JP3448737B2 - ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャック - Google Patents
ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャックInfo
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Description
に関し、特に、その冷却板に関する。
ハー(シリコンウエハー)上に半導体素子(IC等)を
製造した後、その半導体素子が、正常に動作するかどう
かを調べるために、電気的試験が行なわれる。
ウエハー(吸着)チャックと呼ばれる保持器に保持さ
せ、半導体素子が置かれることになるであろう使用環境
を模擬した状態(動作環境温度)を作り出して行なわれ
る。このような試験は、以前は、高温(室温から150
℃程度まで)で行なわれることが多かったが、最近で
は、低温(−10℃〜−50℃)で行なわれることも多
くなってきている。
きる、従来のウエハーチャックの分解斜視図を図6に示
す。また、そのようなウエハーチャックの断面構造図を
図7に示す。
クは、半導体ウエハー61を吸着保持するための吸着板
62と、吸着板62を介して半導体ウエハー61を加熱
する電気ヒーター63と、電気ヒーター63及び吸着板
62を介して半導体ウエハー61を冷却する冷却板64
を有している。
アルミニウム製円盤であって、その上面には、同心円状
の複数の溝65が形成されている。また、その内部に
は、図7に示すように、少なくとも1つの真空排気通路
71が形成されている。そして、この真空排気通路71
は、溝65の各々に連通している。この吸着板62の上
に半導体ウエハー61を載置し、真空排気通路71に続
く真空引き口66に接続された図示しない排気ポンプを
駆動して真空排気通路71内を排気すると、半導体ウエ
ハー61によってその上面を塞がれた溝65内の空気等
も排気され、その結果、半導体ウエハー61は、吸着板
62によって吸引保持される。なお、この吸着板62に
よる吸引は、例えば、−0.05MPa程度の吸引力
(圧力)で行なわれる。
い円盤状のヒーターであって、そのリード線67に電流
を流すことによって発熱し、吸着板62を加熱する。半
導体ウエハー61は薄く、熱容量が小さいので、その温
度は、吸着板62の温度が変化すると、直ちに吸着板6
2の温度にほぼ等しくなる。この電気ヒーター63は、
高温で試験を行なう場合に使用されるだけでなく、低温
で試験を行なう場合にもその温度を調節するために使用
される。
熱媒体液(冷却液)を流すための流路72(例えば、幅
5mm程度の溝あるいは直径5mm程度のきり穴)が形
成されており、図示ない冷凍機により冷却された熱媒体
液(例えば、アウジモント社製のガルデンや、3M社製
のフロリナート等)を流すことにより、ヒーター63を
介して吸着板62を冷却する。上述のように、半導体ウ
エハー61は、熱容量が小さいので、吸着板62の温度
が低下すると、その温度は、直ちに吸着板62とほぼ同
じ温度にまで下がる。この冷却板64は、低温で試験を
行なう場合に使用されるだけでなく、半導体素子を動作
させたときに大きな発熱があるような場合に、半導体素
子の過熱を防ぐ目的にも使用される。なお、図7では、
冷却板64の流路72が図の左側から右側に向かって真
っ直ぐに設けられているように描いているが、これは実
際のもの(及び図6のもの)とは異なる。実際には、冷
却板64の流路72は、例えば、図8乃至10に示すよ
うに、星型や、2重渦巻状、或いは蛇行状に形成され
る。
2と冷却板64とを別体で備えているが、吸着板62内
部に熱媒体液を流すための流路を設け、吸着板62に冷
却板としての機能を備えさせたものある。
ク用冷却板は、1本(多くても数本)の流路に熱媒体液
を流すように構成されているため、伝熱面積が小さく、
熱媒体液から冷却板への熱伝達率も小さいという問題点
がある。
くなり、その流れが層流になる。このとき、熱媒体液か
ら冷却板への熱伝達率は、流路の直径(等価直径:溝の
幅と深さにより決まる)に反比例する。つまり、流路の
直径が大きい程、熱伝達率は小さくなる。また、流路の
直径が大きいと流路の全長を長くすることができないの
で、結果的に伝熱面積が小さくなる。従って、熱媒体液
の流量が一定であるとの前提で、より大きな熱伝達率を
達成するためには、流路の直径を小さくして熱媒体液の
流速を高め、熱媒体液から流路壁までの熱伝達距離を小
さくするとともに、流路の全長を長くして、伝熱面積を
大きくする必要がある。しかしながら、流路の直径を小
さくし、その全長を長くすると、熱媒体液の流量を一定
にするために、非常に大きな圧力を熱媒体液に加えなけ
ればならず(つまり、圧力損失が大きい)、耐圧の問題
等、別の問題が生じる。
は、その表面(電気ヒーターに接する面)の温度分布が
均一にならないという問題点もある。
の間の熱伝達率も大きく、その表面の温度分布を均一に
できるウエハーチャック用冷却板を提供することを目的
とする。
側から外周側にかけて放射状に形成された複数の流路を
それぞれ備えた2つの伝熱板を互いに重ね合わせるとと
もに、一方の伝熱板の前記複数の流路と他方の伝熱板の
前記複数の流路とを前記中央部側または前記外周側で互
いに連通させ、前記一方の伝熱板の前記複数の流路と前
記他方の伝熱板の前記複数の流路とを前記中央部側で互
いに連通させたときは、前記一方の伝熱板の前記複数の
流路を前記外周側から前記中央部側へと流れた前記熱媒
体液が前記他方の伝熱板の前記複数の流路を前記中央部
側から前記外周側へと連続的に流れるようにし、前記一
方の伝熱板の前記複数の流路と前記他方の伝熱板の前記
複数の流路とを前記外周側で互いに連通させたときは、
前記一方の伝熱板の前記複数の流路を前記中央部側から
前記外周側へと流れた熱媒体液が前記他方の伝熱板の前
記複数の流路を前記外周側から前記中央部側へと連続的
に流れるようにしたことを特徴とするウエハーチャック
用冷却板が得られる。
に形成された複数の流路の各々よりも大きな断面積を持
つよう当該伝熱板の外周側に周方向に沿って形成された
外周流路を有している。
アルミニウム、またはアルミ合金のうちの何れかからな
る単数または複数の部材によって構成されている。
械的強度が強い、例えばステンレス製のケースに収めら
れている。
施の形態について説明する。
ウエハーチャック用冷却板の分解斜視図を示す。この冷
却板10は、ケースを構成する下板11、側壁板12、
及び上板13と、このケース内に上下に重ねて収容さ
れ、熱媒体液(冷却液)との熱交換を行なう、ほぼ同一
構造の2つの伝熱板14,15を有している。
金属製で、各々2mm程度の厚みを有している。また、
側壁板12の外周面には、ケース内に熱媒体液を導入
し、また排出するための、熱媒体液出入口16が取り付
けられている。これら下板11、側壁板12、及び上板
13は、銅製でもよいが、それより機械的強度が強い
(熱に強い)ステンレスや、チタン等の方が望ましい。
料、例えば銅、銅合金、アルミニウム、あるいはアルミ
ニウム合金等からなる板状部材14a、多数の略扇形の
扇形部材14b、及び円柱部材14cを有している。詳
述すると、伝熱板14は、厚さ2mm程度の薄い金属円
板である板状部材14aの上面に、同じく厚さ2mm程
度の多数の扇形部材14bを、互いに僅な距離(0.5
〜1mm程度)を置いて円環状に並べ、そこにろう付け
または接着してある。ここで、扇形部材14bが形成す
る円環の外径は、板状部材14aの直径を200mmよ
り若干大きいものとすると(8インチ半導体ウエハーに
対応するものとすると)、それより24mm程度小さ
い。また、板状部材14aの中央部には、扇形部材14
bが形成する円環の内径が28mm程度であるとして、
厚み6mm程度、外径18mm程度の円柱部材14c
が、ろう付けまたは接着されている。
あるが、その中央に内径28mm程度の円孔を有し、円
柱部材を持たない点で異なっている。詳述すると、伝熱
板15は、厚さ2mm程度のドーナツ盤状の板状部材1
5aの上面に、伝熱板14と同様、厚さ2mm程度の多
数の扇形部材15bを、互いに僅な距離(0.5〜1m
m程度)を置いて円環状となるように並べ、そこにろう
付けまたは接着してある。
の厚みがある金属円盤を削るなどしても作製可能であ
る。
るように互いに重ねられ、ろう付けあるいは接着され、
上板11、側壁板12、及び上板13からなるケース内
に収容され、おきろう(金ろう)にて固定される。
した状態(上板13を外した状態)を示す。図2に示す
ように、伝熱板15の扇形部材15bが形成する円環の
外周面と側壁板12の内周面との間には、比較的幅の広
いリング状の空間が形成される。この空間は、熱媒体液
が流れる(排出側)外周流路21となる。また、隣り合
う扇形部材15bの間に形成される幅0.5〜1mmの
空間は、放射状流路22となる。さらに、扇形部材15
bが形成する円環の内周面と円柱部材14cとの間に形
成される空間は、上下連絡流路23となる。なお、伝熱
板14に関しても、伝熱板15と重ねられてケース内に
収容されることで、(供給側)外周流路、放射状流路、
及び上下連絡流路(伝熱板15側の上下連絡流路23と
一体)が形成される。
エハーチャックの断面図を示す。なお、ここでは、冷却
板10が単一部材からなるように描かれており、また、
2つの熱媒体液出入口16が上下に並んで配置されてい
るように描かれている点で、図1及び図2のものとは異
なっている。
用いた点以外は、従来のウエハーチャック(図6及び7
参照)と同じである。即ち、上面に複数の同心円状溝6
5が形成され、これらの溝65に連通する真空排気通路
71が形成された、半導体ウエハー61を吸着保持する
ための吸着板62と、吸着板62の下面側に密着するよ
う取り付けられた電気ヒーター63と、電気ヒーター6
3の下面側に密着するよう取り付けられた冷却板10と
を備えている。
て、図3に加え、図1及び図2をも参照して説明する。
に流入した熱媒体液は、下側の伝熱板14の(供給側)
外周流路31に流れ込む。低温の熱媒体液は粘度が大き
いので、幅の狭い放射状流路32に流れ込むよりも、比
較的幅の広い供給側外周流路31内を流れ易い。従っ
て、冷却板10に流入した熱媒体液は、まず伝熱板14
の供給側外周流路31内を満たし、その後、全ての放射
状流路32へと均等に流れ込む。放射状流路32に流れ
込んだ熱媒体液は、伝熱板14の中心部へと向かい、上
下連絡流路23へと流れ込む。さらに、熱媒体液は、上
下連絡流路23から、上側の伝熱板15の放射状流路2
2へと流れ込み、外周側へと流れ、排出側外周流路21
へと流れ込む。排出側外周流路21へと流れ込んだ熱媒
体液は、図2に矢印で示すように、他方の熱媒体液出入
口16へと向かい、そこから排出される。
10では、多数の幅の狭い(等価直径の小さい)放射状
流路22,32を、熱媒体液が流れるようにしたので、
熱伝達率の向上、伝熱面積の向上、及び圧力損失の低下
を実現できる。例えば、放射状流路22,23の各々の
幅を1mmとすると、従来の5mm幅のもの(図8、図
9、または図10のもの)に比べ5倍程度の熱伝達率を
実現でき、また、伝熱面積も5倍程度を実現できる。そ
の結果、熱伝達能力は従来に比べ25倍に改善できる。
しかも、各放射状流路の長さが短いので、圧力損失は小
さい。
4,15を上下に重ね、これらの伝熱板14,15(特
に、その放射状流路22,32)に流れる熱媒体液の流
動方向を互いに逆方向としたことで、冷却板10表面温
度をその中心部側と外周側とでほぼ等しくすることがで
きる。
ついて1本の放射状流路に着目し、そこを流れる熱媒体
液の温度及び冷却板10表面の温度と、冷却板10の中
心からの距離との関係を示す。図4に示すように、熱媒
体液は、供給側外周流路31で最も温度が低く、この供
給側外周流路31から上下連絡流路23へ向かって、放
射状流路32を流れるに従い、その温度は上昇する。ま
た、熱媒体液は、上下連絡流路23から排出側外周流路
21へ向かって放射状流路22を流れるに従い、その温
度が上昇する。熱媒体液から冷却板10の表面への熱伝
達量は、その温度差が大きいほど大きい(つまり、熱媒
体液の温度が低い方が大きい)が、冷却板10の表面温
度は、熱媒体液が供給側外周流路31から上下連絡流路
23へ向かうときの冷却能力と、上下連絡流路23から
排出側外周流路21へ向かうときの冷却能力との合計に
よって決まるので、図4に示すように半径方向に関して
ほぼ等しくなる。
口16として、入口と出口を1つずつ設けた例について
説明したが、熱媒体液入口及び熱冷媒液出口をそれぞれ
複数設けるようにしてもよい。この場合、複数の入口及
び出口は、ケースの側壁板12に、周方向に沿って均等
に配置することが望ましい。
側の伝熱板14から上側の伝熱板15へと流れるように
したが、上側の伝熱板から下側の伝熱板14へと流れる
ようにしてもよい。
施の形態によるウエハーチャック用冷却板について説明
する。
却板50では、ケースを構成する下板の下面の中央部で
あって、少しばかり偏心した位置に熱媒体液出入口51
が設けられている。これに伴い、この冷却板50では、
図1の冷却板10とは異なる点がいくつかある。
部材が取り付けられておらず、板状部材の中心部には、
熱媒体液出入口51に繋がる2つの開口52が形成され
ている。また、上側の伝熱板の板状部材には、その中心
部に円孔が形成されておらず、熱媒体液出入口51の一
方に連通する連通管53が取り付けられている。この結
果、この冷却板50の中央部には、上下連絡通路23が
存在しない。
に、その外周を扇形部材が形成する円環の外周と一致さ
せてある。この結果、上側の伝熱板の外周流路21と下
側の外周流路31とが連続する空間となり、これが上下
連絡通路となる。
1の一方から上側の伝熱板の中央部に流れ込んだ熱媒体
液は、上側の伝熱板の放射状流路22を外周へ向かって
流れ、外周流路21から下側の伝熱板の外周流路31へ
と流れ込む。下側の伝熱板の外周流路31へと流れ込ん
だ熱媒体液は、下側の伝熱板の放射状流路32へと流れ
込みその中央部へと向かって流れ、他方の熱媒体液出入
口51から排出される。
の伝熱板から下側の伝熱板へと流れる場合について説明
したが、下側の伝熱板から上側の伝熱板へと流れるよう
にしてもよい。
態と同様、熱伝達率の向上、伝熱面積の向上、及び圧力
損失の低下を実現できる。また、冷却板の表面温度をそ
の中心側と外周側とでほぼ等しくすることができる。
多数の放射状流路を流れるようにしたことで、熱伝達率
の向上、伝熱面積の向上、及び圧力損失の低下を実現す
ることができる。
下に重ねて熱媒体液が流れる方向を互いに逆方向とした
ことで、冷却板の表面温度をその中心側と外周側とでほ
ぼ等しくすることができる。
ック用冷却板の分解斜視図である。
た状態で上から見た図である。
構成図である。
却板表面の温度と、冷却板の中心からの距離との関係を
示すグラフである。
ックの断面構造図である。
解斜視図である。
流路形状の一例を示す断面図である。
流路形状の他の例を示す断面図である。
の流路形状のさらに別の一例を示す断面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 中央部側から外周側にかけて放射状に形
成された複数の流路をそれぞれ備えた2つの伝熱板を互
いに重ね合わせるとともに、一方の伝熱板の前記複数の
流路と他方の伝熱板の前記複数の流路とを前記中央部側
または前記外周側で互いに連通させ、前記一方の伝熱板
の前記複数の流路と前記他方の伝熱板の前記複数の流路
とを前記中央部側で互いに連通させたときは、前記一方
の伝熱板の前記複数の流路を前記外周側から前記中央部
側へと流れた前記熱媒体液が前記他方の伝熱板の前記複
数の流路を前記中央部側から前記外周側へと連続的に流
れるようにし、前記一方の伝熱板の前記複数の流路と前
記他方の伝熱板の前記複数の流路とを前記外周側で互い
に連通させたときは、前記一方の伝熱板の前記複数の流
路を前記中央部側から前記外周側へと流れた熱媒体液が
前記他方の伝熱板の前記複数の流路を前記外周側から前
記中央部側へと連続的に流れるようにしたことを特徴と
するウエハーチャック用冷却板。 - 【請求項2】 前記2つの伝熱板が、それぞれ、前記放
射状に形成された複数の流路の各々よりも大きな断面積
を持つよう当該伝熱板の外周側に周方向に沿って形成さ
れた外周流路を有していることを特徴とする請求項1の
ウエハーチャック用冷却板。 - 【請求項3】 前記2つの伝熱板が、銅、銅合金、アル
ミニウム、またはアルミ合金のうちの何れかからなる単
数または複数の部材によって構成されていることを特徴
とする請求項1または2のウエハーチャック用冷却板。 - 【請求項4】 前記2つの伝熱板が、銅より機械的強度
が強い金属製のケースに収められていることを特徴とす
る請求項1,2、または3のウエハーチャック用冷却
板。 - 【請求項5】 請求項1,2,3、または4のウエハー
チャック用冷却板を備えたことを特徴とするウエハーチ
ャック。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000154533A JP3448737B2 (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャック |
US09/795,494 US6499533B2 (en) | 2000-05-25 | 2001-03-01 | Cooling disk unit for use in a wafer chucking device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000154533A JP3448737B2 (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャック |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001332608A JP2001332608A (ja) | 2001-11-30 |
JP3448737B2 true JP3448737B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=18659611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000154533A Expired - Fee Related JP3448737B2 (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャック |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6499533B2 (ja) |
JP (1) | JP3448737B2 (ja) |
Families Citing this family (453)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003152376A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-23 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
DE10201334A1 (de) * | 2002-01-16 | 2003-08-14 | Rofin Sinar Laser Gmbh | Spiegel für einen Laserstrahl |
JP3979143B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2007-09-19 | 株式会社日立製作所 | 情報処理装置の冷却装置 |
US20060105182A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant textured chamber surface |
US7221553B2 (en) * | 2003-04-22 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Substrate support having heat transfer system |
US7993460B2 (en) | 2003-06-30 | 2011-08-09 | Lam Research Corporation | Substrate support having dynamic temperature control |
DK176137B1 (da) * | 2003-10-27 | 2006-09-25 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Flowfordelingsenhed og köleenhed med bypassflow |
US6988543B2 (en) * | 2004-03-22 | 2006-01-24 | Intel Corporation | Annular cold plate with reflexive channels |
US20050225938A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Richard Montgomery | Cold plate |
US20060023395A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for temperature control of semiconductor wafers |
CA2589959C (en) * | 2004-12-14 | 2010-05-04 | Comverge Inc. | Hvac communication system |
JP2006222214A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
DE102005017452B4 (de) * | 2005-04-15 | 2008-01-31 | INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH | Mikroverdampfer |
US20060242967A1 (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Termoelectric heating and cooling apparatus for semiconductor processing |
TWI262761B (en) * | 2005-05-27 | 2006-09-21 | Foxconn Tech Co Ltd | Liquid cooling apparatus |
KR100676203B1 (ko) * | 2005-06-21 | 2007-01-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 설비용 정전 척의 냉각 장치 |
WO2007030471A2 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-15 | Comverge, Inc. | Method and system for local load control |
WO2007030470A2 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-15 | Comverge, Inc. | Local power consumption load control |
US7593096B2 (en) * | 2006-05-15 | 2009-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100841340B1 (ko) * | 2007-01-26 | 2008-06-26 | 세메스 주식회사 | 기판 베이크 장치 |
US7649729B2 (en) * | 2007-10-12 | 2010-01-19 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck assembly |
JP2011508436A (ja) * | 2007-12-21 | 2011-03-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の温度を制御するための方法及び装置 |
US20090216382A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Howard Ng | Direct Load Control System and Method with Comfort Temperature Setting |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
JP4811881B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2011-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板熱処理装置 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
JP2011151344A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-08-04 | Showa Denko Kk | Cvd装置用ウェハトレイ、cvd装置用加熱ユニット及びcvd装置。 |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9267739B2 (en) * | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US9353441B2 (en) * | 2012-10-05 | 2016-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Heating/cooling pedestal for semiconductor-processing apparatus |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
WO2014116392A1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with concentric cooling base |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
WO2015090753A1 (en) | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Asml Netherlands B.V. | System for positioning an object in lithography |
US9847240B2 (en) * | 2014-02-12 | 2017-12-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Constant mass flow multi-level coolant path electrostatic chuck |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
KR102019573B1 (ko) * | 2014-10-30 | 2019-09-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 적재대 |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US20160314997A1 (en) * | 2015-04-22 | 2016-10-27 | Applied Materials, Inc. | Loadlock apparatus, cooling plate assembly, and electronic device processing systems and methods |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
FR3047549B1 (fr) * | 2016-02-09 | 2019-05-10 | Sermeta | Deflecteur pour echangeur de chaleur a condensation et echangeur muni d'un tel deflecteur |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10780447B2 (en) * | 2016-04-26 | 2020-09-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20190077117A (ko) | 2016-11-21 | 2019-07-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 효율적인 가스 분배 조립체 냉각을 위한 동심형 또는 나선형 채널을 갖는 2구역 유동 냉각 플레이트 설계 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
JP6982394B2 (ja) * | 2017-02-02 | 2021-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 被加工物の処理装置、及び載置台 |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
JP6832804B2 (ja) * | 2017-07-20 | 2021-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及び基板検査装置 |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10424487B2 (en) | 2017-10-24 | 2019-09-24 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer etching processes |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
CN111593319B (zh) | 2019-02-20 | 2023-05-30 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
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US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
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CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
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US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
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US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
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USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
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US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
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CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
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CN112917108B (zh) * | 2021-03-15 | 2022-05-27 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种冷却盘体及其加工方法和用途 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN116978825B (zh) * | 2023-07-31 | 2024-03-22 | 宇弘研科技(苏州)有限公司 | 一种半导体复合冷却盘结构及半导体轨道 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH486651A (de) * | 1969-02-25 | 1970-02-28 | Fischer Ag Georg | Keilriemen-Drehzahlwandler |
US3923383A (en) * | 1974-06-12 | 1975-12-02 | Caterpillar Tractor Co | Fluid-cooled laser mirror |
US4006972A (en) * | 1975-05-12 | 1977-02-08 | United Technologies Corporation | Laser mirror coolant pressure balance means |
CA1084424A (en) * | 1977-11-01 | 1980-08-26 | Peter S. Winckler | Retarder |
US4535840A (en) * | 1979-10-01 | 1985-08-20 | Rockwell International Corporation | Internally manifolded unibody plate for a plate/fin-type heat exchanger |
US4489570A (en) * | 1982-12-01 | 1984-12-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Fast cooldown miniature refrigerators |
US4628991A (en) * | 1984-11-26 | 1986-12-16 | Trilogy Computer Development Partners, Ltd. | Wafer scale integrated circuit testing chuck |
US5365400A (en) * | 1988-09-09 | 1994-11-15 | Hitachi, Ltd. | Heat sinks and semiconductor cooling device using the heat sinks |
US5005640A (en) * | 1989-06-05 | 1991-04-09 | Mcdonnell Douglas Corporation | Isothermal multi-passage cooler |
FR2701554B1 (fr) * | 1993-02-12 | 1995-05-12 | Transcal | Echangeur de chaleur pour composants électroniques et appareillages électro-techniques. |
-
2000
- 2000-05-25 JP JP2000154533A patent/JP3448737B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-01 US US09/795,494 patent/US6499533B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001332608A (ja) | 2001-11-30 |
US20010045269A1 (en) | 2001-11-29 |
US6499533B2 (en) | 2002-12-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030611 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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