JP3442604B2 - 混合ガスの供給方法及び混合ガス供給装置並びにこれらを備えた半導体製造装置 - Google Patents
混合ガスの供給方法及び混合ガス供給装置並びにこれらを備えた半導体製造装置Info
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Description
の製造に利用されるものであり、半導体製造装置へ複数
の異なるガスの混合ガスを供給する場合に、小流量ガス
の供給ライン内へ大流量ガスの供給ラインからガスが逆
流若しくは逆拡散するのを防止できるようにした混合ガ
スの供給方法と混合ガス供給装置及びこれ等を備えた半
導体製造装置に関するものである。
ガスのように、空気に触れると固体(SiO2 )となっ
て析出するような反応性に富んだガスを含んだ所謂半導
体製造用ガスが多く利用されている。図11は前記半導
体製造装置の一つであるドライエッチング装置の一例を
示すものであり、混合ガス供給装置Aで形成されたH2
とO2 とCF4 の混合ガスがプロセスチャンバー(エッ
チング室)Cへ供給され、ここで所謂Si ウエハー等に
エッチング処理が行なわれる。尚、図11においてMF
C1 〜MFC3 はマスフローコントローラ、V1 〜V 3
はバルブ、Tは輸送管、Rはドライポンプ、VM は主バ
ルブ、Z1 ,Z2 はトラップ、Yはメカニカルブースタ
ーポンプである。
置Aでは、各ガス供給ラインL1 〜L3 へ供給される各
ガスの圧力Pが大気圧以上であり、且つ混合ガスのガス
供給系内が真空排気されているため、これ迄CF4 ガス
がH2 ガス内へ逆流したり、或いはCF4 ガスがO2 ガ
ス内へ逆流することは全く無いものと考えられていた。
のドライエッチング装置等に於いては大流量のラインの
ガスが小流量のラインのガス内へ逆流することがあり、
逆流ガスによって小流量のガスライン内に反応生成物が
起生し、これが原因で小流量のガスラインのバルブに漏
洩が生じたり、或いは小流量のガスラインのマスフロー
コントローラに詰まりが生じると云う問題が生じてい
る。特に、混合ガスの一種が微小流量の場合には、前記
逆流の問題が顕著になってくる。
確認するため、先ず図6に示す如き半導体製造装置の混
合ガス供給装置Aと略同一の試験用ユニットを組み立
て、各ガス供給ラインL1 、L2 、L3 に下表の如き条
件で各ガスを供給し、小流量ラインL3 のN2 内へ大流
量ラインL1 のHe が逆流するか否かを調査した。
5cc/min以下の場合には、大流量ラインL1 のH
e がN2 内へ逆流することが確認された。また、小流量
ラインL3 のMFC3 の調整最小値2.0cc/min
に於いて、逆流ガスであるHe の最大濃度が約90pp
mであることが判った。
ば、逆流状態が安定すること、バルブV1 、V2 、V
3 の操作順序は、逆流量に殆んど無関係であること、
一次側圧力P1 、P2 、P3 を変化せしめても、逆流量
は変わらないこと、複数のガス供給ラインの出口側合
流部Go (以下ガスアウト部Go と呼ぶ)の圧力が大気
開放(ATM)の時よりも真空(VAC)の時の方が、
逆流量は小さくなること、小流量ラインL3 のバルブ
V3 とガスアウト部Go 間の長さLが長いほど、配管比
(配管長さL/配管内径D)が大きくなるため逆流が少
なくなること、小流量ラインL3 のガス合流部の上流
側にオリフィス等を設けてN2 ガスの流速を上げると、
He の逆流が少なくなること、小流量ラインL3 の組
付け位置を変えることにより、逆流量が変化すること等
の事象が、上記確認試験の結果から判った。
体製造装置用の混合ガス供給装置に於ける上述の如き問
題、即ちプロセスチャンバへ混合ガスを供給する場合
に、大流量のガスラインのガスが小流量ガスライン内へ
逆流して反応生成物が形成され、これが原因で小流量の
ガスラインのバルブに漏洩が生じたり、マスフローコン
トローラに詰まり等のトラブルを生じると云う問題を解
決せんとするものであり、大流量のガスラインから小流
量のガスライン内へガスの逆流を生じないようにした混
合ガスの供給方法とこれに用いる混合ガス供給装置並び
にこれらを備えた半導体製造装置を提供するものであ
る。
認試験の結果より得られた知見に基づいて、後述する如
き数多くの逆流試験を実施した。本願発明はこれ等の逆
流試験の結果を基に創作されたものであり、請求項1に
記載の発明は、複数のガス供給ラインを通して複数のガ
スを供給し、それ等の混合ガスをガスアウト部を通して
ガス使用対象へ供給する混合ガス供給方法に於いて、前
記複数のガスの中の最小流量のガスを除いたその他のガ
スが同一流量であるか、または分子量の小さいガスが小
流量の場合には、前記複数のガスの中の最小流量のガス
をガスアウト部から最も離れた位置に設けたガス供給ラ
インから供給すると共に、最小の流量のガスを除いたそ
の他のガスを、ガスの分子量の大きいものから順に、最
小流量ガスのガス供給ラインから離れたガス供給ライン
から順に供給するようにしたことを発明の基本構成とす
るものである。
を通して複数のガスを供給し、それ等の混合ガスをガス
アウト部を通してガス使用対象へ供給する混合ガス供給
方法に於いて、前記複数のガス供給ラインの通路断面積
Sと流通するガス流量Qとの比Q/Sを等しくすると共
に、最小の流量のガスを除いたその他のガスを、ガスの
分子量の大きいものから順に、最小流量ガスのガス供給
ラインから離れたガス供給ラインから順に供給するよう
にしたことを発明の基本構成とするものである。
を通して複数のガスを供給し、それ等の混合ガスをガス
アウト部を通してガス使用対象へ供給する混合ガス供給
方法に於いて、前記複数のガスの中の最小流量のガスを
ガスアウト部から最も離れた位置に設けたガス供給ライ
ンから供給すると共に、各ガス供給ラインの通路断面積
Sと流通するガス流量Qとの比Q/Sを等しくし、更に
最小の流量のガスを除いたその他のガスを、ガスの分子
量の大きいものから順に、最小流量ガスのガス供給ライ
ンから離れたガス供給ラインから順に供給するようにし
たことを発明の基本構成とするものである。
を通して複数のガスを供給し、それ等の混合ガスをガス
アウト部を通してガス使用対象へ供給する混合ガス供給
方法に於いて、前記複数のガスの中の最小流量のガスを
ガスアウト部から最も離れた位置に設けたガス供給ライ
ンから供給すると共に、最小の流量のガスを除いたその
他のガスを、ガスの分子量×流量の値の大きいものから
順に、最小流量ガスのガス供給ラインから離れたガス供
給ラインから順に供給するようにしたことを発明の基本
構成とするものである。 また、請求項5に記載の発明
は、複数のガス供給ラインを通して複数のガスを供給
し、それ等の混合ガスをガスアウト部を通してガス使用
対象へ供給する混合ガス供給方法に於いて、前記複数の
ガス供給ラインの通路断面積Sと流通するガス流量Qと
の比Q/Sを等しくすると共に、最小の流量のガスを除
いたその他のガスを、ガスの分子量×流量の値の大きい
ものから順に、最小流量ガスのガス供給ラインから離れ
たガス供給ラインから順に供給するようにしたことを発
明の基本構成とするものである。 更に、請求項6に記載
の発明は、複数のガス供給ラインを通して複数のガスを
供給し、それ等の混合ガスをガスアウト部を通してガス
使用対象へ供給する混合ガス供給方法に於いて、前記複
数のガスの中の最小流量のガスをガスアウト部から最も
離れた位置に設けたガス供給ラインから供給すると共
に、各ガス供給ラインの通路断面積Sと流通するガス流
量Qとの比Q/Sを等しくし、更に最小の流量のガスを
除いたその他のガスを、ガスの分子量×流量の値の大き
いものから順に、最小流量ガスのガス供給ラインから離
れたガス供給ラインから順に供給するようにしたことを
発明の基本構成とするものである。
いガス供給ラインから最小流量のガスを供給すると共
に、最小流量のガスを除いたその他のガスが同一流量で
あるか、または分子量の小さいガスが小流量の場合に
は、前記最小流量のガスを除いたその他のガスを、ガス
アウト部に最も近接したガス供給ラインから順に、ガス
の分子量の大きいものから順に供給するようにした混合
ガス供給装置に於いて、各ガス供給ラインのバルブの中
の少なくとも前記ガスアウト部に最も遠いガス供給ライ
ンに介設するバルブを、バルブ本体のガス出口部と弁室
とを連通するガス通路の通路断面積を減少せしめて流通
ガスの流速を高めると共に、弁室内に設けた金属ダイヤ
フラム製弁体を弁座へ当座及び離座させる構成のバルブ
としたことを発明の基本構成とするものである。
の基礎となった各種試験とその結果について説明する。
先ず、図6の如き三種のガス供給ラインL1 〜L3 を有
する試験ユニットを製作し、これを用いて各種の逆流試
験を行なった。尚、図6に於いてSはサンプリング系、
Qmas は四重極質量分析計、Rp は真空ポンプ、V4 〜
V8 はバルブ、Lp はパージライン、Lv はベントライ
ンである。
下記の順序により実施した。 ライン設定:各ラインLの一次側圧力Pを1kgf
/cm2 G、ラインL1 のHe 流量Q1 を100cc/
min、ラインL2 のAr 流量Q2 を200cc/mi
n、ラインL3 のN2 流量Q3 を10cc/minに設
定する。 ラインL1 〜L3 のガスパージ:V1 、V2 、
V3 、V5 、V6 、V7 を閉。V4 を開にして系内を真
空に排気しながらV1 を開にし、10sec間ラインL
1 のガスをパージする。V2 、V3 についても同様の操
作を別々に実施し、ラインL2 およびラインL3 のガス
もパージする。 ガスアウト部Go の大気圧設定:V1 、V2 、
V3 、V4 、V5 、V7 を閉。V6 を開にして真空とな
っている系内をN2 にて大気圧に戻す。その後V5 を開
にしてベント部LvよりN2 をパージする。 逆流操作:V5 を開、V4 、V6 、V7 を閉とし、
V1 、V2 、V3 を同時に開にしてベント側にガスを3
0sec流す(逆流が生じる場合には、V3 の上流にH
e およびAr が逆流する。)。 残留ガス除去:V1 、V2 、V3 、V5 、V6 、V
7 を閉、V4 を開にしてガスアウト部Go の残留ガスを
真空ポンプRPにて30sec真空排気する。 V1 、V2 、V3 、V4 、V5 、V7 を閉、V6 を
開にしてガスアウト部Go の圧力をN2 により真空から
大気圧にもどし、V7 を開にしてN2 をサンプリング系
Sにパージする。 サンプリング系SのBGの確認:V8 を開にし、N
2 ガスをサンプリングし、He およびAr がBGレベル
であることを確認する。 逆流確認:ラインL3 の流量Q3 を10cc/mi
nにセットし、V6 閉、V3 を開にしてV3 の上流に逆
流したHe およびAr をN2 とともに追い出し、このガ
スをサンプリングすることにより逆流を確認する。 ラインL3 の流量Q3 の設定を10〜3cc/mi
nに変化させ、上記〜を繰り返し行い逆流を確認す
る。
nより大流量のラインL1 のガスHe の逆流が発生す
る。大流量と小流量の比(今回はL1 (He ):L
2 (Ar ):L3 (N2 )=100:200:5)も関
与すると考えられる(参考:配管内径φ4.35mm、
流量5cc/minの時の流速は5.6mm/s)。
更について 小流量ラインL3 に2つの大流量ラインL1 、L2 のガ
スは共に逆流する。大流量ラインL1 、L2 の流量比に
より逆流の状態(ガス種、その量)は変化する。次の表
に標準設定と大流量ラインの流量を変更した時のデータ
を示す。大流量ラインの流量が増えることによりその傾
向が確認できる。ガスアウト部Go の圧力は大気圧であ
る。
限界以下)とした。 小流量ラインガス種N2 時、He BG:10〜20ppm Ar BG:20〜30ppm
い位置(上流側)が良い。下の表に標準設定と大流量ラ
インの流量を変更した時のデータを示す。大流量ライン
の流量が増えることによりその傾向が確認できる。
のは、ガスアウト部Go の圧力(二次側圧力)が大気圧
よりも真空のほうが少ない傾向にある。下の表に標準設
定等においてガスアウト部の圧力を変更した時のデータ
を示す。
のライン長さについて ガスアウト部Go からバルブV3 の二次側までのライン
長さが長いほうが逆流は少ない。即ち、配管比(配管長
さL/配管内径D)を大きくとるほうが逆流は少なくな
る。
次側にオリフィスガスケットを挿入すると内径が小さく
なるほど、逆流が少なくなる。即ち、流速を大きくする
と逆流は少なくなる傾向にある。
て ガスアウト部のフロー形状としては、図7よりも図8の
ほうが逆流が少ない傾向にある。小流量ラインの位置を
ライン3→ライン1に変更すると逆流現象は確認されず
BGレベルであった。ガスの分子量、流量等とラインの
位置に関与すると考えられる。下の表に標準設定と大流
量ラインL1 の流量を変更した時のデータを示す。
用し、小流量ラインL3 のガスをN2→He に、また、
大気圧に戻す場合のガスをN2 →He に夫々変え、小流
量のラインL3 のガスHe 中へ逆流してくるN2 及びA
r を確認する方法により逆流試験を行なった。上記逆流
試験2の結果から、下記の事象が判明した。
とN2 の時とを比較すると、He の時のほうが全体的に
逆流が多い。小流量のガスの分子量が他のガスの分子量
よりも小さいほど逆流は多くなる傾向にある。また、ガ
スアウト圧力、ガスアウト部のフロー形状、小流量ライ
ンの位置等の各パラメータによる逆流現象の傾向はガス
種が変わっても同じであり、その傾向を確認するのに
は、小流量ラインL3 のガス種がHe の時のほうが確認
しやすい。 大流量ラインL1 と小流量ラインL3 の流量比の影
響を確認するため次の設定で逆流現象の比較を実施した
(図7のフローを用いて実施した)。
とき、大流量ラインN2 ,Ar の流量が200→100
0cc/minと増えると、Ar の逆流を抑えるために
必要な小流量ラインのHe 流量は50→100cc/m
inと増加している。また、大流量ラインの流量を20
0cc/minに統一し、小流量ラインのガス種をHe
(m/e4)→N2 (m/e28)に変更すると、逆流
を抑えるための小流量ラインの流量は50→6cc/m
inに変化している。小流量ラインガスの分子量が小さ
いほど、また大流量ラインと小流量ラインとの流量比が
大きいほど逆流は大きくなる。
のガスを小流量ラインに対してどの位置に設置すればよ
いのかを確認するため次の設定で逆流現象の比較を実施
した(図7のフローにて実施)。
ス種をN2 :Arに固定し、Ar 流量を変化させると、
流量を増やしたAr ガスの残留最大濃度は増加するが、
もう一方のガスN2 の残留最大濃度は減少している。こ
れは、他の設定でも同じ傾向であり、流量により大流量
ラインの二つのガスが影響しあっている。またラインL
1 :L2 のガス種をN2 :Ar →Ar :N2 に変更する
と相対的に残留最大濃度は減少している。小流量ライン
L3 の位置に対して、大流量ラインL1 の位置は、ガス
種の分子量が大きいほど小流量ラインL3 から離して設
置するほうが、逆流は抑えられる傾向がある。上記各逆
流試験の結果から、下記の事項を確認することができ
る。即ち、半導体製造装置用等の逆流を嫌うガス供給ユ
ニットに於いては、 小流量ラインの位置はガスアウト部Go より遠い位
置(上流側)に設定することが望ましい。 小流量ラインをガスアウト部Go より遠い位置にし
た場合、大流量ラインの位置は流れるガスの分子量が大
きいものほどガスアウト部Go に近い位置(下流側)に
設定するのが望ましい。流量よりも分子量が効いてい
る。 小流量ガスラインのMFC二次側のバルブはガス流
速が大で且つ内部のデッドスペースの小さなものが望ま
しい。 ガスアウト部のフロー形状は図8の形状とするのが
望ましい。 ガスアウト部Go から逆流を嫌う小流量ラインのバ
ルブの二次側までの管路の配管比(L/D)は大きいほ
うが望ましい。
から創作されたものであり、次にその実施の態様を説明
する。図1は、本発明に係る混合ガスの供給方法の説明
図である。図1に於いてAは混合ガスガス供給装置、L
はガス供給ライン、Vはバルブ、MFCはマスフローコ
ントローラ、Go はガスアウト部、1は元弁、2はフィ
ルター、3は圧力調整器、4は主バルブ、5は分岐管、
6は連結管、G1 は第1ガス、G2 は第2ガス、G3 は
第3ガス、Gn は第nガスである。
部Go から最も離隔したガス供給ラインL1 へは、最小
流量の第1ガスG1 が供給され、またガスアウト部Go
に最も近接したガス供給ラインLn へは、流量が最も大
流量の第nガスGn が供給される。また、前記第nガス
Gn に隣接するガス供給ラインL3 へ供給される第3ガ
スG3 は、第nガスGn より流量の小さなガスであり、
更に、第3ガスG3 に隣接するガス供給ラインL2 へ供
給される第2ガスG3 は、第3ガスG3 よりも流量の小
さなガスである。
大流量ガスが複数ある場合には、ガスの分子量の大きい
方のガスが小流量ガスのガス供給ラインより離れたガス
供給ラインLn へ供給される。
の他のガスは、分子量の大きなガスから順に小流量ガス
のガス供給ラインより離れたガス供給ラインへ順に供給
される。
G1 を除くその他のガスは、ガス流量と分子量の積を求
め、この値の大きいガスから順に最小流量ガスのガス供
給ラインから離れたガス供給ラインへ順に供給するよう
にしてもよい。
r 、H2 、O2 、N2 の他にHCl、Cl2 、H2 S、
SF6 、Si H4 等の各種所謂半導体製造用ガスが供給
される。また、配管型式は、図1に示す如く、最大流量
のガスGn の流れる分岐管5とガスアウト部Go とが直
線状に連結された構造の型式とするのが望ましい。
インL1 〜Ln の内径を同一にしているため、各ライン
L1 〜Ln 内を流通するガスの流速は夫々異なった速度
になっている。そのため、各ガス供給ラインL1 〜Ln
に、点線で示すようにオリフィス装置S1 〜Sn を設
け、各ラインL1 〜Ln の通路面積S1 〜Sn とガス流
量Q1 〜Qn との比Q/Sが夫々ほぼ等しくなるように
するのが望ましい。各ラインL1 〜Ln のガス流速をほ
ぼ等しくすることにより、小流量ガスラインへの大流量
ガスラインからのガスの逆流をより完全に防止できるこ
とが、実験により確認されている。
流量のガス供給ラインL1 で使用するバルブV1 の断面
図である。図2及び図3に於いて、7はバルブ本体、8
はオリフィスガスケット、9は弁駆動装置、10は弁
座、11は弁体、12はシャフトである。
より形成されており、ガス入口7a、弁室7b、ガス出
口7c、ガス通路7d、7e等が設けられている。ま
た、ガス入口7aと弁室7b間を連通する通路7dには
オリフィスガスケット8が設けられており、当該ガスケ
ット8に穿設したオリフィス小孔8aを通してガスを流
通させることにより、その流通速度を上昇させるように
している。
り、スプリング13により弁体押え12aを介して押圧
されて弾性変形をし、弁座10側へ当座すると共に、シ
ャフト12が右方向へ引っ張られて押圧力が喪失する
と、その弾性力によって弁座10から離座する。尚、弁
体11の外周縁部はボンネット14及び袋ナット15を
介してバルブ本体7側へ気密状に押圧固定されている。
ス供給装置Aの最小流量のガス供給ラインの分岐管5内
に介設され、最小流量のガスG1 の流速をオリフィスガ
スケット8によって上昇させることにより、大流量のガ
スGn 等が最小流量のガスG 1 内へ逆流するのを防止す
る。尚、当該逆流防止用バルブは、最小流量のガス供給
ラインL1 の分岐管5内だけでなく、その他のガス供給
ラインL2 ・L3 ・・の分岐管5内でも使用してもよい
ことは勿論である。また、弁駆動装置9は公知のエアー
シリンダ型駆動装置であるが、電動型であっても、或い
は油圧シリンダ型であってもよいことは勿論である。更
に、前記バルブ本体7内のガス通路7d、7e等の容積
は可能な限り小さくし、ガスの置換性等を高めることは
勿論であり、更に分岐管5の配管比(配管長さL/配管
内径D)は可能な限り大きくするのが望ましい。
すものである。この第2実施例にあっては、ガス通路7
dの弁室7b側の端部が、内径φ=0.2〜2mm程度
の細径に形成されている。この細径部分によってガス流
量が高められ、他の大流量ガス供給ラインからのガスの
逆流が有効に防止される。尚、細径部の流路の長さは約
1mm程度で十分である。
すものである。この第3実施例にあっては、ダイヤフラ
ム11の弁室側の中央部にニードル体16が溶接されて
おり、且つニードル体16の先端は流体通路7d内へ挿
入されている。また、弁駆動装置9のケース体にはスト
ローク調整ねじ17が設けられており、この調整ねじ1
7の締込み量を調整することにより、シャフト12の作
動ストロークXが規制されている。その結果、開弁時の
ニードル体16の移動量、即ち流体通路の間隙Gの調整
が可能となり、最小流量のガス供給ラインL1 に流れる
ガス流量Q1 に応じて、弁全開時の前記間隙Gの大きさ
が調整される。
をガスアウト部Go から最も離れた位置のガス供給ライ
ンへ供給する構成としているため、大流量のガスが最小
流量のガス内へ逆流若しくは拡散することが皆無とな
る。その結果、小流量ガスのガス供給ライン内に逆流ガ
スによる有害な反応生成物等が一切形成されなくなり、
バルブやマスフロコントローラのトラブルが大幅に減少
することになる。また、本発明の混合ガス供給装置に於
いては、少なくとも最小流量ガスのガス供給ラインに
は、ガス通路の通路断面積を減少せしめて流通ガスの流
速を高めるようにしたメタルタッチ型ダイヤフラム弁を
介設し、最小流量ガスのガス流速を高めると共に、最小
流量ガス及び最大流量ガスのガス供給位置を夫々特定す
る構成としているため、最小流量ガスのガス供給ライン
内への最大流量ガスの逆流をほぼ完全に防止することが
できる。更に、本発明に係るガス供給方法又はガス供給
装置を用いた半導体製造装置は、半導体製造用の混合ガ
スを連続して円滑に供給することができ、ガス供給に関
するトラブルが皆無になって生産能率と製品品質の一層
の向上が可能となる。本発明は上述の通り、極めて簡単
な構成にも拘わらず半導体製造の技術分野に於いて優れ
た実用的効用を奏するものである。
る。
横断面図である。
横断面図である。
線図である。
示す線図である。
すものである。
V1 〜Vn はバルブ、MFC1 〜MFCn はマスフロー
コントローラ、Go はガスアウト部、G1 〜Gn は供給
ガス、P1 〜Pn は供給ガス圧、1は元弁、2はフィル
タ、3は圧力調整器、4は主バルブ、5は分岐管、6は
連結管、7はバルブ本体、8はオリフィスガスケット、
9は弁駆動装置、10は弁座、11は弁体、12はシャ
フト、13はスプリング、14はボンネット、15は袋
ナット、16はニードル体、17はストローク調整ね
じ、Sはサンプリング系、V4 〜V8 はバルブ、Qmas
は四重極質量分析計、Rp は真空ポンプ、Lp はパージ
ライン、Lv はベントライン、Xはシャフトストローク
である。
Claims (13)
- 【請求項1】 複数のガス供給ラインを通して複数のガ
スを供給し、それ等の混合ガスをガスアウト部を通して
ガス使用対象へ供給する混合ガス供給方法に於いて、前
記複数のガスの中の最小流量のガスを除いたその他のガ
スが同一流量であるか、または分子量の小さいガスが小
流量の場合には、前記複数のガスの中の最小流量のガス
をガスアウト部から最も離れた位置に設けたガス供給ラ
インから供給すると共に、最小の流量のガスを除いたそ
の他のガスを、ガスの分子量の大きいものから順に、最
小流量ガスのガス供給ラインから離れたガス供給ライン
から順に供給するようにしたことを特徴とする混合ガス
の供給方法。 - 【請求項2】 複数のガス供給ラインを通して複数のガ
スを供給し、それ等の混合ガスをガスアウト部を通して
ガス使用対象へ供給する混合ガス供給方法に於いて、前
記複数のガス供給ラインの通路断面積Sと流通するガス
流量Qとの比Q/Sを等しくすると共に、最小の流量の
ガスを除いたその他のガスを、ガスの分子量の大きいも
のから順に、最小流量ガスのガス供給ラインから離れた
ガス供給ラインから順に供給するようにしたことを特徴
とする混合ガスの供給方法。 - 【請求項3】 複数のガス供給ラインを通して複数のガ
スを供給し、それ等の混合ガスをガスアウト部を通して
ガス使用対象へ供給する混合ガス供給方法に於いて、前
記複数のガスの中の最小流量のガスをガスアウト部から
最も離れた位置に設けたガス供給ラインから供給すると
共に、各ガス供給ラインの通路断面積Sと流通するガス
流量Qとの比Q/Sを等しくし、更に最小の流量のガス
を除いたその他のガスを、ガスの分子量の大きいものか
ら順に、最小流量ガスのガス供給ラインから離れたガス
供給ラインから順に供給するようにしたことを特徴とす
る混合ガスの供給方法。 - 【請求項4】 複数のガス供給ラインを通して複数のガ
スを供給し、それ等の混合ガスをガスアウト部を通して
ガス使用対象へ供給する混合ガス供給方法に於いて、前
記複数のガスの中の最小流量のガスをガスアウト部から
最も離れた位置に設けたガス供給ラインから供給すると
共に、最小の流量のガスを除いたその他のガスを、ガス
の分子量×流量の値の大きいものから順に、最小流量ガ
スのガス供給ラインから離れたガス供給ラインから順に
供給するようにしたことを特徴とする混合ガスの供給方
法。 - 【請求項5】 複数のガス供給ラインを通して複数のガ
スを供給し、それ等の混合ガスをガスアウト部を通して
ガス使用対象へ供給する混合ガス供給方法に於いて、前
記複数のガス供給ラインの通路断面積Sと流通するガス
流量Qとの比Q/Sを等しくすると共に、最小の流量の
ガスを除いたその他のガスを、ガスの分子量×流量の値
の大きいものから順に、最小流量ガスのガス供給ライン
から離れたガス供給ラインから順に供給するようにした
ことを特徴とする混合ガスの供給方法。 - 【請求項6】 複数のガス供給ラインを通して複数のガ
スを供給し、それ等の混合ガスをガスアウト部を通して
ガス使用対象へ供給する混合ガス供給方法に於いて、前
記複数のガスの中の最小流量のガスをガスアウト部から
最も離れた位置に設けたガス供給ラインから供給すると
共に、各ガス供給ラインの通路断面積Sと流通するガス
流量Qとの比Q/Sを等しくし、更に最小の流量のガス
を除いたその他のガスを、ガスの分子量×流量の値の大
きいものから順に、最小流量ガスのガス供給ラインから
離れたガス供給ラインから順に供給するようにしたこと
を特徴とする混合ガスの供給方法。 - 【請求項7】 最大流量のガスの流通方向とガスアウト
部内を流れる混合ガスの流通方向が一直線状となるよう
にした請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求
項5又は請求項6に記載の混合ガスの供給方法。 - 【請求項8】 ガスアウト部に最も遠いガス供給ライン
から最小流量のガスを供給すると共に、最小流量のガス
を除いたその他のガスが同一流量であるか、または分子
量の小さいガスが小流量の場合には、前記最小流量のガ
スを除いたその他のガスを、ガスアウト部に最も近接し
たガス供給ラインから順に、ガスの分子量の大きいもの
から順に供給するようにした混合ガス供給装置に於い
て、各ガス供給ラインのバルブの中の少なくとも前記ガ
スアウト部に最も遠いガス供給ラインに介設するバルブ
を、バルブ本体のガス出口部と弁室とを連通するガス通
路の通路断面積を減少せしめて流通ガスの流速を高める
と共に、弁室内に設けた金属ダイヤフラム製弁体を弁座
へ当座及び離座させる構成のバルブとしたことを特徴と
する混合ガス供給装置。 - 【請求項9】 ガスの通路内にオリフィスガスケットを
設けて通路断面積を減少させるようにした請求項8に記
載の混合ガス供給装置。 - 【請求項10】 ガス通路の一部を細径として通路断面
積を減少させるようにした請求項8に記載の混合ガス供
給装置。 - 【請求項11】 ガス通路内へ金属ダイヤフラムに固着
したニードル体の先端を挿入することにより、通路断面
積を減少させるようにした請求項8に記載の混合ガス供
給装置。 - 【請求項12】 請求項1、請求項2又は請求項3に記
載の混合ガスの供給方法を使用することを特徴とする半
導体製造装置。 - 【請求項13】 請求項8に記載の混合ガスの供給装置
を具備することを特徴とする半導体製造装置。
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---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9233347B2 (en) | 2010-02-22 | 2016-01-12 | Fujikin Incorporated | Mixed gas supply device |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7980753B2 (en) | 1998-04-16 | 2011-07-19 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Systems and methods for managing fluids in a processing environment using a liquid ring pump and reclamation system |
US7871249B2 (en) * | 1998-04-16 | 2011-01-18 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Systems and methods for managing fluids using a liquid ring pump |
US20070119816A1 (en) * | 1998-04-16 | 2007-05-31 | Urquhart Karl J | Systems and methods for reclaiming process fluids in a processing environment |
US6799883B1 (en) * | 1999-12-20 | 2004-10-05 | Air Liquide America L.P. | Method for continuously blending chemical solutions |
US6883780B2 (en) * | 1998-10-09 | 2005-04-26 | Swagelok Company | Sanitary diaphragm valve |
US6394417B1 (en) | 1998-10-09 | 2002-05-28 | Swagelok Co. | Sanitary diaphragm valve |
EP1096351A4 (en) * | 1999-04-16 | 2004-12-15 | Fujikin Kk | FLUID SUPPLY DEVICE OF THE PARALLEL BYPASS TYPE, AND METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING THE FLOW OF A VARIABLE FLUID TYPE PRESSURE SYSTEM USED IN SAID DEVICE |
US6305400B1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-10-23 | Tri-Tech Medical Inc. | Medical gas emergency delivery system and method |
US6461962B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-10-08 | Tokyo Electron Limited | Etching method |
US6772781B2 (en) * | 2000-02-04 | 2004-08-10 | Air Liquide America, L.P. | Apparatus and method for mixing gases |
JP3872952B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2007-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
US6770145B2 (en) * | 2000-12-11 | 2004-08-03 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film |
JP4597440B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2010-12-15 | シーケーディ株式会社 | 半導体製造装置用ガス供給集積ユニット |
US6733621B2 (en) * | 2002-05-08 | 2004-05-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Venting apparatus and method for vacuum system |
US7192486B2 (en) * | 2002-08-15 | 2007-03-20 | Applied Materials, Inc. | Clog-resistant gas delivery system |
JP3854555B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2006-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
WO2004081428A2 (en) | 2003-03-07 | 2004-09-23 | Swagelok Company | Valve with adjustable stop |
JP4762890B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2011-08-31 | 株式会社カネカ | 透明導電膜の成膜方法 |
JP2006021149A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Sekisui Chem Co Ltd | ガス供給方法及びガス供給装置 |
JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
WO2006089110A1 (en) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Swagelok Company | Flow control device with flow adjustment mechanism |
US7422983B2 (en) * | 2005-02-24 | 2008-09-09 | International Business Machines Corporation | Ta-TaN selective removal process for integrated device fabrication |
US20070109912A1 (en) * | 2005-04-15 | 2007-05-17 | Urquhart Karl J | Liquid ring pumping and reclamation systems in a processing environment |
US7819118B2 (en) * | 2006-07-14 | 2010-10-26 | Tri-Tech Medical Inc. | Medical gas delivery method and apparatus |
GB0615722D0 (en) * | 2006-08-08 | 2006-09-20 | Boc Group Plc | Apparatus for conveying a waste stream |
FR2906480B1 (fr) * | 2006-10-02 | 2009-08-21 | Jean Luc Mussot | Dispositif de realisation de melanges gazeux. |
US8235580B2 (en) | 2006-10-12 | 2012-08-07 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Reclaim function for semiconductor processing systems |
KR100925734B1 (ko) * | 2007-08-06 | 2009-11-11 | 엘지전자 주식회사 | 의류 건조기 |
JP5372353B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2013-12-18 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置用ガス供給装置 |
JP5457021B2 (ja) | 2008-12-22 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置 |
JP5659969B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2015-01-28 | 株式会社島津製作所 | 低圧グラジエント装置 |
DE102012010522A1 (de) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Hydac Fluidtechnik Gmbh | Ventil für Ventilanordnung |
TWI505986B (zh) * | 2013-01-10 | 2015-11-01 | Nat Tsing Hua Unioversity | 石墨烯製備系統及方法 |
US9454158B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-09-27 | Bhushan Somani | Real time diagnostics for flow controller systems and methods |
JP6546867B2 (ja) | 2016-03-10 | 2019-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理プロセスを調整する方法 |
US20160296902A1 (en) | 2016-06-17 | 2016-10-13 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Deterministic feedback blender |
JP6683077B2 (ja) * | 2016-09-05 | 2020-04-15 | 住友電気工業株式会社 | ガラス合成用流体供給装置 |
US10983538B2 (en) | 2017-02-27 | 2021-04-20 | Flow Devices And Systems Inc. | Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller |
JP6869093B2 (ja) | 2017-04-27 | 2021-05-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN109210374B (zh) * | 2017-06-30 | 2021-06-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 进气管路及半导体加工设备 |
WO2019245592A1 (en) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | Versum Materials Us, Llc | Purge system for gas supply equipment capable of high-temperature high-pressure purging |
US10943769B2 (en) * | 2018-07-19 | 2021-03-09 | Lam Research Corporation | Gas distributor and flow verifier |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2774364A (en) * | 1954-03-17 | 1956-12-18 | Olga S Brobeil | Proportioning and dispensing means |
US3385680A (en) * | 1962-10-25 | 1968-05-28 | Mobil Oil Corp | Fluid blending system |
US3702619A (en) * | 1971-01-28 | 1972-11-14 | Shell Oil Co | In-line mixing apparatus for gases |
GB1364841A (en) * | 1971-08-12 | 1974-08-29 | British Oxygen Co Ltd | Fluid mixing |
US3750687A (en) * | 1972-04-28 | 1973-08-07 | Texaco Inc | Method and system for transporting different types of fluid in a pipeline |
US4142860A (en) * | 1976-06-23 | 1979-03-06 | Mayeaux Donald P | Apparatus for producing a calibration sample for analytical instrumentation |
AU530905B2 (en) * | 1977-12-22 | 1983-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
US4275752A (en) * | 1978-09-22 | 1981-06-30 | Collier Nigel A | Fluid flow apparatus and method |
SE448347B (sv) * | 1981-05-14 | 1987-02-16 | Siemens Elema Ab | Sett for blandning av gaser i forutbestemda proportioner |
JPS6291494A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-25 | Res Dev Corp Of Japan | 化合物半導体単結晶成長方法及び装置 |
US5192269A (en) * | 1991-07-24 | 1993-03-09 | Abbott Laboratories | Multi-valve manifold for drug infusion systems |
US5755428A (en) * | 1995-12-19 | 1998-05-26 | Veriflow Corporation | Valve having metal-to metal dynamic seating for controlling the flow of gas for making semiconductors |
-
1997
- 1997-01-13 JP JP00366797A patent/JP3442604B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-12 TW TW86101537A patent/TW416093B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-02-13 US US08/800,763 patent/US5950675A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-13 KR KR1019970004211A patent/KR100235380B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9233347B2 (en) | 2010-02-22 | 2016-01-12 | Fujikin Incorporated | Mixed gas supply device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW416093B (en) | 2000-12-21 |
US5950675A (en) | 1999-09-14 |
JPH09283504A (ja) | 1997-10-31 |
KR19980067879A (ko) | 1998-10-15 |
KR100235380B1 (ko) | 1999-12-15 |
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