JP3419374B2 - Liquid crystal display - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、薄膜トランジスタを組み込んだアクティブマ
トリックス型液晶表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix type liquid crystal display device incorporating a thin film transistor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、壁掛けＴＶや投射型ＴＶあるいは
ＯＡ機器用ディスプレイとして液晶パネルを用いた各種
液晶表示装置の開発が行われている。液晶パネルの中で
もアクティブ素子である薄膜トランジスタを液晶表示装
置に組み込んだアクティブマトリックス型液晶ディスプ
レイは、走査線数が増加してもコントラストや応答速度
が低下しない等の利点から高品位のＯＡ機器用表示装置
やハイビジョン用表示装置を実現する上で有力であり、
液晶プロジェクション等の投射型液晶ディスプレイにお
いては大画面表示が容易に得られる利点を有している。2. Description of the Related Art In recent years, various liquid crystal display devices using a liquid crystal panel have been developed as a display for a wall-mounted TV, a projection TV or an OA device. An active matrix type liquid crystal display in which a thin film transistor, which is an active element among liquid crystal panels, is incorporated in a liquid crystal display device is a display device for high-quality OA equipment because of advantages such as contrast and response speed not decreasing even if the number of scanning lines increases. And is a powerful tool for realizing high-definition display devices,
A projection type liquid crystal display such as a liquid crystal projection has an advantage that a large screen display can be easily obtained.
【０００３】通常、液晶プロジェクション用途に使用さ
れるライトバルブ用アクティブマトリックス型液晶表示
装置は、小さな素子に強力な光を入射してＴＦＴにより
液晶をスイッチングすることにより画素毎のＯＮ／ＯＦ
Ｆを行って、透過する光を画像情報に応じて制御し透過
した光をレンズなどの光学素子を介してスクリーンに拡
大投影しているが、その際、ＴＦＴの半導体活性層への
入射光による影響はもちろんのこと、レンズ等の光学系
からの反射光によってもＴＦＴ部のチャネル部や、特に
ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領
域において光励起により発生する光リーク電流が問題と
なっている。Normally, an active matrix type liquid crystal display device for a light valve used for liquid crystal projection uses ON / OF for each pixel by injecting strong light into a small element and switching a liquid crystal by a TFT.
F is performed, the transmitted light is controlled according to the image information, and the transmitted light is enlarged and projected on the screen through an optical element such as a lens. At that time, the incident light to the semiconductor active layer of the TFT Not only the influence but also the reflected light from the optical system such as a lens causes a problem of a light leak current generated by photoexcitation in the channel part of the TFT part, particularly in the LDD (Lightly Doped Drain) region.
【０００４】この問題はプロジェクタの小型化、高輝度
化が進むとともにライトバルブへの入射輝度が大きく増
加しており加速度的に問題となってきている。This problem has become an accelerating problem as the size of projectors and the increase in brightness thereof have advanced, and the brightness of light incident on the light valve has greatly increased.
【０００５】従来、このようなライトバルブ用アクティ
ブマトリックス型液晶表示装置では、図６に示すよう
に、ゲート線１０７とデータ線１０５とをそれぞれ直交
するようにマトリックス状に配し、ゲート線１０７とデ
ータ線１０５で区画される領域に画素電極であるＩＴＯ
等の透明電極を、ゲート線１０７とデータ線１０５との
交差する部分にＴＦＴを、それぞれ形成している。Conventionally, in such an active matrix type liquid crystal display device for a light valve, as shown in FIG. 6, the gate lines 107 and the data lines 105 are arranged in a matrix so as to be orthogonal to each other, and the gate lines 107 and ITO, which is a pixel electrode, is formed in a region defined by the data line 105.
TFTs are formed at the intersections of the gate lines 107 and the data lines 105, respectively.
【０００６】データ線１０５には、ＴＦＴのソース領域
１０９に信号供給するためのデータ線−ＴＦＴコンタク
トが形成されており、画素電極であるＩＴＯとドレイン
電極とは、ＩＴＯ−ＴＦＴコンタクトで接続されてい
る。また、ＴＦＴのチャネル部１０３とソース・ドレイ
ン電極１０９との間にはＬＤＤ領域１０８が形成されて
いる。A data line-TFT contact for supplying a signal to the source region 109 of the TFT is formed on the data line 105, and the ITO pixel electrode and the drain electrode are connected by an ITO-TFT contact. There is. An LDD region 108 is formed between the channel portion 103 of the TFT and the source / drain electrode 109.
【０００７】ガラス基板等の透明絶縁性基板上に下地絶
縁膜を介して形成される下部遮光層１０２とＴＦＴ上部
にもうけられたブラックマトリックス層１０６を有す
る。つまり、液晶層をはさんでＴＦＴの対抗基板側から
入射する場合、ブラックマトリックス層１０６で入射光
を遮光し、下部遮光層１０２で光学系などからの反射光
を遮光している。It has a lower light shielding layer 102 formed on a transparent insulating substrate such as a glass substrate via a base insulating film and a black matrix layer 106 provided above the TFT. That is, when light is incident from the counter substrate side of the TFT across the liquid crystal layer, the black matrix layer 106 blocks the incident light, and the lower light shielding layer 102 blocks the reflected light from the optical system or the like.
【０００８】ブラックマトリックス層は、絶縁膜層をは
さんでＴＦＴ基板側に形成する場合と、対向基板側に形
成する場合と、があるが、ブラックマトリックスをＴＦ
Ｔの対抗基板側に形成する場合、２枚の基板の重ね合わ
せ精度として１０μｍ程度をみこんで対抗基板側を大き
くしなければならないため開口率が大きくできないとい
う問題点がある。したがって開口率をたかめるためＴＦ
Ｔと同一基板側にブラックマトリックスを設ける場合が
主流となりつつある。The black matrix layer may be formed on the TFT substrate side across the insulating film layer or may be formed on the counter substrate side.
When it is formed on the counter substrate side of T, there is a problem in that the aperture ratio cannot be increased because the counter substrate side must be increased with a precision of about 10 μm for superimposing the two substrates. Therefore, to increase the aperture ratio, TF
It is becoming mainstream to provide a black matrix on the same substrate side as T.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴと同一基板側に
ブラックマトリックスを設ける場合、半導体装置製造工
程を利用して高い位置合わせ精度を得るため前記のよう
な大きなマージンは見込む必要はないが、二つの遮光層
とＴＦＴの位置関係に関しては考慮されておらず、２つ
の遮光層間での多重反射などによるＴＦＴへの到達光等
に対する遮光対策は十分でなかった。特に、装置の小型
化高輝度化とともにこのような上下遮光層間を多重反射
してＴＦＴに到達する光量が大きくなり、遮光性が十分
に確保されていないという問題が明らかになってきた。When a black matrix is provided on the same substrate side as the TFT, it is not necessary to expect the large margin as described above in order to obtain high alignment accuracy by utilizing the semiconductor device manufacturing process. The positional relationship between the two light-shielding layers and the TFT is not taken into consideration, and light-shielding measures against light reaching the TFT due to multiple reflection between the two light-shielding layers are not sufficient. Particularly, as the size of the device is reduced and the brightness is increased, the amount of light that multiple-reflects between the upper and lower light-shielding layers and reaches the TFT is increased, and the problem that the light-shielding property is not sufficiently secured has become clear.
【００１０】特に、ゲート線の形成領域では下部遮光層
及びブラックマトリックスも十分に形成できているため
遮光は十分であるが、ＬＤＤ領域などは開口率を高める
ために遮光層、ブラックマトリックス層共に幅が制限さ
れる。このため、ソース・ドレインに挟まれたポリシリ
コン層のＬＤＤ領域では、ブラックマトリックス層のエ
ッジ部分からの入射光が下部遮光層で反射しないように
位置関係を決めているが、光学系からの反射に対しては
十分でなく、この反射光がブラックマトリックで反射さ
れ下部遮光層との間で多重反射しＴＦＴに到達するとい
う問題が発生していた。もちろん、入射光及び反射光の
方向成分は、ゲート線方向に平行な成分のみでなく様々
な方向成分を含むものであり、ゲート線下のチャネル領
域に入射するおそれもある。In particular, the lower light-shielding layer and the black matrix are sufficiently formed in the region where the gate line is formed, so that light-shielding is sufficient, but in the LDD region and the like, the width of both the light-shielding layer and the black matrix layer is increased to increase the aperture ratio. Is limited. Therefore, in the LDD region of the polysilicon layer sandwiched by the source / drain, the positional relationship is determined so that the incident light from the edge portion of the black matrix layer is not reflected by the lower light shielding layer, but the reflection from the optical system. However, there is a problem in that the reflected light is reflected by the black matrix and is multiple-reflected with the lower light shielding layer to reach the TFT. Of course, the directional components of the incident light and the reflected light include not only the components parallel to the gate line direction but also various directional components, and there is a possibility that they may enter the channel region below the gate line.
【００１１】このような問題を解決する手段として特願
平１０−３５４８４５号では、下部遮光層の端部をテー
パ形状とし、下部遮光層とデータ線とを兼ねる上部遮光
層との位置関係を規定することが提案されている。また
特願平１１−１０９９７９号では、ＴＦＴのチャネル長
方向の側面近傍に形成される層間膜にダミーコンタクト
を形成し、そのダミーコンタクトの側壁に形成される配
線材料により側壁をも遮光する構造が提案されている。As a means for solving such a problem, in Japanese Patent Application No. 10-354845, the end portion of the lower light-shielding layer is tapered, and the positional relationship between the lower light-shielding layer and the upper light-shielding layer also serving as a data line is defined. It is suggested to do so. Further, in Japanese Patent Application No. 11-109979, there is a structure in which a dummy contact is formed in an interlayer film formed in the vicinity of a side surface of a TFT in the channel length direction, and the side wall of the dummy contact is also shielded by a wiring material. Proposed.
【００１２】これらの手段はいずれも有効な手段ではあ
るが、その特徴的な構造を作製するためにあらたな工程
が必要であり、製造工程が複雑化するという問題点を有
していた。Although all of these means are effective means, there is a problem in that a new process is required to manufacture the characteristic structure and the manufacturing process becomes complicated.
【００１３】本発明の第１の目的は、ＴＦＴの光リーク
電流に起因する問題を解決することができる液晶表示装
置を提供することである。A first object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of solving the problem caused by the light leak current of TFT.
【００１４】本発明の第２の目的は、ゲート線下のチャ
ネル領域における入射光の入射を有効に防止することが
できる液晶表示装置を提供することである。A second object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can effectively prevent incident light from entering the channel region below the gate line.
【００１５】本発明の第３の目的は、併せてその製造を
効率化することができる液晶表示装置を提供することで
ある。A third object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can be manufactured efficiently.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明の第１の視点にお
いては、透明絶縁性基板上に積層する下部遮光層と、前
記下部遮光層上の領域内に第１層間膜を介して形成さ
れ、ＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域を有するＳｉ
半導体層からなる薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタ上にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極
と、前記ゲート電極上層に第２層間膜を介して積層する
とともに、前記薄膜トランジスタの一のソース／ドレイ
ン領域に接続されるデータ線と、前記データ線上層に第
３層間絶縁膜を介して形成される上部遮光層と、前記上
部遮光層上層に第４層間絶縁膜を介して形成され、前記
薄膜トランジスタの他のソース／ドレイン領域に接続さ
れる画素電極と、を備える液晶表示装置において、前記
下部遮光層パターンの領域内であって、少なくとも前記
薄膜トランジスタのチャネル及び前記ＬＤＤ領域近傍の
両側方に、前記チャネル及び前記ＬＤＤ領域が前記下部
遮光層エッジからの浸入光から遮蔽されるように半導体
層を用いて遮蔽パターンが形成され、前記遮蔽パターン
は、前記チャネル及び前記ＬＤＤ領域と分離しているこ
とを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, a lower light-shielding layer laminated on a transparent insulating substrate and a first interlayer film is formed in a region on the lower light-shielding layer. Having Si, LDD regions and source / drain regions
A thin film transistor formed of a semiconductor layer, a gate electrode formed on the thin film transistor via a gate insulating film, a second interlayer film on the gate electrode upper layer, and a source / drain region of one of the thin film transistors. The data line to be connected, the upper light-shielding layer formed on the upper layer of the data line via the third interlayer insulating film, and the upper light-shielding layer formed on the upper layer of the upper light-shielding layer via the fourth interlayer insulating film. A liquid crystal display device comprising: a pixel electrode connected to a source / drain region,
In the region of the lower light-shielding layer pattern, at least the above
Near the channel of the thin film transistor and the LDD region
The channel and the LDD region are formed on both sides of the lower portion.
Semiconductor so as to be shielded from light penetrating from the edge of the light shielding layer
A shielding pattern is formed using a layer, and the shielding pattern is
Are separated from the channel and the LDD region .
【００１７】本発明の第２の視点においては、透明絶縁
性基板上に積層する下部遮光層と、前記下部遮光層上の
領域内に第１層間膜を介して形成され、ＬＤＤ領域及び
ソース／ドレイン領域を有するＳｉ半導体層からなる薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上にゲート絶
縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ゲート電極
上に第２層間膜を介して積層するとともに、前記薄膜ト
ランジスタの一のソース／ドレイン領域に接続されるデ
ータ線と、前記データ線上に第３層間絶縁膜を介して形
成される上部遮光層と、前記上部遮光層上に第４層間絶
縁膜を介して形成され、前記薄膜トランジスタの他のソ
ース／ドレイン領域に接続される画素電極と、を備える
液晶表示装置において、前記下部遮光層パターンの領域
内であって、少なくとも前記薄膜トランジスタの前記Ｌ
ＤＤ領域近傍の両側方に、前記ＬＤＤ領域が前記下部遮
光層エッジからの浸入光から遮蔽されるように半導体層
を用いて島状の遮蔽パターンが形成され、前記遮蔽パタ
ーンは、前記薄膜トランジスタと分離していることを特
徴とする。According to a second aspect of the present invention, a lower light-shielding layer laminated on a transparent insulating substrate and an LDD region and a source / source / layer formed on the lower light-shielding layer via a first interlayer film. A thin film transistor including a Si semiconductor layer having a drain region, a gate electrode formed on the thin film transistor via a gate insulating film, and a second interlayer film on the gate electrode are stacked, and A data line connected to the source / drain region, an upper light-shielding layer formed on the data line via a third interlayer insulating film, and a fourth interlayer insulating film formed on the upper light-shielding layer, A liquid crystal display device comprising: a pixel electrode connected to another source / drain region of a thin film transistor;
At least the L of the thin film transistor
The LDD region is provided on both sides in the vicinity of the DD region with the lower shield.
Semiconductor layer so as to be shielded from light penetrating from the edge of the light layer
The island-shaped shielding pattern is formed by using
The thin film transistor is separated from the thin film transistor .
【００１８】また、前記液晶表示装置において、前記遮
蔽パターンは、前記薄膜トランジスタを形成する工程と
同一工程で形成されることが好ましい。Further, in the liquid crystal display device, the shield
The masking pattern is preferably formed in the same step as the step of forming the thin film transistor.
【００１９】本発明の第３の視点においては、透明絶縁
性基板上に積層する下部遮光層と、前記下部遮光層上の
領域内に第１層間膜を介して形成され、ＬＤＤ領域及び
ソース／ドレイン領域を有するＳｉ半導体層からなる薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上にゲート絶
縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ゲート電極
上層に第２層間膜を介して積層するとともに、前記薄膜
トランジスタの一のソース／ドレイン領域に接続される
データ線と、前記データ線上層に第３層間絶縁膜を介し
て形成される上部遮光層と、前記上部遮光層上層に第４
層間絶縁膜を介して形成され、前記薄膜トランジスタの
他のソース／ドレイン領域に接続される画素電極と、を
備える液晶表示装置において、前記下部遮光層パターン
の領域内であって、少なくとも前記薄膜トランジスタの
チャネル及び前記ＬＤＤ領域近傍の両側方に、前記チャ
ネル及び前記ＬＤＤ領域が前記下部遮光層エッジからの
浸入光から遮蔽されるように半導体層を用いて遮蔽パタ
ーンが形成され、前記遮蔽パターンは、前記ソース／ド
レイン領域と接続することを特徴とする。 In a third aspect of the present invention, a transparent insulation
A lower light-shielding layer laminated on the flexible substrate, and the lower light-shielding layer on the lower light-shielding layer.
Is formed in the region through the first interlayer film, and the LDD region and
Thin semiconductor layer with source / drain regions
Membrane transistor and gate isolation on the thin film transistor
A gate electrode formed through an edge film, and the gate electrode
The thin film is laminated on the upper layer with a second interlayer film interposed therebetween.
Connected to one source / drain region of transistor
A data line and a third interlayer insulating film on the data line
And a fourth upper layer formed on the upper light shielding layer.
The thin film transistor is formed through an interlayer insulating film.
A pixel electrode connected to another source / drain region,
A liquid crystal display device comprising: the lower light-shielding layer pattern
In the region of at least the thin film transistor
The channel is formed on both sides of the channel and near the LDD region.
And the LDD region from the edge of the lower light-shielding layer
A shielding pattern is made by using a semiconductor layer so as to be shielded from the incoming light.
Over emissions is formed, the shielding pattern is characterized by connecting to the source / de <br/> lay down area.
【００２０】また、前記液晶表示装置において、前記遮
蔽パターンは、前記ソース／ドレイン領域のうち前記デ
ータ線と接続する側の領域と接続することが好ましい。Further, in the liquid crystal display device, the shielding pattern is preferably connected with realm on the side connected to the data line of the source / drain area.
【００２１】また、前記液晶表示装置において、前記ゲ
ート電極は、少なくとも前記下部遮光層側がシリコン材
料で構成されることが好ましい。Further, in the liquid crystal display device, the gate electrode is preferably formed of at least the lower light shielding layer side of a silicon material.
【００２２】本発明の第３の視点においては、透明絶縁
性基板上に積層する下部遮光層と、前記下部遮光層上の
領域内に第１層間膜を介して形成され、ＬＤＤ領域及び
ソース／ドレイン領域を有するＳｉ半導体層からなる薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上にゲート絶
縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ゲート電極
上層に第２層間膜を介して積層するとともに、前記薄膜
トランジスタの一のソース／ドレイン領域に接続される
データ線と、前記データ線上層に第３層間絶縁膜を介し
て形成される上部遮光層と、前記上部遮光層上層に第４
層間絶縁膜を介して形成され、前記薄膜トランジスタの
他のソース／ドレイン領域に接続される画素電極と、を
備える液晶表示装置において、前記ゲート電極は、少な
くとも前記下部遮光層側がシリコン材料から構成されて
おり、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記ＬＤＤ領
域の側方にも配され、前記ＬＤＤ領域の側方を覆うよう
に形成されることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, a lower light-shielding layer laminated on a transparent insulating substrate and an LDD region and a source / source layer formed in the region on the lower light-shielding layer via a first interlayer film are provided. A thin film transistor including a Si semiconductor layer having a drain region, a gate electrode formed on the thin film transistor via a gate insulating film, and a gate electrode upper layer via a second interlayer film are stacked, and at least one of the thin film transistors is formed. A data line connected to the source / drain region, an upper light-shielding layer formed on the upper layer of the data line via a third interlayer insulating film, and a fourth upper layer on the upper light-shielding layer.
In a liquid crystal display device including a pixel electrode formed via an interlayer insulating film and connected to another source / drain region of the thin film transistor, the gate electrode is made of a silicon material at least on the lower light-shielding layer side. The thin film transistor is also disposed at least on the side of the LDD region and is formed so as to cover the side of the LDD region.
【００２３】[0023]
【００２４】[0024]
【発明の実施の形態】本発明に係る液晶表示装置は、そ
の好ましい一実施の形態において、本構造により上下遮
光層間で多重反射により浸入する光をＴＦＴ側面に設置
された半導体層で吸収遮光し、ＴＦＴに到達する光を低
減させ、画素をスイッチするＴＦＴの光リーク電流に起
因する問題が解決される。本発明による形態では製造過
程において半導体層を分離して同時に形成できるので、
遮光に用いるため新たな工程を追加することなく遮光効
果を獲得できるという利点を持つ。In a preferred embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, light entering through multiple reflection between upper and lower light-shielding layers is absorbed and shielded by a semiconductor layer provided on the side surface of the TFT by this structure. , The light reaching the TFT is reduced, and the problem caused by the light leak current of the TFT that switches the pixel is solved. In the embodiment according to the present invention, the semiconductor layers can be separated and simultaneously formed in the manufacturing process.
Since it is used for light shielding, it has an advantage that a light shielding effect can be obtained without adding a new step.
【００２５】[0025]
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In order to describe the embodiment of the present invention described above in more detail, an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２６】まず、図１を参照して、本発明の実施例１
に係る液晶表示装置について説明する。図１は、本発明
の実施例１に係る多結晶シリコン薄膜トランジスタを用
いた液晶表示装置の構造を模式的に示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ´間における断面図で
ある。First, referring to FIG. 1, a first embodiment of the present invention.
The liquid crystal display device according to the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram schematically showing a structure of a liquid crystal display device using a polycrystalline silicon thin film transistor according to a first embodiment of the present invention,
(A) is a plan view and (b) is a cross-sectional view taken along line A-A '.
【００２７】図１に示す液晶表示装置１は、以下の工程
により製造される。まず、ガラス基板（図示せず）の上
にガラス基板をカバーする下地絶縁膜（図示せず）を形
成する。これはガラス基板からの不純物の拡散を防ぐた
めである。続いて、この上部に下部遮光層２を形成す
る。この上に第１の層間絶縁膜（図示せず）を形成した
のち薄膜トランジスタのチャネル部となる薄膜半導体層
３を形成する。この薄膜半導体層３は、ＣＶＤ等の方法
を用いてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を成膜した
のちに、熱処理あるいはレーザ結晶化等の方法を用いて
良質の多結晶シリコン膜（ｐ−Ｓｉ）とすることにより
形成する。The liquid crystal display device 1 shown in FIG. 1 is manufactured by the following steps. First, a base insulating film (not shown) that covers the glass substrate is formed on the glass substrate (not shown). This is to prevent the diffusion of impurities from the glass substrate. Then, the lower light-shielding layer 2 is formed on this. After forming a first interlayer insulating film (not shown) on this, a thin film semiconductor layer 3 to be a channel portion of the thin film transistor is formed. The thin-film semiconductor layer 3 is formed by depositing amorphous silicon (a-Si) by using a method such as CVD, and then using a method such as heat treatment or laser crystallization, a high-quality polycrystalline silicon film (p-Si). To be formed.
【００２８】本実施例では、この後、薄膜トランジスタ
の島状領域を形成するとともに、トランジスタのチャネ
ル及びＬＤＤ領域８近傍両側の下部遮光層２パターン内
に遮光層エッジからの浸入光を遮蔽するように半導体層
４を用いて遮蔽パターンを形成することを特徴としてい
る。このとき、この遮蔽パターンは、薄膜トランジスタ
とは分離させるとともに、特にＬＤＤ領域８への光の浸
入を遮蔽するように形成する。[0028] In this embodiment, after this, to form the island-shaped region of the thin film transistor, so as to shield the penetration light from the light-shielding layer edge to the lower light shielding layer 2 pattern within the channel and the LDD regions 8 near both sides of the transistor motor It is characterized in that a shielding pattern is formed using the semiconductor layer 4. At this time, the shielding pattern is formed so as to be separated from the thin film transistor and particularly to block the intrusion of light into the LDD region 8.
【００２９】この後、ゲート絶縁膜（図示せず）、ゲー
ト電極７、第２の層間絶縁膜（図示せず）を順次形成し
たのち、Ａｌで形成されるデータ線５を形成する。この
データ線は薄膜トランジスタの一方のソース・ドレイン
にコンタクトホール（図示せず）を介して接続する。さ
らに、この上部に第３の層間絶縁膜（図示せず）を介し
てブラックマトリックス６となるＡｌを形成する。そし
て最後に、第４の層間絶縁膜（図示せず）を介して透明
電極（図示せず）を形成して素子が完成する。このとき
この透明電極はコンタクトホール等を介して薄膜トラン
ジスタのもう一方のソース・ドレインに接続されるよう
に形成する。After that, a gate insulating film (not shown), a gate electrode 7, and a second interlayer insulating film (not shown) are sequentially formed, and then a data line 5 made of Al is formed. This data line is connected to one source / drain of the thin film transistor through a contact hole (not shown). Further, Al to be the black matrix 6 is formed on the upper portion of the third interlayer insulating film (not shown). Finally, a transparent electrode (not shown) is formed via a fourth interlayer insulating film (not shown) to complete the device. At this time, this transparent electrode is formed so as to be connected to the other source / drain of the thin film transistor through a contact hole or the like.
【００３０】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域及びチャネ
ル領域に光を照射すると、光によるキャリアが生成さ
れ、これがリーク電流となり正常なスイッチ動作ができ
なくなる。この問題は、とくに画素スイッチトランジス
タで生じる。そこで、画素スイッチを形成する薄膜トラ
ンジスタ、特にＬＤＤ領域、チャネル領域への照射光を
極力低減する必要がある。特に、強力な照射光下で使用
される液晶ライトバルブ用ＴＦＴ基板等では、ＴＦＴの
上下を遮光し直接光の照射を遮光する方法がとられてい
るが、この場合でも、遮光層パターン側面からの多重反
射により浸入する光が問題となる。When the LDD region and the channel region of the thin film transistor are irradiated with light, carriers are generated by the light, which becomes a leak current, which prevents normal switching operation. This problem occurs especially in the pixel switch transistor. Therefore, it is necessary to reduce the irradiation light to the thin film transistor forming the pixel switch, particularly the LDD region and the channel region as much as possible. In particular, in the liquid crystal light valve for TFT substrate or the like to be used under strong illumination light, a method of shielding the irradiation of the direct light to shield the upper and lower TFT is taken, even in this case, the light-shielding layer pattern side The problem is the light that enters due to the multiple reflections of.
【００３１】この問題に対して、本実施例の液晶表示装
置では、薄膜トランジスタのチャネル、ＬＤＤ領域の側
面近傍に半導体層を用いて光遮蔽層を形成することによ
り解決している。すなわち、図１の半導体遮光層４で
は、側面から多重反射で浸入してくる光を吸収すること
により遮光する。本手段は従来のメタル等の遮光層と異
なり、光を反射させるのではなく吸収することによりＴ
ＦＴへ到達する光を低減させるため、より有効に不要な
光を遮光することができる。特に、半導体遮光層は問題
となる青光に対して吸収率が高く、低減効果が高い。The liquid crystal display device of this embodiment solves this problem by forming a light shielding layer using a semiconductor layer in the vicinity of the side surface of the channel and the LDD region of the thin film transistor. That is, in the semiconductor light-shielding layer 4 of FIG. 1, the light that has entered from the side surface by multiple reflection is absorbed to absorb light. This means is different from the conventional light-shielding layer made of metal or the like, in that the light is absorbed instead of being reflected.
Since the light reaching the FT is reduced, unnecessary light can be blocked more effectively. In particular, the semiconductor light shielding layer has a high absorptance with respect to the problematic blue light and has a high reduction effect.
【００３２】次に、本発明の実施例２に係る液晶表示装
置について、図２を参照して説明する。図２は、本発明
の実施例２に係る多結晶シリコン薄膜トランジスタを用
いた液晶表示装置の構造を模式的に示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ´間における断面図で
ある。Next, a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram schematically showing a structure of a liquid crystal display device using a polycrystalline silicon thin film transistor according to a second embodiment of the present invention,
(A) is a plan view and (b) is a sectional view taken along line BB '.
【００３３】本実施例と前記実施例１との相違点は、余
分な光を遮光する半導体層４を形成する領域を変えたこ
とであり、その他の構成、製造方法等については前記実
施例１と同様である。The difference between this embodiment and the first embodiment is that the region for forming the semiconductor layer 4 which shields excess light is changed, and other configurations, manufacturing methods and the like are the same as those of the first embodiment. Is the same as.
【００３４】図２に示すように、本実施例の液晶表示装
置１１は、ガラス基板の上に下地絶縁膜（図示せず）を
形成し、下部遮光層２及び第１の層間絶縁膜（図示せ
ず）を形成したのち、薄膜トランジスタのチャネル部と
なる薄膜半導体層３を形成する。ここで本実施例では、
薄膜トランジスタの島状領域を形成すると共に、トラン
ジスタのＬＤＤ領域８近傍両側の下部遮光層２パターン
内に半導体層４が残るように遮蔽パターンを形成するこ
とを特徴としている。As shown in FIG. 2, in the liquid crystal display device 11 of this embodiment, a base insulating film (not shown) is formed on a glass substrate, and the lower light shielding layer 2 and the first interlayer insulating film (see FIG. (Not shown) is formed, and then the thin film semiconductor layer 3 to be the channel portion of the thin film transistor is formed. Here, in this embodiment,
Thereby forming an island-shaped region of the thin film transistor, it is characterized by forming a blocking pattern as the semiconductor layer 4 remains in the lower light shielding layer 2 patterns within the LDD regions 8 near both sides of the trunk <br/> Ges data.
【００３５】このあと、ゲート絶縁膜（図示せず）、ゲ
ート電極７、第２の層間絶縁膜（図示せず）を順次形成
したのち、Ａｌで形成されるデータ線５を形成する。さ
らにこの上部に第３の層間絶縁膜を介してブラックマト
リックスとなるＡｌを形成６する。そして最後に、第４
の層間絶縁膜（図示せず）を介して透明電極（図示せ
ず）を形成して素子が完成する。After that, a gate insulating film (not shown), a gate electrode 7, and a second interlayer insulating film (not shown) are sequentially formed, and then a data line 5 made of Al is formed. Further, Al serving as a black matrix is formed 6 on the upper portion of the third interlayer insulating film. And finally, the fourth
A transparent electrode (not shown) is formed through the interlayer insulating film (not shown) to complete the device.
【００３６】このように、遮蔽パターンをＬＤＤ側面の
みに形成する方法によっても、遮光（遮蔽）の効果を高
く維持することができる。これは、ＬＤＤ領域の電界が
強く、より光の影響を受けやすい領域であるからだけで
なく、チャネル領域はゲート線上にあり、遮蔽パターン
も広く十分な遮光対策がとれているからである（この場
合のゲート線は金属膜を想定）。これに対して、ＬＤＤ
領域は開口率を高くするため遮蔽パターンに制限があ
り、遮光エッジからの多重反射光の影響を受けやすい。
したがって本実施例の構造によっても十分に遮光するこ
とが可能になる。As described above, the effect of light shielding (shielding) can be maintained high even by the method of forming the shielding pattern only on the side surface of the LDD. This is not only because the electric field of the LDD region is strong and is more susceptible to the influence of light, but also because the channel region is on the gate line and the shielding pattern is wide and sufficient light shielding measures are taken. (Assuming a metal film for the gate line in this case). In contrast, LDD
Since the area has a high aperture ratio, the shielding pattern is limited, and is easily affected by multiple reflected light from the light shielding edge.
Therefore, even with the structure of this embodiment, it is possible to sufficiently shield light.
【００３７】次に、本発明の実施例３に係る液晶表示装
置について、図４を参照して説明する。図４は、本発明
の実施例３に係る多結晶シリコン薄膜トランジスタを用
いた液晶表示装置の構造を模式的に示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＤ−Ｄ´間における断面図で
ある。[0037] Next, a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram schematically showing the structure of a liquid crystal display device using a polycrystalline silicon thin film transistor according to Example 3 of the present invention.
(A) is a top view, (b) is a sectional view between DD '.
【００３８】本実施例と前記実施例１との相違点は、同
様に余分な光を遮光する半導体層４を形成する領域を変
えたことであり、その他の構成、製造方法等については
前記実施例１と同様である。The difference between this embodiment and the first embodiment is that the region for forming the semiconductor layer 4 that similarly shields excess light is changed, and other configurations, manufacturing methods, etc. are the same as those in the first embodiment. Similar to Example 1.
【００３９】図４に示すように、本実施例の液晶表示装
置２１は、ガラス基板（図示せず）の上に下地絶縁膜
（図示せず）、下部遮光層２及び第１の層間絶縁膜（図
示せず）を形成したのち、薄膜トランジスタのチャネル
部となる薄膜半導体層３を形成する。ここで本実施例で
は、薄膜トランジスタの島状領域を形成すると共に、ト
ランジスタのチャネル及びＬＤＤ領域近傍両側の下部遮
光層パターン内に半導体層４が残り、かつ、遮蔽パター
ンがデータ線側に接続されるように遮蔽パターンを形成
することを特徴としている。As shown in FIG. 4 , the liquid crystal display device 21 of this embodiment has a base insulating film (not shown), a lower light-shielding layer 2 and a first interlayer insulating film on a glass substrate (not shown). After forming (not shown), the thin film semiconductor layer 3 which will be the channel portion of the thin film transistor is formed. Here in this embodiment, thereby forming an island-shaped region of the thin film transistor, the semiconductor layer 4 remains on preparative <br/> Rungis data channel and LDD regions near both sides of the lower light-shielding layer pattern within and shielded putter
Emission is characterized by forming a blocking pattern to be connected to the data line side.
【００４０】このあと、ゲート絶縁膜（図示せず）、ゲ
ート電極７、第２の層間絶縁膜（図示せず）を順次形成
したのち、データ線５を形成する。さらに、この上部に
第３の層間絶縁膜（図示せず）を介してブラックマトリ
ックス６を形成し、第４の層間絶縁膜（図示せず）を介
して透明電極（図示せず）を形成して素子が完成する。After that, a gate insulating film (not shown), a gate electrode 7, and a second interlayer insulating film (not shown) are sequentially formed, and then a data line 5 is formed. Further, a black matrix 6 is formed on the upper part of the third interlayer insulating film (not shown), and a transparent electrode (not shown) is formed on the fourth interlayer insulating film (not shown). Element is completed.
【００４１】このように遮蔽パターンをデータ線側に接
続しても遮光の効果を得ることができる。すなわち、孤
立パターンの場合には、半導体活性層と同じためにゲー
ト線の電位により電界効果等による影響が懸念される。
しかしながら本実施例のようにデータ線側に接続されて
いると、このような影響を軽減することができる。光発
生電荷が液晶を駆動させる透明電極側にもれると問題に
なるが、データ線側に接続されている場合には問題とな
らない。このとき遮蔽パターンは不純物を含む場合と含
まない場合とどちらでも効果が得ることができる。Thus, even if the shielding pattern is connected to the data line side, the effect of shielding light can be obtained. That is, in the case of an isolated pattern, since it is the same as the semiconductor active layer, there is a concern that the potential of the gate line may affect the electric field effect.
However, when the data line side is connected as in this embodiment, such an influence can be reduced. There is a problem if the photo-generated charges leak to the transparent electrode side that drives the liquid crystal, but there is no problem if they are connected to the data line side. At this time, the effect can be obtained whether the shielding pattern contains impurities or not.
【００４２】また、図３に示す本発明の他の構成のよう
に、データ線５のＡｌの幅をこのＬＤＤ及びチャネル領
域近傍で拡大（延在）する構造でも効果を奏することが
でき、また、図５に示す構成ように、ゲート電極７がシ
リコン材料で構成されている場合、ゲート電極でこのよ
うな遮蔽パターンを形成することによっても同様の効果
を得ることができる。Further, like the other structure of the present invention shown in FIG. 3 , a structure in which the width of Al of the data line 5 is enlarged (extended) in the vicinity of the LDD and the channel region can also exert the effect, and When the gate electrode 7 is made of a silicon material as shown in FIG. 5, the same effect can be obtained by forming such a shielding pattern with the gate electrode.
【００４３】更に、図１〜図５のおけるゲート電極７
（ゲート線含む）として下層面にシリコン層を有するゲ
ート電極層を用いることにより、下からの反射光を同様
に吸収して同様の効果（チャネル領域若しくはＬＤＤ領
域への入射光を遮光し、光リーク電流を抑制させる効
果）を得ることができる。特に、ゲート電極を用いて同
様の遮蔽パターンを形成する場合（図５の場合）には、
本発明の実施例１（図１）のように同一層で形成する場
合と比較して、遮蔽パターンと半導体とのスペースを小
さくすることができるため、より遮光の効果を高めるこ
とができるという利点を有する。Further, the gate electrode 7 in FIGS.
By using a gate electrode layer having a silicon layer on the lower surface as (including the gate line) , the reflected light from the lower side is similarly absorbed and the same effect (channel region or LDD region) is obtained.
The effect of blocking the incident light to the region and suppressing the light leakage current.
Fruit) can be obtained. Particularly, when a similar shielding pattern is formed using the gate electrode ( in the case of FIG. 5) ,
Compared to the case where the same layer is formed as in the first embodiment (FIG. 1) of the present invention, the space between the shielding pattern and the semiconductor can be reduced, and thus the effect of shielding light can be further enhanced. Have.
【００４４】なお、図２、図４、図５の構成において、
データ線のＡｌの幅を図３のように拡大する構造でも同
様の効果が得られることを確認している。In addition, in the configuration of FIG. 2, FIG. 4 and FIG.
The width of the Al of the data lines the same effect even larger structures as shown in FIG. 3 has been confirmed that the obtained.
【００４５】[0045]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、光が強くなるにつれ反射光が幾重にも多重反射し
てトランジスタに到達するという問題を回避することが
できるという効果を奏する。その理由は、トランジスタ
に用いる半導体層と同じ材料で遮光することにより、光
吸収効率を高くすることができ、余分な光を選択的に吸
収して遮光することができるからである。As described above, according to the configuration of the present invention, it is possible to avoid the problem that the reflected light is multiply reflected and reaches the transistor as the light becomes stronger. . The reason is that the light absorption efficiency can be increased by shielding with the same material as the semiconductor layer used for the transistor, and excess light can be selectively absorbed and shielded.
【００４６】また、本発明の構成により、トランジスタ
に影響の少ない赤光等はあまり吸収せず、効率的な遮光
効果を実現し、また、同時に半導体層をそのまま使用す
ることにより、パターンの変更のみで遮光構造を実現す
ることができ、工程の増加を招かないという効果も奏す
る。Further, according to the structure of the present invention, red light or the like, which has a small effect on the transistor, is not absorbed so much, and an efficient light-shielding effect is realized. At the same time, the semiconductor layer is used as it is, so that only the pattern is changed. Thus, a light-shielding structure can be realized, and there is an effect that the number of steps is not increased.
【図１】本発明の実施例１にかかる液晶表示装置の構造
を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ
−Ａ´間における断面図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a structure of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, (a) is a plan view, and (b) is A.
It is sectional drawing between -A '.
【図２】本発明の実施例２にかかる液晶表示装置の構造
を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＢ
−Ｂ´間における断面図である。2A and 2B are diagrams schematically showing a structure of a liquid crystal display device according to Example 2 of the present invention, in which FIG. 2A is a plan view and FIG.
It is sectional drawing between -B '.
【図３】本発明の実施例３にかかる液晶表示装置の構造
を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＣ
−Ｃ´間における断面図である。3A and 3B are diagrams schematically illustrating a structure of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, in which FIG. 3A is a plan view and FIG.
It is sectional drawing between -C '.
【図４】本発明の他の実施例にかかる液晶表示装置の構
造を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
Ｄ−Ｄ´線における断面図である。4A and 4B are diagrams schematically showing a structure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, in which FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a sectional view taken along line DD ′.
【図５】本発明の他の実施例にかかる液晶表示装置の構
造を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
Ｅ−Ｅ´線における断面図である。5A and 5B are diagrams schematically showing a structure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, in which FIG. 5A is a plan view and FIG. 5B is a sectional view taken along line EE ′.
【図６】従来の液晶表示装置の構造を模式的に示す図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＸ−Ｘ´線における断
面図である。6A and 6B are diagrams schematically showing a structure of a conventional liquid crystal display device, in which FIG. 6A is a plan view and FIG. 6B is a sectional view taken along line XX ′.
１、１１、２１、３１、４１、１０１ 液晶表示装置 ２、１０２ 遮光層（下部遮光層） ３、１０３ 半導体層（チャネル部） ４ 半導体層（遮光用） ５、１０５ データ線 ６、１０６ ブラックマトリックス層 ７、１０７ ゲート線（ゲート電極） ８、１０８ ＬＤＤ領域 ９、１０９ ソース／ドレイン領域 1, 11, 21, 31, 41, 101 Liquid crystal display device 2,102 Shading layer (lower shading layer) 3, 103 semiconductor layer (channel part) 4 Semiconductor layer (for light shielding) 5,105 data lines 6,106 Black matrix layer 7,107 Gate line (gate electrode) 8,108 LDD region 9,109 Source / drain region
Claims (7)
と、 前記下部遮光層上の領域内に第１層間膜を介して形成さ
れ、ＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域を有するＳｉ
半導体層からなる薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上にゲート絶縁膜を介して形成さ
れるゲート電極と、 前記ゲート電極上層に第２層間膜を介して積層するとと
もに、前記薄膜トランジスタの一のソース／ドレイン領
域に接続されるデータ線と、 前記データ線上層に第３層間絶縁膜を介して形成される
上部遮光層と、 前記上部遮光層上層に第４層間絶縁膜を介して形成さ
れ、前記薄膜トランジスタの他のソース／ドレイン領域
に接続される画素電極と、を備える液晶表示装置におい
て、前記下部遮光層パターンの領域内であって、少なくとも
前記薄膜トランジスタのチャネル及び前記ＬＤＤ領域近
傍の両側方に、前記チャネル及び前記ＬＤＤ領域が前記
下部遮光層エッジからの浸入光から遮蔽されるように半
導体層を用いて遮蔽パターンが形成され、 前記遮蔽パターンは、前記チャネル及び前記ＬＤＤ領域
と分離している ことを特徴とする液晶表示装置。1. A lower light-shielding layer laminated on a transparent insulating substrate, and Si having an LDD region and a source / drain region formed in a region on the lower light-shielding layer with a first interlayer film interposed therebetween.
A thin film transistor including a semiconductor layer, a gate electrode formed on the thin film transistor via a gate insulating film, a second interlayer film on the gate electrode upper layer, and a source / drain region of one of the thin film transistors. Data lines to be connected, an upper light-shielding layer formed on the upper layer of the data line via a third interlayer insulating film, and a fourth light-shielding layer formed on the upper layer of the upper light-shielding layer via a fourth interlayer insulating film. In a liquid crystal display device including a pixel electrode connected to a source / drain region , at least in a region of the lower light shielding layer pattern,
Near the channel of the thin film transistor and the LDD region
On both sides of the side, the channel and the LDD region are
Half shielded from the light penetrating from the edge of the lower shading layer
A shield pattern is formed using a conductor layer, and the shield pattern includes the channel and the LDD region.
A liquid crystal display device characterized by being separated from .
と、 前記下部遮光層上の領域内に第１層間膜を介して形成さ
れ、ＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域を有するＳｉ
半導体層からなる薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上にゲート絶縁膜を介して形成さ
れるゲート電極と、 前記ゲート電極上に第２層間膜を介して積層するととも
に、前記薄膜トランジスタの一のソース／ドレイン領域
に接続されるデータ線と、 前記データ線上に第３層間絶縁膜を介して形成される上
部遮光層と、 前記上部遮光層上に第４層間絶縁膜を介して形成され、
前記薄膜トランジスタの他のソース／ドレイン領域に接
続される画素電極と、 を備える液晶表示装置において、前記下部遮光層パターンの領域内であって、少なくとも
前記薄膜トランジスタの前記ＬＤＤ領域近傍の両側方
に、前記ＬＤＤ領域が前記下部遮光層エッジからの浸入
光から遮蔽されるように半導体層を用いて島状の遮蔽パ
ターンが形成され、 前記遮蔽パターンは、前記薄膜トランジスタと分離して
いる ことを特徴とする液晶表示装置。2. A lower light-shielding layer laminated on a transparent insulating substrate, and Si having an LDD region and a source / drain region formed in a region on the lower light-shielding layer with a first interlayer film interposed therebetween.
A thin film transistor including a semiconductor layer, a gate electrode formed on the thin film transistor via a gate insulating film, a second interlayer film on the gate electrode, and a source / drain region of one of the thin film transistors. A data line connected to the data line, an upper light-shielding layer formed on the data line via a third interlayer insulating film, and a fourth interlayer insulating film formed on the upper light-shielding layer,
In a liquid crystal display device including a pixel electrode connected to another source / drain region of the thin film transistor , at least in a region of the lower light shielding layer pattern,
Both sides near the LDD region of the thin film transistor
The LDD region penetrates from the edge of the lower light-shielding layer.
A semiconductor layer is used so that it is shielded from light, and island-shaped shield patterns are used.
A turn is formed, the shielding pattern is separated from the thin film transistor.
The liquid crystal display device, characterized in that there.
タを形成する工程と同一工程で形成されることを特徴と
する請求項２記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the shield pattern is formed in the same step as the step of forming the thin film transistor.
と、 前記下部遮光層上の領域内に第１層間膜を介して形成さ
れ、ＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域を有するＳｉ
半導体層からなる薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上にゲート絶縁膜を介して形成さ
れるゲート電極と、 前記ゲート電極上層に第２層間膜を介して積層するとと
もに、前記薄膜トランジスタの一のソース／ドレイン領
域に接続されるデータ線と、 前記データ線上層に第３層間絶縁膜を介して形成される
上部遮光層と、 前記上部遮光層上層に第４層間絶縁膜を介して形成さ
れ、前記薄膜トランジスタの他のソース／ドレイン領域
に接続される画素電極と、を備える液晶表示装置におい
て、 前記下部遮光層パターンの領域内であって、少なくとも
前記薄膜トランジスタのチャネル及び前記ＬＤＤ領域近
傍の両側方に、前記チャネル及び前記ＬＤＤ領域が前記
下部遮光層エッジからの浸入光から遮蔽されるように半
導体層を用いて遮蔽パターンが形成され、 前記遮蔽パターンは、前記ソース／ドレイン領域と接続
することを特徴とする液晶表示装置。4. A lower light-shielding layer laminated on a transparent insulating substrate.
And formed on the lower light-shielding layer through a first interlayer film.
Si having LDD regions and source / drain regions
A thin film transistor formed of a semiconductor layer and formed on the thin film transistor via a gate insulating film.
And a gate electrode formed on the gate electrode via a second interlayer film.
In general, one source / drain region of the thin film transistor
And a data line connected to the area, and formed on the data line upper layer through a third interlayer insulating film.
The upper light-shielding layer is formed on the upper light-shielding layer via a fourth interlayer insulating film.
Other source / drain regions of the thin film transistor
And a pixel electrode connected to the liquid crystal display device.
At least in the area of the lower light-shielding layer pattern,
Near the channel of the thin film transistor and the LDD region
On both sides of the side, the channel and the LDD region are
Half shielded from the light penetrating from the edge of the lower shading layer
Shielding pattern is formed of the conductor layers, the shielding pattern, a liquid crystal display device you characterized by connecting to the source / drain area.
ン領域のうち前記データ線と接続する側の領域と接続す
ることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。5. The shield pattern comprises the source / drain.
The liquid crystal display device according to claim 4, characterized in that connected to the realm of the side of the emission area to be connected to the data line.
光層側がシリコン材料で構成されることを特徴とする請
求項１乃至５のいずれか一に記載の液晶表示装置。Wherein said gate electrode is at least a liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 5 wherein the lower light shielding layer side, characterized in that it is composed of a silicon material.
と、 前記下部遮光層上の領域内に第１層間膜を介して形成さ
れ、ＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域を有するＳｉ
半導体層からなる薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上にゲート絶縁膜を介して形成さ
れるゲート電極と、 前記ゲート電極上層に第２層間膜を介して積層するとと
もに、前記薄膜トランジスタの一のソース／ドレイン領
域に接続されるデータ線と、 前記データ線上層に第３層間絶縁膜を介して形成される
上部遮光層と、 前記上部遮光層上層に第４層間絶縁膜を介して形成さ
れ、前記薄膜トランジスタの他のソース／ドレイン領域
に接続される画素電極と、 を備える液晶表示装置において、 前記ゲート電極は、少なくとも前記下部遮光層側がシリ
コン材料から構成されており、前記薄膜トランジスタの
少なくとも前記ＬＤＤ領域の側方にも配され、前記ＬＤ
Ｄ領域の側方を覆うように形成されることを特徴とする
液晶表示装置。7. A lower light-shielding layer laminated on a transparent insulating substrate, and Si having an LDD region and a source / drain region formed in a region on the lower light-shielding layer with a first interlayer film interposed therebetween.
A thin film transistor including a semiconductor layer, a gate electrode formed on the thin film transistor via a gate insulating film, a second interlayer film on the gate electrode upper layer, and a source / drain region of one of the thin film transistors. Data lines to be connected, an upper light-shielding layer formed on the upper layer of the data line via a third interlayer insulating film, and a fourth light-shielding layer formed on the upper layer of the upper light-shielding layer via a fourth interlayer insulating film. In a liquid crystal display device including a pixel electrode connected to a source / drain region, at least the lower light-shielding layer side of the gate electrode is made of a silicon material, and the gate electrode is also provided at least at a side of the LDD region of the thin film transistor. Arranged and LD
A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device is formed so as to cover a side of the D region.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000017071A JP3419374B2 (en) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | Liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000017071A JP3419374B2 (en) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | Liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001209067A JP2001209067A (en) | 2001-08-03 |
| JP3419374B2 true JP3419374B2 (en) | 2003-06-23 |
Family
ID=18544109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000017071A Expired - Fee Related JP3419374B2 (en) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | Liquid crystal display |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3419374B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004004722A (en) * | 2002-04-25 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | Electrooptical device and electronic equipment |
| JP3925555B2 (en) * | 2002-04-25 | 2007-06-06 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device and electronic apparatus |
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-
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| JP2001209067A (en) | 2001-08-03 |
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