JP3450001B1 - Ｌｅｄの劣化検査方法 - Google Patents
Ｌｅｄの劣化検査方法Info
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- JP3450001B1 JP3450001B1 JP2002338260A JP2002338260A JP3450001B1 JP 3450001 B1 JP3450001 B1 JP 3450001B1 JP 2002338260 A JP2002338260 A JP 2002338260A JP 2002338260 A JP2002338260 A JP 2002338260A JP 3450001 B1 JP3450001 B1 JP 3450001B1
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Abstract
【要約】
【課題】 静電破壊やクラックによる劣化のあるＬＥＤ
を簡単，確実に選別する。 【解決手段】 １． １μＡ以下の微弱定電流をＬＥＤ
の順方向に印加して第１の電圧を測定し、一定値以下の
ものを排除する。 次いで、その約１０倍の電流を印加
して、第２の電圧を測定し、第１の電圧との差の値によ
り最終選別を行う。 ２． ０．０１μＡ〜１ｍＡの範
囲の複数の定電流をＬＥＤに流し、そのときの電圧が電
流値の対数と比例するか歪かにより選別を行う。
を簡単，確実に選別する。 【解決手段】 １． １μＡ以下の微弱定電流をＬＥＤ
の順方向に印加して第１の電圧を測定し、一定値以下の
ものを排除する。 次いで、その約１０倍の電流を印加
して、第２の電圧を測定し、第１の電圧との差の値によ
り最終選別を行う。 ２． ０．０１μＡ〜１ｍＡの範
囲の複数の定電流をＬＥＤに流し、そのときの電圧が電
流値の対数と比例するか歪かにより選別を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
（ＬＥＤ）の検査方法に関するもので、特に静電破壊
（ＥＳＤ）や、機械的衝撃によって生じたクラックによ
る劣化品を検査する方法に関する。
（ＬＥＤ）の検査方法に関するもので、特に静電破壊
（ＥＳＤ）や、機械的衝撃によって生じたクラックによ
る劣化品を検査する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤ製造工程おける不良品を選別する
一般的検査方法としては、ＰＮ接合の順方向に、ほぼ点
灯に要する電流値に近い電流（ミリアンペア（ｍＡ）以
上のオーダー）を流し、電圧降下の大小を測定すること
によって行っている。しかしながら、この検査はＰＮ接
合の特性を確認するための検査であり、静電破壊やクラ
ックによる劣化品は検出できない。このため、特に静電
破壊やクラックによる劣化品を検査する方法としては、
ＬＥＤに逆電圧を印加し、その際に生じる漏れ電流の有
無によって検査を行う方法がある。しかしながら、この
方法においても漏れ電流の有無と、劣化との相関関係が
不安定で信頼性が低く、劣化品を確実に検出することは
困難であった。これらの問題を解決する一方法として、
特開２００２−１５６４０２号の方法が提案されてい
る。この方法はＰＮ接合の順方向に１乃至１０μＡ程度
の測定用電流を流すと共に、接合を加熱するための電流
をパルス状に流し、温度の異なる二点における電圧の変
化によって劣化を判定しようとするものである。
一般的検査方法としては、ＰＮ接合の順方向に、ほぼ点
灯に要する電流値に近い電流（ミリアンペア（ｍＡ）以
上のオーダー）を流し、電圧降下の大小を測定すること
によって行っている。しかしながら、この検査はＰＮ接
合の特性を確認するための検査であり、静電破壊やクラ
ックによる劣化品は検出できない。このため、特に静電
破壊やクラックによる劣化品を検査する方法としては、
ＬＥＤに逆電圧を印加し、その際に生じる漏れ電流の有
無によって検査を行う方法がある。しかしながら、この
方法においても漏れ電流の有無と、劣化との相関関係が
不安定で信頼性が低く、劣化品を確実に検出することは
困難であった。これらの問題を解決する一方法として、
特開２００２−１５６４０２号の方法が提案されてい
る。この方法はＰＮ接合の順方向に１乃至１０μＡ程度
の測定用電流を流すと共に、接合を加熱するための電流
をパルス状に流し、温度の異なる二点における電圧の変
化によって劣化を判定しようとするものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】特開２００２−１５６
４０２号に示された方法は、測定用電流とは別個に加熱
用電流を必要とし、温度の設定も容易ではない。本発明
は、そのような特殊な手段を必要とすることなく劣化を
簡単且つ確実に検出しようとするものである。
４０２号に示された方法は、測定用電流とは別個に加熱
用電流を必要とし、温度の設定も容易ではない。本発明
は、そのような特殊な手段を必要とすることなく劣化を
簡単且つ確実に検出しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、静電破壊や、
機械的衝撃によって発生したクラックによって劣化した
ＬＥＤが、ＬＥＤの検査や点灯に通常使用する電流（ミ
リアンペアのオーダー）の１万分の１程度の微弱な電流
（約０．１マイクロアンペア）付近で、特異な電流‐電
圧特性を示すことを発見し、これを用いた劣化したＬＥ
Ｄの検査方法を提案するものである。
機械的衝撃によって発生したクラックによって劣化した
ＬＥＤが、ＬＥＤの検査や点灯に通常使用する電流（ミ
リアンペアのオーダー）の１万分の１程度の微弱な電流
（約０．１マイクロアンペア）付近で、特異な電流‐電
圧特性を示すことを発見し、これを用いた劣化したＬＥ
Ｄの検査方法を提案するものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下発明の実施の形態を図面を参
照して説明する。図１は本発明の方法を実施するために
用いられるＬＥＤ検査装置の基本的構成を示すブロック
図である。図１において、１は定電流電源でマイクロア
ンペア（μＡ）からミリアンペア（ｍＡ）のオーダーの
定電流を可変的に外部に供給できる能力を有している。
ＬＥＤは被検査発光ダイオードで検査装置に容易に着脱
できるように取付けられる。Ｒｐは被検査ＬＥＤが劣化
している場合に生じる仮想的抵抗である。劣化が全くな
い理想的ＬＥＤの場合は、Ｒｐは存在しないが、劣化が
生ずると、Ｒｐはメグオーム（ＭΩ）オーダーの抵抗値
になる。２は高入力抵抗バッファーアンプ，３はＡ−Ｄ
変換器，４は制御・演算回路で、定電流電源１の電流Ｉ
ｆを制御する制御回路と、順方向電圧値ＶＦを演算して
基準値と比較するための演算回路が合体したものであ
る。Ｉｆは、定電流電源１から、ＬＥＤに印加される電
流を示す。ＶＦは、ＬＥＤ端子間の順方向電圧を示す。
照して説明する。図１は本発明の方法を実施するために
用いられるＬＥＤ検査装置の基本的構成を示すブロック
図である。図１において、１は定電流電源でマイクロア
ンペア（μＡ）からミリアンペア（ｍＡ）のオーダーの
定電流を可変的に外部に供給できる能力を有している。
ＬＥＤは被検査発光ダイオードで検査装置に容易に着脱
できるように取付けられる。Ｒｐは被検査ＬＥＤが劣化
している場合に生じる仮想的抵抗である。劣化が全くな
い理想的ＬＥＤの場合は、Ｒｐは存在しないが、劣化が
生ずると、Ｒｐはメグオーム（ＭΩ）オーダーの抵抗値
になる。２は高入力抵抗バッファーアンプ，３はＡ−Ｄ
変換器，４は制御・演算回路で、定電流電源１の電流Ｉ
ｆを制御する制御回路と、順方向電圧値ＶＦを演算して
基準値と比較するための演算回路が合体したものであ
る。Ｉｆは、定電流電源１から、ＬＥＤに印加される電
流を示す。ＶＦは、ＬＥＤ端子間の順方向電圧を示す。
【０００６】劣化が全くない、即ちＲｐが存在しない理
想的ＬＥＤのＰＮ接合の電圧（ｖ），電流（Ｉ）特性
は、下記の一般式で表される。 Ｉ＝Ｉｏ{ｅｘｐ（ｅＶ／ＫＢ・Ｔ）−１} ここで、ｅ ：電荷量 ＫＢ ：ボルッマン係数 Ｔ ：絶対温度 電圧Ｖは、電流Ｉの対数に比例している。反対にＲｐが
存在し、その値が正常値に比べて低い場合は、上記数式
に示す比例関係は維持できなくなる。本発明者はＬＥＤ
に０．１μＡ程度の微弱電流を流した場合は、この傾向
が特に顕著に表れることを発見し、実験により確認し
た。本発明はその点に着目しＬＥＤの劣化品を検知しよ
うとするものである。
想的ＬＥＤのＰＮ接合の電圧（ｖ），電流（Ｉ）特性
は、下記の一般式で表される。 Ｉ＝Ｉｏ{ｅｘｐ（ｅＶ／ＫＢ・Ｔ）−１} ここで、ｅ ：電荷量 ＫＢ ：ボルッマン係数 Ｔ ：絶対温度 電圧Ｖは、電流Ｉの対数に比例している。反対にＲｐが
存在し、その値が正常値に比べて低い場合は、上記数式
に示す比例関係は維持できなくなる。本発明者はＬＥＤ
に０．１μＡ程度の微弱電流を流した場合は、この傾向
が特に顕著に表れることを発見し、実験により確認し
た。本発明はその点に着目しＬＥＤの劣化品を検知しよ
うとするものである。
【０００７】図２のグラフは上記関係を説明するグラフ
で、このグラフは図１のブロック図に示す装置により、
複数のＬＥＤを測定した結果得られたものである。縦軸
には電圧ＶＦを、横軸には電流Ｉｆを対数目盛りによっ
て表している。グラフ上の線ａは、正常な（劣化のほと
んどない）ＬＥＤが示す特性を表している。定電流電源
１により、電流を０．０１μＡから１０ｍＡの範囲に増
加させると、電圧ＶＦもほぼ直線的に増加する。点線
ｂ，ｃ，ｄで表した曲線は劣化のあるＬＥＤの示す特性
である。ｂは劣化程度が少なく、ｄは劣化程度の大きい
もので、ｃはその中間である。
で、このグラフは図１のブロック図に示す装置により、
複数のＬＥＤを測定した結果得られたものである。縦軸
には電圧ＶＦを、横軸には電流Ｉｆを対数目盛りによっ
て表している。グラフ上の線ａは、正常な（劣化のほと
んどない）ＬＥＤが示す特性を表している。定電流電源
１により、電流を０．０１μＡから１０ｍＡの範囲に増
加させると、電圧ＶＦもほぼ直線的に増加する。点線
ｂ，ｃ，ｄで表した曲線は劣化のあるＬＥＤの示す特性
である。ｂは劣化程度が少なく、ｄは劣化程度の大きい
もので、ｃはその中間である。
【０００８】このグラフより明らかな如く、０．１μＡ
の印加電流において、ａとｂ，ｃ，ｄは電圧ＶＦに顕著
な有意の差が生じている。しかし、電流が０．１ｍＡを
超えると、何れもａの直線に収斂し、有意な差は生じな
くなる。従って、０．１μＡ程度の微弱電流を流したと
きのＶＦ１を測定すれば、正常品と非正常品の第１の選
択ができる。図１に示す演算回路４に、基準データとし
てＶＦ１が２．０Ｖ以上のものを合格の基準値として入
力しておけばａのみが合格品となり、ｂ，ｃ，ｄは不合
格品となる。基準データとしてＶＦ１が１．８Ｖ以上の
ものを合格の基準値として入力しておけばａ，ｂが合格
品、ｃ，ｄが不合格品となる。請求項１の発明において
はこれが第一の検査工程となる。Ｉｆの最適電流値とＶ
Ｆの最適電圧値は、測定するＬＥＤの規格や型式等によ
り異なるので、特定の数値を規定することは難しいが、
ＰＮ接合の良否の測定に用いられる電流が通常１ｍＡ以
上であるのに対し、その一万分の１以下の微弱電流を用
いることが本発明の特徴の一つである。
の印加電流において、ａとｂ，ｃ，ｄは電圧ＶＦに顕著
な有意の差が生じている。しかし、電流が０．１ｍＡを
超えると、何れもａの直線に収斂し、有意な差は生じな
くなる。従って、０．１μＡ程度の微弱電流を流したと
きのＶＦ１を測定すれば、正常品と非正常品の第１の選
択ができる。図１に示す演算回路４に、基準データとし
てＶＦ１が２．０Ｖ以上のものを合格の基準値として入
力しておけばａのみが合格品となり、ｂ，ｃ，ｄは不合
格品となる。基準データとしてＶＦ１が１．８Ｖ以上の
ものを合格の基準値として入力しておけばａ，ｂが合格
品、ｃ，ｄが不合格品となる。請求項１の発明において
はこれが第一の検査工程となる。Ｉｆの最適電流値とＶ
Ｆの最適電圧値は、測定するＬＥＤの規格や型式等によ
り異なるので、特定の数値を規定することは難しいが、
ＰＮ接合の良否の測定に用いられる電流が通常１ｍＡ以
上であるのに対し、その一万分の１以下の微弱電流を用
いることが本発明の特徴の一つである。
【０００９】次に、上記第一の検査工程において合格の
判定がされたものについて、制御・演算回路４から定電
流電源１に対し、電流値を約１μＡに引き上げるよう指
示が行われ、それによって生じた電圧ＶＦ２を測定す
る。Ａ−Ｄ変換器３にはＶＦ１が記憶されているので、
制御・演算回路１においてＶＦ２とＶＦ１の差が算出さ
れ、これが基準データと比較され、一定値を超えたもの
を不合格品と判定する。例えば、ＶＦ１−ＶＦ２を０．
３Ｖ以下と基準データを与えておくと、ａは合格となり
ｂは不合格となる。請求項１の発明において、これが第
二の検査工程となる。請求項１の発明においては、第一
の検査工程によって、第一段階の選別を行い、第一段階
の選別を通過したものについて、第二の検査工程におい
て第二段階の選別を行うので、従来選別が困難であった
劣化品を正確で確実に判定できる特徴がある。
判定がされたものについて、制御・演算回路４から定電
流電源１に対し、電流値を約１μＡに引き上げるよう指
示が行われ、それによって生じた電圧ＶＦ２を測定す
る。Ａ−Ｄ変換器３にはＶＦ１が記憶されているので、
制御・演算回路１においてＶＦ２とＶＦ１の差が算出さ
れ、これが基準データと比較され、一定値を超えたもの
を不合格品と判定する。例えば、ＶＦ１−ＶＦ２を０．
３Ｖ以下と基準データを与えておくと、ａは合格となり
ｂは不合格となる。請求項１の発明において、これが第
二の検査工程となる。請求項１の発明においては、第一
の検査工程によって、第一段階の選別を行い、第一段階
の選別を通過したものについて、第二の検査工程におい
て第二段階の選別を行うので、従来選別が困難であった
劣化品を正確で確実に判定できる特徴がある。
【００１０】「０００６」項記載の数式及び図２のグラ
フから明らかな如く、劣化の少ないＬＥＤは０．１μＡ
から０．１ｍＡの範囲に亘って電流‐電圧特性がほぼ直
線的（比例的）に変化する特徴がある。従って、被検査
ＬＥＤに０．１μＡから０．１ｍＡまでの電流を１０倍
ずつ段階的に加え、そのときのＶＦがほぼ直線的に増加
すればそのＬＥＤは正常であると判定できることが明ら
かである。請求項２の発明はこの方法に関するものであ
る。
フから明らかな如く、劣化の少ないＬＥＤは０．１μＡ
から０．１ｍＡの範囲に亘って電流‐電圧特性がほぼ直
線的（比例的）に変化する特徴がある。従って、被検査
ＬＥＤに０．１μＡから０．１ｍＡまでの電流を１０倍
ずつ段階的に加え、そのときのＶＦがほぼ直線的に増加
すればそのＬＥＤは正常であると判定できることが明ら
かである。請求項２の発明はこの方法に関するものであ
る。
【００１１】具体的には図１に示すと同じ装置を用い、
定電流電源１からは最初０．１μＡの電流をＬＥＤに流
し、そのときのＶＦをＡ−Ｄ変換器３で測定し記憶す
る。次に制御・演算回路４の指示により、１０倍の電流
１μＡを流し、そのときの電圧ＶＦを測定する。同様に
電流を１０倍ずつ増加し、ＶＦが比例的に増加するかを
演算し、これが基準値を外れた場合は不合格品と判定す
る。
定電流電源１からは最初０．１μＡの電流をＬＥＤに流
し、そのときのＶＦをＡ−Ｄ変換器３で測定し記憶す
る。次に制御・演算回路４の指示により、１０倍の電流
１μＡを流し、そのときの電圧ＶＦを測定する。同様に
電流を１０倍ずつ増加し、ＶＦが比例的に増加するかを
演算し、これが基準値を外れた場合は不合格品と判定す
る。
【００１２】上記二方法は、夫々単独で用いても効果の
あるものであるが、例えば請求項１に示す方法と請求項
２に示す方法を併用してもよく、その場合はより正確で
精度の高い検査を行うことができる。
あるものであるが、例えば請求項１に示す方法と請求項
２に示す方法を併用してもよく、その場合はより正確で
精度の高い検査を行うことができる。
【００１３】
【発明の効果】本発明の方法によれば、従来測定が非常
に困難であったＬＥＤの劣化を正確，簡単に検知できる
ので、ＬＥＤの検査精度を向上させることができる。
に困難であったＬＥＤの劣化を正確，簡単に検知できる
ので、ＬＥＤの検査精度を向上させることができる。
【図１】 ＬＥＤ検査装置の基本的構成を示すブロック
図
図
【図２】 図１のブロック図に示す装置により、複数の
ＬＥＤを測定した結果を示すグラフ。
ＬＥＤを測定した結果を示すグラフ。
１・・・・・・・・・・定電流電源
ＬＥＤ・・・・・・・・被検査発光ダイオード
Ｒｐ・・・・・・・・・仮想抵抗
２・・・・・・・・・・高入力抵抗バッファーアンプ
３・・・・・・・・・・Ａ−Ｄ変換器
４・・・・・・・・・・制御・演算回路
Ｉｆ・・・・・・・・・ＬＥＤに印加される電流
ＶＦ・・・・・・・・・ＬＥＤ端子間の順方向電圧
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
G01R 31/26
Claims (2)
- 【請求項１】定電流電源から、被検査ＬＥＤのＰＮ接合
の順方向に、１μＡ以下の定電流を流し、 被検査ＬＥＤの端子間の電圧（ＶＦ１）をＡ−Ｄ変換器
で測定すると共に記憶させ、 ＶＦ１を制御・演算回路で、予め入力してある基準値と
比較し、 ＶＦ１が基準値の範囲内と判断した場合は、前記定電流
電源に電流を約１０倍に引き上げるよう指示を出し、 被検査ＬＥＤの電流が約１０倍に引き上げられた状態で
被検査ＬＥＤの端子間の電圧（ＶＦ２）をＡ−Ｄ変換器
で測定し、 制御・演算回路でＶＦ１とＶＦ２の差を算出し、 その値が予め制御・演算回路に入力されている基準値の
範囲内である場合を合格と判定するＬＥＤの劣化検査方
法。 - 【請求項２】定電流電源から、被検査ＬＥＤのＰＮ接合
の順方向に、０．０１μＡ以上の定電流を流し、 被検査ＬＥＤの端子間の電圧（ＶＦ１）をＡ−Ｄ変換器
で測定すると共に記憶させ、 ＶＦ１を制御・演算回路で、予め入力してある基準値と
比較し、 ＶＦ１が基準値の範囲内と判断した場合は、前記定電流
電源に電流を約１０倍に引き上げるよう指示を出し、 被検査ＬＥＤの電流が約１０倍に引き上げられた状態で
被検査ＬＥＤの端子間の電圧（ＶＦ２）をＡ−Ｄ変換器
で測定し、 制御・演算回路でＶＦ１とＶＦ２の差を算出し、 その値が予め制御・演算回路に入力されている基準値の
範囲内である場合は前記定電流電源に、更に電流を約１
０倍に引き上げるように指示し、 以下電流値が１０ｍＡ以下の範囲までこれを繰り返し、 その電圧値が全範囲に亘ってその対数値に対して直線的
に比例関係にあるものを適正と判断するＬＥＤの劣化検
査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002338260A JP3450001B1 (ja) | 2002-11-21 | 2002-11-21 | Ｌｅｄの劣化検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002338260A JP3450001B1 (ja) | 2002-11-21 | 2002-11-21 | Ｌｅｄの劣化検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3450001B1 true JP3450001B1 (ja) | 2003-09-22 |
| JP2004170311A JP2004170311A (ja) | 2004-06-17 |
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ID=29208274
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002338260A Expired - Fee Related JP3450001B1 (ja) | 2002-11-21 | 2002-11-21 | Ｌｅｄの劣化検査方法 |
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| JP (1) | JP3450001B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2721665C1 (ru) * | 2019-12-24 | 2020-05-21 | Общество с ограниченной ответственностью "Всесоюзный научно-исследовательский светотехнический институт имени С.И. Вавилова" | Способ определения деградации фитооблучателя на основе квазимонохроматических светодиодов и система для его осуществления |
| CN112233998A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-01-15 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种led芯片的分档方法 |
| CN114664702A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-06-24 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | Led芯片筛选方法及显示屏 |
| CN114664704A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-06-24 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | Led芯片筛选方法及显示屏 |
| CN116189581A (zh) * | 2023-04-27 | 2023-05-30 | 杭州视芯科技股份有限公司 | 一种led开路检测方法、电路及led驱动方法、电路 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7332699B2 (en) * | 2004-07-23 | 2008-02-19 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | Feed-forward methods and apparatus for setting the light intensities of one or more LEDs |
| JP5066390B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2012-11-07 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
| AT512751B1 (de) * | 2012-03-29 | 2015-03-15 | Din Dietmar Nocker Facilityman Gmbh | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Testen eines Leuchtdiodenzweigs einer Schaltungsanordnung |
| RU2523105C1 (ru) * | 2013-03-12 | 2014-07-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | СПОСОБ ОТБРАКОВКИ МОЩНЫХ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ InGaN/GaN |
-
2002
- 2002-11-21 JP JP2002338260A patent/JP3450001B1/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2721665C1 (ru) * | 2019-12-24 | 2020-05-21 | Общество с ограниченной ответственностью "Всесоюзный научно-исследовательский светотехнический институт имени С.И. Вавилова" | Способ определения деградации фитооблучателя на основе квазимонохроматических светодиодов и система для его осуществления |
| CN112233998A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-01-15 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种led芯片的分档方法 |
| CN112233998B (zh) * | 2020-09-27 | 2024-05-31 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种led芯片的分档方法 |
| CN114664702A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-06-24 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | Led芯片筛选方法及显示屏 |
| CN114664704A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-06-24 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | Led芯片筛选方法及显示屏 |
| CN116189581A (zh) * | 2023-04-27 | 2023-05-30 | 杭州视芯科技股份有限公司 | 一种led开路检测方法、电路及led驱动方法、电路 |
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| JP2004170311A (ja) | 2004-06-17 |
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