JP3448865B2 - Electronic component package and piezoelectric vibration device - Google Patents
Electronic component package and piezoelectric vibration deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品用パッケー
ジに関するものであり、特に気密封止を必要とする電子
部品用パッケージに適用されるものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for electronic parts, and particularly to a package for electronic parts which requires hermetic sealing.
【０００２】[0002]
【従来の技術】気密封止を必要とする電子部品の例とし
て、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の水晶応
用製品があげられる。これら各製品はいずれも水晶振動
板の表面に金属薄膜電極を形成し、この金属薄膜電極を
外気から保護するため、気密封止されている。2. Description of the Related Art Crystal-applied products such as a crystal oscillator, a crystal filter, and a crystal oscillator are given as examples of electronic parts requiring hermetic sealing. In each of these products, a metal thin film electrode is formed on the surface of the crystal diaphragm, and the metal thin film electrode is hermetically sealed in order to protect the metal thin film electrode from the outside air.
【０００３】これら水晶応用製品は部品の表面実装化の
要求から、セラミックパッケージに気密的に収納する構
成が増加している。このようなセラミックパッケージを
用いる場合、パッケージ本体とフタとの接合は多種多様
の接合方法が検討されている。例えばはんだ接合、低融
点ガラス接合、抵抗溶接、電子ビーム溶接等各種の接合
方法であるが、よく用いられている接合方法としてシー
ム溶接による気密封止があり、例えば特開平７−３２６
６８７号の従来例に示されている。これは、セラミック
パッケージの開口部分に形成されたシールリング（金属
枠体）と金属製の蓋体とを、抵抗溶接の１種であるシー
ム溶接により気密封止したもので、表面実装化に対応し
た接合方法である。Due to the demand for surface mounting of the components, these crystal applied products are increasingly being hermetically housed in a ceramic package. When using such a ceramic package, various bonding methods for bonding the package body and the lid have been studied. For example, there are various joining methods such as solder joining, low melting point glass joining, resistance welding, and electron beam welding. As a commonly used joining method, there is airtight sealing by seam welding, for example, JP-A-7-326.
This is shown in the conventional example of No. 687. This is a seal ring (metal frame) formed in the opening of the ceramic package and a metal lid that are hermetically sealed by seam welding, which is a type of resistance welding, and is compatible with surface mounting. It is the joining method.
【０００４】シーム溶接に必要な構成を図６、図７とと
もに説明する。図６はシールリングを用いた従来の電子
部品用パッケージの内部断面図、図７は図６の一部拡大
断面図である。セラミックパッケージ７０の堤部７１上
面にはメタライズ層７２が形成され、その上面にニッケ
ル等の金属メッキ層（図示せず）が形成されている。こ
の金属メッキ層の上面にコバール等からなるシールリン
グ７３がろう材７４により接合されている。そしてニッ
ケルメッキ７６の形成されたコバール等からなる金属フ
タ７５が前記シールリング上に搭載されて、一対の通電
ローラー７７（他方は図示していない）により金属フタ
７５の外周の稜をトレースしながら通電し、金属フタと
シールリングを接合していた。金属フタの外周はシール
リングの外周より若干小さく形成され、段差部ｂが形成
されており、両者の接合を確実にしている。The structure required for seam welding will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6 is an internal sectional view of a conventional electronic component package using a seal ring, and FIG. 7 is a partially enlarged sectional view of FIG. A metallization layer 72 is formed on the upper surface of the bank 71 of the ceramic package 70, and a metal plating layer (not shown) of nickel or the like is formed on the upper surface. A seal ring 73 made of Kovar or the like is joined to the upper surface of the metal plating layer by a brazing material 74. Then, a metal lid 75 made of Kovar or the like on which nickel plating 76 is formed is mounted on the seal ring, and a pair of energizing rollers 77 (the other one is not shown) are used to trace the outer edge of the metal lid 75. The electricity was turned on and the metal lid and the seal ring were joined. The outer periphery of the metal lid is formed to be slightly smaller than the outer periphery of the seal ring, and a step portion b is formed to ensure the joining of both.
【０００５】シーム溶接は電流の流れる領域のみが加熱
され、局所加熱方法としては好適な方法であり、その気
密封止の信頼性も高く評価されている。しかしながら、
図７から明らかなとおり、シーム溶接を行う場合堤部上
面には、ろう材のメニスカス（meniscus）部分ａが必要
となり、また上述した段差部ｂが必要となる。従って、
金属フタとシールリングの実質的な接合部分は接合領域
ｃとなってしまう。例えば縦６mm、横３mmのパッケージ
の場合、メニスカス部分の幅ａ１が０．２mm、段差部の
幅ｂ１が０．１mm、接合領域の幅ｃ１が０．２mm程度と
なる。この接合領域０．２mmは気密信頼性の面から実質
的に最小寸法となっている。すなわちシーム溶接におい
ては接合領域ｃを得るためにメニスカス部分ａおよび段
差部ｂの形成も必要となり、電子部品の超小型化には適
していない。また十分な電子素子収納領域が確保できな
くなる。例えば水晶振動子においては、水晶振動板が小
さすぎると所望の電気的特性が得にくくなったり、設計
の余裕度が小さくなる。また水晶振動板のパッケージへ
の搭載も困難になる。Seam welding is a suitable method as a local heating method because it heats only the region in which an electric current flows, and the reliability of hermetic sealing is highly evaluated. However,
As is apparent from FIG. 7, when seam welding is performed, the meniscus portion a of the brazing material is required on the upper surface of the bank portion, and the above-described step portion b is required. Therefore,
The substantial joining portion between the metal lid and the seal ring becomes the joining region c. For example, in the case of a package having a length of 6 mm and a width of 3 mm, the width a1 of the meniscus portion is 0.2 mm, the width b1 of the step portion is 0.1 mm, and the width c1 of the joining region is about 0.2 mm. The bonding area of 0.2 mm is substantially the minimum dimension in terms of airtight reliability. That is, in seam welding, it is necessary to form the meniscus portion a and the stepped portion b in order to obtain the joining region c, which is not suitable for miniaturization of electronic components. Further, it becomes impossible to secure a sufficient electronic element storage area. For example, in a crystal resonator, if the crystal diaphragm is too small, it becomes difficult to obtain desired electrical characteristics or the design margin decreases. Also, it becomes difficult to mount the crystal diaphragm on the package.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】近年においてはより微
小な電子部品が要求されており、従来小型化が困難とさ
れていた圧電振動子の分野においても、例えば外形サイ
ズが縦３mm、横２mm、高さ０．８mm程度の表面実装型の
水晶振動子が考案されている。このような水晶振動子
は、水晶振動板の超小型化への対応が必要となるととも
に、これを収納するパッケージにも工夫が必要となり、
従来用いられていた技術では対応できなくなっていた。In recent years, there has been a demand for smaller electronic components, and even in the field of piezoelectric vibrators, which have been difficult to miniaturize in the past, for example, the external size is 3 mm in length, 2 mm in width, A surface-mounted crystal unit with a height of about 0.8 mm has been devised. With such a crystal unit, it is necessary to respond to the miniaturization of the crystal diaphragm, and it is necessary to devise a package for storing it.
The technology used in the past could not cope.
【０００７】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、パッケージを超小型化しても、気密封止の
信頼性を実用的なレベルに維持でき、電子部品としての
電気的性能の向上をはかることのできる電子部品用パッ
ケージおよび圧電振動デバイスを提供すること目的とす
るものである。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the reliability of hermetic sealing can be maintained at a practical level even if the package is miniaturized, and the electrical performance as an electronic component is improved. An object of the present invention is to provide an electronic component package and a piezoelectric vibration device that can be improved.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】シーム溶接を用いた電子
部品用パッケージにおいて、シールリングは焼成による
メタライズ層の凹凸を吸収するとともに、当該メタライ
ズ層に対してシーム溶接時の熱の影響を緩和するために
用いている。ところが上述の説明で明らかなとおり、小
型化を阻害している要因は、シールリング（金属枠体）
を用いていることにある。本発明は当該シールリングを
採用せず、気密封止の信頼性を確保する構成を検討した
ものであり、次の構成によって解決するものである。In a package for electronic parts using seam welding, a seal ring absorbs unevenness of a metallized layer due to firing and reduces the influence of heat during seam welding on the metallized layer. It is used for However, as is clear from the above explanation, the factor that hinders miniaturization is the seal ring (metal frame).
Is in use. The present invention has studied a configuration that ensures the reliability of hermetic sealing without using the seal ring, and is solved by the following configuration.
【０００９】本発明による電子部品用パッケージは、セ
ラミック基体と、当該セラミック基体の主面周囲に周状
に形成されたメタライズ層と、当該メタライズ層の上面
に形成された第１の金属膜層と、前記第１の金属膜層の
少なくとも一部に対応して形成された第２の金属膜層が
形成された金属フタとからなり、前記第１の金属膜層と
第２の金属膜層の両方がろう材であり、少なくとも一方
のろう材を電気抵抗熱により溶融させ、気密接合を行っ
たことを特徴としている。An electronic component package according to the present invention includes a ceramic base, a metallization layer formed circumferentially around the main surface of the ceramic base, and a first metal film layer formed on the upper surface of the metallization layer. A metal lid having a second metal film layer formed corresponding to at least a part of the first metal film layer, the first metal film layer and the second metal film layer Both are brazing filler metals, and at least one of the brazing filler metals is melted by electric resistance heat to perform airtight bonding.
【００１０】上記構成によれば、セラミック基体に形成
されたメタライズ層並びに第１の金属膜層全体を用いて
金属フタの第２の金属膜層と接合することができる。従
って、従来のシールリングを用いたシーム溶接のよう
に、メニスカス部分を必要としないので実質的な接合領
域を確保するために例えば請求項４に示す堤部の幅を大
きく取る必要がない。従って、パッケージの外形サイズ
に対する電子部品を収納する部分の容積比率を大きくす
ることができる。また電気抵抗熱を用いた局所加熱によ
り信頼性の高い気密封止を小面積で行うことができる。According to the above structure, the metallized layer formed on the ceramic substrate and the entire first metal film layer can be used to bond to the second metal film layer of the metal lid. Therefore, as in the seam welding using a conventional seal ring, there is no need to increase the width of the bank portion shown example to Claim 4 in order to ensure the substantial joint area does not require a meniscus portion. Therefore, it is possible to increase the volume ratio of the portion for housing the electronic component to the outer size of the package. Moreover, highly reliable airtight sealing can be performed in a small area by local heating using electric resistance heat.
【００１１】また、セラミック基体と、当該セラミック
基体の主面周囲に周状に形成されたメタライズ層と、当
該メタライズ層の上面に形成された第１の金属膜層と、
前記第１の金属膜層の少なくとも一部に対応して形成さ
れた第２の金属膜層が形成された金属フタとからなり、
前記第１の金属膜層と第２の金属膜層の少なくとも一方
が金ろうまたはニッケルろうまたは半田ろうまたは金錫
ろうのろう材であり、少なくとも一方のろう材を電気抵
抗熱により溶融させ、気密接合を行ったことを特徴とす
る電子部品用パッケージであってもよい。Further , a ceramic substrate, a metallized layer formed circumferentially around the main surface of the ceramic substrate, and a first metal film layer formed on the upper surface of the metallized layer.
A metal lid formed with a second metal film layer formed corresponding to at least a part of the first metal film layer,
At least one of the first metal film layer and the second metal film layer is a brazing material of gold brazing, nickel brazing, solder brazing, or gold tin brazing, and at least one brazing brazing material is melted by electric resistance heat to be airtight. It may be an electronic component package characterized by being joined.
【００１２】さらに上記構成において、電子部品用パッ
ケージに形成された第２の金属膜層がクラッド化された
金属ろう材であると好適である。Further, in the above structure, it is preferable that the second metal film layer formed in the electronic component package is a clad metal brazing material.
【００１３】金属ろう材は一般的に比較的軟質であるた
め、セラミック基体と金属フタを接合するとともに、シ
ーム溶接等の電気抵抗溶接時に両者間に作用する機械
的、熱的歪みを吸収、緩和する。またクラッド化は圧延
工法により金属フタにろう材を形成するものであり、バ
インダー等を用いないので溶融時のガスの放出が少な
く、ガスによるパッケージ内部への悪影響を回避するこ
とができ好ましい。Since the metal brazing material is generally relatively soft, it joins the ceramic base and the metal lid and absorbs and relaxes mechanical and thermal strains acting between the two during electric resistance welding such as seam welding. To do. In addition, clad formation is a method in which a brazing material is formed on a metal lid by a rolling method, and a binder or the like is not used, so that gas emission during melting is small and adverse effects of gas on the inside of the package can be avoided.
【００１４】請求項１に示すように、セラミック基体
と、当該セラミック基体の主面周囲に周状に形成された
メタライズ層と、当該メタライズ層の上面に形成された
第１の金属膜層と、前記第１の金属膜層の少なくとも一
部に対応して形成された第２の金属膜層が形成された金
属フタとからなり、前記メタライズ層はタングステンま
たはモリブデンからなり、第１の金属膜層は少なくとも
ニッケル層を含み、また金属フタは母材がコバールから
なり、当該金属フタの上面にニッケル層が形成され、さ
らに当該ニッケル層の上面に第２の金属膜層としてクラ
ッド化された銀ろう層が形成され、かつ当該銀ろう層の
厚さが１０〜１４μｍであることを特徴とする電子部品
用パッケージであってもよい。According to a first aspect of the present invention, there is provided a ceramic substrate, a metallized layer formed circumferentially around the main surface of the ceramic substrate, and a first metal film layer formed on the upper surface of the metallized layer. A metal lid having a second metal film layer formed corresponding to at least a part of the first metal film layer, the metallization layer made of tungsten or molybdenum, and the first metal film layer. Contains at least a nickel layer, the base material of the metal lid is made of Kovar, the nickel layer is formed on the upper surface of the metal lid, and the silver brazing material is clad as the second metal film layer on the upper surface of the nickel layer. It may be a package for electronic parts in which a layer is formed and the thickness of the silver brazing layer is 10 to 14 μm.
【００１５】また請求項２に示すように、セラミック基
体と、当該セラミック基体の主面周囲に周状に形成され
たメタライズ層と、当該メタライズ層の上面に形成され
た第１の金属膜層と、前記第１の金属膜層の少なくとも
一部に対応して形成された第２の金属膜層が形成された
金属フタとからなり、 前記メタライズ層はタングステ
ンまたはモリブデンからなり、第１の金属膜層は少なく
ともニッケル層を含み、また金属フタは母材がコバール
からなり、当該金属フタの上面にニッケル層が形成さ
れ、さらに当該ニッケル層の上面に第２の金属膜層とし
てクラッド化された銀ろう層が形成されるとともに、前
記メタライズ層の厚さは２５〜３０μｍであり、かつ当
該銀ろう層の厚さが１０〜２０μｍであることを特徴と
する電子部品用パッケージであってもよい。 Further , as described in claim 2, a ceramic substrate
Formed around the body and the main surface of the ceramic substrate
And a metallization layer formed on the upper surface of the metallization layer.
A first metal film layer and at least the first metal film layer
A second metal film layer formed corresponding to a part was formed
A metal lid, and the metallization layer is a tungsten layer.
Made of molybdenum or molybdenum, the first metal film layer is less
Both include a nickel layer, and the metal lid has a Kovar base metal.
And a nickel layer is formed on the upper surface of the metal lid.
A second metal film layer on the upper surface of the nickel layer.
And a clad silver brazing layer is formed.
The thickness of the metallized layer is 25 to 30 μm, and
The silver brazing layer has a thickness of 10 to 20 μm.
The package may be a package for electronic components.
【００１６】銀ろう層は電気抵抗溶接時にセラミック基
体と金属フタ間に作用する機械的熱的歪みを吸収すると
ともに、メタライズ層の凹凸を緩和し気密性の低下を防
ぐ機能を有している。従って、銀ろう層が薄すぎると当
該機能を充分に発揮しない。逆に銀ろう層が厚くなりす
ぎると溶接電流値が高くなる。この場合ジュール熱によ
る熱応力が大きくなりセラミック基体の破損につながる
ことがあった。またシ ーム溶接時に金属フタの位置固定
のために、スポット溶接により仮溶接を行うことがある
が、銀ろう層が厚くなりすぎた場合、本溶接となるシー
ム溶接時に、前記仮溶接部分の近傍だけが溶接されない
現象が発生し、気密性を低下させてしまう問題があっ
た。 The silver brazing layer is a ceramic base during electric resistance welding.
When absorbing the mechanical and thermal strain that acts between the body and the metal lid
In addition, the unevenness of the metallized layer is mitigated to prevent the deterioration of airtightness.
It has a function of Therefore, if the silver solder layer is too thin,
The function is not fully exerted. On the contrary, the silver brazing layer becomes thicker
The welding current value becomes high if it is exceeded. In this case, due to Joule heat
Thermal stress increases, leading to damage to the ceramic substrate
There was an occasion. Position fixing of the metal cover when once again over beam welding
For this reason, temporary welding may be performed by spot welding.
However, if the silver braze layer becomes too thick, the
In the case of aluminum welding, only the vicinity of the temporary weld is not welded
There is a problem that the phenomenon occurs and the airtightness is reduced.
It was
【００１７】請求項２記載の構成の電子部品用パッケー
ジにおいて、シーム溶接により封止実験を行った結果を
表１に示す。 A package for electronic parts having a structure according to claim 2
The result of the sealing experiment by seam welding
It shows in Table 1.
【表１】 [Table 1]
【００１８】実験に用いたサンプルは１００個であり、
セラミック基体は縦３．２mm、横２．５mm、高さ０．７
mmの外形寸法を有し、当該セラミック基体に形成された
タングステンメタライズ層が約２５μｍ、ニッケルメッ
キ層が約５μｍ、金メッキ層が約０．５μｍの各厚さで
形成されている。なお、メタライズ層等の各金属膜層の
幅は約０．４mmである。また金属フタは縦３．１mm、横
２．４mm、高さ（厚さ）０．１mmの外形寸法を有し、ニ
ッケル層が約７μｍの厚さで形成されている。このよう
なメタライズ層並びに金属層の形成されたセラミック基
体と金属フタとをシーム溶接により気密封止を行った
後、気密試験にて気密不良率を調べた。表１から銀ろう
厚みが１０〜２０μｍの範囲であると、気密不良の発生
していないことが明らかに理解できる。なお、金属フタ
に形成した各ニッケルメッキ層の厚さを異ならせても、
接合性はほとんど変わらなかった。また銀ろうを厚さを
１０〜１４μｍにすることにより、セラミック基体と金
属フタからなる気密封止にお いて、気密性を良好に保っ
た状態で溶接電流値を低く設定できる。 The number of samples used in the experiment was 100,
The ceramic base is 3.2 mm long, 2.5 mm wide, 0.7 height.
formed on the ceramic substrate with an outer dimension of mm
Tungsten metallization layer is about 25μm, nickel plating
Each layer has a thickness of approximately 5 μm and a gold plating layer of approximately 0.5 μm.
Has been formed. In addition, of each metal film layer such as a metallization layer
The width is about 0.4 mm. Also, the metal lid is 3.1 mm long and horizontal.
The external dimensions are 2.4 mm and height (thickness) of 0.1 mm.
The shell layer is formed with a thickness of about 7 μm. like this
Ceramic substrate with a metallized layer and a metal layer
Hermetically sealed the body and metal lid by seam welding
Then, the airtightness test was performed to examine the airtightness defective rate. Silver wax from Table 1
When the thickness is in the range of 10 to 20 μm, poor airtightness occurs
I can clearly understand that I have not. The metal lid
Even if the thickness of each nickel plating layer formed on the
The bondability was almost unchanged. Also the thickness of silver wax
By adjusting the thickness to 10 to 14 μm, the ceramic base and gold
And have you in the hermetic seal consisting of the genus lid, good to keep the air-tightness
The welding current value can be set to a low value in the closed state.
【００１９】また請求項３に示すように、セラミック基
体と、当該セラミック基体の主面周囲に周状に形成され
たメタライズ層と、当該メタライズ層の上面に形成され
た第１の金属膜層と、前記第１の金属膜層の少なくとも
一部に対応して形成された第２の金属膜層が形成された
金属フタとからなり、第１の金属膜層と第２の金属膜層
がニッケルで構成されており、両金属膜層を電気抵抗熱
により溶融させ、気密接合を行ったことを特徴とする電
子部品用パッケージであってもよい。Further, as set forth in claim 3 , a ceramic substrate, a metallized layer formed circumferentially around the main surface of the ceramic substrate, and a first metal film layer formed on the upper surface of the metallized layer. A metal lid having a second metal film layer formed corresponding to at least a part of the first metal film layer, wherein the first metal film layer and the second metal film layer are nickel. The package for electronic parts may be characterized in that both metal film layers are melted by electric resistance heat to perform airtight bonding.
【００２０】電気抵抗加熱により両ニッケルが溶接さ
れ、同種金属による金属間接合により良好な気密接合が
行える。なおニッケルはろう材に比べて融点が高いた
め、メタライズ層への熱の影響を考慮する必要がある
が、パッケージの大きさに合わせて通電量の増減をきめ
細かく制御する、あるいはニッケルの厚さを適宜厚くす
る等の調整をすればよい。Both nickel are welded by electric resistance heating, and good airtight joining can be performed by metal-to-metal joining with the same kind of metal. Since nickel has a higher melting point than the brazing filler metal, it is necessary to consider the effect of heat on the metallized layer, but the increase or decrease in the energization amount should be finely controlled according to the package size, or the nickel thickness should be adjusted. The thickness may be adjusted appropriately.
【００２１】また上記電子部品用パッケージにおいて、
請求項４に示すように、電子素子を収納する凹部を有
し、外周に堤部を有するセラミック基体と、前記凹部を
気密的に封止する金属フタとを具備し、 前記セラミッ
ク基体の堤部上面には、全面にメタライズ層を形成する
とともに、当該メタライズ層の上面に第１の金属膜層を
形成し、 また前記金属フタには前記第１の金属膜層に
少なくとも対応する第２の金属膜層を形成した構成を採
用してもよい。Further, in the above-mentioned electronic component package,
As shown in claim 4, having a recess for accommodating the electronic element, comprising: a ceramic substrate having a bank portion on the outer periphery, and a metal lid that seals the recess hermetically, the bank portion of the ceramic substrate A metallization layer is formed on the entire upper surface, a first metal film layer is formed on the upper surface of the metallization layer, and a second metal at least corresponding to the first metal film layer is formed on the metal lid. You may employ | adopt the structure which formed the film layer.
【００２２】以上の各構成において、請求項５に示すよ
うに金属膜層の溶融をシーム溶接により行うとよく、ま
た請求項６に示すようにパッケージ内部に収納する電子
素子の例として、圧電振動素子または圧電振動素子と必
要な回路素子を収納した圧電振動デバイスをあげてい
る。圧電振動素子は気密性並びに超小型化が要求される
電子素子であるので、本発明の電子部品用パッケージは
最適である。また本発明は、前述のようにパッケージの
外形サイズに対する電子素子を収納する凹部の容積比率
を大きくすることができるので、収納される圧電振動板
を大きくすることができ電気的特性の向上、並びに設計
上の余裕度（設計マージン）を十分に取ることができ
る。In each of the above constructions, the metal film layer may be melted by seam welding as described in claim 5 , and as an example of the electronic element housed in the package as described in claim 6 , piezoelectric vibration is used. Piezoelectric vibrating devices containing elements or piezoelectric vibrating elements and necessary circuit elements are listed. Since the piezoelectric vibrating element is an electronic element that is required to be airtight and ultra-miniaturized, the electronic component package of the present invention is optimal. Further, according to the present invention, since the volume ratio of the recess for accommodating the electronic element with respect to the outer size of the package can be increased as described above, it is possible to increase the size of the piezoelectric vibration plate to be accommodated and to improve the electrical characteristics. A sufficient design margin (design margin) can be secured.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を表面
実装型の水晶振動子を例にとり図１、図２とともに説明
する。図１は本実施の形態を示す分解斜視図、図２は気
密封止時の内部断面図である。表面実装型水晶振動子
は、上部が開口した凹部を有するセラミックパッケージ
１と、当該パッケージの中に収納される電子素子である
水晶振動板３と、パッケージの開口部に接合される金属
フタ２とからなる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 by taking a surface mount type crystal resonator as an example. FIG. 1 is an exploded perspective view showing the present embodiment, and FIG. 2 is an internal sectional view at the time of hermetically sealing. The surface-mount type crystal unit includes a ceramic package 1 having a recessed upper portion, a crystal vibrating plate 3 which is an electronic element housed in the package, and a metal lid 2 joined to the opening of the package. Consists of.
【００２４】断面でみて凹形のセラミックパッケージ１
は、セラミック基体１０と、凹形周囲の堤部１０ａ上に
形成される周状の金属層とからなる。金属層は、タング
ステンあるいはモリブデン等からなるメタライズ層１１
と、当該メタライズ層１１の上部に形成される第１の金
属膜層１２とからなる。金属膜層１２はメタライズ層１
１に接してニッケルメッキ層１２ａと、当該ニッケルメ
ッキ層１２ａの上部に形成される極薄の金メッキ層１２
ｂとからなる。なお、前記金メッキ層１２ｂは形成しな
くても接合性にさほど影響しない。各層の厚さは、この
実施例では、メタライズ層１１が約２５〜３０μｍ、ニ
ッケルメッキ層１２ａが約４〜８μｍ、金メッキ層１２
ｂが約０．５〜１．０μｍである。Ceramic package 1 having a concave shape in cross section
Is composed of a ceramic base 10 and a circumferential metal layer formed on the bank 10a around the concave shape. The metal layer is a metallized layer 11 made of tungsten or molybdenum.
And a first metal film layer 12 formed on the metallized layer 11. The metal film layer 12 is the metallized layer 1
1, a nickel plating layer 12a, and an ultrathin gold plating layer 12 formed on the nickel plating layer 12a.
b. Even if the gold plating layer 12b is not formed, the bondability is not significantly affected. In this embodiment, the thickness of each layer is about 25 to 30 μm for the metallized layer 11, about 4 to 8 μm for the nickel plated layer 12a, and the gold plated layer 12 in this embodiment.
b is about 0.5 to 1.0 μm.
【００２５】また、セラミックパッケージ１の内部底面
には電極パッド１３、１４が形成されており、これら電
極パッドは連結電極１５，１６を介して、パッケージ外
部の底面に引出電極１７，１８として電気的に引き出さ
れている。前記電極パッド１３，１４間には電子素子で
ある矩形の水晶振動板３が搭載されている。水晶振動板
３の表裏面には一対の励振電極３１（裏面については図
示していない。また図２以降については励振電極の表示
を省略している。）が形成され、各励振電極は各々電極
パッド１３，１４に引き出されており、導電性接合材Ｓ
１，Ｓ２により導電接合されている。Further, electrode pads 13 and 14 are formed on the inner bottom surface of the ceramic package 1, and these electrode pads are electrically connected to the bottom surface outside the package as lead electrodes 17 and 18 via the connecting electrodes 15 and 16. Have been pulled out. A rectangular crystal diaphragm 3 which is an electronic element is mounted between the electrode pads 13 and 14. A pair of excitation electrodes 31 (the back surface is not shown; the excitation electrodes are not shown in FIG. 2 and subsequent figures) are formed on the front and back surfaces of the crystal diaphragm 3, and each excitation electrode is an electrode. The conductive bonding material S is drawn out to the pads 13 and 14.
1, S2 are conductively joined.
【００２６】気密封止する金属フタ２はコバール等の金
属母材２０の下面に前記周状の第１の金属膜層１２に対
応した周状の第２の金属膜層２１を形成している。この
第２の金属膜層２１は例えば銀ろうからなり、その厚さ
は約１５μｍである。当該銀ろう層の形成は、例えば圧
延の手法を用いて形成されて、クラッド化した銀ろう層
を形成している。前述のとおりクラッド化することによ
り溶融時のガスの放出が少なく、ガスによるパッケージ
内部への悪影響を回避することができるという利点を有
している。具体的な外形寸法例を示すとセラミックパッ
ケージの外形寸法が縦３．２mm、横２．５mm、高さ０．
７mm、フタの外形寸法が縦３．１mm、横２．４mm、高さ
（厚さ）０．１mmであり、各金属膜層の幅は約０．４mm
となっている。The metal lid 2 for hermetically sealing has a circumferential second metal film layer 21 corresponding to the circumferential first metal film layer 12 on the lower surface of a metal base material 20 such as Kovar. . The second metal film layer 21 is made of silver solder, for example, and has a thickness of about 15 μm. The silver brazing layer is formed by, for example, a rolling method to form a clad silver brazing layer. As described above, the clad formation has an advantage that the amount of gas released during melting is small and the adverse effect of gas on the inside of the package can be avoided. As a concrete example of external dimensions, the external dimensions of the ceramic package are 3.2 mm in length, 2.5 mm in width, and 0.
7 mm, the outer dimensions of the lid are 3.1 mm in length, 2.4 mm in width, and 0.1 mm in height (thickness), and the width of each metal film layer is about 0.4 mm.
Has become.
【００２７】金属フタ２と前記セラミックパッケージ１
の各金属膜層の接合は、シーム溶接と同じ手法を用い
る。すなわち両金属膜層１２，２１を重ね合わせ位置決
めした状態で、パラレルシーム溶接機の通電ローラーＲ
を金属フタの稜部分を押圧しながら走行させる。これに
より主に金属フタの銀ろうが溶融し、気密接合が行われ
る。なお、本溶接となるシーム溶接の前にセラミックパ
ッケージと金属フタとをスポット溶接により仮溶接を行
い、位置決めを確実にしてもよい。Metal lid 2 and the ceramic package 1
The same method as seam welding is used to join the metal film layers. That is, with both metal film layers 12 and 21 positioned one on top of the other, the energizing roller R of the parallel seam welder is positioned.
Run while pressing the edge of the metal lid. As a result, the silver solder of the metal lid is mainly melted and airtight bonding is performed. Before the seam welding, which is the main welding, the ceramic package and the metal lid may be temporarily welded by spot welding to ensure the positioning.
【００２８】ところで、溶接時の電流は、ろう材の融
点、適用するパッケージのサイズ（特に溶融金属の体
積）等によって決定されるが、本発明に主に適用される
ようなきわめて小型のパッケージの場合、従来のシール
リングを用いたパッケージに比べて小さな値に設定する
必要があり、通電時間とともに最適値を調整する必要が
ある。The current during welding is determined by the melting point of the brazing filler metal, the size of the package to be applied (particularly the volume of the molten metal), etc., but for an extremely small package such as the one mainly applied to the present invention. In this case, it is necessary to set the value smaller than that of the package using the conventional seal ring, and it is necessary to adjust the optimum value together with the energization time.
【００２９】本発明による第２の実施の形態を表面実装
型の水晶振動子を例にとり図３とともに説明する。第１
の実施の形態と同じ構造部分については同番号を用いて
説明するとともに、一部説明を割愛する。この例では金
属膜層の構成を異ならせているが、基本構成は上述の実
施の形態で示した構成に類似したものであり、上部が開
口した凹部を有するセラミックパッケージ１と、当該パ
ッケージの中に収納される電子素子である水晶振動板３
と、パッケージの開口部に接合される金属フタ２とから
なる。A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 by taking a surface mount type crystal resonator as an example. First
The same structural parts as those of the embodiment will be described using the same numbers, and a partial description thereof will be omitted. In this example, the structure of the metal film layer is different, but the basic structure is similar to the structure shown in the above-mentioned embodiment, and the ceramic package 1 having a recessed portion at the top and the inside of the package. Quartz diaphragm 3 which is an electronic element housed in
And a metal lid 2 joined to the opening of the package.
【００３０】本実施の形態においては、金属フタ側の第
２の金属膜層２１に銀ろうを用いており、かつ接合側全
面に銀ろうを形成している。また堤部１０ａ上に形成さ
れた第１の金属膜層１２の構成をニッケルメッキ層１２
ａ、金メッキ層１２ｂ、銀ろう層１２ｃの順に形成して
おり、気密封止時には両銀ろうの一部または全部が溶融
することによりろう接の接合強度向上をはかっている。
またろう材の持つ緩衝機能がより強調され、溶接時の熱
的機械的歪みが生じにくくなる。In the present embodiment, silver solder is used for the second metal film layer 21 on the metal lid side, and silver solder is formed on the entire bonding side. In addition, the structure of the first metal film layer 12 formed on the bank portion 10a is changed to the nickel plating layer 12
a, a gold-plated layer 12b, and a silver brazing layer 12c are formed in this order. At the time of hermetic sealing, a part or all of both silver brazing layers are melted to improve the joint strength of brazing.
Further, the cushioning function of the brazing material is further emphasized, and thermal mechanical distortion during welding is less likely to occur.
【００３１】本発明による第３の実施の形態を表面実装
型の水晶振動子を例にとり図４とともに説明する。第１
の実施の形態と同じ構造部分については同番号を用いて
説明するとともに、一部説明を割愛する。この例では金
属膜層の構成を異ならせているが、基本構成は上述の実
施の形態で示した構成に類似したものであり、上部が開
口した凹部を有するセラミックパッケージ１と、当該パ
ッケージの中に収納される電子素子である水晶振動板３
と、パッケージの開口部に接合される金属フタ２とから
なる。A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 by taking a surface mount type crystal resonator as an example. First
The same structural parts as those of the embodiment will be described using the same numbers, and a partial description thereof will be omitted. In this example, the structure of the metal film layer is different, but the basic structure is similar to the structure shown in the above-mentioned embodiment, and the ceramic package 1 having a recessed portion at the top and the inside of the package. Quartz diaphragm 3 which is an electronic element housed in
And a metal lid 2 joined to the opening of the package.
【００３２】本実施の形態においては、水晶振動板は片
持ち支持された構成であり、図面では明示していない
が、矩形水晶振動板の短辺部分の両端近傍を２端子にて
支持している。また堤部１０ａ上に形成された第１の金
属膜層１２の構成をニッケルメッキ層１２ａ、金メッキ
層１２ｂ、金錫ろう層１２ｄの順に形成しており、金属
フタ側の第２の金属膜層はフタの全周面にニッケルメッ
キを形成している。この実施の形態では軟質な金錫ろう
を用いているために、緩衝機能が得られるが、使用する
金属材料に合わせて電気抵抗溶接時の条件を適宜調整す
る必要がある。In this embodiment, the crystal diaphragm is supported in a cantilever manner, and although not shown in the drawing, two terminals are supported near both ends of the short side portion of the rectangular crystal diaphragm. There is. Further, the structure of the first metal film layer 12 formed on the bank portion 10a is formed of a nickel plating layer 12a, a gold plating layer 12b, and a gold tin brazing layer 12d in this order, and a second metal film layer on the metal lid side. Has nickel plated on the entire circumference of the lid. In this embodiment, since a soft gold tin solder is used, a cushioning function can be obtained, but it is necessary to appropriately adjust the conditions for electric resistance welding according to the metal material used.
【００３３】本発明による第４の実施の形態を表面実装
型の水晶発振器を例にとり図５とともに説明する。第１
の実施の形態と同じ構造部分については同番号を用いて
説明するとともに、一部説明を割愛する。この例におい
ても、基本構成は上述の実施の形態で示した構成に類似
したものであり、上部が開口した凹部を有するセラミッ
クパッケージ１と、当該パッケージの中に収納される電
子素子である水晶振動板３並びに回路素子３１と、パッ
ケージの開口部に接合される金属フタ２とからなる。A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5 by taking a surface mount type crystal oscillator as an example. First
The same structural parts as those of the embodiment will be described using the same numbers, and a partial description thereof will be omitted. In this example as well, the basic structure is similar to the structure shown in the above-described embodiment, and the ceramic package 1 having the concave portion with the upper opening and the crystal vibration which is the electronic element housed in the package. It is composed of the plate 3 and the circuit element 31, and the metal lid 2 joined to the opening of the package.
【００３４】本実施の形態においては、水晶振動板３は
片持ち支持された構成であり、明示していないが、矩形
水晶振動板の短辺部分の両端近傍を２端子にて支持して
いる。また、水晶振動板３とともに水晶発振回路を構成
するＩＣ等の回路素子３１も同一空間に気密収納されて
いる。In this embodiment, the crystal diaphragm 3 is supported in a cantilever manner, and although not explicitly shown, two terminals are supported near both ends of the short side portion of the rectangular crystal diaphragm. . A circuit element 31 such as an IC that constitutes a crystal oscillation circuit together with the crystal diaphragm 3 is also hermetically housed in the same space.
【００３５】またこの実施の形態においては、この堤部
１０ａ上に形成された第１の金属膜層１２の構成をニッ
ケルメッキ層１２ａ、極薄の金メッキ層１２ｂの順に形
成しており、金属フタ側の第２の金属膜層２１はフタの
下面全面にニッケルメッキを形成している。シーム溶接
により両ニッケルが溶接され、気密接合が行える。なお
ニッケルはろう材に比べて融点が高いため、メタライズ
層への熱の影響を考慮する必要がある。メタライズ層の
厚さを厚くする、あるいはニッケルの厚さを厚くする、
あるいは通電量の増減をきめ細かく制御する等の検討を
有機的に採用ればよい。なお、セラミックパッケージ側
のニッケルメッキの上面には厚さ０．５〜１μｍ程度の
極薄の金メッキが形成されているが、この金メッキは形
成しなくても接合性に問題はない。Further, in this embodiment, the structure of the first metal film layer 12 formed on the bank portion 10a is formed in the order of the nickel plating layer 12a and the ultra-thin gold plating layer 12b. The second metal film layer 21 on the side has nickel plating formed on the entire lower surface of the lid. Both nickels are welded by seam welding, and airtight joining can be performed. Since nickel has a higher melting point than the brazing material, it is necessary to consider the effect of heat on the metallized layer. Increase the thickness of the metallization layer, or increase the thickness of nickel,
Alternatively, a study such as finely controlling the increase / decrease in the energization amount may be organically adopted. Although an ultrathin gold plating having a thickness of about 0.5 to 1 μm is formed on the upper surface of the nickel plating on the ceramic package side, there is no problem in the bondability even if this gold plating is not formed.
【００３６】なお、第１の金属膜層、第２の金属膜層は
上記各実施の形態に例示した材料に限定されるものでは
なく、例えば半田ろう、ニッケルろう等のろう材あるい
はそれ以外の金属材料であってもよい。The first metal film layer and the second metal film layer are not limited to the materials exemplified in the above-mentioned respective embodiments, and may be a brazing material such as solder brazing or nickel brazing or other materials. It may be a metallic material.
【００３７】また電子部品の例として、水晶振動子、水
晶発振器の例を示したが、もちろん水晶フィルタ等の他
の圧電振動デバイスにも適用できるし、他の気密性を有
する電子部品に適用できる。As an example of the electronic component, a crystal oscillator or a crystal oscillator is shown, but of course, it can be applied to other piezoelectric vibrating devices such as a crystal filter and other electronic components having airtightness. .
【００３８】[0038]
【発明の効果】本発明によれば、セラミック基体に形成
されたメタライズ部全体を用いて金属フタの第２の金属
膜層と接合することができる。よって、従来のシールリ
ングを用いたシーム溶接のようにメニスカス部分を必要
としないので、実質的な接合領域を確保するために、例
えば請求項７に示す堤部の幅を大きく取る必要がない。
従って、電気抵抗溶接による気密信頼性を確保するとと
もに、パッケージの外形サイズに対する電子部品を収納
する部分の容積比率を大きくすることができ、収納され
る電子素子のサイズを大きくすることができたり、収納
できる電子素子の数を増やすことができる。これにより
超小型にしても電子部品としての電気的特性を向上させ
るとともに、電子部品の多機能化に対応できる。 According to the present invention, the entire metallized portion formed on the ceramic substrate can be used to bond to the second metal film layer of the metal lid. Therefore, unlike the conventional seam welding using a seal ring, a meniscus portion is not required, and therefore it is not necessary to increase the width of the bank portion, for example, in order to secure a substantial joint region.
Therefore, while ensuring the airtight reliability by electric resistance welding, it is possible to increase the volume ratio of the portion that stores the electronic component to the outer size of the package, and it is possible to increase the size of the stored electronic element, The number of electronic elements that can be stored can be increased. As a result, the electrical characteristics of the electronic component can be improved and the electronic component can be made multifunctional even if it is ultra-compact.
【００３９】また、本発明によれば、ろう材がセラミッ
ク基体と金属フタを接合するとともに、シーム溶接等の
電気抵抗溶接時に両者間に作用する機械的、熱的歪みを
吸収、緩和するので、パッケージの気密信頼性を向上さ
せることができる。Further , according to the present invention, the brazing material joins the ceramic base and the metal lid, and absorbs and relaxes mechanical and thermal strains acting between the two during electric resistance welding such as seam welding. The airtight reliability of the package can be improved.
【００４０】また、クラッド化されたろう材を用いるこ
とにより、溶融時のガスの放出が少なく、ガスによるパ
ッケージ内部への悪影響を回避することができ、収納さ
れる電子素子の経年変化等を極力抑制する。 Also, it is necessary to use a brazing material that has been clad.
By so doing, the amount of gas released during melting is small, the adverse effect of gas on the inside of the package can be avoided, and the secular change or the like of the stored electronic element is suppressed as much as possible.
【００４１】請求項１，２によれば、銀ろうを用いた電
子部品用パッケージにおいて、気密性を良好にすること
ができる。According to the first and second aspects, the airtightness can be improved in the electronic component package using silver solder.
【００４２】また請求項３によれば、電気抵抗加熱によ
り両ニッケルが溶接され、同種金属による金属間接合に
より良好な気密接合が行える。According to the third aspect , both nickels are welded by electric resistance heating, and good airtight joining can be performed by metal-to-metal joining with the same kind of metal.
【００４３】また請求項４によれば、超小型化しても気
密性の良好な信頼性の高い電子部品用パッケージを得る
ことができる。Further, according to the fourth aspect , it is possible to obtain a highly reliable package for electronic parts which has a good airtightness even if it is miniaturized.
【００４４】請求項５によれば、メタライズ層並びに第
１の金属膜層全体を用いたシーム溶接が行え、良好な気
密封止が得られる。According to the fifth aspect , seam welding can be performed using the metallization layer and the entire first metal film layer, and good airtight sealing can be obtained.
【００４５】請求項６によれば、収納される圧電振動板
を大きくすることができ電気的特性の向上、設計上の余
裕度（設計マージン）を十分に取ることができるととも
に、気密性並びに超小型化された圧電振動デバイスを得
ることができる。According to the sixth aspect , the piezoelectric vibration plate to be accommodated can be made large, the electrical characteristics can be improved, and a design margin (design margin) can be sufficiently secured. A miniaturized piezoelectric vibrating device can be obtained.
【図１】第１の実施の形態による分解斜視図。FIG. 1 is an exploded perspective view according to a first embodiment.
【図２】第１の実施の形態による内部断面図。FIG. 2 is an internal sectional view according to the first embodiment.
【図３】第２の実施の形態による内部断面図。FIG. 3 is an internal cross-sectional view according to the second embodiment.
【図４】第３の実施の形態による内部断面図。FIG. 4 is an internal sectional view according to a third embodiment.
【図５】第４の実施の形態による内部断面図。FIG. 5 is an internal sectional view according to a fourth embodiment.
【図６】従来例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a conventional example.
【図７】図６の部分拡大図。7 is a partially enlarged view of FIG.
１、７０ セラミックパッケージ １０ セラミック基体 １１、７２ メタライズ層 １２ 第１の金属膜層 ２、７５ 金属フタ ２１ 第２の金属膜層 ３ 水晶振動板（電子素子） 1,70 Ceramic package 10 Ceramic substrate 11,72 Metallized layer 12 First metal film layer 2,75 metal lid 21 Second metal film layer 3 Crystal diaphragm (electronic element)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 靖典 兵庫県加古川市平岡町新在家字鴻野1389 番地 株式会社大真空内 (56)参考文献 特開 平11−312748（ＪＰ，Ａ) 特開2000−106404（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−246415（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/02 H03H 9/02 H03H 9/10 H03H 9/19 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yasunori Miura 1389 Kono, Hiraoka-cho, Kakogawa-shi, Hyogo Pref. Incorporated in Oku Vacuum Co., Ltd. 106404 (JP, A) JP-A-9-246415 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/02 H03H 9/02 H03H 9/10 H03H 9/19
Claims (6)
ライズ層と、 当該メタライズ層の上面に形成された第１の金属膜層
と、 前記第１の金属膜層の少なくとも一部に対応して形成さ
れた第２の金属膜層が形成された金属フタとからなり、
前記第１の金属膜層と第２の金属膜層の少なくとも一方
を電気抵抗熱により溶融させ、気密接合を行う電子部品
用パッケージであって、 前記メタライズ層はタングステンまたはモリブデンから
なり、第１の金属膜層は少なくともニッケル層を含み、
また金属フタは母材がコバールからなり、当該金属フタ
の上面にニッケル層が形成され、さらに当該ニッケル層
の上面に第２の金属膜層としてクラッド化された銀ろう
層が形成され、かつ当該銀ろう層の厚さが１０〜１４μ
ｍであることを 特徴とする電子部品用パッケージ。1. A ceramic substrate, and a metal formed circumferentially around the main surface of the ceramic substrate.
Rise layer and first metal film layer formed on top of the metallized layer
And corresponding to at least a part of the first metal film layer.
And a metal lid having a second metal film layer formed thereon,
At least one of the first metal film layer and the second metal film layer
Electronic parts that perform airtight bonding by melting the electric resistance heat
Package, wherein the metallization layer is made of tungsten or molybdenum
And the first metal film layer includes at least a nickel layer,
The base material of the metal lid is made of Kovar,
A nickel layer is formed on the upper surface of the
Silver braze clad as the second metal film layer on the upper surface of the
A layer is formed, and the thickness of the silver brazing layer is 10 to 14 μm.
An electronic component package characterized by being m .
ライズ層と、 当該メタライズ層の上面に形成された第１の金属膜層
と、 前記第１の金属膜層の少なくとも一部に対応して形成さ
れた第２の金属膜層が形成された金属フタとからなり、
前記第１の金属膜層と第２の金属膜層の少なくとも一方
を電気抵抗熱により溶融させ、気密接合を行う電子部品
用パッケージであって、 前記メタライズ層はタングステンまたはモリブデンから
なり、第１の金属膜層は少なくともニッケル層を含み、
また金属フタは母材がコバールからなり、当該金属フタ
の上面にニッケル層が形成され、さらに当該ニッケル層
の上面に第２の金属膜層としてクラッド化された銀ろう
層が形成されるとともに、前記メタライズ層の厚さは２
５〜３０μｍであり、かつ当該銀ろう層の厚さが１０〜
２０μｍであることを 特徴とする電子部品用パッケー
ジ。2. A ceramic base, and a metal formed circumferentially around the main surface of the ceramic base.
Rise layer and first metal film layer formed on top of the metallized layer
And corresponding to at least a part of the first metal film layer.
And a metal lid having a second metal film layer formed thereon,
At least one of the first metal film layer and the second metal film layer
Electronic parts that perform airtight bonding by melting the electric resistance heat
Package, wherein the metallization layer is made of tungsten or molybdenum
And the first metal film layer includes at least a nickel layer,
The base material of the metal lid is made of Kovar,
A nickel layer is formed on the upper surface of the
Silver braze clad as the second metal film layer on the upper surface of the
Layer is formed and the metallization layer has a thickness of 2
5 to 30 μm, and the thickness of the silver brazing layer is 10 to 10 μm.
A package for electronic parts characterized by having a thickness of 20 μm .
ライズ層と、 当該メタライズ層の上面に形成された第１の金属膜層
と、 前記第１の金属膜層の少なくとも一部に対応して形成さ
れた第２の金属膜層が形成された金属フタとからなり、 第１の金属膜層と第２の金属膜層がニッケルで構成され
ており、両金属膜層を電気抵抗熱により溶融させ、気密
接合を行ったことを 特徴とする電子部品用パッケージ。3. A ceramic base, and a metal formed circumferentially around the main surface of the ceramic base.
Rise layer and first metal film layer formed on top of the metallized layer
And corresponding to at least a part of the first metal film layer.
And a metal lid having a second metal film layer formed thereon, and the first metal film layer and the second metal film layer are made of nickel.
And both metal film layers are melted by electric resistance heat and airtight
A package for electronic parts characterized by being joined .
堤部を有するセラミック基体と、前記凹部を気密的に封
止する金属フタとを具備し、 前記セラミック基体の堤部上面には、全面にメタライズ
層を形成するとともに、当該メタライズ層の上面に第１
の金属膜層を形成し、また前記金属フタには前記第１の金属膜層に少なくとも
対応する第２の金属膜層を形成した請求項１乃至請求項
３のいずれかに記載の電子部品用パッケージ。 4. A concave portion for accommodating an electronic element, which has an outer periphery.
The ceramic base having a bank and the recess are hermetically sealed.
And a metal lid for stopping , and a metallization layer is formed on the entire upper surface of the bank of the ceramic base, and a first metallization layer is formed on the upper surface of the metallization layer.
A metal film layer is formed on the metal lid, and at least the first metal film layer is formed on the metal lid.
Claims 1 thru | or Claim which formed the corresponding 2nd metal film layer.
3. The electronic component package according to any one of 3 above.
たことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに
記載の電子部品用パッケージ。5. The melting of the metal film layer is performed by seam welding.
In any one of Claim 1 thru | or 4 characterized by the above.
Package for electronic components described .
の電子部品用パッケージ内部に、圧電振動素子または圧
電振動素子と必要な回路素子を収納した圧電振動デバイ
ス。6. The method according to any one of claims 1 to 5.
Inside the electronic component package of the
A piezoelectric vibrating device that contains an electro-vibration element and necessary circuit elements .
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