JP3421548B2 - 半導体ベアチップ、半導体ベアチップの製造方法、及び半導体ベアチップの実装構造 - Google Patents

半導体ベアチップ、半導体ベアチップの製造方法、及び半導体ベアチップの実装構造

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ベアチップ、
半導体ベアチップの製造方法、及び半導体ベアチップの
実装構造に関する。携帯型情報機器の小型化に伴い、半
導体装置の基板への実装は高密度化が求められている。
そこで、パケージングされていない状態の裸のチップで
ある半導体ベアチップをそのまま実装する技術であっ
て、且つ、この半導体ベアチップをこの周囲に余分の面
積を必要とせず実装エリアが狭くて足りるフリップチッ
プ方式で実装する技術が開発されつつある。
【０００２】このフリップチップ方式は大きくは半田接
合と圧着接合に分けられる。地球環境問題を考慮する
と、鉛を含む半田を使用する半田接合よりは、半田を全
く使用しない圧着接合方式が望ましい。フリップチップ
方式は、接続する個所を認識出来ないため、半導体ベア
チップの下面のバンプのプリント基板上の電極に対する
位置がずれることが起こり易いという性質を有する。そ
こで、半導体ベアチップが所定の位置から少しずれた場
合であってもバンプと電極との接続が確実に行われるこ
と、即ち、歩留りよく実装されることが求められる。
【０００３】
【従来の技術】図６は従来の半導体ベアチップ１０の一
部を拡大して示し、図７（Ａ），（Ｂ）は従来の半導体
ベアチップ１０がプリント基板２０上に実装されている
状態を示す。図６に示すように、半導体ベアチップ１０
は、ウェハから切り出された半導体ベアチップ本体１１
の下面１１ａの各電極１２上にＡｕ製のスタッドバンプ
１３が形成されており、且つ、スタッドバンプ１３の頂
部を覆うように導電性接着剤１４が付着されている構成
である。
【０００４】スタッドバンプ１３は、台座部１３ａと、
頭頂部１３ｂとよりなる。台座部１３ａは球体を潰した
形状を有する。頭頂部１３ｂは、略円柱形状を有し、台
座部１３ａの直径ｄ１より小さい直径ｄ２を有し、台座
部１３ａの下面の中央より下方に、寸法ａ突き出てい
る。頭頂部１３ｂは、所定量の上記の導電性接着剤１４
が付着するようにするため、及び、プリント基板２０上
の電極２１と圧着し易くするために形成してある。
【０００５】図７（Ａ）に示すように、プリント基板２
０上には、電極２１が形成してある。電極２１は厚さｂ
を有する。電極２１は矩形であり、一辺の長さｃは約４
０μｍである。スタッドバンプ１３と電極２１とは同じ
配置である。半導体ベアチップ１０は、図７（Ａ）に示
すように、圧着接合のフリップチップ方式で実装されて
いる。即ち、半導体ベアチップ１０は、スタッドバンプ
１３の頭頂部１３ｂが電極２１に圧着し且つ頭頂部１３
ｂが導電性接着剤１４によって電極２１と接着されて、
且つ、半導体ベアチップ本体１１を熱硬化性接着剤３１
によってプリント基板２０に接着されて実装されてい
る。熱硬化性接着剤３１は、半導体ベアチップ本体１１
とプリント基板２０との間の隙間３０内に存在しており
熱硬化されているため、半導体ベアチップ本体１１の下
面１１ａ全面がプリント基板２０に接着してあり、且
つ、熱硬化性接着剤３１が熱硬化して収縮することによ
って半導体ベアチップ本体１１の下面１１ａ全面が力Ｆ
１でプリント基板２０側に引き寄せられている。この力
Ｆ１でもって、スタッドバンプ１３の頭頂部１３ｂが電
極２１に圧着している。
【０００６】ここで、頭頂部１３ｂは、十分な量の上記
の導電性接着剤１４が付着するようにするため、高さ寸
法ａは約３０μｍとしてある。プリント基板２０上の電
極２１の厚さｂは、パターニングの高精度化に伴って薄
くなっており、約２０μｍである。頭頂部１３ｂの寸法
ａと電極２１の厚さｂとは、ａ＞ｂの関係にある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このため、半導体ベア
チップ１０をフリップチップ方式で実装するときに半導
体ベアチップ１０が所定の位置からずれて頭頂部１３ｂ
が電極２１からはみだした場合には、図７（Ｂ）に示す
ようになる。即ち、頭頂部１３ｂがプリント基板２０の
上面に当接し、台座部１３ａの肩部は電極２１より離れ
た状態となり、スタッドバンプ１３と電極２１との電気
的接続がなされない状態となってしまう。
【０００８】換言すれば、半導体ベアチップ１０をフリ
ップチップ方式で実装するときに半導体ベアチップ１０
（ここでは、スタッドバンプ１３に関して考える）が所
定の位置ＰからＸ１，Ｘ２方向上のうち一方向にずれる
ことが許容される許容寸法ｅは、頭頂部１３ｂが電極２
１の縁にかかる寸法であり、大略（ｃ／２）＋（ｄ２／
２）であり、僅かに約３０μｍと小さい。このため、半
導体ベアチップ１０をフリップチップ方式で実装すると
きに要求される位置出しの精度が高くなり、正常に実装
することがそれだけ難しくなり、実装不良が起きやすく
なり、実装の歩留りが低くなってしまうという問題があ
った。
【０００９】そこで、本発明は、上記課題を解決した半
導体ベアチップ、半導体ベアチップの製造方法、及び半
導体ベアチップの実装構造を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、半導体ベアチップ本体の面に複
数のスタッドバンプが並んでおり、各スタッドバンプが
台座部と該台座部よりより突き出た頭頂部とよりなる構
成の半導体ベアチップにおいて、レベリング処理するこ
とによって、前記頭頂部の高さ寸法が該半導体ベアチッ
プが実装される基板上の電極の厚さ寸法より小さくされ
たスタッドバンプを有する構成としたものである。
【００１１】請求項２の発明は、半導体ベアチップ本体
の面に複数のスタッドバンプが並んでおり、各スタッド
バンプが台座部と該台座部より突き出た頭頂部とよりな
る構成の半導体ベアチップの製造方法において、該半導
体ベアチップ本体の面にワイヤボンデンデング技術によ
ってスタッドバンプが形成された半導体ベアチップをレ
ベリング処理における平らな面に押しつける量を適宜定
めることによって、頭頂部の厚さ寸法が該半導体ベアチ
ップが実装される基板上の電極の厚さ寸法より小さくな
るようにしたものである。
【００１２】請求項３の発明は、半導体ベアチップ本体
の面に複数のスタッドバンプが並んでおり、各スタッド
バンプが台座部と該台座部より突き出た頭頂部とよりな
り、レベリング処理を行なうことによって、頭頂部の高
さ寸法が、該半導体ベアチップが実装される基板上の電
極の厚さ寸法より小さいスタッドバンプを有する半導体
ベアチップが、該スタッドバンプを基板上の電極と接続
されて該基板上に実装してある構成としたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例になる半
導体ベアチップ４０の一部を拡大して示し、図２
（Ａ），（Ｂ）は図１の半導体ベアチップ４０がプリン
ト基板５０上に実装されている状態を示す。図１に示す
ように、半導体ベアチップ４０は、ウェハから切り出さ
れた半導体ベアチップ本体４１の下面４１ａのＡｌ製の
各電極４２上にスタッドバンプ４３が形成されており、
且つ、スタッドバンプ４３の頂部を覆うように導電性接
着剤４４が付着されている構成である。スタッドバンプ
４３はＡｕ製である。導電性接着剤４４は、エポキシ樹
脂にＡｇフィラーが含有されているものである。Ａｇフ
ィラーは平均粒径が０．６μｍであり、従来の約１／１
０と小さい。後述するように頭頂部４３ｂの高さが小さ
くても所望量の導電性接着剤４４が付着するようにする
ためである。スタッドバンプ４３及び導電性接着剤４４
は鉛を有しない。
【００１４】スタッドバンプ４３は、台座部４３ａと、
頭頂部４３ｂとよりなる。台座部４３ａは球体を潰した
形状を有し、直径ｄ１１が約６０μｍで、高さｆが２０
〜２５μｍである。頭頂部４３ｂは、略円柱形状を有
し、台座部４３ａの直径ｄ１１より小さい直径ｄ１２を
有し、台座部４３ａの下面の中央より下方に、寸法ａ１
突き出ている。直径ｄ１２は２０〜３０μｍである。寸
法ａ１は約１０μｍであり、従来の寸法ａの約１／２〜
１／３と小さい。
【００１５】図２（Ａ）に示すように、プリント基板５
０上には、電極５１が形成してある。電極５１は厚さｂ
を有する。電極５１は矩形であり、一辺の長さｃ１は約
４０μｍである。スタッドバンプ４３と電極５１とは同
じ配置である。電極５１の厚さｂ１は、約２０μｍであ
る。頭頂部４３ｂの寸法ａ１と電極５１の厚さｂ１と
は、ａ１＜ｂ１の関係にある。これによって、後述する
ように台座部４３ａでの電極５１との電気的接続が可能
となっている。
【００１６】半導体ベアチップ４０は、図２（Ａ）に示
すように、圧着接合のフリップチップ方式で実装されて
いる。即ち、半導体ベアチップ４０は、スタッドバンプ
４３の頭頂部４３ｂが電極４１に圧着し且つ頭頂部４３
ｂが導電性接着剤４４によって電極５１と接着されて、
且つ、半導体ベアチップ本体３１をエポキシの熱硬化性
接着剤６１によってプリント基板４０に接着されて実装
されている。熱硬化性接着剤６１は、半導体ベアチップ
本体４１とプリント基板５０との間の隙間６０内に存在
しており熱硬化されているため、半導体ベアチップ本体
４１の下面４１ａ全面がプリント基板５０に接着してあ
り、且つ、熱硬化性接着剤６１が熱硬化して収縮するこ
とによって半導体ベアチップ本体４１の下面４１ａ全面
が力Ｆ２でプリント基板５０側に引き寄せられている。
この力Ｆ２でもって、スタッドバンプ４３の頭頂部４３
ｂが電極５１に圧着している。よって、各スタッドバン
プ４３が電極５１と電気的に接続されている。
【００１７】図２（Ｂ）は、半導体ベアチップ４０をフ
リップチップ方式で実装するときに半導体ベアチップ４
０が所定の位置からずれ、このずれ量が大きく、頭頂部
４３ｂが電極５１からはみだした場合を示す。頭頂部４
３ｂの寸法ａ１と電極５１の厚さｂ１とがａ１＜ｂ１の
関係にあるため、頭頂部４３ｂがプリント基板５０の上
面に当接せず、台座部４３ａの肩部４３ａ１が電極５１
の縁の部分５１ａに圧着した状態となり、各スタッドバ
ンプ４３は電極５１と電気的に接続されている。
【００１８】よって、半導体ベアチップ４０をフリップ
チップ方式で実装するときに半導体ベアチップ４０（こ
こでは、スタッドバンプ４３に関して考える）が所定の
位置ＰからＸ１，Ｘ２方向上一方向にずれることが許容
される許容寸法ｅ１は、頭頂部４３ｂが電極５１の縁を
越えて、台座部４３ａの肩部４３ａ１が電極５１の縁に
かからなくなるまでの寸法、大略（ｃ１／２）＋（ｄ１
１／２）であり、約５０μｍと、従来の許容寸法ｅに比
べて約２０μｍも大きい。
【００１９】このため、半導体ベアチップ４０をフリッ
プチップ方式で実装するときに要求される精度が従来よ
り緩くなり、実装がし易くなり、実装不良が起きにくく
なり、実装の歩留りが向上する。次に、半導体ベアチッ
プ４０を製造する方法（特にスタッドバンプ４３を形成
する方法）及び半導体ベアチップ４０をプリント基板５
０上に実装する方法について、図３及び図４を参照して
説明する。
【００２０】先ず、工程Ｓ１を行う。図４（Ａ）に示す
ように、ワイヤボンディングと同じく、ボンダのキャピ
ラリ７０の先端より所定長さのＡｕワイヤ７１を突き出
し、キャピラリ７０を半導体ベアチップ本体４１の電極
４２に当接させ、加圧する共に超音波を加えて加熱させ
てＡｕワイヤを電極４２にボンディングさせ、ワイヤク
ランパ（図示せず）によってキャピラリ７０の後端から
出ているＡｕワイヤをクランプし、キャピラリ７０を引
上げ、Ａｕワイヤを引っ張ってボンディングされている
個所で切断して、図５（Ａ）に拡大して示すスタッドバ
ンプ４３Ａを形成する。スタッドバンプ４３Ａは、台座
部４３ａと、この中心から上方に突き出ており先端が尖
っている突部４３ｄとよりなる。
【００２１】次に、工程Ｓ２を行う。図４（Ｂ）に示す
ように、半導体ベアチップ本体４１をガラス平板７２に
押し付けて先端が尖っている突部４３ｄを潰すれレベリ
ングを行い、図５（Ｂ）に拡大して示す頭頂部４３ｂを
形成し、スタッドバンプ４３を形成する。半導体ベアチ
ップ本体４１をガラス平板７２に押し付ける量によっ
て、頭頂部４３ｂの高さが決まる。ここでは、半導体ベ
アチップ本体４１をガラス平板７２に押しつける量を、
従来より多くしてあり、高さ寸法が約１０μｍである頭
頂部４３ｂを形成する。
【００２２】次に、工程Ｓ３を行う。図４（Ｃ）に示す
ように、半導体ベアチップ本体４１を、導電性接着剤４
４が約１０μｍの厚さで塗布されているガラス平板７３
上に押しつけて離すことによって、導電性接着剤４４を
スタッドバンプ４３の頭頂部４３ｂに転写させる。続い
て導電性接着剤４４をプリキュアして粘度を上げる。実
装のときに導電性接着剤４４が逃げないようにするため
である。
【００２３】これによって、半導体ベアチップ４０が完
成する。次に、工程Ｓ４を行う。図４（Ｄ）に示すよう
に、プリント基板５０の各半導体ベアチップ実装予定領
域に、熱硬化性接着剤６１を塗布する。次に、工程Ｓ５
を行う。図４（Ｅ）に示すように、ヒータを内蔵したヘ
ッド７５を使用して半導体ベアチップ４０をプリント基
板５０上の半導体ベアチップ実装予定領域に搭載し、加
圧し、加熱し、熱硬化性接着剤６１を硬化させる。これ
によって、半導体ベアチップ４０が、図２（Ａ）又は図
２（Ｂ）に示すように、プリント基板５０上に実装され
る。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、レベリング処理することによって、スタッドバ
ンプの頭頂部の高さ寸法が、半導体ベアチップが実装さ
れる基板上の電極の厚さ寸法より小さく定めてあるた
め、半導体ベアチップが各スタッドバンプを基板上の対
応する電極と接続されて実装される場合に、半導体ベア
チップが所定の位置よりずれて頭頂部が電極からはみ出
た場合であっても、台座部の肩部が電極に当たって接続
され、台座部での接続が可能となり、よって、半導体ベ
アチップに許容される所定の位置からのずれ量を従来に
比べて大きくすることが出来る。これによって、半導体
ベアチップの実装の歩留りを向上させることが出来る。
【００２５】請求項２の発明によれば、半導体ベアチッ
プ本体の面にワイヤボンデンデング技術によってスタッ
ドバンプが形成された半導体ベアチップをレベリング処
理における平らな面に押しつける量を適宜定めることに
よって、頭頂部の高さ寸法が該半導体ベアチップが実装
される基板上の電極の厚さ寸法より小さくなるようにし
たため、各スタッドバンプ上記頭頂部の高さ寸法を、一
括して精度良く定めることが出来る。
【００２６】請求項３の発明によれば、半導体ベアチッ
プ本体の面に複数のスタッドバンプが並んでおり、各ス
タッドバンプが台座部と該台座部より突き出た頭頂部と
よりなり、レベリング処理を行なうことによって、頭頂
部の高さ寸法が、半導体ベアチップが実装される基板上
の電極の厚さ寸法より小さいスタッドバンプを有する半
導体ベアチップが、スタッドバンプを基板上の電極と接
続されて該基板上に実装してある構成としたため、半導
体ベアチップが所定の位置よりずれた場合に、頭頂部が
電極内に位置している場合には頭頂部が電極と接続さ
れ、頭頂部が電極からはみ出た場合であっても、はみ出
しの量が小さい場合には台座部の肩部が電極に当たって
接続され、よって、半導体ベアチップに許容される所定
の位置からのずれ量が従来に比べて大きくなり、よっ
て、半導体ベアチップの基板上への実装の信頼性を向上
させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例になる半導体ベアチップの一
部を拡大して示す図である。
【図２】図１の半導体ベアチップの実装状態を示す図で
ある。
【図３】半導体ベアチップを製造する工程及び実装する
工程を示す図である。
【図４】半導体ベアチップを製造する工程及び実装する
工程を示す図である。
【図５】スタッドバンプの製造を説明する図である。
【図６】従来の半導体ベアチップの一部を拡大して示す
図である。
【図７】従来の半導体ベアチップの実装状態を示す図で
ある。
【符号の説明】
４０ 半導体ベアチップ ４１ 半導体ベアチップ本体 ４３、４３Ａ スタッドバンプ ４３ａ 台座部 ４３ａ１ 肩部 ４３ｂ 頭頂部 ４３ｄ 突部 ４４ 導電性接着剤 ５０ プリント基板 ５１ 電極 ５１ａ 縁の部分 ６０ 隙間 ６１ 熱硬化性接着剤 ７０ キャピラリ ７１ Ａｕワイヤ ７２，７３ ガラス平板 ７５ ヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角井 和久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (72)発明者 馬場 俊二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−142488（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−213398（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−180232（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−193101（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−188635（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ベアチップ本体の面に複数のスタ
    ッドバンプが並んでおり、各スタッドバンプが台座部と
    該台座部より突き出た頭頂部とよりなる構成の半導体ベ
    アチップにおいて、レベリング処理することによって、前記 頭頂部の高さ寸
    法が該半導体ベアチップが実装される基板上の電極の厚
    さ寸法より小さくされたスタッドバンプを有する構成と
    したことを特徴とする半導体ベアチップ。
  2. 【請求項２】 半導体ベアチップ本体の面に複数のスタ
    ッドバンプが並んでおり、各スタッドバンプが台座部と
    該台座部より突き出た頭頂部とよりなる構成の半導体ベ
    アチップの製造方法において、 該半導体ベアチップ本体の面にワイヤボンデンデング技
    術によってスタッドバンプが形成された半導体ベアチッ
    プをレベリング処理における平らな面に押しつける量を
    適宜定めることによって、頭頂部の高さ寸法が該半導体
    ベアチップが実装される基板上の電極の厚さ寸法より小
    さくなるようにしたことを特徴とする半導体ベアチップ
    の製造方法。
  3. 【請求項３】 半導体ベアチップ本体の面に複数のスタ
    ッドバンプが並んでおり、各スタッドバンプが台座部と
    該台座部より突き出た頭頂部とよりなり、レベリング処
    理を行なうことによって、頭頂部の高さ寸法が、該半導
    体ベアチップが実装される基板上の電極の厚さ寸法より
    小さいスタッドバンプを有する半導体ベアチップが、該
    スタッドバンプを基板上の電極と接続されて該基板上に
    実装してある構成としたことを特徴とする半導体ベアチ
    ップの実装構造。
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