹステージ１２の上に設け
られており、ＸＹステージ１２はモータ等を含むＸＹス
テージ駆動部２０によって駆動され、その座標位置はス
テージ干渉計２１により逐次計測される。
段が適用されるステップアンドリピート方式の投影露光
装置の構成を示す。回路パターンを有するレチクル１
は、均一な照度の照明光ＩＬによって照明される。レチ
クル１のパターンは投影レンズ２によって半導体デバイ
ス作成用のウエハ３に結像投影される。ウエハ３は投影
レンズ２の光軸方向に移動できるΖ方向の駆動を行なう
Ｚステージ８上に載置されている。Ｚステージ８のレベ
リング（ωＸ，ωＹ）方向は駆動系９，１０，１１によ
って駆動される。Ｚレベリング方向の駆動は、Ｚレベリ
ング駆動指令部２２からの駆動量指令に応答して行なわ
れる。Ζステージ８と駆動系９，１０，１１は水平面内
で２次元的に平行移動するＸＹステージ１２の上に設け
られており、ＸＹステージ１２はモータ等を含むＸＹス
テージ駆動部２０によって駆動され、その座標位置はス
テージ干渉計２１により逐次計測される。
【００１０】制御部２３はステージ干渉計２１からの計
測座標値に基づいて、ＸＹステージ駆動部２０へ所定の
駆動指令を出力するとともに、ＸＹ座標系の任意の位置
にＸＹステージ１２（すなわちウエハ３）を位置決めす
る。
測座標値に基づいて、ＸＹステージ駆動部２０へ所定の
駆動指令を出力するとともに、ＸＹ座標系の任意の位置
にＸＹステージ１２（すなわちウエハ３）を位置決めす
る。
【００１１】さて、投影レンズ２の結像面と、ウエハ３
の局所的なショット領域表面とを合致させるために、斜
入射光式等のフォーカス傾きセンサ１５が設けられてい
る。このセンサ１５は主に光源４、投影対物レンズ５、
ウエハ３表面からの反射光を入射する受光対物レンズ
６、および受光部（ＣＣＤ）７から構成される。これら
のフォーカス傾きセンサ１５の計測値から制御部２３は
ウエハ３の局所的なショット領域表面のフォーカスずれ
や傾きずれを算出し、Ｚレベリング駆動指令部２２へ所
定の指令を出力する。
の局所的なショット領域表面とを合致させるために、斜
入射光式等のフォーカス傾きセンサ１５が設けられてい
る。このセンサ１５は主に光源４、投影対物レンズ５、
ウエハ３表面からの反射光を入射する受光対物レンズ
６、および受光部（ＣＣＤ）７から構成される。これら
のフォーカス傾きセンサ１５の計測値から制御部２３は
ウエハ３の局所的なショット領域表面のフォーカスずれ
や傾きずれを算出し、Ｚレベリング駆動指令部２２へ所
定の指令を出力する。
【００１２】さて、図５に示すように、スタート（ステ
ップ１１０）により、ウエハ３がＺステージ８上に送り
込まれる（ステップ１１１）。そして、ウエハのアライ
メント（ステップ１１２）が行なわれる。そして、ある
露光するショットヘ移動を開始（ステップ１１３）す
る。ＸＹステージ駆動開始後時間ｔを経過すると、フォ
ーカス傾きセンサ１５によるウエハ３のフォーカス傾き
ずれ計測（ステップ１１４）を行なう。その計測値に基
づきＺステージ８、およびレベリング駆動系９，１０，
１１の駆動（ステップ１１５）を行なってフォーカス傾
きずれを補正し、ＸＹを含めた位置決めが完了（ステッ
プ１１６）する。その後、露光（ステップ１１８）が行
なわれる。
ップ１１０）により、ウエハ３がＺステージ８上に送り
込まれる（ステップ１１１）。そして、ウエハのアライ
メント（ステップ１１２）が行なわれる。そして、ある
露光するショットヘ移動を開始（ステップ１１３）す
る。ＸＹステージ駆動開始後時間ｔを経過すると、フォ
ーカス傾きセンサ１５によるウエハ３のフォーカス傾き
ずれ計測（ステップ１１４）を行なう。その計測値に基
づきＺステージ８、およびレベリング駆動系９，１０，
１１の駆動（ステップ１１５）を行なってフォーカス傾
きずれを補正し、ＸＹを含めた位置決めが完了（ステッ
プ１１６）する。その後、露光（ステップ１１８）が行
なわれる。
【００１３】本実施例では、この露光中に再び、ウエハ
３のフォーカス傾きずれ計測（ステップ１１７）を行な
う。本来、ＸＹステージ駆動中に計測した（ステップ１
１４）のフォーカス傾きずれ値がＺ・レベリングステー
ジによって正しく駆動（ステップ１１５）されていれ
ば、露光中の、フォーカス傾きずれ計測（ステップ１１
７）の測定結果はゼロになっているはずである。しか
し、（ステップ１１４）で計測する時はＸＹステージも
駆動されており、Ｚやレベリング方向に振動している。
そのため、あるオフセットβをもって測定されてしま
う。従来、そのオフセットを持った状態でウエハ３を移
動させるため、ウエハ３は投影レンズ２の最適露光位置
とならない。そこで、このオフセット量βを記憶部２４
に記憶する。
３のフォーカス傾きずれ計測（ステップ１１７）を行な
う。本来、ＸＹステージ駆動中に計測した（ステップ１
１４）のフォーカス傾きずれ値がＺ・レベリングステー
ジによって正しく駆動（ステップ１１５）されていれ
ば、露光中の、フォーカス傾きずれ計測（ステップ１１
７）の測定結果はゼロになっているはずである。しか
し、（ステップ１１４）で計測する時はＸＹステージも
駆動されており、Ｚやレベリング方向に振動している。
そのため、あるオフセットβをもって測定されてしま
う。従来、そのオフセットを持った状態でウエハ３を移
動させるため、ウエハ３は投影レンズ２の最適露光位置
とならない。そこで、このオフセット量βを記憶部２４
に記憶する。
【００１４】次のウエハ３を露光する際に、先に示した
と同様に、ＸＹステージ駆動中にフォーカス傾きずれ計
測（ステップ１１４）の計測値γを求め、計測値βから
オフセット値βを除いた量εをΖレベリング駆動指令部
２２に指令し、Ｚステージ８、およびレベリング駆動系
９，１０，１１を駆動（ステップ１１５）する。これに
より、ステージ移動時間を延ばすことなく、ウエハ３が
投影レンズ２の最適露光位置に移動される。
と同様に、ＸＹステージ駆動中にフォーカス傾きずれ計
測（ステップ１１４）の計測値γを求め、計測値βから
オフセット値βを除いた量εをΖレベリング駆動指令部
２２に指令し、Ｚステージ８、およびレベリング駆動系
９，１０，１１を駆動（ステップ１１５）する。これに
より、ステージ移動時間を延ばすことなく、ウエハ３が
投影レンズ２の最適露光位置に移動される。
【００１５】オフセットβを補正する記憶部２４の処理
について詳細に説明する。図２はウエハ領域内を６４シ
ョットに分割したときのショットレイアウト例を示した
ものである。図３は、図２のようなショットレイアウト
のとき、上記フォーカス傾きずれ計測の開始時間ｔを全
ショットある時間ｔ１［ｓｅｃ］に設定した場合の、フ
ォーカス傾きずれ補正後のウエハの各ショット領域表面
の目標位置（投影レンズの結像面）からのずれとなるオ
フセットβを例示したものである。図２のＸ座標が同一
なショットの目標位置からのずれを示している。また図
４は上記計測開始時期ｔを全ショットある時間ｔｓ［ｓ
ｅｃ］（＜ｔｌ）に設定した場合の目標位置からのずれ
を例示したものである。図３はウエハ全領域で目標位置
からのずれが許容範囲α内に入っている場合の例で、図
４はウエハ領域内のａ区間、ｃ区間で許容範囲αを外れ
ている場合の例である。
について詳細に説明する。図２はウエハ領域内を６４シ
ョットに分割したときのショットレイアウト例を示した
ものである。図３は、図２のようなショットレイアウト
のとき、上記フォーカス傾きずれ計測の開始時間ｔを全
ショットある時間ｔ１［ｓｅｃ］に設定した場合の、フ
ォーカス傾きずれ補正後のウエハの各ショット領域表面
の目標位置（投影レンズの結像面）からのずれとなるオ
フセットβを例示したものである。図２のＸ座標が同一
なショットの目標位置からのずれを示している。また図
４は上記計測開始時期ｔを全ショットある時間ｔｓ［ｓ
ｅｃ］（＜ｔｌ）に設定した場合の目標位置からのずれ
を例示したものである。図３はウエハ全領域で目標位置
からのずれが許容範囲α内に入っている場合の例で、図
４はウエハ領域内のａ区間、ｃ区間で許容範囲αを外れ
ている場合の例である。
【００１６】図３は、オフセットβが許容値αより小さ
く、最適露光位置への移動精度では問題がないが、図４
に比べて、計測開始時期が遅い。生産性を向上させるた
めに、開始時間を早くすると、図４のようになってしま
う。そこで、先に述べたように、本発明では、計測開始
時期がｔｓ［ｓｅｃ］であっても、ａ区間、ｃ区間も許
容値範囲内になるように、全区間のウエハ上のＸ座標に
応じたオフセットβを記憶する。そして、再び、同様な
他のウエハを同一のＸ座標で、フォーカス傾き計測（図
５ステップ１１４）した際に、計測値γにβ分補正すれ
ば、図４のウエハ表面の目標位置からのずれは、すべて
ゼロになる。これにより、図３よりも、生産性が高い状
態で目標値からのずれも改善することができる。
く、最適露光位置への移動精度では問題がないが、図４
に比べて、計測開始時期が遅い。生産性を向上させるた
めに、開始時間を早くすると、図４のようになってしま
う。そこで、先に述べたように、本発明では、計測開始
時期がｔｓ［ｓｅｃ］であっても、ａ区間、ｃ区間も許
容値範囲内になるように、全区間のウエハ上のＸ座標に
応じたオフセットβを記憶する。そして、再び、同様な
他のウエハを同一のＸ座標で、フォーカス傾き計測（図
５ステップ１１４）した際に、計測値γにβ分補正すれ
ば、図４のウエハ表面の目標位置からのずれは、すべて
ゼロになる。これにより、図３よりも、生産性が高い状
態で目標値からのずれも改善することができる。
【００１７】当然であるが、生産性をより向上させるた
めに、許容値から外れるａ区間とｃ区間のみ計測値γに
β分補正することもできる。また、投影レンズ１の深度
は、レチクル１の回路パターンによって変わる。露光レ
イアウト情報部２５の情報に従って、必要とする深度に
合わせて、上記の許容値が変更できる機能も有してい
る。本実施例では、Ｘ座標のみで示しているが、図２に
示すように、実際のウエハはＸＹであり、オフセットβ
はマトリックス状に記憶される。さらに、その情報は、
レチクル１の回路パターンに合わせて、生産性が最適に
なるように記憶されている。
めに、許容値から外れるａ区間とｃ区間のみ計測値γに
β分補正することもできる。また、投影レンズ１の深度
は、レチクル１の回路パターンによって変わる。露光レ
イアウト情報部２５の情報に従って、必要とする深度に
合わせて、上記の許容値が変更できる機能も有してい
る。本実施例では、Ｘ座標のみで示しているが、図２に
示すように、実際のウエハはＸＹであり、オフセットβ
はマトリックス状に記憶される。さらに、その情報は、
レチクル１の回路パターンに合わせて、生産性が最適に
なるように記憶されている。
【００１８】オフセットβの発生の原因は、ステージが
移動することによる本体変形やステージの加減速時の上
下動である。そのため、図３、図４のように、直線にな
っていれば、ステージ座標を変数とする近似式であって
もよい。本実施例では、１枚目のウエハは補正出来ない
ことになるが、１枚目は初め露光動作はせずに、全ショ
ットの補正値βを計測・記憶し、その後、βを補正しな
がら露光する機能も有している。場合によっては、ウエ
ハは実際に生産される１枚目でなくとも、ダミーのウエ
ハでも、十分である。当然であるが、本実施例の近似式
は直線としたが、Ｎ次の近似式でもよい。さらに、ある
特定の場所でオフセットβが大きくなるような非線形の
場合であっても、その特定の場所の座標とβ値を記憶す
ることによって、近似式を部分補正すればよい。
移動することによる本体変形やステージの加減速時の上
下動である。そのため、図３、図４のように、直線にな
っていれば、ステージ座標を変数とする近似式であって
もよい。本実施例では、１枚目のウエハは補正出来ない
ことになるが、１枚目は初め露光動作はせずに、全ショ
ットの補正値βを計測・記憶し、その後、βを補正しな
がら露光する機能も有している。場合によっては、ウエ
ハは実際に生産される１枚目でなくとも、ダミーのウエ
ハでも、十分である。当然であるが、本実施例の近似式
は直線としたが、Ｎ次の近似式でもよい。さらに、ある
特定の場所でオフセットβが大きくなるような非線形の
場合であっても、その特定の場所の座標とβ値を記憶す
ることによって、近似式を部分補正すればよい。
【００１９】本実施例では、露光基板の露光直前のフォ
ーカス傾きずれの補正について説明したが、露光直前の
補正以外に、ウエハのアライメントを実施するために、
フォーカス傾き計測する場合にも本発明を適用すること
ができる。その時に、最良結像面より一定量ずれた位置
になったとしてもなんら問題はない。ずらす分だけ補正
値βに加算すればよい。さらに、アライメント計測中に
フォーカス傾き計測せずに、露光中に求めた、近似式を
使用することもできる。
ーカス傾きずれの補正について説明したが、露光直前の
補正以外に、ウエハのアライメントを実施するために、
フォーカス傾き計測する場合にも本発明を適用すること
ができる。その時に、最良結像面より一定量ずれた位置
になったとしてもなんら問題はない。ずらす分だけ補正
値βに加算すればよい。さらに、アライメント計測中に
フォーカス傾き計測せずに、露光中に求めた、近似式を
使用することもできる。
【００２０】本実施例の対象物は、感光基板以外でもよ
い。例えば、アライメントのべースラインオフセットを
計測するために、ステージ上に搭載されたプレートであ
ってもよい。
い。例えば、アライメントのべースラインオフセットを
計測するために、ステージ上に搭載されたプレートであ
ってもよい。
【００２１】
【第二の実施例】第二の実施例を説明する。第一の実施
例では、フォーカス傾き計測を開始するタイミングをス
テージ動作後一定時間ｔｓ［ｓｅｃ］に設定した例を示
したが、ＸＹステージ１２の位置を計測しているステー
ジ干渉計２１の値の、ある目標値に対する差分がδ［μ
ｍ］以下になった時にフォーカス傾き計測を開始するよ
うにしてもよい。この場合、図３、図４に対応して、図
６、図７のようなオフセット特性が得られる。全ショッ
トの差分δがδｓまで（＝小さくなるまで）十分待つ
と、図６に示すように、オフセットβは許容値の範囲内
になる。しかし、フォーカス傾き計測の開始時間は遅く
なる。そのため、生産性は悪化する。生産性を重視し
て、差分δをδ１［μｍ］（＞δｓ）にすると、ウエハ
表面の目標からのずれがａ区間・ｃ区間で許容値αを越
えてしまう。第一の実施例と同様に、ａ区間・ｃ区間も
許容値範囲内になるように、全区間のウエハ上のＸ座標
に応じたオフセットβを記憶し、補正すればよい。ＸＹ
方向の目標値に対する差分δの値の設定は精度と生産さ
れる回路パターンによって決定されるものである。さら
に、１回測定したオフセットβの情報を長期に使用した
場合、計測系と駆動系のマッチングが経時変化して、オ
フセットβが変化する可能性がある。そこで、毎ウエハ
で露光中にフォーカス傾き計測をし、オフセットβをも
とめ、次にウエハに反映させる。最後に測定・記憶した
オフセットβは回路パターンに合わせて保管されてい
る。もし、１回測定の測定でバラツキが大きいときは、
数枚のウエハの結果をプールし、移動平均処理等の統計
処理を行なう。これらの動作は露光中にチェックするた
め、生産性を悪化させることはない。また、経時変化量
は常にチェックされ、ある一定量を越えると警告表示さ
せる機能も有している。これらの機能により、装置の状
態を常に安定に保持させることができる。
例では、フォーカス傾き計測を開始するタイミングをス
テージ動作後一定時間ｔｓ［ｓｅｃ］に設定した例を示
したが、ＸＹステージ１２の位置を計測しているステー
ジ干渉計２１の値の、ある目標値に対する差分がδ［μ
ｍ］以下になった時にフォーカス傾き計測を開始するよ
うにしてもよい。この場合、図３、図４に対応して、図
６、図７のようなオフセット特性が得られる。全ショッ
トの差分δがδｓまで（＝小さくなるまで）十分待つ
と、図６に示すように、オフセットβは許容値の範囲内
になる。しかし、フォーカス傾き計測の開始時間は遅く
なる。そのため、生産性は悪化する。生産性を重視し
て、差分δをδ１［μｍ］（＞δｓ）にすると、ウエハ
表面の目標からのずれがａ区間・ｃ区間で許容値αを越
えてしまう。第一の実施例と同様に、ａ区間・ｃ区間も
許容値範囲内になるように、全区間のウエハ上のＸ座標
に応じたオフセットβを記憶し、補正すればよい。ＸＹ
方向の目標値に対する差分δの値の設定は精度と生産さ
れる回路パターンによって決定されるものである。さら
に、１回測定したオフセットβの情報を長期に使用した
場合、計測系と駆動系のマッチングが経時変化して、オ
フセットβが変化する可能性がある。そこで、毎ウエハ
で露光中にフォーカス傾き計測をし、オフセットβをも
とめ、次にウエハに反映させる。最後に測定・記憶した
オフセットβは回路パターンに合わせて保管されてい
る。もし、１回測定の測定でバラツキが大きいときは、
数枚のウエハの結果をプールし、移動平均処理等の統計
処理を行なう。これらの動作は露光中にチェックするた
め、生産性を悪化させることはない。また、経時変化量
は常にチェックされ、ある一定量を越えると警告表示さ
せる機能も有している。これらの機能により、装置の状
態を常に安定に保持させることができる。
【００２２】
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した投影露
光装置または方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図８は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
光装置または方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図８は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２３】図９は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置を
有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエハ
に焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウ
エハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置を
有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエハ
に焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウ
エハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。
【００２４】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ステージ
上基板表面のフォーカスや傾きずれを事前に記憶し、ス
テージ上基板上の位置に応じて、ずれを補正することを
可能にしたため、従来よりも早いタイミングでフォーカ
スずれや傾きずれの計測を開始しても、フォーカスずれ
や傾きずれの計測精度を悪化させることがない。これに
より、生産性を向上させ、かつ基板表面を投影光学系の
結像面に精度良く合致させることが可能になった。
上基板表面のフォーカスや傾きずれを事前に記憶し、ス
テージ上基板上の位置に応じて、ずれを補正することを
可能にしたため、従来よりも早いタイミングでフォーカ
スずれや傾きずれの計測を開始しても、フォーカスずれ
や傾きずれの計測精度を悪化させることがない。これに
より、生産性を向上させ、かつ基板表面を投影光学系の
結像面に精度良く合致させることが可能になった。
【図１】 本発明に係る計測方法により、フォーカスず
れや傾きずれを調整できるステージを備えた投影露光装
置の構成を示す概略図である。
れや傾きずれを調整できるステージを備えた投影露光装
置の構成を示す概略図である。
【図２】 ウエハのショットレイアウトの例を示す概略
図である。
図である。
【図３】 フォーカス傾き計測開始時期がｔ＝ｔｌの場
合における、ウエハ表面のΖ方向の目標値からのずれの
説明に関する概略図である。
合における、ウエハ表面のΖ方向の目標値からのずれの
説明に関する概略図である。
【図４】 フォーカス傾き計測開始時期がｔ＝ｔｓの場
合における、ウエハ表面のＺ方向の目標値からのずれの
説明に関する概略図である。
合における、ウエハ表面のＺ方向の目標値からのずれの
説明に関する概略図である。
【図５】 本発明に係る計測方法により、フォーカスず
れや傾きずれを調整できるステージを備えた投影露光装
置の動作フローを示す概略図である。
れや傾きずれを調整できるステージを備えた投影露光装
置の動作フローを示す概略図である。
【図６】 ＸＹステージの目標位置からの差分がδ＝δ
ｓになった時に、フォーカス傾き計測を開始した場合に
おける、ウエハ表面のＺ方向の目標値からのずれの説明
に関する概略図である。
ｓになった時に、フォーカス傾き計測を開始した場合に
おける、ウエハ表面のＺ方向の目標値からのずれの説明
に関する概略図である。
【図７】 ＸＹステージの目標位置からの差分がδ＝δ
ｌになった時に、フォーカス傾き計測を開始した場合に
おける、ウエハ表面のΖ方向の目標値からのずれの説明
に関する概略図である。
ｌになった時に、フォーカス傾き計測を開始した場合に
おける、ウエハ表面のΖ方向の目標値からのずれの説明
に関する概略図である。
【図８】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図９】 図８におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１：レチクル、２：投影レンズ、３：ウエハ、４：光
源、５：投影対物レンズ、６：受光対物レンズ、７：受
光部（ＣＣＤ）、８：Ｚステージ、９，１０，１１：駆
動系、１２：ＸＹステージ、１５：２０：ＸＹステージ
駆動部、２１：ステージ干渉計、２２：Ｚステージ駆動
部、２３：制御部。
源、５：投影対物レンズ、６：受光対物レンズ、７：受
光部（ＣＣＤ）、８：Ｚステージ、９，１０，１１：駆
動系、１２：ＸＹステージ、１５：２０：ＸＹステージ
駆動部、２１：ステージ干渉計、２２：Ｚステージ駆動
部、２３：制御部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20 521
Claims (13)
- 【請求項１】 投影光学系の光軸方向および光軸に垂直
な方向に移動可能なステージに搭載された基板を該光軸
に垂直な方向に移動して該基板上の複数個の露光対象領
域を所定の露光位置に順次移動および位置決めするとと
もに、露光対象領域ごとにその基板表面の前記投影光学
系の最良結像位置からのずれ量を計測し、該計測値に基
づいて該基板表面を前記最良結像位置に一致させるべく
移動および位置決めした後、該基板表面を露光する投影
露光方法において、 前記露光すべき露光対象領域の前記基板内での位置と前
記基板表面を前記最良結像位置に一致させるべく移動お
よび位置決めした後の位置ずれ量の残差との関係を予め
計測して記憶し、露光動作時は前記ずれ量計測値を該残
差に基づき補正して前記最良結像位置への移動および位
置決めを行なうことを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項２】 前記最良結像位置からのずれ量測定およ
び最良結像位置への移動および位置決めを前記光軸に垂
直な方向への移動および位置決め動作と少なくとも一部
並行して行なうことを特徴とする請求項１記載の投影露
光方法。 - 【請求項３】 前記ずれ量計測の開始タイミングが、前
記ステージの前記光軸に垂直な方向への移動開始後の経
過時間を基準にして設定されていることを特徴とする請
求項２記載の投影露光方法。 - 【請求項４】 前記ずれ量計測を、前記ステージの前記
光軸に垂直な方向への移動および位置決め時における目
標位置からの位置ずれ量が所定値以下になったとき開始
することを特徴とする請求項２記載の投影露光方法。 - 【請求項５】 原版に形成されたパターンを感光基板上
に投影する投影光学系と、前記感光基板を保持して前記
投影光学系の光軸方向および該光軸に垂直な方向に移動
可能なステージと、前記投影光学系の光軸方向の所定の
位置からのステージ上感光基板表面のずれであるフォー
カスずれを計測するセンサと、該センサの計測値に基づ
いて前記ステージ上感光基板を前記所定の位置に合致さ
せるべく前記ステージの前記投影光学系の光軸方向の位
置を調整する手段とを備えた投影露光装置において、 前記ステージの前記光軸に垂直な方向の位置と前記位置
調整後のフォーカスずれであるフォーカス残差との関係
を予め記憶する手段と、 露光動作時、前記光軸に垂直な方向である平面上の所定
の位置に前記ステージ上感光基板を移動させ、前記フォ
ーカスずれを計測するセンサを使って前記ステージ上感
光基板上のフォーカスずれ量を求める第一の測定をする
手段と、 この測定値を前記記憶手段に記憶されたフォーカス残差
に基づいて補正する手段と、 この補正された値に応じて、前記ステージ上感光基板を
前記所定の位置に合致させるべく、前記ステージを前記
投影光学系の光軸方向へ移動および位置決めする手段と
を具備することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項６】 前記光軸に垂直な方向である平面上の所
定の位置に前記ステージ上感光基板を移動させ、前記フ
ォーカスずれを計測するセンサを使って前記ステージ上
感光基板上のフォーカスずれ量を求める第一の測定を
し、第一の測定に基づいて前記ステージ上感光基板を所
定の位置に垂直な方向に移動させ、再び前記フォーカス
センサを使って前記ステージ上感光基板上のフォーカス
の位置ずれ量の第二の測定をし、第二の測定によって得
られたフォーカスの位置ずれ量を前記フォーカス残差と
してその時のステージ位置とともに前記記憶手段に記憶
させる手段をさらに具備することを特徴とする請求項５
記載の投影露光装置。 - 【請求項７】 前記第一の測定は、前記感光基板の前記
平面上の所定の目標位置への移動開始後、経過時間が基
準値になったか、または前記目標位置からの位置ずれ量
が所定値以下になったときに、ステージ移動と並行動作
で行なうことを特徴とする請求項６記載の投影露光装
置。 - 【請求項８】 前記フォーカス残差は、前記投影光学系
の光軸方向のみならず、光軸に垂直な軸の回転方向につ
いても計測、記憶し、補正することを特徴とする請求項
５〜７のいずれかに記載の投影露光装置。 - 【請求項９】 前記光軸方向の所定の位置が、前記投影
光学系の最良結像面または前記ステージ上感光基板をあ
る目標平面内に合わせるために用いられるアライメント
計測系の結像面であることを特微とする請求項５〜８の
いずれかに記載の投影露光装置。 - 【請求項１０】 前記ステージ上感光基板は、感光基板
以外に感光基板の位置ずれや装置状態変化を得るために
具備された基板も含むことを特徴とする請求項５〜９の
いずれかに記載の投影露光装置。 - 【請求項１１】 前記ステージを前記投影光学系の光軸
方向へ移動および位置決めする手段は、前記ステージ上
感光基板の傾き位置を所定の位置に合致させるための機
能も具備することを特徴とする請求項５記載の投影露光
装置。 - 【請求項１２】 前記記憶手段に記憶させるためのデー
タの測定に使用する前記ステージ上感光基板は、データ
の測定時は露光せずに回収し、再度前記補正手段を用い
た露光動作により露光することを特徴とする請求項６記
載の投影露光装置。 - 【請求項１３】 請求項１〜４のいずれかに記載の投影
露光方法または請求項５〜１２のいずれかに記載の投影
露光装置を用いて製造したことを特徴とする半導体デバ
イス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20397497A JP3454497B2 (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 投影露光方法および装置 |
| US09/114,857 US20020196417A1 (en) | 1997-07-15 | 1998-07-14 | Projection exposure method and apparatus |
| US09/114,857 US6476904B1 (en) | 1997-07-15 | 1998-07-14 | Projection exposure method and apparatus |
| US10/242,692 US6771351B2 (en) | 1997-07-15 | 2002-09-13 | Projection exposure method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20397497A JP3454497B2 (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 投影露光方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140489A JPH1140489A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3454497B2 true JP3454497B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=16482715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20397497A Expired - Fee Related JP3454497B2 (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 投影露光方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US20020196417A1 (ja) |
| JP (1) | JP3454497B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203773A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Canon Inc | 露光装置 |
| EP1424537B1 (en) * | 2001-08-08 | 2009-07-22 | Panasonic Corporation | Recording device of information recording medium original disk |
| JP3780221B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2006-05-31 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置 |
| JP4280523B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び方法、デバイス製造方法 |
| JP4630567B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2011-02-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US20070097340A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Nikon Corporation | Active damper with counter mass to compensate for structural vibrations of a lithographic system |
| JP4250637B2 (ja) * | 2006-06-14 | 2009-04-08 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4953923B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-06-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| TWI402979B (zh) * | 2007-12-13 | 2013-07-21 | Sharp Kk | 電子元件晶圓模組、電子元件模組、感測器晶圓模組、感測器模組、透鏡陣列盤、感測器模組之製造方法、及電子資訊裝置 |
| JP6253269B2 (ja) * | 2013-06-14 | 2017-12-27 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、それを用いた物品の製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4874954A (en) | 1987-02-02 | 1989-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| JP2569563B2 (ja) * | 1987-06-09 | 1997-01-08 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JP2785146B2 (ja) | 1990-02-09 | 1998-08-13 | キヤノン株式会社 | 自動焦点調整制御装置 |
| JP3374413B2 (ja) * | 1992-07-20 | 2003-02-04 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 |
| JP3381313B2 (ja) * | 1992-07-28 | 2003-02-24 | 株式会社ニコン | 露光装置および露光方法並びに素子製造方法 |
| JP3218484B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2001-10-15 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、露光方法、及び該方法を用いる半導体製造方法 |
| JP3308063B2 (ja) * | 1993-09-21 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
| JP3572430B2 (ja) * | 1994-11-29 | 2004-10-06 | 株式会社ニコン | 露光方法及びその装置 |
| JP3412981B2 (ja) * | 1995-08-29 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置および投影露光方法 |
| TW341719B (en) * | 1996-03-01 | 1998-10-01 | Canon Kk | Surface position detecting method and scanning exposure method using the same |
| JP3696702B2 (ja) * | 1996-10-16 | 2005-09-21 | 沖電気工業株式会社 | 露光装置のためのアライメント方法及び装置 |
| US6411387B1 (en) * | 1996-12-16 | 2002-06-25 | Nikon Corporation | Stage apparatus, projection optical apparatus and exposure method |
-
1997
- 1997-07-15 JP JP20397497A patent/JP3454497B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-07-14 US US09/114,857 patent/US20020196417A1/en active Granted
- 1998-07-14 US US09/114,857 patent/US6476904B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-09-13 US US10/242,692 patent/US6771351B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020196417A1 (en) | 2002-12-26 |
| US20030001114A1 (en) | 2003-01-02 |
| US6771351B2 (en) | 2004-08-03 |
| US6476904B1 (en) | 2002-11-05 |
| JPH1140489A (ja) | 1999-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4708465A (en) | Exposure apparatus | |
| US6501532B2 (en) | Exposure apparatus and method of controlling the same | |
| JP2000021738A (ja) | 位置検出装置及び該装置を用いた位置検出方法 | |
| JP3454497B2 (ja) | 投影露光方法および装置 | |
| JP2610815B2 (ja) | 露光方法 | |
| EP0702272B1 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
| US7199878B2 (en) | Scan exposure apparatus and method, and device manufacturing method | |
| JPH10321515A (ja) | 半導体露光装置 | |
| KR20080023636A (ko) | 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
| JP3408118B2 (ja) | 投影露光方法および装置 | |
| JP3244783B2 (ja) | 位置合わせ装置及び方法、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 | |
| JP3450648B2 (ja) | 倍率補正装置および倍率補正装置を搭載したｘ線露光装置ならびにデバイス製造方法 | |
| JP2006261418A (ja) | 投影露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2003156322A (ja) | 位置計測方法及び装置、位置決め方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法 | |
| JPH1187233A (ja) | 投影露光装置 | |
| US6750950B1 (en) | Scanning exposure method, scanning exposure apparatus and making method for producing the same, and device and method for manufacturing the same | |
| JP2000228355A (ja) | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH1174190A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| WO2002054462A1 (fr) | Dispositif a etages, dispositif d'exposition, procede de reglage d'un systeme de detection de position multipoint | |
| JPH1116827A (ja) | 面情報検出装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP3531899B2 (ja) | 投影露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| JP3722330B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP4677180B2 (ja) | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH06302500A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JPH10308434A (ja) | 位置決め装置、ミラー曲り検出方法、位置決め方法およびデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070725 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130725 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |