JP3414176B2 - 平坦化剤の塗布装置 - Google Patents
平坦化剤の塗布装置Info
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Description
かしたセラメート等の平坦か材を半導体基板表面に塗布
する平坦化材の塗布装置に関する。
ている。それに伴い、半導体デバイス回路の多層配線化
が進み、多層配線層間の平坦化技術として揮発性溶剤に
有機シリコン化合物を溶かしたセラメート等の平坦化材
が用いられる。
に従来例の塗布装置平面図、図7に従来例の塗布装置断
面図、図8に従来例の待機ポット断面図を示す。
の部分は左側から、待機ポットの部分は右側から見た部
分である。図において、1は塗布装置、2は塗布カッ
プ、3は半導体基板、4は待機ポット、5は吐出ノズ
ル、6は洗浄ノズル、7は溶剤供給口、8は平坦化材、
9は溶剤溜、10はドレイン、11は石英窓、12は回転吸着
台、13は真空吸着管である。
置1の塗布カップ2のサイドに、吐出ノズル5の半導体
基板3に平坦化材8を吐出して塗布する時以外に吐出ノ
ズル5を収納待機させておく待機ポット4を設けて、こ
の待機ポット4内に図8に示すようにセラメート等平坦
化材8が付着している場合があるので、吐出ノズル5の
先端に洗浄ノズル6を用いて溶剤を噴射し、吐出ノズル
5の先端が溶剤で洗浄されるようにしている。また、洗
浄ノズル6から垂れた溶剤は溶剤溜9に溜めて、定期的
にドレインから揮発ガス等と一緒に排出している。
メートは有機シリコン化合物であるペルヒドポリシラザ
ン(SiHxNy)nを構造単位とするポリマーをキシ
レン等の揮発性有機溶剤に溶解した半導体基板表面の平
坦化材である。
が速く、溶剤が揮発してしまうと、セラメートの成分で
あるペルヒドポリシラザンが結晶化してしまう。そのた
め、吐出ノズル5の先端等についたセラメートの結晶が
吐出ノズル5の吐出口を塞いでしまい、吐出不良になっ
てしまう。
吐出ノズルの吐出口先端にセラメートが付着してしまう
と、セラメート内の溶剤が揮発し、セラメートが結晶化
し、吐出ノズル先端の吐出ノズルを塞いで、吐出不良等
の問題が生じていた。
セラメート内の溶剤と同じ雰囲気にする事で溶剤の揮発
を遅らせ、セラメートの結晶化を防止することを目的と
して提供される。
平面図、図2は本発明の塗布装置断面図、図3は本発明
の待機ポット断面図である。図2の断面図は図1の塗布
カップ部分を左側から、待機ポットを右側から見た図で
ある。
プ、3は半導体基板、4は待機ポット、5は吐出ノズ
ル、6は洗浄ノズル、7は溶剤供給口、8は平坦化材、
9は溶剤溜、10はドレイン、11は石英窓、12は回転吸着
台、13は真空吸着管、14はO−リングである。
剤の揮発による結晶化を防止するため、図2、図3に示
すように、待機ポット4内にキシレン等の溶剤を満たし
て、吐出ノズル5からの平坦化材の吐出・塗布以外の待
機時は待機ポット4内部の吐出ノズル5の下方に溶剤溜
9を設置し、吐出ノズル5を浸漬しておく事により、吐
出ノズル5の先端の吐出口の平坦化材による詰まりを防
止する。
と溶剤溜9の溶剤液面の高さや吐出ノズル5の吐出口の
状況を確認する為の石英窓11を取付けて、常時吐出ノズ
ル5の位置と溶剤液面を監視する。
端に付着したセラメートの結晶化を防止するために、待
機ポット4内に溶剤を満たした溶剤溜9を設けて、吐出
ノズル5を溶剤で浸すと共に、定期的に吐出ノズル5を
洗浄ノズル6で洗浄する。
気の溶剤はセラメート内に含まれているキシレン等の溶
剤を使用し、待機ポット4内を密閉雰囲気として溶剤の
揮発を遅らせる。吐出ノズル5の先端は、待機時には常
時溶剤に浸される為、吐出ノズル5の先端は乾燥するこ
とが無く、セラメートの結晶化を防止する。
は、待機ポット4の下部より定期的に供給し、供給時に
溶剤溜9よりオーバーフローさせ、ドレイン10より排出
することで、絶えず新しい溶剤に入替えを行う。
窓11を付ける事により、待機ポット4内の吐出ノズル5
の先端の吐出口の状態と溶剤の液面の量を確認すること
ができ、従来の装置を自動から手動にして確認する時間
を省き、塗布処理を中止せずに確認することが可能とな
る。
図2は本発明の塗布装置断面図、図3は本発明の待機ポ
ット断面図、図4は従来の待機ポットによる平坦化材の
結晶化状態、図5は本発明の待機ポットによる平坦化材
の結晶化状態である。
プ、3は半導体基板、4は待機ポット、5は吐出ノズ
ル、6は洗浄ノズル、7は溶剤供給口、8は平坦化材、
9は溶剤溜、10はドレイン、11は石英窓、12は回転吸着
台、13は真空吸着管、14はO−リングである。
り説明する。実施例では、半導体基板表面の多層配線表
面の微細な凹凸を平坦化するするために、平坦化材とし
て市販のセラメートを用い、溶剤にはキシレンが用いら
れている。
により吐出ノズル5の先端を洗浄するために、図3に示
すように、隣接する洗浄ノズル6より溶剤のキシレンを
吐出させて、吐出ノズル5の先端の吐出口にキシレンを
浴びせ掛けて、吐出ノズル5の洗浄を数秒間行う。
ト4内に溶剤を供給するための溶剤ラインを別個に取り
付け、待機ポット4内が常時溶剤雰囲気に成るように溶
剤溜9に溶剤を溶剤供給口7より供給する。また、吐出
ノズル5の先端は溶剤溜9中の溶剤に浸されているた
め、セラメート吐出前の予備吐出を2秒程行う。その時
にセラメートは溶剤の中に吐出され、セラメートが吐出
ノズル5の吐出す口の回りに結晶化して付着しなくな
る。溶剤の中に吐出されたセラメートは、溶剤の供給時
に溶剤に希釈され、ドレイン10に流出される。
め、吐出ノズル5は待機ポット4内の溶剤溜9から上方
に引き上げられて、吐出ノズル5基部の回転軸で塗布装
置の塗布カップ2内の回転吸着台12に真空吸着管13によ
る真空吸着で保持された半導体基板(ウェーハ)3の中
心に回転移動して保持される。そして吐出ノズル5先端
の吐出口より空気圧で6ミリリットルのセラメートを5
秒間吐出して、半導体基板の中心に滴下する。同時に真
空チャックに保持した半導体基板3を4,000rpm
で回転しながら、半導体基板3の中心に滴下してセラメ
ートを半導体基板3の全面に均一に拡大して塗布する。
この時の平坦化材8であるセラメートの膜厚は約2,2
00Åである。
直ちに、待機ポット4上に戻し、そのまま下降して、溶
剤溜9の中に浸漬しておく。吐出ノズル5の溶剤溜9か
ら引上げ→回転→滴下→回転→下降のサイクルは約1分
で、半導体基板3の1枚づつのセラメー塗布を繰り返
す。溶剤溜には約55秒浸かっているが、その間、溶剤
溜9の溶剤はどんどん揮発して待機ポット4の中をキシ
レン蒸気の雰囲気とするとともに、ドレイン10から絶え
ず排気される。そして溶剤溜9の中のキシレンの減少分
は溶剤溜9の下方の溶剤供給口7から定期的に補給さ
れ、溶剤溜9の面は絶えず溶剤がオーバーフローして、
結晶残滓等が残らないようにする。
ズル5の先端の吐出口の状況は待機ポット4の壁面には
め込んだ石英窓11から絶えず観察して、吐出ノズル5の
先端吐出口にセラメートの結晶付着物がないか、溶剤溜
9の液面の高さを監視し、吐出ノズル5の先端の吐出口
が塞がらないように監視する。
り付ける事により、吐出ノズル5と溶剤の液面の位置関
係を容易に知ることが可能となる。また、半導体基板3
の表面にセラメートを滴下した後、半導体基板3は直ち
に次の半導体基板3と自動交換して、塗布済の半導体基
板3は隣接するホットプレート上に送られ、300℃で
70秒加熱され、SiO2 膜からなる厚さ約2,000
Åの平坦化膜が半導体基板3表面の多層配線膜上に形成
される。
め、吐出ノズル5と待機ポット4の間には、図3に黒点
で示すようにO−リング14を入れてある。
セラメートの結晶化防止の効果を、従来型の待機ポット
を使用した場合と本発明の新型の待機ポットを使用した
場合について比較評価を行った。
平坦化材の塗布が終わって、待機ポットに待機する製品
待ちの時間を吐出ノズルの空出しインターバルとして、
吐出時間の待機ポット中での待機時間による平坦化材の
吐出ノズルの吐出口での結晶化しない状態、結晶化へ進
むゲル化した中間段階、完全に結晶化して吐出口が詰ま
った状態の三段階で観察した。
ットではセラメートの粘度にもよるが、待機時間が10
分ではポットと表現されている待機ポット内壁でゲル化
が始まり、15分では吐出ノズル先端の吐出口とポット
両方がゲル化し、30分以上ではノズルとポットの両方
が完全に結晶化してしまう。
ットでは60分の待機時間でもノズルとポットの双方と
も結晶化せず、吐出ノズルの長時間の待機でも支障なく
平坦化材の塗布が行える状態となっている。
メートによる吐出ノズルの結晶付着防止は完全なものと
なり、吐出ノズルの洗浄も容易に行うことが出来る。こ
れにより吐出ノズルの結晶化が防止され、セラメート等
の平坦化材の塗布異常が発生しなくなり、本発明の塗布
装置の待機ポットの構造と吐出ノズルによる平坦化材の
塗布方法は平坦化膜の均一な形成技術に寄与するところ
が大である。
態
状態
Claims (2)
- 【請求項1】 回転する半導体基板に対して吐出ノズル
から揮発性の溶剤によって希釈された平坦化材を塗布す
る装置において、前記溶剤雰囲気で満たされた待機ポッ
ト内に溶剤溜を有し、該溶剤溜は、半導体基板に対する
平坦化材の塗布時以外に吐出ノズルを溶剤中に浸漬する
ものであり、前記待機ポットの壁の一部に窓を設けるこ
とを特徴とする平坦化材の塗布装置。 - 【請求項2】 前記溶剤溜は該溶剤溜の下方から溶剤が
供給され、且つオーバーフローして排出される構造であ
ることを特徴とする請求項1記載の平坦化材の塗布装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33958696A JP3414176B2 (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 平坦化剤の塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33958696A JP3414176B2 (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 平坦化剤の塗布装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10178008A JPH10178008A (ja) | 1998-06-30 |
JP3414176B2 true JP3414176B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=18328887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33958696A Expired - Fee Related JP3414176B2 (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 平坦化剤の塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3414176B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150146080A (ko) * | 2014-06-20 | 2015-12-31 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 노즐 막힘 방지 시스템 및 방법, 그리고 이를 사용하는 프린터 |
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---|---|---|---|---|
JPH1199354A (ja) * | 1997-09-27 | 1999-04-13 | Tdk Corp | 回転式塗布方法及び塗布装置 |
BRPI0618203A2 (pt) * | 2005-11-04 | 2016-11-16 | Tokuyama Corp | aparelho de revestimento |
JP5004561B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-08-22 | 株式会社トクヤマ | コーティング装置 |
JP5012931B2 (ja) * | 2010-02-22 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及び液処理装置 |
JP6981032B2 (ja) * | 2017-04-18 | 2021-12-15 | 凸版印刷株式会社 | ノズルの待機方法、及び塗布装置 |
-
1996
- 1996-12-19 JP JP33958696A patent/JP3414176B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20150146080A (ko) * | 2014-06-20 | 2015-12-31 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 노즐 막힘 방지 시스템 및 방법, 그리고 이를 사용하는 프린터 |
KR101682760B1 (ko) | 2014-06-20 | 2016-12-06 | 희성전자 주식회사 | 노즐 막힘 방지 시스템 및 방법, 그리고 이를 사용하는 프린터 |
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---|---|
JPH10178008A (ja) | 1998-06-30 |
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