JP3425428B2 - Method of removing dielectric material from metal surface - Google Patents
Method of removing dielectric material from metal surfaceInfo
- Publication number
- JP3425428B2 JP3425428B2 JP2001071396A JP2001071396A JP3425428B2 JP 3425428 B2 JP3425428 B2 JP 3425428B2 JP 2001071396 A JP2001071396 A JP 2001071396A JP 2001071396 A JP2001071396 A JP 2001071396A JP 3425428 B2 JP3425428 B2 JP 3425428B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- direct current
- mirror
- metal substrate
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F5/00—Electrolytic stripping of metallic layers or coatings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】本発明は、全米航空宇宙局により認定され
たNAS1-19039での政府援助により行われた。米国政府
は、本特許に一定の権利を有する。This invention was made with government support under NAS 1-19039, certified by the National Aeronautics and Space Administration. The US Government has certain rights in this patent.
【０００２】[0002]
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には、金属表面
から被覆を除去する方法に関し、そしてより特定すれ
ば、ニッケルの表面から誘電性物質を除去する方法に関
する。FIELD OF THE INVENTION This invention relates generally to methods for removing coatings from metal surfaces, and more particularly to methods for removing dielectric materials from nickel surfaces.
【０００３】[0003]
【従来技術の説明】軌道周回衛星上で用いられるミラー
（鏡）は、過重な要求を含む環境的および機械的条件下
で操業しなければならず、そして極端に正確を期する仕
様に適合しなければならない。従って、それらは、製作
に極端にコストがかかる。例えば、約２平方インチの小
さいモザイク状の薄い高度に磨いたミラーセグメントの
製造コストは、約＄50,000である。標準的には、一つの
軌道周回衛星上に、多数のこれらミラーセグメントが存
在する。2. Description of the Prior Art Mirrors used on orbiting satellites must operate under environmental and mechanical conditions, including excessive demands, and meet extremely precise specifications. There must be. Therefore, they are extremely expensive to manufacture. For example, the manufacturing cost of a small mosaic thin highly polished mirror segment of about 2 square inches is about $ 50,000. There are typically a large number of these mirror segments on one orbiting satellite.
【０００４】このようなミラーのセグメントの一部が、
図１に、ディボット(divot) １５の回りの断面透視図と
して示されている。全体として番号１０で示されている
このミラーは、高度に磨かれたミラー面１４を有するニ
ッケル基材もしくは要素１２を含む。ニッケルは0.14Mm
ho/cm の導電率を有し、そして腐食耐久性である。この
ミラー面１４の上に、それをシールするために二酸化ケ
イ素の層１６が蒸着されている。この層は、重合体状の
二酸化ケイ素もしくは他の組成のＳｉＯX（X≧２）であ
る。ミラー面１４は、そこに形成されたディボット１５
のアレイを有する。これらのディボット１５は、くぼん
だ半球状表面のように見える。推奨される態様では、こ
のアレイは、10列と11行で、これらディボットを形成さ
せるのにはボールベアリングが用いられる。被覆する
と、これらディボットは 350nmから2500nmの波長範囲に
わたって84％以上の反射率を有し、そしてこのミラー面
１５の全体としての反射率は90％以上である。次いで、
層１６の上に酸化ケイ素と酸化クロムの混合物の層１８
が蒸着される。この層１８は、硬化、シールおよび、こ
の反射ミラーとしての性質を生じさせるのに役立つ。推
奨される態様では、層１８は、50％の酸化クロムと50％
の二酸化ケイ素の混合物であり、そしてＥＭ工業(EM In
dustries)により製造され、EM Black ATMという商標で
販売されている。次いで、このミラーをさらにシールす
るためにＳｉＯX のもう一つの薄層２０を蒸着させ
る。その後、このミラーの反射率と散乱性を改善するた
めにアルミニウムの層２２を蒸着させる。良く知られて
いるように、アルミニウムは、空気に接触すると酸化さ
れるので、酸化ケイ素ＳｉＯX の層２４が蒸着され、
その下層をシールし、硬化しそして、そのアルミニウム
の腐食を防ぐ。A part of the segment of such a mirror is
Shown in FIG. 1 as a cross-sectional perspective view around the divot 15. This mirror, generally designated by the numeral 10, comprises a nickel substrate or element 12 having a highly polished mirror surface 14. 0.14 Mm for nickel
It has a conductivity of ho / cm and is corrosion resistant. A layer 16 of silicon dioxide is deposited on the mirror surface 14 to seal it. This layer is polymeric silicon dioxide or other composition of SiO x (X ≧ 2). The mirror surface 14 has a divot 15 formed thereon.
With an array of. These divots 15 look like concave hemispherical surfaces. In the preferred embodiment, the array is 10 columns and 11 rows and ball bearings are used to form these divots. When coated, these divots have a reflectance of greater than 84% over the wavelength range of 350 nm to 2500 nm, and the overall reflectance of this mirror surface 15 is greater than 90%. Then
Layer 18 of a mixture of silicon oxide and chromium oxide on top of layer 16
Is deposited. This layer 18 helps to cure, seal, and provide its reflective mirror properties. In the preferred embodiment, layer 18 is 50% chromium oxide and 50%.
Is a mixture of silicon dioxide of
dustries) and is sold under the trademark EM Black A TM . Then, another thin layer 20 of SiO X depositing to further seal the mirror. Thereafter, a layer 22 of aluminum is deposited to improve the reflectivity and scattering of this mirror. As is well known, aluminum oxidizes on contact with air, so a layer 24 of silicon oxide SiO x is deposited,
The underlayer seals, cures, and prevents corrosion of the aluminum.
【０００５】これら衛星で用いられるミラー１０では、
ニッケル基材１２の厚さは 0.080インチ、層１６の厚さ
は 500オングストローム、層１８の厚さは3000オングス
トローム、層２０の厚さは 500オングストローム、アル
ミニウム層２２の厚さは2000オングストロームそして、
シーリング用外層２４の厚さは1000オングストロームで
ある。In the mirror 10 used in these satellites,
Nickel substrate 12 has a thickness of 0.080 inches, layer 16 has a thickness of 500 angstroms, layer 18 has a thickness of 3000 angstroms, layer 20 has a thickness of 500 angstroms, and aluminum layer 22 has a thickness of 2000 angstroms.
The thickness of the sealing outer layer 24 is 1000 angstroms.
【０００６】最近、衛星での必要条件を満たした適格の
ミラーセグメントの全バッチが、摩耗(abrasion)から光
‐散乱ディボットを保護するために用いられたアクリル
重合体樹脂で汚染されていた。これらの汚染されたミラ
ーセグメントは、そのミラーを作製する次の工程で使用
できないとして処分された。次工程は、金属層および誘
電体層の多層真空蒸着被覆を適用する必要があった。そ
こで、全てのこのミラーセグメントは、失敗した被膜で
汚染されているとして廃棄された。予定されていた飛行
のための真空被覆加工用のミラーは残っておらず、新し
いミラーを電鋳し(electroform) 、研磨し、そして清浄
化するのに要する時間のために、スケジュールが遅延す
る原因になった。従って、不適切に真空被覆されたこれ
ら適格ミラーを、その基材上の高度に磨かれているニッ
ケル表面を傷つけることなしに、助ける必要があった。Recently, all batches of qualified mirror segments that met satellite requirements have been contaminated with the acrylic polymer resin used to protect the light-scattering divot from abrasion. These contaminated mirror segments were disposed of as unusable in the next step of making the mirror. The next step needed to apply a multi-layer vacuum deposition coating of metal and dielectric layers. So all this mirror segment was discarded as contaminated with the failed coating. No vacuum coating mirrors left for the scheduled flight, causing delays in schedule due to the time it takes to electroform, polish and clean a new mirror Became. Therefore, there was a need to assist these improperly vacuum coated qualifying mirrors without damaging the highly polished nickel surface on the substrate.
【０００７】過去には、金属メッキ工業で、金属メッキ
を剥がすために、即ち、ステンレス鋼または他の金属基
材から無電解ニッケル、銅または金を剥がすために、電
気清浄化処理(electrocleaning process) が用いられて
きた。この電気清浄化処理では、その基材を、カ性、ア
ルカリ溶液中に浸漬し、電極を通じて8 ボルト以下の電
圧を適用し、金属メッキが除去されるまで、5 から30秒
の間処理した。In the past, in the metal plating industry, an electrocleaning process for stripping metal plating, ie stripping electroless nickel, copper or gold from stainless steel or other metal substrates. Has been used. In this electrocleaning process, the substrate was immersed in a caustic, alkaline solution and a voltage of less than 8 volts was applied through the electrodes for 5 to 30 seconds until the metal plating was removed.
【０００８】このような電気清浄化法は、フェラス（fe
rrous）系金属基材上にメッキされた金属を除去する能
力があることが知られている。この電気清浄化処理は、
この基材から、ガラス、誘電体を除去できないことも知
られている。さらに、この電気清浄化溶液はカ性（caus
tic）であるから、ニッケルミラーの研磨ミラー面を損
傷するに違いないと信じられていた。[0008] Such an electric cleaning method has
It is known to have the ability to remove metal plated on rrous type metal substrates. This electrical cleaning process
It is also known that glass and dielectric cannot be removed from this substrate. In addition, this electrocleaning solution
It was believed that it would damage the polished mirror surface of the nickel mirror.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】それ故、必要なこと
は、ニッケル基材の高度に研磨された表面から、その研
磨面を損傷せずに、一種またはそれ以上の誘電体被覆お
よび金属被覆を除去する方法である。これは、衛星用ミ
ラーに使用するのに適格な、汚染された、そして高価な
ニッケルミラー・セグメントを、再加工して、衛星用ミ
ラーに再利用することを可能にするであろう。そしてま
た、これは、この汚染したミラーを廃棄するのを避け、
衛星製造コストを下げ、そして、その衛星打上げのスケ
ジュールを守るであろう。Therefore, what is needed is a highly polished surface of a nickel substrate to provide one or more dielectric and metallizations without damaging the polished surface. It is a method of removing. This would allow the contaminated and expensive nickel mirror segments suitable for use in satellite mirrors to be reworked and reused in satellite mirrors. And again, this avoids throwing away this contaminated mirror,
It will lower satellite manufacturing costs and keep the satellite launch schedule.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】伝導性要素の表面から誘
電性被覆を除去する方法は、その被覆された要素を塩基
性溶液に浸漬すること、その溶液に直流電流を適用する
こと、および、その直流電流の極性を転極することを含
む。その溶液を撹拌するために、空気が吹込まれる。そ
の後、その伝導性要素は、電流の方向が逆にされた時
に、銅のラックから、そのニッケル基材上にメッキされ
た銅を除去するために、酸性浴に浸漬される。この塩基
性溶液は、カ性およびアルカリ性で、そしてステンレス
鋼の容器に入れられており、そしてその伝導性要素は、
ニッケルであって、そして銅のラックで運ばれる。SUMMARY OF THE INVENTION A method of removing a dielectric coating from the surface of a conductive element comprises dipping the coated element in a basic solution, applying a direct current to the solution, and Including the polarity of the direct current. Air is blown in to stir the solution. The conductive element is then immersed in an acid bath to remove the copper plated on the nickel substrate from the copper rack when the current direction is reversed. The basic solution is caustic and alkaline, and is contained in a stainless steel container, and its conductive element is
It is nickel and is shipped in a copper rack.
【００１１】本発明の前述の目的と追加の目的および利
点は、下の詳細な説明と添付した図面から明らかになる
であろう。これらの図面および記載された説明の中で、
番号は、本発明の様々な要素を示し、描かれている図お
よび記載されている説明の両方を通じて、同様の要素に
は同様の番号が付けられている。The above as well as additional objectives and advantages of the present invention will become apparent in the following detailed written description and the accompanying drawings. In these figures and the written description,
Numbers indicate various elements of the invention, and like elements are numbered alike throughout both the depicted figures and the described description.
【００１２】[0012]
【好適な態様の詳細な説明】図１の断面図に例示されて
いるように、そして前に説明したように、ミラー１０
は、高度に磨かれたミラー面１４を有するニッケル基材
１２、二酸化ケイ素の層１６、EM Black ATMの層１８
（酸化ケイ素と酸化クロムを含む混合物）、酸化ケイ素
のシーリング層２０、ミラーの散乱性を改善するアルミ
ニウムの層２２、および、下層をシールし、そして硬化
し、そしてアルミニウムの壊変あるいは腐食を防ぐため
の二酸化ケイ素の層２４、を含む。Detailed Description of the Preferred Embodiments Mirror 10 as illustrated in the cross-sectional view of FIG. 1 and as previously described.
Is a nickel substrate 12 having a highly polished mirror surface 14, a layer 16 of silicon dioxide, a layer 18 of EM Black A ™ .
(A mixture containing silicon oxide and chromium oxide), a sealing layer 20 of silicon oxide, a layer 22 of aluminum that improves the scattering properties of the mirror, and an underlayer to seal and cure and to prevent disintegration or corrosion of the aluminum. A layer of silicon dioxide 24.
【００１３】図２を参照すると、ニッケル基材１２の研
磨された表面１４から、その表面１４を損傷することな
く、誘電性層１６、２０および２４と金属層１８および
２２を除去する方法が、例示されている。Referring to FIG. 2, a method of removing the dielectric layers 16, 20 and 24 and the metal layers 18 and 22 from the polished surface 14 of the nickel substrate 12 without damaging the surface 14 is described. It is illustrated.
【００１４】この方法は、全体として、番号５０で例示
されている装置を含み、この装置は、直流電源５２およ
び電気伝導性材料、望ましくはステンレス鋼で造られた
容器５４あるいはタンクを含む。この直流電源５２は、
導線５６および５８と転極器(reversing switch)６０を
含む。The method generally comprises an apparatus illustrated at 50, which includes a direct current power source 52 and a container 54 or tank made of electrically conductive material, preferably stainless steel. This DC power supply 52 is
Includes conductors 56 and 58 and a reversing switch 60.
【００１５】この容器５４は、ミラー支持体６６を有す
る伝導性ラック６４を含み、そしてステンレス鋼で作製
されているのが望ましい。この容器の二つの側壁を通し
て非伝導性のバー６８が取付けられており、そのラック
を容器内に保持しているが、その壁には接触しておら
ず、それから上方に突き出ていて、導線５６に接続する
ためのアノードとして役立つ末端を有している。従っ
て、その容器からラックへの直接の電気伝導性の通路は
存在しない。導線５８は、カソードとして役立つ容器５
４上の末端に連結されている。この容器５４は、カ性溶
液７０で満たされ、これは本来アルカリ性または塩基性
で、７より大きいｐＨを有する。この推奨される態様で
は、溶液７０は、Oakite Products,Inc.で製造、販売さ
れているOakite 90 である。前に説明しように、ミラー
１０は、そのディボットが10列11行のマトリックスを形
成しているような多重のミラーセグメントを含む。一つ
のミラーセグメントが、銅製の支持体６６とニッケル基
材１２の間に、複数の接点で、ミラー支持体６６の上に
取付けられる。これは、導線５６から、カ性溶液７０に
より導線５８から電気的に隔離されているミラーセグメ
ント１０への電気的通路を保証する。The container 54 includes a conductive rack 64 having a mirror support 66 and is preferably made of stainless steel. A non-conductive bar 68 is attached through the two side walls of the container and holds the rack within the container, but does not touch the wall and protrudes upwardly from it to extend the wire 56. Has an end serving as an anode for connection to. Therefore, there is no direct electrically conductive path from the container to the rack. Conductor 58 is a container 5 that serves as the cathode.
4 is linked to the end. The vessel 54 is filled with a caustic solution 70, which is alkaline or basic in nature and has a pH greater than 7. In this recommended embodiment, solution 70 is Oakite 90 manufactured and sold by Oakite Products, Inc. As previously described, the mirror 10 includes multiple mirror segments whose divot form a matrix of 10 columns and 11 rows. A single mirror segment is mounted on the mirror support 66 with multiple contacts between the copper support 66 and the nickel substrate 12. This assures an electrical path from the conductor 56 to the mirror segment 10 which is electrically isolated from the conductor 58 by the caustic solution 70.
【００１６】空気供給装置８０が、この溶液７０に気泡
を吹込む。これは、この溶液をかき混ぜ、そして、次に
説明するように、基材から、一つまたはそれ以上の金属
層または誘電体層が除去された後も、液が良く混合され
るように維持する。代替法として、かき混ぜは、その溶
液に対して、そのラックを相対的に回転することによっ
ても達成される。The air supply device 80 blows bubbles into the solution 70. This agitates the solution and, as described next, keeps the liquid well mixed even after the one or more metal or dielectric layers have been removed from the substrate. . Alternatively, agitation is also achieved by rotating the rack relative to the solution.
【００１７】140°F〜160°Fの温度でこの溶液７０を用
いる操業において、直流電源５２と空気供給装置に電圧
を加える。加える電圧の水準は、4-6 ボルトの間であ
る。その後まもなく誘電体および金属の層の厚さが減り
始めるが、見たところ全体としては除去されない。最
初、その溶液７０は泡立っているように見える。この理
由は分からないが、カ性溶液と誘電体層１６との化学反
応に因る結果であると信じられる。部分的に、この工程
を通じて、転極スイッチ６０を回し [トグル(toggle)]
その溶液を通る直流電流の極性を逆転させる。この電流
は、周期的に一回もしくはそれ以上逆転される。これに
より、層２４、２２、２０、１８および１６の全てが除
去され、そして剥ぎ取られることが見いだされた。EM B
lack ATM層が除去されるにつれて、眼に見える色の変化
が観測され、この変化中に、Black Aは緑もしくは紫色
に見え、この層が除去されるとこれらの色も消えた。In operation with this solution 70 at temperatures between 140 ° F. and 160 ° F., voltage is applied to the DC power supply 52 and the air supply. The level of applied voltage is between 4-6 volts. Shortly thereafter, the thickness of the dielectric and metal layers begins to decrease, but is not totally removed. Initially, the solution 70 appears foamy. The reason for this is unknown, but it is believed to be the result of a chemical reaction between the caustic solution and the dielectric layer 16. Partially through this process, turning the reversing switch 60 [toggle]
Reverse the polarity of the direct current through the solution. This current is periodically reversed one or more times. This was found to remove and strip all of layers 24, 22, 20, 18, and 16. EM B
As the lack A TM layer was removed, visible color changes were observed, during which Black A appeared green or purple, and when the layer was removed these colors also disappeared.
【００１８】場合により、そのラックから溶液に溶けて
いる銅の薄い層が、表面１４に再沈着することが見いだ
された。これを除去するために、ラック６４を溶液から
持ち上げ、そしてニッケル基板を取り外す。次いで、そ
れを、過フッ素酸アンモニウム（ammonium perfluorat
e）、望ましくはEnthone Inc.により製造されている Ac
tane 97を含む酸性浴に浸漬し、再沈着した銅材料の薄
層を除去する。驚くべきことに、この磨かれたニッケル
表面１５は、苛酷なカ性溶液により、眼に見える程の損
傷を受けなかった。In some cases it was found that a thin layer of copper in solution from the rack redeposited on surface 14. To remove this, the rack 64 is lifted from the solution and the nickel substrate is removed. It is then treated with ammonium perfluorate (ammonium perfluorat).
e), preferably Ac manufactured by Enthone Inc.
Dip in an acidic bath containing tane 97 to remove the thin layer of redeposited copper material. Surprisingly, the polished nickel surface 15 was not visibly damaged by the harsh caustic solution.
【００１９】参考として、本発明で用いられるこの電圧
レベルは、ステンレス鋼またはフェラス金属基材から金
属層を除去するために従来技術の電気清浄化処理で用い
られている 8ボルトより低い。As a reference, this voltage level used in the present invention is lower than the 8 volts used in prior art electrical cleaning processes to remove metal layers from stainless steel or ferrous metal substrates.
【００２０】この酸性浴から取出すと、ニッケル基材１
２は、その被覆金属層および誘電体層の全て除去し、そ
して実際には、その表面１５は、再加工のために用意さ
れる。そのニッケル基材を、直ぐに、真空蒸着チャンバ
ーに入れ、その上に、誘電体および金属の新しい層を蒸
着する。従って、その表面を清浄化し、そして準備する
ための標準の表面調整プラズマ放電工程は不要になる。
これは、さらに、ニッケル基材を再加工またはやり直し
するための製造コストを低減する。When taken out of this acidic bath, the nickel base material 1
2 removes all of its coated metal and dielectric layers, and in practice its surface 15 is ready for rework. The nickel substrate is immediately placed in a vacuum deposition chamber on which a new layer of dielectric and metal is deposited. Therefore, the standard surface-conditioned plasma discharge step to clean and prepare the surface is not required.
This further reduces manufacturing costs for reworking or reworking the nickel substrate.
【００２１】本発明は、少なくともニッケル程度に伝導
性である、他の金属基材から誘電体層と金属層を除去す
るために利用できると信じられる。本発明は、ニッケル
基材を用いて説明されているが、この技術分野の習熟者
は、この方法は、他の伝導性材料から誘電体層と金属層
を除去するのに利用できることを認めるに違いない。さ
らに、本発明は、カ性溶液を通る直流電流の極性を転極
させることを含むところの磨かれた金属表面から誘電体
層を除去する新規の方法に関することを認識すべきであ
る。この新規の方法を構成する個々の工程は、それら自
身では新しいわけではない。しかし、ニッケル基材か
ら、その研磨された鏡面を損傷することなしに誘電体材
料を完全に除去するために、それらを組合わせて適用す
ることが、新しくて新規なのである。It is believed that the present invention can be used to remove dielectric and metal layers from other metal substrates that are at least as conductive as nickel. Although the present invention has been described using a nickel substrate, those skilled in the art will recognize that this method can be used to remove dielectric and metal layers from other conductive materials. Must. Further, it should be appreciated that the present invention relates to a novel method of removing a dielectric layer from a polished metal surface that involves reversing the polarity of a direct current through a caustic solution. The individual steps that make up this new method are not new by themselves. However, it is new and novel to apply them in combination to completely remove the dielectric material from a nickel substrate without damaging its polished mirror surface.
【００２２】現時点で、本発明の推奨される実施態様で
あると考えられることが説明されたが、その中で、様々
な修飾がなされ得ることが理解されるであろうし、そし
て、付記された特許請求の範囲に、本発明の真の精神と
範囲内に入るであろう全てのそのような修飾を包含させ
ることを意図するものである。While it has been described at this time that the present invention is considered to be the preferred embodiment, it will be appreciated that various modifications can be made and added. It is intended that the claims cover all such modifications as would fall within the true spirit and scope of the invention.
【図１】図１は、本発明の方法に従って、除去されるべ
きである金属および誘電体の多重層で被覆されたミラー
セグメントの断面透視図である。FIG. 1 is a cross-sectional perspective view of a mirror segment coated with multiple layers of metal and dielectric to be removed according to the method of the present invention.
【図２】図２は、本発明の方法に従って、研磨されたミ
ラー表面からの金属および誘電体の層の除去を例示して
いるところの溶液に浸漬されたミラーの概略透視図であ
る。FIG. 2 is a schematic perspective view of a solution-immersed mirror illustrating removal of metal and dielectric layers from a polished mirror surface in accordance with the method of the present invention.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ビリー・ディー・シャンクリン アメリカ合衆国カリフォルニア州90703, サーリトス，イーストマン・ストリート 12102 (56)参考文献 特開 昭63−311000（ＪＰ，Ａ) ***国特許939659（ＤＥ，Ｂ) 欧州特許出願公開1152072（ＥＰ，Ａ １) 間宮富士雄著、「表面清浄技術」、初 版、槇書店、1993年11月、Ｐ118−119 Ｅｌｅｋｔｒｏｎ．Ｏｂｒａｂ．Ｍａ ｔｅｒ．（1988），（６），79−80 Ｃ ＯＤＥＮ： ＥＯＢＭＡＦ； ＩＳＳ Ｎ： 0013−5739 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25F 5/00 C25F 7/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Billy Dee Shanklin 12102, Eastman Street, Saaritos, California 90703, USA United States Patent No. 63-311000 (JP, A) West German Patent 939659 (DE, B) European patent application publication 1152072 (EP, A 1) Fujio Mamiya, "Surface cleaning technology", first edition, Maki Shoten, November 1993, P118-119 Elektron. Obrab. Mater. (1988), (6), 79-80 CODEN: EOBMAF; ISS N: 0013-5739 (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C25F 5/00 C25F 7/00
Claims (7)
する方法であって： その被覆された要素を塩基性溶液に浸漬する工程； その溶液に直流電流を適用する工程；および その直流電流の極性を転極する工程、を含み、 該伝導性要素がニッケルを含む方法。1. A method of removing a dielectric coating from the surface of a conductive element comprising: immersing the coated element in a basic solution; applying a direct current to the solution; and the direct current. Reversing the polarity of the method, wherein the conductive element comprises nickel.
する方法であって： その被覆された要素を塩基性溶液に浸漬する工程； その溶液に直流電流を適用する工程；および その直流電流の極性を転極する工程、を含み、 その塩基性溶液が、電気伝導性容器の中に入っており、
そして、その伝導性要素は電気伝導性のラックで運ば
れ、該直流電流は該ラックに連結されている第１端子と
該容器に連結されている第２端子とを有している直流電
源により供給される、方法。2. A method of removing a dielectric coating from the surface of a conductive element: immersing the coated element in a basic solution; applying a direct current to the solution; and its direct current. The step of reversing the polarity of is, the basic solution is contained in an electrically conductive container,
The conductive element is then carried in an electrically conductive rack and the direct current is supplied by a direct current power supply having a first terminal connected to the rack and a second terminal connected to the container. Supplied, method.
する方法であって： その被覆された要素を塩基性溶液に浸漬する工程； その溶液に直流電流を適用する工程；および その直流電流の極性を転極する工程、を含み、 その溶液に、それを撹拌するために空気を吹込み、そし
てその中で、除去された誘電性被覆を混合する工程をさ
らに含む、方法。3. A method of removing a dielectric coating from the surface of a conductive element: immersing the coated element in a basic solution; applying a direct current to the solution; and its direct current. Reversing the polarity of the method of claim 1, further comprising blowing air into the solution to agitate it and mixing therein the removed dielectric coating.
する方法であって： その被覆された金属基材を塩基性溶液に浸漬する工程； その溶液に直流電流を適用する工程；および その直流電流の極性を転極する工程、を含み、 その金属基材がニッケルを含み、そして誘電体で被覆さ
れている研磨されている表面を有し、その研磨表面を損
傷することなく、該誘電体が除去される、方法。4. A method of removing a dielectric coating and a metal layer from a metal substrate, comprising: immersing the coated metal substrate in a basic solution; applying a direct current to the solution; and Reversing the polarity of the direct current, the metal substrate comprising nickel and having a polished surface that is coated with a dielectric, without damaging the polished surface, The method, wherein the dielectric is removed.
する方法であって： その被覆された金属基材を塩基性溶液に浸漬する工程； その溶液に直流電流を適用する工程；および その直流電流の極性を転極する工程、を含み、 その金属基材を、さらに電気伝導性ラックと電気的に接
触させ、そしてその塩基性溶液は電気伝導性容器に入れ
られている、方法。5. A method of removing a dielectric coating and a metal layer from a metal substrate comprising: immersing the coated metal substrate in a basic solution; applying a direct current to the solution; and Reversing the polarity of the direct current, the metal substrate is further in electrical contact with an electrically conductive rack, and the basic solution is contained in an electrically conductive container.
載の方法。6. The method of claim 5, wherein the solution is blown with air.
任意の電気伝導性物質を除去するために酸性溶液に、さ
らに浸漬する、請求項５に記載の方法。7. The method of claim 5, wherein the cleaned metal substrate is further immersed in an acidic solution to remove any electrically conductive material therefrom.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US56516500A | 2000-05-03 | 2000-05-03 | |
| US09/565165 | 2000-05-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001316900A JP2001316900A (en) | 2001-11-16 |
| JP3425428B2 true JP3425428B2 (en) | 2003-07-14 |
Family
ID=24257474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001071396A Expired - Fee Related JP3425428B2 (en) | 2000-05-03 | 2001-03-14 | Method of removing dielectric material from metal surface |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1152072A1 (en) |
| JP (1) | JP3425428B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106119946A (en) * | 2016-06-24 | 2016-11-16 | 惠州市博美环保新材料有限公司 | A kind of aluminium alloy release agent for electrolytic |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110592651A (en) * | 2018-06-13 | 2019-12-20 | 陈嘉朗 | Metal surface treatment device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE939659C (en) * | 1952-06-28 | 1956-03-01 | Richard Dr Springer | Process for the electrolytic descaling of metal surfaces in alkaline solutions |
| GB2204593A (en) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Metal Box Plc | Removing cobalt layers |
| US6045686A (en) * | 1997-03-18 | 2000-04-04 | The University Of Connecticut | Method and apparatus for electrochemical delacquering and detinning |
-
2001
- 2001-03-14 JP JP2001071396A patent/JP3425428B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-03 EP EP01110125A patent/EP1152072A1/en not_active Withdrawn
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ｅｌｅｋｔｒｏｎ．Ｏｂｒａｂ．Ｍａｔｅｒ．（１９８８），（６），７９−８０ ＣＯＤＥＮ： ＥＯＢＭＡＦ； ＩＳＳＮ： ００１３−５７３９ |
| 間宮富士雄著、「表面清浄技術」、初版、槇書店、１９９３年１１月、Ｐ１１８−１１９ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106119946A (en) * | 2016-06-24 | 2016-11-16 | 惠州市博美环保新材料有限公司 | A kind of aluminium alloy release agent for electrolytic |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001316900A (en) | 2001-11-16 |
| EP1152072A1 (en) | 2001-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100368200B1 (en) | Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus | |
| JPH07216589A (en) | Surface treating method and plasma treating device | |
| US4718972A (en) | Method of removing seed particles from circuit board substrate surface | |
| JP3425428B2 (en) | Method of removing dielectric material from metal surface | |
| US6488038B1 (en) | Method for cleaning semiconductor substrates | |
| JP2003124214A (en) | Method and unit for forming wiring | |
| TW502306B (en) | Process for producing a substrate and plating apparatus | |
| CN111805091A (en) | LAP laser etching process | |
| KR20100063248A (en) | Wafer plating apparatus and method for the same | |
| US4891106A (en) | Method of forming nonmagnetic silver electrodes on quartz glass | |
| US4960493A (en) | Plating on metallic substrates | |
| FR2582676A1 (en) | METHOD FOR TINNING THE EXTERNAL CONNECTIONS OF AN ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE | |
| JP2586319B2 (en) | Polishing method for semiconductor substrate | |
| JP3834707B2 (en) | Rust prevention treatment method for rare earth magnets | |
| US3663388A (en) | Gold removal process | |
| US3514378A (en) | Electro-chemical method of producing thin metal flexures | |
| JP2003198130A (en) | Method of manufacturing ceramic multilayer substrate | |
| JPH1187274A (en) | Plating system for semiconductor wafer | |
| KR20210011532A (en) | Method for decreasing particle in arc coating process and sputtering apparatus having coating by this method | |
| JP2003218497A (en) | Substrate processing apparatus | |
| JPH07326848A (en) | Washing method for gold-plated molded substrate | |
| US7247557B2 (en) | Method and composition to minimize dishing | |
| JP3089927B2 (en) | How to clean electronic components | |
| JP2004131774A (en) | Electroless plating equipment and electroless plating method | |
| CN114232062A (en) | Metal plating equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |