JP3437734B2 - 製造装置 - Google Patents
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Description
しくはワークを真空中にて処理する処理室を大気中に開
放しないでワークの搬送を行うための真空予備室(ロー
ドロック室)を備えた半導体製造装置に関するものであ
る。
高速化及び省スペース化が要求されている。特に、ワー
クを真空中にて処理する処理室を備え、真空中にワーク
を搬送する必要のある半導体製造装置においては、大気
部でのワークの搬送タクト、真空部でのワークの搬送タ
クトを共に短縮するとともに、ワークの大口径化に伴う
装置の占有スペースの拡大を最小限に抑えることが要求
されている。
略平面図である。半導体製造装置61には、ウェハWに
対して真空中にて所定の処理を施す処理室62、ウェハ
Wを真空中にて搬送する真空搬送室63、及び、2つの
真空予備室(ロードロック室)64,65が備えられて
いる。真空搬送室63には、真空部での搬送を行う真空
搬送ロボット66が備えられている。
向する所定位置には、ウェハWを収容するキャリア6
7,68がそれぞれ載置され、前記ロードロック室6
4,65とキャリア67,68との間には、大気部での
搬送を行う大気搬送ロボット69が配備されている。大
気搬送ロボットは、キャリア67,68とロードロック
室64,65との間で未処理又は処理後のウェハWを搬
送する。
a,66bを備え、一方のアームに保持した未処理又は
処理後のウェハWと、ロードロック室64,65、処理
室62内のウェハWとを交換する。即ち、真空搬送ロボ
ット66は、ロードロック室64,65内の未処理のウ
ェハWと、一方のアームに保持した処理後のウェハWと
を交換する。また、真空搬送ロボット66は、一方のア
ームに保持した未処理のウェハWと、処理室62内の処
理後のウェハWと、一方のアームに保持した未処理のウ
ェハWとを交換する。
送室63との間、真空搬送室63と処理室62との間で
は、その時々に2枚のウェハWが搬送されていることに
なる。この構成により、1枚のウェハWをキャリア6
7,68から処理室62へ順次搬送する方法に比べて、
1枚のウェハWあたりの搬送時間を短縮することによ
り、半導体製造装置61における搬送タクトの短縮が図
られている。
ーム内に設置される半導体製造装置61において、キャ
リア67,68やロードロック室64,65等の大気搬
送部はウェハWのために比較的クリーン度の高い部分に
載置され、処理室62や真空搬送室63等の真空搬送部
はメンテナンスのためにクリーン度の低い部分に設置さ
れる。即ち、半導体製造装置61の大気搬送部はクリー
ン度が高く、真空搬送部はクリーン度の低い部分に設置
される。
では、ロードロック室64,65を水平方向に並べて配
置しているため、大気搬送部の占有面積が大きくなる。
そのため、クリーン度の異なる部分を区画するために、
クリーンルーム内に装置を設置する際重要とされる装置
前面部が大きくなってしまうことになる。
れたものであって、その目的はスループットを低下させ
ることなく大気搬送部の占有面積を小さくすることがで
きる真空予備室を備えた製造装置を提供することにあ
る。
め、請求項1に記載の発明は、搬送されたワークに対し
て真空にて所定処理を施す処理室と、前記処理室を大気
中に開放しないでワークの搬送を行うために設けられ、
それぞれ独立して真空排気と大気化とが行われる2つの
真空予備室と、前記真空予備室に収容されたワークが搬
送される共通搬送室と、前記共通搬送室と処理室との間
に設けられ、前記共通搬送室と処理室との間で前記ワー
クを搬送する真空搬送装置を備えた真空搬送室とを備え
た製造装置にあって、前記真空予備室は、前記共通搬送
室の上下に設けられ、前記真空予備室は、それぞれ、前
記共通搬送室の上下壁に形成された搬送通路と、前記共
通搬送室内に上下動可能に設けられ、前記ワークを保持
するホルダを備え、前記搬送通路を閉塞する閉塞位置
と、前記ホルダに保持した前記ワークが前記真空搬送装
置により搬送される真空搬送位置とに配置されるステー
ジと、前記共通搬送室の上下に設けられ、前記搬送通路
を閉塞する閉塞位置と、前記ホルダに保持した前記ワー
クを大気搬送装置により搬送可能な大気搬送位置とに配
置されるハッチとから構成されたことを要旨とする。
の製造装置において、前記ホルダは、前記ステージが真
空搬送位置にそれぞれ配置されたときに保持した前記ワ
ークが同一位置となるように設定されたことを要旨とす
る。
の製造装置において、前記ワークを処理する処理室を複
数備え、前記真空予備室はそれぞれ複数のワークを収容
し、前記真空搬送装置は複数のワークを同時に搬送する
ようにしたことを要旨とする。
ークには、処理室にて真空にて所定処理が施され、処理
室を大気中に開放しないでワークの搬送を行うために2
つの真空予備室が設けられ、それぞれ独立して真空排気
と大気化とが行われる。2つの真空予備室は共通搬送室
の上下に設けられ、真空予備室に収容されたワークが共
通搬送室に搬送される。そのワークは、共通搬送室と処
理室との間に設けられた真空搬送室に備えられた真空搬
送装置によって共通搬送室と処理室との間で搬送され
る。また、真空予備室は、それぞれ、共通搬送室の上下
壁に形成された搬送通路とステージとハッチとから構成
される。ステージは、共通搬送室内に上下動可能に設け
られ、ワークを保持するホルダを備え、搬送通路を閉塞
する閉塞位置と、ホルダに保持したワークが真空搬送装
置により搬送される真空搬送位置とに配置される。ハッ
チは、共通搬送室の上下に設けられ、搬送通路を閉塞す
る閉塞位置と、ホルダに保持したワークを大気搬送装置
により搬送可能な大気搬送位置とに配置される。
は、ステージが真空搬送位置にそれぞれ配置されたとき
に保持したワークが同一位置となるように設定され、真
空搬送装置は同じ動作にて両ホルダにワークを搬送す
る。
室にはそれぞれ複数のワークが収容され、真空搬送装置
によって複数のワークが同時に搬送される。
の形態を図1〜図7に従って説明する。図1は、本実施
形態の半導体製造装置1の概略平面図である。半導体製
造装置1には、処理室2、真空搬送室3、及び、真空予
備室4が備えられている。処理室2は、搬送されるワー
クとしてのウェハWに所定処理を施すために設けられて
いる。真空予備室4は、処理室2を大気中に開放しない
でウェハWの搬送を行うために設けられている。
れ、その真空搬送室3には処理室2と真空予備室4とが
相対向する位置に連結されている。尚、図1において、
真空搬送室3の残りの4つの辺には、2点鎖線で示す処
理室2が増設可能であり、合計5枚のウェハWを平行し
て処理する半導体製造装置として構成可能である。
真空搬送ロボット5が装備され、その真空搬送ロボット
5により真空中にて処理室2と真空予備室4との間でウ
ェハWの搬送を行うために設けられている。真空搬送ロ
ボット5は、2つの真空搬送アーム6a,6bを備えた
ロボットであり、両アーム6a,6bは腕部7の両端に
設けられている。両アーム6a,6bは、水平面内を回
動可能に設けられると共に水平方向に移動可能に設けら
れている。
室2と真空予備室4との間でウェハWの搬送を行う。即
ち、真空搬送ロボット5は、処理室2内の処理後のウェ
ハWを一方のアーム6a(,6b)にすくい取り、他方
のアーム6b(,6a)上の未処理のウェハWを処理室
2内に載置して、未処理のウェハWと処理後のウェハW
とを搬送する。また、真空搬送ロボット5は、真空予備
室4内の未処理のウェハWを他方のアーム6b(,6
a)にすくい取り、一方のアーム6a(,6b)上の処
理後のウェハWを真空予備室4内に載置して、未処理の
ウェハWと処理後のウェハWとを搬送する。このように
して、処理後のウェハWと未処理のウェハWとを1度に
搬送することにより、1枚のウェハWの搬送タクトの短
縮を図っている。
は、大気搬送ロボット8が装備されている。大気搬送ロ
ボット8は多関節のアームロボットであり、支持台9上
に第1腕部10a、第2腕部10b及び把持部11から
なる大気搬送アーム12を有している。第1腕部10a
は支持台9上に水平面内を回動可能に設けられるととも
にその回動軸に沿って上下動可能に設けられており、第
2腕部10bは第1腕部10aの先端部に、把持部11
は第2腕部10bの先端部にそれぞれ水平面内において
回動可能に設けられている。従って、把持部11は、水
平方向及び垂直方向に移動可能に支持されている。
には、それぞれキャリア13,14が配置されている。
キャリア13,14には、処理前のウェハWがロット単
位で収容され、所定位置に配置される。キャリア13,
14内のウェハWは水平状態で上下方向に縦列配置され
ている。未処理のウェハWは1枚ずつ順番に前記アーム
12により抜き取られ、真空予備室4に搬送される。ま
た、処理後のウェハWはアーム12により真空搬送室4
から搬送され、キャリア13,14内に収容される。
は図2のA−A線断面図である。真空予備室4には、直
方体状に形成された共通搬送室21が設けられている。
共通搬送室21は真空搬送室3と連結され、その連結部
において真空搬送室3と共通搬送室21との間で水平状
態のウェハWを水平方向(図2において左右方向)に搬
送する搬送通路22が形成されている。
送室21の内部と外部とを連通する搬送通路22が形成
されている。搬送通路22は、水平断面円形状に形成さ
れ、その内径は水平状態のウェハWが垂直方向に通過可
能な大きさに形成されている。そして、ウェハWは、搬
送通路22を介して共通搬送室21と図1に示されるキ
ャリア13,14との間で搬送される。
21の上壁21aを挟んでアップロードロックハッチ
(以下、単にアップハッチという)23とアップロード
ロックステージ(以下、単にアップステージという)2
4とが設けられている。アップハッチ23は、天井部を
有する筒状に形成され、その筒状部の内径は前記搬送通
路22の内径と略同一に形成されている。アップハッチ
23は、図示しないガイドにより上下方向に移動可能に
支持される。また、アップハッチ23は、アップ側ソレ
ノイド25によって、アップハッチ23の下端が共通搬
送室21の上壁21a上面に当接され搬送通路22上部
を閉塞する閉塞位置と、図5に示されるアップハッチ2
3の下端が共通搬送室21の上壁21a上面から所定の
高さとなる大気搬送位置とに切り替え配置される。
の内径よりも大きな直径の円盤状に形成されている。ア
ップステージ24には、支持部26が一側方に延出形成
され、その支持部26は共通搬送室21内に挿通された
シャフト27上端に連結され、シャフト27及び支持部
26によりアップステージ24が上下方向に移動可能に
支持されている。シャフト27は、図4に示されるアッ
プ側シリンダ28に連結され、そのアップ側シリンダ2
8が駆動制御されると該シリンダ28の駆動に基づいて
アップステージ24が上昇又は下降する。そして、アッ
プステージ24が上昇すると、上昇したアップステージ
24の上面が上壁21a下面に当接され、前記搬送通路
22が閉塞される。この時のアップステージ24の位置
を閉塞位置とする。
ードロックウェハホルダ(以下、単にアップホルダとい
う)29が設けられている。アップホルダ29は、ウェ
ハWをアップステージ24上面から所定高さに保持する
ために設けられている。そのウェハWは、図1中の真空
搬送ロボット5と大気搬送ロボット8により搬送され、
ダウンホルダ40に保持される。従って、アップホルダ
29は、真空搬送ロボット5のアーム6a,6b、大気
搬送ロボット8の載置部11によるウェハWの搬送に支
障のないように形成され配置されている。
うに、アップステージ24が閉塞位置にあるときに、保
持したウェハWが共通搬送室21の上壁21a上面より
も上方であって、大気搬送ロボット8の載置部11によ
り保持したウェハWをアップホルダ29上からすくい取
ることが可能に設定されている。更に、アップホルダ2
9の高さは、アップステージ24が所定位置まで下降し
たときに、真空搬送ロボット5のアーム6a(又はアー
ム6b)により保持したウェハWをアップホルダ29上
からすくい取ることが可能に設定されている。この時の
アップステージ24の位置を真空搬送位置とする。
ブ30とアップ側大気バルブ31とが接続されている。
前記搬送通路22は、閉塞位置に配置されたアップハッ
チ23とアップステージ24とにより上下が閉塞され
る。この状態でアップ側真空バルブ30を開に操作する
と、図示しない真空ポンプによって搬送通路22及びア
ップハッチ23内部が真空排気される。
ステージ24が下降して真空搬送位置に移動すると、ア
ップホルダ29に保持されたウェハWは、真空の共通搬
送室21内に搬送され、真空搬送ロボット5のアーム6
a,6bによりすくい取られ、図1中の処理室2へ搬送
される。逆に、アーム6a,6b上のウェハWはアップ
ホルダ29上に載置され、アップステージ24の上昇に
より搬送通路22内に搬送される。
アップステージ24とにより閉塞された状態でアップ側
大気バルブ31を開に操作すると、図示しない供給源か
ら窒素ガスが供給され、アップハッチ23及び搬送通路
22内が大気圧化される。そして、アップソレノイド2
5によりアップハッチ23が大気搬送位置に切り替え配
置されると、アップステージ23のアップホルダ29に
保持されたウェハWを大気搬送ロボット8の載置部11
によりすくい取られ、大気中にて図1中のキャリア1
3,14へ搬送される。逆に、キャリア13,14に収
容されているウェハWは、載置部11によりすくい取ら
れ大気搬送位置にあるアップステージ24のアップホル
ダ29上に載置される。この時、搬送通路22の下部は
アップステージ24により閉塞されているため、共通搬
送室21、ひいては真空搬送室3、及び、処理室2内が
真空に保たれる。
ステージ24により閉塞され、共通搬送室21内が真空
に保たれた状態でキャリア13,14とステージ24の
アップホルダ29との間で搬送される。また、ウェハW
は、搬送通路22がアップホルダ23により閉塞されて
真空となった状態でアップステージ24と真空搬送室3
との間で搬送される。従って、搬送通路22、アップハ
ッチ23、及び、アップステージ24は、処理室2を大
気中に開放しないで、キャリア13,14と真空搬送室
3との間でウェハWを搬送することを可能とする真空予
備室としてのアップロードロック室32を構成してい
る。
送室21の内部と外部とを連通する搬送通路33が形成
されている。搬送通路33は、水平断面円形状に形成さ
れ、その内径は水平状態のウェハWが垂直方向に通過可
能な大きさに形成されている。そして、ウェハWは、搬
送通路33を介して共通搬送室21と図1に示されるキ
ャリア13,14との間で搬送される。
21の下壁21bを挟んでダウンロードロックハッチ
(以下、単にダウンハッチという)34とダウンロード
ロックステージ(以下、単にダウンステージという)3
5とが設けられている。ダウンハッチ34は、底部を有
する筒状に形成され、その筒状部の内径は前記搬送通路
33の内径と略同一に形成されている。ダウンハッチ3
4は、図示しないガイドにより上下方向に移動可能に支
持される。また、ダウンハッチ34は、ダウン側ソレノ
イド36によって、ダウンハッチ34の上端が共通搬送
室21の下壁21b下面に当接され搬送通路33下部を
閉塞する閉塞位置と、図5に示されるダウンハッチ34
の上端が共通搬送室21の下壁21b下面から所定距離
下がった位置となる大気搬送位置とに切り替え配置され
る。
の内径よりも大きな直径の円盤状に形成されている。ダ
ウンステージ35には、支持部37が一側方に延出形成
され、その支持部37は共通搬送室21内に挿通された
シャフト38上端に連結され、シャフト38及び支持部
37によりダウンステージ35が上下方向に移動可能に
支持されている。シャフト38は、図4に示されるダウ
ン側シリンダ39に連結され、そのダウン側シリンダ3
9が駆動制御されると該シリンダ39の駆動に基づいて
ダウンステージ35が上昇又は下降する。そして、ダウ
ンステージ35が下降すると、下降したダウンステージ
35の下面が下壁21b上面に当接され、前記搬送通路
33が閉塞される。この時のダウンステージ35の位置
を閉塞位置とする。
ードロックウェハホルダ(以下、単にダウンホルダとい
う)40が設けられている。図3に示すように、ダウン
ホルダ40は断面L字状に形成され、ウェハWをダウン
ステージ35下面から所定距離に吊り下げ保持するため
に設けられている。そのウェハWは、図1中の真空搬送
ロボット5と大気搬送ロボット8により搬送され、ダウ
ンホルダ40に保持される。従って、ダウンホルダ40
は、真空搬送ロボット5のアーム6a,6b、大気搬送
ロボット8の載置部11によるウェハWの搬送に支障の
ないように形成され配置されている。
うに、ダウンステージ35が閉塞位置にあるときに、保
持したウェハWが共通搬送室21の下壁21b下面より
も下方であって、大気搬送ロボット8の載置部11によ
り保持したウェハWをダウンホルダ40上からすくい取
ることが可能に設定されている。更に、ダウンホルダ4
0の高さは、ダウンステージ35が所定位置まで上昇し
たときに、真空搬送ロボット5のアーム6a(又はアー
ム6b)により保持したウェハWをダウンホルダ40上
からすくい取ることが可能に設定されている。この時の
ダウンステージ35の位置を真空搬送位置とする。
ブ41とダウン側大気バルブ42とが接続されている。
前記搬送通路33は、閉塞位置に配置されたダウンハッ
チ34とダウンステージ35とにより上下が閉塞され
る。この状態でダウン側真空バルブ41を開に操作する
と、図示しない真空ポンプによって搬送通路33及びダ
ウンハッチ34内部が真空排気される。
ステージ35が上昇して真空搬送位置に移動すると、ダ
ウンホルダ40に保持されたウェハWは、真空の共通搬
送室21内に搬送され、真空搬送ロボット5のアーム6
a,6bによりすくい取られ、図1中の処理室2へ搬送
される。逆に、アーム6a,6b上のウェハWはダウン
ホルダ40上に載置され、ダウンステージ35の上昇に
より搬送通路33内に搬送される。
ダウンステージ35とにより閉塞された状態でダウン側
大気バルブ42を開に操作すると、図示しない供給源か
ら窒素ガスが供給され、ダウンハッチ34及び搬送通路
33内が大気圧化される。そして、ダウンソレノイド3
6によりダウンハッチ34が大気搬送位置に切り替え配
置されると、ダウンステージ34のダウンホルダ40に
保持されたウェハWを大気搬送ロボット8の載置部11
によりすくい取られ、大気中にて図1中のキャリア1
3,14へ搬送される。逆に、キャリア13,14に収
容されているウェハWは、載置部11によりすくい取ら
れ大気搬送位置にあるダウンステージ35のダウンホル
ダ40上に載置される。この時、搬送通路33の下部は
ダウンステージ35により閉塞されているため、共通搬
送室21、ひいては真空搬送室3、及び、処理室2内が
真空に保たれる。
ステージ35により閉塞され、共通搬送室21内が真空
に保たれた状態でキャリア13,14とステージ35の
ダウンホルダ40との間で搬送される。また、ウェハW
は、搬送通路33がダウンホルダ34により閉塞されて
真空となった状態でダウンステージ35と真空搬送室3
との間で搬送される。従って、搬送通路33、ダウンハ
ッチ34、及び、ダウンステージ35は、処理室2を大
気中に開放しないで、キャリア13,14と真空搬送室
3との間でウェハWを搬送することを可能とする真空予
備室としてのダウンロードロック室43を構成してい
る。
容されたウェハWは、共通搬送室21の上下に設けられ
たアップロードロック室32,ダウンロードロック室4
3を介して該共通搬送室21内に搬送される。そして、
共通搬送室21内のウェハWは、真空中にて真空搬送ロ
ボット5により処理室2へ搬送される。
垂直方向(図1における表裏方向)に展開された2つの
ロードロック室32,43を備えている。従って、本実
施形態のロードロック室32,43は、従来の半導体製
造装置61のように水平方向に配列されたロードロック
室64,65に比べて占有面積が小さくなる。
0の高さは、真空位置に配置された両ステージ24,3
5のホルダ29,40に保持されたウェハWが同じ位置
となるように設定されている。即ち、図2に示される真
空搬送位置に配置されたアップステージ24のアップホ
ルダ29に保持されたウェハWの位置と、図5に示され
る真空搬送位置に配置されたダウンステージ35のダウ
ンホルダ40に保持されたウェハWの位置は同じとな
る。
がアップ・ダウンの何れのホルダに29,40に保持さ
れているかと関わりなく、そのアーム6a,6bにより
ウェハWを搬送することができる。即ち、図6,図7に
示すように、真空搬送ロボット5は、アップホルダ29
にウェハWを搬送する動作と、ダウンホルダ40にウェ
ハWを搬送する動作が同じとなる。そのため、真空搬送
ロボット5に異なる搬送動作を行わせる場合に比べて動
作が単純となり、搬送動作を高速にすることができる。
ードロック室64,65を水平方向に展開しているた
め、各ロードロック室64,65に対してウェハWを搬
送させる搬送経路(ティーチングポイント)は、別々に
設定する必要がある。しかしながら、本実施形態の半導
体製造装置1では、2つのロードロック室32,43を
垂直方向に展開すると共に、両ロードロック室32,4
3を介して搬送されたウェハWを真空搬送ロボット5に
より受け渡しする位置が同じである。従って、ウェハW
を搬送させる搬送経路は1つとなるので、ティーチング
ポイントが少なくなる。
24の支持部26に連結されたシャフト27と、ダウン
ステージ35の支持部37に連結されたシャフト38
は、各軸中心が同一に形成されている。即ち、シャフト
38は、所定の内径を有する筒状に形成され、共通搬送
室21外部に設けられた支持部材44により上下動可
能、且つ、共通搬送室21内を真空保持可能に支持され
ている。そして、そのシャフト38内には、円柱状のシ
ャフト26が上下動可能、且つ、共通搬送室21内を真
空保持可能に挿通されている。
ブ46と真空室大気バルブ46とが設けられている。真
空搬送室3は、搬送室真空バルブ46が開操作されると
真空排気され、搬送室大気バルブ47が開操作されると
大気圧化される。搬送室真空バルブ46は、大気中のキ
ャリア13,14との間でウェハWを受け渡しする際に
低下する真空搬送室3の真空度を処理室2の真空度に合
わせるために設けられている。
室2の真空度まで真空排気すると、排気に時間がかかっ
てウェハWの搬送タクトが長くなる。そのため、両ロー
ドロック室32,43内を所定の圧力まで真空排気して
ウェハWを真空搬送室3内に搬送した後、処理室2の真
空度まで真空排気してウェハWを処理室2内へ搬送す
る。この構成により、両ロードロック室32,43の真
空排気の時間を短縮して搬送タクトを短くしている。
ロック機構の電気構成ブロック図である。ロードロック
機構には、制御装置48が設けられている。制御装置4
8には、アップ側ソレノイド25とダウン側ソレノイド
36が接続されている。制御装置48は、各ソレノイド
25,36を駆動制御し、各ハッチ23,34を大気搬
送位置と閉塞位置とに切り替え配置する。
ダ28とダウン側シリンダ39が接続されている。制御
装置48は、各シリンダ28,39を駆動制御し、各ス
テージ24,35を閉塞位置と真空搬送位置とに配置制
御する。更に、制御装置48には、真空搬送ロボット5
と大気搬送ロボット8が接続されている。制御装置48
は、真空搬送ロボット5を駆動制御し、真空搬送位置に
配置された各ステージ24,35のホルダ29,40に
保持されたウェハWと一方のアーム6a(又は6b)上
のウェハWとを交換して該ウェハWを搬送する。また、
制御装置48は、真空搬送ロボット5を駆動制御し、一
方のアーム6a(又は6b)上のウェハWと図1中の処
理室2内のウェハWとを交換して該ウェハWを搬送す
る。更に、制御装置48は、大気搬送ロボット8を駆動
制御し、図1中のキャリア13,14と各ステージ2
4,35との間でウェハWを搬送する。
ルブ30、アップ側大気バルブ31、ダウン側真空バル
ブ41、ダウン側大気バルブ42、搬送室真空バルブ4
5、及び、搬送室大気バルブ46が接続されている。制
御装置48は、各真空バルブ30,41,45を開制御
し、アップロードロック室32、ダウンロードロック室
43、及び、真空搬送室3を真空排気する。また、制御
装置48は、各大気バルブ31,42,46を開制御
し、アップロードロック室32、ダウンロードロック室
43、及び、真空搬送室3を大気化する。
装置1におけるロードロック機構の作用を説明する。こ
こで、アップロードロック室23に処理済のウェハWが
収容されている、即ち、アップステージ24のアップホ
ルダ29に処理済のウェハWが載置されている場合につ
いて説明する。この時、アップハッチ23及びアップス
テージ24は共に閉塞位置に配置されている。そして、
ダウンハッチ34は閉塞位置に、ダウンステージ35は
真空搬送位置に配置されているものとする。
制御装置48は、アップ側大気バルブ31を開制御し、
処理済のウェハWが収容されたアップロードロック室2
3を大気化する。次に、アップロードロック室23の大
気化が終了すると、制御装置48は、アップ側ソレノイ
ド25を駆動制御し、アップハッチ23を大気搬送位置
に切り替え配置する。そして、制御装置48は、大気搬
送ロボット8を駆動制御し、アップホルダ29に保持さ
れたウェハWを載置部11上にすくい取り、そのウェハ
Wをキャリア13,14に収容する。
8を駆動制御し、キャリア13,14に収容された未処
理のウェハWを載置部11上にすくい取り、そのウェハ
Wをアップホルダ29上に載置する。そして、制御装置
48は、アップ側ソレノイド25を駆動制御してアップ
ハッチ23を閉塞位置に切り替え配置した後、アップ側
真空バルブ31を開操作してアップロードロック室32
を真空排気する。
制御装置48は、真空搬送ロボット5を駆動制御し、処
理室2内の処理済のウェハWを一方のアーム6a,6b
上にすくい取り、他方のアーム6b,6a上の未処理の
ウェハWを処理室2内に収容する。そして、処理室2で
は、未処理のウェハWに対して所定処理が施される。
28を制御し、アップステージ24を真空搬送位置に配
置する。そして、制御装置48は、真空搬送ロボット5
を駆動制御し、アップホルダ29に保持された未処理の
ウェハWを他方のアーム6b,6aにすくい取り、一方
のアーム6a、6b上の処理済ウェハWをアップホルダ
29上に載置する。
ェハWの搬送を行う場合についても、上記アップロード
ロック室23を介してウェハWを搬送する場合と同じで
あるため、その説明を省略する。
ば、以下の効果を奏する。 (1)真空予備室4は、共通搬送室21と、その上下に
設けられたロードロック室32,43とから構成され
る。キャリア13,14に収容されたウェハWは、共通
搬送室21の上下に設けられたアップロードロック室3
2,ダウンロードロック室43を介して該共通搬送室2
1内に搬送される。そして、共通搬送室21内のウェハ
Wは、真空中にて真空搬送ロボット5により処理室2へ
搬送される。従って、本実施形態の半導体製造装置1
は、垂直方向に展開された2つのロードロック室32,
43を備えている。その結果、本実施形態のロードロッ
ク室32,43は、従来の半導体製造装置61のように
水平方向に配列されたロードロック室64,65に比べ
て占有面積が小さくなる。
し、ウェハWを保持するアップホルダ29とダウンホル
ダ40の高さは、真空位置に配置された両ステージ2
4,35のホルダ29,40に保持されたウェハWが同
じ位置となるように設定されている。従って、真空搬送
ロボット5は、ウェハWがアップ・ダウンの何れのホル
ダに29,40に保持されているかと関わりなく、その
アーム6a,6bによりウェハWを搬送することができ
る。その結果、真空搬送ロボット5に異なる搬送動作を
行わせる場合に比べて動作が単純となり、搬送動作を高
速にすることができる。また、ウェハWを真空搬送ロボ
ット5により受け渡しする位置が同じである。従って、
ウェハWを搬送させる搬送経路は1つとなるので、ティ
ーチングポイントを少なくすることができる。
態様で実施してもよい。上記実施形態において、各ロー
ドロック室32,43に複数のウェハWを収容可能に構
成して実施してもよい。例えば、図8に示すように、半
導体製造装置51に設けられた各ロードロック室32,
43(図8においてダウンロードロック室43は省略し
てある。)には、2枚のウェハWが収容される。そし
て、アップロードロックハッチ52及び図示しないアッ
プロードロックステージ等は、長円形状に形成されてい
る。真空搬送室53に備えられた真空搬送ロボット54
は、2つのアーム6a,6bが設けられた腕部7を2個
備え、同時に2枚のウェハWが搬送可能となっている。
そして、2つの処理室2が備えられ、2枚のウェハWを
同時に処理する。この構成により、同時に2枚のウェハ
Wの製造を行うことができるため、よりスループットを
向上させることができる。
4の形状を適宜変更して実施してもよい。例えば、四角
形筒状等の形状に変更して実施してもよい。また、ハッ
チ23,24全体が上下動するのではなく、ウェハWを
搬送可能に1部分のみが上下動する形状として実施して
もよい。
4、ダウンステージ35の支持部26,37に連結され
たシャフト27,38の軸中心を同一としたが、軸中心
を別々な構成として実施しても良い。
ップ側ソレノイド25とダウン側ソレノイド36とを用
いてアップハッチ23、ダウンハッチ34を切り替え配
置するようにしたが、シリンダ、モータ等の他の駆動手
段を用いて実施しても良い。また、駆動手段としてアッ
プ側シリンダ28とダウン側シリンダ39とを用いてア
ップステージ24とダウンステージ35とを上下動させ
るようにしたが、シリンダ、モータ等の他の駆動手段を
用いて実施しても良い。
ェハ(半導体基板)を処理するための半導体製造装置に
具体化したが、サファイア基板LCDやPDP等に用い
られるガラス基板等の他のワークを搬送し処理する製造
装置に具体化して実施しても良い。その場合において
も、上記実施形態と同様の作用及び効果を得ることがで
きる。
スループットを低下させることなく大気搬送部の占有面
積を小さくすることが可能な真空予備室を備えた製造装
置を提供することができる。
側断面図。
側断面図。
側断面図。
Claims (3)
- 【請求項1】 搬送されたワークに対して真空にて所定
処理を施す処理室と、 前記処理室を大気中に開放しないでワークの搬送を行う
ために設けられ、それぞれ独立して真空排気と大気化と
が行われる2つの真空予備室と、 前記真空予備室に収容されたワークが搬送される共通搬
送室と、 前記共通搬送室と処理室との間に設けられ、前記共通搬
送室と処理室との間で前記ワークを搬送する真空搬送装
置を備えた真空搬送室とを備えた製造装置にあって、 前記真空予備室は、前記共通搬送室の上下に設けられ、 前記真空予備室は、それぞれ、 前記共通搬送室の上下壁に形成された搬送通路と、 前記共通搬送室内に上下動可能に設けられ、前記ワーク
を保持するホルダを備え、前記搬送通路を閉塞する閉塞
位置と、前記ホルダに保持した前記ワークが前記真空搬
送装置により搬送される真空搬送位置とに配置されるス
テージと、 前記共通搬送室の上下に設けられ、前記搬送通路を閉塞
する閉塞位置と、前記ホルダに保持した前記ワークを大
気搬送装置により搬送可能な大気搬送位置とに配置され
るハッチとから構成された 製造装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の製造装置において、 前記ホルダは、前記ステージが真空搬送位置にそれぞれ
配置されたときに保持した前記ワークが同一位置となる
ように設定された 製造装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の製造装置において、前記ワークを処理する処理室を複数備え、前記真空予備
室はそれぞれ複数のワークを収容し、前記真空搬送装置
は複数のワークを同時に搬送するようにした 製造装置。
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