JP3411079B2 - クリーンルームのクリーン化方法 - Google Patents
クリーンルームのクリーン化方法Info
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Description
ーンルーム内のクリーン化方法に関する。近年の半導体
製造工場のクリーンルームでは、半導体製品の微細加工
技術により、微細なゴミ等のパーティクルの付着でも、
製品歩留りの低下をもたらす為、このゴミ等のパーティ
クルをほとんど無くすためのクリーン化が要求されてお
り、クリーンルーム内のパーティクルの発生およびその
原因を根絶する必要がある。 【0002】また、半導体製造工場における腐食性ガス
使用後の排気系の除害装置において、使用ガスを混用し
て除害出来ず、腐食・破損・爆発等の事故を発生させる
要因となっており、その為にガスの種類を選択すること
なく、安全に除害を行う必要がある。 【0003】 【従来の技術】図3は従来例の説明図である。図におい
て、2は反応室、14はガス導入ライン、17は真空排気ラ
イン、20は開放窓である。 【0004】従来の半導体製造工場のクリーンルームの
クリーン化方法においては、工場内に設置してある空調
システム+高精密エアフィルタでクリーンルームのクリ
ーン度を保持していた。 【0005】ところが、図3に示すように、クリーンル
ーム内に設置されている半導体製造装置において、腐食
性ガスを使用後の装置の反応室4よりパーティクル、ま
たはパーティクルの核になる微粒子の発生が近年確認さ
れており、その数は1回に、0.2μm以上のパーティク
ルが 5,000〜9,000 個も発生している。 【0006】これにより、現状の工場システムだけでは
クリーン度の保持が難しく、更にクリーンルーム内のク
リーン度の向上が出来なくなっていた。また、従来の腐
食性ガスの除害処理は、活性炭等の吸着方式を使用して
いたが、除害処理装置の容量がなくて腐食性ガスを溜め
込み、破損・腐食等の障害を起こしていた。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】従って、半導体製造工
場のクリーンルーム内のパーティクルによって、半導体
製品の不良の発生による歩留り低下、クリーンルーム内
の汚染、腐食性ガスの取扱に起因する腐食・破損・爆発
等の障害や事故といった問題を生じていた。 【0008】本発明は、以上の点を鑑み、半導体製造工
場のクリーンルーム内におけるパーティクルの発生源を
根絶し、除害処理装置を新方式にして破損・腐食等の障
害をなくすことを目的として提供される。 【0009】 【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。図において、1はクリーンルーム、2は反応
室、3は水或いは水蒸気、4は水・水蒸気導入ライン、
5はプロセスガスならびに反応生成物、6は酸系ガス、
7は除害処理装置、8は循環水中和処理装置、9は除害
システム、10は酸排気、11は処理水、12は酸系排気ライ
ン、13は循環水、14はガス導入ライン、15はプロセスガ
ス、16はガス排気ライン、17は真空排気ライン、18はフ
ィルタ、19はバルブ、20は開放窓、21は酸排水ライン、
22は真空ポンプである。 【0010】図1に示したように、除害システム9は、
循環水13を使用した除害処理装置7と循環水中和処理装
置8とで構成されている。ドライエッチング装置等の反
応室2をクリーンルーム1内で開放する際に、反応室2
内から流出するプロセスガスならびに反応生成物5に起
因するパーティクルおよびパーティクルの核を、水・水
蒸気導入ライン4より水或いは水蒸気3を引き入れて、
水との接触方式によって除去し、その際に発生する酸系
ガス6を、ガス排気ライン16を使用し、真空排気ライン
17を閉じて、除害システム9を通し、酸排気10は酸系排
気ライン12を経由して工場の酸排気ダクトに、処理水11
は酸排水ライン21を経由して工場排水処理装置に送る。 【0011】すなわち、本発明の目的は、図1に示すよ
うに、クリーンルーム1内に設置した半導体製造装置の
反応室2をクリーンルーム1内で開放する前に、反応室
2内に水或いは水蒸気3を水・水蒸気導入ライン4から
送り込み、反応室2から排出されるプロセスガスならび
に反応生成物5を水或いは水蒸気4と接触させて酸系ガ
ス6として反応室2から排気し、除害処理装置7と循環
水中和処理装置8からなる除害システム9で処理し、酸
排気10ならびに処理水11として外部に排出することによ
り達成される。 【0012】 【作用】本発明では、図1に示すように、反応室に導入
した水及び水蒸気がプロセスガスならびに反応生成物に
起因するパーティクルやパーティクルの核と接触し、水
と一緒にガス排気ラインに流れる。 【0013】この時、酸系のガスが発生するため、除害
システムの除外処理装置において循環水に酸系のガスを
溶け込ませて、酸排気を酸排気ダクトに送る。また、汚
れた処理水自体は、除害システムの循環水中和処理装置
において薬品により中和されて排水処理装置に送る。 【0014】従って、クリーンルーム内でエッチング装
置の反応室内雰囲気を大気に開放しても、クリーンルー
ム内にパーティクルやパーティクルの核は流出しない。 【0015】 【実施例】図1は本発明の原理説明図であり、本発明の
除害システムの概要図である。図2は本発明の一実施例
の説明図であり、除害システムの内部構造を示す断面図
である。 【0016】図において、1はクリーンルーム、2は反
応室、3は水或いは水蒸気、4は水・水蒸気導入ライ
ン、5はプロセスガスならびに反応生成物、6は酸系ガ
ス、7は除害処理装置、8は循環水中和処理装置、9は
除害システム、10は酸排気、11は処理水、12は酸系排気
ライン、13は循環水、14はガス導入ライン、15はプロセ
スガス、16はガス排気ライン、17は真空排気ライン、18
はフィルタ、19はバルブ、20は開放窓、21は酸排水ライ
ン、22は真空ポンプ、23は羽根、24はモータ、25〜27は
第1段〜第3段中和薬品投入口である。 【0017】本発明の一実施例を図1ならびに図2によ
り説明する。RIE装置等の各種ドライエッチング装置
に用いるプロセスガスとして、臭化水素(HBr)、塩
素(Cl2 )、酸素(O2 )、三塩化硼素(BCl
3)、四塩化珪素(SiCl4)ガス等を用い、装置の
RF電源で30時間以上半導体基板上の薄膜等のエッチ
ング処理を行った後、処理した反応室2内を半導体基板
の交換や反応室内の整備・清掃のため、クリーンルーム
1内で開放すると、従来は、通常0.2μm以上のパー
ティクルが5,000 〜9,000 個発生し、クリーンルーム1
内に流出していた。 【0018】本発明の一実施例では、図1に示す反応室
2内に水・水蒸気導入ライン4から水或いは水蒸気3を
1,500〜3,500cc/min導入し、反応室2
側の圧力制御を500〜700Torrに設定し、真空
ポンプ22を作動して排気しながら、20〜40分間、反
応室2内のパーティクルと水の接触方式によって、反応
室2内のプロセスガスならびに反応生成物5をガス排気
ライン16に酸系ガス6として流し、本発明の除害ヒステ
ムに送る。 【0019】図2に示す除害システム9において、上述
の状態で反応室2から送りこまれた参詣ガス6は、除外
処理装置7と循環水中和処理装置8を用いて同時に酸排
気10と処理水11の除害処理を行う。 【0020】すなわち、図2に示すように、循環水13を
12l/min流し、圧力8kg/cm2 で除害処理す
る。除害処理装置7のタンク内には循環水13が充満して
おり、攪拌用の羽根23はモーター24で3,000回転/
minの早さで回転している。 【0021】除害処理装置7からの酸排気10は酸系排気
ライン12を経由してクリーンルーム1内から天井裏にあ
る工場の酸排気ダクトに送られる。この酸排気10を図2
に示したAの場所でディテクタにより排気ガス濃度を測
定した結果、Br、Cl2 共に0ppmであった。 【0022】除害処理装置7で処理した酸が溶け込んだ
循環水13は循環水中和処理装置8 に送られ、硫酸や苛性
ソーダ等の中和薬品を第1段〜第3段の中和薬品投入口
25〜27より必要量を順次投入して、処理水11を第1段、
第2段、第3段と順次、循環水中和処理装置8内で中和
を繰り返した後、PH7の処理水11として、酸排水ライ
ン21を経由してクリーンルーム1内から、外の工場排水
処理装置に送られる。この処理水11を図2に示したBの
場所でディテクタによりイオン濃度を測定した結果、B
r、Cl2 共0ppmであった。 【0023】上記実施例ではプロセスガスとして塩素並
びに臭素系反応ガスを用いたが、六弗化硫黄(SF6 )
等の弗素系反応ガスを用いた場合も弗素処理用の除害装
置を用いて、同様の効果が確認された。 【0024】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
クリーンルーム内に流出するパーティクル及びパーティ
クルの核を防止する効果が上がり、反応室を常圧に戻し
て開放する際にパーティクルカウンタで測定した結果、
0.2μm以上のパーティクルが2〜9個と大巾に減少し
た。 【0025】また、新方式による除害処理により、安全
性の高い定期交換の要らない腐食性ガスの除害効果が得
られ、一年以上経過しても、デイテクタの測定結果は0
ppmであった。 【0026】これにより、新方式による半導体製造工場
のクリーンルーム内及び除害装置やエッチング装置のク
リーン化に寄与するところが大きい。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 クリーンルーム(1) 内に設置した半導体
製造装置の反応室(2) を該クリーンルーム(1) 内で開放
する前に、該反応室(2) 内に水或いは水蒸気(3) を水・
水蒸気導入ライン(4) から送り込み、該反応室(2) から
排出されるプロセスガスならびに反応生成物(5) を該水
或いは水蒸気(4) と接触させて酸系ガス(6) として該反
応室(2) から排気し、除害処理装置(7) と循環水中和処
理装置(8) からなる除害システム(9) で処理し、酸排気
(10)ならびに処理水(11)として外部に排出することを特
徴とするクリーンルームのクリーン化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03072794A JP3411079B2 (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | クリーンルームのクリーン化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03072794A JP3411079B2 (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | クリーンルームのクリーン化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07243681A JPH07243681A (ja) | 1995-09-19 |
JP3411079B2 true JP3411079B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=12311702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03072794A Expired - Lifetime JP3411079B2 (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | クリーンルームのクリーン化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3411079B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201247334A (en) * | 2011-05-18 | 2012-12-01 | Auria Solar Co Ltd | Method for cleaning deposition chamber |
-
1994
- 1994-03-01 JP JP03072794A patent/JP3411079B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07243681A (ja) | 1995-09-19 |
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