JP3452451B2 - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents

光磁気記録媒体及び光磁気記録方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学的に情報の記
録、再生、消去の少なくとも一つを行う光ディスク、光
カード等に用いられる光磁気記録媒体及び光磁気記録方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録とは、基板上に磁性体からな
る垂直磁化膜を形成させたものを記録媒体とし、以下の
方法で記録、再生を行うものである。
【０００３】記録の際には、記録媒体をまず、強力な外
部磁場等によって初期化し、磁化の方向を１方向（上向
き、または下向き）に揃えておく。その後、記録したい
エリアにレーザビームを照射して、媒体部分の温度をキ
ュリー点近傍以上、もしくは補償点近傍以上に加熱し、
その部分の保磁力（Ｈｃ）をゼロ、又はほとんどゼロと
した上で、初期化の磁化の方向と逆向きの外部磁場（バ
イアス磁場）を印加して磁化の向きを反転させる。レー
ザビームの照射を止めると、記録媒体は常温に戻るので
反転した磁化は固定される。つまり、情報が熱磁気的に
記録される。
【０００４】再生の際には、直線偏光したレーザビーム
を記録媒体に照射し、その反射光や透過光の偏光面が磁
化の向きに応じて回転する現象（磁気カー効果、磁気フ
ァラデー効果）を利用して光学的に情報の読み出しを行
う。
【０００５】光磁気記録方式は、書き換え可能な大容量
記憶素子として注目されているが、その記録媒体を再使
用（書き換え）をする方法として、交換結合２層膜を利
用し、初期化磁界（Ｈｉ）と記録磁界（Ｈｗ）を利用
し、光強度を変調してオーバーライトする、いわゆる光
変調オーバーライト媒体が提案され、さらには交換結合
４層膜を利用し、初期化磁界（Ｈｉ）を無くした光変調
オーバーライト媒体が提案されている（Ｊ．Ｍａｇｎ．
Ｓｏｃ．Ｊａｎ．，Ｖｏｌ．１７．Ｎｏ．Ｓ１（１９９
３）３５７）。
【０００６】ここで、図１９〜図２１を用いて、交換結
合４層膜を利用し、Ｈｉを無くした光変調オーバーライ
ト媒体を用いた光変調オーバーライトの手順につき簡単
に説明する。
【０００７】光変調オーバーライト媒体は、図１９に示
すように、第１磁性層１３、第２磁性層１４、第３磁性
層１５、第４磁性層１６が形成されており、各磁性層の
保磁力の温度依存性は、図２０に示すようになる。すな
わち、第１〜第４磁性層の各キュリー温度Ｔｃ１〜Ｔｃ
４がＴｃ３＜Ｔｃ１＜Ｔｃ２＜Ｔｃ４に設定されてい
る。
【０００８】次に、図２１を用いて記録動作時における
各磁性層の磁化状態の遷移を説明する。尚、図２１中の
矢印は遷移金属の磁化の向きを表している。
【０００９】室温においては、第１磁性層１３の磁化の
向きが上向き（”０”）（図２１（ａ）参照）か下向き
（”１”）（図２１（ｂ）参照）であるかにより情報が
記録されている。また、第４磁性層１６の磁化は常に一
方向（図中上向き）に揃えられており、第２磁性層１４
の磁化は第３磁性層１５を通して第４磁性層の磁化と同
じ方向に揃えられている。
【００１０】記録は、Ｈｗを印加しながら、ハイパワー
とローパワーに強度変調されたレーザ光を照射すること
により行う。
【００１１】ハイパワー、ローパワーは、ハイパワーの
レーザ光が照射されると、媒体は第２磁性層１４のキュ
リー点Ｔｃ２付近となる温度まで昇温し、ローパワーの
レーザ光が照射されると、第１磁性層１３のキュリー点
Ｔｃ１付近となる温度まで昇温するように設定されてい
る。
【００１２】従って、ハイパワーのレーザ光が照射され
ると、第２磁性層１４の磁化は消失され（図２１（ｈ）
参照）、そして、Ｈｗにより下向きに反転される（図２
１（ｇ）参照）。そして、冷却の過程で界面に作用する
交換力により、第１磁性層１３に転写される（図２１
（ｅ）参照）。さらに、第３磁性層１５及び第２磁性層
が第４磁性層１６の磁化と同じ方向に揃えられる（図２
１（ｂ）参照）。従って、第１磁性層１３の磁化の向き
が下向き（”１”）の状態になる。
【００１３】一方、ローパワーのレーザ光が照射される
と、第２磁性層１４の磁化は、その保磁力がＨｗより大
きいため、Ｈｗにより反転することはなく（図２１
（ｆ）参照）、第１磁性層１３の磁化は、上記と同様
に、冷却の過程で界面に作用する交換力により第２磁性
層１４の磁化の向きと一致する（図２１（ｃ）参照）。
従って、第１磁性層１３の磁化の向きが上向き（”
０”）の状態になる。尚、図２１（ｄ）は、第１磁性層
の磁化が下向き（”１”）の状態（図２１（ｂ）参照）
から図２１（ｆ）の状態になるまでの過程の状態を示し
ている。
【００１４】ところで、再生時のレーザパワーは、記録
時のローパワーよりもかなり小さいレベルに設定されて
いるため、記録磁化を変化させることはない。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、交換結
合４層膜を利用することで、光変調オーバーライトが可
能で、Ｈｉを無くし、かつ記録ビットが安定な光磁気記
録媒体を供給することができるものの、光変調オーバー
ライトの際にＨｗが必要であるという問題が有る。
【００１６】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであって、外部磁界を印加しなくともオーバーラ
イト記録することができる光磁気記録媒体及び光磁気記
録方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、室温からキュリー点まで垂直磁化を示す第１磁性
層、第２磁性層、第３磁性層、第４磁性層が順次形成さ
れており、前記第１磁性層、前記第２磁性層、前記第３
磁性層、前記第４磁性層のキュリー点をそれぞれＴｃ
１、Ｔｃ２、Ｔｃ３、Ｔｃ４としたとき、 Ｔｃ３＜Ｔｃ１＜Ｔｃ２＜Ｔｃ４ を満たし、前記第１磁性層は、室温以上Ｔｃ１以下の第
１温度以下の温度域では前記第２磁性層の磁化が転写さ
れず、前記第１温度以上の温度域では前記第２磁性層の
磁化が転写されるように設定され、前記第３磁性層は、
少なくとも室温において前記第４磁性層の磁化が転写さ
れるように設定され、前記第２磁性層は、少なくとも室
温において前記第３磁性層の磁化が転写され、かつ、Ｔ
ｃ１以上の温度域で前記第４磁性層からの磁界により磁
化方向が決められるよう設定されてなる光磁気記録媒体
において、前記第１磁性層、前記第２磁性層、前記第３
磁性層、前記第４磁性層は、希土類金属−遷移金属から
なり、前記第１磁性層は、室温からキュリー点まで垂直
磁化で遷移金属リッチの特性を示し、前記第２磁性層
は、室温からキュリー点まで垂直磁化で希土類金属リッ
チの特性を示し、前記第３磁性層は、室温からキュリー
点まで垂直磁化で遷移金属リッチ、もしくは室温からキ
ュリー点まで垂直磁化で希土類金属リッチの特性を示
し、前記第４磁性層は、室温からキュリー点まで垂直磁
化で、Ｔｃ１近傍に補償点を有する特性を示すものであ
る。
【００１８】
【００１９】本発明の光磁気記録媒体において、第４磁
性層は、その補償点からキュリー点Ｔｃ４までの温度範
囲内でトータル磁化が最大となる温度が前記第２磁性層
のキュリー点Ｔｃ２近傍に設定されてなるものである。
【００２０】本発明の光磁気記録媒体において、第１磁
性層の、第２磁性層の形成されている側とは反対側に、
第５磁性層が形成されており、第５磁性層は、そのキュ
リー点をＴｃ５としたときに、 Ｔｃ５＞Ｔｃ１ を満たし、かつ、少なくともＴｃ１以下の第２温度以上
において、第１磁性層の磁化が転写されるよう設定され
てなるものである。
【００２１】本発明の光磁気記録媒体において、前記第
１磁性層と前記第２磁性層の間に第６磁性層が形成され
ており、該第６磁性層は、室温において、前記第２磁性
層よりも小さい垂直磁化あるいは面内磁化を示し、か
つ、室温以上Ｔｃ１以下の第３の温度以上において、前
記第２の磁性層の磁化が転写されるとともに前記第１の
磁性層へ磁化を転写するよう設定されてなるものであ
る。
【００２２】本発明の光磁気記録方法は、上記光磁気記
録媒体に対して情報を記録または再生する光磁気記録方
法であって、光磁気記録媒体に低レベルの記録レーザ光
を照射してＴｃ１近傍の温度以上に加熱するとともに、
高レベルの記録レーザ光を照射してＴｃ２近傍の温度以
上に加熱することにより、外部磁界を用いずに情報を光
変調オーバーライト記録するものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕本発明の光磁気記録媒体の一実施の形
態について、図１，図２，図３に基づいて説明すれば、
以下のとおりである。
【００２４】本実施の形態の光磁気記録媒体は、図１に
示すように、透光性基板１上に、透光性を有する誘電体
層２と、磁性層３（第１磁性層）、磁性層４（第２磁性
層）、磁性層５（第３磁性層）、磁性層６（第４磁性
層）と、保護層７とを順次形成した構成になっており、
さらに実際には図示していないがオーバーコート膜が形
成されている。また、磁性層３〜５は、希土類金属−遷
移金属合金からなっている。
【００２５】第１磁性層３は、図２に示すように、第２
磁性層４と比較して、低いキュリー点（Ｔｃ１）と、室
温で高い保磁力（Ｈｃ１）を有し、室温からＴｃ１まで
垂直磁化となる特性を示し、その組成は、室温で遷移金
属リッチとなるように設定されている。
【００２６】第２磁性層４は、第１磁性層３のＴｃ１よ
りも高いキュリー点（Ｔｃ２）を有し、室温からＴｃ２
まで垂直磁化となる特性を示し、その組成は、室温で希
土類金属リッチで、室温からＴｃ２の間に補償点が無い
ように設定されている。
【００２７】となるように設定されている。
【００２８】第３磁性層５は、最も低いキュリー点（Ｔ
ｃ３）を有し、室温からＴｃ３まで垂直磁化となる特性
を示し、その組成は、室温で遷移金属リッチとなるよう
に設定されている。
【００２９】第４磁性層６は、Ｔｃ２よりも高いキュリ
ー点（Ｔｃ４）を有し、室温からＴｃ４まで垂直磁化と
なる特性を示し、その組成は、室温で希土類金属リッチ
で、室温からＴｃ４の間、特にＴｃ１近傍に補償点が有
るように設定されている。
【００３０】この光磁気記録媒体における記録過程を図
３を用いて説明する。図３は、第１磁性層３、第２磁性
層４、第３磁性層５、第４磁性層６の磁化状態を示し、
横軸は温度を示す。各層は、希土類遷移金属合金である
ため、トータル磁化と希土類金属、遷移金属それぞれの
副格子磁化があるが、矢印は各層の遷移金属の副格子磁
化の向きを示す。
【００３１】このような媒体を用いた光変調オーバーラ
イトでは、情報に応じて光ビームの強度を変調すること
により情報を記録する。すなわち、ハイパワーの光ビー
ムを照射して、光ビームの照射部の温度をＴｃ２付近の
温度まで昇温させるハイプロセスと、ローパワーの光ビ
ームを照射して光ビームの照射部の温度をＴｃ１付近の
温度まで昇温させるロープロセスとを繰り返し、重ね書
きによる情報の書き換えを行う。以下に、この光変調オ
ーバライトの動作をより詳しく説明する。
【００３２】室温では、第１磁性層３の副格子磁化の向
きに応じて、２つの安定な状態”０”（磁化が上向き）
（図３（ａ）参照）と状態”１”（磁化が下向き）（図
３（ｂ）参照）が存在する。
【００３３】まず、ハイプロセスについて説明する。
【００３４】ハイパワー（Ｐｈ）のレーザ光が照射され
ると、光磁気記録媒体の温度がＴｃ２付近の温度まで上
昇して、第３図（ｃ），（ｄ），（ｆ）の状態を経て、
第１磁性層３、第３磁性層５の保磁力はゼロになり、ま
た、第２磁性層４の保磁力も非常に小さくなる（第３図
（ｈ）参照）。
【００３５】ここで、本実施の形態の光磁気記録媒体で
は、第２磁性層４が希土類金属リッチであるため、第２
磁性層４の副格子磁化は第４磁性層６からの漏洩磁界１
０（図中、上向き）により下向きとなる（第３図（ｇ）
参照）。このように第２磁性層４の磁化の方向を漏洩磁
界１０により決めるには、すなわち、漏洩磁界１０によ
り第２磁性層４が磁化反転できるようにするには、でき
るだけ漏洩磁界１０の大きさを大きくすることが望まし
い。このためには、第４磁性層６の補償点とキュリー点
の間の温度範囲内おける、第４磁性層６のトータル磁化
（遷移金属の副格子磁化と希土類金属の副格子磁化の
和）が最大となる温度が第２磁性層４のキュリー温度Ｔ
ｃ２の近傍にあることが望ましい。また、第２磁性層４
の保磁力は漏洩磁界１０よりも小さく設定しておく必要
がある。なお、光磁気ディスクには、通常、ピットやグ
ルーブが形成されているため、上記のように第４磁性層
６から漏洩磁界１０が発生することとなる。
【００３６】そして、光磁気ディスクの回転により光ビ
ームの照射部がＴｃ１以下の温度に冷却され、第１磁性
層３の磁化が現れると、第１磁性層３の副格子磁化は、
界面に作用する交換力によって、第２磁性層４の副格子
磁化の向きである下向きに揃えられ、状態”１”（磁化
が下向き）となる（第３図（ｅ）参照）。
【００３７】さらに、室温付近まで冷却すると、第２磁
性層の副格子磁化は、第３磁性層の磁化が現れ、界面に
作用する交換力によって、第４磁性層の副格子磁化の向
きに揃えられ、上向きとなる（第３図（ｂ）参照）。こ
こで、室温以上Ｔｃ１以下の第１の温度以下では、第１
磁性層３に第２磁性層４の磁化が転写されないように条
件設定（各磁性層３，４，５，６の保磁力や膜厚及び各
層間の界面磁壁エネルギー等の条件設定）がなされてい
るため、第１の磁性層３までも磁化反転を起こすことは
ない。
【００３８】以上のように、ハイプロセスにより、第１
磁性層３の磁化方向を下向きにすること、すなわち、状
態”１”を作り出すことができる。
【００３９】次に、ロープロセスについて説明する。
【００４０】まず、ローパワー（Ｐｌ）のレーザ光が照
射されると、光磁気記録媒体はＴｃ１付近の温度まで上
昇する。このとき、第３磁性層５の保磁力はゼロとな
り、第１磁性層３の保磁力は非常に小さくなるが、第２
磁性層の保磁力は第４磁性層からの漏洩磁界よりも十分
大きいので、第２磁性層の副格子磁化の向きは、上向き
のままである（第３図（ｆ）参照）。
【００４１】光磁気ディスクの回転により光ビームの照
射部が冷却され、第１磁性層３の磁化が現れると、第１
磁性層３の副格子磁化は、界面に作用する交換力によっ
て、第２磁性層４の副格子磁化の向きである上向きに揃
えられ、状態”０”（磁化が上向き）となる（第３図
（ｃ）参照）。
【００４２】さらに、室温付近まで冷却すると、第３磁
性層５の磁化が現れると、第３磁性層５の磁化は界面に
作用する交換力によって、第４磁性層の副格子磁化の向
きに揃えられ、磁化が上向きとなる（第３図（ａ）参
照）。
【００４３】以上のように、ロープロセスにより、第１
磁性層３の磁化方向を上向きにすること、すなわち、状
態”０”を作り出すことができる。
【００４４】このように、本発明の光磁気記録媒体で
は、第２磁性層４として、第１磁性層３のキュリー温度
Ｔｃ１以上の温度において磁化方向が第４磁性層６から
の磁界により決められるものを使用しているため、上記
のようなハイプロセス及びロープロセスにより、光変調
オーバライト記録をおこなうことが可能となる。
【００４５】なお、情報を再生する場合、再生パワー
（Ｐｒ）のレーザ光を照射し、その反射光における偏光
面の回転を検出することにより再生するが、再生パワー
（Ｐｒ）はローパワー（Ｐｌ）よりもかなり低い温度と
なるので、Ｐｒにより情報が消去されることはない。
【００４６】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。
【００４７】サンプル＃１では、透光性の基板１は、外
径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状の
ガラスからなっている。基板１の片側の表面には、光ビ
ーム案内用の凹凸状のガイドトラックが反応性イオンエ
ッチング法により直接形成されている。トラックピッチ
は、１．６μｍ、グルーブ（凹部）の幅は０．８μｍ、
ランド（凸部）の幅は０．８μｍであり、反応性イオン
エッチング法により、ガラスに直接形成された。
【００４８】基板１のガイドトラック側の面上に、反応
性スパッタリングにより、膜厚８０ｎｍのＡｌＮからな
る誘電体層２と、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時ス
パッタリングにより膜厚４０ｎｍのＴｂＦｅＣｏからな
る第１磁性層と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの
同時スパッタリングにより膜厚６０ｎｍのＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏからなる第２磁性層と、Ｔｂ、Ｆｅ、Ａｌターゲッ
トの同時スパッタリングにより膜厚２０ｎｍのＴｂＦｅ
Ａｌからなる第３磁性層と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏタ
ーゲットの同時スパッタリングにより膜厚６０ｎｍのＴ
ｂＦｅＣｏからなる第４磁性層と、膜厚２０ｎｍのＡｌ
Ｎからなる保護層７とを積層した。
【００４９】第１磁性層〜第４磁性層の成膜時のスパッ
タリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、
Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗであ
り、誘電体層２及び保護層７の成膜時のスパッタリング
条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ｎ2ガス
圧３．０×１０-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。
【００５０】更に、保護層７の上にアクリレート系紫外
線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化さ
せてオーバーコート膜を形成した。
【００５１】＃１の第１磁性層は、Ｔｂ0.20（Ｆｅ0.85
Ｃｏ0.15）0.80、遷移金属リッチ、Ｔｃ１＝１８０℃、
室温でのＨｃ１＝１２００ｋＡ／ｍとなる特性を示し
た。
【００５２】第２磁性層は、（Ｇｄ0.20Ｔｂ0.80）0.32
（Ｆｅ0.65Ｃｏ0.35）0.68、希土類金属リッチ、Ｔｃ２
＝２５０℃、室温でのＨｃ２＝１６０ｋＡ／ｍとなる特
性を示した。
【００５３】第３磁性層は、（Ｔｂ0.19Ｆｅ0.81）0.80
Ａｌ0.20、遷移金属リッチ、Ｔｃ３＝１００℃、室温で
のＨｃ３＝２４０ｋＡ／ｍとなる特性を示し、第４磁性
層は、（Ｇｄ0.30Ｔｂ0.70）0.28（Ｆｅ0.60Ｃｏ0.40）
0.72、希土類金属リッチ、Ｔｃ４＝１５０℃、Ｔｃｏｍ
ｐ４＞３００℃、室温でのＨｃ４＝３６０ｋＡ／ｍとな
る特性を示した。
【００５４】サンプル＃１の光磁気ディスクに対して、
Ｐｈ＝１０ｍＷ、Ｐｌ＝３ｍＷ、Ｐｒ＝１ｍＷ、記録ビ
ット長＝０．６４μｍにて記録を行ったところ、消し残
りのない光変調オーバーライトができ、信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）＝４５ｄＢが得られた。
【００５５】〔実施の形態２〕本発明の実施の形態２に
ついて、図４〜図６に基づいて説明すれば、以下の通り
である。なお、説明の便宜上、実施の形態１の図面に示
した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を
付記し、その説明を省略する。
【００５６】本実施の形態の光磁気記録媒体は、図４に
示すように、誘電体層２と第１磁性層との間に磁性層８
（第５磁性層）を設けた点で実施の形態２と異なってい
る。
【００５７】上記の第５磁性層は、図５に示すように、
第１磁性層３よりも高いキュリー点（Ｔｃ５）を有し、
室温からＴｃ５まで垂直磁気異方性を示す。
【００５８】本実施の形態の記録過程について図６を用
いて説明する。図６は、第５磁性層８、第１磁性層３、
第２磁性層４、第３磁性層５、第４磁性層６の磁化状態
を示し、横軸は温度を示す。各層は、希土類遷移金属合
金であるため、トータル磁化と希土類金属、遷移金属そ
れぞれの副格子磁化があるが、矢印は各層の遷移金属の
副格子磁化の向きを示す。
【００５９】第１磁性層３、第２磁性層４、第３磁性層
５、第４磁性層６の磁化状態は、図３で説明した実施の
形態１の記録過程と同じであるので、説明を省略する。
【００６０】第５磁性層８の磁化状態は、第１磁性層３
のキュリー点Ｔｃ１以下の温度では第１磁性層３の磁化
状態に従い、キュリー点Ｔｃ１以上の温度では第１磁性
層３の磁化が消失しており、第５磁性層８は昇温前の磁
化状態を保持しているが、情報再生時における再生温度
は第１磁性層３のキュリー点Ｔｃ１以下の温度であるの
で、結局、再生時には、第１磁性層３に記録された情報
と同じ情報が第５磁性層８を介して再生されることにな
る。
【００６１】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。
【００６２】光磁気ディスクのサンプル＃２は、前記サ
ンプル＃１の誘電体層２と第１磁性層３との間に第５磁
性層８を３０ｎｍを有しており、実施の形態１のサンプ
ル＃１の製法と同じ製法で作製された。
【００６３】サンプル＃２の第５磁性層８は、Ｇｄ0.27
（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.73、希土類金属リッチ、Ｔｃ５
＞３００℃、補償点〜２００℃を有する。
【００６４】このサンプル＃２に対しても、消し残りの
ない光変調オーバーライトができた。サンプル＃２のＣ
／Ｎ（信号対雑音比）は４６．５ｄＢであった。サンプ
ル＃１のＣ／Ｎが４５ｄＢであることを考慮すると、サ
ンプル＃１よりも信号品質が向上した。これは、Ｔｃ５
＞Ｔｃ１に設定したので、カー回転角が大きくなったこ
とによる。
【００６５】〔実施の形態３〕本発明の実施の形態３に
ついて、図７〜図９に基づいて説明すれば、以下の通り
である。なお、説明の便宜上、上記実施の形態の図面に
示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号
を付記し、その説明を省略する。
【００６６】本実施の形態の光磁気記録媒体は、図７に
示すように、誘電体層２と第１磁性層３との間に磁性層
８（第５磁性層）を設けた点で実施の形態１と異なって
いる。
【００６７】第５磁性層８は、図８に示すように、第１
磁性層よりも高いキュリー点（Ｔｃ５）を有し、室温で
の保磁力（Ｈｃ５）がほぼゼロであり、室温で面内磁気
異方性を示し、所定温度（第１の磁性層３のキュリー温
度Ｔｃ１よりも低い温度＝第２の温度）以上で垂直磁気
異方性を示すものである。
【００６８】本実施の形態の記録過程について図９を用
いて説明する。図９は、第５磁性層８、第１磁性層３、
第２磁性層４、第３磁性層５、第４磁性層６の磁化状態
を示し、横軸は温度を示す。各層は、希土類遷移金属合
金であるため、トータル磁化と希土類金属、遷移金属そ
れぞれの副格子磁化があるが、矢印は各層の遷移金属の
副格子磁化の向きを示す。
【００６９】第１磁性層３、第２磁性層４、第３磁性層
５、第４磁性層６の磁化状態は、図３で説明した実施の
形態１の記録過程と同じであるので、説明を省略する。
【００７０】第５磁性層８の磁化状態は、室温で面内磁
気異方性を示し、所定温度以上で垂直磁気異方性を示す
ので、その温度領域で第１磁性層３の磁化状態に従う。
ここで、再生温度を第２の温度以上で第１磁性層のキュ
リー点Ｔｃ１以下の温度に設定しておけば、再生時に
は、第１磁性層に記録された情報と同じ情報が第５磁性
層を介して再生される。
【００７１】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。
【００７２】光磁気ディスクのサンプル＃３は、前記サ
ンプル＃１の誘電体層２と第１磁性層との間に第５磁性
層を３０ｎｍを有しており、前記実施例のサンプル＃１
の製法と同じ製法で作製された。
【００７３】サンプル＃３の第５磁性層は、Ｇｄ
0.29（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.71、希土類金属リッチ、Ｔ
C0＝３００℃、補償点無し、約１２０℃で垂直磁気異方
性を示す。
【００７４】上記サンプル＃３に対しても、消し残りの
ない光変調オーバーライトができた。サンプル＃３のＣ
／Ｎ（信号対雑音比）は４６．５ｄＢであった。サンプ
ル＃１のＣ／Ｎが４５ｄＢであることを考慮すると、サ
ンプル＃１よりも信号品質が向上した。これは、Ｔｃ５
＞Ｔｃ１に設定したので、カー回転角が大きくなったた
めと考えられる。
【００７５】また、記録ビット長が短くなると、サンプ
ル＃１ではＣ／Ｎが急激に低下したが、サンプル＃３で
はＣ／Ｎがあまり低下しなかった。これは、第５磁性層
８が室温で面内磁気異方性を示し、再生レーザパワーの
レーザ光を照射すると垂直磁気異方性を示すようになる
ので、短い記録ビットであっても、隣接記録ビットから
の影響を受けずに再生できるためと考えられる。
【００７６】〔実施の形態４〕本発明の実施の形態４に
ついて、図１０〜図１２に基づいて説明すれば、以下の
通りである。なお、説明の便宜上、上記した実施の形態
の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同
一の符号を付記し、その説明を省略する。
【００７７】本実施の形態の光磁気記録媒体は、図１０
に示すように、第１磁性層３と第２磁性層４との間に磁
性層９（第６磁性層）を設けた点で上記実施の形態と異
なっている。
【００７８】上記の第６磁性層は、図１１に示すよう
に、室温での保磁力（Ｈｃ６）がほぼゼロであり、室温
で非常に弱い垂直磁気異方性もしくは面内磁気異方性を
示し、所定温度（第１磁性層３のキュリー温度Ｔｃ１以
下の温度、第３の温度）以上で強い垂直磁気異方性を示
す。
【００７９】本実施の形態の記録過程について図１２を
用いて説明する。図１２は、第１磁性層３、第６磁性層
９、第２磁性層４、第３磁性層５、第４磁性層６の磁化
状態を示し、横軸は温度を示す。各層は、希土類遷移金
属合金であるため、トータル磁化と希土類金属、遷移金
属それぞれの副格子磁化があるが、矢印は各層の遷移金
属の副格子磁化の向きを示す。
【００８０】第１磁性層３、第２磁性層４、第３磁性層
５、第４磁性層６の磁化状態は、図３で説明した実施の
形態１の記録過程と同じであるので、説明を省略する。
なお、ここでは、第１磁性層３、第２磁性層４、第３磁
性層５、第４磁性層６、第６磁性層９の保磁力や膜厚等
は、室温において第１磁性層３の磁化の方向が第２磁性
層４、第３磁性層５、第４磁性層６、第６磁性層９の交
換結合力により反転してしまわないように設定されてい
る。
【００８１】第６磁性層９の磁化状態は、室温で非常に
弱い垂直磁気異方性もしくは面内磁気異方性を示し、第
３の温度以上で強い垂直磁気異方性を示すので、室温に
おいて、第２磁性層４から第１磁性層３への磁気転写が
起こりにくく、所定温度以上で第２磁性層４から第１磁
性層３への磁気転写が起こるので、実施の形態１に比べ
て光変調オーバーライトがより円滑に行われる。
【００８２】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。
【００８３】光磁気ディスクのサンプル＃４は、前記サ
ンプル＃１の第１磁性層３と第２磁性層４との間に第６
磁性層９を４０ｎｍを有しており、実施の形態１のサン
プル＃１の製法と同じ製法で作製された。
【００８４】サンプル＃４の第６磁性層９は、Ｇｄ0.30
（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.70、希土類金属リッチであり、
キュリー温度Ｔｃ６が３００℃以上に設定されている。
【００８５】サンプル＃４に対して、Ｐｈ＝９ｍＷ、Ｐ
ｌ＝２ｍＷ、Ｐｒ＝１ｍＷ、記録ビット長＝０．６４μ
ｍにて記録を行ったところ、消し残りのない光変調オー
バーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４５ｄＢ
が得られた。サンプル＃１の記録条件が、Ｐｈ＝１０ｍ
Ｗ、Ｐｌ＝３ｍＷであることを考慮すると、サンプル＃
１よりも記録感度が向上していることが分かる。これ
は、第１磁性層３と第２磁性層４との間に第６磁性層９
を挿入したことにより光変調オーバーライトが円滑に行
われたためと考えられる。
【００８６】〔実施の形態５〕本発明の実施の形態５に
ついて、図１３〜図１５に基づいて説明すれば、以下の
通りである。なお、説明の便宜上、上記実施の形態の図
面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の
符号を付記し、その説明を省略する。
【００８７】本実施の形態の光磁気記録媒体は、図１３
に示すように、誘電体層２と第１磁性層との間に磁性層
８（第５磁性層）を設け、第１磁性層３と第２磁性層４
との間に磁性層９（第６磁性層）を設けた点でた点で実
施の形態９と異なっている。
【００８８】第５磁性層８は、図１４に示すように、第
１磁性層３よりも高いキュリー点（Ｔｃ５）を有し、室
温からＴｃ５まで垂直磁気異方性を示すものである。第
６磁性層９は、室温での保磁力（Ｈｃ６）がほぼゼロで
あり、非常に弱い垂直磁気異方性もしくは面内磁気異方
性を示し、所定温度（第１の磁性層３のキュリー温度Ｔ
ｃ１以下の温度、第３の温度）以上で強い垂直磁気異方
性を示すものである。
【００８９】本実施例の記録過程について図１５を用い
て説明する。図１５は、第５磁性層８、第１磁性層３、
第６磁性層９、第２磁性層４、第３磁性層５、第４磁性
層６の磁化状態を示し、横軸は温度を示す。各層は、希
土類遷移金属合金であるため、トータル磁化と希土類金
属、遷移金属それぞれの副格子磁化があるが、矢印は各
層の遷移金属の副格子磁化の向きを示す。
【００９０】第１磁性層３、第２磁性層４、第３磁性層
５、第４磁性層６の磁化状態は、以上で説明した光磁気
記録媒体の記録過程と同じであるので、説明を省略す
る。なお、第５磁性層８の磁化状態は、実施の形態２の
磁化状態と同じであり、第６磁性層９の磁化状態は、実
施の形態４の磁化状態と同じである。
【００９１】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。
【００９２】光磁気ディスクのサンプル＃５は、サンプ
ル＃１の誘電体層２と第１磁性層３との間に第５磁性層
８を３０ｎｍ、第１磁性層３と第２磁性層４の間に第６
磁性層９を４０ｎｍ有しており、サンプル＃１の製法と
同じ製法で作製された。
【００９３】このサンプル＃５に対して、Ｐｈ＝９ｍ
Ｗ、Ｐｌ＝２ｍＷ、Ｐｒ＝１ｍＷ、記録ビット長＝０．
６４μｍにて記録を行ったところ、消し残りのない光変
調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４
６．５ｄＢが得られた。サンプル＃１の記録条件が、Ｐ
ｈ＝１０ｍＷ、Ｐｌ＝３ｍＷであることを考慮すると、
サンプル＃１よりも記録感度が向上したことが分かる。
これは、第１磁性層３と第２磁性層４との間に第６磁性
層９を挿入したことにより光変調オーバーライトが円滑
に行われたためと考えられる。さらに、サンプル＃１の
Ｃ／Ｎが４５ｄＢであることを考慮すると、サンプル＃
１よりも信号品質が向上した。これは、Ｔｃ５＞Ｔｃ１
となる第５磁性層８を設けたので、カー回転角が大きく
なったためと考えられる。
【００９４】〔実施の形態６〕本発明の実施の形態６に
ついて、図１６〜図１８に基づいて説明すれば、以下の
通りである。なお、説明の便宜上、実施の形態６の図面
に示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符
号を付記し、その説明を省略する。
【００９５】本実施の形態６の光磁気記録媒体は、図１
６に示すように、誘電体層２と第１磁性層との間に磁性
層８（第５磁性層）を設け、第１磁性層３と第２磁性層
４との間に磁性層９（第６磁性層）を設けている。
【００９６】上記の第５磁性層８は、図１７に示すよう
に、第１磁性層３よりも高いキュリー点（Ｔｃ５）を有
し、室温での保磁力（Ｈｃ５）がほぼゼロであり、室温
で面内磁気異方性を示し、所定温度（Ｔｃ１以下の温
度、第２の温度）以上で垂直磁気異方性を示すものであ
る。
【００９７】第６磁性層９は、室温での保磁力（Ｈｃ
６）がほぼゼロであり、室温で非常に弱い垂直磁気異方
性もしくは面内磁気異方性を示し、所定温度（Ｔｃ１以
下の温度、第３の温度）以上で強い垂直磁気異方性を示
すものである。
【００９８】本実施の形態の記録過程について図１８を
用いて説明する。図１８は、第５磁性層８、第１磁性層
３、第６磁性層９、第２磁性層４、第３磁性層５、第４
磁性層６の磁化状態を示し、横軸は温度を示す。各層
は、希土類遷移金属合金であるため、トータル磁化と希
土類金属、遷移金属それぞれの副格子磁化があるが、矢
印は各層の遷移金属の副格子磁化の向きを示す。
【００９９】第１磁性層３、第２磁性層４、第３磁性層
５、第４磁性層６の磁化状態は、図３で説明した第１実
施例の記録過程と同じであるので、説明を省略する。ま
た、第５磁性層８の磁化状態は、実施の形態３の磁化状
態と同じであり、第６磁性層９の磁化状態は、実施の形
態９の磁化状態と同じである。
【０１００】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。
【０１０１】光磁気ディスクのサンプル＃６は、サンプ
ル＃１の誘電体層２と第１磁性層３との間に第５磁性層
８を３０ｎｍ、第１磁性層３と第２磁性層４の間に第６
磁性層９を４０ｎｍ有しており、サンプル＃１の製法と
同じ製法で作製された。
【０１０２】このサンプル＃６に対して、Ｐｈ＝９ｍ
Ｗ、Ｐｌ＝２ｍＷ、Ｐｒ＝１ｍＷ、記録ビット長＝０．
６４μｍにて記録を行ったところ、消し残りのない光変
調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４
６．５ｄＢが得られた。サンプル＃１の記録条件が、Ｐ
ｈ＝１０ｍＷ、Ｐｌ＝３ｍＷであることを考慮すると、
サンプル＃１よりも記録感度が向上したことが分かる。
これは、第１磁性層３と第２磁性層４との間に第６磁性
層９を挿入したことにより光変調オーバーライトが円滑
に行われたためと考えられる。サンプル＃１のＣ／Ｎが
４５ｄＢであることを考慮すると、サンプル＃１よりも
信号品質が向上した。これは、Ｔｃ５＞Ｔｃ１となる第
５磁性層８を設けたので、カー回転角が大きくなったた
めと考えられる。
【０１０３】また、記録ビット長が短くなると、サンプ
ル＃１ではＣ／Ｎが急激に低下したが、サンプル＃６で
はＣ／Ｎがあまり低下しなかった。これは、第５磁性層
８が室温で面内磁気異方性を示し、再生レーザパワーの
レーザ光を照射すると垂直磁気異方性を示すようになる
ので、短い記録ビットであっても、隣接記録ビットから
の影響を受けずに再生できるためと考えられる。
【０１０４】尚、以上の実施の形態１〜実施の形態６に
おいて、サンプル＃１〜＃６の基板１として、ガラスを
用いたが、これ以外にも、化学強化されたガラス、これ
らのガラス基板上に紫外線硬化型樹脂層を形成した、い
わゆる２Ｐ層付きガラス基板、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモル
ファスポリオレフィン（ＡＰＯ）、ポリスチレン（Ｐ
Ｓ）、ポリ塩化ビフェニール（ＰＶＣ）、エポキシ等の
基板１を使用することが可能である。
【０１０５】また、透明誘電体層２のＡｌＮの膜厚は、
８０ｎｍに限定されるものではない。透明誘電体層２の
膜厚は、光磁気ディスクを再生する際、第１磁性層３あ
るいは第５磁性層８からの極カー回転角を光の干渉効果
を利用して増大させる、いわゆるカー効果エンハンスメ
ントを考慮して決定される。再生時のＣ／Ｎをできるだ
け大きくさせるには、極カー回転角を大きくさせること
が必要であり、このため透明誘電体層２の膜厚は、極カ
ー回転角が大きくなるように設定される。
【０１０６】また、透明誘電体層２は上記のカー効果エ
ンハンスメントだけでなく、保護層７とともに、第１磁
性層〜第４磁性層（３，４，５，６）、あるいは、第５
磁性層８、第６磁性層９の希土類金属−遷移金属合金磁
性層の酸化を防止する役割がある。
【０１０７】更に、ＡｌＮは、Ａｌターゲットを用い
て、Ｎ2ガスもしくはＡｒとＮ2の混合ガスを導入して反
応性ＤＣ（直流電源）スパッタリングを行うことが可能
であり、ＲＦ(高周波)スパッタに比べて成膜速度が大き
い点でも有利である。
【０１０８】ＡｌＮ以外の透明誘電体層２の材料として
は、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、
ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ＢａＴｉ
Ｏ3、ＳｒＴｉＯ3等が好適である。このうち、特に、Ｓ
ｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、 ＴｉＮ、ＢＮ、Ｚｎ
Ｓは、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優れた光磁気
ディスクを提供することができる。
【０１０９】第１磁性層〜第４磁性層（３，４，５，
６）、あるいは、第５磁性層８、第６磁性層９の希土類
金属−遷移金属合金の材料、組成は、上記の材料、組成
に限定されるものではない。第１磁性層〜第４磁性層
（３，４，５，６）、あるいは、第５磁性層８、第６磁
性層９の材料として、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄか
ら選ばれた少なくとも１種の希土類金属とＦｅ、Ｃｏか
ら選ばれた少なくとも１種の遷移金属からなる合金を使
用しても、同様の効果が得られる。
【０１１０】上記材料に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｂ
ｅ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃｕのうち少なくとも１
種類の元素を添加すると、第１磁性層〜第４磁性層
（３，４，５，６）、あるいは、第５磁性層９、第６磁
性層１０自体の耐環境性が向上する。すなわち、水分、
酸素侵入による酸化による特性の劣化を少なくし、長期
信頼性に優れた光磁気ディスクを提供することができ
る。
【０１１１】第１磁性層〜第４磁性層（３，４，５，
６）、あるいは、第５磁性層９、第６磁性層１０の膜厚
は、その材料、組成との兼ね合いで決まるものであり、
上記膜厚に限定されるものではない。
【０１１２】保護層７のＡｌＮの膜厚は、本実施例では
８０ｎｍとしたが、これに限定するものではない。保護
層７の膜厚の範囲としては、１〜２００ｎｍが好適であ
る。
【０１１３】保護層７は、透明誘電体層２とともにその
熱伝導率が、光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及
ぼす。記録感度特性とは、記録、あるいは消去に必要な
レーザパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディ
スクに入射された光はそのほとんどが、透明誘電体層２
を通過し、吸収膜である第１磁性層〜第４磁性層（３，
４，５，６）、あるいは、第５磁性層８、第６磁性層９
に吸収されて、熱に変わる。このとき、第１磁性層〜第
４磁性層（３，４，５，６）、あるいは、第５磁性層
８、第６磁性層９の熱が透明誘電体層２、保護層７に熱
伝導により移動する。従って、透明誘電体層２、保護層
７の熱伝導率および熱容量（比熱）が記録感度に影響を
及ぼす。
【０１１４】このことは、光磁気ディスクの記録感度を
保護層７の膜厚である程度制御できるということを意味
し、例えば、記録感度を上げる（低いレーザパワーで記
録消去が行える）目的であれば保護層７の膜厚を薄くす
れば良い。通常は、レーザ寿命を延ばすため、記録感度
はある程度高い方が有利であり、保護層７の膜厚は薄い
方が良い。
【０１１５】ＡｌＮはこの意味でも好適で、耐湿性に優
れるので、保護層７として用いた場合、膜厚を薄くする
ことができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供する
ことができる。本実施例では、保護層７を透明誘電体層
２と同じＡｌＮとすることで、耐湿性に優れた光磁気デ
ィスクを提供でき、かつ保護層７と透明誘電体層２を同
じ材料で形成することで、生産性も向上させることがで
きる。
【０１１６】また、保護層７の材料としては、ＡｌＮ以
外に、前述の目的、効果を考慮すれば、上述の透明誘電
体層２の材料として用いられる、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、
ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、
ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3が好適で
ある。このうち特にＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、
ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｎＳは、その成分に酸素を含まず、
耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供することができ
る。
【０１１７】オーバーコート膜の材料としては、紫外線
硬化樹脂が特に良く、製造上の作業性に優れ、極めて高
い耐湿性を有し、長期安定性に優れた光磁気ディスクを
提供することができる。
【０１１８】サンプル＃１〜＃６の光磁気ディスクは、
一般に片面タイプと呼ばれる。透明誘電体層２、第１磁
性層〜第４磁性層（３，４，５，６）、あるいは、第５
磁性層９、第６磁性層１０、保護層７の薄膜部分を総じ
て記録媒体層と称することにすると、片面タイプの光磁
気ディスクは、基板１、記録媒体層、オーバーコート層
の構造となる。
【０１１９】これに対して、基板１の上に記録媒体層を
形成したものを２枚、記録媒体層が対向するように接着
層で接着した光磁気ディスクは、両面タイプと呼ばれて
いる。
【０１２０】接着層の材料はポリウレタンアクリレート
系接着剤が特に良い。この接着剤は紫外線、熱及び嫌気
性の３タイプの硬化機能が組み合わされたものであり、
紫外線が透過しない記録媒体の影になる部分の硬化が、
熱及び嫌気性硬化機能により硬化されるという利点を持
っている。
【０１２１】片面タイプは、両面タイプと比べて素子の
厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求される記録
再生装置に有利であり、両面タイプは、両面再生が可能
なため、例えば大容量を要求される記録再生装置に有利
である。
【０１２２】以上の実施例では、光磁気記録媒体として
光磁気ディスクを例に説明したが、光磁気テープ、光磁
気カードにも本発明を応用できる。
【０１２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、第１磁
性層のキュリー温度以上の温度域において、第２磁性層
の磁化方向が第４磁性層からの磁界の方向に決められる
ため、外部磁界なしで光変調オーバライト記録を行うこ
とが可能となる。したがって、光磁気記録装置の構成を
簡略化することができる。
【０１２４】また、第１磁性層の第２磁性層の形成され
た側とは反対側に、キュリー温度が高く、かつ、第２の
温度以上において垂直磁化を示す第５磁性層を形成する
ことにより、再生信号特性を向上させることができる。
また、記録マーク長を低減することが可能となる。
【０１２５】さらに、第１磁性層と第２磁性層の間に、
室温において第２磁性層よりも小さい垂直磁化あるいは
面内磁化を示し、Ｔｃ１近傍の温度では第２磁性層の磁
化が転写される第６磁性層を形成することにより、室温
近傍において第１磁性層の磁化が第２磁性の方向に揃え
られてしまうことを抑制することができ、円滑な光変調
オーバライト記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の光磁気記録媒体の概略の構成を
示す断面模式図である。
【図２】実施の形態１の光磁気記録媒体における第１磁
性層〜第４磁性層の保磁力の温度依存性を示す図であ
る。
【図３】実施の形態１の光磁気記録媒体における記録プ
ロセスを説明するための、第１磁性層〜第４磁性層の各
磁気状態を表す説明図である。
【図４】実施の形態２の光磁気記録媒体の概略の構成を
示す断面模式図である。
【図５】実施の形態２の光磁気記録媒体における第１磁
性層〜第５磁性層の保磁力の温度依存性を示す図であ
る。
【図６】実施の形態２の光磁気記録媒体における記録プ
ロセスを説明するための、第１磁性層〜第５磁性層の各
磁気状態を表す説明図である。
【図７】実施の形態３の光磁気記録媒体の概略の構成を
示す断面模式図である。
【図８】実施の形態３の光磁気記録媒体における第１磁
性層〜第５磁性層の保磁力の温度依存性を示す図であ
る。
【図９】実施の形態３の光磁気記録媒体における記録プ
ロセスを説明するための、第１磁性層〜第５磁性層の各
磁気状態を表す説明図である。
【図１０】実施の形態４の光磁気記録媒体の概略の構成
を示す断面模式図である。
【図１１】実施の形態４の光磁気記録媒体における第１
磁性層〜第４磁性層、第６磁性層の保磁力の温度依存性
を示す図である。
【図１２】実施の形態４の光磁気記録媒体における記録
プロセスを説明するための、第１磁性層〜第４磁性層、
第６磁性層の各磁気状態を表す説明図である。
【図１３】実施の形態５の光磁気記録媒体の概略の構成
を示す断面模式図である。
【図１４】実施の形態５の光磁気記録媒体における第１
磁性層〜第６磁性層の保磁力の温度依存性を示す図であ
る。
【図１５】実施の形態５の光磁気記録媒体における記録
プロセスを説明するための、第１磁性層〜第６磁性層の
各磁気状態を表す説明図である。
【図１６】実施の形態６の光磁気記録媒体の概略の構成
を示す断面模式図である。
【図１７】実施の形態６の光磁気記録媒体における第１
磁性層〜第６磁性層の保磁力の温度依存性を示す図であ
る。
【図１８】実施の形態６の光磁気記録媒体における記録
プロセスを説明するための、第１磁性層〜第６磁性層の
各磁気状態を表す説明図である。
【図１９】従来の光磁気記録媒体の概略の構成を示す断
面模式図である。
【図２０】従来の光磁気記録媒体における第１磁性層〜
第４磁性層の保磁力の温度依存性を示す図である。
【図２１】従来の光磁気記録媒体における記録プロセス
を説明するための、第１磁性層〜第４磁性層の各磁気状
態を表す説明図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 誘電体層 ３ 第１磁性層 ４ 第２磁性層 ５ 第３磁性層 ６ 第４磁性層 ７ 保護層 ８ 第５磁性層 ９ 第６磁性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−156751（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−219449（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−192138（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−36367（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−167387（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 室温からキュリー点まで垂直磁化を示す
    第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層、第４磁性層が順
    次形成されており、 前記第１磁性層、前記第２磁性層、前記第３磁性層、前
    記第４磁性層のキュリー点をそれぞれＴｃ１、Ｔｃ２、
    Ｔｃ３、Ｔｃ４としたとき、 Ｔｃ３＜Ｔｃ１＜Ｔｃ２＜Ｔｃ４ を満たし、 前記第１磁性層は、室温以上Ｔｃ１以下の第１温度以下
    の温度域では前記第２磁性層の磁化が転写されず、前記
    第１温度以上の温度域では前記第２磁性層の磁化が転写
    されるように設定され、 前記第３磁性層は、少なくとも室温において前記第４磁
    性層の磁化が転写されるように設定され、 前記第２磁性層は、少なくとも室温において前記第３磁
    性層の磁化が転写され、かつ、Ｔｃ１以上の温度域で前
    記第４磁性層からの磁界により磁化方向が決められるよ
    う設定されてなる光磁気記録媒体において、 前記第１磁性層、前記第２磁性層、前記第３磁性層、前
    記第４磁性層は、希土類金属−遷移金属からなり、 前記第１磁性層は、室温からキュリー点まで垂直磁化で
    遷移金属リッチの特性を示し、 前記第２磁性層は、室温からキュリー点まで垂直磁化で
    希土類金属リッチの特性を示し、 前記第３磁性層は、室温からキュリー点まで垂直磁化で
    遷移金属リッチ、もしくは室温からキュリー点まで垂直
    磁化で希土類金属リッチの特性を示し、 前記第４磁性層は、室温からキュリー点まで垂直磁化
    で、Ｔｃ１近傍に補償点を有する特性を示すことを特徴
    とする光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
    て、 前記第４磁性層は、その補償点からキュリー点Ｔｃ４ま
    での温度範囲内でトータル磁化が最大となる温度が前記
    第２磁性層のキュリー点Ｔｃ２近傍に設定されてなるこ
    とを特徴とする光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】 請求項１乃至請求項２のいずれかに記載
    の光磁気記録媒体において、 前記第１磁性層の、前記第２磁性層の形成されている側
    とは反対側に、第５磁性層が形成されており、 該第５磁性層は、そのキュリー点をＴｃ５としたとき
    に、 Ｔｃ５＞Ｔｃ１ を満たし、かつ、少なくともＴｃ１以下の第２温度以上
    において、前記第１磁性層の磁化が転写されるよう設定
    されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
    の光磁気記録媒体において、 前記第１磁性層と前記第２磁性層の間に第６磁性層が形
    成されており、 該第６磁性層は、室温において、前記第２磁性層よりも
    小さい垂直磁化あるいは面内磁化を示し、かつ、室温以
    上Ｔｃ１以下の第３の温度以上において、前記第２の磁
    性層の磁化が転写されるとともに前記第１の磁性層へ磁
    化を転写するよう設定されてなることを特徴とする光磁
    気記録媒体。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
    の光磁気記録媒体に対して情報を記録または再生する光
    磁気記録方法であって、 前記光磁気記録媒体に低レベルの記録レーザ光を照射し
    てＴｃ１近傍の温度以上に加熱するとともに、高レベル
    の記録レーザ光を照射してＴｃ２近傍の温度以上に加熱
    することにより、外部磁界を用いずに情報を光変調オー
    バーライト記録することを特徴とする光磁気記録方法。
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