JPH0831755A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH0831755A JPH0831755A JP18067094A JP18067094A JPH0831755A JP H0831755 A JPH0831755 A JP H0831755A JP 18067094 A JP18067094 A JP 18067094A JP 18067094 A JP18067094 A JP 18067094A JP H0831755 A JPH0831755 A JP H0831755A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理容器内の上部電極や載置台の冷却効率を
向上させる。 【構成】 被処理体を載置する載置台内に形成された冷
媒流路5の内部に、山部と谷部とを交互に連続して有す
る、側面が略波型の放熱体を、複数組み合わされて構成
された熱伝達部材21を収納する。冷媒との接触面積が
増大して熱交換が促進され、冷媒による載置台の冷却効
率が向上する。
向上させる。 【構成】 被処理体を載置する載置台内に形成された冷
媒流路5の内部に、山部と谷部とを交互に連続して有す
る、側面が略波型の放熱体を、複数組み合わされて構成
された熱伝達部材21を収納する。冷媒との接触面積が
増大して熱交換が促進され、冷媒による載置台の冷却効
率が向上する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置に関するもの
である。
である。
【0002】
【従来の技術】従来から例えば半導体製造プロセスにお
いては、半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)など
の表面処理、例えばエッチングやアッシング、スパッタ
リング、CVDを行うために、プラズマを利用した処理
装置が多く使用されている。
いては、半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)など
の表面処理、例えばエッチングやアッシング、スパッタ
リング、CVDを行うために、プラズマを利用した処理
装置が多く使用されている。
【0003】そしてこの種の用途に使用される前記処理
装置は、例えば減圧自在な処理室容器内の上下に、上部
電極と下部電極とを対向して平行に設けており、被処理
体であるウエハは、例えば載置台を兼ねた下部電極上に
載置され、例えばエッチング処理の場合には、この処理
室内にエッチングガスを導入すると共に、高周波電力を
前記上部電極又は/及び下部電極に印加してこれら電極
間にプラズマを発生させ、エッチングガスの解離によっ
て生じたラジカル成分によって、前記ウエハをエッチン
グするように構成されている。
装置は、例えば減圧自在な処理室容器内の上下に、上部
電極と下部電極とを対向して平行に設けており、被処理
体であるウエハは、例えば載置台を兼ねた下部電極上に
載置され、例えばエッチング処理の場合には、この処理
室内にエッチングガスを導入すると共に、高周波電力を
前記上部電極又は/及び下部電極に印加してこれら電極
間にプラズマを発生させ、エッチングガスの解離によっ
て生じたラジカル成分によって、前記ウエハをエッチン
グするように構成されている。
【0004】そして例えば前記上部電極には、前記エッ
チングガスをウエハに対して均一に吐出するためのバッ
フル板と呼ばれる多孔構造のガス拡散体が、例えば周縁
部の支持棒などによって支持されている場合がある。
チングガスをウエハに対して均一に吐出するためのバッ
フル板と呼ばれる多孔構造のガス拡散体が、例えば周縁
部の支持棒などによって支持されている場合がある。
【0005】他方前記下部電極の内部には、略環状の冷
媒流路が形成されており、エチレングリコールなどの冷
媒をこの流路内に流通させることによって、前記ウエハ
の温度調節を行うように構成されている。そして従来、
この冷媒と下部電極との熱交換を高めるため、前記流路
内には、切削加工よって創出した垂直方向の複数の板状
のフィンが設けられていた。
媒流路が形成されており、エチレングリコールなどの冷
媒をこの流路内に流通させることによって、前記ウエハ
の温度調節を行うように構成されている。そして従来、
この冷媒と下部電極との熱交換を高めるため、前記流路
内には、切削加工よって創出した垂直方向の複数の板状
のフィンが設けられていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらまず、前
記の上部電極に関していうと、この上部電極における下
部電極との対向面(下面)は、プラズマ発生に伴って極
めて高温になるので、所期の処理を実施するためには、
上部電極の下面を冷却するなどしてその温度を調節する
必要がある。この場合、例えば通常は、前記したバッフ
ル板の上方に、冷媒の流路を形成し、上部電極の熱をこ
の冷媒の流路にまで伝導させることにより、上部電極の
温度調節を行っている。
記の上部電極に関していうと、この上部電極における下
部電極との対向面(下面)は、プラズマ発生に伴って極
めて高温になるので、所期の処理を実施するためには、
上部電極の下面を冷却するなどしてその温度を調節する
必要がある。この場合、例えば通常は、前記したバッフ
ル板の上方に、冷媒の流路を形成し、上部電極の熱をこ
の冷媒の流路にまで伝導させることにより、上部電極の
温度調節を行っている。
【0007】ところが前記したように、ガス拡散体自体
は多孔構造であるため、実際には、上部電極下面の熱の
殆どは、その周縁部にある支持棒のみを熱伝達経路とし
て伝導されている。それゆえ、熱伝導効率が悪く問題で
あった。
は多孔構造であるため、実際には、上部電極下面の熱の
殆どは、その周縁部にある支持棒のみを熱伝達経路とし
て伝導されている。それゆえ、熱伝導効率が悪く問題で
あった。
【0008】他方、前記の載置台の方に関していえば、
冷媒との熱交換を担っているフィンは、垂直方向に形成
された板状のフィンであるため、冷媒との熱交換、即ち
冷媒中への放熱に、限界があった。この点、板状のフィ
ン自体を薄くして設置枚数を増加させれば、冷媒との接
触面積が増大して熱伝達効率を向上させることができる
が、削り出し加工では薄くするのに限界があり、またた
とえ実現したとしても、強度等の点で難があった。従っ
て、他の手段による熱伝達効率の向上が望まれていた。
冷媒との熱交換を担っているフィンは、垂直方向に形成
された板状のフィンであるため、冷媒との熱交換、即ち
冷媒中への放熱に、限界があった。この点、板状のフィ
ン自体を薄くして設置枚数を増加させれば、冷媒との接
触面積が増大して熱伝達効率を向上させることができる
が、削り出し加工では薄くするのに限界があり、またた
とえ実現したとしても、強度等の点で難があった。従っ
て、他の手段による熱伝達効率の向上が望まれていた。
【0009】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、上部電極や載置台における前記の問題点を解決し
て熱伝達効率を向上させることを目的とするものであ
る。
あり、上部電極や載置台における前記の問題点を解決し
て熱伝達効率を向上させることを目的とするものであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項1によれば、減圧自在な処理容器内の上下に
上部電極と下部電極を対向して有し、処理ガス導入部か
ら導入される処理ガスを前記上部電極を介して前記被処
理体に対して吐出させると共に、前記上部電極と下部電
極との間にプラズマを発生させ、当該処理容器内の被処
理体に対して前記プラズマ雰囲気の下で所定の処理を施
す如く構成された処理装置において、前記上部電極の内
部に、放熱フィンを略格子状に配した構造を有する熱伝
達部材が設けられると共に、この熱伝達部材には例えば
上下方向にガス流通孔が設けられ、前記処理ガスはこの
ガス流通孔を通じて被処理体に対して吐出するように構
成されたことを特徴とする、処理装置が提供される。
め、請求項1によれば、減圧自在な処理容器内の上下に
上部電極と下部電極を対向して有し、処理ガス導入部か
ら導入される処理ガスを前記上部電極を介して前記被処
理体に対して吐出させると共に、前記上部電極と下部電
極との間にプラズマを発生させ、当該処理容器内の被処
理体に対して前記プラズマ雰囲気の下で所定の処理を施
す如く構成された処理装置において、前記上部電極の内
部に、放熱フィンを略格子状に配した構造を有する熱伝
達部材が設けられると共に、この熱伝達部材には例えば
上下方向にガス流通孔が設けられ、前記処理ガスはこの
ガス流通孔を通じて被処理体に対して吐出するように構
成されたことを特徴とする、処理装置が提供される。
【0011】また請求項2によれば、減圧自在な処理容
器と、この処理容器内に納入された被処理体に対向して
この処理容器内上部に設けられたガス拡散体とを有し、
処理ガス導入部から導入される処理ガスを前記ガス拡散
体を介して前記被処理体に対して吐出させ、前記被処理
体に対して所定の処理を施すように構成された処理装置
において、放熱フィンを略格子状に配した構造を有する
熱伝達部材によって前記ガス拡散体が構成されると共
に、この熱伝達部材にはガス流通孔が設けられ、前記処
理ガスはこのガス流通孔を通じて前記被処理体に対して
吐出するように構成されたことを特徴とする、処理装置
が提供される。
器と、この処理容器内に納入された被処理体に対向して
この処理容器内上部に設けられたガス拡散体とを有し、
処理ガス導入部から導入される処理ガスを前記ガス拡散
体を介して前記被処理体に対して吐出させ、前記被処理
体に対して所定の処理を施すように構成された処理装置
において、放熱フィンを略格子状に配した構造を有する
熱伝達部材によって前記ガス拡散体が構成されると共
に、この熱伝達部材にはガス流通孔が設けられ、前記処
理ガスはこのガス流通孔を通じて前記被処理体に対して
吐出するように構成されたことを特徴とする、処理装置
が提供される。
【0012】前記の各処理装置における熱伝達部材とし
ては、例えば請求項3に記載したように、ハニカム構造
の放熱体によって構成したり、請求項4に記載したよう
に、略筒状の放熱体を水平並びに上下方向に適宜接合し
て積層構造にしたり、あるいは請求項5に記載したよう
に、山部と谷部とを交互に連続して有する側面が略波型
の放熱体を、複数組み合わせて用いてもよい。この請求
項5における複数組み合わせた使用には、例えば従来の
バッフル板、拡散板を併用して、交互に積層させた使用
も含むものである。
ては、例えば請求項3に記載したように、ハニカム構造
の放熱体によって構成したり、請求項4に記載したよう
に、略筒状の放熱体を水平並びに上下方向に適宜接合し
て積層構造にしたり、あるいは請求項5に記載したよう
に、山部と谷部とを交互に連続して有する側面が略波型
の放熱体を、複数組み合わせて用いてもよい。この請求
項5における複数組み合わせた使用には、例えば従来の
バッフル板、拡散板を併用して、交互に積層させた使用
も含むものである。
【0013】また請求項6に記載したように、その山部
と谷部とを突き合わせるようにして接合積層して構成し
てもよい。なお以下の各処理装置においても同様である
が、接合積層させる場合、溶接、接着等適宜の接合手段
が放熱体の材質に応じて選択されるが、ろう付けによる
接合が、加工容易で放熱体自体の形態に影響を与えず、
本発明に適している。
と谷部とを突き合わせるようにして接合積層して構成し
てもよい。なお以下の各処理装置においても同様である
が、接合積層させる場合、溶接、接着等適宜の接合手段
が放熱体の材質に応じて選択されるが、ろう付けによる
接合が、加工容易で放熱体自体の形態に影響を与えず、
本発明に適している。
【0014】略波型の放熱体を用いる場合、請求項7の
ように、山部と谷部が交互に連続する方向と平行に所定
の間隔で区画され、区画された部分の山部は、隣接する
他の区画における山部と前記連続方向にずれている放熱
体を使用してもよく、また請求項8のように、山部の頂
部と谷部の底部を平坦に成形した放熱体を用いることが
好ましい。
ように、山部と谷部が交互に連続する方向と平行に所定
の間隔で区画され、区画された部分の山部は、隣接する
他の区画における山部と前記連続方向にずれている放熱
体を使用してもよく、また請求項8のように、山部の頂
部と谷部の底部を平坦に成形した放熱体を用いることが
好ましい。
【0015】また以上のように構成される処理装置にお
ける各熱伝達部材は、請求項9に記載したように、熱伝
達部材構成ブロックを組み合わせて構成してもよく、そ
の場合、請求項10のように、熱伝達部材の外形が厚み
のある円板形状の場合には、熱伝達部材構成ブロック
は、この熱伝達部材を放射状に等分分割した形態とする
ことが提案できる。
ける各熱伝達部材は、請求項9に記載したように、熱伝
達部材構成ブロックを組み合わせて構成してもよく、そ
の場合、請求項10のように、熱伝達部材の外形が厚み
のある円板形状の場合には、熱伝達部材構成ブロック
は、この熱伝達部材を放射状に等分分割した形態とする
ことが提案できる。
【0016】そして以上のように構成される各処理装置
において、請求項11に記載したように、そのガス流通
孔の径を、熱伝達部材の下層にいくほど、その数が多く
してかつ径が小さくなるようにしてもよい。
において、請求項11に記載したように、そのガス流通
孔の径を、熱伝達部材の下層にいくほど、その数が多く
してかつ径が小さくなるようにしてもよい。
【0017】一方請求項12によれば、減圧自在な処理
容器内の下部に、被処理体を載置する載置台を有し、こ
の載置台内には、前記被処理体の温度を調整するための
冷媒の流路が設けられた処理装置において、前記冷媒の
流路内に、冷媒の流通を可能としつつ放熱フィンを略格
子状に配した構造を有する熱伝達部材が設けられたこと
を特徴とする、処理装置が提供される。
容器内の下部に、被処理体を載置する載置台を有し、こ
の載置台内には、前記被処理体の温度を調整するための
冷媒の流路が設けられた処理装置において、前記冷媒の
流路内に、冷媒の流通を可能としつつ放熱フィンを略格
子状に配した構造を有する熱伝達部材が設けられたこと
を特徴とする、処理装置が提供される。
【0018】この場合の熱伝達部材を、請求項13に記
載したように、ハニカム構造の放熱体によって構成して
もよく、あるいは請求項14に記載したように、略筒状
の放熱体を、その内部を冷媒の流通が可能としつつ、こ
れら放熱体を接合積層して構成したり、また請求項15
に記載したように、山部と谷部とを交互に連続して有す
る側面が略波型の放熱体を、複数組み合わせて使用して
もよい。その場合、請求項16のように、その山部と谷
部とを突き合わせるようにして接合積層して構成したも
のを用いてもよい。
載したように、ハニカム構造の放熱体によって構成して
もよく、あるいは請求項14に記載したように、略筒状
の放熱体を、その内部を冷媒の流通が可能としつつ、こ
れら放熱体を接合積層して構成したり、また請求項15
に記載したように、山部と谷部とを交互に連続して有す
る側面が略波型の放熱体を、複数組み合わせて使用して
もよい。その場合、請求項16のように、その山部と谷
部とを突き合わせるようにして接合積層して構成したも
のを用いてもよい。
【0019】さらに請求項15、16の処理装置におけ
る放熱体を、請求項17に記載したように、山部と谷部
が交互に連続する方向と平行に所定の間隔で区画し、区
画された部分の山部を、隣接する他の区画における山部
と前記連続方向にずらせて構成してもよい。またこれら
放熱体における山部の頂部と、谷部の底部を、請求項1
8に記載したように、夫々平坦に成形すればなお好まし
い。
る放熱体を、請求項17に記載したように、山部と谷部
が交互に連続する方向と平行に所定の間隔で区画し、区
画された部分の山部を、隣接する他の区画における山部
と前記連続方向にずらせて構成してもよい。またこれら
放熱体における山部の頂部と、谷部の底部を、請求項1
8に記載したように、夫々平坦に成形すればなお好まし
い。
【0020】そして以上のように構成される処理装置に
おいて、請求項19に記載したように、熱伝達部材を分
割した形態の熱伝達部材構成ブロックを組み合わせて、
熱伝達部材を構成するようにしてもよく、また熱伝達部
材の外形が厚みのある略円板形状の場合には、請求項2
0のように、熱伝達部材構成ブロックは、この熱伝達部
材を放射状に等分分割した形態を有するように構成して
もよい。
おいて、請求項19に記載したように、熱伝達部材を分
割した形態の熱伝達部材構成ブロックを組み合わせて、
熱伝達部材を構成するようにしてもよく、また熱伝達部
材の外形が厚みのある略円板形状の場合には、請求項2
0のように、熱伝達部材構成ブロックは、この熱伝達部
材を放射状に等分分割した形態を有するように構成して
もよい。
【0021】
【作用】請求項1の処理装置においては、上部電極の内
部に、放熱フィンを略格子状に配した構造を有する熱伝
達部材が設けられているので、上部電極の下面からの熱
は、この放熱フィンの接合部分を介して伝達される。従
って、前記した従来の支持棒のみを伝達経路とする場合
よりも、熱伝達効率は向上している。また格子状の構造
であるから、強度も大きいものとなっている。なおこの
熱伝達部材にはガス流通孔が設けられ、前記処理ガスは
このガス流通孔を通じて吐出するように構成されている
ので、処理ガスの被処理体への吐出には何ら支障をきた
さない。
部に、放熱フィンを略格子状に配した構造を有する熱伝
達部材が設けられているので、上部電極の下面からの熱
は、この放熱フィンの接合部分を介して伝達される。従
って、前記した従来の支持棒のみを伝達経路とする場合
よりも、熱伝達効率は向上している。また格子状の構造
であるから、強度も大きいものとなっている。なおこの
熱伝達部材にはガス流通孔が設けられ、前記処理ガスは
このガス流通孔を通じて吐出するように構成されている
ので、処理ガスの被処理体への吐出には何ら支障をきた
さない。
【0022】また請求項2の処理装置においては、プラ
ズマの発生を伴わない処理容器のガス拡散体として、熱
伝達部材が構成されており、例えばバッフル板としてこ
の熱伝達部材が機能する。またその作用効果は前記請求
項1の場合と同様であり、熱伝達効率が向上し、強度も
大きいものである。
ズマの発生を伴わない処理容器のガス拡散体として、熱
伝達部材が構成されており、例えばバッフル板としてこ
の熱伝達部材が機能する。またその作用効果は前記請求
項1の場合と同様であり、熱伝達効率が向上し、強度も
大きいものである。
【0023】請求項3の処理装置の場合には、熱伝達部
材としては、例えば請求項3に記載したように、ハニカ
ム構造の放熱体が用いられているので、熱伝達効率が向
上し、強度も極めて大きいものとなっている。請求項
4、5の場合にも、熱伝達経路の断面積が増大している
ので、熱伝達効率が向上し、しかも強度も極めて高いも
のとなっている。
材としては、例えば請求項3に記載したように、ハニカ
ム構造の放熱体が用いられているので、熱伝達効率が向
上し、強度も極めて大きいものとなっている。請求項
4、5の場合にも、熱伝達経路の断面積が増大している
ので、熱伝達効率が向上し、しかも強度も極めて高いも
のとなっている。
【0024】そして請求項6のように、山部と谷部が交
互に連続する方向と平行に所定の間隔で区画され、区画
された部分の山部が、隣接する他の区画における山部と
前記連続方向にずれている場合には、強度がさらに増加
する。また請求項7のように、山部の頂部と谷部の底部
を平坦に成形した場合には、接合部分の面積が増大する
ので、熱伝達効率がさらに向上する。
互に連続する方向と平行に所定の間隔で区画され、区画
された部分の山部が、隣接する他の区画における山部と
前記連続方向にずれている場合には、強度がさらに増加
する。また請求項7のように、山部の頂部と谷部の底部
を平坦に成形した場合には、接合部分の面積が増大する
ので、熱伝達効率がさらに向上する。
【0025】請求項8に記載したように、熱伝達部材構
成ブロックを組み合わせて熱伝達部材を構成した場合に
は、製作が容易であり、大きいものであっても精度よく
製作できる。請求項9のように、外形が厚みのある略円
板形状の形の熱伝達部材を放射状に分割した形態を有す
る熱伝達部材構成ブロックを用いれば、例えば3等分、
4等分、・・・n等分に分割した同形、同大のブロック
をn個用意して、これらを組み合わせることによって平
面円形の熱伝達部材を構成することが可能になる。また
コストも低廉にすることが可能である。
成ブロックを組み合わせて熱伝達部材を構成した場合に
は、製作が容易であり、大きいものであっても精度よく
製作できる。請求項9のように、外形が厚みのある略円
板形状の形の熱伝達部材を放射状に分割した形態を有す
る熱伝達部材構成ブロックを用いれば、例えば3等分、
4等分、・・・n等分に分割した同形、同大のブロック
をn個用意して、これらを組み合わせることによって平
面円形の熱伝達部材を構成することが可能になる。また
コストも低廉にすることが可能である。
【0026】請求項10に記載したように、ガス流通孔
の径を、熱伝達部材の下層にいくほど、その数を多くし
てかつ径が小さくなるようにすれば、被処理体に対して
処理ガスを均等に吐出させることが容易になる。
の径を、熱伝達部材の下層にいくほど、その数を多くし
てかつ径が小さくなるようにすれば、被処理体に対して
処理ガスを均等に吐出させることが容易になる。
【0027】請求項11によれば、載置台内の冷媒の流
路内に、放熱フィンを略格子状に接合積層させた構造を
有する熱伝達部材が設けられているので、冷媒との接触
面積が増加し、載置台と冷媒との熱交換が促進され、そ
の熱伝達効率が向上する。しかも当該熱伝達部材は略格
子状であるから、強度的にも高いものとなっている。請
求項12に記載したように、ハニカム構造の放熱体を用
いた場合や、請求項13に記載した略筒状の放熱体を用
いた場合や、請求項14に記載したように、山部と谷部
とを交互に連続して有する側面が略波型の放熱体を用い
た場合も、同様に熱伝達効率が向上し、しかも強度も高
いものとなっている。
路内に、放熱フィンを略格子状に接合積層させた構造を
有する熱伝達部材が設けられているので、冷媒との接触
面積が増加し、載置台と冷媒との熱交換が促進され、そ
の熱伝達効率が向上する。しかも当該熱伝達部材は略格
子状であるから、強度的にも高いものとなっている。請
求項12に記載したように、ハニカム構造の放熱体を用
いた場合や、請求項13に記載した略筒状の放熱体を用
いた場合や、請求項14に記載したように、山部と谷部
とを交互に連続して有する側面が略波型の放熱体を用い
た場合も、同様に熱伝達効率が向上し、しかも強度も高
いものとなっている。
【0028】請求項15に記載したように、山部と谷部
が交互に連続する方向と平行に所定の間隔で区画し、区
画された部分の山部を、隣接する他の区画における山部
と前記連続方向にずれて構成した場合には、冷媒との接
触面積がさらに増加してより一層熱伝達効率が向上する
と共に、強度自体も向上する。そして請求項16に記載
したように、山部の頂部と谷部の底部を平坦に成形すれ
ば、冷媒との接触面積がなお一層増加するので、熱伝達
効率は極めて高いものとなる。
が交互に連続する方向と平行に所定の間隔で区画し、区
画された部分の山部を、隣接する他の区画における山部
と前記連続方向にずれて構成した場合には、冷媒との接
触面積がさらに増加してより一層熱伝達効率が向上する
と共に、強度自体も向上する。そして請求項16に記載
したように、山部の頂部と谷部の底部を平坦に成形すれ
ば、冷媒との接触面積がなお一層増加するので、熱伝達
効率は極めて高いものとなる。
【0029】請求項17に記載したように、熱伝達部材
を分割した熱伝達部材構成ブロックを組み合わせて、熱
伝達部材を構成するようにした場合には、熱伝達部材の
構成、製作が容易であり、大きいものであっても、精度
よく製作できる。そして請求項18のように、熱伝達部
材構成ブロックが、放射状に分割した形態を有する場合
にはn等分に分割した構成とすることにより、同形、同
大の熱伝達部材構成ブロックをn個用意することによ
り、熱伝達部材を簡単に構成できる。またコストも低廉
にすることが可能である。
を分割した熱伝達部材構成ブロックを組み合わせて、熱
伝達部材を構成するようにした場合には、熱伝達部材の
構成、製作が容易であり、大きいものであっても、精度
よく製作できる。そして請求項18のように、熱伝達部
材構成ブロックが、放射状に分割した形態を有する場合
にはn等分に分割した構成とすることにより、同形、同
大の熱伝達部材構成ブロックをn個用意することによ
り、熱伝達部材を簡単に構成できる。またコストも低廉
にすることが可能である。
【0030】
【実施例】以下添付図面に基づき、実施例を説明する
と、本実施例はエッチング装置として構成されており、
図1に示すように、このエッチング装置1は、例えばア
ルミニウムなどからなる略円筒形状に成形され、かつ接
地された処理容器2を有しており、この処理容器2の底
部にはセラミックなどの絶縁材3を介して、被処理体、
たとえば半導体ウエハWを載置するための、厚みのある
アルミニウムの略円板形状の載置台4が設置されてい
る。
と、本実施例はエッチング装置として構成されており、
図1に示すように、このエッチング装置1は、例えばア
ルミニウムなどからなる略円筒形状に成形され、かつ接
地された処理容器2を有しており、この処理容器2の底
部にはセラミックなどの絶縁材3を介して、被処理体、
たとえば半導体ウエハWを載置するための、厚みのある
アルミニウムの略円板形状の載置台4が設置されてい
る。
【0031】そしてこの載置台4の内部には、冷却手段
となる冷媒流路5や加熱手段6などの温度調節手段が設
けられ、前記半導体ウエハWの処理面を所望の温度に調
整することができるように構成されている。この冷媒流
路5は、略環状に形成され、その中を冷媒が流通するこ
とによって、載置台4を冷却するようになっており、本
実施例においては、処理容器2外部に設置された冷凍機
などの冷却装置7から、例えば−120゜Cの冷媒、例
えばCF4(フロンガスR−14)が、直接ポンプ8に
よって供給管9を通じて供給されて、この冷媒流路5内
を流通し、排出管10から再び冷却装置7へと戻され
て、循環するように構成されている。
となる冷媒流路5や加熱手段6などの温度調節手段が設
けられ、前記半導体ウエハWの処理面を所望の温度に調
整することができるように構成されている。この冷媒流
路5は、略環状に形成され、その中を冷媒が流通するこ
とによって、載置台4を冷却するようになっており、本
実施例においては、処理容器2外部に設置された冷凍機
などの冷却装置7から、例えば−120゜Cの冷媒、例
えばCF4(フロンガスR−14)が、直接ポンプ8に
よって供給管9を通じて供給されて、この冷媒流路5内
を流通し、排出管10から再び冷却装置7へと戻され
て、循環するように構成されている。
【0032】前記冷媒流路5は、図2に示したように、
環状の外壁11、及び径の小さな環状の内壁12、並び
に外壁11と内壁12の間に位置する中壁13によって
その側周が形成されている。またその中心部、即ち内壁
12の内側には、後述の各種配線、ガス流路を通すため
の貫通部14が形成されている。そして冷媒流路5に
は、図3〜図6に示した熱伝達部材21が収納されてい
る。
環状の外壁11、及び径の小さな環状の内壁12、並び
に外壁11と内壁12の間に位置する中壁13によって
その側周が形成されている。またその中心部、即ち内壁
12の内側には、後述の各種配線、ガス流路を通すため
の貫通部14が形成されている。そして冷媒流路5に
は、図3〜図6に示した熱伝達部材21が収納されてい
る。
【0033】この熱伝達部材21は、熱伝達部材21
を、中心角度90゜で、中壁13ごと放射状に分割した
形態を有する同大の4つのブロック21a、21b、2
1c、21dによって構成されている。これら各ブロッ
ク21a、21b、21c、21dは、基本的には、同
一の構成を有しているが、ブロック21b、21c、2
1dには、前記ウエハWを上昇下降自在なプッシャーピ
ン(図示せず)用の通路22が形成されている。
を、中心角度90゜で、中壁13ごと放射状に分割した
形態を有する同大の4つのブロック21a、21b、2
1c、21dによって構成されている。これら各ブロッ
ク21a、21b、21c、21dは、基本的には、同
一の構成を有しているが、ブロック21b、21c、2
1dには、前記ウエハWを上昇下降自在なプッシャーピ
ン(図示せず)用の通路22が形成されている。
【0034】そして図4〜図6に示したように、熱伝達
部材21自体は、山部23aと谷部23bとを交互に連
続して有する、側面が略波型の放熱体23を、その頂部
が平坦な山部23aと、底部が平坦な谷部23bとを突
き合わせるようにしてろう付けによって接合積層して構
成されている。この放熱体23の材質は、熱伝導性が良
好な材質、例えばCu、Al等からなっている。
部材21自体は、山部23aと谷部23bとを交互に連
続して有する、側面が略波型の放熱体23を、その頂部
が平坦な山部23aと、底部が平坦な谷部23bとを突
き合わせるようにしてろう付けによって接合積層して構
成されている。この放熱体23の材質は、熱伝導性が良
好な材質、例えばCu、Al等からなっている。
【0035】しかも本実施例においては、さらに山部2
3aと谷部23bが交互に連続する方向Aと平行に所定
の間隔dで区画され、例えば区画された部分の山部23
aは、隣接する他の区画における山部23a’と前記連
続方向Aに、山部の半分の幅分ずれている。そして以上
の構成から、前記方向Aと直交する方向Bに、冷媒が流
通することが可能である。即ち、冷媒流路5内の冷媒
は、これら放熱体23の内部を流通することが可能にな
っている。
3aと谷部23bが交互に連続する方向Aと平行に所定
の間隔dで区画され、例えば区画された部分の山部23
aは、隣接する他の区画における山部23a’と前記連
続方向Aに、山部の半分の幅分ずれている。そして以上
の構成から、前記方向Aと直交する方向Bに、冷媒が流
通することが可能である。即ち、冷媒流路5内の冷媒
は、これら放熱体23の内部を流通することが可能にな
っている。
【0036】なおかかる放熱体23は、いわば直交する
略直線形状のものによって構成されているので、そのま
までは、前記の例えばブロック21aに収納させること
はできない。従って例えば図3に示したように、放熱体
23を適当に分割成形した数個の放熱体セルを収納して
いる。従って、必ずしも放熱体23の内部を冷媒が流通
することはなく、例えば図3におけるエリアF、Gのよ
うに放熱体23の設置していない部分では、本来の冷媒
流路を流れることになる。しかしながら、かかる場合で
も、全体としてみると、放熱体23と接触して流通する
部分の方が格段に多く、本発明の所期の効果を得ること
が可能である。
略直線形状のものによって構成されているので、そのま
までは、前記の例えばブロック21aに収納させること
はできない。従って例えば図3に示したように、放熱体
23を適当に分割成形した数個の放熱体セルを収納して
いる。従って、必ずしも放熱体23の内部を冷媒が流通
することはなく、例えば図3におけるエリアF、Gのよ
うに放熱体23の設置していない部分では、本来の冷媒
流路を流れることになる。しかしながら、かかる場合で
も、全体としてみると、放熱体23と接触して流通する
部分の方が格段に多く、本発明の所期の効果を得ること
が可能である。
【0037】もちろん前記のいわば空白となっているエ
リアF、Gを形成しないように、放熱体23をさらに適
当に分割成形加工して、エリアF、Gを充填するように
放熱体を設置すれば、さらに冷媒が放熱体23と接触す
る面積が増加し、熱伝達効率が向上するのはいうまでも
ない。
リアF、Gを形成しないように、放熱体23をさらに適
当に分割成形加工して、エリアF、Gを充填するように
放熱体を設置すれば、さらに冷媒が放熱体23と接触す
る面積が増加し、熱伝達効率が向上するのはいうまでも
ない。
【0038】前出加熱手段6は、例えばセラミックヒー
タで構成されており、電力供給リード31によりカット
フィルタ32を介して電力源33から所望の電力を受け
て発熱し、半導体ウエハWの処理面の温度を所望する温
度まで加熱し、温度制御を行うことが可能なように構成
されている。
タで構成されており、電力供給リード31によりカット
フィルタ32を介して電力源33から所望の電力を受け
て発熱し、半導体ウエハWの処理面の温度を所望する温
度まで加熱し、温度制御を行うことが可能なように構成
されている。
【0039】上記載置台4は、上面中央部が凸状に成形
されており、この中央上面には、被処理体を保持するた
めのチャック部として、たとえば静電チャック34が被
処理体である半導体ウエハWと略同径大、好ましくは半
導体ウエハWの径よりも若干小さい径で設けられてい
る。この静電チャック34は、半導体ウエハWを載置保
持する面としてポリイミド樹脂などの高分子絶縁材料か
らなる2枚のフィルム34a、34b間に、銅箔などの
導電膜34cを挟持した静電チャックシートより構成さ
れており、その導電膜34cは、電圧供給リード35に
より、途中高周波をカットするフィルタ36、たとえば
コイルを介して可変直流電圧源37に接続されている。
したがって、その導電膜37cに高電圧を印加すること
により、静電チャック34の上側のフィルム34aの上
面に、半導体ウエハWをクーロン力により吸着保持する
ことが可能である。
されており、この中央上面には、被処理体を保持するた
めのチャック部として、たとえば静電チャック34が被
処理体である半導体ウエハWと略同径大、好ましくは半
導体ウエハWの径よりも若干小さい径で設けられてい
る。この静電チャック34は、半導体ウエハWを載置保
持する面としてポリイミド樹脂などの高分子絶縁材料か
らなる2枚のフィルム34a、34b間に、銅箔などの
導電膜34cを挟持した静電チャックシートより構成さ
れており、その導電膜34cは、電圧供給リード35に
より、途中高周波をカットするフィルタ36、たとえば
コイルを介して可変直流電圧源37に接続されている。
したがって、その導電膜37cに高電圧を印加すること
により、静電チャック34の上側のフィルム34aの上
面に、半導体ウエハWをクーロン力により吸着保持する
ことが可能である。
【0040】また図1に示すように、前記載置台4の周
囲には、静電チャック34上の半導体ウエハWの外周を
囲むように、環状のフォーカスリング38が配置されて
いる。このフォーカスリング38は反応性イオンを引き
寄せない絶縁性の材料からなり、反応性イオンを内側の
半導体ウエハWにだけ効果的に入射せしめるように作用
するものである。
囲には、静電チャック34上の半導体ウエハWの外周を
囲むように、環状のフォーカスリング38が配置されて
いる。このフォーカスリング38は反応性イオンを引き
寄せない絶縁性の材料からなり、反応性イオンを内側の
半導体ウエハWにだけ効果的に入射せしめるように作用
するものである。
【0041】そして前記載置台4には、中空に成形され
た導体よりなる給電棒39が接続されており、さらにこ
の給電棒39にはブロッキングコンデンサ40を介して
高周波電源41が接続されており、プロセス時には、た
とえば13.56MHzの高周波電力を前記給電棒39
を介して載置台4に印加することが可能である。かかる
構成により載置台4は下部電極として作用し、被処理体
である半導体ウエハWに対向するように設けられた上部
電極51との間にグロー放電を生じ、処理容器2内に導
入された処理ガスをプラズマ化し、例えばラジカル粒子
によって被処理体である半導体ウエハWにエッチング処
理を施すことが可能である。
た導体よりなる給電棒39が接続されており、さらにこ
の給電棒39にはブロッキングコンデンサ40を介して
高周波電源41が接続されており、プロセス時には、た
とえば13.56MHzの高周波電力を前記給電棒39
を介して載置台4に印加することが可能である。かかる
構成により載置台4は下部電極として作用し、被処理体
である半導体ウエハWに対向するように設けられた上部
電極51との間にグロー放電を生じ、処理容器2内に導
入された処理ガスをプラズマ化し、例えばラジカル粒子
によって被処理体である半導体ウエハWにエッチング処
理を施すことが可能である。
【0042】さらに前記載置台4の中心近傍には、He
ガスなどのバッククーリングガスの流路42が構成され
ており、半導体ウエハWの裏面に所定温度のHeガスな
どを吐出させることが自在に構成されている。
ガスなどのバッククーリングガスの流路42が構成され
ており、半導体ウエハWの裏面に所定温度のHeガスな
どを吐出させることが自在に構成されている。
【0043】上部電極51は、前記載置台4の載置面か
ら、約10〜20mm程度離間させて配置されている。
この上部電極51は図1、図7に示したように、最下部
に位置する電極板52、及び熱伝達部材53を収納して
前記電極板52を支持する電極支持体54とからなって
いる。そしてこの電極支持体54の内部には、略環状の
冷媒流路55が形成されており、前出載置台4の冷媒流
路5と同様、供給管56から供給される冷媒が流通し
て、排出管57から外部の冷凍機(図示せず)へと戻
り、循環するように構成されている。
ら、約10〜20mm程度離間させて配置されている。
この上部電極51は図1、図7に示したように、最下部
に位置する電極板52、及び熱伝達部材53を収納して
前記電極板52を支持する電極支持体54とからなって
いる。そしてこの電極支持体54の内部には、略環状の
冷媒流路55が形成されており、前出載置台4の冷媒流
路5と同様、供給管56から供給される冷媒が流通し
て、排出管57から外部の冷凍機(図示せず)へと戻
り、循環するように構成されている。
【0044】前記熱伝達部材53は、載置台4の冷媒流
路5に収納された熱伝達部材21と基本的に同一の構成
を有しており、まず図7、図8に示したように、熱伝達
部材53を、中心角度90゜で、放射状に4分割した形
態を有する同形同大の4つのブロック53a、53b、
53c、53dによって構成されている。そして図8、
図9に示したように、熱伝達部材53自体は、山部61
aと谷部61bとを交互に連続して有する、側面が略波
型の放熱体61を、その山部61aと谷部61bとを突
き合わせるようにしてろう付けによって多段に、ろう付
けによって接合積層して構成されている。また前出熱伝
達部材21の放熱体23と同様、山部61aと、隣接す
る他の区画における山部61a’とは山部の半分の幅分
ずれた構造となっている。この放熱体61の材質も、熱
伝導性が良好な材質、例えばCu、Al等からなってい
る。
路5に収納された熱伝達部材21と基本的に同一の構成
を有しており、まず図7、図8に示したように、熱伝達
部材53を、中心角度90゜で、放射状に4分割した形
態を有する同形同大の4つのブロック53a、53b、
53c、53dによって構成されている。そして図8、
図9に示したように、熱伝達部材53自体は、山部61
aと谷部61bとを交互に連続して有する、側面が略波
型の放熱体61を、その山部61aと谷部61bとを突
き合わせるようにしてろう付けによって多段に、ろう付
けによって接合積層して構成されている。また前出熱伝
達部材21の放熱体23と同様、山部61aと、隣接す
る他の区画における山部61a’とは山部の半分の幅分
ずれた構造となっている。この放熱体61の材質も、熱
伝導性が良好な材質、例えばCu、Al等からなってい
る。
【0045】そしてこの放熱体61には、上下、水平方
向に適宜のガス流通孔55が穿設されている。これらガ
ス流通孔62は、放熱体61の下層側、即ち電極板52
に向かうほど、その径が小さくなって数が多くなるよう
に設定されている。
向に適宜のガス流通孔55が穿設されている。これらガ
ス流通孔62は、放熱体61の下層側、即ち電極板52
に向かうほど、その径が小さくなって数が多くなるよう
に設定されている。
【0046】なお本実施例においては、放熱体61のみ
を多段に積層した構成を有しているが、このような構成
に代えて例えば図10に示したように、熱伝導性の良好
な多孔材のバッフル板63と交互に積層させてもよい。
を多段に積層した構成を有しているが、このような構成
に代えて例えば図10に示したように、熱伝導性の良好
な多孔材のバッフル板63と交互に積層させてもよい。
【0047】前記ガス流通孔55は、図1に示したよう
に、電極支持体54の中央を貫設した64と連通してお
り、処理ガス源65より流量制御器(MFC)66を介
して所定の処理ガス、たとえばCF4などのエッチング
ガスを導入することが可能である。従って、処理ガス源
65からのエッチングガスは、放熱体61のガス流通孔
62を通じて、電極板52に穿設された多数の吐出孔
(図示せず)から、前記半導体ウエハWに対して、均等
に吐出されるようになっている。
に、電極支持体54の中央を貫設した64と連通してお
り、処理ガス源65より流量制御器(MFC)66を介
して所定の処理ガス、たとえばCF4などのエッチング
ガスを導入することが可能である。従って、処理ガス源
65からのエッチングガスは、放熱体61のガス流通孔
62を通じて、電極板52に穿設された多数の吐出孔
(図示せず)から、前記半導体ウエハWに対して、均等
に吐出されるようになっている。
【0048】そして前記処理容器2の下方には真空ポン
プなどからなる排気系に通ずる排気口67が設けられて
おり、処理容器2内部を所定の圧力に、たとえば0.5
Torrに減圧することが可能である。
プなどからなる排気系に通ずる排気口67が設けられて
おり、処理容器2内部を所定の圧力に、たとえば0.5
Torrに減圧することが可能である。
【0049】また前記処理容器2の側部には被処理体の
搬入出口71が設けられ、この搬入出口71は、駆動機
構(図示せず)により自動開閉するゲートバルブ72を
介してロードロック室73に接続されている。そしてこ
のロードロック室73内には被処理体である半導体ウエ
ハWを、一枚ずつ処理容器2内に搬送することが可能な
ハンドリングアーム74を備えた搬送機構75が設置さ
れている。
搬入出口71が設けられ、この搬入出口71は、駆動機
構(図示せず)により自動開閉するゲートバルブ72を
介してロードロック室73に接続されている。そしてこ
のロードロック室73内には被処理体である半導体ウエ
ハWを、一枚ずつ処理容器2内に搬送することが可能な
ハンドリングアーム74を備えた搬送機構75が設置さ
れている。
【0050】本実施例にかかるエッチング装置1は以上
のように構成されており、次にその作用効果等にについ
て説明すると、被処理体である半導体ウエハWが、載置
台4の静電チャック34上保持されると、前記した所定
のエッチングガスが、この半導体ウエハW上に均等に吐
出されると共に、処理容器2内は所定の減圧度に設定、
維持される。
のように構成されており、次にその作用効果等にについ
て説明すると、被処理体である半導体ウエハWが、載置
台4の静電チャック34上保持されると、前記した所定
のエッチングガスが、この半導体ウエハW上に均等に吐
出されると共に、処理容器2内は所定の減圧度に設定、
維持される。
【0051】そして高周波電源から、所定の高周波が載
置台4に印加されることによって、プラズマが発生し、
既述したように、前記半導体ウエハWに対して所定のエ
ッチングが施されるのであるが、このとき、発生したプ
ラズマによって処理容器2内の温度が上昇し、その熱で
上部電極51や載置台4の温度も上昇する。ところがエ
ッチング処理は、半導体ウエハWの温度によって大きく
左右されるので、これら載置台4や上部電極51の温度
を冷却して、半導体ウエハWの温度や上部電極51の電
極板52を適切な温度に維持する必要がある。
置台4に印加されることによって、プラズマが発生し、
既述したように、前記半導体ウエハWに対して所定のエ
ッチングが施されるのであるが、このとき、発生したプ
ラズマによって処理容器2内の温度が上昇し、その熱で
上部電極51や載置台4の温度も上昇する。ところがエ
ッチング処理は、半導体ウエハWの温度によって大きく
左右されるので、これら載置台4や上部電極51の温度
を冷却して、半導体ウエハWの温度や上部電極51の電
極板52を適切な温度に維持する必要がある。
【0052】そのため、前記したように、載置台4の内
部には、冷媒流路5が形成され、また一方、上部電極5
1の電極支持体54の内部にも冷媒流路55が形成され
ているのであるが、本実施例においては、熱伝達効率を
向上させる熱伝達部材21が冷媒流路5に、熱伝達部材
53が上部電極51内に夫々収納されているので、従来
よりも冷媒による冷却効率が極めて良好であり、また温
度制御も容易となっている。
部には、冷媒流路5が形成され、また一方、上部電極5
1の電極支持体54の内部にも冷媒流路55が形成され
ているのであるが、本実施例においては、熱伝達効率を
向上させる熱伝達部材21が冷媒流路5に、熱伝達部材
53が上部電極51内に夫々収納されているので、従来
よりも冷媒による冷却効率が極めて良好であり、また温
度制御も容易となっている。
【0053】より詳述すれば、まず載置台4の冷媒流路
5に収納されている熱伝達部材21は、山部23aと谷
部23bとを交互に連続して有する、略波型の放熱体2
3をが、多段に接合積層しているので、冷媒との接触面
積が極めて広くなっている。しかも山部23aの頂部と
谷部23bの底部とは、夫々平坦に成形されて接合して
いるので、放熱体23相互の熱伝達効率もよく、その結
果、冷媒との熱交換が促進され、冷媒による冷却効率が
大きく向上しているのである。また構造的にも極めて強
固であるから、例えば冷媒流路5の断面積を大きくして
も、強度的に問題はない。
5に収納されている熱伝達部材21は、山部23aと谷
部23bとを交互に連続して有する、略波型の放熱体2
3をが、多段に接合積層しているので、冷媒との接触面
積が極めて広くなっている。しかも山部23aの頂部と
谷部23bの底部とは、夫々平坦に成形されて接合して
いるので、放熱体23相互の熱伝達効率もよく、その結
果、冷媒との熱交換が促進され、冷媒による冷却効率が
大きく向上しているのである。また構造的にも極めて強
固であるから、例えば冷媒流路5の断面積を大きくして
も、強度的に問題はない。
【0054】一方上部電極51内の熱伝達部材53も、
前記した熱伝達部材21と同様な構成を有しているか
ら、電極板52の熱は効率よく電極支持体54へと伝達
され、冷媒流路55内を流れる冷媒による冷却効率が極
めて良好である。また強度的にも何ら問題はないもので
ある。
前記した熱伝達部材21と同様な構成を有しているか
ら、電極板52の熱は効率よく電極支持体54へと伝達
され、冷媒流路55内を流れる冷媒による冷却効率が極
めて良好である。また強度的にも何ら問題はないもので
ある。
【0055】そして前記の熱伝達部材21、53は、基
本的に同一構成のブロックを組み合わせて構成されてい
るので、製作も容易であり、また大口径化に対応させる
ことも容易である。
本的に同一構成のブロックを組み合わせて構成されてい
るので、製作も容易であり、また大口径化に対応させる
ことも容易である。
【0056】なお前記実施例における熱伝達部材21、
53は、いずれも断面が略波型の放熱体23、61を使
用したが、これに代えて例えば図11に示したような放
熱体81を熱伝達部材82を用いてもよい。この熱伝達
部材82は、6面のうち対向する1組の面が開口したセ
ル形状を有する放熱体81を、水平方向に並べ、かつ開
口部がずれるように多段に積層させた構成を持つもので
ある。
53は、いずれも断面が略波型の放熱体23、61を使
用したが、これに代えて例えば図11に示したような放
熱体81を熱伝達部材82を用いてもよい。この熱伝達
部材82は、6面のうち対向する1組の面が開口したセ
ル形状を有する放熱体81を、水平方向に並べ、かつ開
口部がずれるように多段に積層させた構成を持つもので
ある。
【0057】また図12に示した熱伝達部材83は、多
数四角形状の管路を形成するように構成したものであ
り、また図13に示した熱伝達部材84は、いわゆるハ
ニカム構造の断面を有するものである。これら熱伝達部
材83、84は長尺形状であるが、長さの短くしたもの
を適宜接続して組み合わせてもよく、かかる場合、開口
部分をずらせるように組み合わせてもよい。
数四角形状の管路を形成するように構成したものであ
り、また図13に示した熱伝達部材84は、いわゆるハ
ニカム構造の断面を有するものである。これら熱伝達部
材83、84は長尺形状であるが、長さの短くしたもの
を適宜接続して組み合わせてもよく、かかる場合、開口
部分をずらせるように組み合わせてもよい。
【0058】そして図14に示した熱伝達部材85は、
筒状のパイプ材の放熱体86を多段に接合積層させた構
成を有している。もちろん断面が角型のパイプ材を使用
してもよい。またこの熱伝達部材85の放熱体86は、
直線形状を有しているが、載置台や上部電極の曲率に合
わせて、適宜環状に成形してもよい。
筒状のパイプ材の放熱体86を多段に接合積層させた構
成を有している。もちろん断面が角型のパイプ材を使用
してもよい。またこの熱伝達部材85の放熱体86は、
直線形状を有しているが、載置台や上部電極の曲率に合
わせて、適宜環状に成形してもよい。
【0059】前記した各熱伝達部材82、83、84、
85を用いても熱伝達効率が極めて良好であり、かつ強
度も大きいものである。
85を用いても熱伝達効率が極めて良好であり、かつ強
度も大きいものである。
【0060】なお前出実施例は、エッチング装置として
構成したが、本発明はかかる構成に限定されず、この他
にも、処理室容器に処理ガスを導入したり、また同時に
プラズマを発生させて処理を行う各種装置、たとえばC
VD装置、スパッタ装置、アッシング装置などにも適用
することが可能である。また被処理体についても半導体
ウエハの場合について説明したが、それに限らず本発明
は、例えばLCD基板を処理対象とする装置構成とする
ことも可能である。
構成したが、本発明はかかる構成に限定されず、この他
にも、処理室容器に処理ガスを導入したり、また同時に
プラズマを発生させて処理を行う各種装置、たとえばC
VD装置、スパッタ装置、アッシング装置などにも適用
することが可能である。また被処理体についても半導体
ウエハの場合について説明したが、それに限らず本発明
は、例えばLCD基板を処理対象とする装置構成とする
ことも可能である。
【0061】
【発明の効果】請求項1〜請求項11に記載した処理装
置においては、上部電極やガス拡散体での熱伝達効率が
向上する。従って、これら上部電極やガス拡散体の温度
調節、制御も容易である。しかもかかる作用効果を実現
する熱伝達部材の強度は高いものとなっており、軽量化
も可能である。特に請求項7の処理装置においては、放
熱部の構造が、山部と谷部が交互に連続する方向と平行
に所定の間隔で区画され、区画された部分の山部が、隣
接する他の区画における山部と前記連続方向にずれてい
るので、強度は大きく向上している。また請求項8の処
理装置によれば、山部の頂部と谷部の底部を平坦に成形
しているので、接合部分の面積が増大し、熱伝達効率が
さらに向上する。
置においては、上部電極やガス拡散体での熱伝達効率が
向上する。従って、これら上部電極やガス拡散体の温度
調節、制御も容易である。しかもかかる作用効果を実現
する熱伝達部材の強度は高いものとなっており、軽量化
も可能である。特に請求項7の処理装置においては、放
熱部の構造が、山部と谷部が交互に連続する方向と平行
に所定の間隔で区画され、区画された部分の山部が、隣
接する他の区画における山部と前記連続方向にずれてい
るので、強度は大きく向上している。また請求項8の処
理装置によれば、山部の頂部と谷部の底部を平坦に成形
しているので、接合部分の面積が増大し、熱伝達効率が
さらに向上する。
【0062】請求項9の処理装置では、熱伝達部材が大
きいものであっても、その組立、製作が容易であり、か
つ精度よく製作できる。請求項10の場合には、同形、
同大のブロックを複数用意して、これらを組み合わせる
ことによって平面円形の熱伝達部材を構成することが可
能になる。従って、各ブロックの製作が容易であり、コ
ストも低廉にすることが可能である。
きいものであっても、その組立、製作が容易であり、か
つ精度よく製作できる。請求項10の場合には、同形、
同大のブロックを複数用意して、これらを組み合わせる
ことによって平面円形の熱伝達部材を構成することが可
能になる。従って、各ブロックの製作が容易であり、コ
ストも低廉にすることが可能である。
【0063】請求項11の処理装置によれば、被処理体
に対して処理ガスを均等に吐出させることが容易にな
る。
に対して処理ガスを均等に吐出させることが容易にな
る。
【0064】請求項12〜請求項20に記載した処理装
置によれば、載置台と載置台内部に形成した冷媒の流
路、即ち冷媒との接触面積が増大するので、載置台と冷
媒との熱交換が促進され、従来よりも熱伝達効率が向上
する。しかも構造的にみても熱伝達部材の強度が高いの
で、その材質を薄くして、その分多数の放熱体を冷媒流
路内に収納し、より一層熱伝達効率を向上させることが
可能である。
置によれば、載置台と載置台内部に形成した冷媒の流
路、即ち冷媒との接触面積が増大するので、載置台と冷
媒との熱交換が促進され、従来よりも熱伝達効率が向上
する。しかも構造的にみても熱伝達部材の強度が高いの
で、その材質を薄くして、その分多数の放熱体を冷媒流
路内に収納し、より一層熱伝達効率を向上させることが
可能である。
【0065】特に請求項17の処理装置においては、放
熱体の構造が、山部と谷部が交互に連続する方向と平行
に所定の間隔で区画され、区画された部分の山部が、隣
接する他の区画における山部と前記連続方向にずれてい
るので、強度がさらに向上している。また請求項18の
処理装置によれば、接合部分の面積が増大するので、熱
伝達効率が一層向上している。
熱体の構造が、山部と谷部が交互に連続する方向と平行
に所定の間隔で区画され、区画された部分の山部が、隣
接する他の区画における山部と前記連続方向にずれてい
るので、強度がさらに向上している。また請求項18の
処理装置によれば、接合部分の面積が増大するので、熱
伝達効率が一層向上している。
【0066】請求項19の処理装置では、熱伝達部材が
大きいものであっても、その組立、製作が容易であり、
かつ精度よく製作でき、請求項20の場合には、同形、
同大のブロックを複数用意すれば、これらを組み合わせ
ることによって平面環状の熱伝達部材を構成することが
可能になる。従って、各ブロックの製作が容易であり、
コストも低廉にすることが可能である。
大きいものであっても、その組立、製作が容易であり、
かつ精度よく製作でき、請求項20の場合には、同形、
同大のブロックを複数用意すれば、これらを組み合わせ
ることによって平面環状の熱伝達部材を構成することが
可能になる。従って、各ブロックの製作が容易であり、
コストも低廉にすることが可能である。
【図1】本発明の実施例にかかるエッチング装置の断面
を模式的に示した説明図である。
を模式的に示した説明図である。
【図2】図1のエッチング装置における冷媒流路の概観
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図3】図2の冷媒流路に収納した熱伝達部材を構成す
るブロックの平面説明図である。
るブロックの平面説明図である。
【図4】図2の冷媒流路に使用した熱伝達部材の放熱体
の概観を示す斜視図である。
の概観を示す斜視図である。
【図5】図2の冷媒流路に使用した熱伝達部材の放熱体
の正面図である。
の正面図である。
【図6】図2の冷媒流路に使用した熱伝達部材の放熱体
の平面図である。
の平面図である。
【図7】図1のエッチング装置における上部電極内に収
納した熱伝達部材の概観を示す斜視図である。
納した熱伝達部材の概観を示す斜視図である。
【図8】図7の熱伝達部材を構成するブロックの平面説
明図である。
明図である。
【図9】図7の熱伝達部材に使用した放熱体の正面図で
ある。
ある。
【図10】図7の熱伝達部材に使用可能な他の放熱体の
正面図である。
正面図である。
【図11】セル形状の放熱体を使用した他の熱伝達部材
の概観を示す斜視図である。
の概観を示す斜視図である。
【図12】断面が四角形状の管路を有する他の熱伝達部
材の概観を示す斜視図である。
材の概観を示す斜視図である。
【図13】断面がハニカム構造を有する他の熱伝達部材
の概観を示す斜視図である。
の概観を示す斜視図である。
【図14】パイプ材の放熱体を接合積層させた他の熱伝
達部材の概観を示す斜視図である。
達部材の概観を示す斜視図である。
1 エッチング装置 2 処理容器 4 載置台 5 冷媒流路 21 熱伝達部材 23 放熱体 23a 山部 23b 谷部 51 上部電極 52 電極板 53 熱伝達部材 61 放熱体 W ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/467
Claims (20)
- 【請求項1】 減圧自在な処理容器内の上下に上部電極
と下部電極を対向して有し、処理ガス導入部から導入さ
れる処理ガスを前記上部電極を介して前記被処理体に対
して吐出させると共に、前記上部電極と下部電極との間
にプラズマを発生させ、当該処理容器内の被処理体に対
して前記プラズマ雰囲気の下で所定の処理を施す如く構
成された処理装置において、 前記上部電極の内部に、放熱フィンを略格子状に配した
構造を有する熱伝達部材が設けられると共に、この熱伝
達部材にはガス流通孔が設けられ、前記処理ガスはこの
ガス流通孔を通じて前記被処理体に吐出するように構成
されたことを特徴とする、処理装置。 - 【請求項2】 減圧自在な処理容器と、この処理容器内
に納入された被処理体に対向してこの処理容器内上部に
設けられたガス拡散体とを有し、処理ガス導入部から導
入される処理ガスを前記ガス拡散体を介して前記被処理
体に対して吐出させ、前記被処理体に対して所定の処理
を施すように構成された処理装置において、 放熱フィンを略格子状に配した構造を有する熱伝達部材
によって前記ガス拡散体が構成されると共に、この熱伝
達部材にはガス流通孔が設けられ、前記処理ガスはこの
ガス流通孔を通じて前記被処理体に吐出するように構成
されたことを特徴とする、処理装置。 - 【請求項3】 前記熱伝達部材は、ハニカム構造の放熱
体によって構成されたことを特徴とする、請求項1又は
2に記載の処理装置。 - 【請求項4】 前記熱伝達部材は、略筒状の放熱体を接
合積層して構成されたことを特徴とする、請求項1又は
2に記載の処理装置。 - 【請求項5】 前記熱伝達部材は、山部と谷部とを交互
に連続して有する側面が略波型の放熱体を、複数組み合
わされて構成されたことを特徴とする、請求項1又は2
に記載の処理装置。 - 【請求項6】 前記熱伝達部材は、山部と谷部とを交互
に連続して有する側面が略波型の放熱体を、その山部と
谷部とを突き合わせるようにして接合積層して構成され
たことを特徴とする、請求項1又は2に記載の処理装
置。 - 【請求項7】 放熱体は、山部と谷部が交互に連続する
方向と平行に所定の間隔で区画され、区画された部分の
山部は、隣接する他の区画における山部と前記連続方向
にずれていることを特徴とする、請求項5又は6に記載
の処理装置。 - 【請求項8】 山部の頂部と谷部の底部は、平坦に成形
されていることを特徴とする、請求項5、6又は7に記
載の処理装置。 - 【請求項9】 熱伝達部材は、熱伝達部材構成ブロック
を組み合わせてなることを特徴とする、請求項1、2、
3、4、5、6、7又は8に記載の処理装置。 - 【請求項10】 熱伝達部材の外形は厚みのある略円板
形状をなし、熱伝達部材構成ブロックは、この熱伝達部
材を放射状に等分分割した形態を有することを特徴とす
る、請求項8に記載の処理装置。 - 【請求項11】 ガス流通孔の径は、熱伝達部材の下層
にいくほど、その数が多くかつ径が小さくなるように形
成されていることを特徴とする、請求項1、2、3、
4、5、6、7、8、9又は10に記載の処理装置。 - 【請求項12】 減圧自在な処理容器内の下部に、被処
理体を載置する載置台を有し、この載置台内には、前記
被処理体の温度を調整するための冷媒の流路が設けられ
た処理装置において、 前記冷媒の流路内に、冷媒の流通を可能としつつ放熱フ
ィンを略格子状配した構造を有する熱伝達部材が設けら
れたことを特徴とする、処理装置。 - 【請求項13】 前記熱伝達部材は、冷媒の流通が可能
なハニカム構造の放熱体によって構成されたことを特徴
とする、請求項12に記載の処理装置。 - 【請求項14】 前記熱伝達部材は、略筒状の放熱体の
内部を冷媒の流通が可能としつつこれら放熱体を接合積
層して構成されたことを特徴とする、請求項12に記載
の処理装置。 - 【請求項15】 前記熱伝達部材は、山部と谷部とを交
互に連続して有する側面が略波型の放熱体が、冷媒の流
通を可能としつつ、複数組み合わされて構成されたこと
を特徴とする、請求項12に記載の処理装置。 - 【請求項16】 前記熱伝達部材は、山部と谷部とを交
互に連続して有する側面が略波型の放熱体を、冷媒の流
通を可能としつつその山部と谷部とを突き合わせるよう
にして接合積層して構成されたことを特徴とする、請求
項12に記載の処理装置。 - 【請求項17】 放熱体は、山部と谷部が交互に連続す
る方向と平行に所定の間隔で区画され、区画された部分
の山部は、隣接する他の区画における山部と前記連続方
向にずれていることを特徴とする、請求項15又は16
に記載の処理装置。 - 【請求項18】 山部の頂部と谷部の底部は、平坦に成
形されていることを特徴とする、請求項15、16又は
17に記載の処理装置。 - 【請求項19】 熱伝達部材は、熱伝達部材構成ブロッ
クを組み合わせてなることを特徴とする、請求項12、
13、14、15、16、17又は18に記載の処理装
置。 - 【請求項20】 熱伝達部材の外形は厚みのある略円板
形状をなし、熱伝達部材構成ブロックは、この熱伝達部
材を放射状に等分分割した形態を有することを特徴とす
る、請求項19に記載の処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18067094A JP3411678B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18067094A JP3411678B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0831755A true JPH0831755A (ja) | 1996-02-02 |
JP3411678B2 JP3411678B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=16087261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18067094A Expired - Lifetime JP3411678B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3411678B2 (ja) |
Cited By (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006095575A1 (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | プラズマ処理装置およびそれを用いた半導体薄膜の製造方法 |
US7513063B2 (en) | 2002-02-28 | 2009-04-07 | Canon Anelva Corporation | Substrate processing apparatus |
JP2010067588A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Advanced Display Process Engineering Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US20100122774A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting table and substrate processing apparatus having same |
KR20110060927A (ko) * | 2008-09-10 | 2011-06-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 냉각이 개선된 급속 열 처리 램프헤드 |
KR20150038154A (ko) * | 2012-07-18 | 2015-04-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다중-구역 온도 제어 및 다중 퍼지 성능을 갖는 페데스탈 |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9754800B2 (en) | 2010-05-27 | 2017-09-05 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US9773695B2 (en) | 2014-07-31 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9837284B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-12-05 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9837249B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-12-05 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9842744B2 (en) | 2011-03-14 | 2017-12-12 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of SiN films |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US9885117B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-06 | Applied Materials, Inc. | Conditioned semiconductor system parts |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9978564B2 (en) | 2012-09-21 | 2018-05-22 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10032606B2 (en) | 2012-08-02 | 2018-07-24 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10062578B2 (en) | 2011-03-14 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10147620B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-12-04 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10424464B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-09-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10424485B2 (en) | 2013-03-01 | 2019-09-24 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10468285B2 (en) | 2015-02-03 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US10468267B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10465294B2 (en) | 2014-05-28 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10593523B2 (en) | 2014-10-14 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10615047B2 (en) | 2018-02-28 | 2020-04-07 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods to form airgaps |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
KR20210154286A (ko) * | 2020-06-11 | 2021-12-21 | 한국생산기술연구원 | 셀 구조로 이루어진 유로를 갖는 열전달 구조와, 이 열전달 구조를 포함하는 웨이퍼 척과, 이 열전달 구조의 제조 방법, 및 최적 설계 방법 |
US11239061B2 (en) | 2014-11-26 | 2022-02-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11594428B2 (en) | 2015-02-03 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
KR20230071662A (ko) * | 2021-11-16 | 2023-05-23 | 한국생산기술연구원 | 방사형 유로와 격자구조를 포함하는 웨이퍼 프로버의 하부척, 및 그 제조방법 |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
-
1994
- 1994-07-08 JP JP18067094A patent/JP3411678B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (140)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7513063B2 (en) | 2002-02-28 | 2009-04-07 | Canon Anelva Corporation | Substrate processing apparatus |
KR100892900B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2009-04-15 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 열교환기 및 이 열교환기를 구비한 표면처리장치 |
US7976716B2 (en) | 2002-02-28 | 2011-07-12 | Canon Anelva Corporation | Semiconductor device manufacturing method |
JPWO2006095575A1 (ja) * | 2005-03-07 | 2008-08-14 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置およびそれを用いた半導体薄膜の製造方法 |
WO2006095575A1 (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | プラズマ処理装置およびそれを用いた半導体薄膜の製造方法 |
JP4659820B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2011-03-30 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置およびそれを用いた半導体薄膜の製造方法 |
US8698049B2 (en) | 2008-09-10 | 2014-04-15 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal processing lamphead with improved cooling |
JP2015159292A (ja) * | 2008-09-10 | 2015-09-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 冷却が改善されたラピッドサーマルプロセシングランプヘッド |
KR20110060927A (ko) * | 2008-09-10 | 2011-06-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 냉각이 개선된 급속 열 처리 램프헤드 |
JP2012502502A (ja) * | 2008-09-10 | 2012-01-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 冷却が改善されたラピッドサーマルプロセシングランプヘッド |
JP2010067588A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Advanced Display Process Engineering Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US20100122774A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting table and substrate processing apparatus having same |
JP2010123809A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台および基板処理装置 |
US9754800B2 (en) | 2010-05-27 | 2017-09-05 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US10062578B2 (en) | 2011-03-14 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US9842744B2 (en) | 2011-03-14 | 2017-12-12 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of SiN films |
KR20150038154A (ko) * | 2012-07-18 | 2015-04-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다중-구역 온도 제어 및 다중 퍼지 성능을 갖는 페데스탈 |
JP2015529969A (ja) * | 2012-07-18 | 2015-10-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | マルチゾーン温度制御および多パージ機能を有するペデスタル |
US10062587B2 (en) | 2012-07-18 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
JP2018201027A (ja) * | 2012-07-18 | 2018-12-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | マルチゾーン温度制御および多パージ機能を有するペデスタル |
US10032606B2 (en) | 2012-08-02 | 2018-07-24 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9978564B2 (en) | 2012-09-21 | 2018-05-22 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US11264213B2 (en) | 2012-09-21 | 2022-03-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10354843B2 (en) | 2012-09-21 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US11024486B2 (en) | 2013-02-08 | 2021-06-01 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US10424485B2 (en) | 2013-03-01 | 2019-09-24 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US9837249B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-12-05 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9885117B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-06 | Applied Materials, Inc. | Conditioned semiconductor system parts |
US10465294B2 (en) | 2014-05-28 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9773695B2 (en) | 2014-07-31 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9837284B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-12-05 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US10796922B2 (en) | 2014-10-14 | 2020-10-06 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US10490418B2 (en) | 2014-10-14 | 2019-11-26 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US10707061B2 (en) | 2014-10-14 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US10593523B2 (en) | 2014-10-14 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US11239061B2 (en) | 2014-11-26 | 2022-02-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US12009228B2 (en) | 2015-02-03 | 2024-06-11 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US10468285B2 (en) | 2015-02-03 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US11594428B2 (en) | 2015-02-03 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US10468276B2 (en) | 2015-08-06 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US10147620B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-12-04 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US10607867B2 (en) | 2015-08-06 | 2020-03-31 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US11158527B2 (en) | 2015-08-06 | 2021-10-26 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US10424463B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-09-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10424464B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-09-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US11476093B2 (en) | 2015-08-27 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US11735441B2 (en) | 2016-05-19 | 2023-08-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10541113B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US11049698B2 (en) | 2016-10-04 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10224180B2 (en) | 2016-10-04 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10319603B2 (en) | 2016-10-07 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10770346B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-09-08 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10186428B2 (en) | 2016-11-11 | 2019-01-22 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10600639B2 (en) | 2016-11-14 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10903052B2 (en) | 2017-02-03 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10529737B2 (en) | 2017-02-08 | 2020-01-07 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10325923B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-18 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11915950B2 (en) | 2017-05-17 | 2024-02-27 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11361939B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10468267B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10593553B2 (en) | 2017-08-04 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US11101136B2 (en) | 2017-08-07 | 2021-08-24 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10861676B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10699921B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10615047B2 (en) | 2018-02-28 | 2020-04-07 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods to form airgaps |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US11004689B2 (en) | 2018-03-12 | 2021-05-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
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US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
KR20210154286A (ko) * | 2020-06-11 | 2021-12-21 | 한국생산기술연구원 | 셀 구조로 이루어진 유로를 갖는 열전달 구조와, 이 열전달 구조를 포함하는 웨이퍼 척과, 이 열전달 구조의 제조 방법, 및 최적 설계 방법 |
KR20230071662A (ko) * | 2021-11-16 | 2023-05-23 | 한국생산기술연구원 | 방사형 유로와 격자구조를 포함하는 웨이퍼 프로버의 하부척, 및 그 제조방법 |
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